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Optolectronique

trahertz
Sous la direction de Jean-Louis COUTAZ
Avec la collaboration de Robin BOQUET, Nicolas BREUIL,
Laurent CHUSSEAU, Paul CROZAT, Jean DEMAISON,
Lionel DUVILLARET, Guilhem GALLOT, Frdric GARET,
Jean-Franois LAMPIN, Didier LIPPENS,
Juliette MANGENEY, Patrick MOUNAIX, Gal MOURET,
Jean-Franois ROUX
17, avenue du Hoggar
Parc dactivits de Courtabuf, BP 112
91944 Les Ulis Cedex A, France
Imprim en France.
2008, EDP Sciences, 17, avenue du Hoggar, BP 112, Parc dactivits de Courtabuf,
91944 Les Ulis Cedex A
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tous pays. Toute reproduction ou reprsentation intgrale ou partielle, par quelque procd que
ce soit, des pages publies dans le prsent ouvrage, faite sans lautorisation de lditeur est illicite
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elles sont incorpores (art. L. 122-4, L. 122-5 et L. 335-2 du Code de la proprit intellectuelle).
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franais dexploitation du droit de copie, 3, rue Hautefeuille, 75006 Paris. Tl. : 01 43 26 95 35.
ISBN EDP Sciences 978-2-86883-975-6
Liste des auteurs
Sous la direction de :
Jean-Louis COUTAZ, professeur, Laboratoire IMEP-LAHC, universit
de Savoie, Le Bourget du Lac
Robin BOQUET, professeur, Laboratoire de physico-chimie de latmo-
sphre, universit du Littoral, Dunkerque
Nicolas BREUIL, ingnieur, Thals Airborne Systems, lancourt
Laurent CHUSSEAU, directeur de recherche au CNRS, Institut dlec-
tronique du Sud, Montpellier
Paul CROZAT, professeur, Institut dlectronique fondamentale, Orsay
Jean DEMAISON, directeur de recherche au CNRS, Laboratoire
PHLAM, universit de Lille I
Lionel DUVILLARET, professeur, Laboratoire IMEP-LAHC, Institut
national polytechnique de Grenoble
Guilhem GALLOT, charg de recherche au CNRS, Laboratoire dop-
tique et biologie, cole polytechnique, Palaiseau
Frdric GARET, matre de confrences, Laboratoire IMEP-LAHC,
universit de Savoie, Le Bourget du Lac
Jean-Franois LAMPIN, charg de recherche au CNRS, Institut de mi-
crolectronique et nanotechnologie du Nord, Villeneuve dAscq
Didier LIPPENS, professeur, Institut de microlectronique et nano-
technologie du Nord, Villeneuve dAscq
Juliette MANGENEY, matre de confrences, Institut dlectronique
fondamentale, Orsay
Patrick MOUNAIX, charg de recherche au CNRS, Laboratoire CP-
MOH, universit de Bordeaux
Gal MOURET, matre de confrences, Laboratoire de physico-chimie
de latmosphre, universit du Littoral, Dunkerque
Jean-Franois ROUX, matre de confrences, Laboratoire IMEP-LAHC,
universit de Savoie, Le Bourget du Lac.
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Avant-propos
Les ondes lectromagntiques trahertz suscitent aujourdhui un engoue-
ment sans prcdent d aux applications entrevues, dans des domaines aussi
varis que lenvironnement, la scurit, limagerie, les tlcommunications...
Jusquaux annes 1990, les tudes dans le domaine trahertz sont restes
connes dans des laboratoires spcialistes de linfrarouge trs lointain,
cause de labsence de sources et de dtecteurs faciles utiliser. Une rvolu-
tion technologique a eu lieu cette poque avec lapparition de lasers com-
merciaux dlivrant des impulsions optiques de dure femtoseconde, qui ont
facilit la gnration et la dtection des signaux trahertz. Depuis, des tech-
niques complmentaires ont fait progresser les performances des systmes
trahertz, si bien que nous sommes actuellement une poque charnire o
la science trahertz est en train de migrer des laboratoires vers les entreprises
et vers les applications grand public.
Ce livre, destin un public de scientiques (chercheurs ou tudiants de
3
e
cycle) et dingnieurs non spcialistes du domaine, a pour but de prsenter
lensemble des principes, des techniques et des applications des ondes tra-
hertz. Devant lampleur des concepts mis en jeu, nous nous sommes limits
la description des technologies optolectroniques qui sont aujourdhui les
plus abouties pour un transfert industriel. Le livre sarticule autour de cinq
parties. La premire donne une description globale du domaine. La seconde
dcrit les principes physiques de base rencontrs dans le domaine trahertz.
La troisime partie sintresse aux composants, et la quatrime partie aux
systmes et techniques de mesure. Enn, la dernire partie prsente les ap-
plications des ondes trahertz dans le domaine de la scurit, des communi-
cations, de la sant, de la dfense... Ce livre a t rdig par un ensemble de
spcialistes franais. Toutes les direntes contributions ont t harmonises
pour que le livre soit homogne et ainsi de lecture plus aise.
Cet ouvrage est le fruit dune coopration enthousiaste depuis
lanne 2000 entre ces spcialistes sous lgide du Club Ecrin
1
qui fdre
les quipes de recherches universitaires et les industriels EADS et THALES
an de promouvoir les nouvelles technologies dans le domaine trahertz.
1
Fonde par le CNRS et le CEA, lassociation Ecrin (change et coordination recherche-
industrie) a pour but de rapprocher les laboratoires de recherche et les entreprises pour
acclrer les transferts de technologies et crer de linnovation (www.ecrin.asso.fr).
6 Optolectronique trahertz
En ralit, cette aventure a commenc en 1988 et elle illustre la puissance
et lecacit que peuvent engendrer des relations informelles. En eet, il fal-
lait alors pallier au manque de sources trahertz au sein des laboratoires.
Daniel Boucher, lpoque enseignant-chercheur luniversit de Lille, et
Jean-Pierre Gex, directeur commercial dun GIE CEA-Arospatiale, se ren-
contrrent autour dun caf et, pour des intrts vidents, dcidrent trs vite
de monter un projet dune source lectrons libres qui aurait t implante
Lille. Ils taient alors encourags par Pierre Glorieux, Jean Demaison, Didier
Dangoisse, Robin Bocquet de luniversit de Lille. Mais cette poque, les la-
sers femtoseconde rent leur premire apparition. Daniel Boucher se dpcha
den acheter un et de monter une exprience de spectroscopie trahertz dans
le laboratoire quil venait de crer luniversit du Littoral Dunkerque,
abandonnant ainsi lide du laser lectrons libres. Dj, suite aux travaux
prcurseurs du Laboratoire doptique applique de lENSTA Palaiseau,
quelques laboratoires franais (LAHC-Chambry, IRCOM-Limoges, CESTA-
CEA) staient lancs dans laventure de loptolectronique trahertz. Aussi,
Jean-Pierre Gex et Daniel Boucher sentirent la ncessit dune premire
confrence trahertz quils organisrent lObservatoire de Paris en 1999.
Une trentaine de personnes y participrent dont des reprsentants de Thom-
son (Thals) et Arospatiale (EADS). Une grande partie de ces participants
dcidrent de maintenir entre eux des contacts de travail, donnant ainsi nais-
sance au groupe de travail trahertz dans le cadre du club Ecrin. Aujour-
dhui, ce groupe de travail rassemble une grande partie des acteurs franais
de loptolectronique trahertz, il se runit plusieurs fois par an et, dans une
ambiance chaleureuse, monte des projets, recherche le nancement de thses,
organise tous les deux ans les Journes Trahertz et, le trahertz devenant
une technologie haut potentiel, publie ce livre.
Lensemble du groupe trahertz ddie ce livre la mmoire de Daniel
Boucher, rcemment disparu, qui a eectu durant plus de trente ans des
travaux de recherche dans le domaine trahertz, motivant jeunes chercheurs
et ingnieurs sintresser ce domaine spectral, dont il tait convaincu du
grand intrt pour la recherche acadmique et du haut potentiel de dvelop-
pement et dapplications.
Jean-Pierre Gex, Ecrin
Grard-Pascal Piau, EADS
Jean-Louis Coutaz, universit de Savoie
Table des matires
Avant-propos 5
Table des matires 7
I Description gnrale 13
1 Introduction 15
1.1 Remarques prliminaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2 Infrarouge lointain ou domaine trahertz . . . . . . . . . . . . 20
1.3 Sources de rayonnement trahertz . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.1 Foss du trahertz . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.2 Sources classiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.3.3 Lasers molculaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.3.4 Sources optolectroniques . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.3.5 Lasers cascade quantique . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3.6 Bilan comparatif et perspectives . . . . . . . . . . . . 30
1.4 Dtecteurs de rayonnement trahertz . . . . . . . . . . . . . . 30
1.4.1 Dtecteurs incohrents : bolomtres... . . . . . . . 30
1.4.2 Dtecteurs optolectroniques . . . . . . . . . . . . . . 34
1.5 Interaction entre les ondes trahertz
et la matire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
1.6 Applications entrevues et tat actuel de leur dveloppement 36
II Principes physiques de base 39
2 Notions physiques de base 41
2.1 lectromagntisme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.1.1 quations de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.1.2 quations de propagation du champ lectromagntique 43
2.1.3 nergie lectromagntique . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.4 lectromagntisme non linaire . . . . . . . . . . . . . 48
2.2 Photonique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
8 Optolectronique trahertz
2.2.1 nergie du photon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.2.2 Puissance lumineuse et statistique du ux de photons 55
2.3 Interaction lumire-matire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.3.1 Gnralits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.3.2 Modle classique de linteraction dipolaire . . . . . . . 57
2.3.3 Traitement quantique de linteraction lumire-atome 59
2.3.4 Le corps noir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.3.5 Interaction lumire-molcule . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.3.6 Interaction lumire-gaz . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.3.7 Interaction lumire-liquide . . . . . . . . . . . . . . . . 73
2.3.8 Interaction lumire-solide . . . . . . . . . . . . . . . . 73
2.3.9 Photognration dans les semi-conducteurs . . . . . . 84
2.4 Lasers femtosecondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.4.1 Lasers modes bloqus . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.4.2 Mise en phase des modes . . . . . . . . . . . . . . . . 89
III Composants 91
3 Composants pour le rgime impulsionnel 93
3.1 Lasers femtosecondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.1.2 Gnration dimpulsions laser femtosecondes . . . . . . 94
3.1.3 Blocage de modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.1.4 Principaux lasers femtosecondes . . . . . . . . . . . . . 99
3.2 Matriaux semi-conducteurs pour limpulsionnel . . . . . . . . 100
3.2.1 Recombinaison des paires lectrons-trous . . . . . . . . 100
3.2.2 Lpitaxie basse temprature
des semi-conducteurs III-V . . . . . . . . . . . . . . . 102
3.2.3 Implantation et irradiation ionique . . . . . . . . . . . 107
3.3 Gnration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.3.1 Gnration base de semi-conducteurs . . . . . . . . . 110
3.3.2 Gnration par redressement optique . . . . . . . . . . 125
3.3.3 Comparatif des sources . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
3.4 Dtection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
3.4.1 Dtection photoconductrice . . . . . . . . . . . . . . . 134
3.4.2 Dtection par eet lectro-optique . . . . . . . . . . . 138
4 Composants pour le rgime continu 155
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.1.1 Photomlange par battement de deux lasers . . . . . . 156
4.1.2 Composants de transposition de frquence
par battement de lasers : photodtecteurs . . . . . . . 162
4.1.3 Laser cascade quantique (QCL) . . . . . . . . . . . . 167
Table des matires 9
4.2 Conclusion partielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
4.3 Technique de photomlange : principe et limitations . . . . . 173
4.4 Vers les grandes longueurs donde . . . . . . . . . . . . . . . . 174
4.4.1 Banc exprimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
4.4.2 Rsultats exprimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
4.4.3 Perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
5 Composants passifs 179
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
5.2 lments optiques pour la propagation en espace libre . . . . 180
5.2.1 Rle crucial de la dispersion chromatique . . . . . . . 180
5.2.2 Miroirs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
5.2.3 Lentilles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
5.2.4 Sparatrices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
5.2.5 Prismes et rseaux de diraction . . . . . . . . . . . . 187
5.2.6 Traitements antireets . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
5.3 Traitement de la polarisation en espace libre . . . . . . . . . . 189
5.3.1 Degr de polarisation des metteurs et dtecteurs THz 189
5.3.2 Polariseurs grille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
5.3.3 Polarisation par sparation temporelle . . . . . . . . . 191
5.3.4 Lames birfringentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
5.4 Guides dondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.4.1 Quelques rappels sur le guidage des ondes
lectromagntiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.4.2 Guides dondes dilectriques . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.4.3 Guides dondes mtalliques . . . . . . . . . . . . . . . 197
5.4.4 Dispersion et pertes des guides dondes . . . . . . . . . 200
5.4.5 Comparatif des dirents guides donde THz . . . . . 201
5.4.6 Couplage dans les guides dondes . . . . . . . . . . . . 202
5.5 Cristaux photoniques et mtamatriaux . . . . . . . . . . . . 202
5.5.1 Dnition et caractristiques . . . . . . . . . . . . . . 202
5.5.2 Dispositifs et ltres THz bass sur des cristaux
photoniques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
5.5.3 Ingnierie de la dispersion : cristaux photoniques
et mtamatriaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
IV Techniques et systmes 215
6 Techniques de mesure 219
6.1 Domaine temporel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
6.1.1 chantillonnage en temps quivalent dimpulsions THz
ultrabrves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
6.1.2 chantillonnage dun signal continu . . . . . . . . . . . 224
10 Optolectronique trahertz
6.1.3 Passage tempsfrquence : la transforme de Fourier 225
6.1.4 Mesures pompe optique sonde THz . . . . . . . . . . 228
6.1.5 Extraction du signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
6.2 Domaine frquentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
7 Spectroscopie 241
7.1 Spectroscopie THz dans le domaine temporel (THz-TDS) . . 241
7.1.1 Principe de la spectroscopie THz dans le domaine
temporel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
7.1.2 Cas particuliers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
7.1.3 Matriaux magntiques . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
7.1.4 Performances de la THz TDS . . . . . . . . . . . . . . 250
7.2 Sources optolectroniques utilises en spectroscopie THz . . . 252
7.3 Spectroscopie dans le domaine frquentiel . . . . . . . . . . . 253
7.3.1 Quelques principes de base sur linstrumentation . . . 253
7.3.2 Spectromtres rseau ou talon . . . . . . . . . . . 254
7.3.3 Spectromtre infrarouge transforme de Fourier . . . 255
7.3.4 Spectroscopie avec une source THz monochromatique
de longueur donde ajustable . . . . . . . . . . . . . . 262
7.3.5 Comparaison des techniques . . . . . . . . . . . . . . . 265
8 Imagerie 267
8.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
8.2 Principes de limagerie THz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
8.2.1 Extension des proprits spectroscopiques . . . . . . . 268
8.3 Rsolution spatiale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
8.3.1 Limite de la diraction . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
8.3.2 Imagerie en champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . 269
8.4 Principes dun microscope THz . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
8.4.1 Direntes techniques en champ proche . . . . . . . . 270
8.4.2 Champ proche et contraste de champ proche . . . . . 271
8.4.3 Imagerie par balayage . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271
8.4.4 Imagerie par dtecteurs bidimensionnels . . . . . . . . 273
8.4.5 Tomographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
8.4.6 Imagerie in situ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
8.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
V Applications et perspectives 275
9 Applications des ondes THz 277
9.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
9.2 Pourquoi choisir le THz ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
9.3 Choix dun systme THz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 278
Table des matires 11
9.3.1 Du systme complexe aux composants ddis . . . . . 278
9.3.2 Systme CW ou impulsionnel . . . . . . . . . . . . . . 282
9.3.3 Classement des systmes par degrs de complexit . . 284
10 Familles dapplications THz 293
10.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
10.2 Contrle qualit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
10.2.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
10.2.2 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
10.3 Maintenance prventive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
10.3.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
10.3.2 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 298
10.4 Scurit et dfense . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
10.4.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
10.4.2 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
10.5 Tlcommunications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 302
10.5.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 302
10.5.2 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
10.6 Biologie et biomdical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
10.6.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
10.6.2 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 305
11 Dtection et quantication de gaz en THz 307
11.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
11.2 Dtermination des concentrations par spectroscopie . . . . . . 309
11.3 Exemple de la fume de cigarette . . . . . . . . . . . . . . . . 313
11.4 Molcules cibles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 315
11.5 Applications en astrophysique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316
11.6 Bases de donnes et simulation de spectres . . . . . . . . . . . 318
11.6.1 Littrature scientique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318
11.6.2 Compilations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319
11.6.3 Bases de donnes informatiques . . . . . . . . . . . . . 319
11.6.4 Simulation de spectres . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324
11.6.5 Absorption de latmosphre . . . . . . . . . . . . . . . 325
12 Le THz : phnomne de mode ou technologie
du troisime millnaire ? 329
Bibliographie 333
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Premire partie
Description gnrale
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Chapitre 1
Introduction
1.1 Remarques prliminaires
Lutilisation des ondes lectromagntiques constitue loutil le plus per-
formant pour observer et comprendre le monde qui nous entoure. Depuis
linniment grand et lointain galaxies des premiers temps de lUnivers
jusqu linniment petit physique sub-nuclaire les ondes lectromagn-
tiques nous permettent de voir les objets et de les analyser grce la
spectroscopie. Ltendue formidable du spectre lectromagntique multiplie
dautant les champs dobservation et dapplications par la varit des phno-
mnes physiques impliqus.
Toutes ces observations, tudes et applications mettant en jeu des ondes
lectromagntiques reposent sur un principe gnral
1
bas sur trois ides
simples :
lobjet observ devra mettre ou rchir une onde lectromagntique.
Il est souvent ncessaire de disposer dune source de rayonnement ;
cette onde doit tre dtecte pour tre analyse, il faut donc disposer
dun dtecteur ;
enn, pour que londe mise par lobjet atteigne le dtecteur, il faut
que le milieu entre objet et dtecteur soit susamment transparent.
Dans notre quotidien, ces trois conditions sont merveilleusement remplies
dans le domaine visible du spectre lectromagntique. En eet, le soleil met
une grande partie de son rayonnement dans le visible, avec un pic de puissance
au voisinage de 550 nm (couleur jaune-vert), notre il sest parfaitement
adapt en sensibilit au spectre solaire, et lair est susamment transparent
1
Ce principe a t propos par le savant arabe Alhacen (al Haytham) dans son livre
Kitab al Manazir (Livre dOptique) publi autour de lan 1030 [1]. En particulier, il reprit
la notion de rayons lumineux dEuclide mais en supposant que chaque point de lobjet
vu met un cne de rayons lumineux dont un seul atteint la rtine de lil, formant
ainsi une image nette.
16 Optolectronique trahertz
pour les ondes visibles. Dautres domaines du spectre lectromagntique sont
aussi facilement explors et utiliss par ltre humain, condition demployer
les outils et techniques ncessaires. Il sagit par exemple du proche infrarouge,
que William Herschel [2] a dcouvert en 1800 en plaant un thermomtre dans
la zone de dispersion de la lumire derrire un prisme et en constatant que
la temprature augmentait lorsque le thermomtre tait situ dans une zone
non claire en-dessous (infra) du rouge. Cest aussi le cas des ondes radio
(grandes ondes, FM...), des microondes, des rayons X, etc.
Linfrarouge lointain constitue un domaine spcique au sein du spectre
lectromagntique. Peu nergtiques, trs faiblement absorbs par latmo-
sphre pour certaines longueurs donde et beaucoup pour dautres, ces rayon-
nements ont t relativement peu tudis jusqu prsent, et leurs applica-
tions grand-public sont pratiquement inexistantes. Cet tat de fait est d
au manque criant de sources susamment puissantes et ables, mais aussi
de dtecteurs simples employer. Pourtant, linfrarouge lointain prsente des
proprits particulires qui en font un domaine spectral passionnant pour la
recherche fondamentale et applique, dont les applications entrevues nom-
breuses et prometteuses contribueront indniablement au progrs technique.
Donnons quelques exemples de ces proprits et des applications possibles.
Les ondes lectromagntiques de linfrarouge lointain excitent des rsonances
mcaniques des molcules (mouvements de vibration globaux de la mol-
cule, mouvements de rotation dont certains plus complexes sont associs
des vibrations), dont les spectres dabsorption montrent des signatures sou-
vent originales et complmentaires par rapport celles observes dans le
proche infrarouge, le visible, ou lultraviolet. Ainsi, la spectroscopie dans
linfrarouge lointain permet la dtection de substances chimiques diciles
identier avec dautres mthodes, comme le disulfure dhydrogne (H
2
S),
ouvrant de grandes perspectives en dtection distance pour lenvironne-
ment, mais aussi dans le domaine de la scurit, puisque des substances
dangereuses comme les explosifs et les gaz ltaux, ou illgales comme les
drogues, montrent une signature spectrale spcique. Dautre part, de nom-
breux matriaux opaques la plupart des ondes lectromagntiques sont
transparents dans linfrarouge lointain, comme les semi-conducteurs intrin-
sques, les matriaux dilectriques (papier, bton...), alors que les matriaux
humides sont trs absorbants. Do la possibilit dimagerie dans linfrarouge
lointain, avec des applications pour le bio-mdical (par exemple la dtection
de mlanomes), mais aussi dans le domaine scuritaire (portails de dtection
darmes ou produits illicites dans les aroports) : il est probable que les pre-
mires camras permettant de voir travers les murs seront bientt au point !
Les longueurs donde mises en jeu dans linfrarouge lointain, typiquement
sub-millimtriques, correspondent pratiquement la rsolution spatiale de la
vision humaine : cette imagerie permettra de visualiser de manire dirente
des objets avec la prcision visuelle laquelle nous sommes habitus. Enn,
1. Introduction 17
les frquences de linfrarouge lointain sont de lordre de 10
12
Hz, que lon ap-
pelle trahertz (le prxe tra
2
est utilis dans le systme international pour
multiplier par 10
12
: 1 THz = 10
12
Hz), frquences vers lesquelles tendent
celles des circuits lectroniques rcents et des systmes de tlcommunication
volus.
Il est intressant de signaler que linfrarouge trs lointain est actuellement
propos dans de nombreuses publicits
3
comme moyen thrapeutique en m-
decine douce. Ces publicits vantent les vertus des rayonnements THz pour
stimuler les tissus biologiques lchelle molculaire, ce qui est bnque
pour la sant et le bien-tre ... Il convient cependant de rester prudent sur
ces questions, et dattendre que le corps mdical apporte la preuve indniable
des bienfaits thrapeutiques des ondes THz.
tudi depuis les travaux de pionnier de Jagadis Bose
4
[3] la n du
xix
e
sicle, puis par Nichols qui le produisit aussi bien par des mthodes
optiques qulectriques (faisant ainsi la runion entre deux domaines de la
physique)
5
, linfrarouge lointain a t lobjet dtudes remarquables dans les
annes 1950-60. Les spectres de nombreuses molcules ont t enregistrs et
interprts avec la mcanique quantique, en particulier grce au performant
spectromtre transforme de Fourier [5], propos et dvelopp en France
par Jacquinot et les poux Connes. Lastronomie millimtrique a donn
des rsultats remarquables, dont la dcouverte du rayonnement fossile de
lunivers 4,08 GHz ( = 7,35 mm) [6]. Cependant, ces tudes taient bien
souvent longues et fastidieuses. Ainsi, lenregistrement de spectres, ralis au
moyen de sources de type corps noir et de dtecteurs bolomtriques maintenus
trs basse temprature, pouvait durer plusieurs jours !
Un bouleversement technologique sest produit au dbut des annes 1990.
cette poque, des lasers dlivrant des impulsions de lumire de dure
sub-picoseconde (les lasers femtosecondes ) ont commenc tre com-
mercialiss [7]. Lasers ables et performants, ces appareils presse-bouton
2
Il est amusant de savoir que tra trouve son origine dans teras qui en grec ancien
signie monstre : les frquences THz seraient-elles monstrueuses, ne serait-ce que par leur
priodicit leve ?
3
www.a-sauna.com, www.rheals.com, www.rtechnology.com
4
Jagadis Bose tait un chercheur indien qui a travaill de nombreuses annes luni-
versit de Cambridge en Angleterre, et qui a poursuivi et termin sa carrire Calcutta.
Scientique remarquable et inventeur de gnie, on lui doit ltude de la premire diode
semi-conducteur quil employa comme redresseur lectrique, et de nombreux travaux et
inventions dans linfrarouge lointain et les ondes radio. Citons la mesure dindice de r-
fraction dans le domaine des ondes centimtriques, mais aussi linvention des polariseurs
grille, dattnuateurs forms de prismes rexion totale frustre, etc. Il est aussi trs
connu pour ses travaux sur les plantes, dont lun des ouvrages a t traduit en franais
(Physiologie de lascension de la sve, Gauthier-Villars, 1923). Notons enn que Jagadis
Bose ne doit pas tre confondu avec son illustre homonyme Satyendra Bose, bien connu
pour ses travaux en physique statistique (bosons, loi de Bose-Einstein).
5
Dans les annes 1920, Nichols et Tear gnrrent des ondes infrarouges de longueur
donde 0,8 mm [4].
18 Optolectronique trahertz
ont permis nombre de laboratoires non spcialiss dexplorer les phno-
mnes ultra-rapides. Dj, au cours des annes 1980, des chercheurs amri-
cains (Mourou [8], Auston [9], Grischkowsky [10]) avaient compris lintrt
de ces impulsions laser pour amliorer et faciliter les tudes dans linfrarouge
lointain. En eet, si lon est capable de redresser limpulsion optique sub-
picoseconde dans un matriau ou composant non linaire, on obtiendra une
boue lectromagntique correspondant pratiquement lenveloppe de
limpulsion optique. Cette impulsion lectromagntique, rayonne dans les-
pace libre ou guide dans des dispositifs, possde un spectre frquentiel dont
ltendue spectrale est inversement proportionnelle sa dure. une dure
dune picoseconde (10
12
s) correspond un spectre qui atteint le domaine des
frquences THz. Ainsi un banc exprimental typique construit autour dun
laser femtoseconde permet des tudes sur une bande spectrale trs tendue
(typiquement 0,1-5 THz) avec des niveaux de puissance THz susants, car les
mesures sont ralises au moyen de techniques dchantillonnage, dont le fen-
trage temporel limine le bruit thermique ambiant. Les mesures peuvent tre
conduites temprature ambiante et des dynamiques impressionnantes sont
atteintes. Cette rvolution technologique a relanc lintrt des tudes dans
linfrarouge lointain. La combinaison des mthodes optiques et de linfrarouge
lointain a t trs fructueuse, et le principe de base a t complt par de
nombreuses techniques varies, formant ce que lon appelle aujourdhui lop-
tolectronique THz. Ainsi, les techniques impulsionnelles permettent aussi
des tudes de phnomnes ultrarapides. De manire complmentaire, le bat-
tement de faisceaux lasers de frquences direntes conduit la gnration de
faisceaux THz monochromatiques, trs utiles pour la spectroscopie haute
rsolution. Actuellement, des diodes lasers pour le domaine THz, nommes
diodes QCL (diodes laser eet de cascade quantique), suscitent un grand
eort de dveloppement, car elles constitueraient des sources de rayonnement
THz trs compactes, de bon rendement, et compatibles avec llectronique.
Le but de cet ouvrage est de prsenter un tat de lart de loptolec-
tronique THz une poque charnire o les tudes sortent des laboratoires
pour se rpandre dans le monde industriel. Beaucoup de laboratoires et den-
treprises se demandent aujourdhui sil est intressant de lancer des travaux
et des projets relatifs aux THz . Ces interrogations sont stimules par la
publicit faite autour des ondes THz grce des articles dans des journaux
de grande diusion, mais aussi au nombre incroyable et toujours croissant de
publications scientiques sur le sujet. Les grands organismes internationaux
ou nationaux nancent nombre de projets sur le THz. En bref, le THz
est la mode, tel point que beaucoup de travaux dans le proche infrarouge
sont maintenant prsents comme tant des tudes THz (ce qui est vrai tout
en tant anachronique, puisque les longueurs donde de 1 m correspondent
des frquences de 300 THz). Notre intention est daider rpondre ces
interrogations, en expliquant les principes de loptolectronique THz et en
1. Introduction 19
dcrivant la plupart des applications entrevues. Cet ouvrage est ddi des
scientiques, ingnieurs ou tudiants non spcialistes du domaine qui veulent
se faire une ide gnrale de loptolectronique THz, mais qui trouveront aussi
matire approfondir une question particulire. Cet ouvrage nest pas crit
pour des spcialistes du domaine, mais garde au contraire une vocation de
synthse et de revue, tout en sappuyant sur une prsentation aussi rigou-
reuse que possible des phnomnes et des techniques. Enn, nous souhaitons
que ce livre soit aussi un ouvrage de travail et de rfrence, cest pourquoi
nous avons regroup ici de nombreuses donnes, souvent parpilles dans les
multiples journaux scientiques.
Bien entendu, le domaine THz nest pas rserv aux techniques optolec-
troniques. Par exemple, des travaux prometteurs sont mens actuellement
pour fabriquer des sources lectroniques THz ecaces, que cela soit par mul-
tiplication de frquence de signaux issus de diodes hyperfrquences, par la
conception de composants fonctionnant trs hautes frquences, comme les
transistors HEMT, et bass sur des principes nouveaux, comme les nano-
transistors rsonance de plasma, ou sur des principes revisits, comme les
microklystrons.
Pour conserver cet ouvrage une bonne cohrence thmatique et une
taille raliste, nous sommes limits la description de loptolectronique THz.
Les dirents chapitres et paragraphes du livre ont t rdigs par une quipe
rdactionnelle forme de chercheurs reprsentant la plupart des quipes fran-
aises spcialises sur le sujet. Le livre donne donc aussi bien ltat de lart
de la science et de la technologie en 2008, quune photographie des activits
franaises dans le domaine.
La seconde partie donne un bilan compar des sources et dtecteurs
dondes THz, quils soient ou non optolectroniques, et indique les princi-
pales applications entrevues aujourdhui, bases sur les proprits dinter-
action entre la matire et les ondes THz. La partie suivante
6
prsente de
manire synthtique les dirents phnomnes physiques quil est ncessaire
de connatre pour bien comprendre la suite de louvrage consacre lopto-
lectronique THz. Ensuite, nous dcrivons les composants de loptolectro-
nique THz, leurs principes, leurs performances, leurs applications. La qua-
trime partie est ddie aux techniques exprimentales et aux systmes bass
sur loptolectronique THz. Enn, le livre se termine par la prsentation des
principales applications entrevues aujourdhui, dans des domaines aussi va-
ris que la scurit, lenvironnement, la biologie, etc. Lapproche industrielle
du dveloppement de systmes THz est aborde.
6
Le lecteur connaissant bien la physique pourra passer directement la lecture du
chapitre 3 sur les composants (page 93).
20 Optolectronique trahertz
1.2 Infrarouge lointain ou domaine trahertz
Les direntes familles du spectre lectromagntique sont reprsentes
sur la gure (1.1). Les frontires de chaque famille ne sont gnralement pas
positionnes de manire exacte. Cest particulirement vrai pour le domaine
des ondes THz que nous dnirons ici de manire arbitraire par :
Le domaine THz est lintervalle spectral situ entre 100 GHz et 10 THz,
dont les longueurs donde sont comprises entre 30 m et 3 mm.
Fig. 1.1 Le spectre lectromagntique.
Autrement dit, les photons du domaine THz possdent des nergies com-
prises entre 0,42 et 41,5 meV, correspondant une gamme de tempratures
comprises entre 4,8 et 478 K. Le domaine THz est donc situ entre le domaine
de linfrarouge et celui des micro-ondes. En termes de radiofrquence, les
ondes THz sont au-del des EHF (extremely high frequencies) qui stendent
entre 30 et 300 GHz, et au-del de la bande W (100 GHz) du spectre micro-
ondes (gure (1.2)).
Micro-ondes L S C X Ku K Ka U W
1 2 4 8 12 18 26 40
60
56 100
Frquence
(GHz)
3 30 300
Radio-frquence UHF SHF EHF
Fig. 1.2 Conversion dunits (frquence-longueur donde-nergie) et bandes
de frquences micro-ondes et radio-frquences.
1. Introduction 21
Dun point de vue pratique, les techniques des domaines voisins seront
prolonges ou adaptes ltude des ondes THz. Ainsi, les mthodes de mise
en forme des faisceaux optiques et infrarouge, bases sur lutilisation de com-
posants dioptriques (lentilles) ou catadioptriques (miroirs), sont employes
dans le domaine THz. Dans ce cas, on dit gnralement que les faisceaux THz
sont mis en forme par des techniques quasi optiques. Mais on peut aussi b-
ncier de la technologie des micro-ondes, et ainsi conduire les ondes THz
par des lignes de propagation hyperfrquences (lignes coplanaires, fentes...).
Bien souvent, ces mthodes issues de loptique ou des hyperfrquences ne se
direncient que par le vocabulaire employ... et par la culture des chercheurs
et ingnieurs, suivant quils sont physiciens ou lectroniciens !
Lnergie des photons THz est de lordre de quelques diximes de meV
une quarantaine de meV. Cest donc une nergie trs faible par rapport
aux transitions lectroniques des atomes et molcules ( 1 eV), de lordre de
lnergie thermique temprature ambiante ( T = 25

