Physique des composants électroniques et capteurs Objectifs © Comprendre le fonctionnement des composants électroniques a base de matériaux semi-conducteurs, * Connaitre les lois physiques et électriques régissant le fonctionement de certains composants (transistors, amplificateurs opérationnels ...) Généralités LI Définition Lélectronique est ensemble des techniques qui utilisent des signaux électriques pour capter, transmettre et exploiter une information. Tei on entend par information, une grandeur électrique (courant ou tension) transportant un flu. énergie continue ou diseret, codé ou non et susceptible d’étre traité et interprété par un circuit Slectronique spécial, Le cours d’électronique analogique nécessite la muaitrise des lois suivantes: ¥ Loidohm. Y Lois de Kirchhoff. ¥ Théoréme de superposition, Y Théoreme de Thévenin. VY Théorémes de Norton. IL-Représentation des grandeurs. Les grandeurs peuvent étre représentées de deux fagons = > Représentation analogique > Représentation numérique. La représentation analogique. ‘Une grandeur analogique peut prendre toutes les valeurs en variant graduellement entre deux limites Exemple ne automobile peut avoir une vitesse variant entre 0 et 220km/h. Les systémes analogiques regroupent done les montages utilises pour le contréle on pour le réglage de sorte que les composants utilises fonetionnent de maniére linéaire, sans discontinuité.Figure 1 : Exemple de signal analogique La représentation numérique. La grandeur mise sous forme nunérique nest plus proportionnelle a la grandeur d'entrée Elle s'exprime par symboles ou codes (chiflies). Exemple, le tachymétre d'une automobile sil est numérique, indique une valeur par pas de Ikm/h : la progression est discontinue ; sil est analogique (A aiguille) Ia progression est contimme. La représentation numérique est done discontinue. ‘Signal numérique Figure 2 : Exemple de signal numérique Dans la pratique, on trouve des circuits composés de systémes numériques et analogiques. III- Domaines d’application Le champ d'application des dispositifs électroniques est vaste. Nous pouvons citer entre autres > Télécommunications : Télégraphie, téléphonie, Radiodiffusion > Systemes de détection : Radar, télédétection. > Traitement de l'information : Ordinateurs, calculatrices, > Industrie : Commandes et réglages automatiques des installations de surveillance > Instruments de mesures : Equipements indusiriels, scientifiques > Electroménager : téléviseur, machine a laver.Chapitre 1: La conduction électrique et théorie des Sem Introduction: La conduction électrique mesure la capacité de la matiére a laisser circuler plus ou moins bien des charges électriques sous l'influence d'un champ électrique externe. Les composants électroniques obéissent aux lois générales de l'électricité. La différence avec les composants électriques traditionnels se sitte dans le matériau conducteur utilisé dont on pourra moduler la conduction a aide de signaux électriques. I- Structure de la matiére ‘Swructure simplifiée des atomes Les atomes sont des particules de base constituées d'un noyau autour duquel gravitent des électrons. Le noyau est composé de protons, particules élémentaires chargées électriquement 4 la valeur +e, et de neutrons, sans charge. Les électrons sont des particules chargées électriquement a la valeut -e. (La charge électrique élémentaire vant €= 1,6.10-19C). ensemble de latome est electriquement neutre, car il comprend autant de protons que d'électrons. Les électrons se répartissent sur des orbites différentes qui forment des couches. Quand l'atome posséde plusieurs couches d'électrons, les couches profondes coutieunent un nombre <'électrons indépendant de l'atome considéré. C'est la couche périphérique qui fait la difference. Electrons Ortsites ‘Figure 3 : Structure d’un atome tetravalentLorsquion applique 1m champ électrique extériewr sur um matériau, il y a conduction s*il ya cireulation d'un courant électrique dans le matériau. Ce courant est dil au déplacement de charges Glectriques dans le matériau. Si on applique une diffrence de potenticl Usy entre deux points A et B dun matérian distant dune Jongueur L, on crée un champ électrique E dans le matériau u, fae L Ce champ va exercer des forces sur les charges électriques présentes dans le matériau P=qE Si la charge q est positive, la force et le champ sont de méme sens, si elle est négative, ils sont de sens opposés. IH- Les bandes d’énergie > La bande de valence BY: c’est Ia bande totalement remplie d’éleetrons de liaison > La bande de conduction BC: c’est la bande exteme qui est vide ou partiellement remplie a 0°K. Lorsqu’un électron acquiert assez d’énergie additioanelle d'une souve exteme, il devient un Alectron libre et il pent quitter la conche de valence et passe alors dans la bande de condcti n > La bande interdite : La difiérence énergétique entre le bas de la bande de conduction et le haut de la bande de valence, elle s’appelle I’énergie de gap «Eg », c’est ’énergie nécessaire pour libérer un électron de la BV. IV- Métal, isolant et semi-conducteur IV-1 Selon le remplissage des bandes 4 T °K Lorsque la température