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Cours
Électronique Analogique
VCC
RC C2
R1
C1
Rg
Ru
eg CE
R2 RE
Filière SMP-S5
Electronique Analogique
Sommaire
CHAPITRE I : AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS EN BASSES FREQUENCES 3
CHAPITRE II : AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS EN HAUTES FREQUENCES 23
CHAPITRE III : AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL ERREUR ! SIGNET NON DEFINI.
CHAPITRE IV : L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET SES APPLICATIONS 37
CHAPITRE V : LA CONTRE REACTION 60
Filière SMP-S5 2
Chapitre I : Amplificateurs à transistors en basses fréquences
Les composants actifs sont utilisés pour réaliser des fonctions particulières telles que
l’amplification ou l’adaptation d’impédance. Ses éléments sont alimentés en régime continu,
afin de fixer le point de fonctionnement statique, et en régime variable. Les variations des
grandeurs en régime variable doivent être assez faibles pour que l’on puisse assimiler les
courbes à leurs tangentes. On parle ainsi de régime variable de faibles signaux, les grandeurs
électriques varieront linéairement autour du point de repos. Ainsi on a la superposition de
deux régimes : statique et dynamique.
I - Transistors Bipolaires
Le régime des petits signaux
Ce régime se supperpose au régime statique qui permet de fixer le point de
fonctionnement du transistor par le choix des éléments de polarisation (déjà vue en semestre
S4)
Notations
 Grandeur continue (statique) : en lettres majuscules, VD.
 Grandeur variable (dynamique) : en lettres minuscules, vd.
 Grandeur totale : symboles en minuscule, indice en majuscule, vD.
Soit un transistor bipolaire polarisé en régime statique, schéma de la figure 1, et ayant

le point de fonctionnement P : IB0, VBE0, IC0 et VCE0
On superpose au régime statique un régime dynamique à l’aide d’un générateur (e g,
Rg). eg est une tension sinusoidale. On obtient un amplificateur à transistors qui alimente une
charge Ru.
L’étude théorique du régime statique se fait par annulation du régime dynamique. De
même on effectue l’étude théorique du régime dynamique en annulant le régime statique.
NB : Dans la pratique les deux régimes sont superposés, on ne peut pas étudier le régime
dynamique sans le régime statique.
A la tension VBE0 de polarisation statique de la base, s’ajoute une tension alternative
vbe autour de VBE0. On a donc vBE = VBE0+ vbe.
Si vbe est d’amplitude suffisamment faible, alors les paramètres électriques varieront
linéairement (faibles signaux : on confond la tangente avec la courbe).
VCC
R1 RC
Rg
Figure 1
Ru
eg
R2 RE
Filière SMP-S5 3
Figure 2
Le schéma de la figure 2 montre la superposition du régime dynamique au régime

statique de polarisation du transistor. A la tension vBE correspond un courant iB = IB0 + ib,
un courant iC = IC0 + ic et une tension vCE = VCE0 + vce
La tangente à la droite dynamique autour de VBE0 est de la forme ib = kvbe
Puisque ic = ib  ic = kvbe=gmvbe , gm est la transconductance (ou pente)
Droite de charge statique et dynamique

1
La pente de la droite de charge statique est :
(R C  R E )
Lorsqu’un signal est appliqué à l’entrée de l’amplificateur, le point de fonctionnement
Q s’écarte du point de repos en respectant la relation entre ic et vce :
 v ce 1
ic   est la pente de la droite de charge dynamique en
R C // R u R C // R u
charge.
 v ce 1
ic   est la pente de la droite de charge dynamique à vide
RC RC
Filière SMP-S5 4
En d’autres termes, Q se déplace sur une droite de charge dite « dynamique » qui, en
règle générale, n’est pas confondue avec la droite de charge statique.
L’amplitude maximale que l’on peut avoir en sortie avant d’observer une déformation
notable du signal est aussi un paramètre important à considérer. Cette amplitude dépend
grandement de la position du point de repos (donc du circuit de polarisation).
L’effet d’un « mauvais » choix du point de repos sur le signal de sortie est illustré par
les figures suivantes (l’effet de saturation (figure 3) et l’effet de blocage (figure 4)).
Figure 3 Figure 4
Lorsqu’une tension, supposée sinusoïdale, est appliquée à l’entrée, le point de

fonctionnement oscille autour de son point de repos en restant sur la droite de charge
dynamique. Tant que l’amplitude de l’oscillation est telle que le point de fonctionnement reste
confinée dans le domaine linéaire (mode actif) du transistor le signal de sortie reste sinusoïdal.
Par contre, une distorsion apparaît lorsque le point de fonctionnement touche les limites
(bloquée ou saturée) du domaine linéaire.
Schéma équivalent ‘petits signaux’ du transistor

Dans un circuit électronique le transistor doit être remplacé par un modèle
mathématique afin d’établir les équations d’un tel circuit. Le transiostor est assimilé à un
quadripole et il est représenté par sa matrice hybride H. Nous utlisons un transistor NPN
monté en emetteur commun (figure 5).
ic C
ib
B
vce Figure 5
vbe
E E
On note 𝒗𝒃𝒆 , 𝒊𝒃 , 𝒊𝒄 et 𝒗𝒄𝒆 les variations des grandeurs électriques autour de leur point
de polarisation 𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 et 𝑉𝐶𝐸0 . Le principe de superposition permet d’analyser le
transistor sans faire apparaître ces tensions et ces courants de polarisation.
En régime linéaire (petits signaux), on a :
𝒗𝒃𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝒉𝟏𝟐 𝒗𝒄𝒆 𝒗𝒃𝒆 𝒊𝒃

, 𝒊𝒄 = 𝑯 ×
𝒊𝒄 = 𝒉𝟐𝟏 𝒊𝒃 + 𝒉𝟐𝟐 𝒗𝒄𝒆 𝒗𝒄𝒆
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v  v  v  v 
h11  be   BE  , h12  be   BE 
i b  v 0 i B  V  V v ce i  0 v CE  I  I
ce BE BE 0 b B B0
i  i  i  i C 
h 21  c   C  , h 22  c   
i b  v  0 i B  V  V v ce i  0 v CE  I  I
ce BE BE 0 b B B0
La pente gm est définie par :
i  h
g m  c   g m  21 et i c  h 21.i b  g m v be
v be  v  0 h11
ce
H est la matrice hybride et hij les paramètres hybrides. Ces paramètres peuvent etre
déterminés graphiquement (figure 6). Ils correspondent aux pentes des tangentes aux
caractéristiques autour du point de fonctionnement.
h11 correspond à la résistance dynamique de la jonction B-E. Il correrspond à la pente

d’angle  Sa valeur est de l’ordre des kΩ.
 h12 est sans dimension. Il correpond à l’angle  qui est pratiquement nul car les
caractéristiques (VCE, VBE) sont prèsque des droites horizontales. h12 est donc de très
faible valeur, il est généralement négligé dans les calculs : h12 0.
 h21 =  est le gain en courant E.C. à sortie court-circuitée: 𝑖𝑐 = . 𝑖𝑏 . Il correspond à
l’angle 
 h22 a pour unité *Ω-1] est la conductance de sortie à entrée ouverte. Il correspond à
l’angle qui est généralement faible. h22 a typiquement une valeur de 10-4 - 10-6 Ω-1 et
il est souvent négligé.
Remarque : Ces paramètres dépendent du point de repos.
Figure 6
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Le schéma équivalent du transistor est représenté par la figure 7. Les sources sont des
sources dépendantes et commandées
.
ib h11 ic
vbe h21ib vce

h12vce 1/h22
Figure 7
Schéma simplifié :
En négligeant les paramètres h12 et h22 on obtient de la figure 8:
ib ic
vbe h11 h21ib vce Figure 8
On peut utiliser le schéma équivalent avec les paramètres universels (figure 9)

rbe ic
ib
gmvbe
ou vce
vbe vce rce
ib
Figure 9
Les paramètres universels sont plus signifiants et sont définis par :

 rbe= h11 : Résistance d’entrée base/emetteur à sortie court-circuitée
  = h12 : Coefficient de réaction interne
  = h21 : Gain en courant E.C. à sortie court-circuitée
 gm : Pente ou transconductance à sortie court-circuitée
 = rce= 1/h22 : Résistance de sortie à entrée ouverte
Autre relations :
v BE
dV  VT
rbe  BE  or i C  i B  i E  i Se VT
 rbe 
dI B  au repos I B0
v BE
di  I C0
g m  c  or i C  i E  i Se VT
 gm 
dv be au repos VT
IC0 
Donc rbeg m    gm 
I B0 rbe
Filière SMP-S5 7
VT est le potentiel thermique équivalent à l'énergie thermique kT des porteurs de

charge q. VT ≈ 26mV à T = 300°K
Condensateur de liaison et condensateur de découplage :

1
L’impédance d’un condensateur ZC  se comporte comme un circuit ouvert en
jC
statique (𝑍𝐶 ≈ ∞). Elle est supposée court-circuitée en dynamique pour les fréquences
d’utilisation (𝑍𝐶 ≈ 0).
Le schéma de la figure 10 représente un amplificateur émetteur commun
VCC
RC C2
R1
C1
Rg
Figure 10
Ru
eg CE
R2 RE
 Les condensateurs C1 et C2 sont des condensateurs de liaison, elles permettent d’isoler le

circuit de polarisation en statique et ainsi le point de fonctionnement reste inchangé
càd le régime dynamique n’a pas d’influence sur le point de fonctionnement. Les
valeurs des condensateurs C1 et C2 sont choisies de façon à ce que ceux-ci aient des
impédances suffisamment faibles en dynamique dans toute la gamme des fréquences
utilisées :
o par rapport à la résistance d'entrée de l'étage pour le condensateur C1
o par rapport à la résistance de charge RC pour le condensateur C2
 La résistance RE est un stabilisateur de température en statique mais elle est indésirable

en dynamique. Le condensateur de découplage CE permet de court-circuiter cette
résistance en dynamique. La valeur de CE est choisie de façon à ce que son impédance
soit faible comparée à celle de RE dans la gamme de fréquence désirée.
Schéma équivalent d’un montage à transistor en régime variable

Pour obtenir le schéma en régime variable de faibles signaux il faut :
 Relier toutes les sources de tension continue à la masse (potentiel nul).
 Court-circuiter, sauf indication contraire, tous les condensateurs de liaison et de
découplage. Leurs impédances sont supposées négligeables vis-à-vis des résistances
du montage.
Filière SMP-S5 8
 Remplacer les transistors par leurs schémas équivalents (paramètres hybrides)
Exemple :
Le schéma équivalent en alternatif du montage de la figure 10 est donné par la figure
11 suivante :
Rg h11 ic
ib
R1//R2 vbe h12vce h21ib 1/h22 vce RC Ru

