Physique Du Solide

Physique du solide
Physique du solide
Par Sam Kinyera OBWOYA Prepared by Sam Kinyera OBWOYA
African Virtual university Universit Virtuelle Africaine Universidade Virtual Africana
Universit Virtuelle Africainee
Note
Ce document est publi sous une licence Creative Commons. http://en.wikipedia.org/wiki/Creative_Commons Attribution http://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ License (abrviation cc-by ), Version 2.5.
Table des maTires
I. II.
Physique du Solide ________________________________________5 Connaissances pralables/ Pr requis __________________________5
III. Temps dapprentissage Ncessaire ____________________________5 IV. Matriels Requis __________________________________________5 V. Justification du module ____________________________________ 5
VI. Contenu _________________________________________________6 6.1 Vue densemble_________________________________________6 6.2 Aperu________________________________________________7 6.3 Reprsentation Graphique________________________________ 8 VII. Objectif(s) Gnral (aux) ____________________________________8 VIII. Objectifs Spcifiques lis aux activits dapprentissage) _____________9 IX. valuation Prliminaire _____________________________________11 X. Activits denseignement et dapprentissage_____________________17
XI. Liste Compile de tous les Concepts Cl ________________________87 XII. Liste Compile de Lectures Obligatoires _______________________90 XIII. Liste compile (optionnelle) des ressources multimdias __________92 XIV. Liste Compile de liens utiles ________________________________93 XV. Rsum du Module _______________________________________114 XVI. valuation sommative ____________________________________116 XVII. Rfrences ____________________________________________119 XVIII. Auteur Principal du Module _______________________________120 XIX. Structure du fichier _______________________________________120
Avant-propos
Ce module a quatre sections majeures La premire section est la section Introduction qui est compose de cinq parties : Titre:- Le titre du module est clairement dcrit Connaissances pralables/ Pr requis : Ce module vous fournit des informations sur les connaissances spcifiques pralables et les comptences ncessaires pour commencer tudier ce module. Examiner avec soin les exigences car cela vous aidera dcider si vous avez besoin de faire des rvisions ou pas. Temps dapprentissage Ncessaire: Cette section vous donne le temps total (en heures) requis pour apprendre le module. Tous les autotests, activits et valuations sont faire dans le temps spcifi. Matriels Requis: Dans cette section, vous trouverez la liste du matriel ncessaire pour tudier le module. Une partie du matriel fait partie de la trousse du cours que vous allez recevoir dans un CD-Rom ou vous pouvez y accder via linternet. Le matriel recommand, pour mener bien des expriences, peut tre obtenu par votre institution hte (Institution partenaire de lAVU) ou vous pouvez lacqurir, lemprunter ou par dautres moyens. Justification du module: Dans cette section, vous aurez la rponse vos questions comme Pourquoi devrais-je tudier ce module en tant que professeur en apprentissage ? En quoi est-ce pertinent pour ma carrire ? La deuxime section est le Contenu qui est compos de trois parties: Vue densemble: Le contenu de ce module est prsent brivement. Dans cette section, vous trouverez une vido (Quicktime, .mov) dans laquelle lauteur du module est interview pour faire un rsum du module. Le paragraphe vue densemble du module est suivi dun aperu du contenu incluant le temps approximatif requis pour tudier chaque section. Une organisation graphique de tout le contenu est prsente aprs laperu. Les trois lments mentionns ci-dessus vont vous aider avoir une ide sur lorganisation du module. Objectif(s) Gnral (aux): Des objectifs clairs, informatifs, concis et atteignables sont fournis pour vous donner les connaissances et attitudes quon attend de vous pour atteindre ces objectifs au terme de ltude de ce module. Objectifs spcifiques lis aux activits dapprentissage (Objectifs formateurs): Chacun des objectifs spcifiques, noncs dans cette section, est au cur dune activit dapprentissage et denseignement. Les units, lments et thmes de cette section sont destins raliser les objectifs spcifiques et tout autre type dvaluation est bas sur les objectifs devant tre atteints. Vous tes invits prter un maximum dattention aux objectifs spcifiques car ils sont essentiels afin dorganiser vos efforts dans ltude de ce module.
La troisime section constitue le gros du module. Cest la section dans laquelle on passe le plus de temps et elle reprsente les Activits denseignement et dapprentissage. Lessentiel des neufs composantes est numr ci-dessous: valuation prliminaire: Une srie de questions, qui vont valuer quantitativement votre niveau de prparation par rapport aux objectifs de ce module, est prsente dans cette section. Les questions dvaluation prliminaire vont vous aider identifier ce que vous savez et ce que vous devrez savoir, afin que votre niveau de proccupation augmente et que vous jugiez votre niveau de maitrise. Des rponses cls sont fournies pour la srie de questions et quelques commentaires pdagogiques sont fournis la fin. Activits denseignement et dapprentissage: Cest le cur du module. Vous devrez suivre le guide dapprentissage dans cette section. Divers types dactivits sont fournis. Lisez chaque activit. certains moments, vous nallez pas ncessairement suivre lordre dans lequel les activits sont prsentes. Il est important de noter que:

Les valuations formatives et sommatives sont menes en profondeur. Toutes les lectures obligatoires et ressources sont faites Le plus de liens utiles possibles sont visits Il est possible de communiquer avec le professeur et de lui faire des suggestions Liste Compile de tous les Concepts cls (glossaire) : Cette section contient des dfinitions courtes et concises de termes utiliss dans ce module. Cela vous aidera avec les termes qui ne vous seraient pas familiers dans le module
Liste Compile de toutes les Lectures obligatoires : Un minimum de trois lectures obligatoires vous est fourni dans le module. Il est obligatoire de lire ces documents. Liste Compile de toutes les Ressources Multimdias (Optionnelles): Un minimum de deux vidos et un fichier audio avec un rsum sous forme texte sont fournis dans cette section. Liste Compile de tous les Liens utiles: Une liste dau moins de dix sites web est fourni dans cette section. Cela vous aidera ngocier avec le contenu de manire approfondie. Synthse du Module : Le Rsum du module est prsent valuation Sommative : Aimez votre travail sur ce module
i. Physique du solide
Par Sam Kinyera, Universit Obwoya Kyambogo, Uganda.
ii Connaissances pralables/ Pr requis

Les pr-requis de base pour ce module sont la physique lcole que vous avez appris. En particulier, une connaissance des cours suivants est essentielle afin de pouvoir suivre et comprendre le module dune faon efficace. Un des cours pr-requis est llectricit et le magntisme. Le concept de la force et la loi de Coulomb sont essentiels lorsquon apprend la structure atomique. Une connaissance pralable de la chaleur et de la thermodynamique est aussi requise afin dapprendre le module. En particulier, vous avez besoin de rviser la capacit thermique un volume constant et une pression constante. En plus, vous aurez besoin de rviser les concepts dentropie, denthalpie et les fonctions thermodynamiques. Comme une exigence gnrale, vous avez besoin de matriser le calcul en mathmatiques
iii Temps Ncessaire

Ce module peut tre tudi en 120 heures.
iV matriels requis
Le matriel requis pour le module ncessite un accs un ordinateur, mais encore il est plus important davoir accs Internet. Linternet va fournir beaucoup de rfrences essentielles et de ressources multimdia. Ces ressources multimdia sont importantes car dans certains cas elles servent comme confrencier virtuel et les sources de lquipement qui peuvent tre utilises pour raliser des expriences virtuelles. Cependant, quelques CD-ROM seront aussi disponibles pour complter lutilisation de linternet. Dautres matriels incluent les lectures et les ressources obligatoires qui peuvent tre disponibles dans les librairies ou coles proximit.
V Justification du module
Ce module est dsign pour fournir une fondation de base en physique aux tudiants. Cela permettra aux tudiants de pouvoir expliquer les proprits physiques, thermiques, lectriques et optiques des corps solides. Le module est structur de telle faon que lapprenant puisse faire les activits telles que cest prescrit. Le module global va fournir ltudiant des ides de base sur ce que sont les corps solides en fonction de leur comportement et par consquent lui permettra dtre capable denseigner une grande partie de la physique dcole.
Vi Contenu
6.1 Vue densemble
Ce cours est destin aux tudiants qui sinscrivent un BSc en ducation et aux diplmes BEd. La physique du solide forme lpine dorsale de la physique. Le module a quatre units : Introduction la physique du solide ; dfauts cristallins et proprits mcaniques ; proprits thermiques et lectriques ; et la thorie des bandes et les proprits optiques. Dans la premire unit/activit, introduction la physique du solide, ltudiant est cens capable dexpliquer la structure atomique, de dcrire les diffrentes liaisons atomiques telles que les liaisons ioniques et les liaisons covalentes. Lapprentissage va aussi exiger aux tudiants de faire la distinction entre le cristallin et les matires amorphes ; polycristal et les matires amorphes et dexpliquer la production et lutilisation de la diffractomtrie des rayons X. Dans la seconde unit, ltudiant tudiera les dfauts cristallins et proprits mcaniques ; lapprentissage, exige de ltudiant quil puisse faire la distinction entre les diffrents types de dfauts cristallins : les dfauts ponctuels (Lacunes, Atomes Interstitiels et Ponctuels) et les dislocations (vis et coins). Ici, ltudiant apprend que les dfauts ponctuels sont trs localiss et sont de tailles atomiques, tandis que la dislocation est un dsordre qui stend au del du volume dun ou deux atomes. Les effets des dfauts sur les proprits mcaniques et lectriques de ces dfauts font aussi partie de lapprentissage du module. Dans la troisime unit, les rsultats de lapprentissage contiennent les dfinitions de la capacit thermique, et les explications de la variation de la capacit thermique avec la temprature base sur les modles classiques dEinstein et Debye. Les tudiants seront requis dutiliser la thorie de llectron libre pour expliquer les hautes conductivits lectriques et thermiques des mtaux ainsi que dtre capables de dmontrer et dappliquer la loi Wiedermann-Frantz. Finalement, dans lactivit quatre, lapprentissage attendu devrait permettre aux tudiants dutiliser la thorie des bandes pour expliquer les diffrences entre les conducteurs, semi-conducteurs et isolants, expliquer les diffrences entre les semi-conducteurs intrinsques et extrinsques en relation avec le rle du dopage. A la fin, les tudiants utilisent les concepts dinteraction des ondes lectromagntiques (lumire) avec les matriaux pour expliquer labsorption optique, la rflectivit et la transmittance.
6.2
Aperu
Laperu de ce cours consiste en quatre activits: Introduction la physique du solide ; dfauts cristallins et proprits mcaniques ; proprits thermiques et lectriques ; la thorie des bandes et les proprits optiques. Les composantes de chaque activit sont lists comme suit
Introduction la physique du solide (40 heures)
Rvision de la structure atomique Cristalline, Polycristal et matires Amorphes. Diffractomtrie des rayons X, loi de Bragg et applications.
(20 heures)
Dfauts cristallins et proprits mcaniques:
Lacunes, Atomes Interstitiels et Dislocations Proprits mcaniques

(40 heures)
Proprits thermiques et lectriques:
Capacit thermiques: modle classique, Modle d'Einstein et modle de Debye Conductivit lectrique et thermique. La thorie de l'lectron libre
(20 heures)
La thorie des bandes et les proprits optiques:
Mtaux, Semi-conducteurs (intrinsque and extrinsque). Isolants ; Proprits Optiques
6.3
Reprsentation Graphique
C.Proprits hermiques et Electriques
A. Introduction la physique du solide
Capacit Thermique Modle classique, modle d'Einstein et de Debye Conductivit Electrique et Thermique La thorie de l'lectron libre
-- Rvision de la structure atomique -- Cristallins, policristallins et solides Amorphes
Physique du Solide
-- Diffractomtrie des rayons X. loi de Bragg et applications.
D.Thorie des bandes et proprites optiques
B. Dfauts cristallins proprites mcaniques
et
Mtaux, Semi-conducteurs (intrinsque et extrinsque). Isolants Absorption, Rflectivite, Transmissivit
-- Lacunes, Interstiels et Dislocations -- Proprits mcaniques
Vii.
Objectif(s) Gnral (aux)
Aprs avoir tudier ce module, ltudiant sera capable de : Comprendre le comportement thermique, mcanique, lectrique et optique des corps solides d'un point de vue fondamental.
Viii.
Objectifs spcifiques aux activits dapprentissage

(40 heures)
(Objectifs formateurs)
Introduction la physique du solide
Rvision de la structure atomique Cristalline, Polycristal et matires Amorphes. Diffractomtrie des rayons X, loi de Bragg et applications.
(20 heures)
Dfauts cristallins et proprits mcaniques:
Lacunes, Atomes Interstitiels et Dislocations Proprits mcaniques

(40 heures)
Proprits thermiques et lectriques:
Capacit thermiques: modle classique, Modle d'Einstein et modle de Debye Conductivit lectrique et thermique. La thorie de l'lectron libre
(20 heures)
La thorie des bandes et les proprits optiques:
Mtaux, Semi-conducteurs (intrinsque and extrinsque). Isolants ; Proprits Optiques
Contenu
Objectifs dapprentissage Aprs avoir complter cette section, vous allez tre capable:
1. Introduction la physique du solide (40 heures) Rvision de la structure atomique Cristal, Polycristal et matires Amorphes. Diffractomtrie des rayons X, loi de Bragg et applications. 2. Dfauts cristallins et proprits mcaniques: (20 heures) Lacunes, Atomes Interstitiels et Dislocations, Proprits mcaniques 3. Proprits thermiques et lectriques (40 heures). Capacits thermiques: modle classique, Modle dEinstein et de Debye Conductivit lectrique et thermique. La thorie de llectron libre.
Expliquer la structure atomique; Dcrire les diffrentes liaisons atomiques; Distinguer entre les cristallines, poly cristaux et les matires amorphes et expliquer comment la diffractomtrie des rayons X est utilise Expliquer le concept de dfaut cristallin Relater les dfauts cristallins quelques proprits mcaniques observes et autres proprits.
Dfinir la capacit thermique et expliquer la variation de la capacit thermique avec la temprature bas sur les modles classiques dEinstein et de Debye; Utiliser la thorie de llectron libre pour expliquer les hautes conductivits thermiques et lectriques des mtaux; Dmontrer et appliquer la loi Weidermann Frantz. Dcrire la thorie des bandes Expliquer la diffrence entre conducteurs, semiconducteurs et isolants; Expliquer la diffrence entre les semi-conducteurs intrinsque et extrinsque le rle du dopage. & Expliquer, bas sur linteraction des ondes lectromagntiques) lumire et les matriaux: - Absorption optique, la rflectivit et la transmittance
4. La thorie des bandes et les proprits optiques: (20 heures) Mtaux Semi-conducteurs (intrinsque et extrinsque). Isolants ; Absorption optique, la rflectivit et la transmittance
iX. valuation Prliminaire

tes-vous prt pour ce module ? Titre de lvaluation prliminaire: Physique du Solide
Justification :
Lvaluation prliminaire fournie ici est destine dterminer le degr de matrise des prrequis du module, physique du solide. Donc, elle sert motiver les tudiants, plus les impliquer, et les rendre plus attentifs dans les expriences denseignement et dapprentissage ; la pr-valuation aide identifier plus clairement ce quils savent et ce quils ont besoin de savoir. Les questions fournies sont aussi destines valuer ltudiant sur ce quil sait ou ce quil ne sait pas en rpondant ces questions. Ceci va probablement relever le niveau de proccupation de lapprenant en signalant ce dont il a besoin dapprendre. Questions Auto-valuation 1. Des sites qui normalement occups par un atome mais qui sont inoccups sont appels (A) lacunes (B) interstitiels (C) substitutionnel (D) dislocation 2. Une dislocation cause par la germination dun plan datomes au milieu dun cristal est connue comme (A) vis (B) coins (C) vecteur de burger (D) vide
3. Dans un espace rseau rciproque, le vecteur a* est donn par (A) a* = 2p (C) a * = 2p
b c a b (B) a* = 2p a (b c) a (b c)
b c a .(b c ) (D) a * = 2p ac b.( a c ) .
2 4 3
4.
Le diagramme ci-dessus reprsente une partie de 2D en treillis. Lequel des contours ne reprsente pas une cellule dunit primitive ? (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4
5.
Pour le rseau cfc avec une base dun atome quel est le nombre de coordinations ? (A) 4 (B) 6 (C) 8 (D) 12
6.
Un faisceau de rayons X dune longueur donde de 0.25 nm est incident dun cristal de sparation interplan de 0.30 nm. Calculez langle dincidence pour le premier ordre de diffraction. (A) 24.60 (B) 36.00 (C) 56.40 (D) 54.80
7.
Le constante de rseau dun rseau cubique est 2.4 nm. Trouver lespacement de maille pour le plan (122). (A) 0.8 (B) 0.48 (C) 7.2 (D) 1.25
8. Laquelle des affirmations suivantes est correcte ? (A) Les liaisons mtalliques ont des caractristiques non-directionnelles : (B) La liaison mtallique consiste en une mer dlectrons libres entourant des ions positifs (C) Une des caractristiques qui contribuent aux proprits dun solide mtallique est davoir une surface qui brille (D) Une liaison mtallique est forme par un partage dlectrons qui arrive entre deux atomes ou plus
9. Lequel des noncs suivants nest pas un effet de dislocation (A) La prsence de dislocations se traduit par une dformation de rseau (distorsion). (B) La direction et lintensit dune telle distorsion sont exprimes en termes de vecteur de Burger, b. (C) Pour un type coin, b est perpendiculaire la ligne de dislocation, alors que dans les cas du type vis ils sont parallles. (D) Dans les matriaux mtalliques, b est align avec des directions cristallographiques et son intensit est quivalente deux espacements interatomiques 10. Une force de 160 N agit perpendiculairement une section transverse avec une surface de 0.002 m2. Calculez la constante Young du matriau si la tension produite est 0.004. (A) 1.28 x 10-7 (B) 5.0 x 10-6 (C) 2 x 107 (D) 8.0 x 10
11. Laquelle des propositions suivantes nest pas implique dans la diffractomtrie des rayons X travers un cristal ? (A) (B) (C) (D) Transition dlectron Plans cristallographiques Interactions Nuclaires Interfrence Constructive
12. Un cristal a un rseau primitif avec un espacement entre (100) plans de 0.420 nm. Quelle sera la valeur de langle de Bragg pour les 100 rflexions de rayons X de longueur donde 0.154 nm. (A) 5.30 (B) 10.60 (C) 21.20 (D) 42.60
13. Laquelle des affirmations suivantes est fausse ? (A) Le niveau de Fermi est le haut de la collecte de niveau dnergie de lectrons une temprature de zro absolu. (B) Puisque les lectrons sont des fermions et par le principe dexclusion de Pauli, il ne peut exister deux lectrons dans des tats dnergies identiques. Donc zro absolu, ils sentassent dans des tats dnergies disponibles les plus bas et construisent une mer de Fermi dtats dnergies des lectrons (C) Le niveau de Fermi est la surface de cette mer zro absolu o les lectrons ont assez dnergie pour slever au dessus de la surface. Donc, le niveau de Fermi est situ dans lcart des bandes (D) Dans un conducteur, le niveau de Fermi se trouve dans la bande de conduction, telle que la bande soit seulement remplie moiti avec des lectrons. Dans ce cas, seulement une petite quantit dnergie est ncessaire pour que les lectrons trouvent dautres tats non-occups pour sy emmagasiner et permettre ainsi le passage du courant.
14. Dans les gaz diatomiques, la prsence de degrs internes de libert est apparente cest dire, en plus des trois degrs de libert de translation, il y a des degrs de libert de rotation et de vibration. Il y a un total de trois degrs de rotation de libert, un correspondant la rotation sur chacun des axes dun espace trois-dimensions (ii) Seulement deux degrs de libert de rotation pour des molcules linaires sont considrs en pratique parce que le moment dinertie autour de laxe internuclaire est extrmement petit par rapport aux autres moments dinertie dans la molcule (iii) En mcanique quantique, lintervalle entre des nergies successives de rotation, est directement proportionnel au moment dinertie autour des axes 15. Laquelle des affirmations suivantes est fausse ? (A) La conductivit lectrique est plus ou moins fortement dpendante de la temprature. (B) Dans les mtaux, la conductivit lectrique diminue quand la temprature augmente. (C) Dans les semi-conducteurs, la conductivit lectrique augmente avec la temprature... (D) Sur une large gamme de temprature, la valeur approche de la conductivit lectrique est directement proportionnelle la temprature. 16. Laquelle des expressions suivantes est correcte ? S (A) C V = T V H (C) C P = T P o C V et C P sont les capacits thermiques volume constant et pression constante respectivement... Q (B) C V = T T V S (D) C P = T P (i)
Q est la quantit infinitsimale de chaleur ajoute,

dT est laugmentation subsquente de la temprature.
U est le changement dans lnergie interne. H est le changement dans lenthalpie.
17. Laquelle des caractristiques suivantes est fausse pour des matriaux ? (A) Dans les solides cristallins, les atomes interagissent avec leurs voisins, et les niveaux dnergie des lectrons dans des atomes isols se transforment en bandes. (B) Les lectrons dans un corps solide remplissent les bandes dnergie jusqu un certain niveau, appel nergie de Fermi. (C) Les bandes qui sont compltement remplies dlectrons peuvent conduire llectricit, parce quil ny a pas dtat dnergie proche sur lequel les lectrons peuvent aller dessus. Cependant dans certains cas, la thorie des bandes se brise et les matriaux prdits pour tre des conducteurs par cette thorie se rvlent tre des isolants. Les isolants de Mott et les isolants de transfert de charge sont deux catgories disolants. 18. Laquelle des affirmations suivantes est fausse ? (A) La conductivit thermique dun matriau dpend de sa structure. (B) La conductivit thermique dun matriau dpend de la temprature. (C) Des substances cristallines pures prsentent des conductivits thermiques trs variables autour des axes diffrents de cristal, dues aux diffrences de couplages de phonon au long dune dimension du cristal. (D) Lair et dautres gaz sont gnralement de bons isolants mme en prsence de convection. Rponses cls : 1. A 2. B 3. C 4. D 5. D 6. A 7. A 8. B 9. D 10. C 11. C 12. B 13. C 14. D 15. D 16. C 17. C 18. D
Commentaires Pdagogiques pour les apprenants Vous navez pas besoin de dsesprer en cas de mauvais rsultats dans la pr-valuation. Ce que le rsultat de lvaluation prliminaire vous dit est que vous avez besoin de travailler et de se concentrer davantage pendant ltude et lapprentissage du module. Comme vous le remarquez, la plupart des questions contiennent des sujets qui ne sont normalement pas traits lcole. Au dbut de ce module, vous apprendrez tout sur les structures atomiques qui devraient fournir une base pour ltude de ce module. Cela vous permet de comprendre au finish les lignes de symtrie, les indices de Miller, qui sont utiliss pour lidentification des avions, la loi de Bragg et enfin la construction de la sphre dEwald qui aide dterminer les avions responsables de la diffractomtrie des rayons X. Il est conseill ltudiant Un tudiant est conseill de faire les activits dans lordre chronologique prtabli. Pour tout ce qui exige la matrise des connaissances pralables, il est conseill ltudiant de commencer par les thmes dlectricit et de magntisme avant de poursuivre. Un certain nombre de rfrences sont mentionnes dans les activits. Un tudiant a besoin davoir accs ces rfrences. La plupart dentre elles sont en ligne. Si un tudiant na pas un accs permanent Internet, ltudiant est conseill de tlcharger ces documents et de garder des copies papier. Un certain nombre de ressources multimdias sont galement inclues. Elles sont trs utiles car elles agissent en tant que confrenciers virtuels ou les sources de laboratoire virtuel. Les tudiants sont encourags utiliser ces ressources multimdias tout le temps
X. activits denseignement et dapprentissage

Activit 1: Introduction la physique de ltat solide
Vous aurez besoin de 40 heures pour faire cette activit. Assurez-vous que vous allez parcourir les activits systmatiquement. Dans certains cas, vous aurez besoin de lire les cours et les pr-requis avant dentamer le module
Objectifs spcifiques denseignement et dapprentissage:

Au terme du module, ltudiant doit tre capable de : Expliquer la structure atomique Dcrire les diverses liaisons atomiques Distinguer les cristallins des solides amorphes ; cristallins, polycristallins et solides amorphes et expliquer l'occurrence et l'utilisation de la diffractomtrie des rayons X
Rsum de lActivit dApprentissage Les rsultats de lapprentissage incluent de savoir quun atome est compos de trois types de particules: lectrons, protons et neutrons et que la constante dAvogadro est la quantit qui contient 6.02 x 1023 de particules par mole. Lapprentissage et la discussion aussi incluent les similarits et diffrences des quatre types de liaisons. Cette activit inclut aussi lapprentissage sur les structures de cristal, des polycristaux et des solides amorphes dont lidentification des plans utilisant les indices de Miller forme une partie majeure. Dans la suite du module vous aurez des explications sur, les calculs de densit, la dmonstration de la loi de Bragg et lutilisation ultrieure de la construction de la sphre dEwald afin de dterminer les plans responsables de la diffractomtrie des rayons X. Liste des lectures pertinentes
Lecture 1: Structure Cristalline.
Rfrence Complte: From Wikipedia. URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure Consulte le 20 Avril 2007 Rsum: Ce matriel de lecture dcrit brivement lunit cellule, la classification des cristaux par symtrie, proprits physiques des cristaux et des liens sont donns diffrents sites dans Wikipedia et autres sites. Justification: Ce matriel de lecture fournit des discussions labores sur les contenus de la premire activit du module.
Rfrence Complte: From University of Exeter URL : http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/ Consulte le 20 Avril 2007 Rsum: Dans cet article, la structure cristalline est dcrite avec des diagrammes bien illustrs. Les exercices dans larticle aident le lecteur consolider les sujets appris. Justification: Larticle donne une autre faon de regarder les structures cristallines. En outre les tests dchantillon et des exercices donns la fin, fournissent une bonne occasion dutiliser les thories et les principes dcrits partir de perspectives diffrentes.
Liste de Ressources Multimdias Pertinentes

Ressource #1
Titre: The crystal structure of Cu-Zn brass URL: http://video.google.com/videoplay?docid=5897475989157955721&q=cry

stal+structure&hl=en
Description: Illustrations et explications sont fournies, Date de Consultation : 20/05/2007

Ressource #2
Titre: Great Ball of Glass URL: http://video.google.com/videoplay?docid=2134572208219565504&q=po

lycrystalline+solid&hl=en
Description: Cest une bonne ressource dapprentissage. Date de Consultation : 20/05/2007

Ressource #3
Titre: Two Dimensional Lattice: Real and Reciprocal URL: http://solidstate.physics.sunysb.edu/teach/intlearn/lattice/lattice.html Description: Les sites fournissent dexcellents matriels dapprentissage Date de consultation: 16/11/2007
Ressource #4
Titre: Exploring materials engineering URL: http://www.engr.sjsu.edu/WofMatE/Structure.htm Description: On a des matriaux dapprentissage et danimation sur la structure atomique: RCC, CFC. Date de consultation : 19/11/2007.
Liste des Liens Utiles Pertinents Liens Utiles #1: Wikipedia Titre: Crystal Structure URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure, Capture dcran:
Description: La structure cristalline dun matriau est souvent discute en termes de maille lmentaire. La maille lmentaire est un arrangement spatial datomes qui est tuil dans un espace tridimensionnel pour dcrire le cristal. La maille lmentaire est donne par ses paramtres de rseau, la longueur des mailles de coin et les angles entre eux, tandis que les positions de latome lintrieur de la maille lmentaire sont dcrites par lensemble des positions atomiques (x, y, z) mesure dun point de rseau. La page Wikipedia a une bonne description de ceci telle que montr sur la capture dcran Date de consultation : 29/11/2006:
Liens Utiles #2 Titre: Atomic Structure URL: http://web.jjay.cuny.edu/~acarpi/NSC/3-atoms.htm Capture dcran:
Description: Ce site est un voyage travers les merveilles des sciences naturelles. En utilisant lanimation et linteraction afin damliorer lexprience, le site permet lusager dexplorer des concepts en science basique incluant la mthode scientifique, la nature de la matire, la structure atomique, la liaison chimique, ADN, lastronomie, structure cellulaire et bien plus. Ce site a t organis pour NSC107: An Introduction to Science in Society at John Jay College of the City University of New York, cependant les leons sont conues pour lusage gnral et tous les visiteurs sont les bienvenus. Utilisez la barre du menu gauche afin de naviguer travers le contenu du cours. Svp emailez-les commentaire et suggestions afin daider amliorer le site. Justification: le site fournit du matriel dapprentissage utile pour le cours.
Description Dtaille de lActivit (Principaux lments Thoriques)

