Captulo 6 Crescimento Epitaxial

6.1 Introduo
6.2 Fundamentos de Crescimento Epitaxial
6.3 Reaes Qumicas Usadas na Epitaxia de Silcio
6.4 Dopagem de Camada Epitaxial
6.5 Defeitos em Filmes Epitaxiais
6.6 Consideraes sobre Processos
6.7 Tipos de Reatores
6.8 Crescimento Seletivo
6.9 Outras Tcnicas de Crescimento Epitaxial
6.1 Introduo
Epitaxia? A palavra epitaxia origina de 2 palavras gregas que
significam:

epi = sobre e
taxis = arranjo
epitaxia = arranjo sobre

Processo de Crescimento Epitaxial = tcnica de deposio de
fina camada monocristalina sobre substrato monocristalino,
seguindo a mesma estrutura e orientao.
Homoepitaxia = filme e substrato de mesmo material.
Exemplos: Si/Si CIs bipolar e CMOS
GaAs/GaAs MESFET
Heteroepitaxia = filme e substrato de material diferente.
Exemplos: Si/Al
2
O
3
(Safira) = SOS CMOS
GeSi/Si HBT, HEMT
GaAs/Si MESFET
GaAs/Si clula solar, etc.
e diversos outros

Tipos de Epitaxias:

SPE = solid phase epitaxy
Observado na recristalizao de camadas amorfas aps I/I.
LPE = liquid phase epitaxy
Camadas epitaxiais de compostos III V.
VPE = vapor phase epitaxy
Mais usado para processamento de Si. Excelente controle da
concentrao de impurezas e perfeio cristalina.


Introduo Tipos de Epitaxias
Introduo - VPE
Epitaxia do Si : CIs bipolares e CMOS.








Motivao: Melhorar desempenho.
A camada crescida pode ter tipo e nvel de dopagem diferente ao do
substrato.
Camada livre de oxignio e de carbono.

a) - bipolar b) - CMOS
6.2 Fundamentos de Crescimento Epitaxial
Cintica do Processo:
VPE e CVD (chemical vapor deposition).












Processo:
1) introduo de gases reativos,
dopantes e diluentes inertes na
cmara.
2) Difuso das espcies reativas do
gs para a superfcie do substrato
atravs de boundary layer. = F1
3) Adsoro das espcies reativas na superfcie aquecida do substrato. = F2
4) As espcies adsorvidas migram e reagem na superfcie formao do filme.
5) Sub-produtos volteis da reao so desorvidos da superfcie.
6) sub-produtos desorvidos so removidos da cmara.
Modelo de Grove:
Modelo mais simples usado para descrever o
processo VPE. Assume que o fluxo de espcies de
deposio que atravessam a camada de
boundary layer so iguais ao fluxo de
reactantes consumido pela superfcie de
crescimento. O fluxo de sub-produtos desorvidos
desprezado no modelo.
Logo, F = F
1
= F
2
= h
g
(C
g
C
s
) = k
s
C
s

C
s
= C
g
x (1 + k
s
/h
g
)
-1

Onde: h
g
= coeficiente de transporte de massa em fase gasosa.
Depende do fluxo na cmara.
k
s
= constante de taxa de reao qumica de superfcie.
C
g
e C
s
= concentraes de espcies de deposio no gs e
sobre a superfcie da lmina.
Modelo de Grove
A taxa de crescimento do filme de silcio epitaxial R dado por:
R = F/N , logo R = (k
s
h
g
/(k
s
+ h
g
)) x (C
g
/N)
onde: N = densidade do Si (5 x 10
22
cm
-3
) dividido po nmero de tomos de
silcio incorporados no filme.
A taxa de crescimento proporcional a fraco molar das espcies
reativas na fase gasosa.
Dependncia da taxa de crescimento do
Silcio com a concentrao de SiCl
4
na
fase gasosa (processo de SiCl
4
com
reduo em H
2
).
Temos portanto, 2 casos limites:
a) Se h
g
>> k
s
C
s
= C
g
processo limitado por reao de superfcie.
R = k
s
C
g
/N
b) Se h
g
<< k
s
C
s
~ 0 processo limitado por transporte de massa.
R = h
g
C
g
/N
Modelo de Glove
Inmeros processos podem ocorrer simultaneamente que podem assistir
ou competir com o processo de crescimento. No sistema Si-H-Cl, por
exemplo, as molculas na superfcie da lmina que contm o Si, podem ser
SiCl
2
, SiCl
4
, SiH
2
, ou Si. A baixa presso e a baixo fluxo de gases reativos
estas espcies reativas limitam o crescimento. Os tomos de Silcio
adsorvido na superfcie e os tomos do substrato podem ser corrodos
(etched) pela reao com Cl. O modelo de Glove no leva em considerao
estas reaes e deve ser considerado como simples parametrizao de um
processo bastante complexo.
Cintica de Reaes Qumicas
k
s
descreve cintica de reao
qumica na superfcie.
As reaes qumicas so normalmente
ativadas termicamente e podem ser
representadas pela equao do tipo
Arrhenius, dado por:

