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COLE NATIONALE DINGNIEURS DE TUNIS

COURS: Architecture des Ordinateurs


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Chapitre 2: Architecture de base


M.Ass GHARBI Mohamed, Dpartement TIC/ENIT e-mail: mohamed.gharbi@enit.rnu.tn & mohamed.elgharbi@wanadoo.tn

Modle de Von Neumann

0.

Lunit centrale :
Elle est compose par le microprocesseur qui est charg dinterprter et dexcuter les instructions dun programme, de lire ou de sauvegarder les rsultats dans la mmoire et de communiquer avec les units dchange. Toutes les activits du microprocesseur sont cadences par une horloge. On caractrise le microprocesseur par : sa frquence dhorloge : en MHz ou GHz le nombre dinstructions par secondes quil est capable dexcuter : en MIPS la taille des donnes quil est capable de traiter : en bits compos par le microprocesseur
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La mmoire principale
Elle contient les instructions du ou des programmes en cours dexcution et les donnes associes ce programme. Physiquement, elle se dcompose souvent en : une mmoire morte ( ROM = Read Only Memory ) charge de stocker le programme. Cest une mmoire lecture seule. une mmoire vive ( RAM = Random Access Memory ) charge de stocker les donnes intermdiaires ou les rsultats de calculs. On peut lire ou crire des donnes dedans, ces donnes sont perdues la mise hors tension.

Les interfaces dentres/sorties


Elles permettent dassurer la communication entre le microprocesseur et les priphriques. (capteur, clavier, moniteur ou afficheur, imprimante, modem, etc).

Les bus

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Un bus est un ensemble de fils qui assure la transmission du mme type dinformation. On retrouve trois types de bus vhiculant des informations en parallle dans un systme de traitement programm de linformation : - un bus de donnes : bidirectionnel qui assure le transfert des informations entre le microprocesseur et son environnement, et inversement. Son nombre de lignes est gal la capacit de traitement du microprocesseur.

Les bus

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- un bus d'adresses: unidirectionnel qui permet la slection des informations traiter dans un espace mmoire (ou espace adressable) qui peut avoir 2n emplacements, avec n = nombre de conducteurs du bus d'adresses. - un bus de commande: constitu par quelques conducteurs qui assurent la synchronisation des flux d'informations sur les bus des donnes et des adresses.
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Dcodage dadresse 1/2

Dcodage dadresse

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La multiplication des priphriques autour du microprocesseur oblige la prsence dun dcodeur dadresse charg daiguiller les donnes prsentes sur le bus de donnes. En effet, le microprocesseur peut communiquer avec les diffrentes mmoires et les diffrents botier dinterface. Ceux-ci sont tous relis sur le mme bus de donnes et afin dviter des conflits, un seul composant doit tre slectionn la fois. Lorsquon ralise un systme micro-programm, on attribue donc chaque priphrique une zone dadresse et une fonction dcodage dadresse est donc ncessaire afin de fournir les signaux de slection de chacun des composants.
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Pour chaque instruction, le processeur effectue schmatiquement les oprations suivantes: 1. Lire en mmoire(MP)linstruction excuter; 2. Effectuer le traitement correspondant; 3. Passer linstruction suivante. Le processeur est divis en deux parties: lunit de commande et lunit de traitement: lunit de commande est responsable de la lecture en mmoire et du dcodage des instructions; lunit de traitement, aussi appele Unit Arithmtique et Logique(U.A.L.), excute les instructions qui manipulent les donnes.
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Les registres et laccumulateur


Le processeur utilise toujours des registres, qui sont des petites mmoires internes trs rapides daccs utilises pour stocker temporairement une donne, une instruction ou une adresse. Chaque registre stocke 8, 16 ou 32 bits. Le nombre exact de registres dpend du type de processeur et varie typiquement entre une dizaine et une centaine. Parmi les registres, le plus important est le registre accumulateur, qui est utilis pour stocker les rsultats des oprations arithmtiques et logiques. Laccumulateur intervient dans une proportion importante des instructions.

