Giri Caractéristiques des transistors a effet de champ 4.1 INTRODUCTION Le fonctionnement du transistor & effet de champ (souvent appelé FET de V'anglais Field Effect Transistor) est basé uniquement sur les phénoménes de conduction des porteurs majoritaires. Ils sont done parfois considérés comme des transistors unipolaires. Il existe deux types de transistors & effet de champ : Jes transistors & effet de champ & jonction (JFET) et les transistors & effet de champ MOS (pour ‘metal-oxyde-semiconductor) oa MOSFET. 4.2 ARCHITECTURE ET SYMBOLES DU TRANSISTOR JFET La figure 4.1 présente Yarchitecture physique et les symboles des deux types de JFET. La conduction lcctrique correspond au passage des porteurs de charges de la source (S) vers Je drain (D) au travers duu canal constitué entre les deux éléments de la grille (G).” Le transistor & effet de champ peut étre canal N (conduction par électrons) ou canal P (conduction par trous), Les résultats obtenus pour te JFET canal N sappliquent au JFET canal P en changeant les signes des courants et des tensions. Le tableau 4.1 présente les analogies entre le JFET ct le transistor bipolaire & jonetion. Les notations que nous utiliserons pour identifier les courants et les tensions sont les mémes que celles que nous avons déja présentées dans le tableau 3.14.3 CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR JFET Le transistor & effet de champ 3 jonction est la plupart du temps utilisé dans le montage quadrip: Souree commune de la figure 4.1 o2 us applique une tension inverse ® la jonction PN grille sou courant de fuite au niveau de ta grille est en général négligé au regard de la plupart des applic (moins de 1 wA) ce qui nous améne a considérer la grille comme un circuit ouvert. Par conség West pas nécessaire d'étudier les courbes caractéristiques d'entrée. La figure 4.2 a) présente les caractéristiques de drain (de sortie) pour un JFET canal N dans sa cv | zation souree commune avec vcs < 0. Lorsque la tension vps croft, pour une valeur donnée de vex | transistor se comporte comme une résistance linéaire dans la région dite ohmique jusqu’t ce que ls | de déplétion de la jonction PN grille source polarisée en sens inverse sétende & toute la largeur du cu (Ce phénoméne est appelé pincement du canal), Au-dela du pincement (mais en restant en dessous 2 Conditions d'apparition du phénoméne d'avalanche, le courant de drain ip reste pratiquement co: | lorsque vps continue a croitre. 4 Drain Z | me de i Gam depletion | > E “e Yep is -ts 4 Sh 4 1 (a) Transistor canal N A { . ¢ bk 1 tH } ‘me | ahs s ©) Transistor canal P Figure 4.2,Les paramétres [pss et Vjo Sont des spécifications du transistor et sont représentés sur le graphe de la figure 4.2 a). En général V;o (tension de pincement pour vgs = 0) se situe entre 4 et 5 V. Plus la tension de grille diminue, plus Ta tension de pincement V, (c'est produit le pincement du canal) diminue. selon la loi approximative Vp = Vou + vcs Tableau 4.1 Drain D Collecteur C Grille G Base B Alimentation de drain Vpp | Alimentation de collecteur Voc Alimentation de grille Vac | Alimentation de base Veg ‘dire la tension drain source pour laquelle se 1) Transistor FET ‘Transistor bipolaire ———— O——e——— Source S | Emetweur E Courant de drain i Courant de collecteur ic oss se Yoo wseY “Wye Yoo (0) Carcéistiues de sin Droite de polarisation Yose Wer (6) Caretéisique de wanster Figure 4.2 Caractéristiques source commune du transistor & effet de champ canal N ite courant de drain évolue selon une loi quadratique en fonction de la tension grille source pour des seers constantes de vps dans la zone de pincement vas\* to= tou (14 2) (42) rend compte'de lespacement vertical intégulier entre les courbes caractéristiques de le figure c+ La figure 4.2 b) correspond a la représentation graphique de la relation 4,2. Elle constitue la carac- vevrgque de transfert et est trés utile pour déterminer la polarisation du transistor & effet de champ. La suique de transfert correspond également aux intersections entre les caractéristiques de drain et une ligne verticale fixe d’Squation ups = C*, En formualant 'hypothése que les caractéristiques de drain sont pratiquement horizontales dans la zone ée piricement, il nexiste qu'une seule et méme caractéris- ‘igue de transfert pour toute tension vps > Vzo (Voir figure 4.4 pour l'étude dun modéle non idéel).4.5 DROITE DE POLARISATION ET DROITE DE CHARGE DU TRANSISTOR JFET La figure 4.5 a) représente un montage classique de polarisation du JFET au moyen d'un diviseur de ten- sion, montage qui peut étre réduit & son équivalent de la figure 4.5 b) avec le générateur de Thévenin Equivalent dont les paramétres sont RR: RQ e t Voo= Reem. *S° RRs Avec ig = 0, la loi des mailles, appliquée le long de la boucle grille source, nous donne l’équation de la droite de polarisation : Re Vop (4.3) Veo _ vos Rs Rs ea Cette équation peut ere résolue simultanément & l'équation 4.2 ou tracée directement comme indiqué sur la figure 42 b pour déterminer le courant de polarisation Ipg ainsi que Ia tension Vosq qui sont deux des trois grandeurs de repos nécessaires & Ia polarisation. L'application de la loi des mailles le long de la boucle drain source (figure 4.5 b) nous donne l'équation de la droite de charge + Vp Rp & @ I> Ce | J Figure 4.5 = pe vas (4s) (P= Rs+Rp Ret Ro qui, tracée sur le méme graphe que les caractéristiques de drain de a figure 4.2 a), nous