Crs 1

Cours d lectronique analogique
ESIL Filire Matriaux

Licence de Physique et Applications
Prof. Franois ARNAUD d AVITAYA CRMCN 13288 MARSEILLE cedex 9 Tl : 04 91 17 28 08, Fax: 04 91 41 89 16
Email :davitaya@crmcn.univ-mrs.fr http://www.crmcn.univ-mrs.fr/electro
11/09/01
11/09/01
CONTENU (1)
Rappels de gnralits
Rsistance et Loi d Ohm
Conduction d un mtal
Thorme de NORTON Les trois composants passifs fondamentaux

Rsistance Inductance (self) Capacit
Lois de Kirchhoff
Loi des mailles Loi des nuds
Sources de tensions et de courant

Parfaites Relles Rsistance de source, de charge Adaptation de rsistance (dimpdance)
Un composant trs utilis :

le transformateur
Signaux priodiques
Rgime sinusodal et rponse frquencielle Diagrammes de BODE Un exemple: le circuit RLC ou circuit oscillant Rgime transitoire et permanent et rponse temporelle Analyse de FOURIER
3
Principe de SUPERPOSITION Thorme de THEVENIN
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CONTENU (2)
Le Dipole
Dfinition Rgime statique et courbe caractristique
Notion de rsistance diffrentielle Dipoles rsistance diffrentielle ngative
Le quadripole en dynamique
Cas des signaux de faible amplitude et de basse frquence Notation matricielle Association de quadripoles
Srie Parallle Srie-parallle Parallle-srie Cascade
Rgime dynamique
Exemple de la capacit et de la self
Cas des signaux de haute frquence
Le Quadripole
Dfinition Le quadripole en statique
Caractristiques Point de polarisation d un quadripole
Le quadripole en rgime sinusodal

Utilisation du quadripole Superposition du signal la polarisation Extraction du signal trait
4
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CONTENU (3)
Grandeurs caractristiques d un quadripole en fonction des paramtres hybrides Notion d impdance caractristique (ou itrative) Bande passante
Notion de trou La conduction dans un SC intrinsque
Dopage des semiconducteurs

Le semiconducteur extrinsque ? Dopage de type n Dopage de type p Conductivit d un semiconducteur extrinsque
Les Semiconducteurs
Rappels
De l atome la molcule et au cristal Notion de structure de bande Diffrence entre un mtal et un isolant Statistique de FERMI-DIRAC Qu appelle-t-on semiconducteur (SC)?
Dure de vie des porteurs Longueur de diffusion des porteurs
La jonction PN
La jonction PN l quilibre La jonction PN polarise
Polarisation directe Polarisation indirecte Tension de rupture
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Conduction lectrique dans les semiconducteurs
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CONTENU (4)
Capacits de la jonction PN
Les approximations de la diode Utilisation des diodes

Redressement Mono-alternance Bi-alternance Filtrage Autres applications
Les rseaux de caractristiques du transistor bipolaire Le transistor idal ! Principe de l amplification par transistor
Quelques recommandations
Le transistor en dynamique - schma quivalent

Signaux de faible amplitude et de faible frquence Comportement haute frquence schma de giacoletto
Le transistor bipolaire
Dfinition Le transistor bipolaire lquilibre Le transistor bipolaire polaris
Principe du fonctionnement
Les reprsentations du transistor
Les limites du transistor bipolaire Le bilan de puissance - quelques grandeurs caractristiques Problmes lis la puissance ( la temprature)
Stabilisation du transistor
6
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CONTENU (5)
Les trois montages amplificateurs fondamentaux
Montage metteur commun Montage base commune Montage collecteur commun
Les bilans de puissance des diffrentes classes
Raction, contre-raction
La contre-raction (CR) comme moyen de stabilisation
Ce que lon gagne Ce que lon perd Ce qui est ncessaire Les diffrents modes de CR
Srie Parallle Srie-parallle Parallle-srie
Les classes damplification

Classe A
Petits signaux Forts signaux Un exemple de montage de puissance en classe A : le montage Darlington
Classe B (AB)
Le montage push-pull Notion de miroir lectronique
Un montage utile: l amplificateur diffrentiel