k
s
= k
o
exp(-E
a
/kT)
onde: k
o
= constante independente de T,
E
a
= energia de ativao, e
k = constante de Boltzman

A constante h
g
pouco sensvel a
temperatura, mas depende do fluxo do gs no
reator.
Crescimento de Si por SiCl
4
+ H
2

Cintica de Reaes Qumicas
Para T baixas h
g
>> k
s

R o k
o
exp(-Ea/kT)

No caso : k
o
= 1 x 10
7
cm/s
E
a
= 1.9 eV
Para T elevadas k
s
>> h
g

R o h
g


No caso: h
g
= 5 a 10 cm/s

Plot de Arrhenius. Dependncia da
velocidade de crescimento com a
temperatura. A velocidade efetiva
resultante do processo de reao de
superfcie e transporte de massa da fase
gasosa que atua simultaneamente e o
mais lento domina em qualquer
temperatura.
Modelo Atomistico
Modelo Atomstico de Crescimento Epitaxial

Como o processo de crescimento
epitaxial de alta temperatura (1000 -
1500C) podem ocorrer reaes na fase
vapor (reao homognea).
A ocorrncia dessas reaes deve
ser evitada pois:
a) gera partculas,
b) filme poroso e policristalino
Esquemtico do crescimento de camada
epitaxial de Si e processos de dopagem.
Espcies qumicas so adsorvidas na superfcie.
Reaes qumicas na superfcie.
tomos so adsorvidos.
Migrao dos tomos adsorvidos para posies
em degraus e ou quinas atmicas.
Obs. a quina a posio energeticamente
mais favorvel para o crescimento. Permite a
ligao com mais tomos do substrato.
Modelo Atomistico
Este modelo atomstico coerente
com o resultado experimental de
mxima taxa de crescimento de Si
monocristalino.
Com taxa elevada de crescimento, no h tempo suficiente para os adtomos
migrarem para posies de quina cresce policristalino.
O limite varia exponencialmente com T com energia de ativao E
a
~ 5 eV. Essa
energia comparvel a E
a
de auto-difuso de Si.
6.3 Reaes Qumicas Usadas na Epitaxia de Silcio
Gases Taxa de
Deposio
(m/min)
Temperatura
(C)
SiCl
4

SiHCl
3

SiH
2
Cl
2

SiH
4

0.4 1.5
0.4 2.0
0.4 3.0
0.2 0.3
1150 1250
1100 1200
1050 1150
950 - 1050
Crescimento Epitaxial de Silcio
em Atmosfera de Hidrognio
SiCl
4
era a fonte de Si mais usada. Com a demanda por temperaturas
mais baixas ( lminas com dimetro grande e pequenas) e camadas mais
finas tem levado ao uso das fontes de SiH
2
Cl
2
(DCS) e SiH
4
(Silana).
Estas no entanto, produzem mais deposies nas paredes
do reator e portanto requerem limpezas mais frequentes.
Deposio com SiCl
4
+ H
2

Deposio com SiCl
4
+ H
2

Concentrao de espcies ao longo
do reator
Baseado neste estudo conclui-se pelas
seguintes reaes intermedirias:
SiCl
4
+ H
2
SiHCl
3
+ HCl
SiHCl
3
+ H
2
SiH
2
Cl
2
+ HCl
SiH
2
Cl
2
SiCl
2
+ HCl
SiCl
2
+ H
2
Si + 2HCl
As reaes so reversveis e podem
resultar em decapagem (etching);
Caso de SiCl
4
+ H
2