eg
Figure 11
Les amplificateurs à transistors

Un amplificateur permet de délivrer, à partir d’un signal d’entrée de faible amplitude
ou de faible puissance (signal d’un capteur ou d’une antenne par exemple), un signal de même
forme et d’amplitude ou de puissance plus grande.
Hypothèses :
-Le signal alternatif à amplifié est de faible amplitude.
- Le fonctionnement du circuit est linéaire => Th. de superposition
- Les condensateurs utilisés se comportent comme des court-circuits en alternatif
(se sont des circuits ouverts en continu)
L’étude d’un amplificateur est basée sur :
 Etude en statique : fixer le point de fonctionnement
 Etude en régime dynamique : annuler toutes les sources continues et trouver le
schéma équivalent de l’amplificateur en remplaçant les transistors par leurs
paramètres hybrides.
Les caractéristiques fonctionnelles d’un amplificateur sont celles d’un quadripole à
savoir : gain en tension, gain en courant, impédance d’entrée et impédance de sortie.
Schémas d’un amplificateur en fonction des carctéristiques fonctionnelles
Vs V s0
- Gain en tension : A v  , gain à vide : A v0  , vs0 est la tension de sortie
Ve Ve
à vide (charge infinie)
Is
- Gain en courant : A i 
Ie
Ve
- Impédance d’entrée : Z e 
Ie
Vs 
- Impédance de sortie : Zs  
Is  e
g 0
Le schéma de la figure 12 représente le schéma équivalent d’un amplificateur en
utilisant les caractéristiques fonctionnelles :
Filière SMP-S5 9
Amplificateur
C1 C2
Rg
Zs
ve Ze Av0ve vs Ru
eg
Figure 12
Classification des amplificateurs
 Classification par méthode de couplage (capacitif, inductif, direct)
 Classification par l’électrode reliée à la masse : C.C., E.C., B.C., D.C., ….
 Classification par gamme de fréquences en fonction de la bande passante. Exemple :
o Ampli audiofréquence  signaux sonores audibles de 20Hz à 20 kHz
o Ampli radiofréquence  signaux > 20kHz
o Ampli à bande étroite  450 à 460 kHz
o Ampli large bande  grande gamme de fréquence
 Classification par grandeur d’entrée E (t) et grandeur de sortie S(t)
- Ampli de courant : E (t) et s(t) sont des courants. Leurs rapport Ai est sans
dimension
- Ampli à transconductance : E (t) est une tension, S (t) est un courant. Le rapport
sortie/entrée s’exprime en siemens (-1)
- Ampli à transrésistance : E (t) est un courant et S (t) est une tension. Le rapport
sortie/entrée s’exprime en .
- Ampli de tension : E (t) et S (t) sont des tensions. C’est le plus utisé en
électronique.
Montages fondamentaux à transistors bipolaires :
Les trois montages sont : Emetteur Commun, Collecteur Commun et Base Commune
Amplificateur Emetteur Commun (E. C.) :
L’entrée entre la base et la masse, la sortie entre le copllecteur et la masse
VCC
RC C2
R1
C1
Rg
Figure 13
vs Ru
eg CE
R2 RE
Filière SMP-S5 10
1
On néglige l’effet Early  rce    
h 22
Schémas équivalents en petits signaux et en basses fréquences
Nous allons étudier l’effet de la capacité CE. Nous allons donc garder cette capacité et
RE
discuter les différents cas. Soit l’impédance Z E  C E // R E  . On pose aussi
1  jC E R E 
Rp = R1//R2
Le schéma dynamique correspondant au montage de la figure 13 est donné par la figure
14.
Rg ie ib ic is
h11 RC
eg Rp ib Ru
E vs
ve
ZE
Figure 14
Vs
 Gain en tension : A v 
Ve
On a
V e  h11 I b  ZE (  1)I b et Vs  (R C // R u )I b  R eq I b
Vs  R eq 
Av   , c’est un complexe : module et phase
V e h11  Z E (  1)
Le signe – indique que ve(t) et vs(t) sont en opposition de phase
 Gain à vide (charge infini)

V so  R C
Req=RC  A vo  
V e h11  Z E (  1)
 Gain sans découplage (RE non découplée)
Vs  R eq   R eq
A v dB ZE = RE  A v    , c’est un réel
Ve h11  R E (  1) RE
 Gain avec découplage parfait
V  R eq
ZE = 0  A v  s   A v max
Ve h11
Or ZE = 0 
v be  h11i b et on a g m v be  i b  A v  g m R eq
Filière SMP-S5 11
Is
 Gain en courant : A i 
Ie
Ve h  ZE (  1)
Ie  I b  et V e  h11 I b  ZE (  1)I b  I e  I b (1  11 )
Rp Rp
RC RC
Diviseur de courant  Is  Ic  I b
Ru  RC Ru  RC
Is R p R C
Ai  
Is (R C  R u )(R p  h11  ZE (  1))
i R p R C
Couplage parfait  Ai  s 
i e (R C  R u )(R p  h11 )
i R p
 Ai  s 
Gain en court-circuit  
i e (R p  h11 )
 V
Impédance d’entrée : Z e  e
Ie
Donc Ze  R p //( h11  ZE (  1))
Vs 
 Impédance de sortie : Zs  
Is e  0
g
En utilisant le théorème de thevenin, on peut remplacer le circuit coté entrée par le

circuit de la figure 15 :
Rth ib ic is
eth
h11 ib RC Ru
E vs
ZE
Figure 15
Rp
e th  eg et R th  R p // R g
Rp  Rg
Donc eg  0  e th  0  ib  0  Zs  R C
Influence de la capacité de découplage sur le gain en tension
En remplaçant ZE par son expression on obtient
Filière SMP-S5 12

1 j
Vs 1 R eq 
Av   K avec K  ,
Ve  h11  R E (  1)
1 j
2
1 h  R E (  1) (  1)
1  et 2  11 
R ECE h11R E C E h11C E
C’est un filtre passe haut de fréquence de coupure c proche de 2 ( 2 > 1)

La courbe du gain en dB est représentée par la figure 16
 R eq
Pour les fréquences supérieures à c (dans la bande passante) A v   A v max
h11
A v dB
A v max dB
pente +20dB/décade
Figure 16
Bande passante (BP)
K dB

1 2
Exemple de calcul de CE
Soit un transistor tel que : h11 = 1k, =200
Si on désire une fréquence de coupure de 50Hz alors :

 1
CE   636F
2h11f 2
Conclusions
Le montage émetteur commun est un montage ayant :
 une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).

 une impédance d'entrée relativement faible (égale à h11, soit de l'ordre de plusieurs k ),
variable en fonction de la polarisation (plus ICo est faible, plus l'impédance d'entrée est
élevée).
 une impédance de sortie assez élevée Rc qui va aussi dépendre du courant de
polarisation ICo.
Filière SMP-S5 13
Ce montage est l'amplificateur de base à transistor et sera donc utilisé comme sous-
fonction dans des circuits plus complexes (discrets, ou intégrés comme dans l'amplificateur
opérationnel). C’est un amplificateur de puissance.
Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des étages
adaptateurs d'impédance.
Amplificateur Collecteur Commun (C. C.)

L’entrée est entre la base et la masse, la sortie est entre l’émetteur et la masse comme
montré par le schéma de la figure 17
VCC
R1 RC CC
C1
Rg
C2
ve
eg
R2 RE vs Ru
Figure 17
1
On suppose que rce    
h 22
Le schéma équivalent du montage, en supposant que le couplage est parfait aux fréquences
d’utilisation, est donné la figure 18
Rg ie B ib h11 E is
Rp RE Ru
eg
ve ib vs
Figure 18
vs
ve
On a
v e  h11i b  R eq (  1)i b et vs  (R E // R u )(  1)i b  R eq (  1)i b
Filière SMP-S5 14
v R eq (  1)
Av  s  1
v e h11  R eq (  1)
ve(t) et vs(t) sont en phase
v R E (  1)
Req=RE  A vo  so  1
v e h11  R E (  1)
 Impédance d’entrée : v
Re  e
ie
ve ve i 1 1
ie   i b et i b   Ge  e  
Rp h11  R eq (  1) v e R p h11  R eq (  1)
Donc R e  R p //( h11  Req (  1))
is
ie
ve h11  R eq (  1)  R p
ie   i b et v e  h11i b  R eq (  1)i b  ie  ib
Rp Rp
RE (   1)
Diviseur de courant  i s   ib
Ru  RE
is is ib R (   1) Rp
Ai   .  E .
ie ib ie Ru  RE h11  Req (   1)  R p
Gain en court-circuit
Rp
Ru  0  R eq  0  Aicc  (   1)  (   1)
h11  R p
v 
 Impédance de sortie : R s  s 
is e 0
g
En utilisant le théorème de Thevenin on obtient le schéma de la figure 19 suivante avec :
Rp
e th  e g et R th  R p // R g
Rp  Rg
eg  0  e th  0
Rth B ib h11 E is
RE
ib vs
Figure 19
Filière SMP-S5 15
vs vs
is  - (  1)i b et 0  (h11  R th )i b  v s  ib   .
RE h11  R th
1 (  1) h11  R th
is  (  )vs  R s  R E //( )
R E h11  R th  1
Conclusions :
Un montage collecteur commun présente donc les caractéristiques suivantes :
 gain en tension quasiment égal à l'unité.

 gain en courant important
 impédance d'entrée élevée: environ  fois plus grande que celle de l'émetteur commun
si on ne considère pas le pont de base. La valeur typique est de plusieurs dizaines à
plusieurs centaines de k en fonction du montage.
 impédance de sortie faible (divisée par  environ par rapport à l'émetteur commun). Sa
valeur est de l'ordre de quelques dizaines d' .
Ce montage ne sera donc pas utilisé pour amplifier un signal, mais comme adaptateur
d'impédance, situé en amont ou en aval d'un montage émetteur commun, qui n'a pas de
bonnes caractéristiques d'entrée / sortie. On pourra donc intercaler un tel montage entre un
capteur à haute impédance de sortie et un montage émetteur commun sans que celui-ci ne
perturbe le capteur. On pourra aussi le mettre en sortie d'un montage émetteur commun que
l'on doit interfacer avec une faible charge, et ceci, sans écrouler le gain en tension de l'étage.
Amplificateur Base Commune (B. C.)

L’entrée est entre l’émetteur et la masse, la sortie est entre le collecteur et la masse
comme montré par le schéma de la figure 20
VCC
R1 RC C2
Vs Figure 20
CB Ru
C1
R2 RE ve
1
On suppose que rce    
h 22
Le schéma équivalent du montage, en supposant que le couplage est parfait aux
Filière SMP-S5 16
fréquences d’utilisation, est donné par la figure 20. Les résistances R1 et R2 sont donc court-
circuitées
Rg ib is
ie E C
RE RC Ru
eg vbe h11 vs
ve
ib
Figure 21
vs
ve
On a
v e  h11i b et vs  (R C // R u )i b  R eq i b
v R eq
Av  s 
ve h11
ve(t) et vs(t) sont en phase
v R C
Req=RC  A vo  so 
ve h11
 Impédance d’entrée : R e  e
v
ie
v v i 1  1
i e  e  (  1).i b et i b   e  Ge  e  
RE h11 v e R E h11
h11R E h
Donc R e   11
h11  (  1)R E (  1)
v 
is e 0
g
eg  0  ib  0  Rs  RC
is
ie
ve h  (  1)R E
ie   (  1)i b et v e  - h11i b  i e   11 ib
Rp RE
R C i b
Diviseur de courant  i s 
Ru  RC
i R C RE RC
Ai  s   . 
ie R u  R C h11  R E (  1) Ru  RC
Filière SMP-S5 17
Gain en court-circuit
RC
Ru  0  Aicc    1
RC
Conclusions
Les caractéristiques d’un montage base commune sont donc les suivantes :
 même gain en tension que pour l'émetteur commun (plusieurs centaines).

 gain en courant inférieur à l'unité.
 impédance d'entrée très faible: quelques dizaines d'.
 impédance de sortie moyenne: quelques k, la même que pour l'émetteur commun.
En pratique, ce montage sera très peu utilisé, sauf en haute fréquence où il va présenter
une bande passante supérieure à celle du montage émetteur commun.
II - Transistor à effet de champ

Comme pour le transistor bipolaire on supperpose le régime dynamique au régime
statique de polarisation. Les grandeurs dynamiques varient autour du point de fonctionnement
du transistor. Le schéma de la figure 21 montre la superposition du régime dynamique au
régime statique autour du point de fonctionnement.
Figure 15
Figure 21
Modèle en régime dynamique
Dans la zone linéaire, le TEC se comporte comme une source de courant

commandée par la tension VGS : ID = f(VDS , VGS).
I DS I
I DS  VGS  DS VDS  i ds  g m v gs  g ds v ds
VGS VDS
Filière SMP-S5 18
i  i 
g m  ds   Transconductance et g ds  ds   Conductance du Drain
v gs  v ds  v  0
v ds  0 gs
L’impédance d’entrée d’un TEC est infini. Son schéma équivalent en source commune
est représenté par la figure 22 suivante :
ig=0 id
gmvgs vds Figure 22

vgs 1/gds= rds
Amplificateurs à TEC
Etage Source Commune
VDD
Entrée sur la Grille, sortie sur le Drain
RD C2
C1
Rg
Figure 23
Ru
eg CS
RG RS
Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 24

suivante :
ie id is
ig=0
ve RG vgs gmvgs rds RD vds Ru
Figure 24
vs
ve
On a
v e  v gs et vs  vds  (rds // R D // R u ).g m vgs
v
A v  s  g m (rds // R D // R u )  g m (R D // R u )
ve
Filière SMP-S5 19
v
 Gain à vide (charge infini)  A vo  so  g m R D
ve
Re  e  RG
ie
v 
is e 0
g
eg  0  v gs  0  R s  R D // rds  R D
Conclusions : gain en tension important, grande résistance d’entrée, résistance de sortie
moyenne
Etage Drain Commun

Entrée sur la Grille, sortie sur la source
VDD
RD CD
Figure 25
C1
Rg
Ru
eg C2
RG RS

suivante :
ie id is
ig=0
vgs
ve RG gmvgs rds RS vs Ru
Figure 26
vs
ve
On a
ve  v gs  vs et vs  (rds // R S // R u ).g m vgs  ve  (1  (rds // R S // R u ).g m )vgs
v (rds // R S // R u ).g m
Av  s  1
v e 1  (rds // R S // R u ).g m
Filière SMP-S5 20
Re  e  RG
ie
v 
is e 0
g
1
eg  0  ve  0  v gs   vs  is  vs (g m  )
R S // rds
1 1
 R s  R S // rds //
 R S //
gm gm
Conclusions : gain en tension unitaire, grande résistance d’entrée, faible résistance de sortie.
Etage Grille Commune