Dans cette section, un mlange de la thorie, des instructions de ce que lapprenant devrait faire tout en tudiant le module sont prescrites. Lapprenant est conseill dtudier pleinement chaque section du module avant de passer la prochaine section ou activit. Pour chaque section, il est conseill lapprenant de consulter les rfrences recommandes. Ceci est important parce que les instructions et activits dcrites le sont dans des formes brves. Activit 1.1: Structure Atomique
Dans cette activit, vous allez expliquer la structure atomique. Afin de faire cela, vous aurez besoin de connaissances pralables de la physique de lcole. A lcole, vous avez appris que les atomes sont des particules dlments, ou des substances qui ne peuvent pas tre dcomposes nouveau. Mais, en examinant la structure atomique, on doit clarifier cette affirmation. U atome ne peut pas tre bris nouveau sans changer la nature chimique de la substance. Par exemple, si vous avez 1 kilogramme, 1 gramme ou 1 atome de nitrogne, toutes ces units ont la mme proprit. On peut dire que latome de nitrogne est compos dune combinaison de trois types de particules : lectrons, protons, et neutrons. (i) Utilisez les rfrences fournies dans les ressources multimdias et Prendre quelques notes de cours dtaillant les diffrentes proprits de ces trois particules. Dcrire comment lexistence de molcules/atomes peut tre dmontre par lexprience du mouvement Brownien. Utilisez les rfrences fournies pour faire cela La constante dAvogadro, la mole
Activite1.1.1 (a) (b)
Prendre quelques notes de cours sur les masses molculaires et atomiques et dcrire comment elles sont mesures. Souligner le fait que sur une balance, la masse atomique du carbone-12 est prise comme exactement gale 12, celle de lhydrogne 1.008 et celle de loxygne 16. En gnral 1g dhydrogne contient le mme nombre datomes que 12g de carbone. La masse atomique de tout lment exprime en grammes, contient le mme nombre datomes que 12g datomes. Ce nombre par dfinition est donc une constante. Cest la constante dAvogadro. Sa valeur est 6.02 10 23 Une quantit qui contient 6.02 10 23 de particules est la mole. On peut
Vous devrez tre capable de tirer une conclusion que:
avoir une mole datomes, une mole de molcules, une mole dions, une mole dlectrons ; toutes contiennent 6.02 10 23 particules. Donc la constante dAvogadro N A = 6.02 10 23 particules par mole. Activit 1.1.2 Utilisons un atome doxygne comme exemple pour illustrer quelques proprits. Un atome doxygne a 8 lectrons, 8 protons et 8 neutrons. Ceci implique que loxygne a un total de 8 charges ngatives portes par 8 lectrons; 8 charges positives portes par 8 protons. Les Neutrons ne portent aucune charge lectrique. Activit 1.1.3 Rptez le mme exercice avec dautres atomes jusqu ce que vous vous sentiez assez confiant.
Activit 1.2:
Liaisons Atomiques
Utiliser les rfrences fournies et tout autre auxquelles vous aurez accs pour effectuer les activits suivantes. Expliquer comment les atomes sont maintenus ensembles par des forces dattraction (ii) Rdiger des notes de cours incluant les diffrents types de liaisons: liaisons ioniques, liaisons covalentes, liaisons mtalliques et les liaisons Van der Waals. Une illustration dune liaison covalente est donne comme suit. Dans la liaison covalente, les partages dlectrons arrivent entre deux ou plus datomes. Par exemple, chaque atome de carbone (C), (Fig. 1.1) a quatre lectrons externes, qui peuvent tous tre partags avec quatre autre atomes de carbone pour faire quatre liaisons, chacune forme de deux nuages dlectrons qui saccrochent C Liaison covalente Figure 1.1: Atome de carbone avec quatre liaisons Vous devez noter que les liaisons covalentes sont aussi fortes et que beaucoup de composs ont des proprits mcaniques similaires celles des composs ioniques. Contrairement, aux liaisons ioniques, elles ne conduisent pas llectricit quand les composs qui les contiennent sont fondus. (i)
(iii) Montrez que la force lectrostatique entre deux charges ponctuelles distantes lune de lautre de r est donne par Eq. 1.1
F =
q2 4p 0 r 2
(1.1)
(Conseil: Utilisez la loi de Coulomb). (iv) Montrez que le travail effectu pendant que les ions sont situs une distance variant de r linfini est donne par Eq. 1.2
U = F dr =
r
q2 4p 0 r
(1.2)
(v) Dans vos notes, comparez chaque type de liaisons entre elles.
Activit 1.3
Cristallin, polycristallin et solides amorphes
Activit 1.3.1: Solides Cristallins (a) (b) Utilisez les rfrences et notez les dfinitions du cristallin, polycristallin et les solides amorphes Donnez des exemples de chaque type faisant partie de vos notes
Activit 1.3.2: Crystal Arrire-plan En cristallographie, une structure cristalline est un arrangement unique datomes dans un cristal. Une structure cristalline est compose de maille lmentaire, un ensemble datomes arrang dune faon particulire; qui est priodiquement dans trois dimensions sur un rseau. Lespacement entre les mailles simples dans des directions varies est appel paramtres de rseaux. Les proprits de symtrie du cristal sont incarnes dans cet espace groupe. La structure dun cristal et la symtrie jouent un rle en dterminant beaucoup de ses proprits, telles que le clivage, la structure de bande lectronique et les proprits optiques. (a) (b) Afin de comprendre certains de ces concepts, vous devez savoir par exemple la signification du rseau Un rseau est une gomtrie simplifie dun cristal dans lequel les atomes sont balays laissant seulement un squelette des points mathmatiques par lesquels chaque point remplace nimporte quoi de un plusieurs centaines datomes ltat initial. Chaque groupe de ces atomes est appel la base.
(c)
(d)
Dans deux dimensions, il y a seulement cinq rseaux: monoclinique, cubique, orthorhombique, ttragonale, hexagonale. Ils sont gnralement connus comme le Rseau de Bravais. Considrez un exemple donn dans la Fig. 1.2 comment un rseau est construit partir dune structure cristalline
A crys tal stru cture consi sting of large and sm all atom s
An obliqu e lattice obtained from th e cry stal stru cture . Eac h poin t on the lattice represe nts a pair of atoms in the stru cture
Figure 1.2: Un rseau construit partir dune structure cristalline Notez que les points de rseau dessin doivent se conformer (e) Un motif infini de points Tous les points ayant le mme entourage dans la mme direction. La diffrence fondamentale entre le monocristal, les polycristallins et les matires amorphes est lchelle de longueur sur laquelle les atomes sont lis les uns aux autres par la symtrie de translation (priodicit ou ordre longue distance). Les monocristaux ont une priodicit infinie, les polycristaux
ont une priodicit locale, et les solides amorphes (et liquides) nont aucun ordre longue porte.
Un monocristal idal a une structure atomique qui se rpte priodiquement travers son volume entier. Mme des chelles de longueur infinie, chaque atome est li chaque autre atome quivalent dans la structure par la symtrie de translation. Un solide polycristallin ou polycristal est compos de nombreux grains individuels ou cristallites. Chaque grain peut tre considr comme un cristal unique, dans lequel la structure atomique a un ordre longue porte. Dans
un solide polycristallin isotrope, il ny a pas de relation entre les grains voisins. Par consquent, sur une grande chelle de longueur suffisante, il ny a pas de priodicit pour un chantillon polycristallin.
Les matriaux amorphes, comme le verre vitre, ont un ordre courte porte, ils nont donc aucune symtrie de translation.
Exemple. Pour identifier les nombres datomes chaque point qui peut tre construit dune structure cristalline donne par Fig. 1.3.
Figure 1.3: Structure cristalline Le rseau de cette structure cristalline est le rseau orthorhombique, ayant deux atomes par point de rseau
Activit 1.3.3: Maille lmentaire, et maille primitive (i) Utilisez les rfrences (Steadman R, 1982, Crystallography, Van Nostrand Reinhold (UK) Co. Ltd, Norfolk ), ou toute autre rfrence et dfinir une maille lmentaire et une maille primitive. Notez la diffrence entre les deux. (ii) Une maille lmentaire est dfinie par six lments ou paramtres : a, b, c les longueurs des coins de la maille (pris comme des axes) ; ,, et , les angles entre les directions axiales telles que montres dans la Fig. 1.4. (a)
Figure 1.4: Les six lments dune maille lmentaire (b) Exemple de mailles simples donnes dans la Fig.1.5 construites partir dun rseau donn.
Figure 1.5: Exemple de mailles simples donnes construites partir dun rseau donn. (c) 1. 2. Suivez les instructions ci-dessous et construisez une maille de Wigner-Seitz qui est un exemple dune maille primitive. Voir Fig. 1.6. Dessinez des lignes pour connecter un point donn du rseau tous les points du rseau proximit. Dessinez des nouvelles lignes ou plans au point du milieu et normales ces lignes. Le plus petit volume cltur de cette faon est la maille primitive de Wigner-Seitz.
Figure 1.6: Construction dune maille primitive de Wigner-Seitz (d) Lisez tout ce qui concerne ce sujet http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/
Activit 1.3.4: Systmes cristallins; Rseaux tridimensionnels (a) Le rseau tridimensionnel est dabord compris en reconnaissant les sept systmes daxes qui donnent sept mailles simples appeles systmes cristallins. Il y a des axes donns ci-dessus sous les mailles lmentaires. Les intensits des des vecteurs a, b, et c sont a, b, et c respectivement. Ce sont les paramtres dune maille lmentaire. Utilisez les rfrences (http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure,) et dcrivez les systmes cristallins (rseaux): triclinique, monoclinique, orthorhombique, ttragone, rhombodrique, hexagonal et cubique en termes de paramtres de rseaux, a, b, c et ; , , , les angles entre les directions axiales.
(b)
Activit 1.3.5: Classification des cristaux par symtrie La proprit qui dfinit un cristal est sa symtrie inhrente, on entend par l que sous certaines oprations, le cristal demeure inchang quand il est vu sous un certain angle. Par exemple, tourner le cristal de 190 degrs autour dune certain axe peut donner une configuration atomique identique la configuration initiale. Le cristal est alors dit
avoir une double symtrie de rotation autour de cet axe. En plus des symtries de rotation de ce genre, un cristal peut avoir des symtries sous la forme de plans de rflexion et les symtries de translation, et aussi celles appeles symtries composs qui sont une combinaison de translation et de rotation / miroir symtries. Un classement complet dun cristal est obtenu lorsque lensemble de ces symtries inhrentes du cristal sont identifies.
Lire ce sujet et rsoudre le plus de problmes possibles. Utiliser les rfrences fournies. Dterminer le nombre de symtries rotationnelles pour des rseaux rectangulaires, circulaires, quilatrales et hexagonales. (a) Quand un rseau carr montr dans la Fig. 1.7 est en rotation autour dun axe travers son centre. Il va apparaitre exactement quatre fois aprs tre tourn sur 3600. Donc, un rseau carr a une symtrie rotationnelle a quatre plis. A chaque pli, le rseau est tourn de 900 ou p / 2
Figure 1.7: un rseau carr (i) Notez que les symtries de rotation possibles sont au nombre de : un, deux, trois et 6 ordres de rotation de laxe qui transporte les rseaux sur eux-mmes correspondant 2p / 1, 2p / 2, 2p / 3, 2p / 4, 2p / 6 . Reconnaissez ces valeurs dans les rseaux donns dans lactivit 1.3.5 (a) ci-dessous. LISEZ PLUS SUR CE SUJET!! (Blakemore J.S. 1974, Solid State Physics 2nd ed., Cambridge University Press, Cambridge). (c) Lisez et prenez des notes sur les rseaux de Bravais (Utilisez Introduction to solid state physics by C Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New York:Wiley, 1976, including the websites; http://pages.physics. cornell.edu/sss/bravais/bravais.html : (Simulation de rseaux de bravais
Exemples de systme cubique Il y a trois rseaux dans le systme cubique : le rseau cubique primitif (cp ); le rseau cubique centr (rcc) ; le rseau cubique faces centres. Ceux-ci sont montrs dans la Fig. 1.8
Figure 1.8: Les trois rseaux dans le systme cubique (ii) Vrifier dautres rfrences pour comparaison (Vous pouvez avoir ceci dans nimporte laquelle des rfrences)
Activit 1.3.6: Lignes de symtrie Une expression gnrale pour une rotation permise dans un rseau priodique est obtenue comme suit Considrez un rseau de paramtres rseaux tels que montr dans la Fig. 1.9.
Row A
.
(m-3)a a
m-1
Row B
1I
mI
Figure 1.9: Rotation dans un rseau priodique permis. Au long de la range A, les atomes 1 et m sont spars par ce rseau. Une rotation autour de latome 2 dplace latome 1 la position initialement occupe par un certain atome 1I . Similairement, une rotation dans le sens horaire de m autour de m-1 dplace m mI . 1I et mI sont sur la range B. Leur sparation X est un multiple de a si est une rotation permise. Soit X = pa p est une inconnue. La diffrence entre les nombres entiers m et p peut tre dcrite en fonction de comme
X = pa = (m 3) a + 2a cos cos = 3+ p m 2
(1.3 )
Les solutions montrent que des efforts de remplir la surface avec des polygones rguliers de nimporte quelle symtrie de rotation mnent soit des espaces qui se chevauchent ou gaspills Solution de lquation 1.3 Si m et p sont des nombres entiers, il y a seulement 5 solutions de lquation telle que la table 1.1 le montre Table 1.1 : Solutions de lquation 1.3.
p-m -1 -2 -3 -4 -5
(iii)
Cos 1 0 -1/2 -1
0 p/3 p/2 2p/3 p
Ordre de rotation ordre 1 ordre 6 ordre 4 ordre 3 ordre 2
Vrifiez que linformation dans cette table est correcte.
Activit 1.3.7: Systmes dindice pour les plans de cristal (Indices de Miller) Dans cette activit, vous allez apprendre dfinir les positions, directions et plans des cristaux : comment les structures sont formes et les deux types distincts. (a) Positions et directions La position de tout rseau est donne par r = ua + vb + wc, o u, v, et w sont des nombres entiers (ii) La position de tout point en gnral est r = ua + vb + wc, mais au cas o u, v, et w nont pas besoin dtre des nombres entiers (iv) Les directions sont aussi dfinies en fonction de r, partir de lorigine. La direction est note comme [uvw]. (b) Pour illustrer les deux concepts : la position au centre dun rcc a des coordonnes fractionnelles (,,) tandis que la direction de ce point partir de lorigine est [] (c) Indices de Miller (i).
Les indices de Miller sont utiles pour dfinir les ensembles de plans dans les cristaux. Il est utile de spcifier lorientation dun plan par des indices dtermins par les rgles suivantes : (i) Trouvez les intersections sur les axes en fonction des paramtres de rseaux, a, b, et c. Dans le cas dun rseau cubique, a = b =c. Soientt ces intersections 3a, 2b, 3c, Fig. 1.10
3c
2b 3a
Figure 1.10 : Plan utilis pour calculer les indices de Miller (ii) Prenez les inverses des ces nombres (iii) Rduire les inverses des trois nombres entiers ayant le mme ratio, normalement le plus petit des nombres entiers h, k, l. Ceci est fait en multipliant les inverses avec leur LCM. (IV) Joindre les trois nombres entiers dans des parenthses comme (hkl). Il ne devrait pas y avoir de virgules entre les indices. (hkl) est appel lindex du plan ou les indices de Miller pour le plan. Illustration des procdures ci-dessus: 1. Les valeurs dintersections sur les axes x-, y-, et z sont 3a, 2b et 3c respectivement. Les inverses de ces intersections sont
2.
sont des units de vecteur au long des axes respectifs. 3. 4.
1 1 1 1 1 1 , , = , , puisque a, b,et c 3a 2b 3c 3 2 3
Rduire les inverses, par exemple en se multipliant travers LCM. Dans ce cas, le LCM est 6. Les inverses se rduisent 2,3,2 respectivement. Les indices de Miller pour un plan est donc (232).
Si un plan coupe un axe sur le ct ngatif de lorigine, lindice correspondant est ngatif et est indiqu par un signe moins crit sous forme de barres, par exemple
(hkl ) . Lindice k est interprt comme k barr.
Notez que dans le cas dun rseau cubique, toutes les faces semblent identiques. Pour cette question, les plans sont quivalents par symtrie. Les plans quivalents par symtrie sont nots par des parenthses fermes autour des indices.
LISEZ PLUS SUR CE SUJET ET PRENEZ DES NOTES. (Steadman R, 1982, Crystallography, Van Nostrand Reinhold (UK) Co. Ltd, Norfolk) Exemple Pour un rseau cubique, un plan avec des indices de Miller 123 est donn tel que suit.
( )
plane
(123)
y x
Figure 1.11: Croquis dun plan dans un rseau cubique Notez que le choix de lorigine est important quand on fait le croquis dun plan. Dans lexemple dans la Fig. 1.11, lorigine est au coin droit le plus lev. Notez aussi la faon dont les coins sont sous-diviss selon les indices correspondants avant de faire le croquis du plan. (d) Structure empaquete simple Dans nimporte quelle matrice empaquete de sphres, chaque sphre (reprsentant un atome) a 6 voisins pour un solide monoatomique considr comme incompressible. De tels plans dans une symtrie hexagonale peut tre empile pour faire un solide compacte de deux faons simples. Dans les deux arrangements, chaque atome a 12 voisins les plus proches, six dans son plan, trois dans le plan au-dessus et trois dans le plan en-dessous, Voir Fig. 1.12
Squence dempilement
Figure 1.12: Squence dempilement dans une structure simple empaquete Les Sphres sont disposes en une couche simple empaquete A en plaant chaque sphre en contact avec les six autres. Cette couche peut servir soit le plan de la base dune
structure hcp ou le (111) plan de la structure cfc. Une deuxime couche identique de sphres peut tre place sur le dessus de la prsente, au-dessus et parallle au plan du dessin avec les centres sur les points marqus B. Il y a deux choix pour une troisime couche. Il peut aller au dessus de A ou au dessus de C. Si a va au dessus de A, la squence est ABABAB....et la
structure est hexagonale et empaquete. Si la troisime couche va au dessus de C, la squence est ABCABCABC...et la structure est cubique face centre. * Pour apprcier ce qui a t dcrit sur la squence dempilement, prenez des billes ou des modles sphriques et essayer de les arranger tel que cest dcrit Activit 1.3.8: Taux de remplissage (Compacit) Dans cette activit, vous serez capable de calculer le taux de remplissage/compacit de diffrents cristaux Lire la thorie et lexemple fourni concernant le taux de remplissage (compacit). Utiliser dautres rfrences pour suppler ce qui est fourni ci-dessus. (b) Le taux de remplissage est dfini comme la proportion maximum du volume disponible qui peut tre rempli avec des sphres dures. (c) crivez lexpression mathmatique pour une affirmation dans (b). (d) Un exemple sur comment calculer le taux de remplissage. Considrez un rseau cubique simple (cs) montr dans la Fig. 1.13. (a)
Afin de dterminer le taux de remplissage, on doit dabord trouver le nombre de points de rseau dans une cellule donne. Le point de rseau dans ce cas se rfre un nombre complet datomes quune maille lmentaire contient. (ii) In a sc, the atoms Dans in contact with sont en contact only along les autres au of the cell as (ii) are un cs, les atomes one another les uns avec the edges long des shown in Fig. 1.13. coins de la cellule telle que vu dans Fig. 1.13. (i)
a a
Figure 1.13: A simple cubic lattice showing relative positions of atoms on one face.
(iii) All the atoms are at the corners of the cubic lattice.
(iv) Each atom at the corner is shared by 8 cells. Thus, each atom contributes
Figure 1.13: Un rseau cubique simple montrant les positions relatifs dun atome 1 sur une face.
8 (iii) Tous les atomes sont des coins dun rseau cubique. to a unit cell. (iv) Chaque atome 8 atoms partag par 8 cellules. Donc, chaque atome contribue Since there are au coin est at the corners; 1/8me = 1 x 8 = 1. The lattice points in sc de soi-mme dans la maille lmentaire. Puisquil y a 8 atomes aux coins; 8
1
th of it
This means that a unit cell inpoints de rseau dans cs atom to8itself. Les sc system has one = x = 1. 8 Thus, volume, V, occupied by this atom is,
3 Ceci veut dire quune maille lmentaire dans le systme cs a un atome elle-mme. a 4 3 4 a V= , (radius Donc,rle = volume, V, occup r = latome est, of atom in terms of lattice parameter) par
rseau)
2 volumeaoccupied by lattice points 4 3 4 a r = V = Packing fraction ,= pr = p (rayon de latome en termes de paramtre de Volume occupied by unit cell 2 3 3 2
3
(4 3 ) (a 2)
Ceci veut dire que 48% du volume dun cs sont vides, tandis que 52% sont remplis datomes This means that 48% of the volume of a sc is empty, while 52% is filled with atoms.
a3
= 52%
Activity 1.3.10: Diffraction and reflection of X-rays

(a) In this activity we look at elastic scattering of waves in periodic structures. This includes the simple derivation of Braggs conditions. See reference for animation of crystal diffraction. http://www2.wwnorton.com/college/chemistry/gilbert/tutorials/ch10.htm (b) When a beam of parallel X-rays of wavelength, is incident on planes of crytals as shown in Fig. 1.14, the reflection of x-rays by planes in a crystal can be shown to take
Activit 1.3.10: Diffractomtrie et rflexion des rayons X (a) Dans cette activit, on regarde la diffusion lastique des ondes dans des structures priodiques. Ceci inclut la simple drivation des conditions de Bragg. Voir Rfrence pour lanimation de la diffraction du cristal.
http://www2.wwnorton.com/college/chemistry/gilbert/tutorials/ch10.htm
(b)
Quand un faisceau de rayons X parallle de longueur donde, est incident sur des plans de cristaux tels que montr dans la Fig. 1.14, la rflexion des rayons X par plans dans un cristal peut tre dmontre seulement lorsque.
2d( hkl ) sin = n , n = 1,2,3.
(1.4)
Lquation 1.4 est connue pour la loi de Bragg. d est lespacement entre les plans dans le cristal. En gnral, la rflexion de Bragg peut seulement arriver quand la longueur donde 2d . Ceci explique pourquoi la lumire visible nest pas utilise. La lumire visible a des longueurs donde plus longues.
Inciden t beam Reflected beam
( )
Crys tal planes
Figure 1.14: Rflexion des Rayons X de plans de cristal. Un ensemble de couches dun cristal reflte seulement a un certain angle et langle , langle entre le faisceau et les plans augmente tandis que lespacement baisse. langle dincidence. (c) Dans des livres avancs, on peut montrer que la sparation planale, , d, paramtre de rseau, a, et les indices de Miller (hkl) ont une relation donne par Eq. 1.4. a h + k2 + l2
2
dhkl =
(1.4)
Si une maille lmentaire cubique a une paramtre de rseau a = 1.20 nm, donc d221 = 0.4nm , d224 = 0.2 nm .
(d) Montrez que les valeurs ci-dessus de, d, dans 1.3.10(c) sont correctes.
La preuve de la loi de Bragg

Inciden t x-rays
Reflected x-rays
X Y Z
dhkl
Figure 1.15: Rayons X rflchis de plans de cristal Dans la Fig. 1.15, la diffrence gnrale du chemin = 2x, ou x = XY = YZ Mais sin = x d x = d sin La diffrence de chemin est donc = 2d( hkl ) sin .
Linterfrence constructive arrive quand la diffrence de chemin est gale lintgrale multiple de quand 2d( hkl ) sin = n . n = 1,2 3....... Exemple Montrez que la sparation interplantaire, d, le paramtre de rseau, a et les indices de Miller h, k, l sont donns par
d=
a h2 + k 2 + l 2
Solution
Figure 1.16 : Plan utilis par drivation de lexpression de la sparation inter planaire
Utilisons Fig. 1.16 afin de driver lexpression de la sparation interplantaire, d.
Du triangle OAB (1)
a a g = + h k
2
Nous avons aussi sin = = e2 g 2 = . g a/h k h (2)
a/k
a a
Du triangle OCE (3)
a 2 2 +e = f l
e f d a/l e2 d 2 . (a / l
Aussi (4)
sin =
f2 =
Des quations (2), (3) et (4), on peut montrer que
d2 =
a2 h2 + k 2 + l 2
Activit 1.3.11 : Camra de Rayon X poudre Dans cette activit, vous allez lire et trouver comment une camra de Rayon X poudre fonctionne dans ltude de la structure cristalline. En particulier, pour lidentification de plans dans un cristal et donc fournissant des moyens appropris afin de dterminer langle dincidence. (Steadman. R, 1982 est particulirement trs bon pour a).
(a). (b) Utiliser les rfrences fournies afin davoir des notes sur lutilisation de camra de Rayon X poudre. Durant votre prise de note, considrer un cristal cubique simple (cs), un cristal cubique faces centres (cfc) et un cristal cubique centr (ccc).
Activit 1.3.11: Espace de rseau rciproque et la sphre dEwald Dans cette activit, vous allez dterminer les plans dans un cristal qui sont responsables de la diffractomtrie des rayons X (a) Vous devez noter que cest difficile dimaginer un faisceau de rayons X entrant dans un cristal peut se comporter, avec tellement de plans fixs tous les angles du faisceau et tous avec des distances interrticulaires diffrentes. Lequel dentre eux va satisfaire le loi de Bragg et reflter le faisceau ? Lutilisation du rseau rciproque afin de comprendre la diffraction a t dmontre en 1913 par P. P. Ewald. Les points dun rseau rciproque reprsentent les plans du rseau direct (rel) qui est form. Le rseau direct dtermine (via des relations dfinies) les vecteurs du rseau rciproque, les espacements des points de rseau et les directions rciproques associes.. Considerez deux rseaux directs bidimensionnels montrs dans la Fig. 1.17. Il est dfini par deux vrais vecteurs a et b, et l angle . Les espacements d d des plans (100) et (010) ( 100 et 010 ) sont montrs. Un rseau direct tridimensionnel pourrait introduire un vecteur de rseau c perpendiculaire au plan du diagramme.
Figure 1.17: Rseau direct bidimensionnel Le rseau rciproque va avoir les vecteurs rcriproques a* et b*, sparars par l angle * a* sera perpendiculaire aux plans (100) et est gale en intensit linverse de . Similairement, b* sera perpendiculaire aux plans (010) et est gale en intensit d linverse de 010 . Donc et * vont sajouter 180. tudier attentivement comme un exemple de construction d'espace rciproque partir d'un espace rel est fait ci-dessous. d100
Soit a*, b*, et c* des vecteurs de rseaux rciproques. a* est perpendiculaire aux (100) plans. b*, est perpendiculaire aux (010) plans c*, est perpendiculaire aux (001) plans.
La longueur de a* est
1 d100
, b* est
1 d010
, et c* est
1 . d001
Reciprocal space
Real space a
b
110
010 110
100
(100 ) pla ne
(010 ) pla ne
000
a*
100
b*
110
010 110 020 120
120
Figure 1.18: Construction dun espace rciproque a partie dun espace rel Notez que les vecteurs a* et b* sont dessins perpendiculairement aux plans (100) et (010) respectivement. Points Importants noter sur la construction de la sphre dEwald (i) En construisant un rseau rciproque, on commence par dfinir lorigine 000 ensuite les axes. Cette origine est fixe et est centrale tout le rseau et cest le point sur lequel tous les indices de tous les autres points sont lis. Le vrai rseau, dautre part, na pas dorigine fixe et tous les points sont identiques Le rseau rciproque diffre dans cette manire fondamentale du vrai rseau du fait que ce nest pas rptitif ( part le fait davoir des points galement espacs). Son origine reste lorigine, et les points 001 et 002 points par exemple ont leurs propres identits et ne peuvent pas tre inter changes, la diffrence des vrais rseaux. Ces points reprsentent des plans contrairement au cas de lespace rel, o les points reprsentent les atomes.
(ii)
Le rseau rciproque et la loi de Bragg Le rseau rciproque donne une faon simple et lgante de reprsenter la rflexion des rayons X par plans de cristal. Ceci est obtenu en construisant la sphre d Ewald. tapes Essentielles suivre pendant quon construit la sphre dEwald Utilisez les paramtres de rseau donns afin de dterminer la longueur des vecteurs dans un espace rciproque, la longueur de a* est Soit a = 0.3 nm; b = 0.5 nm; =0.25 nm Si n = 1 donc sin = 0.25 0.5 = 14.5 0 . 1 d100 , b* est 1 d010 , et c* est 1 d001
a*
b*
200
cryst al
420
000
X-rays
010
Figure 1.19: Construction de la Sphre dEwald 1. 2. 3. 4. Construire lespace rciproque partir dun espace rel montr dans la Fig. 1.19. Choisir un des points sur le rseau rciproque pour 000. tiqueter tous les autres points qui dans ce cas reprsentent les plans. Utilisez lquation de Bragg et calculer langle dincidence en utilisant les
variables fournies. Supposez que linstruction est que, la rflexion prend place partir de (010), la sparation inter plantaire, d est gale la valeur du paramtre de rseau b. Si la rflexion est de (100) plans, puis la valeur d est gale la valeur du paramtre de rseau a. 5. En utilisant un des axes, mesurer langle partir de cet axe. Dessiner une ligne qui marque cet angle tel que, la ligne passe travers lorigine 000. Cette ligne reprsente la direction des rayons X. Calculez la rciproque de , la longueur donde des rayons X utiliss par la diffraction. Le rciproque de est gal au rayon, r, de la sphre dEwald, i. r = 1
6.
7.
8. 9.
En commenant partir de 000, mesurer r au long de la ligne qui marque langle dincidence. La fin de r dans ce cas reprsente le centre de la sphre dEwald ou le cristal est sr dtre plac. Appelez ce point P Dessiner une sphre de rayon r autour de P. Cette sphre forme la sphre dEwald. Bien sr dans un espace bidimensionnel, cest un cercle. Sur la construction de la sphre, identifier les points qui se trouvent sur la sphre, Les points qui sont sur la sphre par exemple le Point Q reprsente les plans qui sont responsables de la rflexion des rayons X, tandis que les points par exemple S qui touchent seulement la sphre, refltent les rayons X partiellement. Si n en est un donc les plans sont responsables de la diffraction de premier ordre.
Hauts ordres de diffractions Il y a deux faons de faire cela. La premire serait de suivre les procdures ci-dessous mais pendant quon dtermine en utilisant lquation de Bragg, n doit tre prise avec la valeur 2, pour une diffraction de deuxime ordre et comme valeur 3 pour une diffraction de troisime ordre etc. Deuximent, les plans responsables pour les hauts ordres de diffraction sont obtenus comme suit: 1. 2. 3. 4. Utilisez la sphre dEwald afin de dterminer les plans responsables pour une diffraction de premier ordre. Avec laide dun papier calque, tracer le contour du la sphre sur le papier calque Fixez le contour en utilisant une aiguille ou crayon environ 000. Tournez le contour autour de 000 dans le sens des aiguilles dune montre jusqu ce que de nouveaux ensembles de points soient sur la sphre. Ces points vont correspondre aux plans responsables de la diffraction de deuxime ordre. Afin dobtenir les plans responsables pour le 3me, 4me etc continuez tourner dans le sens des aiguilles dune montre, tout en localisant dautres plans qui se trouvent sur la sphre
5.
Approche Gnrale aux rseaux rciproques. Amplitude de la diffusion des ondes
Figure 1.20: Amplitude de la diffusion des ondes. Le diagramme dans la Fig. 1.20 montre une onde diffuse partir dun point situ une distance r de lorigine O. (a) Utilisez quelques rfrences : (http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure), fournies et montrant que la condition pour tous les vecteurs rseaux R, linterfrence constructive dans un rseau rciproque est
k.R = G.R = 2np .
(1.5)
(b) (c)
k est le vecteur donde donn par k = (2p ) / . R = ua + vb + wc est le vecteur de rseau. u, v, et w sont des nombres entiers. Dterminez les proprits de londe exp(iG.r) qui satisfait la condition G.R = 2np . Les Conditions de Laue pour la diffraction Une faon alternative de nommer la condition que k. R = G.R = 2np est que R = ua + vb + wc est de dire G.a = 2p h . G.b = 2p k. G.c = 2pl . h, k, and l sont des nombres entiers.
La condition est satisfaite si on dfinit G hk l = ha* + kb* + l c* avec a*.a = 2p , a*.b = 0, a*.c = 0. b*.b = 2p , b*.a = 0, b*.c = 0. c*.c = 2p , c*.b = 0, c*.a = 0. Les affirmations ci-dessus signifient que a* est perpendiculaire aux vecteurs primitifs b et c du rseau direct (vrai). (e) (i) Utilisez les conditions de Laue pour la diffraction et montrez que: a* = 2 p b c a .(b c ) ca a .(b c ) and (iii) c* = 2p
(ii)
b* = 2 p
ab . a. b c
Auto Evaluation 1 1. 2. Discutez les caractristiques dun composant ionique temprature ambiante Identifiez les rseaux donns dans la Fig. 1.21 et nommez les nombres datomes par point de rseau.
Figure 1.21: Structure cristalline
3.
Dterminez le nombre de symtrie rotationnelle pour: (i) un rseau cubique. (ii) un cristal quilatral.
4. 5. 6. 7.
Pourquoi tous les rseaux possdent une symtrie transrationnelle ? Expliquez pourquoi lordre de rotation correspondant un ordre 5 ou 6 nexiste pas. Lombre dans un plan (100), un plan (001) et un plan (111) Montrez que le taux de remplissage (la compacit) dans (i) (ii) un cristal cubique centr est 68%. un cristal face centre est 74%.
8. Expliquez comment la diffractomtrie des rayons X a lieu
Activit 2 Dfauts Cristallins et Proprits Mcaniques

Vous aurez besoin de 20 heures pour faire cette activit. Rsum de lActivit dApprentissage Les rsultats de lapprentissage requirent de diffrencier les diffrents types de dfauts cristallins : les dfauts ponctuels (Lacunes, Atomes Interstitiels et Ponctuels) et les dislocations (vis et coins). Vous allez apprendre que les dfauts ponctuels sont trs localiss et sont de taille atomique, tandis que la dislocation est un dsordre qui stend au del du volume dun ou deux atomes. Dans cette activit, vous allez apprendre sur les effets des dfauts sur les proprits mcaniques et lectriques. Les objectifs cls pour cette activit doivent : Expliquer les concepts de dfauts cristallins. Mettre en relation les dfauts cristallins quelques proprits mcaniques et lectriques observes.
Liste des Lectures Obligatoires

