mise au point sur les — TRANSISTORS (Suite voir N° 1473) 3. LES TRANSISTORS 3a. ‘courant, tension et puissance Un transistor est une boite no fe 2 two's dlectrodes, possédant deux jonctions PN. montées en ‘opposition, soit (PN NP), ou PNP, soit'(NP- PN), ou NPN. Une ‘des tlectrodes par laquelle ‘on injecte des trous, ou des éec- trons, S'appelle 'émetteur, sym- bolisé par e dans les schémas et dans les formules ;Vavire, médi ne, Sappelie fa base, symbouisée par b, directement Connecté au matériau support, ou substrat ft sdernizre, sur laquelle on recueille les charges sappeile le collec teur, symbols par ¢ (ig. 31). Les transistors PNP et NPN ne se comportent pas de la méme ‘maniare et nous devrons bien 2p prendre a les différencier pour les ‘employer au mieux de leurs per- Tormances (fig. 3-2) Pourquoi cette dénomination consacrée de transistor ? Ce mot résume, en fat, le phénomene qui rend ce composant siattrayant. Il signfie TRANS(Fert) ~ (de) ~ ré sistance, (résis)TOR, (en anglais) TRANS(er) - (Résis/TOR U permet le transfert de la sistance d’entrée sur Ia sortie, al- fecté d'un coefficient multiplica- teur, ce qui le rend excellent am plifcatcur de tension (entre au- tes applications). Cette opération de transfert une faible résistance (500 12) en tune forte (900.000 2) dane avec tun gain de 1800 (rapport de 900.000 £2 it 00.2) ne nous éton: ‘era pas quand nous saurons que ‘pour Fobtenir i faut et i suffi de polariser la diode émetteur-base ‘en direct (conductance levée) et la diode base-collecteur en In- verse (conductance faible). Les schiémas_de_ polarisation sont indiques fig. 3.3, Les charges libres, ou porteurs mobiles de courane, des transis- tors NPN sont des électrons, comme pour les tubes électror ques a vide de la radio-tlectricité classique. Dans ce tas, les trous existent mais en nombre bien in- Ferieur et on les nomme pour cola porteurs minoritaires, En revan- che, pour les PNP, c'est lecontrai- Fe qui sé passe, les trows sont les porteurs majoritaires tandis que les électrons sont les. porteurs itaires. En ne s‘occupant que des charges majoritaires, on constate que le courant d'élec- trons dans les NPN et dans les PNPSuitles fleches, comme indi qué fig. 34. Ce courant délec- tronsest de sens oppost celui dit corventionne! du courant électri- fon fait, est celui des Dans les deux cas, NPN et PNP, le courant mesuré sur le collecteur est de ordre de 5% inférieur & celui de Pémetteur : 95 ator te ou gain en courant = 4. =095 a= f= 0s Les tensions respectives ‘émetteur-base : Ray le = Veg = 5001, base-collecteur Rick = ¥ye = 900 000 1, oie gain en tension gy Ven = Rul eve aita ache Roe 900 000 =O 500 ou encore fy ea 1800 = 0.95 x 1800 = 1710 ‘Quel est le gain en puissance = a2, Bs = @9sp x 1800 Sou: gp = 16245 y, woe set | @ = 1710 x 695 16245 NPN Fp, 2. Unfair et un erga formint ante aura re [20 ung sori at usm eran Core fous ie wrens wtiisuromant Weary fred trenton ora pre ria ds mann as Ceci os pearencecs Schone pie core marae prckanna ws pout sanrempacis ri ne uate ot vicaverea Oh pe . wy t* : ob, init Uw t ib le —Evidemment, si Yon connatt ‘gre aux notices des construc: teurs, «on aura la possibilité de determiner gp et de li le rapport F entre les résistances-ollecteur Rye et Emetteur Roy en effet Bee a.gy=a.a Re mar Par suite r= = oy a-h que nous véritions aisément 16245 1624.5 Om = OBSxOs 16245 2 apes = (800 Alinsi, par les seules données de (gain en courant) de gy (gain en tension) et une mesure, par exem- pio, celle de I, (courant émetteur) fon parvient 4 établir les prinei- aux paramétres de fonctionne- ‘ment d'un transistor (NPN ow PNP). Les gains,en tension @y),en ré- sistance (0), en puissance (,) sont tous fortement supérieurs & Funi- 16, Lemploi du mot gain est jus 1h. En compensation, le gain en courant (a) est inférieur a 1 (de ordre de 0.95 avons-nous dit): i ya donc perte de courant et non as gain, mais usage s'en est im- posé. Diailleurs le courant ne S'évapore pas dans la nature! 