tend vers 0 Kelvin, on distingue done tis cas selon le remplissage des andes et la valeur du gap> Premier cas: Ia bande de conduction est vide et le gap est grand (de Fordre de 10 eV par exemple). Le solide ne contient alors aucun lectron capable de participer a la conduction, Le solide ast isolant. > Deuxiéme cas: la bande de conduction est vide mais le gap est plus faible (de l'ordre de 1 4 2 eV), Le solide est done isolant température nulle, mais une élévation de température permet de faire passer des électrons de la bande de valence a la bande de conduction. La conductivité augmente avec la température : c'est la caractézistique d'un semi-conducteur, > Troisiéme eas: la bande de conduction est partiellement occupée, méme a une température de zér0 kelvin, alors un faible champ électrique peut faire passer im électron aux niveaux dénergies supérieurs, sans dépenser beaucoup d'énergie, le solide est alors conducteur. TV-2 Relation avec le niveau de Fermi ‘Le niveau de Fermi représente le potentiel chimique du syst@me. Sou positiounement dans le diagramme des bandes d'énergie est relié 4 la fagon dont les bandes sont occupées, > Dans les conducteurs, ke niveau de Fermi est dans une bande permise qui est dans ce cas la bande de conduction. Les électrons peuvent alors se déplacer dans le systéme électronique, et done circuler d'atomes en atomes > Dans les isolants et les semi-conducteurs, le niveau de Fenni est situé dans la bande interdite qui sépare les bandes de valence et de conduction. er ti Figure 4 : Diagramme des bandes d*énergieV- Les semi-conducteurs 1 Les semi-conducteurs intrinséques Dans un semi-conducteur intrinséque, les électrons de la bande de conduction proviennent ‘uniquement de la bande de valeuce et laissent derriére eux des états vacants, appelées trous. Les niveaux du bas de la bande de conduction sont done peuplés par des élections, alors que les niveaus du hant de la bande de valence sont peuplés par des trous. V-2 Les semi-conducteurs extrinséques utilisation du semi-conducteur pur présente assez. peu d’intérét. Par opposition avec le semi- conducteur pur, ou intrinséque, Putilisation de semi-conducteur dans la plupart des composants Electroniques se fait dans un état dit dopé (semi-conducteur extrinséque), Lorsqu'on dope un semi- couducteur avec des tomes de dopant convenablement choisi, on modifie de fagon remarquable les propriétés de conduetivité > Siles atomes du dopant sont pentavalents (Semi-condueteur de type N), les niveaux du bas de la bande de conduction sont de plus en plus remplis par des éleetrons qui provienment des atomes de dopant. Figure 5 : Libération des électrons par des atomes de phosphore. > Par conte, siles atomes de dopant sont trivalents (Semi-condueteur de type P), les niveaux du haut de la bande de valence sont de plus en plus remplis par des trous qui proviennent des, tomes de dopant.| be Gae como) ae oo bbb ToT t ft Figure 6 : Libération des trous par des atomes de bore. V-3 Description du semi-conducteur extrinséque Le dopage est laction qui consiste a rendre un semi-conducteur extrinséque. Par extension, ce terme qualifie également Texistence d'une concentration d'atomes étrangers introduits dans la maille cristalline uommés: des impuretés + SC extrinséque de type N: Dans lequel on aurait substitué 4 quelques atomes tétravalents des atoms pentavalents. Les impuretés sont appelées donneurs. > Modéle : Les dopages courants sont d'environ 10'* 4 10" atomes par cm3. On peut admettre que Je nombre volumique des électrons libres (imajoritaire) est égal au nombre volumique des impuretés et que le nombre vohmmiqne des trous (minoritaires) est négligeable. Ona: Np =n. avec: Np est la concentration des atomes douneurs nest la concentration des Electrons libres dans la BC Alone (Dormeur) ionisé Charge fixe positive Electron libre Charge mobile négative Figure 7: Modéle du semi-conducteur de type N Les charges essentielles, sont les électrons libres. Les donneurs ionisés, (les charges fixes) sont entourées d'un cerele. + SC extrinseque de type P: On introduit des atomes trivalents dans le réseau cristallin du semi- conductenr, les trois lectrons de la couche périphérique de Timpureté prennent part anx liens de valence, laissaut une place libre, Les impuretés sout appelées Accepteurs.> Modete : On peut faire les mémes considérations quiau SC type N concernant le nombre volumique des trous:il est approximativement égal au nombre volumique des impuretés. Le nombre volumique des électrons libres est alors considéré comme négligeable Ona: Na =p ave Nj est la concentration des dopants (accepteurs) pest Ia concentration des trous libres dans la BV Tl sensuit le modéle, représenté & la figure suivante daus lequel nlapparaissent que: Y les charges prépondérantes: les trous Y les acceptenrs ionisés Atome (Accepteur) ionisé Charge fixe négative ‘Trou libre Charge mobile positive Figure 8: Moddle du semi conducteur de type P Dans un SC intrinséque ou dopé, on a: Bg np = Cste =nj2 =N,.Nyexp Rt NooNy. exp” &t Ey nj = No Ny exp 2 avee: nj est la concentration intrins&que nj (n; ¥ 10!em™2 AT = 300K) et Ne.M, sont