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UNIVERSITE DE LOME ANNEE ACADEMIQUE : 2022-2023

FACULTE DES SCIENCES ( FDS ) MANIPULATION N° 4

DEPAREMENT DE PHYSIQUE DATE : 24 / 07 / 2023

Nom et Prénoms du N° de carte Filière Groupe de TP


Binôme

BOGNON Ayao Jules 526828 Physique 4

KETEKOU Emmanuel 503821 Physique 4

FICHE DE TRAVAUX PRATIQUES DE PHYSIQUE ( PHY 314 )

ETUDE : LES TRANSISTORS

TP N°4 : TRANSISTORS – APPLICATIONS

LES TRANSITORS ET
LEURS APPLICATIONS
Introduction
Les transistors comme défini précédemment sont des composants électriques qui
sont utilisés dans la plupart des circuits électroniques en commandant une action
dans le circuit. Ils jouent également le rôle d’amplificateur. Nous avions eu à
voir dans un précédent TP les deux types de transistors (NPN, PNP), comment
ils conduisent le courant et comment les identifier ou leurs propriétés. Nous
aurons donc dans ce TP à faire ou à voir une ou des applications des transistors
avec des petites manipulations avec des buts bien précis.

I. Objectifs du TP :
Nous aurons tout au long du TP à poursuivre deux (02) principaux buts :
D’abord Vérifier que l’intensité IC d’un transistor NPN est fonction de IB de la
base lorsque la tension du collecteur est de 5 V. Ensuite vérifier que IC est
fonction de UC pour différentes valeurs de IB pour nous permettre de représenter
les courbes caractéristiques d’un transistor NPN,
Et enfin, examiner le déclenchement d’un transistor par une photorésistance afin
d’allumer ou éteindre une lampe.
Les manipulations
Dans cette séance de travaux pratiques, nous avons eu à faire 2
séries de manipulation.

A. Première manipulation
But 1 : Vérifier que l’intensité IC d’un transistor NPN est fonction
de IB de la base lorsque la tension du collecteur est de 5 V. Vérifier
que IC est fonction de UC pour différentes valeurs de IB.
Liste du matériel :
 Une (1) plaquette de montage
 Une (1) résistance 47kΩ
 Une (1) résistance réglable 10kΩ
 Une (1) diode simple 1N4007
 Une (1) capacitance,
 Une (1) capacitance électrolytique, 47µF
 Un (1) transistor BC337
 Huit (8) fils de connexion
 Deux (2) multimètres
 Un (1) générateur de tension continue (12V)

Montage :

~
+

47kΩ
A
6V’
0…12V
4,7µF A

10kΩ

_
~
Figure4,
Résultats des mesures :
Tableau 4
IB (µA) 10 20 30 40 50

U (V)
0 0 ±0,75mA 0±0,75mA 0±0,75mA 0±0,75mA 0±0,75mA

1 3,60±0,75mA 8,40±0,75mA 12,60±0,75mA 16,50±0,75mA 21,00±0,75mA

2 3,90±0,75mA 8,40±0,75mA 12,60±0,75mA 16,80±0,75mA 21,60±0,75mA

3 3,90±0,75mA 8,40±0,75mA 12,90±0,75mA 17,70±0,75mA 22,5±0,75mA

4 3,90±0,75mA 8,40±0,75mA 12,90±0,75mA 17,70±0,75mA 22,5±0,75mA

5 4,20±0,75mA 8,70±0,75mA 13,50±0,75mA 18,00±0,75mA 22,8±0,75mA

6 4,20±0,75mA 8,70±0,75mA 13,50±0,75mA 18,60±0,75mA 23,40±0,75mA


7 4,20±0,75mA 8,70±0,75mA 13,80±0,75mA 18,60±0,75mA 24,0±0,75mA

Tableau 5

IB (µA) 0 10 20 30 40 50

IC (mA) 0±0,75 4,5±0,75 9±0,75 14,1±0,75 19,5±0,75 24±0,75

Réponse à l’évaluation
1- Représentation IC=f(IB) avec les données du tableau 5

Ic=f(IB)
30
Ic(mA)

25

20

15
IC(mA)
10

0
0 10 20 30 40 50 60
IB(µA)

fig.1.courbe de IC en fonction de IB
2- 𝐼𝐶 change de valeur à partir de 𝐼𝐵= 10µA

3- Valeur du gain dans cette expérience


β1 = 𝐼C1/ 𝐼B1 = 450
β2 = 𝐼C2/ 𝐼B2 = 450
β3 = 𝐼C3/ 𝐼B3 = 470
β4 = 𝐼C4/ 𝐼B4 = 480
β5 = 𝐼C5/ 𝐼B5 = 486
β = β 1 + β 2 + β 3 + β 4 + β5
β = (450 + 450 + 470+ 480 + 486)/5
β = 467,2

𝞓 β = (𝞓 β1 + 𝞓 β2 + 𝞓 β3 + 𝞓 β4 + 𝞓 β5) / 5
𝞓 β = (26,2 + 26,2 + 6,2 ++3,8 + 9,8) / 5
𝞓 β= 14,44

β = 467,2 ± 14,44

4- Représentation sur un papier millimétré IC=f(UC).