1 se retrouve dans T'électrode de base b. 3.2. Le probleme des « fuites » Si les transistors étaient par- faits, il n'y aurait pas de « fui- tes »,oude « pertes de courant » Trois catégories. sont _connues, ratiquement = Colles dues aux mauvaises polarisations d'entrée et de sortie = Calles dues aux phénoménes. internes de transfert des charges, lorsque Témetteur reste «en air» (nest pas connecté); ce ourtant die que fe mate ‘ee transistors est un semi-conduc: teur, ou semiteur (voir ap de Haute pure (affinage résitvit » intermédhaie entre les ux e fs isolamts(gezmanium, si liciun,arsénuire de gallium, ete). On iminue sa rsistvitéen injctant des Agents dopants qui sont des w impure. sont des «impuretés » * qui en portent la responsabilité = Colles dues aux effets de sur- face, imputables aux_imperfec- tions technologiques du matériau lots de la fabrication, La figure 3.5 sefiématise par quatre diagrammes ce quill faut entende par let montre la fagon dem assurer les mesures, pour un transistor PNP (de loin Ie plus ré- pandu actuellement sur le mar- Cché, d’oi ce choix... Mais le lee- teur, si le désie, peut se faire un aide’mémoire complémentaire en raisonnant, seul sur le transistor NPN.en reprenant les figures 3-3, 235). 3.3. « Transistor-métre » éeono- ‘mique Considérons la figure 3-6. Elle comprend trois milliamperemé- tues ctalonnes de 0.4 | mA, deux resistances R et Ry de protec- tion, une pile, un interruptcur-in- verseur et un interrupteur a bou- ton-poussoir. Si Ton ne posséde qu'un seul milliampéremétre, il suffit de court-citcuiter leurs bor- nes aa) (bb), (C~c) et rela re trois fois la mesure soufue. Lorsque Ky est ouvert, on de- termine sur le millmpéremétre coc donnant Ta, br valeur du courant de fulte ent Pémetteur eet Ie collecteur c, apple la dans la lntérture. Le circuit Ge base doit ctre ouvert pour cette dpératon (ne pas appuyer sur K3) En ouvrant Ky (postion A,)on note que le courant de base est nul (milliamperem tee b= bi, ddonnant I) Joao = 20 micro-ampéres environ ‘Sifon approche un fer & souder du boitier, on s'apergoit que cette intensité augmente jusqu’d 200 ‘micro-amperes. Lorsquc le fer est ‘enlevé il faut attendre cing miny- tes environ pour observer un re- tour & la normale. La température joue un rile primordial dans Vaffaiblissement des performances des transistors, aussi convientil de toujours veil. ler a une excellente vertiiation, Refermons K, et K, et enregis- trons les grandeurs affichées par les appareils de lecture = Milliampéremetre cc’, collec« teur 1, =0,40 ma = Milliamperemetre teur: 1, =042 mA. = Variation des courants Collecieur: 0.40 ~ 002 = 038 ma. Emetteur: 0,42 - 0,02 = 040mA, Indicanon visible, é ki Ssielggjoone’ ” lime | *— TT; Rb eure 4 i D> J ‘ors Le fled dlectron pout Gretel qitertraine I destruction tur out)variat on du courant colleeteur Al, 2038 995 ‘= ‘Variation du courant émetteur aT, “00> " Pourles transistorsajonctiona | — Comme m’excéde jamais 1. p= ak Ona vu, qu’avee K; ouvert, le aly ‘courant dans base est nal taridis due Ly vaut 002 mA. En bascu- | il vient, en divisant fe numéra- lant K} sur sa position «marche | teur, et le dénominateur de cette M;»,lecourantcolleeteur atteint_| fraction par Al, (ce qui n’en chan- alors 0,40 ma. Ainsi pour un ac- | ge pas la valeur) croissement de 0,02 mA du cou Fant de base ly, le courant collec- 4h « teur (ese trouve multolié par un | @=—4e = Gp % Facteur 19,4 peu pres. On appel ES ae G2 Yatton du couram colecieur Ai, _ 940002 8 ‘variation du courant base AT, 02 pat fot La varistiondu courantdansta ) p= —2,— = +4 base AI, est égal au rapport 1-45 “@ ee Ph che de I'unité, ls a se rapproche de 'unité, al, = 4 = B00 meilleur Sannonee f. Grice au montage de la figure De plus 346,0n peut commencer un tide "al, Ay iransistors a point de vue des d40~038 =002ma — | gains en courant (collec reurfémerteur, ou a, (allec- teurfbase, ou f) tout en verifiant (Ky ouvert) les valeurs de leurs courants de fuite. De surcroit, en enievant le milliampéremétre cc’ (1) et en plagant dans ses bornes e=c" un casque audiophonique, lon arrive tr bien, grace ala sen- sibilité de Foreille, & repérer les Lransistors & faible bruit Enfin, le montage de la figure 3-7 va nous aider a vérifir les ré sistances des transistors en polari- sations directe (position 1 sur le sschéma) et inverse (position 2 des commutateurs). suffi de posse der un rotacteur 4 5 galettes & 3 positions pour effectuer cette oné- ration. La position médiane met le circuit @ Varrét. Deux piles sont nécessaires, En (I), la lecture sur Vohmmétre voisine 600 82. En (2), elle passe a 1 M@environ. La po: Tarisation directeinfligée, dans la Position 1, au transistor en essai ne lui cause aucun dommage puisque le test ne dure pas et que Te courant requis est faible. Pour tester des NPN il faut in verser les connexions de Tohm- metre. n obtient ainsi ‘CONCLUSION Les généralités sur les transis tors sont achevées. I! nous faudra connaitre, par une prochaine pa- ution, les différentes réalisations ‘que T'on trouve dans le commer- 2, le fle des composants passifs (résistance, condensateurs, self. inductances, transformateurs) dans les circuits. On étudiera en- Fin des petits montages en insis- tant sur les raisons du choix de tel type de produits, pour satisfaire au mieux la fonction désirée. Un coup d'arl sur les varistan- es, sur les thermistances,8., sera pas inutile Ainsi se trouveront réunis tou- tes les données indispensables ui veut employer, au mieux de leurs performances ces « petites betes» si delicates et, pourtant, plzines de possibilités. 2 ‘a \ | Z Fig. 3:6 - Montage simple cui permet de mesure le paramitres econo dos {rapsistors du commarce lg, gy eteears cube le brut grace au casave ‘ra un excellent dbvectaw (orale humaine, Page 240-No 4 Fig. 9.7 - Montage simole qui permet de mesure rb rapidement ‘ez dontree ot de torte" dee Warsitors PP, cu NPN on inveraant es ‘Somnenione {01 O'} 0p O') de formate 2APPENDICE I: UN COMPRIME DE. PHYSIQUE DU SOLIDE POUR CEUX QU) SONT ATTEINTS D'INSOMNIE 1. Constitution de la mat La plus petite particule, cout en taille, qu’en masse, chargée une certaine quantité Cstectri- cite fest PAlectron. Il existe des @lgetronsposiifs, ou positons (charge + q) et des Electrons né- atifs, ou négatons (charge - a). Dans le systéme dunités de mesure MAKS.A. (métte, kilo: gramme, seconde, ampere, pour ie longueur IL) 1s masse IMI, le temps [T] ex Fintonsité I Féec- tron est defini par "Sa chuarge = 26 x (0-" cou ‘om IC} = Saimasse my =941 x 10°" k= Togtarnme tks] ~ Sa charge specifique : km = 18 x 10" [Cbykg] Lorsque des négatons se dépla: eon en sens inverse sous Vffet une force, ou d'un champ élee- trique (mesure en vols/métees, its iaissent la place qu'ls oceu- Daient auparavant es Iacumes, de méme volume qu’eux, mais de signe oppose (posti que Ton dé- signe pur trogs. Ce ne sont pas des positons, mais bien des sites vides de négatons, qui se propa gent leur tour, dans la direction lopposée i celle du transfer des négatans dg. A). Les atomes sont constitués par des electrons négatis qui entou- rent un noyau formés de paticu- les plus lourdes, les protons, de rméme charge ue es positons, ‘ais de masse beaucoup plus im- portante mp ip = 17 8 10 kilogramme row ie rapport & 1836 A cité des protons, se trouvent des corpuscules électriquement routres, ou neutrons, de méme masse Que les protons. Entre pro- tons et neutrons, énergie siécnange continuellement en se transformant sous des formes orpusculaires et materelles qui ddonnent naissance & des particu- Tes Lourdes (ou baryons) et a des particules légéres (ou leptons) Leur intérét, capital en physique nnuciésire (nucléonique) reste dis- ‘cutable pour notre propos, aussi ‘nous hiterans-nous de les ou- bier. Les atomes en se_réunissant construisent des molécules, Les liaisons qui» existent peuvent tre électriques (Glectrovalence) fou neutres (covalence). Les ions @lectrovalents sont positfs, ou négatifs, @ cause de Pévietion, ou de absorption, de négatons. La figure A-2 précise cette notion. Si Vorbite externe de I'atome, ou de Ja molécule, est saturée, elle appa- rait comme neutre Mig. A-3) Ni row ai négaton ne peuvent s'y alisser Sides corpuscules de cette ature sont retenus dans cet édi- fice, ils y constituent des « nua ges » (Drude) de porteurs libres, Soumis au seul mouvement dés- ‘ordonné (thermique) identifié par Brown. Si on leur applique un ‘champ électrique extérieur, is So déplacemt en « groupe organise » ct deviennent des