Cours EA Master

Université Ibn Tofail
Facultés des sciences

Département de physique
Kenitra
Support de cours
Electronique analogique 1
Electronique analogique 2
1ère année Master Electronique Embarquée

1ère année Master Energie Renouvelable
Pr. Omar MOUHIB
Année universitaire 2014-2015

Sommaire
Sommaire de la partie I : Electronique analogique 1
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire…………………………………………………………5

1.1- Introduction
1.2- Structure et fonctionnement d’un transistor
1.3- Montages de base des transistors
1.4- Modes de fonctionnement du transistor
1.5- Réseaux de caractéristique du transistor NPN
1.6- Effet Early
1.7- Principaux paramètres des transistors bipolaires
1.8- Polarisation du transistor
1.8.1- Droite de charge statique - Droite d'attaque statique
1.8.2- Polarisation par une résistance de base
1.8.3- Polarisation par réaction d'émetteur
1.8.4- Polarisation par pont diviseur
1.8.5- Polarisation par réaction de collecteur.
1.9- Transistor Bipolaire en régime dynamique
1.9.1- Introduction
1.9.2- Modèle équivalent basse fréquence :
1.9.3- Modèle équivalent en haute fréquence (Modèle Giacoletto)
1.9.4- Réponse fréquentielle du transistor
Chapitre 2 : Amplification linéaire à transistor bipolaire…………………………….…..23
2.1- Généralités sur l’amplification
2.1.1- Définition
2.1.2- Différents types d’amplification
2.1.3- Amplification en tension
2.1.4- Amplification en courant
2.1.5- Bilan de puissance
2.1.6- Bande passante
2.1.7- Dynamique de sortie maximum
2.1.8- Distorsion
2.2- Montages fondamentaux du transistor bipolaire
2.2.1- Montage émetteur commun
2.2.2- Montage collecteur commun
2.2.3- Montage base commune
2.2.4- Comparaisons des montages
2.3- Mise en cascade de plusieurs amplificateurs
O. MOUHIB 1 Cours d’Electronique Analogique

Sommaire
2.4- Influence des capacités de liaison et capacité de découplage

2.4.1- Influence de la capacité de liaison (couplage)
2.4.2- Influence de la capacité de découplage.
2.4.3- Réponse en haute fréquence
Chapitre 3 : Amplificateur en hautes fréquences………………………….……………..35
3.1- Introduction
3.2- Théorème de Miller :
3.3- Montage émetteur commun en HF.
3.4- Facteur de mérite :
3.5- Montage base commune en HF.
3.6- Montage cascode
Chapitre 4 : Amplificateur de puissance…………………………………………………...43
4.1- Introduction
4.2- Caractéristique d’un amplificateur de puissance
4.3- Les classes d’amplification de puissance.
4.4- Critères de sélection d’une classe d’amplification
4.5- Amplificateurs de puissance Classe A
4.6- Amplificateurs de puissance Classe B
4.7- Amplificateurs de puissance Classe AB
Chapitre 5 : Montages à plusieurs transistors…………………………………………….55
5.1- Introduction
5.2- Amplificateurs à liaison directe
5.3- Liaison par condensateur entre deux étages
5.4- Montage Darlington
5.5- Pseudo-Darlington (paire de Sziklai)
Chapitre 6 : Amplificateur différentiel………………………………………………….....61
6.1- Généralité
6.2- Etude statique
6.2.1- Polarisation du montage.
6.2.2- Analyse du montage en « mode différence »
6.2.3- Analyse du montage en « mode commun »
6.3- Etude dynamique
6.3.3- Coefficient de différentiation
6.3.4- Amélioration du montage

Sommaire
Sommaire de la partie II : Electronique analogique 2
Chapitre 1 : Rappels…………………..………………………………………………….....69
1.1- Théorème de THEVENIN et de NORTON
1.2- Théorème de MILLMAN
1.3- Diviseurs de tension et de courant :
1.4- Dipôles élémentaires passifs : Equation de fonctionnement
1.5- Quadripôles en régime sinusoïdal
1.6- Paramètres d’un quadripôle
1.6.1- Impédance d’entrée
1.6.2- Impédance de sortie
1.6.3- Fonction de transfert
1.6.4- Diagramme de Bode :
Chapitre 2 : Montages fondamentaux avec les Amplificateurs Opérationnels………….75
2.1- Présentation
2.2- Caractéristique de transfert
2.3- AO idéal ou parfait :
2.4- Fonctionnement en régime linéaire
2.4.1- Montage inverseur
2.4.2- Montage non inverseur
2.4.5- Sommateur (ou Additionneur)
2.4.6- Soustracteur
2.4.7- Dérivateur
2.4.8- Intégrateur
2.5- Fonctionnement en régime saturé
2.5.1- Comparateur simple
2.5.2- Comparateur à hystérésis (Trigger de Schmitt)
2.5.3- Multivibrateur
Chapitre 3 : Filtrage Analogique ……..................................................................................85
3.1- Définition :
3.2- Les filtres passifs :
3.3- Les filtres actifs :
3.3.1- Structure de RAUCH
3.3.2- Structure de SALLEN KEY
3.3- Synthèse d’un filtre analogique :
Chapitre 4 : Les Oscillateurs sinusoïdaux………………………..……..............................95
4.1- Introduction :

Sommaire
4.2- Principe :
4.3- Les oscillateurs à résonateur LC
4.3.1- Structure de HARTLEY
4.3.2- Structure de COLPITTS
4.3.3- Exemple: Oscillateur de Clapp à transistor bipolaire
4.5- L’oscillateur à quartz
4.6- Les oscillateurs à résistance négative
Chapitre 5 : Boucle à verrouillage de phase………………………………………...........103
5.1- Définition :
5.2- Structure générale d’une P.L.L.
5.3- Principe de fonctionnement
5.4- Modélisation de la PLL
5.5- Etude de la stabilité
5.6- Etude de la précision
Chapitre 6 : Modulation et Démodulation…………………………………..…..………..107
6.1- Introduction :
6.2- Principe de la modulation
6.3- Modulation d’amplitude (AM)
6.3.1- Modulation AM à porteuse non transmise (DSB)
6.3.2- Spectre du signal DSB :
6.3.3- Puissance du signal DSB.
6.3.4- La démodulation synchrone
6.3.5- Modulation AM à porteuse transmise (AM-P)
6.3.6- Spectre du signal AM-P :
6.3.7- Puissance du signal AM-P.
6.3.8- Démodulation synchrone
6.3.9- Démodulation par détection d’enveloppe
6.3.10- Rapport signal sur bruit
6.4- Modulation de fréquence – Modulation de phase
6.4.1- Principe :
6.4.2- Caractéristique de l’onde PM
6.4.3- Caractéristique de l’onde FM
6.4.4- Spectre du signal FM
6.4.5- Encombrement fréquentiel
6.4.6- Puissance véhiculée du signal FM
6.4.7- Démodulation cohérente FM
6.4.8- Démodulation par déphasage
Références…………………………………………………………………………………..119

Partie I
Electronique Analogique 1
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire
1- Introduction
Inventé en 1948 par les physiciens américains Bardeen, Brattain et Shockley, le transistor est un
composant à semi-conducteur qui remplit deux fonctions vitales en électronique: celles
d'amplificateur (c'est un générateur de fort courant en sortie commandé par un faible courant en
entrée) et de commutateur (à la manière d'un interrupteur marche/arrêt).
Le terme transistor est la contraction des termes anglais : transfer et resistor. Il s’agit d’une mise
en série de trois couches semiconductrices. Les transistors peuvent être classés en trois classes
principales:
− Les transistors bipolaires (Bipolar Junction Transistor, BJT)
− Les transistors unipolaires : Ce sont les transistors à effet de champ (FET : Field Effect
Transistor) et il existe deux types de FET : le JFET et le MOSFET.
− Les transistors IGBT : sont des hybrides de bipolaire et de MOSFET, principalement
utilisés en électronique de puissance.
Chaque classe a des propriétés spécifiques qui sont exploitées de manière ciblée dans la pratique.
Le transistor bipolaire reste très utilisé dans les circuits à composants discrets ou les circuits
intégrés qui exigent :
- Des courants de sortie élevés (étage de sortie/puissance) ;
- Une grande vitesse de commutation (Circuits logiques ultra-rapides) ;
- Un gain de tension élevé ;
- Un faible bruit ;
- La réalisation de fonctions linéaires à hautes performances.
Le but de ce chapitre est de donner un aperçu de la structure et du principe de fonctionnement des
transistors bipolaires.
2- Structure et fonctionnement d’un transistor
2.1 Structure du transistor bipolaire
Un transistor bipolaire est formé d’une série de trois couches NPN ou PNP de matériel dopé
semiconducteur, tel qu'illustré sur le schéma ci-dessous. Chaque "zone" est reliée à une électrode:
base (B), émetteur (E), collecteur (C). La base est très mince et son épaisseur est de l'ordre de
quelques microns seulement.
O. MOUHIB -5- Cours d’Electronique Analogique 1

Chapitre 1 – Le transistor bipolaire
Dans une première approche on peut donc voir ce composant comme deux diodes montées en
opposition (attention deux diodes ne pourront jamais faire un transistor, les jonctions PN devant
se trouver dans le même cristal). On distingue deux types de transistors bipolaires, les transistors
NPN et les transistors PNP.
Le transistor NPN (PNP) est constitué par :
- Une couche N (P) fortement dopée constituant l’émetteur.
- Une couche P (N) très mince et faiblement dopée constituant la base.
- Une couche N (P) peu dopée constituant le collecteur.
Le tableau ci-dessous donne une vue d’ensemble de ces composants.
La structure réelle est très différente du schéma de principe et dépend de la méthode de

fabrication du transistor. Du fait des différences de dopage entre l’émetteur et le collecteur, le
transistor ne fonctionne pas comme deux diodes montées tête-bêche. On peut dire alors que :
L'émetteur est impérativement plus dopé que la base:
détermine le gain en courant du transistor.
La base est une région extrêmement mince:
détermine les propriétés du transistor.
Le collecteur est faiblement dopé:
permet au transistor de supporter des tensions élevées

Le terme bipolaire est dû au fait que le passage du courant électrique dans le transistor vient de la
circulation de charges positives (trous) et de charges négatives (électrons) contrairement à un
matériau conducteur électrique, comme le cuivre, où seuls le déplacement des électrons crée le
courant.
Les transistors NPN sont plus utilisés que les transistors PNP. Ceci est essentiellement dû au fait
que le courant principal est un courant d’électrons. Ils seront donc ”plus rapides”, c’est-à-dire
qu’ils possèderont des fréquences de travail plus élevées.
2.2 Principe de fonctionnement d’un transistor (Effet transistor)
Nous prendrons le cas d'un type NPN dans lequel on polarise la jonction, base-émetteur en direct
( VBE > 0 ), et la jonction base-collecteur en inverse ( VBC < 0 ). Cela signifie que les électrons de
l’émetteur arrivent dans la base sous forme d'un courant de diffusion puisque la barrière de
potentiel a été annulée. De la même manière les trous de la base diffusent vers l'émetteur. Il y’a
des recombinaisons électrons-trous dans la base mais comme le nombre d’électrons injectés est
très supérieur au nombre de trous et comme la base est très mince, beaucoup d’électrons
échappent aux recombinaisons, sont attirés dans le collecteur car la polarisation entre la base et le
collecteur est inverse. Alors il y a un courant de collecteur qui dépasse beaucoup l’intensité du
courant de base. La relation entre le courant de collecteur et le courant de base I C / I B est autour
de 100/1 pour des transistors d’applications générales. Cette relation est appelée facteur
d’amplification de courant ou le gain en courant β .
Ce rapport de proportionnalité est un paramètre intrinsèque au transistor et ne dépend que des

caractéristiques physiques du transistor.
En résumé, le transistor est un composant électronique géré par la relation I C = β I B . Cette

relation traduit la possibilité de contrôler un courant important I C à l’aide d’un courant beaucoup
plus faible I B d’où son utilisation à grande échelle en amplification qui est un avantage majeur
d’un transistor.
2.3 Equations d'un transistor
Considérant le transistor NPN et son symbole (figure 2.3), sa
description passe par l'écriture des équations ci-dessous :
1- Equation des tensions : VCE = VCB + VBE
2- Equation des courants : I E = I B + I C
Figure 2.3

VBE
3- Equation de la jonction base-émetteur conductrice : I B = I SB e VT

, où VT est le potentiel
kT
thermique équivalent à l'énergie thermique kT des porteurs de charge q : VT = = 26mV à
q
T=300K, et I SB est le courant de saturation inverse de la jonction BE
V
 V  VBET  V 
4- Equations du courant de collecteur : I C = β I SB 1 + CE e = β 1 + CE  I B ≅ β I B avec V A
 VA   VA 
est la tension d’Early (voir paragraphe 6)
3- Montages de base des transistors

Il y a différents circuits de base constitué de transistors : le montage émetteur commun, base
commune et collecteur commun. Le nom du circuit indique quelle borne du transistor est
commune à l’entrée et à la sortie du montage. Ces circuits sont présentés brièvement ci-dessous.
3.1 Montage émetteur commun
Le montage émetteur commun est le montage d’amplification le
plus important dans la technique. L’émetteur est ici l’électrode de
référence. La tension d’entrée ve ainsi que la tension de sortie v S
se réfèrent à l’émetteur.
Il est utilisé pour des circuits d’amplification de signaux généraux,
mais aussi comme commutateur. Certains circuits spéciaux seront
discutés plus en détails plus loin.
3.2 Montage base commune
Dans ce montage, la base sert comme référence. La tension d’entrée
se situe entre l’émetteur et la base. Ce circuit est prédestiné pour des
applications hautes fréquences, parce que la base est connectée avec
la masse et sert ainsi comme blindage entre la sortie et l’entrée. Ceci
évite une influence (capacitive) du signal de sortie sur l’entrée.
3.3 Montage collecteur commun
Comme troisième possibilité il y a le montage collecteur commun utilisé en adaptation
d’impédance.
3.4 Caractéristiques des montages

Les trois montages peuvent être distingués par les paramètres suivants :
v
• Résistance d’entrée Re = e .
ie
v
• Résistance de sortie RS = S .
iS

iS
• Facteur d’amplification de courant Ai = .
ie
v
• Facteur d’amplification de tension Au = S .
ve
• Fréquence de coupure f '−3dB .
Le tableau ci-dessous donne une comparaison entre ces paramètres.
Montage Re RS Ai Au f '−3dB
Emetteur commun moyenne élevée élevée Elevée basse
Base commun petite moyenne <1 Elevée élevée
Collecteur commun Très élevée petite élevée <1 basse
4- Modes de fonctionnement du transistor

En fonction du courant I B injecté sur la base, le régime de fonctionnement du transistor sera
différent. Pour étudier le régime de fonctionnement d’un transistor, il faut dissocier chaque
jonction
Cela conduit à l’étude de deux circuits :
- Le montage sur la jonction BE : le circuit de commande (Source)
- Le montage sur la jonction CE : le circuit commandé (Charge)
Si l’on considère l’état bloqué et l’état passant de chaque jonction, on dénombre quatre modes de
fonctionnement possibles:
VBE
Mode actif normal Saturation
I B > 0 et I C = β I B I B > 0 et I C = I Csat
⇒ VCE ≠ 0 ⇒ VCE = VCEsat ≈ 0.2V VBC
Blocage Mode actif inverse

I B = 0 ⇒ IC = 0
− le transistor est en fonctionnement normal direct lorsque la jonction de commande BE est

en polarisation directe et que la jonction BC est en polarisation inverse;
− le transistor est saturé lorsque ses deux jonctions sont en polarisation directe.
− le transistor est bloqué lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse ;
− le transistor est en fonctionnement normal inverse lorsque la jonction de commande BE
est en polarisation inverse et que la jonction BC est en polarisation directe;
Notez que le régime « mode actif inverse » est d’un intérêt pratique secondaire.

5- Réseaux de caractéristique du transistor NPN

Pour caractériser complètement le fonctionnement d’un transistor, il faut déterminer 6 grandeurs,
I B , I C , I E , VBE , VBC et VCE . Les relations : I E = I B + I C et VCE = VCB + VBE font qu’on fait quatre de
ces grandeurs sont indépendantes.
On considère le transistor comme un quadripôle, et on prenant le montage émetteur commun, les

bornes d’entrée du quadripôle sont la base et l’émetteur, les grandeurs d’entrée sont I B et VBE .
La sortie se fait entre le collecteur et l’émetteur, les grandeurs correspondantes sont I C et VCE .
V   H H12   I B 
On utilise les paramètres hybrides :  BE  =  11
 I C   H 21 H 22  VCE 
Le réseau de caractéristique permet donc une détermination expérimentale des paramètres
hybrides H. Pour procéder au relevé des caractéristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les
paramètres d’entrée I B et VBE sont maintenus constants et on mesure I C lorsque VCE varie. On
constate avec ce montage l’influence de la température sur les valeurs mesurées. Pour limiter
l’auto-échauffement du transistor par le courant de collecteur, il ne faut appliquer les tensions que
pendant la durée de la mesure.
IC
mA RC
RB IB
µA
VBB VCE VCC
V
VBE mV
Figure 5.1- montage de relevé de caractéristique

Pour un NPN on trace:
- La caractéristique d’entrée : I B = f (VBE )
- La caractéristique de transfert : I C = f (I B ) à VCE constante.
- La caractéristique de sortie : VCE = f (I C ) à I B constant.
O. MOUHIB - 10 - Cours d’Electronique Analogique 1

Figure 5.2- Réseaux de caractéristique du transistor NPN
Observations :
− La fonction I C = f (VCE ) est maîtrisée par la valeur du courant de base I B . Celle-ci
comporte essentiellement deux domaines; la partie où I C est peu variable pour une valeur
de I B c’est le régime linéaire, la partie coudée où le transistor est en régime saturé.
− La fonction VBE = f (I B ) est celle d’une jonction PN entre la base et l’émetteur.
− La fonction I C = f (I B ) caractérise « l’effet transistor » en régime linéaire. C’est une
droite de pente β (ordre de grandeur de β ≈100).
− En régime linéaire I C ≈ β I B , VBE ≈ 0,6V .
− En régime saturé I C = I Csat < β I B et VCE = VCEsat ≤ 0.4 Volt .

− Au point M0 le transistor est bloqué. Entre son collecteur et son émetteur le transistor est
équivalent à un interrupteur ouvert : I B = 0 ⇒ I C = 0 .
− Au point M1 le transistor est saturé. Entre son collecteur et son émetteur le transistor est
équivalent à un interrupteur fermé.
− Par la variation spontanée du courant I B de 0 à I B 4 ou inversement on peut passer de M0
à M1 ou inversement. Dans ce type de fonctionnement tout ou rien on dit que le transistor
fonctionne en commutation.
− En faisant varier I B tout en conservant le transistor en régime linéaire on peut utiliser le
transistor en amplificateur de courant.
6- Effet Early :
Théoriquement, dans sa zone de fonctionnement linéaire, le courant de collecteur I C d'un
transistor bipolaire ne devrait pas être influencé par la tension collecteur-émetteur VCE . En réalité,
la hausse de cette tension VCE modifie légèrement le courant de collecteur. C'est ce qu'on appelle
l'effet Early. Cet effet est provoqué par la variation de l'épaisseur de base en fonction de la
tension appliquée sur la jonction collecteur-base. Lorsque le courant de base I B est faible, l'effet

se fait moins ressentir. Par contre, plus le courant de base est grand, plus l'effet Early se
manifeste.
Si on trace le réseau de courbes I C = f (VCE ) à I B constant on observe qu’il converge vers un
point que l'on nomme la tension d'Early VA (Fig.6). Cette tension est très grande elle vaut dans les
130V pour les transistors NPN.
Cet effet Early peut donc être modélisé par une résistance mise en parallèle entre le collecteur et
l’émetteur : la source de courant ainsi crée possède une résistance parallèle de fuite. L’ensemble
constitue alors une source de courant non parfaite.
Figure 6- Effet Early dans un transistor bipolaire.
7- Principaux paramètres des transistors bipolaires

Le choix d'un transistor se fera en considérant les paramètre suivants :
I C max Courant de collecteur maximum. A partir de cette valeur, le gain en courant β va fortement
chuter et le transistor risque d’être détruit.
VCE max Tension que peut supporter le transistor ou tension de claquage. Au delà de cette tension, le
courant de collecteur I C croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor
β Le gain en courant (paramètre essentiel en amplification)
VCE Sat Tension de saturation (utile en commutation)
PTot max puissance maximale que peut dissiper un transistor, donnée par la formule : VCE × I C
ton / toff Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )
8- Polarisation du transistor
Il faut maintenant imposer le mode de fonctionnement du transistor (bloqué, saturé ou linéaire).
C'est à dire qu'il faut se fixer les grandeurs I B , I C , VBE et VCE . Ces grandeurs vont être imposées
par les éléments extérieurs au transistor. Suivant les valeurs de I B , I C , VBE et VCE , le transistor va
fonctionner en régime linéaire, bloqué ou saturé.
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans une zone où
ses caractéristiques sont linéaires. Polariser un transistor correctement consiste donc à choisir
les éléments du circuit d’encadrement (les résistances et les source de tension ou de courant) de

telle façon que le transistor fonctionne à tout instant dans le mode actif normal, car ce mode
correspond au régime linéaire. Pour cela on applique sur les trois électrodes du transistor des
potentiels continus de valeur convenables. Nous allons étudier les montages dans lesquels
l’électrode commune est l’émetteur. En entrée, on impose I B et VBE et en sortie, on déduit I C et
VCE .
Quand nous parlons de polarisation, nous parlons uniquement de tensions continues, et ce sont
ces tensions continues qui vont permettre le fonctionnement correct en alternatif. Quand nous
utiliserons la fonction amplification par exemple, nous appliquerons un signal alternatif à l'entrée
et nous le récupérerons agrandi à la sortie, ceci ne sera possible que si les tensions continues sont
présentes.
A partir du réseau de caractéristiques, il est aisé de déterminer le point de fonctionnement.
8.1- Droite de charge statique - Droite d'attaque statique
Sur la caractéristique I C = f (VCE ) du transistor à I B constante, on trace la droite de charge
statique donnée par l’équation : VCE = VCC − RC I C . Egalement on peut tracer la droite
VBE = VBB − RB I B sur la caractéristique d’entrée appelée alors droite d’attaque.
Le point d'intersection entre la droite de charge statique et la caractéristique de sortie du transistor
nous donne le point de fonctionnement P0 , P1 ou P2 du montage.
- Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor fonctionne dans la zone linéaire.

- Si le point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est bloqué.
- Si le point de fonctionnement est en P3 alors le transistor est saturé.
Nous allons maintenant déterminer les éléments extérieurs qui vont permettre de faire fonctionner
le transistor dans la zone linéaire.
8.2- Polarisation par une résistance de base
La façon la plus simple de polariser un montage de type « émetteur commun » est représentée sur
le schéma ci-contre.

Analyse du point de polarisation

VCC − VBE
– Maille base-émetteur : I B =
RB
 V − VBE 
– De la relation I C = β I B , on déduit I C 0 = β  CC 
 RB 
– Maille collecteur-émetteur (droite de charge statique) :
VCE = VCC − RC I C
 V − VBE 
⇒ VCE 0 = VCC − RC β  CC 
 RB 
Le point de repos Q (I C 0 ; VCE 0 ) dépend beaucoup de β . Or, ce gain en courant varie d’un
transistor à l’autre bien que la référence soit la même et varie fortement en fonction de la
température. Avec un tel montage, le point de polarisation du transistor n'est pas maîtrisé. On lui
préfère donc des montages plus complexes mais dont le point de polarisation dépend moins du
gain en courant β du transistor.
8.3- Polarisation par réaction d'émetteur
Le schéma de polarisation par l’émetteur permet, moyennant le choix adéquat des composants, de
réduire la sensibilité du point de fonctionnement vis-à-vis des variations de température. Il
nécessite néanmoins l’utilisation de deux sources de tension.
- Maille base-émetteur : RB I B + VBE + RE I E = VEE , comme
VEE − VBE 0
I E = (1 + β )I B on peut écrire I B 0 =
RB + (β + 1)RE
- De la relation I C 0 = β I B 0 , on déduit
VEE − VBE 0 V − VBE 0
IC0 = β ≈ EE
RB + (β + 1)RE 1 R + R
β B E
- Maille collecteur-émetteur (Droite de charge) :

VCE 0 = VCC + VEE − RC I C 0 − RE I E 0
Ainsi, le courant I C peut être rendu peu sensible aux variations de β si RB << β RE , et à celles
de VBE VEE >> VBE ≈ 0,7V . Quand ces deux conditions sont satisfaites, on a,
si
V
approximativement, I C 0 ≈ EE dont la valeur numérique est fixée par le circuit d’encadrement (et
RE
non par les paramètres intrinsèques du transistor).