Montage de base et quations Amliorations
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Classe C
Amplificateur accord
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CONTENU (6)
Lamplificateur oprationnel
Quest-ce que cest ? Lamplificateur oprationnel idal Lamplificateur oprationnel rel Les diffrents montages
Avec contre-raction Avec raction positive
Fonctionnement du FET
Grille court-circuite Grille polarise Le point de polarisation d un FET jonction
Le MOSFET ( Metal Oxide Semi-conductor FET- FET grille isole)

Les deux fonctionnement rgimes de
Les transistors effet de champ (FET)

Le FET jonction
Canal n Canal p
La dpltion L enrichissement
Le FET grille isole et rgime d enrichissement seul
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CONTENU (7)
Polarisation des FET
FET jonction
Polarisation automatique Polarisation par source de courant
Diode Schockley
Structure du composant Caractristiques Equivalent transistor
MOSFET FET grille isole et enrichissement seul
Thyristor
La suite logique de la diode Schockley
Amplification des FET

Montage source commune Montage drain commun Montage grille commune
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Rappels de gnralits
Rsistance et Loi d Ohm
La rsistance est, avec la capacit et la self, l un des trois lments passifs clefs de l lectronique. La rsistance est constitue d un matriau conducteur dont on fait varier la section et la longueur de telle manire l adapter la valeur dsire.
E METAL
r r F =eE
+ Vcc
Cependant il y a des chocs avec les ions du rseau ce qui se traduit par un chauffement (effet Joule). La vitesse des lectrons, v, est alors donne par: o est la mobilit .
r r V =E
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Rsistance et Loi d Ohm (suite)

Soit un matriau possdant n charges par Considrons un cylindre de longueur v et de base S
v
cm3.
Le nombre de charges N qui traversent la surface S par unit de temps est donn par: N = Svn = SEn Le courant qui circule est donc gal : I = Ne = SEne (o e est la charge de l'lectron = 1.6 10-19C I = SEne= SE o = en est la conductivit Comme
E=Vcc = l
(l, longueur du cylindre de mtal), il vient :
I=SVcc =Vcc l R
Loi d Ohm
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en posant =
La rsistivit est donne par : =

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1 = S. R l
et donc :
R = l S

L lment Rsistance
Se prsente, l exception de modles de puissance, sous la forme d un cylindre pourvu de connexions ses deux extrmits et sur lequel on peut voir gnralement 4 (parfois 5) zones colores comme sur la figure suivante C B A
Pour la tolrance : Couleur ARGENT: 10%
Tolrance
Valeur
Chaque couleur est associe un chiffre. La table suivante donne les correspondances couleur-chiffre Noir Marron Rouge Orange Jaune 0 1 2 3 4 Vert Bleu Violet Gris Blanc 5 6 7 8 9 La lecture de la valeur se fait de la manire C suivante:
Couleur OR:
5%
Valeur = AB.10
Ainsi dans l exemple ci dessus, la valeur est: 1
47.10 = 470
12
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L lment Rsistance (suite)
Toutes les valeurs nexistent pas. Les valeurs normalises sont les suivantes:
1 1,2 1,5 1,8 2,2
2,7 3,3 3,9 4,7 5,6
6,8 8,2 10
Bien sr il suffit de multiplier par la puissance de dix approprie pour trouver lensemble des rsistances normalises existantes.
11/09/01 Cours d lectronique analogique 13
Lois de Kirchhoff
Loi des mailles tensions = 0
maille
(Tension = diffrence de potentiel [ddp])
Justification physique
r r d BdS Edl = dt C S
C
6 5
Edl =0
4
E = gradV
C
C
3
Edl = Edl + Edl +...+ Edl

1 2 7
S
1 2
=V2V1+V3V2+...+V1V7=0
maille
tensions = 0
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Lois de Kirchhoff
Loi des mailles (suite)
Dans un circuit uniquement constitu de rsistances et de gnrateurs de tension, la loi des mailles devient:
I R1 V2
V1
R2
Circuit
R3 V3
ddpgnrateurs= RnI
n=1
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Lois de Kirchhoff
Loi des nuds
Sferme
courants=0
Conservation de la charge Volume enferm par la surface S Q : charge l intrieur de ce (J densit de courant travers S) volume
dQ + JdS=0 dt S
dQ 0 dt
JdS=0
S
Si on considre de petites variations de courant
Sferme
courants=0
Gnrateurs de tension et de courant