IC= f(Uc)
Ic (mA)

30

25

20
IC1
15 IC2
IC3
10
IC4
5 IC5

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Uc

fig.2.courbe de IC en fonction de UC

5- Pd = UC × IC = UC × β × Ib = 5 × 476,2 × 0,003
Pd=7,143 W
On remarque notre valeur de la puissance Pd (7,143) calculée est
inférieure à la valeur maximale autorisée pour Pd (300 MW).
6- ΔUCE=10 – 5=5 V
ΔIC = β × 𝞓Ib
ΔIC = 14,29 mA
RS =ΔUCE / ΔIC = 349.9 Ω
7- Tracé de la droite de charge du transistor et détermination graphique du
point de fonctionnement Q (VCE0, IC0)

Q (VCE0, IC0)
Ic(mA)

30

25
IC1
20
IC2
15
IC3
10 IC4

5 IC5

0 Uc
0 2 4 6 8

B. Deuxième manipulation
But: Examiner le déclenchement d’un transistor par une
photorésistance afin d’allumer ou éteindre une lampe.
Liste du matériel :
 Une (1) plaquette de montage
 Une (1) douille de lampe
 Une (1) lampe à filament
 Une (1) résistance 1kΩ
 Papier sombre 3cm×3cm
 Un (1) potentiomètre 10kΩ
 Une (1) photorésistance LDR 03
 Un (1) transistor BC337
 Quatre (4) blocs de connexion
 Quatre (4) fils de connexion
 Un (1) multimètre
 Un (1) générateur de tension continue (12V)
Montage :

(1) LDR

5V--

(2) V

Figure1

Observations et resusltats des mesures

La photorésistance est La photorésistance La tension UST La lampe


en est

Position (1) partie Couverte 0,60±0,075 Ne brille pas


supérieure du diviseur
de tension Eclairée 2 ,43±0,075 Brille

Position (1) partie Couverte 2,37±0,075 Brille


supérieure du diviseur
de tension Eclairée 0,63±0,075 Ne brille pas
Réponses à l’évaluation
Potentiomètre dans la position (1)
1- Effet de l’éclairage de la photorésistance sur la tension de conducteur
UST :
Lorsque le potentiomètre est placé dans la position (1) l’éclairage de la
photorésistance rend la tension UST faible.
Le transistor est un interrupteur lorsqu’on positionne le potentiomètre
dans la position (1) lorsque la photorésistance est éclairée.
Potentiomètre dans la position (2)
2- Effet de l’éclairage de la photorésistance sur la tension de conducteur
UST :
Lorsque le potentiomètre est placé dans la position (2) l’éclairage de la
photorésistance augmente la résistance de cette dernière et donc fait
augmenter la tension du conducteur.
Le transistor est un interrupteur lorsqu’on positionne le potentiomètre
dans la position (2) lorsque la photorésistance n’est pas éclairée.
3- Utilité pratique de ce circuit :
Ce circuit peut être utiliser dans la conception des systèmes de détection de
présence, de lumière, de flamme etc…

Conclusion
Nous voici à la fin de toutes nos manipulations tant sur les filtres que sur les
transistors. Nous avions beaucoup appris sur les filtres et sur les transistors, sur
leur fonctionnement, leurs propriétés et nous avions eu à la fin de chaque
manipulation faire une application de ces circuits. Ces connaissances qui étaient
théoriques pour nous se sont confirmées par les diverses expériences. Ce dernier
TP sur les transistors nous a permis de voir les courbes caractéristiques que nous
avions pu tracer par les mesures expérimentales et nous avions également pu
examiner le déclenchement d’un transistor par une photorésistance afin
d’allumer ou éteindre une lampe. Nous avions pu voir que lorsque dans un sens
si la photorésistance est éclairée sa résistance augmente, donc augmente
également la tension et dans l’autre (en faisant une permutation de la position de
la photorésistance avec celle d’un potentiomètre), elle fait baisser la tension. La
perfection étant dans le travail continu, nous espérons à la suite de nos études
approfondir plus les connaissances acquises.

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