8.4- Polarisation par pont diviseur

On peut améliorer le circuit précédent et n’utiliser qu’une seule source d’alimentation en
polarisant la base par un "pont" constitué de deux résistance RB1 et RB 2 (Fig. 8.4).
Pour faciliter le calcul, on applique le théorème de Thévenin au circuit d'entrée et on obtient le
schéma de la figure 3.12.
RTh
ETh
Figure 8.4- Polarisation par pont diviseur

RB1 et RB 2 sont choisies de telle sorte que I B soit faible devant I1 . En remplaçant le diviseur
{RB1; RB 2 } par son modèle de Thévenin, il vient
VTh − RTh I B = RE (I B + I C ) + VBE , avec VTh =
RB 2 R R
VCC et RTh = B1 B 2
RB1 + RB 2 RB 1 + RB 2
V − VBE 0
En prenant : β + 1 ≈ β , De la relation I C = β I B , on déduit I C 0 ≈ Th
1
RE + RTh
β
et VCE 0 = VCC − (RC + RE )I C 0 (droite de charge)
Par conséquent, d’une façon similaire au schéma de polarisation par l’émetteur, I C est peu
sensible aux variations de β si RTh << β RE . Il est également peu sensible aux variations de VBE
si VBE << VTH . Lorsque ces deux conditions sont remplies, on a I C 0 ≈ VTh RE
Le point de repos Q (I C 0 ; VCE 0 ) est donc stable en température et l’interchangeabilité des

transistors est possible.
8.5- Polarisation par réaction de collecteur.
Appelée aussi polarisation automatique, on ramène la résistance de base au collecteur plutôt qu'à
l'alimentation.
VC − VBE
- Maille base-émetteur : I B = , (8.5)
RB
- De la relation I C = β I B , et en remplaçant VC = VCC − RC (I C + I B ) ,

VCC − VBE V − VBE

on déduit : I C 0 = β ≈ CC
RB + (β + 1)RC 1 R + R
B C
β
- Maille collecteur-émetteur (Droite de charge) : VCE 0 = VCC − RC I C 0
D’une façon similaire aux autres schémas de polarisation, on en déduit que I C est peu sensible
aux variations de β si RB << β RC . I C est également peu sensible aux variations de VBE si
VCC >> VBE . Lorsque les deux conditions sont remplies, on a I C 0 ≈ VCC RC .
Le mécanisme de la réaction est le suivant : une augmentation de la température entraîne une
diminution de VBE et une augmentation de β . Par conséquent, I C augmente, la chute de tension
aux bornes de RC augmente et VC diminue. Par (8.5), I B diminue et, via l’effet transistor, induit
une diminution de I C qui s’oppose à son augmentation initiale
Remarquez que dans ce montage, le collecteur se trouve toujours à une tension supérieure ou
égale à celle de la base. Par conséquent, le transistor n’entre jamais en saturation.
9- Transistor Bipolaire en régime dynamique

9.1- Introduction
Nous avons vu comment calculer la polarisation c-à-d le point de fonctionnement continu
(statique) du montage de la figure 8.4. On utilisera un indice 'o' pour désigner les tensions et les
courants correspondant au point de fonctionnement statique qu'on désigne aussi par position de
repos. Nous allons voir maintenant ce qui se passe si (à partir d'un instant t0 ) on fait varier
légèrement le courant I B autour de sa position de repos I B 0 .
Si I B augmente ⇒ I C = β I B augmente aussi (β fois plus vite).
Si I B diminue ⇒ I C = β I B diminue aussi (β fois plus vite).
Si I B varie sinusoïdalement autour de I B 0 (Fig. 9.1a) avec une amplitude ∆I B , alors iC varie
sinusoïdalement autour de I C 0 avec une amplitude ∆I C = β ∆I B , en effet :
I B = I B 0 + ∆I B sin(ωt ) = I B 0 + ib et I C = β iB = β I B 0 + β ∆I B sin (ωt ) = I C 0 + ∆I C sin(ωt ) = I C 0 + ic
Regardons maintenant comment varie la tension VCE : VCE = VCC − (RC + RE )I C , donc, si I C
augmente, VCE va diminuer, et si I C diminue, VCE va augmenter, on dit que VCE varie en
opposition de phase avec I C . (Voir Figures ci-dessous)
Figure 9.1a

Pour injecter la tension alternative ve sans que cela n'altère la polarisation du transistor en
modifiant le point de fonctionnement statique, on utilise des capacités de liaison (Fig.9.1b) qui
seront considérées comme des courts-circuits parfaits pour les signaux alternatifs et comme des
circuits ouverts pour les courants et les tensions continus. La tension sur la base du transistor est
la somme de la tension continue VB et de la tension d'entrée (variable) ve . La variation de VB
provoque la variation du courant I B , et par conséquent celle de I C , VCE et vS .
Pour calculer la relation entre la variation de VB (= ve ) et la variation de VC (= vS ), on utilise un

modèle du transistor plus adapté pour le calcul des signaux variable.
VCC
RC
R B1 C2
C1
j
vS
vE CE
RB 2
RE
Figure 9.1b
9.2- Modèle équivalent basse fréquence du transistor bipolaire :
Le transistor est un quadripôle, les constructeurs fournissent généralement des fiches
signalétiques présentant les paramètres hybrides relativement au montage émetteur commun.

Rappel du Quadripôle
On rappelle qu’un quadripôle comme celui de la figure 9.2a peut être décrit par ses paramètres
hybrides de la façon suivante :
 v1   h11 h12  i1 
  =   
 i2   h21 h22  v2 
i1 i2
v1 Q v2
Figure 9.2a – Quadripôle

On peut alors remplacer le quadripôle par les éléments linéaires suivants (Fig. 9.2b) :
i1 i2
h11
h21 i1
1
v1 h12 v 2 v2
h22
Figure 9.2b – Schéma équivalent d’un quadripôle linéaire

Le quadripôle «Transistor émetteur commun»
On peut considérer le transistor monté en émetteur commun comme un quadripôle comme le
montre la figure 9.2c.
iC
iB
vCE
v BE
Figure 9.2c – Transistor émetteur commun

Les équations relatives à cette modélisation sont :
vBE = h11 ⋅ iB + h12 ⋅ vCE

 iC = h21 ⋅ iB + h21 ⋅ vCE
dv BE β
Avec : h11 = = rBE = est l'impédance d'entrée du transistor
diB v CE = cte
gm

dv BE rBE
h12 = = → 0 car rCB → ∞ est un terme de réaction interne. Il sera le plus
dvCE i B = cte
rCB
souvent négligé.
di
h21 = C = β est le gain du transistor
diB v = cte
CE
diC 1
h22 = = est l'admittance de sortie du transistor, Elle caractérise l'effet Early.
dvCE i B = cte
rCE
L'interprétation graphique des différents paramètres peut être lue sur les courbes caractéristiques
de la façon suivante :
Pour donner un ordre de grandeur de cas paramètres, prenons les caractéristiques d'un transistor
du type 2N3904 :
h11 = 3,5KΩ
h12 = 1,3 10− 4
h21 = 120
h22 = 8,5µS
Evidemment, ces paramètres ne sont valables que pour un point de repos donné, dans ce cas
I C = 1mA . En général, on néglige l'effet de h12 , qui est extrêmement faible. Le schéma
équivalent utilisé en basse fréquence devient donc (Fig 9.2d) :
iB iC
B C
β ib = g m vBE
vBE rCE vCE
rBE
E E
Figure 9.2d- schéma équivalent basse fréquence du transistor bipolaire

9.3- Modèle équivalent en haute fréquence du transistor bipolaire :

En haute Fréquence, il faut tenir compte des capacités intrinsèques du transistor qui sont dues
principalement à l'effet de stockage des porteurs minoritaires dans la base et à la capacité de
transition de la jonction Base Collecteur polarisée en inverse. Pour les simuler, on introduit les
capacités internes CB ' E et CB 'C . Pour cela, on introduit un point B' entre base et émetteur qui
n'existe pas physiquement. Il s'agit d'une autre approche d'un modèle de Giacoletto représenté
suivant une structure de quadripôle en π, qui met en avant la transconductance du transistor g m . Il
est représenté à la Fig. 9.3
rB 'C
B iB CB 'C iC
rB ' B B’ C
vBE CB ' E rCE

rB ' E vCE
g m vB ' E
vB ' E
E E
Figure 9.3- Schéma de Giacoletto valable en haute fréquence

Ce circuit valable en petits signaux fait apparaître la base B' appelée base intrinsèque qui n'est pas
physiquement accessible. La résistance rB ' B représente la résistance de la zone d'accès à la base
intrinsèque. Elle est présente dans tous les transistors et constitue la principale limitation à
l'utilisation HF des transistors bipolaires.
Les différents éléments du schéma équivalent se déduisent des caractéristiques du transistor de la
façon décrite ci-après.
Transconductance g m
La transconductance g m encore appelée pente du transistor est obtenue à partir de la
caractéristique I C = f (VB ' E ) du transistor.
V B 'E
En régime de polarisation normale nous avons en effet : I C ≅ I S e VT

.
Pour de faibles variations de VB ' E autour du point de polarisation I C 0 ; VB ' E 0 on peut écrire :
V B 'E 0
∂I C I I k ⋅T
gm = = S ⋅ e VT = C 0 avec VT = = 26mV à 300K
∂VB ' E VT VT q
Ainsi pour un courant I C 0 = 2,6mA la transconductance est de 100mA/V = 100mS. Cette forte
valeur de la transconductance est une caractéristique des transistors bipolaires.
Résistance d'entrée rB ' E
La résistance rB ' E représente la résistance dynamique de la caractéristique d'entrée du transistor
I B = f (VB ' E ) . Pour les petites variations de I B et de VB ' E on peut écrire, en tenant compte de:
δI
δVB ' E = rB ' E ⋅ δ I B = C
gm

1 δ I C h21
d’où rB ' E = ⋅ =
gm δ I B gm
Le gain en courant, la résistance d'entrée et la transconductance sont liées par la relation:
h21 = β = g m ⋅ rB ' E
Exemple: g m = 100mA/V ; β = 100 ⇒ rB ' E = 1kΩ
Résistance de réaction rB 'C
A partir du schéma équivalent de Giacoletto on peut redéfinir le coefficient h12 du transistor par:
δVB ' E rB ' E r

h12 = = , et comme h12 << 1 on a rB 'C >> rB ' E donc rB 'C ≅ B ' E
δVCE rB ' E + rB ' C h12
Exemple : h12 = 10 −4 ; rB ' E = 1kΩ ⇒ rB 'C = 10kΩ
La résistance rB 'C en parallèle avec CB'C qu'on appelle capacité Miller, situées entre l'entrée et la
sortie du montage est très grande, et elle sera souvent négligée.
Capacité CB ' E
La capacité CB ' E représente la somme de la capacité de diffusion de la jonction base-émetteur et
de la capacité de transition. Lorsque la jonction base émetteur est polarisée en direct la capacité
de diffusion est prépondérante et sera donnée par :
dI
CB ' E = τ B
d VB ' E
Mais le courant de diffusion de la base I constitue la plus grande partie du courant collecteur ou
de la même façon du courant collecteur. On a donc:
dI
CB ' E = τ B = τ B ⋅ g m (*)
d VB ' E
Remarque : La largeur de la base n'étant pas accessible à la mesure, il n'est pas possible de
déterminer le temps de transit des électrons dans la base τ B . La détermination de la capacité CB ' E
se fera de manière indirecte à partir de la mesure de la fréquence de transition du transistor.
D'ores et déjà on peut donner l'ordre de grandeur de CB ' E ≅ 100pF .
Capacité CB 'C
C'est la capacité de transition de la jonction collecteur-base polarisée en inverse. Elle est donc très
faible de l’ordre de 3pF
9.4- Réponse fréquentielle du transistor

A partir du circuit équivalent de Giacoletto en haute fréquence, on peut calculer le gain en
courant du transistor. Celui-ci est défini par:
β ( jω ) =
IC
IB V =0
CE
En négligeant la résistance rB 'C le gain en courant β est donné par:

β ( jω ) =
gm
 1 
 + jω ⋅ (CB ' E + C B ' C )
 rB ' E 
On peut ainsi mettre le gain en courant sous la forme:
β0 gm β0
β ( jω ) =
1
avec β 0 = g m ⋅ rB ' E et ω β = =
1+ j
ω rB ' E (C B ' E + C B 'C ) C B ' E + C B 'C
ωβ
Diagramme de Bode : Le gain en courant est analogue à celui d’un filtre passe-bas du premier
ordre de fréquence de coupure f β = ωβ 2π .
12
  f 2 
β dB = β 0 dB − 20 log10 1 +   
  fβ  
   
L'allure du gain en courant pour les montages émetteur commun est représentée sur la figure
suivante :
iC iB (dB )
β0
− 20dB/dec
f (Hz )
fβ fT
On définit dans ce cas la fréquence de transition f T comme étant la fréquence pour laquelle le
gain en courant iC ib est égal à 1. Au-delà, le transistor devient un atténuateur de courant.
Autrement dit, f T représente la fréquence maximale d’utilisation du transistor. Elle est indiquée
dans les datasheets constructeurs de transistors.
On peut facilement démontrer que f T = β 0 ⋅ f β ce qui est une caractéristique de tout système
intégrateur du premier ordre. Et on peut l’exprimer en fonction des différents éléments du circuit :
ωβ 1 gm
fT = β0 ⋅ f β = β0 ⋅ = ⋅
2π 2π CB ' E + C B 'C
En régime de polarisation normale on a: CB ' E >> CB 'C et, en tenant compte de la relation (*) on a:
1
fT =
2π ⋅ τ B
Cette relation nous permet de déterminer la constante de temps des porteurs minoritaires dans la
base. On constate de plus que le principal facteur limitant la fréquence des transistors bipolaires
est l'épaisseur de la base.

Chapitre 2 : Amplification linéaire à transistor bipolaire
2.1- Généralités sur l’amplification

2.1.1- Définition
Un amplificateur est un circuit actif capable d’amplifier un signal d’entrée, amplifier signifiant
augmenter la puissance du signal.
Structure générale d’un circuit d’amplification :
Source de
puissance
iE iS
Signal à
amplifier vE Amplificateur vS Charge
Figure 1.1- Schéma de principe d’un amplificateur

- Le signal à amplifier : il est peut être une antenne, un circuit électronique ou un capteur qui
transforme un phénomène physique en une énergie électrique. Dans plusieurs cas, cette énergie
est de faible puissance et par conséquent, elle doit être amplifiée avant de l’envoyer à la charge.
- La charge : c’est un dipôle passif qui absorbe de l’énergie électrique et la transforme en une
autre énergie. Exemples : haut-parleur, relais…
- L’amplificateur et sa source de puissance : l’amplificateur est alimenté par une ou plusieurs
sources de tensions continues. Le rôle de l’alimentation est de polariser les éléments actifs
(transistors) dont l’organisation constitue l’amplificateur.
2.1.2- Différents types d’amplification
Il existe quatre types d’amplificateurs :
Rs
i e i s
Re Avv e
v Re Ai Rs
v e
s i e
Amplificateur de tension Amplificateur de courant

Chapitre 2 – Amplificateur à transistor bipolaire
Rs
i s
i
Gv m e
e
v e Re Rs Re Rim e
v s
Amplificateur de transconductance Amplificateur de transrésistance

v s (t )
Amplification en tension à vide : Av =
ve (t ) i = 0
S
– Le gain en tension à vide : Gv = 20 log( Av ) exprimé en décibel (dB) ;
is (t )
Amplification en courant en court-circuit : Ai =
ie (t ) v = 0
S
– Le gain en courant en court-circuit : Gi = 20 log( Ai ) exprimé en dB ;
is
Amplification de transconductance : Gm =
ve v = 0
s
vs
Amplification de transrésistance : Rm =
ie i = 0
s
On définit également :
vs (t ) ⋅ is (t ) Ps
Amplification en puissance : AP = Av ⋅ Ai = =
ve (t ) ⋅ ie (t ) Pe
– Le gain en puissance : GP = 10 log( AP ) exprimé en dB
ve
–La résistance (ou impédance) d’entrée : RE = ;
ie i = 0
s
vs
–La résistance (ou impédance) de sortie : RS = ;
is v = 0
e
Nous avons introduit ci-dessus le gain en tension à vide et le gain en courant en court-circuit. Or,
un amplificateur n’est jamais utilisé à vide ou en court-circuit. Il attaque, c’est à dire qu’il fournit
le signal qu’il amplifie à un système pouvant être représenté par une résistance.
Ainsi, tout amplificateur peut, dans la réalité, être représenté par le schéma de la figure 1.2b avec,
entre les bornes de sortie, la résistance d’entrée du système qu’il attaque (notée RL ).

ie is
RS
ve Av ve RL
RE
Figure 1.2b – Amplificateur représenté avec la résistance d’entrée du montage qu’il attaque.
En tenant compte de la présence de la résistance d’entrée RL du montage attaqué par
l’amplificateur, les véritables valeurs des gains en tension et en courant ne sont plus Gv et Gi .
La tension v S délivrée en sortie de l’amplificateur ne vaut pas Av ⋅ v E mais :
RL
v S = Av ⋅ v E ×
RL + RS
Av
La valeur de l’amplification en tension, en présence de la résistance RL est donc : Av′ =
R
1+ S
RL
Cette formule importante nous guidera dorénavant pour le choix d’un amplificateur. En effet, en
étudiant la formule donnant Av′ , on constate que Av′ est maximisé en prenant RL >> RS . Ainsi, si
l’on souhaite posséder un amplificateur de tension, on choisira une impédance de sortie faible.
En résumé, pour obtenir une bonne amplification en tension, on s’efforcera de choisir :
– une forte impédance d’entrée ;
– une faible impédance de sortie.
De façon analogue à l’amplificateur en tension, l’amplification en courant d’un amplificateur en
fonctionnement normal ne peut être considéré comme égale à son amplification en court-circuit.
A ⋅v
En effet, en présence de RL (Fig. 1.2b), le courant de sortie prend la valeur iS′ = v E contre
RS + RL
A ⋅v
iS = v E en court-circuit.
RS
Ainsi, la valeur de l’amplification en courant, lorsque l’amplificateur est chargé par une
i′ A ⋅v R A ⋅R
résistance RL , devient : Ai′ = S = v E × E ⇒ Ai′ = v E
iE RS + RL ve RS + RL
Dans le but d’améliorer au maximum l’amplification, on peut remarquer que la valeur Ai′ sera
d’autant plus élevée que :
– RE sera grande (forte impédance d’entrée);
– RS sera faible (faible impédance de sortie).

Remarque : L’amplification en courant n’apparaîtra pas dans l’étude des montages

fondamentaux. En effet, il est aisé, à l’aide de l’amplification en tension, de l’impédance
d’entrée, de l’impédance de sortie et de la formule de Av , de déterminer l’amplification en
courant pour une charge donnée.
2.1.5- Bilan de puissance
La puissance de sortie, en général plus élevée que la puissance d’entrée, ne sort évidemment pas
du néant. Elle provient d’une source auxiliaire (pile, alimentation, etc.) appelée source de
polarisation.
Pentrée + Ppolarisation = Psortie + Pdissipée
Psortie
Le bilan de puissance d’un amplificateur est le suivant : η =
∑ Pforurnie
Tout amplificateur possède une plage d’utilisation limitée en fréquence appelée « bande
passante ». On appelle fréquence de coupure haute, FCH , la fréquence au-dessus de laquelle
l’amplificateur n’amplifie plus (ou amplifie moins) et la fréquence de coupure basse, FCB , la
fréquence au-dessous de laquelle il n’y a plus d’amplification (Fig. 1.6). La fréquence de coupure
basse peut être nulle dans certaines applications. En pratique, on définit la fréquence de coupure
lorsque l’amplification chute de 3 dB.
Bande passante = FCH - FCB
Figure 1.6 – Réponse en fréquence d’un amplificateur

2.1.7- Dynamique de sortie maximum
Quand on augmente l’amplitude du signal d’entrée appliqué à un amplificateur, il y a une
amplification maximum du signal de sortie (tension et/ou courant) au-delà de laquelle
l’amplificateur refuse de suivre :
– d’une part le signal de sortie se déforme beaucoup quand on augmente encore l’amplitude du
signal d’entrée, jusqu’à, dans certains cas, devenir pratiquement rectangulaire, quelle que soit la
forme du signal d’entrée ;
– d’autre part une augmentation du signal d’entrée ne provoque plus d’augmentation du signal de
sortie au-delà de cette limite.
Cette limite est appelée dynamique de sortie maximum, elle se mesure en volts ou parfois en
ampères si la grandeur de sortie est un courant. La valeur de la dynamique de sortie est liée aux
sources et au circuit de polarisation, mais le lien n’est pas toujours évident.

2.1.8- Distorsion
Lorsque le signal d’entrée d’un amplificateur est un signal sinusoïdal, et le signal de sortie n’est
pas forcément sinusoïdal, on parle de distorsion. Le signal de sortie est un signal de même
période que le signal d’entrée et, comme toute fonction périodique, il peut être décomposé en
série de Fourier.
Soit T la période du signal d’entrée et f sa fréquence. Le signal de sortie S peut se mettre sous la
forme :
S (t ) = S + S1 sin (ω t + ϕ1 ) + S 2 sin (2ωt + ϕ 2 ) + L + S n sin(nωt + ϕ n )
4204
1 3 1442443 1444444 424444444 3
valeur moyenne fondamental harmoniques
Le taux de distorsion harmonique d’un amplificateur est défini par :
valeur efficace des harmoniques
d=
valeur efficace du fondamental
S 22 + S 32 + L + S n2
d’où : d =
S1
En pratique un calcul des deux ou trois premières harmoniques suffit pour obtenir une bonne
précision sur le résultat. D’un point de vue des mesures, il existe un appareil appelé le
distorsiomètre capable de mesurer d.
2.2- Montages fondamentaux du transistor bipolaire
Dans l’étude d’un circuit à transistors, l’application du théorème de superposition nous permettra
de distinguer deux phases :
– Recherche du point de polarisation P,
– Etude du circuit équivalent en courant alternatif.
Ainsi, après avoir trouvé le point P, on annule toutes les sources continues, on court-circuite les
condensateurs de couplage et de découplage pour obtenir un circuit équivalent en courant
alternatif.
2.2.1- Montage émetteur commun
C’est le premier montage du transistor bipolaire que nous allons étudier. Il est représenté à la
figure 2.1a. Le condensateur sert à isoler le générateur de tension alternative afin d’éviter qu’il ne
soit traversé par un courant continu. En régime dynamique (petits signaux), le transistor peut être
remplacé par son schéma équivalent et nous obtenons la figure 2.1b.
VCC
RB1 RC C2
C1
vE vS
RB 2 RE

Figure 2.1a – Montage émetteur commun.
β iB
h11
vS
vE RB RC
RE
Figure 2.1b – Montage émetteur commun, schéma équivalent en régime dynamique

Par définition, l’amplification en tension est égale au rapport v S v E à vide (l’amplificateur étant
chargé sur une impédance infinie). Ainsi on a :
vS = − β ⋅ iB ⋅ RC
v E = h11 ⋅ iB + (β + 1)⋅ iB ⋅ RE
− β RC
D’où : Av =
h11 + (β + 1)RE
Le signe − indique que v S et v E sont en opposition de phase.
Il est aisé de constater que plus RE est importante, plus Av est faible. Or RE est indispensable
pour la polarisation du transistor. On est donc amené à introduire la notion d’émetteur découplé.
On introduit une capacité en parallèle avec RE pour la contourner en alternatif ( 1 C << RE aux
fréquences utilisées) comme le montre la figure 2.1c.
VCC
RB1 RC
C2
C1
vE CE vS
RB 2 RE
Figure 2.1c – Montage émetteur commun à résistance d’émetteur découplée.

