Université Constantinel Samedil 7/11/12 Faculté des Sciences de I'Ingénieur Département d’Eleetronique Concours d’aecés au Doctorat 3" Cyele en Electronique Options: 1. Hypertnéquences et Técommunication ~2. Mier et nanoschnolopss 3. Spstémes, prods et disposi pour I'lectronique médicales Epreuve commune, Durée: 1 30m0 (on soTanera a presen de Ta cophe tou su Ser USUI par leu [aie aoa prosrammable Le candida choisira deux exercices pari les trois proposts Exercice 1 (10 points) On considére une diode a jonction P’N abrupte, dopée avec Ny atomes accepteurs c6té P et Np atomes donneurs cdté N. Soient (-x:) et (x2) les abscisses respectives de la zone de charge espace cOté P et cote N. En appliquant a la diode une tension inverse continue de valeur absolue U et en notant Up la barriére de diffusion qui s’établit a I’équilibre sans polarisation 1- Donner sans démonstration, l’épaisseur de la zone de charge d'espace novée d, en fonction de U et Up, en tenant compte de I'hypothése de la jonetion P*N. Faire application numérique pour U= 4 V. 2- Calculer la charge totale +Q stockée dans la zone de charge d’espace edté N en fonction de No, U, et Uo. 3+ En supposant maintenant que la tension inverse varie avec une amplitude u autour d'une valeur constante Up (U=Up * w), calculer V'expression de la capacité différentielle C= dQ/4U pour U=Up. Retrouver la relation connue entre C et d. 4- En supposant que nous faisons des mesures capacité-tension C(U) et en se basant sur le résultat de la capacité différentielle (troisiéme question), donner un moyen d’obtenir Te dopage Np (lorsqu’il est inconnu) a partir dun tracé simple. Données: coer = 10" Ffem, n= 10"? em’, Na= 10! em®, No= 2.10! em”, kT/q a la température ambiante est égal a 0.025 Volt Exereice 2 (10 points) Un transistor PNP est dopé avec Nar =10'* em, Npg =10'° em’, Nac=10"em” pour les régions émetteur (E), base (B) et collecteur (C), respectivement. La largeur réelle de la base est W= 4 um. La densité des porteurs intrinséques est n; = 10'° em , coer = 10"? F/em et kTiq & la température ambiante est égal & 0.025 Volt 1- Calculer les tensions de diffusion des jonctions E-B et C-B notées Vea ¢t Voce 2+ Le transistor est polarisé par les tensions Vex = 0.5 V et Vg =-2 V. Calculer la largeur effective de la base, notée Wren. Pour le calcul des zones de charge d'espace, c6té jonction E-B et c6té jonction C-B, on suppose que les deux épaisseurs des zones de charge d’espace dans I’émetteur et dans le collecteur sont nggligeables (on applique I’hypothése de la jonction P"N).