Bandas de Energía y Conducción

Eléctrica en los Sólidos,

Portadores en Equilibrio
Térmico y Propiedades en los
Semiconductores

Jehan Ramírez Díaz, C.I 18566300

EES, Sección 1, Nº de Lista 28
 Bandas de Energía en los
Sólidos
Modelo de Kronig-Penney: describe los estados de
energía de un electrón perteneciente a un cristal. Para esto
supone que la estructura cristalina configura un potencial
periódico, de cambios abruptos que, si bien es hipotético,
es de gran ayuda en los cálculos. La forma unidimensional
de este potencial es como indica la figura.
Bandas de Energía en los
Sólidos
La distribución probabilística del electrón, Ψ, está regida
por la ecuación de Schrödinger:

U representa el potencial en el cristal y, debido a su regularidad,

se lo puede aproximar con una función periódica. En el modelo
unidimensional de Kronig-Penney el potencial presenta
discontinuidades abruptas que, si bien es físicamente imposible,
puede hacerse una buena aproximación a un caso real.
Además, la solución a la ecuación en este caso es más sencilla,
que si se haría una mejor aproximación con la ley de Coulomb. La
solución a esta ecuación es una onda de Bloch, que tiene el mismo
período que el potencial y se expresa en la forma:

Ψ(x) = μ(x)eikx
Bandas de Energía en los
Sólidos
 Bandas de Energía en los
Sólidos

Diagrama del Espacio k: en el gráfico mostrado en la figura, podemos

observar que f(E) permanece entre los límites ± 1, solo para ciertas
regiones. Estas energías permitidas forman las bandas permitidas y
están separadas por bandas de separación.
Se puede obtener la relación o la estructura de bandas E versus k del
electrón en la estructura periódica, como se muestra en la figura , en
donde las energías entre E2 y E1 forman la banda permitida, las
energías entre E4 y E3 forman la segunda banda de separación, etc.
El movimiento de los electrones en la red se puede asimilar a la
propagación de una onda electromagnética en un cristal.
Bandas de Energía en los
Sólidos

Los valores k son aquellos para los cuales la red lineal

impide el movimiento de electrones en una dirección dada y
los obliga a moverse en la dirección opuesta. El conjunto de
los valores de k comprendidos entre -∏/a y ∏/a constituye
la primera zona de Brillouin. Para k comprendido -2∏/a y
-∏/a entre ∏/a y 2∏/a , tenemos la segunda zona de
Brillouin, así sucesivamente.
La energía se parece mucho a la de una partícula libre (indica con
líneas de trazo). En consecuencia la red afecta el movimiento del
electrón solo cuando k es cercano a a np , y el efecto de producir
discontinuidad de energía. Para los valores intermedios de k, los
electrones se mueven libremente a través de la red.
Bandas de Energía en los
Sólidos
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
El Modelo de Enlace: cada átomo de cristal
tiene cuatro vecinos más próximos con los que
comparte sus electrones de valencia.
 Conducción Eléctrica en los
Sólidos
En la figura anterior observamos que:
- Cada átomo esta rodeado de cuatro vecinos equidistantes.
- Los electrones de valencia, en numero de 4 por átomo, son
compartidos por igual por los 4 vecinos mas próximos. Con lo
cual, cada enlace entre un átomo y uno de sus vecinos mas
próximos contiene 2 electrones.

Cuando todos los electrones de valencia están constreñidos en

enlaces covalentes, como en la figura anterior, no será posible
la conducción eléctrica por no haber portadores de carga que
puedan moverse libremente, como consecuencia un material que
tenga esta configuración se comporta como aislador.
A temperatura superior a 0ºk algunos enlaces covalentes son
incompletos. Los electrones que faltan ya no están confinados a
la región de enlace, sino q pueden moverse libremente.
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
 Conducción Eléctrica en los
Sólidos
Masa Efectiva del Electrón: la masa efectiva de una partícula
es la masa que parece tener en un cristal según el modelo
semiclásico de transporte. Parece ser que, bajo ciertas
condiciones, los electrones y los huecos de un cristal se
comportan a campos magnéticos y eléctricos como si estuvieran
libres en el vació pero con una masa diferente. Generalmente no
es igual que la masa del electrón libre. Esta masa se suele
expresar como una constante por la masa del electrón.
La masa efectiva, m*, se determina por la estructura de bandas y
varía según el tipo de material. Depende de la curvatura de la
superficie E-k.
Conducción Eléctrica en los
Sólidos