C, k
B
T = 25,4 meV).
Le rayonnement thermique ambiant (rayonnement de corps noir du labora-
toire ou de la zone de mesure) perturbera mission et dtection THz. Il
faudra donc prendre des mesures pour saranchir de ces perturbations, soit
en refroidissant les composants, soit en les isolant du milieu ambiant, soit en
rduisant au minimum la fentre temporelle dmission et dacquisition des
signaux.
1.3 Sources de rayonnement trahertz
1.3.1 Foss du trahertz
Comme nous lavons dj signal, le domaine THz prote des techniques
des deux domaines infrarouge et micro-ondes voisins, et cest particulire-
ment vrai pour les sources de rayonnement. Ainsi, les sources classiques de
rayonnement THz sont extrapoles des sources hyperfrquences souvent
nommes sources lectroniques ou des sources optiques, auxquelles se ra-
joutent les sources de type corps noir. Ces sources, quelles soient optiques ou
lectroniques, voient leur ecacit chuter fortement quand les frquences se
rapprochent et atteignent le domaine THz, comme montr sur la gure (1.3).
Cest le grand problme rencontr par les scientiques et ingnieurs me-
nant des tudes dans ce domaine spectral : aujourdhui, il nexiste pas de
source THz qui soit la fois compacte, ecace et puissante. Loptolectro-
nique rpond en partie ce besoin, mais de manire imparfaite. Dautres
solutions (lasers cascade quantique, transistors eet de plasma, micro-
klystrons...) sont activement tudies mais ne sont pas au point actuellement.
Nous ne donnons ici quune courte prsentation des sources de rayonnement
THz disponibles.
22 Optolectronique trahertz
10
7
10
5
10
3
10
1
10
1
0,01 0,1 1 10 100 1 000
0,001 0,01 0,1 1 10
P
u
i
s
s
a
n
c
e

(
W
)
Frquence (THz)
Longueur donde (mm)
lasers III-V
QCL
lasers
sels de plomb
IMPATT
TUNETT
RTD
p-Ge lasers
Gunn
MMIC
BWO
multiplication
de frquence
UTC
p-Ge
lasers QCL THz
Fig. 1.3 Le foss THz (daprs un document du THz Technology Trend
Investigation Committee (Japon)).
1.3.2 Sources classiques
Corps noirs
La loi de Planck, nonce dans le chapitre suivant, nous indique que le
rayonnement thermique possde un spectre continu dtendue innie. Mal-
heureusement, si tout corps chaud rayonne dans le domaine THz, les puis-
sances rayonnes sont trs faibles. Ainsi, tout cm
2
de corps chau une
temprature raliste (typiquement moins que 3 000 K, temprature maximum
du lament en tungstne des lampes incandescence) rayonne de lordre du
picowatt 0,1 THz ( = 3 mm) et du microwatt 10 THz ( = 30 m)
dans une largeur spectrale = 1 m. Les sources THz corps noirs sont
donc peu puissantes et de plus les ondes rayonnes sont incohrentes. Parmi
les appareils commerciaux
7
, on trouve principalement des cavits mtalliques
chaues par des rsistances en cramique qui se rapprochent du corps noir
idal, mais aussi des lms chaus
8
, des lampes lament (halogne)
9
et
dcharge (vapeur de mercure sous haute pression).
7
www.boselec.com, www.ci-systems.com, www.mikroninfrared.com
8
www.hawkeyetechnologies.com/ir40.htm
9
www.helioworks.com, www.eoc-inc.com
1. Introduction 23
Diodes lectroniques
Imagins par Schokley ds 1954, tous ces composants semi-conducteurs
sont bass sur un eet de rsistance direntielle ngative (NDR) obtenu
de direntes manires. Le phnomne de NDR est observ lorsque le cou-
rant traversant un composant diminue alors quon augmente la tension de
polarisation. Cet eet accumule les porteurs sous la forme dune impulsion
et lcrantage induit du champ lectrique empche la formation dune se-
conde impulsion de courant tant que la premire traverse le dispositif. La
frquence des signaux lectriques gnrs est ainsi inversement proportion-
nelle au temps de transit de limpulsion lectrique dans la rgion NDR du
composant. De faon gnrale, il est ncessaire de rduire lpaisseur de cette
rgion pour atteindre le domaine THz, mais ceci conduit une augmentation
de la capacit du composant, et donc une rponse lectrique moins rapide.
Il faut alors diminuer la surface du composant, cette fois-ci au dtriment de
la puissance mise. Toutes ces considrations font que la puissance lectro-
magntique mise par composant lectronique varie comme f
2
f
3
et
donc chute fortement quand on atteint le domaine THz.
Chronologiquement, leet Gunn fut le premier dcouvert en 1962 [11]. Il
se produit dans les semi-conducteurs dops dont la bande de conduction pos-
sde des valles satellites, tels que GaAs ou InP. La vitesse des porteurs libres
augmente avec le champ appliqu jusqu une valeur maximum, puis diminue
pour atteindre un plateau. Cet eet est caus par le transfert des lectrons
depuis la valle de forte mobilit (faibles valeurs du vecteur donde) jusqu
la valle voisine de faible mobilit. La courbe de la vitesse des lectrons en
fonction du champ appliqu prsente donc une zone de pente ngative,
laquelle correspond une NDR. Typiquement, une diode Gunn en GaAs de
5 m dpaisseur gnre un signal 25 GHz. Aujourdhui, les composants
les plus performants dlivrent 100 mW en continu 100 GHz et de lordre
du mW 1 THz [12].
Parmi la grande varit des autres composants eet de transit-NDR
(diodes TUNNETT, BARITT, DOVETT...), les diodes eet tunnel (TUN-
NETT, RTD) sont les plus performantes pour la gnration de hautes fr-
quences. Les diodes TUNNETT en technologie GaAs dlivrent quelques di-
zaines de W 300400 GHz. Lemploi dautres matriaux avec des valeurs
de saturation des vitesses lectroniques plus leves comme GaN semble pro-
metteur [13] mais reste dmontrer. Les diodes RTD (resonant tunneling
diodes) atteignent aujourdhui le THz, mais avec des puissances mises qui
restent trop faibles (0,5 W [14]).
Les diodes IMPATT (Impact Avalanche And Transit Time diode) sont
constitues dune zone intrinsque place entre les rgions dopes p et n
dune jonction pn. La jonction est fortement polarise en inverse, le champ
lectrique appliqu tant trs fort dans la zone de dpltion au voisinage
de la zone p, un eet davalanche se produit qui alimente en porteurs la
24 Optolectronique trahertz
zone intrinsque. Lorsque la diode est alimente en tension alternative, lef-
fet davalanche se produit de faon momentane une fois par cycle, alimentant
ainsi la zone intrinsque par une impulsion de charge. Les meilleures perfor-
mances de ces diodes sont de lordre de quelques dizaines de mW 300 GHz.
Autres sources lectroniques
Lorsquun lectron se dplace dans un champ lectrique spatialement p-
riodique, il rayonne une onde lectromagntique de frquence =
c
d
, o d
est la priode spatiale du champ et =
v
c
est la vitesse relative des lectrons
par rapport celle de la lumire dans le vide. Ce phnomne est observ
lorsquun faisceau lectronique est en trajectoire rasante au-dessus dun r-
seau de diraction mtallique, cest leet Smith-Purcell [15]. Il est aussi mis
prot pour fabriquer des lasers lectrons libres, le faisceau lectronique
traversant un onduleur magntique.
Dans le cas de leet Smith-Purcell, la frquence rayonne, en tenant
compte des eets relativistes, est gale :
f =
n
d
c
(
1

cos )
(1.1)
d est la priode du rseau, est langle dmission par rapport au rseau et n
est lordre de diraction. La socit Vermont Photonics
10
commercialise une
source THz eet Smith-Purcell, qui utilise un faisceau lectronique acclr
sous quelques dizaines de kV. La frquence gnre est rglable entre 100 GHz
et 10 THz en ajustant la tension dacclration, la largeur spectrale tant
de quelques centaines de GHz et la puissance atteignant quelques centaines
de nW.
Les carcinotrons encore appels tubes ondes contra-progressives ou
BWO (backward wave oscillator) sont des dispositifs compacts bass sur lef-
fet Smith-Purcell. Une lectrode chaue met des lectrons qui sont acclrs
et focaliss laide dun champ magntique vers lanode au sein dun tube
vide ayant la forme dun guide dondes millimtriques. Une des faces du
tube est corrugue priodiquement, an de produire leet Smith-Purcell.
Londe millimtrique est gnre dans la direction oppose au mouvement
des lectrons, do le nom du dispositif. Cette technique permet de diminuer
la priode de la corrugation (cos = 1 dans lexpression (1.1)) et donc
de rduire lencombrement de lappareil. Londe millimtrique schappe du
guide donde par une dviation en forme de Y au voisinage de la cathode. Ces
appareils produisent des faisceaux de la centaine de mW pour des frquences
infrieures 200 GHz. Le domaine THz est atteint soit laide de multiplica-
teurs de frquences, la puissance diminuant alors fortement (typiquement la
dizaine de W autour du THz), soit en utilisant des lectro-aimants externes
10
http://www.vermontphotonics.net/index2.html
1. Introduction 25
lappareil, la puissance dlivre tant de lordre du mW 1 THz. Ces ap-
pareils sont assez stables du point de vue spectral (f/f 10
4
10
5
),
avec un bruit lectrique assez lev (P/P %). Des tubes BWO THz sont
commercialiss par la socit amricaine Microtech Instruments
11
.
Les lasers lectrons libres (FEL en anglais) sont des appareils o le fais-
ceau dlectrons provient dun acclrateur de particules ddi. Ce faisceau
traverse une zone o rgne un champ magntique priodique, qui couple les
lectrons au rayonnement lectromagntique, et conduit une amplication
du faisceau lumineux. Ce couplage lectron-photon regroupe les lectrons
par paquet, donc le rayonnement lumineux est impulsionnel (pulses de du-
res ns-s) et sous certaines conditions, il est cohrent. Le faisceau lumineux
fait des aller-et-retour dans une cavit lectromagntique dont laxe est celui
du faisceau dlectrons. On ajuste la frquence rayonne en variant lnergie
des lectrons. Il existe une dizaine de lasers lectrons libres dans le monde
ddis au rayonnement infrarouge et millimtrique. Les frquences produites
couvrent toute la gamme THz, et les puissances peuvent tre considrables
(100 W continus au Jet Laboratory ERL) [16].
Enn, parmi les sources lectroniques, signalons la technique prometteuse
de compression dchelon de tension le long dune ligne de propagation hy-
perfrquence non linaire [17]. Dans ces lignes de propagation, des diodes
relient priodiquement le ruban central aux lignes de masse. Elles sont pola-
rises en inverse par le signal lectrique vhicul par la ligne. La capacit des
diodes, proportionnelle la largeur de la zone de dpltion de la jonction,
augmente avec la tension applique, et donc les signaux de haute tension se
propagent plus vite que ceux de bas niveau. Le front dun chelon de tension
qui alimente la ligne est ainsi rendu plus abrupt en n de dispositif. Pour des
chelons de tension de lordre de 4 V, des temps de monte aussi courts que
480 fs ont t rapports, montrant des composantes spectrales au-dessus de
3 THz [18]. Ces dispositifs impulsionnels servent aussi bien en mission quen
dtection. Lavantage de ces systmes rside dans leur technologie toute lec-
tronique, et dans leur compacit. La socit amricaine Tera-X
12
, cre en
2004, sest xe pour but de mettre au point des systmes dimagerie THz
longue porte ( 100 m) utilisant comme antennes THz des lignes non
linaires dlivrant 0,5 W de puissance moyenne environ 200 GHz.
1.3.3 Lasers molculaires
Ce sont en fait les premires sources de rayonnement cohrent bases sur
linversion de population construites ds 1954 par lquipe de Ch. Townes.
Appeles masers (microwave amplication by stimulated emission of radia-
tion), elles furent plus simples mettre au point que les lasers puisque
11
www.mtinstruments.com
12
www.tera-x.com
26 Optolectronique trahertz
Longueur donde Frquence Gaz Pression Puissance
m THz mTor relative
42,16 7,09 CH
3
OH 760 0,01
70,51 4,25 CH
3
OH 275 0,11
96,52 3,11 CH
3
OH 660 0,21
109,30 2,74 CH
2
F
2
520 0,30
117,73 2,55 CH
2
F
2
620 0,51
118,83 2,52 CH
3
OH 380 0,59
134,00 2,24 CH
2
F
2
580 0,47
158,51 1,89 CH
2
F
2
265 0,33
184,31 1,63 CH
2
F
2
240 1,00
214,58 1,40 CH
2
F
2
105 0,32
236,59 1,27 CH
2
F
2
65 0,02
287,67 1,04 CH
2
F
2
240 0,16
334 0,90 CH
3
Cl 205 0,03
349,3 0,86 CH
3
Cl 200 0,05
Tab. 1.1 Lignes spectrales de quelques lasers molculaires continus.
dans linfrarouge lointain, lmission stimule est plus probable que lmission
spontane (voir chapitre suivant).
Ces lasers mettent en jeu des transitions entre niveaux roto-vibrationnels
de molcules sous forme gazeuse, qui sont dans les appareils modernes pom-
pes par un laser CO
2
. Les milieux les plus employs (tableau (1.1)) sont le
mthanol (CH
3
OH)) et lacide formique (CHOOH) pour les lasers continus,
qui peuvent mettre plusieurs centaines de mW, leur largeur spectrale tant
trs troite (gnralement infrieure 100 kHz). Il nen reste pas moins que
ces lasers sont encore des appareils de laboratoire au rglage dlicat, bien
que la socit Coherent
13
vienne de commercialiser un systme, driv dun
quipement destin tre embarqu sur satellite par la NASA, o le laser de
pompe CO
2
et le laser THz sont runis dans un botier scell. On lira avec
intrt larticle sur lhistoire des lasers molculaires pour linfrarouge lointain
rdig par Dodel [19].
1.3.4 Sources optolectroniques
Il sagit ici de donner une brve introduction sur ces sources qui seront
traites en dtail dans les chapitres suivants.
13
www.coherent.com
1. Introduction 27
Sources optolectroniques impulsionnelles
Toute source impulsionnelle de rayonnement THz fait appel la transfor-
me de Fourier : une impulsion de dure trs brve possde un spectre trs
large. Par exemple, une impulsion de forme gaussienne et de dure possde
un spectre de largeur f (largeur totale mi-hauteur) tel que :
f =
4 ln 2

(1.2)
Le spectre des impulsions de dure picoseconde atteint donc le domaine THz.
Lorsquon utilise des impulsions optiques pour la gnration dondes THz,
il ne faut pas oublier que le champ lectrique de limpulsion est un paquet
dondes, cest--dire quil correspond une fonction oscillante (la porteuse
optique) limite par une enveloppe temporelle. La transforme de Fourier
dune telle fonction est gale la transforme de Fourier de lenveloppe qui est
spectralement centre sur la frquence de la porteuse optique, cest--dire vers
10
15
Hz. Toute source optolectronique impulsionnelle de rayonnement THz
est donc un composant non linaire qui redresse limpulsion optique, cest--
dire qui fait disparatre sa porteuse optique, et dont le temps de rponse est
sub-picoseconde. On distingue 3 familles de sources impulsionnelles : 1) celles
utilisant des semi-conducteurs ultra-rapides dans lesquels on photo-gnre
un plasma lectron-trou. Comme dans tout photo-dtecteur, ce processus est
non linaire puisque proportionnel lintensit du faisceau lumineux ; 2) les
sources supra-conducteurs, dans lesquelles on brise ltat supra-conducteur
avec la lumire ; les performances de ces dispositifs sont cependant limites
par labsorption trs forte du matriau dans le domaine THz (voir chapitre
suivant) ; 3) les composants bass sur des cristaux optiques non linaires, o
le redressement optique est mis en jeu.
La qualit principale des sources optolectroniques impulsionnelles est
ltendue formidablement large du spectre gnr, mais aussi la priodicit
des impulsions lasers fs, et donc des impulsions THz, qui permet dutiliser des
techniques dchantillonnage extrmement sensibles. En revanche, elles pr-
sentent linconvnient de conduire des rsolutions frquentielles mdiocres,
puisque xes par la dure temporelle de lenregistrement qui est forcment
limite dans le temps. Typiquement, des rsolutions de quelques GHz sont
obtenues pour la gamme 0,1-10 THz.
Sources optolectroniques continues
Par sources optolectroniques continues, nous abordons ici des dispositifs
qui, clairs par un faisceau laser optique ou proche infrarouge, mettent
un rayonnement THz monochromatique. Nous excluons de cette catgo-
rie les lasers molculaires traits prcdemment. Ces sources continues sont
construites sur le principe physique du battement de frquence. Imaginons
un composant non linaire clair par deux faisceaux lasers de pulsations
28 Optolectronique trahertz
optiques
1
et
2
=
1
+, tel que appartienne au domaine THz. Le bat-
tement optique correspond au processus de soustraction de ces 2 pulsations
dans le composant non linaire :

