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Modelisation de La Cellule PV
Modelisation de La Cellule PV
II.1 Introduction :
II.2 But :
Après avoir calculé l'intensité de l'éclairement globale reçut par le panneau solaire, on se
propose dans cette partie une modélisation numérique de la cellule photovoltaïque, on
présentant ses caractéristiques électrique.
Pour modéliser la cellule PV, il faut chercher d'abord son circuit électrique équivalent.
Généralement, deux types de modèles : modèle à une diode et modèle à deux diodes, existent
dans la littérature. Le modèle à une diode est le modèle le plus utilisé.
Nous avons vu que la jonction servant de base à la photopile est une diode. La jonction p-n
dans l'obscurité suit donc la relation caractéristique d'une diode :
VV nkT
qV
I obs I s e 1 I s e 1
t
(II.1)
Avec V : tension appliquée à la diode (V).
Vt =kT/q : potentiel thermodynamique (V).
k : constante de Boltzmann (J.K-1).
q : charge de l'électron (C).
T : température absolue (K).
Is : courant de saturation de la diode (A).
Iobs : courant d'obscurité (A).
Le courant délivré sur une charge par une cellule photovoltaïque éclairée s'écrit :
S.Hamimid 5
I=Iph−Iobs (II.2)
Soit :
VV nkT
qV
I I ph I s e 1 I ph I s e 1
t
(II.3)
C’est le modèle sur lequel s’appuient les constructeurs en donnant les caractéristiques
techniques de leurs cellules solaires (data
( sheet).
S.Hamimid 6
Figure II..2 Schéma équivalent d'une cellule PV réelle
Après un rappel de la physique de la cellule PV, cette partie traite de ses caractéristiques
électriques principales. L’étude physique d’une photopile nous permet d’obtenir l’équation de
courant de la charge :
I I ph I d I p (II.4)
Avec :
I : Courant délivré par la photopile.
Iph : Photo courant.
Id : Courant de la diode (courant de jonction).
Ip = IRsh: Courant shunt.
a. Le photo-courant :
C’est le courant généré par une cellule, il est proportionnel à l’irradiation solaire et est
légèrement influencé par la température selon l’équation suivante :
I ph I cc K i T Tref
G
(II.5)
Gref
Avec :
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b. Le courant de saturation I0
Eg : [eV] : Énergie de gap du semi-conducteur (1.1 eV pour le silicium poly cristallin à 25°C).
I cc
I Rs qVOC (II.7)
e AkT
1
Où :
Voc [V] : Tension de circuit ouvert du module (donnée par le constructeur).
q [C] : Charge de l’électron (1.602. 10 -19 C).
Ns : Nombre de cellules connectées en série.
A : Constante d’idéalité de la jonction (1<A<2).
K [J/K] : Constante de Boltzmann (1.3805 .10 -23 J/K).
À partir des expressions décrites précédemment on peut déduire le courant délivré par une
cellule :
VN AkT
RS I
V R I
I I ph I 0 e S
1 S
(II.8)
RP
VN AkT
RS I
V RS I
I PV N p I ph N p I 0 e S 1 N p (II.9)
RP
Où :
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Ns : Nombre de cellules connectées en série dans un module.
Figure (II.3)
(II. : Caractéristique I(V) d’une cellule
Pm I
FF Vco cc (II.11)
S G S G
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Pour cela, on utilise la méthode de NEWTON pour résoudre une équation de la forme f(x)=0,
et qui s'écrit de la façon suivante:
f ( xn )
xn1 xn (II.12)
f ( xn )
le principe consiste à construire une suite xn , telle que xn1 soit l'intersection de la tangente à
Travail demandé :
Tracer les courbes I(V) et P(V) pour différentes valeurs de l'éclairement global.
trouver les trois points caractéristiques : Icc, Voc et Pmax, du courbe I(V).
déterminer le facteur de forme et le rendement de la cellule.
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