CIRCUITOS DE ALTAS FRECUENCIAS

• Los circuitos de altas frecuencias se

fabrican actualmente en la región de los
GHz:
– En técnicas superficiales y peliculares.
– Con plásticos y cerámicas.
• Los circuitos de altas frecuencias se
fabrican en técnica híbrida
– Unidades de componentes pasivos.
(resistores, inductores, capacitores, Líneas
de transmisión).
– Los componentes semiconductores activos se
agregan con técnicas especiales.(diodos,
transistores)
• Circuitos de altas frecuencias de Silicio:
– En una sola tecnología para todos los
componentes.
– En circuitos integrados monolíticos.
– Operan en la región baja de los GHz.
• Circuitos Integrados monolíticos de
GaAs. (Alta movilidad electrónica).
– Operan hasta frecuencias de 40GHz.
CIRCUITOS DE ALTAS FRECUENCIAS

• La técnica de Circuitos Integrados

Monolíticos de Microondas (MMIC:
Monolithic Microwave Integrated Circuit).
– Se fabrican de GaAs.
– Y Heteroestructuras
• La técnica híbrida es la mas usada por
su bajo costo de producción.
– Se denomina esta técnica MIC: Microwave
Integrated Circuit.
• Causas del desarrollo de Circuitos de
altas frecuencias en técnica integrada:
– Facilidad en la fabricación.
– Fácil acoplamiento a las dimensiones de los
componentes activos semiconductores. fabricación
pelicular

• La técnicas de MICROSTRIP muestra grandes

ventajas.
• El uso de Guías de Ondas metálicas no
encuentran aplicación en la tecnología
integrada. 2
TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS PELICULARES

• Las guías de ondas peliculares son líneas de transmisión de

Microondas.
– Tienen la forma de cintas planas conductoras dispuestas
sobre un sustrato dieléctrico
•Línea MICROSTRIP invertida.
•Estructura de fácil fabricación.
•Bajo costo de diseño.
•Es la estructura más usada

3
•Línea MICROSTRIP de tres platos se fabrica de sustratos de
plásticos. Se presentan ciertas limitaciones:

-El incluir la pista central hace imposible modificaciones al

corregir la longitud de las pistas o agregar

•Línea MICROSTRIP con sustrato suspendido.

-Tiene un alto rendimiento debido a su estructura

blindada.

-Presenta alta precisión en sus características eléctricas.

•Línea MICROSTRIP de mimagen dieléctrica

-Las ondas se alimentan por medio de una pista

metálica dispuesta en el dieléctrico.

4
•Línea MICROSTRIP flotante.

-Presentan una baja atenuación.

-Se encuentra dentro de un sustrato metalizado.

TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS PELICULARES DE APOYO

•Microstrip coplanar
•Microstrip de Hendidura.
•Microstrip coplanar de dos pistas
•Microstrip con masa de hendidura
•Microstrip asimétrico
•Microstrip de banda

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 TIPOS DE MODOS DE PROPAGACIÓN

• Se desea en un diseño simplificado de

un circuito:
– Lograr que se propague una onda plana
TEM, debido:
• La Impedancia de Onda,
• La velocidad de propagación,
– Son independientes de la frecuencia.
• Por lo tanto no hay DISPESIÓN durante la propagación.

• En una línea MICROSTRIP:

– El modo de propagación fundamental es:
• Una ONDA HÍBRIDA.
– Con componentes:
» Del campo eléctrico
» Del campo magnético
– En la dirección de propagación

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w= Ancho de la pista.
h= Grosor del dieléctrico.
T= Grosor de la pista

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 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL MODO
FUNDAMENTAL
•El sistema MICROSTRIP está
formado por:
– Un conductor de ida,
– Un conductor de vuelta,
• Por lo tanto no se encuentran ni en el infinito,
– Entonces, LA FRECUENCIA DE CORTE
está dada por:
» fg0=0
• Como una aproximación generalizada,
– Para la región estable del PSEUDO MODO
TEM HE0
– Se puede tomar para la frecuencia de corte
del primer modo superior: HE1
• La aproximación de la Guía de Onda
Rectangular TE1,0: w/h>1
– Por lo tanto la frecuencia de corte del primer modo
superior se simplifica a la expresión:

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• En una línea MICROSTRIP la onda híbrida se
propaga:
– Una parte por el aire,
– Otra parte por el sustrato
– A diferentes Velocidades de propagación.
• Cs dentro del sustrato.
• Ca en el aire

