Semicondutores

Semicondutores Extrnsecos
O semicondutor visto anteriormente tem como principal caracterstica o fato da concentrao (numero de portadores por cm3) de eltrons livres ser igual ao de lacunas e o seu nmero ser altamente depende da temperatura. Um semicondutor extrnseco ter algumas de suas caractersticas eltricas (como por exemplo a condutividade) alterada se forem adicionadas impurezas com nveis de concentrao adequados.

Semicondutor Tipo N

O semicondutor tipo N obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas pentavalente ao material puro (semicondutor intrnseco). Por exemplo adicionando-se o fsforo (P) o qual pentavalente (5 eltrons na camada de valncia), o mesmo substituir um tomo de semicondutor (Ge ou Si). Quatro dos seus eltrons sero compartilhados com quatro tomos vizinhos de Si enquanto o quinto eltron poder se tornar livre em temperaturas muito baixas sem que seja gerado lacuna.

Semicondutor Tipo N

Dopagem
Se N a concentrao de tomos da impureza, a concentrao de eltrons livres no equilbrio trmico (taxa de gerao de pares eltron-lacuna = taxa de recombinao de pares), n , ser dada por:n N e a concentrao de lacunas ser calculada aproximadamente por:
D n0

n0

Semicondutor Tipo P
O semicondutor tipo P obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas trivalente ao material puro (semicondutor intrnseco). Um exemplo deste tipo de impureza o boro (B). Como o boro trivalente os seus trs eltrons de Valencia sero compartilhados com quatro tomos de Si, porm uma das ligaes no ser completada. Essa lacuna poder se comportar como um portador de carga positivo em uma temperatura muito baixa quando um eltron de valncia de um tomo vizinho se deslocar para ocupar aquela vaga.

Semicondutor Tipo P

Dopagem
Se N a concentrao de tomos da impureza aceitadora, a concentrao de lacunas livres no equilbrio trmico (taxa de gerao de pares eltron-lacuna = taxa de recombinao de pares), p , ser dada por: N e a concentrao de eltrons livres ser calculada aproximadamente por:
A n0 pn0 A

Juno PN com Polarizao Direta

I= ID - IS = ID

Curva Caracterstica do Diodo

Polarizao Direta
Em polarizao direta a expresso matemtica :

IS=corrente de saturao = constante para uma dada temperatura

Polarizao Direta
VT chamada de constante trmica K= constante de Boltzmann T a temperatura absoluta (K) q o valor da carga do eltron (q=1,6.10-19C) Substituindo os valores numricos das constantes na expresso resultar VT=25mV na temperatura ambiente (250C) n=1 para diodos construdos em CI e 2 para diodos discretos Para V<0 e algumas vezes maior do que 25mV a expresso de id ser aproximadamente igual a -IS

Regio de Ruptura
VD <VBK=tenso de ruptura (Breakdown) Se o diodo consegue dissipar a potencia pode operar nessa regio o caso do Diodo Zener, caso contrario ocorre a destruio do diodo. Deve-se evitar operar prximo desta regio

Concentrao intrnseca

Concentrao intrnseca
Calcule a concentrao intrnseca do Si (Eg=1.1 eV), do Ge (Eg=0.67 eV) e do GaAs (Eg=1.43 eV) s temperaturas: 300 K, 400 K e 500 K. Compare os valores obtidos e explique as diferenas observadas.