β ⋅ RC
La valeur de l’amplification en tension est alors : Av = − , h11 dépend du courant traversant
h11
kT e kT e R ⋅I
le transistor : h11 = =β× d’où : Av = − C C ≈ −40 ⋅ RC ⋅ I C pour T ≈ 20°C
IB IC kT e
Le gain en courant Ai est égal à β puisque la source de courant liée débite un courant β fois
plus grand que le courant émetteur-base iB : Ai = β

2.2.4- Amplification en puissance

Le gain en puissance est égal au produit des deux gains Av et Ai .
β ⋅ RC β 2 ⋅ RC
Ap = Av × Ai ≈ − ×β = −
h11 h11
Il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source d'entrée sans la perturber ; il
doit rester le plus neutre possible vis à vis de cette source, surtout s'il s'agit d'un capteur de
mesure. La grandeur représentative est l'impédance d'entrée Z e : C’est l’impédance du circuit vue
de l’extérieur en « regardant vers l’entrée »:
ve
Ze =
ie i = 0
s
En se reportant à la figure 2.1b, il vient : ve = h11 ⋅ ib + (β + 1) ⋅ RE ⋅ ib

ve
ie = + ib
RB
h
d’où : ie =  11 +
(β + 1)RE + 1i
b
 RB RB 
ce qui donne :
Ze =
(h11 + (β + 1) RE ) RB
h11 + (β + 1) RE + RB
La valeur de l’impédance d’entrée est donc :
Z e = RB // (h11 + (β + 1) RE )
Cette expression peut être simplifiée sous certaines conditions :
– résistance d’émetteur découplée ( RE = 0 en alternatif) : Z e ≈ RB // h11
– RB >> h11 et résistance d’émetteur découplée : Z e ≈ h11

Même chose vis a vis de la charge branchée en sortie du montage, qui va utiliser le signal
amplifie : il va falloir regarder dans quelle mesure l'étage à transistor n'est pas perturbé par cette
charge. La grandeur représentative est l'impédance de sortie Z e
vs
Zs =
is v = 0
e
vs = RC (is _ ic )

ic = h22 v s + h21ib ⇒ Z S = RC // h22−1
v = 0 ⇒ i = 0
 e b
En conservant l’hypothèse h22−1 >> RC , il vient : Z S ≈ RC

2.2.7- Conclusion
Le montage émetteur commun est un montage permettant une bonne amplification. Celle-ci sera
d’autant plus élevée que RC sera grande, mais alors l’impédance de sortie sera élevée.
Dans le montage émetteur commun, on a ve = VBE , il s’agit d’une attaque en tension donc le
signal de sortie présentera des déformations si la tension ve est trop importante (supérieure à
quelques millivolts). Par conséquent, le montage émetteur commun ne peut être attaqué que par
une source ayant une résistance interne faible et de bas niveau. Il doit être suivi par un étage
adaptateur.
2.3- Montage collecteur commun
- Donner le schéma équivalent "petit signal"

- Donner les expressions de Av , Ai , Z e , Z s .
2.4- Montage base commune
- Donner le schéma équivalent "petit signal"

- Donner les expressions de Av , Ai , Z e , Z s .
2.5- Comparaisons des montages

Le tableau 2.4a résume le fonctionnement des amplificateurs à émetteur commun (EC), à
collecteur commun (CC) et à base commune (BC).

Emetteur Commun Base commune Collecteur commun

Gain en tension − β ⋅ (Rc // RL ) β ⋅ (Rc // RL ) Av ≈ 1
Av = Av =
h11 h11
environ 100 environ 100
Gain en courant Ai = β Ai = 1 Ai = β
Gain en puissance ≈ 10 4 De 50 à 500 De 50 à 1000
Impédance Z e = h11 // RB h11 Z e = (h11 + β RE ) // RB
Ze =
d’entrée β
moyenne de 1 kΩ à élevée de 100 kΩ à
10 kΩ très faible de 1 à 100 Ω 1 MΩ
Impédance de Z s = RC Z s = RC h11 RE
Zs =
sortie h11 + β RE
moyenne de 10 à très élevé de 100 kΩ à
100 kΩ 1 MΩ Très faible de 1 à 100 Ω
Tableau comparatif des différents montages
L’étage émetteur commun (le plus utilisé) amplifie de façon importante en courant et en
tension.
L’étage collecteur commun n’amplifie pas en tension, mais présente une très grande
impédance d’entrée et une très faible impédance de sortie, d’où son emploi fréquent en étage
adaptateur en tension (suiveur).
L’étage base commune n’amplifie pas en courant, mais présente une faible impédance
d’entrée. Son utilisation se limite à l’emploi en haute fréquence.
2.6- Mise en cascade de plusieurs amplificateurs
Il est souvent nécessaire d'obtenir un gain en tension supérieur à ce que l'on peut obtenir avec
l'étage vu précédemment. Dans ce cas, on mettra plusieurs étages en cascade (appelé une chaîne
d'amplification) pour multiplier leurs gains. Or le gain en tension d'un amplificateur constitué de
plusieurs étages égal au produit des gains des différents étages n’est vrai que dans deux cas :
Les amplificateurs utilisés sont parfaits c'est à dire que leur impédance d'entrée est infinie
et leur impédance de sortie est nulle. De tels amplificateurs sont impossibles à réaliser
dans la pratique.
Les gains des différents étages sont des gains en charge, c'est à dire qu'ils ont été calculés
en tenant compte de l'impédance de charge de chaque amplificateur.
On remarque d'après ce qui précède que le montage collecteur commun (CC) n'est pas un bon
amplificateur car il a un gain voisin de l'unité mais il a une impédance d'entrée élevée et une
faible impédance de sortie. On s'en sert comme adaptateur d'impédance.
Fig. 5.24 – Association de plusieurs amplificateurs en cascade

Considérons la cascade de la fig. 5.24. Très naturellement, si les gains en tension des étages
individuels sont représentés par Avi , où i = 1, 2, 3 est l’indice de l’étage, le gain total est donné
par le produit des gains Avi . Il est courant d’exprimer les gains en décibels, ce qui donne la
relation :
Gv (dB ) = 20 log10 ( Av ) = 20 log10 ( Av1 ⋅ Av 2 ⋅ A3 ) = 20 log10 ( Av1 ) + 20 log10 ( Av 2 ) + 20 log10 ( Av 3 )
= Gv1 (dB ) + Gv 2 (dB ) + Gv 3 (dB )
Ainsi la résistance d’entrée est la résistance d’entrée vue par le premier étage alors que la
résistance de sortie est la résistance de sortie du dernier étage.
2.7- Influence des capacités de liaison et capacité de découplage
2.7.1- Influence de la capacité de liaison (couplage)
Les capacités de couplage sont des capacités de liaison qui servent à bloquer la composante
continue du signal de polarisation et de transmettre le signal alternatif à un point donné du circuit.
Ainsi, le signal alternatif à l’entrée et à la sortie de l’amplificateur sera composé d’une
composante continue de polarisation et une composante alternative du signal à amplifier.
La valeur de ces capacités doit être choisie de telle façon que leurs impédances soient
négligeables aux fréquences de travail de l’amplificateur. Cette technique présente cependant un
désavantage : les condensateurs de liaisons imposent au circuit une fréquence basse limite en
dessous de laquelle la transmission du signal ne se fait plus.
Nous prendrons comme exemple le montage émetteur commun. L’amplificateur peut se
modéliser par le schéma suivant incluant les condensateurs de liaison d’entrée et de sortie.
Rg RS
C1 C2
eg
RE Av ve RL vs
ve
ω ω
j j
vs ω1 ω2 RL Re 1
= A0 ⋅ ⋅ A0 = Av ⋅ ⋅ ω1 =
eg 1+ j
ω
1+ j
ω
avec
RL + Rs Re + Rg
;
(Re + Rg )C1 ;
ω1 ω2
1
ω2 =
(Rs + RL )C2
On peut donc tracer le diagramme de Bode de cette fonction de transfert, en prenant ω1 < ω2
puisque l’impédance d’entrée est en général beaucoup plus grande que celle de sortie.

Fig12-b : Courbe de gain

Le système se comporte comme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est ω2 En effet,
c’est la plus grande fréquence qui détermine la fréquence de coupure basse de l’amplificateur
Dans le cas où nous considérons le montage émetteur commun découplé, les condensateurs de
découplages introduisent une fréquence de coupure basse supplémentaire, ainsi le calcul de la
fréquence de coupure basse doit tenir compte de la fréquence de coupure introduite par cette
capacité.
2.7.2- Influence de la capacité de découplage.
La capacité de découplage permet de ramener un point du circuit à la masse vis-à-vis des
variations et plus précisément aux fréquences de travail de l’amplificateur. Ces condensateurs de
découplage des émetteurs des différents transistors imposent également une fréquence de
coupure, bien que celle-ci soit généralement inférieure à celles imposées par les condensateurs de
liaisons.
VCC
RB1 RC
C2
Rg C1
RL vS
eg CE
RB 2 RE
v
Montage amplificateur émetteur commun découplé

Pour calculer la fréquence de coupure, on va appliquer le théorème de Thévenin aux bornes du
condensateur C E .
RTh
eTh CE
v

C’est un circuit RC passe bas avec la fréquence de coupure f C = 1 (2π ⋅ RTh ⋅ C E ) . Le point E sera
une masse quasi parfaite pour les fréquence très supérieures à f C
2.8- Réponse en haute fréquence

Un amplificateur à transistors est également limité en hautes fréquences. Cette limitation est due
aux condensateurs internes au transistor (capacités de diffusion, de transition) que leur effet n’est
plus négligeable. Les circuits équivalents aux circuits d’entrée et de sortie sont des filtres passe-
bas. Une étude analogue à celle faite pour les basses fréquences permet de définir une fréquence
de coupure haute. A noter que la fréquence de coupure haute la plus faible correspondra à la
limite haute fréquence du même montage.
2.9- Bande passante
C’est la différence entre les fréquences de coupures hautes et basses. Lors de la mise en cascade
de plusieurs étages, il faut noter que la bande passante résultante est inférieure à la plus petite des
bandes passantes individuelles.
Gain en tension
BF et MF
A0
HF
TBF
Ici on néglige
Cbc et Cbe , CE , C1
f
Prise en compte
f1 f2 Prise en compte
CE et C1 de Cbc et Cbe de
En Très Basse Fréquence (TBF) :

1 1 1 1
f ≤ f1 ⇒ et sont très grands, et et ne sont plus très faibles.
Cbeω Cbcω C Eω C1ω
En Basse Fréquence (BF) :
1 1 1 1
f1 ≤ f ≤ f 2 ⇒ et restent très grands, et et restent très faibles.
En Haute Fréquence (HF) :
1 1 1 1
f ≥ f2 ⇒ et ne sont plus très grands, et et sont très faibles
Influence de la fréquence d’utilisation :
Les limites en fréquence ont deux principales origines :
→ En basse fréquence, elles sont dues, comme nous venons de le voir ci-dessus, aux capacités de
liaisons et de découplage.
→ En haute fréquence, elles sont dues aux capacités internes des jonctions du transistor Cbe et
Cbc (voir chapitre 1, paragraphe 9.4) .

Chapitre 3 : Amplificateur en hautes fréquences
3.1- Introduction
Lorsque le transistor fonctionne à hautes fréquences, on élimine les capacités de liaisons et de
découplages (équivalentes à des court-circuits en haute fréquence), et on tient compte des effets
capacitifs. Ceux-ci proviennent des jonctions entre la base et l’émetteur, et la base et le collecteur.
Dans le circuit équivalent, il faut aussi tenir compte des différentes résistances de la base et du
collecteur.
On rappelle le schéma équivalent du transistor en haute fréquence (Schéma Giacolleto) :
iB CB 'C iC
B B’ C
rB ' B
vBE CB ' E
rB ' E rCE vCE
g m vB ' E
vB' E
E E
Dans ce modèle, interviennent les capacités parasites qui rendent les paramètres du transistor
complexes en haute fréquence.
La capacité CB ' E viendra court-circuiter rB ' E en haute fréquence (elle est généralement de l'ordre
de 30 pF). La capacité CB 'C (appelée aussi capacité Miller) est placée entre l'entrée et la sortie du
transistor. En haute fréquence, elle réinjecte le signal amplifié vers l'entrée. L'analyse est dans ce
cas particulièrement complexe car cette capacité intervient à la fois dans le circuit de sortie et
d'entrée. Le théorème de Miller permet de fractionner cette capacité entre le circuit d'entrée et
celui de sortie de sorte à simplifier l'analyse.
3.2- Théorème de Miller :
Si on place une impédance entre l'entrée et la sortie d'un amplificateur de gain A, cette impédance
peut se partager de part et d'autre de l'amplificateur de cette façon :
Z
ie iS
ie iS
ve A vS ve Z em A Z Sm vS
Pour différencier les impédances Z em et Z sm des impédances d’entrée et de sortie de

l’amplificateur complet, nous avons mis les indices em et sm au lieu de e « entrée » et s « sortie ».
Ces deux impédances équivalentes en entrée et en sortie de l’amplificateur peuvent être
Z Z⋅A
retrouvées à l’aide des relations suivantes : Z em = , Z sm =
1− A A −1
Démonstration du théorème de Miller.

Chapitre 3- Amplificateur en hautes Fréquences
vs
A représente l'amplification en charge: A = ⇒ v S = A ⋅ ve
ve
Z Z
ve = vS + Z ⋅ ie = A ⋅ ve + Z ⋅ ie ⇒ ve = ⋅ ie = Z em ⋅ ie ⇒ Z em =
1− A 1− A
De même :
1 Z⋅A Z⋅A
v S = v e + Z ⋅ iS = ⋅ vS + Z ⋅ iS ⇒ vS = ⋅ iS = Z sm ⋅ iS ⇒ Z sm =
A A −1 A −1
3.3- Montage émetteur commun en HF.
Soit le schéma suivant :
VCC
RB1 RC
C2
Rg C1
RL vS
eg CE
ve RB 2 RE
Le circuit comporte un condensateur de liaison à l'entrée et à la sortie. Dans un premier temps,

nous allons négliger le condensateur de découplage et considérer sa capacité infinie.
Le schéma équivalent total du montage est le suivant où on néglige la résistance de contact RB ' B
de la base (les points B et B’ seront confondus)
C1 CBC C2
rg vCE
CBE
RB rBE rCE RC RL
eg g m vBE
vBE
Comme nous l'avions vu précédemment, seules les capacités CB ' E et CB 'C du schéma équivalent
interviennent en hautes fréquences. On élimine donc les capacités C1 et C2 . Le nouveau schéma
équivalent devient :

CBC
rg
CBE
RBeq RCeq vS
eg g m vBE
vBE
Dans ce cas précis, il convient d'appliquer le théorème de Miller qui permet de répartir la capacité
CBC entre l'entrée et la sortie de l'amplificateur. Pour cela, nous devons d'abord calculer le gain
en tension de l'étage (gain maximum dans la bande passante, sans les capacités). Ce gain est égal
à − g m ⋅ RCeq (montage émetteur commun, on rappelle g m = h21 h11 ). Ainsi, la capacité CBC peut
se décomposer en deux capacités Cem à l’entrée de l’amplificateur et Csm à la sortie de
l’amplificateur suivant les deux relations suivantes :
Cem = C BC (1 + g m RCeq )
Csm = C BC (1 + 1 g m RCeq )
Avec RCeq = rCE // RC // RL

Le nouveau schéma équivalent simplifié devient donc :
rg
CBE Csm
RBeq RCeq
eg g m vBE vS
v BE
Cem
En calculant le gain en tension vS eg , on trouve :
vS  RBeq  1
= − g m RCeq  

eg  RBeq + rg  1 + j ω 1 + j ω 
 ωs  ωe 

1
Avec ωe =
(rg // RBeq )(CBE + Cem )
1
ωs =
RCeqCsm
Il est clair que la fréquence de coupure en "hautes fréquences" est déterminée par la fréquence la
plus basse. Dans ce cas, en comparant les deux fréquences f s et f e , on voit bien que f e est la
fréquence haute du montage EC : f H = f e = ωe 2π .
Diagramme de Bode en amplitude (échelle semi-log) :

vs / eg (dB )
Av
− 20dB/dec
− 40dB/dec
f (Hz )
fe fs
Diagramme de Bode en phase
3.4- Facteur de mérite :

La bande passante d'un amplificateur est définie par la différence f H − f B . Cependant, la valeur
de la fréquence de coupure basse est très inférieure à f H . On peut donc approximer la bande
passante de l'amplificateur comme étant égale à f H . Comme nous venons de le voir, cette bande
passante est fortement liée à la valeur de la capacité Miller, car celle-ci correspond au produit de
CBC avec le gain de l'amplificateur. On peut donc en conclure que la bande passante du montage
amplificateur dépend directement de la valeur du gain en tension.
En général, les fabricants ne donnent pas la valeur de CBC parce que cette capacité est trop
difficile à mesurer directement. Par contre, ils donnent le « Produit Gain-Bande passante »,
également appelé « facteur de mérite » noté M, qui correspond à la fréquence à laquelle le gain en
courant d'un transistor chute à 1.
− g m ⋅ RCeq ⋅ rg ⋅ RBeq
Si on prend l'exemple du cas précédent : M = Av ⋅ f H =
2π (rg + RBeq )(C BE + g m RCeqCBC )
On fait apparaître dans cette expression la fréquence de transition f T du transistor et la fréquence

R 1
de coupure de la sortie f S : M = Av ⋅ f H = Ceq
Rg 1 1
+
fT f S
R 1
Sachant que f T >> f S , on peut écrire M = Av ⋅ f H = Ceq f S =
Rg 2π rg C BC
Ce résultat est très important, en effet, il montre que le choix de la résistance rg et du transistor
fixe alors la performance en HF du montage émetteur commun. Pour améliorer, il faut utiliser
une résistance rg plus faible et (ou) un transistor ayant une capacité CBC de valeur inférieure.

Le facteur de mérite ou le produit gain bande est donc une constante : si on augmente le gain Av
alors on diminue f H !
vs / eg (dB )
Av′
Av
f (Hz )
f H′ fH
3.5- Montage base commune en HF.

Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la
masse. Dans cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie
étant récupéré au collecteur.
VCC
RC
RB1 C2
C1
CB rg RL vS
RB 2 RE vE
eg
Le pont RB1 / RB 2 disparaît car il est shunté en alternatif par le condensateur de découplage CB .
La base est bien le potentiel commun entrée/sortie. Le schéma équivalent, aux petites variations,
du montage base commune en HF est donné :
E C
gm vB ' E
rB ' E CB ' E CB 'C
rg
vBE vS
RE B' RCeq
eg
rB ' B
La résistance rB ' B d’accès à la base interne du transistor peut être négligée devant rB ' E .
En pratique, ce montage sera très peu utilisé. Cependant, il apporte un intérêt dans les montages à
haute fréquence, car l’effet de la capacité Miller est fortement diminué, ce qui permet une bande

passante plus importante à celle du montage émetteur commun. Il est aussi souvent utilisé dans
les amplificateurs à plusieurs étages car son courant d'entrée dépend très peu de sa tension de
sortie
Suivant le type de montage, le gain en courant d'un amplificateur varie fortement. Dans un
montage émetteur commun, il est de l'ordre de β, alors que dans un montage base commune, il est
de l'ordre de 1. La variation du gain en courant de ces deux montages peut être représentée sur
une courbe caractérisant leur réponse en fréquence respective :
La bande passante du gain étant définie à –3 dB du maximum, on met ici clairement en évidence
la supériorité fréquentielle du montage base commune sur l'amplificateur émetteur commun.
3.6- Montage cascode :
Une astuce de montage combinant à la fois l'avantage du gain élevé de l'émetteur commun et la
bande passante élevée d'un montage base commune permet d'obtenir un nouveau dispositif,
appelé montage cascode, qui améliore de façon significative le facteur de mérite de l'ensemble.
VCC
RC
RB1 C2
RB 2
C1 vS
vE CB
R3
RE CE

L'amplificateur cascode est un montage émetteur commun chargé par un montage base
commune : Le transistor du bas correspond au montage émetteur commun, celui du haut au
montage base commune.
La sortie du premier transistor se fait au niveau du collecteur, et ce signal est appliqué à
l'émetteur du second transistor qui devient donc la charge de collecteur de l'émetteur commun. Le
condensateur CB est nécessaire au montage base commune (découplage de la base).
g m vBE
CBE Csm CBC
rBE rCE rBE
g m vBE
Cem CBE
Transistor 1 Transistor 2
Le premier transistor n'est plus chargé par RC, mais par rBE du second transistor qui est en
général plus faible, on peut donc s'attendre à une légère chute du gain. Ce qui aura cependant une
conséquence heureuse sur la valeur de la capacité Miller du premier transistor, et donc sur la
bande passante de l'amplificateur.
La capacité CBC du second transistor n'apparaît plus comme une capacité de contre-réaction, il
n'existe donc pas d'effet Miller pour cette capacité.
La combinaison de ces différents avantages permet au montage cascode d'obtenir une excellente
réponse en fréquence, au détriment cependant d'une légère chute du gain.


Chapitre 4 : Amplificateur de puissance
4.1- Introduction
Certaines charges des montages électroniques demandent une puissance non négligeable pour
fonctionner : haut-parleurs, petits moteurs électriques… Le but de tout amplificateur est de
transmettre alors le maximum de puissance à cette charge (généralement de faible impédance
donc qui va imposer un courant important). Le signal d'entrée étant de faible amplitude et de
faible puissance, il est souvent nécessaire de disposer d'une chaîne d'amplification comportant
différents éléments, le dernier étage étant celui qui sera chargé de fournir le maximum de
puissance électrique à la charge. L’amplificateur de puissance qui constitue généralement le
dernier étage de cette chaîne est celui qui va permettre de transmettre à la charge une puissance
beaucoup plus grande que celle fournit par le signal de commande tout en gardant la même forme
du signal.
L'étage de puissance devra travailler avec la plus grande amplitude de signaux possibles, c'est à
dire en utilisant sa dynamique maximale. Dans un montage émetteur commun, il est donc
judicieux de placer le point de fonctionnement au milieu de la droite de charge de sorte à profiter
justement de cette plage dynamique.
Pour ce type d'amplificateurs, le schéma équivalent des transistors "petits signaux" ne sont plus
valables, car les paramètres ne peuvent plus être considérés comme étant linéaires sur une si
grande plage de tensions et de courants. La non-linéarité des paramètres implique une
déformation des signaux traités appelée "distorsion".
4.2- Caractéristique d’un amplificateur de puissance
4.2.1- Bilan de puissance :
Le bilan des puissances mises en jeu peut être résumé sur un graphique :
Alimentation
Puissance
fournie Pa
Pe Pu
Signal de Amplificateur de
Charge
commande puissance Puissance
utile
Pd
Pertes
Avec : Pe : Puissance moyenne du signal d’entrée apportée par la source.
Pa : Puissance moyenne fournie par l’alimentation
Pd : Puissance moyenne dissipée par échauffement dans les composants (effet Joule)
Pu : Puissance moyenne du signal de sortie consommée par la charge
La conservation de puissance implique : Pe + Pa = Pu + Pd .