Entrée sur la Source, sortie sur le Drain
VDD
RD C2
CG Ru
RG Rg RS
eg C1
Figure 27

suivante :
gmvgs
ie id is
ve RS vgs RD vs Ru
Figure 28
vs
ve
On a
v e  v gs , vs  R D // R u i d et i d  g m vgs
v
A v  s  g m R D // R u
ve
Filière SMP-S5 21
Re  e
ie
v 1 1
i e  e  g m v gs et v e  - v gs  ie  ve (  gm )  R e  R S //
RS RS gm
v 
is e 0
g
eg  0  ve  vgs  0  R s  R D
Conclusions : gain en tension important, faible résistance d’entrée, grande résistance de

sortie.
Filière SMP-S5 22
Chapitre II : Amplificateurs à transistors en hautes fréquences
I - Transistors Bipolaires
Réponse d’un amplificateur en Très Basses Fréquences
 Influence de la capacité de découplage
Nous avons déjà étudié (chapitre I) l’influence de la capacité de découplage de
l’émetteur sur la courbe du gain en tension en supposant les liaisons parfaites (les capacités de
liaisons sont des courts-circuits en dynamique). Cette étude a montré que la capacité n’est pas
complètement court-circuitée en très basses fréquences par suite le gain diminue. Nous
rappelons l’expression du gain et sa courbe en fonction de la fréquence d’un amplificateur
monté en emetteur commun(figure 1):

1 j
Vs 1 R eq  1 (  1)
Av   K , K , 1  et 2 
Ve  h11  R E (  1) R ECE h11C E
1 j
2
Av dB
+20dB/décade Figure 1
(BP)
1 2 
 Influence des capacités de liaison sur le gain en tension

L’amplificateur est caractérisé par les grandeurs dynamiques Avo, Re et RS
qui sont constants dans la bande passante(BP). Ils sont déterminés avec l’hypothèse que les
capacités de liaisons et de découplage sont des courts-circuits en dynamique. Dans ces
conditions l’amplificateur peut être représenté par le schéma équivalent utilisant ces
paramètres dynamiques (figure 2) et où les capacités de liaison ne sont plus des courts-
circuits.
Amplificateur
C1 C2
Rs
Rg
v’e ve Re Av0ve vs Ru
eg
Figure 2
Filière SMP-S5 23
Vs Vs Ve
Gain en tension du montage : A v  
Ve' Ve Ve'

j
Re Ve jR e C1 1 1
Ve  Ve'    , 1 
Re 
1 Ve' 1  jR e C1 1  j  R e C1
jC1 1

j
Ru Vs jRu C2 2
Vs  Avo V e   Avo  Avo
1 '
1  j ( Ru  Rs )C2 
Ru  Rs  Ve 1 j
jC 2 3
1 1
2  et 3  , 3   2
Ru C2 ( Ru  Rs )C2
Donc
 
j j
1 2
Av  Avo .
 
(1  j ) (1  j )
1 3
On donne l’allure des courbes du gain dans deux cas (figure 3) :
Av dB
Av dB
+20dB/décade +20dB/décade
(BP) (BP)
+40dB/décade +40dB/décade
3 2 1  3 1 2 
3 <2 <1 3 <1 <2
Figure 3
C’est un filtre passe haut de fréquence de coupure 1.
Conclusion :
Le fonctionnement du transistor est limité en très basses fréquences par les capacités
de liaison et de découplage ce qui implique une diminution du gain.
Filière SMP-S5 24
Schéma de Giacoletto
Le comportement d’un amplificateurs en basses fréquences dépend des capacités de
liaisons et de découplage, tandis que son comportement en hautes fréquences est lié aux
capacités parasites des éléments actifs (transistors)
Les paramètres universels du transistors ne sont valables qu’en basses fréquences. Le
schéma du transistor en basses fréquences doit etre complété en ajoutant les condensateurs
internes, correspondant aux différentes jonctions, qui apparaissent en hautes fréquences.
Conclusion
Le modèle "petits signaux" en BF du transistor n’est plus satisfaisant en HF. On utilise
alors le schéma équivalent de Giacoletto de la figure 4
rb’c
rbb’ ic
B ib B’ C
Cb’c rce
vbe rb’e Cb’e ib=gmvb’e vce
E
Figure 4
Signification physique des éléments du modèle de Giacoletto

 Cb’e : c’est une capacité de diffusion analogue à la capacité de diffusion d’une diode polarisée
en direct (capacité de la jonction base/émetteur). Elle est proportionnelle au courant qui
traverse la jonction base émetteur. Sa valeur est de qq 10 pF.
 Cb’c : c’est une capacité de transition analogue à la capacité de transition d’une diode
polarisée en inverse (capacité de la jonction base/collecteur). Elle est proportionnelle à la
tension Vb’c et à l’aire S de la jonction. Sa valeur est de l’ordre de qq pF pour les transistors de
faible puissance jusqu'à qq 100pF pour les transistors de puissance.
 rbb’ : c’est la résistance de l’élément semi-conducteur entre l’électrode B et le point interne B’
se trouvant à la limite de la jonction de l’émetteur. La base B', appelée base intrinsèque, n'est
pas accessible physiquement. La valeur de rbb’ est de qq 10.
 rb’e = h11 : résistance base/émetteur
 rce = 1/h22 : résistance collecteur/émetteur de qq10 à qq100 k.
 rb’c = résistance base/collecteur de qq MCette résistance est équivalente à un circuit
ouvert.
 gm = h21/h11=/rb’e : transconductance qq 100 mA/V
 = h21
On constate qu’à cause des capacités, les courants et les tensions du transistor deviennent
complexes. Le coefficient d’amplification en courant  dépend alors de la fréquence.
Fréquence de coupure et fréquence de transition

Pour caractériser le fonctionnement à haute fréquence d'un transistor on utilise souvent
la fréquence de transition fT qui est définie comme la fréquence à laquelle l'amplitude du gain
en courant, sortie en court-circuit, est égale à 1.
Filière SMP-S5 25
 Gain en courant émetteur commun

Le gain en courant émetteur commun à sortie court-circuitée  dépend de la fréquence.
Le shéma équivalent qui permet de déterminer son expression est donné par la figure 5.
rbb’ ic
B ib B’ C
Cb’c
vbe rb’e Cb’e ib’ rce
E
Figure 5
Les capacité Cb’c et Cb’e se trouvent en parallèle. La capacité totale est :

CT = Cb’e+ Cb’c.
rbb’ ic
B ib B’ C
vbe rbe CT ib’ =gmvb’e
E
Figure 6
1 rb' e
v b' e  i b (rb' e // ) i b et i c  g m v b'e
jC T  1  jrb' e C T 
ic g m rb' e 0
 (j)   
i b 1  jrb' e C T f
1 j
f
C’est l’expression d’un filtre passe-bas.
0  g m rb'e : gain statique ( = 0)

1
f  : fréquence de coupure à -3dB du gain en courant .
2rb'e C T
 Gain en courant base commune

D’après la relation   on peut écrire :
 1
0
f
1 j
(j) f 0 0 0
(j)     
1  (j) 1  0 0  1  j
f
(0  1)(1  j
f
) 1 j
f
1 j
f f f (0  1) f
f
Filière SMP-S5 26
0
Avec : 0  et f   f (0  1)
0  1
f  est la fréquence de coupure du gain en courant base commune.
Si fβ=1,5MHz et =49 alors fα=75MHz d’où l’intérêt d’utiliser le montage base
commune en HF
Fréquence de transition: fT
La fréquence de transition fT est définie comme la fréquence pour laquelle le gain en
courant ( ou ) est égal à 1. Au delà de cette fréquence le transistor devient un atténuateur.
Autrement dit, fT représente la fréquence maximale d’utilisation du transistor. Elle est
indiquée par tous les constructeurs des composants.
Le paramètre fT n’est autre que le produit gain bande passante.
Cette fréquence est donnée par: 𝐟𝐓 = 𝛃𝟎 𝐟𝛃 = 𝛂𝟎 𝐟𝛂

On remarque que les produits gain-bande passante des deux montages sont quasiment
identiques et constants. Les schémas des figures 7 montrent les fréquences de coupure et de
transition.
On peut exprimer la fréquence de transition en fonction des différents éléments du
1 gm gm gm
circuit. On a: f T  0 .f  g m rb'e .  fT   
2rb'e CT 2CT 2(C b'e  C b'c ) 2C b'e
.
Figure 7
Théoème de Miller
On cherche les conditions d’équivalence des montages des figures 8 et 9 pour séparer
l’entrée de la sortie .
Z
i
Amplificateur Amplificateur
≡
de gain de gain
ve A vs ve Z1 A Z2 vs
Figure 8 Figure 9
Filière SMP-S5 27
vs
v e (1  )
ve  vs ve ve Z
i    Z1 
Z Z Z (1  A)
vs
(1  )
De même ve
ve
v s (1  )
vs  ve vs vs Z ZA
i    Z2  
(1  ) (A  1)
Z Z Z 1
ve A
(1  )
vs
1
Si Z est l’impédance d’un condensateur : Z  alors :
jC
1 A C(A  1)
Z1   Ce  C(1  A) et Z2   Cs 
jC(1  A) jC(A  1) A
Réponse en hautes fréquences du montage Emetteur Commun
Soit le montage d’un amplificateur monté en émetteur commun (figure 10).
VCC
RC C2
R1
C1
Rg
Figure 10
Ru
eg CE
R2 RE
En supposant les liaisons et le couplage parfaits et en utilisant le schéma de Giacoletto

pour le transistor, on obtient le schéma dynamique du montage (figure 11)
Rg rbb’ i is
B ib B’ ic
Cb’c
ve R1//R2 rb’e vb’e gmvb’e RC vs Ru
eg
Cb’e
E
Figure 11
Filière SMP-S5 28
En supposant négligeable le courant i, qui traverse la capacité Cb’c, devant le courant

gmvb’e on peut écrire :
vs
vs  g m v b'e .R C // R u   g m .R eq , R eq  R C // R u
v b'e
En appliquant le théorème de Miller le schéma de la figure 11 devient (figure 12) :
rbb’
B Ib B’ ic
ve Ce Req
R1//R2 rb’e vb’e gmvb’e Cs vs
Cb’e
E
Figure 12
C b'c (1  g m R eq )
Ce  C b' c (1  g m R eq ) et Cs   C b'c
g m R eq
Gain en tension
1 rb' e
On pose CT  C b'e  Ce et ZT  rb'e // 
jC T  1  jrb'e CT 
ZT 1 R eq
V b'e  V e et Vs  g m .V b'e .R eq //  g m . V b'e
rbb'  ZT jC s  1  jR eq Cs 
rb' e
V b'e  Ve
rbb' .rb' e
(rbb'  rb' e )(1  j C T )
rbb'  rb' e
Vs rb'e R eq 1 1
Av   (g m )( )( )
Ve rbb'  rb' e rbb' .rb'e 1  jR eq Cs 
1 j CT 
rbb'  rb'e
rbb'  rb'e 1 1
f1   et f2 
2rbb' .rb'e CT 2(rbb' // rb'e )CT 2R eq Cs
C’est un filtre passe bas de fréquence de coupure la plus petite fréquence entre f1 et f2.
Conclusion
Le fonctionnement d’un transistor est limité en très basses fréquences par les capacités
de liaison et de découplage et en hautes fréquences par les capacités parasites. L’amplificateur
à transistors est donc un filtre passe bande. Il est caractérisé par une bande passante (figure
suivante) : BP =c2 - c1.
Filière SMP-S5 29
Avmax
Effet des capacités Effet des capacités

de liaison et de parasites
découplage

c1 c2
II - Transistor à effet de champ
Le schéma équivalent du FET source commune en HF est obtenu en ajoutant deux

capacités de transition Cgs et Cgd au schéma BF comme montré par lafigure 13 :
ig id
vgs rgs Cgs Cgd gmvgs rds

vds
S
Figure 13
La résistance rds, parfois négligée, est de l’ordre des M. La capacité Cgs est de
l’ordre de quelques pF alors que Cds est de l’ordre de quelques dixièmes de pF.
Fréquence de Transition
Pour caractériser le fonctionnement à haute fréquence d'un transistor on utilise souvent
la fréquence de transition fT qui est définie comme la fréquence à laquelle l'amplitude du gain
en courant, sortie en court-circuit, devient égale à 1.
Le gain en courant source commune à sortie court-circuitée est définie par :
Id 
A i  
Ig  v
ds0
En posant CT = (Cgs+Cgd), le schéma de la figure 13 devient :
ig id
vgs rgs CT gmvgs rds
Figure 14
Filière SMP-S5 30
1 rgs
v gs  i g (rgs // ) i g et i d  g m v gs
jC T  1  jrgs C T 
i g m rgs A0
 A i (j)  d  
i g 1  jrgs C T  1  j f
fc
C’est l’expression d’un filtre passe-bas.
A 0  g m rgs : gain statique ( = 0)