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10
 IMPEDANCIA DE ONDA Y PERMITIVIDAD
APROXIMACIÓN ESTÁTICA
• En las bajas frecuencias se propaga en la línea
MICROSTRIP aproximadamente el modo TEM.
• La Impedancia de Onda ZL
• Y la Constante de Fase β
• Se obtienen de una IMAGEN
CONFORME.
• Para esto se determinan en el
PLANO DE LA IMAGEN CONFORME.
• La Capacidad superficial C’
• Y la Velocidad de Fase vφ
• Despreciando la atenuación es válido

11
• Se obtiene para la
Impedancia de Onda:

• Es válido para una línea con dieléctrico homogéneo

línea con Dieléctrico No Homogéneo

• La capacidad superficial C’ de la línea se expresa:

• Si C0’ es la capacidad superficial de la línea con AIRE como
dieléctrico

12
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA

• La Constante Dieléctrica relativa efectiva εr,eff para un

medio homogéneo se puede calcular aproximadamente
comparando una con otra, las componentes de campo en cada
una de las superficies. (En forma general por aproximación y
a través de Imagen Conforme).
• εr,eff se determina de curvas y diagramas.
• VKF Es el factor abreviado para la Longitud de Onda de la
Línea λ.
• λ0 Es la longitud de Onda en el Vacío.

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 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
DETERMINACIÓN DE LA CAPACIDAD SUPERFICIAL

• Para determinar la CAPACITANCIA SUPERFICIAL de acuerdo al

ejemplo de lamlínea MICROSTRIP con dieléctrico de aire en la
figura a.
• En la figura b se muestra una IMAGEN CONFORME del corte
transversal.

14
• Debido a que la cinta superior contribuye a la generación de la
capacitancia superficial C’, es la anchura real de la cinta weff que
debe considerarse en los cálculos, mayor que la anchura geométrica
de la cinta w.

• Numéricamente se determina un sistema de funciones

considerando la dependencia de la frecuencia y de la componente
longitudinal del campo, como solución.
• Se representa la ecuación, tomando como magnitudes conocidas:
• La anchura del conductor: w/h
• La Permitividad del sustrato: εr.
• El Producto h.f en GHZ.mm para un grosor de la linea t=0

15
 EFECTO DEL GROSOR DEL CONDUCTOR SOBRE
ZL Y εr,,eff

• ZL y εr,efect no experimenta variación alguna si las dimensiones

transversales se incrementan o disminuyen en valores múltiplos de
las dimensiones de diseño.
• Para líneas de cobre se diseñan para un grosor del conductor de
t=35μm o de 17,5μm, independiente de la altura h.
• Para valores de la altura h muy grandes se obtienen las
Magnitudes
Características de la línea para t=0.
• Disminuyendo la altura h manteniendo constante la relación
w/h,
• Se incrementa la componente de las líneas de Campo
Eléctrico E,
• Las cuales inician o finalizan en la superficie lateral
y=±w/2 de la línea pelicular. Siendo Δw el
Ensanchamiento equivalente del conductor.
• Esto tiene como efecto:

16
1. Se incrementa el revestimiento capacitivo total
disminuyendo el revestimiento inductivo.
• Manteniendo la relación w/h invariable,
• t constante
• y h pequeño,
• Presenta la línea una pequeña impedancia de onda
2. Se incrementa la componente de campo en el aire.
• Manteniendo la relación w/h invariable,
• Con una altura h pequeña,
• La línea presentará el mayor valor del factor de reducción
VKF y por lo tanto menor reducción.

17
 ATENUACIÓN DE LA LINEA MICROSTRIP

• En la mayoría de los sustratos la frecuencia de operación de

una línea MICROSTRIP se establece por debajo de la
denominada frecuencia de aceptancia de la atenuación fü.
• Donde las pérdidas longitudinales y transversales se
igualan.
• Bajo esta condición normalmente se desprecia las
pérdidas dieléctricas respecto a las pérdidas en el
conductor (A excepción de sustrato EPG Fibra de vidrio epóxida)

• La resistencia finita de la línea MICROSTRIP y la metalización de

masa generan la atenuación en el conductor.
• Debido a que la operación ocurre por debajo de la frecuencia de
aceptancia, se incrementan proporcional a
• La Impedancia superficial específica RF.
• Y como consecuencia se incrementa la Atenuación
debido al efecto piel.
• La dependencia de la frecuencia que presentan las
densidades de corriente Longitudinales y transversales, no es
tan precisa.
• Para una frecuencia de operación por debajo de la frecuencia 18

estática límite los resultados pueden presentar un error de 8%.