Reprsentation des gnrateurs
Gnrateur de tension
Caractristique idale
U
La tension est indpendante du courant dbit donc la rsistance interne est nulle Rext
VR =VSource
ext
Dmonstration
Rint Rext VSource
Rint +Rext
Si Rint <<Rext alors VRext = VSource Si on veut VRext = VSource I, il faut Rint=0
U
Gnrateur de courant
Caractristique idale
I
Le courant est indpendant de la tension applique


En rsum:
Un gnrateur de tension idal a une rsistance interne nulle Par un raisonnement identique on peut dmontrer quun gnrateur de courant idale doit avoir une impdance interne infinie. Une source de tension relle aura une rsistance interne faible mais non nulle Une source de courant relle aura une rsistance interne grande mais non infinie
Cest cette rsistance interne que lon dsignera par la suite sous le terme de Rsistance de source De mme, le rcepteur branch sur la source est essentiellement caractris par sa rsistance interne. On dit alors que l on charge le gnrateur (la source) par le rcepteur. Par extension tout rcepteur sera assimil sa rsistance interne et sera dsign par le terme de Rsistance de charge.
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Adaptation d impdance
I=
RS RCh V0
V0 R S + R Ch
2
R Ch .V02 P = R Ch .I = (R S + R Ch )2 P V02 .(RS + RCh ) 2 2.R Ch V02 .(R S + RCh ) = R Ch (R S + R Ch )4 V02 .(RS + RCh ).(R S R Ch ) P = 4 R Ch (R S + RCh )
La puissance P est donc maximum si:
C est dire si:

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R Ch = R S
P =0 R Ch
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Principe de superposition
Soit un circuit renfermant un certain nombre de gnrateurs (continus ou alternatifs de mme frquence ou de frquences diffrentes). Le courant qui traverse une branche quelconque du circuit est la somme des courants fournis par chacun des gnrateurs pris isolment, les autres gnrateurs n'tant prsents dans le circuit que par leurs rsistance (impdance) interne.
I V 1 R 1 V 2 R2
I1
R1
R3
V3 R 1 V 2 I3 R 1 R 2
V 1
R 2
I2
R 2
+
R 3 V 3
20
R 3
R 3
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Thorme de Thvenin
Considrons un circuit comportant plusieurs gnrateurs la mme frquence et divers lments passifs (rsistances, condensateurs, inductances). Ce circuit complexe peut tre remplac par un circuit ne comportant qu'un seul gnrateur de tension et une seule impdance en srie avec ce gnrateur. Cette impdance est appele impdance de Thvenin et le gnrateur de tension gnrateur de Thvenin (on parlera aussi de tension de Thvenin). Le calcul de la tension de Thvenin fait souvent appel au thorme de superposition. Le calcul de la rsistance de Thvenin se fait en annulant les sources. Si les gnrateurs sont idaux: Annuler un gnrateur de tension revient le remplacer par un court circuit Annuler un gnrateur de courant revient la remplacer par un circuit ouvert
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Thorme de Thvenin (suite)

R + E B A I
Calcul de la tension de Thvenin VR = RI VTh = E + RI Circuit quivalent de Thvenin:
A + RTh VTh = E+ RI B A
R
B
Pour avoir RTh on annule les sources:
RTh = R
Thorme de NORTON
On considre le circuit de Thvenin dbitant dans une rsistance (impdance) RC (ZC).
+ RTh VTh
A Rc B
Thorme: Le gnrateur de Thvenin (qui est un gnrateur de tension) peut tre remplac par un gnrateur de courant condition de brancher l'impdance de Thvenin en parallle sur la charge. V Th Dmonstration:Calculons le courant qui circule dans (1) I= R Th + R C Mettons en court circuit les points A et B
IN =
V Th R Th
I=
I N.R TH R Th + R C
In = Vth/Rth RTh
A Rc B
IN.RTh.RC VAB = RC.I = (RTh +RC)

RTh et RC sont donc bien en parallle.
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Exemple dutilisation des thormes prcdents

Soit le circuit suivant
R1 V2 A
V1
R2
R4
R3
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Exemple (suite)
Le thorme de superposition permet la simplification suivante:
R1 I V1 I1 I2 R2 R3 R4 B Rc A
I'=
V2 R1.R2 +R3+R4 R1+R2
V1 I= R 2.(R 3+R 4) R1+ R 2+R 3+R 4
R1
I' R2
V2 R4 R3
Rc B
I = I 1+I 2
I1 =
(R 4+R 3).I 1 = R 2.I 2