Rfrence Complte: De University of Exeter URL : http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/ Accde le 20 Avril 2007 Rsum: Dans cet article, la structure cristalline est dcrite avec des diagrammes bien illustrs. Les exercices dans larticle aident le lecteur consolider les sujets appris Justification: Cet article donne une autre faon regarder les structures cristallines. En outre les tests et exercices dchantillon donns la fin donnent une bonne opportunit dutiliser les thories et principes exercs de perspectives diffrentes.
Lecture 3: chelle Atomique de Structure des Materiaux.
Rfrence Complte : From DoITPoMS Teaching and Learning Packages URL : Accessed on the 24th April 2007 Rsum : Des types de cristaux varis sont dcrits et des exemples travaills sont fournis dans les sujets des cristaux et dfauts cristallins. Justification : Ce matriel fait partie des lots DoITPoMS dEnseignement et dApprentissage. Les lots sont destins tre utiliss interactivement sur un ordinateur ! Cet extrait imprimable est fourni par commodit mais naffiche pas tous les contenus du TLP. Par exemple, tous les clips vidos et les rponses aux questions sont manquantes. Si vous avez un accs internet, prenez le temps de visiter et dinteragir avec les exercices. Ceci complte la seconde activit du module.
Liste de Ressources MM
Ressource #1
Titre: Dfauts Cristallins URL: http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/def_en/index.html Description: Fournit des techniques exprimentales dtude de dfauts ponctuels, dislocation et autres dfauts. Date de consultation : 19/11/2007
Ressource #2
Titre: Structure Cristalline URL: http://www.eserc.stonybrook.edu/ProjectJava/Bragg/index.html Description: Fournit une animation sur comment les ondes rvlent la structure atomique des cristaux. Date de consultation : 19/11/2007. Liste de Liens Pertinents Utiles Lien Utile #4 de Wikipedia, lencyclopdie gratuite Titre: Dfauts Cristallins URL: http://en.wikipedia.org/wiki/crystallographic_defects#Point_defects Capture dcran:
Description: Une bonne description des dfauts (dfauts ponctuels, dfauts linaires, dfauts planaires et dfauts en gros sur ce site). Visit le 24 avril 2007:
Liens Utiles #5 Titre: Structure Cristalline URL: http://phycomp.technion.ac.il/~sshaharr/ Capture dcran:
Description: Ce site web a une bonne collection de liens et des visualisations de la structure tridimensionnelle. Visit le:- Avril 24 2007:
Lien Utile # 6 de Universit de Virginie, Department of Materials Science. Titre : Structure et imperfections dans les corps solides URL: http://people.virginia.edu/~lz2n/mse209/ Capture dcran:
Description : Ce lien mne lUniversit de Virginie, Department of Materials Science and Engineering Le cours (Introduction la Science et Ingnierie des Matriaux) a des chapitres indiqus dans la capture dcran qui sont de la documentation organise et pertinente cette activit Justification : Ce lien fournit de bons matriels de lecture.
Description dtaille de lactivit

Activit 2.1 : Dfauts Cristallins Dans cette activit vous allez apprendre et expliquer les effets des dfauts sur les proprits des matriaux. On se concentrera sur deux types de dfauts notamment les dfauts ponctuels et les dislocations. Lire et apprendre les diffrences entre les dfauts. Dfauts Ponctuels Il y a deux types de dfauts gomtriques dans un cristal. Il y a ceux qui sont trs localiss et sont de dimensions atomiques. Ils sont appels dfauts ponctuels. Un exemple de cela est limpuret dun atome qui peut tre soit substitionnelle ou une impuret interstitielle. (a) (b) Quand certains atomes ne sont pas exactement au bon endroit, le rseau est dit contenir des imperfections ou dfauts. De nombreuses proprits des corps solides par exemple la rsistance lectrique et la force mcanique sont dues la prsence de certains types de dfauts dans le rseau. Impuret Substitutionnelle.
2.1.1
Limpuret est dite substitutionnelle quand elle replace un atome sur un rseau hte par exeemple A ; elle dite interstitielle quand limpuret est entre les atomes htes sur un site non-rseau par exemple B. Dans les deux cas, il y aura de la distorsion de rseau autour delle
Figure 2.1: Exemples de dfauts ponctuels Une troisime forme de dfaut ponctuel est quand un atome manque sur son site dans un rseau par de C ???. Ce type forme le dfaut le plus simple. Le rseau vacant est appel lacune ou dfaut de Schottky. Ils sont montrs dans la Fig. 2.1. a) Utilisez les rfrences fournies et expliquez les effets des impurets tel que A ou B sur la proprit physique du cristal. http://www.people.virginia.edu/~lz2n/mse209/Chapter4.pdf. 20/05/2007 http://www.msm.cam.ac.uk/doitpoms/tlplib/dislocations/raftseq2.php . 20/05/2007.
2.2.2
Les effets de la prsence de lacune sur un site ion-positif La prsence de lacune dans un site ion-positif peut tre prsente telle que vu dans la Fig. 2.2. tudiez le diagramme dans la Fig. 2.2 et fournissez les rponses aux questions poses ci-dessous.
Figure 2.2: Effets des lacunes sur un site ion-positif Quarrive t-il la neutralit dans la vicinit dune lacune ? Quarrive-t-il quand lnergie lectrostatique du cristal ?????? et quel sera son effet ? (iii) Autre que la proprit lectrique, expliquez les effets de la lacune. Activit 2.1.3 Dislocations Contrairement aux dfauts ponctuels, il y a des types de dsordre qui stendent audel du volume dun ou deux atomes. Cest un dfaut linaire qui peut stendre travers un cristal ou qui peut former des boucles fermes. Il y a deux types de dislocations, dislocation coin et dislocation vis. ( Des dislocations MIXES combinant des aspects des deux types sont trs communes). (i) Dislocation Coins Elles sont causes par la termination dun plan datomes au milieu dun cristal. Dans de tels cas, les plans adjacents ne sont pas droits mais au lieu de cela, ils plient autour des coins dun plan clturant afin que la structure du cristal soit parfaitement ordonne de chaque cot. Voir Fig. 2.3. Lanalogie avec une pile de papiers est juste : si la moiti dun bout de papier est insre dans une pile de papiers, le dfaut dans la pile est seulement visible au coin de la moiti de papier. Voir Fig. 2.3. (ii) Dislocation vis Ceci est plus difficile visualiser mais la base comprend une structure dans laquelle un chemin hlicodal est trac autour dun dfaut linaire (ligne de de dislocation) par des plans atomiques datomes dans un rseau cristallin. Voir. Fig. 2.3. (a) (i) (ii)
Figure 2.3 Notez que dans une dislocation vis, le plan dune dislocation stend mi-chemin dans le cristal de lavant. Les atomes dun ct sont dcals vers le bas par une maille lmentaire relative aux atomes de lautre ct. Autres formes de dfauts (a) Sous cette section, vous aurez besoin de: (i) Lire des documents sur les dfauts planaires et les dfauts en gros. http://
en.wikipedia.org/wiki/crystallographic_defects#Point_defects
(ii) Prendre quelques notes. (iii) Comparer ces dfauts avec les dfauts ponctuels et les dislocations (b) Utilisez les rfrences et prenez note de : (i) (ii) La force mcanique des matriaux. Discutez des dfauts jusqu les identifier. Joint de grain dans un cristal (Vous devez discuter des macles). Vous devez aussi noter que les joints de grains dans un polycristal peuvent tre considrs comme des dfauts bidimensionnels dans un rseau cristallin parfait
Activit 2.1.4 Cristallogense Dans cette activit, les grandes lignes ci-dessous vous donnent les effets de la dislocation sur les corps solides. Lisez-les et essayez de connecter chacune des situations de vies relles. Vous allez apprendre que : la prsence de dislocations rsulte de la dformation du rseau (distorsion). (ii) La direction et lintensit de telle distorsion est exprime en fonction du vecteur de Burgers, b (iii) Pour un type coin, b est perpendiculaire la ligne de dislocation, tandis que dans les cas dun type vis, il lui est parallle. (iv) Dans des matriaux mtalliques, b est align dans des directions cristallographiques et son intensit est quivalente lespacement interatomique. (v) Les dislocations peuvent dplacer un des plans voisins, briser leurs liaisons et rebondir avec les atomes au coin. Cest la prsence des dislocations et leurs habilets se dplacer facilement (et interagir) sous linfluence de (i)
dformations induites par de charges externes qui mnent des caractristiques mallables de matriaux mtalliques. Activit 2.1.5 Dformation Plastique Dans cette activit, on vous donne des plans dans lesquels des matriaux se glissent (i) Des investigations microscopiques montrent que lorsquun mtal est plastiquement dform, la dformation arrive par un glissement du plan au long de la direction de la ligne dans ce plan. (ii) Pour des cristaux cubiques face centre, le glissement arrive normalement au long des quatre plans quivalents {111}. v Identifiez les plans au long desquels le glissement arrive dans un cristal corps centr. Dessiner le cristal pour montrer les plans.
Activit 2.2. Proprits Mcaniques (a) Lisez et prenez des notes sur une rponse des matriaux dune force applique. En particulier, prenez note que les deux importants rgimes du comportement mcanique, notamment : (i) (ii) La dformation lastique (non-permanente) qui est due ltirement des liaisons atomiques. La dformation plastique (permanente) qui est due au mouvement des dislocations.
(b) La discussion devrait concerner (i) Les dfinitions de contrainte (incluant la traction et le cisaillement). En plus aussi de considrer les tats communs de la contrainte (tension simple, compression simple, tension bi axiale, pression hydrostatique et cisaillement) Les dfinitions de la contrainte qui devraient inclure la contrainte tensile, contrainte latrale et le cisaillement.
(ii)
Activit 2.2.1
Coefficient de Poisson
Prenez des notes brves sur la dfinition du coefficient de Poisson et sa relation donne par Eq.2.1. v= x z (2.1)
z est la contraction transverse et x est lallongement axial perpendiculaire lextension par contrainte tensile Activit 2.2.2 Proprits lastiques
Dans cette activit, vous allez raliser des expriences afin de vrifier la loi de Hooke. Vous allez aussi utiliser les rsultats de lexprience pour montrer comment la constante de Young dun matriau est obtenue. (a) Dformation Tensile et Contrainte: Utilisez les rsultats de lexprience et prenez quelques notes sur: (i) (ii) Comment la loi de Hooke pour des petites dformations est tablit. Comment montrer que les petites dformations, contraintes, constante de Young, E, et la dformation, , a une relation donne par:
= E .
Au terme duquel:
(i)
Dformation Tensile = l et l est la longueur tire. 0 F Contrainte Tensile = A surface de coupe. Constante de Young =
l l 0
l , o l l0
est la longueur non-tire
(ii) (iii)
,o F est lintensit de la force et A est la
stress F A F l 0 = = strain l l 0 A l
Les units de la constante de Young sont les mmes que celles de la contrainte, puisque que la dformation est un nombre pair. Donc, lunit de la constante de Young est le Pascal (Pa) 1 pascal = 1 Pa = 1 Nm-2. (iii) Vos notes devraient contenir des graphes dessins, tiquets de la relation Contrainte/ Dformation.
Des explications adquates des diffrentes parties du graphique devraient tre fournies dans les notes. (b) Contrainte Compressive et la Dformation
Figure 2.4: forces compressives Quand les forces, F agissent aux extrmits de la barre telle que vu dans la Fig. 2.4, alors la barre est en compression. La contrainte compressive de la barre en compression est dfinie de la mme faon que la dformation tensile mais l a une direction oppose. (ii) La loi de Hooke est valide pour la compression aussi bien que la tension si la dformation compressive nest pas trop grande. (iii) Pour beaucoup de matriaux, la constante de Young a la mme valeur que les contraintes compressives et tensiles, et les matriaux composs tel que le bton sont des exceptions. (c) La Contrainte de Cisaillement et Dformation (a) Le Contrainte de Cisaillement est dfinie comme tant le rapport entre la force tangente une surface de matriau et la surface A sur laquelle la force agi t: Voir Fig. 2.5 Contrainte de Cisaillement = (i)
Fp A
FP
FP
A
FP FP
Figure 2.5: Un corps sous un cisaillement. La surface A est la surface de coin sur laquelle chaque force F p agit. (d) La dformation de cisaillement Le diagramme du corps dform est donn par Fig.2.6, ou abcd reprsente un bloc non-stress de matriau tel quun livre ou un mur. La surface a/b/c/d/ montre le mme bloc sous le mme cisaillement.
b/
c/
a, a/
d, d/
Figure 2.6: Un corps dform par le cisaillement (i) (ii) = tan . Mais dans de vrais situations, x est h beaucoup plus petit que h. Ceci veut dire que tan (en radians) Si les forces sont tellement petites que la loi de Hooke est applicable, le cisaillement serait proportionnel langle de cisaillement. La constante lastique correspondant est appelle la constante le de cisaillement, S telle Angle de cisaillement = x
que
S=
shear stress shear strain
FP / A x/h
FP h FP / A . = A x
( 2.2)
Utilisez cet argument ci-dessous afin de driver l quation 2.2 et son unit.
(e) Produire de la dformation par glissement simultan des atomes Exemple: Cet exemple donne une illustration du calcul de la production de la dformation. Vous avez besoin de savoir que dplacer un plan particulier, un cisaillement doit tre appliqu. Dans la Fig. 2.7, les cisaillements sont mesurs par un angle de cisaillement , afin que si d, est lespacement interplantaire et, x, le dplacement linaire donc
= x d
x
d b
Figure 2.7: Un petit dplacement lastique Pour un petit dplacement lastique, le cisaillement est donn par Eq. 2.3. = G = Gx (2.3)
d
x
d o G est la constante de cisaillement (rigidit).
Pour des dplacements plus larges, doit tre une fonction qui a une priodicit dun espacement interatomique b des atomes lintrieur du plan de glissement. Ceci est donn par lquation 2.4. Cest dire,
2p x = cons tan t sin b

A partir de lEq. (2.3) et (2.4) si le dplacement, est petit on a:
(2.4)
cons tan t
2p x b G 2p
Gx d
Cest dire cons tan t =
Gb 2p d
Puisque b est approximativement gal d,
G 2p x sin 2p b
( 2.5)
G
Donc, a une valeur maximum de
et cela doit correspondre la production de 2p dformation du matriau mais en ralit, il ne doit pas. La production de dformation G dans les mtaux est toujours beaucoup plus petite que de deux ou quatre ordres 2p de magnitude.
Auto Evaluation 2 1. (a) Utilisez des exemples pertinentes, distinguez clairement entre les dfauts ponctuels et les dislocations (b) Expliquez les effets possibles entre les dfauts plantaires 2. (a) Dfinir le rseau.
(b) Dcrire comment une maille primitive peut tre choisie par une procdure Wigner- Seitz (c) Drivez une expression pour une rotation alloue a, dans un rseau priodique et montrez comment les solutions possibles lquation peuvent tre obtenues
Activit 3 Proprits Thermiques et lectriques

Vous aurez besoin de 40 heures afin de complter ce module. Titre de lActivit dApprentissage: Proprits Thermiques et lectriques Rsum de lActivit dApprentissage Cette activit a deux parties majeures : proprits thermiques et lectriques des corps solides. Sous les proprits thermiques, les sujets suivants font partie des activits dapprentissage : capacit thermique, capacit thermique massique, modle thorique de la capacit thermique et la conductivit thermique. Pour les proprits lectriques, lactivit implique lapprentissage de la conductivit lectrique, la thorie de llectron libre des mtaux et la loi Wiedemann-Franz. Objectifs Spcifiques Les objectifs spcifiques requirent des tudiants de : Dfinir la capacit thermique, et expliquer la variation de la capacit thermique avec la temprature base sur les modles classiques dEinstein et de Debye. Utiliser la thorie de l lectron libre pour expliquer les hautes conductivits thermiques et lectriques des mtaux Dmontrer et appliquer la loi de Wiedermann-Frantz
Liste de Lecture Obligatoires

Lecture 4: Capacit Thermique.
Rfrence complte : De Wikipedia, the free encyclopedia.

URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity Accd le 20 Avril 2007
Rsum: La capacit thermique est dfinie et quantitativement dcrite par les corps compressibles. La capacit thermique de masse est dfinie et les modles thoriques sont dcrits. La capacit thermique tempratures varies est dcrite. Justification: Ce matriel complte la section des proprits thermiques de la troisime activit dans le module. Des liens sont fournis pour plus de lecture.
Lecture 5: Conductivit lectrique.
Rfrence complte : De Wikipedia, the free encyclopedia. URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity Accde le 24 Avril 2007 Rsum : La Classification des matriaux par conductivit, certaines dpendances typiques de temprature des conductivits lectriques sont discutes. Des liens dàutres facettes sont fournis. Justification : Ce matriel complte la section des proprits lectriques dans la troisime activit du module. Des liens sont fournis pour plus de lecteurs. Liste de Ressources Multimdias Pertinentes Ressource #1 Titre: Thermodynamic equilibrium URL: http://www.hazelwood.k12.mo.us/~grichert/sciweb/applets.html Description: Fournit des expriences virtuelles appropries aux tudiants. En plus, il y a une simulation du processus de la diffusion quand les gaz diffrentes tempratures sont mlangs. Date de consultation 16/11/2007. Ressource #2 Titre: Structure and bonding URL:http://learningzone.coruseducation.com/schoolscience/KS5specialiststeels steelch 1pg2.html Description: Ce site donne une animation montrant des lectrons qui bougent alatoirement et les mouvements des lectrons travers un fil. Cela contient aussi une simulation montrant des lectrons dlocaliss, pour la conductivit thermique et lectrique. Date de consultation : 16/11/2007. Ressource # 3 Titre: Heat transfer mechanism URL: http://www.engr.colostate.edu/~allan/heat_trans/page4/page4f. html. Description: Ce site a une discussion sur les trois mcanismes du transfert thermique : La Conduction, La Convection et le Rayonnement. Il fournit aussi les calculs numriques faire en ligne Date de consultation : 19/11/2007.
Liste de Liens Utiles Pertinents Lien Utile #4: Wikipedia Titre: Heat capacity. URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity Capture dcran Specific heat capacity From Wikipedia, the free encyclopedia
Section Listing
7.5 Theoretical models 7.5.1 Gas phase 7.5.1.1 Monatomic gas 7.5.1.2 Diatomic gas 7.5.2 Solid phase 7.6 Heat capacity at absolute zero Description : Ce site fournit du matriel de lecture de base sur la capacit thermique incluant les modles thoriques (phase de gaz, gaz monoatomique et gaz diatomique) et la phase solide. Date de consultation : 16/11/2007.
Lien Utile #5 Wikipedia Title: Electrical conductivity URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_conductivity, 3/12/2006 Capture dcran: commonly represented by the Greek letter , but or are also occasionally used. An EC meter is normally used to measure conductivity in a solution.
Contents [hide] 1 Classification of materials by conductivity 2 Some electrical conductivities 3 Complex conductivity 4 Temperature dependence 5 See also 6 External links
[edit] Classification of materials by conductivity Date de consultation : 16/11/2007 http://en.wikipedia.org/wiki/Thermal_conductivity, 3/12/2006

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/thermo/thercond.html
Description dtaille de lactivit

Activit 3.1 Capacit thermique Dans cette activit vous allez: 1) Dfinir et apprendre la capacit thermique et la capacit thermique massique. 2) Rsoudre et appliquer les quations pertinentes dans des problmes numriques. 3) Utilisez les rfrences fournies pour plus dinformation pertinentes pendant que vous prenez des notes et faites les devoirs/quiz. (a) (i) (ii) (iii) (iv) (v) (vi) Les points cls dapprentissage sur la capacit thermique sont que, la capacit thermique est: Normalement dsigne par un C majuscule, souvent avec des indices. Est une quantit physique mesurable qui caractrise lhabilet dun corps stocker la chaleur tandis que la temprature change. Dfinie tandis que le taux de changement de la temprature comme la chaleur est ajout au corps a certaines conditions et ltat du corps. Exprime en units de joules par kelvin dans le Systme dUnits International, Est qualifi comme ``quantit extensive`` Une capacit thermique massique quand lorsque divise par la masse du corps cde
(b) Dfinition La capacit thermique est mathmatiquement dfinie comme le ratio dune petite quantit de chaleur Q ajout un corps, la petite augmentation correspondante de sa temprature dT:
Q dS c= =T . dT cond dT cond
(3.1)
o S est lentropie et lindice dfinit la condition sous laquelle la capacit thermique est dfinie.
Choses importantes apprendre de lquation (3.1) (i) Pour les systmes thermodynamiques avec plus dune dimension physique, la dfinition ci-dessus ne donne pas une seule et unique quantit moins quun chemin particulier infinitsimal travers lespace phase du systme soit dfini (Ceci veut dire quon a besoin de savoir en tout temps o sont les parties du systme ? Combien de masse ont-elles ? Et quelle vitesse elles se dplacent ?). Pour tous les systmes rels, le chemin travers lequel les changements arrivent doit tre explicitement dfini, puisque la valeur de la capacit thermique dpend du chemin pris dune temprature une autre.
(ii)
Activit 3.1.1: Capacit Thermique volume constant C V , et la capacit thermique pression constante C P : Dans cette activit, vous allez : (a) (b) Distinguer entre la capacit Thermique volume constant C V , et la capacit thermique pression constante C P : Notez la premire loi de thermodynamique et utilisez la conjointement avec les dfinitions de C V et C P afin de montrer que :
Q S U CV = =T = (3.2) T V T V T V Q S H Cp = =T = T P T P T P
o (3.3)
Q est la quantit infinitsimale de chaleur ajoute, T est laugmentation subsquente de la temprature.

U est le changement dans lnergie interne H est le changement dans lenthalpie.
Rappelez vous que (i) Laugmentation de lnergie interne est la diffrence entre la chaleur ajoute et le travail effectu : (3.4)
dU = TdS PdV.
(ii)
LEnthalpie est dfinie par H = U + PV. Donc laugmentation de l enthalpie est donn par (3.5) dH = dU + (PdV + VdP).
v De nombreux livres sur la chaleur et la thermodynamique traitent ce sujet trs bien, donc vous devriez vous rfrer eux. Activit 3.1.2: Capacit thermique massique (a) Sous cette activit, on dfinit le terme de capacit thermique massique sous une forme mathmatique. Donc, la capacit thermique spcifique, c, d'un matriau est C m , ( 3.6)
c=
Qui dans labsence de phase de transitions est quivalente
c=
o,
C C = . m V
(3.7)
C est la capacit thermique dun corps (JK1) m est la masse dun corps (kg). V est le volume dun corps ( m3 ). = mV (b)
1
est la densit dun matriau ( kgm 3 ).
Pour les gaz, et aussi les autres matriaux sous autres pressions, il est ncessaire de distinguer les diffrentes conditions des limites pour les processus sous considration (puisque les valeurs diffrent sensiblement entre les conditions diffrentes). Les processus typiques pour lesquels la capacit thermique peut tre dfinie comme des processus isobares (pression constante, dP = 0) et des processus isochores (volume constant, dV = 0), et on crit dune faon conventionnelle pour les gaz : C cP = m P (3.8)
C cV = (3.9) m V
(c) Capacit thermique sans dimension La capacit thermique sans dimension C * dun matriau est donne par C* = o , C nR = C Nk , (3.10)
C est la capacit thermique dun corps ( J K
),
n est le nombre de moles dans un corps (mol), R est la constante des gaz parfaits ( J K
1
mol 1 ),
1
nR=Nk est la quantit de matire dans le corps ( J K
),
N est le nombre de molcules dans un corps. (sans dimension),
kB est la constante de Boltzmann ( J K 1 molecule 1 )

En utilisant cette information fournie ci-dessus, montrez que C * nas pas de dimension.
(d) Loi de Dulong-Petit Pour de la matire dans une phase solide cristalline, la loi Dulong-Petit dit que la capacit thermique massique sans dimension assume la valeur 3. Effectivement, pour les lments chimiques mtalliques solides temprature ambiante, les capacits thermiques vont de 2.8 3.4 (le bryllium tant une exception notable 2.0). (ii) La limite Dulong-Petit rsulte du thorme dquipartition, donc cest seulement valide dans la limite classique dun continuum de micro-tat, qui est une limite de haute temprature. Notez aussi que: (iii) La capacit thermique thorique maximum pour des gaz multi-atomiques de plus en plus grand des hautes tempratures, approche aussi la limite Dulong-Petit de 3R, tant que cest calcul par mole datomes, mais pas par molcules. La raison est que les gaz avec des molcules larges, en thorie ont quasiment la mme capacit thermique haute temprature que les solides, manquant seulement la (petite) contribution de la capacit thermique qui vient de lnergie potentielle qui ne peut pas tre stocke entre les molcules distinctes dans un gaz. (iv) Pour les lments lgers et non-mtalliques, ainsi que la plupart des solides molculaires de base sur des composs de carbone une temprature ambiante standard, les effets quantiques peuvent aussi avoir un rle jouer comme les gaz multi-atomiques. Ces effets normalement combinent pour (i)
donner des capacits thermiques plus petites que 3 R par mole datomes dans un solide, quoique les capacits thermiques calcules par mole de molcules dans des solides molculaires puissent tre suprieures 3 R. Par exemple, la capacit thermique de leau glace au point de fusion est peu prs 4.6 R par mole de molcules, mais seulement de 1.5 R par mole datomes. Les nombres infrieurs rsultants du gel des modes possibles de vibration pour les atomes lgers des tempratures suffisamment faibles, comme pour beaucoup de gaz. Les effets sont vus dans les solides plus souvent que dans les liquides : par exemple la capacit thermique de leau liquide est encore proche du thorique 3 R par mole datomes du maximum thorique de Dulong-Petit. Activit 3.1.3 : Modle thorique de la capacit thermique Cette activit est prsente en deux parties, c'est dire, sous les gaz et les solides comme il en sera discut bientt. Avant de passer la prochaine tape, Lisez et prenez quelques notes sur la thorie cintique des gaz. Gaz 1. Monoatomique Selon le thorme de lquipartition des mcaniques classique et statistique, pour un systme fait de dgrs de libert indpendants et quadratiques, nimporte quel apport dnergie dans un systme ferm compos de N molcules est uniformment divis parmi les degrs de libert disponibles pour chaque molcule, pour chaque degr de libert indpendant et quadratique, Ei = kB T 2 . (3.11)
o Ei est lnergie moyenne (mesure en joules) associe un degr de libert i. T est la temprature (mesure en kelvins), kB est la constante de Boltzmann, (1.3807 10 23 J K
1
).
En gnral, le nombre de dgre de libert f, dans un molcule avec na atomes est 3 na : f = 3 na (3.12)
Utilisez les rfrences et rsolvez lquation (3.11)
Exemple 1 Lexemple suivant est destin illustrer comment la capacit thermique des gaz peut tre calcule. Considrons un gaz monoatomique. 1) Dans le cas dun gaz monoatomique tel que lhlium sous volume constant, tant sr quaucune excitation quantique lectronique ou nuclaire arrive, chaque atome dans le gaz a seulement 3 degr de libert, tous de type transrationnel. Pas de dpendance dnergie est associe avec les degrs de libert qui dfinit la position des atomes. Tandis que, au fait, les degrs de libert correspondants du mouvement des atomes est quadratique, et donc contribue la capacit thermique. Pour N atomes, dont chacun a 3 composantes de momentum, signifie quil y a 3N degrs de libert totale. Donc : (3.13) (3.14)
2)
3)
3 3 U CV = = NkB = nR . 2 T V 2 C V ,m =
o
CV 3 = R = 1.5 R . n 2
C V est la capacit thermique volume constant du gaz, C V , m est la capacit thermique molaire volume constant du gaz, N est le nombre total datomes prsents dans un rcipient, n est le nombre de moles dans un corps, R est la constante de gaz parfait, (8.3145 J K
1
mol 1 ). R est gal au produit de la
constante de Boltzmann, k B et du nombre dAvogadro. En gnral, les capacits exprimentales de la chaleur des gaz monoatomiques nobles sont en accord avec une simple application de la mcanique statistique un trs haut degr. 2. Gaz Diatomiques (a) Lisez des documents sur les gaz diatomiques et confirmez que: (i) Dans un gaz diatomique, la prsence de degrs internes de libert est apparente, en plus des trois degrs de libert translationels, il y a les degrs de libert vibrationnels et rotationnels. Il existe un total de trois degrs rotationnels de libert, un correspondant la rotation autour de chaque axe de lespace tridimensionnel.
(ii)
(iii) En pratique, seulement deux degrs de libert en rotation pour les molcules linaires sont pris en compte car le moment dinertie autour de laxe internuclaire est extrmement faible par rapport dautres moments d'inertie dans la molcule. (Pourquoi?) (Ceci est d aux rayons extrmement rduits des
noyaux atomiques, par rapport la distance entre eux dans une molcule).
(iv) En mcanique quantique, la variation dnergie de rotation successive est inversement proportionnelle au moment d'inertie autour de cet axe.
Le nombre de degrs de libert de vibration est
fvib = f ftrans f rot = 6 3 2 = 1

Ceci est d aux trois degrs de libert translationnels et deux degrs de libert rotationnels. (b) Capacit thermique molaire volume constant du gaz diatomique. Chaque degr de libert rotationnel et translationnel contribue hauteur de R/2 la capacit thermique molaire dun gaz (ii) Chaque mode de vibration contribue hauteur de R la capacit thermique molaire cause de chaque mode de vibration ; il existe une composante potentielle et une composante cintique dnergie, o chaque contribution par composante potentielle et composante cintique dnergie en capacit thermique molaire totale du gaz, est R/2. (iii) Donc, la capacit thermique molaire attendue volume constant dune molcule diatomique est (i)
C V ,m =
Exercice 1 a) b) c)
3R 7R +R+R= = 3.5R. 2 2
(3.15)
d)
Vrifiez que la valeur de C V , m est correcte Vrifiez pour des valeurs de quelques capacits thermiques molaires de gaz diatomiques varis et enregistrez les dans une table. Les valeurs que vous allez enregistrer vont montrer que la plupart des gaz diatomiques plus lgers ont des capacits thermiques qui sont infrieures que celles prdites dans le Thorme dquipartition, contrairement au cas des molcules plus lourdes. EXPLIQUEZ POURQUOI EST-CE AINSI ?
Avant de continuer lactivit 3.1.4 vous aurez besoin: v Lire et prendre quelques notes sur les limitations de la thorie spcifique classique de basses tempratures. Activit 3.1.4: Phase Solide: Modle de Debye et d'Einstein (a) Dans cette activit, vous allez brivement apprendre que : Le modle de Debye est une mthode dveloppe pour estimer la contribution des phonons la chaleur massique (capacit thermique) dans un corps solide. (ii) Il traite des vibrations du rseau atomique (chaleur) comme les phonons dans une bote, en contraste avec le modle dEinstein, qui traite les corps solides comme des oscillateurs quantiques sans interaction. (iii) Le modle de Debye prdit correctement la dpendance la basse temprature de la capacit thermique, qui est proportionnelle T 3 . (iv) Tandis que le modle dEinstein dun corps solide prdit avec prcision la capacit thermique hautes tempratures, il scarte sensiblement des valeurs exprimentales basses tempratures. (v) Comme le modle dEinstein, il rcupre galement la loi Dulond-Petit hautes tempratures. Mais en raison dhypothses simplificatrices, sa prcision souffre des tempratures intermdiaires. (b) La variation de la capacit thermique sans dimension, quation (3.9), avec temprature est montre dans la Fig. 3.1 telle que prditent par le modle de Debye et le modle dEinstein. Le solide dEinstein est un modle dun solide bas sur deux hypothses: (i) (ii) Chaque atome dans un rseau est un oscillateur 3D quantique harmonique. Les atomes ninteragissent pas les uns avec les autres. (i)
Figure 3.1 : Variation de la capacit thermique sans dimensions. (c) Caractristiques du graphique: La capacit thermique sans dimension est nulle zro absolue, et augmente a une valeur de trois pendant que la temprature devient suprieure que la temprature de Debye. Donc, une des forces du modle de Debye est quil prdit une approche de la capacit thermique vers zro pendant quon sapproche de la temprature zro, et prdit aussi la forme mathmatique correcte de cette approche. (ii) Pour un solide dEinstein la valeur de 3Nk est retrouve de hautes tempratures. (iii) La ligne horizontale correspond la limite classique de la loi de Dulong-Petit. Lisez plus sur ceci et prenez des notes comprhensibles sur les modles de Debye et dEinstein. Activit 3.1.5: Conductivit lectrique Dans cette activit, un nombre de rsolutions et de dfinitions dquations seront faites. En plus de tout cela, les questions qui vont vous aider mieux comprendre le sujet vous seront poses pendant que vous continuez lapprentissage. Pendant que vous progressez, vous devez prendre des notes chaque tape de lactivit dapprentissage. (a) Conductivit lectrique (i) La conductivit lectrique est une mesure de lhabilet dun matriau de conduire un courant lectrique. Quand une diffrence de potentielle lectrique est applique travers un conducteur, sa charge mobile fluctue, donnant naissance un courant lectrique. La conductivit est dfinie comme le (i)
Equation 3.16
ratio de la densit de courant (courant par surface), J, la force du champ lectrique, E,
J= E=
(3.16)
(3.16)
Page 111
conductivities
(ii) La conductivit est linverse de la rsistivit lectrique, . (iii) Les matriaux peuvent tre classs en fonction de leur conductivit. Un n v k conducteur tel que le mtal a une haute conductivit ; un isolant ou un aspine 2 rateur a une conductivit basse ; tandis que celle dun semi-conducteur est = = 2 gnralement intermdiaire, quoique quoiquelle varie sous des conditions m v diffrentes, telles que lexposition du matriau aux champs lectriques ou Thermal des frquences spcifiques de la lumire et plus important avec la tempraElectrical ture.
[ajouter les mots ThermalCaractristiques des matriaux (b) and Electrical]