Chapitre 4- Amplificateur de puissance
On prend : Pa = Pu + Pd car Pa >> Pe

On définit également :
Pu
- Amplification de puissance : AP =
Pe
- Gain en puissance : G = 10 log10 ( AP )
Au signal de sortie, on associe une puissance utile Pu qui est la puissance moyenne consommée
par la charge R. On a :
2
Pu = < pu (t ) > = < vS ⋅ iS > = S
V
2R
L'alimentation fournit un courant I C (t ) sous une différence de potentiel VCC . Dans ce cas, la
puissance moyenne fournie par l'alimentation est :
Pa = < VCC ⋅ I C (t ) > = VCC ⋅ < I C (t ) >
Les pertes ont deux principales origines :
L'élément actif du dispositif d'amplification est traversé par un courant même si aucun
signal ne parvient à la charge (absence de signal à amplifier)
L'élément actif est un dissipateur d'énergie. Le courant qui le traverse génère un
échauffement, une partie de l'énergie fournie par l'alimentation est perdue sous forme de
chaleur.
Puissance et forts signaux font apparaître deux nouveaux concepts :
4.2.2- Rendement
Le rendement est une caractéristique très importante pour un amplificateur de puissance. Il
caractérise la capacité de l’amplificateur à fournir à la charge toute la puissance qu’il reçoit
Pu Pu
η= =
Pa Pu + Pd
Il sera important de veiller à maximiser ce rapport et donc à minimiser les pertes.
2.3- Distorsion
La distorsion mesure la déformation du signal de sortie par rapport au signal d’entrée
correspondant amplifié (de manière parfaite).
A22 + A32 + A42 + .... + An2

d=
A1
Elle caractérise la capacité de l’amplificateur à produire une amplification linéaire (pas de
présence d’harmoniques non désirés en sortie).
4.3- Les classes d’amplification de puissance.
On classe les amplificateurs en fonction de l’angle de conduction ou d’ouverture des transistors
(l'intervalle angulaire pendant lequel un transistor conduit) : les caractéristiques essentielles sont
le rendement et le taux de distorsion. On parle notamment :

Classe A :
– Angle d'ouverture égal à 2 π (L’élément actif conduit durant toute la période du signal)
– Point de repos au milieu de la droite de charge :
– Très faible distorsion
– Mauvais rendement (de l’ordre de 25%)
– Exemples : montages émetteur, base et collecteur commun
– Utilisés en audiofréquence, pour avoir de la haute-fidélité.
Classe B
– Angle d'ouverture égal à π (les composants actifs conduisent durant une demi période du
signal d’entrée)
– Point de repos est à l’extrémité de la droite de charge :
– Distorsion importante
– Bon rendement (environ 78,5%)
– Très utilisé en électronique
– Exemples : montage push-pull
Classe AB push-pull :
– Angle d'ouverture supérieur à π (Les composants actifs conduisent durent plus d’une
demi période du signal d’entrée)
– Distorsion faible
– Bon rendement
Classe C :
– Angle d'ouverture inférieur à π (Les composants actifs conduisent durent moins d’une
demi période du signal d’entrée)
– Le point de repos se situe largement dans la région bloquée
– L'étage de sortie est constitué d'un seul transistor
– Distorsion très importante
– Très bon rendement
– Peu utilisé : dans les amplificateurs HF, les multiplicateurs de fréquence, etc …
Classe D :
– Angle d'ouverture égal à 0
– Les éléments actifs fonctionnent comme interrupteur
– Très forte puissance,
– Très bon rendement
– taux de distorsion légèrement supérieur aux amplificateurs de la classe B ou AB
– Exemples : montages en commutation.

4.4- Critères de sélection d’une classe d’amplification

De nombreux critères peuvent être pris en compte lors de la sélection d'un amplificateur. Les
points importants étant :
− La puissance de sortie.
− Le rendement.
− La puissance maximale que peut dissiper l'élément actif.
− Le gain (en tension, en puissance).
− La distorsion.
− La fréquence maximale de travail.
4.5- Amplificateurs de puissance de classe A
En classe A, il y a besoin d’un seul transistor pour réaliser un étage amplificateur de signaux
alternatifs. Le point de repos est généralement choisi au milieu de la droite de charge (mi-chemin
du blocage ( I C = 0 ) et de la saturation ( VCE ≈ 0 )) pour permettre une grande variation de tension
sans écrêtage du signal. Le transistor de puissance conduit en permanence, donc il consomme de
l'énergie au repos, ce qui entraîne un faible rendement pour ce type d’étage, que leur usage est
généralement limité aux amplificateurs de très faible puissance
Nous prendrons comme exemple un montage émetteur commun et une charge purement résistive,
le point de repos idéal se trouvera donc au milieu de la droite de charge. Le montage à analyser
est le suivant :
VCC
RC C
RL
Il faut noter sur ce schéma deux régimes de fonctionnement possibles :

Un régime statique où le courant est limité par la seule résistance RC .
Un régime dynamique dans lequel la puissance est réparti dans les deux résistances RL et
RC qui se trouvent alors en parallèles.
Chaque régime est caractérisé par son propre fonctionnement, et donc par sa propre droite de
charge qui diffère donc suivant le régime analysé. En effet, la résistance de charge RL n'influe
aucunement sur le montage dans une analyse statique, alors qu'elle est indissociable de RC en
régime dynamique. On en déduit donc les droites de charge statique et dynamique :

Si on regarde le graphique ci-dessus, on se rend compte qu'en régime dynamique, l'amplitude

maximale de la variation de tension VCE ne peut plus être la même, car la pente de la
caractéristique dynamique n'est désormais plus la même. Pour calculer la nouvelle amplitude
maximale, il nous faut déterminer le point où la caractéristique dynamique croise l'axe des
abscisses. Pour cela nous savons que la droite que nous recherchons passe par le point
(VCC 2 ; VCC 2 RC ) et nous connaissons la pente de la droite de charge dynamique − 1 (RC // RL )
alors on trouvera facilement l'équation de la droite de charge dynamique:
 R + RL   R + 2 RL  VCC
iC = − C  vCE +  C 
 RC RL   RC RL  2
Ce qui nous permet de déterminer la nouvelle amplitude de tension maximale applicable à la
 
charge (RC // RL ) : 
RL
VCC
 2(RC + RL ) 
 R + 2 RL 
En effet, L'abscisse du point de croisement est vCE =  C VCC . L'amplitude maximale de
 2(RC + RL ) 
V
la nouvelle variation de tension est égale à cette valeur moins CC .
2
La variation de tension sinusoïdale aux bornes de la charge est donc définie par :
 
VCC sin(ω t )
RL
vCE = 
 2(RC + RL ) 
Le courant traversant la charge RL est tout simplement égal à :
vCE  
VCC sin(ω t )
1
iS = = 
RL  2(RC + RL ) 
Finalement la puissance maximale consommée par la charge est déterminée par :
2
1 T RL VCC
T ∫0
PU = v ⋅ i dt =
CE S
(RC + RL )2 8
2
VCC
En négligeant I B 0 , l’alimentation fournie I C 0 sous VCC , soit PA = VCC ⋅ I C 0 =
2 RC

Pour déterminer le rendement du montage, on fait le rapport entre la puissance utile fournie à la
charge et la puissance PA fournie par l'alimentation et on trouve finalement :
2
RL VCC
P (R + RL )2 8 = RC RL
η= U = C
4(RC + RL )
2 2
PA VCC
2 RC
Il a été démontré que le transfert de puissance est maximal lorsque RC = RL , la répartition de
puissance est alors égale dans RC et RL , ce qui nous donne le rendement maximum de cet étage :
R C2 1
η= = = 0,0625 soit 6,25%
4(2 RC )
2
16
Le rendement d'un tel étage est donc extrêmement faible. Il est clair que ce montage ne peut donc
s'adapter au traitement des puissances importantes.
Pour augmenter la dynamique de sortie on peut enlever RC et mettre la charge RL directement au
collecteur du transistor. Dans ces conditions les deux droites de charge statique et dynamique
seront confondues. Dans ce cas optimal, le bilan des puissances peut se mettre sous la forme :
VCE 0 ⋅ I C 0
- Puissance dynamique fournie à la charge : PU =
2
- Puissance fournie par l’alimentation : PA = VCC ⋅ I C 0 (on néglige le courant du pont)
- Rendement : η = 25%
Ce qui est une valeur maximale du rendement qu’on peut espérer d’un amplificateur de classe A.
Toutefois, on peut augmenter ce rendement à 50 % si on insère un transformateur au collecteur
du transistor et en branchant RL au secondaire de ce transformateur, car il n’y a plus de signal
continu dans la charge mais introduit d’autres problèmes (bande passante, saturation du
transformateur).
4.6- Amplificateurs de puissance classe B ‘‘Push-Pull’’
Les montages amplificateurs décrits jusqu’ici appartiennent à la classe A des amplificateurs. Ils
sont caractérisés par le fait qu’un seul transistor amplifie le signal linéairement. Un désavantage
de cette classe est leur faible rendement ; seulement une petite partie de la puissance totale de
l’étage est utilisable dans la charge.
On peut obtenir un bien meilleur rendement si le transistor pouvait se mettre à conduire
uniquement lorsqu'un signal se présente. Imaginons un point de repos se trouvant au blocage
I C = 0 lorsque le montage est au repos, il ne peut se trouver alors qu'à l'extrémité inférieure de la
droite de charge. On dit dans ce cas que le montage est de classe B. Dans cette configuration, un
transistor ne peut qu'amplifier un demi-alternance d'un signal sinusoïdal, il faut donc associer à
cette droite de charge une seconde droite symétrique à la première.

I C1
VCC RL
− VCE 2 VCE1
B
VCC
− IC2
Pour que ce montage fonctionne, il faut donc un dispositif comprenant deux transistors, un PNP
et un NPN dont les caractéristiques sont identiques (même β), et deux alimentations symétriques.
Chaque transistor sera chargé d'amplifier chaque demi-alternance, soit la partie positive, soit la
partie négative. Le schéma du montage dit "Push-Pull" est le suivant :
iC1
T1 VCC
vS iS
RL
vE
T2
VCC
iC 2
Nous allons voir que suivant le signe de ve , l'un des transistor fonctionne en régime linéaire
pendant que l'autre est bloqué.
Analyse de fonctionnement :
En l'absence de tension ve , Les transistors T1 et T2 sont bloqués et la charge n'est parcourue par
aucun courant.
• pour que T1 conduise il faut que ve > VBE 1 ≈ 0,6V
• pour que T2 conduise il faut que ve < VBE 2 ≈ −0,6V
• si VBE 2 < ve < VBE 1 : aucun transistor ne conduit ⇒ iS = 0A , vS = 0V .
Lorsque VBE 1 < ve < VBE 1 + VCC : T1 est passant et T2 est bloqué :
⇒ vS = vE − VBE 1 , et pour que T1 ne soit pas saturé, il faut que VCE1 > VCESAT , et comme
VCE1 = VCC − vS alors vS doit être tel que vS < VCC − VCESAT

Lorsque − VCC + VBE 2 < ve < VBE 2 : T1 est bloqué et T2 est passante :
⇒ vS = v E − VBE 2 , et pour que T2 ne soit pas saturé, il faut que VCE 2 < −VCESAT , et comme
VCE 2 = −VCC − vS alors vS doit être tel que vS > −VCC + VCESAT
Caractéristique de transfert :
vS
VCC − VCESAT
vE
-0,6V 0,6V
− VCC + VCESAT
T1 Bloqué
T2 Bloqué
T1 Bloqué T1 Passant
T1 Bloqué T2 Passant T2 Bloqué T1 Saturé
T2 Saturé T2 Bloqué
On remarque que le courant circulant dans la charge n'est pas purement sinusoïdal mais présente
une distorsion dite de croisement ou de recouvrement (cross-over). Cette distorsion peut être
supprimée grâce à des montages appropriés
T2 passant
T1 passant
Distorsion de
croisement
Illustration de la distorsion de croisement

4.7- Amplificateurs de puissance classe AB ‘‘Push-Pull’’
Pour éliminer la distorsion de croisement, on ajoute deux diodes, qui sont toujours passantes, et
qui jouent le rôle de générateur de tension
Pour limiter la distorsion qui apparaît pour les faibles valeurs de VE , on utilise plutôt le montage
suivant :

T1 VCC
vS iS
RL
vE
T2
VCC
Les deux diodes sont toujours polarisées en direct et passantes ( Vd = 0,7V), ce qui compense le
VBE des transistors, responsables de la distorsion. Avec cette astuce, la base est polarisée même
en l'absence de signal. Cependant, dans ce cas précis, les points de repos des transistors ne se
trouvent plus exactement aux extrémités des droites de charge. On dit alors que le montage est de
classe AB, car un faible courant I C circule désormais dans les transistors (légèrement
conducteurs au repos). On peut dire que la classe AB est un compromis entre la classe A et la
classe B. La distorsion de croisement est réduite au prix d’une augmentation de la consommation
au repos et d’une baisse du rendement.
Si T1 est passant :
ve + Vd 1 = VBE 1 + vS ⇒ ve = vs car Vd 1 = VBE 1
Si T2 est passant :
ve − Vd 2 = VBE 2 + vS ⇒ ve = vs car Vd 2 = −VBE 1
La distorsion de croisement a disparu, et la caractéristique dans ce cas est proche de la forme
suivante :

vS
VCC
vE
− VCC
Ce montage est bien amplificateur de la puissance du signal. En effet, si la tension d'entrée est
presque égale à la tension de sortie (en zone de fonctionnement linéaire), le courant de sortie est
quant à lui beaucoup plus important (is ≈ β.ie ). De plus, il présente une faible résistance de sortie
(résistance du générateur d'attaque sur β environ).
Utilisation de la contre-réaction
Une autre méthode utilisée pour annuler les effets de la distorsion de croisement consiste à
utiliser un amplificateur opérationnel avec une contre réaction totale.
R R
VCC
T1
− VBE iS
vE
+
vS
T2
− VCC
Si aucun des transistors ne conduit, l’amplificateur opérationnel est sans contre-réaction, il part
donc en saturation (haute ou basse selon le signe de ε = u + − u − ) ce qui débloque un des
transistors et ramène le préamplificateur en régime linéaire.
Puissances et rendement
On supposera pour les calculs suivants que la distorsion de croisement est compensée.
Soit PA1 la puissance fournie par l'alimentation positive :
1 T V sin(ωt )
PA1 =
T ∫0
VCC ⋅ iC1 dt avec iC1 ≈ iS = e
RL
pour 0 ≤ t ≤ T 2
et iC 1 = 0 pour T 2 ≤ t ≤ T
La puissance débitée par les deux alimentations est :
VCC ⋅ Ve
PA = PA1 + PA2 = 2 PA1 = 2 ⋅
π ⋅ RL

Ve2
La puissance dissipée dans la charge est : PU =
2 RL
PU V2 π ⋅ RL π .Ve
Et donc le rendement de l'étage : η = = e ⋅ =
PA 2 RL 2VCC ⋅ Ve 4.VCC
π
Ce rendement est maximal pour Ve = VCC : η = = 78,5%
4
Conclusion :
Le rendement est donc fortement amélioré par rapport à un amplificateur de puissance de classe
A. Les amplificateurs classe B (et surtout leur variante de classe AB) sont de loin les
amplificateurs les plus utilisés. Quand on leurs associe une boucle de réaction négative, leur
distorsion tombe à un niveau extrêmement faible. Leur rendement est très bon et ils peuvent
aisément fournir des puissances de sortie élevées


Chapitre 5 : Montages à plusieurs transistors
5.1- Introduction
Dans de nombreux amplificateurs, on cherche à obtenir un grand gain, une impédance d’entrée
élevée (afin de ne pas perturber la source du signal) et une impédance de sortie faible pour agir
sur l’actionneur final (haut-parleur, moteur d’asservissement ...). Un amplificateur à un seul étage
ne permet pas, en général, de réaliser ces objectifs. On sera amené à associer plusieurs étages en
cascade.
Par exemple, la réalisation d’un amplificateur à grand gain et de grande bande passante BP est
délicate. Il est assez simple, par contre, de fabriquer un amplificateur de gain faible A0 ayant la
bande passante BP. La mise en cascade de deux de ces amplificateurs permet d’obtenir un
système dont le gain sera A1 = A02 et dont la bande passante sera légèrement inférieure à BP.
Le principal problème rencontré lors de l’association d’étages amplificateurs est celui de
l’adaptation de leurs impédances. Ainsi dans le cas d’une amplification en tension, il faut que
l’impédance d’entrée de l’étage soit beaucoup plus grande que l’impédance de sortie de l’étage
précédent. Pour une amplification de puissance, il faut que l’impédance de sortie de l’étage soit
voisine de celle de la charge. La liaison entre les étages successifs pose également des difficultés.
5.2 – Amplificateurs à liaison directe
Relier directement la sortie d’un étage à l’entrée du suivant est a priori la méthode la plus simple
pour effectuer la liaison. En fait, ce mode de liaison pose de nombreux problèmes.
Examinons le schéma 1-a. Le potentiel continu du point A est voisin de ½.VCC. Par contre, celui
de B est voisin de 0,65 V. La réunion de A et B provoque un court-circuit de l’espace émetteur
collecteur du premier transistor qui cesse alors de fonctionner correctement.
VCC VCC
R1
?
A A
B B
R2
Figure 1-a Figure 1-b

Le schéma 1-b donne une méthode pour faire fonctionner le montage :
Un pont de résistance permet de polariser l’émetteur du second transistor à un potentiel égal à
celui du collecteur du premier. A et B peuvent alors être reliés sans problème.
Le principal avantage des montages à liaison directe est qu’ils offrent la possibilité d’amplifier les
tensions continues. Mais ils sont de ce fait très sensibles à la dérive thermique des transistors : la
dérive des premiers étages est amplifiée par les étages suivants au même titre que le signal.
O. MOUHIB 55 Cours d’Electronique Analogique 1

Chapitre 5- Montages à plusieurs transistors
5.3 – Liaison par condensateur entre deux étages

Selon le mode de polarisation retenu, différents montages sont possibles. Comme exemple,
étudions rapidement le schéma de la figure 2-a qui associe deux étages à émetteur commun non
découplé. Pour les fréquences intermédiaires, le schéma équivalent du montage 2-b est très
simple :
VCC
RC 2
RC1
h11 h11
RB1 RC1 RB 2 RC 2
vs
v1
RE 2 RE 2 RE1
ve
RE1
Figure 2-a Figure 2-b

Le pont de base des deux étages est choisi pour obtenir un point de fonctionnement au milieu de
la droite de charge. On suppose que les deux transistors sont identiques et que RB1 = R1 // R2 .
Comme la charge d’un étage dépend de l’impédance d’entrée de l’étage suivant, il est conseillé
de commencer l’étude par le dernier étage et de remonter vers le générateur d’entrée.
L’impédance de sortie du 2ème étage est RC 2 . Son impédance d’entrée est égale à :
RB 2 // (h11 + (β + 1)RE 2 ) ≈ RB 2 // β RE 2
− β RC 2 R
Son gain en tension est égal à : AV 2 = ≈ − C2
h11 + (β + 1)RE 2 RE 2
L’impédance de sortie du premier étage est donc RS1 = RC1 // RB 2 // β RE 2 .
R
Son gain est Av 2 ≈ S 1 et son impédance d’entrée est : RB1 // β RE1 .
RE 1
L’ensemble est donc équivalent à un amplificateur de gain Av = Av1 ⋅ Av 2 .
Il est évident que ce mode de liaison ne permet pas l’amplification des tensions continues. La
fréquence de coupure inférieure est fonction des valeurs des condensateurs, la fréquence de
coupure haute est limitée par les capacités parasites.
Exercice :
Reprendre cette étude en envisageant les trois cas suivants :
RE1 est découplée par un condensateur.
RE 2 est découplée par un condensateur.
RE1 et RE 2 sont découplées.
Pour le 2ème cas, on notera que le découplage de la résistance RE 2 diminue beaucoup l’impédance
de sortie du premier étage qui voit alors son gain s’effondrer.

5.4 – Montage Darlington

5.4.1 – Principe
Le transistor Darlington est l’association de deux transistors bipolaires de même type (tous deux
NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de
transistor. Ces deux transistors peuvent être intégrés dans un même boîtier. Le gain en courant du
Darlington est égal au produit des gains de chaque transistor. Le montage est le suivant :
C
B
T1
T2
E
La base du transistor T2 est reliée à l’émetteur de T1 et les deux collecteurs sont reliés.
5.4.2 – Schéma équivalent
Gain en courant du transistor équivalent
Pour le transistor T1 : iC1 = β1 ⋅ iB1 ⇒ iE1 = (β1 + 1) ⋅ iB1 B C
Pour le transistor T2 : iB 2 = iE1 = (β1 + 1)⋅ iB1
ib1 β1 ib1
iC 2 = β 2 iB 2 = β 2 ⋅ (β1 + 1)⋅ iB1
rbe1
iC 2 ≈ β 2 ⋅ β1 ⋅ iB1
ib 2 β 2 ib 2
iC ≈ β iB avec β = β1β 2
rbe 2
Le gain du transistor équivalent est égal au produit des gains
des deux transistors.
E
Impédance d’entrée
ve = rbe 2iB 2 + rbe1iB1 = rbe 2 (β1 + 1)iB1 + rbe1iB1 ≈ (β1 rbe 2 + rbe1 )iB1
ve
Ze = = rbe = β1 rbe 2 + rbe1
iB
β1 ⋅ kT β2 ⋅ k T
Et comme rbe1 = , et rbe 2 = avec I C 2 = β 2 I B 2 ≈ β 2 I C 1
q ⋅ I C1 q ⋅ IC 2
β 2 ⋅ k T rbe1
Cela donne : rbe 2 = =
q ⋅ β 2 I C 1 β1
⇒ rbe ≈ 2 ⋅ rbe1
L’impédance d’entrée du transistor équivalent est sensiblement égale au double de celle du
transistor T1. Elle est beaucoup plus grande que celle d’un transistor de puissance.

Pente du transistor
β β1 β 2 β2 gm2
gm = ≈ = g m1 =
rbe 2rbe1 2 2
Exercice : Trouver l’impédance de sortie du transistor Darlington.
Le transistor composite montre une pente g m moitié celle de T2 (pour un même courant de repos
Ic) mais une impédance d’entrée plus grande aux détriment d’une tension de seuil de deux fois
v BE . Monté en EC ce montage a un gain plus faible qu’un transistor seul. Par contre en CC, le
montage Darlington peut avoir un fort gain en courant avec une résistance d’entrée très élevée.
Inconvénient : Le seuil de conduction v BE à partir duquel le Darlington commence à conduire
est doublé par rapport à un transistor simple, le courant de commande traverse la jonction base-
émetteur du premier transistor puis la jonction base-émetteur du deuxième, donc le v BE du
Darlington est l'addition des deux v BE .
5.5 – Pseudo-Darlington (paire de Sziklai)

La fabrication des transistors de puissance PNP est plus complexe que celle des NPN. En reliant
un transistor PNP de faible puissance à un transistor de puissance NPN selon le montage du
pseudo-Darlington, on constitue un système équivalent à un PNP de puissance.
B h11(1) E
E
IE
1
B T1 IB (1)
h22
β (1) ib(1) 1
(2 )
h22
T2
h11( 2 ) β ( 2 ) ib( 2 )
IC
C
Le transistor équivalent est un transistor de type PNP dont le gain en courant est le produit des
gains des deux transistors et la tension v BE est celle du premier transistor.
Exercice : Donner l’impédance d’entrée, l’impédance de sortie, et la pente du pseudo-darlington.
Remarque : En permutant les rôles de T1 et T2, on réalise de façon similaire un montage
équivalent à un NPN.
5.6- Miroir de courant
Objectif : Recopier un courant
Une manière simple de réaliser plusieurs sources de courant égales consiste à utiliser un miroir de
courant dont le schéma est donné à la figure ci-dessous. Celui-ci est constitué de plusieurs
transistors identiques dont toutes les bases sont reliées entre elles et les émetteurs entre eux. La
tension base-émetteur est donc la même pour tous les transistors, ce qui entraîne des courants de
collecteur égaux pour tous les transistors :

VCC
RC Ru
I1 I2
T1 T2
RE1 RE 2
Le premier transistor, dit transistor de commande du miroir, a sa base reliée à son collecteur ; il
travaille comme une diode ayant une tension de seuil VBE 1 entre base et émetteur.
VBE 1 = VBE 2
I1 = I C1 + I B1 + I B 2 et comme VBE 1 = VBE 2 on a I B1 = I B 2
I1 = β1 I B1 + 2 I B1 = (β1 + 2 )I B1 et I 2 = I C 2 = β 2 I B 2 = β 2 I B1
On a les mêmes transistors : β1 = β 2
β
I 2 ≈ β I B1 = I1 ≈ I1
β +2
Ce montage permet alors de générer une source de courant I 2 constant quelque soit la charge.