R 2.I R 2+R 3+R 4
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Superposition ----> Tension de Thvenin : VTh=R4(I1+I)

Cours d lectronique analogique 25
Exemple (suite)
Rsistance de Thvenin
R1.R2 R1+R2 R1
V1 R1 R2 R3 V2 R4 B A
R2
R4
R3
B
RTh
R4( R1.R2 +R3) R1+R2 RTh = R4+( R1.R2 +R3) R1+R2

A In A
NORTON
VTh
Rc
RTh
Rc
IN = VTh RTh
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Les trois composants passifs fondamentaux

La rsistance
Loi dOhm: u(t)=R.i(t) (u(t) en Volt, R en Ohms - -, i(t) en Ampres). Puissance: p(t)=u(t).i(t)=R.i2(t) Variation de la rsistance dun conducteur avec la temprature (en K):
R=R0(1+(TT0))
R0 : Rsistance la temprature T0 : coefficient thermique (en K-1)
La self
B V
Si V = v(t) variable dans le temps, B, le champ dinduction magntique lest aussi
Self-induction
27

La self (suite)
Le flux dinduction magntique est donn par:
(t)=B(t)dS
S
Ici, S est la surface sous-tendue par le conducteur et dS un lment de cette surface Le coefficient de self-induction, en HENRY, est donn par:
L(t)=
(t) i(t)
I(t) est le courant gnrant le champ dinduction magntique, B(t) et par consquent le flux dinduction magntique (t).
Caractristique courant-tension dune self, L

La caractristique courant-tension dune self (constante) est donne par:
u(t)=L.
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di(t) dt
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La self (suite)
Energie accumule Elle vaut:
E(t)= 1 L.i2(t) 2
Symbole de la self
Calcul dune self bobine (solnode)
N2S L= l
l : longueur en mtres du solnode S : section en mtres carrs N : nombre de spires de la self bobine : permittivit du milieu en VsA-1m-1
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La Capacit (condensateur)
Egalit des charges positives et ngatives
+ -
+ + + + -
Q C= = V
Q : charge positive stocke exprime en Coulomb V : ddp aux bornes du systme
La capacit C est exprime en Farad (F)
Caractristique courant-tension de la capacit
dQ(t) dCV(t) dV(t) i(t)= = =C dt dt dt
soit :
1 Ti(t)dt v(t)= C0
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La capacit (suite)
Energie accumule
Elle vaut
E(t)=1.C.v2(t) 2
Symbole de la capacit
Calcul dun condensateur plan
C=.S d
S surface des plaques en m2 d distance entre plaque en m constante dilectrique en AsV-1m-1
S d
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Le transformateur
Symbole
V1(t) n1 spires Relation entre entre et sortie V2(t) n2 spires
V2(t)=V1(t).n2 n1
Le transformateur
Puissances et adaptation dimpdance
Rentre ? VE VS Rcharge
Puissance en entre
2 VE PEntre= Rentre
Puissance en sortie
2 VS2 = VE PSortie= RCharge RCharge( n1 )2 n2
PEntre = PSortie
Rentre=( n1 )2.Rsortie n2
Signaux priodiques
Gnralits
v(t)
Signal priodique
Tension crte crte
T
Frquence :
t
Composante continue Valeur moyenne :
f= 1 = T
Vmoyen = 1 v(t)dt TT
Cest la composante continue
Tension efficace :
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Vefficace =
1 . v2(t)dt T T
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Signal sinusodal
Dans le cas d un signal sinusodal la tension peut sexprimer de manire gnrale par :
V0 : amplitude du signal sinusodal
v(t)= v0.sin(t+)
Frquence : Tension crte crte : Valeur moyenne :
f= 2
vcc=2.v0 vmoy =0
Vefficace= v0 2
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Valeur efficace :
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Signal sinusodal
Reprsentations
Reprsentation de Fresnel
i(t)
u(t) t
Si v(t)=v0sin(t) alors de manire gnrale i(t)=i0.sin(t+)
v(t) i(t)
i(t) est en phase avec v(t)
i(t)
i(t) est en avance de /2 sur v(t)
v(t)
i(t) est en retard de /2 sur v(t)
v(t)
i(t)
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Signal sinusodal
Notation complexe v(t) = v0ej (t+) v(t)=v0.cos(t+) v(t) = vcomplexee jt
La loi dOhm peut se gnraliser sous la forme o Z est appele limpdance complexe Si i(t) =i0ejt on peut calculer limpdance complexe des trois lments fondamentaux que sont la rsistance, la self et la capacit, soit :
: v(t) = Z.i(t)
Rsistance
Self
Capacit
di(t) v(t)=L. = jL.i0ejt dt v(t)=R.i(t)

