Estructura de los transistores de efecto de campo de unin, JFET (canal N)

P+
Fuente (S)

NP+

Canal

Drenador (D)

Puerta (G)
G
JFET (canal N) Smbolo

D
Otros smbolos

G
G
canal N

D S

D S

S canal P

JFET (canal P) Smbolo

ATE-UO Trans 82

Principio de funcionamiento de los transistores de efecto de campo de unin, JFET (I)

P+
Fuente (S)

NP+
Puerta (G)

Drenador (D)

Zona de transicin en zona muy dopada estrecha Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83

Principio de funcionamiento de los transistores de efecto de campo de unin, JFET (II)

P+
(S)

(D)

P+
(G)
V1 < V2

V12 V

Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de transicin, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84

Principio de funcionamiento de los transistores de efecto de campo de unin, JFET (III)

D + VDS S ID Evolucin si la resistencia no cambiara con la tensin. ID

VDS Evolucin real en un JFET (la resistencia cambia con la tensin aplicada). V1 V2
ATE-UO Trans 85

Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(S)

NP+

VPO

(D) VDS

(G)

VDS=VPO > V2

Si se aumenta ms la tensin drenador-fuente, la zona de transicin llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La corriente de drenador no cesa (si cesara no se formara el perfil de zona de transicin que provoca esta situacin). La tensin VDS a la que se produce la contraccin total del canal recibe el nombre de tensin de contraccin (pinch-off), VPO. ATE-UO Trans 86

Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
(S)

LC P+
(G)

LZTC

(D) VDS

VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensin drenador-fuente por encima de VPO, va aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos portadores, LZTC (longitud de la zona de transicin en el canal). Sin embargo, el aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeo comparado con la longitud del canal, LC.
ATE-UO Trans 87

Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+ (S)

VPO
-

+ LZTC LZTC

(D) VDS

P+
(G)
VDS=V4 > V3

Si LZTC << LC (hiptesis de canal largo) y admitimos que el perfil de portadores en la parte no contrada del canal no ha cambiado, tenemos que admitir que la tensin en dicha parte es VPO. Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma cada de tensin sobre el mismo perfil de canal misma corriente que cuando aplicbamos VPO corriente constante por el canal cuando VDS>VPO.
ATE-UO Trans 88

Resumen del principio de funcionamiento de los JFET cuando VGS = 0

VDS=0 VDS=V1 VDS=V2 VDS=VPO VDS=V3 VDS=V4
ATE-UO Trans 89

ID

Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente

VDS V1 V2 VPO V3 V4

P+ (S) N
-

Qu pasa si VGS 0? VPO + (D)

P+ (G)

Con VGS=0, la contraccin ocurre cuando VDS = VDSPO =VPO. VDS=VPO El canal es siempre ms estrecho, al estar polarizado ms inversamente mayor resistencia UA La contraccin se produce cuando: VDS=VDSPO=VPO + VGS Es decir: VDSPO = UA = VPO - UB

P (S)

N-

VPO
P+ (G)

+ -

(D)

+
VDS

UB

+ VGS -

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la contraccin se produce a una VDS menor. ATE-UO Trans 90

Curvas caractersticas de un JFET (canal N)

Referencias normalizadas

ID D + VDS 4 2

Curvas de salida ID [mA]

VGS = 0V VGS = -0,5V VGS = -1V
VGS = -1,5V VGS = -2V

G + VGS -

Curvas de entrada: No tienen inters

(unin polarizada inversamente)

VDS [V]

Contraccin del canal

Contraccin producida cuando: VDSPO=VPO + VGS
ATE-UO Trans 91

Muy importante

La tensin VPO
P+ (S) P+ (G) N(D)

Cortocircuitamos el drenador y la fuente y aplicamos tensin entre puerta y fuente.

UB1

+ VGS -

P+ (S) P+ (G) N(D)

UB1< UB2

+ VGS = -VPO -

Cuando la tensin VGS alcanza un valor negativo suficientemente grande, la zona de transicin invade totalmente el canal. Este valor es el de contraccin del canal, VPO.

ATE-UO Trans 92

Anlisis grfico de un JFET en fuente comn

2,5K G + VGS D + VDS ID ID [mA] 4 2 10V 0 4 8
VGS = 0V VGS = -0,5V VGS = -1V
VGS = -1,5V VGS = -2V

12 VDS [V]
VGS = -2,5V Muy importante

VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V

Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 93

Clculo de las corrientes en la zona de fuente de corriente (canal contrado)

Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador cuando VGS = 0 y el canal est contrado, ID0PO.