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Par exemple, examinons ce quil se passe lorsque le processeur excute une instruction comme Ajouter 5 au contenu de la case memoire dadresse 180 : 1. Le processeur lit et dcode linstruction ; 2. le processeur demande la mmoire la contenu de lemplacement 180 ; 3. la valeur lue est range dans laccumulateur ; 4. lunit de traitement (UAL) ajoute 5 au contenu de laccumulateur ; 5. le contenu de laccumulateur est cris en mmoire ladresse 180. Cest lunit de commande qui dclenche chacune de ces actions dans lordre. Laddition proprement dite est effectue par lUAL.
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ACC : Accumulateur ; RTUAL : Registre Tampon de lUAL, stocke temporairement lun des deux oprandes dune instructions arithmtiques (la valeur 5 dans lexemple donn plus haut) ; Reg. dtat : stocke les indicateurs, que nous tudierons plus tard ; RI : Registre Instruction, contient le code de linstruction en cours dexcution (lu en mmoire via le bus de donnes) ; IP : Instruction Pointer ou Compteur de Programme, contient ladresse de lemplacement mmoire o se situe la prochaine instruction excuter ; RTA : Registre Tampon dAdresse, utilis pour accder une donne en mmoire. Les signaux de commandes permettent au processeur de communiquer avec les autres circuits de lordinateur. On trouve en particulier le signal R/W (Read/Write), qui est utilis pour indiquer la mmoire principale si lon effectue un accs en lecture ou en 16 criture.

Liaison Processeur-Mmoire

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Les informations changes entre la mmoire et le processeur circulent sur des bus. Un bus est simplement un ensemble de n fils conducteurs, utiliss pour transporter n signaux binaires. Le bus dadresse est un bus unidirectionnel : seul le processeur envoie des adresses. Il est compos de a fils ; on utilise donc des adresses de a bits. La mmoire peut possder au maximum 2a emplacements (adresses 0 2a - 1). Le bus de donnes est un bus bidirectionnel. Lors dune lecture, cest la mmoire qui envoie un mot sur le bus (le contenu de lemplacement demand) ; lors dune criture, cest le processeur qui envoie la donne.
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chap3: 21-23-26-27-28-33-37-42-et 47chap4:fig 3 wfig 7wa9rah elkol

Chapitre 3: Les mmoires


M.Ass GHARBI Mohamed, Dpartement TIC/ENIT e-mail: mohamed.elgharbi@enit.rnu.tn & mohamed.elgharbi@wanadoo.tn

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Introduction

Une mmoire est un circuit semi-conducteur permettant denregistrer, de conserver et de restituer des informations (instructions et variables). Les informations peuvent tre crites ou lues. Il y a criture lorsqu'on enregistre des informations en mmoire, lecture lorsqu'on rcupre des informations prcdemment enregistres

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Organisation dune mmoire


Une mmoire est une armoire de rangement constitue de diffrents tiroirs. Chaque tiroir reprsente alors une case mmoire qui peut contenir un seul lment : des donnes. il est alors ncessaire de pouvoir les identifier ces cases mmoire par un numro. Ce numro est appel adresse. Chaque donne devient alors accessible grce son adresse

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Avec une adresse de n bits il est possible de rfrencer au plus 2n cases mmoire. Chaque case est remplie par un mot de donnes (sa longueur m est toujours une puissance de 2). Le nombre de fils dadresses dun botier mmoire dfinit donc le nombre de cases mmoire que comprend le botier. Le nombre de fils de donnes dfinit la taille des donnes que lon peut sauvegarder dans chaque case mmoire.
En plus du bus dadresses et du bus de donnes, un botier mmoire comprend une entre de commande qui permet de dfinir le type daction que lon effectue avec la mmoire (lecture/criture) et une entre de slection qui permet de mettre les entres/sorties du botier en haute impdance.
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Une opration de lecture ou dcriture de la mmoire suit toujours le mme cycle : 1. slection de ladresse 2. choix de lopration effectuer ( R/W ) 3. slection de la mmoire ( CS = 0 ) 4. lecture ou criture la donne
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Caractristiques dune mmoire