Chapitre 6 : Amplificateur différentiel
6.1- Généralité
L’amplificateur différentiel est un dispositif électronique à deux entrées et deux sorties. Il est
alimenté par deux sources d’alimentations de tensions opposées + VCC et − VCC . Ceci pour éviter
les circuits de polarisations habituels et les condensateurs de liaisons dans les bases des
transistors. Aussi ce montage offre la possibilité d’amplifier la tension continue différentielle
d’entrée VED = VE1 − VE 2 contrairement aux montages fondamentaux habituels.
+ VCC
Entrée Sortie
Amplificateur
VED différentiel VSD
VE1 VS 1
VE 2 VS 2
− VCC
La présence des deux sorties VS1 et VS 2 offre à l’utilisateur deux possibilités d’exploitation :
Lorsque la différence VSD des deux sortie VS 1 et VS 2 est utilisée, le montage est dit
« symétrique ». L’éventuel étage amplificateur suivant comportant alors deux entrées doit
être aussi de type différentiel ;
Lorsqu’on exploite uniquement la sortie VS 1 ou VS 2 le montage est « dissymétrique ». Ce
mode de fonctionnement est celui des amplificateurs opérationnels qui comportent deux
entrées et une seule sortie.
Le montage différentiel a pour fonction principale l’amplification de la tension différentielle
d’entrée VED . Il est caractérisé par son gain différentiel Ad défini selon :
VS1 − VS 2 VSD
Ad = = (1)
VE1 − VE 2 VED
Cependant, ce montage est aussi sensible à la somme des tensions continues d’entrées
(VE1 + VE 2 ) . En effet, les tensions VE1 et VE 2 peuvent varier tout en conservant une différence
constate. On parle alors de « mode commun » caractérisé par le gain de mode commun AC tel
que :
VS 1 + VS 2
AC = (2)
VE 1 + VE 2
Calculons à l’aide des relations (1) et (2), l’expression des tensions VS 1 et VS 2 :
VS 1 =
1
( Ad (VE1 − VE 2 ) + AC (VE1 + VE 2 )) (3)
2

Chapitre 6- Amplificateur différentiel
VS 2 = −
1
( Ad (VE1 − VE 2 ) − AC (VE1 + VE 2 )) (4)
2
Les relations (3) et (4) montrent que qu’en mode dissymétrique, les tensions VS 1 (ou VS 2 ) seront
proportionnelles à la tension différentielle d’entrée VED à condition que le gain de mode commun
Ac soit très faible vis-à-vis du gain différence Ad . Aussi, on définit un coefficient de qualité du
montage, le facteur de différentiation Fd ou (R)apport de (R)éjection du (M)ode (C)ommun :
Ad
Fd = R. R. M .C = (5)
AC
Un amplificateur différentiel de bonne qualité doit donc posséder un Fd > 80dB .
La figure précédente ne rend pas compte physiquement du mode commun, aussi on préfère
représenter les entrées continues selon la figure suivante.
VE1
+ VCC
VE1 − VE 2
(1)
2
VE 2 + VE1
(3)
2 Amplificateur
VED différentiel VSD
VS 1
VE 2 − VE1
( 2) VS 2
2 − VCC
VE 2
Pour analyser le montage en « mode différence », on annule le générateur (3) et l’on tient
compte uniquement des générateurs (1) et (2).
On remarque alors que la relation VED = VE1 − VE 2 est encore satisfaite.
Pour analyser le montage en « mode commun », on annule les générateurs (1) et (2) et l’on
tient compte uniquement du générateur (3).
Cette méthode qui sera utilisée par la suite revient en fait à appliquer le théorème de
superposition. Elle permettra de mettre en évidence le gain différence et le gain de mode commun
des montages proposés.
6.2- Etude statique
La figure ci-dessous représente le schéma de base d’un amplificateur différentiel à transistors
bipolaires NPN. Les résistances de charges RC sont identiques. Les tensions d’entrées VE1 et VE 2
sont des tensions continues de valeur évidemment différente.

+ VCC
iC1 iC 2
VE1 RC RC
VS 1 VS 2
VE1 − VE 2
(1)
2 T1 T2
VE 2 + VE1
(3)
2
VED VSD
VE 2 − VE1 I0
( 2)
2
RE
VE 2
− VCC
6.2.1- Polarisation du montage.
La résistance RE reliant le point commun d’émetteur à la tension d’alimentation négative assure
la polarisation des transistors. Pour obtenir le point de fonctionnement des transistors, on relie les
bases B1 et B2 à la masse de telle manière que la tension différentielle d’entrée VED soit nulle.
+ VCC
I C10 I C 20
RC RC
T1 T2
VBE 2 VBE 1
I0
RE
− VCC
V 
Les transistors T1 et T2 obéissent à la loi : I C 0 = I SBC exp BE 0  (6)
 VT 
Sachant que les transistors sont identiques, on a de plus I SBC 1 = I SBC 2 .
Le montage indique VBE 1 = VBE 2 . Compte tenu de la loi (6) les courants de repos de collecteur sont
I V − VBE
égaux : I C10 = I C 20 = 0 et RE = CC
2 I0

+ VCC
iC1 iC 2
RC RC
VE1 − VE 2 VS 1 VS 2
(1)
2
B1 T1 T2
VED
VBE1 VBE 2
B2
I0
VE 2 − VE1
( 2) RE
2
− VCC
Selon la méthode d’analyse indiquée en première partie, pour étudier le mode différence, seuls les
générateurs continus 1 et 2 excitent le montage.
Sachant que VE1 est une tension ayant une valeur différente de VE 2 , les courants de collecteurs
I C1 et I C 2 sont alors différents. Cependant, leur somme est toujours égale à I 0 .
La relation (6) permet d’écrire :
V  V  I V −V 
I C1 = I SBC exp BE 1  et I C 2 = I SBC exp BE 2  , soit C1 = exp BE 1 BE 2 
 VT   VT  IC 2  VT 
Sachant que : VED = VBE 1 − VBE 2 et I 0 = I C1 + I C 2 , on obtient finalement les relations :
I0 I0
I C1 = (7) et I C 2 = (8)
1 + exp(− VED VT ) 1 + exp(VED VT )
L’évolution des courants I C1 et I C 2 en fonction de la tension VED est donnée en figure suivante.
Pour les tensions VED comprises entre − VT et + VT , la figure indique que les courants I C1 et I C 2
sont sensiblement proportionnels à VED (pour les VED nulle on retrouve les courants de repos
I C 0 ).

I0 I
Dans cette zone linéaire l’expression du courant I C1 s’écrit donc : I C1 = VED + 0 (9)
4VT 2
− I0 I
De même pour I C 2 : I C 2 = VED + 0 (10)
4VT 2
Donc la tension différentielle de sortie VSD dans cette zone linéaire :
VS 1 = VCC − RC I C1 et VS 2 = VCC − RC I C 2
On en déduit : VS 1 − VS 2 = − RC (I C 1 − I C 2 )
I 0 . RC
En utilisant les relations (9) et (10) on obtient : VSD = VS 1 − VS 2 = − VED
2VT
Dans la zone de linéarité, la gain différence de l’amplificateur différentiel est tel que :
− I 0 RC
Ad = (11).
2VT
IC0
En introduisant la transconductance identique des deux transistors g m = , on peut écrire :
VT
Ad = − g m RC
+ VCC
iC1 iC 2
RC RC
VS 1 VS 2
VE 2 + VE1 B1 T1 T2
( 3)
2
VBE1 VBE 2
B2
I0
RE
− VCC
Comme il a été indiqué dans la présentation, pour mettre en évidence le mode commun, on réunit
V + VE 2
les bases des transistors, et on leur applique la tension E1 .
2
Dans ces conditions, la tension VBE 1 de T1 est égale à la tension VBE 2 de T2 , aussi les courants de
collecteurs I C1 et I C 2 sont égaux à I 0 2 .
Cherchons l’expression des tensions VS 1 et VS 2 :

I0 I
VS 1 = VCC − RC et VS 2 = VCC − RC 0 , On en déduit : VS 1 + VS 2 = 2VCC − RC I 0 .
2 2
VE1 + VE 2
VCC + − VBE
Sachant que I 0 = 2 ,
RE
RC  V +V 
il vient : VS1 + VS 2 = 2VCC − VCC + E1 E 2 − VBE 
RE  2 
La somme des tensions de sortie est donc proportionnelle à la tension commune d’entrée. Le
coefficient de proportionnalité représente le gain de mode commun :
− RC
AC = (12)
2 RE
L’amplificateur présente alors un défaut mis en évidence dans l’introduction. Son coefficient de
qualité Fd = Ad AC est trop faible.
Pour palier à ce défaut, il faut remplacer la résistance RE par un générateur de courant idéal I 0 .
Ainsi, la somme des tensions de sortie serait indépendante de la tension de mode commun. En
effet, on aurait alors : VS 1 + VS 2 = 2VCC − RC I 0
6.3- Etude dynamique

Le montage est maintenant excité par deux tensions sinusoïdales : ve1 = VE1 sin (ωt ) et
ve 2 = Ve 2 sin(ωt ) de même fréquence et telles que leur différence d’amplitude soient comprise
dans la zone de linéarité.
Le schéma équivalent petites signaux relatif au mode différence est donnée en figure suivante :
v ED
B1 ib1 E ib 2 B2
rBE rBE
β ib1 β ib 2
v e 2 − v e1
v e1 − v e 2 RE
C1 C2 2
2
RC vS 1 vS 2 RC
L’expression du gain différence :

v ED = rBE 1 ib1 − rBE 2 ib 2 ; vS 1 = − β RC ib1 ; vS 2 = − β RC ib 2 ; vS 1 − vS 2 = − β RC (ib1 − ib 2 )
vS 1 − vS 2 − β RC
Ad = = = − g m RC .
v ED rBE

IC0 I − I 0 RC
Sachant que g m = , où I C 0 = 0 , il vient alors : Ad = (13)
VT 2 2VT
On obtient alors la même expression que celle qui a été établie en mode continu (relation 11).
v ED
B1 ib1 E ib 2 B2
rBE rBE
v e1 + v e 2 β ib1 β ib 2 v e1 + v e 2
2 RE 2
C1 C2
RC vS 1 vS 2 RC
L’expression du gain de mode commun :

vS 1 = − β RC ib1 ; vS 2 = − β RC ib 2 ; et comme ib1 = ib 2 : vS 1 + vS 2 = −2 β RC ib
ve1 + ve 2
D’autre part : 2(β + 1)RE ib = − rbe ib
2
vS1 + vS 2 − β RC
On en déduit le gain de mode commun : AC = = (14)
ve1 + ve 2 rbe + 2 RE (β + 1)
Pour rbe << 2 RE (β + 1) et β >> 1 , les relations (12) et (14) sont identiques.
6.3.3- Coefficient de différentiation
Ad 2 R (β + 1)
Fd = = 1+ E
AC rBE
VCC − VBE 1 V V − VBE 1
Sachant que RE = et rBE = 2 β T , il vient : Fd ≈ 1 + CC .
I0 I0 VT
Le facteur de qualité Fd est constant et de valeur beaucoup plus faible. Le montage doit être
amélioré.
6.3.4- Amélioration du montage
Pour augmenter le TRMC, la méthode la plus utilisée en circuits intégrés analogiques est le
remplacement de la résistance RE par un générateur de courant quasi-parfait. Ce générateur de
courant est obtenu à l’aide d’un circuit « miroir de courant »


Partie II
Electronique Analogique 2
Chapitre 1 : Rappels
1.1- Théorème de THEVENIN et de NORTON

On peut montrer qu’un réseau électrique, constitué de sources de tension, de courant et de
résistances, vu de ses bornes A et B peut être modélisé par :
Une source de tension ETH en série avec une résistance RTH : c’est de modèle de Thévenin
Une source de courant IN en parallèle avec une résistance 1/GN : c’est le modèle de Norton.
A
I
Réseau
U
électrique
Réseau électrique
A A
I I
IN
RTH
U 1/GN U
ETH
B B
Modèle Thévenin Modèle Norton
On peut passer immédiatement d’un modèle à l’autre à l’aide des relations :

1
RTH = et ETH = RTH ⋅ I N
GN
On obtient les éléments des modèles de Thévenin et de Norton par la méthode suivante :
ETH est la tension qui apparaît aux bornes du réseau à vide : I=0 (charge déconnectée)
IN est le courant mesuré entre les bornes A et B lorsqu’elle sont court-circuitées : U=0
RTH (ou 1/GN) est la résistance interne du réseau vue des bornes A et B, après avoir rendu
passives toutes les sources indépendantes du réseau :
- Les sources de tension sont remplacées par des court-circuits
- Les sources de courant sont remplacées par des circuits ouverts

Chapitre 1 – Rappels
1.2- Théorème de MILLMAN

On considère un nœud de potentiel V (entre ce noeud et la masse) dans un réseau. Ce nœud est le
point de jonction de n résistance Rk soumises aux potentiels Vk de l’autre côté du nœud.
n
Vk
∑ R
Le potentiel V du nœud a pour expression : V = kn=1 k
1
∑
k =1 Rk
Exemple :
R1 V R2
V1 V2
R3
V3
V1 V2 V3
+ +
R1 R2 R3
On a : V =
1 1 1
+ +
R1 R2 R3
1.3- Diviseurs de tension et de courant :
Pour 2 branches Pour n branches
Uk
R1
U R1 R2 Rk Rn
Diviseur de I
tension R2 U2
U
Rk
U2 =
R2
U Uk = U
R1 + R2 R1 + R2 + L + Rn
I Uk
I1 I2
R1 R2 Rk Rn
U R1 R2 I
Diviseur de
U
courant
1 1
Rk
I2 =
R2
I Ik = I
1 1 1
1
+
1 + +L+
R1 R2 R1 R2 Rn

1.4- Dipôles élémentaires passifs : Equation de fonctionnement
Dipôle linéaire Régime variable Régime sinusoïdal

i(t) R
u R (t ) = R ⋅ i (t ) uR = R ⋅ i
uR(t)
L
i(t) di (t )
u L (t ) = L ⋅ uL = jLω ⋅ i
dt
uL(t)
i(t) C
1
uC (t ) = ⋅ i (t ) ⋅ dt
1
uC = ⋅i
C ∫ jCω
uC(t
1.5- Quadripôles en régime sinusoïdal

Un Quadripôle Q est une portion de circuit électrique possédant quatre bornes, deux bornes
d’entrée et deux bornes de sortie, assurant la transmission ou la transformation d’une information
électrique.
iE(t) iS(t)
Q
vE(t) vS(t)
Entrée Sortie
On distingue les quadripôles passifs constitués uniquement d’éléments passifs (résistance,
condensateur, bobine), des quadripôles actifs qui comportent des sources liées à des grandeurs
internes.
Quadripôles passifs Quadripôles actifs

VCC
iE iS RC
R1
R1 C2 iS
C1
vE vS iE
R2
vS
vE
R2
Diviseur de tension CE
RE
Amplificateur à transistor

R2
iE iS
L R1 +VCC
vE vS iE
C C iS
vE + vS
Cellule LC -VCC
Amplificateur opérationnel
On se limite à l’étude des quadripôles linéaires en régime sinusoïdal dont l’entrée est alimentée
par un générateur de tension ou de courant sinusoïdal et dont la sortie est fermée par une charge.
1.6- Paramètres d’un quadripôle

VE
C’est l’impédance vue des bornes d’entrée du quadripôle lorsqu’il est chargé : Z E =
IE
IE IE
VE ZC VE ZE
Q

VS
C’est l’impédance vue des bornes de sortie, les sources étant éteintes : Z S =
IS
IS IS
ZG Q VS ZG VS
1.6.3- Fonction de transfert

Pour caractériser le fonctionnement d’un quadripôle, on peut utiliser une fonction de transfert qui
v 
est le rapport de tension de sortie sur la tension d’entrée : H ( jω ) =  S  = H (ω ) ⋅ e jϕ (ω )
 v E  i =0
S
 H (ω ) = H ( jω ) Module de la fonction de transfert

Avec : 
ϕ (ω ) = arg H ( jω ) Phase de la fonction de transfert

ZG
VE Q
VS
EG
1.6.4- Diagramme de Bode :

C’est une façon de représenter graphiquement la fonction de transfert complexe H ( jω ) à l’aide
de deux courbes. Ces deux courbes sont construites en portant la pulsation ω En abscisse une
échelle logarithmique, ce qui revient à porter log10 ω sur une échelle linéaire. Une progression
logarithmique permet de représenter les variations de la pulsation sur une plage étendue.
* Courbe de gain : G (ω ) = 20 log10 H ( jω ) en décibels (dB)
* Courbe de phase : ϕ (ω ) = arg H ( jω )
La décade caractérise un rapport de pulsation (ou de fréquence) égale à 10.
Remarque :
Pour résumer le comportement fréquentiel d’un quadripôle, on se contente souvent de tracer les
asymptotes du gain et du phase lorsque ω → 0 et ω → ∞ . On esquisse ensuite les allures réelles
du gain et de la phase en plaçant quelques points particuliers.
Exemple : Circuit RC à vide
iS=0
C
vE R vS
La formule du diviseur de tension conduit à :
jRCω
H ( jω ) =
vS
= En posant ω0 = 1 RC la fonction de transfert à vide s’écrit :
vE 1 + jRCω
ω
j
ω0
H ( jω ) =
ω
1+ j
ω0
ω ω π
• si ω << ω0 alors H ( jω ) ≈ j donc G (ω ) = 20 log10 (H (ω )) = 20 log10 et ϕ =
ω0 ω0 2
Avec l’échelle logarithmique des pulsations, la courbe de gain est une droite de pente positive
égale à +20dB par décade. Et la courbe de phase est une droite horizontale d’ordonnée π 2

• si ω >> ω0 alors H ( jω ) ≈ 1 donc G (ω ) ≈ 0 dB et ϕ = 0

Sur cet intervalle, les courbes de gain et de phase sont des droites horizontales.
Les deux asymptotes du gain se croisent à la pulsation de coupure ω0 . Pour cette valeur la
π
fonction de transfert devient : H ( jω ) =
j
soit G = −3 dB et ϕ =
1+ j 4
Bode Diagram
5
-5
Magnitude (dB)
-10
-15
-20
-25
-30
90
Phase (deg)
45
0
-3 -2 ω0-1 0 1
10 10 10 10 10
Frequency (rad/sec)

Chapitre 2 : Montages fondamentaux avec les Amplificateurs
Opérationnels
2.1- Présentation
Un amplificateur opérationnel (aussi dénommé ampli-op ou AO) est un circuit intégré qui permet
d’amplifier une différence de potentiel électrique présente à ses entrées. Il a été initialement
conçu pour effectuer des opérations mathématiques de base dans les calculateurs analogiques
comme l'addition, la soustraction, l'intégration, la dérivation et d'autres. Par la suite,
l'amplificateur opérationnel est utilisé dans bien d'autres applications comme la commande de
moteurs, la régulation de tension, les sources de courants ou encore les oscillateurs. On peut aussi
l’exploiter dans des montages non linéaires tels que : comparateur, multivibrateur astable.
NC +Vcc Offset
S
Il se présente le plus souvent sous la forme d’un boîtier plastique 8 7 6 5
à 8 broches et son brochage standard est celui-ci.
TL081
1 2 3 4
Son symbole normalisé est le suivant : Offset E- E+ -Vcc
avec : ±Vcc est la tension d’alimentation.
+VCC
ie +
E+ E+ est l’entrée non inverseuse (vE+ : tension
+ iS appliquée à l’entrée E+).
vE+ E-ε ie - E- est l’entrée inverseuse (vE- : tension
vS
-
appliquée à l’entrée E-).
-VCC
vE - S est la sortie (vS : tension de sortie)
ε = v E + − v E − est la tension d’entrée différentielle.
2.2- Caractéristique de transfert

La tension de sortie vS varie avec la tension d’entrée différentielle ε selon la caractéristique de
transfert suivante :
vS
+ VCC
Saturation positive
+ VSat
Saturation négative − VSat − VCC

Domaine linéaire

Chapitre 2 – Montages avec les AO
Cette courbe fait apparaître 2 régimes de fonctionnement: le régime linéaire et le régime où

l’amplificateur opérationnel est saturé. Dans la partie où l’amplificateur a un fonctionnement
linéaire : vS = Ad ε = Ad (vE + − vE − ) avec Ad est le gain différentiel de l’amplificateur,
Les deux parties où vS = ±VSat correspondent au régime de saturation ( VSat est légèrement
inférieure à VCC )
On remarque bien que dans la zone linéaire la tension de sortie vS = Ad ε est comprise entre
− VSat + VSat
− VSat et + VSat . Ceci n’est possible que si : ≤ε ≤
Ad Ad
Et comme Ad est très élevé, le fonctionnement linéaire n’est possible que pour des valeurs très
faibles de ε
2.3- AO idéal ou parfait :
On donne le modèle électrique équivalent de l’amplificateur opérationnel :
ie + S
E+ RS
RE Ad .Ɛ vS
Ɛ
ie -
E-
Un amplificateur opérationnel idéal (parfait) est caractérisé par :
- un gain differentiel Ad infini. Ce qui donne : ε = 0 ⇒ vE + = vE −
- Une impédance d’entrée infinie. Ce qui donne : ie+ = ie− = 0
- Une impédance de sortie nulle.
- Une tension vs nulle en l’absence de signal d’entrée

La caractéristique de transfert précédente est alors idéalisée, et elle prend la forme suivante :
vS
+ VSat
Cette caractéristique est traduite par :
vS = −VSat pour ε < 0 ε (µV )

vS = +VSat pour ε > 0
− V < v < +V pour ε ≈ 0
 Sat S Sat
− VSat
Pour travailler en régime linéaire, il faut amener ε = vE + − vE − à des valeurs proche de 0. Ceci
peut être réalisé en plaçant une impédance en contre réaction entre la sortie et l’entrée inverseuse
qui assurera la stabilité du montage.

Conseils à suivre dans l’étude d’un montage à A.O

1) Nature de fonctionnement : En régime linéaire si la sortie S est bien liée à l’entrée
inverseuse E-
2) Méthode de calcul : Théorème de MILLMAN principalement (le plus recommandé)
3) Démarche de calcul : Expression du potentiel en E+ ou E- en considérant que
ie+ = ie− = 0 et ε = 0
4) Présentation du résultat : Expression de la fonction de transfert vS vE ou le calcul de

vs = f (vE )
5) Vérification : - Signal d’entrée en E- : Montage inverseur et le signal de sortie sera
déphasé de π (180°) par rapport au signal appliqué sur E-
- Signal d’entrée en E+ : Montage non inverseur et le signal de sortie sera
en phase avec le signal appliqué sur E+
2.4- Fonctionnement en régime linéaire

2.4.1- Montage inverseur
En appliquant le théorème de Millman : R2

vS R
=− 2
vE R1 R1
Conclusion : −
• Si vE est sinusoïdale, vS est aussi et elle
vE + vS
est déphasé de -180° par rapport à vE
• vS est amplifié si R2 > R1
2.4.2- Montage non inverseur
En appliquant le théorème de Millman : R2

vS R1 + R2
=
vE R1 R1
Conclusion : −
• pas de déphasage
+
• vS est amplifié vS
vE
Pour que vS = vE il faut que R1 = ∞ et R2 = 0 : C’est le montage suiveur
−
+ vS
vE
Ce montage permet de connecter une résistance de charge RL à un générateur de résistance
interne RG >> RL tout en maintenant la tension EG aux bornes de RL : adaptateur d’impédance
entre le générateur et la charge

Générateur de
tension
RG −
i≠0 RG i≠0
i=0
+
vL<EG RL vL=EG RL
EG EG vE=EG
−
Le Suiveur permet également que R
i=0
l’impédance d’entrée de l’oscilloscope +
ne vienne modifier la fréquence de C Oscilloscope
coupure d’un filtre : vE vS
2.4.3- Sommateur (ou Additionneur)

R0
v v 
vS = − R0  1 + 2  R1
 R1 R2 
−
L’AO réalise donc l’addition de deux fonctions
v1 +
v1 et v2 . Dans le cas où un nombre quelconque R2
vS
de tensions est appliqué à l’entrée E-, on obtient v2
 v 
alors vS = − R0  ∑ i 
 i Ri 
Le signe – est gênant, il suffit d’ajouter un étage inverseur à la sortie de l’amplificateur.
2.4.4- Soustracteur
R2
 R  R4 R
vS = 1 + 2  v2 − 2 v1
 R1  R3 + R4 R1 R1
−
pour R1 = R3 et R2 = R4 on a : vS = 2 (v2 − v1 )
R
v1 +
R3 R3
vS
v2 R4
En plus si R2 = R3 : vS = v2 − v1

2.4.5- Dérivateur
Le montage de base :
R
−
vE +
vS
dv E
vE quelconque : vS = − RC : le montage réalise donc une dérivation de la fonction vE
dt
avec en plus un changement de signe
vE sinusoïdale : vS = − jRCω vE , la sortie vS est également sinusoïdale mais en
quadrature retard sur la tension d’entrée.
Etudions la fonction de transfert en régime sinusoïdal :
ω
H ( jω ) =
vs 1
= − jRCω = − j avec ω0 =
ve ω0 RC
Le tracé de Bode est le suivant :
G(dB) φ
20dB/décade
ω
ω π
ω0 −
2
Problème posé par le dérivateur : Le gain devient très grand en haute fréquence et l’A.O. se
sature. Pour le cas souvent rencontré en pratique c’est l’effet du bruit qui a un spectre en H.F. qui
saturera l’A.O. La solution alors est de limiter le gain en H.F. en insérant une résistance en série
avec le condensateur :
R
R0 C
−
vE +
R0 vS
La résistance R0 branchée sur E+ sert à équilibrer les deux entrées en résistance.