El Coeficiente de Atenuación La Impedancia Superficial.
Siendo:
• ρ La Impedancia específica.
• δ La profundidad de penetración.
• Aρ el factor geométrico en dB
independiente de εr y dependiente de
la
relación w/h por lo que es válido:

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 EFECTO DE LA SUJECIÓN SUPERFICIAL
• En la técnica MICROSTRIP de película fina se necesita
aplicar una delgada capa de sujeción de unos 0,02-0,1μm de
grosor entre el sustrato y la cinta conductora de la línea así
como entre el sustrato y la capa metalizada de masa.
• Para la cinta conductora se usa un material con elevada
conductividad, como Oro con un ρ=2,6.10-6Ωcm y un grosor de
un valor de varias profundidades de penetración δ.
• Para la capa de sujeción se usan materiales con muy baja
conductividad como el Cromo con ρ=13.10-6 a 15,6.10-6 Ωcm

• Con esta tecnología se eleva la atenuación del conductor en

dependencia con la relación:
• Entre el grosor de la capa de sujeción respecto a la
profundidad de penetración tH/δH.
• Y entre la relación de la Impedancia del conductor
respecto a la Impedancia de la capa de sujeción ρL/ ρH.

20
 EFECTO DE LA ASPEREZA SUPERFICIAL

• Todos los sustratos presentan a nivel microscópico superficies

ásperas.
• La superficie áspera aparece después de la metalización del
sustrato tanto del lado de la cinta conductora como del lada de
masa.
• La superficie superior y el límite lateral de la cinta conductora
presentan también cierta aspereza.
• Se generan más pérdidas como consecuencia de la
distribución no homogénea de la densidad de corriente, la cual
es modulada por el ritmo de la aspereza superficial,
• Debido al incremento de la densidad de corriente causado por
el efecto piel.
• Este efecto se expresa con un incremento de la Atenuación
superficial del conductor donde:
• El valor de αρ del sustrato liso pasa a:
• αρ,efec para el sustrato áspero.

21
 PÉRDIDAS POR DERIVACIÓN

• Las pérdidas por derivación la genera el valor finito de la

conductividad eléctrica específica κ del material usado como
sustrato.
• κ se desprecia en materiales aislantes convencionales.
• Sin embargo es apreciable en materiales semiconductores
medio aislantes.
• Al utilizar este tipo de sustrato es posible determinar la
Atenuación superficial dependiente de la geometría a
través de las curvas de la gráfica a continuación.
• Para la Atenuación Superficial se obtiene para κ in
(Ωcm)-1 la relación:

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 PÉRDIDAS POR RADIACIÓN

Líneas MICROSTRIP abiertas no encapsuladas irradian potencia de

microondas en zonas donde existen discontinuidades como:
• En una línea adaptadora abierta.
• Como también en un cambio de dirección perpendicular de la
línea.
• Estas pérdidas por Radiación están compuestas por:
• La Potencia irradiada en el espacio, y,
• Por la radiación transportada por las ondas
superficiales.
• Debido a que las Ondas Superficiales TMO no
presentan frecuencias de corte,
• su aporte a la radiación siempre está
presente.

23
• Las diferentes componentes de las Pérdidas por
Radiación se pueden calcular por el método de los
momentos.
• Estas componentes para Altas Frecuencias son siempre más
pequeñas que las frecuencias de corte de las Ondas Superficiales
TEO,
• Para las Altas Frecuencias las pérdidas por radiación están
dominadas por las Ondas Superficiales TMO

24
 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS

• Para efectos de la Simulación de los circuitos es práctico

clasificar los amplificadores:
• De acuerdo a su Impedancia de entrada y de salida.
• Y de su circuito equivalente idealizado relacionado con la
impedancia.
• En la tabla siguiente se muestra esta clasificación.
• Amplificadores son sistemas activos de uno, dos o múltiples
puertos,
• Amplifican las señales de entrada con ayuda de fuentes de
energía externas.
• Los amplificadores se usan con mucha frecuencia,
• Se pueden clasificar de acuerdo a sus aplicaciones.
• En la siguiente tabla se presenta la clasificación respecto a la
aplicación y se describe los criterios relacionados.

25
• Es importante analizar detalladamente las características
de los amplificadores para Altas Frecuencias (f>100MHz).
• En esta región de frecuencias se puede modelar las
características de los componentes con Parámetros de
Dispersión “S”.
• Además los fabricantes de Semiconductores casi sin
excepción especifican sus componentes de altas
frecuencias con los datos de los parámetros de
Dispersión “S”
• Por lo tanto se prefiere la descripción con parámetros
“S”.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS DE
DOS PUERTOS

26
• Para operación de pequeña señal en el análisis del uso de
componentes en configuraciones circuitales mas complejas es
suficiente el uso de la matriz de dispersión [S(ω)].

• Dependiendo de las exigencias:

• Factor de amplificación.
• Alta relación señal a ruido.
• Ancho de Banda.
• Se debe omitir una a varias de estas condiciones.