1
fc  : fréquence de coupure à -3dB du gain en courant.
2rgs C T
gm
La fréquence de transition est donnée par : f T  A 0 f c 
2(Cgs  Cgd )
Réponse en hautes fréquences du montage Source Commune
Soit le montage d’un amplificateur monté en source commune (figure 15).
VDD
RD C2
C1
Rg
Figure 15
Ru
eg CS
RG RS

suivante :
Rg ig id is
rgs Cgs Cgd gmvgs rds Ru

eg RG RD
S
Figure 16
Par application du théorème de Miller à la capacité Cgd on peut simplifier le schéma

équivalent (figure 17):
Rg ig id is
eg ve RG rgs CT gmvgs RD Ru
Cs
rds
S
Figure 17
Filière SMP-S5 31
vs
 Gain en tension de l’amplificateur : A v 
ve
On pose R L  R u // rds // R D
1 R Lg m
On a : v e  v gs et v s  R L // .g m v gs   v gs
jC s  1  jR L Cs 
vs R Lg m R g 1
Av    L m , c 
v gs 1  jR L Cgd  R L Cgd
1 j
c
C’est un filtre passe bas de fréquence de coupure c
vs
 Gain en tension du montage: A vm 
eg
Par application du théorème de Thévenin le schéma de la figure 17 devient (figure 18)
Rth
vgs CT gmvgs Cgd vs RL
eth
S
Figure 18
rgs // R G
e th  e g  Keg et R th  R g // rgs // R G
R g  rgs // R G
On pose CT  Cgs  Cgd (1  g m R L )
On a
1 K
v gs  e th  eg
1  jR thCT  1  jR thCT 
v s v gs g m .K.R L A0
 A vm  .  
v gs e g (1  jR th C T )(1  jR L Cs ) f f
(1  j )(1  j )
f1 f2
1 1
f1  et f 2 
2R th CT 2R L Cs
C’est un filtre passe bas de fréquence de coupure la plus petite fréquence entre f1 et f2.
Conclusion :
Comme pour l’amplificateur à transistor Bipolaire, l’amplificateur à transistor à effet
de champs est caractérisé par une bande passante. Ses caractéristiques sont atténuées hors
cette bande passante.
Filière SMP-S5 32
III - ETUDE DE QUELQUES MONTAGES AMPLIFICATEURS

Couplage entre étages
Pour améliorer les caractéristiques d’un amplificateur, on associe souvent plusieurs
étages amplificateur, chaque étage jouant un rôle bien défini. Ainsi par exemple un étage EC
stabilisé (c’est à dire avec une résistance d’émetteur non totalement découplée) peut servir à
introduire un gain en tension moyen tout en limitant les distorsions non-linéaires. Plusieurs
étages EC peuvent être mis en ‘séries’ pour augmenter le gain total de l’amplificateur. Le
couplage entre étage EC peut être fait à travers des étages tampons (étages CC). L’étage de
sortie, devant fournir une puissance élevée, peut être un étage CC, et ainsi de suite….
Montage en cascade
Le gain en tension d'un amplificateur dépend de la charge. Pour améliorer les
performances d’un amplificateur on peut monter plusieurs étages en cascade : la sortie d'un
étage est donc raccordée à l'entrée de l'étage suivant (Figure 19)
Figure 19
Si on utilise les parametres caractéristiques (Av0, Ze et Zs) de chaque étage, le schéma

équivalent de l’amplificateur est donné par la figure suivante (Figure 20):
Rs1 Rs2
Rg vs
ve Re1 Av01ve vs1=ve Re2 Av02vs1 Ru
eg 2
Figure 20
Couplage capacitif
Le circuit de la figure 21 est constitué de 3
étages couplés par des condensateurs de liaison
CL. Les points de fonctionnement statiques des
différents étages sont indépendants. Les
condensateurs doivent être choisis de façon à ce
que dans la bande de fréquences d’utilisation de
l’amplificateur leurs impédances soit négligeables
devant les autres composants. En dynamique, les
condensateurs se comportent alors comme un
court-circuit. Mais on ne peut pas éviter la
fréquence de coupure basse introduite par leur
présence dans le circuit en très basses fréquences.
Figure 21
Le premier et le dernier étage sont des étages CC, alors que celui du milieu est un étage
EC. L’étage CC d’entrée introduit une impédance d’entrée élevée de l’amplificateur et l’étage
Filière SMP-S5 33
CC de sortie assure une impédance de sortie faible. Le gain en tension de l’ampli est
essentiellement dû à l’étage EC.
En dynamique, les différents étages sont couplés. Le gain en tension de l’ensemble n’est
généralement pas égal au produit des gains en circuit ouvert de chaque étage. Chaque étage
est chargé par l’impédance d’entrée de l’étage suivant.
Néanmoins, dans ce cas précis, le gain sur charge des différents étages ne diffèrent que
peu de leur gain en circuit ouvert. En effet l’impédance d’entrée de l’étage EC est bien plus
élevée que l’impédance de sortie du 1er étage CC et l’impédance de sortie de l’étage EC est
bien plus faible que l’impédance d’entrée du deuxième étage CC.
Couplage direct
Dans ce cas, les étages ne sont pas
découplés en statique, ce qui rend plus complexe
la conception du montage. L’avantage du Figure 17
couplage direct est évidemment l’absence de
fréquence de coupure basse et par conséquent, la
possibilité d’amplifier des tensions continues. 0,7V
Le circuit de la figure 22 est constitué de 4
0,7V
étages: deux étages CC et deux étages EC. Les
deux premiers étages CC constituent un
« amplificateur Darlington ».
Le gain en tension des deux premiers étages
vaut 1 (en première approximation). Le premier
étage EC est assez proche d’une configuration
« circuit ouvert (à vide) », puisque l’impédance
d’entrée du 4ième étage vaut 2400*β~240kΩ
(β=100) et l’impédance de sortie du 3ième étage Figure 22
vaut 27kΩ. D’où un gain de 400 pour l’ensemble
en circuit ouvert.
L’impédance d’entrée de l’amplificateur est égale à Ze du premier étage chargé par
l’impédance d’entrée du second. En tenant compte des relations trouvés pour un étage CC, on
peut en déduire que Ze vaut approximativement 50MΩ (.5K). Zs du montage est égale à
celle de l’étage EC, soit RC=24kΩ
Analyse statique
En statique, (vg=0) les jonctions EB des deux transistors (PNP) T1et T2 sont polarisées
en directe par la tension d’alimentation VCC. Par ailleurs, les tension EC sont VCE2  1.4V
T
T1
VCE  0.7V , on peut conclure que les transistors T1 et T2 sont en mode actif. On en déduit
IE 2
les courants IE2 et IE1 . I E 2  5.7mA et I E1 
T2
Le potentiel à la base de T3 vaut à peu près 1.4V, ce qui suffit pour polariser en directe
la jonction BE du transistor (NPN) T3.On peut en déduire le courant émetteur de T3
 VET3  0.7V  ITC3  ITE3  1mA ainsi que le potentiel collecteur de T3  VCE
T3
 2.3V (en
supposant le courant de base T4 négligeable). Pour T4  VE 4  2.3V  IC4  I E4  1mA
T T T
 VCE
T4
 3.6V  T4 en mode actif
Filière SMP-S5 34
Etages à transistor compound

Certains montages amplificateurs à deux étages en
cascade sont réalisés sous forme intégrée. Le circuit
intégré peut être considéré comme un seul transistor
bipolaire à jonctions équivalent; d'où l'appellation
«transistor compound», «composite» ou « composé ». La
figure 23 représente un circuit intégré à transistor. Ces
circuits renforcent les propriétés des différents montages
à transistor bipolaire. En conception intégrée, ces
transistors compound servent souvent d'étages dans un
amplificateur en cascade Figure 23
Montage Darlington
Un amplificateur Darlington est constitué de deux étages
C.C. montés en cascade comme le montre la figure 24. D’où le
gain en tension de 1. L’impédance d’entrée est celle du premier
étage CC ayant comme « résistance d’émetteur » l’impédance
d’entrée du second étage.
Le courant d’entrée du Darlington Ie = Ib (T2) est
beaucoup plus faible que dans le cas d’un émetteur suiveur
(collecteur commun) à un seul transistor. Les résistances de
polarisation (R1 et R2) peuvent donc prendre des valeurs plus
élevées (tout en respectant la condition Ib<10 IR2).
Gain en tension  Av  1
Figure 24
Impédance d’entrée du Darlington :
Ze  Z'e // R1 // R 2 et Z'e  2  ZTe1  2  1  R E  1
T
i TE1 i TE1 i b1 i TE1 i TE2
Gain en courant : A i     1   2
i Tb2 i Tb1 i Tb2 i Tb1 i Tb2
h11T2
T  h11T1
Impédance de sortie du Darlington : Z  Zs 2  h11 1
T
2 h T2
s   2 11
1 1 1 2
I E1 VT  1 VT (h11) 2
I E 2  I B1   (h11)1   
1 I E1 IE 2 2
On peut considérer le Darlington comme un « super-transistor » bipolaire. Il
est disponible sous forme de composant intégré et il est souvent utilisé comme étage
d’isolement entre étages ou comme amplificateurs de puissance.
Montage cascode (configuration EC-BC) RC

R1
Le schéma en dynamique du montage cascode
est représenté à la figure 25. Le transistor T1 est monté
T2
en EC, le transistor T2 en BC. On admet que les
résistances de polarisation de la base ont des valeurs RB R2 C
très grandes et les courants qui les traversent sont
négligeables. Ce montage permet un grand gain en
T1
tension sur une gamme de fréquence plus large que
celle d'un étage EC.
Figure 25
Filière SMP-S5 35
Le schéma de la figure 26 représente le schéma équivalent en dynamique du montage.

ib2
ib1
h111 RC Figure 26
ve RB ib1 h112 vs
ib2
ve
On a i b1  et 1ib1 = ic1 = - ie2; si 2 >>1 le gain en courant de l'étage BC est égale à 1.
h11
i
1ib1 = ic1 = (2 +1)ib2 ≈ 2ib2= ic2  le gain en courant A I  b1  1
i c2
v  R
La tension vs= -ic2RC  le gain en tension A V  s  1 C
ve (h11)1
Cette équation du gain est celle d'un étage EC chargé par une résistance RC. Mais dans
le montage cascode la résistance de charge de l'étage à émetteur commun est l’impédance
d'entrée Ze de l'étage BC qui très faible. La meilleure performance en haute fréquence du
montage cascode est due à cette petite résistance de charge sur l'étage à émetteur commun
VCC
Etage Emetteur suiveur
C’est un montage simple (figure 27) dont le but R
RC
est d’abaisser l’impédance de sortie d’une source. Il peut
1
par exemple être connecté à un étage émetteur commun
Le 1er étage assure un gain en tension élevé, le
ème
2 une faible impédance de sortie Figure 27 R2 RE2
RE1
Générateur de courant
Le montage est composé d’un transistor et d’une diode VCC
Zener de tension Zener VZ (Figure 28). La résistance R est une
résistance de protection de la diode. RC représente la charge R RC
VBM = VZ , VBM = VBE +VEM  VEM = VBM - VBE = REIE
VBE ≈0,6V  VEM = VZ – 0,6 = REIE  Figure 28
V  0,6
IE  Z  IC RE
RE IE
Donc le courant IC est indépendant de la charge
Miroir de courant (Figure 29) VCC
VCC
VCC= (RC + RE1).I1  I1   cte
R C  R E1 Figure 29
RC Ru
VBE1 = RE1.I1 et VBE2 = RE2.I2
Or VBE1 = VBE2  RE1.I1 = RE2.I2 I2
I1
R E2
Donc I 2  I1 Si on prend RE1 = RE2 alors I2 = I1
R E1
RE1 RE2
2
Filière SMP-S5 36
Chapitre III
Amplificateur différentiel
L’amplificateur différentiel (ou de différence) est un dispositif destiné à fournir un