Dans les solides cristallins, les atomes interagissent avec leurs voisins, et les niveaux dnergie des lectrons dans des atomes isols se transforment en bandes Page 115 (ii) Quun matriau conduit ou pas est dtermin par sa structure de bande. (iii) Les lectrons dans un solide remplissent les bandes dnergie dun certain 6(c) devrait tre niveau appel nergie de Fermi (iv) Les bandes qui sont compltement remplies dlectrons ne peuvent pas conduire llectricit car il ny a G dtat dnergie voisine sur lequel les pas (c) Show that shear stress,lectrons peuvent se trouver.. has a maximum value of when it causes a particular 2 (v) Les matriaux dans lesquels les bandes sont remplies (Lnergie de Fermi plane to move. G is the shear (or rigidity) modulus. est entre les deux bandes) sont des isolants. (vi) Dans quelques cas, cependant, la thorie des bandes se brise et les matriaux [Dernire ligne conflit avec qution?] qui sont prdits pour tre conducteurs par la thorie des bandes se rvlent tre isolants. Les isolants de Mott et les isolants transfert de charge sont deux classes. (c) (i) Expliquez brivement pourquoi les mtaux sont des bons conducteurs (ii) Utilisez le modle de Drude et montrez que la conductivit en fonction du temps de relaxation , de la densit de la conduction des lectrons n, de la charge de llectron e, et de la masse de llectron m, est donne par = (i)
ne2 m
(3.17)
Montrez que la dimension dans lquation (3.17) est constante. (iii) Pour des fins de comparaison, crivez des notes sur la conduction lectrique dans les semi-conducteurs, les gaz et le plasma et un aspirateur.
Activit 3.1.6 : Conductivit Thermique Dans cette activit, un nombre de dfinitions et de calculs dquations seront donnes. Avec cela, les questions qui vont vous aider mieux comprendre le sujet seront poses pendant que vous continuez apprendre. Pendant que vous progressez, vous devez prendre des notes chaque tape de lactivit dapprentissage. (a) La conductivit thermique , est une proprit intensive dun matriau qui indique son habilet conduire la chaleur. C est dfini comme la quantit de chaleur Q , transmisse un temps t travers une paisseur L, dans une direction normale la surface dune aire A, cause de la diffrence de temprature T, sous des conditions stables et quand le transfert de chaleur est seulement dpendant du gradient de temprature. (ii) Conductivit Thermique = taux de flux de chaleur distance / (surface diffrence de temprature) (i) = Q t L A T (3.18)
v Calculez les DIMENSIONS et UNITES de la conductivit thermique de lquation (3.18) v NOTEZ QUE:
(1) Conceptuellement, la conductivit thermique peut tre vue comme un rcipient pour les proprits moyennement dpendantes qui concernent le taux de perte de chaleur par unit de surface au taux de changement de temprature Q A T T x (3.19)
Puissance par unit de surface (2) Pour un gaz parfait, le taux de transfert de chaleur est proportionnel la vitesse molculaire moyenne, le parcours libre moyen, et la capacit thermique molaire
du gaz.
=
o
n c C V 3N A
(3.20)
est la conductivit thermique,
c est la vitesse moyenne des particules,

n est le nombre de particules par unit de volume,
est le parcours libre moyen,
C V est la capacit thermique molaire,
N A est le nombre dAvogadro.

v Vrifiez que les dimensions dans lquation (3.19) sont conformes Gaz (b) Proprits thermiques des matriaux Prenez quelques notes succintes sur les similarits et diffrences entre la conduction lectrique et la conduction thermique. Cependant, la conductivit thermique dpend de beaucoup de proprits dun matriau, notamment de sa structure et de sa temprature. (ii) Par exemple, les substances cristallines pures montrent des conductivits thermiques hautement variables au long des axes de cristaux diffrents, dues aux diffrences dans le couplage des phonos au long dune dimension cristalline donne. (LISEZ PLUS SUR CECI) (iii) Lair et dautres gaz sont gnralement des bons isolants, en absence de convection. (c) (i) (ii) Mesures Prenez des notes prcises sur les mesures de Les bons conducteurs de chaleur par la mthode de bar de Searle Les mauvais conducteurs de chaleur par la mthode de disque de Lees (i)
Activit 3.1.6: Thorie de llectron libre des mtaux (a) Information (i) Ceci a dabord t propos par Drude et Lorentz dans les premires annes du 20me sicle. (ii) Cela considre que quelques lectrons agissent comme sils taient capables de se dplacer librement lintrieur du corps solide et que les lectrons libres sont dans un quilibre thermique avec leurs atomes. (iii) Les lectrons libres sont maintenus dans un corps solide par un puits de potentiel ou bote, mais ne sont pas affects par le potentiel local associ avec les atomes individuel. (iv) Cependant, les mtaux de transition, tels que le fer, sont partiellement remplis dtats lectroniques d et ne sont pas traits par le modle des lectrons libres. v En sassurant que le chemin moyen libre des lectrons est limit par les collisions, H.A. Lorentz a fait ltude quantitative de cette thorie. De cette faon, il a t capable de dduire la loi dOhm pour la conductivit lectrique et obtenir le ratio de la conductivit thermique la conductivit lectrique en excellent accord avec lexprience.
(b) Insuffisance de la thorie. (i) (ii) Dabord, elle a prdit une large composante de la chaleur spcifique dun mtal, non prsente dans les isolants, ce qui na pas t observ. Deuximent, la comparaison de la thorie avec lexprience indiquait que le chemin libre moyen des lectrons devient extrmement large de basses tempratures ; et le modle noffre aucune justification.
Toutefois, ces lacunes ont t surmontes par lutilisation de la statistique quantique, qui a enlev la difficult de la chaleur spcifique sans perdre la description russie des proprits de transport. La thorie rsultante reste la base pour la comprhension de la plupart des proprits de transport des mtaux et des semi-conducteurs. peu prs au mme moment, WV Houston et F. Bloch a rsolu l'quation des ondes mcaniques quantiques pour les lectrons dans une structure priodique rgulire, estimant quelles pourraient effectivement avoir arbitrairement de grands chemins libres moyens, sil ny a pas de dfaut dans la priodicit, plaant ainsi la thorie des lectrons libres sur une base ferme.
Activit 3.1.7: La loi de Wiedemann-Franz (a) Dans cette activit, la relation entre les conductivits lectriques et thermiques est discute. Un nombre dinformations vous sont fournies afin de suivre comment la relation est dduite. On observe que : Le ratio de la conductivit thermique a la conductivit lectrique dun mtal est proportionnel la temprature. (ii) Qualitativement, la relation est base sur le fait que le transport de la chaleur et de llectricit implique des lectrons libres dans un mtal. (iii) La conductivit thermique augmente avec la vitesse moyenne des particules puisque cela augmente le transport de lnergie. (iv) Cependant, la conductivit lectrique diminue avec la vitesse des particules qui augmente cause des collisions entre les lectrons. Ceci signifie que le ratio de la conductivit thermique la conductivit lectrique dpend du carr de la vitesse moyenne, qui est proportionnelle la temprature cintique. La capacit thermique molaire dun gaz classique monoatomique est donne par (i)
cV =
3 3 R = N Ak 2 2
(3.21)
(b) Dtermination de la loi de Wiedemann-Franz (i) La loi de Wiedemann-Franz est dtermine en traitant les lectrons comme des gaz classiques et en comparant la conductivit thermique rsultante la conductivit lectrique. Les expressions pour la conductivit thermique et la conductivit lectrique deviennent:
conductivities
n c k 2
ne2 . mc
(3.22)
Thermale (ii)
lectrique
Mais la vitesse moyenne des particules de la thorie cintique est donne par Eq. (3.23)
c =
8kT . (3.23) pm
(iii) Donc, le ratio de la conductivit thermique la conductivit lectrique donne la loi de Wiedemann-Franz Law comme
4k 2T = = LT . p e2
L est le nombre de Lorentz . v
(3.24)
Voir C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New York: Wiley, 1976, p. 178.
Auto valuation 3 1. (a) (i) Pourquoi la capacit thermique est rfre comme une quantit extensive? (ii) 2. 3. 4. Pourquoi la capacit thermique massique est rfre comme une quantit extensive?
Comparer les modles de Debye et dÈinstein . Dduire lùnit de conductivit de lquation (3.16). Comparer la conductivit des diffrents matriaux (conducteurs, et semi-conducteurs) la temprature complter!!! . Dcrivez comme ils se comparent.
5. Expliquez: (i) (ii) La notion du transfert de chaleur par conduction. Les raisons des larges variations dans la conductivit thermique
6. Utilisez lquation 3.23 et dterminez (i) La valeur du nombre de Lorentz, L.
(ii)
Lunit de L.
Activit dapprentissage 4
Titre de lactivit dapprentissage: Theorie des bandes et proprietes optiques. Vous aurez besoin de 20 heures pour faire compltement cette activit. Rsum de lactivit dapprentissage. Ce modle consiste en deux parties : Thorie des bandes et proprits optiques. Les lments de base de lactivit inclut lapprentissage de : la structure des bandes lectroniques dans laquelle les conducteurs, les isolants et les semi-conducteurs en font partie. Plus dapprentissage est sur le dopage, le niveau de Fermi, et les bandes dnergie dans les corps solides. Sous les proprits optiques, le sujet enseign inclut labsorption et le coefficient dextinction, la rflectivit et la transmittance. Les objectifs dapprentissage des modules requirent que les tudiants soient capables de: Dcrire la thorie des bandes, Expliquez les diffrences entre les conducteurs, les semi-conducteurs et les isolants, (iii) Expliquez les diffrences entre les semi-conducteurs intrinsques et les semi-conducteurs extrinsques sur le rle du dopage. Les objectifs pour lapprentissage des proprits optiques sont de permettre les tudiants de : (i) Expliquer, la base sur linteraction des ondes lectromagntiques (lumire) et matriaux, labsorption, la rflectivit et la Transmittance. (i) (ii)
Liste de Lectures Obligatoires

Lecture 4: Capacit Thermique
Rfrence Complte : From Wikipedia, the free encyclopedia. URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity Consulte le 20 Avril 2007 Rsum: La capacit thermique est dfinie et quantitativement dcrite pour les corps compressibles. La capacit thermique massique est dfinie et les modles thoriques sont dcrits. La capacit thermique des tempratures varies est dcrite.
Justification: Ce matriel compltela section dans la troisime activit des proprits thermiques. Des liens sont fournis pour plus de lecture.
Lecture 5: Conductivit lectrique.
Rfrence Complte: From Wikipedia, the free encyclopedia. URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity Accd le 24 Avril 2007 Rsum : La classification des matriaux par conductivit, quelques dpendances typiques de temprature de conductivits lectriques sont discutes. Des liens avec dautres sites sont aussi fournies. Justification: Ce matriel complte la section dans la troisime activit des proprits lectriques. Des liens sont fournis pour plus de lecture. Liste des Ressources Multimdias Utiles Ressource#1 Titre: Fermi Level and carrier concentration URL: http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/bandAndLevel/ intro.html Description: Ceci fournit de bonnes notes dintroduction et une simulation du niveau de Fermi et la concentration du porteur Date de consultation : 16/11/2007 Liste de Liens Utiles Pertinents Titre: Bandes dnergie URL: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html Capture dcran: small compared to that in doped semiconductors under the same conditions.
Click on any part of the illustration for further information.
Description: Ceci fournit du matriel de lecture adquat sur la thorie des solides : commentaires sur les bandes dnergie ; bandes dnergie disolants ; bandes dnergie des semi-conducteurs ; bandes dnergie des conducteurs ; bandes dnergie des
silicons Date de consultation : 16/11/2007 Activit 4.1 Structure des bandes lectroniques
Dans cette activit, vous allez dfinir, dcrire et discuter quelques termes de base, en relation avec les mtaux, les semi-conducteurs et les isolants. Au fur et mesure que vous progressez avec votre tude, vous serez requis fournir des rponses quelques questions qui sont poses dans cette activit. (1) Lactivit est dabord introduite en donnant des dfinitions de quelques termes cls tels que la structure des bandes. (i) Dans la physique des solides, la structure des bandes lectroniques (ou tout simplement structure des bandes) dun solide dcrit les plages dnergie quun lectron est interdit ou permis davoir. La structure de bandes dtermine les proprits lectriques, optiques et autres dun matriau.
(ii)
(2) Faits de base sur la formation des bandes. A partir de votre lecture, vous allez noter que: Les lectrons dun atome isol occupent les orbitales atomiques, qui forment un ensemble discret de niveaux dnergie v (DANS CETTE AFFIRMATION, QUE VEUT T-ON DIRE PAR : orbitale atomique et ensemble discret de niveaux dnergie ?) Dans une molcule, o il y a beaucoup datomes, leurs orbitales atomiques se divisent cause du principe dexclusion de Pauli. v (EX PLIQUEZ QUEST-CE LE PRINCIPE DEXCLUSION DE PAULI) (iii) En consquence, un nombre dorbitales molculaires proportionnel aux nombres datomes est produit. (iv) Dans les corps solides, le nombre dorbitale est extrment grand, (v) Donc, la diffrence dnergie entre eux devient trs petite. Cependant, VOUS DEVEZ NOTEZ CECI, quelques intervalles dnergie ne contiennent pas dorbitales, quelque soit le nombre datomes ensembles. (ii) (i)
v (Pourquoi est-ce le cas ?).
(3) Considrons maintenant les trois types de matriaux sparment. (a) Mtaux (i) Les mtaux contiennent des bandes qui sont partiellement vides et partiellement remplies quelque soit la temperature. Donc, ils ont de hautes conductivits.
A cause de trs grands nombres datomes qui interagissent dans un matriau solide, les niveaux dnergie sont tellement rapprochs quils forment des bandes donc, les lectrons dans le mtal sont arrangs en bandes dnergie. (iii) La bande la plus remplie dnergie est appele bande de valence, la bande suivante la plus haute est la bande de conduction. (iv) Les rgions dnergie pour lesquelles aucune orbitale dlectrons sans ondes nexiste peuvent peut sparer les deux. De telles rgions interdites sont appeles gap dnergie ou bandes de gap., (v) Si le nombre dlectrons est impair, alors il existe des lectrons non coupls dans chaque maille lmentaire, la bande de valence nest donc pas totalement occupe, et ceci rend le matriau conducteur. (vi) Leurs lectrons de valence sont essentiellement libres cause de la thorie des bandes, il y a un chevauchement entre la bande de valence et la bande de conduction afin quune fraction des lectrons de valence puisse bouger travers le matriau. (b) Semi-conducteur (i) Un semi-conducteur est un solide dont la conductivit lectrique peut tre contrle sur une large plage soit dune faon permanente ou soit dune faon dynamique.
(ii)
Lire et prendre des notes sur les utilisations et applications des semiconducteurs ( ii) Un des principaux mcanismes pour les lectrons tre excits par la bande de conduction est d lnergie thermique, cause de cela, la conductivit des semi-conducteurs est fortement dpendante de la temprature du matriau. (EXPLIQUEZ POURQUOI EST-CE AINSI). v (iii) Les semi-conducteurs peuvent tre des matriaux lmentaires tels que le silicon et le germanium, ou des semi-conducteurs composstels que le gallium et lindium phosphite, ou les alliages tels que le silicongermanium ou aluminium gallium arsnide. (iv) Les semi-conducteurs et les isolants ont une bande de valence qui est presque vide sous des conditions normales.
La facilit avec laquelle les lectrons dans un semi-conducteur peuvent tre excits de la bande de valence la bande de conduction dpend de la bande de gap entre les bandes. (ii) Afin de conduire le courant lectrique, les lectrons doivent se dplacer entre les tats.Du fait du principe dexclusion de Pauli, les bandes remplies ne contribuent pas la conductivit lectrique. Mais, pendant que la temprature dun semi-conducteur slve au dessus du zro absolu, les tats des lectrons sont de plus en plus alatoires et quelques lectrons peuvent tre trouvs dans la bande de conduction. (iii) Dans les semi-conducteurs, le mouvement du courant de charge est facilit par les lectrons et les trous. (LISEZ LES DOCUMENTS SUR LES TROUS ET PRENEZ NOTES) v Prendre des notes sur les semi-conducteurs intrinsques et les semi-conducteurs extrinsques. v Comparer les deux types de semi-conducteurs. (c) Isolants (i)
(i)
Les isolants contiennent des bandes compltement remplies. Donc, ils ont de trs faibles conductivits. (ii) Les isolants ont de larges gaps entre les nergies des lectrons de valence et lnergie laquelle les lectrons peuvent se dplacer librement travers le matriau (la bande de conduction). Cest la taille de cette bande gap dnergie qui sert de ligne qui spare arbitrairement les semi-conducteurs et les isolants. v **Lire Documentez vous davantage sur les isolants et prenez des notes. (4) Dopage (i) Le processus dajouter les impurets contrles au rseau cristallin dun semi-conducteur afin de modifier sa conductivit est connu sous le nom de dopage. La quantit dimpurets, ou dopant, ajout un semi-conducteur intrinsque (pure) varie son niveau de conductivite. Les semi-conducteurs dops sont souvent appels extrinsques.
v crire en quelques lignes comment un dopant peut influencer influence la conductivit dun semi-conducteur. (5) Le niveau de Fermi (i) (ii) Le niveau de Fermi est le haut de la collection des niveaux dnergie dlectron la temprature de zro absolu. Puisque les lectrons sont des fermions et par le principe dexclusion de Pauli ils ne peuvent pas sortir dans des tats dnergies identiques. Donc zro absolu, ils se regroupent dans les tats dnergie les plus bas pour btir une mer deFermi dtats dnergie dlectrons.
(iii) Le niveau de Fermi est la surface de cette mer zro absolu ou aucun lectron naura assez dnergie afin de slever au dessus de la surface. Donc le niveau de Fermi est positionn dans la bande de gap. (iv) La position du niveau de Fermi avec la relation la bande de conduction est un facteur crucial pour dterminer les proprits lectriques. (v) Dans un conducteur, le niveau de Fermi se trouve dans la bande de conduction, de telle sorte que la bande soit seulement remplie moiti avec des lectrons. Dans ce cas, seulement la plus petite quantit d`nergie est requise pour trouver dautres tats non-occups afin de sy dplacer pour que le courant puisse passer. (vi) Pour les semi-conducteurs tels que le silicon et le germanium, le niveau de Fermi est essentiellement mi-chemin entre les bandes de valence et de conduction. Bien quaucune conduction narrive 0 K, de hautes tempratures, un nombre fini dlectrons peut atteindre la bande de conduction et fournir du courant. Dans des semi-conducteurs dops, des niveaux dnergie supplmentaires sont ajouts. ** Pour fin de simulation de quelques concepts allez voir http://www.collage.soe.ucsc. edu/JavaFiles/ElectronDopedSimulation.html. 12/11/2007. (6) Bandes dnergie dans les corps solides La Fig. 4.1 reprsente les diagrammes schmatiques des bandes dnergie dans les isolants solides, les semi-conducteurs et les conducteurs. tudiez attentivement les trois diagrammes et notez les positions relatives de la bande de conduction, de la bande de valence et du gap dnergie. nergie des lectrons c Conduction Band
Larg e energy gap Between valenc e and Conduc tion bands Fer m i lev el
Conduction Band
Valence Band
Insulateur
Valence Band
Conduction Band Valence Band
Semi conducteur
Conducteur
Figure 4.1: Diagrammes schmatiques des bandes dnergie
Activit 4.2
Proprits Optiques
Dans cette section, nous allons considrer les proprits optiques des matriaux. Les proprits optiques les plus importantes dun matriau sont les transmittances internes et externes, la rflectance la surface et les indices de rfraction. Les discussions suivantes incluent : labsorption, la rflectivit et la transmissivit. Considrons chacune sparment. 1. Absorption. Dans cette section, nous allons expliquer comment les photons sont absorbs par les matriaux. Vous aurez besoin de savoir que les photons sont des ondes lectromagntiques avec une frquence particulire et que les molcules sont un systme avec sparation de charge (champ ngatif dlectrons et noyau positif). (ii) Les proprits optiques dun corps solide sont dues linteraction entre les corps solides et le champ lectrique dune onde lectromagntique. Le concept important que vous devez apprendre est que: (i) (ii) Ltat dune sparation de charge molculaire peut changer dune faon quantifie en absorbant lnergie dun photon. AFIN QUE CECI ARRIVE : La frquence des photons doit correspondre la frquence associe avec lnergie de transition de la molcule afin que le transfert dnergie arrive. Cette nergie est donne par lquation (4.1) : hc . (4.1) (i)
E = hv =
o E est lnergie, h la constante de Planck ; est la frquence, cest la vitesse de la lumire dans laspirateur et est la longueur donde.
a)
On a aussi besoin de savoir que labsorption des photons arrive en tant quvnement quantique, un vnement tout ou rien.(ESSAYEZ DE COMPRENDRE LA SIGNIFICATION DE CETTE AFFIRMATION )
b) Dans loptique biomdicale, labsorption des photons est un vnement important

(i)
Labsorption est lvnement primaire qui permet un laser ou toute autre lumire de causer un effet potentiellement thrapeutique (ou endommageant) sur le tissu humain. Sans labsorption, il ny a pas de transfert dnergie et le tissu est laiss non-affect par la lumire.
(ii)
LAbsorption de la lumire fournit un rle de diagnostic tel que la spectroscopie dun tissu. LAbsorption peut fournir un indice la composition chimique dun tissu, et servir comme un mcanisme de contraste optique durant limagerie. LAbsorption est utilise pour les applications de spectroscopie et dimagerie.
(c) Dfinition et units de coefficient dabsorption. Le coefficient dabsorption, a est un paramtre qui est utilis pour dcrire lefficacit de labsorption. Si un faisceau de lumire tombe sur une sphre telle tel que montr dans la Fig. 4.2.
Beam of light
a = Qa A
effective cross-section
A
geom etrical cross -section
Figure 4.2: Un faisceau de lumire tombant sur une surface de coupe A. Si la taille de lombre de labsorption est a cm2 et la taille gomtrique de la sphre est A cm2 lefficacit dabsorption Qa [sans dimension], est donne par lquation 4.2. a = Qa A (4.2)
Si a est la densit de volume, donc le coefficient dabsorption a est donn par lquation 4.3.
a = a a
(4.3)
Lunit du coefficient d absorption est le cm-1, et celui de la densit du volume est le cm-3. Si L (cm) est la longueur du trajet du photon travers le mdium, la probabilit de survie (transmission T) du photon est donne par lquation (4.4) T = exp ( a L ) (4.4)
Lexpression dans lquation (4.4) est vraie pour tout chemin si le photon passe travers.
(d) LAbsorption et lAbsorptivit Molaire Dans cette section, on calcule les expressions de labsorption et des absorptivits molaires. (i) La vitesse de propagation dune onde lectromagntique travers un corps solide est donne par lindice de rfraction complexe dpendant de la frquence N = n - ik , (4.5)
o la vraie partie, n est en relation avec la vitesse, et k, labsorptivit molaire est en relation avec la dcroissance, ou pour amortir lamplitude de loscillation du champ lectrique incident. (ii) Si une onde plane de frquence (f) se propage travers un solide avec une vitesse , dans la direction x, le champ lectrique, E, est donn par lquation (4.6)
o, (E ) est le champ vectoriel lectrique incident, et

0
x E = E 0 exp 2p fi t v
(4.6)
{2p fi [t ( x / v )]} est le dplacement au temps t aprs la perturbation, x, au long de la ligne de propagation. Puisque la vitesse de propagation travers un corps solide dun indice de rfraction complexe N = n - ik est en relation avec la vitesse de lumire dans un aspirateur, c, par v= On a c N , (4.7)
1 n ik = . v c c
Si lquation (4.8) est substitue dans lquation (4.6) on a
(4.8)
2p xni 2p fkx E = E 0 exp (2p fti )exp exp c c
(4.9)
Le terme ( 2p fkx / c ) est une mesure du facteur damortissement, ou une absorptivit molaire, k.
Mais la puissance (P) ou intensit dune onde incidente travers un solide est donne par P = E2 (4.10) o , est la conductivit du corps solide, et E est le champ vectoriel lectrique. En utilisant le terme facteur damortissement, la fraction de la puissance incidente qui se propage dune position (o) une distance (x) travers le matriau avec une conductivit () est donne par :
P (x ) P (0 )
E 2 (x )
2
4p fkx = exp . E (0 ) c
(4.11 )
Donc, le coefficient dabsorption est donn par, 4p fk c (4.12)
(e) Rflectivit Vous complterez la majorit de cette section par vous-mme. Cependant, quelques dfinitions sont fournies. Dans loptique, la rflectivit est la reflectance cest dire, le ratio de la puissance rflchie une puissance incidente. (iii) La Rflectivit est gnralement exprime en dcibels. Compltez cette section et prenez des notes. Inclure des exemples. (f) Transmissivit Un partie de linformation fournie ici va aider faire des notes comprhensives sur la transmittance (i) Important quon parle de transmittance externe et de transmittance interne La transmittance externe est le seul passage dirradiance dun lment optique, tandis que la transmittance interne est le seul passage dirradiance en labsence de toutes pertes de rflexion de surface (transmittance de matriau).
La transmittance externe est dune importance primordiale quand on choisit les optiques pour un systme de lentilles formant une image due la transmittance externe qui nglige les rflexions multiples entre les surfaces des lentilles.
(ii)
(ii)
Si Te est la transmittance dsire dirradiance externe, Ti est la transmittance correspondante interne, t1, le seul passage de transmittance de la premire surface, et t2 le seul passage de transmittance de la deuxime surface, ensuite
Te = t1t2Ti = t1t2 e tc
(4.13)
est le coefficient dabsorption d au matriau des lentilles, et tc est lpaisseur du centre de la lentille. v Utilisez les rfrences fournies et expliquez comment lquation (4.13) est dduite. Si les deux surfaces de la lentille ne sont pas recouvertes, donc t1t2 = 1 2 + 2 n 1 o = n +1
2
(4.14)
est la rflectance dirradiance de la seule surface du seul passage une incidence normale telle que donne par la formule de Fresnel. Les deux indices de rfraction, n et sont des fonctions des longueurs donde. **POUR tre complet, vous pouvez lire plus sur ce sujet. Auto valuation 4 1. crivez quelques notes sur : a) b) c) d) La bande de Valence, La bande de Conduction, La bande interdite de gap, Dessinez un diagramme montrant ces bandes dans un mtal.
2. (i) Utilisez un diagramme dans la Fig. 4.1 afin de comparer les trois matriaux. Expliquez comment la conduction prend place dans un semi-conducteur quand un lectron est excit de la bande de valence la bande de conduction. (iii) Donnez les diffrences entre les semi-conducteurs intrinsques et extrinsques. (iv) Que veut-on dire par une impuret dans la technologie des semi-conducteurs ? (ii)
Xi liste Compile de tous les Concepts Cls (Glossaire)