Taxas de Crescimento
Taxas de crescimento de Si epitaxial X
Temperatura de gases precursores
Nota-se 2 regimes de deposio:
1) A baixas temperaturas com taxas
altamente sensitiva a temperatura; e
2) Outro a altas temperaturas com taxas
menos sensitiva a temperatura.
No caso de SiH
4
para temperaturas abaixo de
900C o processo limitado por reaes de
superfcie e maiores que esta temperatura por
transporte de massas da fase gasosa.
A temperatura de transio entre os 2
regimes dependem de :
a) Espcies gasosas ativas;
b) Frao molar dos reagentes; c) Tipo de reator;
d) Fluxo do gs; e f) presso.
Normalmente opta-se pela
regio limitada por transporte de
massa da fase gasosa devido
menor depndncia com a
temperatura.
6.4 Dopagem de Camada Epitaxial
1) Intencional:
Dopagem in-situ (deposio + dopagem). Adicionar no processo, gs de
dopante: B
2
H
6
, PH
3
, AsH
3
(10 1000ppm).
Pela concentrao do dopante no gs pode-se controlar (empiricamente) a
dopagem no filme entre 10
14
a 10
22
cm
-3
.

2) No Intencional:
a) outdiffusion do substrato ou camada enterrada.
b) auto-dopagem por fase vapor pela evaporao de dopante a partir de
superfcies da lmina (lateral e costas), susceptor com camada dopada
(efeito memria), outras lminas ou partes.
6.5 Defeitos em Filmes Epitaxiais
- Defeitos;
- preparao do substrato;
- imperfeies no substrato.
Origens :
Para obter filmes de qualidade
adequada requer uma boa limpeza do
substrato.
- limpeza qumica
- escovar (scrub)
- limpeza in situ com 1-5% HCl + H
2
, a
T > 1100C (opo mais comum).
Deslocaes - Origens:
A partir de deslocaes originais do substrato.
Tipo misfit devido a alta dopagem.
Gradiente trmico na lmina (contato trmico
pobre).
Falhas de Empilhamento (SF):
Originado por algum obstculo em
quina de Si perturba crescimento
local gera SF. Exemplos: partcula,
SiO
2
, SiN, SiC local, presena de vapor de
CO
2
no reator que forma SiO.
Solues:
1) - uso de gettering intrinseco;
2) - uso de camada tensionada na interface epi-substrato. Ex; liga Si-Ge
possui parmetro de rede diferente daquele do substrato de Si esse
descasalamento acomodado pela formao de misfit dislocation
6.6 Consideraes sobre Processos
SiCl
4

Temperatura elevada (1150-
1250) auto-dopagem e alta
difuso.
Ocorre pouca deposio sobre
paredes do reator.
- baixa frequncia de limpeza e
- reduz partculas
SiHCl
3

No muito usado. No oferece vantagens em
relao ao SiCl
4
.
SiH
2
Cl
2

Temperatura menor.
Bom para camadas finas.
Apresenta densidade de defeitos mais
baixa com alta produtividade.
SiH
4

Temperatura menor (s 1000C).
Bom para camadas finas.
No produz desvio de padres.
Decompe a temperatura reduzida
deposita nas paredes do reator.
- limpeza frequente e
- gera partculas.
Desvios de Padro
Desvio, Distoro e Desaparecimento de Padres
Dependncia com:
- orientao do substrato;
- taxa de deposio;
- temperatura de deposio;
- fonte de Si; e
- presso.
Estas dependncias podem ser opostas
para os 3 efeitos. Soluo : compromissos
empricos.
(a)
(b)
(c)
1110C, 100 Tor (a) e 80 Torr (b), ambos
reator radial e (c) a 110 Torr em reator
vertical.
Sob condies similares de
deposio, reator vertical
aquecido indutivamente
produz menos desvio padro.
Uso de SiH
4
reduz desvio
de padro. A presena de Cl
2