1
= (1.3)
Le rsultat du battement est la gnration dune onde THz pulsation .
Comme pour le cas continu, des composants non linaires semi-conducteurs
ou cristaux non linaires sont utiliss. Si les principes physiques sont les
mmes que dans le cas impulsionnel, la puissance limite des faisceaux de
pompe dans le composant non linaire, pour ne pas dtruire ce dernier par
eet thermique, et la faible ecacit des eets non linaires rendent dicile
la mise au point de ces sources THz continues. En contrepartie, le rayonne-
ment ainsi gnr est quasi monochromatique, toute la puissance THz tant
concentre sur une bande spectrale qui peut tre aussi faible que quelques
kHz. Cette grande puret spectrale est indispensable dans les applications
spectrales haute rsolution. On peut alors utiliser des antennes rsonantes,
extrapoles de la technologie micro-ondes, pour extraire du composant non
linaire le champ THz de faon optimale et mettre le faisceau THz rayonn en
forme (faisceau collimat ou focalis). De plus, on peut employer en dtection
des techniques dhtrodynage trs sensibles.
Dans le cas de composants semi-conducteurs, le champ THz gnr est
proportionnel la drive temporelle du courant traversant le composant,
courant induit par la composante pulsation de la densit de porteurs
photo-gnrs. Pour que ce champ soit intense, il faut que la dure de vie
des porteurs soit plus faible que la priode du signal THz, sinon le courant
comporte une forte composante continue, abaissant normment lecacit
du processus de gnration THz. Cette condition est drastique : en eet,
toutes les charges libres photo-gnres, aussi bien les lectrons que les trous,
doivent exhiber une dure de vie sub-picoseconde. Cest un challenge dicile
remplir.
Dans les cristaux non linaires, il faut que londe et les ondes op-
tiques de pompe (
1
,
2
) se propagent mme vitesse pour que leet non
linaire soit cumulatif et non pas auto-destructeur. Cette condition nest ja-
mais rigoureusement remplie naturellement, cause de la grande dirence
de frquences entre les domaines optique et THz. Il faut alors imaginer des
structures articielles, par exemple des composants multi-couches o la non-
linarit varie de faon priodique, pour forcer londe optique attendre
londe THz.
1.3.5 Lasers cascade quantique
Les lasers cascade quantique (QCL) sont constitus dun arrangement
de multiples couches semi-conductrices dpaisseurs nanomtriques (multi-
puits quantique) dposes par pitaxie sur un substrat et polarises par une
1. Introduction 29
source de tension. Ces couches sont alternativement paisses (la dizaine
de nanomtres) et troites (1 ou 2 nanomtres). Les niveaux dnergie de
chacune des couches paisses sont quantis (pour les charges libres, cest-
-dire que lon travaille dans le rgime de conduction du semi-conducteur),
lpaisseur et le matriau de la couche tant choisis pour que la dirence
entre 2 niveaux corresponde lnergie dun photon THz. Grce la tension
applique, les niveaux de 2 couches paisses voisines sont dcals en nergie.
On sarrange pour que lnergie fondamentale dune couche soit gale celle
du premier niveau excit de la couche voisine. Les lectrons non excits de la
premire couche atteignent le niveau excit de la seconde par eet tunnel dans
la couche troite sparant les 2 couches paisses. Dans la deuxime couche
paisse, ils retombent sur ltat fondamental en mettant un photon THz,
puis passent par eet tunnel dans la couche paisse suivante. Do un eet de
cascade, ici quantique, la faon dont leau dun ruisseau tombe dun niveau
dnergie leve (de haute altitude) un niveau moins haut, qui constitue
lui-mme la partie haute de la cascade suivante.
Les avantages des lasers QCL sont indniables : ils sont compacts, la lon-
gueur donde mise dpend peu du matriau mais surtout de la gomtrie de
la structure. On peut esprer que le rendement lectrique-optique du com-
posant soit trs bon, puisque leet cascade est cumulatif et que le processus
damplication optique sassimile celui dun laser 3 niveaux dnergie
(le niveau fondamental est a priori dpeupl) ou mme 4 niveaux lorsque
le niveau bas se dpeuple par lintermdiaire dun phonon. En revanche, de
nombreuses dicults technologiques persistent pour fabriquer un laser QCL
fonctionnant dans le domaine THz :
le dpt de nombreuses couches dpaisseurs nanomtriques est trs
dlicat matriser ;
lnergie des photons THz est plus faible que lnergie thermique tem-
prature ambiante. Il faut donc travailler basse temprature pour
viter de remplir les tats dnergie par voie thermique, ce qui anihile-
rait linversion de population. Aujourdhui, les lasers QCL THz fonc-
tionnent trs basse temprature (au mieux 7080 K). Il faut aussi
vacuer la chaleur apporte par les porteurs libres grce des couches
capables de transporter les phonons ;
pour obtenir un bon rendement, il faut conner le champ THz dans la
zone active du composant. Pour cela, on guide le champ THz le long de
llectrode qui polarise le composant grce lexcitation dun plasmon.
Actuellement, en 2008, les lasers QCL fonctionnant en rgime continu d-
livrent au mieux des frquences de lordre ou suprieures 2 THz, des
tempratures dune dizaine de degrs Kelvin (le record tant dtenu par le
groupe de Q. Hu au MIT avec 117 K [20]), et leur puissance est de quelques
dizaines de mW [21]. En mode puls, Q. Hu a obtenu jusqu 250 mW mais
seulement 4,4 THz et 10 K.
30 Optolectronique trahertz
1.3.6 Bilan comparatif et perspectives
Le tableau (1.2) rsume les proprits des grandes familles de sources THz
les plus communes. Le domaine THz manque aujourdhui de sources qui
soient la fois compactes, ecaces, puissantes et simples mettre en uvre.
Nanmoins, les technologies progressent, grce des nouveaux concepts
(lasers QCL, nano-transistors [22]...) ou bien des concepts revisits (micro-
klystrons [23])
14
. De mme, les mthodes optolectroniques voluent aussi
vers des systmes plus simples et plus ecaces, en partie grce aux progrs
techniques des lasers femtosecondes, mais aussi des matriaux employs pour
la conversion lumire-THz. Les deux ou trois ans venir seront cruciaux :
soit ces sources THz simples et ecaces voient le jour, et les applications
des ondes THz se dvelopperont de faon spectaculaire ; soit les progrs sont
minimes, et les systmes THz resteront connes dans des niches applicatives.
1.4 Dtecteurs de rayonnement trahertz
1.4.1 Dtecteurs incohrents : bolomtres...
Dans le domaine THz, on trouve deux types de dtecteurs incohrents,
cest--dire qui mesurent lnergie du rayonnement et ne donnent pas direc-
tement accs sa phase. Le premier type, pour lequel les photons incidents
gnrent un changement du nombre de porteurs du semi-conducteur : ce sont
les photo-conducteurs extrinsques et intrinsques. En absorbant lnergie des
photons THz, les porteurs passent respectivement de la bande de valence ou
de la bande dimpurets vers la bande de conduction. Le deuxime type de
dtecteurs est constitu par les bolomtres pour lesquels la rsistivit du ma-
triau dpend de la temprature, et par les cellules de Golay, dans lesquelles
llvation de temprature dun gaz dilate une cellule, dilatation gnrale-
ment mesure par voie optique.
La largeur de bande interdite de la majorit des semi-conducteurs stend
de la centaine de meV quelques eV. Cela correspond des longueurs dondes
de 0,1 m 10 m et rserve donc lutilisation de semi-conducteurs intrin-
sques aux domaines visible et infrarouge. Dans les semi-conducteurs extrin-
sques, on introduit des impurets dans la maille cristalline. Elles ont pour
eet de crer une bande entre la bande de valence et la bande de conduction.
Lcart dnergie entre cette bande dimpurets et la bande de conduction
est alors assez faible pour permettre un eet photo-conducteur dans le do-
maine infrarouge lointain. Le germanium dop gallium est un dtecteur de
ce type [24].
14
Nous navons pas dcrit dans cet ouvrage ces nouveaux types de composants, comme les
nano-transistors ou les micro-klystrons, qui sont encore dans des phases de dmonstration
dans les laboratoires de recherche. Le lecteur intress pourra consulter les 2 rfrences
prcdentes.
1. Introduction 31
Source Gamme Puissance Avantages Inconvnients
spectrale
(THz)
Corps noir Toute la pW 0,1 THz Simplicit Peu puissant,
gamme W 10 THz large bande incohrent
Gunn 0,1 1 100 mW CW Compact Frquence limite
1 mW CW
Impatt 0,3 10 mW Compact Frquence limite
Tunett RTD 0,4 10 W Compact Peu puissant,
frquence limite
Smith-Purcell Toute la 100 nW Accordable Gros appareil
gamme
FEL Toute la Trs puissants Puissance Grands
gamme 100 W CW spectre instruments
BWO 0,2 10 W Compact Bruyant,
accordable frquence limite
Lasers Lignes ex : CH
3
OH 100 Puret Stabilit,
molculaires spectrales mW 2,52 THz spectrale volumineux
Lasers QCL 1,9 10 mW Compact, Cryognie,
rendement puissance
Optolectronique
Impulsionnel 0,1 60 W Spectre Puissance
cohrent, limite,
aspect rsolution
temporel spectrale
CW battement 3 W Compact, Puissance
optique puret faible
spectrale
Tab. 1.2 Comparaison des performances des direntes sources
dondes THz les plus communes.
32 Optolectronique trahertz
Un bolomtre
15
(du grec bole, trait, radiation, et metron, mesure) mesure
la quantit dnergie lectromagntique quil reoit en convertissant lnergie
de ce rayonnement en un signal lectrique. Le bolomtre est constitu de
3 lments :
un lment sensible, gnralement form dun cristal semi-conducteur,
qui schaue en absorbant le rayonnement incident ;
un thermomtre, gnralement une thermorsistance ou un circuit supra-
conducteur, pour mesurer llvation de temprature du cristal ;
un pont thermique reliant le cristal un radiateur permettant le refroi-
dissement du cristal. Le NEP (puissance quivalente du bruit noise
equivalent power) dun bolomtre est de lordre de 10
11
W/

Hz. Le
temps de rponse du bolomtre est gal au rapport de la capacit ca-
lorique du radiateur par la conductivit thermique du pont.
La cellule de Golay, invente par M. Golay en 1947, est constitue dune en-
ceinte remplie dun gaz dont la paroi dentre absorbe le rayonnement THz.
Lchauement de cette paroi est communique au gaz qui se dilate, dfor-
mant ainsi la paroi arrire de la cellule. La face extrieure de cette paroi tant
mtallise, un faisceau optique de sonde se rchit sur cette paroi en direc-
tion dun dtecteur. Suivant la dformation de la paroi, qui est proportion-
nelle la puissance THz reue, le faisceau optique est plus ou moins rchi
compltement sur le dtecteur. Dans dautres versions, le miroir sur la face
arrire est dessin en forme de grille, et une autre grille indpendante est pla-
ce exactement en recouvrement de la premire en labsence de dformation.
La dformation induite dcale la grille de la face arrire par rapport celle
de rfrence, diminuant ainsi le pouvoir recteur de lensemble. La rponse
et la sensibilit dune cellule de Golay sont de lordre de 10
4
10
5
V/W
et 10
10
W/

Hz, son NEP tant infrieur 100 pW/

Hz. Son principal


avantage est de travailler temprature ambiante, et son principal dfaut
est un temps de rponse limit par les eets thermiques quelques diximes
de seconde. Les cellules de Golay sont fabriques par la socit russe Tydex
16
,
et commercialises par QMC Instruments Ltd
17
et Microtech Instruments
18
.
Lastronomie millimtrique a depuis longtemps dvelopp des dtecteurs
supraconducteurs qui permettent dobtenir un bruit trs proche du bruit
quantique. Les bolomtres supraconducteurs lectrons chauds (HEB) se
composent dun micropont supraconducteur. Lchauement des lectrons d
labsorption du rayonnement THz modie la rsistance lectrique du pont.
On atteint ainsi des puissances de bruit aussi faibles que 10
20
W/

Hz.
La socit Insight Product
19
commercialise des bolomtres HEB pour la
15
Le bolomtre ft invent en 1880 par le physicien amricain Samuel Langley qui tudia
le rayonnement infrarouge du soleil et les proprits dabsorption de latmosphre terrestre.
16
www.tydex.ru
17
www.terahertz.co.uk
18
www.mtinstruments.com
19
www.insight-product.com
1. Introduction 33
gamme THz prsentant des NEP de lordre de 10
12
10
14
W/

Hz.
Lautre particularit de la dtection en astronomie millimtrique est lusage
intensif de lhtrodynage. Le signal THz dtecter est mlang dans un
composant non linaire avec un signal lgrement dcal en frquence dlivr
par une source THz locale connue. On mesure ensuite le signal de batte-
ment avec les mthodes classiques des hyperfrquences. Les composants non
linaires les plus performants sont des diodes (Schottky, SIS
20
), et aussi les
bolomtres HEB, la taille trs rduite du pont supraconducteur permettant
sa temprature de suivre la frquence de battement. On lira avec prot lar-
ticle de P. Siegel sur ces dtecteurs pour la radioastronomie millimtrique [25]
(tableau (1.3)).
Type Domaine Temps de Rponse NEP
spectral rponse
(m) (V/W) (W/

Hz)
extrinsques [26]
GeGa 30-160 100 ns 10
7
6 10
14
SiAs 100-500 1 ns 2 10
3
10
11
GaAs 100-350 10 ns 10
7
4 10
14
bolomtres [27]
Ge 4,2 K 30-1000 10 ms 2 10
4
2 10
11
Ge 1,5 K 30-1000 1 ms 2 10
4
5 10
13
Si 4,2 K 2-2000 1 ms 1,5 10
4
2 10
12
InSb 4,2 K 200-2000 10 s 10
3
10
12
InSb 1,5 K 200-2000 10 s 2 10
3
5 10
13
InSb 4,2 K 100-2000 1 s 5 10
3
2 10
12
champ magnt.
bolomtres HEB
Nb, NbN large bande ns 10
12
10
14
cellule de Golay large bande ms-s 10
4
10
10
optolectronique
photo- large bande sub-ps 0,5-110
3
3 10
10
commutateur 30 THz
cristal EO trs large bande sub-ps
60 THz
Tab. 1.3 Caractristiques des dtecteurs dondes THz.
20
SIS = supraconducteur-isolant-supraconducteur.
34 Optolectronique trahertz
1.4.2 Dtecteurs optolectroniques
Les dtecteurs optolectroniques se divisent en deux familles :
ceux dans lesquels un faisceau optique gnre des porteurs lectriques
qui sont acclrs par le champ lectrique du signal THz, donnant nais-
sance un courant lectrique ;
les dtecteurs lectro-optiques constitus dun cristal dont lellipsode
des indices est modi par le champ THz ambiant, cette perturbation
conduisant une modication de ltat de polarisation dun faisceau
lumineux de lecture traversant le cristal, modication mesure laide
dlments optiques polarisants.
Pour les deux familles de dtecteurs, la valeur du courant ou de la modi-
cation de ltat de polarisation induits est directement proportionnelle
lamplitude du champ lectrique de londe THz, et non pas son intensit.
Ces dtecteurs sont donc sensibles au champ lectrique et permettent donc
de mesurer facilement la phase du signal. Pour cela, la dtection est ralise
de faon synchrone avec lmission : gnralement, la mme source optique
dclenche la fois lmetteur donde THz et le dtecteur. Le faisceau optique
de lecture est une partie prleve sur le faisceau optique dmission, partie
qui est retarde laide dune ligne retard optique.
1.5 Interaction entre les ondes trahertz
et la matire
Comme toute onde lectromagntique, les faisceaux THz permettent de
sonder la matire distance, pourvu que la matire sonde interagisse avec le
faisceau THz et que le milieu entre source, objet et dtecteur soit transparent
aux ondes THz.
Comme expliqu dans le chapitre suivant, les photons THz sont de trs
faible nergie, et ne sont donc capables dexciter dans la matire que des rso-
nances elles-mmes faiblement nergtiques. Ce sont principalement les rota-
tions de molcules sous forme gazeuse, les vibrations de lensemble dune mo-
lcule, lalignement des diples dans les liquides forms de molcules polaires
(comme leau), les excitations collectives (phonons optiques) dans les cris-
taux, lexcitation des porteurs libres dans les mtaux et les semi-conducteurs
dops. Les matriaux qui absorbent fortement le rayonnement THz seront
donc les matriaux humides et les conducteurs lectriques. Au contraire, les
milieux dilectriques et secs seront gnralement transparents. Lair est trs
transparent pour les ondes THz, mais cette transparence est largement per-
turbe par la vapeur deau, qui montre des raies dabsorption trs intenses
dont la plupart, entre 0,4 et 2,5 THz, sont donnes dans le tableau (1.4).
Lindice de rfraction des matriaux transparents peut prendre, dans le
domaine THz, des valeurs extrmes depuis n = 1 pour lair n = 6 8
1. Introduction 35
pour les cristaux ferro-lectriques. Comme dans dautres domaines du spectre
lectromagntique, les matriaux de faible indice de rfraction sont de den-
sit faible et forms de molcules de faible polarisabilit. On retrouve les
plastiques (polythylne, plexiglas) et surtout les mousses organiques, dont
la structure htrogne (structure organique renfermant un grand nombre
de bulles dair) apparat homogne pour des faisceaux de longueur donde
submillimtrique. lautre extrmit de la gamme, les matriaux ferro-
lectriques prsentent des indices levs (n = 6,7 6,8 pour LiNbO
3
)
cause des rsonances phononiques voisines. La gure (1.4) donne lordre de
grandeur de lindice de rfraction et du coecient dabsorption des princi-
pales familles de matriaux utilises dans le domaine THz.
0,424 ; 0,437 ; 0,448 ; 0,475 ; 0,488 ; 0,504 ; 0,530 ; 0,557 ; 0,572 ; 0,596
0,621 ; 0,646 ; 0,670 ; 0,688 ; 0,713 ; 0,737 ; 0,752 ; 0,799 ; 0,841 ; 0,891
0,916 ; 0,934 ; 0,946 ; 0,970 ; 0,988 ; 1,097 ; 1,113 ; 1,163 ; 1,208 ; 1,229
1,253 ; 1,308 ; 1,322 ; 1,345 ; 1,376 ; 1,411 ; 1,432 ; 1,518 ; 1,530 ; 1,542
1,602 ; 1,661 ; 1,717 ; 1,762 ; 1,797 ; 1,868 ; 1,919 ; 1,941 ; 1,954 ; 1,997
2,016 ; 2,040 ; 2,074 ; 2,095 ; 2,164 ; 2,196 ; 2,222 ; 2,264 ; 2,298 ; 2,318
2,347 ; 2,366 ; 2,392 ; 2,447 ; 2,463 ; 2,488
Tab. 1.4 Principales raies dabsorption de la vapeur deau dans le domaine
THz (frquences donnes en THz).
Indice de rfraction
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
'
a
b
s
o
r
p
t
i
o
n
1 2 5 10
1
10
mousse
SC
intrinsque
mtal
SC dop matriau
humide
liquide polaire
ferro
lectrique
dilectrique
Fig. 1.4 Indice de rfraction et absorption (en cm
1
) typiques des grandes
familles de matriaux dans le domaine THz. Pour les mtaux, les indices de
rfraction sont de lordre de plusieurs centaines, et les coecients dabsorp-
tion atteignent plusieurs 10
4
cm
1
. Leur position sur ce diagramme nest
donc donne qu titre indicatif.
36 Optolectronique trahertz
1.6 Applications entrevues et tat actuel
de leur dveloppement
Les applications des ondes THz sappuient directement sur linteraction
entre la matire et les ondes THz, et sur le degr de transparence du milieu
ambiant.
Former et enregistrer limage THz dun objet est en thorie lapplica-
tion la plus simple laquelle on puisse penser. Limage peut tre forme
en transmission si lobjet est susamment transparent, ou en rexion dans
le cas contraire. Le degr de transparence de la zone traverse renseignera
sur son degr dhumidit, sur la prsence de mtaux dans lobjet, sur sa
densit... Lavantage indniable des ondes THz est leur facilit traverser
des matriaux opaques dans dautres domaines spectraux, comme le visible.
Ainsi, le bois, les vtements, les plastiques, le carton et le papier, le pltre
sont plus ou moins transparents. Lapplication directe de ces proprits est
la mise au point de systmes dinspection des individus, comme des por-
tiques daroports, pour voir si ces individus cachent des objets prohibs sous
leurs vtements. Dans le domaine mdical, la visualisation THz de tumeurs
de la peau a t dmontre, ces zones malades nayant pas le mme degr
dhumidit que les zones saines. Lorsquon peut analyser spectralement les
signaux THz, toutes les applications spectroscopiques peuvent tre abordes.
On cherchera bien entendu dtecter ou analyser des substances dont les
signatures dans les domaines visible ou infrarouge sont mdiocres. Actuel-
lement, ces recherches sont surtout diriges vers la dtection de substances
risque , telles les drogues, les explosifs, les gaz ltaux. Des applications
dans les domaines agroalimentaires (produits chimiques dans les aliments) et
environnementaux (dtection de polluants) sont aussi trs tudies.
Comme nous lavons dj indiqu, le dveloppement de ces applications
est dpendant de celui des sources et des dtecteurs performants. Loptolec-
tronique est certainement une des voies les plus prometteuses pour atteindre
ce but, et la description des techniques et mthodologies optolectroniques
mises en jeu pour tudier le domaine THz est lobjet de ce livre. Des premiers
appareils et systmes commerciaux, bass sur loptolectronique THz, sont
dj disponibles. Parmi les composants de base, citons les antennes THz
photocommutation vendues par Thorlabs
21
et Ekspla
22
, cette dernire entre-
prise commercialisant aussi un kit de spectroscopie THz. Picometrix
23
a t
la premire socit mettre sur le march un systme de spectroscopie THz
ds 1999 qui a la particularit davoir des antennes THz bres. Teraview
24
propose une gamme tendue de spectromtres THz travaillant aussi bien en
21
antennes FRU, www.thorlabs.com
22
www.ekspla.com/en/main/products/84 ?PID=525
23
www.picometrix.com/t-ray/index.html
24
www.teraview.co.uk, appareils commercialiss par Bruker (www.brukeroptics.com)
1. Introduction 37
transmission quen rexion, et dlivrant aussi des images 3 dimensions,
appareils ddis linspection de matriaux, mais aussi des applications
pharmaceutiques et mdicales. Citons aussi lappareil de spectroscopie THz
pour cartographier le dopage des wafers de semi-conducteurs disponibles chez
Nikon Tochigi
25
. GigaOptics
26
est le dernier venu sur le march de la spec-
troscopie THz. En France, la socit Kwele vient de sinstaller Bordeaux
et proposera trs bientt des spectromtres ddis des applications indus-
trielles particulires. Une liste trs exhaustive des entreprises lies au do-
maine THz est disponible sur le site (www.thznetwork.org) du rseau informel
THz Science and Technology Network, cr et anim par Dan Mittleman, de
Rice University.
25
www.tochigi-nikon.co.jp
26
www.gigaoptics.com
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Deuxime partie
Principes physiques de base
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Chapitre 2
Notions physiques de base
Le rayonnement THz est une partie du spectre des ondes lectromagn-
tiques, dont la gnration et la propagation sont parfaitement dcrites par les
quations de Maxwell. Mais la dualit onde-corpuscule de la lumire permet
de reprsenter aussi le rayonnement THz par un ux de photons. Le but de
ce chapitre est de rappeler les principes de base de llectromagntisme et de
la photonique, qui serviront dans les chapitres suivants. Le lecteur intress
par des traits plus approfondis sur llectromagntisme pourra lire avec pro-
t les excellents ouvrages de rfrence de Born et Wolf [28] ou Jackson [29].
Un trait introductif trs complet sur la photonique a t crit par Saleh
et Teich [30] et louvrage de rfrence sur loptolectronique est celui de
Rosencher et Vinter [31]. La deuxime partie du chapitre est consacre lin-
teraction (absorption, excitation de rsonances, propagation et dispersion,
mission) entre les ondes lectromagntiques et les direntes formes de la
matire, cest--dire les gaz, les liquides et les solides (mtaux, dilectriques,
semi-conducteurs, supraconducteurs). Des rappels de mcanique quantique
sont donns, dont sont dduites les proprits spectroscopiques de la ma-
tire. Nous prsentons aussi la plupart des modles simples qui dcrivent
la rponse lectromagntique de la matire, modles bass sur la physique
classique qui sont largement usits, comme les modles de Drude pour les
mtaux, de Lorentz pour les dilectriques, etc.
2.1 lectromagntisme
2.1.1 quations de Maxwell
Les quations de Maxwell dcrivent la propagation des ondes lectroma-
gntiques dans la matire et dans le vide , en prsence de sources de
rayonnement, laide de 4 champs :
loi de Maxwell-Faraday :


E =


B
t
(2.1)
42 Optolectronique trahertz
loi de Maxwell-Ampre :


H =


D
t
+

J (2.2)
loi de Gauss (lectricit) :


D = (2.3)
loi de Gauss (magntisme) :


B = 0 (2.4)
o

E et

B sont les champs lectrique et magntique,

D (encore nomm dpla-
cement lectrique) et

H sont les inductions lectrique et magntique. et

J
sont respectivement les densits de charge et de courant prsentes dans le mi-
lieu matriel. Il faut noter que labsence de monopoles magntiques fait que la
loi de Gauss (2.4) se dduit directement de la loi de Maxwell-Ampre (2.2).

D et

H permettent de modliser la propagation du champ lectromagn-
tique dans un milieu matriel excit par

E et

B. En eet, sous linuence des
champs

E et

B, les atomes de la matire sont perturbs (dformation des
nuages lectroniques, apparition ou alignement de moments magntiques),
conduisant une polarisation

P (moment dipolaire induit par unit de vo-
lume) et une aimantation

M (moment magntique induit par unit de
volume) du milieu matriel. Gnralement,

P et

M sont des fonctions com-
pliques des champs excitateurs

E et

B. Cependant, lorsque ceux-ci restent
faibles devant les champs intra-atomiques, on peut dvelopper ces fonctions
en srie des puissances des champs excitateurs, et ne conserver que le premier
terme linaire du dveloppement :

P =
o


E et

M =
o

m

H (2.5)
o et
m
sont les susceptibilits lectrique et magntique du milieu. La
linarit de la rponse lexcitation lectromagntique se traduit par les
relations constitutives :

D =

E =
o

r

E (2.6)

B =

H =
o

r

H (2.7)
o et sont la permittivit et la permabilit du milieu matriel. On
dnit gnralement ces grandeurs relativement (
r
= 1 + ,
r
= 1 +
m
)
celles du vide (
o

_
36 10
9
_
1
= 0, 884 10
11
F/m,
o
= 4 10
7
=
1,257 10
6
H/m et
o

o
c
2
= 1 o c 3 10
8
m/s est la clrit de la
lumire dans le vide
1
). Dans les milieux anisotropes, et sont des tenseurs,
cest--dire que les vecteurs

E et

D (ainsi que

B et

H) ne sont pas colinaires.
1
La valeur de c choisie par la communaut internationale est exactement
c = 299 792 458 m/s. Utiliser c 3 10
8
m/s conduit une imprcision sur les r-
sultats de 0,07 %.
2. Notions physiques de base 43
La relation de Maxwell-Ampre (2.2) implique que la drive temporelle
de

D possde la dimension dune densit de courant, appel courant de d-
placement et induit par la polarisation dipolaire des molcules du matriau.
Lorsque des charges libres sont prsentes dans le milieu matriel (mtaux,
semi-conducteurs), on observe que ces charges libres se transportent sur des
distances importantes sous laction du champ lectrique par lintermdiaire
de la force de Coulomb : cest le courant qui scoule dans les circuits lec-
triques, encore dnomm courant de conduction. Pour de faibles intensits du
courant, la densit de courant

J varie linairement avec le champ lectrique

E
qui acclre les charges. Cest la loi dOhm :

J =

E (2.8)
est la conductivit lectrique du milieu. Si les champs sont priodiques dans
le temps sous la forme e
j t
, o est la pulsation, la relation de Maxwell-
Ampre (2.2) permet dcrire :


D
t
+

J =
o


E
t
+

E = j
_

r
j

_

E (2.9)
Il est dusage de tenir compte de la contribution du courant des charges
libres la constante dilectrique par une partie imaginaire proportionnelle
la conductivit du matriau :

r

r
j

(2.10)
La partie relle de
r
a pour origine les lectrons lis aux atomes ou molcules
qui se dplacent autour de leur position dquilibre sous laction du champ
(on parle alors de courant de dplacement) et la partie imaginaire provient
du ux des lectrons dans le milieu matriel (courant de conduction). Nous
verrons plus loin que les phnomnes dissipatifs dnergie au sein du milieu
rajoutent un terme imaginaire
r
.
2.1.2 quations de propagation du champ lectromagntique
En prenant le rotationnel de lquation de Maxwell-Faraday et en crivant

H en fonction de

E laide de lquation de Maxwell-Ampre, on obtient
lquation de propagation du champ lectrique qui, dans un milieu uniforme
et isotrope, scrit :


E

2

E
t
2
=

_
+
d

J
d t
(2.11)
De mme, on obtient pour le champ magntique :


H

2

H
t
2
=


J (2.12)
44 Optolectronique trahertz
Le premier terme de gauche de ces quations correspond la variation spa-
tiale du champ, le second terme sa variation temporelle : la partie gauche
des quations traduit donc la propagation du champ. Les termes de droite des
quations sont lorigine du champ lectromagntique : ce sont les termes
sources. Pour le champ lectrique (2.11), le premier de ces termes indique
que les champs statiques sont induits par la prsence de charges (on retrouve
lquation de Poisson dans le cas statique (

t
= 0) et celle de Laplace en
labsence de charge ( = 0)). Les champs variables sont gnrs par le courant
lectrique.
Comme pour toute quation direntielle, la solution la plus gnrale de
ces quations de propagation est gale la somme de la solution gnrale
des quations sans second membre cest la solution propagative et dune
solution particulire de lquation gnrale (cette solution inclut les champs
statiques). La solution propagative est donc solution des quations dHelm-
holtz :