La capacit : cest le nombre total de bits que contient la mmoire. Elle sexprime aussi souvent en octet. Le format des donnes : cest le nombre de bits que lon peut mmoriser par case mmoire. On dit aussi que cest la largeur du mot mmorisable. Le temps daccs : cest le temps qui s'coule entre l'instant o a t lance une opration de lecture/criture en mmoire et l'instant o la premire information est disponible sur le bus de donnes.

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Le temps de cycle : il reprsente l'intervalle minimum qui doit sparer deux demandes successives de lecture ou d'criture. Le dbit : cest le nombre maximum d'informations lues ou crites par seconde. Volatilit : elle caractrise la permanence des informations dans la mmoire. L'information stocke est volatile si elle risque d'tre altre par un dfaut d'alimentation lectrique et non volatile dans le cas contraire
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Chronogramme dun cycle de lecture

Accder une mmoire semi-conducteur est alatoire ou direct Accder une information sur bande magntique est squentiel Accder une information sur disque magntique est semi-squentiel (l'accs la piste est direct, puis l'accs au secteur est squentiel).
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Diffrents types de Mmoire Les mmoires vives (RAM): Une mmoire vive sert au stockage temporaire
de donnes. Elle doit avoir un temps de cycle trs court pour ne pas ralentir le microprocesseur. Les mmoires vives sont en gnral volatiles : elles perdent leurs informations en cas de coupure d'alimentation. Certaines d'entre elles, ayant une faible consommation, peuvent tre rendues non volatiles par l'adjonction d'une batterie

RAM Statique

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RAM Dynamique

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Avantages:
Cette technique permet une plus grande densit d'intgration, car un point mmoire ncessite environ quatre fois moins de transistors que dans une mmoire statique.

Inconvnients:
La prsence de courants de fuite dans le condensateur contribue sa dcharge. Ainsi, linformation est perdue si on ne la rgnre pas priodiquement (charge du condensateur). Les RAM dynamiques doivent donc tre rafrachies rgulirement pour entretenir la mmorisation : il s'agit de lire l'information et de la recharger. Ce rafrachissement indispensable a plusieurs consquences : - il complique la gestion des mmoires dynamiques car il faut tenir compte des actions de rafrachissement qui sont prioritaires. - la dure de ces actions augmente le temps d'accs aux informations Dautre part, la lecture de linformation est destructive. En effet, elle se fait par dcharge de la capacit du point mmoire lorsque celle-ci est charge. Donc toute lecture doit tre suivie dune rcriture..

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En gnral les mmoires dynamiques, qui offrent une plus grande densit d'information et un cot par bit plus faible, sont utilises pour la mmoire centrale, alors que les mmoires statiques, plus rapides, sont utilises lorsque le facteur vitesse est critique, notamment pour des mmoires de petite taille comme les caches et les registres.

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Les mmoires mortes (ROM)


Pour certaines applications, il est ncessaire de pouvoir conserver des informations de faon permanente mme lorsque l'alimentation lectrique est interrompue. On utilise alors des mmoires mortes ou mmoires lecture seule (ROM : Read Only Memory). Ces mmoires sont non volatiles. Ces mmoires, contrairement aux RAM, ne peuvent tre que lue. Linscription en mmoire des donnes restent possible mais est appele programmation. Suivant le type de ROM, la mthode de programmation changera. Il existe donc plusieurs types de ROM : ROM PROM EPROM EEPROM FLASH EPROM.
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ROM
Elle est programme par le fabricant et son contenu ne peut plus tre ni modifi., ni effac par l'utilisateur. Cette mmoire est compose d'une matrice dont la programmation seffectue en reliant les lignes aux colonnes par des diodes. L'adresse permet de slectionner une ligne de la matrice et les donnes sont alors reues sur les colonnes (le nombre de colonnes fixant la taille des mots mmoire)

