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Module : EF1 Chapitre III : Le transistor bipolaire

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

I. Définition

Un transistor bipolaire est constitué d’un petit monocristal de semi-conducteur

(Germanium et surtout Silicium) comportant deux jonctions de même type de conductibilité
disposées en série mais dans des sens opposés séparés par une très mince région de type
opposé. Les deux régions externes sont appelées : Emetteur (E) et Collecteur (C), la région
intermédiaire est appelée Base (B).

II. Types et symboles d’un transistor bipolaire

Il existe deux types de transistor bipolaire:

1. Transistor NPN: C’est un transistor dans lequel une mince couche de type P est
comprise entre deux zones de type N.
C
B
B
E N PN C
E
2. Transistor PNP: La mince couche centrale est de type N.
C
B
B
E P NP C
E

En général, une jonction est presque le triple de l’autre.

L’émetteur est repéré par une flèche qui indique le sens direct de la jonction émetteur-
base et le sens réel du courant.

III. Paramètres caractéristiques d’un transistor

VCB IC

VCE  VCB  VBE IB B VCE


 I E  I B  IC VBE E

IE
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Un transistor peut être assimilé à deux diodes à jonction en opposition.

C(N) C(P)

B(P) B(N)

NPN PNP

E(N) E(P)

IV. Différents montages à transistors

Le transistor étant constitué de trois électrodes, il peut être considéré comme un
quadripôle dont l’une des électrodes est commune à l’entrée et à la sortie.
On distingue trois cas :
1. Le transistor en émetteur commun
Les bornes d’entrée : B, E
B IB IC C
Les bornes de sortie : C, E

B VCE
Les entrées : IB, VBE
VBE
Les sorties : IC, VCE
IE

2. Le transistor en base commune E E

Les bornes d’entrée : E, B

E IE IC C
Les bornes de sortie : C, B

VEB VCB
Les entrées : IE, VEB
Les sorties : IC, VCB IB

3. Le transistor en collecteur commun B

B IB IE E
Les bornes d’entrée : B, C
Les bornes de sortie : E, C
B VEC

Les entrées : IB, VBC VBC

Les sorties : IE, VEC IC

C C
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V. Polarisation du transistor bipolaire

Dans l’étude suivante, on considère uniquement un transistor NPN ; pour un PNP, il

suffit d’inverser les sens de polarisation et par conséquent, les sens des courants.

E IE IC C
Dans le montage considéré, la jonction base-émetteur N P N

est polarisée en direct alors que la jonction-base collecteur B IB

VBE VCB
est polarisée en inverse.

Pour simplifier, il est possible d’assimiler le transistor E IE IC C

D1 D2
à deux diodes à jonction du montage ci-contre :
B IB
1. L’effet transistor
VBE VCB
La diode D1 conduit, un courant circule de la base vers l’émetteur. La diode D 2 est
bloquée, normalement, aucun courant ne doit être perçu au niveau du collecteur, mais en
réalité, on constate la présence d’un fort débit de courant avoisinant celui de l’émetteur.

C’est ce qu’on appelle l’effet transistor. Ce phénomène existe à condition que :

 La base soit légèrement dopée : Quelques électrons provenant de la région N

vont se recombiner aux trous de la région P (puisque la jonction base-émetteur
est polarisée en direct, les électrons libres de la région N de l’émetteur vont
diffuser vers la région P de la base).

 L’épaisseur de la base soit très mince : les électrons libres restants vont
franchir la base mince et diffuser vers le collecteur.

2. Coefficients d’amplification du transistor :

 On définit α le coefficient d’amplification en courant d’un montage base

IC
commune : 
IE

Comme : I E  IC  I B    1

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 On définit β le coefficient d’amplification en courant d’un montage émetteur

IC
commun :  et donc I E     1 I B
IB

3. Montage émetteur commun :

Le montage le plus employé pour l’étude d’un circuit à transistor, le schéma

de base est le suivant :
IC

RC

VCC

RB IB
VBB VCE
IE
VBE

VI. Réseaux de caractéristiques du transistor bipolaire:

1. Caractéristiques statiques :

C’est l’ensemble des courbes représentant la dépendance entre tensions et

continus d’un transistor (IB, IC, VBE et VCE)

IC

Caractéristiques de transfert Caractéristiques de sortie

en courant IC=f(IB) pour IC=f(VCE) pour différents IB

différents VCE

IB VCE
Caractéristiques d’entrée Caractéristiques de transfert

VBE=f(IB) pour différents VCE en tension

VBE

Réseaux de caractéristiques
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A partir de ce réseau, on peut déterminer :

 Les régions de fonctionnement du transistor : la région active, la région de

saturation et la région de blocage.

 Le point de polarisation (IB0, IC0, VBE0 et VCE0).

 Les paramètres d’amplification.

2. Réseau de caractéristiques de sortie

 Région de saturation
IC
Le courant de base IB n’est pas

Région de Région Région d’

proportionnel au courant du collecteur. saturation avalanche
active
Cette région est limitée par VCEsat

 Région de blocage
IB
Le transistor ne fonctionne pas IB=k3

(IC ≈ 0) : la zone hachurée

IB=k2
 Région active
IB=k1
Le courant IC est indépendant

IB=k0
de la tension VCE, c’est la région
Région de blocage
d’amplification linéaire. VCEsat VCEmax VCE

 Région d’avalanche

Si VCE dépasse une certaine valeur

VCEmax, il en résulte un très fort courant

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3. Droite de charge statique

D’après le circuit du montage émetteur commun présenté précédemment, on a:

VCC =R C IC + VCE IC
M
 VCE =VCC - R C IC Droite de
charge statique

C’est l’équation de la droite de charge statique

qui passe par les points N et M correspondants P

IC0
au point de blocage et celui de la saturation.

IC  0  VCE =VCC VCE

VCC VCE0 N
VCE = 0  IC 
RC

Le point d’intersection P(VCE0,IC0) de la caractéristique de sortie avec la droite de

charge statique est appelé point de fonctionnement.

4. Droite d’attaque
IB VBB/RB IB0
D’après le circuit du même montage, on a: Caractéristique
d’entrée
VBB =R B I B + VBE
 VBE =VBB - R B IB Droite
d’attaque
VBE0
P’
C’est l’équation de la droite d’attaque.
VBB
I B  0  VBE =VBB VBE
VBB
VBE = 0  I B 
RB

Le point P’(IB0 ,VBE0) est le point d’intersection de la caractéristique d’entrée avec la

droite d’attaque.

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IIV. Polarisation statique du transistor bipolaire:

La polarisation statique du transistor permet de définir les grandeurs continues

statiques IB, IC, VBE et VCE. Pour fixer le point de fonctionnement, il existe trois
procédés de polarisation :

1. Polarisation directe

Dans ce type de configuration, on utilise

RC

deux sources d’alimentation VBB et VCC. RB

VCC

VBB

2. Polarisation par pont de base

On utilise un pont de résistances pour

R1 RC
économiser une source d’alimentation et
VCC
polariser le transistor
R2

3. Polarisation par résistance base collecteur

Ce type de polarisation dérive du montage

qui emploie la polarisation directe. RC

RB VCC

Pour plus de détails, voir TD.