ID [mA] 4
Tambin se conoce la tensin de contraccin del canal, VPO Ecuacin ya conocida:

ID0PO IDPO

VGS = 0V VGS = -0,5V VGS = -1V

VGS = -1,5V VGS = -2V

VDSPO = VPO + VGS

Ecuacin no demostrada:

12 VDS [V]

VGS = -VPO
Muy importante
ATE-UO Trans 94

IDPO ID0PO(1 + VGS/VPO)2

Comparacin entre transistores bipolares y JFET (I) IC I

D

R
IB B (P) C (N) V2 E (N)

Muy importante

R
D N S V2

IG 0 G (P) V1

V1

+ VBE -

+ VGS -

En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las corrientes de salida (IC e ID). En zona de comportamiento como fuente de corriente, es til relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con tensin de entrada (JFET). La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho ms pequea en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente la unin puerta-canal).

ATE-UO Trans 95

Comparacin entre transistores bipolares y JFET (II)

P (S) P+ (G)
+

N-

Corriente de electrones en todo el dispositivo

(transistor unipolar)
(D)

+
UA
Muy importante

UB

+ VGS -

VDS

El JFET es ms rpido al ser un dispositivo unipolar (conduccin no determinada por la concentracin de minoritarios). El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensin, ya que tiene una zona de trabajo con caracterstica resistiva. Para conseguir un comportamiento tipo cortocircuito hay que colocar muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96

Estructura real de un JFET de canal N

SiO2

S
N+ N-

G
P+

D
N+ P+ Contactos metlicos Canal N

G Uso de un JFET de canal P

Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y corrientes para operar en I 0 G G (N) los mismas zonas de trabajo. V1
ATE-UO Trans 97

R
D P S V2

-ID

+ VGS -

Los transistores de efecto de campo de unin metal-semiconductor MESFET

Contacto rectificador (Schottky)

S
N+ N-

D
N+

ID GaAs

VGS > 0 VGS = 0

GaAs aislante

Contactos hmicos

VGS<0

VDS

Pequea polarizacin directa GS

Tensin GS nula

Polarizacin inversa GS, zona resistiva

Polarizacin inversa GS, zona f. de corriente

ATE-UO Trans 98

Los transistores de efecto de campo de metalxido-semiconductor, MOSFET Estructura Nombre Contactos

SiO2 Metal metlicos

S
N+

G
N+
+

G D

Metal

xido
Semiconductor

P-

Substrato Smbolo D
G Substrato S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N

Smbolo
G

MOSFET de S enriquecimiento de canal P

ATE-UO Trans 99

Principios de operacin de los MOSFET (I) G

Zona de transicin (con carga espacial) V1

S ++ ++
N+ P+ + +

D
- N+
+

- -

Substrato

S +++ +++ ++ ++
-

Substrato

N+ -P-

Se empieza a formar una capa de electrones (minoritarios del substrato)

- --

- N+ +

V2 > V1

ATE-UO Trans 100

Principios de operacin de los MOSFET (II) G

++++ Esta capa de minoritarios es llamada capa de inversin

S ++++

N+ -- - -- -- N+ P+

V3 = V TH > V2
Esta capa es una zona de transicin (no tiene casi portadores de carga)

Substrato

Cuando la concentracin de los electrones en la capa formada es igual a la concentracin de los huecos de la zona del substrato alejada de la puerta, diremos que empieza la inversin. Se ha creado artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato. La tensin a la que esto ocurre es llamada tensin umbral (threshold voltage), VTH.
ATE-UO Trans 101

Principios de operacin de los MOSFET (III)

Situacin con tensin mayor que la de umbral

S +++++ +++++

D
V4 > V TH

N+ -- - -- - - -- N+ PVDS ID Substrato P

S +++++ +++++

D
VGS

Conectamos la fuente al substrato. Conectamos una fuente de tensin entre los terminales fuente y drenador.

N+ -- - -- - - -- N+ PSubstrato

Cmo es la corriente de drenador?

ATE-UO Trans 102

VDS 0

ID 0

Principios de operacin de los MOSFET (IV) D

VGS
Existe un canal entre drenador y fuente constituido por la capa de inversin que se ha formado. Con tensiones VDS pequeas (<<VGS), el canal es uniforme.

S +++++ +++++

N+ -- - -- - - -- N+ PSubstrato

VDS =VDS1 >0

ID

El canal se empieza a contraer segn aumenta la tensin VDS. La situacin es semejante a la que se da en un JFET.

S +++++ +++++

D
VGS

- N+ -- - -- - - - N+ PSubstrato

ATE-UO Trans 103

VDS2=VDSPO >VDS1 ID

Principios de operacin de los MOSFET (V)

El canal formado se contrae totalmente cuando VDS = VDSPO.