porteurs mobi- les de charge électrique. Les molécules géantes structu- éee selon une architecture bien fordonnée procurent des verres, des cristllites, des cristaux, au fur et a mesure que leur degré de colrésion augmente. On passe ain- Si progressivement des isolants, amorphes, en général, au métauy. ‘dans esquels les ions sont rangés ‘avec a parfaite ordonnance des ‘athletes sur un stade. La condue- tivité 2 (inverse de la rSsistvité ) s'accroit notablement des isolants (ou dislectriques) aux métaux. Entre les deux, il existe une fo rille de corps, pas tov! iat 0+ ants, pas coutafait mstaux, ap olds Semi-condueteurs, ou se- micteurs. Leur résistivité varie de $000 «ohms/meire pour le germanium (Ge) @ 5.000.000 dohms/mstre pour le slicium (Sil Leur princi- ple propria tient & ce que leur conductivité augmente aver ix température fig. A, d’abord en suivant la loid’Ohm, linéaire, puis apres Gtre pussés par un Stade @ equilibre, dit de plateau, s'em- buallant, deviennent vite inutilisa- bles 2. Nature de Ia conductivité Pour achever ct résumé suc- int et incomplet, nous voulons toutefbis déterminer la nature in~ time de ta conduetivité 2 (ig. A: 5. La loi (Ohm (voir § 1) permet o'éerice U2 R.1=. Ist 1=G.U,=2.sil.U, La densité Gurtevique) du cou- ant est égale a Vintensité I, divi sera Atcement es Eanes négHte So tstim —=—> a 0 0 60 © 0 wp eee Fig. 8-1 Conduction pa aut des trous romps par un dlectonlisant un fe ave corre hd — ler ee SOY Coy ies (0) tg. Ag: Pc tte rn ra tare oe IRibd cence one ere Roe So warren eer iia Soceeraante acter crete deg icp oes caoere meron ent ietuimn caesarean enna SE Chon onal oes noe ree Fig. A. -Un atome couche exter Bondar, mail frre entre So sée par la surface s qu'elle traver- | Divit een (gta) a+) Or, le quotient de U, par I lon- ¥ sueur du barreau cylindrique de my ag +s) semiconducteur, est le champ Glectrique E, régnant dans les ‘maillescristaines de ce substrat o.E La densité de courant J est constituse par les deux flux de particules, mégetives (de charge =q et de nombre n,) ct de trous (de charge +4, quantité n) qui rg = ng +n, = quantités de por- teurs en mouvement; itesse tangentielle, des négatons : itesse tangemtialle, des trous. Par suite S%coulent aver des vitesses lon= Games gitudinales v, et v; (ailleurs, vy | En revenant au principe fon- est supérieure a v;). Ces vitesses | damental de Ia dynamique («la sont appelées « de translation ». | force est égale au produit de la Nous aurons par consequent: | masse par 'accélération qui tui est Jekths2.E procueée ») on pourrait. mieux Mais, dans une tranche extré- | préciser la nature de 2, mais les mementatince du solide considé- | caleuls a développer bien que r&il passe en une unité de temps | simples) sortent, toutefois du car (une seconde) n charges mobiles, | dre qui nous est impart intéara- animées d'une vitesse de circular | tion tion - vg et n, charges libres, dla | Ce qui faut savoir, néan- vitesse ¥,, doi moins, c'est que la masse des por- Jas+h teurs de charge intervient dans 1a Eq)eng ve) ta.n..vd | formule. On démonire ailleurs ag Fn) Wy + v0) que la « masse apparente » des =o.E trous est plus « lourde » quecelie: ity acontribution des électrons | des négatons,ce qui moditie gran- ct des trous au phémoméne de | dement les traectoires internes, transport des charges non-liges. | en fonction des énergies locales ~LE STETHOSCOPE DU RADIO - ELECTRICIEN MINITEST 1 Signal Sonore leaton cones dos Sreuts BE MONE Micros {eécommanleaions- Haut pars pokey MINITEST 2 signa! apparel sptcalement cong pour le techricin TV MINITEST UNIVERSEL documentation sur gomande 8 slora 18, Avenue de Sptwran Sb Sat “FOROREN ut; 0.00.68 Vient de paraitre EQUIVALENCES DES TRANSISTORS par A. LEFUMEUX ion considérable réunie par fauteur, spé- te de la. question des equivalences, celu-cia pu réunir. sous forme de tableaux trés facies @ consulter, les equivalences de tous les transistors usuele et meme rares. 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MARIN * Voir du méme auteur: « Ré Fexions sur les structures hyperfee- auences “a. profils contrdlés » i cL lecticie lectranique moder ‘ney m0 279 (fevrieemars 1974),