Para el rango de frecuencia Sij=ctte

de operación
Condición de ausencia
de Auto Reflexión. Sii=0

Condición de ausencia
de retroalimentación. S12=0

Alta Amplificación S21>1

27
 RETROALIMENTACIÓN.

• Se obtiene una retroalimentación si en un sistema activo de

dos puertos, por ejemplo un amplificador, las magnitudes de
salidas retornan a la entrada.
• En un sistema de dos puertos eléctrico activo:
• Pueden una o ambas magnitudes de salida como:
• Tensión de salida,
• Corriente de salida,
• Variar una o ambas magnitudes de entrada como:
• Tensión de entrada,
• Corriente de entrada.
• Se pueden dos tipos de retroalimentaciones:
• Retroalimentación positiva, en fase, y
• Retroalimentación negativa, en contra fase.
• Algunas aplicaciones de los circuitos de retroalimentación:
• Incremento del ancho de banda.
• Acoplamiento de Impedancias,
• Estabilización,
• Disminución de la distorsión no lineal de los amplificadores.

28
 ESTABILIDAD Y ACOPLAMIENTO

• En el diseño se debe prever redes de acoplamiento para los FET

de GaAs,
• Debido a que los Factores de Reflexión en la entrada y la salida
presentan impedancias de 50Ω,
• Y los amplificadores en las entradas y salidas deben acoplarse a
la impedancia de onda de las líneas de transmisión de conexión.
• Los cálculos se realizan con ayuda de los Parámetros-S dados
en la hoja de datos característicos del transistor.
• Estos Parámetros-S se miden normalmente en la configuración
de Fuente común, con la Compuerta como entrada y el Drenaje
como la salida.
• La configuración de Fuente común es más estable que las
configuraciones de Drenaje y Compuerta común,
• Debido a que presenta sólo una pequeña Capacidad de
acoplamiento de retroalimentación entre Drenaje y Compuerta.
• Si la configuración está correctamente acoplada, se obtiene:
• Máxima Ganancia de Potencia,
• Mínimo factor de ruido.
• El tipo de Acoplamiento depende de la respuesta de estabilidad
del transistor 29
 ESTABILIDAD DEL CUADRIPOLO

• En la Teoría de Cuadripolos o de sistemas de dos puertos, se

diferencian, cuadripolos:
• Inestables,
• Estables condicionados,
• Estables absolutos.
• Un sistema se considera estable, si al generarse una distorsión
no se atenúa.
• El sistema se considera estable absoluto, si éste es estable para
cualquier circuito pasivo.
• Las condiciones de estabilidad se expresan con ayuda de los
parámetros S.

30
• Para K≤1 un sistema de dos puertos,
• Puede ser sólo estable condicionado o
inestable,
• Por lo tanto no es válida la ecuación de estable
absoluto.
• Un Amplificador puede diseñarse con un Componente,
• Tanto estable absoluto,
• Como por uno estable condicionado

ESTABLE ABSOLUTO

31
• Se Obtiene para los factores rS y rL las siguientes expresiones:

• El signo de la raíz es positiva, si:

• El valor de B1 o B2 es negativo.
• El signo de la raíz es negativo, si:
• El valor de B1 o B2 es positivo.
• El signo de la raíz es negativo,
• Para un sistema de dos puertos estable
absoluto 32
 AMPLIFICADOR CON CUADRIPOLO ESTABLE
CONDICIONADO

• Para transistores estables absolutos:

• Se deben seleccionar los factores de reflexión de los sistemas de
acoplamiento,
• De tal manera que el amplificador opere en la región estable,
• Evitando así que entre en oscilaciones.
• El límite entre región estable e inestable,
• Se fija a través de los círculos de estabilidad en la carta de Smith.
• Es válido para los factores de reflexión de entrada y salida:

33
r=0 r=0
fuera del círculo de dentro del círculo de
estabilidad estabilidad

Y para

34
Y para

35
• Se mantiene una buena relación entre Estabilidad y Ganancia de
Potencia, mientras se cumpla que:
• No haya variación de la Temperatura,
• No exista fenómenos de envejecimiento,
• El transistor no haya sido sustituido por otro.
• En estos casos deben tomarse en cuenta estos factores en
la determinación de los círculos de estabilidad.
• Para la operación óptima del amplificador deben considerarse,
además:
• El Ancho de Banda,
• La relación señal e ruido.
• Es importante considerar la dependencia de la frecuencia que
muestran los Parámetros “S”,
• Por lo tanto los factores de reflexión: rS y rL,
• también muestran una dependencia de la frecuencia,
• Los factores de reflexión representan coeficientes par el
diseño de amplificadores banda angosta

36