ω
− A⋅ j
− jRCω ωC
H ( jω ) = s =
v R
= avec A = : l’amplification dans la bande passante et
ve 1 + jR0Cω 1 + j ω R0
ωC
1
ωC = la pulsation de coupure à -3dB.
R0C
G(dB)
Amplification
20logA
20dB/décade
ω
ω0 ωC
Dérivation
φ
ωC ω
π
−
2
−π
Ainsi modifié, le dérivateur ne risque pas de dysfonctionner en H.F. et à partir de la fréquence
ωc
fc = le montage ne dérive pas mais il amplifie.
2π
2.4.6- Intégrateur
Le montage de base :
C
R
−
vE +
vS
R
ve (t ) dt : On obtient donc à la sortie une tension

1
RC ∫
vE quelconque : vS = −
proportionnelle à la primitive de la fonction d’entrée.
1
vE sinusoïdale : vS = − vE , la sortie vS est également sinusoïdale mais en
jRCω
quadrature avance sur la tension d’entrée.
On donne le tracé de bode de la fonction de transfert en régime sinusoïdal :

G(dB) φ
ω
Saturation
20logA
20dB/décade π
−
Intégration ω 2
Problème posé par l’intégrateur : L’amplification devient très grande pour les basses fréquences
et l’amplificateur sature. Ainsi si le signal d’entrée présente une composante continue, celle-ci
saturera l’AO. On limite le gain en basses fréquences en insérant une résistance en parallèle avec
le condensateur :
R0
R
−
vE +
vS
R
− R0 R −A
H ( jω ) =
vs R0
= = avec A = : l’amplification dans la bande passante et
ve 1 + jR0 Cω ω R
1+ j
ωC
1
ωC = la pulsation de coupure à -3dB.
R0C
G(dB) φ
Amplification ωC ω
20logA
20dB/décade
−π
ω
ωC 3π
−
Intégration 2
Le montage ainsi modifié a un gain fini en très basse fréquence et en continue.

2.5 - Fonctionnement en régime saturé
En régime saturé : vS = ±VSat et ε = vE + − vE − ≠ 0 . L’AO est utilisé en boucle ouverte ou muni

d’une rétroaction sur l’entrée non inverseuse (bouclage de la sortie S sur l’entrée E+)
2.5.1- Comparateur simple
Il permet de comparer une tension à une tension vref choisie comme référence.
Si vE > vref alors vS = +VSat et Si vE < vref alors vS = −VSat −

Un comparateur simple présente cependant l’inconvénient +
vE vS
d’être sensible aux tensions de bruit lorsque vE est très vref
proche de vref , ce qui a pour conséquence des basculements
intempestifs de la sortie d’une tension de saturation à l’autre. Un comparateur à hystérésis permet
de supprimer cet inconvénient.
2.5.2- Comparateur à hystérésis (Trigger de Schmitt)
Considérons le montage suivant :
v +
vS
R2
R1
1er cas : Supposons que la sortie soit dans l’état de saturation haute : vS = +VSat dans ce cas :
R1
vE + = VSat = vh (Diviseur de tension)
R1 + R2
Or si vS = +VSat ça veut dire que ε > 0 cela implique vh > v . On a alors pour les valeurs
croissantes de v la caractéristique de transfert suivante :
vS
+ V Sat
vh v
− VSat

2ème cas : Supposons que la sortie soit dans l’état de saturation haute : vS = −VSat dans ce cas :
− R1
vE + = VSat = vb (Diviseur de tension)
R1 + R2
Or si vS = −VSat ça veut dire que ε < 0 cela implique vb < v . On a alors pour les valeurs
croissantes de v la caractéristique de transfert suivante :
vS
+ VSat
vb v
− VSat
On obtient alors le cycle d’hystérésis suivant en superposant les deux courbes précédentes:
vS
+ VSat
vb vh vS
− VSat
2 R1
La largeur du cycle d’hystérésis est : ∆V = vh − vb = VSat
R1 + R2
2.5.3- Multivibrateur
On se propose d’étudier le montage suivant, constitué d’un comparateur à hystérésis et d’un
intégrateur (cellule RC):
Supposons, comme point de départ, que vs = +VSat R
et que le condensateur soit déchargé à l’instant
t = 0 ( vC = 0 ) : −
vC +
R1 R1
vE + = vS = αVSat avec α = C vS
R1 + R2 R1 + R2
R2
du
vS − vC = R i avec i=C C et vS = VSat R1
dt
dvC 1 V
soit : + vC = Sat
dt RC RC

 −
t

La solution de cette équation différentielle donne : vC (t ) = VSat 1 − e RC 
 
La tension vC (t ) augmente pour tendre vers + VSat . Cette valeur ne sera cependant pas atteinte.
En effet, comme vC (t ) = vE − , à l’instant t1 où vC (t ) = vE + = α VSat , la sortie de l’AO bascule à
− VSat .
 − 1 
t
1
L’instant t1 s’obtient en écrivant que : VSat 1 − e RC  = α VSat soit t1 = RC ln
  1−α
A partir de t = t1 , le condensateur se décharge sous la tension vS = −VSat , on a alors vE + = −αVSat

dvC 1 V
et + vC = − Sat , l’intégration de cette équation entre les instants t1 et t conduit à :
dt RC RC
(t − t1 )
 − 
vC (t ) = VSat  (1 + α )e RC − 1
 
La tension vC (t ) décroît pour tendre à − VSat . Cette valeur ne sera cependant pas atteinte, puisque
à l’instant t 2 où vC (t ) = −α VSat , nous avons vE + = vE − et la sortie de l’AO bascule de nouveau à
+ VSat .
(t −t )
 − 2 1  1+ α
L’instant t 2 s’obtient en écrivant que : VSat  (1 + α )e RC − 1 = −α VSat soit t 2 = t1 + RC ln

  1−α
La commutation d’un état de fonctionnement à l’autre se poursuit ainsi indéfiniment. Les courbes
suivantes représentent les évolutions au cours du temps des tensions vC (t ) et vS (t ) :
vS (t ), vC (t )
+ VSat
+ α VSat
t1 t2 t
− α VSat
− VSat
Ce type de multivibrateur est dit astable puisqu’il délivre une tension de sortie rectangulaire,
périodique, évoluant entre deux états instables. Il est aussi appelé oscillateur de relaxation.
1+ α
La période des oscillations est : T = 2RC ln
1−α

Chapitre 3 : Filtrage Analogique
3.1- Définition :
Action qui consiste à transmettre que les signaux dont les fréquences sont contenues dans une
certaine plage appelée « Bande passante ». Les signaux indésirables dont les fréquences sont
situées en dehors de la bande passante sont éliminés c'est-à-dire suffisamment atténués pour être
négligeables.
3.2- Les filtres passifs :
Ils sont composés uniquement d’éléments passifs linéaires.
Filtres du premier ordre :
Les filtres élémentaires d'ordre 1 ont été étudiés en détail dans la première partie du cours
d'électronique analogique EA1. On se contente donc ici d'en rappeler l'essentiel.
Les filtres d'ordre 1 sont représentés par des fonctions de transfert dont la forme générale est la
suivante :
a + ja1ω
H ( jω ) = 0
b0 + jb1ω
Filtre passe-bas d’ordre 1
Bode Diagram
0
R -5
vE vS
Magnitude (dB)
C -10
-15
-20
0
H PB ( jω ) =
1
1 + j ω ω0
-30
Phase (deg)
-60
1
ω0 = Avec -90
-1
10 10
0 1
10
RC Frequency (rad/sec)
Filtre passe-haut d’ordre 1
Bode Diagram
0
C
-5
Magnitude (dB)
vE R vS
-10
-15
-20
j ω ω0
90
H PH ( jω ) =
1 + j ω ω0
Phase (deg)
45
1
ω0 = Avec 0
10
-2
10
-1 0
10

Chapitre 3 – Filtrage Analogique
Filtre déphaseur d’ordre 1
Bode Diagram
R C 5
vS
Magnitude (dB)
vE 0
-5
C R
-10
360
315
1 − j ω ω0
Phase (deg)
H Deph ( jω ) = 270
1 + j ω ω0 225
1
ω0 =
180
Avec 10
-1 0
10
1
10
L’inconvénient des filtres du 1er ordre est qu’ils sont en général peu performants à cause de leur
pente d’atténuation qui est limitée à -20dB/décade.
Filtres du second ordre :
Le circuit le plus simple permettant de réaliser cette fonction est un circuit RLC simple. En effet
comme le montre la figure suivante, suivant l'endroit où la tension sortie est prélevée, les filtres
fondamentaux d'ordre 2 sont du type passe-bas, passe-haut, passe-bande, coupe-bande. En
préalable à l'étude des filtres analogiques réalisés avec des amplificateurs opérationnels, ce circuit
peut donc servir de base à la présentation et à l'analyse des divers filtres analogiques
C vS
Passe-bas
vS
Coupe-bande
vS
vE L
Passe-haut
R vS
Passe-bande
v S ( jω )
On montre aisément que leurs réponses fréquentielles H ( jω ) = sont entièrement décrites
v E ( jω )
par la pulsation caractéristique ω0 et le coefficient d’amortissement m ou bien le facteur de
qualité Q0 ( Q0 = 1 2m ) :et qu'elles valent respectivement :
H PB ( jω ) =
1 1 1
= =
1 + jω RC + ( jω ) LC  
2 2
 jω  jω
2
1 + 2m +   1 + 1 jω +  jω  
ω0  ω0   Q0 ω0  ω0  
 

2 2
 jω   jω 
   
H PH ( jω ) =
( jω ) LC
2
=  ω0  =  ω0 
1 + jω RC + ( jω ) LC  
2 2 2
jω  jω  1 + 1 jω +  jω  
1 + 2m +  
ω0  ω0   Q0 ω0  ω0  
 
 jω  1 jω
 2m 
jω RC  ω0  Q0 ω0
H P∆ ( jω ) = = =
1 + jω RC + ( jω ) LC   jω  
2 2
jω  jω 
2
 1 j ω
1 + 2m +  1+ + 
ω0  ω0   Q0 ω0  ω0  
 
2 2
 jω   jω 
1 +   1 +  
1 + ( jω ) LC
2
 ω0   ω0 
H C∆ ( j ω ) = = =
1 + jω RC + ( jω ) LC   jω  
2 2 2
jω  jω   1 j ω
1 + 2m +  1+ + 
ω0  ω0   Q0 ω0  ω0  
 
On notera que tous les filtres d'ordre 2 ont le même dénominateur et qu'ils sont complètement
décrits par ω0 et m (ou Q0 ) :
 jω  jω   
2
1 jω  jω  
2
D ( jω ) = 1 + 2 m
 +  = 1+ + 
 ω0  ω0    Q0 ω0  ω0  
   
Ces filtres du 2ème ordre représentent une variation de gain ± 40dB / décade pour passe-bas et
passe-haut dans la bande atténuée. La limite de la bande passante à -3dB dépend du coefficient
d’amortissement m : elle est proche de ω0 lorsque m ≤ 0,7 . Pour un passe-bande, la variation du
gain est seulement de ± 20dB / décade .
Dans le cas des filtres passe-bande et coupe-bande, on définit les pulsations de coupure ωi et ωs
correspondant à une atténuation de 3 dB par rapport au maximum de la réponse fréquentielle.
H ( jω ) ω =
1
= −3dB
i ,s
2
On peut alors montrer que, dans les deux cas, la largeur de bande est inversement proportionnelle
à Q0
ω0
∆ω = ω s − ωi =
Q0
et que ω0 est la moyenne géométrique des deux pulsations de coupure ωi et ωs
ω02 = ωi ⋅ ωs
Une illustration précisant le comportement fréquentiel de ces deux filtres est présentée dans les
figures suivantes. On y voit en particulier que les asymptotes du filtre passe-bande se croisent à
un niveau − 20 log(Q0 ) déterminé par le facteur de qualité. Le filtre sera donc d'autant plus
sélectif que son facteur de qualité est élevé.

Filtre Passe-Bande
− 20 log Q200
10
ωi ωi
0
− 3dB
-10
H (dB)
-20
-30
-40
- - - 0 1 2 3
10 3 10 2 10 1 10 10 10 10
Frequency (rad/sec)
Filtre Passe-Bande
ωi ω s
5
0
− 3dB
-5
-10
-15
− 20 log Q0 -20
-25
-30
-35
-40
- 0 1
10 1 10 10
Frequency (rad/sec)
Filtre Coupe-Bande
5
ωi ωs
0
− 3dB
-5
-10
H (dB)
-15
-20
-25
-30
- 0 1
10 1 10 10
Frequency (rad/sec)
Le principal défaut des filtres passifs est lié au fait que leur fonction de transfert dépend toujours
de la charge placée en sortie. Il faut donc prendre en compte l’impédance de charge dans le calcul
du filtre. Le second défaut est lié à l’utilisation d’inductances qui sont coûteuses et encombrantes
et aussi de leur résistance propre

3.3- Les filtres actifs :

Ils sont généralement construits autour d’un élément actif (AO, Transistor, ..)
Filtres du premier ordre :
Les plus simples utilisent les structures des filtres passifs suivies d’un étage suiveur dans le seul
but de réaliser l’adaptation d’impédance avec la charge.
−
+
Z1 vS
vE Z2
Filtres du second ordre :

Il existe une multitude de structures à AO mais les plus courantes sont les structures universelles
de RAUCH et de SALLEN-KEY
3.3.1- Structure de RAUCH
Cette famille de filtres est décrite par schéma suivant, sur lequel Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 sont des
admittances réalisées par des résistances Y = 1 R ou par des condensateurs, Y = jCω .
Y4 Y5
Y1 Y3
−
vE Y2 +
vS
La fonction de transfert de cette structure est donnée par :

v S ( jω ) − Y 1 Y3
H ( jω ) = =
( )
v E ( jω ) Y 5 Y 1 + Y 2 + Y 3 + Y 4 + Y 3 Y 4
Le type de filtre dépend alors du choix des admittances :
Pour le filtre passe-bas on prend : Y 1 = 1 R , Y 2 = jC1ω , Y 3 = 1 R , Y 4 = 1 R , Y 5 = jC2ω
v S ( jω ) −1
H PB ( jω ) =
1 3 C2
= avec ω0 = et m =
v E ( jω ) jω  jω 
2
R C1C2 2 C1
1 + 2m +  
ω0  ω0 
Pour le filtre passe-haut on prend : Y 1 = jCω , Y 2 = 1 R1 , Y 3 = jCω , Y 4 = jCω , Y 5 = 1 R 2

2
 jω 
−  
v S ( jω )  ω0 
H PH ( jω ) =
1 3 R1
= avec ω0 = et m =
2
C R1R2 2 R2
1 + 2m +  
ω0  ω0 
Pour le filtre passe-bande on prend : Y 1 = 1 R1 , Y 2 = 1 R 2 , Y 3 = jCω , Y 4 = jCω , Y 5 = 1 R 3
R3  jω 
−  2m 
v S ( jω ) 2 R1  ω0  R1 + R2
H P∆ ( jω ) =
1 1 R1 R2
= avec ω0 = et m =
2
C R1R2 R3 C R3 (R1 + R2 )
1 + 2m +  
ω0  ω0 
3.3.2- Structure de SALLEN KEY
Cellules à gain fixe
Elles utilisent un amplificateur à gain unité et une réaction positive. Elles permettent ainsi de
réaliser des filtres à gain fixe de type passe-bas, passe-haut, passe-bande et coupe-bande. Leurs
schémas sont présentés dans la figure suivante :
Y2
−
Y1 Y3
+
vS
vE Y4
La fonction de transfert de cette structure est donnée par :

v S ( jω )
H ( jω ) =
Y 1 Y3
=
( )( )
v E ( jω ) Y 1 + Y 2 Y 3 + Y 4 + Y 3 Y 4 − Y 2 ( )
Le type de filtre dépend également du choix des admittances :
Pour avoir un filtre passe-bas on prend : Y 1 = 1 R , Y 2 = jC1ω , Y 3 = 1 R , Y 4 = jC2ω
v S ( jω )
H PB ( jω ) =
1 1 C2
= avec ω0 = et m =
2
R C1C2 C1
1 + 2m +  
ω0  ω0 
Pour avoir un filtre passe-haut on prend : Y 1 = jCω , Y 2 = 1 R1 , Y 3 = jCω , Y 4 = 1 R2

2
 jω 
 
v S ( jω )  ω0 
H PH ( jω ) =
1 R1
= avec ω0 = et m =
2
C R1R2 R2
1 + 2m +  
ω0  ω0 

Pour le filtre passe-bande on prend : Y 1 = 1 R1 , Y 2 = 1 R 2 , Y 3 = jCω , Y 4 = ( jCω ) // (1 R2 ) ,
R2  jω 
 2m 
v S ( jω ) 2(R1 + R2 )  ω0  R1 + R2 R1 + R2
H P∆ ( jω ) =
1
= avec ω0 = et m =
2
R2C R1 R1 (R1 + R2 )
1 + 2m +  
ω0  ω0 
Les cellules à gain fixe offrent un moyen simple de réaliser des filtres d'ordre 2. Cependant, si
l'on observe les équations déterminant la pulsation caractéristique ω0 et le coefficient
d’amortissement m (ou bien le facteur de qualité Q0 ), on voit que l'on ne peut pas varier l'un
sans changer l'autre. C'est pour cette raison que l'on propose également des cellules à gain
variable offrant un degré de liberté supplémentaire.
Cellules à gain variable
Elles se distinguent des cellules à gain fixe uniquement par le fait que l'amplificateur suiveur est
remplacé par un amplificateur de gain K A . Grâce à celui-ci, le coefficient d’amortissement m
(ou bien le facteur de qualité Q0 ) peut être modifié indépendamment de la pulsation ω0 . Leurs
schémas sont présentés dans la figure suivante :
Y6
Y2
−
Y1 Y3
+
vS
vE Y4 Y5
Le type de filtre dépend également du choix des admittances :

Pour avoir un filtre passe-bas on prend : Y 1 = 1 R , Y 2 = jCω , Y 3 = 1 R , Y 4 = jCω , Y 5 = 1 R3 ,
Y 6 = 1 R4
v S ( jω ) R + R4 3− KA
H PB ( jω ) =
KA 1
= avec ω0 = , KA = 3 et m =
2
RC R3 2
1 + 2m +  
ω0  ω0 
Pour avoir un filtre passe-haut on prend : Y 1 = jCω , Y 2 = 1 R , Y 3 = jCω , Y 4 = 1 R , Y 5 = 1 R3 ,

Y 6 = 1 R4
2
 jω 
K A  
v S ( jω )  ω0  R + R4 3− KA
H PH ( jω ) =
1
= avec ω0 = , KA = 3 et m =
2
RC R3 2
1 + 2m +  
ω0  ω0 

3.3- Synthèse d’un filtre analogique :

Les techniques modernes de réalisation de filtres d’ordre élevé utilisent la synthèse dite « en
cascade ». Par exemple un filtre passe-bas d’ordre 5 sera obtenu par la mise en cascade d’un filtre
passif du 1er ordre et de deux filtres actifs du 2ème ordre (On utilise souvent la structure de Sallen
Key vu le nombre réduit de composants qu’elle contient). Il faudra donc déterminer la fonction de
transfert du filtre décomposée en fonctions élémentaires du 1er et 2ème ordre puis calculer les
éléments constitutifs de chaque filtre.
Si la qualité d’un filtre dépend de son ordre, le nombre de composants qui le constitue aussi. Pour
des raisons de coût et de fiabilité, il est donc préférable de déterminer l’ordre au plus juste par
rapport au cahier des charges (inutile de réaliser un filtre d’ordre 5 lorsqu’un filtre d’ordre 2
suffit). Ce cahier des charges est généralement présenté sous forme d’un gabarit à l’intérieur
duquel devra s’inscrire la courbe de gain.
G(dB) G(dB) G(dB) f0
−
0 fp fa f fa fp f f a− f p f p+ f a+ f
0 0
a a a
BP BP BP
b b b
Passe-bas Passe-haut Passe-bande
f P : limite de la bande passante

f a : limite de la bande atténuée
a : atténuation maximale dans la bande passante
b : atténuation minimale dans la bande atténuée.
Pour chaque filtre, on définit la sélectivité s par :
fp
s= pour un gabarit passe-bas
fa
fa
s= pour un gabarit passe-haut
fp
f p+ − f p−
s= pour un gabarit passe-bande.
f a+ − f a−
Pour le filtre passe-bande, la largeur de bande relative B est donnée par :
f p+ − f p− ∆f
s= =
f0 f0
ce qui correspond à 1 Q0 pour les filtres du second ordre.