respectivement les densités effectives d’états dans les bandes de conduction et de valence. Daus le Si a 300K on a: N; = 2,8.10"cm™ et N, = 18.10% cm, T ou Ty est la constante de Boltzmann > Pour le SC extrinséque de type N: Ona: n.p=n? avec Np=n Done: p= > Pour le SC extrinséque de type P: Ona: np=nj? avec Ny=p Done> n=Chapitre 2: La jonction PN L- Definition On appelle jonetion la juxtaposition de deux éléments de semi-conducteur dont I'in est de type N et Yautre de type P. Le plus souvent on retrouvera le silicium et le germanium pour la fabrication de jonction. Il- Principe La région N va perdre des électrons qui vont migrer vers la région P, de ce fait la région N va devenir plus positive puisque en perdant des électrans les atomes donmeurs vont devenir des ions positifs La région P quant a elle va recevoir des électrons provenant de la région N et on va alors retrouver des ions négatifs puisque les atomes accepteurs auront un électron de plus que le nombre de protons constituant les charges positives de leur noyan. Ce phénoméne se nomme la double diffusion Figure 9: Principe de Ia jonction PN Les ions fixes ainsi engendrés vont créer un champ électrique B (orienté des ions positifS vers les ions négatifs) qui va s‘opposer au passage des porteurs majoritaire Y Lavaleur de ce champ B dépend du nombre de charges fixes disposées de part et dautre de la zone de transition qui est trés faible et de Yordre du micron Y La tension de seuil se situe ente 0.7 et 0.8V pour Ie silicium et de 03 a 0.5V pour le gemmanium,eee Zone dedéplétion —“'slectrons. lone fixes conite —P—tonetices postite Figure 10; Formation de a zone de depletion das ane Jonction PN La couche électrique se formant au voisinage de Ia jonction constitue une barriére de potentiel qui Sloppose maintenant a la diffusion de porteur négatifS (Electrons) de lar porteurs positifs (trous) de la région P vers la région N. ion N vers la région P et de Le champ électrique qui régne dans la jonetion chasse tous les porteurs, on dit que la région est une région de charge d'espace. Alors que les autres régions sont dites régions neutres. porteurs porteurs majortaires Zone de dépiétion ——_—majortaires (tous) (Clectrons) Figure 11: Etablissement de Ia barriére de potentielle dans une jonction PN. 10La zone de déplétion: est caractérisée par une différence de potentiel nommée tension de diffusion de quelques dixiémes de volt. Dans cette zone de déplétion ainsi créée il va y avoir une disparition de porteurs de charges et l'on constatera que plus Je dopage est important (pourcentage d'atomes dimpuretés au sein du cristal semi-conducteur) plus la zone de déplétion est étroite et plus la barriére de potentiel est faible. ‘Charges libres Charges libres oes Zone dedéptston, “unseen o £ “i —— <8 2 » + +i --N tons es négante —}— tone nes posite Figure 12: Formation de la zone de déplétion dans une jouction PN TII- Polarisation de la jonction PN Polariser une jonction consiste 4 appliquer une tension a ses bornes. Tl existe deux types de polarisations : > Lapolarisation directe > Lapolarisation inverse. IIL-1 Polarisation directe de la jonction PN Si on applique un champ exteme A l'aide d'un générateur en branchant le péle + sur la zone P et le Ole - sur la zone N, on peut annuler les effets du champ inteme et permettre au courant de eireuler = 1le phénoméne dlattraction des électrons libres de 1a partie N par les trous de la partie P (diffusion) ‘est plus contrarié, ‘Figure 13 : Polarisation en direct @’une jonction PN IIL-2 Polarisation inverse de la jonction PN Si on branche le générateur daus le seus inverse du cas précédent, on renforve le champ électrique interne, et on empéche Ie passage des porteurs majoritaires : les électrons libres sont repoussés dans la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la séparation des charges (zone de déplétion). Par conte, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et électrons Libres pour la zone P) peuvent traverser la jonction et reboucler pat le générateur : ils forment le courant inverse qui dépend essentiellement de la température. Figure 14: Polarisation en inverse d'une jonction PN 2Chapitre 3: Caractéristiques physico-chimiques T- Introduction La fabrication d’um composant 4 semi-conducteur, quil s’agisse d’un élément diseret (semi- conducteur ne contenant qu’un composant actif, transistor par exemple), ou de circuits intégrés (ensembles d’éléments actif et passifs reliés entre ewx sur un méme substrat semi-conducteur et capables @assurer eu moins une fonction de circuit électronique), comprend de nombreuses opérations tres techniques et spécialisées. La présente description vise done 4 foumir un cadre général et des explications de base sur les principales étapes suivies dans la fabrication d’un composant & semi-conducteur au silicium, et des problémes qui les accompagnent en matiére d’environnement, de sécurit$ et de santé II- Etapes de fabrication La fabrication dun circuit intégré comprend une séquence d’opérations qui peuvent étre répétées de nombreuses fois avant que le circuit soit termine: Y Oxydation: Séche et humide Y Lithographie ¥ Gravure Y Implantation Y Diffusion ¥ Depot IL-1 L’Oxydation En général, Poxydation de Ia surface extérieure de Ia plaquette est la premiére éiape du traitement un composant semi-condueteur, afin de former une mince couche (environ un micron) de dioxyde de silicium ($102). Cette couche sert avant tout de protection de la surface contre les impuretés, et également de masque pour Vopération de diffusion qui suit. La possibilité de former cette couche protecttice de dioxyde sur le silicium fait des plaquettes de silicium le substrat le plus utilisé pour les semi-conducteus. L’oxydation, souvent appelée oxydation thermique, s’effectue par lots dans un four de diffusion & haute température, Les températures dans le four vont de 800 4 1 300 °C. Des composés ehlorés, sous 2Bla forme de chlorure d°hydrogéne (HCH, peuvent également étre ajoutés pour mieux contrdter les impuretés indésirables On distingue deus types d’oxydation: > L*Oxydation séche: on parle d’oxydation séche lorsque la couche de dioxyde de silicium est formée dans des etmosphéres contenant de l’oxygéne (O02). La circulation de l’oxygéne «see» dans le tube est contrélée de fagon a assurer un excés d’oxygéne et permet la formation du dioxyde de silicium a la surface des plaquettes. La réaction chimique de bese est la suivante Si+ 02 — Si02 > L*Oxydation humide: Patmosphére de fabrication contient de Voxygéne combiné 4 la vapeur d’eau H2O (plusieurs méthodes sont employées pour I’introdaire). II-2 Lithographie et gravure > La Lithographie La lithographie, également appelée photolithographie ou simplement masquage, pemet de eréer avec précision les impressions sur Ia plaquette oxydée, Le cirenit mictoélectronique est formé couche aprés couche, chacune recevant une forme d’impression fournie par l'un des masques composant le circuit complet. La lithographie est généralement basée sur Tinsolation de fines couches de résines organiques par la Iumiére, enlévement de matiére par attaque chimique produit une forme en relief. Cette méme technique de base est employée pour obtenir les masques primaires qui serviront réaliser chacune des couches de fabrication du composant. Cette étape est suivie par une opération de révélation dans des solvants. Ces masques définissent le dessin des zones conductrices et isolantes 4 transférer sur la plaquette par photolithographie. La plupart des fabricants ne produisent pas eux-mémes leurs masques, mais coufieut ce travail 4 une entteptise spécialisée. > LaGravure La plaquette développée subit une opération de gravure qui permet le transfert des motifs imprimés dans la résine et enlever la couche photosensible restante avant la suite du traitement. Piusieurs 14méthodes sont utilisées parmi lesquelles les transferts soustractifs (une attaque an moyen d’agents chimiques humides ou secs) ow les transferts additif. Le principal danger présenté par Vattaque par voie humide est le risque d°un contact cutané avec les acides concenirés. Historiquement, les briilures par acide représentent un probléme particuligrement aigu dans cette industrie. Le nombre de cas a pourtant baissé ces derniéres amées, Cette diminution est en partie due a des améliorations apportées aux méthodes d’attaque, par exemple par T’adoption du procédé de gravure @ sec, une robotisation plus poussée et installation de systémes de distribution mécanique des produits chimiques. IL-3 Le dopage La formation d'une jonction ou dune barrigre électrique entre les zones P et N d’une plaquette de silicium cristallin est la base du fonctionnement des semi-conducteurs. Les jonetions penmettent au courant de cironler beaneoup plus facilement dans tn sens que dans Vautre, C’est selon ce principe que fonctionnent les diodes et les transistors de tous les semi-conducteurs, Dans un circuit intégré, une quantité controlée d’impuretés élémentaires, appelées dopants, doit étre introduite dans certaines zones gravées sélectionnées du substrat de silicium que forme la plaquette Les techniques de diffusion ou d’implantation ionique peuvent étre employées A cet effet. Quelle que soit la technique utilisée pour la séalisation des jonctions, les dopants servant a former les jonctions sont les mémes (la technique utilisé dépend de L'état physique du dopant) v Ladiffusion Le terme diffusion désigne le déplacement des dopants depuis les régions de forte concentration siluées du c6té source du four de diffusion vers celles de faible concentration qui se ouvent dans la plaquette de silicium. La diffusion est la méthode la plus répandue de formation des jonctions Cette technique consiste a placer 1a plaquette dans une atmosphére chauffée au sein d'un four de diffusion. Dans ce four, qui contient sous forme de vapeur les dopants voulus, se forment les zones activité slectrique dopées soit positives, soit négatives (P ou N). Les dopants les plus employés sont le bore pour le type Pet le phosphore (P), ’arsenic (As) ou T'antimoine (Sb) pour le type N. Le fait de porter la plaquette & une température élevée permet aux atomes d’impuretés de diffuser lentement dans la structure cristalline. Les impuretés migrent plus lentement dans le dioxyde