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Ing.

Mnica Maritza Patio Martnez

Breve Resea Histrica

Tales de mileto: filosofo; Geometra, lgebra lineal, Geometra del espacio y algunas ramas de la Fsica, tales como la Esttica, Dinmica y ptica.

Demcrito de Abdera: tica, fsica, matemtica, tcnica e incluso msica, fund la doctrina atomista.

SIGLO XIX
Maxwell

Andr-Marie Ampre
Charles Augustin de Coulomb

Johann Carl Friedrich Gauss Georg Simon Ohm Michael Faraday

En 1893, Maxwell reuni las investigaciones en el campo de la electricidad y magnetismo de grandes cientficos y public las reglas matemticas que rigen las interacciones electromagnticas

SIGLO XX
Sir John Ambrose Fleming 1904 Inventor de la vlvula electrnica diodo rectificadora de corriente. Vlvula electrnica diodo de Fleming

(A) Filamento de la lmpara incandescente en funcin de ctodo. (B) Nuevo electrodo en funcin de nodo. (1) Batera para el encendido y calentamiento del filamento. (2) Batera de alimentacin del circuito externo de la vlvula diodo. (3) Corriente electrnica que se establece desde el filamento (ctodo) hacia el nodo. (4) Galvanmetro que detecta el paso de una corriente elctrica a travs del circuito externo de la vlvula.

SIGLO XX
Lee De Forest
1906 invent el triodo : vlvula termoinica de tres electrodos

El primero es el filamento, que al calentarse produce electrones. El segundo es el nodo, que est cargado positivamente y, por tanto, atrae a los electrones. El tercero es la rejilla que se situa entre el filamento y el nodo. amplificadores en cascada amplificadores regenerativos Osciladores el receptor heterodino

audin

SIGLO XX

La verdadera revolucin tecnolgica de la Electrnica surge con la invencin de los dispositivos basados en semiconductores, y ms en concreto, con la invencin del transistor.

SIGLO XX

SIGLO XX

SIGLO XX

SIGLO XX

XXI

Estructura del tomo


La historia de la electricidad comienza con el tomo, el tomo es el elemento mas pequeo de cualquier sustancia, cada tomo esta constituido de tres partculas: Neutrones Electrones Protones El centro del tomo se llama ncleo y se forma por los neutrones y los protones, orbitando el ncleo estn los electrones los cuales giran tal como los planetas alrededor del sol. Cada uno de las particulas dentro del tomo ejercen fuerza sobre las dems , esta fuerza se conoce como carga elctrica , se dice que los protones tienen carga positiva en tanto que los electrones tienen carga negativa

Estructura del tomo

Los electrones pueden ser de dos tipos:


Electrones ligados al ncleo: orbitan capas

interiores del tomo, cerca de este y muy difcilmente pueden escapar del mismo. Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del tomo, en niveles superiores de energa y pueden escapar en determinadas condiciones del tomo. Del mismo modo, el tomo acepta en tales niveles electrones externos. Los electrones de valencia determinan las propiedades qumicas de los materiales. Son los electrones de valencia los que determinan tambin las propiedades elctricas de un material

Materiales

Materiales semiconductores

Los materiales semiconductores ms conocidos son: Silicio (Si) y Germanio (Ge), los cuales poseen cuatro electrones de valencia en su ltimo nivel.

Teora de bandas

Esta teora explica el comportamiento de los materiales al paso de la corriente desde una perspectiva ms cientfica. Se define Banda de Valencia (BV) al conjunto de energa que poseen los electrones de valencia. Se define Banda de Conduccin (BC) al conjunto de energa que poseen los electrones para desligarse de sus tomos. Los electrones que estn en esta banda pueden circular por el material si existe una tensin elctrica que los empuje entre dos puntos. En base a estos dos conceptos se tienen tres casos:

Teora de bandas

Conductor: En este caso la Energa de la banda de valencia es mayor que la de los electrones de la banda de conduccin. As pues, las bandas se superponen y muchos electrones de valencia se sitan sobre la de conduccin con suma facilidad y, por lo tanto con opcin de circular por el medio.

Teora de bandas

Aislante: En este caso la energa de la banda de conduccin es mucho mayor que la energa de la banda de valencia. En este caso, existe una brecha entre la banda de valencia y la de conduccin de modo que, los electrones de valencia no pueden acceder a la banda de conduccin que estar vaca. Es por ello que el aislante no conduce. Slo a temperaturas muy altas, estos materiales son conductores

Teora de bandas

Semiconductores: En este caso, la banda de conduccin sigue siendo mayor que la banda de valencia, pero la brecha entre ambas es mucho ms pequea, de modo que, con un incremento pequeo de energa, lo electrones de valencia saltan a la banda de conduccin y puede circula por el medio. Cuando un electrn salta desde la banda de valencia a la de conduccin deja un hueco en la banda de valencia que, aunque parezca extrao, tambin se considera portador de corriente elctrica.

