Transistores de potencia

Potencia maxima de um transistor depende da temperatura ambiente Para compensao utiliza-se dissipadores de calor, com auxilio de pastas termicas e isoladores dde mica para conexo a carcaa do equipamento.

 A velocidade de chaveamento dos transistores modernos muito maior do que a dos tiristores, sendo largamente utilizados em conversores CC/CC e CC/CA, apresentando, internamente, um diodo conectado em anti-paralelo ( manter um caminho para a corrente ). Entretanto, as especificaes de tenso e corrente ainda so menores que a dos tiristores, sendo ento aplicados em baixa e mdia potncia. Os transistores de potncia podem ser divididos em : a) - transistor de juno bipolar - BJT; b) - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor - MOSFET; c) - static induction transistor - SIT; d) - insulated-gate bipolar transistor - IGBT

 Transistor de Juno
Bipolar - BJT
O transistor bipolar formado pela adio de uma segunda regio p ou n em uma juno pn. Pode-se obter assim, um transistor NPN ou PNP. O transistor apresenta trs terminais : coletor ( C ), base ( B ) e emissor ( E ); e duas junes : coletor-base ( CB ) e base-emissor ( BE ).

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Transistor unijuno: Formado por Dreno Fonte e Gate . Possue uma carga de corrente de eletrons ou de lacunas A resistencia entre dreno e fonte diminue com o aumento da tenso , ate a estabilizao chamada VPO ( tenso Pinch Off)

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Polarizao com Vgs constante : Determinamos a tenso que queremos para o Transistor atraves de uma tenso constante em VG e da formula : RD = VDD-VSQ/IDQ

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Aplicaes par o unijuno : Chave analogica Multiplexdores Amplificadores Defasadores de sinal

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Exercicios :
1- O que tenso de estrangulamento?
2-Qual relao entre tenso de estrangulamento e tenso de corte? 3- Pesquise um manual JFET e levante os principais dados do BF256c 4- Polarize o BF256c com VG constante para VDD = 25 v , IDQ = 5 ma e VSQ = 10V 5- Elabore este circuito no Proteus e verifique o funcionamento

O MOSFET de Depleo pode ser de canal n ou p. O canal n formado por um substrato de silcio tipo p, com duas regies altamente dopadas de silcio tipo n+ com baixa resistncia de conexo. O gate isolado do canal n por uma fina camada de xido de Silcio. Os trs terminais so : gate ( G ); dreno ( D ) e fonte ( S ) . O substrato normalmente ligado fonte (S). A tenso entre gate e fonte ( VGS ) pode ser, tambm, positiva ou negativa.

 Transistor MOSFET :
O transistor de potncia MOSFET um dispositivo de tenso controlada e, necessita apenas de uma pequena corrente de entrada. A velocidade de chaveamento muito alta ( nanosegundos ). MOSFETs de potncia so utilizados em conversores de baixa potncia e alta frequncia. Estes transistores apresentam problemas de descargas eletrostticas, necessitando de cuidados especiais. Os MOSFETs podem ser divididos em dois tipos : a) - MOSFET de Depleo; b) - MOSFET de acumulao

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MosFet de acumulao Existe um camada de dioxido de aluminio, que isola a ponta de entrada da porta aumentando a impedancia de entrada . Ao aplicar uma corrente na porta , cria um campo magnetico que estreita a regio de depleo entre o material P e N ( D e S)

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 IGBT ( Insullated Gate Bipolar Transistor ) : Este componente associa as vantagens do transistor bipolar ( baixa perda durante a conduo ), com as do MOSFET ( alta impedncia de entrada ). Devido a sua estrutura, a resistncia entre dreno e fonte ( RDS ) do IGBT controlada de forma que o mesmo se comporte como um transistor bipolar. O smbolo do IGBT mostrado na figura

 Encontre na internet , os codigos para cada tipo de transistor que foi mencionado ate agora , e descubra sua simbologia Em seguida abra o proteus e verifique quais os componentes que esto configurados para estes codigos . Quais as principais diferenas voce observa?

 O arranjo desta configurao conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for b1 e o do outro for b2 ento o ganho de corrente do arranjo ser igual a bD = b1.b2 . A coneco Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configurao

O Darlington no mais do que a ligao de vrios transistores com a finalidade de aumentar o ganho. O ganho (HFE) total do Darlington a multiplicao dos ganhos individuais de cada um dos transistores.

Vantagens: Maior ganho de corrente. Tanto o disparo como bloqueio so sequenciais. A queda de tenso em saturao constante. Desvantagens: Utilizao apenas com mdias frequncias e mdias potncias

1 2 1 2

I C1

I C I C1 I C2

I B1
B

Q1

I C2
Q2

I E1 I B2
E

I E2

 No proteus

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