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Structure: Cette mmoire est compose d'une matrice dont la programmation seffectue en
reliant les lignes aux colonnes par des diodes. L'adresse permet de slectionner une ligne de la matrice et les donnes sont alors reues sur les colonnes (le nombre de colonnes fixant la taille des mots mmoire)

Programmation : L'utilisateur doit fournir au constructeur un masque indiquant les emplacements des diode dans matrice. Avantages : Densit leve Non volatile Mmoire rapide Inconvnients : criture impossible Modification impossible (toute erreur est fatale). Obligation de grandes quantits en raison du cot lev qu'entrane la production du masque et le processus de fabrication.
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PROM
Cest une ROM qui peut tre programme une seule fois par l'utilisateur (Programmable ROM). La programmation est ralise partir dun programmateur spcifique.
Structure : Les liaisons diodes de la ROM sont remplaces par des fusibles pouvant tre dtruits ou des jonctions pouvant tre court-circuites. Programmation : Les PROM fusible sont livres avec toutes les lignes connectes aux colonnes (0 en chaque point mmoire). Le processus de programmation consiste donc programmer les emplacements des 1 en gnrant des impulsions de courants par lintermdiaire du programmateur ; les fusibles situs aux points mmoires slectionns se retrouvant donc dtruits.

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Principe:

Le principe est identique dans les PROM jonctions sauf que les lignes et les colonnes sont dconnectes (1 en chaque point mmoire). Le processus de programmation consiste donc programmer les emplacements des 0 en gnrant des impulsions de courants par lintermdiaire du programmateur ; les jonctions situes aux points mmoires slectionns se retrouvant court-circuites par effet davalanche. Avantages : idem ROM ; Claquage en quelques minutes ; Cot relativement faible Inconvnients : Modification impossible (toute erreur est fatale).
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LEPROM ou UV-EPROM

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Pour faciliter la mise au point d'un programme ou tout simplement permettre une erreur de programmation, il est intressant de pouvoir reprogrammer une PROM. La technique de claquage utilise dans celles-ci ne le permet videmment pas. L'EPROM (Erasable Programmable ROM) est une PROM qui peut tre efface Structure Dans une EPROM, le point mmoire est ralis partir dun transistor FAMOS (Floating gate Avalanche injection Metal Oxyde Silicium). Ce transistor MOS a t introduit par Intel en 1971 et a la particularit de possder une grille flottante.

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Programmation La programmation consiste piger des charges dans la grille flottante. Pour cela, il faut tout dabord appliquer une trs forte tension entre Grille et Source. Si lon applique ensuite une tension entre D et S, la canal devient conducteur. Mais comme la tension Grille-Source est trs importante, les lectrons sont dvis du canal vers la grille flottante et capturs par celle-ci. Cette charge se maintient une dizaine d'annes en condition normale. Lexposition dune vingtaine de minutes un rayonnement ultraviolet permet dannuler la charge stocke dans la grille flottante. Cet effacement est reproductible plus dun millier de fois. Les botiers des EPROM se caractrise donc par la prsence dune petite fentre transparente en quartz qui assure le passage des UV. Afin dviter toute perte accidentelle de linformation, il faut obturer la fentre deffacement lors de lutilisation.

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Avantages : Reprogrammable et non Volatile Inconvnients : Impossible de slectionner une seule cellule effacer Impossible deffacer la mmoire in-situ. lcriture est beaucoup plus lente que sur une RAM. (environ 1000x)

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LEEPROM
LEEPROM (Electically EPROM) est une mmoire programmable et effaable lectriquement. Programmation Une forte tension lectrique applique entre grille et source conduit la programmation de la mmoire. Une forte tension inverse provoquera la libration des lectrons et donc leffacement de la mmoire. Avantages : Comportement d'une RAM non Volatile. Programmation et effacement mot par mot possible. Inconvnients : Trs lente pour une utilisation en RAM. Cot de ralisation.