Mouvement Anharmonique : est un mouvement dun corps sujet une force restauratrice qui nest pas directement proportionnelle au dplacement dun point fix dans la ligne de mouvement. Recuit : cest le processus de chauffage dune substance une temprature spcifique infrieure son point de fusion, le maintien de cette temprature pendant un certain temps, avant de refroidir lentement. La Cristallisation lente se fait donc ltat solide dans des conditions de temprature contrle. Le Recuit adoucit gnralement des mtaux et des articles de verre se stabilisent en permettant des contraintes produites durant la fabrication de disparatre. Orbitale Atomique : Est une fonction autorise donde dun lectron dans un atome obtenue par les solutions de lquation donde Schrdinger. Bandes: Dans les solides cristallines, les atomes interagissent avec leurs voisins, et les niveaux dnergie des lectrons dans les atomes isols se transforment en bandes. Rseau de coordination: Un rseau cristallin dans lequel chaque ion la mme relation que ses ions voisins dans toutes les directions, donc lidentit des molcules devient ambigu. Structure Cristalline : La spcification des deux cadres gomtriques auxquels le cristal est rfr, et de larrangement des atomes ou la distribution de la densit des lectrons par rapport ce cadre. Degrs de libert : le nombre de degrs de libert dun systme mcanique est gal au nombre de variables indpendantes ncessaires pour dcrire sa configuration, par exemple un systme compos de deux particules relis par une barre rigide possde 5 degrs de libert puisque 5 coordonnes (3 du barycentre ou de chaque particule, ainsi que 2 angles) sont ncessaires pour prciser son tat. Le plus petit nombre de coordonnes ncessaires pour prciser ltat du systme est appel coordonnes gnralises et quelle spcifie ltat du systme complet, elles prcisent aussi ltat de toute particule du systme. Les coordonnes gnralises peuvent tre choisies de plus dune faon. Le nombre de degrs de libert dpend uniquement des possibilits de mouvement des diffrentes parties du systme et non pas des mouvements rels. Pour un gaz monoatomique, le nombre est 3. Pour le gaz diatomique avec des molcules rigides, elle est de 6, compos de 3 degrs de libert du centre de gravit afin de se dplacer dans lespace, 2 degrs de libert de la ligne reliant les deux atomes afin de changer de direction dans lespace et 1 pour la rotation autour de cet axe. Dopage : est lajout dimpurets (dopants) un semi-conducteur afin darriver une n-conductivit dsire ou p-conductivit.
nergie dquipartition : Le principe dnergie dquipartition est bas sur la mcanique statistique classique et nonc par Boltzmann, stipule que lnergie moyenne des molcules dun gaz est rpartie galement entre les diffrents degrs de libert des molcules. Lnergie moyenne de chaque degr de libert est de kT, o k est la constante de Boltmann et T est la temprature thermodynamique. Conductivit Intrinsque : La conductivit dun semi-conducteur qui est associe au semi-conducteur lui-mme nest pas contribue par des impurets. toute temprature un nombre gal de porteurs de charge des lectrons et des trous sont thermiquement gnrs, et ce sont eux qui donnent naissance la conductivit intrinsque. Rseau : Un rseau est une gomtrie simplifie dun cristal dans lequel les atomes sont balays ne laissant quun squelette de points mathmatiques par lesquels chaque point remplace nimporte quoi de une plusieurs centaines datomes dorigine. Chaque groupe de ces atomes est appel la base. Capacit thermique molaire : est la capacit thermique par unit de montant de substance dun lment, composite ou matriau. Elle est mesure en kelvin par mole. La Mole: Une quantit qui contient 6.02 x 1023 particules est la mole. Principe dexclusion de Pauli : est le principe selon lequel deux fermions identiques dans tout systme ne peuvent tre dans le mme tat quantique, cest--dire ne peuvent avoir le mme ensemble de nombres quantiques. Le principe a dabord t propos en (1925) dans la forme que pas plus de deux lectrons dans un atome pourrait avoir le mme ensemble de nombres quantiques. Cette hypothse a reprsent les principales caractristiques de la structure de latome et de la table priodique. Avec lintroduction du quatrime nombre quantique, on a vu que seulement un lectron peut tre dans un tat donn. Un lectron dans un atome est caractris par quatre nombres quantiques, n,l , m et s (o n,s,l et m sont respectivement nombre quantique principal, nombre de spin quantique, nombre quantique azimutal, et de spin magntique. Une orbitale atomique particulire qui a des valeurs fixes de n,l et m peut donc contenir un maximum de deux lectrons, puisque le nombre quantique de spin s peut tre + ou - . Deux lectrons de spins opposs dans une orbitale atomique sont dits coupls en spin. Photons: un photon est le quantum de rayonnement lectromagntique. Il a une nergie de h o h est la constante de Planck et la frquence du rayonnement. certains fins, les photons peuvent tre considrs comme des particules lmentaires voyageant la vitesse de la lumire c et ayant un momentum de h / c . Les photons peuvent provoquer une excitation des atomes et des molcules et dautres plus nergiques peuvent provoquer de lionisation. Phonons: Dans un solide, les atomes ne vibrent pas de faon autonome, mais les oscillations sont transmises travers la substance comme des ondes acoustiques frquences extrmement leves, f , (typiquement de lordre de 1012 Hz ). Lner-
()
gie transmise par les vagues est quantifie; le quantique est appel un phonon et a une valeur hf , o h est la constante de Planck. de nombreuses fins les phonons peuvent tre traits comme sils taient des molcules de gaz qui se dplacent dans lespace occup par le solide, le libre chemin moyen tant limit par divers processus de diffusion. Dformation plastique : Des tudes microscopiques montrent que lorsquun mtal est dform plastiquement, la dformation arrive par un glissement sur un plan au long de la direction de la ligne dans le plan. Llasticit : La loi de Hooke est valide pour la compression ainsi que la tension si la dformation compressive nest pas trop grande. Pour beaucoup de matriaux, la constante de Young a la mme valeur pour les compressions tensiles et compressives, lexception des matriaux composs, tels que le bton. Isolants: Les bandes qui sont compltement remplies dlectrons ne peuvent pas conduire llectricit, car il ny a dtat dnergie proche sur laquelle les lectrons peuvent y sauter. Les matriaux dans lesquels toutes les bandes sont remplies sont appels isolants. Mtaux:- Les mtaux sont de bons conducteurs car ils ont des espaces non-remplis dans la bande dnergie de valence. Conductivit Thermique : peut tre conceptuellement vue comme le contenant des proprits qui mettent en relation le taux de perte de chaleur par unit de surface au taux de changement de temprature. Transfert thermique par conduction : implique le transfert dnergie dans le matriau sans mouvement du matriau dans son ensemble. Le taux de transfert thermique dpend du gradient de temprature et la conductivit thermique du matriau. Dans la physique du solide, la structure des bandes lectroniques (ou tout simplement structure des bandes) : dun corps solide dcrit une plage dnergie quun lectron est interdit ou permis davoir. La structure des bandes dtermine les proprits lectroniques, optiques et autres dun matriau. En optique, la rflectivit:- est la rflectance (le ratio de la puissance rflchie au pouvoir incident, gnralement exprim en dcibels ou pourcentage) la surface dun matriau tellement paisse que la rflectance ne change pas lorsque lpaisseur augmente. Point de rupture : Un point sur un graphe de contrainte versus dformation pour un matriau sur lequel la dformation devient dpendante du temps et le matriau commence couler.
Xii.
liste Compile de lectures Obligatoires
Lecture 1: Structure Cristalline. Rfrence Complte: De Wikipedia. URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure Consulte le 20 avril 2007. Rsum: Ce matriel de lecture dcrit brivement lunit cellule, la classification des cristaux par symtrie, proprits physiques des cristaux et des liens sont donns diffrents sites dans wikipedia et autres sites. Justification: Ce matriel de lecture fournit des discussions labores sur les contenus de la premire activit du module. Lecture 2: Structure Cristalline. Reference Complte:
From University of Exeter URL : http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/
Consulte le 20 avril 2007. Rsum: Dans cet article, la structure cristalline est dcrite avec des diagrammes bien illustrs. Les exercices dans larticle aident le lecteur consolider les sujets appris. Justification: Larticle donne une autre faon de regarder les structures cristallines. En outre les tests dchantillon et des exercices donns la fin, fournissent une bonne occasion dutiliser les thories et les principes exercs partir de perspectives diffrentes. Lecture 3: chelle atomique de structure des matriaux. Rfrence Complete: From DoITPoMS Teaching and Learning Packages Consulte le 20 avril 2007. Rsum : Des types de cristaux varis sont dcrits et des exemples travaills sont fournis dans les sujets des cristaux et dfauts cristallins. Justification: Ce matriel fait partie des lots DoITPoMS dEnseignement et dApprentissage. Les lots sont destins tre utiliss interactivement sur un ordinateur et extrait imprimable est fourni par commodit mais naffiche pas tous les contenus du TLP. Par exemple, tout manque : clips vidos et les rponses aux questions. Si
vous un accs internet, prenez le temps de visiter et dinteragir avec les exercices. Ceci complte la seconde activit du module. Lecture 4: Capacit Thermique. Rfrence complte : De Wikipedia, the free encyclopedia. URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity Consulte le 20 avrile 2007 Rsum: La capacit thermique est dfinie et quantitativement dcrite par les corps compressibles. La capacit thermique de masse est dfinie et les modles thoriques sont dcrits. La capacit thermique tempratures varies est dcrite. Justification: Ce matriel complte la section des proprits thermiques de la troisime activit dans le module. Des liens sont fournis pour plus de lecture. Lecture 5: Conductivit lectrique. Rfrence Complte: De Wikipedia, the free encyclopedia. URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity Consulte le 20 avrile 2007 Rsum : La Classification des matriaux par conductivit, certaines dpendances typiques de temprature des conductivits lectriques sont discutes. Des liens dàutres facettes sont fournis. Justification: Ce matriel complte la section des proprits lectriques dans la troisime activit du module. Des liens sont fournis pour plus de lectures.
Xiii.
liste compile (optionnelle) des ressources multimdias
Ressource #1 Titre: Electrons in Extrinsic Semiconductor Simulation URL: http://www.collage.soe.ucsc.edu/JavaFiles/ElectronDopedSimulation.html Description: lApplet montre le mouvement des lectrons dans les semi-conducteurs extrinsques. Le champ lectrique, le nombre dlectrons et il existe un mcanisme de glisser. Justification : aide visualiser la conduction dans les semi-conducteurs extrinsques. Ressource #2 Titre : Braggs law URL: http://www.eserc.stonybrook.edu/ProjectJava/Bragg/ Description : Lapplet montre deux rayons incidents sur deux couches datomes dun cristal, par exemple, les atomes, les ions et les molcules, spars par la distance d. Les couches ressemblent des ranges, car les couches sont projetes sur deux dimensions et votre vue est parallle aux couches. Lapplet commence avec les rayons disperss en phase et en interfrant de manire constructive. La loi de Bragg est satisfaite et la diffraction est en cours. Le compteur indique dans quelle mesure les phases des deux rayons sont assorties. La petite lumire sur le compteur est verte quand lquation de Bragg est satisfaite et rouge quand elle nest pas satisfaite. Le compteur peut tre observ alors que les trois variables de Bragg sont changes en cliquant sur les flches de la barre de dfilement et en tapant les valeurs dans les cases. Les variables d et q peuvent tre modifies en tirant sur les flches prvues sur les couches de cristal et faisceau diffus, respectivement Justification: aide visualiser la conduction dans les semi-conducteurs extrinsques.
XiV. liste Compile de liens utiles

Au moins 10 sites web pertinents. Ces liens utiles devraient aider les tudiants comprendre les sujets couverts dans le module. Pour chaque lien, la rfrence complte (Titre du site, URL), ainsi quune description de 50 mots, une faon de motiver lapprenant lire le texte, doit tre fournie. La justification pour un lien fournie est aussi explique (longueur maximum: 50 mots). Une capture dcran pour chaque lien utile est requise.
Lien Utile #1 Titre: Amorphous Solid URL: http://www.britannica.com/eb/article-9110300/amorphous-solid Capture dcran:
Description: LEncyclopdie Britannica en ligne est une des excellentes ressources en ligne avoir une discussion dintroduction sur tous les sujets dintrt. Malgr que le site nest pas gratuit, il y a un temps daccs limite. Justification: Un compte rendu dtaill des corps solides est disponible. Date de consultation :-29 Avril 2007
Lien Utile #2 Titre: X-Ray Diffraction URL: http://galileo.physics.edu/classes/252 http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm Capture dcran:
Description: Ce site a des liens remplis de description sur la diffraction et les mthodes de rayon-x. Date de consultation :- Avril 2007
Lien Utile #3 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 MIT open courseware URL: http://ocw.mit.edu/OcwWeb/Physics/8-231Physics-of-Solids-IFall2002/CourseHome/index.htm Capture dcran:
Description: Le MIT Open Courseware est lune des collections les plus connues de matriels de cours accessible au monde, Cest riche en dmonstrations vido et exercices. Cette collection a des sites miroirs dans des universits africaines comme lUniversit dAddis Ababa http://ocwmit.aau.edu.et/ et luniversit de Nairobi. Justification: Trs pertinent pour le module en gnral. . Date de consultation : Avril 2007.
Lien Utile #4 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Defects in crystals URL: http://www.ndt-ed.org/EducationResources/CommunityCollege/Materials/ Structure/crystal_defects.htm http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/ atomicmodels.htm Capture dcran:
Description: Cette page web fait partie du NDT Resource Center. Ce site a t conu pour tre une source comprhensive dinformations et de matriaux pour lducation technique NDT et NDE. Ce site a t cr par des professionnels NDT et des ducateurs du monde entier. Justification: Un nombre de liens pertinents sont fournis et les sciences de base des dfauts cristallins sont discutes. Date de consultation : Mai 2007
Lien Utile #5 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Free Electron Theory URL: http://www.teknik.uu.se/ftf/education/ftf1/forelasningar/overview/Freelectronmodel.pdf Capture dcran:
Description: Ce lien fournit un document PDF sur la thorie de llectron libre. Justification: Pertinent pour la troisime activit de ce module. Date de consultation : Mai 19, 2007
Lien Utile #6 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Optical Properties of Solids URL:http://web.missouri.edu/~speckan/witch-stuff/Research/chapter4/node2.html http://

mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Capture dcran:
Description: Une description dtaille des proprits optiques est disponible sur ce site et des liens. Justification: Un traitement avanc du contenu pour le lecteur curieux. Date de consultation : Mai 20, 2007
Lien Utile #7 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Einstein Model of Crystals URL:http://www.plmsc.psu.edu/~www/matsc597c-1997/systems/Lecture4/node3. html http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm Capture dcran:
Description: Le modle dEinstein est dcrit. Des liens sont disponibles pour le modle de Debye, ltat solide et pour loscillateur harmonique. Justification : complte un sujet dans lactivit trois de ce module. Date de consultation : 20 Mai, 2007
Lien Utile #8 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Electric properties of Solids URL:http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/elpro.html#c1 mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm Capture dcran: http://
Description: Ceci fait partie dune collection large darticles sur la physique du solide. Si vous cliquez http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solcon.html vous verrez comment le contenu est structur dans ce site et vous pourrez lutiliser aussi sur dautres sujets. Justification: Trs pertinent au cours. Date de consultation : Avril 2007
Lien Utile # 9 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Band Theory of Solids URL: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/band.html#c6 Capture dcran:
Description : Une bonne collection de thories et dapplets java sont disponibles sur ce lien. Justification: Complmente lActivit 4 Date de consultation : Avril 2007
Lien Utile #10 Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Electronic Band Structure URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electronic_band_structure Capture dcran:
Description: Une explication Claire des bandes dnergie disolants, bandes dnergie des semi-conducteurs, bande dnergie des conducteurs, semi-conducteurs et dopants est fournie. Justification: Ce site fournit une lecture simple sur la thorie des bandes. Ceci est trs important afin quon puisse dvelopper une fondation ferme dans le sujet. Les sujets importants incluent, pourquoi les bandes arrivent, la structure des bandes des cristaux, parmi dautres Date de consultation : 20 Mai 2007
Solutions lauto valuation 1

1. A temprature ambiante, les composs ioniques sont gnralement solides et ont un haut point de fusion. Ils sont des bons isolants lectriques dans un tat solide puisque les lectrons sont presque tous fortement lis aux ions particuliers et peu sont disponibles pour la conduction. Dans un tat fondu, quelques liaisons ioniques sont brises et la conduction est possible. Le rseau form est un carr. Chaque point reprsente trois atomes. (i) Un rseau rectangulaire a une symtrie de deuxime ordre (ii) Un cristal quilatral a une symtrie de troisime ordre 4. Tous les rseaux possdent la proprit de symtrie translationnelle car le rseau se transforme en soi-mme (reste le mme) quand il est dplac travers les nombres entiers de vecteurs de rseau On ne peut pas trouver un rseau qui va sur lui-mme sous la rotation telle que 2p/5 ou 2p/7. Ceci est d au rseau qui subit une telle rotation qui se chevauche. Un axe de symtrie de cinquime ordre ne peut pas exister dans un rseau car il nest pas possible de remplir tout lespace avec un tableau connect de pentagones.
2. 3.
5.
7 La compacit dans un rcc
R R
a a
Calcul du rayon dun atome Sketch, diagramme montrant les positions relatives des atomes dans un RCC Pour un rcc, les atomes le long de la diagonale telle que montr dans la Fig. 1.21. Si le rayon dun atome est r donc R 2 = 2 a 2 + a 2 = 3a 2
Mais R = 4r 16 r 2 = 3a 2
r2 =
3a 2 a r = 3 16 4
Ensuite, dterminons le nombre de points de rseau dans un r Chaque atome au coin est partag par 8 mailles, comme le cas dans un sc. Donc, le nombre de points de rseaux due aux atomes dans les coins en est un. En plus de cela, il y a un atome dans la maille. Ceci veut dire que dans un rcc, il y a deux points de rseau. Donc, le volume occup par les points de rseau est 4 Compacit = pr3 2
3 volume occup par les points de rseau Volume occup par la maille lmentaire
4 3 pr 2 = 3 3 = 68%. a
Ceci signifie que seulement 32% de lespace dans un rcc est vide, tandis que 68% est rempli datomes. (ii) Dterminez la compacit dans un cfc.
4r
Compacit dans un cristal
Dans le cfc, les atomes se touchent les un les autres sur la face au long de la diagonale telle que montr dans la Fig. 1.22. Si le paramtre de rseau est a et le rayon de chaque atome r donc
( )
4r
= 2a 2 r 2 =
Dterminez le nombre de points de rseau. Ceci est d latome la face et ceux dans les coins. Les atomes sur les faces sont partags par deux cellules, tandis que ceux aux coins sont partags par 8 mailles. Donc, le nombre de points de rseau = 1 2 6+ = 4. 1 8 8
a2 . 8
Donc, la compacit =
4p a 4 3 2 2 = 74%. a3
8.
Quand les rayons X frappent un atome, ils font bouger le nuage lectronique comme toute onde lectromagntique. Le mouvement de ces charges rirradie les ondes avec la mme frquence (flou lgrement d la varit des effets); ce phnomne est connu comme la diffusion de Rayleigh (ou diffusion lastique). Ces champs donde rmis interfrent les uns avec les autres soit de faon constructive ou destructive, produisant une squence de diffraction sur un dtecteur ou film. La squence dinterfrence donde rsultante est la base de lanalyse de diffraction. La longueur donde des rayons X est comparable par les distances interatomiques (~150 pm) et donc est une excellente sonde pour cette chelle de longueur. Linterfrence est constructive lorsque le dphasage est proportionnel 2p ; Cette condition peut tre exprime par la loi de Bragg:
n = 2d sin.
o n est un nombre entier,
est la longueur donde des rayons X,
d est lespacement entre les plans dans un rseau atomique et

est langle entre les rayons incidents et les plans de diffusion.
Solutions lauto valuation 2
Solution Q1. Les impurets Substitutionnels causent quelques distorsions autour du point o on les trouve. En outre, la prsence des dfauts augmente le dsordre du cristal et son entropie. Par consquent, il y a une tendance pour la prsence de plus de dfauts des tempratures plus hautes Autour d'une lacune par exemple, il y a une tendance pour l'arrangement atomique se rajuster lgrement et provoquer une dformation du rseau cristallin. La prsence des lacunes fournit un moyen pour les atomes afin de diffuser assez facilement d'un point un autre puisqu'un atome peut se dplacer vers une lacune en laissant sa propre lacune sans produire trop de perturbations dans le cristal existant, trs peu dnergie est requise. Ceci implique que la diffusion peut tre pense comme une migration des lacunes dans la direction oppose. Des complexes peuvent aussi se former entre les diffrents types de dfauts ponctuels. Par exemple, si une lacune rencontre une impuret, les deux peuvent se lier si l'impuret est trop large pour le rseau. Les Interstitiels peuvent former des structures ''slip interstitiels'' ou ''cloches'' ou les deux atomes partagrent effectivement un site atomique, rsultant aucun des atomes occuper le site.
Solution la section 2.1.2 La prsence de lacune dans un site ion-positif modifie la neutralit lectrique de la rgion et que la lacune a une charge effective ngative associe. (i) Ceci augmente lnergie lectrostatique du cristal ; afin de maintenir la neutralit lectrique, il y a une tendance pour des lacunes ion positif ou ngatif tre produites. La prsence des lacunes augmente aussi la diffusion ordinaire dans un cristal ionique, mais la prsence du champ lectrique appliqu, la diffusion ascendante due aux lacunes qui va aussi aider la conduction lectrique.
(ii)
Solution la section 2.1.5 (c) Dans des cristaux rcc, le glissement arrive au long des six quivalents [110} Solution to Q1(b) Dfauts planaires Les effets possibles des dfauts planaires sont: Les joints de grain arrivent quand la direction cristallographique du rseau change
brusquement. Ceci se produit gnralement quand les deux cristaux commencent grandir sparment et ensuite se rencontre. Les frontires dantiphase se produisent dans les alliages ordonns: dans ce cas, la direction cristallographique reste la mme, chaque ct de la frontire a une phase oppose. Par exemple, si lordre est normalement ABABABAB, et la frontire dantiphase prend la forme de ABABBABA. Les fautes dempilement arrivent dans un nombre de structures cristallins, mais le lexemple commun est dans des structures proches. Les structures cubique faces centres (cfc) diffrentes des structures hexagonales (hcp) seulement dans un ordre dempilement: les deux structures ont des plans atomique ferms avec une symtrie de 6ieme ordre les atomes forment ne sont pas directement lun au dessus de lautre les deux premires couches sont identiques pour hcp et cfc, et tiquetes AB. Si la troisime couche est place afin que ses atomes soient directement au dessus de ceux de la premire couche, tel que les atomes ne sont pas au dessus de la premire couche. Au lieu de ca, la quatrime couche est place de tel faon que les atomes sont directement au dessus de la premire couche. Ceci produit lempilement ABCABCABC, et est actuellement un arrangement cubique des atomes. Un dfaut dempilement est une interruption dune ou deux couches, par exemple si la squence ABCABABCAB est trouve dans une structure cfc.
Auto valuation 3
Solution Q1 (i) La capacit thermique est une quantit extensive car cest sensible a la taille de lobjet (par exemple, une baignoire deau a une plus grande capacit thermique quun verre deau). Diviser la capacit thermique par le corps. La capacit thermique massique est une quantit intensive car elle nest plus dpendante du montant du matriel, mais beaucoup plus dpendante du type de matriel, ainsi que les conditions physiques du chauffage. Une des raisons de ce phnomne est la quantification des tats vibrationnels et, une moindre mesure, rotationnels. En sassurant que les molcules restent dans leurs tats dnergie vibrationnel le plus bas d des espacements dnergie , le volume constant de la capacit thermique molaire pour une molcule diatomique devient
(ii)
Solution lExercice 1(c) dans 3.1.3 -
C V ,m =
-
3R + R = 2.5 R 2
Ceci est une approximation assez proche des capacits thermiques des molcules les plus lgres. Si lapproximation de loscillateur harmonique quantique (INFORMEZ VOUS SUR CE SUJET) est faite, il va savrer que les espacements des niveaux dnergie quantique vibrationnels sont inversement proportionnels la racine carre de la masse rduite (INFORMEZ VOUS SUR CE SUJET) des atomes composant la molcule diatomique. Dans le cas de molcules diatomiques plus lourdes, les espacements de niveau dnergie quantique vibrationnel deviennent plus fins, ce qui permet plus dexcitations dans les niveaux vibrationnels plus hauts des tempratures fixes.
Solution Q2 Les modles dEinstein et de Debye fournissent une forme fonctionnelle pour la capacit thermique. Ils sont des modles mais pas de modle est sans chelle. Lchelle du modle dEinstein est donne par
e / kT C V = 3 Nk / kT 1) 2 kT (e
o / k est lchelle du modle de Debye, et TD, La temprature de Debye
Les chelles dEinstein et Debye ne sont pas les mmes, cest--dire, k TD
qui signifie que les tracer sur le mme ensemble daxes nest pas appropri. Il y a deux de modles de la mme chose mais dchelles diffrentes. Si la temprature dEinstein est dfinie telle que k
T E def
Donc on peut dire que T E T D , et pour mettre les deux en relation, on doit trouver la relation
TE . TD
Le solide dEinstein est compos dune frquence simple = hw = hv . Cette frquence serait en relation avec la vitesse du son, quoiqu il ny a pas de son dans un solide dEinstein, on peut imaginer la propagation du son comme une squence datomes sentrechoquant les uns contre les autres. Si cest vrai, la frquence doscillation doit correspondre la longueur donde minimum durable par le rseau atomique, m in cs cs 3 N 2L cs 2 N V
v=
L est la dimension dun cube.
qui donne la temprature dEinstein
TE =
hv hcs = = k k 2k
N . V
Et par consquent le ratio est TE TD p 6
Maintenant les deux modles peuvent tre tracs sur le mme graphique. Solution Q4 La conductivit lectrique est plus ou moins fortement dpendante de la temprature. (ii) Dans les mtaux, la conductivit lectrique baisse quand la avec une temprature augmente alors que dans les semi-conducteurs, la conductivit lectrique augmente quand la temprature augmente (iii) Sur une plage de temprature limite, la conductivit lectrique est approximativement proportionnelle la temprature. (iv) Afin de comparer les mesures de la conductivit lectrique des tempratures diffrentes, elles ont besoin dtre standardises une temprature commune. Cette dpendance est souvent exprime comme une pente dans le graphique conductivit-vs-temprature, et peut tre utilise: T (i)
T =
/
o
T
1+ T T /
est la conductivit lectrique une temprature commune, T ,
T est la conductivit lectrique une temprature mesure, T est la pente de compensation de temprature du matriel, T est la temprature mesure, T est la temprature commune.
Solution la section 3.1.5 (c) (i) Les mtaux sont des bons conducteurs parce quils ont des espaces non-remplis dans la bande dnergie de valence. En labsence dun champ lectrique, il existe des lectrons qui voyagent dans toutes les directions et beaucoup de vitesses diffrentes jusqu la vitesse de Fermi (la vitesse des lectrons lnergie de Fermi ). (iii) Quand un champ lectrique est appliqu, un lger dsquilibre se dveloppe et des lectrons mobiles fluctuent. (iv) Les lectrons dans cette bande peuvent tre acclrs par le champ car il y a beaucoup de champs non-remplis dans la bande. Solution Q5 Le transfert thermique par conduction implique le transfert dnergie dans un matriau sans mouvement du matriau dans son ensemble. Le taux de transfert thermique dpend du gradient de temprature et la conductivit thermique du matriau. (ii) Les Gaz transfrent la chaleur par collisions directes entre les molcules, et donc, leurs conductivits sont basses compares la plupart des solides car ils sont dilus. Les solides non-mtalliques transfrent la chaleur par vibrations de rseau afin quil nait pas de mouvement de mdia, par contre lnergie se propage travers les solides non-mtalliques. Un tel transfert thermique est souvent dcrit en termes de phonons, qui sont des quanta de vibrations de rseau. Les mtaux sont meilleurs conducteurs que les nonmtaux car les mmes lectrons mobiles qui participent dans une conduction lectrique font aussi partie du transfert thermique. (iii) Pour les solides non-mtalliques, le transfert thermique est vu comme tant transfr via les vibrations de rseau, tandis que les atomes vibrent plus nergtiquement dun ct du solide que le transfert dnergie des atomes voisins moins nergtiques. Ceci peut tre renforc par le mouvement coopratif sous la forme dondes de rseau propagatrices, qui dans la limite quantique sont quantifies comme des phonons. Pratiquement, il y a une telle variabilit pour les solides non-mtalliques que nous caractrisons normalement la subtance avec une conductivit thermique mesure quand on fait des calculs ordinaires. (i) (ii)
Solutions lauto valuation 4 Solution Q1 (a) La bande de valence Cest la bande compose dorbitales molculaires orbitales et est plus basse en nergie que la bande de conduction. Elle est gnralement compltement remplie dans les semi-conducteurs. Quand chauffs, les lectrons de cette bande, saute de la bande travers la bande de gap et dans la bande de conduction, rendant le matriau conducteur. (b) La bande de conduction Cest la bande qui accepte les lectrons de la bande de valence. Dans les isolants, les lectrons dans la bande de valence sont spars par des gaps larges de la bande de conduction, dans les conducteurs comme les mtaux, la bande de valence chevauche sur la bande de conduction, rendant ainsi les lectrons de valence libres, et dans les semi-conducteurs il y a un gap assez petit entre les bandes de valence et de conduction que les excitations thermiques ou autres peuvent combler. Solution Q2 (i) La chose importante sur la conduction est de savoir ou non sil y a des lectrons dans la bande de conduction. Dans les isolants, les lectrons dans la bande de valence sont spars par un grand gap de la bande de conduction, Dans les conducteurs comme les mtaux, la bande de valence chevauche sur la bande de conduction, et Dans les semi-conducteurs, il y a un gap assez petit entre les bandes de valence et de conduction que les excitations thermiques ou autres peuvent combler le gap. Avec un gap aussi petit, la prsence dun petit pourcentage dun matriau dopant peut augmenter la conductivit dramatiquement. Quand les lectrons sont excits la bande de conduction, ils laissent derrire les trous dlectron, ou des tats non-occups dans la bande de valence. Les lectrons de la bande de conduction et de valence contribuent une conductivit lectrique. Les trous mmes ne se dplacent pas mais un lectron voisin peut se dplacer pour remplir le trou, laissant un trou lendroit do il est venu et de cette faon, les trous semblent se dplacer et les trous se comportent comme sils taient des particules charges positivement.
(ii)
(iii) Un semi-conducteur dont les proprits lectriques dpendent de la prsence de certaines impurets est rfr comme un semi-conducteur extrinsque; tandis quun semi-conducteur intrinsque est un semi-conducteur ne contenant aucun atome impur (iv) Dans la technologie des semi-conducteurs, un matriau tel que le boron, le phosphorus ou larsenic ajout en petites quantits un cristal pour produire un excs dlectrons (impuret donneur) ou des trous (impuret accepteur) est rfr comme une impuret.
XV.
rsum du module
Dans la premire activit, on a appris plusieurs choses. Ceci inclut lapprentissage des proprits des cristallins et des solides amorphes et comment ils peuvent tre distingus lun de lautre. Lidentification des rseaux a t faite et on a t capable de rsoudre driver une quation comme cos = 3+ pm
2 qui nous a permis de calculer la rotation alloue possible. Dans cette activit on a appris comment les indices de Miller sont calculs, incluant comment les plans diffrents peuvent tre dessins. Lapprentissage inclut comment la compacit pour sc, rcc et cfc est calcule. Vous avez appris la diffractomtrie des rayons X. Ceci inclut comment lquation de la loi de Bragg est rsolue et applique des problmes numriques. Le concept de la diffractomtrie des rayons X a aussi inclut le traitement impliquant lespace de rseau rciproque o la sphre dEwald a t construite afin de dterminer les plans responsables pour la diffractomtrie des rayons X Dans la deuxime activit, les dfauts cristallins et les proprits mcaniques forment la plupart de lactivit. Vous devrez tre maintenant capable de diffrencier les diffrents types de dfauts cristallins incluant comment ils affectent les proprits thermiques, physiques et lectriques des corps solides. Les dfinitions de base apprises sont que les dfauts ponctuels sont trs localiss et sont de taille atomique, tandis que la dislocation est un dsordre qui stend au del du volume dun ou deux atomes. Les effets de ces dfauts sur les proprits mcaniques et lectriques ont tous t discuts et appris. Lactivit dapprentissage vous a permis de calculer et appliquer la constante de Young. Ceci inclut lexpression pour la constante de cisaillement et la dformation par glissements simultans des atomes Fondamentalement dans lactivit trois, vous tes capables de calculer les expressions de la capacit thermique volume constant et pression constante. Lies cela, les explications de la variation de la capacit thermique avec la temprature base sur les modles classiques dEinstein et de Debye sont faites. En plus, lutilisation de la thorie de llectron libre afin dexpliquer les hautes conductivits thermiques et lectriques des mtaux et lapplication de la loi de Wiedermann-Frantz law ont t des sujets que vous avez appris. Cest--dire, vous avez appris que la loi de Wiedemann-Franz est dduite en traitant les lectrons comme un gaz classique et vous tes capables de comparer la conductivit thermique la conductivit lectrique. Les expressions pour la conductivit thermique et la conductivit electrique est
conductivities
n v k 2
Conductivits
Thermique
ne2 mv
lectrique
Finalement, dans lactivit quatre, vous avez appris la thorie des bandes et ceci vous a permis dexpliquer les diffrences entre les conducteurs, les semi-conducteurs et les isolants. Le concept vous a permis dexpliquer les diffrences entre les semi-conducteurs intrinsques et extrinsques en relation avec le rle du dopage. A la fin de tout cela, vous avez utilis les concepts de linteraction des ondes lectromagntiques (lumire) et des matriaux pour expliquer labsorption et la transmissivit
XVi.
1) a) b) c)
valuation sommative
Dfinir le rseau. Dcrire comment une maille primitive peut tre choisie par une procdure Wigner- Seitz. Identifier le rseau donn ci-dessous et numrer le nombre datomes par point de rseau.
Rpondre aux questions suivantes bases sur la figure ci-dessous.
d)
Driver une expression pour une rotation permise , dans un rseau priodique et montrer comment les solutions possibles lquation sont obtenues. Dfinir le nombre de Coordination et donner une illustration Dterminer si les directions suivantes sont coplanaires ou non 110 , 121 , 211
2) a) b)
c) d)
Donner une expression pour la compacit pour un rseau rcc. Expliquez la signification de lexpression. Donner une expression pour la loi de Bragg et numrer les conditions requises
3) Une chaine linaire de masses alternantes M et m sont interconnectes des masses voisines par ressort ayant une force constantea. Les frquences u des modes vibrationnels de ce systme sont donnes par l'expression
1/ 2 4p 2 2 = M + m (M 2 + m2 + 2mM cos qA ) Mm
o A est la longueur de lunit de rptition, et q est lintensit du vecteur donde. a) Rduire lexpression ci-dessus afin de la rendre approprie pour une chaine de particules interconnectes de manire similaire par des ressorts identiques. Dessiner les relations de dispersion des deux systmes la mme chelle. Dduire les expressions pour les points cls et discuter des similarits et diffrences entre les deux diagrammes Donner des dessins des densits des modes des deux systmes.
b)
c)
4) Supposer quun cristal a N sites normaux et NI sites interstitiels a) Montrer que le nombre de faons darranger N f atomes sur des sites interstitiels et N-Nf atomes sur des sites normaux est donn par
W=
b)
NI ! N! . N f !(N N f )! N f !(N I N f )!
Si Ef est lnergie requise pour dplacer un atome dun site normal a un site interstitiel, montrer que lnergie libre est un minimum quand
(N N )(N
f
Nf )
N
f
2 f I
=e
E f
(N N )(N
c) Montrer que le
1/ 2
N f
2 f nombre
=e
E f
de dfauts de Frenkel, N f ,est donn par
N f = ( NN I ) .e
5) a) b)
E f / 2
si N f est beaucoup plus petit que N et N I . Expliquer la signification de ce qui suit; la bande de valence, la bande de conduction, et le niveau de Fermi en relation avec les corps solides. Donner une expression de lnergie n dune particule libre dans une bote cubique de volume V en fonction du nombre quantique n, de la masse m dune particule et dautres constantes habituelles, donc montrer que lnergie correspondante au momentum pi est donne par
h2 j =n 8mL2
2 j
L est la longueur des cts du cube 6) a) b) c) Expliquer la signification de ce qui suit: polarisation lectronique, orientationelle et ionique Dcriver comment les dfauts ponctuels peuvent tre forms et expliquer leurs effets sur les proprits des cristaux G quand cela Montrer que le cisaillement, a une valeur maximum de 2p permet de dplacer un plan particulier. G est la constante de cisaillement.
XVii. rfrences
Steadman R, 1982, Crystallography, Van Nostrand Reinhold (UK) Co. Ltd, Norfolk. Blakemore J.S. 1974, Solid State Physics 2nd ed., Cambridge University Press, Cambridge C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New York:Wiley, 1976. Sears F.W & Salinger Gerhard L, (1975), Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics, 3rd ed., Addison-Wesley Publishing Company, Reading.. H.P Myers, (1997), Introductory Solid State Physics, CRC Pr I Llc Laszlo Mihaly & Michael C. Martin, (1996), Solid State Physics: Problems and Solutions (Paperback), John Wiley Wilson J. & M.N Rudden, (1993), Elements of Solid State Physics John Wiley & Sons Inc Myers H.P., (1997), Introductory Solid State Physics, CRC Pr I Llc Keer, H.V. (1993), Principles of the Solid State, John Wiley & Sons Inc Richard Christman J, (1998), Fundamentals of Solid State Physics, John Wiley & Sons Inc Hans Luth & Harald Ibach, (1995), Solid-State Physics: An Introduction to Principles of Materials Science, Springer Verlag. John R. Hook & Henry Edgar Hall. Solid State Physics (The Manchester Physics Series); John Wiley and Sons Ltd; 2Rev Ed edition (31 Jan 1995)
XViii. auteur Principal du module