Cristales de silicio

Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal, Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se ve en la figura

Cristales de silicio
El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer otro electrn, etc... A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones libres. en los semiconductores hay dos tipos de portadores de corriente elctrica: - Los electrones: con carga negativa - Los huecos con carga positiva. A los materiales semiconductores puros se les conoce como semiconductores intrnsecos.

Semiconductores extrnsecos o Dopado de un semiconductor

Son materiales semiconductores puros contaminados con impurezas en mnimas proporciones (una partcula entre un milln). A este proceso de contaminacin se le denomina dopaje. Segn el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:
Tipo N Tipo P

Semiconductor extrnseco de tipo N En este caso se contamina el material con tomos de valencia
5, como son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerzo al quinto electrn de este tomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios. Al material tipo N se le denomina tambin donador de electrones.

Semiconductor extrnseco de tipo P En este caso se contamina el material semiconductor con


tomos de valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este tomo en el material, queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve fcilmente por la estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son portadores mayoritarios. Al material tipo P se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

El diodo

Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unin pn tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos". El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un punto relleno (que sera el electrn) al lado.

El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un circulo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco).

El diodo

Entonces la representacin de un SC tipo n sera:

Y la de un SC tipo p:

La unin de las regiones p y n ser:


Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin pn".

El diodo

Al unirlos, parte del exceso de electrones del tipo N pasa al cristale tipo P, y parte de los huecos del tipo P pasan al cristal tipo N. Crendose en la unin una franja llamada zona de transicin o zona de deplexin (W). que tiene un campo elctrico que se comporta como una barrera que se opone al paso de ms electrones desde la zona N hacia la zona P y de huecos desde la zona P a la zona N

Polarizacin directa

En este caso se conecta el polo positivo al cristal P y el polo negativo al cristal N. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms estrecha, rompiendo la barrera y permitiendo libremente el paso de la corriente. En este caso, el diodo conduce.

Polarizacin inversa

En este caso el polo positivo se conecta al cristal N y el polo negativo al cristal P. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms ancha, reforzando la barrera que impide el paso de la corriente. En este caso el diodo no conduce.

El diodo

En resumen: un diodo es tal que permite el paso de la corriente en un sentido (cuando tiene polarizacin directa) y no lo permite en el otro sentido (polarizacin inversa).

Smbolo

El contacto que se corresponde con el cristal semiconductor tipo P se llama nodo (terminal positivo) y se simboliza con un pequeo tringulo y el crista semiconductor tipo N se llama ctodo (terminal negativo) y se simboliza con una pequea lnea vertical. Los diodos vienen forrados de una cpsula de plstico (normalmente negra) y un anillo de color blanco que indica el ctodo.

Curvas caractersticas

Cada modelo de diodo que da un fabricante tiene asociada la llamada curva caracterstica, que mide la intensidad de corriente que atraviesa el diodo en funcin de la tensin que hay entre los dos extremos de la misma. La curva presenta dos regiones:

La zona directa

Polarizacin directa (Tensin positiva): Se corresponde con la zona derecha de la grfica segn el eje de tensin (V). De entrada el diodo no empieza a conducir, pero cuando alcanza cierto valor (de 0,3 Ge a 0,7V Si) conduce con facilidad, ofreciendo una resistencia mnima al paso de la corriente. Esta tensin a partir de la cual conduce el diodo en polarizacin directa se llama tensin umbral (V). En la grfica V= 0,7 V.

La zona inversa

Polarizacin inversa (tensin negativa): En este caso, ya se dijo que el diodo no deja pasar la corriente. Se corresponde con la zona izquierda de la grfica segn el eje de tensin (V). En realidad, si la tensin es muy elevada, el diodo si deja pasar la corriente. Este valor de tensin se llama tensin de ruptura (Vr). Normalmente Vr= 50 V

Modelos equivalentes lineales aproximados del diodo

Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada una de ellas es til en ciertas condiciones. 1 Aproximacin (el diodo ideal) La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.

1 Aproximacin (el diodo ideal)

1 Aproximacin (el diodo ideal)

:Ejemplo

2 Aproximacin

La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el valor de 0,3 V).

2 Aproximacin

El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarizacin directa, pero como a efectos prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior. Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.

2 Aproximacin

Polarizacin inversa: Es un interruptor abierto

2 Aproximacin

EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda aproximacin que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en polarizacin directa:

3 Aproximacin

La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.

3 Aproximacin

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la polarizacin directa:

3 Aproximacin

EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3 aproximacin, tomamos 0,23 como valor de la resistencia interna.

Tipos de diodos mas usados


Diodo Zner: (de avalancha o ruptura): Es un diodo especialmente diseado para trabajar siempre en inversa. Se usa para estabilizar la tensin. Diodo LED: diodo emisor de luz. El ctodo (+) es el contacto de menor longitud que el nodo (-). Fotodiodo: Al incidir luz sobre el diodo, se incrementa la circulacin de corriente en inversa.

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