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FLASH EPROM
La mmoire Flash s'apparente la technologie de lEEPROM. Elle est programmable et effaable lectriquement comme les EEPROM.

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Structure
Larchitecture NOR: propose un assemblage des cellules lmentaires de mmorisation en parallle avec les lignes de slection comme dans une EEPROM classique Larchitecture NAND: propose un assemblage en srie de ces mmes cellules avec les lignes de slection. Comparaison: Dun point de vue pratique, la diffrence majeure entre NOR et NAND tient leurs interfaces. Alors quune NOR dispose de bus dadresses et de donnes ddis, la NAND est dote dune interface dE/S indirecte. . Par contre, la structure NAND autorise une implantation plus dense grce une taille de cellule approximativement 40 % plus petite que la structure NOR.
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Programmation
Si NOR et NAND exploitent toutes deux le mme principe de stockage de charges dans la grille flottante dun transistor, lorganisation de leur rseau mmoire noffre pas la mme souplesse dutilisation. Les Flash NOR autorise un adressage alatoire qui permet de la programmer octet par octet alors que la Flash NAND autorise un accs squentiel aux donnes et permettra seulement une programmation par secteur comme sur un disque dur.

Avantages:
Flash NOR : Comportement d'une RAM non Volatile. Programmation et effacement mot par mot possible. Temps daccs faible. Flash NAND : Comportement d'une RAM non Volatile. Forte densit dintgration et cot rduit. Rapidit de lcriture/lecture par paquet Consommation rduite.

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Inconvnients Flash NOR : Lenteur de lcriture/lecture par paquet. cot. Flash NAND : Ecriture/lecture par octet impossible. Interface E/S indirecte La Flash EPROM a connu un essor trs important ces dernires annes avec le boom de la tlphonie portable et des appareils multimdia (PDA, appareil photo numrique, lecteur MP3, etc...).

Critres de choix dune mmoire


Les principaux critres retenir sont: capacit, vitesse, consommation et cot

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Notion de hirarchie mmoire


Une mmoire idale serait une mmoire de grande capacit, capable de stocker un
maximum dinformations et possdant un temps daccs trs faible afin de pouvoir travailler rapidement sur ces informations. Mais il se trouve que les mmoires de grande

capacit sont souvent trs lente et que les mmoire rapides sont trs chres. Et pourtant, la
vitesse daccs la mmoire conditionne dans une large mesure les performances dun systme. En effet, cest l que se trouve le goulot dtranglement entre un microprocesseur capable de traiter des informations trs rapidement et une mmoire beaucoup plus lente (ex : processeur actuel 3Ghz et mmoire 400MHz). Or, on na jamais besoin de toutes les informations au mme moment. Afin dobtenir le meilleur compromis cot performance,
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on dfinie donc une hirarchie mmoire. On utilise des mmoires de faible capacit mais trs rapide pour stocker les informations dont le microprocesseur se sert le plus et on utilise des mmoires de capacit importante mais beaucoup plus lente pour stocker les informations dont le microprocesseur se sert le moins. Ainsi, plus on sloigne du microprocesseur et plus la capacit et le temps daccs des mmoire vont augmenter.

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Les registres sont les lments de mmoire les plus rapides. Ils sont situs au niveau du

processeur et servent au stockage des oprandes et des rsultats intermdiaires. La mmoire cache est une mmoire rapide de faible capacit destine acclrer laccs la mmoire centrale en stockant les donnes les plus utilises.

La mmoire principale est lorgane principal de rangement des informations. Elle


contient les programmes (instructions et donnes) et est plus lente que les deux mmoires prcdentes.

La mmoire dappui sert de mmoire intermdiaire entre la mmoire centrale et les


mmoires de masse. Elle joue le mme rle que la mmoire cache. La mmoire de masse est une mmoire priphrique de grande capacit utilise pour le stockage permanent ou la sauvegarde des informations. Elle utilise pour cela des supports magntiques (disque dur, ZIP) ou optiques (CDROM, DVDROM).
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