UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB

Transistores Bipolares
BJT Bipolar Junction Transistor ou TBJ Transistor Bipolar de Juno

ELT303 Eletrnica Analgica

Aspectos Construtivos e Operao

Transistores Bipolares
Pelo fato de apresentar um terminal adicional em relao aos diodos, oferecem um mecanismo que permite controlar a corrente entre dois terminais a partir de um terminal de controle.

O primeiro transistor bipolar (ponto de contato) foi desenvolvido por Bardeen, Brattain e Schockley em 1947 representou uma grande revoluo na industria eletrnica. O transistor de juno foi inventado por Schockley em 1951.

1. Transistor ponto de Contato

Transistor de Juno

Transistores Bipolares
A camada de emissor (E) fortemente dopada A camada de base (B) menos dopada (menor condutividade, o que limita o nmero de portadores livres) A camada de coletor (C) possui uma dopagem leve.

O nome bipolar sugere que na operao do dispositivo esto envolvidos, obrigatoriamente, os dois tipos de portadores de carga presentes nos materiais semicondutores (eltrons e lacunas).

Transistores Bipolares: Estrutura e Modos de Operao

Algumas literaturas referem-se a este dispositivo como Transistor Bipolar de Juno (BJT Bipolar Junction Transistor).
JBE N+
Emissor

JBC PN
Coletor

(E)

(C)

Base

(B)

Os terminais so nominados de Emissor, Base e Coletor. Observar que as dopagens e os tamanhos dos cristais so diferentes e que existem duas junes PN; juno BaseEmissor (JBE) e Juno Base-Coletor (JBC).

A regio do Emissor fortemente dopada (N+) enquanto que a regio da Base e fisicamente estreita e fracamente dopada (P-). O Coletor a regio que apresenta o maior volume de silcio e tem uma dopagem tpica menor que a dopagem do emissor. A juno JBE tambm chamada de diodo emissor e a juno JBC de diodo coletor.

Transistores Bipolares: Estrutura e Modos de Operao

Algumas literaturas referem-se a este dispositivo como Transistor Bipolar de Juno (BJT Bipolar Junction Transistor).
JBE N+
Emissor

JBC PN
Coletor

(E)

(C)

Base

(B)

Os terminais so nominados de Emissor, Base e Coletor. Observar que as dopagens e os tamanhos dos cristais so diferentes e que existem duas junes PN; juno BaseEmissor (JBE) e Juno Base-Coletor (JBC).
O dispositivo ilustrado anteriormente dito ser NPN em funo do tipo de dopagem dos seus cristais. Tambm existe a possibilidade de fazer um transistor do tipo PNP. As diferenas entre eles sero discorridas ao longo do texto. Para efeito de anlise das caractersticas eltricas ser considerado o transistor NPN. A juno JBE tambm chamada de diodo emissor e a juno JBC de diodo coletor.

Transistores Bipolares: Estrutura e Modos de Operao

Existem 4 possibilidades de polarizao (Modos de Operao ou Regies de Operao) considerando-se as junes JBE e JBC.
Modo de Operao Saturao
Corte Ativa ou Linear Inverso JBE (Diodo Emissor) JBC (Diodo Coletor)

Direta
Reversa Direta Reversa Regies de Operao do BJT

Direta
Reversa Reversa Direta

Chave Fechada
Chave Aberta

Aplicaes

Digitais

Regio Ativa - Aplicaes Analgicas

Em circuitos analgicos (principalmente em amplificadores) a regio ativa a mais usada. Em circuitos digitais o transistor opera no corte ou saturao passando rapidamente atravs da regio ativa. O modo inverso o menos usual de todos. Observar que estando na regio de corte, o transistor tem 2 junes polarizadas reversamente o que significa, idealmente, uma chave aberta. J na regio de saturao ele tem 2 junes polarizadas diretamente o que representa, tambm idealmente, uma chave fechada. Existem transistores de sinal (baixa potncia) e transistores de potncia.

Transistores Bipolares: Polarizao

Inicialmente, ser estabelecido uma topologia que permita a polarizao do transistor na regio ativa. Para tanto esto representadas duas fontes de tenso (VEE e VCC) que podem ser equivalentes Thvenin de circuitos mais complexos.
A base muito estreita e possui pequena concentrao de portadores
IE IC

E ICBO B VEE IB X

VCC

A concentrao de portadores do coletor menor que a concentrao de portadores do emissor. A largura da barreira de potencial diferente devido a essa diferena de concentrao

Transistores Bipolares: Polarizao

IE

IEN I REC IEP I CBO B

IEN - IREC

IC

VEE

IB X

VCC

A presena de resistores nos terminais de Emissor e Coletor faz com que se tenha algum tipo de limitao de corrente. Os sentidos das correntes ilustrados no circuito externo (IE, IC e IB) convencional. No circuito interno o sentido o sentido real. Na estrutura do transistor, as setas em azul indicam o fluxo de eltrons e as setas em vermelho de lacunas.

Transistores Bipolares: A Ao Transistor

Como conseqncia da polarizao direta da JBE (a largura da regio de depleo foi diminuda), eltrons so difundidos do Emissor para a Base (corrente IEN ilustra o movimento real dos eltrons) e lacunas so difundidas da Base para o Emissor (IEP ilustra o movimento real das lacunas). Existe, ento uma corrente de Emissor (IE no terminal correspondente) que ser a soma destas duas correntes.
IE IEN I REC IEP I CBO B VEE IB X VCC IEN - IREC IC

Transistores Bipolares: A Ao Transistor

Maior ateno deve ser dada a corrente IEN. Ao penetrar na Base estes eltrons encontram uma regio P em que os portadores majoritrios so lacunas e, portanto, devero sofrer um processo de recombinao.

IE

IEN I REC IEP I CBO B

IEN - IREC

IC

VEE

IB X

VCC

Contudo, esta recombinao pequena porque a Base fracamente dopada e, alm disto, fisicamente estreita. Esta pequena corrente chamada de corrente de recombinao (IREC) e contribuir para a corrente total da Base (IB no terminal correspondente).

Transistores Bipolares: A Ao Transistor

Capturados pelo campo eltrico presente na JBC (a largura da regio de depleo foi aumentada) os eltrons so acelerados em direo ao coletor.
IE IEN I REC IEP I CBO B VEE IB X VCC IEN - IREC IC

A corrente de coletor (IC no terminal correspondente) tambm possui uma parcela composta pela corrente reversa (ICBO) presente nesta juno.