S +++++ +++++
N+ P- - -------

D
N+ VGS

VDS3 >VDSPO ID

Substrato

Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET se comporta como una fuente de corriente (como en el caso de los JFET).
ATE-UO Trans 104

S +++++ +++++
N+ P- - -------

D
N+ VGS

Substrato

Principios de operacin de los MOSFET (VI)

VDS1 ID 0 VDS2 > VDS1 ID 0

S
N+ PSubstrato

D
N+

S
N+ PSubstrato

D
N+

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prcticamente nula. En general, si VGS <VTH, no hay casi canal formado y, por tanto, no hay casi corriente de drenador.
ATE-UO Trans 105

Curvas caractersticas de un MOSFET de enriquecimiento de canal N

Referencias normalizadas

ID 4 2

G + VGS -

+ VDS S -

Curvas de salida ID [mA]

VGS = 4,5V VGS = 4V VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

Curvas de entrada: No tienen inters (puerta

aislada del canal)

VDS [V]

VGS < VTH = 2V

Muy importante
ATE-UO Trans 106

Anlisis grfico de un MOSFET en fuente comn

2,5K
D

ID + VDS -

ID [mA] 4 2
VGS = 4,5V VGS = 4V VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

+ -

10V 0 4 8

VGS

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V Muy importante

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107

Clculo de las corrientes en la zona de fuente de corriente (canal contrado) y de la tensin umbral
Ecuaciones no demostradas:

IDPO (VGS - VTH)2ZnCox/2LC VTH 2 + (rsxox/rox)(4qNA F/(rs0))1/2 F

Z = longitud en el eje perpendicular a la representacin. Cox = Capacidad del xido por unidad de rea de la puerta. rs, rox y 0 = permitividades relativas del semiconductor y del xido y permitividad absoluta. xox = grosor del xido debajo de la puerta.
F

=VTln(NA/ni)
ATE-UO Trans 108

Los MOSFET de deplexin (I) S

N+ N

D
N+
+

PSubstrato

Existe canal sin necesidad de aplicar tensin a la puerta. Se podr establecer circulacin de corriente entre drenador y fuente sin necesidad de colocar tensin positiva en la puerta.

S
PN+
N-

G
+++ +++ - - - - - -

D
N+

+ VGS=V1 V1

Substrato

Modo ACUMULACIN: Al colocar tensin positiva en la puerta con relacin al canal, se refuerza el canal con ms electrones procedentes del substrato. El canal podr conducir ms.
ATE-UO Trans 109

Los MOSFET de deplexin (II)

S
PN+
N-

G
--- --+ + + + + +

D
N+
+

+ VGS=-V1 V1

Substrato

Operacin en modo DEPLEXIN: Se debilita el canal al colocar tensin negativa en la puerta con relacin al substrato. El canal podr conducir menos corriente.
ATE-UO Trans 110

Los MOSFET de deplexin (III)

Cuando se aplica tensin entre drenador y fuente se empieza a contraer el canal, como ocurre en los otros tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en ambos modos de operacin. VDS VDS ID ID

S
PN
+
-

G
+++ +++

D
N+
- +

S
V1 PN+
N-

G
--- --+ + + + + + + +

D
N+
+

-N - - -

V1

Substrato

Substrato

Modo acumulacin

Modo deplexin
ATE-UO Trans 111

Comparacin entre las curvas caractersticas de los MOSFET de enriquecimiento y de deplexin

ID [mA]

Enriquecimiento
VGS = 4,5V VGS = 4V

Muy importante

4 2

VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

ID [mA]

Deplexin VGS = 1V VGS = 0,5V

4 2

VGS < VTH = 2V

6 VDS [V]

Modo acumulacin Modo deplexin

VGS = 0V
VGS = -0,5V VGS = -1V

VGS < -1,5V

6 VDS [V]
ATE-UO Trans 112

Comparacin entre los smbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de deplexin con ambos tipos de canal
D G S Tipo enriquecimiento G S Tipo deplexin D

Canal N

D G S Tipo enriquecimiento G

D S Tipo deplexin

Canal P

ATE-UO Trans 113

Comparacin de los circuitos de polarizacin para trabajar en zona resistiva o en zona de fuente de corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
ID -ID

R
D G

R
D G

+ V1 -

+ VDS -

V2 V1

+ -

+ VDS -

V2

VGS

VGS

Canal N

Canal P

Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114

Comparacin entre transistores JFET y MOSFET

ID ID

R IG 0
V1 D G V2

R IG = 0
+ V1
D G S

+ VGS S JFET, canal N

V2

MOSFET, canal N

VGS

La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estticamente en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es ms pequea an que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada inversamente la unin puerta-canal). La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115

Precauciones en el uso de transistores MOSFET S

N+ P-

D
N+
+

D G S

Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos. El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin. Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116