2.

- Conduccin de corriente en los SC:

Dos tipos:
1.- El Arrastre o Deriva:
2.- La Difusin:
Debido al campo elctrico E
Debido al gradiente de concentracin.
2.1.- Corriente de Arrastre:
Sin campo elctrico:
colisin
- Movimiento es dado por la energa trmica.
- Es un movimiento aleatorio.
Corriente neta=0
2
T 3k
2
m
B
2
thn(p)
*
n(p)
=
- Tendencia de moverse hacia un lado.
Corriente neta 0:
existe corriente de
arrastre!
- Su velocidad (V
arrn
) es menor a la velocidad trmica.
Aplicando un campo elctrico externo:
Movimiento de los portadores ante un campo aplicado:
Electrn:
Hueco:
E
Corriente de arrastre de portadores
E
+V-
A: rea de seccin
transversal
*
p
p
m
t q
=
*
n
n
m
t q
=

: tiempo entre
colisiones.

n(p)
: movilidad de
electrones (huecos)
E
n
narr
narr
qn
A
I
J = =
Electrones:
E
p
parr
parr
qp
A
I
J = = Huecos:
2.2.- La Dispersin (scattering):
Dos tipos principales de dispersin:
Impurezas ionizadas
Afecta la movilidad. Impide sea constante.
2.- Fonnica
- Depende del grado de dopaje del SC.
- Depende de la temperatura.
- Tipo de colisin: portador-in
- Tipo de colisin: portador-fonn
n(p)f n(p)ii n(p)

1

1
+ =
MATERIAL
SEMICONDUCTOR

n
(cm
2
/v-s)
p
(cm
2
/v-s)
Silicio
1350 480
Arsenuro de Galio
8500 400
Germanio
3900 1900
Valores tpicos de la movilidad a T=300 K para muestras
extremadamente puras.
2.3.- Efectos de un fuerte campo elctrico:
- Velocidad de arrastre comparable a la v. trmica.
- Decrece el tiempo entre colisiones.
Reduce la movilidad
E E
n
*
n
arrn

m
t q
v = =
E E
p
*
p
arrp

m
t q
v = =
2.4.- Resistividad:
p) n q(
1

p n
+
=
Para un semiconductor tipo N:
D n n n
N q
1
n q
1
~ =
Para un semiconductor tipo P:
A p p p
N q
1
p q
1
~ =
2.5.- Nivel de Fermi constante:
Material 1
Material 2 Material N
E
F

SLO EN ESTADO DE EQUILIBRIO
(NO OLVIDAR)!!
2.6.- Corriente de Difusin:
- Migracin de partculas desde regiones de alta
concentracin hacia regiones de baja concentracin.
Difusin:
|
.
|

\
|
= =
dx
dn
qD
A
I
J
n
ndif
ndif
|
.
|

\
|
= =
dx
dp
qD
A
I
J
n
pdif
pdif
x
Gradiente de
concentracin
Flujo de e
-
y h
+

Corriente de e
-

Corriente de h
+

D
n(p)
: Coeficiente de difusin de electrones (huecos)
(cm
2
/s)
2.7.- Corriente Total:
Corriente de arrastre + Corriente de difusin
|
.
|

\
|
+ = + =
|
.
|

\
|
= + =
dx
dn
qD n q J J J
dx
dp
qD p q J J J
n n ndif narr Tn
p p pdif parr Tp
E
E
Relaciones de Einstein
q
T k

D
B
n
n
=
q
T k

D
B
p
p
=
Relacion entre el coef. de difusion D y la movilidad .
2.8.- Generacin y Recombinacin (G-R):
Cada proceso est balanceado por el proceso inverso.
- Generacin: Proceso donde el par electrn-hueco (e-h)
es creado.
- Recombinacin: Proceso donde el electrn y el hueco
se juntan, aniquilando el par e-h.
Semiconductor en equilibrio trmico:
Semiconductor perturbado:
Un exceso o dficit de portadores es creado a partir
del estado de equilibrio.
La G-R intenta restablecer el orden.
2.8.1.- Tipos de procesos G-R:
G-R Banda-Banda.
Centro G-R.
G de portadores va ionizacin por impacto.
R de portadores Auger.
2.9.-Relaciones de Continuidad:
R - G de
Procesos
difusin arrastre
R - G de
Procesos
difusin arrastre
t
p

t
p

t
p
t
p
t
n

t
n

t
n
t
n
c
c
+
c
c
+
c
c
=
c
c
c
c
+
c
c
+
c
c
=
c
c
Suma de procesos individuales:
Arrastre + Difusin + G-R dentro de un semiconductor
A partir de estas, se derivan las relaciones de
continuidad para los portadores minoritarios
2.9.1.-Relaciones de Difusin de los
Portadores Minoritarios:
op
n
p
2
p
2
n
p
G

n
x
n
D
t
n
+
c
c
=
c
c
Electrones minoritarios:
op
p
n
2
n
2
p
n
G

p
x
p
D
t
p
+
c
c
=
c
c
Huecos minoritarios:
n
p
=n
p
-n
p0
: Desviacin de los electrones minoritarios
a partir de su estado de equilibrio.
p
n
=p
n
-p
n0
: Desviacin de los huecos minoritarios
a partir de su estado de equilibrio.
: Tiempo de vida e los electrones (huecos). n(p)

G
op
: Generacin de portadores por medios pticos.
G
op
=0, Cuando la luz es absorbida slo en la superficie.
G
op
cte, cuando la luz es absorbida dentro del dispositivo.
x
n

+
x
N
Por accin de la radiacin, en x=x
n
, se genera p
n
de portadores.
La luz es absorvida slo en la superficie, entonces G
op
=0.
La G-R de portadores no est en funcin del tiempo.
0
p
x
p
D
p
n
2
n
2
p
=
c
c

Solucin general de la ecuacin diferencial de segundo grado:

p p p p p p
L
x
L
x
D
x
D
x
n
Be Ae Be Ae (x) p + = + =


Condiciones de frontera (C.F.):
0 B entonces Be 0 ) (x p
Be Ae p ) x (x p
n
L
x
L
x
n n n
p
n
p
n
= = = +
+ = = =
+

,
Resolviendo se tendr que A y B sern:
0 B
e p A
p
n
L
x
n
=
=
p
n
L
x x
n n
e p (x) p

=
L
p(n)
: Longitud de
difusin de huecos
(electrones)
x
n

+
x
N
n
n
N
D

p
n0
p
n
(x
n
)

p
n
(x)=p
n
(x)-p
n0
p
n
(x)

Condicin de baja inyeccin