E

2

E
t
2
= 0,

H

2

H
t
2
= 0 (2.13)
Ces quations dcrivent la propagation des champs dans un milieu vide de
sources lectromagntiques. Il existe une innit de solutions des quations
dHelmholtz. La solution la plus souvent employe est londe plane
2
, pour
laquelle on choisit une variation priodique du champ en fonction du temps
et de lespace :

E =

E
o
cos
_
t

k r
_
,

H =

H
o
cos
_
t

k r
_
(2.14)
est la pulsation de londe, encore appele frquence angulaire, E
o
=

E
o

et
H
o
=

H
o

sont les amplitudes des champs. r est le vecteur position du point


o est observe londe.

k est le vecteur donde, qui indique dans un milieu
isotrope la direction de propagation de londe (direction dans laquelle est
transporte lnergie de londe). Dans la plupart des problmes dlectroma-
gntisme, les calculs sont grandement simplis en employant une notation
complexe pour crire les fonctions trigonomtriques :
_

E

H
_
=
_

E
o

H
o
_
cos
_
t

k r
_
=
1
2
_

E
o

H
o
_
(e
j (t

kr)
+e
j (t

kr)
)
(2.15)
Trs souvent, on remplace abusivement dans la littrature

E
o
cos
_
t

k r
_
par

E
o
exp
_
j (t

k r)
_
. Cela conduit cependant la solution exacte tant
2
Outre quelles correspondent au champ rayonn par une source lointaine, les ondes
planes peuvent servir de base sur laquelle on peut dcomposer tout autre forme donde.
Parmi les autres formes dondes rencontres trs souvent en lectromagntisme, citons les
ondes sphriques issues dune source ponctuelle, ou les ondes gaussiennes dlivres par
les lasers.
2. Notions physiques de base 45
que les problmes rencontrs sont linaires, car le facteur 1/2 manquant dis-
parat dans les quations et on peut rsoudre de faon spare les parties
relles et imaginaires des quations. En revanche, cette simplication nest
plus valable lorsquon traite de problmes non linaires, tels la dtection des
signaux lectromagntiques (transformation de lnergie lumineuse en ner-
gie lectrique ou chimique) et la propagation des ondes dans des milieux non
linaires.
En substituant les champs de londe plane (relation (2.10)) dans les qua-
tions de Maxwell, on montre que les vecteurs

E,

B et

k sont perpendiculaires :

k

E =

B,

k

B =

E (2.16)
La substitution de la solution onde plane dans les quations dHelmholtz
conduit la relation de dispersion de londe plane :
k =

=

c

r

r
=

c
n (2.17)
k est le module du vecteur donde et n est lindice de rfraction de la matire.
Cet indice est gal la racine carre du produit
r

r
, cest aussi le rapport
de la clrit c de la lumire dans la vide par sa vitesse v dans la matire :
n =
c
v
=

r

r
(2.18)
La gure (2.1) prsente lordre de grandeur de lindice de rfraction de
matriaux dilectriques communment utiliss dans le domaine THz. Ces
courbes ne sont traces que dans le domaine de transparence du matriau
qui prsente de ce fait une dispersion ngligeable lchelle de la gure trace
ici.
2.1.3 nergie lectromagntique
Le vecteur de Poynting

P dcrit le ux nergtique transport par londe
lectromagntique. Il est dni par :

P =

E

H (2.19)
La valeur moyenne dans le temps
3
du module du vecteur de Poynting est
la densit de puissance lectromagntique D apporte par le rayonnement,
3
Dans les domaines visible ou infrarouge, les frquences des ondes lectromagntiques
sont trs leves (10
14
-10
15
Hz) et aucun dtecteur nest capable de ragir aussi rapidement.
Le signal dtect est alors proportionnel la valeur moyenne, intgre par le dtecteur, de
lintensit comme dnie par (2.21). Dans le domaine hyperfrquence, certains dtecteurs
ont une bande passante susante pour que le signal mesur soit proportionnel la valeur
instantane de lintensit.
46 Optolectronique trahertz
2
4
6
8
10
12
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
I
n
d
i
c
e

d
e

r

f
r
a
c
t
i
o
n
Frquence (THz)
SrTiO
3
LiNbO
3
(e)
LiNbO
3
(o) InP
GaAs
Si HR
ZnSe
ZnTe
verre BK7
silice fondue
mousse Rodacell
picarine
PE-HD tflon
quartz
Fig. 2.1 Indice de rfraction en fonction de la frquence THz pour plusieurs
matriaux dilectriques. Les courbes ne sont traces que dans les zones de
transparence des matriaux et de ce fait prsentent une dispersion ngli-
geable. La longueur de chaque segment de droite reprsente donc la largeur
de la bande spectrale de transparence et dutilisation du matriau.
cest--dire lnergie qui traverse une surface unitaire perpendiculaire au vec-
teur donde par unit de temps.
D =
_
p eriode

dt =
_
p eriode

E

H

dt =

E

H

2
(2.20)
o

H

est le complexe conjugu de



H. Pour une onde plane, cette expression
devient :
D =
_

E
o
E

o
2
=
1
2 Z
E
o
E

o
(2.21)
Gnralement, D est appele intensit I de londe lectromagntique (son
unit est le W/m
2
) cest le choix que nous ferons ici mais certains au-
teurs font le distinguo entre densit de puissance et intensit en dnissant
cette dernire par I = E
o
E

o
. Le paramtre Z =
_

, caractristique de la
rponse lectromagntique du milieu, possde la grandeur dune impdance.
Limpdance Z
o
du vide vaut Z
o
=
_

o
377 .
2. Notions physiques de base 47
Lorsque le milieu prsente des pertes, la constante dilectrique et lindice
de rfraction prennent des valeurs complexes
4
:
n =
_

n j (2.22)
En prsence de pertes dans le matriau, londe plane est exponentiellement
amortie suivant la loi de Beer et Lambert :

E =

E
o
e
j(t

kr)
=

E
o
e
j(t

c
nx)
e

c
x
(2.23)
I = I
o
e
2

c
x
= I
o
e
x
(2.24)
o = 2

c
est le coecient dabsorption (en nergie) du matriau et nous
avons suppos que londe se propage dans la direction x. On retrouve la mme
loi lorsque le matriau montre un comportement mtallique (e ou ngatifs),
la partie imaginaire de lindice de rfraction tant trs grande.
Le principe de causalit, associ la thorie des fonctions complexes
linaires [32], permet dobtenir la relation entre parties relle et imaginaire
de la constante dilectrique (et de lindice de rfraction) sous la forme dune
intgrale. Ce sont les relations de Kramers-Kronig :

r
() = 1 +
2

PP

_
0

r
(

2
d

r
() =
2

PP

_
0

r
(

) 1

2
d

(2.25)
n() = 1 +
2

PP

_
0

2
d

, () =
2

PP

_
0
n(

) 1

2
d

(2.26)
o PP signie partie principale prise au sens de Cauchy
5
. La mesure de lin-
dice de rfraction sur un spectre tendu permet de connatre la dispersion
du coecient dabsorption, et vice versa. La dicult pratique de la mise en
uvre des relations de Kramers-Kronig rside dans lintgration qui stend
depuis la frquence nulle jusqu linni, ce qui nest pas ralisable dun point
de vue exprimental. Si lune des valeurs (indice ou absorption) a t me-
sure sur une bande spectrale qui contient toutes les raies dabsorption ou
toutes les frquences pour lesquelles lindice de rfraction varie fortement,
la dtermination des paramtres est possible en extrapolant ou en faisant
des hypothses sur les valeurs mesures en dehors de la fentre spectrale.
4
Le signe des parties imaginaires de et n dpend de la convention choisie pour dcrire
londe plane. En eet, cos
_
t

k r
_
= cos
_

k r t
_
, mais e
j (t

kr)
= e
j (

krt)
.
Lorsquon crit une onde plane propagative dans la direction

k sous la forme e
j (t

kr)
,
il faut choisir n = n j . Prendre une partie imaginaire positive conduirait en eet du
gain dans le matriau.
5
Dun point de vue pratique, la partie principale de lintgrale est obtenue en ralisant
lintgration sur tout le spectre frquentiel, sauf en

= .
48 Optolectronique trahertz
La dtermination de lindice de rfraction dans linfrarouge lointain est sou-
vent ralise par transformation de Kramers-Kronig des courbes de dispersion
dabsorption, quil est plus facile de mesurer que celles relatives lindice de
rfraction.
2.1.4 lectromagntisme non linaire
Polarisation non linaire
Lorsque les champs lectromagntiques qui clairent la matire ne sont
plus ngligeables devant les champs atomiques
6
, la rponse lectromagn-
tique de la matire nest plus une fonction linaire de lexcitation. Suivant le
formalisme introduit par N. Bloembergen [33], cette rponse est dveloppe
en puissance du champ lectromagntique. Pour les phnomnes induits par
le champ lectrique de londe excitatrice, on rcrit la relation (2.5) :

P(t) =
o

(1)
:

E +
o

(2)
:

E :

E +
o

(3)
:

E :

E :

E +...
=
o

(n)
:

E
n
(2.27)
o

E =

E
o
(r) cos( t),

(n)
est le tenseur de susceptibilit non linaire
dordre n, et : reprsente le produit tensoriel. Le premier terme correspond
la rponse linaire du milieu dcrit par (2.5). Cette expression (2.27) peut
scrire sous une forme plus synthtique :

P =

(n)
:

E
n
o
(r) cos
n
( t) =
o

n
_

(n)
:
_

E
o
(r) e
j t
+C.C.
_
n
_
(2.28)
La non-linarit de la rponse gnre des pulsations n multiples de la pul-
sation excitatrice . Comme nous lavons dj indiqu prcdemment, il ne
faut pas oublier en notation complexe les termes conjugus (C.C.). Ils seront
entre autres lorigine du redressement optique qui est lun des principes
utiliss pour la gnration dondes THz. Lorsque londe excitatrice est for-
me de plusieurs ondes harmoniques direntes, leet non linaire combine
lensemble des frquences. La multiplication des exponentielles complexes et
de leurs complexes conjugus (2.28) se traduit en sommes ou dirences de
frquences, que lon peut comprendre comme la conservation de lnergie
lectromagntique dans le processus non linaire :

n
i=1
h
i
=

=1
h
i
(2.29)
6
En prenant le modle de latome de Bohr pour lhydrogne, le champ lectrique interne
latome cr par le couple noyau-lectron vaut
m
2
e
5
4
3
o
h
4
5 10
15
V/cm. Alors que le
champ lectrique des faisceaux lumineux de sources classiques est de lordre de 1 V/cm, il
peut facilement atteindre 10
6
-10
10
V/cm avec un laser.
2. Notions physiques de base 49
Phnomnes dordre 2
Doublement de frquence + = 2
Eet lectro-optique (Pockels) + 0 =
Somme de frquence
1
+
2
=
3
Redressement optique = 0
Dirence de frquence
1

2
=
3
Eet paramtrique
1
+
2
=
3
+
4
Eets Brillouin et Raman =
S, AS
Phnomnes dordre 3
Triplement de frquence + + = 3
Eet Kerr statique + 0 + 0 =
Eet Kerr optique + =
Tab. 2.1 Principaux eets non linaires dordre 2 et 3.
o
i
et
i
sont respectivement les pulsations incidentes et gnres. On d-
crit alors les phnomnes doptique non linaire par lordre (n) de la nonlina-
rit et par les photons (h) mis en jeu, comme rsum dans le tableau (2.1)
(dans chaque quation, les termes de gauche correspondent aux photons in-
cidents et ceux de droite aux photons gnrs
7
).
Il convient de noter que les polarisations non linaires dcrites ici ont
pour origine physique la perturbation du nuage lectronique des atomes et
des molcules, dont ltablissement prend quelques femtosecondes [34]. On
peut donc considrer que ces eets non linaires sont instantans et que
leur bande passante dpasse largement les frquences THz. Les coecients
du tenseur non linaire, ici dordre 2, obissent des relations de symtrie
dites ABDP [35] :
(2)
ijk
(
3
=
1
+
2
) est invariant pour toute permutation
des paires (
3
, i), (
1
, j) et (
2
, k). De plus, si le milieu est transparent aux
3 frquences
1
,
2
, et
3
, Kleinmann a montr que le tenseur nest pas
dispersif et que les coecients i, j, k peuvent tre librement changs. On
crira de manire simplie :

(2)
(
3
=
1
+
2
) =

(2)
(
1
=
3

2
) =

(2)
(
2
=
3

1
)
Dans le cas du redressement optique o
3
= ,
2
et donc
1
0,
on obtient donc

(2)
(0 = ) =

(2)
( = + 0). Les tenseurs redresse-
ment optique et lectro-optique sont donc identiques dans lapproximation
de Kleinmann.
7
Les eets Brillouin et Raman cits dans ce tableau (2.1) ne sont pas rigoureusement
parler des eets doptique non linaire dordre 2, puisque ces phnomnes mettent en jeu
un photon incident et son interaction avec un quantum de vibration () de la matire
(molculaire dans le cas de leet Raman, phonon dans le cas de leet Brillouin). Ce-
pendant le formalisme de loptique non linaire conduit une trs bonne description de
ces phnomnes. Dans le tableau (2.1),
S
= + est la pulsation Stokes, tandis que

AS
= est la pulsation anti-Stokes.
50 Optolectronique trahertz
Dirence de frquence et redressement optique
Pour les technologies THz, seuls le battement de frquences (ou di-
rence de frquences) et leet lectro-optique prsentent un intrt pratique
en vue dapplications. En eet, la dirence de frquences (
1

2
=
3
)
permet de gnrer une onde THz (
3
) partir de deux faisceaux optiques
ou infrarouges (
1
et
2
), domaines dans lesquels on dispose de sources co-
hrentes puissantes. Les frquences THz tant beaucoup plus faibles que les
frquences optiques, la dirence de frquences est souvent confondue avec le
redressement optique (
1

2

3
0). Leet lectro-optique est quant
lui largement employ pour la dtection dondes THz.
Nous traitons ici des phnomnes du type
1

2
=
3
. La polarisation
non linaire, en notation complexe, scrit :

P
NL
(
3
) =
o

(
3
=
1

2
)

E(
1
)

E

(
2
) (2.30)
Reprenons lquation de propagation (2.11) pour le champ pulsation
3
dans un milieu dilectrique homogne et isotrope en faisant apparatre les
polarisations linaire et non linaire :


E(
3
)
1
c
2

2

E(
3
)
t
2
=
o

2
t
2
_

P
L
(
3
) +

P
NL
(
3
)
_
(2.31)
Pour des champs harmoniques (

E(
i
) =

E
i
(r) e
j
i
t
), on obtient :


E
3
(r) +

2
3
c
2
n
2
3

E
3
(r) =

2
3
c
2

(2)
(
3
=
1

2
) :

E
1
(r)

E
2
(r) (2.32)
o n
i
est lindice de rfraction du milieu la pulsation
i
. Cette quation
direntielle a pour solution la somme de la solution gnrale de lquation
sans second membre (solution libre en labsence de source) et dune solution
particulire de lquation avec second membre (solution force). Dans le cas
dondes planes (

E
i
(r) =

E
2
e
j

k
i
r
), en supposant que le champ gnr soit
nul lentre du cristal en r = 0, la solution scrit :

E
3
(r) =

2
3
c
2

(2)
(
3
=
1

2
) :

E
1

2
_
1 e
j (

k
3
(

k
1

k
2
))r
_

k
2
3
(

k
1

k
2
)
2
e
j

k
3
r
(2.33)
et son intensit est :
I
3
(r ) = 4
_

3
c
_
4

(2)
(
3
=
1

2
) :

E
1

2
_

k
2
3
(

k
1

k
2
)
2
_
2
sin
2

k
3
(

k
1

k
2
)
_
r
2

(2.34)
2. Notions physiques de base 51
Lintensit gnre pulsation
3
est maximum pour

k
3
=

k
1

k
2
, condi-
tion daccord de phase (gure (2.2)). Pour la gnration THz (
1

2

n
1
n
2
), cette condition se rsume en premire approximation n
3
=n
1
n
2
pour les phnomnes une dimension
8
. Les ondes optiques de pompe et
londe THz se propagent avec la mme vitesse de phase. Cela signie que le
signal THz gnr un endroit donn dans le milieu non linaire interfre
de manire constructive avec celui gnr dans les rgions prcdentes. Nous
verrons quen pratique cette condition nest pas rigoureusement vrie et
quil est ncessaire de fabriquer des structures articielles (guides donde,
milieux priodiques) pour bncier de laccord de phase.
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0 40 80 120 160
a = 0,005
a = 0,022
a = 0,066
a = 0,01
I
n
t
e
n
s
i
t

3
=

1
-

2
(
U
.
A
.
)
Distance x (U. A.)
Fig. 2.2 Intensit gnre
3
=
1

2
en fonction de lpaisseur x du
cristal pour direntes valeurs du dsaccord de phase (a =
1
2
(n

3
c
),
dont lunit est telle que le produit a x est sans dimension).
Eet lectro-optique
Gnralits Leet lectro-optique traduit linuence dun champ lec-
trique de faible frquence sur les proprits dilectriques dun cristal. Cest
un eet non linaire du second ordre qui dcrit la rponse optique linaire du
matriau au champ lectrique excitateur. En toute rigueur, les interactions
sont du type
3
=
1

2
. Dans la plupart des cas, on peut considrer que
la pulsation du champ lectrique appliqu est trs faible
2
0 devant celle
de londe optique
1
, do la relation approche :
= + 0 (2.35)
8
On verra dans le paragraphe (3.4) que, en toute rigueur, n
3
= n
G
, o n
G
est la vitesse
de groupe de limpulsion optique.
52 Optolectronique trahertz
Les modlisations lies la validit de cette approximation donnent une
bonne description des phnomnes observs mme dans le domaine THz, sauf
si lon sintresse au signal gnr lgrement dcal en frquence. Consid-
rons lexpression de la polarisation non linaire dans le cas de leet lectro-
optique :

P
NL
() =
o

( = + 0) :

E()

E
o
(2.36)
o

E
o
est le champ lectrique appliqu. La relation entre

D() et

E () per-
met de dterminer la constante dilectrique du cristal sous champ appliqu.
Leet se traduit par une birfringence induite. Il est donc ncessaire de don-
ner les principes de base de loptique anisotrope pour ensuite dcrire avec
prcision la birfringence lectro-optique.
Optique anisotrope Dans un cristal anisotrope, les vecteurs

D et

E ne
sont pas parallles. La constante dilectrique du cristal est donc un tenseur,
et on peut montrer quil existe un systme de coordonnes, dont les axes
x y z sont appels principaux
9
, et dans lequel le tenseur est diagonal :

xx
0 0
0
yy
0
0 0
zz

n
2
x
0 0
0 n
2
y
0
0 0 n
2
z

(2.37)
Lnergie lectrique U stocke dans un volume unitaire du matriau clair
par londe se dduit de (2.19) :
U =
1
2

E

D =
1
2
o
_
D
2
x
n
2
x
+
D
2
y
n
2
y
+
D
2
z
n
2
z
_
(2.38)

x
2
n
2
x
+
y
2
n
2
y
+
z
2
n
2
z
= 1 (2.39)
en posant x
2
=
D
2
x
2
o
U
, y
2
=
D
2
y
2
o
U
et z
2
=
D
2
z
2
o
U
. Cette quation
10
est celle
dun ellipsode, appel ellipsode des indices. Lindice de rfraction qui dter-
mine la clrit dune onde lectromagntique dans le milieu est donn par
lintersection de lellipsode avec la direction du vecteur

D de londe.
9
Pour les cristaux uniaxes, les axes principaux xy z correspondent aux axes cristal-
lographiques X Y Z. Cette rgle nest cependant pas vrie pour les cristaux biaxes
(monocliniques, orthorhombiques et tricliniques) [36].
10
Notons que nous aurions pu obtenir cette quation de la mme manire que nous
avions dtermin la relation k(n) (quation (2.17)), cest--dire en choisissant une solution
de type onde plane lquation dHelmholtz. Ici, le caractre tensoriel de la relation entre

D et

E rend le calcul plus fastidieux.
2. Notions physiques de base 53
Tenseur lectro-optique Appliquons le mme formalisme pour dtermi-
ner la rponse lectro-optique du cristal. Nous avons :

D() =
o
_

E() +

L
() :

E() +

(2)
( = + 0) :

E()

E
o
_
D
i
() =
o

E
i
() +
L
ii
() E
i
() +

j,k

(2)
ijk
E
j
() E
o,k

(2.40)
do, en calculant lnergie U comme prcdemment (relation (2.38)), nous
obtenons :

i=3
i=1

x
2
i
n
2
i
+

i,j,k

(2)
ijk
x
i
n
2
i
x
j
n
2
j
E
o,k

= 1 (2.41)
o x
1
= x, x
2
= y et x
3
= z. Do :
x
2
n
2
x

1 +

(2)
xxj
n
2
x
E
o,j

+
y
2
n
2
y

1 +

(2)
yyj
n
2
y
E
o,j

+
z
2
n
2
z

1 +

(2)
zzj
n
2
z
E
o,j

j
_
_

(2)
yxj
+
(2)
xyj
_
xy
n
2
x
n
2
y
+
_

(2)
xzj
+
(2)
zxj
_
xz
n
2
x
n
2
z
+
_

(2)
zyj
+
(2)
yzj
_
yz
n
2
y
n
2
z
_
E
o,j
= 1
On crit alors cette relation sous une forme simplie en regroupant les termes
en x
2
, y
2
, z
2
, xy, xz, et yz. Cest lquation de lellipsode en prsence dun
champ appliqu :
_
1
n
2
x
+
_
1
n
2
_
1
_
x
2
+
_
1
n
2
y
+
_
1
n
2
_
2
_
y
2
+
_
1
n
2
z
+
_
1
n
2
_
3
_
z
2
+ 2
_
1
n
2
_
4
yz + 2
_
1
n
2
_
5
xz + 2
_
1
n
2
_
6
xy = 1 (2.42)
Les variations de (
1
n
2
) sont proportionnelles au champ statique

E
o
:

_
1
n
2
_
i

j=1
r
ij
E
o,j
(2.43)
Nous avons employ ici une notation contracte ((x,y,z ) (1,2,3), (xx,
yy, zz, yz, xz, xy) (1, 2, 3, 4, 5, 6)). Le tenseur

r de composantes r
ij
est
le tenseur lectro-optique
11
. La relation (2.42) montre que lellipsode des
11
Pizo-lectricit et eet lectro-optique obissent aux mmes rgles de symtrie. Leurs
tenseurs traduisent ces symtries semblables en exhibant les mmes lments nuls et les
mmes galits entre dirents lments.
54 Optolectronique trahertz
indices est perturbe par lapplication du champ lectrique. Leet le plus
prononc pour les cristaux anisotropes est la variation de la longueur des
axes de lellipsode des indices, la rotation de ces axes tant ngligeable. Ce
nest plus vrai pour les cristaux isotropes, les axes de lellipsode induit par
eet lectro-optique tant orients par le champ appliqu.
Le tableau (2.2) donne le coecient lectro-optique le plus fort de quelques
cristaux communs. Il faut noter que lordre de grandeur de ces coecients
est le picomtre par volt (pm/V), donc trs faible. Le dveloppement limit
de la relation (2.43) permet alors de dterminer la variation dindice induite
par champ lectrique appliqu (n
n
3
2
r
i j
E
i j
). Il faut donc appliquer un
champ de lordre du mgavolt par mtre (10
6
V/m = 1 V/m) pour obtenir
des eets facilement mesurables.
Cristal Symtrie r
i j
(pm/V) (m)
LiNbO
3
3m r
3 3
= 33 0,63
GaAs

43m r
4 1
= 1,1 1,06
ZnSe

43m r
4 1
= 2 0,55
Tab. 2.2 Coecients lectro-optiques de quelques cristaux.
2.2 Photonique
Grce aux travaux de Planck puis dEinstein, laspect corpusculaire de la
lumire a t dnitivement valid. Un faisceau lumineux est donc dcrit, sui-
vant les conditions dobservation, en termes donde, comme nous lavons vu
prcdemment, ou de ux de corpuscules dnergie, les photons. La physique
du dbut du xx
e
sicle a montr que ces deux aspects du mme phnomne,
mme sils vont lencontre du bon sens quotidien, sont parfaitement com-
patibles.
2.2.1 nergie du photon
Lnergie E dun photon est donne par :
E = h =
h c

(2.44)
o h = 6,64 10
34
Js est la constante de Planck, est la frquence de la
lumire et est la longueur donde. Cette nergie, dont lunit est le joule,
est trs faible, et on a lhabitude demployer comme unit llectron-volt
(1 eV = 1,6 10
19
J) pour manipuler des valeurs numriques de lordre de
lunit
12
. Pour les ondes THz, llectron-volt est encore trop grand, et il est
12
Llectron-volt prsente aussi lavantage dtre lordre de grandeur des transitions lec-
troniques des atomes et de lnergie de la bande interdite de beaucoup de semi-conducteurs,
comme le silicium.
2. Notions physiques de base 55
plus commode dutiliser le milli-lectron-volt (meV) :
E (meV) = 10
3
h
c e
= 4,15 (THz) (2.45)
Les spectroscopistes utilisent communment linverse de longueur comme
unit dnergie, cest--dire que le produit h c est dni comme tant gal
1 dans la relation (2.44). On choisit gnralement le cm
1
comme unit,
la frquence de 3 THz correspondant = 100 m et une nergie de
100 cm
1
. Pour des tudes thermiques, on a lhabitude de se rfrer par
rapport lnergie thermique k
B
T o k
B
= 1,3810
23
J/K est la constante
de Bolztmann et T est la temprature en degr Kelvin. La temprature
associe au rayonnement lectromagntique est donc :
T (K) =
h
k
B
= 47,83 (THz) (2.46)
2.2.2 Puissance lumineuse et statistique du ux de photons
Lintensit I densit de puissance apporte par le faisceau lectroma-
gntique , qui est une valeur moyenne sur un intervalle de temps suprieur
la priode de londe, peut tre dtermine partir du vecteur de Poynting
(relations (2.20) et (2.21)), mais aussi partir du nombre moyen de pho-
tons

N traversant une surface unitaire pendant lintervalle de temps t :
I =
1
2 Z
E
o
E

o
=

N
t
h (2.47)
Les photons traversant la surface unitaire arrivent de faon alatoire suivant
une loi statistique relative la source lumineuse [37]. Pour une source de lu-
mire incohrente (corps chau incluant le cas idal du corps noir, lampes
incandescence...) et polarise, la probabilit que N photons traversent la sur-
face unitaire pendant un temps t (trs court devant le temps de cohrence
du rayonnement thermique) suit la loi de Bose-Einstein :
p(N) =
1
1 +