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v(t)= 1 i(t)dt= 1 i 0ejt C jC
v(t)= jL.i(t)
v(t)= 1 .i(t) jC
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Rponse frquentielle
Considrons un circuit compos de rsistances, selfs et capacit (nous traiterons
plus loin le cas gnral des quadripoles).
Ventre
Circuit
Vsortie
Ce circuit est attaqu par un signal sinusodal dentre, ventre(t)= vinsin(t). On obtient alors en sortie un signal vsortie(t) = voutsin(t+) . On peut donc tudier la rponse du circuit, cest dire tudier la transformation, par le circuit, du signal dentre
Soit en amplitude Soit en phase (diagramme de BODE)
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Rponse frquentielle
On dfinit ainsi :
Gain du systme :
G= =
Signalsortie Signalentre
Les signaux dentre et de sortie peuvent tre des tensions, des courants ou des puissances
Dans ce dernier cas on utilise gnralement le dcibel (dB) dont la dfinition est:
G=10.Log( Psortie ) Pentre

Comme :
2 Vsortie Psortie= Rsortie
Gain en puissance
et que
2 Ventre Pentre= Rentre
Alors si Rsortie = Rentre on peut dfinir un quivalent pour les tensions et le gain devient alors: Vsortie
G(dB)=20.Log(
Ventre
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39
Rponse frquentielle (suite)

Diagrammes de Bode
Ce sont les diagrammes qui montrent la variation du gain en dB et du dphasage en fonction du Log de la pulsation
Exemple: circuit RLC 6 dB par octave 1er ordre
Gain en dB
12 dB par octave 2nd ordre
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Phase en degrs
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Le circuit RC
Passe-bas
=R.C
Ve= 1 Ve VS = ZC Ve= 1 j+1 R+ZC RjC+1
G=
1 j+1
G=
tg=
Amplitude : Dphasage :
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1 22+1
Im(G) = Re(G)
=arctg( )
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Le circuit RC (suite)
Passe-haut
VS= R Ve= jRC Ve= j Ve R+ZC jRC+1 j+1
G=
j j +1
G= tg=
Amplitude : Dphasage :
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22+1 Im(G) 1 = Re(G)
=arctg( 1 )= arctg( ) 2
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Le circuit RLC srie:
On applique ce dipole une tension e = eo cos t. = 0 ---> I = 0 L'impdance du dipole est donne par :
Z = R + jL + 1 = R + j (L - 1 ) jC C
Elle est minimum si :
(Lw - 1 )=0 Cw
=0= 1 LC
Si < o Si > o Si = o
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la partie capacitive l'emporte la partie inductive l'emporte le circuit se comporte comme une simple rsistance R

Le circuit RLC srie:
Le module du courant, est donn par :
i=
eo R2+(L 1 )2 C
il est donc maximum quand = o C'est le phnomne de rsonance. o est appele pulsation de rsonance.
i = eo A la rsonance = R
Un filtre est caractris par la valeur de la frquence laquelle il transmet "un maximum", o, mais aussi par sa largeur (bande passante). Par dfinition on choisit de mesurer la largeur lorsque l'amplitude est gale
maximum
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1/2 fois l'intensit du

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(Gain = -3dB).

On a donc :
e0 = e0 R 2 R2+(L 1 )2 C
L 1 =R C
LC2RC1=0 LC2+RC1=0
soit :
R2=(L 1 )2 C
dont on ne considre que les racines positives :
1= RC+ 2LC
on a aussi :
2= RC+ 2LC
12= R et 12 = R L 0 L0
On pose gnralement
Q= L0 R
et Q est appel cofficient de surtension.
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Circuit RLC (suite)
Afin de comprendre le terme Q analysons quelle est la tension aux bornes du condensateur. On a
v=ZCi= i jC et donc :
v=
e0 C R2+(L 1 )2 C
La tension aux bornes de la capacit sera maximum quand sera minimum, donc que :
C R2+(L 1 )2 C
d (C. R2+(L 1 )2 d C
2
R2C On trouve que cette condition est ralise si : LC =1 2L