signal de sortie vs(t) proportionnel à la différence de deux signaux d’entrée. Il est donc destiné
à amplifier la différence de deux signaux et ainsi élimine le bruit du aux signaux d’entrée.
Montage de Base
Le schéma du montage de base d’un amplificateur différentiel est donné par la figure 1
La sortie peut se faire
- Sur l’une des bornes de sortie (vs(t)=vs1(t)

ou vs(t)=vs2(t)) et porte le nom de "sortie
en mode commun" puisque la sortie et les
ved Ampli. Diff. vsd deux signaux d’entrée admettent la même
v1 vs1 référence de potentiel (la masse).
v2 vs2 - Entre les deux bornes de sortie :

vsd(t)= vs1(t) - vs2(t) et porte le nom de
Figure 1 sortie différentielle (ou tension
différentielle)
On définit aussi l’entrée différentielle par :

ved(t)= v1(t) – v2(t)
L’amplificateur différentiel a pour fonction principale l’amplification de la tension

différentielle ved. On parle alors du mode différentiel caractérisé par le gain en mode
différentiel Ad défini par :
v  v s 2 v sd
A d  s1 
v1  v 2 v ed
Cependant le montage est aussi sensible à la somme des tensions continues d’entrées :
v1+ v2. En effet, les entrées v1 et v2 peuvent varier tout en conservant une différence constante.
On parle alors du mode commun caractérisé par le gain en mode commun Ac définit par :
v  v s1
Ac  s2
v 2  v1
On définit un coefficient de qualité de l’amplificateur "Taux de Rejection en Mode
Commun" (TRMC) par :
A
TRMC  d
Ac
A
TRMCdB  20 Log d
Ac
Plus ce paramètre sera élevé, plus l’amplificateur se rapproche d’un fonctionnement
idéal.
En utilisant ces relations on peut déduire les expressions des tensions vs2(t) et vs1(t) :
Filière SMP-S5 37
1 1
v s1  A d ( v1  v 2 )  A c ( v 2  v1 )
2 2
1 1
v s 2  - A d ( v1  v 2 )  A c ( v 2  v1 )
2 2
v  v2
On défint aussi la tension en mode commun : v ec  1
2
Il s’ensuit :
v ed
 v1  v ec 
2
v
 v 2  v ec  ed
2
Amplificateur différentiel à transistors bipolaires

Le circuit d’un amplificateur différentiel à transistors bipolaires est donné par le
schéma de la figure 2
VCC
- Les tensions d’entrée sont appliquées
sur les bases des transistors
RC RC - Les tensions de sorties sont relevées sur
vsd les collecteurs.
- En général VEE = VCC
IC1 vs1 vs2 IC2 - Les deux transistors sont supposés
identiques et appartenant au même
substrat donc ont les mêmes
caractéristiques à la même température.
v1 v2 - Les tensions v1 et v2 sont des tensions
continues ou variables.
RE - L’amplificateur différentiel amplifie, sous
certaines conditions, un signal continu
Figure 2 Io
-VEE
Etude en régime statique
 Point de repos
- Le point de repos des deux transistors est Po (IC0,VCE0).
- En l’absence de signaux d’entrée (v1 = v2 = 0), les transistors doivent être dans une zone
linéaire de fonctionnement (VBE ≈ VBE0 et VCE > VCEsat)
- Droite de charge statique
VCC=RCIC1+ VCE1+ RE(IE1+ IE2) –VCC
Or IC1=IC2 ≈ IE1 = IE2 et VCE1=VCE2
Donc 2VCC= VCE0+ (RC+2RE)IC0
De plus : 0= VBE0+ 2REIC0 - VCC
D’où le point de repos :
Filière SMP-S5 38
VCC  VBE0
I C0  et VCE0  2VCC  (R C  2R E )I C0
2R E
 Analyse du montage en mode différentiel
Caractéristiques de transfert
Les courant IC1 et IC2 sont liés à la tension d’entrée différentielle Ved en effet :
ved = v1 – v2 = VBE1-VBE2
Sachant que :
V
I C1  I E1  IS1 exp BE1
VT
VBE 2 KT
I C2  I E 2  IS2 exp , IS1  IS2 et VT 
VT q
I C1 V  VBE 2 v  v2 V
On a :  exp BE1  exp 1  exp ed
I C2 VT VT VT
I C2  I C1  I o
On en déduit :
Io Io
I C1  , I C2 
v ed v ed
1  exp(  ) 1  exp( )
VT VT
La caractéristique de transfert, IC1, IC2 = f(ved), est représentée par le schéma de la

figure 3 :
I0
IC2 IC1
0,5I0
Figure 3
ved
-4VT -2VT 0 VT 2VT 3VT 4VT
On remarque
- Lorsque ved varie, l’un des deux courants croit pendant que l’autre décroit
- Lorsque ‫׀‬ved‫ > ׀‬4VT (≈100mV), l’un des transistors et bloqué, l’autre est traversé par Io, sans
être saturé tant que la jonction collecteur base reste polarisée en inverse. (vB <VCC-RCIo)
- Les courant IC1 et IC2 varient linéairement en fonction de ved dans une gamme assez faible : -
VT < ved < VT
Filière SMP-S5 39
Déterminons l’expression représentative de IC1 en fonction de ved dans la zone linéaire :


v 
exp(  ed ) 
dI C1  I VT
Le coefficient directeur de IC1 est donné par :   o 
2
dv ed  v  0 VT  v  
ed
1  exp(  ed )  
 VT  
v ed  0
dI C1 I
ved = 0   o
dv ed 4VT
Io I
L’expression linéaire du courant IC1 s’écrit donc : I C1  v ed  o
4VT 2
I I
De même pour le courant IC2 on obtient : I C2   o v ed  o
4VT 2
On a vsd = vs1 – vs2= (VCC-RCIC1) – (VCC-RCIC2) = - RC(IC1– IC2)
En remplaçant IC1 et IC2 on obtient :
Io R C vsd I R
Vsd   v ed  Ad   o C
2 VT v ed 2 VT
 Analyse du montage en mode commun

v1  v 2
Dans ce cas les deux bases sont attaquées par la même tension v ec  alors
2
VBE1= VBE2 et IC1= IC2=Io/2
R C .I o
vs1  vs 2  VCC   vs1  vs 2  2VCC  R C .I o
2
V1  V2
VCC   VBE
2 R V  V2
Io   (Vs1  Vs 2 )  f (V1  V2 )   C 1  Cte
RE RE 2
V  Vs 2 R
C’est l’équation d’une droite de coefficient directeur directeur s1   C . Il
V1  V2 2R E
correspond au gain en mode commun Ac.
R
Ac   C
2R E
A
Le TRMCdB= 20Log d dépend donc de la résistance RE puisque Io en dépend. Pour
Ac
améliorer le TRMC on remplace la résistance RE par un générateur de courant qui délivre un
courant constant Io. On aura : vs1  vs2  2VCC  R C .Io  cte . C’est une droite de pente nulle
correspondant à Ac.
Etude en régime dynamique
Filière SMP-S5 40
Le fonctionnement de l’amplificateur peut être considéré comme la superposition de

deux régimes : mode commun et mode différentiel. Nous allons étudier les deux régimes
séparément. Nous avons :
v
 v1  v ec  ed
2
v ed
 v 2  v ec 
2
On utilise le schéma hybride simplifié pour les deux transistors. Les transistors sont
identiques : 1= 2 =  et (h11)1 = (h11)2 = h11
Le schéma dynamique de l’amplificateur est donné par la figure 4 suivante :

ib1 vs ib2
v1 RC v2
vs1 vs2 RC ib2
h11 ib1 h11
Figure 4 (+1)ib1 (+1)ib2

RE
 Etude en régime mode commun ( ved = 0)

v1= v2 , ib1 = ib2 = ib , ic1 = ic2 = ic et vs1= vs2
Gain en mode commun

v1(t)=h11ib +2RE(+1)ib
vs1(t) = - RCib
v  vs2 R C
donc A c  s1 
v1  v 2 h11  2R E (  1)
Impédance d’entrée en mode commun
iec
2iec 2 Zec
Uc 2 Zec
iec
Uc
Z ec  (h11  2 RE (   1)) / 2
2iec
Etude en régime mode différentiel ( vec = 0)
Filière SMP-S5 41
v ed
v1   v 2 
, ib2 = - ib1 , ic2 = -ic et vs2= - vs1
2
Gain en mode différentiel
vsd(t) = vs1-vs2 = 2vs1= - 2RCib
v ed
v1 ( t )  h11i b 
2
vsd R C
Donc Ad  
v ed h11
Impédance d’entrée différentielle
ied
Ud Zed
ied
𝑈𝑑
Zed =𝑖
𝑒𝑑
Zed = 2 h11
 Taux de Rejection en Mode Commun de l’amplificateur

A
TRMCdB  20 Log d
Ac
Nous avons déjà établi des relations entre vs1(t) et vs2(t) et les gains en mode commun
et en mode différentiel :
A v v A
vs1  d (v1  v2 )  Ac 2 1  d ved  Ac vec
2 2 2
Ad v2  v1 A
vs 2  - (v1  v2 )  Ac   d ved  Ac vec
2 2 2
On peut écrire
v ed A c
vs1  A d (  v ec )
2 Ad
Tout se passe comme si l’amplificateur amplifie non seulement la tension utile ved
A
mais aussi une tension parasite c v ec . Cette tension est d’autant plus faible que Ac est faible
Ad
ou le TRMC est grand.
Dans le cas du montage étudié on :
Filière SMP-S5 42
A d R C h11  2R E (  1) 2R E (  1)
  1
Ac h11 R C h11
Si on remplace la résistance RE par le générateur de courant alors
Ad 2R (  1) 2R
1   2g m R
Ac h11 h11
R est la résistance interne du générateur de courant qui est très élevée.
Amplificateur différentiel à transistors à effet de champs

Le circuit d’un amplificateur différentiel à transistors à effet de champ est donné par le
schéma de la figure 5 :
VDD=15V
RD=10K RD=10K
vsd
ID1 Vs1 Vs2 ID2
G1 G2
V1 V2
RS
2Io
Figure 5 -VEE=-15V
2
 V 
I D  I DSS 1 - GS  , I DSS  2mA , VP  2V
 VP 
Polarisation
Calculer de RS pour avoir ID20 = I0 = 0,5mA
V1 = V2 =0  ID10 =ID20= ID0=I0
 I0  - 1V
VGS  VP 1   , I 0  0,5mA  VGS  

 I DSS  - 3V
VGS = -3V < VP  pour cette tension le transistor est bloquée. On retient la 1ère solution
15  VGS
On a 0  VGS  2R SI 0 - 15  R S   16K
2I 0
On trouve :
VDM = 10V , VSM = 1V et VDS = 9V
Etude en dynamique de faibles signaux
Filière SMP-S5 43
Les tensions v1 et v2 sont des tensions sinusoidales de faibles amplitudes. Le