N
_

N
1 +

N
_
N
(2.48)
et

N
1
e
h
k
B
T
1
. Lcart-type et le rapport signal-sur-bruit
13
S pour la
lumire incohrente sont :
=
_

N +

N
2
, S =

N

N + 1
(2.49)
13
Le rapport signal-sur-bruit est le rapport entre la puissance du signal et celle du bruit.
Pour un faisceau lumineux, ces puissances sont proportionnelles au ux de photons N (voir
relation (2.47)).
56 Optolectronique trahertz
Dans le cas dune source cohrente de lumire (lasers), lextraction de chaque
photon de la cavit laser se produit indpendamment de celle des autres
photons, donc la loi statistique est celle de Poisson :
p(N) =

N
N
N! e

N
(2.50)
Cette loi tend vers une gaussienne e

(N

N)
2
2

N
pour les grandes valeurs de

N.
Ses carts types et rapport signal-sur-bruit sont :
=
_

N, S =

N (2.51)
La lumire cohrente est beaucoup moins bruyante que la lumire incoh-
rente, puisque le rapport signal-sur-bruit de la lumire cohrente varie comme

N et peut tre trs grand, alors que celui de la lumire incohrente est tou-
jours infrieur 1. La nature corpusculaire des photons et leur arrive ala-
toire sur un dtecteur est lorigine du bruit de dtection appel bruit de
grenaille (shot noise en anglais) (gure (2.3)).
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0 20 40 60 80 100
Poisson
Bose-Einstein
p
(
N
)
N
Fig. 2.3 Distribution statistique des photons pour la lumire ther-
mique (Bose-Einstein) et cohrente (Poisson). Ces courbes sont traces pour

N = 50.
2.3 Interaction lumire-matire
2.3.1 Gnralits
La matire est forme datomes, souvent regroups par molcules. Lin-
teraction entre la matire et une onde lectromagntique incidente met en jeu
2. Notions physiques de base 57
lexcitation des nuages lectroniques des atomes. Dans le cas des molcules,
se rajoute lexcitation de modes de vibration et/ou de rotation. Linterac-
tion entre les atomes ou molcules voisins au sein de la matire perturbe
sa rponse lectromagntique. Dans les gaz, les molcules sont relativement
distantes et on observera une rponse proche de celle de latome ou de la mo-
lcule isols, rponse cependant perturbe par les collisions entre particules
(eet de la pression) et par le dplacement des particules (eet Doppler).
Dans les solides, le mouvement mcanique de chaque atome ou molcule est
restreint par la proximit des voisins, en revanche les phnomnes collectifs
sont nombreux.
Une description rigoureuse de linteraction entre le champ lectromagn-
tique et les atomes ou molcules ncessite le formalisme de la mcanique
quantique [38]. Cependant, des modles classiques simplistes conduisent sou-
vent une assez bonne description qualitative dun certain nombre de phno-
mnes, aussi bien pour un atome ou une molcule isols que pour la matire
solide. Ce paragraphe prsentera dabord ces mthodes simples, puis dcrira
les bases de loptique quantique.
2.3.2 Modle classique de linteraction dipolaire
On considre ici les atomes ou les molcules comme tant forms dun
noyau quivalent une charge positive ponctuelle et dun nuage lectronique
qui sera reprsent par une charge ngative ponctuelle situe au barycentre
lectrique du nuage. Dans ce qui suit, les positions de ces 2 charges positive
et ngative sont confondues en labsence de champ lectromagntique. La
gnralisation des calculs au cas des molcules polaires, dont les barycentres
des charges positives et ngatives sont spars, est facile. En prsence dun
champ lectromagntique excitateur, les charges ponctuelles positive et n-
gative se dplacent en sens contraire dans la direction du champ
14
. Un diple
lectrique est ainsi cr par lapplication du champ lectromagntique. On
dnit son moment dipolaire par :
p = e a (2.52)
a est la distance entre les 2 charges.
Champ du diple
Le diple lectrique engendre un champ lectromagntique dans lespace
environnant. Le calcul de ce champ est dcrit dans tous les ouvrages dlec-
tromagntisme [28, 29]. Lexpression du champ lectrique rayonn par un
14
Cette approximation est valable tant que la frquence du champ lectromagntique est
infrieure la frquence de rotation des lectrons autour du noyau, en adoptant le modle
de Bohr des atomes. Pour lhydrogne, cette frquence vaut environ 4 10
16
Hz.
58 Optolectronique trahertz
diple une distance r du diple est :

E(r) =
1
4
o
1
r
5
___
3 p + 3
r
c

p +
r
2
c
2

p
_
r
_
r r
2
_
p +
r
c

p +
r
2
c
2

p
__
(2.53)

p et

p sont respectivement les drives temporelles premire et seconde du mo-
ment dipolaire. Dans le cas dun atome, la variation temporelle de p provient
du dplacement a des charges, alors quelle est induite par une variation des
charges pour des composants comme les antennes THz. Le cas particulier du
champ lointain est trs intressant pour la modlisation du rayonnement. On
ne conserve que les termes en r
1
dans (2.53), les autres tant ngligeables :

E(r) =
1
4
o
1
c
2
_

p r
_
r r
2

p
r
3
(2.54)
Le champ lointain varie donc comme la drive seconde du moment dipolaire.
Dans le cas o les charges du diple varient, mais restent distance xe
(antenne THz), la drive temporelle de p est proportionnelle au courant i
traversant le diple :

p =
d (q a)
d t
=
d q
d t
a = i a (2.55)
Le champ lointain varie alors comme la drive du courant traversant le
diple :

E(r) =
1
4
o
1
c
2
(a r) r r
2
a
r
3
d i
d t
(2.56)
Polarisabilit des atomes
Le diple atomique induit par le champ lectromagntique (relation (2.52))
se traduit une chelle macroscopique par la polarisation

P du milieu mat-
riel (voir la dnition de la polarisation (2.5)) qui correspond la rponse du
milieu lexcitation lectromagntique. Pour connatre la valeur du moment
dipolaire p en fonction du champ lectrique

E, il est ncessaire demployer le
formalisme de la mcanique quantique, ce qui est dcrit dans le paragraphe
suivant. Une mthode classique, due Lorentz, fait lhypothse que llec-
tron est retenu latome par un ressort de constante de rappel k
res
. Ce
modle suppose donc que llectron priphrique sensible au champ lectro-
magntique baigne, au voisinage de sa position dquilibre, dans un potentiel
atomique de type parabolique. On crit :
m
d
2
r
dt
2
= e

E
o
e
j t
k
res
r (2.57)
o r est le dplacement de llectron par rapport sa position dquilibre.
Seule la dpendance temporelle du champ est considre, cest--dire que lon
se place dans lhypothse o le dplacement de llectron est faible devant
2. Notions physiques de base 59
la longueur donde, ce qui est quivalent crire que la vitesse de llectron
est faible devant c. En prenant une solution temporelle oscillante pour r, on
obtient lamplitude r
o
du dplacement :
r
o
=
e
m

E
o
(
2

2
o
)
(2.58)
avec
2
o
=
k
res
m
. On en dduit lexpression du moment dipolaire :
p = e a = e r
o
e
j t
=
e
m

E
o
e
j t
(
2

2
o
)


E (2.59)
La polarisabilit de latome est dnie par :
=
e
m
1
(
2

2
o
)
(2.60)
Le calcul quantique de la polarisabilit donne un rsultat trs proche de
lexpression (2.60) :
=
e
m

i
F
i

2
oi
(2.61)
Chaque pulsation
oi
correspond une transition entre deux tats nerg-
tiques de latome ou de la molcule. La probabilit doccurrence des transi-
tions est proportionnelle F
i
, force doscillateur de la transition.
Moment dipolaire
Certaines molcules possdent un moment dipolaire lectrique permanent
dni par :
=

i
q
i
r
i
(2.62)
i est la somme sur tous les atomes, q
i
la charge lectrique de latome i, et r
i
la distance de latome i au centre de gravit. Lordre de grandeur typique du
moment dipolaire varie de 0 quelques Debye (1 D = 3,33564 10
30
Cm).
Exceptionnellement, une molcule trs polaire (sel ionique) peut avoir un
moment dipolaire dune dizaine de Debye.
2.3.3 Traitement quantique de linteraction lumire-atome
Lquation de Schrdinger pour la fonction donde dun lectron de
masse m excit par le champ lectromagntique scrit :

h
2
2m
+V = E (2.63)
60 Optolectronique trahertz
E est lnergie de llectron, V est lnergie potentielle totale de llectron
qui est la somme de lnergie potentielle V
o
en labsence de champ lec-
tromagntique et de lnergie potentielle dinteraction V
int
entre le champ
lectromagntique et llectron. La solution de (2.63) scrit en sparant les
dpendances spatiale et temporelle de la fonction donde :
(r, t) =

n
a
n
(t)
n
(r) e
j E
n
t/h
(2.64)
Les fonctions
n
(r) sont les fonctions propres de lhamiltonien. Elles corres-
pondent des tats stationnaires dnergie E
n
. [a
n
[
2
est la probabilit de
trouver llectron dans un tat dnergie E
n
linstant t. Si, linstant t = 0,
llectron est dans ltat dnergie E
l
, cest--dire que a
n
=
n,l
, la probabilit
de trouver llectron dans ltat dnergie E
m
un instant t > 0 est gale
a
m
(t)a

m
(t). La probabilit de transition par unit de temps entre les niveaux
dnergie E
l
et E
m
est donc
a
l
(t)a

m
(t)
t
. Le potentiel dinteraction V
int
entre
lectron et champ lectromagntique est gal :
V
int
=
e
m

A p +
e
2
2m

A

A +
e
m
(

L + 2

S)

B (2.65)

A est le potentiel vecteur tel que



B =


A, p est le moment dipolaire de
latome ou de la molcule,

L et

S sont respectivement les moments cintiques
orbital et intrinsque (spin) de llectron. Le terme dinteraction magntique
((

L+2

S)

B) est trs faible. Dans le cas raliste o le champ lectromagntique


est beaucoup plus faible que celui intra-atomique, on peut aussi ngliger le
second terme de (2.65). Le potentiel dinteraction est alors de type dipolaire
(V
int
=
e
m

Ap). En dcrivant classiquement le champ lectromagntique, on


montre que la probabilit de transition, sous leet de champ de pulsation ,
dun tat dnergie E
a
, qui est celui du systme linstant t
o
, vers un tat
dnergie E
b
linstant t, scrit :
P
ab
(t
o
, t) =

2
1

2
1
+ (
o
)
2
sin
2
_
(t t
o
)
2
_
(2.66)
o
o
=
E
b
E
a
h
est la pulsation correspondant la dirence dnergie entre
les 2 tats, et
1
=
b[

D

E[a)
h
est la pulsation de Rabi.

D est loprateur
moment dipolaire lectrique.
2
=
2
1
+(
o
)
2
. Lorsque le systme clair
ne possde que deux tats dnergie [a) et [b), la probabilit P
ab
(t
o
, t) per-
met de dterminer ltat stationnaire la densit volumique datomes ou de
molcules dans ltat [b) :
N
b
=
N
2

2
1
(
o
)
2
+
2
1
+
2
b
(2.67)
2. Notions physiques de base 61
o N = N
a
+ N
b
est la densit volumique totale datomes ou molcules.
b
est la dure de vie de ltat excit [b), qui est lie la dsexcitation spon-
tane depuis [b) vers [a). Ce phnomne ne peut se comprendre que si lon
adopte une description quantique du champ lectromagntique. Labsorption
du rayonnement incident par leet des transitions entre [a) et [b), puis lmis-
sion de rayonnement par les transitions spontane et stimule de [b) vers [a),
permettent lquilibre de dterminer la valeur du coecient dabsorption,
et donc de lindice de rfraction du systme. Il est cependant prfrable de
donner lexpression, qui est plus simple, de la susceptibilit :
= N
_
a

b
_
h
o
(
o
) +j
b
(
o
)
2
+
2
1
+
2
b
(2.68)
Pour de faibles intensits lumineuses, cest--dire en labsence de saturation
des transitions, on peut ngliger
2
1
dans (2.68) et la susceptibilit correspond
une lorentzienne (gure (2.4)) :
= N
_
a

b
_
h
o
(
o
) +j
b
(
o
)
2
+
2
b
(2.69)
Fig. 2.4 Courbes de dispersion caractristiques de la susceptibilit lec-
trique dun atome au voisinage de la pulsation de transition
o
.
La dirence dnergie h
o
entre niveaux peu excits de latome, incluant
le niveau fondamental, est de lordre de llectron-volt, conduisant des raies
dabsorption ou dmission dans le proche UV, le visible et le proche infra-
rouge. Pour que ces dirences dnergie correspondent des frquences THz,
il faut considrer les tats trs excits des atomes, appels tats de Rydberg.
62 Optolectronique trahertz
Lanalyse plus dtaille des densits datomes dans les tats [a) et [b),
et de la variation de ces valeurs cause des phnomnes dabsorption et
dmissions spontane et stimule, conduit lcriture des quations de taux
de population (rate equations en anglais) proposes sous une forme simplie
par Einstein bien avant lavnement de la mcanique quantique, grce des
considrations thermodynamiques sur le rayonnement du corps noir. Pour un
systme 2 niveaux dnergie, les quations dEinstein
15
sont :
_
d N
b
d t
= I (N
a
N
b
)
b
N
b
d N
a
d t
= I (N
b
N
a
) +
b
N
b
(2.70)
Le rapport entre taux dmission stimule et taux dmission spontane
scrit :
=
1
e
h
k
B
T
1
(2.71)
vaut 1 pour = 4,35 THz, soit = 69 m. Dans le domaine THz, lmission
stimule est donc la voie prioritaire de dsexcitation, alors que cest lmission
spontane dans le visible et linfrarouge.
2.3.4 Le corps noir
Le corps noir reprsente un systme idal dans lequel il y a galit entre
lnergie lectromagntique absorbe par la matire et celle rayonne par
cette mme matire porte temprature T. Le corps noir absorbe donc toute
la lumire quil reoit. On peut le reprsenter sous la forme dune enceinte
vide et close dont les parois sont temprature T. Chaque lment de surface
met par rayonnement lectromagntique une puissance gale celle quil
reoit du reste de la surface des parois. Gnralement, un trou minuscule dans
la paroi, qui ne perturbe pas lquilibre thermodynamique, permet dobserver
le rayonnement du corps noir lextrieur de lenceinte. Ce rayonnement est
trs large bande car, dun point de vue microscopique, il trouve son origine
dans le mouvement thermique dsordonn des molcules et charges libres
de la matire. En quantiant les modes du rayonnement lectromagntique
de lenceinte close, Max Planck a dni lnergie des photons (E = h , o
h = h/2 ) et a pu en dduire la loi de rayonnement du corps noir :
L
o
() =
8h
e
h
k
B
T
1

3
c
3
(2.72)
15
Les quations dEinstein sont gnralement crites en fonction de la densit spectrale
dnergie de londe lumineuse, et non pas de lintensit I comme ici. Les coecients A et B
dEinstein, qui dcrivent respectivement lmission spontane et labsorption (et lmission
stimule), sont donc proportionnels et dans (2.70).
2. Notions physiques de base 63
10
12
10
10
10
8
10
6
10
4
10
2
10
0
10
2
10
4
10
1
10
0
10
1
10
2
10
3
300 K
373 K
473 K
1 273 K
5 800 K
L
u
m
i
n
a
n
c
e
e
n
W
/
c
m
2
/

m
Longueur donde en m
Temprature
domaine THz
v
i
s
i
b
l
e
Fig. 2.5 Luminance du corps noir pour direntes tempratures.
o k
B
= 1,3810
23
J/K est la constante de Boltzmann. L
o
() est la luminance
du corps noir
16
. La loi de Planck (2.72) est reprsente sur la gure (2.5) pour
direntes tempratures.
Un assez bon exemple de corps noir est celui dune fentre de maison ou
dimmeuble observe de loin en t. La lumire de jour qui pntre dans la
pice se rchit de multiples fois contre les objets de la pice et est gra-
duellement absorbe. La probabilit quelle ressorte de la pice par la fentre
est trs faible. En premire approximation, la fentre absorbe donc toute
la lumire quelle reoit et elle apparat noire vue de loin. De nombreuses
sources lumineuses suivent de manire plus ou moins approche la loi de
rayonnement du corps noir, comme les bougies (T = 1 900 K), lampes in-
candescence (T = 2 800-3 000 K), ou certaines lampes dcharge (xnon).
La puissance lumineuse rayonne par le soleil et de faon gnrale par les
toiles obit bien la loi de rayonnement du corps noir. En eet, lint-
rieur de ces astres, la fusion nuclaire produit une nergie lumineuse qui est
compltement absorbe par la matire et rayonne par celle-ci. la surface
de ltoile, la perte dnergie par rayonnement abaisse la temprature, mais
susamment peu pour que la loi de corps noir reste vrie. Ainsi le spectre
du soleil obit une loi de corps noir port 5 800 K, tandis que ceux des
toiles Antars et Spica correspondent respectivement 3 400 K et 23 000 K.
Lavantage du rayonnement dun corps noir par rapport dautres sources
est la continuit de ce rayonnement depuis les courtes (rayons X et UV) jus-
quaux trs grandes (THz, micro-ondes, radio) longueurs donde. Donc tout
corps noir est source de rayonnement THz. Cependant, les puissances mises
sont trs faibles. Pour un corps noir mettant au maximum dans le visible,
16
La luminance dune source lumineuse est la puissance rayonne par un lment de
surface unitaire de la source qui met perpendiculairement la surface de la source dans
un angle solide dun stradian.
64 Optolectronique trahertz
la luminance dans le domaine THz est un milliard de fois plus faible que
dans le visible. Par ailleurs, la temprature dun corps noir dont le maximum
dmission se situe dans le domaine THz est de lordre de la dizaine de Kelvin.
Ce rayonnement est beaucoup moins puissant que le rayonnement THz du
laboratoire temprature ambiante, rendant dicile la ralisation dexp-
riences.
2.3.5 Interaction lumire-molcule
Ltude quantique de la rponse lectromagntique dune molcule est
trs proche de celle dcrite prcdemment pour un atome. La dirence de
traitement rside dans les degrs de libert de mouvement supplmentaires
que possde la molcule par rapport latome. En eet les dirents atomes
de la molcule peuvent vibrer les uns par rapport aux autres, ou tourner
autour daxes de rotation privilgis. Le lecteur intress par des descriptions
dtailles et compltes de linteraction entre la lumire et les molcules pourra
consulter les ouvrages de rfrence de Kroto [39], Townes et Schawlow [40],
et Tennyson [41].
nergie de rotation Une molcule polaire
17
peut tre considre comme
un diple lectrique. Ce diple, en tournant, peut interagir avec un rayonne-
ment lectromagntique de frquence bien dtermine. Ainsi, toute molcule
polaire en rotation absorbe (ou met) des photons de frquence bien dtermi-
ne et est excite dans un tat de rotation suprieur (ou infrieur). Lnergie
de rotation est en eet quantie, cest--dire quelle ne peut prendre que des
valeurs discrtes. Les frquences de rotation dune molcule dpendent de ses
trois moments dinertie. Le moment dinertie I dune molcule par rapport
un axe quelconque passant par son centre de gravit est :
I =

i
m
i
r
2
i
(2.73)
o m
i
est la masse de latome i et r
i
sa distance laxe. Pour un de ces
axes (appel par convention c), le moment dinertie, dnot I
c
, a sa valeur
maximale. Il y a un autre axe, appel a, pour lequel le moment dinertie, I
a
,
a sa valeur minimale. On peut montrer que a et c sont perpendiculaires. Ces
deux axes, a et c, avec un troisime axe, b, perpendiculaire aux deux autres,
sont appels axes principaux dinertie. On a alors :
I
c
I
b
I
a
(2.74)
Dans le cas particulier dune molcule linaire, on a :
I
c
= I
b
I
a
= 0 (2.75)
17
Lorsquune molcule a un centre de symtrie, le moment dipolaire est nul, il ny a alors
pas de spectre de rotation.
2. Notions physiques de base 65
o les axes b et c sont dans des directions quelconques mais perpendiculaires
laxe internuclaire a.
Cas particulier dune molcule diatomique Le moment dinertie I
scrit simplement :
I =
m
1
m
2
m
1
+m
2
r
2
(2.76)
o m
1
et m
2
sont les masses des atomes et r la distance interatomique.
Lnergie de rotation est donne par :
E
R
=
h
2
8
2
I
J (J + 1) BJ (J + 1) (2.77)
B, proportionnel linverse du moment dinertie I, est appel constante de
rotation. J = 0, 1, 2 . . . est un nombre entier positif appel nombre quantique
de rotation. Une molcule qui est dans un tat de rotation J peut passer dans
un tat J + 1 par absorption dun photon dnergie
18
:
h = BJ (J + 1) (2.78)
ou dans un tat J 1 par mission dun photon dnergie :
h = 2BJ (2.79)
On voit que lon a :
J = 1 (2.80)
Cest la rgle de slection de rotation. Cette discussion a suppos la molcule
rigide (cest--dire r = constante). En fait, il est plus correct de reprsenter la
molcule par un ressort reliant les deux atomes. Quand la vitesse de rotation
augmente (cest--dire quand J crot), le ressort sallonge (donc r crot et B
dcrot) sous leet de la force centrifuge. Cest ce quon appelle la distorsion
centrifuge. Lquation de lnergie de rotation est alors lgrement modie :
E
R
= BJ (J + 1) DJ
2
(J + 1)
2
(2.81)
D, appele constante de distorsion centrifuge, est typiquement trois ordres
de grandeur plus petite que B. La rgle de slection J = 1 nest pas
modie.
18
Pour calculer les moments dinertie, on exprime les distances en angstrm (1 =
10
10
m) et les masses en unit de masse atomique (ou Dalton) : 1 m
u
= 1 Da = 1 uma =
m(
12
C)
12
= 1,660 538 86(28) 10
27
kg. Pour convertir les moments dinertie en constantes
de rotation, on utilise la relation B (MHz) =
505 379
I (uA
2
)
.
66 Optolectronique trahertz
Molcule polyatomique On peut gnraliser ce raisonnement une mo-
lcule polyatomique, la dirence tant quon a alors trois constantes de ro-
tation, A, B, et C, et cinq constantes de distorsion centrifuge. Le domaine de
variation des constantes de rotation est assez large, les valeurs exprimentales
allant de 616,4 GHz (pour HF) quelques dizaines de MHz (pour HC
17
N) :
ces molcules prsentent donc une signature THz. Lorsque la molcule nest
pas linaire, mais que deux constantes de rotation sont identiques, lnergie
de rotation scrit :
E
R
= BJ (J + 1) + (A B) K
2
si B = C
E
R
= BJ (J + 1) + (C B) K
2
si A = B
(2.82)
K est un deuxime nombre quantique entier variant entre J et +J. En
spectroscopie de rotation, la rgle de slection pour K est K = 0. Lorsque
les trois moments dinertie ont des valeurs direntes, lnergie de rotation
se calcule laide de la formule suivante :
E
R
=
A+C
2
J (J + 1) +
AC
2
E

(2.83)
A, B, et C sont les trois constantes de rotation, est un indice entier variant
entre J et +J, et E

est une valeur propre dune matrice (2J +1)(2J +1)


qui dpend de A, B, C et du nombre quantique J.
nergie de vibration Une molcule nest pas rigide, ses atomes vibrent
autour de leur position dquilibre, ce qui provoque des oscillations des charges
lectriques de la molcule. Si le moment dipolaire p oscille la mme fr-
quence que le rayonnement lectromagntique, il y a interaction rsonnante.
Lnergie de vibration, tout comme lnergie de rotation, est quantie cest-
-dire quelle ne peut pas varier de manire continue : on peut passer dun
tat de vibration (caractris par un nombre quantique de vibration n

)
un autre tat de vibration par absorption (ou mission) dun photon dner-
gie bien dtermine. Dans un premier temps, considrons le cas simple dune
molcule diatomique. Pour introduire les mouvements de vibration dans lha-
miltonien de la molcule, on modlise une molcule diatomique par deux
masses ponctuelles (m
1
et m
2
) relies par un ressort de force de rappel k
et de longueur lquilibre r
e
. Lnergie potentielle dun tel systme, appel
oscillateur harmonique, est :
U =
1
2
k (r r
e
)
2
(2.84)
En mcanique classique, cet oscillateur vibre la frquence :
=
1
2
_
k
M
(2.85)
2. Notions physiques de base 67
o M =
m
1
m
2
m
1
+m
2
est la masse rduite de la molcule. En mcanique quantique,
lnergie de vibration, qui est quantie, est donne par :
E
v
=
_
n

+
1
2
_
h (2.86)
o n

est le nombre quantique de vibration qui peut prendre les valeurs


entires : 0, 1, 2... Lorsque la rotation est galement prsente, lnergie de
vibration-rotation scrit :
E
v
=
_
n

+
1
2
_
h +BJ (J + 1) (2.87)
La rgle de slection de rotation devient J = 0, 1 pour la vibration, les
transitions les plus intenses correspondent n

= 1. Si lon tient compte


du fait que la vibration nest pas purement harmonique (cest--dire que le
potentiel ne peut pas tre reprsent exactement par une parabole), il faut
ajouter lquation prcdente un terme correctif danharmonicit, lqua-
tion complte scrit alors (en tenant compte de la distorsion centrifuge) :
E
v
=
_
n

+
1
2
_
h
_
n

+
1
2
_
2
h +BJ (J + 1) DJ
2
(J + 1)
2
(2.88)
En pratique, les molcules sont bien plus complexes que la simple molcule
diatomique. Une molcule forme de n atomes possde 3n degrs de libert :
3 de translation, 3 de rotation et 3n6 de vibration. Chaque degr de libert
de vibration a un mode pour lequel tous les atomes se dplacent en phase et
la mme frquence. Cest ce quon appelle le mode normal de vibration. Il y en
a deux types principaux. Dans le premier, les longueurs des liaisons changent,
mais pas les angles. Cest un mode dlongation. Dans le deuxime, ce sont les
angles qui se dforment, cest un mode de dformation. Les dirents modes
normaux sont indpendants les uns des autres, on peut alors les reprsenter
par des oscillateurs (harmoniques en premire approximation), tout comme
pour la molcule diatomique.
2.3.6 Interaction lumire-gaz
Dans un gaz sous faible pression, les molcules sont assez loignes les
unes des autres et interagissent peu entre elles. Leurs tats dnergie sont
bien dcrits par les modles de molcules isoles expliqus prcdemment.
Leurs pics dabsorption (gure (2.6)) sont dus un changement dnergie de
rotation ou/et de vibration des molcules du gaz. Chaque pic dabsorption
est caractris par sa forme, cest--dire une quation qui dpend de trois
paramtres :
sa frquence centrale
o
qui correspond au maximum dabsorption;
son intensit I
o
au maximum;
sa demi-largeur demi-hauteur .
68 Optolectronique trahertz
Fig. 2.6 Spectre de rotation de lacide formique, HCOOH, dans le do-
maine THz.
Forme de raie
De manire gnrale, la forme de raie dpend de :
la pression du gaz p ;
la masse de la molcule absorbante M
mol
;
la temprature du gaz T ;
la frquence dabsorption
o
.
Quand la pression p est faible, leet Doppler domine et la raie a une forme
en cloche (gaussienne). Les molcules ont des vitesses direntes et elles
absorbent donc des frquences direntes cause de leet Doppler. La
largeur tant dtermine par M
mol
, T, et , elle crot avec T et , et dcrot
avec M. La forme de raie obit lquation :
S
D
(,
o
) = S
o
exp
_