de 15silicium que dans le silicium Ini-méme. La mince couche 4’ oxyde fait done office de masque en ne laissant le dopant pénétrer dans le silicium qu’aux endroits ot ce dernier n’est pas protégé. Lorsque la quantité d'impuretés accummulées est sulfisante, on rete les plaquettes du four, ce qui met fin a la diffusion. > L’implantation ionique L’implantation ionique est la méthode Ia plus récente d'introduction, a la température ambiente, éléments d’impuretés dans les plaquettes de silicium pour la formation des jonctions. Les atomes de dopants ionisés subissent une accélération jusqu’é le nivemu haut d’énergie en traversant une différence de potentiel de plusieurs dizaines de milliers de volts. Fn fin de trajectoire, ils viennent frapper la plequette et la pénétrent jusqu’a des profondeurs variées, qui dépendent de leur masse Comme dans le procédé de diffusion classique, une impression d’ oxyde ou de résine photosensible protége sélectivement la plaquette des ions. Les appareils d’implantation ionique sont parmi ceux qui présentent les plus séricux risques Glectriques dans Vindustrie des semi-conductews. Méme aprés coupure de Valimentation, il subsiste dans Vappareil un fort potentiel électrique pouvant causer ’électtocution, qu’il est nécessaire de dissiper avant d’intervenir 4 I’intérieur de celui-ei. Une étude attentive des opératious de maintenance et des dangers électriques est certes impérative pour tont matériel nouvellement installé, mais elle Pest tout particuligrement pour ces appareils. IL-4 Le dépét (Le placage) Les techniques de placage employées pour former des couches métalliques sur des substrats de semi- condncteurs se rangent dans deux types principaux: le dépot électrolytique et le dép6t chimique (non électrolytique). > Dépat électrolytique : Dans lequel le substrat a plaquer est placé a la cathode, c’est-i-dire la bome a charge négative du bac de placage et il est plongé dans une solution électrolytique. ‘Une élecirode composée du métal de placage sert d’anode (borne a charge positive). Lorsqu’ou fait cizculer un courant continu dans cette solution, les ions métalliques chargés 16positivement, qui se dissolvent dans le bain a partir de I'anode, migrent vers la cathode (oubstrat) oi ils se déposent. Cette méthode est employée pour former des couches conductrices d’or et de cuivre. > Dépét chimique (non électrolytique): dans lequel on utilise une réduction et une oxydation simnltanées du métal de placage pour obtenir un atome ou une melécule métalliques libres. Etant douné que cette méthode ne nécessite pas de conduction électrique en cours de placage, elle peut étre employée avec les substrats de type isolant. Les métaux les plus couramment déposés sont le nickel, le cuivre et or. Aprés l’exécution des techniques physico-chimiques de fabrication des composants électroniques, plusieurs étapes sont effectuées pour finaliser ce processus > La métallisation ‘Une fois les circuits formeés sur le substrat de silicium, ils doivent étre reliés les uns aux auwes pour assurer les fonctions désirées. On appelle cette opération la métallisation. Elle établit Pinterconnexion élecitique des couches supérieures des circuits intégrés sous la forme @’impressions complexes de pistes en matériaux conducteurs qui acheminent I’électricité au sein des circuits. + Les opérations d’alliage et de recuit Aprés dépdt et gravure des interconnexions métallisées, on peut effectuer une opération finale alliage et de recuit, L’alliage consiste placer les substtats métallisés, habituellement avec de Taluminium, dans un four de diffusion & basse température, pour assurer un contact & faible xésistance ente aluminium et le substrat en silicium. L’étape de recuit sert a optimiser et 4 stabiliser les caractéristiques du semi-conducteur + L’analyse des défaillances et assurance qualité: Les laboratoires d’analyse des défaillances et d’assurance qualité soumettent les composants a différentes opérations afin d’en verifier Ia fiabilité. L’assemblage et les essals Les opérations hors fabrication, qui concernent la pose du boitier, les fixations, lencapsulage Passemblage et les essais, se déroulent généralement hors des lieux de production, et sont souvent v7effecmées dans les pays d’Asie du Sud-Est, oft ces taches, qui demandent beaucoup de main- @eeuvre, sont moins coiiteuses: + L’encapsulage Le but premier de Tencapsulage est de placer le circuit intégré dans une enveloppe dotée des caractéristiques électriques, thermiques, chimiques et physiques correspondant a I’ application prévue + Leessai final Pour vétifier une derniére fois les performances du composant semi-conducteur sous boitier, on effectue un essai électrique final. Compte tem du grand nombre et de la complexité des essais écessaites, ce avail est coufié & un ordinatew qui évalue les uombreus paranétes importants pour Ie fonctionnement du composant. Lem ‘quage et 'emballage Lridentification physique du composant terminé se fait par différents systémes de marquage. Les deux grandes eatégories de marquage sont impression par contact et sans contact. L’analyse des défaillances et l’assurance qualité Les laboratoires d’analyse des défaillances et d’assurance qualité soumettent les composants & différentes opérations afin d’en verifier la fiabilité L’expédition: L’expédition est le point final du cycle de production pour ce qui conceme le fabricant de semi- condncteurs. Les fabricants commerciaux vendent leurs produits 4 des producteurs dautres matériels, tanclis que les fabricants intemes les utilisent pour les matériels produits par Ventreprise elle-méme 18Chapitre 4: Les diodes a jonction PN I. Définition et symbole ‘Une diode a jonction est un composant ectronique de base formée par une jonction PN rendue accessible par deux contects électtiques (obtenus par métallisation). Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur commandé par une tension (Vd) qui ne Iaisse passer le courant que dans un seul sens (pour le retenir, noter que le sens du courant est celui du triangle), ‘Son symbole et les notations sont représentés a la figure suivante, Ane —Cathoda Figure 15 : Constitution d'une diode a jonction et son symbole Cette propriété de la diode ouvre un champ dlapplications assez vaste en électronique dont les plus courantes sont : > Leredressement du courant altematif issu du secteur > > Larégulation de tension a Vaide de diodes Zener I1-Caractéristique statique tension-courant Le fonctionnement est traduit par Ie lien entre la tension et le courant : la caractéristique tension— courant. Elle est relevée dans les quatre quadrants en polarisant la diode en suivant le schéma de la figure suivante: Figure 16 : Polarisation de la diode 19Figure 17 : Caractévistique tension-courant d'une diode * Quand V=0, pas de courant Etat d’équilibre) + Dans le sens direct (ip et Up positifi), la diode est passante; la tension up est faible (=1V) et le courant croit trés rapidement avee la tension ; Jo Ou: > Is est le courant de fuite : > qlacharge de l'électro: > kconstante de Boltzman = 1,38E-23 J/K: > T température absolue (en degré Kelvin) + Dans le sens inverse (ip ef tip négatifs), la diode est bloquée; TH Association de diode IIL-1 Association en série 20IIL-2 Association en paralléte: L’association en paralléles permet de diviser le courant I dans chaque diode: va DS V4 I | > —_ V4 aa na > IV- Applications des diodes: Le redressement Le redressement consiste 4 transformer une tension bidirectionnelle en une tension uniditectionnelle appelée tension redressée. IV-1 Redressement simple alternance On considére le montage suivant : Hypothése : les diodes sont supposées idéales. avec : w= UM sin wt et w=2pf :Hypothése : On suppose que la diode est idéale. Y Pendant Palternance positive de la tension u : (ui > 0), la diode D est polarisée en direct done elle est passante (i> 0 et ud = 0) done uR = u—ud =u. 21Y Pendant Vaiternance négative de la tension u : (u< 0), la diode D est polarisée en inverse done elle est bloquée (i= 0 et ud <0) done uR = 0. U, UR Figure 18 : Allures des tensions u ct ux IV-2 Redressement double alternance: transformateur 4 point milieu On considéze le montage suivant de redressement double altemance deux diodes et transformateur a point miliew Di a i —= D: + Ondispose de deux tension (wi() et u2(t)) aver une amplitude ulmax = u2max (2 wnax, + Les diodes D1 et D2 vout jouer le 16le de redresseur mono-alternance pour chacune des deux tensions ul (t) ct v2(1). avec : w= UM sin wt et w= 2pf :Hypothése : On suppose que la diode est idéale. ¥ Pendant l’alternance positive de la tension u + u; est positive (u, > 0), la diode D, est polarisée en direct done elle est passante: ure = Ft + ugest négative, D, bloquée. 22¥ Pendant lalternance négative de Ia tension u : Uz est positive (u, > 0), la diode D, conduit: uz = uz uy est négative, D, bloquée. u,uUR Figure 19 : Allures des tensions u et ug IV-3 Redressement double alternance a pont de Graetz On considére le montage suivant: Di Ds UR. R Ds D2 ° avec : 1 = UM sin wt et w—2pf :Hypothése : On suppose que la diode est idéale. v Pendant lalternance positive de la tension u: D, etDs conduisent, D, etD, bloquées, done uy =u Pendant l’alternance négative de la tension u : D, etD, conduisent, D, etD, bloquées, done ug = —w 23Figure 20 : Allures des tensions u et ux ‘V- Diode Zener ‘Dans le seus direct, cette diode se comporte comme une diode normale, daus le sens inverse la diode Zener est équivalente 4 une source de tension de f.e.m Vz et de résistance interne 12. > En polarisation directe, une diode Zener est équivalente 4 une diode normale. > En polarisation inverse, la diode conduit lorsque la tension inverse Ui devient supérieure a la tension Zener Uz. La caraetéristique lingarisée conduit a Péquation : Ui= Uz +Rz. Hh ot Rz est la résistance dynamique inverse. Dans ce cas La diode Zener est équivalente au modéle Khip A — suivant Figure 21 : Schéma équivalent A une diode Zener polarisée en inverse Si la résistance dynamique Rz est négligée, la tension aux bomes de la diode lorsqu’elle couduit en inverse est constante quel que soit le courant qui la traverse. La diode Zener est idéale. Figure 22 : Schéma équivalent dune diode Zener idéale passante en inverse 24VI- Autres types de diodes VI-1 