schéma dynamique du montage est obtenu en remplaçant les transistors par leurs schémas
équivalents (figure 6). On suppose rds négligeable.
gmvgs2 RD vs2
vs1 RD gmvgs1
S G2
G1
vgs1 vgs2
v1 RS v2
Figure 6
Gain différentiel
vs1  g m v gs1R D et vs 2  g m v gs2 R D
v1  vgs1  v RS et v 2  vgs2  v RS  vs1  vs2  g m R D (v1  v 2 )
v s1  v s 2
Ad   g m R D
v1  v 2
Gain en mode commun
v RS  R S (g m v gs1  g m v gs2 )
 v1  v 2  v gs1  v gs2  2v RS  ( v gs1  v gs2 )(1  2g m R S )
vs1  vs 2  g m R D (vgs1  vgs2 )
vs1  vs 2  gmR D
Ac  
v1  v 2 1  2g m R S
Ad
TRMCdB= 20Log  20Log( 1  2g m R S )
Ac
Application numérique
RS= 16K
2
I D   V 
gm   et I D  I DSS 1 - GS 
VGS  repos  VP 
2
 gm   I D0 .I DSS  1m 1  1mS
VP
Donc TRMCdB=30dB
 gmR D 10
Ac     0,303 et Ad   g m R D  10
1  2g m R S 33
Exemple de calcul
Calculer vs2 en prenant v1 = 1,1V et v2=1V
Filière SMP-S5 44
1 1
vs 2  - A d ( v1  v 2 )  A c ( v 2  v1 )
2 2
1 1
Ad= -10 et Ac =-0,303  - A d ( v1  v 2 )  0,5V et A c ( v 2  v1 )  0,318V
2 2
La tension vs2 = 0,5 - 0,318 = 0,182V au lieu de 0,5V souhaitée (on désire Ac = 0).
L’erreur est donc 63,3%.
Pour améliorer le montage, il faut diminuer Ac ce qui revient à augmenter le TRMC.
Amélioration du TRMC
Nous allons remplacer la résistance RS par un génarateur de courant (miroir de
courant) de la figure 7 suivante :
- R2 = 5K
- T1 et T2 sont identiques : =100, rce=160K
etV V VV
- La jonction BC du transistor T1 est court-circuitée. T1
est donc équivalent à une diode de résistance r1 =
2I0
25.
- On suppose que les courants des collecteurs des 2
transistors sont identiques : IC1 = IC2=2I0. T1 T2
R1
R2 R2
Calcul de R1 pour avoir IC2=2I0= 1mA
En utilisant la loi des mailles on trouve :
Figure 7 -VCC
VR1 = VBE + VR2 - VCC = 0,6 + 2I0R2 -15 = 0,6+5-15
VR1= - 2I0R1= - 9.4V  R1 = 9,4K
Détermination de la résistance interne Ri du générateur de courant.
En dynamique l’entrée du générateur du courant est entre le collecteur de T2 et la
masse. Le schéma équivalent en dynamique du montage est donné par la figure 8:
rbe2 rce ic
r1 ib
R1 R2 u
R2
Figure 8
u
La résistance interne Ri est la résistance vue entre les bornes d’entrée : R i 
ic
On pose Req=R1//(r1+R2) ≈ R1//R2=3,27K
u  rce (i c  i b )  R eq 2 .i c , R eq 2  (R eq  rbe ) // R 2
R2
Diviseur de courant i b  
R 2  R eq  rbe
Filière SMP-S5 45
u  R 2 
Ri   rce 1    R eq 2
ic  R  R  r 
 2 eq be 
Application numérique
VT
R eq  3,27K , rbe    2,5K , rce  160K et R eq2  2,68K  R i  7,6M
I C0
 gmR D Ad
Ac   6,5.10  4 et TRMCdB= 20Log  20Log( 1  2g m R i )  83dB
1  2g m R i Ac
Filière SMP-S5 46
Chapitre IV : L’amplificateur opérationnel et ses applications
I- Introduction :
Un amplificateur opérationnel est réalisé à partir d’un amplificateur différentiel ayant
 un gain en tension en mode différentiel très grand
 un facteur de réjection du mode commun très grand
 une impédance d'entrée très grande dans les deux modes
 une impédance de sortie très faible dans les deux modes
 une bande passante très grande.
+ -
Un amplificateur opérationnel possède deux bornes d’entrée (e , e ) et une borne de
sortie vs. La tension de sortie vs est proportionnelle à la différence des tensions d’entrée :
-
vs = A.(e+- e )
e   e-
En réalité vs  A.(e - e - )  A c avec Ac << A
2
-
e borne d’entrée inverseuse
+
e borne d’entrée non-inverseuse
Symboles :
i+
e+ + e+ +
 
vs
e- - e -
-
vs
i-
Figure 1
II- Historique :
On doit le terme d'amplificateur opérationnel (Operational Amplifier) à John R.
Ragazzini en 1947. Les amplificateurs opérationnels ont été initialement développés à l'ère
des tubes électroniques, ils étaient alors utilisés dans les calculateurs analogiques. Le premier
AO intégré disponible en grande quantité, à la fin des années 1960, fut l'AOP bipolaire
μA709. En 1968, le μA709 fut remplacé par le μA741 qui offrait de meilleures performances
tout en étant plus stable et plus simple à mettre en œuvre.
Les schémas suivants montrent les éléments constituant un amplificateur opérationnel

et le circuit intégré correspondant
Figure 2
Filière SMP-S5 47
Figure 3
III- Amplificateur opérationnel idéal :
 Amplification en tension infinie Ad= ∞ Ac=0
 Impédance d’entrée infinie Ze = ∞
 Impédance de sortie nulle Zs = 0
 Bande passante infinie
  = e+ - e- = 0 et i+ = i-= 0
 régimes de fonctionnement :
La tension de sortie de l’amplificateur peut varier entre 2 valeurs limites Vsat et –Vsat. Vsat est
légèrement inférieur à VCC.
e+ > e−  vs ≈ +Vcc: saturation positif de l’ampli op
e+ = e−   = 0
e+ < e−  vs ≈ -Vcc: saturation négative de l’ampli op
La figure suivante représente la caractéristique de transfert : vs = f()

vs
VCC

-VCC
Figure 4
IV- Amplificateur opérationnel réel :
 Gain en tension fini et très important ~ 105 (2103 à 5105)
 Résistance d’entrée entre e+ et e-, appelé résistance différentielle, de très grande valeur Re
qq MIl existe entre chaque entrée et la masse une résistance de très grande valeur,
appelé résistance en mode commun.
 Résistance de sortie très faible Rs qq 10
 l’amplificateur n’est pas purement différentiel
o mode différentiel : sortie = Ad(e+ − e−)
o mode commun : sortie = Ac (e+ + e−)/2
 On souhaite Ac << Ad  TRMCdB de 80 à 100dB
Filière SMP-S5 48
Schéma équivalent de l’A.O :
Rcm
Figure 5 +
Rs
e1  Re A
vs
-
e2 Rcm
V- Imperfections de l’amplificateur opérationnel :

a. Influence de l’´etage d’entrée :
o Courant de base des transistors d’entrée i+ ≠ 0 et i– ≠ 0 (si nuls, transistors bloqués)
o i+ ≠ i– car les transistors ne sont pas parfaitement identiques
o Déséquilibre entre les transistors d’entrée  dissymétrie de l’amplificateur
différentiel d’entrée
On définit :
 Tension de décalage (tension d’offset)
voff = vbe1 - vbe2
La tension d'offset est la tension continue à appliquer entre les deux bornes
d'entrée pour que la tension de sortie soit nulle
vs ≠ 0 pour e+ = e− = 0 réglage possible avec un potentiomètre (vs = 0 pour e+ = e− =
0). Cette tension de décalage évolue dans le temps (vieillissement du composant) et
dépend de la température
 Courant de polarisation :
 Entrées de l’amplificateur = bases des transistors  courant i+ et i−
i  i
 Ip  (0,5 à 500A)
2
 Courant de décalage (courant d’offset)

 I off  i   i   un décalage en sortie
i+
e+ +
Figure 6 voff 
vs = 0
e- -
i-
b. Slew rate :
vs
o vitesse maximale de variation du signal de sortie (0,5 à 50V/ s)
t
Filière SMP-S5 49
c. Réponse en fréquence
On peut, en première approximation, considéré l’AOP réel comme un filtre passe-bas du 1er
ordre ayant une fréquence de coupure voisine de 10Hz en boucle ouverte. Le gain s’écrit :
Ao
A v ( j)  fc = fréquence de coupure.
f
1 j
fc
A
Ao
Figure 7
-20dB/décade
f
fc fT
d. Influence de l’alimentation: les fluctuations de l’alimentation se voient à la sortie.

v s
Taux de réjection de l’alimentation = (80 à 100dB)
Vcc
e. Influence de la température : courant et tension de décalage varient avec la température
f. Caractéristique de transfert : vs = f(ve)
vs= Ao(e+ -e-) = Ao

Si on prend Ao = 2.105 et VCC = +15V.
La tension différentielle d’entrée qui entraine la saturation de la tension de
sortie du montage est donnée par :  satVCC/Ao = 15/(200 000) = 75V
La zone linéaire d’utilisation de l’amplificateur est trop faible [-sat,+ sat]
vs
Saturation positive
VCC
 sat  Figure 8
sat
-VCC
Saturation négative
Conclusion
Un tel montage est souvent incontrôlable (car trop sensible). L’AOP sera toujours
(exception: montage comparateur de tension) utilisé avec une contre réaction donc
en boucle fermée.
VI- Caractéristiques d’amplificateurs d’usage courant
Ce sont des circuits à moyenne intégration. Par exemple, le circuit de l’ampli op
A 741C est constitué de 20 transistors, 10 résistances et 1 condensateur.
Filière SMP-S5 50
Ordre de Bipolaire BiFET Bimos Cmos

Propriété
grandeur (LM741) (TL081) (CA3140) (LMC6035)
Amplification Adiff=Vs/(V+-V-) > 105 2*105 2*105 105 106
(Gdiff)dB = 20.log(Adiff) > 100 106 106 100 106
Impédance d'entrée Re (Ω) > 105 2*106 1012 1,5*1012 > 1013
Impédance de sortie Rs (mΩ) < 200 75 100 60
Fréquence de coupure f1 10 Hz ~20 Hz
Courants de fuite I+, I- < 500 nA 80 nA 30 pA 10 pA 0,02 pA
Tension d'offset Voff (mV) < 10 1 3 8 0,5
VII- Montages à amplificateur opérationnel

On distingue deux gains en tension: le gain en tension A de l'amplificateur
opérationnel, appelé aussi gain en boucle ouverte (pas de boucle de contre-réaction) et le
gain Av du montage, gain en boucle fermée.
On suppose que la résistance d’entrée de l’amplificateur opérationnel est très grande et
son résistance de sortie est très faible
VII- 1- Montage inverseur :

Le montage est attaqué par la borne inverseuse
a. Gain en tension R2
v s  A , v e - R i i1    0 I2
v s  R 2i 2    0 , i1  i 2 R1
i1 Figure 9
-
vs R
 2
1 ve  A
ve R1 1 R  + vs
1  1  2 
A  R1 
vs R R4
Si l’ampli est idéal A   alors  2
ve R1
b. Impédance d'entrée
On peut schématiser notre circuit comme suit :
R2 I2
R1
i1
-
ve Ve’  A
+
vs Figure 10
R4
Filière SMP-S5 51
En utilisant le théorème de Miller le circuit devient :
R1
i1
-
ve  A
Ve’ +
Ri
Ro vs
R4
Figure 11
Avec :
𝑅2 𝑉𝑠 𝑣𝑠
Ri = , 𝑅𝑜 ≅ 𝑅2 𝑒𝑡 𝐴𝑚𝑖𝑙𝑙𝑒𝑟 = ′ = − = −𝐴
1 − 𝐴𝑚𝑖𝑙𝑙𝑒𝑟 𝑣𝑒 𝜀
𝑅2
Donc: 𝑅𝑖 =
1+𝐴
R
Z R  2
e 1 1 A
Quand A    Ze  R1
i1 R1
-
ve  A
R2 Figure 12
1 A + vs
 R2
R4
R2
Si A → ∞, ε→ 0 car   1  A e2 (diviseur de tension).

R
R1 2
1 A
L'amplificateur idéal a donc une tension d'entrée nulle. On dit que la borne d’entrée
inverseuse est une "masse virtuelle"
On peut l'expliquer autrement: le théorème de Miller ramène la résistance R2 placée
entre la borne négative et la sortie, à une résistance fictive de valeur R2/(1+A) entre borne
négative masse. Cette résistance est presque nulle.
Filière SMP-S5 52
Exemple : Un 741 (A = 105) bouclé par R2 =10KΩ voit entre borne inverseuse et la masse
une résistance fictive de 0,1Ω .
VII- 2- Montage non inverseur :

Le montage est attaqué par la borne non inverseuse
a. Gain en tension
R1 R2
v s  A et ve  u      vs
R1  R 2
R1
1 R1
 vs (
 ) -
A R1  R 2  A
1 2
R + vs
v 1 R1 ve
A s   R4
ve 1

R1 1  R 2 
A R 1  R 2 1  A 1  R 
 1
vs R Figure 13
si A   alors 1 2
ve R1
b. Impédance d’entrée
La borne (+) n’absorbe aucun courant (impédance d’entrée infinie) donc Re = R4
VII- 3- Montage suiveur

A partir du montage non inverseur on doit avoir :
R R -
vs  v e  1  2  1  2  0 Figure 14 
R1 R1 A
Parmi l'infinité de solutions celle qui conduit au montage + vs
le plus simple est : R1 =∞, R2 = 0 ve
VII- 4- Amplification de différence
Ce montage est l’association d’un montage inverseur et d’un montage non inverseur.
D’après les résultats précédents on a : R2
R2 
v2 = 0, montage non inverseur, v s  (1  )e
R1 R1
R -
v1 = 0, montage inverseur, v s   2 v 2 v2  A
R1
Par application du théorème de superposition on + vs
peut écrire : R 3
v1
R2  R2  R4 e+ R4
vs  (1  )e  v 2 et e  v1
R1 R1 R3  R 4
R4 R R
 vs  (1  2 ) v1  2 v 2
R3  R 4 R1 R1 Figure 15
Filière SMP-S5 53
En choisissant R3 = R1 et R4 = R2 on obtient :
R
v s  ( v1  v 2 ) 2
R1
VII- 5- Montage sommateur inverseur