M
mol
c
2
k
B
T
_

o

o
_
2
_
(2.89)
La largeur Doppler ()
D
, qui est la demi-largeur demi-hauteur, est donne
par :
()
D
= 3,58 10
7
_
T
M
mol

o
(2.90)
Quand la pression est leve, les collisions entre les molcules dominent et
chaque collision interrompt le processus dabsorption. La raie a alors une
forme lorentzienne, sa largeur tant proportionnelle p et dpendant de la
2. Notions physiques de base 69
nature des interactions (lectriques) entre les molcules de gaz :
S(,
o
) =
1

_

(
o
)
2
+ ()
2
_
(2.91)
Aux pressions trs leves, le signal devient asymtrique et il faut alors utiliser
le prol de Van Vleck-Weisskopf :
S(,
o
) =
1

_

(
o
)
2
+ ()
2
+

( +
o
)
2
+ ()
2
_
(2.92)
Un ordre de grandeur typique de llargissement collisionnel est de quelques
MHz/Torr (soit quelques dizaines de kHz/Pa)
19
. Dans la rgion interm-
diaire des pressions moyennes o les deux eets (Doppler et collisions) sont
du mme ordre de grandeur, la forme de raie est une convolution entre les
formes lorentzienne et gaussienne. Elle est appele forme de Voigt. Il nexiste
pas dquation analytique de la forme de raie, elle doit tre calcule numri-
quement.
de CO).
Fig. 2.7 Une transition de rotation de lozone, O
3
, pour direntes pressions
totales, la pression partielle dozone tant constante. On voit que lintensit
du signal dcrot et que la largeur crot avec la pression totale.
Intensit des transitions
Lintensit dune transition de rotation est proportionnelle au carr du
moment dipolaire p. Plus prcisment, le phnomne dabsorption obit la
loi de Beer-Lambert (2.24). On peut montrer que le coecient dabsorption
de la transition est proportionnel :


3
N
T
2

p
2
e

E
R
k
B
T
(2.93)
19
1 Torr = 133,322 Pa.
70 Optolectronique trahertz
N est le nombre de molcules absorbantes. Quelques remarques :
est proportionnel la pression, donc N. De ce fait, N intervient au
numrateur et au dnominateur, et le coecient dabsorption (cest--
dire lintensit) ne dpend pas du nombre de molcules. Cest la surface
du pic dabsorption qui en dpend;
crot comme le cube de la frquence , donc les signaux les plus
intenses se trouvent gnralement en haute frquence (THz). Toutefois
cet accroissement est limit par le terme exponentiel de Boltzmann
(e

E
R
k
B
T
) qui est ngligeable aux basses frquences (J faible) mais qui
devient prpondrant aux trs hautes frquences. En rsum, lintensit
crot dabord rapidement avec la frquence, passe par un maximum

opt
(GHz) 11

BT +2B (avec B constante de rotation exprime en


GHz) puis dcrot exponentiellement (gure (2.8)).
Fig. 2.8 Intensit des transitions de rotation du propyne en fonction de la
frquence.
Limitations
Un spectre de rotation ne sobserve que si les molcules sont en phase
gazeuse, sous faible pression. Cest une limitation importante de la spectro-
scopie de rotation. Toutefois, il est possible dobtenir la plupart des molcules
en phase gazeuse, soit en chauant lchantillon, soit par ablation laser. Le
spectre de rotation de nombreuses substances, normalement solides, a pu
tre mesur, par exemple les sels, les oxydes mtalliques, les acides amins...
(gure (2.9)).
Une deuxime limitation vient de la taille de la molcule. Si elle est
trs lourde, son spectre devient trop peu intense, lintensit totale tant
2. Notions physiques de base 71
I
n
t
e
n
s
i
t


[
a
.
u
.
]
Frquence [MHz]
Fig. 2.9 Spectre de NaCl au voisinage de 0,480 THz : transition entre les
tats de rotation J = 36 et J = 37 (n

= 0).
rpartie sur un nombre gigantesque de transitions. De plus, au-dessus de
la frquence
opt
, lintensit des transitions dcrot exponentiellement. Pour
ces raisons, lobservation des spectres de rotation est limite des molcules
de masse infrieure environ 300 uma. De plus, la partie submillimtrique
du spectre de rotation est surtout utile pour des molcules lgres.
Avantages du THz
Spectroscopie de rotation Lorsquon analyse un spectre de rotation, la
prcision de la plupart des paramtres molculaires augmente avec la fr-
quence maximale observe
M
. Par exemple, la prcision de la constante
de rotation B est une fonction linaire de
M
. De mme, la prcision de
la constante de distorsion centrifuge D est une fonction de
3
M
. Il est donc
important de mesurer des frquences aussi leves que possible lorsque lon
veut obtenir des paramtres prcis, soit en vue dune prvision du spectre,
soit pour tester la thorie (la prcision des calculs ab initio par exemple). Par
ailleurs, certains eets ne deviennent visibles que pour des frquences leves :
cest le cas notamment du ddoublement K des transitions des molcules sy-
mtriques qui est proportionnel
5
M
. Certaines molcules trs lgres, les
hydrures en particulier, ont un spectre de rotation uniquement dans le do-
maine submillimtrique. En eet, la transition de plus basse frquence (
m
)
correspond J = 0, soit
m
= 2 B. En outre, le maximum dabsorption des
spectres de rotation de molcules pas trop lourdes se trouve dans le domaine
submillimtrique ( la frquence
opt
(GHz) 11

BT + 2B).
72 Optolectronique trahertz
Spectroscopie de vibration La frquence dun mode dlongation est en
gnral caractristique de la liaison et est, de ce fait, utilise pour identier
cette liaison dans une molcule, voire pour identier la molcule elle-mme.
La plupart des frquences de vibration se trouvent dans le domaine infrarouge
mais certaines vibrations sont dans le domaine THz. Cest le cas en particulier
des vibrations faisant intervenir des liaisons faibles (liaison hydrogne) ou un
mouvement de torsion (dplacement densemble dune partie de la molcule
par rapport au reste). Ces vibrations THz se rencontrent en particulier
dans les molcules biologiques, les molcules polycycliques et, plus gnrale-
ment, les grosses molcules. Elles sont particulirement intressantes car elle
permettent dtudier les liaisons faibles (notamment de dterminer leur so-
lidit ). De plus, elles sont beaucoup plus caractristiques dune molcule
donne que les vibrations qui se trouvent dans linfrarouge, elles permettent
donc de lidentier avec plus de sret. Lintensit dune transition de vi-
bration est proportionnelle au nombre de molcules absorbantes et au carr
de la variation du moment dipolaire induite par la vibration. Les transitions
correspondant une vibration de torsion sont en gnral peu intenses, donc
diciles observer. De plus, en phase solide, le spectre est compliqu par les
vibrations du rseau. Les intervalles entre les niveaux dnergie de rotation et
de vibration sont trs dirents. En premire approximation, les deux types
de mouvement peuvent tre considrs comme indpendants. Lnergie de
vibration-rotation dune molcule est simplement la somme des nergies et
chaque spectre de vibration prsente une structure ne de rotation en phase
gazeuse (gure (2.10)).
Fig. 2.10 Spectre de vibration de lthylne, H
2
C = CH
2
, dans le do-
maine THz (transitions entre les niveaux
7
= 1 et
8
= 1).
2. Notions physiques de base 73
2.3.7 Interaction lumire-liquide
Dans un liquide, linteraction avec un faisceau lumineux aux photons
de faible nergie comme dans linfrarouge lointain met en jeu les diples
molculaires (si les molcules du liquide en possdent un), les mouvements
dorientation des chromophores des molcules et les collisions entre molcules.
Dans le cas des liquides polaires, linteraction dipolaire entre chaque mo-
lcule et le faisceau lectromagntique est prpondrante. Ce champ tend
aligner mcaniquement les diples molculaires, la relaxation trouvant son
origine dans les collisions entre molcules du liquide (modle de Debye).
Ce processus de relaxation prend quelques picosecondes (environ 6 ps dans
CHCl
4
[42]). Dans les cas rels, plusieurs processus contribuent la relaxa-
tion de Debye, comme la diusion des excitations rotationelles, mais aussi
des mouvements collectifs de plusieurs molcules [42]. Labsorption des ondes
THz par les liquides polaires est donc trs forte, en particulier celle de leau
(300600 cm
1
dans la gamme 0,5-2,5 THz [43]). Chaque raie dabsorption
individuelle des molcules est fortement largie spectralement par les colli-
sions pour prendre la forme dune lorentzienne.
Dans le cas des liquides non polaires, les molcules ne portent pas de
moment lectrique permanent. Labsorption de rayonnement THz, qui est
trs faible (quelques cm
1
), est alors due aux diples transitoires induits lors
des collisions entre molcules. Les temps de relaxation sont sub-picosecondes,
typiquement de lordre de 0,5 ps pour le cyclohexane et de 0,2 ps pour le
benzne [44].
2.3.8 Interaction lumire-solide
Dans le solide, en plus des excitations individuelles de chaque atome ou
molcule, se produisent des excitations de phnomnes collectifs dont la na-
ture dpend du solide clair [45]. La description exacte du comportement
lectromagntique du solide demande une tude quantique, comme celle de la
thorie des bandes. Cependant, dans beaucoup de cas, une simple tude clas-
sique permet de retrouver approximativement les rsultats de la mcanique
quantique.
Mtaux et plasmas
Dans un mtal, les lectrons priphriques sont en grande partie ioniss
quelle que soit la temprature, et ils se dplacent facilement dans la structure
immobile forme par les atomes ioniss. La thorie des bandes nous indique
que cest le cas lorsque les lectrons les plus nergtiques remplissent incom-
pltement les bandes dnergie (nombre impair dlectrons priphriques par
maille du cristal). Le comportement lectromagntique de ces lectrons, si-
tus dans la bande de conduction du cristal, est assez bien dcrit par des
modles simples, comme celui de Drude.
74 Optolectronique trahertz
Modle de Drude Le modle de Drude est celui dun gaz dlectrons
libres emprisonn dans le matriau et dont linteraction avec le mtal est d-
crite sous forme de chocs alatoires entre ces lectrons et des dfauts ou des
phonons dans le mtal. Linteraction entre les lectrons libres et la structure
cristalline immobile, charge positivement car ionise, est nulle. Le mouve-
ment des lectrons est dtermin laide du principe fondamental de la dyna-
mique, les lectrons tant soumis la force de Coulomb induite par le champ
lectrique de londe lectromagntique, les chocs alatoires se traduisant par
une force de frottement visqueux :
m
d
2
r
dt
2
= e

E
o
e
jt

dr
dt
(2.94)
o r est le dplacement de llectron par rapport sa position dquilibre et
est le temps entre 2 collisions. Seule la dpendance temporelle du champ est
considre, cest--dire que lon se place dans lhypothse o le dplacement
de llectron est faible devant la longueur donde, ce qui est quivalent
crire que la vitesse de llectron est faible devant c. En prenant une solution
temporelle oscillante pour r, on obtient lamplitude r
o
du dplacement :
r
o
=
e
m

E
o

_

j

_ (2.95)
On en dduit la polarisation

P du matriau, et donc sa constante dilectrique
, en supposant que le dplacement de chaque lectron induit un diple dans
le mtal, puisque lendroit quil laisse vaquant en se dplaant est charg
positivement par la contribution de la structure cristalline :

P = N
e
er
o
e
j t
=
N
e
e
2
m

E
o
e
j t

_

j

_ =
o


E
o
e
j t
(2.96)

r
= 1 + = 1
N
e
e
2

o
m
1

_

j

_
(2.97)
N
e
est la densit volumique dlectrons libres. On tient compte de la contribu-
tion des ions et des lectrons lis en crivant que
r
=

pour les pulsations


leves. De plus, on dnit la pulsation plasma par
2
p
=
N
e
e
2

o
m
. Lexpres-
sion de la constante dilectrique du mtal prend alors une forme trs simple
(gure (2.11)) :

r
=

2
p

_

j

_ (2.98)
Pour les mtaux nobles, N
e
est de lordre de 10
22
lectrons/cm
3
, leurs
frquences plasma se situent dans le proche ultraviolet (pour largent,
2. Notions physiques de base 75
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
0
10
1
10
2
10
3
- partie relle
partie imaginaire
C
o
n
s
t
a
n
t
e

d
i

l
e
c
t
r
i
q
u
e
frquence en THz
Fig. 2.11 Dispersion de la constante dilectrique de laluminium,
daprs [46].

p
0,33 m). Les temps de collision temprature ambiante sont de lordre
de quelques dizaines de femtosecondes. Pour >

p
_

o
, la partie relle de

r
est positive (dans lapproximation des faibles pertes 1/ 0), lindice de
rfraction du mtal est parfaitement dni : le mtal prsente alors un com-
portement dilectrique et il est transparent. En revanche pour <

p
_

,
la partie relle de
r
est ngative, lindice de rfraction est complexe, avec
une trs forte partie imaginaire. Dans le visible, le modle de Drude ne rend
compte quapproximativement de la rponse des mtaux, car les transitions
intrabandes contribuent fortement cette rponse ; de plus, au voisinage de
la frquence plasma, il est ncessaire de tenir compte de la non-localit de la
rponse lectronique. Cest aussi vrai pour les semi-conducteurs dops, dont
la contribution des lectrons libres dans le visible et le proche infrarouge est
souvent cache par la transition entre bandes de valence et de conduction. En
revanche, dans le domaine THz, le modle de Drude donne une trs bonne
description de la constante dilectrique des mtaux et des semi-conducteurs
dops, sauf au voisinage des frquences des phonons. Les mtaux se com-
portent alors comme des conducteurs pratiquement parfaits. En eet, repre-
nons lexemple de largent, pour lequel
p
= 0,14 m (
p
= 0,9 10
15
Hz).
la frquence de 1 THz,
r
4,5 10
6
et donc lindice de rfraction est
imaginaire (n +j j 2 10
3
). Londe THz ne pntre presque pas dans le
mtal qui joue le rle dun miroir. Cet eet est d la rponse des lectrons
libres qui oscillent sans dicult la frquence du champ excitateur. Dun
point de vue pratique, les ondes THz ne seront pas ou seront peu transmises
au travers de matriaux possdant des charges libres.
76 Optolectronique trahertz
Mtal
p
en m en ps
Al 0,08 0,80
Co 0,31 1,80
Cu 0,17 7,25
Au 0,14 2,47
Fe 0,30 3,61
Pb 0,17 0,33
Mo 0,17 1,29
Ni 0,25 1,51
Pd 0,23 4,28
Pt 0,24 0,95
Ag 0,14 3,66
Ti 0,49 1,39
V 0,24 1,08
W 0,19 1,09
Tab. 2.3 Longueur donde plasma et temps de collision de quelques mtaux
daprs [46].
Plasmons Dans le cas simple o lon oublie les collisions ( ) et la
contribution des ions et des lectrons lis (

= 1), la constante dilectrique


du mtal ou du plasma sannule pour =
p
. On peut montrer que lex-
citation correspondante du gaz dlectrons est une oscillation longitudinale.
On peut dcrire ce phnomne de la faon suivante : prenons une plaque m-
tallique dpaisseur limite et dextension latrale trs grande, forme dun
arrangement homogne dions chargs positivement, qui sont baigns par un
gaz lectronique homogne. Les densits de charges ngatives et positives
sont gales, si bien que le milieu est lectriquement neutre. Si lon dplace en
bloc les lectrons perpendiculairement la plaque, on verra apparatre une
densit surfacique ngative dun ct de la plaque, et donc positive de lautre
ct, puisque les atomes positifs sont immobiles. Le champ induit soppose au
dplacement des charges et conduit loscillation du paralllpipde ngatif
par rapport celui positif, la frquence
p
. Il ny a dans ce cas plus donde
de dplacement des lectrons, puisque le dplacement des charges est global.
Cela explique que la vitesse de londe pour la frquence plasma soit innie
(
r
= 0 dans (2.97)). Le plasmon est le quantum dnergie associe londe
longitudinale de plasma. Si la frquence plasma des mtaux est situe dans
lultraviolet, celle des semi-conducteurs dops est dans linfrarouge lointain.
Ainsi, un dopage de 10
14
cm
3
correspond f
p
=

p
2
1 THz.
Plasmons de surface Lorsque le dplacement de llectron par rapport
sa position moyenne reste conn au voisinage de la surface dun mtal,
le plasmon est appel plasmon de surface. Il correspond la propagation
2. Notions physiques de base 77
dune onde de densit de charge le long de la surface du matriau, limage
de la propagation dune vague la surface de leau. Le dplacement des
lectrons est principalement perpendiculaire la surface et la direction
de propagation de londe. Le champ lectrique associ ce dplacement est
donc perpendiculaire la surface et, en consquence, le champ magntique
est dans le plan de la surface : le plasmon de surface est polaris transverse
magntique (TM)
20
. Ses proprits de propagation peuvent tre dcrites
laide des quations de Maxwell, en rsolvant le problme homogne dondes
lectromagntiques interagissant avec un dioptre. On montre que le plasmon
de surface correspond une onde TM, comme nous lavions intuit, qui se
propage uniquement le long dun dioptre sparant 2 milieux 1 et 2 dont le
produit des constantes dilectriques est ngatif (
1

2
< 0). La composante
de son vecteur donde le long de la surface est :
k
SP
=

c
_

1

1
+
2
(2.99)
Dans le cas de mtaux parfaits (modle de Drude) placs dans lair, la relation
de dispersion du plasmon scrit :
k
SP
=

c

2
p
2
2

2
p
(2.100)
La courbe de dispersion du plasmon prsente une bande interdite entre

p

2
et
p
, dont lorigine est le croisement entre la courbe de dispersion de la
lumire et la frquence plasma du mtal (gure (2.12)). Le quantum dner-
gie correspondant au fort couplage entre photon et plasmon de volume est
dnomm polariton. Pour la branche infrieure (plasmon de surface), k
SP
est plus grand que le vecteur donde dune onde plane se propageant dans le
milieu 1 ou le milieu 2. Par consquent, la composante, normale la surface,
du vecteur donde du plasmon est imaginaire. Le champ lectromagntique
du plasmon est vanescent dans les deux milieux voisins. Pour les mtaux
nobles, la pulsation plasma est dans le proche UV, donc k
SP
est pratiquement
gal 1 dans linfrarouge lointain :
k
SP


c
_
1 +
2
2

2
p
_
(2.101)
Le plasmon pntre peu dans le mtal, mais stend sur plusieurs centimtres
dans lair. La profondeur de dcroissance dans lair vaut :
d
SP
=
c

2
p

2
(2.102)
20
Dans les ouvrages anglo-saxons, on note la polarisation TM avec p (p-polarization,
de lallemand parralel ) et la polarisation TE avec un s (s-polarization, de lallemand
senkrecht qui veut dire perpendiculaire).
78 Optolectronique trahertz
0
0,5
1
1,5
2
0 50 100 150 200
f
r

q
u
e
n
c
e
e
n
T
H
z
vecteur donde k
SP
(cm )
1
Fig. 2.12 Courbe de dispersion des plasmons de surface (modle du mtal
parfait) pour un semi-conducteur dop 10
14
cm
1
(f
p
= 1 THz).
Le plasmon de surface est donc une onde guide. Son excitation laide dun
faisceau lectromagntique peut se faire par lextrmit de lchantillon, ou
en utilisant des coupleurs (rseau de diraction ou prismes en conguration
de rexion totale attnue), ou bien en protant de la diraction par une
rugosit rpartie ou par une protubrance localise.
Dilectriques
Dans les dilectriques, les lectrons priphriques restent lis aux atomes,
il nexiste donc pas de charges libres. Lexcitation lectromagntique induit
une dformation du nuage lectronique des atomes ou molcules qui conduit
lapparition dun diple lectrique sur chaque atome ou molcule.
Modle de Lorentz Une mthode classique, due Lorentz, considre que
llectron est maintenant retenu latome par un ressort de constante de rap-
pel k. Nous retrouvons un modle trs semblable celui que nous avons uti-
lis pour calculer la polarisabilit des molcules (quation (2.60)). Ce modle
suppose donc que llectron priphrique sensible au champ lectromagn-
tique baigne dans un potentiel atomique de type parabolique, comme celui
de Lennard-Jones. On crit :
m
d
2
r
dt
2
= e

E
o
e
j t
kr (2.103)
2. Notions physiques de base 79
La suite du calcul est identique celui de la mthode de Drude. On obtient :

r
=

N
e
e
2

o
m
1

2
o
=

2
o
(2.104)
o la pulsation de rsonance est dnie par
2
o
=
k
m
. Le calcul exact du diple
atomique induit requiert la mcanique quantique, qui donne un rsultat trs
proche de lexpression (2.104) :

r
=

N
e
e
2

o
m

i
F
i

2
oi
(2.105)
Chaque pulsation
oi
correspond une transition entre deux tats nerg-
tiques de latome ou de la molcule. La probabilit doccurrence des tran-
sitions est proportionnelle F
i
, force doscillateur de la transition. Dans
un solide dilectrique, les seules excitations individuelles datomes ou mol-
cules sont les transitions entre 2 tats lectroniques, dont les nergies sont
de lordre de llectron-volt. Dans linfrarouge lointain, la contribution de ces
transitions est compltement ngligeable, donc la constante dilectrique est
constante sur toute la bande frquentielle. De plus, les relations de Kramers-
Kronig conduisent une absence dabsorption. Le modle de Lorentz ne tient
pas compte des excitations collectives dans le solide. Ces excitations sont des
phonons ou des magnons, les autres rsonances du matriau, par exemple de
type pizolectrique, se produisant plus basse frquence (kHz-MHz).
Phonons Les phonons sont les quanta dnergie de vibration collective des
atomes et molcules dans les solides. Lnergie dun mode de vibration las-
tique de pulsation est :
E
n
() = (n +
1
2
) h (2.106)
o n est le nombre de phonons occupant le mode. Un modle classique simple
permet de dterminer leur courbe de dispersion (k) (gure (2.13)). On d-
crit les atomes par des corpuscules de masse m et leur nergie potentielle
dinteraction varie en r
2
, o r est le dplacement de latome par rapport
sa position dquilibre. En dautres termes, la somme du potentiel de r-
pulsion (par exemple potentiel de Lennard-Jones) des nuages lectroniques
lorsque les atomes se rapprochent et de celui dattraction en cas dloigne-
ment des atomes (de type van der Waals, ionique, covalent...) se dveloppe
au premier ordre en r
2
. On a lhabitude dassimiler ce potentiel celui dun
ressort obissant la loi de Hooke de constante de raideur C. Pour un cristal
constitu dun seul type datome, on obtient pour un modle une dimension
en se limitant linteraction entre plus proches voisins :

2
= 4
C
m
sin
2
_
ka
2
_
(2.107)
80 Optolectronique trahertz
0
1
2
3
4
5
6
0 0,7 1,4 2,1 2,8
f
r

q
u
e
n
c
e

e
n

T
H
z
vecteur donde k (x 10
7
cm )
1
Fig. 2.13 Courbe thorique de dispersion des phonons pour NaCl.
o a est la distance interatomique et k est le module du vecteur donde.
Les phonons peuvent correspondre des vibrations des atomes qui sont per-
pendiculaires la direction de propagation (phonons transversaux T) ou qui
sont dans le sens de propagation (phonons longitudinaux L). Dans le cas dun
cristal bi-atomique form datomes de masse m
1
et m
2
(de masse rduite M),
la relation de dispersion se ddouble :

2
= C

1
M

1
M
2
4
sin
2
(ka)
m
1
m
2

(2.108)
Les phonons aux plus hautes frquences (signe + dans (2.108)) sont appe-
ls phonons optiques (LO ou TO suivant quils sont longitudinaux ou trans-
verses). Pour les faibles valeurs du vecteur donde (infrarouge lointain), la
pulsation des phonons optiques tend
21
vers
T
=
_
2 C

et le mouvement de
2 atomes voisins est en opposition de phase, comme celui dun cristal bi-
atomique ionique (par exemple Na
+
Cl

) clair par une onde optique. Le


champ lectrique de cette onde, de longueur donde beaucoup plus grande
que la maille cristalline, acclre les cations et anions dans des directions op-
poses. Les phonons plus basses frquences (signe dans (2.108)) sont les
phonons acoustiques, le mouvement dun plan rticulaire datomes basse
frquence ressemblant celui dune surface vibrante.
21
Cela explique que, bien que les phonons optiques prsentent une courbe de dispersion
continue travers la premire zone de Brillouin, on observe dans linfrarouge un seul pic
dabsorption par type de phonon la pulsation
T
(voir gure (2.14)).
2. Notions physiques de base 81
2,1
2,12
2,14
2,16
2,18
2,2
2,22
0
2
4
6
8
10
12
0 1 2 3 4 5 6 7
I
n
d
i
c
e
d
e
r

f
r
a
c
t
i
o
n
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t
d
'
a
b
s
o
r
p
t
i
o
n
(
c
m

1
)
Frquence (THz)
Fig. 2.14 Dispersion de lindice de rfraction et du coecient dabsorption
(ordinaires) du quartz cristallin temprature ambiante (daprs [47]).
Au premier ordre, seuls les phonons optiques seront excits par une onde
lectromagntique, et ce phnomne ne se produit que dans les cristaux io-
niques (tableau (2.4)). Lexcitation de phonons acoustiques par voie optique
ncessite lexcitation simultane de plusieurs phonons : on observe cette ab-
sorption multi-phononique dans tout type de cristaux. Notons enn que la
prsence de dfauts permet lexcitation de phonons acoustiques ou optiques
dans tout matriau. Dans le cas des phonons optiques excits dans les cristaux
ioniques, on dtermine le mouvement des atomes induit par londe lectroma-
gntique en introduisant la force de Coulomb