Dr. Obwoya Kinyera Sam est un Matre de Confrence au Dpartement de Physique lUniversit de Kyambogo, Ouganda. Il est actuellement le Directeur de la Formation distance et du e-learning lUniversit de Kyambogo. Il a t formateur de formateurs depuis 1984. Entre 1978 et 1984, il a t chef du dpartement de Physique lcole secondaire Old Kampala Secondary school, en Ouganda. Son adresse courriel est ksobwoya@yahoo.co.uk.
XiX.
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PHYSIQUE DU SOLIDE
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Table des matires

Loi de Bragg ................................................................................................................................................ 6 Diffraction sur un cristal ....................................................................................................................... 6 Description .............................................................................................................................................. 6 nonc ................................................................................................................................................. 7 Justification gomtrique .................................................................................................................. 7 Analogie .............................................................................................................................................. 8 Condition de Laue .................................................................................................................................. 8 Thorme de Bloch ................................................................................................................................ 9 Applications .......................................................................................................................................... 10 Modle d'Einstein...................................................................................................................................... 10 nergie interne ..................................................................................................................................... 10 Capacit calorifique ............................................................................................................................. 11 Rsultats du modle ............................................................................................................................. 11 Modle de Debye ....................................................................................................................................... 12 Obtention .............................................................................................................................................. 12 Obtention de Debye .............................................................................................................................. 14 Rsulats du modle .............................................................................................................................. 15 Limite des basses tempratures ...................................................................................................... 15 Limite des hautes tempratures ...................................................................................................... 15 Comparaison au modle d'Einstein .................................................................................................... 16 Physique du solide ..................................................................................................................................... 16 Historique ............................................................................................................................................. 17 Frontires du domaine et domaines connexes ................................................................................... 18 Petite typologie des solides .................................................................................................................. 19 Verres et cristaux ............................................................................................................................. 19 Solides ioniques et solides covalents ............................................................................................... 19 Mtaux et isolants ............................................................................................................................ 20 Mthodes de production ...................................................................................................................... 20 Proprits mcaniques et structurales (arrangement des atomes dans les solides) ....................... 21 Proprits mcaniques macroscopiques ......................................................................................... 21 Dfauts dans les cristaux ................................................................................................................. 21 2
Mthodes d'investigation ................................................................................................................. 22 Proprits lectroniques et optiques ................................................................................................... 23 Interprtation microscopique ......................................................................................................... 23 Transport du courant ...................................................................................................................... 24 Proprits thermiques et thermodynamiques ................................................................................... 24 Magntisme ........................................................................................................................................... 24 Supraconductivit ................................................................................................................................ 25 Dispositifs bass sur des proprits de physique du solide ............................................................... 25 Prix Nobels en physique du solide ...................................................................................................... 25 Science des matriaux ............................................................................................................................... 25 Historique ............................................................................................................................................. 25 Principes de la science des matriaux ................................................................................................ 26 Les grandes classes de matriaux ....................................................................................................... 26 Mtaux .............................................................................................................................................. 26 Polymres .......................................................................................................................................... 27 Cramiques ....................................................................................................................................... 28 Semi-conducteurs ............................................................................................................................. 29 Matriaux composites ...................................................................................................................... 31 Biomatriaux .................................................................................................................................... 32 Caractrisation des matriaux ............................................................................................................ 33 L'industrie des matriaux ................................................................................................................... 33 Mise en forme des matriaux .......................................................................................................... 33 Applications ...................................................................................................................................... 33 Aspects conomiques et environnementaux ................................................................................... 34 Prix Nobel ............................................................................................................................................. 34 Cristallographie......................................................................................................................................... 34 Historique ............................................................................................................................................. 35 Les bases ............................................................................................................................................... 35 Le cristal parfait ................................................................................................................................... 35 Le rseau cristallin ........................................................................................................................... 35 Le rseau de Bravais ........................................................................................................................ 36 Les indices de Miller ........................................................................................................................ 37 3
Groupes ponctuels de symtrie et groupes d'espace ..................................................................... 37 Les dfauts cristallins .......................................................................................................................... 37 La cristallognse ................................................................................................................................. 37 Diffraction ............................................................................................................................................. 37 Principe ............................................................................................................................................. 38 Rseau rciproque ............................................................................................................................ 38 Appareillage utilis en cristallographie .......................................................................................... 38 Matriaux isotropes et anisotropes ................................................................................................. 38 Applications .......................................................................................................................................... 38 Silicate ........................................................................................................................................................ 39 Classement des silicates ....................................................................................................................... 39 Les silicates en astronomie .................................................................................................................. 40 Silicium ...................................................................................................................................................... 41 Caractristiques ................................................................................................................................... 43 Cristallographie .................................................................................................................................... 44 Dcouverte ............................................................................................................................................ 44 Utilisations ............................................................................................................................................ 45 Alliages Aluminium-Silicium .......................................................................................................... 45 Synthse des silicones ....................................................................................................................... 45 Semi-conducteur .............................................................................................................................. 45 Photovoltaque .................................................................................................................................. 45 Composants mcaniques .................................................................................................................. 46 Micro et nanostructure .................................................................................................................... 46 Composs .......................................................................................................................................... 46 Dans la nature ...................................................................................................................................... 47 Minraux ........................................................................................................................................... 47 Molcules organiques ....................................................................................................................... 47 Biologie du silicium[10] ...................................................................................................................... 47 L'hypothtique biochimie base de silicium ................................................................................. 48 Production industrielle du silicium .................................................................................................... 48 Puret du silicium ............................................................................................................................ 48 Production du silicium mtallurgique ............................................................................................ 49 4
Prparation pour l'industrie lectronique ..................................................................................... 50
Loi de Bragg
En physique, la loi de Bragg est une loi empirique qui interprte le processus de la diffraction des radiations sur un cristal. Elle fut dcouverte par W.H. et W.L. Bragg vers 1915. Lorsque l'on bombarde un cristal avec un rayonnement dont la longueur d'onde est de l'ordre de la distance inter-atomique il se produit un phnomne de diffraction. Les conditions de diffraction sont les directions dans lesquelles il y a de l'intensit. Les rayonnements peuvent tre lectromagntiques pour cet ordre de grandeur de longueur d'onde, ce sont des rayons X ou bien des particules ayant une nergie cintique adapte, de l'ordre de 100 keV pour des lectrons, ou bien des dizaines de MeV pour des neutrons.
Diffraction sur un cristal []

Considrons un monocristal bombard de rayons X. Les rayons X frappent chaque atome avec une phase diffrente (ils parcourent un chemin optique plus ou moins long). Les rayons X, comme toutes les ondes lectromagntiques, provoquent un dplacement du nuage lectronique par rapport au noyau dans les atomes ; ces oscillations induites provoquent une rmission d'ondes lectromagntiques de mme frquence ; ce phnomne est appel diffusion Rayleigh. Article dtaill : Interaction rayonnement-matire. Les ondes n'ont pas toutes la mme phase lorsqu'elles frappent les atomes. En un point de l'espace, les ondes lectromagntiques proviennent de tous ces atomes et subissent encore un dphasage d la diffrence de chemin optique. Du fait de l'organisation rgulire du cristal, dans certains endroits de l'espace, les ondes s'annulent (interfrences destructives), et dans d'autres, les ondes s'additionnent et l'on a une intensit positive. Ces lieux d'intensit positive sont aligns par rapport au point d'impact du faisceau incident, on parle donc de directions de diffraction .
On peut retrouver ces directions de diffraction grce diffrentes lois quivalentes.
Description []
6
nonc []
Selon la dviation 2, on a des interfrences constructives (figure de gauche) ou destructives (figure de droite) Pour cette loi, on considre des plans imaginaires contenant des atomes et perpendiculaires au vecteur de diffraction (c'est--dire la bissectrice entre le faisceau incident et la direction laquelle on s'intresse). Mais il existe aussi d'autres lois dcrivant la diffraction. Si est la longueur d'onde de la radiation et d est la distance interrticulaire du plan cristallin diffractant, alors les directions 2 de l'espace dans lesquelles on aura des pics d'intensit (le 0 pour 2 tant la direction du faisceau incident) vrifient :
avec :

d = distance interrticulaire, c'est--dire distance entre deux plans cristallographiques ; , angle de Bragg = demi-angle de dviation (moiti de l'angle entre le faisceau incident et la direction du dtecteur) ; n = ordre de diffraction (nombre entier) ; = longueur d'onde des rayons X.
Lorsque le rayonnement n'est pas lectromagntique mais particulaire, la diffusion Rayleigh n'est pas due au dplacement du nuage atomique mais rsulte du principe d'incertitude d'Heisenberg : comme la particule est bien localise (elle interagit avec l'lectron), l'incertitude sur son impulsion, donc notamment sa direction, est grande, il y a donc une diffusion isotrope. Pour bien comprendre ceci, il faut galement bien comprendre la notion de dualit onde-particule.
Justification gomtrique []
dmonstration de la loi de Bragg On peut retrouver la loi de Bragg de manire simple. Considrons deux rayons parallles frappant deux atomes situs sur une mme droite perpendiculaire la surface. Le chemin supplmentaire parcouru par le rayon profond est 2dsin(), puisque c'est ce trajet supplmentaire suit les cts opposs un angle de triangles rectangles d'hypotnuse d. Les interfrences sont constructives si la diffrence de chemin introduit un dphasage multiple de 2, c'est--dire si le chemin supplmentaire est un multiple de .
Analogie []
Interfrence par une lame d'air : analogie avec la loi de Bragg On image souvent cette loi en considrant que les plans cristallographiques sont des miroirs semi-transparents ; en effet, la formule est strictement identique aux interfrences par une lame d'air que l'on obtient avec un interfromtre de Michelson. Cependant, il faut bien comprendre que les plans cristallographiques ne sont qu'une vue de l'esprit, et que dans les faits, les ondes sont diffuses individuellement par les atomes.
Condition de Laue []
Le rayonnement incident a un vecteur d'onde . Si l'on s'intresse l'intensit diffuse dans une direction de l'espace aux ondes dont le vecteur d'onde est , cela revient s'intresser
en effet, puisque la diffusion est lastique, la longueur d'onde reste la mme, donc les vecteurs d'onde ont la mme norme. La maille lmentaire du cristal est dfinie par trois vecteurs une base de l'espace. On appelle le vecteur de diffusion , et qui forment par ailleurs
. La condition de diffraction de Laue s'exprime ainsi : il y a diffraction dans la direction si les produits scalaires de sont entiers, c'est--dire si , et sont des nombres entiers. avec les vecteurs
On note en gnral[1]
les indices (hkl) sont caractristiques de la tache (ou du pic) de diffraction. Ce sont aussi les indices de Miller d'un plan cristallographique, ce qui permet de retrouver la loi de Bragg.
Thorme de Bloch []
On peut dfinir une autre base, appele base rciproque, par[2]
Comme , et dpendent de la maille lmentaire, les vecteurs de la base rciproque dpendent eux aussi de la maille lmentaire ; ils sont une caractristique du cristal. La condition de diffraction peut alors s'noncer de la manire suivante[3] : il y a diffraction dans la direction rciproque soit , h, k et l tant des entiers. si a des coordonnes entires dans la base
Les indices (hkl) sont les mmes que pour la condition de Laue, et mnent donc galement la loi de Bragg. Les points ayant des coordonnes entires dans le repre appel rseau rciproque. La condition de diffraction est donc : il y a diffraction dans la direction rciproque. C'est le thorme de Bloch. si l'extrmit de forment un rseau
est sur un nud du rseau
Applications []
Lorsque la longueur d'onde de la radiation est de l'ordre de grandeur de la distance interatomique dans le cristal, les directions de diffraction sont suffisamment loignes pour tre distinguables, et suffisamment rapproches pour figurer sur le mme clich. La loi de Bragg est utilise entre autres pour :

la microscopie lectronique en transmission ; l'analyse dispersive en longueur d'onde ; la diffraction de rayons X la diffraction de neutrons
Modle d'Einstein
En physique statistique et en physique du solide, le modle dEinstein est un modle permettant de dcrire la contribution des vibrations du rseau la capacit calorifique dun solide cristallin. Il est bas sur les hypothses suivantes :

chaque atome de la structure est un oscillateur harmonique quantique 3D, les atomes vibrent la mme frquence, contrairement au modle de Debye.
Ce modle est nomm daprs Albert Einstein, qui l'a propos en 1907[1].
nergie interne []
Les vibrations du rseau cristallin sont quantifies[2], cest--dire que les nergies de chaque mode normal de vibration ne peuvent prendre que des valeurs discrtes . Ce modle repose donc sur la dualit onde-particule des phonons et sur le fait que les 3N oscillateurs harmoniques[3] vibrent la mme frquence, de manire isotrope.
10
Lnergie interne U du solide est donne par la formule :
o est la constante de Planck rduite, E est la pulsation dun oscillateur, N le nombre datomes qui constituent le systme et absolue. o kB est la constante de Boltzmann et T la temprature
[Drouler] Dmonstration de la formule de lnergie interne
Capacit calorifique []
La capacit calorifique CV est dfinie par :
avec
, on obtient
On peut dfinir la temprature dEinstein comme
. Tout cela nous donne
Rsultats du modle []
11
La capacit calorifique obtenue laide du modle dEinstein est une fonction de la temprature. La valeur exprimentale de 3Nk est retrouve pour des tempratures leves. Le modle dEinstein retrouve la loi de Dulong et Petit, pour les hautes tempratures :
Cependant, basse temprature, ce modle concorde moins avec les mesures exprimentales que celui de Debye :
Lorsque Cette discordance avec lexprience peut sexpliquer en abandonnant lhypothse selon laquelle les oscillateurs harmoniques vibrent la mme frquence.
Modle de Debye
En physique statistique et en physique du solide, le modle de Debye est une explication, dveloppe par Peter Debye en 1912[1], du comportement de la capacit thermique des solides en fonction de la temprature. Il consiste tudier les vibrations du rseau d'atomes formant le solide, autrement dit, les phonons. Ce modle permet d'expliquer prcisment les relevs exprimentaux, alors que le modle d'Einstein, bas sur la notion d'oscillateur harmonique quantique, prsentait une lgre diffrence. Le modle de Debye rejoint galement la Loi de Dulong et Petit haute temprature.
Obtention []
12
Le modle de Debye est analogue l'obtention de la loi de Planck sur le rayonnement du corps noir. Le second trate un ensemble de photons, alors que le premier trate un ensemble de phonons. On suppose, pour simplifier, que le solide a une forme cubique de ct L. Les phonons susceptibles d'exister doivent, la manire de la vibration d'une corde de guitare, ne pas vibrer aux extrmits (voir figure ci-contre). On en dduit alors que les longueurs d'ondes possibles sont donnes par :
o n est un entier naturel non-nul. Or l'nergie d'un phonon est donne par :
avec o est la constante de Planck, le vecteur d'onde du phonon, et cs sa vitesse. Cela correspond, en trois dimensions, l'expression :
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Il est alors possible de faire la somme de ces nergies pour tous les phonons prsents. Pour cela, il faut utiliser la statistique de Bose-Einstein, donnant la distribution des nergies dans l'ensemble des phonons, la temprature T. On obtient finalement l'expression suivante de l'nergie totale U des phonons :
o N est le nombre d'atomes dans le solide considr, kB est la constante de Boltzmann, et TD est la temprature de Debye donne par :
. La capacit thermique molaire est alors, par dfinition, la drive de U par rapport T. On obtient :
Obtention de Debye []
En ralit, Debye a obtenu cette formule d'une faon un peu diffrente, et plus simple. En utilisant la mcanique des milieux continus, il montra que le nombre d'tats vibrationnels accessibles aux phonons en dessous d'une frquence est donn approximativement par :
o V est le volume du solide et F est un facteur calcul l'aide des coefficients d'lasticit (comme le module d'Young). En combinant cela l'nergie d'un oscillateur harmonique (mthode dj utilise dans le modle d'Einstein), on obtiendrait une nergie totale :
Mais il ne peut pas y avoir plus d'tats vibrationnels que les N atomes peuvent fournir, c'est-dire 3N (car il y a trois degrs de libert de vibration par atome). Ainsi, l'intgrale de la formule prcdente doit tre calcule jusqu' une frquence maximale max telle que le nombre d'tats total soit 3N. C'est--dire :
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. La formule donnant l'nergie est donc :
. On retrouve bien l'expression obtenue plus haut, avec une temprature TD d'expression diffrente. On peut vrifier aussi que les deux expressions de TD sont cohrentes avec la mcanique des milieux continus.
Rsulats du modle []
Limite des basses tempratures []
Lorsque la temprature est faible devant TD, l'expression de CV se simplifie :
. Cette intgrale peut tre calcule, ce qui donne :
Les relevs exprimentaux correspondent bien ce comportement.
Limite des hautes tempratures []

Lorsque la temprature est grande devant TD, l'expression de CV se simplifie une fois encore :
. D'o :
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On retrouve ainsi la loi de Dulong et Petit, qui est relativement bien vrifiable par l'exprience, sauf lorsque l'anharmonicit des vibrations fait remonter la valeur de CV. De plus, il peut tre intressant d'ajouter la contribution des lectrons cette capacit thermique.
Comparaison au modle d'Einstein []
Comparaison des courbes de la capacit thermique par les modles d'Einstein et de Debye. Les modles d'Einstein et de Debye donnent des rsultats relativement proches, mais celui de Debye est valable aux basses tempratures alors que celui d'Einstein ne l'est pas.
Physique du solide
La Science et les Sciences
Gnralits Connaissance Thorie Savoir Classification des sciences

Science empirique sciences exactes Sciences dures sciences molles Science de la nature sciences humaines et sociales Science applique Science fondamentale Science formelle
Amlioration des sciences Vie scientifique

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Personnes : Chercheur Communaut scientifique Savoir : Dcouverte Progrs Diffusion du savoir : Congrs Publication (Revue Vulgarisation) Recherche scientifique : Valorisation Laboratoire Financement Histoire des sciences : Histoire des sciences (discipline) Fin de la science
Mthode scientifique

scientificit Observation Mthode exprimentale Histoire de la mthode scientifique Axiome Hypothse Modle scientifique Thorie pistmologie : Rationalisme Positivisme Constructivisme Empirisme Rfutabilit Scientisme Philosophie des sciences Phnomnologie Sociologie des sciences Typologie pistmologique Thorie de la connaissance Divers : Simulation informatique Bibliomtrie et scientomtrie
Voir aussi

Catgories : Sciences Portails scientifiques Portails : Sciences (sous-portails)
Cette bote : voir disc. mod.
La physique du solide est l'tude des proprits fondamentales des matriaux solides, cristallins par exemple la plupart des mtaux , ou amorphes par exemple les verres en partant autant que possible des proprits l'chelle atomique (par exemple la fonction d'onde lectronique) pour remonter aux proprits l'chelle macroscopique. Bien que celles-ci prsentent parfois de fortes rminiscences des proprits microscopiques (par ex. transitions supraconductrices dans lesquelles des proprits quantiques se manifestent de faon spectaculaire l'chelle macroscopique) elles se prsentent la plupart du temps comme des proprits de continuit macroscopique (domaine des milieux continus) non directement dductibles des proprits microscopiques. Tout l'art du physicien du solide est de mettre en relation des proprits macroscopiques parfois trs banales (ou trs utiles) avec le phnomne l'origine de celles-ci, phnomne qui souvent n'est pas prpondrant l'chelle atomique. Dans un solide, les atomes sont situs quelques angstrms[1] les uns des autres et sont lis suffisamment fortement pour rsister la contrainte. Pour comprendre comment les proprits macroscopiques mergent de cette collection d'atomes, la physique des solides se base sur les rsultats de deux thories plus fondamentales. D'une part la physique quantique, l'aide de mthodes adaptes au cas des solides, dcrit au niveau microscopique les interactions des lectrons entre eux et avec les noyaux du solide. D'autre part, la physique statistique permet de prendre en compte le nombre macroscopique d'atomes dans un solide.
Historique []
Les connaissances empiriques sur les solides et leurs proprits sont trs anciennes et jalonnent l'histoire de l'humanit. L'apparition de la mtallurgie, environ 4 000 ans avant J.-C., marque les premires russites dans le travail des mtaux : l'homme apprend ainsi travailler le cuivre, le bronze, le fer puis une liste de plus en plus tendue de mtaux et d'alliages. Cependant, les
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connaissances acquises sont trs empiriques, transmises de matre compagnon, et ne sont pas relies sur une science commune. Le premier, Agricola (1494 - 1555) applique les mthodes scientifiques de la Renaissance et prsente une synthse des techniques de son poque dans son ouvrage De Re Metallica, paru en 1556. Avant mme l'arrive des mthodes de cristallographie modernes, l'observation et la classification des cristaux amne les scientifiques comprendre leur structure interne. En 1611, Johannes Kepler (1571 - 1630) fait ainsi l'hypothse que la symtrie hexagonale des cristaux de neige est due un arrangement hexagonal de particules d'eau sphriques. Au XVIIIe sicle, Hay (1743 - 1822) tabli que les faces des cristaux peuvent tre repres par un ensemble de trois nombres entiers appels indice de Miller, ce qui l'amne associer chaque cristal un rseau de petits volumes de matire qu'il nommait molcules intgrantes et qui correspondent actuellement la notion de maille lmentaire. Ces notions seront progressivement formalises au cours du XIXe sicle. Entre autres, Bravais (1811 - 1863) et Schoenflies (1853 - 1928) montrent l'aide de la thorie des groupes que les cristaux peuvent tre catgoriss en 32 groupes ponctuels de symtrie et en 230 groupes d'espace. Le XIXe sicle voit galement l'apparition de nouveaux domaines scientifiques, tels que la mcanique des milieux continus, l'lectromagntisme ou la thermodynamique, qui attribuent des proprits macroscopiques mesurables la matire module d'Young, susceptibilit optique, conductivit lectrique et thermique, etc. Bien que ces grandeurs macroscopiques permettent une description phnomnologique satisfaisante des solides, elles ne permettent pas de comprendre leur origine profonde. Les progrs scientifiques raliss au tournant du XIXe sicle permettent de soulever un coin du voile. Les rayons X dcouverts en 1895 vont ainsi permettre Max von Laue (1879 - 1960) de raliser la premire exprience de diffraction des rayons X sur un cristal en 1912. Cette technique complte par la diffraction d'lectrons et de neutrons va tre applique par la suite de manire systmatique la dtermination de la structure cristalline et des distances interatomiques dans les solides. Paralllement, en 1900 Drude (1863 - 1906) dveloppe un modle quasi-classique de la conduction des mtaux en supposant ceux-ci remplis d'un gaz d'lectrons libres auxquels il applique la physique statistique de Ludwig Boltzmann. Au cours du XXe sicle, dcouvertes, nouveaux outils et modles se succdent un rythme acclr : tude des proprits des solides aux basses tempratures, introduction de la mcanique quantique, apparition du microscope lectronique...
Frontires du domaine et domaines connexes []

La physique du solide est considre comme une sous-branche de la physique de la matire condense, laquelle tudie galement les liquides et les matriaux intermdiaires tels que la matire molle, les mousses ou les gels. La dlimitation est d'autre part de plus en plus floue entre la physique du solide et la science des matriaux. l'origine, la physique du solide tait une branche de la physique fondamentale, et la science des matriaux une branche de la physique applique. Il y a longtemps que cette distinction est caduque, sous l'effet d'une double volution. La premire volution est celle de la
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physique du solide vers l'tude de systmes de plus en plus complexes, et donc de plus en plus proches des systmes rels et utiles. L'autre volution est celle de la science des matriaux, qui, avec l'apparition de moyens fins d'investigation (comme par exemple le microscope lectronique, qui permet une observation l'chelle atomique) ainsi que d'laboration (par exemple l'pitaxie, qui permet une laboration de semi-conducteurs couche d'atomes par couche d'atomes) est parfois devenue une ingnierie des matriaux l'chelle atomique. Elle s'est donc intresse de trs prs aux phnomnes cette chelle, et a ainsi empit largement sur le domaine de la physique fondamentale. Au total, la distinction entre ces deux disciplines relve maintenant plus d'une nuance d'approche que d'autre chose. Les matriaux synthtiss ont vocation tre utiliss dans d'autres sciences, et ce titre la physique du solide est frquemment en contact avec d'autres disciplines comme l'optique, l'lectronique, la mcanique...
Petite typologie des solides []

Il existe une grande diversit de solides diffrents dans la nature, et quels que soient les ensembles que l'on essaie de dfinir, on trouvera toujours un solide pouvant tre class dans deux ensembles diffrents. Ci-dessous, nous exposons diffrentes typologies tablies selon les critres suivant : l'existence ou l'absence d'un ordre cristallin, la nature de la liaison entre les atomes ou encore la facilit avec laquelle les solides conduisent le courant lectrique.
Verres et cristaux []
Rayer ou supprimer les lments lorsqu'ils sont intgrs au texte Un cristal reprsente une classe importante de solides dans lesquels les mmes atomes se rptent priodiquement dans les trois dimensions de l'espace. Le cristal forme alors un rseau qui reste identique lui-mme lors de la translation par un vecteur
o , et sont des vecteurs dlimitant la maille lmentaire du rseau et m1, m2, m3 sont des entiers relatifs quelconques. La fidlit avec laquelle le cristal se reproduit d'une maille l'autre est impressionnante. La loi ci-dessus fonctionne encore sur des distances de l'ordre de plusieurs micromtres ; c'est--dire que si l'on prend deux atomes spars par m = 104 mailles, leur distance sera la mme ~1 prs quelle que soit les deux atomes de dpart[2]. cristal et ordre toutes les portes, monocristal et cristallites matire amorphe et ordre courte porte fonction de corrlation quasi-cristal
Solides ioniques et solides covalents []

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Types de liaison Les forces assurant la cohsion des solides sont toutes de nature fondamentalement lectriques. Les diverses formes de celles-ci l'chelle atomique se retrouvent dans les solides. Le solide le plus dur, le diamant est maintenu par un ensemble de liaisons covalentes qui se renforcent mcaniquement rciproquement, exactement comme dans une molcule squelette carbon. A l'autre extrmit, se trouvent les cristaux ioniques, par exemple le chlorure de sodium qui est un empilement de charges positives et ngatives ordonn, mais sans liaison chimique : les lectrons sont demeure attachs un noyau et il n'est pas question pour eux de participer directement la cohsion entre atomes autrement que par l'intermdiaire des ions qu'ils forment. On parle de liaison ionique. Il existe un type de liaison intermdiaire, la liaison ionocovalente qui est une liaison covalente avec une probabilit plus forte de trouver l'lectron dans le voisinage d'un type d'atomes que de l'autre. C'est ce type de liaison qu'on retrouve par exemple dans les cristaux du type blende. Dans le cas o la liaison entre les noyaux et les lectrons priphriques est faible, l'lectron peut passer indiffremment d'un atome l'autre sur toute la longueur du cristal. On dit qu'il est dlocalis. Les modles de telles liaisons sont les mtaux, et les lectrons dlocaliss assurent alors la cohsion en crant un puits de potentiel pigeant les atomes sur tout le volume de l'chantillon. Une telle liaison est appele liaison mtallique. Reste enfin le cas des solides forms d'atomes ou de sous structures lectroniquement stables, par exemple les cristaux de gaz rares. Aucun des mcanismes prcdents ne peuvent s'appliquer ceux-ci, mais il reste encore la possibilit d'une corrlation des orbitales lectroniques entre deux atomes voisins : c'est la force de Van der Waals.
Mtaux et isolants []
Classification des matriaux L'une des plus anciennes classification des solides est fonction de leur rsistivit lectrique. Bien avant de connaitre l'origine atomique de cette singularisation, on a distingu les mtaux, presque tous bon conducteurs d'lectricit et de chaleur, situs dans la partie infrieure gauche de la table de Mendeleev. La rsistivit de ceux-ci croit avec la temprature. Les autres lments sont des isolants lectriques. Les matriaux situs sur la quatrime colonne varient du statut isolant pour le carbone diamant mtal pour le plomb. Les matriaux compris entre ces deux extrmes sont les semi-conducteurs (silicium, germanium). Ces matriaux ont une rsistivit qui dcroit avec la temprature, par la promotion thermique d'lectrons de valence au statut d'lectrons de conduction. L'tain est un cas intressant car il possde une transition de phase entre un tat semi-conducteur basse temprature (tain gris) et un tat mtallique haute temprature (tain blanc) ; c'est la transition de Mott. Celle-ci s'accompagne d'un changement de la structure cristalline et est une cause de dsagrgation des tains anciens de collection. Une autre faon de faire varier la conductivit lectrique d'un semi-conducteur est le dopage, qui par le biais d'impurets soigneusement choisies enrichit le matriau en lectrons de conduction ou en lacunes d'lectrons de valence.
Mthodes de production []
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Les proprits dpendent fondamentalement de la microstructure amorphe ou cristalline ainsi que de la composition chimique, avec une sensibilit allant parfois jusqu'au niveau de l'impuret (1 atome par million ou moins). Deux genres d'laboration sont possibles :
les mthodes les plus performantes mais aussi les plus coteuses abordent les deux aspects en une seule tape. C'est le cas de l'pitaxie, de la pulvrisation cathodique ou de la cristallognse. De plus la nature mme de ces mthodes limite la taille des chantillons produits ; d'autres mthodes moins performantes mais conomiquement trs importantes sont spcifiquement dvolues chacun des deux aspects : par exemple l'limination des impurets par fusion de zone ou leur ajout contrl par dopage d'un ct pour les semiconducteurs, des mthodes d'hypertrempe ou de recuit d'un autre ct pour maitriser la microstructure cristalline des mtaux.
Proprits mcaniques et structurales (arrangement des atomes dans les solides) []