R3
 Par application du théorème de e3
superposition aux trois entrées R2 R
liées à la borne inverseuse on peut e2
écrire : R1
R R R  e1 -
v s    e1  e2  e3 
 R1 R2 R3   A
Si on prend Figure 16 + vs
R1  R 2  R 3  R  vs  e1  e 2  e3 
R4
 Comme on peut aussi appliquer le théorème de Millman

et écrire :
𝑣𝑠 𝑒1 𝑒2 𝑒3
+ + +
− + 𝑅 𝑅1 𝑅2 𝑅3
V =V = =0
1 1 1 1
+ + +
𝑅 𝑅1 𝑅2 𝑅3
Aussi on obtient le même résultat.
VII- 6- Montage Intégrateur

C
ic
a. Analyse temporelle
v e ( t )  Ri1( t ) R vc(t)
i1
i1( t )  i c ( t ) -
ve  A
vs (t )  vc (t )
+ vs
dv ( t )
ic (t )  C c
dt Figure 17
1
 vs (t )    v ( t )dt
RC e
b. Analyse harmonique
c.
vs Z 1 v 1
  c , Zc   A v ( j)  s  
ve R jC ve jRC
Filière SMP-S5 54
VII- 7- Montage Dérivateur
Analyse temporelle
v s ( t )   Ri ( t ) i R
i( t )  i c ( t )
ic C
ve (t)  vc (t) -
dv ( t ) ve vc(t)  A
ic (t)  C c
dt + vs
dv e ( t ) Figure 18
 v s ( t )  RC
dt
Analyse harmonique
vs R 1 v
 , Zc   A v ( j)  s   jRC
ve Zc jC ve
VII- 8- Comparateur de tension

= Vref - Ve
Vref > ve   > 0  vs ≈ +VCC: saturation positif de l’ampli op
Vref < ve   < 0  vs ≈ -VCC: saturation négatif de l’ampli op
vs
+VCC
-
ve  A ve
+ vs
Vref Vref
-VCC
Figure 19
Figure 20
VII- 9- Les filtres actifs
Z2
Schéma général Z1
Les Zi sont des impédances complexes -
v2  A
En utilisant le théorème de superposition ou bien
Millman on obtient : + vs
Z3
v1
e+ Z4
Figure 21
Filière SMP-S5 55
Z4  Z2  Z
Vs  1   V1  2 V 2
Z3  Z4  Z1  Z1
VII- 9-1 Filtre passe bas du 1er ordre

La fonction de transfert générale est:
Vs k
H ( j )   , p=j et  est la constante de temps C
Ve 1  p
Soit le montage ci-contre avec :
1 R
Z  R et Z  R //  2 R1 R2
1 1 2 2 jCω 1  jR Cω ve(t) -
2
V1=0, V2= Ve, Z4=0, Z3= vs(t)
+
La fonction de transfert harmonique :
Vs Z R 2 / R1 K
A v ( j)   2  
Ve R1 1  jR 2 C 
1 j Figure 22
c
1 R
La fréquence de coupure : c  , A vmax  2
R 2C R1
3 dB
20log(R2/R1 )
Figure 23
- 20 dB/décade

c
Amplificate Intégrateur
ur
VII- 9-2 Filtre passe haut du 1er ordre
La fonction de transfert générale est:
Vs p
H ( j )  K , p=j  est la constante de temps
Ve 1  p
C1
1er exemple: R1 R2
Soit le montage ci-contre avec : -
V1=0, V2= Ve, Z4=0, Z3= ve(t) vs(t)
+
1
Z  R  et Z R
1 1 jC ω 2 2
1
Figure 24
Filière SMP-S5 56
La fonction de transfert harmonique

Vs R2 jR2C1 R jC1R1
Av ( j )     2
Ve R1 
1 1  jR1C1 R1 1  jR1C1
jC1
1 R2
c  ,   R1C1 , K  
R1C1 R1
3 dB
20 log(R2/R1 )
+20 dB/décade
Figure 25

c
Dérivateur Amplificateur
2éme exemple :
Soit le montage ci-contre avec :
1 1 R C2
Z  et Z  R // 
1 jC1ω 2 jC ω 1  jRC ω
2 2
C1
R
V1=0, V2= Ve, Z4=0, Z3= ve(t) -
La fonction de transfert harmonique : vs(t)
+
Vs Z jRC1 C jRC 2
Av ( j )   2   1
Ve 1 1  jRC 2 C2 1  jRC 2
jC1 Figure 26
C1
  RC 2 , K
C2
a. Filtre passe-bas du second ordre

o2 1
H ( p)  K K
p 2
 2 o p  o2 2 p2
1 p 2
o o
Filière SMP-S5 57
H(p) peut se mettre sous la forme :

1 1 1 1
H ( p)  K K
(1   p) (1   p)  
1 2 (1  j ) (1  j )
1 2
Le système est une mise en cascade de deux systèmes du 1er ordre

b. Filtre passe haut du second ordre
p2
p2 o2
H ( p)  K K
p 2  2 o p  o2 2 p2
1 p 2
o o
On passe du filtre passe bas au filtre passe haut en remplaçant  par 1/.
VII- 9-3 Filtres passe-bande.

2
p
2 o p o
H ( p)  K K
p  2 o p  o2
2
2 p2
1 p 2
o o
Outre les paramètres caractéristiques K (gain), ω0
(fréquence centrale ou d’accord), intervient un autre
paramètre : la sélectivité ou coefficient de surtension
o Figure 27
Q , BP  c2  c1 .
BP
La figure ci-dessus représente les courbes de gain, correspondant pour différentes
valeurs de Q. Plus la sélectivité est grande, plus la bande passante est petite.
VII- 9-4 Filtres réjecteur de bande (ou coupe bande).

p2
1 
p 2  o2 o2
H ( p)  K 2  K
p  2 o p  o2 2 p2
1 p 2
o o
VII- 9-5 Filtre actif du second ordre : cellule élémentaire active de Sallen-Key
Z2
Z1 Z3
+ Figure 28
e(t) Z4 -
R (a-1)R s(t)
Filière SMP-S5 58
S aZ 2 Z 4
H ( j )  
E Z1 Z 4 (1  a)  Z1 ( Z 2  Z 3 )  Z 2 ( Z 4  Z 3 )
a. Passe-bas
1 1
Z1  R1 , Z2  , Z3  R 3 et Z4 
jC 2 jC 4
1
c 
R1R 3C2C4
b. Filtre passe haut
1 1
Z1  , Z2  R 2 , Z3  et Z4  R 4
jC1 jC3
1
c 
C1C3R 2R 4
VII- 9-6 Filtre actif du second ordre : cellule élémentaire active de Rauch
Z4 Z5
Z1 Z3
-
Figure 29
-
e(t) Z2 +
s(t)
S  Y1Y3
H( j)  
E Y5 (Y1  Y2  Y3  Y4 )  Y4 Y3
a. Passe bas
1 1
Z1  R1 , Z2  , Z3  R 2 , Z4  R 3 et Z4 
jC1 jC 2
1
c 
R 2R 3C1C2 R3
K 
R1
b. Passe-haut
1 1 1
Z1  , Z2  R1 , Z3  , Z4  et Z5  R 2
jC1 jC 2 jC3
1 C
c  K 1
R1R 2C2C3 C3
c. Passe-bande
1
Z1  Z2  R1 , Z3  Z4  , et Z5  R 2
jC
R1 2 1
 , c  et K
2 R2 R1C 2
Filière SMP-S5 59
Chapitre V : La Contre Réaction
Introduction
On considère un amplificateur de gain A, alimenté par une source et alimente une
charge selon le schéma ci-dessous. Ce montage est dit en boucle ouverte.
Se Amplificateur de gain SS Charge

Source
A
Figure 1
Se est le signal d’entrée de l’amplificateur.
Ss est le signal de sortie de l’amplificateur.
Ss=A Se
Le gain de l’amplificateur peut varier à cause de différents paramètres extérieurs :
 Température
 Dérive de tensions d’alimentation
 Changement d’un composant
 Etc…
Il faut donc trouver le moyen de stabiliser ce gain.
La solution consiste à réinjecter une partie du signal de sortie en entrée de
l’amplificateur. On dit alors qu’on opère une réaction de la sortie sur l’entrée.
Le principe de la réaction consiste donc à réinjecter une partie du signal de sortie à

l'entrée du circuit pour le combiner avec le signal d'entrée extérieur. Le système est dit alors
en boucle fermée. La réaction change fondamentalement les propriétés du circuit auquel elle
est appliquée.
On distingue deux types de réaction: la réaction positive et la réaction négative.
 Dans la réaction positive, on réinjecte une partie du signal de sortie en
phase avec le signal d'entrée extérieur. Ceux-ci vont donc additionner leurs
effets pour produire un signal de sortie plus grand que celui qui existerait sans
réaction. C'est le principe qui est utilisé notamment dans les circuits
oscillateurs ou dans les bascules.
 Dans la réaction négative, on réinjecte une partie du signal de sortie en
opposition de phase avec le signal d'entrée extérieur. Ces deux signaux vont
donc soustraire leurs effets pour produire un signal de sortie inférieur à celui
qui existerait sans réaction.
Configuration et relations d’une contre réaction :
La configuration générale d’un contre réaction est illustrée à la figure suivante (système
en boucle fermée). L’amplificateur dont le gain vaut A en boucle ouverte délivre à sa sortie un
signal Ss. Ce signal est appliqué à une charge extérieure, ainsi qu’à l’entrée d’un circuit de
réaction dont la sortie Sr est soustraite du signal d’entrée extérieur Se.
Se SƐ Ss
Source A Charge
+ -
Signal réinjecté Sr
Signal prélevé
B
Figure 2
Filière SMP-S5 60
Les relations fondamentales de cette boucle peuvent s’exprimer de façon simple lorsque
les conditions suivantes sont remplies :
 Le circuit de réaction B ne change ni l’entrée ni la sortie de l’amplificateur, ce qui
revient à dire que le gain en boucle ouverte A de l’amplificateur n’est pas affecté
par les impédances d’entrée ou de sortie du circuit de réaction.
 La transmission du signal dans le sens direct (source vers charge extérieure) se fait
uniquement au travers de l’amplificateur.
 La transmission dans le sens inverse (charge extérieure vers source) se fait
uniquement au travers du circuit de réaction.
A et B sont en général des complexes qui dépendent de la fréquence
A(j) : Fonction de transfert de la chaine directe
B(j) : Fonction de transfert de la chaine de retour en général un quadripôle
passif
Sr =B.Ss, S = Se - Sr et Ss = A.S  Ss = A.Se-A.B.Ss
Ss A
D’où Ar   c’est l’équation fondamentale du système à réaction négative
Se 1  BA
- A : fonction de transfert en boucle ouverte
- Ar : fonction de transfert en boucle fermée
On pose
- T = AB c’est le rapport de retour ou gain en boucle ouverte
- D = 1+AB : différence de retour ou taux de réaction
Propriétés générales de la contre réaction
Un amplificateur auquel on applique une réaction négative jouit de propriétés

extrêmement intéressantes, parmi lesquelles on peut citer:
 la stabilisation du gain aux variations des caractéristiques de l’amplificateur
La valeur du gain originel dont la valeur est généralement très variable d'un
composant à l'autre et sensible à la température ou au vieillissement.
Exemple :
Soit un amplificateur de tension de gain Av = -100 débitant sur une charge résistive.
On ramène une partie du signal de sortie vs à l’entrée vr = vs/10.
vr est en opposition de phase avec la tension ve. On dit qu’on a effectué une réaction
négative ou une contre-réaction. Le nouveau gain effectif du système amplificateur est
v
Ar  s
ve
Application numérique Ru
Si v = 10mV , vs = -100.10mV= -1V ve v vs
vr = -100mV vr
ve +vr = v  ve = 110mV
Le gain du nouveau système est donc
v
A r  s   9,1 . On a donc une perte de gain.
ve Figure 3
Supposons qu’une perturbation a fait varier le gain Av de 50%.
Filière SMP-S5 61
Donc pour la même tension v =10mV appliquée à l’entrée on aurait :

vs = 150.10mV = -1,5V
ve = v – vr = 10+1500/10 = 160mV
1500
Le gain du système à réaction est donc A r    9,3
160
Il reste très peu affecté par cette perturbation. La contre réaction a stabilisé le gain.
En supposant B constante :
A dA dA r 1 dA
On a A r  , si A varie de dA alors dA r   
1  BA (1  BA) 2
A r 1  BA A
La variation de Ar est donc (1+B.A) fois plus faible que la variation relative de A. Donc le
système contre réfactionné est beaucoup plus stable (division par (1+AB)) que le système en
boucle ouverte, mais le gain obtenu est plus faible. Il faut donc qu’au départ le gain de
l’amplificateur soit très grand (c’est d’ailleurs pour cela que l’on utilise très souvent de
amplificateurs opérationnels dont le gain peut dépasser les 105).
Le taux de réaction (1+B.A) s’appelle aussi le facteur de désensibilisation.
Exemple :
un amplificateur opérationnel de gain en boucle ouverte (B.O) de A=105 utilisé dans un
montage à contre réaction négative pour réaliser un amplificateur dont le gain en tension en
B.F est Ar =100.
Dans ce cas :
A 𝐴
Ar  1− 𝑟
1  BA 𝐵= 𝐴 ≅ 0,01
𝐴𝑟
Si la valeur du gain varie de ∓ 20% , la variation relative de gain Ar sera de :
A r 1 A
 ≅ ∓0.02%
A r 1  BA A
 Précision du gain :
A 1
Dans le cas général T  A.B  1  Ar  
1  AB B
La fonction de transfert en boucle fermée (F.T.B.F.) est donc rendu indépendante de la
chaîne directe. Le circuit de réaction B étant généralement constitué d’éléments passifs
stable et précis, il est possible d’obtenir une valeur de B donc de Ar très précise.
Cette propriété est mise à profit pour réaliser des amplificateurs de haute précision.
 Réduction de la distorsion non linéaire :