Technique de synthèse :
Etape 1 : transposer le gabarit en « passe-bas de référence »
Le but de la transposition est de ramener l’étude de tous les types de filtres (passe-bas, passe-
haut, passe-bande, coupe-bande) à l’étude d’un filtre passe-bas dit de référence afin de faciliter le
calcul.
De plus, la transposition réalise la « normalisation » de la fréquence en utilisant comme abscisse
la fréquence dite réduite x au lieu de f .
f
f → x= pour les filtre passe-bas et passe-haut
fp
f
f → x= pour les filtre passe-bande
f0
Cette première étape se fait de la manière suivante :
• Passe-bas
G(dB) G(dB)
fp fa f 1 1s x
0 0
a a
Transposition
b b
Passe-bas Passe-bas de référence
• Passe-haut
G(dB) G(dB) G(dB)
fa fp s 1s
0 f 0 1 x 0 1 x
a a a
Normalisation Transposition
b b b
Passe-haut Passe-haut normalisé Passe-bas de référence
• Passe-bande
G(dB)− f0 G(dB)− 1 G(dB)
f a f p− f p+ f a+ xa x −p x +p xa+ 1 1s
0 f 0 x 0 x
a a a
Normalisation Transposition
b b b
Passe-bande Passe-bande normalisé Passe-bas référence

Etape 2 : trouver la fonction de transfert du «passe-bas de référence »

A partir du gabarit passe-bas de référence, il faut d’abord estimer l’ordre minimum n de la
réponse s’inscrivant dans le gabarit. Pour cela, il faut choisir le type de réponse du filtre suivant
l’application désirée. Nous ne citerons que certains filtres polynomiaux (Butterworth).
Cependant, il en existe d’autre assez utilisé comme les filtres de Bessel, Tchebycheff...
La fonction de Butterworth est donnée par : T ( x ) =

1
où n est l’ordre du filtre.
1 + x 2n
La table de fonction de transmission des filtres de Butterworth ci après permet de déduire ensuite
la fonction de transfert correspondant au gabarit passe-bas de référence.
Table des filtres de Butterworth
Ordre Fonction de Butterworth
1 p+1
2 p2+1,414p+1
3 (p2+p+1)(p+1)
4 (p2+1.848p+1)(p2+0,765p+1)
5 (p2+1,618p+1)(p2+0,618p+1)(p+1)
6 (p2+1,932p+1)(p2+1,414p+1)(p2+0,518p+1)
Etape 3 : déterminer la fonction de transfert du filtre recherché

Il suffit pour cela d’opérer les changements de variable réalisés lors de la transposition en sens
inverse :
p → jω ω p
Passe-bas : T′( jω) T ′( jω )
Passe-bas de référence Filtre recherché
p → jω ω p
p →1 p
Passe-haut : T ( p ) T ′( p ) T ′( jω )
p → jω ω 0
(
p → 1 B p + p −1 )
Passe-bande : T ( p ) T ′( p ) T ′( jω )

Chapitre 4 : Les Oscillateurs sinusoïdaux
4.1- Introduction :
En électronique, le terme oscillateur désigne un montage autonome qui génère spontanément un
signal périodique lors de la mise sous tension auto-entretenu, c'est-à-dire sans qu'il soit nécessaire
de l'attaquer par un tel signal (pas de signal de commande).
On distingue deux types d'oscillateurs :
- Les oscillateurs à relaxation (régime saturé) : le signal engendré est en dent de scie, en
créneaux, triangle...
- Les oscillateurs sinusoïdaux (régime linéaire): Il délivre un signal quasi-sinusoïdal de la forme
s (t ) = S 0 sin (ω0 t ) avec S0 est l'amplitude des oscillations et ω0 est la pulsation des oscillations.
Les domaines d’application sont nombreux :
• Un microprocesseur utilise une horloge pour effectuer ses opérations
• En transmission numérique pour cadencer la transmission des informations
• En modulation/démodulation analogique on utilise des oscillateurs qui oscillent à la
fréquence de la porteuse
4.2- Principe :
Comme son nom l’indique, la fonction d’un oscillateur sinusoïdale est de produire une tension
sinusoïdale de façon autonome. Son principe général est celle d’un système bouclé placés
volontairement dans un état d’instabilité. Il est constitué d’une chaîne directe A( jω ) apportant de
l’amplification et d’un quadripôle de réaction K ( jω ) :
vE + vS
A( jω )
−
vR
K ( jω )
La fonction de transfert de la boucle fermée :

v S ( jω ) A ( jω )
=
vE ( jω ) 1 + A ( jω )K ( jω )
Si A ( jω )K ( jω ) = −1 le dénominateur s’annule et la fonction de transfert est infinie, ce qui peut

s’interpréter en considérant que la tension de sortie est non nulle alors que la tension d’entrée est
nulle.

Chapitre 4 – Les Oscillateurs Sinusoïdaux
+ vS
0 A( jω )
−
vR
K ( jω )
La condition d’oscillation est donc: A ( jω )K ( jω ) = −1

Cette relation est complexe, et elle peut être décomposée en une double condition en coordonnées
polaires ou en coordonnées cartésiennes.
En coordonnés polaires :
Condition sur l’argument : Arg ( A × K ) = arg (A ) + arg (B ) = (2k + 1)π .
Cette condition ne peut être réalisée que pour une fréquence particulière f 0 appelée fréquence
d’oscillation.
Condition sur le module : A × K = A × K = 1
Cette relation fixe en général la valeur du coefficient d’amplification A
En coordonnés cartésiennes :
Condition sur la partie imaginaire : Im( A × K ) = 0
Cette relation impose la fréquence f 0 des oscillations
Condition sur la partie réelle : ℜ( A × K ) = −1
Cette relation fixe en général la valeur du coefficient d’amplification A
Ces conditions s’appellent les conditions d’oscillations de BARKHAUSEN

Remarque : Démarrage de l’oscillation :
Pour que l’oscillation puisse démarrer, il faut avoir, au moment de la mise sous tension de
l’oscillateur, une amplification un peu supérieure à l’atténuation du quadripôle de réaction c'est-à-
dire A × K > 1 (condition de démarrage) puis il faut passer à A × K = 1 (condition d’entretien
des oscillations)
4.3- Les oscillateurs à résonateur LC
Ces oscillateurs très courants sont constitués d'un amplificateur A ( jω ) à grande impédance
d'entrée (AO en BF, transistor à effet de champ, …) et d'un réseau à réaction K ( jω ) purement
réactif en "pi" (condensateurs et inductances) :

amplificateur réseau de réaction
RS Z2
vE vS Z3 Z1 vR
A0vE
Le réseau de réaction a une impédance d'entrée de :

Z 3 (Z1 + Z 2 )
ZE =
Z1 + Z 2 + Z 3
La fonction de transfert de l'amplificateur est :
vS A Z
A= = 0 E
vE Z E + RS
La fonction de transfert de la chaîne de réaction (ici l’impédance d’entrée est infinie) est
simplement :
vR Z1
K= =
v S Z1 + Z 2
Le critère de Barkhausen impose : A × K = 1 , il vient :

A0 Z1 Z 3
=1
Z 3 (Z1 + Z 2 ) + RS (Z1 + Z 2 + Z 3 )
A0 Z1 Z 3 = Z 3 (Z1 + Z 2 ) + RS (Z1 + Z 2 + Z 3 )
Comme les impédances sont réalisées à partir d'éléments purement réactifs :
Z1 = jX 1 ; Z 2 = jX 2 ; Z 3 = jX 3
La condition d'oscillation devient alors :
− A0 X 1 X 3 = − X 3 ( X 1 + X 2 ) + jRS ( X 1 + X 2 + X 3 )
ce qui est vérifié si les parties réelles sont égales A0 X 1 = X 1 + X 2 , et si les parties imaginaires
sont égales X 1 + X 2 + X 3 = 0
A0 X 1 = − X 3
ce qui donne :
X1 + X 2 + X 3 = 0
Dans le cas d'un amplificateur inverseur, A0 < 0 , comme A0 X 1 = − X 3 , X 1 et X 3 sont de même
signe donc sont des composants de même nature. La seconde condition, X 1 + X 2 + X 3 = 0 ,
impose pour X 2 un composant de nature différente.
D'où les deux structures possibles, celle de Hartley et celle de Colpitts qui est plus fréquente car
elle ne nécessite qu'une seule inductance.

Structure de HARTLEY
Z1 et Z 3 sont des inductances, Z 2 est un
condensateur. amplificateur réseau de réaction
La condition X 1 + X 2 + X 3 = 0 donne :
1 RS C
L1ω − + L2ω = 0 , d'où vE vS vR
Cω L2 L1
1 L A0vE
ω0 = et A0 = − 2
(L1 + L2 )C L1
Structure de COLPITTS
Z1 et Z 3 sont des condensateurs, Z 2 est une
inductance. amplificateur réseau de réaction
La condition X 1 + X 2 + X 3 = 0 donne :
L
1 1 RS
− + Lω − = 0 , d'où
C1ω C2ω vE vS vR
A0vE C2 C1
1 C
ω0 = et A0 = − 1
CC C2
L 1 2
C1 + C2
4.4- Exemple: Oscillateur de Clapp à transistor bipolaire
L’oscillateur de Clapp est une variante de l’oscillateur de Colpitts dans lequel un condensateur
ajustable de capacité C est ajouté en série dans la branche inductive (il faut 1 Cω 0 < Lω0 pour ne
pas modifier le caractère inductif de la branche Z 2 ). Ainsi, la réactance X 2 peut être ajustée ce
qui permet un réglage de la fréquence d’oscillation
Amplificateur
VCC
Réseau de réaction
R1 LC
C L
CL
vS vR
vE C2 C1
R2
RE CE
On suppose que le transistor fonctionne en régime linéaire. On donne le schéma petits signaux :

ib C L
B C
β ib
vE Req h11 vS C2 C1 vR
Pour simplifier, on a posé Req = R1 // R2 . Par ailleurs, on admet que Req >> h11 .
La chaîne de réaction possède l’impédance d’entrée :
 1 
j  Lω − (1 + jh11C1ω ) + h11
 Cω 
ZE =
 C 
1 − LC 2ω + 2 (1 + jh11C1ω ) + jh11C 2ω
2
 C 
La fonction de transfert de l’amplificateur chargé par la chaîne de réaction s’écrit donc :
 1 
j  Lω − (1 + jh11C1ω ) + h11
vS − β  Cω 
A= =
h11  C 
1 − LC 2ω + 2 (1 + jh11C1ω ) + jh11C 2ω
vE 2
 C 
La fonction de transfert de la chaîne de réaction chargée par l’entrée de l’amplificateur s’écrit :
vR h11
K= =
 1 
(1 + jh11C1ω ) + h11
vS
j  Lω −
 Cω 
La condition d’oscillation impose :
−β
A×K = =1
 C 
1 − LC 2ω + 2 (1 + jh11C1ω ) + jh11C 2ω
2
 C 
Identifions les parties réelles et imaginaires de part et d’autre :
h11C1C2ω
1 − LC2ω 2 +
C2
= −β et h11C1ω − h11 LCC ω + + h11C2ω = 0
C C
La seconde équation donne la pulsation d’oscillation :
C1C2
C1 + C2 +
ω0 = C
LC1C2
La première, après simplification, donne la condition d’amplification :
C2
β=
C1

Remarque 1 : Si on retire le condensateur C ce qui revient à faire tendre la capacité C vers

l’infini, on retrouve bien la pulsation d’oscillation de l’oscillateur de Colpitts donnée par :
1 C1C 2
ω0 = avec Ceq =
LC eq C1 + C 2
Remarque 2 : Le réglage de la pulsation peut également être réalisé en plaçant un condensateur

ajustable de faible capacité (1 Cω0 > Lω0 ) en parallèle sur la branche inductive du réseau de
réaction.
4.5- L’oscillateur à quartz
Le quartz est un monocristal de silice (SiO2 ) qui vibre sous l’effet d’une tension appliquée à des
fréquences particulières : cette propriété du quartz à transformer de l’énergie électrique en
énergie mécanique et réciproquement est appelée l’effet piézo-électrique. Du point de vue
électrique, il se comporte comme un circuit résonnant RLC de facteur de qualité très élevé
pouvant atteindre 10 6 (La résistance équivalente aux pertes mécaniques est quasi nulle). Il est
généralement modélisé par l’association d’une inductance L et de deux capacités CS et C P
(C P ≈ 103 CS )
L
CP
Quartz
CS
− j ω 2 − ωS2 1
Son impédance peut se mettre sous la forme : Z Q = jX Q = avec ωS = et
C Pω ω 2 − ω P2 LCS
CS C P
ωP = 1 L
CS + C P
La réactance X Q permet de déterminer le caractère capacitif (X Q < 0 ) ou inductif (X Q > 0 ) du

quartz.
XQ
inductif
ωS ωP ω
capacitif
Placé dans un oscillateur de Colpitts à la place de l’inductance, la condition de l’oscillation

impose un comportement inductif du quartz et donc une pulsation d’oscillation ω0 comprise entre
ωS et ωP c'est-à-dire environ égale à ωP .

Pour un quartz donné, la pulsation est donc parfaitement fixée du fait de l’invariance des
propriétés du quartz d’où la grande stabilité en fréquence de ces oscillateurs.
4.6- Les oscillateurs à résistance négative
Le principe consiste à charger un condensateur et à fermer celui-ci sur une bobine. Le
condensateur se décharge dans la bobine qui emmagasine alors de l’énergie sous forme
magnétique qu’elle va avoir tendance à restituer au condensateur qui se charge à nouveau, etc.. Il
apparaît alors une tension sinusoïdale aux bornes de l’ensemble.
t ++ ++
C −− −− L r
B
En pratique, ces oscillations sont rapidement amorties par la résistance de la bobine qui dissipe,
par effet de joule, une partie de l’énergie à chaque échange entre la bobine et le condensateur.
Ainsi, l’énergie emmagasinée dans le circuit s’annule progressivement.. Pour y remédier, il faut
adjoindre un circuit actif jouant le rôle d’une "résistance négative" (Convertisseur d’Impédance
Négative) et qui doit fournir la quantité juste nécessaire d’énergie pour compenser les pertes dans
la résistance de la bobine : il y’a alors conservation de l’énergie emmagasinée dans l’ensemble du
circuit et donc entretien des oscillations.
Le schéma d’un oscillateur à circuit LC parallèle utilisant un NIC à AO est le suivant :
R3
i
+
−
C L,r
u
R2
R1
u RR
La résistance d’entrée est donnée par : RE = = − 1 3 = −ρ
i R2
En adoptant la modélisation R-L parallèle pour la bobine et en remplaçant le NIC par sa
résistance équivalente − ρ , l’oscillateur de la figure précédente peut être modélisé par :
iC iL iR i
C L R −ρ
u
d 2u (t ) d u (t )
Ce montage régit par l’équation différentielle suivante : 2
+ 2mω0 + ω02 u (t ) = 0
dt dt

1 1 1 1 1 1 1 L
avec ω0 = et 2mω0 =  −  soit m =  − 
LC C R ρ  2 R ρ  C
Pour m > 1 , la solution de l’équation différentielle est une combinaison de deux exponentielles
réelles (régime apériodique) ce qui n’a pas d’intérêt ici. En revanche, pour 0 < m < 1 , la solution
(
est sinusoïdale amortie (régime pseudo-périodique) : u (t ) = U m e −mω0t sin ω0 1 − m 2 t + ψ )
Il n’y a plus d’amortissement lorsque m = 0 soit R = ρ : le circuit fonctionne alors en
oscillateur.

Chapitre 5 : Boucle à verrouillage de phase
5.1- Définition :
La boucle à verrouillage de phase (P.L.L. Phase Locked Loop) est un système qui permet
d’asservir la phase d’un oscillateur local à celle d’un signal extérieur. On les trouve dans la
plupart des systèmes électroniques usuels : synthétiseur de fréquence, récepteur de télévision,
téléphones cellulaires… En général, elle se présente sous forme de circuit intégré (4046 par
exemple…). Cependant, par la suite, nous essaierons de réaliser les différents blocs qui la
composent par des éléments discrets afin d’en comprendre le principe.
Avant d’aller plus loin, on rappelle la notion de phase et de fréquence instantanées. Si on
considère un signal u (t ) = U m sin (θ (t )) , on peut donner les définitions suivantes :
- θ (t ) = ωt + ϕ (t ) s’appelle la phase instantanée de u (t )

- Ω(t ) = dθ (t ) dt = ω + dϕ (t ) dt s’appelle la pulsation instantanée, c’est la vitesse de la variation
de la phase. Le terme dϕ (t ) dt correspond à la variation instantanée par rapport à ω .
- f (t ) = Ω(t ) 2π est la fréquence instantanée.
Pour un signal dont la phase initiale est constante, Ω(t ) correspond directement à ω . Dans le cas
de la PLL, la pulsation instantanée du signal est à priori variable au cours du temps autour d’une
pulsation fixe ω0 qui correspond à la pulsation du travail de la boucle.
5.2- Structure générale d’une P.L.L.
Le système se présente sous la forme d’un système bouclé dans lequel on va trouver les éléments
suivants :
Comparateur de phase
θE u vC θS
Filtre V.C.O
(u E ) Multiplieur passe-bas (uS )
L’oscillateur contrôlé en tension (V.C.O)

Le V.C.O. (Voltage Controled Oscillator) délivre une fréquence f S proportionnelle à la tension
de commande vC et ceci sur une certaine plage de fréquence délimitée par f min et f max comme le
montre la figure suivante :
fS
f S max
f0
f S min vC
vC min vC max

Chapitre 5 – La PLL
La fréquence f 0 obtenue à vC = 0 est appelé la fréquence libre ou la fréquence centrale.

Dans le domaine linéaire, la relation fréquence-tension du VCO s'écrit :
f S max − f S min
f S = f0 + vC
vC max − vC min
Le comparateur de phase :
Ce système doit fournir un signal u (t ) de la forme
u (t ) = K (ϕ E − ϕ S )
Il existe plusieurs façons de le réaliser. L’une des méthodes consiste à utiliser un multiplieur et à
se servir du filtre passe bas qui se trouve juste après.
Soit le signal d’entrée : u E (t ) = U EM sin (ω t + ϕ E (t ))
Soit le signal de sortie : u S (t ) = U SM cos(ω0 t + ϕ S (t ))
La tension de sortie u (t ) du multiplieur est donnée par :

u (t ) = K u E (t )u S (t ) = K U EM U SM sin (ω0 t + ϕ E (t )) cos(ω0 t + ϕ S (t ))
En utilisant la règle trigonométrique suivante : sin (a ) cos(b ) =

1
[sin (a + b ) + sin (a − b )]
2
On obtient : u (t ) =
K U EM U SM
[sin (ϕ E (t ) − ϕ S (t )) + sin (2ω0 t + ϕ E (t ) + ϕ S (t ))]
2
On choisit alors le filtre passe bas telle que sa fréquence de coupure f B << 2 f 0 ce qui va éliminer
le deuxième terme d’où :
vC (t ) = sin (ϕ E (t ) − ϕ S (t ))
K U EM U SM
2
Tant que la différence de phase reste petite sin (ϕ E (t ) − ϕ S (t )) ≈ ϕ E (t ) − ϕ S (t ) :
vC (t ) = K d (ϕ E (t ) − ϕ S (t ))
ou encore vC (t ) = K d (θ E (t ) − θ S (t ))
Le comparateur de phase joue le rôle d’opérateur de différence entre les phases θ E (t ) et θ S (t )

5.3- Principe de fonctionnement
La sortie vC du comparateur de phase est un signal proportionnel à [θ E − θ S ] c’est un signal
d’erreur au sens d’asservissement. Ce signal attaque le V.C.O. qui oscille à la pulsation
instantanée Ω S ≈ ω0
Le signal d’erreur corrige alors Ω S de manière à rendre la différence de phase constante en

dθ dθ
régime permanent : θ E − θ S = Cte ⇒ E − S = 0 ⇒ Ω E − Ω S = 0
dt dt
On obtient alors Ω E = Ω S lorsque la PLL est ‘verrouillée’

5.4- Modélisation de la PLL

Pendant le fonctionnement linéaire de la PLL, il est possible de donner un schéma blocs et
d’exprimer la fonction de transfert de la PLL. En pratique, il faut inclure la fonction de transfert
du filtre passe-bas (1er ordre) utilisé dans le CP. En effet, le pôle introduit par le filtre peut se
montrer déterminent pour les performances dynamiques de la boucle.
On peut réaliser une modélisation de la boucle faisant intervenir les grandeurs « phase » en entrée
et en sortie :
Entrée : θ E (t ) = ω0t + ϕ E (t )
Sortie : θ S (t ) = ω0t + ϕ S (t )
Le passage de la fréquence à la phase fait intervenir une intégration (1 p ) :

dθ S dϕ 1 dϕ S dϕ
θ S = ω0 t + ϕ S ⇒ Ω S = = ω0 + S ⇒ f S = f 0 + ⇒ 2π [ f S − f 0 ] = S
dt dt 2π dt dt
dϕ S 2π
⇒ 2π ∆f S = ⇒ ΦS ( p) = FS ( p )
dt p
f S max − f S min
Le V.C.O : f S = f 0 + vC
vC max − vC min
1
Le filtre passe-bas a comme fonction de transfert .
1+τ p
CP filtre
Φ E ( p) VC ( p ) FS ( p ) 2π Φ S ( p)
+ KD
1
K0
− 1+τ p p
On peut aussi réaliser une modélisation faisant intervenir les grandeurs « fréquence » en entrée et
en sortie :
FE ( p ) 2π Φ E ( p) FS ( p )
+ KD
1
K0
p − 1+τ p
Φ S ( p) 2π
p
Que l’on peut simplifier selon le schéma suivant :
FE ( p ) 2π FS ( p )
+ KD
1
K0
− p 1+τ p
Quelles que soient les grandeurs considérées. La fonction de transfert en boucle ouvert est donnée
2π K D K 0
par : TBO ( p ) =
p[1 + τp ]
L’étude de la PLL nous ramène à l’étude d’un système asservi donc on peut étudier la stabilité et
la précision.

5.5- Etude de la stabilité

La stabilité peut être étudiée à partir du diagramme de Bode associé à TBO ( p ) :
2π K D K 0
TBO ( p ) =
A
= avec A = 2π τ K D K 0 et ωC = 1 τ
p(1 + τ p ) jω  j ω 
1+
ωC  ωC 
G(dB)
-1
20logA
-2
ω
ωC
φ
ωC ω
-90°
0°<Mφ<45°
-180°
Bien que la PLL est stable Mϕ > 0° , elle présente souvent un mauvais degré de stabilité
Mϕ < 45° . Donc pour augmenter la stabilité c'est-à-dire la marge de phase il faut diminuer le
gain (A<1) ce qui est rarement dans le cas pratique. La réponse indicielle f S à une variation de
fréquence f E de type échelon sera donc transitoirement oscillante.
5.6- Etude de la précision
Il faut s’intéresser à l’erreur statique de phase ϕ D = ϕ E − ϕ S lorsqu’on applique un échelon de
fréquence f E ( f 0 → f 0 + ∆f E ) en entrée. Pour cela exprimons Φ D ( p ) = Φ E ( p ) − Φ S ( p ) à partir de
schéma blocs :
2π
ΦD ( p) = F ( p)
p
2π K D K 0 E
1+
p(1 + τ p )
L’erreur statique ϕ D peut être déterminée en utilisant le théorème de la valeur finale :
2π ∆ fE ∆ fE
lim ϕ D (t ) = lim p Φ ( p ) = lim =
t →∞ p →0 p →0 2π K D K 0 p K D K0
1+
p (1 + τ p )
L’écart de phase n’est pas nul cependant la différence de phase entre le signal de sortie et le
signal d’entrée sera autant plus faible que le produit K D K 0 sera grand ce qui n’est pas compatible
avec la condition de stabilité K D K 0 τ < 1 … On retrouve le dilemme précision/stabilité propre aux
asservissements. Pour avoir une différence nulle il faudrait envisager une correction incluant une
action intégrale.