Diode Varicap Lors de étude du fonctionnement inteme de la diode vide, on a fait apparaitre le champ Glectrostatique de la barriére de potentiel. A Vorigine de ce champ, il y avait une réparation de charges, des ions de signes opposés, de part et d’autre de Ia jonction ce qui constitne une capacité (on peut électivement voir ce phénoméne comme 2 plaques recouvertes de charges opposées et séparées par un diélectrique). Dime fagon générale, les différentes accummlations de charges dans la jonetion d'une diode font apparaitre un comportement dynamique capacitif de la diode. Symbole: “e_Pype VI-2 Diode Schottky C'est une diode de redressement réalisée sous la forme d'une jonction métal/semi-conducteur et dont, la barrie de potentiel est plus faible que celle dune diode usnuelle (de 0:2V a 0:4V ). Son utilisation est intéressante dans les applications en basse tension car sa faible burigre de potentiel limite les pertes en conduction et favorise le rendement. Symbole: tp p ce 25Chapitre 5: Les Transistors T- Structure d’un transistor Bipolaire Un transistor bipolaire est constitué par deux couches de semi-conducteur de méme type (P on N) séparées par une couche de type différent. On distingue ainsi deux types de transistors bipelaires NPN et PNP. Les trois électrodes sont appelées Collecteur (pen dopé), Base (couche trés mince et faiblement dopée), Emetteur (fortement dope) Sur le schéma électrique du transistor, une fléche marque la jonction Base Emetteur, Cette fléche est orientée dans le sens passant de la jonction. En fonctionnement normal, la BE est polarisée en directe (Vas ~0.7V) et Ia jonetion BC en inverse (Ve > Vs) a= Base Emertour NPN PNP ac BG E Figure 23 : Symboles des transistors bipolaires NPN et PNP Sens des tensions et courants é travers un transistor bipolaire Ie ¢ In B Ver Ver Iz ¥ En fonctionnement normal : la jonction émetteur-base est polarisée en direct, la jonction collecteur-base est polarisée en inverse 26¥ En fonctionnement bloqué : les deux jonctions sont polarisées en inverse Y En fonctionnement saturé : les deux jonetions sont polarisées en direct. La telation qui lie les trois courants est la suivante : 1e=Ple(B+\)leoo=Ble ¥ Best le gain d’amplification du transistor Y Teno est Le courant de fuite circulant entre la base et le collecteur. ‘Testé avec un ohmmetre, un transistor se comporte comme deux diodes montées en téte béche. Mais du fait des différences de dopage, on ne peut pas associer deux diodes pour prétendre avoir un a c 8 a B ef 8 Figure 24 : Interprétation de la structure interne d°un transistor transistor, II- Application: Amplification Dans les circuits électroniques, les étages appelés amplificateurs sont présents pratiquement tous les endroits dans n'importe quel systéme, a savoir > Dans les étages d'entrées afin d'amener trés vite le signal utile & des valeurs exploitables pour le traitement que doit subir le dit signal. > Dans les étages intermédiaires pour précisément waiter le signal tout en conservant une amplitde de signal utile exploitable > Dans les étages de sorties pour délivrer aux connexions une amplitude répondant généralement une norme, et juste avant les étages de puissance. 27& Les différents types d’amplificateurs : > Petits signmux: 4 ’intérieur de la chaine de traitement électronique. > De puissance : permet de piloter des actiomeus électriques ou électromeécaniques en sortie. Différentes classes : A, AB, B, CD, E, F,G et H. + Les trois montages fondamentaux a transistors Pour un montage amplificateur & transistor, I'électrode relige la bome commune donne le nom att montage. Nous parlons dun montage émetteur commun EC, base commune BC on collecteur commun CC. Chacun de ces montages 4 ses caractéristiques propre Montage BC Montage C La base est commune a lentree et @ la sortie Le collecteur est commun a entrée ct la sortie Montage EC L’emnettenr est commun a entrée et ala sortic Figure 25 : Les trois montages fondamentaux & transistors, TH-Mesure des caractéristiques du transistor Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émettew commun. Le schéma le plus simple est le suivant : 28IL-1 Caractéristique d'entrée. La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation: Is =f (Vue) & Vee = ete. En fait, le circuit dlentrée est Ia jonetion base-émetteur du transistor, soit tne diode a jonetion. Cette caractéristique va dépendre trés peu de la tension collectewr-émetteur : on la donne eu général pour une seule valeur de Vee. La courbe est la suivante : IB | 0,77 Figure 26 : Caractéristique IB(V,:) dun transistor bipolaire IL-2 Caractéristique de transfert. La caractéristique de transfert est définie par la relation: Ic = f (Ip) Vcr = ete. Or le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base: [c= Ble +(8 + I)cvo= Bla La caiactéristique de tansfert est douc une droite; le transistor est un générateur de courant commandé par un courant. Si on considére le courant de fuite Icxo, la caractéristique ne passe pas par lorigine, car Ic = Iczo pour Ia = 0. Le coefficient f) du transistor varie grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des transistors de grosse