Expression qui devient .
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Circuit RLC (suite) expression qui devient, si on remplace
2 LCmax =1 1 2 2Q
1 par o et L0 par Q R LC
A la rsonance la tension aux bornes de la capacit est trs suprieure la tension applique au circuit.
si Q >>1 alors : max = 1 =0
LC
Dans ce cas on a : v = e0
= e0L0 =Qe0 RC0 R
Si = 0 alors : vself = jL0e
vself =Zself .i= jL
et vself = L0e0 =Qe0
e R+ j(L 1 ) C
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Rponse temporelle
On peut distinguer diffrent rgimes de fonctionnement dun circuit. Il y a :
Le rgime permanent qui correspond au fonctionnement du circuit longtemps aprs que les signaux ont t appliqus ce mme circuit. Ce que lon a tudi avant correspond justement ce rgime permanent. Le rgime transitoire qui correspond ce qui se passe autour du temps t0 cest dire linstant o les signaux sont appliqus au circuit et ce jusqu ce que lon ait atteint le rgime permanent. Etudier ce rgime transitoire revient rsoudre mathmatiquement des quations ou des systmes dquations diffrentielles dordre 1 ou suprieur. Cette rsolution est grandement facilite par lutilisation du calcul oprationnel dont la Transforme de Laplace est un lment essentiel
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TRANSFORMATION DE LAPLACE
(Rgime transitoire)
f(t)=0
A une fonction f(t) telle que :
si si
t0 t>0
f(t)0
on fait correspondre une fonction F(p) o p est une variable complexe. Cette fonction F(p) est appele la transforme de Laplace de la fonction f(t) et est note :
F(p)=Lf(t)
ou encore f(t)]F(p)
0
Cette fonction F(p) est dfinie comme :

F(p)=eptf(t)dt
49
Proprits 1.
2.
Si alors f(t) = f1(t) + f2(t)
F(p) = F1(p) + F2(p)
La transforme de Laplace F(p) de f(t) (drive de f(t)) est gale :
F(p) = pF(p) f(0) F(p) = pF(p) De mme F(p) = p2F(p) pf(0) f(0) Si f(0) = 0 et f(0) = 0 alors F(p) = p2F(p)
Si f(0) = 0 alors Plus gnralement, si f(t) et toutes ses drives jusqu lordre n sannulent pour t = 0 alors :
dnf(t) ] pnF(p) dtn
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Proprits (suite)
Dmonstration de F(p) = pF(p)-f(0) Soit la fonction f(t). Sa transforme de Laplace est donc par dfinition:
F'(p)= eptf'(t)dt
0
En utilisant la mthode dintgration par parties on obtient:

0 pt e .f'(t)dt=[e .f(t)]0 pe .f(t)dt=f(0)+p e .f(t)dt pt pt 0 pt 0
f'(t) ] p.F(p)
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C.Q.F.D
F(p)
Par dfinition transforme de Laplace de f(t)
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Proprits (suite) 3. Considrons lintgrale
f(s)ds
0
t
(f(s)ds=0 pour t=0)

0
Alors
f(s)ds ]
0
F(p) p
Et plus gnralement :
F (p ) f(s)ds ] p a
t
f(s)ds
0
Dmonstration
f(t) ] F(p)
f(s)ds ] (p)
0
f(t)= d f(s)ds ] p(p) dt 0
Et donc :
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p(p)=F(p)
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Proprits (suite)
Thorme du retard Considrons une fonction f(t) telle que : f(t) = 0 pour tout t < 0
f(t)
Alors : Dmonstration : Par dfinition : Ce qui donne :
ap
f(t-a)
Lf(ta) = eapLf(t)
t
Lf(ta)=f(ta)eptdt
0
Posons :
0
z = t-a avec a>0
af(z)e
p(a+ z)
dz= f(z)e
a
p(a+ z)
dz+f(z)ep(a+z)dz
= 0 car f(z)=0 pour z0
=e f(z)epzdz=eapLf(t) 0
11/09/01
Le thorme du retard est trs utile pour trouver les transformes de Laplace des fonctions priodiques
Original f(t) Transforme F(p) Original f(t) Transforme F(p)
1 t tn
1 t
1 p 1 p2
n! pn+1
sin t eit
n entier
p2+2
1 pi
rel rel rel rel
e-atcos t e-atsin t
p+a (p+a)2+2
p
1 p+a
a rel ou complexe a rel ou complexe a rel ou complexe
(p+a)2+2
e-at te-at tne-at cos t