conduit & la der- nite grandeur électrique de tep0s : Vaso. (On peut aussi, si Ing est déia déterminé, écrire : Vos = Von — (Rs + RodingExemple 4.2. On considére lamplificateur de la figure 4.5 a) avec Vop = 20V. Ry = 1 MO. 5.7 MQ, Rp = 3KG et Rs = 2K En supposant que les carsctrstiques du transistor sont données par les graphes dela figure 4.6. ealeler 2) Too &) Veso. ©) Voso 2) Diapres l'équation 4.3. on a: Yoo = Re strut alors la droite de polarisation correspondant& uation 4.4 sur a figure 4.62). Elle coupe la caracté Fistgue de wansfert au point de repos Q ce qui nous donne le valeur di courant de repos dons le drain Tog = 1.5 mA. b) Le point de repos Q. sur a figure 4,6) nous donne aussi la valeur Vaso = —2V ©) On constrit pour fiir la droite de charge sur le graphe des caractéristquas de drain. Cete droite coupe Faxe des ups en Voo = 20°V et coupe late des in en Vin (Rs + Ro) =+mA Le point Q ayant été déterminé te! que I>, =2'V aux questions précédentes. son abseisse comespond & Vosg = 12.5 V Analytiquement Vop ~ Rs = Railay LS mA et Vese 20-5 x10 x 1.5 x 107 3 Exeniple 42 Figure 4.64.6 ETUDE GRAPHIQUE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR JFET Comme nous Favions fait pour le transistor bipolaire. on introduit des capacités de liaison pour isoler les signaux variables des valeurs continues de polarisation. De plus. une capacité de découplage peut tre placée en paralléle avec la résistance de source afin de la court-citcuiter pour les signaux variables tan- dis que cette résistance reste utile pour fixer la tension de polasisation grille source. Par conséquent. on utilise ici une droite de charge dynamique et des techniques d’étude analogues 2 celles développées au paragraphe 3.7. On notera que compte tenu de la loi quadratique qui lie vgs et fp. une distorsion importante est suscep tible d'étre introduite dans le cas de signaux possédant une grande amplitude Exemple 4.3, On considare 'amplificateur de Yexemple 4? avec rj = sinr et Cs — >. Déterminer graphique ment tgs € i Comme Cs s¢ comporte comme un court-ircuit pour les signaux variables. on ajoate une droite de charge dyna~ mique sur la figure 4.6 b). qui passe par le point Q et qui coupe axe des vps en Vosp + Ruloo = 2.5415 x3=17V ‘On consiuit ensuite un ane temporel dorigine Q perpendiculaice a la droite de charge dynamique. Les vatiations de ig et de vy sont reportées sur des échelles temuporelies aunilsies igure 4.6 b) ct correspondent, sur le graph. 4h des vatiations de ty, = uj de 41 V le long de Ta droite de charge dynamique. On remarquera la distosion quae dratique de cas deux signaux. 4.7. ARCHITECTURE ET SYMBOLES DU TRANSISTOR MOSFET Le transistor MOS canal N de le figure 4.7 posséde une zone dopée P unique appelée le substrat, dont ‘run des c6tés agit comme un canal conducten. Une grille métallique es: appliquée au canal conducteur par intermédiaire d'un oxyde métallique isolant (en général de Toxyde de silicium SiO.) dot le nom de transistor FET a grille isolée (en anglais IGFET pour isolated gate FET). Le MOSFET canal P est Desi Onsde méaliave ake census Meal 2 cite sobs ie ‘61 2 J eae o 5 co | Source is) ws ” Figure 4.7 construit sur le méme principe en inversant les zones P et N et en considérant des courants et des ten- sions de signes opposés & ceux du MOSFET canal V4.8 CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR MOS Dans un transistor MOS canal N, la grille (armature positive), le film d'oxyde métallique (¢iélecirique) et le substrat (armature négative) forment un condensateur dont le champ électrique interme contrOle la résistance du canal. Lorsque le potentiel positif de le grille atteint une tension seuil Vr (en général de Vordre de 2.84°V), une quantité suffisante d'électrons est attirée vers la région située juste derrigre le film oxyde métallique et transforment le canal en conducteur de faible résistivité (ce mode de fonctionne- ment est appelé mode enrichissement), Si la tension drain source augmente, le canal se transforme en zone de déplétion au voisinage du drain et le phénoméne de pincement apparait de maniére analogue au JFET. La figure 4.8 présente les caractéristiques usuelles dun MOSFET avec Vr = 4 V en Voccurrence. En général, les constructeurs précisent la valeur de Vy ot une valeur de courant de pincement Ipo,. La valeur correspondante de la tension grille source est Veson os ¥ ve Vos Yes @ o Figure 4.8 Le transistor MOS fonctionnant dans sa zone de pincement est décrit par les équations 4.1 et 4.2 en rem- plagant Vpo et Loss respectivement par ~Vr et [pon et en court-ciseuitant le substrat & la source comme indiqué sur la figure 4.9 a) Ona: (46) avec ues > Vp. 4,10 DROITE DE POLARISATION ET DROITE DE CHARGE DU TRANSISTOR MOSFET Bien que les caractétistiques de transfert d'un JFET et d'un transistor MOS soient différentes (comparer les figures 4.2 b et 4.8 b)), la droite de polarisation permet de déterminer la tension de polarisation grille source Vesg. De plus, les mnéthodes graphiques pour lesquelles nous tragons les droites de charge sta~ tique et dynamique peuvent étre utilisées dans le cas des transistors MOS. (On peut directement utiliser le montage diviseur de tension (figure 4.5) pour polariser le transistor MOS. Toutefois, comme Vesq et Vosy sont de méme signe, une résistance de réaction (voir figure 4.9 a) peut ree uilisée pour compenser les différences constatées dans les caractéristiques du MOSFET.