Concepto de Hueco: el hueco es ese espacio que deja un

electrón cuando se desplaza de un nivel a otro. Al igual que los
electrones los huecos tienen un movimiento aleatorio pero
también son afectados por los campos eléctricos. El
movimiento de los huecos se puede considerar
matemáticamente como el movimiento de una partícula
cargada positivamente y con masa ligeramente superior al
electrón.
Conducción Eléctrica en los
Sólidos

Metales, Aislantes y Semiconductores: para que la

conducción de la electricidad sea posible es necesario que
haya electrones en la capa de conducción, así podemos
considerar tres situaciones:
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
En un aislante la separación entre la banda de
valencia y la banda de conducción es muy grande
(» 10 eV), y esto significa que un electrón en la
banda de valencia necesita mucha energía para
ser liberado y convertirse en un electrón libre
necesario para la conducción. En un conductor las
dos bandas están solapadas, no necesitándose
ninguna energía para alcanzar la conducción. En
un semiconductor la banda prohibida es muy
estrecha, o lo que es lo mismo, es muy fácil que
un electrón sea liberado y pueda contribuir a la
conducción.
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
Función de la Densidad de Estados: el número de
niveles de energía con un determinado valor de energía se
conoce como la densidad de estados, N(E) o ρ. Es posible
representar la variación de energía de una banda en función de
la densidad de estados. La densidad de estados no es uniforme
a lo largo de toda la banda debido a que los niveles de energía
se empaquetan más a unos determinados valores de energía que
a otros. Entre dos bandas separadas por un espaciamiento
energético, la densidad de estados en el mismo es cero, pues no
hay niveles energéticos en dicha separación. En algunos casos
especiales puede ocurrir que la separación entre la banda de
valencia y la de conducción sea nula, aunque la densidad de
estados en el punto de conjunción de ambas bandas sea cero.
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
 Portadores en Equilibrio
Térmico
Semiconductor Intrínseco: son los semiconductores
puros, en los que la conducción se debe al aumento
de electrones originados por la temperatura. Los
portadores de carga son los electrones y huecos. Los
semiconductores intrínsecos no presentan impurezas
en su estructura, y están constituidos solamente por
el elemento tetravalente semiconductor, Germanio y
Silicio puro.
Portadores en Equilibrio
Térmico
Portadores en Equilibrio
Térmico
El nivel de Fermi: a la temperatura T = 0 K los
electrones ocupan los orbitales moleculares que
forman la banda siguiendo el principio de construcción
citado en la lección 2. Si cada átomo del modelo
(distribución lineal de átomos) contribuye a la banda s
con 1 electrón entonces, a T = 0 K la mitad de los
orbitales que forman la banda (1/2 N) estarán
ocupados. El orbital molecular de mayor energía que se
encuentra ocupado se conoce como el nivel de Fermi y,
en este caso, estará situado en el centro de la banda.
La banda de menor energía que se encuentra ocupada o
semiocupada se conoce como banda de valencia. La
banda de menor energía que se encuentra vacía se
conoce como la banda de conducción.
Portadores en Equilibrio
Térmico
A una temperatura superior a 0 K, la población de los orbitales moleculares
que forman la banda, P, viene dada por la distribución de Fermi-Dirac, que
es una versión de la distribución de Boltzmann, y que tiene en cuenta que
cada nivel de energía de la banda sólo puede estar ocupado por 2
electrones como máximo. Esta distribución P tiene la siguiente forma:

P = 1/(e(E-μ)/kT + 1)

donde μ es el potencial químico o energía del nivel para el cual P = 1/2. La

forma de la distribución de Fermi-Dirac. Cuando la banda no está
completamente ocupada los electrones que se encuentran próximos al nivel
de Fermi pueden, fácilmente, promocionarse a niveles vacíos que se
encuentran inmediatamente por encima de éste. Como resultado, los
electrones gozan de movilidad y pueden moverse libremente a través del
sólido. Este fenómeno origina que la sustancia sea un buen conductor
eléctrico. Como se ha visto, en un metal la conductividad eléctrica
disminuye con la temperatura; este hecho se debe a las interferencias (los
electrones se pueden describir como ondas) que se producen entre los
electrones que se mueven por el sólido y las vibraciones de la red
cristalinas, provocadas por el movimiento de los átomos, vibraciones que
aumentan al hacerlo la temperatura.
 Transporte de Portadores.
Propiedades de los Semiconductores
Movilidad: a la hora de producir una corriente eléctrica no es lo mismo
trabajar con silicio tipo P, que con silicio tipo N. En el silicio tipo N la
conducción la producen los electrones y en el tipo P la producen los
huecos. Sin embargo no se requiere la misma energía para mover un
electrón que para mover un hueco, a este parámetro se le denomina
movilidad. Se mide en cm/Vs (centímetros / (voltio•segundo), y depende
el material y de la concentración de portadores.
Además de otros factores, la masa efectiva de un electrón es un 30%
menor que la de un hueco, lo que implica la necesidad de una menor
energía para desplazar un electrón. En los semiconductores con
impurezas pentavalentes (tipo N) el electrón "sobrante" sólo tiene que
superar una barrera energética de 0,05eV para pasar a la banda de
conducción, una 20 veces menor que la barrera de potencial en silicio
puro. Mientras que los huecos en impurezas trivalentes requieren una
energía mayor.
Los resultados indican cifras de movilidad aproximadamente tres veces
mayores en electrones que en huecos, entre 1400 y 1600 cm/V•s para
los electrones y 450-600 cm/V•s para los huecos.
 Transporte de Portadores.
Propiedades de los Semiconductores

Resistividad: una propiedad importante en los

semiconductores es que posibilita el poder modificar su
resistividad de manera controlada entre márgenes muy
amplios. La razón primera de este comportamiento
diferente reside en su estructura atómica, básicamente
en la distancia interatómica de sus átomos en la red así
como el tipo de enlace entre ellos.
Así el enlace atómico depende del número de electrones
de valencia de los átomos formantes del enlace y de la
electronegatividad de los mismos. Los electrones de la
capa externa o electrones de valencia son los que
determinan y forman los enlaces y los que en su
momento pueden determinar el carácter conductivo o no
de él.
 Transporte de Portadores.
Propiedades de los Semiconductores

Efecto Hall: el efecto Hall es una consecuencia de

la fuerza que se ejerce sobre una carga eléctrica
en movimiento cuando se encuentra sometida a la
acción de un campo eléctrico y un campo magnético.
Si por una muestra semiconductora circula una
densidad de corriente J perpendicular a un campo
magnético B, éste provoca la aparición de un campo
eléctrico normal al plano determinado por B y J.
Este mecanismo denominado efecto Hall puede ser
usado para determinar características del
semiconductor tales como: tipo de portador (hueco
o electrón), concentración o movilidad.
Transporte de Portadores.
Propiedades de los Semiconductores

Recombinación: al describir el concepto de electrón y hueco en los

apartados anteriores ligamos su existencia al hecho por el cual un
electrón gana energía suficiente para liberarse del átomo al que estaba
ligado. Precisando un poco más se dice que un electrón gana energía
suficiente para promocionarse de la banda de valencia a la banda de
conducción, y de forma más breve aún, se ha generado un par electrón-
hueco (par eh). El proceso inverso también existe y un electrón libre
puede ser capturado por un hueco (enlace vacío) de la red. Se dice
entonces que se ha producido una recombinación de un par eh. Estos
procesos ocurren continuamente de forma dinámica en un
semiconductor. Pero si un semiconductor se encuentra en equilibrio
(aislado del exterior) el número de procesos de generación por unidad
de tiempo tiene que ser igual al número de procesos de recombinación.
O sea, que la población de de electrones y huecos permanece
constante.

Existen varios procesos de recombinación/generación (procesos en los

que un electrón puede ganar o perder energía para intercambiarse
entre la banda de valencia y conducción).