11/09/01
f(at) f(t-a) e-at f(t)

54
1F(p) a a
eapF(p)
1 (p+a)2 n! (p+a)n+1
p p2+2
F(p+a)
rel
EXEMPLES 1. Transforme de Laplace dun chelon
g(t) = 0 t<0 t 0 g(t) = A
h(t) = - g(t ) La fonction chelon f(t) est gale : f(t) = g(t) g(t- )
A
f(t) = 0 f(t) = A F(t) = 0 t<0 0<t< t>
Donc : Lf(t) = F(p) = L{g(t) g(t- )} = G(p) e- pG(p)
t
-A
h(t) = 0 t< h(t) = -A t>
En se reportant la table des transformes de Laplace, il vient:

11/09/01
Lf(t)=F(p)= A Aep= A(1ep) p p p

55
2. Transforme de Laplace dun signal rectangulaire f(t) A 2 t -A g(t)
h(t) = g(t-) F(t) = g(t) g(t- )
A -A
2 t h(t)
F(p)=G(p)epG(p)= A(1ep)(1ep)= A(1ep)2 p p
11/09/01
56
2. Transforme de Laplace dun signal rectangulaire priodique de priode T=2
g2(t) = g1(t-T) g3(t) = g2(t-T) = g1(t-2T) .. .. ..

Et soit G(p) la transforme de Laplace de la fonction g1(t) : G(p) = Lg1(t)
f(t) 2T t
g1(t)
g2(t) t
-A
-A
On a donc : F(p) = G(p)[1 + e-pT + e-2pT + e-3pT +]
Progression gomtrique
Tp 2 2
F(p)=G(p) 1pT 1e
11/09/01
avec
G(p)= A(1e p
57
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant
Soit un circuit RLC srie. A l'instant t = 0 appliquons au circuit une tension continue V. On a i(0) = 0. L'volution du courant rpond alors l'quation :
di(t) 1 t V=Ri(t)+L + i(t)dt dt C0

Appliquons la transformation de Laplace cette quation. On obtient alors:
V =Ri(p)+Lpi(p)+ 1 i(p) p Cp
Cherchons les racines p1 et p2 du dnominateur >0
i(p)=
V Lp2+Rp+ 1 C
2 racines relles ngatives 2 racines imaginaires conjugues 1 racine double relle ngative 2 racines imaginaires pures
58
=R 4L C
2
11/09/01
<0 =0 R=0
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant Dans le cas gnral (2 racines p1 et p2) on pourra mettre i(p) sous la forme:
i(p)=
V = A + B =i1(p)+i2(p) (pp1)(pp2) (pp1) (pp2)

1 2
A= V p1p2 B= V p1p2
En prenant la transforme de Laplace inverse L-1 on obtient :
L1[i1(p)+i2(p)]=i1(t)+i2(t)=i(t)=Aep t +Bep t
Si > 0 p1 et p2 rels ngatifs
Amortissement
11/09/01
59
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant (suite)
Si < 0 p1 et p2 imaginaires conjugus Oscillations amorties p1 = - a + i p2 = - a i
i(t) = e-at(Aeit + Be-it )
11/09/01
60
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant (suite)
Si = 0 1racine double relle ngative p0 Amortissement critique
i(p)=
V (pp1)2
i(t)=tep t
0
Si R = 0 p1 = i p2 = i Oscillations non amorties
i(p)= A + B pi p+i
i(t) = Aeit + Be-it
11/09/01
61
Original f(t) Transforme F(p) Original f(t) Transforme F(p)
1 t tn
1 t
1 p 1 p2 n! pn+1
p
sin t eit
n entier
p2+2
1 pi
rel rel rel rel
e-atcos t e-atsin t
p+a (p+a)2+2
(p+a)2+2
e-at te-at tne-at cos t

11/09/01
1 p+a 1 (p+a)2 n! (p+a)n+1 p p2+2
a rel ou complexe a rel ou complexe a rel ou complexe
f(at) f(t-a) e-at f(t)

62
1F(p) a a
eapF(p)
F(p+a)
rel

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Email :davitaya@crmcn.univ-mrs.fr http://www.crmcn.univ-mrs.fr/electro

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