puissance, 30 4 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100 4 500 pour des transistors de signal eee ® Figure 27 : Caractéristique CUB) d’un transistor bipolaire 28IIL-3 Caractéristique de sortie. La caractézistique de sortie du transistor est définie parla relation Ic = f (Ves) alg = cte En pratique, on donne wn réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de Ts Io Yor Figure 28 : Caractéristique IC(VCE) ¢’un transistor bipolaire 3-4 Résumé L’ensemble des caractéristiques est résumé sur la figure ci-dessous. Te (mA) Caractéristique de transfert Caractéristique | (V.,) 1) Ty (A) Caractéristique d'entrée =f) Vis Vee (mV) I= 60 pA Figure 29 : Réseau de caractéristique dun transistor bipolaire 30IV-Montages de base TV-1 Préliminaire > Alimentation, Le transistor, tout en étant classifié dans les composants actifs, ne fournit pas d'énergie : il fancdra done que cette énergie vieune de quelque part ! C'est le réle de Falimentation qui va servir & apporter les tensions de polarisation et 1énergie que le montage sera susceptible de fournir en sortie > Liaisons. Une fois le transistor polarisé, il va falloir prévoir le branchement de la source ltemative d'entrée sur Je montage. En régle générale, ceci se fera par lintermédiaire d'un condensate de liaison placé entre Ia somce et le point dentrée du montage A transistor (base pour montages émetteur et collecteur counmun, éumetteur pour montage base couuune). De la méme maniére, pour éviter que la charge du montage & transistor (le dispositif situé en aval et qui va uliliser le signal amplifig) ne pertube sa polarisation, on va aussi Tisoler par un condensateut de liaison. Ces condensateurs vont aussi éviter qu'un courant continu ne circule dans la source et dans la charge, ce qui peut leur étre dommageatle. > Méthodologie de calcul. 11 convenait, pour des raisons de simplification des ealculs, de séparer I'étude de Ia polarisation de Vétude en alternatif petits signaux. La polarisation est calculée dans un premier temps ; on fait alors um schema équivalent du montage pour le continu, Le caleul se fait simplement avec la loi d'Ohm et les principaux théorémes de Vélectricité. Pour la partie petits signaux alternatifs, on va devoir linéariset les caractéristiques du transistor au point de fonctionnement défini par la polarisation. Il faut done définir les paraméttes & linéariser et en déduire un schéma équivalent du tansistor La solution globale (celle conespondant 4 ce qui est physiquement constaté et mesuré sur le montage) est la somme des deux solutions continue et alternative. 31> Paramétres hybrides du transistor en petits signaux. En pratique, pour simplifier, nous allons d'abord donner le schéma équivalent et les équations qui s'y ‘rapportent, pour ensuite justifier ces éléments l'aide des caractéristiques des transistors, Le transistor est considéré comme un quadripdle ; il a deux bomes d'entrée et deux bomes de sortie (une patte sera alors commnne l'entrée et & la sortie) ot va étre défini par 4 signanx Y Courant et tension d'entrée, Y Courant et tension de sortie. Ces variables pour le montage émettcur commun sont ¥ Lecourant Tp ef Ia tension Veg pour Tentrée Y Lecourant Icct la tension Vex pour la sortie. On considére le Transistor comme un quadripdle Les variations des grandeurs d’entiée et de sortie sont religes par les zelations suivaates: [2] - i hel [ie | zy hz2) lvce " hay cag 4 Ver Constant. C’est la résistance d’entrée du transistor (aussi appelée pente de Ja caractéristique d’entrée). ee Ona vu que pour une diode le courant direct est : Ip * [gare et Ic = Bly, Onen déduit la relation suivante valable & température ambiante pour tous les transistors : h11=26fIC (ull en Met IC en mA), fay = 15 a Veg Constant. C'est Je gain en courant du transistor Tl est trés voisin de fb + hy a Ig constant. C’est admittance de sortie du transistor. Elle est en général faible ce et correspond ai la pente des caractéristiques du réseau de sortie. Elle est fonction du courant IC. ‘1/h22 est de l’ordre de 20kQ pour des courants collecteurs de l’ordre de quelques mA. o hy ee A Tg constant. C’est la pente des caractéristiques du réseau de transfert en tension. Ce paramétre étant voisin de zéro (10° 4 10°) sera toujours négligé. 32> Schéma équivalent du transistor en petits signaux. D’aprés la relation issue des paramétres hybrides, il est possible de donner un schéma équivalent du transistor en petit signaux, En réalité, il existe des capacités entre les électrodes d'un transistor. Ces capacités sont faibles et présentent, en basse fréquence, des impddances si grandes que I’on pent népliger leurs effats. Par contre, en haute fréquence, les impédances de ces capacités modifient le fonctiomnement du transistor, Ainsi, si l'on néglige ces capacités, on obtient le schéma équivalent suivant, valable seulement en basse fréquence. On suppose que Ie transistor fonctionne dans sa zone linéaire. Bo '5 ic om! Ty Comme hip est voisin de 0 et que ho: est petit, on peut encore simplifier le schéma comme l’indique Ia figure ci-dessous: Figure 30 : Schéma équivalent simplifié du transistor en petit signaux 33