Proprits mcaniques macroscopiques []
Article dtaill : Mcanique des milieux continus. Les solides tant caractriss par des formes dfinies, prennes et stables, les premires investigations russies portrent sur la faon dont ils pouvaient revenir leur tat initial aprs l'application de contraintes extrieures. C'est le domaine des dformations lastiques, dont l'tude fut initie par Robert Hooke (1635 1703). Cependant, cette capacit de retour l'tat antrieur sans dommage rsiduel est restreinte des dformations dues des contraintes limites. Au-del de ce domaine s'tend le domaine des dformations irrversibles et de la rupture. Ainsi, le domaine des dformations plastiques, dans lequel les dformations sont assez importantes pour suffisamment et de faon irrversible la structure interne du solide et empcher un retour l'tat de dpart. Comme autre dformation irrversible, le fluage est une dformation lente sous une contrainte modre mais continue, avec une accumulation progressive de dommages sur la microstructure. Un autre effet des dformations irrversible peut tre de changer les caractristiques physiques des matriaux. Par exemple, un matriau prsentant l'origine une certaine plasticit peut devenir cassant et fragile aprs avoir t soumis des cycles de dformation : c'est l'crouissage. Proprits atomiques alliage et effet de durcissement pizolectricit
Dfauts dans les cristaux []

Article dtaill : Dfaut cristallin. Les proprits mcaniques macroscopiques des solides sont modlises en supposant que les matriaux sont des corps continus, dont le comportement est caractris par des grandeurs
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phnomnologiques c'est--dire mesures exprimentalement. Si cette approche marche bien pour dcrire les dformations lastiques rversibles, au cours de laquelle les atomes bougent peu autour de leur position d'quilibre, elle ne permet ni d'expliquer la valeur observe du module d'Young, ni les comportements rvlateurs de la structure microscopique du matriau : par exemple pourquoi un fil de fer croui est plus fragile qu'un fil frachement produit. La dmarche propre la physique du solide de partir du microscopique pour en driver les proprits macroscopiques explique l'crouissage par une accumulation de dfauts dans la structure cristalline. Un cristal rel prsente en effet des carts par rapport au cristal parfait qui modifient profondment ses proprits. Ces dfauts sont classs pour l'essentiel suivant des critres gomtriques et topologiques. On distingue ainsi les dfauts ponctuels, les dfauts linaires nomms dislocations, les dfauts plans nomms joints de grains et les dfauts tridimensionnels nomms macles. En particulier, l'crouissage s'explique par le mouvement des dislocations suivant le mcanisme de Franck et Reed : la dformation du rseau cristallin est possible lorsque les dislocations peuvent bouger librement, mais celles-ci se figent lorsque deux dislocations se rencontrent. force de dformer le matriau, on cre une forte densit de dislocations figes, qui finissent par empcher la dformation du matriau, lequel finit par casser. Un autre exemple intressant de modification de la microstructure est la trempe des aciers. Durant celle-ci des impurets en solution prcipitent autour des dislocations et bloquent les mouvements irrversibles cause de la plasticit au profit de dformations rversibles de celles-ci engendrant l'lasticit. Il en rsulte une modification sensible des proprits mcaniques macroscopiques, mise profit ds l'ge du fer.
Mthodes d'investigation []
Cristallographie [] Article dtaill : Cristallographie. Historiquement, les premires investigations sur la structure interne des solides ont t ralises en clivant des cristaux et en remarquant que les faces faisaient toujours un angle particulier entre elles. Par une rflexion s'talant sur plusieurs sicles, les cristallographes en ont dduit que les cristaux pouvaient tre dcrits comme la rptition infinie d'une unit lmentaire, la maille, selon les vecteurs d'un rseau gomtrique, puis l'tude mathmatique de ces rseaux par les mthodes de la thorie des groupes a abouti la classification complte des cristaux l'aide de leurs proprits de symtrie. Plus qu'une simple mthode de catgorisation, l'tude du groupe ponctuel de symtrie et du groupe d'espace permet de prvoir directement certaines proprits d'un cristal, ou du moins simplifie grandement les calculs de mcanique quantique ncessaires leur explication. On peut citer titre d'exemple le fait qu'aucun cristal centrosymtrique c'est-dire identique lui mme lorsque l'on applique une symtrie ponctuelle ne possde de proprit optique non-linaire d'ordre deux. Au rseau dans l'espace rel est associ un rseau dans l'espace rciproque, un espace mathmatique abstrait qui sert dcrire certaines proprits du cristal comme par exemple les proprits de diffraction. La dcouverte des rayons X la fin du XIXs, puis leur utilisation en
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radiocristallographie prouva de faon dfinitive la nature atomique des solides tout en permettant de mesurer trs prcisment les paramtres de maille de nombreux cristaux. Autres mthodes [] L'invention en 1931 de la microscopie lectronique en transmission fournit l'outil d'un essor considrable de la mtallurgie physique dans l'aprs-guerre. En 1955 apparat le premier microscope lectronique balayage qui permet une analyse de la surface des chantillons beaucoup plus fine que le microscope optique. Il faut noter au passage le microscope lectronique balayage par transmission dvelopp dans les annes 1970 qui combine un faisceau d'lectrons explorant la profondeur de l'chantillon avec les outils lectroniques de reconstitution d'image du microscope balayage. La mise au point en 1981 du microscope effet tunnel permet l'observation des surfaces l'chelle atomique. Un dveloppement important sur le modle du microscope effet tunnel est le microscope force atomique. Notons enfin la diffraction de neutrons et le rayonnement synchrotron qui ncessitent pour leur mise en uvre un racteur nuclaire ou un acclrateur de particules ddis.
Proprits lectroniques et optiques []

lectrodynamique des milieux continus et proprits lectromagntiques macroscopiques constante dilectrique coefficient d'absorption proprits lectriques dilectrique ferrolectricit
Interprtation microscopique []
Dans le cas idal, le Graal du physicien du solide est d'extraire toutes les proprits macroscopiques (magntiques, lectriques, mcaniques...) des proprits atomiques c'est--dire essentiellement des fonctions d'onde lectroniques. Ceci n'est malheureusement pas toujours possible cause de la trs grande complexit induite par le grand nombre d'atomes mis en jeu dans le moindre chantillon (le solide est un objet macroscopique, et ce titre, possde un nombre d'atomes d'un ordre de grandeur comparable avec le nombre d'Avogadro). Parmi les quelques cas o cette dmarche peut tre cependant fructueuse figure celui important mthodologiquement, historiquement et techniquement du cristal parfait infini. L'existence d'une priodicit dans le potentiel vu par les lectrons simplifie fortement le calcul des fonctions d'onde : le thorme de Bloch montre alors que la fonction d'onde a la mme priode spatiale que le rseau cristallin. thorie des bandes et mthodes de calcul des tats quantiques Une simplification capitale apparait dans la rsolution de la fonction d'onde du solide : c' est la sparation du problme de la fonction d'onde des lectrons assurant la cohsion du solide (lectrons priphriques ou dlocaliss) de celle du cur des atomes (noyaux et lectrons des couches internes restant lis celui-ci), due la trs grande diffrence de dynamique entre ces
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deux composants (le noyau est plusieurs milliers de fois plus massique que l'lectron) qui pourtant interagissent fortement (sinon la cohsion du solide ne serait pas assure !). Il en rsulte paradoxalement une trs faible variation couplage entre ces modes deux modes du hamiltonien pour des variations mmes relativement importantes de l'autre mode tant que les effets moyens entre les curs d'atomes et les lectrons de liaison restent pratiquement constants. C'est l'approximation de Born-Oppenheimer. Approximation de Born-Oppenheimer Thorie de la fonctionnelle de la densit Approximation des liaisons fortes Pseudo-potentiel Onde de Bloch et fonction enveloppe dans les cristaux mthode k.p problme N corps et quasi-particules masse effective rsonance cyclotron trou d'lectron exciton phonon autres quasiparticules (magnon, plasmon, polaron, polariton,...)
Transport du courant []
proprits spcifiques aux mtaux conductivit lectrique modle de Drude mobilit plasmon dgnrescence et niveau de Fermi liquide de Fermi dopage et jonctions
Proprits thermiques et thermodynamiques []

Conductivit thermique Chaleur spcifique Loi de Dulong et Petit Modle d'Einstein Modle de Debye phonons et quantification des vibrations lmentaires Solutions solides et transition de phase Eutectique Alliage Mlange binaire Transport lectrique et transport thermique Effet Pelletier et effet Seebeck
Magntisme []
modle CLOA adapt aux mtaux de transition magntisme des mtaux de transition mtaux nobles mtaux antiferromagntiques mtaux ferromagntiques proprits magntiques ferromagntisme diamagntisme paramagntisme antiferromagntisme ferrimagntisme Spintronique Modle d'Ising Effet Hall quantique quantification des excitations magntiques magnons
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Supraconductivit [] Dispositifs bass sur des proprits de physique du solide []

transistor bipolaire transistor effet de champ LED magntorsistance gante SQUID capteur effet Hall
Prix Nobels en physique du solide []

Les scientifiques suivants ont reu le prix Nobel suite des travaux en physique du solide :

William Henry Bragg, William Lawrence Bragg (1915) Percy Williams Bridgman (1946) William Shockley, John Bardeen, Walter Brattain (1956) Lev Davidovich Landau (1962) Louis Nel (1970) John Bardeen, Leon Cooper, John Schrieffer (1972) Leo Esaki, Ivar Giaever, Brian Josephson (1973) Philip Anderson, Neville Mott, John van Vleck (1977) Klaus von Klitzing (1985) Johannes Georg Bednorz, Karl Alexander Mller (1987) Pierre-Gilles de Gennes (1991) Bertram Brockhouse, Clifford Shull (1994) Walter Kohn (prix Nobel de chimie en 1998) Alexei Abrikosov, Vitaly Ginzburg, Anthony Leggett (2003) Albert Fert, Peter Grnberg (2007)
Science des matriaux

La science des matriaux regroupe l'tude et la mise en uvre des matriaux qui constituent les objets qui nous entourent (mtaux, polymres, semiconducteurs, cramiques, verres, etc.). Elle est au cur de beaucoup des grandes rvolutions techniques depuis un sicle[1] : lectronique (ordinateurs, lecteurs de CD et DVD, etc.), automobile (moteurs, carrosserie, phares, etc.), aronautique, nergies renouvelables (panneaux solaires...), nanosciences, nanotechnologies, etc.
Historique []
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Jusqu'au XIXe sicle l'utilisation des matriaux tait essentiellement empirique. Une volution majeure a eu lieu quand Josiah Willard Gibbs (1839-1903), physico-chimiste amricain, russit dmontrer que les proprits thermodynamiques relies la structure atomique avaient un lien direct avec les proprits physiques d'un matriau[2]. la suite de cela, la science des matriaux ne s'est plus limite aux mtaux ou aux cramiques et s'est considrablement diversifie, notamment avec le dveloppement des plastiques, des semi-conducteurs aprs la Seconde Guerre mondiale[rf. ncessaire]. Aujourd'hui, le principal moteur de l'innovation de cette science est constitu par le dveloppement de nouvelles technologies destines des domaines de pointe tels que les nanotechnologies (l'infiniment petit) ou l'arospatial.
Principes de la science des matriaux []

La science des matriaux repose sur la relation entre les proprits, les performances d'un matriau et sa morphologie structurale. La connaissance et la matrise des phnomnes microscopiques (diffusion, arrangement des atomes, recristallisation, apparition de phases, etc.) confrent aux scientifiques et aux industriels la possibilit d'laborer des matriaux aux proprits et aux performances voulues. La conception d'un cristal parfait est actuellement physiquement impossible, mais ce sont souvent ses dfauts structurels qui rendent intressant un matriau. On utilise donc les dfauts dans les matriaux cristallins (tels que prcipits, joints de grains, atomes interstitiels, lacunes, dislocations, etc.) pour crer des matriaux avec les proprits dsires.
Les grandes classes de matriaux []

Mtaux []
Microstructure d'un acier au carbone avec ferrite en gris claire et la perlite en fonc Les mtaux sont des matriaux dont les lments chimiques ont la particularit de pouvoir former des liaisons mtalliques et perdre des lectrons pour former des cations (exemple : Fe -> Fe2+ ou Fe3+). Ils peuvent tre caractriss aussi bien de manire physico-chimique que de manire lectronique (cf. section caractrisation). Les mtaux se caractrisent par plusieurs particularits physiques. Ils sont de bons conducteurs lectriques, cette caractristique se mesure soit grce la conductivit soit grce son inverse, la rsistivit. Ils sont aussi de bons conducteurs thermiques et possdent un clat lumineux. Du point de vue mcanique, ils se
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caractrisent par des proprits telles que leur module d'lasticit (gnralement lev, de l'ordre de plusieurs GPa), leur duret, leur ductilit, etc. Sur Terre, on ne trouve quasiment les mtaux que sous forme d'oxydes. Cependant, ils sont peu utiliss sous cette forme (except dans le domaine de la microlectronique). On prfre les utiliser purifis (exemples du cuivre et de l'aluminium) ou sous forme d'alliages. L'aluminium est le mtal le plus abondant dans la crote terrestre. Il faut galement noter l'importance du fer, qui est trs souvent utilis sous forme d'acier ou de fonte aprs ajout de carbone. Du point de vue conomique, on note deux secteurs extrmement importants, celui de l'acier et celui de l'aluminium. En 2007, la production mondiale d'acier s'levait 1,3 milliard de tonnes soit une augmentation de 5,4 % par rapport 2006[3]. Ce secteur est actuellement domin par l'entreprise Mittal Steel. Le secteur de l'aluminium est quant lui partag entre plusieurs grands groupes tels que Rio Tinto ou Alcan. En 2008, la production d'aluminium s'est leve 3,1 millions de tonnes soit une augmentation de 11,5 % par rapport 2006[4].
Polymres []
Fibres de polyester observes au MEB L'tymologie du mot polymre vient du grec pollus plusieurs et meros partie. Un polymre est une macromolcule organique (ou parfois minrale) constitue d'un enchanement rptitif d'un (ou plus) type(s) de monomre. Les monomres sont relis entre eux par des liaisons covalentes. Les proprits des polymres dpendent notamment du type de monomre(s), de la nature de leur assemblage et du degr de polymrisation. On distingue les polymres naturels, les modifis (polymres artificiels) et les synthtiques. On peut aussi les classer selon leur architecture. On distingue par exemple les polymres linaires, branchs (avec des ramifications) ou non, les dendritiques (ramifications dans les trois dimensions) et les rticuls ou tridimensionnels qui forment un rseau. Les polymres peuvent tre fabriqus de diverses faons. On peut citer :

les homopolymres, qui sont fabriqus avec le mme monomre ; les copolymres, qui sont fabriqus avec des monomres diffrents.
Un autre type de classification des polymres est aussi selon leurs proprits thermomcaniques. On distingue :
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les polymres thermoplastiques, qui deviennent mallables quand ils sont chauffs, ce qui permet leur mise en uvre ; les polymres thermodurcissables, qui durcissent chaud et/ou par ajout d'un durcisseur en faible proportion. Ce durcissement est en gnral irrversible ; les lastomres, qui prsentent en gnral un allongement rversible trs important et une temprature de transition vitreuse infrieure l'ambiante.
On peut classer les polymres en deux types, en fonction de leur comportement la chaleur et sous pression :
ports une temprature suffisante, les polymres thermoplastiques se trouvent l'tat fondu (tat fluide ou dformable) et sont donc susceptibles de s'couler sous l'action d'une contrainte. Cela permet leur mise en forme par les techniques d'extrusion, d'injection, de thermoformage, etc. C'est le cas des polyolfines (PE, PP, PMP, etc.), du PVC, du polystyrne, etc. ; les polymres thermodurcissables durcissent par raction chimique. On peut citer les rsines phnoplastes, polypoxydes, certains polyurthanes.
Du fait de leurs proprits intressantes, les polymres ont peu peu envahi les industries et la vie quotidienne en remplaant les matriaux traditionnels.
Cramiques []
Pices de roulements, composite Si3N4 Celles-ci sont composes d'lments mtalliques et non mtalliques. Elles sont gnralement des oxydes, des nitrures, ou des carbures. Le groupe des cramiques englobe une vaste gamme de matriaux, comme les ciments, les verres, les cramiques traditionnelles faites d'argile, etc. La structure cristalline des cramiques est plus complexe que celle des mtaux, car au moins deux lments chimiques diffrents sont prsents. Il existe des cramiques ioniques, composes d'un mtal et d'un non-mtal (par exemple: NaCl, MgO) et les cramiques covalentes, composes de deux non mtaux ou d'lments purs (diamant, carbure de silicium, etc.). La structure des joints de grain est galement plus complexe car des interactions lectrostatiques entranent des contraintes d'quilibre supplmentaires. Les ions de signes contraires ne doivent donc pas se toucher. C'est pourquoi la cramique prsente une certaine porosit (environ 20 % en volume).
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Les cramiques ont de nombreux avantages :
proprits mcaniques : elles prsentent, comme les mtaux, un module de Young bien dfini, c'est--dire que le module reste constant pendant l'application d'une charge (contrairement au polymre dont l'lasticit n'est pas linaire). De plus, elles ont la plus grande duret de tous les matriaux, et sont d'ailleurs utilises comme abrasifs pour couper (ou polir) les autres matriaux ; rsistance aux chocs thermiques en raison d'un faible coefficient de dilatation ; bonne rsistance chimique ; rsistance la corrosion ; isolations thermique et lectrique.
Par contre, leur principale faiblesse est d'tre prdisposes rompre brutalement, sans dformation plastique en traction (caractre fragile) ; les porosits affaiblissent le matriau en entranant des concentrations de contrainte leur voisinage. La fragilit des cramiques rend impossible les mthodes de laminage ou de forgeage utilises en mtallurgie. Les cramiques technique [] La cramique technique est une branche de la cramique ddie aux applications industrielles, par opposition aux crations artisanales (poterie) ou artistiques (cramique d'art) ou porcelaine. L'objectif de cette industrie est la cration et l'optimisation de cramiques proprits physiques spcifiques : mcaniques, lectriques, magntiques, optiques, pizolectriques, ferrolectriques, supraconductricesetc ... La plupart des cramiques technique sont mises en forme partir de poudre compacte puis chauffe haute temprature (procd du frittage). On utilise surtout des poudres de granulomtrie trs faible afin de rduire la porosit. Les verres [] Les verres sont essentiellement des solides obtenus par figeage de liquide surfondu. Les quatre principales mthodes de fabrication du verre sont le pressage, le soufflage, l'tirage et le fibrage. Les verres sont des silicates non cristallins qui contiennent d'autres oxydes (CaO, par exemple) qui en modifient les proprits. La transparence du verre est l'une de ses proprits les plus importantes. Ceci est d sa structure amorphe et l'absence de dfauts de taille suprieure la fraction de micromtre. L'indice de rfraction d'un verre est d'environ 1,5. Pour ce qui est de leurs proprits mcaniques, les verres sont des matriaux fragiles, mais des traitements thermiques ou chimiques peuvent y remdier.
Semi-conducteurs []
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Cellule photovoltaque en silicium Structure des semi-conducteurs On applique la thorie des bandes, ce qui amne considrer une bande de valence entirement pleine qui est spare d'une bande de conduction par une bande interdite distance de l'nergie E. Pour qu'un lectron passe de la bande de valence la bande de conduction, on apporte une nergie thermique ou lumineuse. Dans un semi-conducteur, E est assez faible pour autoriser, temprature ambiante, le passage d'un petit nombre d'lectrons de la bande de valence vers la bande de conduction. La conduction lectrique Si nous considrons le modle quantique des bandes d'nergie, les lectrons occupent des niveaux d'nergie. Ces niveaux d'nergie sont discrets dans l'atome et de par les interactions entre atomes dans un cristal, s'tendent des bandes d'nergie permises spares par des bandes interdites. Dans les isolants, les bandes d'nergie les plus faibles sont remplies. Du fait d'une grande bande interdite (~ 5 eV), il n'y a pas de niveaux d'nergie accessibles et donc aucune conduction. Dans les conducteurs, la dernire bande est partiellement occupe, il existe donc beaucoup de niveaux d'nergie disponibles, d'o une bonne conduction. Dans les semiconducteurs, la dernire bande se trouve peu ou trs occupe et la bande interdite est faible (~ 1 eV). Il y aura donc une conduction faible. Conduction par lectron et par trou Le trou est une lacune qui va tre comble par un lectron voisin libr par l'agitation thermique et qui va son tour laisser un trou. Aux lectrons (masse positive, charge ngative) correspondent des trous (masse ngative, charge positive). Les trous et les lectrons constituent les porteurs libres intrinsques dont le nombre est fonction de la temprature. Pour avoir une neutralit lectrique, on impose le mme nombre de trous et d'lectrons. Semi-conducteurs dops Type N : On introduit dans la matrice du semi-conducteurs des atomes d'impuret. Chacun de ses atomes apporte un lectron de valence supplmentaire. Cet lectron est peu li au noyau et passe aisment dans la bande de conduction. La conduction dite de type N est assure par les lectrons. Les lectrons sont les porteurs majoritaires. La conductivit extrinsque devient trs suprieure celle du matriau pur, cause du taux de dopage. Les atomes donneurs deviennent des ions positifs aprs passage des lectrons excdentaires dans la bande de conduction.
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Type P : On introduit dans le rseau une impuret trivalente telle que le bore, l'aluminium, le gallium ou encore l'indium. Il manque cette dernire un lectron de valence pour assurer les quatre liaisons avec l'atome de silicium voisin. Une faible nergie suffit ce qu'une impuret capte l'lectron d'un silicium voisin. Les atomes trivalents, appels accepteurs, deviennent ainsi des ions ngatifs. Il y a formation d'un trou peu li et donc mobile. Ces trous, porteurs majoritaires, assurent la conduction des semi-conducteurs dits de type P.
Matriaux composites []
Exemple de matriau composite
La fabrication des avions ultralgers, tels le Gossamer Albatross, fait souvent appel aux composites[5]. Un matriau composite est un mlange de deux matriaux de base, distincts l'chelle macroscopique, ayant des proprits physiques et mcaniques diffrentes. Le mlange est effectu de manire avoir des proprits optimales, diffrentes et en gnral suprieures celles de chacun des constituants. Un composite est constitu au moins d'une matrice (liant) et d'un renfort. Les matrices peuvent tre d'origine :

organique : polymres thermoplastiques ou thermodurcissables (polyesters, polypoxydes, phnoliques, polyimides, silicones, etc.) ; minrale : carbone, cramique, bton ; mtallique : Al, Mg.
Des charges (minrales, organiques ou mtalliques) et additifs sont presque toujours incorpors la matrice. Les renforts (verre, carbone, fibres aramides, de bore ou mtalliques, etc.) peuvent tre sous forme :
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de fibres (courtes, longues ou continues), de mat ou de tissu ; les fibres longues (cas de certaines fibres de verre) peuvent tre orientes dans le sens des sollicitations ; de charges renforantes : gravier (additionn au ciment pour fabriquer le bton), sable, billes de verre, etc. ; d'acier (cas du bton arm).
Le renfort peut tre seul au sein d'une matrice (composite homogne) ou associ un renfort de nature diffrente (composite hybride). Les constituants slectionns (certains sont multi-fonctions) peuvent amliorer les proprits suivantes : rigidit, rsistance thermo-mcanique, tenue la fatigue, rsistance la corrosion, tanchit, tenue aux chocs, au feu, isolations thermique et lectrique, allgement des structures, conception de formes complexes. Rle(s) jou(s) par chaque constituant :

la matrice est un liant, protge les fibres et transmet galement les sollicitations aux fibres ; les fibres apportent la tenue mcanique et supportent les sollicitations ; les charges et additifs amliorent les caractristiques du matriau. Les charges abaissent souvent le cot de la matire (effet de dilution). Exemples d'additifs : ignifugeants, antiUV, fongicides, antioxydants.
La mise en uvre des composites est soit automatise (moulage sous vide, RTM...), soit artisanale pour des pices hautes performances (moulage au contact...). Les matriaux composites base de fibres et de polymres en constituent la classe la plus importante (90 % de l'ensemble des composites fabriqus actuellement). Les matriaux composites sont trs utiliss dans les domaines aronautique, automobile, ferroviaire, etc.
Biomatriaux []
Article dtaill : Biomatriau. Un biomatriau est surtout un matriau qui est utilis et adapt pour les applications mdicales. Il peut tre d'origine vivante, minrale ou chimique. Les biomatriaux sont aujourd'hui un des secteurs qui se dveloppe le plus rapidement dans le domaine des matriaux en raison de la demande en matriaux novateurs et striles, aussi bien pour les diverses prothses que pour le matriel mdical. Il faut faire la distinction entre la vision mdicale du biomatriau et la vision d'un professionnel des matriaux en ce qui concerne la biocompatibilit des matriaux et du corps humain. En effet, un mdecin aura tendance demander un matriel rpondant parfaitement tous les problmes qu'il veut solutionner tandis que le spcialiste des matriaux verra les compromis qu'il faut utiliser pour obtenir la meilleure alternative matrielle un problme mdical. L'un et l'autre doivent travailler en collaboration mais il n'est pas possible qu'un mdecin conoive le matriel qu'il veut utiliser et qu'un spcialiste des matriaux utilise le matriel qu'il a conu.
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Le secteur des bioplastiques progresse : production de 62 000 tonnes en 2007, 766 000 t attendues en 2009[6].
Caractrisation des matriaux []

Article dtaill : Caractrisation des matriaux. Il est indispensable pour tudier et comprendre un matriau de le caractriser l'aide des techniques de caractrisation appropries. On peut les classer en techniques dites destructives, c'est--dire qui endommagent le matriau et en techniques de contrle non destructif, qui n'endommagent pas le matriau et donc l'objet tudi. Ces techniques de caractrisation bnficient des apports de la science des matriaux et rciproquement aide son dveloppement.
L'industrie des matriaux []

Toutes les industries qui produisent des biens matriels font appel des matriaux, la science des matriaux y trouve donc naturellement sa place.
Mise en forme des matriaux []

Article dtaill : Mise en forme des matriaux. Les techniques de mise en forme des matriaux ont pour objectif de donner une forme dtermine au matriau tout en lui imposant une certaine microstructure, afin d'obtenir un objet ayant les proprits souhaites. C'est un travail qui ncessite de matriser au mieux les paramtres exprimentaux (composition, temprature, vitesse de refroidissement, etc.). Les techniques diffrent selon les matriaux et les objets fabriquer. Toutes ces techniques bnficient de la comprhension apporte par la science des matriaux.
Applications []
Voici quelques applications des grandes classes de matriaux :
les polymres : bouteilles d'eau en polythylne trphtalate (PET), CD en polycarbonate (PC), vtements en polythylne (PE), Rilsan, Gore-tex, bouteilles de lait, canalisations en polythylne haute densit (PEHD), pices mcaniques en polyamide, mousses d'isolation en polyurthane (PU), sacs biodgradables en acide polylactique (PLA), etc. ; les matriaux de la micro-lectronique : AsGa, InP, Si, SiC, Ge, AlInP sont utiliss dans la conception des diodes, transistors, diodes lasers, photodtecteurs, etc. ; les cramiques et les verres : vitres, disques de frein en carbone-cramique, outils de machine-outil en carbure de tungstne, pot catalytique en Zircone, etc. ; les composites : coques de bateaux, pales d'hlicoptres, aubes de turbine, casques de moto, skis, surfs, planches voile, arbres de transmission, etc. ; les mtaux et alliages : mobilier urbain en acier galvanis, tles en acier, filtres, lectrodes de batterie, coupe-flammes en mousse mtallique, etc.
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Le dveloppement de la protection de l'environnement et du recyclage encourage les entreprises rechercher de nouveaux matriaux, comme les matriaux biodgradables. L'acide polylactique, extrait de vgtaux comme la betterave ou le mas, en est un bon exemple. Il est actuellement utilis pour les fils de suture rsorbables, pour remplacer les sacs plastiques, ou encore pour les botes plastiques.
Aspects conomiques et environnementaux []