F = e

Ee
j t
dans lquation
de la dynamique dcrite plus haut. Puis on obtient la constante dilectrique
du milieu par lintermdiaire du calcul de la polarisation, de manire sem-
blable celle dcrite pour le modle de Drude (relation (2.96)). On obtient :

r
=

+
N e
2
M
o
(
2
T

2
)
(2.109)
Phnomnes magntiques
Les phnomnes magntiques que nous traiterons ici sont de deux ordres :
soit ils rsultent de la rponse du milieu une excitation magntique, soit ils
apparaissent dans des milieux magntiques.
Frquence cyclotron Lorsquun champ magntique

B est appliqu un
milieu dans lequel sont prsentes des charges libres (lectrons et/ou trous),
ces dernires sont soumises la force de Lorentz :

F = q v

B (2.110)
82 Optolectronique trahertz
Cristal f
T
= 2
T
en THz
T
en m
AgCl 3,09 97,10
CdTe 4,50 66,60
NaCl 4,92 61,00
InSb 5,21 57,60
ZnTe 5,70 52,60
ZnSe 6,45 46,50
GaAs 8,00 37,50
InP 9,12 32,90
ZnO 12,40 24,20
Tab. 2.4 Frquence des phonons optiques de quelques cristaux.
En rsolvant lquation fondamentale de la dynamique dans le cas du rgime
stationnaire, on montre que les charges dcrivent un mouvement circulaire
la pulsation cyclotron
c
, dont laxe de rotation est la direction du champ
magntique :

c
= q
B
m
eff
= f
c
= 28,3
B
m
eff
GHz/Tesla (2.111)
m
eff
est la masse eective des charges. Le tableau (2.5) donne les valeurs
des masses eectives des lectrons de plusieurs cristaux, et leurs frquences
cyclotron par unit de champ magntique appliqu.
Semi-conducteur m
eff
/m
o
f
c
(THz) pour 1 Tesla
GaAs 0,070 0,404
GaSb 0,047 0,602
InAs 0,026 1,088
InSb 0,015 1,887
Tab. 2.5 Masse eective des lectrons et leur frquence cyclotron pour
quelques semi-conducteurs.
Magnons Dans un matriau ferromagntique, laimantation rsulte de
lorientation ordonne des moments magntiques des atomes et des lectrons.
Ces spins peuvent tre excits de telle faon que lextrmit du vecteur spin
tourne autour de sa direction ltat fondamental (phnomne de prces-
sion). Dans un matriau ferromagntique, cette excitation peut se propager
datome en atome. Ces oscillations propagatives de lorientation des spins
du matriau sont appeles onde de spin, et leur quantum dnergie est le
magnon. La courbe de dispersion des magnons est calcule partir de lner-
gie dinteraction (U = 2J

S
p


S
p+1
, J tant lintgrale dchange) entre
2. Notions physiques de base 83
les 2 spins

S
p
et

S
p+1
des atomes voisins p et p + 1 du milieu aimant :
h = 2 J S
_
Z

n
cos(

k r
n
)
_
(2.112)
o Z est le nombre datomes voisins proches en interaction, et r
n
est le vecteur
qui relie chacun de ces voisins latome central. Pour les faibles valeurs de
k, cette relation prend lexpression approche h = 2 J S a
2
k
2
= Dk
2
, o D
vaut respectivement 281, 364 et 500 meVA
2
pour le fer, le nickel et le cobalt.
La courbe de dispersion (

k) des magnons est gnralement dtermine par


diusion de neutrons dans les gammes de 0 quelques THz [48].
Eets magntiques photo-induits Un faisceau lumineux permet de mo-
dier les proprits magntiques dun matriau grce lexcitation optique
de porteurs. Dans les mtaux, lexcitation de niveaux excits des atomes
portant un moment magntique, tels que Fe
3+
, rsulte dans des phnomnes
de variation de laimantation qui est trs rapide (de lordre de la ps, par
exemple dans le nickel [49]). Lexcitation optique de semi-conducteurs non-
magntiques ou magntiques, tels InMnAs, conduit des non-linarits op-
tiques dont lorigine est lexcitation du plasma lectron-trou, plasma mettant
en jeu le ferromagntisme, la structure de bande, les vibrations du rseau, des
excitons... Les dynamiques de la population des spins des charges libres ainsi
que la population des porteurs elle-mme contribuent ces non-linarits
optiques.
Dans les matriaux semi-conducteurs magntiques, tels InMnAs, le ma-
gntisme du matriau ordonne lorientation des spins des lectrons libres
photo-excits. Cet ordre est maintenu pendant plusieurs ps, puis disparat
sous leet des collisions ou du pigeage des charges [50]. Des rsultats sem-
blables sont observs dans des semi-conducteurs non magntiques, o les
spins lectroniques sont orients par lapplication dun champ magntique ex-
trieur [51]. Ces observations stimulent actuellement beaucoup de recherches
pour mettre au point de llectronique base sur le spin (spintronics) trs
haute frquence (THz). La mesure de telles non-linarits magnto-optiques
est gnralement eectue avec des techniques MOKE (magneto-optical Kerr
eect ) [49, 52], cest--dire en enregistrant la rotation de polarisation dun
faisceau lumineux rchi par lchantillon, la rsolution temporelle picose-
conde tant atteinte grce des mthodes pompe-sonde.
Supraconducteurs
La supraconductivit trouve son origine dans la dformation du rseau
cristallin induite par le champ lectrique dune charge libre par linterm-
diaire des phonons. Cette dformation cre une zone charge positivement
84 Optolectronique trahertz
autour de la charge, qui pige une seconde charge libre. Cette paire dlec-
trons, appele paire de Cooper, se comporte alors comme un boson qui nin-
teragit pratiquement pas avec le rseau cristallin. Lapplication dun champ
lectrique dplace sans dicult les paires de Cooper, rsultant dans une
conductivit innie pour le matriau supraconducteur. Lnergie de couplage
des paires de Cooper est trs faible, la thorie BCS donnant exactement :
E
Cooper
= 3,5 k
B
T
c
f
Cooper
(THz) = 0,073 T
c
(2.113)
T
c
est la temprature critique du matriau, au-dessus de laquelle la supra-
conductivit disparat. Les supraconducteurs basse temprature critique se
comportent donc comme des conducteurs idaux lorsquils sont soumis des
champs de frquences infrieures quelques centaines de GHz. plus hautes
frquences, les paires de Cooper sont brises et le matriau devient rsistif. La
dure pendant laquelle les lectrons sont spars avant de rformer une paire
de Cooper peut tre aussi brve que quelques ps dans les supra-conducteurs
haute T
c
[53]. Il est donc possible dutiliser les supra-conducteurs pour fa-
briquer des photocommutateurs ddis la gnration et la dtection de
rayonnement THz.
2.3.9 Photognration dans les semi-conducteurs
La gnration de porteurs dans des semi-conducteurs est un phnomne
complexe aux applications technologiques multiples au premier plan des-
quelles la dtection de la lumire, et, dans le domaine THz, les metteurs
et dtecteurs photocommutation. Pour les applications THz, comme nous
lavons dj vu, des vnements de dure picoseconde sont mis en jeu, et
il faudra donc synthtiser et utiliser des semi-conducteurs dont les porteurs
photognrs ont une dure de vie aussi courte.
Principes de base
Dans un semi-conducteur intrinsque (non dop) temprature nulle, les
tats dnergie de la bande de valence sont compltement remplis alors que
ceux de la bande de conduction sont vides. temprature non nulle, une
faible partie des lectrons peuvent atteindre la bande de conduction grce
lnergie thermique, en suivant la statistique de Fermi-Dirac. Lorsque le semi-
conducteur est dop n, la densit dlectrons de conduction est augmente
grce aux atomes dopants qui peuvent tre ioniss par eet thermique. Les
lectrons de la bande de conduction peuvent se dplacer librement dans le
semi-conducteur : ce sont eux qui forment le courant lectrique qui traverse
le semi-conducteur soumis une dirence de potentiel. Les lectrons de
valence, lis leurs atomes, ne contribuent quau courant de dplacement, qui
traduit la polarisation du nuage atomique sous laction dun champ lectrique
variable.
2. Notions physiques de base 85
Lorsque le semi-conducteur est clair, les photons du faisceau lumineux
interagissent avec les lectrons des bandes de valence et de conduction (ce
dernier cas, que nous ntudierons pas ici, correspond au phnomne dab-
sorption par les porteurs libres (free carrier absorption) qui porte ces porteurs
une haute nergie dans la bande de conduction (hot carriers)). On peut
traiter linteraction photon-lectron de valence comme un choc entre parti-
cules pendant lequel lnergie et sa quantit de mouvement sont conserves.
Dans le cas une dimension, ces lois de conservation scrivent :
_
E
photon
+E
k
= E
k

hk
photon
+ hk = hk

(2.114)
o k et k

, et E
k
et E
k
, sont les vecteurs donde et les nergies de llectron
avant et aprs labsorption du photon. La quantit de mouvement du photon
hk
photon
( 10
8
eVm/s pour des photons visibles) est ngligeable par rap-
port celle de llectron. Labsorption de la lumire se fait donc vecteur
donde constant (ce qui nest plus vrai quand des phonons interviennent dans
le processus, qui est alors moins probable que celui dabsorption directe) :
_
h +E
k
= E
k

k = k

(2.115)
La gure (2.15) montre les diagrammes nergtiques des processus les
plus communs de photo-excitation dlectrons libres. Le processus le plus
rencontr est labsorption bande bande qui est trs ecace. Lorsque les
faisceaux lumineux sont trs intenses, labsorption multiphotonique est ob-
serve, principalement 2 photons (TPA). Pour que labsorption bande
bande se produise, la conservation de lnergie (2.115) impose que lner-
gie des photons incidents soit suprieure celle E
gap
de la bande interdite.
Les semi-conducteurs sont donc transparents pour les longueurs donde su-
prieures celle
gap
de la bande interdite dont les valeurs pour quelques
semi-conducteurs communs sont donnes dans le tableau (2.6).
Semi-conducteur
gap
nergie du gap Mobilit Hall (e

)
m eV cm
2
/V/s
GaAs 0,87 1,42 8 500
InP 0,92 1,35 4 600
Si 1,10 1,12 1 450
InAs 3,43 0,36 33 000
InSb 7,28 0,17 80 000
Tab. 2.6 Bande interdite et mobilit Hall des lectrons de quelques semi-
conducteurs.
86 Optolectronique trahertz
t
+
BV
BC
e
-
t
+
BV
BC
e
-
hn
t
+
BV
BC
e
-
absorption
bande
bande
absorption
depuis un
dfaut
absorption
2 photons
Fig. 2.15 Principaux processus de photognration dlectrons libres dans
un semi-conducteur.
Les porteurs excits restent statistiquement libres pendant une dure ap-
pele temps de vie. La dsexcitation de ces porteurs libres, cest--dire le
gel de leur position dans le cristal par perte dnergie cintique, se fait par
recombinaison lectron-trou, ou bien par pigeage par des impurets ou d-
fauts. Dans le cas de la recombinaison lectron-trou, il faut trouver dans
le matriau un lectron libre et un trou capable daccueillir llectron. La
probabilit de recombinaison est proportionnelle au produit des densits n
dlectrons et p de trous. Lquation de la dynamique des porteurs, crite ici
pour les lectrons, prend la forme :
dn
dt
= g(t) n(t) p(t) (2.116)
o g(t) est le taux de gnration des lectrons libres. Gnralement, le nombre
de trous est lev et peut tre considr comme ne variant pas dans les
interactions optolectroniques (ce nest pas vrai dans le cas de lillumination
sous trs faible intensit de nano-structures). On crit alors lquation de
dynamique des porteurs sous la forme simple :
dn
dt
= g(t)
n(t)

(2.117)
o est le temps de vie des lectrons libres.
Un traitement plus rigoureux de la dynamique des porteurs doit aussi
tenir compte des phnomnes de diusion (les porteurs de mme espce se
repoussent par rpulsion coulombienne) et de conduction si un champ lec-
trique est appliqu. Dans le cas 3 dimensions, lexpression (2.117) devient :
dn(t, r)
dt
= g(t, r)
n(t, r)

+
_
D

n(t, r)
_
+
_
n(t, r)

E(t, r)
_
(2.118)
o r est le vecteur position, D est le coecient de diusion, est la mobilit
des porteurs.
2. Notions physiques de base 87
Quelques proprits photolectriques
Les semi-conducteurs utiliss pour la photocommutation doivent prsen-
ter les proprits suivantes :
temps de vie des porteurs libres trs court pour atteindre le domaine
des frquences THz. Cette proprit est obtenue grce de nombreux
piges lectrons apports par des dfauts introduits lors de la synthse
du matriau. Ces piges sont soit des dfauts stchiomtriques (par
exemple excs darsenic ionis dans GaAs pitaxi basse temprature
(LT-GaAs)), soit structuraux (dans le cas de GaAs bombard par des
protons, ou bien de silicium dpos sur saphir (SOS)). Le modle de
recombinaison par les piges de Schockley-Read-Hall indique que le
temps de vie des porteurs libres est proportionnel au temps moyen mis
par une charge pour parcourir la distance moyenne entre 2 piges :
=
1
N
trap
v
th
(2.119)
o est la section ecace de pigeage, N
trap
est la densit de piges, et
v
th
est la vitesse thermique des charges. Pour LT-GaAs, N
trap
peut tre
ajust dans la fourchette 10
16
10
19
cm
3
, conduisant des temps de
vie stendant de la dizaine de ps moins que 100 fs ;
grande mobilit des porteurs libres pour produire des courants intenses.
La mobilit des charges libres, dtermine statistiquement par loccur-
rence des chocs entre charges et dfauts ou phonons, est donc inver-
sement proportionnelle premirement la racine carre de la masse
eective des charges cause de lexcitation des phonons optiques,
ce qui favorise lemploi de semi-conducteurs III-V ou II-VI dans ces
applications, deuximement la densit dimpurets, et donc requiert
des cristaux trs purs ;
haute rsistivit hors clairement. Dans un modle de bandes parabo-
liques, cette rsistivit est dnie par lexpression :
1

dark
n
dark
= 2
3
_
2mk
B
T
h
2
exp
_
E
F
E
G
k
B
T
_
(2.120)
La prsence de porteurs libres dans la bande de conduction est vi-
ter pour atteindre une haute rsistivit, ce qui exclu les matriaux
dops, et rend dicile lobtention de bonnes performances avec des
semi-conducteurs petit gap ((E
F
E
G
) faible). Il faut aussi te-
nir compte de la conductivit par saut (hopping) par eet tunnel des
charges piges dun pige lautre dans le cas des matriaux ultrara-
pides, qui est, dans le modle de Mott, proportionnelle la densit de
piges ;
tension de claquage leve. Le claquage est souvent li un phno-
mne davalanche dans le semi-conducteur rsultant de lionisation des
88 Optolectronique trahertz
atomes sous limpact des lectrons libres fortement acclrs. Pour
GaAs, le claquage se produit pour des champs de lordre de la cen-
taine de kV/cm.
2.4 Lasers femtosecondes
Le rle crucial, dans le renouveau des tudes de linfrarouge lointain,
quont jou les lasers dlivrant des impulsions lumineuses de dure femtose-
conde justie pleinement que la n de ce chapitre sur les principes physiques
de base soit consacre la description de ces lasers.
2.4.1 Lasers modes bloqus
Le fonctionnement de la grande majorit des lasers sappuie sur lob-
tention dune inversion de population dans un milieu actif, ce milieu tant
alors capable damplier la puissance dun faisceau lumineux le traversant.
En plaant ce milieu dans un rsonateur optique, par exemple de type cavit
de Fabry-Prot, on forme un oscillateur optique grce la contre-raction
apporte par la cavit. La cavit Fabry-Prot possde des modes lectroma-
gntiques propres, qui correspondent une rpartition quantie du champ
lectromagntique au sein de la cavit qui trouve son origine dans les condi-
tions aux limites de la cavit. En considrant ici le cas simpli dune cavit
une dimension (on suppose donc que la cavit est monomode transverse),
la frquence de chaque mode longitudinal de la cavit scrit :
f
n
= n
c
2 L
(2.121)
o n est le numro du mode et L est la longueur optique de la cavit
22
. Seules
les ondes de frquence f
n
peuvent se propager dans la cavit. La largeur spec-
trale f dun mode est proportionnelle aux pertes de la cavit (absorption et
fuite travers les miroirs). Le spectre lumineux dun rayonnement laser est
donc constitu par le peigne des frquences propres de la cavit multipli par
la rponse spectrale G(f) du gain du milieu actif. Son champ lectrique E
laser
du faisceau laser scrit :
E
laser
=

n
G(f
n
) e
j(2f
n
t+
n
)
=
+
_
0
G(f) e
j(2f t+(f))
(f
n
) df (2.122)
o
n
est la phase de chaque mode n, et (f) est la fonction de Dirac.
Lintgrale peut tre prolonge jusqu puisque G(f) = 0 en dehors
de la bande spectrale du gain du milieu actif. Cette intgrale est donc la
22
La longueur optique est lintgrale du produit indice de rfraction par longueur
gomtrique.
2. Notions physiques de base 89
transforme de Fourier inverse de G(f) e
j (f)
(f
n
). Si la phase
n
varie de
faon alatoire dun mode lautre, lintensit du faisceau laser est bruyante.
En revanche, cette expression (2.122) prend une forme simple si les phases
de tous les modes sont identiques (
n
= , n) :
E
laser
= e
j
+
_
0
G(f)(f
n
) e
j 2f t
df TF
1
[G(f)(f
n
)]
= TF
1
G(f) TF
1
(f
n
) =

