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NCLEO
+14
Electrosttica
F Centrfuga Semiconductores
Conduccin elctrica
Energa Energa
Conduccin
Eg > 5eV
Valencia
Aislante
Conductor
Nube de electrones
Semiconductores
Semiconductores
Energa
Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Semiconductores
Si
Si Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Semiconductores
Si
Si
Si
Si Si Si
Semiconductores
B
Si
Si
Unin P-N
Unin fsica de material tipo P con uno N Se combinan portadores en la unin
P
Zona de unin
Eu
Se forma un campo elctrico que no dejan pasar ms portadores
N
Barrera de potencial
Diodos
Polarizacin inversa
Eu
P
Ef
Eu
+
Diodos
La barrera se ensancha
No circulan mayoritarios
Polarizacin directa
+
P
Eu
N
Ef
Diodos
La barrera desaparece
Circulan mayoritarios
Curva caracterstica
ID
No conduccin Conduccin
Rompimiento
Bloqueo VU
VD
Regin Zener
Is
VT (codo)
Regin Inversa
Potencia mxima
ID
IF
Potencia mxima
No conduccin
Zona Prohibida
Conduccin
VU VT (codo)
VD
Diodos
+ -
Diodos
+ Diodos
Diodos
V>W>U
U>V>W
Diodos
Diodos
Diodos
Diodos
Potencia mxima
VD
Regin Zener
Is
Potencia mxima
Regin directa
Diodos
Adeca
Rectifica
Filtra
Regula
Diodos
Diodos
P
Emisor
N
Base
P
Colector
Transistores
IC
C N
+
VCE
+
VBE
IB
P
N
Transistores
IC C N P N
+
VCE
+
IB
VBE
Transistores
IC C N P N
+
VCE
+
IB
VBE
Transistores
IC
Rompimiento IB 10A
VCE
Transistores
5 A 1 A BVCE0
VCE
Transistores
SALIDA Y
TIERRA
Transistores
SALIDA Y
TIERRA
Transistores
Compuerta NAND
VCC
4 k 1.6 k 130 T3 A B D1 D2 T4 1 k T 1 Y = AB D3 Y
T2
TIERRA
Transistores
IA
nodo
P N IH VK
P
N VB
VAK
Ctodo
Tiristores
Diac
MT1
MT2
IA
nodo1 (MT1)
N
1
P N
2 1
VB
IH
IH
N3
VB
P
2
nodo Compuerta
P N
IA
Aumenta IG
IH 0,7v
P
N VB Disminuye VB
VAK
Ctodo
Tiristores
Tiristores
Tiristores
Tiristores
Triac
MT1
nodo1 (MT1)
N
MT2
IA
G
N
P N P
2 2 5
Compuerta
VB
IH
IH
N
1
VB
N3
JFET
Canal Sustrato
FETs
Sustrato y canal
ID
FETs
Paso de la corriente
FETs
VGS = 0
VDS
FETs
Transconductancia
ID
IDSS Fuera de los lmites de VGSoff e IDSS no se usa el JFET
VDS
-VP VGSoff
ID = IDSS(1-VGS/VGSOFF)2 FETs
D
metal
ID
IDSS Sustrato
G
SiO2
N
P P
V VDSMAXDS
FETs
D
metal
G
SiO2
N P N
S
Sustrato
FETs
VGS3 > VGS2 VGS2 > VGS1 VGS1 > VGSth VGSth VDSMAX Saturacin Rompimiento
VDS
Regin hmica
FETs
MosFET transconductancia
ID
IDON
VGSth
VDSON
VDS
ID = k(VGS VGSth)2
FETs
Integrador
Lineal - Cuadrtica
Constante - Lineal
I.Cs
Derivador
Lineal - Constante
Seno - Coseno
Constante Nula
Cuadrtica - Lineal
Coseno Seno
I.Cs
Monoestable
+Vcc
R 7 6 2 Disparo 4 8 3 5
+Vcc +Vcc W
Salida
Salida 0,01F
555
C
Disparo
W = 1,1RC
I.Cs
Astable
+Vcc Salida R
A
+Vcc W T
7
6 2
8 3 5 1
Salida
R
B
555
0,01F
I.Cs