Certains aspects conomiques et environnementaux nous amnent revoir notre faon d'utiliser les matriaux. Le recyclage des matriaux est amen se dvelopper[7]. Par exemple, dans le domaine de la microlectronique, les fabricants d'crans plats ont t confronts la flambe du cours de l'indium[8] et il devient intressant de le recycler. Autre exemple, l'puisement progressif des ressources ptrolires pose problme pour la production future de polymres. Il faut donc chercher des solutions alternatives (bioplastiques). Mais certains matriaux trs couramment utiliss ne sont toujours pas recyclables et constituent un vrai problme environnemental. On pense notamment au caoutchouc naturel, certains lastomres (styrne-butadine...) qui sont aujourd'hui encore les principaux constituants des pneus, et aux polymres thermodurcissables. Il faut donc soit mettre au point de nouveaux procds de recyclage, soit mettre au point des matriaux alternatifs plus cologiques, tels les lastomres thermoplastiques.
Prix Nobel []
Un certain nombre de prix Nobel de physique et chimie sont relatifs la science des matriaux :
Albert Fert et Peter Grnberg qui ont obtenu le prix Nobel de physique 2007 pour leur dcouverte simultane du phnomne de magntorsistance gante, trs utilise dans les ttes de lecture des disques durs modernes ; Pierre-Gilles de Gennes, prix Nobel de physique 1991 pour ses travaux sur les cristaux liquides et les polymres ; les prix Nobel de physique 2003 (supraconducteurs, superfluides), 2000 (htrostructures semi-conductrices), 1998 (effet Hall quantique fractionnaire), 1994 (cristaux), 1987, 1986, 1985, 1982[prcision ncessaire] ; les prix Nobel de chimie 2000 (polymres conducteurs), 1996 (fullerne).
Cristallographie
La cristallographie est la science qui se consacre l'tude des substances cristallines l'chelle atomique. Les proprits physico-chimiques d'un cristal sont troitement lies l'arrangement spatial des atomes dans la matire. L'tat cristallin est dfini par un caractre priodique et ordonn l'chelle atomique ou molculaire. Le cristal est obtenu par translation dans toutes les directions d'une unit de base appele maille lmentaire.
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Elle est en rapport avec des disciplines aussi diverses que la physique, la chimie, les mathmatiques, la biophysique, la biologie, la mdecine, la science des matriaux, la mtallurgie ainsi que les sciences de la terre.
Historique []
Le cristal, d'abord simple objet de curiosit, passionna les collectionneurs avant d'intriguer les savants qui, en tudiant sa structure, bauchrent les premires thories sur la constitution intime de la matire. La loi des indices rationnels ou des troncatures simples fut dfinie par l'abb Ren Just Hay en 1774. Par observation du phnomne de clivage de la calcite, il a dtermin les molcules intgrantes , c'est--dire les paralllpipdes identiques constituant les cristaux et suite cela, il a t dduit que chaque face d'un cristal peut tre repre dans l'espace par des nombres entiers.
Les bases []
La matire solide est compose d'atomes, que l'on peut voir comme des boules lmentaires qui s'assemblent. Elles peuvent s'assembler de plusieurs manires : quelques boules s'assemblent pour former une molcule, c'est le cas des gaz, des liquides, des solides molculaires, des polymres (caoutchoucs, plastiques, papiers, protines...), ces matriaux comportent des milliards de molcules semblables. Les boules s'agencent de manire irrgulire, on a alors de la matire dite amorphe (ou vitreuse ), comme par exemple le verre, ou encore elles s'entassent de manire ordonne, c'est alors un cristal. Dans les cristaux non molculaires, la structure est compos d'atomes ou d'ions qui forment un rseau tridimensionnel de polydres de coordination sans qu'aucune unit molculaire n'existe : c'est le cas de la quasi totalit des minraux et de la majorit des cristaux inorganiques.
Le cristal parfait []
Le cristal parfait est un modle utilis pour reprsenter la structure de la matire cristalline. Ce modle considre qu'un cristal est un empilement ordonn et infini d'atomes, d'ions ou de molcules. Le cristal est un solide structure constitue d'atomes ordonns dans un rseau priodique et mme tripriodique et symtrique. Il a des proprits de symtrie avec des axes directs et inverses, des miroirs, des plans et des centres de symtrie. Un cristal peut tre isotrope (mme indice de rfraction de la lumire dans toutes les directions) ou anisotrope (deux indices diffrents dans deux directions perpendiculaires). La maille lmentaire est le plus petit volume cristallin conservant toutes les proprits physiques, chimiques et gomtriques du cristal. Elle est dfinie par trois vecteurs qui gnrent ainsi six paramtres de mailles : les trois longueurs des vecteurs a, b, c et trois angles , , .
Le rseau cristallin []
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Un rseau est un ensemble de points ou nuds en trois dimensions qui prsente la proprit suivante : lorsque l'on se translate dans lespace selon certains vecteurs, on retrouve exactement le mme environnement. Il y a donc une priodicit spatiale. Cela permet de dfinir sept systmes rticulaires de base : cubique, hexagonal, rhombodrique, quadratique (ou ttragonal), orthorhombique, monoclinique et triclinique.
Le rseau de Bravais []
Le franais Auguste Bravais dfinit, en 1848, partir des diffrentes combinaisons des lments de symtrie cristalline, 32 classes de symtrie, qui elles-mmes se rpartissent en 14 types de rseaux (il n'existe pas d'autre faon de disposer des points dans l'espace, afin de raliser un rseau ou une maille, de manire ne laisser aucun volume libre entre les rseaux). Les 14 rseaux de Bravais sont des expansions des 7 formes primitives de cristaux. Voici deux exemples des rseaux de Bravais primitifs :
Triclinique:
on a
et aucun des angles n'est gal 90. Monoclinique:
Le deuxime rseau de Bravais est le rseau monoclinique. Celui-ci est compos de 2 bases rectangulaires et de 4 cts ayant la forme de paralllogrammes. Les trois longueurs a, b et c ne sont pas gales : , mais deux des trois angles sont 90.
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On peut le trouver en rseau primitif (P ), ou en rseau base centre (C ) (un nud au milieu de la face dfinie par les axes a et b). Articles dtaills : Rseau de Bravais et Famille cristalline.
Les indices de Miller []

Hay a dfini des indices (P, Q, R) qui permettent de reprer dans l'espace les faces d'un cristal. Miller, pour simplifier, a dit qu'il ne fallait pas utiliser P, Q et R mais leurs inverses (1/P, 1/Q, 1/R) qui seront nots h, k, l. Ils doivent tre entiers, premiers entre eux et de valeurs simples. Article dtaill : Indices de Miller. '
Groupes ponctuels de symtrie et groupes d'espace []

Le groupe ponctuel de symtrie d'un systme cristallin est le groupe (au sens mathmatique) regroupant l'ensemble des oprations de symtrie qui laissent un nud du rseau invariant. Ce nud est donc situ l'intersection de toutes les oprations de symtrie, dont la translation ne fait pas partie. Il existe 32 groupes ponctuels de symtrie distincts. Le groupe d'espace d'un systme cristallin regroupe l'ensemble des oprations de symtrie du groupe ponctuel, auxquelles s'ajoutent les oprations de translation. Vers 1890, Fedorov et Schoenflies dmontrrent - indpendamment l'un de l'autre - l'existence de 230 groupes, qui reprsentent toutes les combinaisons possibles de rseaux et d'oprations de symtrie. Pour plus d'information, voir les articles :

systme cristallin Groupe ponctuel de symtrie Groupe d'espace
Les dfauts cristallins []

Article dtaill : Dfaut cristallin.
La cristallognse []
La cristallognse est la formation d'un cristal, soit en milieu naturel, soit de faon exprimentale.
Diffraction []
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Principe []
Max von Laue eut l'ide d'irradier les cristaux avec des rayons X, car il pensait que le rseau cristallin ferait dvier le rayonnement de la mme faon que la lumire est dvie dans certains minraux transparents. L'exprience que des collgues ralisrent sur un cristal de sulfate de cuivre lui permit de faire la dmonstration de la structure priodique des empilements d'atomes dans les cristaux et de la nature ondulatoire du rayonnement X. La dtermination structurale s'effectue le plus souvent en mesurant la diffraction du rayonnement lectromagntique des rayons X, dont les longueurs d'onde sont de l'ordre des distances qui sparent les plans atomiques de la structure cristalline. Lorsque le cristal tudier est irradi par un fin faisceau de rayons X, chacun des atomes du cristal diffuse une onde de faible amplitude, qui se propage dans toutes les directions. Les ondes issues des atomes interfrent et donnent lieu la diffraction, faisant apparatre sur le dtecteur qui les reoit des taches qui correspondent au maximum des ondes en phase ; les autres, en opposition de phase, se sont annules.
Rseau rciproque []
Au niveau d'un cran situ une distance des centres diffuseurs secondaires, on observera des figures de diffraction qui permettent de visualiser les perturbations cres par les interfrences cites prcdemment. Le rseau rciproque est l'image que l'on obtient partir de la figure de diffraction.
Appareillage utilis en cristallographie []

Le microscope polariseur analyseur Le diffractomtre
Matriaux isotropes et anisotropes []

En ce qui concerne les liquides et les gaz on peut considrer que le milieu est isotrope. Exception tout de mme, les proprits physiques des cristaux liquides sont anisotropes. Cette complexit vient de l'arrangement tridimensionnel des molcules qui composent le liquide. En effet, les choses se compliquent lorsque l'on parle de cristaux: seuls les cristaux cubiques (ainsi que les matriaux amorphes) sont isotropes, tous les autres tant anisotropes.
Applications []
On utilise les proprits de diffraction des cristaux en physique, chimie, biologie, biochimie, mdecine et en sciences de la terre. Leur analyse donne des informations sur des substances cristallines organiques et inorganiques (distance entre atomes, agencement spatial des atomes, identification de phases cristallines, taille des cristallites).
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Silicate
Un silicate est un sel drivant de la silice (SiO2). En chimie, ce sont des composs chimiques. En minralogie, les silicates dsignent une importante famille de minraux. Les silicates constituent 97 % de la crote terrestre. Il en existe de nombreuses varits :

silicates ferromagnsiens : chlorites, serpentines, amphiboles, pyroxnes, pridots ou olivines, grenats ; aluminosilicates, pour lesquels laluminium peut remplacer le silicium : feldspaths, riches en silice, zolites, micas ; silicates dalumine : tourmaline, grenats.
Classement des silicates []

Les silicates sont des minraux dont le squelette est essentiellement form par des ttradres de silicium et d'oxygne additionns daluminium, magnsium, fer, calcium, potassium, sodium et autres lments. Ils peuvent tre classs selon plusieurs critres, mais les deux classifications les plus employes en minralogie sont bases sur lenchanement des ttradres : 1. la classification topochimique (classification de Machatski-Bragg) est bas sur lenchanement des ttradres o le silicium et laluminium peuvent donner lieu substitution isomorphe ; les ttradres o seul laluminium est prsent sont considrs htro-ttradres ; 2. la classification topologique (classification de Zoltai) est base sur lenchanement des ttradres centrs par nimporte quel cation. Les sous-catgories dfinies par ces deux critres sont les mmes et, dans la plupart des cas, le rsultat final est aussi le mme. Toutefois, dans le cas daluminosilicates dont la structure comporte des ttradres centrs par des anions autres que le silicium et laluminium, les deux classifications divergent. Les principaux groupes daluminosilicates (et leurs minraux les plus reprsentatifs) sont :

les tectosilicates : les ttradres ont tous leurs sommets communs : quartz, tridymite, cristobalite, feldspaths, feldspathodes, zolites, scapolites. les phyllosilicates : les ttradres partagent trois sommets sur quatre et forment un feuillet bidimensionnel : chlorites, micas, talc, pyrophyllite, serpentine, kaolinite ; les inosilicates : les ttradres sont associs en chanes ou en rubans. pyroxnes, amphiboles, pyroxnodes, amphibolodes ; les cyclosilicates : la structure est compose danneaux isols de 3, 4 ou 6 ttradres. tourmaline, bryl, cordirite, dioptase ; les sorosilicates : deux ttradres partagent un sommet et forment un groupe [Si2O7]6- : pidotes, mlilite, thortveitite, Hmimorphite (Calamine)
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les nsosilicates (ou orthosilicates) : les ttradres n'ont aucun sommet commun, mais seulement avec dautres polydres ; les anions appartiennent tous aux ttradres. zircon, olivines, grenats ; o nsosubsilicates : comme pour les nsosilicates, les ttradres n'ont pas de sommet commun, mais ici la structure comporte en plus des anions qui nappartiennent pas des ttradres : disthne, andalousite, sillimanite, staurotide, topaze, titanite (sphne).
Les principales diffrences entre la classification topochimique de Machatski-Bragg et celle topologique de Zoltai sont donnes dans le tableau suivant. Exemples de diffrence entre les deux classifications des aluminosilicates. [4], [6] et [8] indiquent le nombre de coordination des cations Classification Classification topochimique HtroMinral formule topologique (Machatskittradre(s) (Zoltai) Bragg) [4] [4] Ptalite Li Al[4]SiO4 phyllo tecto Al, Li [4] [4] [4] -eucriptite Li Al SiO4 neso tecto Al, Li [4] Phnacite Be2[4]SiO4 neso tecto Be [4] [4] Willemite Zn2 SiO4 neso tecto Zn [6] [4] [4] Bryl Al2 Be3 Si6O18 cyclo tecto Be [6] [4] [4] Cordirite Mg2 Al3 (AlSi5)O18 cyclo tecto Al Hmimorphite [4] Zn4[4]Si2O7(OH)2(H2O) soro tecto Zn (Calamine) [8] Mlilite CaNa[4]Al[4]Si2O7 soro phyllo Al [6] [4] [4] Sillimanite Al Al SiO5 neso soro Al
Les silicates en astronomie []

Certaines toiles entoures de matire circumstellaire froide en de de la temprature de sublimation des silicates, aux alentours de 1 500 K prsentent des grains de poussire constitus de silicates. Leur prsence est rvle par des raies spectrales larges, appeles features des silicates, dans les bandes spectrales infrarouges N et Q, 10 et 20 m respectivement. Le profil spectral de ces features, qui dpend du type de silicate, de la gomtrie des grains de poussire et de la prsence additionnelle dautres composs (par ex. la glace moins de 300 K), donne des indications sur les conditions physico-chimiques des environnements tudis. La prsence de silicate est frquemment atteste autour des toiles jeunes et les toiles volues, notamment dans les disques daccrtion et les enveloppes circumstellaires.
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Silicium
Silicium Aluminium Silicium Phosphore C Si Ge Table complte Table tendue Informations gnrales Nom, Symbole, Numro Srie chimique Groupe, Priode, Bloc Masse volumique Duret Couleur N CAS N EINECS Silicium, Si, 14 mtallode 14, 3, p 2,33 gcm-3 (25 C)[1] 6,50 gris fonc 7440-21-3 [2] 231-130-8 Proprits atomiques Masse atomique Rayon atomique (calc) Rayon de covalence Rayon de van der Waals Configuration lectronique lectrons par niveau d'nergie tat(s) d'oxydation Oxyde Structure cristalline 28,0855 0,0003 u[1] 110 pm (111 pm) 1,11 0,02 [3] 210 [Ne] 3s2 3p2 2, 8, 4 +1, +2, +3, +4 amphotre diamant Proprits physiques
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Si
tat ordinaire Temprature de fusion Temprature d'bullition nergie de fusion nergie de vaporisation Volume molaire Pression de vapeur Vitesse du son Divers lectrongativit (Pauling) Chaleur massique Conductivit lectrique Conductivit thermique
solide diamagntique 1 414 C [1] 3 265 C [1] 50,55 kJmol-1 384,22 kJmol-1 12,0610-6 m3mol-1 4,77 Pa 8 433 ms-1 20 C
1,90 700 Jkg-1K-1 2,5210-4 Sm-1 148 Wm-1K-1
nergies d'ionisation 1re : 8,15168 eV [4] 3e : 33,49302 eV [4] 5e : 166,767 eV [4] 7e : 246,5 eV [4] 9e : 351,12 eV [4] 11e : 476,36 eV [4] 13e : 2 437,63 eV [4] 2e : 16,34584 eV [4] 4e : 45,14181 eV [4] 6e : 205,27 eV [4] 8e : 303,54 eV [4] 10e : 401,37 eV [4] 12e : 523,42 eV [4] 14e : 2 673,182 eV [4] Isotopes les plus stables iso
28 29
AN 92,23 % 4,67 % 3,1 % {syn.}
Si Si 30 Si 32 Si
Ed MeV stable avec 14 neutrons stable avec 15 neutrons stable avec 16 neutrons 172 ans 0,224 Priode MD Prcautions SIMDUT[5]
PD
32
42
B4, [+]
Units du SI & CNTP, sauf indication contraire.
Le silicium est un lment chimique de la famille des cristallognes, de symbole Si et de numro atomique 14. C'est l'lment le plus abondant dans la crote terrestre aprs l'oxygne, soit 25,7 % de sa masse[6]. Il n'existe pas l'tat libre, mais sous forme de composs : sous forme de dioxyde de silicium (SiO2), la silice (dans le sable, le quartz, la cristobalite, etc.), ou d'autres silicates (dans les feldspaths, la kaolinite...). Il est utilis depuis trs longtemps sous forme d'oxyde de silicium amorphe (silice ou SiO2) comme composant essentiel du verre. Il a depuis le milieu XX sicle de nouveaux usages en lectronique (transistor), pour la production de matriaux tels que les silicones ou, pour fabriquer des panneaux solaires photovoltaques. Le nom drive du latin silex, silicis ; qui signifie caillou ou silex[7]. Il faut signaler, pour viter une frquente erreur de traduction depuis l'anglais, que l'anglais silicon signifie silicium, tandis que silicone correspond bien au silicone. De son ct, silica dsigne la silice.
Caractristiques []
Poudre de silicium
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Polycristal de silicium Les cristaux de silicium sont gris noirs, en forme d'aiguille ou d'hexadres (forme cubique). La phase amorphe est une poudre marron fonce. Le silicium est un semi-conducteur, sa conductivit lectrique est trs infrieure celle des mtaux. Il est quasi insoluble dans l'eau. Il est attaqu par l'acide fluorhydrique (HF) ou un mlange acide fluorhydrique/acide nitrique (HNO3) en fonction de la phase. Le silicium prsente des reflets mtalliques bleuts, mais n'est pas du tout aussi ductile que les mtaux. Il existe trois isotopes naturels du silicium : 28Si (92,18 %), 29Si (4,71 %) et 30Si (3,12 %). Il existe galement des isotopes artificiels instables : 25Si, 26Si et 27Si qui sont metteurs +, ainsi que 31Si 34Si qui sont metteurs -.
Cristallographie []
Maille lmentaire de type diamant du silicium Le silicium, comme le germanium et la forme diamant du carbone, a une structure de type diamant , forme drive de la structure cubique faces centres (cfc), avec un paramtre de maille de 0,5430710 nm[8].
Dcouverte []
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Un des composs du silicium, la silice (dioxyde de silicium), tait dj connu dans l'Antiquit. La silice a t considre comme lment par les alchimistes puis les chimistes. C'est un compos trs abondant dans les minraux. Du silicium a t isol pour la premire fois en 1823 par Jns Jacob Berzelius. Ce n'est qu'en 1854 que Henri Sainte-Claire Deville obtient du silicium cristallin.
Utilisations []
Alliages Aluminium-Silicium []
La principale utilisation du silicium en tant que corps simple est comme lment d'alliage avec l'aluminium. Les alliages Aluminium-Silicium (AS ou srie 40000 suivant NF EN 1780-1) sont utiliss pour l'laboration de pices moules, en particulier pour l'automobile (par exemple jantes en alliage) et l'aronautique (par exemple lments de moteurs lectriques embarqus). Les alliages Aluminium-Silicium reprsentent peu prs 55 % de la consommation mondiale de silicium.
Synthse des silicones []

Article dtaill : Silicone. La synthse des silicones reprsente galement une utilisation importante du silicium (environ 40 % de la consommation). Ces polymres [(CH3)2SiO]n sont utiliss dans des mastics pour joint, des graisses rsistantes l'eau ou conductrices de la chaleur, les poudres lessivielles ou les shampoings conditionneurs, etc.
Semi-conducteur []
Les proprits de semi-conducteur du silicium ont permis la cration de la deuxime gnration de transistors, puis les circuits intgrs (les puces ). C'est aujourd'hui encore l'un des lments essentiels pour l'lectronique, notamment grce la capacit technologique actuelle permettant d'obtenir du silicium pur plus de 99,999 99 % (tirage Czochralski, zone fondue flottante). La magie de la lithographie sur silicium : les productions commerciales courantes (2007) de circuit intgr ralisent la prouesse d'une finesse de gravure de 45 nm sur des plaques de 30 cm (12 pouces, la taille d'un disque 33 tours). Ce qui permettrait de graver 600 millions de sillons (soit un disque de 20 millions de minutes, environ 40 ans de musique, ou bien de l'ordre de 20 milliards de chansons au format numrique Ogg Vorbis).
Photovoltaque []
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Cellule photovoltaque en silicium Article dtaill : Cellule photovoltaque. En tant que semi-conducteur, le silicium est aussi l'lment principal utilis pour la fabrication de cellules solaires photovoltaques. Celles-ci sont alors montes en panneaux solaires pour la gnration d'lectricit.
Composants mcaniques []
Le silicium prsente l'tat pur des caractristiques mcaniques leves qui le font utiliser pour la ralisation de petites pices destines certains micromcanismes et mme la fabrication de ressorts spiraux destins des montres mcaniques haut de gamme.
Micro et nanostructure []
Du fait de la performance des procds de gravure et de formation de forme avec le silicium, le silicium est utilis pour :

la formation de silicium nanoporeux pour dissocier l'hydrogne de l'oxygne de molcule d'eau dans les piles combustibles ; la formation de nanopics sur une surface de silicium par Gravure Ionique Ractive (RIE) en vue de relier des puces de semi-conducteur[9].
Composs []
Articles dtaills : Silice, Verre, Quartz (minral) et Carbure de silicium. Outre les proprits du silicium lmentaire, de nombreux composs du silicium possdent des applications. Parmi les plus connus :
la silice se trouve dans la nature sous forme compacte (galets, quartz filonien par exemple), ou sous forme de sable plus ou moins fin. On l'obtient aussi industriellement, sous forme pulvrulente (silice synthtique). Elle a de nombreux usages : o le verre est fabriqu depuis des millnaires en faisant fondre du sable principalement compos de SiO2 avec du carbonate de calcium CaCO3 et du carbonate de sodium Na2CO3. Le verre peut tre amlior par diffrents additifs,
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le sable de silice est un des composants des cramiques, le quartz forme de superbes cristaux. Il est utilis comme matriau transparent, plus rsistant la chaleur que le verre (ampoule de lampes halognes). Il est galement beaucoup plus difficile fondre et travailler, la silice intervient aux cts du noir de carbone dans la fabrication des pneumatiques conomes en nergie (pneus verts ), la silice trs fine est utilise comme adjuvant pour les btons haute performance ;
le ferro-silicium et le silico-calcium sont utiliss comme lments d'addition dans l'laboration d'aciers ou de fontes ; le carbure de silicium possde une structure cristalline analogue celle du diamant ; sa duret en est trs proche. Il est utilis comme abrasif ou sous forme cramique dans les outils d'usinage ; le silicate de calcium CaSiO3 est un des composants des ciments.
Dans la nature []
Aprs l'oxygne, c'est l'lment le plus abondant dans la crote terrestre.
Minraux []
Article dtaill : Silicates. Le silicium sur Terre se trouve essentiellement sous forme minrale, et en particulier sous forme de silicates, qui constituent 97 % de la crote terrestre. Le silicium est par exemple constitutif du sable de silice, rsultat de la dgradation de roches comme le granit.
Molcules organiques []
Le silicium se trouve dans certaines molcules organiques, comme les silanes mthylsilanetriols, dimthylsilanediol , les silatranes.
Biologie du silicium[10] []
Les diatomes, prsentes dans le plancton, participent au cycle gochimique du silicium dans les mers, car elles extraient la silice pour former leurs membranes externes. L'organisme humain contient entre 200 mg et 7 g de silicium, suivant les sources. Le silicium se retrouve dans tous les glycosaminoglycanes et polyuronides : chondrotine sulfate, dermatansulfate, kratan-sulfate, hparan-sulfate et hparine. Lacide hyaluronique est la macromolcule la plus riche en silicium. Le silicium est aussi impliqu dans la synthse du collagne (3 6 atomes de Si par chaine alpha) et de l'lastine. Le silicium est un constituant important dans les
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tissus de la paroi artrielle. L'aorte se trouve tre le tissu qui en contient le plus avec la peau et le thymus. Le taux de silicium dans ces tissus diminue avec l'ge dans des proportions trs importantes (perte suprieure 60-70 %). Le silicium potentialiserait l'action du Zinc (Zn) et du Cuivre (Cu) et permettrait la fixation du Calcium (Ca). Les crales et l'eau de boisson (dont la bire fabrique partir d'eau et de crales) apportent naturellement la quantit suffisante (25 mgj-1) pour satisfaire les besoins (environ 5 mgj-1). L'Afssa (Agence franaise de scurit sanitaire des aliments) n'a pas dfini d'apports nutritionnels conseills pour le silicium car ils sont largement couverts par l'alimentation. Par abus, certains parlent de silice organique . Il semble que cette dnomination soit plutt un procd commercial dans le domaine des mdecines parallles. Le silicium, dans notre corps, est indispensable au processus de dclenchement de fabrication des antignes et des anticorps. D'autres (le chimiste Yvan Coste Manire par exemple, cofondateur des Laboratoires DEXSIL) signalent au contraire que notre rserve de silicium diminue drastiquement avec l'ge, et que ds cinquante ans il n'est pas inutile de compenser la perte par un apport extrieur en silice. On parle de "silicium organique" dans le cas o l'on ajoute un atome de carbone sa molcule, ce qui la fait "reconnatre" et assimiler plus facilement par l'organisme. La silice tire des plantes polymrise une fois extraite et retourne trs rapidement la forme minrale, reformant ainsi des molcules trop grosses et trs difficilement assimilables. Il est donc prfrable de supplmenter l'organisme en silice organique plutt qu'en silice vgtale ou minrale issue de notre alimentation.
L'hypothtique biochimie base de silicium []

la limite de la science et de la science-fiction, de multiples travaux[rf. souhaite] visent mettre en vidence la possibilit d'une tout autre forme de vie, base non pas sur le carbone, mais sur le silicium. Ceci se fonde sur le fait que le silicium est non seulement ttravalent comme le carbone, mais qu'il est susceptible de former des complexes penta- et hexa-coordins chargs et stables. Ils pourraient avoir des proprits catalytiques intressantes qui ont t peu explores dans les hypothses exobiologiques. Cependant, le silicium n'a qu'une faible capacit former des liaisons multiples, puisque l'nergie de dissociation des liaisons est beaucoup plus faible que celle des liaisons impliquant le carbone[11]. La position mdiane actuelle semble tre ngative, le silicium ne participant que peu des ractions biologiques mais servant plutt de support (enveloppes, squelettes, gels)
Production industrielle du silicium []

Le silicium n'existe pas naturellement l'tat libre sur la Terre, mais il est trs abondant sous forme d'oxydes, par exemple la silice ou les silicates. Le silicium est extrait de son oxyde par des procds mtallurgiques, et son niveau de puret dpend de son utilisation finale.
Puret du silicium []
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Barreau de silicium de qualit solaire On distingue trois niveaux de puret du silicium, dsigns en fonction de l'utilisation :

silicium mtallurgique (puret 99 %), not MG-silicium (en anglais : metallurgical grade) ; silicium de qualit solaire (puret 99,999 9 %), not SoG-silicium (solar grade) ; silicium de qualit lectronique (puret 99,999 999 99 %), not EG-silicium (electronic grade).
Production du silicium mtallurgique []

Pour obtenir du silicium libre (parfois appel improprement silicium mtal pour le distinguer du ferrosilicium), il faut le rduire ; industriellement, cette rduction s'effectue par lectromtallurgie, dans un four arc lectrique ouvert dont la puissance peut aller jusqu' environ 30 MW. La raction globale de principe est une raction de carborduction : SiO2 + C Si + CO2. La ralit est plus complexe, avec des ractions intermdiaires conduisant par exemple la formation de SiC, de SiO (instable).
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En pratique, le silicium est introduit sous forme de morceaux de silice (galets, ou morceaux de quartz filonien), en mlange avec des rducteurs tels que le bois, le charbon de bois, la houille, le coke de ptrole. Compte tenu des exigences de puret des applications finales, la silice doit tre relativement pure (faible teneur en oxyde de fer en particulier), et les rducteurs soigneusement choisis (houille lave par exemple). Le mlange est dvers dans un creuset de plusieurs mtres de diamtre, o plongent des lectrodes cylindriques en carbone (trois le plus souvent) qui apportent la puissance lectrique et permettent d'atteindre les trs hautes tempratures dont les ractions recherches ont besoin (autour de 3 000 C dans la rgion de l'arc lectrique, la pointe des lectrodes). Le silicium obtenu est recueilli dans des poches , l'tat liquide, grce des orifices pratiqus dans le creuset. Il est ensuite affin dans ces poches, par injection d'air pour oxyder l'aluminium et le calcium. Puis il est spar du laitier (oxydes produits au cours des diffrentes tapes du procd et entrans avec le silicium) avant d'tre solidifi :

soit par coule en lingotires ou sur une surface plane ; soit par granulation l'eau (le silicium liquide est alors vers dans de l'eau et les gouttes de silicium se solidifient en petits granules : opration relativement dlicate).
Les ractions intermdiaires conduisant la rduction du silicium produisent aussi une trs fine poussire de silice amorphe, qui est entraine par les gaz chauds (essentiellement air et dioxyde de carbone) mis par le four ; dans les installations modernes, ces gaz sont filtrs pour recueillir cette poussire de silice amorphe, qui est utilise comme lment d'addition dans les btons haute performance. Selon les applications, le silicium est utilis sous forme de morceaux (production des alliages aluminium-silicium) ou sous forme de poudre obtenue par broyage (production des silicones). Le silicium pour lectronique est obtenu partir du silicium lectromtallurgique, mais ncessite une tape chimique (purification ralise sur des silanes) puis un ensemble de purifications physiques, avant le tirage des monocristaux.
Prparation pour l'industrie lectronique []

Prparation du Si pur [] L'opration s'effectue partir du trichlorosilane (SiHCI3), ou du ttrachlorure de silicium (SiCl4), ou du ttraiodure de silicium (SiI4), etc. Par exemple, en attaquant du siliciure de cuivre 300 C par de l'acide chlorhydrique il se forme du trichlorosilane ; ce corps est purifi par une distillation trs pousse ; il est ensuite dcompos 950 C en prsence d'hydrogne ; on obtient des blocs compacts de silicium trs pur (procd Pechiney).
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Prparation du monocristal []
Barreau 302 grammes (10,3 cm de long 4 cm de diamtre) de silicium polycristallin destin la production de silicium monocristallin par le procd Czochralski
Monocristal de silicium On dsire obtenir des monocristaux de type N ; or le silicium obtenu chimiquement contient toujours quelques traces de bore et il est de type P ; on le cristallise donc et on le transforme en semi-conducteur de type N.
Principe []
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On place dans un creuset en quartz une quantit de silicium correspondant sensiblement au poids du monocristal obtenir ; on ajoute le dopeur donneur d'lectrons ; aucune impuret ne doit perturber la cristallisation ; l'opration doit donc se drouler dans une enceinte hermtiquement close, d'une propret chirurgicale , et dans une atmosphre neutre, ou sous vide.
Ralisation []
Autour de l'enceinte isolante en quartz est plac l'inducteur d'un gnrateur haute frquence qui permet de porter le mlange Si-dopeur la temprature de fusion, soit 1 500 C environ. Lorsque la fusion est totale, l'opration de cristallisation peut commencer ; cet effet, un systme mcanique de prcision prsente le germe monocristal au contact du bain, puis le soulve verticalement, trs lentement, tout en lui imprimant une trs lente rotation qui aide l'homognisation. Le germe entrane le silicium qui se trouve alors soustrait l'action de l'induction HF ; le Si se refroidit donc et cristallise suivant l'ordonnancement fix par le germe. L'opration est trs dlicate ; la vitesse de levage doit tre constante afin de ne pas perturber la formation du cristal ; la temprature du bain doit tre galement constante, 0,1 C prs (et ceci vers 1 500 C). L'homognisation, aide par les deux mouvements de levage et de rotation, est primordiale ; en effet, mesure que l'opration progresse, le bain voit sa concentration en impurets augmenter parce que ces dernires prsentent plus d'affinit pour la phase liquide que pour la phase solide. Le monocristal obtenu se prsente sous la forme d'un cylindre peu prs rgulier, pouvant atteindre 30 cm de diamtre[12] ; on le sectionne ses deux extrmits : la tte, qui est trs pure, servira de germe pour une opration ultrieure ; le bas, qui risque de ne pas tre assez pur, est rejet. Prparation des plaquettes (wafers) []
Conditions remplir []
Du fait du prix trs lev du silicium monocristallin, il faut viter la perte de matire pendant la prparation des wafers. Celles-ci sont trs fragiles ; il faut donc viter toute contrainte pouvant les dformer ou les briser. Par ailleurs, l'tat de surface des wafers doit tre aussi parfait que possible. Enfin le traitement ne doit pas polluer le monocristal.
Trononnage []
Le silicium est dcoup en plaquettes (wafers) de 0,2 0,3 mm d'paisseur au moyen d'une scie circulaire diamante de grande prcision. Le travail s'effectue dans l'eau afin d'viter tout chauffement et toute pollution. Les dchets tant importants, les boues sont filtres et la poudre de silicium est rcupre et utilise nouveau.
Rodage des faces []
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Wafer de silicium poli Il a pour but d'liminer les irrgularits de surface provoques par les grains de poudre de diamant lors du trononnage ; il s'effectue avec de la poudre de carborundum. Aprs le rodage mcanique, un rodage chimique vient supprimer les dernires irrgularits sur la couche superficielle qui peut avoir t pollue. cet effet, on utilise des bains d'acides (acides fluorhydrique et nitrique) ; puis les wafers sont rinces soigneusement et sches. Cette attaque chimique peut tre remplace ou complte par un polissage lectrolytique. Dcoupage des pastilles [] On dcoupe les plaquettes (wafers) en un trs grand nombre de pastilles, avec prcision, la largeur du trait de dcoupe tant aussi faible que possible (0,125 0,15 mm). Les bavures de dcoupage sont ensuite limines par attaque chimique suivie d'un rinage.
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