La distorsion non linéaire est provoquée par une caractéristique non linéaire de
l’amplificateur. La réduction de cette distorsion est une conséquence de la désensibilisation
du gain en B.F par rapport au gain de l’amplificateur en B.O
On considère, par exemple, un amplificateur de tension dont le gain vut 10000 pour
0V<|Vs|<1V et qui décroit ensuite à 5000 pour |Vs|>1V
Filière SMP-S5 62
Vs
Ve
Figure 4
Lorsque cet amplificateur est placé dans une boucle de réaction dont le B vaut 1/100, on
obtient :
A
0V<|Vs|<1V Ar  = 99,00
1  BA
A
|Vs|>1V Ar  = 98,00
1  BA
La distorsion non-linéaire en boucle ouverte présente une variation relative de gain de 100%
alors qu'en boucle fermée variation relative de gain n'est plus que de 1%.
 Élargissement de la bande passante

Pour illustrer cette propriété, considérons que le bloc de transfert direct présente une fonction
de transfert de type passe-bas du 1er ordre de pulsation coupure inférieure ωc (pulsation de
coupure).
On a donc :
𝐴0
𝐴 𝑗𝜔 = 𝜔
1+𝑗𝜔
𝑐
𝐴(𝑗𝜔) 𝐴𝑜𝑟
𝐷𝑜𝑛𝑐 ∶ 𝐴𝑟 𝑗𝜔 = =
1 + 𝑗𝐵𝐴(𝑗𝜔) 1 + 𝑗 𝜔
𝜔𝑐𝑟
𝐴0
𝐴𝑣𝑒𝑐 𝐴𝑜𝑟 = 𝑒𝑡 𝜔𝑐𝑟 = 𝜔𝑐 (1 + 𝐵𝐴0 )
1 + 𝑗𝐵𝐴0
On constate une diminution du gain en continu d'un facteur 1+BA0 et une augmentation de la
pulsation de coupure supérieure du même facteur.
Filière SMP-S5 63
Figure 5
Si l'on considère que le bloc de transfert direct présentant une fonction de transfert de type
Passe-haut du 1er ordre de pulsation coupure inférieure ωc (pulsation de coupure).On a :
𝜔
𝑗𝜔
𝑐
𝐴 𝑗𝜔 = 𝐴0 𝜔
1+𝑗𝜔
𝑐
𝜔
𝐴(𝑗𝜔) 𝑗 𝜔𝑐𝑟
𝐷𝑜𝑛𝑐 ∶ 𝐴𝑟 𝑗𝜔 = = 𝐴𝑜𝑟 𝜔
1 + 𝑗𝐵𝐴(𝑗𝜔) 1+𝑗𝜔
𝑐𝑟
𝐴0 𝜔𝑐
𝐴𝑣𝑒𝑐 𝐴𝑜𝑟 = 𝑒𝑡 𝜔𝑐𝑟 =
1 + 𝑗𝐵𝐴0 (1 + 𝐵𝐴0 )
On constate une diminution du gain a fréquence élevée d'un facteur 1+BA0 et une diminution
de la pulsation de coupure inférieure du même facteur
Figure 6
Filière SMP-S5 64
 Le contrôle de la valeur des impédances d'entrée et de sortie :

La modification des impédances d’entrée et de sortie est liée à la topologie de la
contre-réaction. C’est en fonction des impédances désirées que l’on doive définir la
structure du système à réaliser.
Remarque :
A
Dans l’équation A r  , on suppose que le gain A n’est pas modifié par la
1  BA
présence du circuit de réaction. Cette hypothèse est justifiée seulement dans le cas ou
l’amplificateur de base présente une impédance de sortie égale à zéro. Sinon il faut
tenir de l’impédance du circuit de réaction dans la détermination de la fonction de
transfert A.
 Topologies des systèmes à réaction

La modification des impédances d’entrée et de sortie est liée à la topologie de la
réaction. C’est en fonction des impédances désirées que l’on devra définir la topologie du
système à réaliser
Il existe 2 possibilités de branchements (série, parallèle) et 2 accès (entrée, sortie), ce
qui forme 4 possibilités de contre réaction, présentées ci –dessous :
- Raccordement à l’entrée
o Série : réinjection (comparaison) d’une tension à l’entrée  augmentation de
Ze
o Parallèle : réinjection d’un courant à l’entrée  diminution de Ze
- Raccordement à la sortie :
o Série : prélèvement du courant de sortie  augmentation de Zs
o Parallèle : prélèvement de la tension de sortie  diminution de Zs
Contre réaction série-série (ou courant-tension)

Une tension d’erreur (vε) attaque un amplificateur de transconductance A.
Le signal prélevé à la sortie est un courant et le signal injecté à l’entrée est une tension. La
chaîne de retour est un convertisseur courant tension :
ie is
ie is
A v Ze A v Zs V
v
ve ve
B
vr
vr B is V
Figure 7
Figure 8
Filière SMP-S5 65
ve  v  v r  v  ve  v r
is v
A et B  r
v is
𝑖𝑠 𝐴 1
𝐴𝑟 = = ≈
𝑣𝑒 1 + 𝐴𝐵 𝐵
𝑍𝑒𝑟 = 𝑍𝑒 . 1 + 𝐴𝐵 𝑒𝑡 𝑍𝑠𝑟 = 𝑍𝑠 . (1 + 𝐴𝐵)
Contre réaction série-parallèle (ou tension-tension)

Une tension d’erreur (vattaque un amplificateur de tension de gain A.
Le signal prélevé à la sortie est une tension et le signal injecté à l’entrée est une
tension. La chaine de retour délivre une tension vr à partir de la tension vs:
ie Zs is
v A v
vs Ze A v Vs
ve
ve
B
vr
vr is
B
Figure 9
Figure 10
ve  v  v r  v  ve  v r
vs v
A et B  r
v vs
𝑣𝑠 𝐴 1
𝐴𝑟 = = ≈
𝑣𝑒 1 + 𝐴𝐵 𝐵
𝑍𝑠
𝑍𝑒𝑟 = 𝑍𝑒 . 1 + 𝐴𝐵 𝑒𝑡 𝑍𝑠𝑟 =
1 + 𝐴𝐵
Contre réaction parallèle-série (ou courant/courant)

Un courant d’erreur iattaque unamplificateur de courant de gain A.
Le signal prélevé à la sortie est un courant et le signal injecté à l’entrée est un courant. La
chaîne de retour délivre un courant ir à partir du courant is.
ie i is ie i is
ie
A
ie Ze A v Zs
ir Vs
ir
B
B
V
Figure 11
Figure 12
Filière SMP-S5 66
ie  i  ir  i  ie  ir
is i
A et B  r
i is
𝑖𝑠 𝐴 1
𝐴𝑟 = = ≈
𝑖𝑒 1 + 𝐴𝐵 𝐵
𝑍𝑒
𝑍𝑒𝑟 = 𝑒𝑡 𝑍𝑠𝑟 = 𝑍𝑠 . (1 + 𝐴𝐵)
1 + 𝐴𝐵
Contre réaction parallèle-parallèle (ou tension-courant)

Un courant d’erreur iattaque unamplificateur de transimpédance A.
Le signal prélevé à la sortie est un courant et le signal injecté à l’entrée est une tension. La
chaîne de retour est un convertisseur tension courant :
i i zs
A ie
vs Ze A iƐ vs
ir ir
B B
Figure 13 Figure 14
ie  i  ir  i  ie  ir
vs i
A et B  r
i vs
𝑣𝑠 𝐴 1
𝐴𝑟 = = ≈
𝑖𝑒 1 + 𝐴𝐵 𝐵
𝑍𝑒 𝑍𝑠
𝑍𝑒𝑟 = 𝑒𝑡 𝑍𝑠𝑟 =
1 + 𝐴𝐵 (1 + 𝐴𝐵)
Filière SMP-S5 67

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Cours

CHAPITRE I : AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS EN BASSES FREQUENCES 3

CHAPITRE II : AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS EN HAUTES FREQUENCES 23

CHAPITRE III : AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL ERREUR ! SIGNET NON DEFINI.

CHAPITRE IV : L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET SES APPLICATIONS 37

CHAPITRE V : LA CONTRE REACTION 60

Chapitre I : Amplificateurs à transistors en basses fréquences

Soit un transistor bipolaire polarisé en régime statique, schéma de la figure 1, et ayant

Le schéma de la figure 2 montre la superposition du régime dynamique au régime

Droite de charge statique et dynamique

Lorsqu’une tension, supposée sinusoïdale, est appliquée à l’entrée, le point de

Schéma équivalent ‘petits signaux’ du transistor

En régime linéaire (petits signaux), on a :

𝒗𝒃𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝒉𝟏𝟐 𝒗𝒄𝒆 𝒗𝒃𝒆 𝒊𝒃

La pente gm est définie par :

h11 correspond à la résistance dynamique de la jonction B-E. Il correrspond à la pente

vbe h21ib vce

vbe h11 h21ib vce Figure 8

On peut utiliser le schéma équivalent avec les paramètres universels (figure 9)

Les paramètres universels sont plus signifiants et sont définis par :

VT est le potentiel thermique équivalent à l'énergie thermique kT des porteurs de

Condensateur de liaison et condensateur de découplage :

 Les condensateurs C1 et C2 sont des condensateurs de liaison, elles permettent d’isoler le

 La résistance RE est un stabilisateur de température en statique mais elle est indésirable

Schéma équivalent d’un montage à transistor en régime variable

 Remplacer les transistors par leurs schémas équivalents (paramètres hybrides)

R1//R2 vbe h12vce h21ib 1/h22 vce RC Ru

Les amplificateurs à transistors

Schémas d’un amplificateur en fonction des carctéristiques fonctionnelles

Schémas équivalents en petits signaux et en basses fréquences

 Gain à vide (charge infini)

En utilisant le théorème de thevenin, on peut remplacer le circuit coté entrée par le

Influence de la capacité de découplage sur le gain en tension

En remplaçant ZE par son expression on obtient

C’est un filtre passe haut de fréquence de coupure c proche de 2 ( 2 > 1)

Bande passante (BP)

Si on désire une fréquence de coupure de 50Hz alors :

 une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).

Amplificateur Collecteur Commun (C. C.)

 gain en tension quasiment égal à l'unité.

Amplificateur Base Commune (B. C.)

Le schéma équivalent du montage, en supposant que le couplage est parfait aux

 même gain en tension que pour l'émetteur commun (plusieurs centaines).

II - Transistor à effet de champ

Modèle en régime dynamique

Dans la zone linéaire, le TEC se comporte comme une source de courant

gmvgs vds Figure 22

Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 24

ve RG vgs gmvgs rds RD vds Ru

Etage Drain Commun

Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 26

Etage Grille Commune

Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 28

Conclusions : gain en tension important, faible résistance d’entrée, grande résistance de

Chapitre II : Amplificateurs à transistors en hautes fréquences

 Influence des capacités de liaison sur le gain en tension

On donne l’allure des courbes du gain dans deux cas (figure 3) :

Signification physique des éléments du modèle de Giacoletto

Fréquence de coupure et fréquence de transition

 Gain en courant émetteur commun

Les capacité Cb’c et Cb’e se trouvent en parallèle. La capacité totale est :

vbe rbe CT ib’ =gmvb’e

0  g m rb'e : gain statique ( = 0)