Chapitre 6 : Modulation et Démodulation
6.1- Introduction :
Les systèmes de télécommunication permettent de transmettre des informations par voie
hertzienne. Le signal informatif est véhiculé par une onde électromagnétique se propageant dans
l’espace. Les systèmes d’émission et de réception utilisent des antennes qui produisent ou
détectent des variations (ou modulations) de la composante champ électrique ou champ
magnétique de l’onde électromagnétique. La transmission directe, par onde hertzienne, d’un
signal basse fréquence est impossible. En effet, les dimensions des antennes étant de l’ordre de
1 4 de la longueur l’onde λ donc il faudrait une antenne de longueur 5Km si la fréquence du
signal est 15KHz.. De plus, l’antenne ne pourrait être adaptée que pour un signal dont le spectre
de fréquence est étroit ce qui n’est pas le cas des signaux à transmettre en général (un signal
audio comporte des composants allant de 50Hz à 15KHz par exemple). Par ailleurs, il serait
impossible à la réception de distinguer deux signaux BF émis simultanément par 2 stations.. La
transmission hertzienne ne peut se faire qu’en introduisant l’information BF dans un signal HF
(de 100KHz à 100MHz).
6.2- Principe de la modulation
La modulation utilise généralement 2 signaux :
le message analogique ou numérique, appelé onde modulante ou message (BF)
l’onde porteuse ou d’échantillonnage (HF)
On appelle alors signal modulé le signal BF porté par le signal HF
La modulation peut être :
Soit une transposition plus ou moins directe du spectre du message vers les HF :
Modulation d’amplitude ou de fréquence
Soit une modification radicale du signal lui-même et utilisant des moyens numériques,
notamment l’échantillonnage (modulation par impulsions),
Soit une combinaison des deux techniques précédentes (Wide Band Code Division
Multiple Access - W-CDMA)
PORTEUSE MESSAGE
Continue AM - FM - PM Analogique
(Sinusoïdale) ASK (Continu)
FSK
PSK
PPM
PWM
PAM
Numérique
Impulsions (Discret)
PCM - W-CDMA

Chapitre 6 – Modulation et démodulation AM-FM
Avantages de la modulation :
Adaptation du signal modulé aux caractéristiques fréquentielles du canal de transmission
Rayonnement possible dans une antenne
Transmission possible à longue distance (ex: satellites)
Moindre sensibilité au bruit et parasites externes
Transmissions simultanées : possibilité de multiplexage fréquentiel
Inconvénients de la modulation :
Systèmes plus complexes : risque d’augmentation de la dégradation du signal due aux
équipements
Bande de fréquences à l’émission plus importante que celle du message
6.3- Modulation d’amplitude (AM)
6.3.1- Notations :
Les indices m et p signifieront que la grandeur se rapporte respectivement à l’onde modulante et à
l’onde porteuse.
Soient : L’onde modulante sinusoïdale BF : m(t ) = Am sin (ωmt + ϕ m ) de fréquence f m = ωm 2π
L’onde porteuse sinusoïdale HF : p (t ) = Ap sin (ω pt + ϕ p ) de fréquence f p = ω p 2π
Pour simplifier, on prendra : ϕ m = ϕ p = 0 et f p >> f m
6.3.2- Modulation AM à porteuse non transmise (DSB)

L’amplitude de l’onde porteuse HF est modulée par l’onde modulante BF au moyen d’un
multiplieur analogique :
m(t) k s(t)
p(t)
Le signal modulé admet pour expression : s (t ) = k ⋅ m(t ) × p (t )

s (t ) = k ⋅ Am ⋅ Ap cos(ωmt )× sin (ω pt ) = A(t ) sin (ω pt ) où A(t ) = ma Ap cos(ωmt ) représente la fonction
amplitude, avec ma = k ⋅ Am = Indice (ou taux) de modulation.
L’allure du signal DSB en fonction du temps est donné par la figure suivante :

6.3.3- Spectre du signal DSB :
A partir de la relation trigonométrique : cos a ⋅ sin b =

1
[sin (a + b ) + sin (a − b )]
2
Le signal DSB peut s’écrire : s (t ) =
ma A p
2
[sin (ω p + ωm )t + sin (ω p − ωm )t ]
Le spectre comporte donc 2 composantes de fréquence ( f p + f m ) et ( f p − f m )
s(t) m(t)
B = 2fm p(t)
maAp/2
f
fm fp-fm fp fp+fm
Plus généralement, pour un signal modulant BF comportant plusieurs composantes de fréquence
on peut appliquer le principe de superposition ce qui conduit au spectre de la figure suivante :
s(t) B = 2fM
m(t)
f
fm fM fp-fM fp-fm fp fp+fm fp+fM
Le signal modulé comporte donc deux bandes latérales (Lower & Upper Side Band) d’où son
appellation anglo-saxonne DSB (Double Side Band) et occupe une bande de fréquence B = 2 f M
appelé largeur du canal de transmission.
6.3.4- Puissance du signal DSB.
Le signal DSB est destiné à être émis au moyen d’une antenne. D’un point de vue électrique,
l’antenne peut être assimilée à une résistance R ANT . La puissance totale fournie par le signal DSB
est égale à la somme des puissances véhiculées par chaque bande latérale. Pour simplifier,
prenons le cas d’une onde modulante sinusoïdale pour laquelle les bandes latérales ne comportent
qu’une seule raie d’amplitude ma Ap 2 :

2 2
 ma AP   ma AP 
PT = PLSB + PUSB =


 
2 2   2 2 
+

=
(ma Ap )
2
RANT RANT 4 RANT

6.3.5- La démodulation synchrone
La démodulation consiste à extraire le signal informatif c'est-à-dire l’onde modulante BF du
signal modulé. La démodulation synchrone nécessite la reconstitution de la porteuse HF de
fréquence f p . Le schéma de principe d’un tel récepteur est donné par :
s(t) k v(t) d=axm(t)

filtre
fm passe-bas fm
fp-fm 2fp
fp+fm
fp p’(t)
On a vu que le signal modulé DSB peut s’écrire : s (t ) =

ma A p
2
[sin (ω p + ωm )t + sin (ω p − ωm )t ]
La porteuse locale a pour expression p′(t ) = A′p sin (ω pt )
D’après la relation trigonométrique sin a ⋅ sin b =

1
[cos(a − b ) + cos(a + b )] . Le signal issu du
2
multiplieur analogique peut être mis sous forme :
k ma Ap A′p
v(t ) =
4
[2 cos ω t − cos(2ω
m p − ωm )t − cos(2ω p + ωm )t ]
L’information de fréquence f m est contenue dans la première composante. Un filtre passe-bas de
fréquence de coupure f m < f −3dB << 2 f p permet d’isoler celle-ci :
k ma Ap A′p
d (t ) ≈ cos ωmt = a × m(t )
2
La porteuse locale peut être reconstituée à partir d’un oscillateur local à quartz ayant pour
fréquence exactement la fréquence f p de la porteuse. En pratique, il est parfois difficile d’obtenir
une porteuse locale exactement synchrone.
Supposons que la fréquence de l’oscillateur local soit ( f p + ∆f ) , on montre alors en reprenant les
k ma Ap A′p cos(∆ωt )
calculs précédents que : d (t ) ≈ cos ωmt = a (t ) × m(t )
2
Le coefficient a varie au rythme de décalage de fréquence ∆f (battement) et n’est plus constant
d’où une fluctuation en amplitude su signal démodulé : ce phénomène est appelé "Fading".
6.3.6- Modulation AM à porteuse transmise (AM-P)
Pour éviter d’avoir à reconstituer la porteuse à la réception et d’être confronté au problème du
fading, on peut rajouter la porteuse au signal émis :

m(t) k s(t)
+
+
p(t)
s (t ) = k ⋅ m(t ) × p (t ) + p (t ) = [1 + k ⋅ m(t )] p(t ) = Ap [1 + ma cos(ωmt )]× sin (ω pt )
Le signal AM-P peut donc se mettre encore sous la forme : s (t ) = A(t )sin (ω p t )
Avec : A(t ) = Ap [1+ ma cos(ωmt )]

L’allure du signal AM-P en fonction du temps pour différents indice de modulation :
ma < 1 ma = 1 ma > 1
6.3.7- Spectre du signal AM-P :

Le signal peut s’écrire sous la forme :
sin (ω p − ωm )t + sin (ω p + ωm )t
ma Ap ma Ap
s (t ) = Ap sin (ωmt ) +
2 2
Le spectre comporte cette fois trois composantes (puisqu’on a rajouté la porteuse) de fréquences
f p , ( f p + f m ) et ( f p − f m )
s(t) porteuse
Ap
maAp/2
f
fp-fm fp fp+fm
Plus généralement, pour un signal modulant BF comportant plusieurs composantes de fréquence
f ∈ [ f m , f M ] , on obtient le spectre de la figure suivante :
s(t) m(t)
fm fM fp-fM fp-fm fp fp+fm fp+fM

On retrouve le même spectre qu’avec la modulation DSB avec la porteuse en plus.

6.3.8- Puissance du signal AM-P.
La puissance totale fournie par le signal AM-P est égale à la somme des puissances véhiculées
par chaque bande latérale soit la puissance calculées pour le signal DSB augmentée de la
puissance nécessaire au transport de la porteuse. Dans le cas d’une onde modulante sinusoïdale,
on obtient donc :
2
 AP 
PT = PDSB + PP =
(m A ) 2
+

 2

=
Ap2  ma2 
1 + 2 
a p
4 R ANT RANT 2 RANT  

6.3.9- Démodulation synchrone
La démodulation synchrone présentée au paragraphe A.5 est naturellement adaptée ici. Une PLL
verrouillée sur la raie f p permettra d’extraire la porteuse du signal modulé pour réaliser la
porteuse locale.
s(t) v(t) d=axm(t)

filtre
fm passe-bas fm
fp-fm 2fp
fp 2fp±fm
fp+fm p’(t)
PLL fp
f0=fp
Tant que la PLL est verrouillée sur f p , elle maintient le niveau de la porteuse locale constant
même si f p dérive légèrement : La porteuse locale est asservie à la porteuse.
6.3.10- Démodulation par détection d’enveloppe

Une autre méthode plus simple consiste à réaliser une détection d’enveloppe grâce à un circuit
RC associé à une diode.
vd (t ) Caractéristique de la diode
id
id iC
s (t ) R C d (t )
vd
0,6V
- s > (d + 0,6 ) : la diode D est passante. Le condensateur C se charge à travers D . Et comme la

résistance dynamique de la diode est faible, la charge est quasi instantanée de sorte que d suit
(s − 0,6) .
- s < (d + 0,6) : la diode D est bloquée. Le condensateur C se décharge à travers R : d (t )
décroît exponentiellement.

Pour obtenir un signal démodulé proche du signal modulant, il faut choisir la constante du temps
τ = RC suffisamment grande devant la période Tp de la porteuse mais inférieure à la période de
1 − ma2
modulation Tm ce qui conduit à la condition suivante : T p << τ < Tm .
2 π ma
6.3.11- Rapport signal sur bruit
Le bruit est un signal aléatoire, généralement de faible amplitude, qui se superpose aux signaux
utiles.
bruit
Les signaux modulés peuvent être pollué lors de leur transmission hertzienne. A fin d’évaluer
leur taux de « pollution », on définit alors le rapport signal sur bruit (S / N )E en entrée du
démodulateur.
S désigne le carré de la valeur efficace du signale modulé qui correspond à la puissance fournie
au récepteur. Pour un signal AM, S vaut :
Ap2  ma2 
S= 1 + 2 
2  
Le bruit quant à lui se décompose en une infinité d’harmoniques compte tenu de son caractère
[ ]
aléatoire mais seules les composantes comprises dans la bande f p − f m , f p + f m correspond au
signal modulé seront prises en compte. N (noise) représente alors le carré de la valeur efficace de
ces composantes.
Pour un rapport (S / N )E donné, la qualité d’un récepteur dépend du rapport (S / N )S obtenu après
démodulation. Généralement, le rapport (S / N ) es d’autant meilleur que l’indice de modulation
ma est grand.
6.4- Modulation de fréquence – Modulation de phase
6.4.1- Principe :

Pour une modulation PM ou FM, le signal modulant BF m(t ) module la phase θ (t ) de l’onde
porteuse HF p (t ) .
L’onde modulée s (t ) présente alors une fréquence instantanée variable :
1 dθ 1 d∆ ϕ
θ (t ) = ω p t + ∆ϕ ⇒ f (t ) = = fp + = f p + ∆f
2π dt 2π dt
1 d∆ ϕ
Avec ∆f = s’appelle excursion de fréquence.
2π dt
6.4.2- Caractéristique de l’onde PM
Le signal modulant BF m(t ) intervient sur la phase initiale ∆ϕ de l’onde porteuse HF p (t ) :
θ (t ) = ω p t + ∆ϕ avec ∆ϕ = k × m(t ) où k est une constante.
L’onde p (t ) s’écrit alors : s (t ) = Ap cos(ω p t + k m (t ))
Elle admet pour une fréquence instantanée :

1 dθ (t ) k dm(t )
f (t ) = = fp +
2π dt 2π dt
Lorsque le signal modulant BF m(t ) est sinusoïdal alors s (t ) devient :
m (t ) = Am cos(ωm t ) ⇒ s (t ) = Ap cos(ω p t + k Am cos(ωm t ))
On pose : m p = k Am indice (ou taux) de modulation.
La fréquence instantanée de l’onde FM dépend de la dérivée du signal BF m(t ) .

1 dθ (t ) ω
f (t ) = = f p − m p m sin(ωm t ) = f p − m p f m sin(ωmt )
2π dt 2π
L’excursion de fréquence : ∆f = m p f m
La fréquence de l’onde modulée PM varie entre f p − m p f m et f p + m p f m
6.4.3- Caractéristique de l’onde FM

Le signal modulant BF m(t ) intervient sur la fréquence instantanée f (t ) :
f (t ) = f p + ∆f avec ∆f = k × m(t ) où k est une constante.
La phase θ (t ) est donnée par la primitive de la fréquence instantanée à un facteur près :

1 dθ (t )
f (t ) = ⇒ θ (t ) = 2π ∫ ( f p + k .m(t ))dt ⇒ θ (t ) = ω p t + k × 2π ∫ m(t )dt
t t
2π dt 0 0
L’onde FM s’écrit alors : s (t ) = Ap cos ω p t + k × 2π ∫ m (t )dt 

t
 0 
Lorsque le signal modulant BF m(t ) est sinusoïdal alors s (t ) devient :
 2π 
m(t ) = Am cos(ωm t ) ⇒ s (t ) = Ap cos ω p t + k Am sin(ωm t )
 ωm 

2π
On pose : m f = k Am indice (ou taux) de modulation.
ωm
Contrairement à l’onde PM, la fréquence instantanée de l’onde FM dépend directement du signal
BM m(t ) .
1 dθ (t ) ω
f (t ) = = f p + m f m cos(ωm t ) ⇒ f (t ) = f p + ∆f cos(ωm t )
2π dt 2π
La fréquence de l’onde modulée FM varie entre f p − m f f m et f p + m f f m
Conclusion : le passage de l’onde PM à l’onde FM peut se faire en dérivant m(t ) et inversement

de l’onde PM à l’onde FM en intégrant m(t ) :
d m (t )
m(t ) s (t )
d dt Modulateur FM
dt onde PM
m(t ) ∫ m(t )dt Modulateur PM

s (t )
∫
onde FM
6.4.4- Spectre du signal FM

L’onde FM modulée par un signal BF m (t ) = Am cos(ωmt ) admet pour expression :
s (t ) = Ap cos(ω p t + m sin(ωm t ))
Le spectre est obtenu en développant s (t ) sous la forme d’une somme de fonctions sinusoïdales..
En utilisant la relation trigonométrique cos(a + b ) = cos a ⋅ cos b − sin a ⋅ sin b , s (t ) devient :

s (t ) = Ap [cos(ω p t )cos(m sin (ωm t )) − sin (ω p t )sin (m sin(ωmt ))] (*)

A ce stade, le développement ne peut pas se poursuivre simplement car n’existe pas de relations
trigonométriques permettant de transformer les fonction cos(msin x ) et sin(msin x ) .
Cas de modulation à faible indice m f << 100%
Dans ce cas, il est possible d’utiliser les développements limités des fonctions sin et cos :
cos( x ) ≈ 1 et sin(x ) ≈ x lorsque x ≈ 0 .
Dans ces conditions, l’expression de s (t ) peut être simplifiée comme suit :
m ⋅ Ap
s (t ) ≈ Ap [cos(ω p t ) − m sin (ω p t )sin(ωm t )] = Ap cos(ω p t ) + [cos(ω p + ωm )t − cos(ω p − ωm )t ]
2
Le spectre de l’onde FM comporte donc trois composantes :
s(t)
B = 2 fm
Ap
f
maAp/2
fp-fm fp fp+fm
C’est le même spectre qu’en modulation AM-P

Cas de m f >> 100%
La relation (*) fait apparaître les fonctions : f (t ) = cos(m sin (ωm t )) et g (t ) = sin (m sin(ωm t ))
Ces fonctions sont périodiques de période T = 1 f m .
• f (t ) est paire, elle admet donc une décomposition en série de Fourier constituée de terme
cos : f (t ) = cos(m sin (ωm t )) = J 0 + 2 J 2 cos(2ωm t ) + 2 J 4 cos(4ωm t ) + L
• g (t ) est impaire, elle admet donc une décomposition en série de Fourier constituée de terme
sin : g (t ) = sin (m sin(ωm t )) = 2 J 1 sin(ωm t ) + 2 J 3 sin(3ωm t ) + L
Après remplacement dans (*), on obtient :
s (t ) = Ap cos(ω p t ) × [J 0 + 2 J 2 cos(2ωm t ) + 2 J 4 cos(4ωm t ) + L]
− Ap sin(ω p t ) × [2 J 1 sin(ωm t ) + 2 J 3 sin(3ωm t ) + L]
En utilisant les relations trigonométriques, s (t ) devient :

s (t ) = Ap J 0 cos(ω p t ) + Ap J 1 [cos((ω p + ωm )t ) − cos((ω p − ωm )t )]
+ Ap J 2 [cos((ω p + 2ωm )t ) − cos((ω p − 2ωm )t )] + Ap J 3 [cos((ω p + 3ωm )t ) − cos((ω p − 3ωm )t )]L
Le calcul des coefficients J n a été effectué par Bessel. Ils dépendent de l’indice de modulation
m f et sont donnés dans le tableau suivant :

Exemple de m f = 200%
s(t) B ≈ 6 fm
fp-3fm fp-fm fp fp+fm fp+3fm

fp-2fm fp+2fm
6.4.5- Encombrement fréquentiel

- Dans le cas de m f << 100% , l’encombrement fréquentiel correspond à la largeur du spectre
soit : B = 2 f m (identique à celui de AM)
- pour m f >> 100% , la largeur du spectre est théoriquement infinie. Cependant, 98% de la
puissance du signal FM est véhiculée par les composantes situées dans la bande comprise entre
f p − ( f m + ∆f ) et f p + ( f m + ∆f ) . En première approximation, le spectre de l’onde FM peut donc
être borné à la bande de largeur B définie par : B = 2( f m + ∆f ) avec ∆f = m × f m
D’où : B = 2 f m (m + 1) (Règle de CARSON)

6.4.6- Puissance véhiculée du signal FM
La puissance totale fournie par l’onde FM est égale à la somme des puissances véhiculées par la
porteuse et les deux bandes latérales. Dans le cas d’un signal modulant m(t ) sinusoïdale, elle
[ ]
2
S eff Ap2 Ap2
vaut : PT = = J 0 + 2 J1 + 2 J 2 + L =
2 2 2
R ANT 2 R ANT 2 RANT
[ ]
Car J 02 + 2 J 12 + 2 J 22 + L = 1 est une propriété des coefficients de Bessel.
Ainsi la puissance véhiculée est indépendante de m f .
6.4.7- Démodulation cohérente FM

C’est la méthode la plus simple et la plus économique puisque le démodulateur se réduit à une
PLL :

Signal FM Comparateur Filtre signal démodulé

f (t )
de phase passe-bas
d (t )
fVCO (t )
V.C.O
L’onde FM a pour fréquence instantanée : f (t ) = f p + k .m(t ) . Le VCO de la PLL délivre un

signal de fréquence fVCO (t ) = f 0 + k0 .d (t ) où f 0 représente la fréquence centrale du VCO.
Lorsque la PLL est verrouillée, l’égalité des fréquences en prenant f 0 = f p conduit à :
d (t ) = m(t ) = α m (t )
k
k0
La tension de commande du VCO est bien donc l’image de la variation de fréquence de l’onde
FM c'est-à-dire du signal modulant BF m(t )
6.4.8- Démodulation par déphasage
Ap cos(θ (t )) u (t ) d (t )
Filtre
Filtre passe bas
Signal BF
Onde FM
s (t ) = Ap cos(θ (t )) avec θ (t ) = ω p t + 2π k ∫ m(t )dt
Le filtre est caractérisé par da fonction de transfert T ( jω ) : il amplifie de T et déphase de ϕ qui

dépendent de la fréquence instantanée du signal FM : u (t ) = ApT cos(θ (t ) + ϕ )
Le signal d (t ) obtenu en sortie s’écrit : d (t ) = βAp2 × T cos(ϕ )
La fonction TR = T cos(ϕ ) au voisinage de f 0 peut être assimilée à sa tangente d’équation

a ( f − f 0 ) d’où l’expression approchée de d (t ) : d (t ) ≈ βAp2 [a ( f − f 0 )] au voisinage de f 0
La fréquence instantanée d’une onde FM s’écrivant : f (t ) = f p + k × m(t )
Pour f p = f 0 , d (t ) devient : d (t ) ≈ β Ap2 [a ( f p + k ⋅ m(t ) − f 0 )] = a k β Ap2 × m(t )
La tension de sortie d (t ) est bien donc l’image de la variation de fréquence de l’onde FM c'est-à-
dire du signal modulant BF m(t ) .

Références :
[1]- Electronique : Tome 1, Outils d'analyse des signaux et fonctions électroniques, Thierry
Gervais, Vuiber, 2012.
[2]- Electronique : Tome 2, Systèmes bouclés, de communication et numériques, Thierry Gervais,
Vuiber, 2013.
[3]- Electronique. Fondements et applications, José-Philippe Pérez, Dunod, 2012.
[4]- Précis d'électronique , Jean-Luc Azan, Bréal, 2005
[5]- Electronique appliquée aux hautes fréquences , François de Dieuleveult, Dunod, 2008
[6]- Exercices et problèmes d'électronique, Yves Granjon, Dunod, 2010
[7]- Les oscillateurs en électronique, Gérard Couturier, Ellipses, 2005

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Université Ibn Tofail

Facultés des sciences

1ère année Master Electronique Embarquée

Pr. Omar MOUHIB

Année universitaire 2014-2015

Sommaire de la partie I : Electronique analogique 1

Chapitre 1 : Le transistor bipolaire…………………………………………………………5

O. MOUHIB 1 Cours d’Electronique Analogique

2.4- Influence des capacités de liaison et capacité de découplage

O. MOUHIB 2 Cours d’Electronique Analogique

Sommaire de la partie II : Electronique analogique 2

O. MOUHIB 3 Cours d’Electronique Analogique

O. MOUHIB 4 Cours d’Electronique Analogique

O. MOUHIB -5- Cours d’Electronique Analogique 1

La structure réelle est très différente du schéma de principe et dépend de la méthode de

O. MOUHIB -6- Cours d’Electronique Analogique 1

Ce rapport de proportionnalité est un paramètre intrinsèque au transistor et ne dépend que des

En résumé, le transistor est un composant électronique géré par la relation I C = β I B . Cette

1- Equation des tensions : VCE = VCB + VBE

2- Equation des courants : I E = I B + I C

O. MOUHIB -7- Cours d’Electronique Analogique 1

3- Equation de la jonction base-émetteur conductrice : I B = I SB e VT

3- Montages de base des transistors

3.4 Caractéristiques des montages

O. MOUHIB -8- Cours d’Electronique Analogique 1

Emetteur commun moyenne élevée élevée Elevée basse

Base commun petite moyenne <1 Elevée élevée

Collecteur commun Très élevée petite élevée <1 basse

4- Modes de fonctionnement du transistor

Blocage Mode actif inverse

− le transistor est en fonctionnement normal direct lorsque la jonction de commande BE est

O. MOUHIB -9- Cours d’Electronique Analogique 1

5- Réseaux de caractéristique du transistor NPN

On considère le transistor comme un quadripôle, et on prenant le montage émetteur commun, les

Figure 5.1- montage de relevé de caractéristique

- La caractéristique de sortie : VCE = f (I C ) à I B constant.

O. MOUHIB - 10 - Cours d’Electronique Analogique 1

Figure 5.2- Réseaux de caractéristique du transistor NPN

− En régime saturé I C = I Csat < β I B et VCE = VCEsat ≤ 0.4 Volt .

O. MOUHIB - 11 - Cours d’Electronique Analogique 1

Figure 6- Effet Early dans un transistor bipolaire.

7- Principaux paramètres des transistors bipolaires

β Le gain en courant (paramètre essentiel en amplification)

VCE Sat Tension de saturation (utile en commutation)

ton / toff Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )

O. MOUHIB - 12 - Cours d’Electronique Analogique 1

- Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor fonctionne dans la zone linéaire.

O. MOUHIB - 13 - Cours d’Electronique Analogique 1

Analyse du point de polarisation

- Maille collecteur-émetteur (Droite de charge) :

O. MOUHIB - 14 - Cours d’Electronique Analogique 1

8.4- Polarisation par pont diviseur

Figure 8.4- Polarisation par pont diviseur

Le point de repos Q (I C 0 ; VCE 0 ) est donc stable en température et l’interchangeabilité des

O. MOUHIB - 15 - Cours d’Electronique Analogique 1

VCC − VBE V − VBE

9- Transistor Bipolaire en régime dynamique

Si I B augmente ⇒ I C = β I B augmente aussi (β fois plus vite).

Si I B diminue ⇒ I C = β I B diminue aussi (β fois plus vite).

I B = I B 0 + ∆I B sin(ωt ) = I B 0 + ib et I C = β iB = β I B 0 + β ∆I B sin (ωt ) = I C 0 + ∆I C sin(ωt ) = I C 0 + ic

O. MOUHIB - 16 - Cours d’Electronique Analogique 1

Pour calculer la relation entre la variation de VB (= ve ) et la variation de VC (= vS ), on utilise un

O. MOUHIB - 17 - Cours d’Electronique Analogique 1

Figure 9.2a – Quadripôle