ou HCl aparenta induzir
desvio. A distoro do
padro menos em sistemas
clorados do que com SiH
4
.
6.7 Tipos de Reatores
Sistemas epitaxiais:
- batch: processam vrias lminas por vez; e
- single-wafer que processam uma lmina por vez..
Tipos de aquecimento:
- induo por RF;
- radiao infra-vermelha.
Reatores:
- na indstria de semicondutores so largamente utilizados:
Reator Vertical;
Reator barril; e
Reator horizontal.
Reator do tipo vertical aquecido por induo.
Reator Vertical em
operao
Reatores
Reator tipo barril
Reator Horizontal
Reator single-wafer
Partes de um reator:
a) campnula de quartzo ou tubo;
b) sistema de distribuio de gs;
c) fonte de calor (RF ou IR);
d) susceptor (grafite coberto c/Si-C);
e) sistema de medida de T (termopar ou pirmetro);
f) sistema de vcuo (opcional); e
g) sistema de exausto com neutralizador.
Filmes de alta qualidade a presso reduzida e
atmosfrica.
6.8 Crescimento Seletivo
Deposio de Si na regio exposta
do do substrato de Si e no nas demais
regies, tais como xidos e nitretos.
Feito usando condies de
crescimento apropriado de forma a
evitar a deposio de amorfos e Si
policristalino.
Fatores para melhorar a seletividade
ajustando os parmetros (T, p, frao
molar de Si, relao Si/Cl) de forma a:
- diminuir a nucleao,
- diminuir a taxa de nucleao,
- aumentar a migrao superficial
dos tomos de Si,
- fontes cloradas apresentam melhor
seletividade que SiH
4
.
Tipo a) Si-epi sobre substrato de Si entre
xidos.
Tipo b) Si-epi sobre substrato de Si entre
xidos e deposio simultnea de Si-
poli sobre o xido.
Caractersticas:
- Melhora isolao;
- Aumenta densidade de integrao;
- Superfcie plana;
- Reduz capacitncias;
- Novas estruturas.
6.9 Outras Tcnicas de Crescimento Epitaxial
Outras Tcnicas:
- MBE (Molecular Beam Epitaxy
- CBE (Chemical Beam Epitaxy)
- MOCVD (Metallorganic CVD)
- RTCVD (Rapid Thermal CVD)
- UHVCVD (Ultrahigh Vacuum CVD)
A tcnica convencional de deposio de
camada epitaxial requer alta temperatura de
processo (1000 - 1250C), o que pode causar
efeito de autodoping e limita a obteno de
finas camadas epitaxiais.
Motivao:
- crescimento epitaxial do Si a baixas
temperaturas, reduzindo T de 1000-1250C
para 500-900C.
- minimizar o processamento trmico em
que as lminas so expostas a fim de:
a) - diminuir a difuso de dopantes;
b) - controle das interfaces abruptas e
junes; e
c) - reduzir danos s estruturas dos
dispositivos.
MBE Molecular Beam Epitaxy
Usado muitos anos para produo de camadas epitaxiais dos materiais III V.
Mais recentemente tem sido usado tambm para filmes de Si e SiGe. O Si e
os dopantes so evaporados sob condies de UHV sobre o substrato de Si.
Com o MBE pode se obter camadas epitaxiais na faixa de temperatura de 500 -
800C, com interfaces e perfil de dopagems ultra abruptas.
Esquemtico do MBE - Cmara de
Crescimento
ultra alto vcuo (~ 10
-11
torr);
evapora-se os materiais direcionados ao
substrato condensam cresce
epitaxialmente;
T substrato aprox. 500 - 900C para Si,
diminui auto dopagem e difuso;
controle mais preciso sobre espessura e perfis
de dopagem e/ou material novas estruturas.
(resoluo de 1 camada atmica).
MBE e Referncias
Monitorao in-situ :
Ion gauge fluxos;
RHEED reflection high energy electron difraction;
AES Auger electron spectroscopy;
QMS quadrupole mass spectrometer (gs residual e composio).
Referncias :
1) S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era,
Vol.1 Process Technology, Lattice Press, 1986.
2) J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI
Technology Fundamentals, Practice and Modeling, Prentice Hall,
2000.
3) S. A. Campbell; The Science and Engineering of Microelectronic
Fabrication, Oxford University Press, 1996.