G(t) (t
n
) (2.123)
o reprsente le produit de convolution,

G(t) est la transforme de Fourier
inverse de la courbe spectrale de gain, et t
n
= n
2L
c
. Le faisceau laser est donc
constitu dune rptition dimpulsions lumineuses de priode de rcurrence
2L
c
, gal 2 fois le temps daller-retour de la lumire dans la cavit, et dont
la forme temporelle est donne par la transforme de Fourier inverse de la
courbe de gain. Le laser fonctionne alors en rgime de modes bloqus (mode-
locked en anglais). En premire approximation, la dure des impulsions est
gale linverse de la largeur spectrale de la courbe de gain. Pour un laser
Ti:Sa, la largeur spectrale du gain est denviron 100 THz, qui laisse esprer
des impulsions de dure aussi courtes que 10 fs.
2.4.2 Mise en phase des modes
Actuellement, une technique de mise en phase des modes a pris le des-
sus sur dautres mthodes, comme la modulation intracavit ou lautotrans-
parence induite dans des absorbants saturables liquides. Cette technique,
appele KLM (pour Kerr lens modelocking) ou quelque fois magic mode
locking car dcouverte par hasard et initialement inexplique, est base
sur leet Kerr optique dans le milieu actif, par exemple un barreau de sa-
phir dop avec du titane. Dans un tel milieu, lindice de rfraction augmente
lgrement sous forte illumination optique. Le barreau se comporte alors
comme une lentille convergente pour les hautes puissances optiques. Il sut
alors de placer un diaphragme au point focal de cette lentille auto-induite.
Le diaphragme stoppera en partie les rayons non focaliss qui sont majori-
taires basse puissance optique. Le rgime impulsionnel, produisant de fortes
puissances crtes, sera donc favoris au dtriment dun fonctionnement en
continu. Notons que le fonctionnement impulsionnel est auto-entretenu lors-
quil a dmarr (soit sur le bruit de fond, soit aid par un lment perturba-
teur) : il sagit ici dune mise en phase passive des modes. Dautres mthodes
de mise en phase des modes sont aussi proposes, comme lautotransparence
dune couche semi-conductrice par gnration de porteurs dans des miroirs
de type Bragg (systme SESAM), ou bien la rotation de polarisation auto-
induite dans les lasers bre.
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Troisime partie
Composants
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Chapitre 3
Composants pour le rgime
impulsionnel
3.1 Lasers femtosecondes
3.1.1 Introduction
On sait produire articiellement des rayonnements lectromagntiques
impulsionnels depuis les travaux de Heinrich Hertz en 1888. Il utilisait pour
cela une source de haute tension qui chargeait un rsonateur constitu
dun l ayant une petite coupure en son centre. Lorsque la dirence de poten-
tiel tait susante, une tincelle samorait dans la coupure ce qui provoquait
une brutale augmentation du courant dans le l suivie de quelques oscilla-
tions amorties. Le spectre mis par cette source stendait jusqu quelques
dizaines de MHz. Cette clbre exprience permit de conrmer lexactitude
de la thorie lectromagntique de Maxwell, en particulier son rsultat prin-
cipal qui est la propagation dans le vide des ondes lectromagntiques la
vitesse de 300 000 km/s.
La premire classe des procds utiliss pour produire des impulsions THz
est directement issue de lexprience de Hertz. Si lon arrive par un moyen
quelconque produire dans un matriau une variation de courant sur une
chelle de temps voisine ou infrieure la picoseconde, un rayonnement lec-
tromagntique ayant un spectre de quelques centaines de GHz quelques
THz pourra tre mis. Nous nous limiterons ici aux mthodes optolectro-
niques utilises pour produire cette variation de courant. Elles mettent en jeu
des matriaux semi-conducteurs particuliers, au temps de rponse ultrabrefs,
ainsi que des lasers impulsionnels dont la dure des ashs est extrmement
courte, typiquement de 50 500 fs.
La deuxime classe de procds sappuie sur les eets doptique non-
linaire dcouverts dans les annes 1960. Ici, on utilise galement des lasers
femtosecondes mais ceux-ci ne servent pas gnrer des porteurs de charges
94 Optolectronique trahertz
libres comme on en trouve dans les semi-conducteurs et les conducteurs.
Les impulsions de lumire perturbent les nuages lectroniques des atomes
de cristaux transparents. Cette perturbation donne lieu une polarisation
moyenne du cristal qui dure le temps de limpulsion. Comme nous allons le
montrer, cette rapide variation de polarisation permet galement de rayonner
un champ lectromagntique ayant un spectre stendant sur plusieurs THz.
Avant dtudier les composants utiliss pour la gnration proprement
dite, nous allons tout dabord prsenter le principe des sources optiques fem-
tosecondes ainsi que les matriaux semi-conducteurs utiliss et leur fabrica-
tion. Nous aborderons ensuite les deux techniques de gnration et enn nous
terminerons par les techniques de dtection, qui, elles aussi, se rpartissent
en deux familles.
3.1.2 Gnration dimpulsions laser femtosecondes
Le dveloppement des sources optiques femtoseconde a t initiale-
ment motiv par le besoin damliorer notre perception de la dynamique de la
nature, celle-ci tant ultimement limite par la rsolution temporelle des ins-
truments de mesure dont nous disposons. Avec les obturateurs mcaniques,
la rsolution typique est milliseconde, alors que les illuminations strobosco-
piques permettent dabaisser cette rsolution la gamme des microsecondes.
Les oscilloscopes lectroniques chantillonnage modernes repoussent cette
limite jusqu des gammes aussi courtes que la picoseconde. Cependant, dans
la nature, de nombreux phnomnes sont rgis par des dynamiques dont les
chelles de temps sont encore bien plus courtes
1
, et cest pourquoi le dve-
loppement doutils encore plus rapides a fait lobjet de nombreux travaux
scientiques depuis quarante ans. Ce sont les lasers impulsionnels qui ont
fait reculer la rsolution temporelle des systmes de mesure de trois ordres
de grandeurs supplmentaires jusqu des gammes de temps infrieures la
dizaine de femtosecondes. Grce ces avances, il est aujourdhui possible de
suivre les dynamiques des molcules vibrationelles [54], le mouvement dun
lectron sur un tat atomique excit [55] ou encore dmettre des impulsions
dans la gamme de frquence trahertz [56, 57]. Nous avons galement signi-
cativement amlior notre connaissance sur la photosynthse et la vision. De
plus, des dveloppements technologiques nouveaux ont pu merger tels que
les systmes dchantillonnage lectro-optique [58] qui permettent dvaluer
les performances temporelles ultimes des composants lectroniques. Enn,
lextrme concentration en nergie de ces impulsions lasers a fait natre un
domaine entier de loptique, loptique non linaire.
En 1960, six ans aprs linvention du premier laser, De Maria et ses col-
laborateurs [59] ont produit les premires impulsions lasers ultracourtes de
1
Typiquement, le temps de ralisation dune raction chimique simple (par exemple
oxygne + hydrogne = eau) est de lordre de la picoseconde, tandis que le temps dexci-
tation du cortge lectronique dun atome est de quelques femtosecondes.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 95
dure typique de quelques picosecondes. Depuis, les progrs spectaculaires de
la technologie ont permis de gnrer des impulsions de plus en plus courtes,
diminuant denviron un facteur deux tous les trois ans [60]. Les impulsions les
plus brves mises actuellement par les lasers incorporant les derniers perfec-
tionnements sont de dure proche de 5 fs pour une longueur donde dmission
= 780 nm [61], et aprs compression, atteignent des dures aussi courtes
que 3,4 fs [62]. On atteint l une limite fondamentale, car la priode doscil-
lation de ce rayonnement est T = /c = 2,6 fs, ce qui signie que les champs
lectrique et magntique neectuent que deux oscillations dans lenveloppe
de limpulsion. Pour franchir la barrire femtoseconde, il est ncessaire
dutiliser un rayonnement de longueur donde beaucoup plus courte, cest--
dire appartenant au domaine de lultraviolet extrme. Il nexiste pas encore
de laser dans cette gamme spectrale. Ce sont de nouvelles sources bases sur
la gnration dharmoniques leves qui ont rcemment permis de franchir
la barrire de la femtoseconde, ouvrant ainsi le domaine de lattoseconde
(1 attoseconde = 10
18
s) au monde de la recherche [63].
3.1.3 Blocage de modes
Rappelons que le laser (light amplication by stimulated emission of ra-
diation) est un gnrateur de rayonnement cohrent par mission stimule
constitu principalement dun milieu amplicateur plac dans une cavit op-
tique. Une fraction de la lumire circulant dans la cavit est couple vers
lextrieur par un miroir de sortie partiellement transparent. Le laser opre
si le gain du milieu amplicateur est suprieur aux pertes introduites par la
cavit optique et par le couplage (cest la condition de seuil pour ltablis-
sement de loscillation laser). Le gain du milieu amplicateur dpend de la
frquence optique et son tendue spectrale varie suivant le milieu considr.
Dans un laser, les frquences doscillation permises se situent dans la
bande spectrale o la condition doscillation laser est vrie, et sont d-
termines par la gomtrie de la cavit optique qui impose lexistence dun
certain nombre des frquences discrtes (modes). Ces frquences sont dter-
mines par le fait que, dans la cavit optique, le champ lectrique doit se
rpter lidentique aprs un tour dans la cavit optique. Pour de nombreux
lasers, la largeur spectrale du milieu amplicateur recouvre un trs grand
nombre de modes imposs par la gomtrie, la lumire dlivre tant alors
multimode. Lorsque les modes permis oscillent de manire indpendante,
cest--dire quils prsentent une phase alatoire entre eux, lmission de lu-
mire est continue et uctue en intensit cause des interfrences entre les
dirents modes. Il est cependant possible de manipuler les phases des dif-
frents modes pour obtenir une mission particulirement intressante : une
impulsion de lumire [64].
Pour crer une impulsion laser femtoseconde, il faut alors russir com-
biner les modes autoriss de frquences voisines, de manire ce quils
96 Optolectronique trahertz
sajoutent de faon constructive un instant donn et de faon destruc-
tive aux autres instants. Il faut asservir rigoureusement les phases des dif-
frents modes individuels, cest--dire les bloquer en phase de telle sorte
quils prsentent une relation de phase xe entre eux et bien dnie. Le
temps, pendant lequel les interfrences restent constructives, dnit la dure
de limpulsion et dpend de lcart entre les composantes de plus grande et de
plus petite frquence : plus la dirence maximum de frquences est grande,
plus vite vont se manifester les interfrences destructives entre les compo-
santes spectrales, faisant tendre vers zro lamplitude du champ en dehors
du maximum de limpulsion. On retrouve ainsi une loi gnrale de lanalyse
de Fourier, liant la dure minimale linverse de la largeur spectrale. Le
spectre dune impulsion ultracourte couvre ainsi une gamme de frquences
trs large. Il faut combiner jusqu plusieurs centaines de milliers de modes
pour crer des impulsions de quelques femtosecondes.
Le blocage en phase des modes du laser peut sobtenir en imposant que
les pertes optiques soient plus importantes lorsque les modes ne prsentent
pas la bonne relation de phase : il sagit de favoriser le fonctionnement im-
pulsionnel [65]. Deux mthodes sont principalement employes pour eectuer
ce type de blocage de modes. La premire consiste placer dans la cavit
optique un lment actif comme un modulateur optique, on parle alors de
blocage de mode actif , la seconde consiste placer un lment non linaire
passif comme un absorbant saturable, on parle alors de blocage de mode
passif [66].
Blocage de mode actif
Supposons quun modulateur damplitude soit plac lintrieur de la
cavit optique et que la priode de modulation soit prcisment ajuste au
temps dun aller-retour de la lumire dans la cavit optique. Une impulsion
optique peut alors traverser le modulateur lorsque que les pertes introduites
par celui-ci sont minimales alors quil y a une attnuation de toutes radia-
tions qui narrivent pas au moment du pic de transmission de la modulation.
Le laser oscille donc sous forme dune impulsion courte qui circule dans la
cavit optique et qui passe travers le modulateur chaque tour, prcis-
ment linstant o les pertes introduites par le modulateur sont minimales
comme illustr sur la gure (3.1). Il existe un large choix de modulateurs
lectro-optiques ou acousto-optiques performants pour eectuer la modula-
tion damplitude intracavit.
Cette forme de modulation intracavit reprsente la forme la plus com-
mune du blocage de mode actif, dans lequel le processus de formation dim-
pulsion est contrl et synchronis par la frquence de modulation applique.
Plus la dure de limpulsion qui circule dans la cavit est rduite, moins les
pertes quelle voit en passant travers le modulateur sont importantes, et ce
jusqu ce que la dure de limpulsion devienne plus courte que la priode de
3. Composants pour le rgime impulsionnel 97
~ f=c/2L
a)
Temps
Gain satur
Pertes
I(t) Intensit des
impulsions
0 T=1/f 2T 3T
Gain Modulateur
M
1
M
2
L
b)
Fig. 3.1 a) Schma dun rsonateur laser qui fonctionne en rgime de blo-
cage de mode actif. L est la longueur optique de la cavit. Le miroir M
1
couple la lumire avec lextrieur et le miroir M
2
possde une trs haute
rectivit. Un signal lectronique externe est appliqu au modulateur dam-
plitude. b) Description dans le domaine temporel du blocage de mode actif.
Le taux de rptition des impulsions est donn par le temps mis par limpul-
sion pour parcourir un tour de la cavit optique.
la modulation. Il en dcoule que le spectre de limpulsion slargit et com-
prend donc plus de modes. La largeur spectrale de limpulsion sapproche
alors de la largeur spectrale du gain du milieu amplicateur. La dure dim-
pulsion limite pour un laser blocage de mode actif rsulte donc en gnral
dun compromis entre les eets danement de la dure dimpulsion du mo-
dulateur intracavit et les eets danement spectral du milieu gain du
laser.
Blocage de mode passif
La deuxime mthode trs utilise pour eectuer le blocage de mode et
ainsi gnrer des impulsions courtes est de placer un lment ou une cellule
absorption saturable dans la cavit optique du laser. Un absorbant saturable
peut tre tout type de matriau solide, solution liquide ou gaz pour lequel
labsorption optique est constante faible intensit mais diminue et sature
lorsque lintensit du laser augmente. Ainsi labsorbant saturable joue le rle
dun interrupteur de lumire command par la puissance lumineuse dans la
cavit. Labsorbant saturable reoit en permanence la lumire, constitue de
trs nombreux modes (frquences). Parmi tous ces modes, seuls ceux qui
vibrent en phase (cest--dire ceux dont lintensit est maximale au mme
98 Optolectronique trahertz
instant) ont ensemble une intensit susante pour saturer les pertes op-
tiques de labsorbant et le traverser (car leurs amplitudes sajoutent). Ainsi
le gain du milieu amplicateur est suprieur aux pertes (gure (3.2)). Les
autres modes sopposent partiellement entre eux et peuvent mme parfois se
dtruire. La somme algbrique de leurs intensits est alors trop faible pour
saturer labsorbant et ces modes sont absorbs.
a)
Gain satur
I(t) Intensit des
impulsions
Pertes
Temps 0 T=1/f 2T 3T
b)
Gain
A.S.
L
M
1
M
2
Fig. 3.2 a) Schma dun rsonateur laser qui fonctionne en rgime de blo-
cage de mode passif. Le miroir M
1
couple la lumire avec lextrieur et le
miroir M
2
possde une trs haute rectivit. Un absorbant saturable (AS)
est utilis pour obtenir une automodulation damplitude de la lumire lin-
trieur de la cavit optique. b) Description dans le domaine temporel du
blocage de mode passif. Le taux de rptition des impulsions est donn par
le temps mis par limpulsion pour parcourir un aller-retour dans la cavit
optique.
Des approches alternatives qui reposent sur lutilisation dabsorbants sa-
turables dit articiels sont galement mises en uvre. Par exemple, des
lasers blocage de modes passifs reposent sur la conjonction dune non-
linarit de type Kerr [7] dans le milieu amplicateur associe une fente
de slection spatiale qui joue le rle dabsorbant saturable articiel. Leet
Kerr est une variation de lindice de rfraction avec lintensit dans la cavit.
Lorsque lintensit dans la cavit et donc dans le milieu gain est importante,
cest--dire lorsque les modes vibrent en phase, la non-linarit de lindice de
rfraction se traduit par un eet de lentille convergente qui autofocalise
les rayons lumineux et ainsi rduit ltendue spatiale du faisceau. Le diamtre
du faisceau est donc plus petit en rgime impulsionnel quen rgime continu.
Si lon place une fente dans la cavit dont louverture est plus petite que le
diamtre du faisceau en rgime continu, mais suprieure celui du faisceau
en rgime impulsionnel, elle introduit davantage de pertes en rgime continu
3. Composants pour le rgime impulsionnel 99
et peu en rgime impulsionnel. Le fonctionnement en rgime impulsionnel est
alors favoris.
Dans les lasers blocage de modes passifs, leet de modulation est pro-
duit par limpulsion laser elle-mme ce qui veut dire que la modulation reste
toujours parfaitement synchronise avec limpulsion qui circule dans la cavit
optique et que leet de modulation peut devenir plus fort et plus rapide au
fur et mesure que limpulsion devient plus courte. Il en rsulte que gnra-
lement le blocage de mode passif conduit des impulsions signicativement
plus courtes que celles obtenues avec le blocage de mode actif.
3.1.4 Principaux lasers femtosecondes
Nous prsentons dans cette section les principaux lasers femtosecondes
utiliss dans les applications optolectroniques THz.
Le laser saphir dop titane (Ti:Sa) Le laser femtoseconde le plus
couramment utilis est le laser solide saphir dop au titane (Ti:Sa). Le
cristal de saphir dop avec lion titane prsente entre autres proprits une
trs large bande dmission entre 700 nm et 1 100 nm. Labsorption du ma-
triau tant dans le vert , ce type de laser Ti:Sa doit tre pomp par un
laser argon refroidi par eau ou un laser solide doubl en frquence (532 nm)
de quelques watts (minimum 2 W). Le mcanisme de blocage de mode de
ce laser femtoseconde repose sur lautofocalisation par eet Kerr. Ce type de
laser dtient le record des impulsions les plus courtes, de dure 3,4 fs [62].
Le laser standard Ti:Sa blocage de mode passif est largement disponible
dans le commerce (Coherent, Spectra Physics...) et dlivre des impulsions
de dure typiques allant de valeurs infrieures 10 fs (Femtolasers
2
) jusqu
plusieurs ps, lnergie des impulsions, qui dpend de leur dure, stendant
typiquement de la dizaine de pJ quelques nJ. Le laser Ti:Sa peut tre mis
en srie avec un amplicateur rgnratif pour augmenter signicativement
lnergie des impulsions et atteindre ainsi des nergies de lordre du mJ.
Le laser gain dop lytterbium Une nouvelle gnration de lasers
femtosecondes pomps par diodes se dveloppe depuis quelques annes. Il
sagit de lasers solides qui sappuient sur de nouveaux milieux gain do-
ps lytterbium [67]. La structure spectroscopique des matriaux dops
lytterbium est adapte au pompage par diodes, ce qui permet de saranchir
des lasers de pompe dans le vert utiliss pour les lasers Ti:Sa. Il en rsulte
un encombrement moindre et un cot signicativement rduit. De plus, ces
lasers solides dlivrent des nergies de sortie jusqu 20 fois plus importantes
que celles dlivres par les lasers Ti:Sa conventionnels [68]. Les modles com-
merciaux les plus rcents (par exemple de la socit Amplitude Systmes)
2
www.femtolasers.com
100 Optolectronique trahertz
prsentent des dures de 200 fs 500 fs pour une nergie par impulsion de
20 nJ jusqu 500 nJ respectivement. La longueur donde dmission se situe
autour de 1 060 nm.
Le laser bre Le dveloppement de la technologie dite bre a favo-
ris lmergence de lasers bre femtosecondes [69]. Ce sont des rfrences
en termes de compacit et de facilit demploi. Ils prsentent galement un
faible cot compar lensemble des lasers solides. Les lasers qui sont conus
autour dune technologie de bres monomodes dopes Erbium (Calmar Opt-
com, IMRA) prsentent une bande spectrale dmission accordable autour de
1 535 nm 1 560 nm, la longueur donde centrale des systmes de tlcom-
munication longue distance. Un absorbant saturable semi-conducteur est
prsent dans la cavit optique pour raliser le blocage de mode passif et des
impulsions de dures typiques de 100 fs [70] sont ainsi dlivres. Les nergies
des impulsions tant intrinsquement faibles (autour de la dizaine de pJ),
des amplicateurs bre sont ajouts en sortie du laser an datteindre des
nergies par impulsion de lordre du nanojoule.
De nombreux domaines de recherche et dapplication bncient du dve-
loppement des sources optiques femtosecondes. Ces lasers sont notamment au
cur des systmes optolectroniques qui mettent en jeu des impulsions THz.
3.2 Matriaux semi-conducteurs
pour limpulsionnel
3.2.1 Recombinaison des paires lectrons-trous
Le principe dun photocommutateur est relativement simple : il sut
de disposer dun semi-conducteur de bande interdite adapte la longueur
donde du laser impulsionnel utilis et de raliser sur celui-ci deux lectrodes
pour appliquer une polarisation. En clairant lespace inter-lectrodes, on
rend le matriau conducteur et on ferme ainsi le circuit lectrique. Cepen-
dant, une fois les paires lectrons-trous cres en grand nombre dans le semi-
conducteur par une impulsion optique, le matriau doit revenir dans son tat
initial (isolant) avant la prochaine impulsion. Sinon, on assiste une aug-
mentation considrable du nombre de porteurs moyens et une diminution
de la photomodulation du courant, et donc une diminution de la puissance
THz mise. Dautre part, le photocourant deviendrait tellement intense que
le semi-conducteur supporterait dicilement la dissipation thermique asso-
cie. Il est donc ncessaire que ces porteurs de charge se recombinent en un
temps infrieur la priode de rptition des impulsions laser. Par ailleurs,
comme nous le verrons, le temps de vie des porteurs joue un rle crucial
dans la dtection photoconductrice des impulsions THz. Ainsi, un matriau
3. Composants pour le rgime impulsionnel 101
semi-conducteur optimis pour la photocommutation picoseconde doit pr-
senter une haute rsistivit hors clairement (pour obtenir des signaux contras-
ts), des porteurs au temps de vie trs court (pour obtenir des impulsions de
courant trs brves) et trs grande mobilit (pour obtenir des signaux in-
tenses), et enn une grande tension de claquage (an de pouvoir appliquer de
grandes tensions de polarisation en vue daugmenter lamplitude des signaux
lectriques).
La recombinaison dune paire lectron-trou ncessite la libration dune
nergie correspondant la bande interdite. Dans les semi-conducteurs clas-
siques cette libration dnergie peut se faire essentiellement suivant deux
processus : les recombinaisons radiatives (mission dun photon) et non ra-
diatives (lnergie est cde au rseau cristallin ou un autre porteur de
charge). La recombinaison radiative ne peut seectuer qu vecteur donde
constant [31]. On classe les semi-conducteurs en deux catgories : les semi-
conducteurs bande interdite directe (GaAs, InP, InAs...) et les semi-
conducteurs bande interdite indirecte (Si, Ge, AlAs...). Dans le premier
cas, une transition entre le minimum de la bande de conduction et le maxi-
mum de la bande de valence est possible vecteur donde constant (transition
directe). Les recombinaisons radiatives sont donc relativement ecaces dans
ces matriaux, les constantes de temps de recombinaison sont typiquement
de quelques nanosecondes. Dans le second cas, la transition directe nest pas
possible et labsorption dun phonon est ncessaire, les recombinaisons ra-
diatives sont trs peu ecaces, la constante de temps est de lordre de la
microseconde la milliseconde suivant la temprature du cristal.
On constate donc que les recombinaisons radiatives ne sont pas assez
rapides dans les matriaux usuels pour permettre lutilisation de lasers fem-
tosecondes ayant des frquences de rptition de 10 100 MHz (priode 10
100 ns). La solution la plus employe consiste donc augmenter lecacit
des recombinaisons non radiatives. On sait depuis les annes 1960 que ces
recombinaisons sont importantes en prsence de dfauts dans le cristal semi-
conducteur. En gnral, ces dfauts ne sont pas dsirs dans les composants
lectroniques ou optolectroniques. Par exemple, ils rduisent fortement le
rendement des lasers semi-conducteurs. Mais dans le cas des photoconduc-
teurs, ils sont tout fait ncessaires pour diminuer la dure de vie des por-
teurs libres. Il faut cependant les introduire dans le cristal semi-conducteur
de manire contrle et reproductible. Par ailleurs, la mobilit des porteurs
doit rester la plus leve possible an davoir une modulation du courant la
plus leve possible. Il convient donc dintroduire des dfauts tout en conser-
vant une grande mobilit, ce qui est problmatique puisque les dfauts ont
tendance diuser les porteurs et donc diminuer leur libre parcours moyen.
Deux techniques se sont dveloppes pour parvenir ce compromis : la crois-
sance basse temprature et limplantation/irradiation ionique.
102 Optolectronique trahertz
3.2.2 Lpitaxie basse temprature
des semi-conducteurs III-V
pitaxie par jets molculaires
Lpitaxie par jets molculaires (EJM ou MBE en anglais pour mole-
cular beam epitaxy) est une technique utilise dans le domaine des semi-
conducteurs pour faire crotre des couches cristallines de haute qualit et
de quelques m dpaisseur sur des substrats monocristallins. Elle consiste
placer le substrat dans une enceinte sous ultra-vide (<10
8
torr) en face
de creusets contenant les lments pitaxier (les cellules). Dans le domaine
des semi-conducteurs III-V (les plus adapts pour des applications optolec-
troniques), le substrat est gnralement du GaAs ou de lInP. Les cellules
contiennent des matriaux de la colonne III du tableau priodique (alumi-
nium, gallium, indium sont les plus courants) et de la colonne V (phosphore
et arsenic sont les plus courants). Elles sont chaues une temprature
T
III
et T
V
respectivement pour les lments III et les lments V an dva-
porer le matriau quelles contiennent. Le substrat est galement chau
une temprature T
s
. Les atomes ou molcules partent donc de la cellule et
se condensent sur le substrat. La trs faible pression rgnant dans lenceinte
permet davoir un parcours cellule-substrat pratiquement sans collision (le
libre parcours moyen est suprieur la taille de lenceinte). Dune manire
gnrale, les lments V sont beaucoup plus volatiles que les lments III.
Pour obtenir des ux datomes identiques, on impose T
V
<< T
III
.
La croissance par pitaxie par jets molculaires de couches de haute qua-
lit repose sur la rgle des trois tempratures . De manire simplie : les
atomes des lments III se condensent sur le substrat si T
s
< T
III
, dautre
part il faut que les atomes dlments V saccrochent aux atomes III mais
pas aux atomes V, donc il faut T
s
> T
V
. Si lon maintient T
V
< T
S
< T
III
,
cela assure la stchiomtrie automatique du compos : galit du nombre
datomes III et datomes V, la seule condition que le ux datome V soit
suprieur au ux datomes III. Lexcs datomes V se r-vapore du substrat.
Pour le GaAs, cela impose une temprature T
s
de lordre de 550 650

C. La
vitesse de croissance est typiquement de lordre de 1 m/h, ce qui correspond
environ une couche atomique par seconde.
Croissance basse temprature
la n des annes 1980, on sest aperu que la croissance de couches
monocristallines de GaAs par EJM tait possible jusqu des tempratures T
s
aussi basses que 200

C [71]. La rgle des trois tempratures nest visiblement
pas respecte : T
s
T
V
. Si on envoie un excs datomes darsenic, celui-ci ne
peut se r-vaporer susamment comme 600

C. Le matriau est donc non
stchiomtrique : il contient un excs darsenic. Plus T
s
est basse, plus cet
excs est important. Exprimentalement, on a montr quil peut atteindre
3. Composants pour le rgime impulsionnel 103
1 % pour des tempratures de lordre de 200

C. Dautre part, il est apparu
que le matriau obtenu (quali de GaAs basse temprature GaAs-BT ou
LTG-GaAs pour Low-Temperature-Grown GaAs) est trs rsistif et pouvait
permettre de supprimer des eets parasites dans les transistors GaAs.
Des tudes ont montr que lexcs darsenic est prsent dans le cristal
de GaAs sous forme de dfauts ponctuels en grande concentration. Plusieurs
types de dfauts sont prsents dans le GaAs-BT et permettent dexpliquer la
non stchiomtrie. Ce sont a priori : larsenic en antisite As
Ga
(cest--dire
un As la place dun Ga), larsenic en site interstitiel As
i
(un As insr
entre des atomes de la maille normale), et la lacune de gallium V
Ga
(un Ga
manquant). Toutefois, la stabilit thermique du GaAs-BT (voir paragraphe
suivant) montre que le dfaut majoritaire est probablement un complexe
associant un As
Ga
et un As
i
que nous notons (As,As)
Ga
[72]. Pour une crois-
sance 200

C, la concentration en dfauts peut atteindre 10
20
cm
3
. Cette
concentration est susante pour modier la maille cristalline du GaAs : pour
une temprature de croissance de lordre de 200

C, elle est 0,1 % plus grande
que la maille normale.
Lantisite As
Ga
(ou lantisite complex) possde des niveaux dnergie si-
tus vers le milieu de la bande interdite : il se comporte comme un donneur
profond. Ces donneurs participent un phnomne de compensation avec les
accepteurs. Le matriau est alors trs rsistif (de lordre de 10
4
.cm) car le
nombre de porteurs est extrmement faible. En fait, le mcanisme de conduc-
tion semble tre un mcanisme de transport par sauts. La concentration en
donneurs profonds est telle quune bande se forme. Llectron saute dun site
donneur occup un site voisin vide.
Il faut signaler que le contrle et le reproductibilit de la temprature
du substrat dans cette gamme (200-300

C) nest pas une chose aise car
les fours des btis dpitaxie ne sont en gnral pas conus pour cela et
les pyromtres classiques ne sont pas utilisables. Le matriau GaAs-BT tel
quil est obtenu aprs croissance na pas de relles applications et il nest
pas stable thermiquement : une lvation de temprature (un recuit) modie
grandement le matriau.
Recuit
Plusieurs exprimentateurs se sont aperus que les proprits du GaAs-
BT taient modies par un recuit dans la gamme 400-800

C. Le paramtre
de maille tend revenir vers celui du GaAs standard pourtant lexcs darse-
nic est toujours prsent dans le matriau. Plusieurs tudes on montr que la
densit de dfauts ponctuels diminuait beaucoup avec le recuit jusqu deve-
nir indtectable (< 10
18
cm
3
) pour des tempratures de lordre de 600

C.
Ce fait explique la variation du paramtre de maille. En 1990, Warren et
ses collaborateurs ont dcouvert que lexcs darsenic prcipite sous forme
104 Optolectronique trahertz
de nanocristaux darsenic (diamtre de quelques nm quelques dizaines de
nm) [73]. Lvolution de la concentration de dfauts et de la taille des prcipi-
ts en fonction de la dure et de la temprature du recuit permet de montrer
que la dynamique de la prcipitation est limite par la diusion de As
i
. Le
modle communment admis est que les dfauts ponctuels majoritaires aprs
pitaxie (antisites complexs) sont dissocis [74] :
(As, As)
Ga
2As
i
+V
Ga
(3.1)
Les intersticiels, relativement mobiles ces tempratures alimentent les pr-
cipits. Les lacunes diusent et se recombinent vraisemblablement sur les
surfaces. Toutefois les proprits lectriques montrent que des antisites sont
encore prsents aprs le recuit, dans certains cas la raction serait donc :
(As, As)
Ga
As
i
+As
Ga
(3.2)
Aprs le recuit, on a donc des prcipits darsenic et des As
Ga
avec une
concentration de lordre de 10
16
10
17
cm
3
.
Le GaAs-BT recuit temprature susante est semi-isolant (rsistivit
de lordre de 10
6
10
7
.cm). La conduction par saut nexiste plus, mais
les expriences ont montr quil se comportait toujours comme un matriau
compens par un donneur profond de type As
Ga
. Toutefois, une autre inter-
prtation a t avance : les prcipits darsenic sont mtalliques et forment
donc des contacts Schottky avec le GaAs environnant. Les barrires de dpl-
tion correspondantes pourraient alors se recouvrir pour une densit susante
de prcipits et rendre le matriau semi-isolant [73].
Dun point de vue technologique, le recuit du GaAs-BT est eectu soit
aprs la croissance dans le bti dpitaxie sous ux darsenic, soit dans un
four de recuit rapide. Cette dernire technique est la plus utilise, le recuit
se fait sous ux dazote ou dargon et dure environ une minute. La gamme
de temprature de recuit la plus intressante pour les aplications optolec-
tronique est 550-650

C.
Photoconduction dans GaAs-BT
Le GaAs-BT recuit est semi-isolant, mais il peut tre rendu conducteur
en lclairant avec des photons dnergie suprieure sa bande interdite (soit
1,42 eV temprature ambiante), cest le principe de la photoconduction. Le
temps de vie des porteurs photocrs est trs court dans ce matriau, il peut
tre trs infrieur la picoseconde [75]. Deux explications ces dures trs
courtes ont t proposes : la premire met en jeu les prcipits qui joueraient
le rle de centres recombinants, la deuxime met en jeu les donneurs profonds
qui sont connus pour tre des centres de recombinaison trs ecaces. Celle-ci
semble plus satisfaisante car elle explique galement que de courts temps de
3. Composants pour le rgime impulsionnel 105
vie soient mesurs dans le matriau non recuit. Le mcanisme de recombinai-
son est le suivant : un lectron est captur par un donneur ionis, qui devient
neutre et peut ensuite capturer un trou pour redevenir ionis.
Le temps de recombinaison des porteurs dpend essentiellement de la
temprature de croissance de la couche qui xe lexcs darsenic incorpor
dans le matriau. Il dpend galement de la temprature de recuit, cependant
le comportement nest pas simple car mme si en gnral le temps de recom-
binaison augmente avec la temprature de recuit, dans certains cas (faible
excs darsenic) il diminue [76].
Pour obtenir des temps de vie trs faibles, il faut baisser la temprature
dpitaxie pour augmenter lexcs darsenic. Cependant lorsque la temp-
rature devient trop basse (ou le ux darsenic trop important), la qualit
cristalline du matriau se dgrade fortement et une rugosit apparat sur la
surface du matriau. Des tudes ont t faites pour diminuer le temps de
vie sans dgrader la qualit des couches. Une approche a consist doper la
couche avec un accepteur (le bryllium) an daugmenter la proportion de
donneurs profonds ioniss et de relaxer les contraintes mcaniques induites
par lexcs darsenic. Des temps de vie infrieurs 100 fs ont t obtenus [77].
Mesure du temps de vie des porteurs
La mesure du temps de vie des porteurs est gnralement faite par une
technique de rexion ou de transmission optique rsolue temporellement.
Celle-ci utilise un laser impulsionnel femtoseconde dans une conguration
pompe-sonde. Le laser est gnralement de type Ti:Sa car sa gamme daccor-
dabilit en longueur donde est bien adapte la bande interdite de GaAs. Le
faisceau est divis en deux par une lame sparatrice, lun deux (la pompe)
est environ 100 fois plus puissant que lautre (la sonde). Le retard de lun
par rapport lautre est rendu variable par une ligne retard. Ces deux
faisceaux sont focaliss au mme endroit sur lchantillon, lintensit de la
sonde est mesure soit aprs rexion sur lchantillon, soit aprs traverse
de lchantillon. Le substrat de GaAs sur lequel a t pitaxie la couche est
au moins 100 fois plus pais que celle-ci, le faisceau de sonde nest donc pas
mesurable aprs la traverse du substrat. La conguration en transmission
ncessite donc une attaque chimique de celui-ci, mais elle a comme avantage
dexclure toute gnration de porteurs dans le GaAs du substrat, ce qui gne
parfois linterprtation du signal mesur.
Le principe de la mesure est le suivant : la pompe a pour rle de crer
des paires lectrons-trous en grand nombre dans le GaAs. Si la sonde tra-
verse lchantillon avant la pompe (par convention on dit que le dlai est
ngatif), elle est partiellement absorbe par la couche. Si la sonde traverse
lchantillon en mme temps ou un peu aprs la pompe (dlai nul ou positif),
elle est moins absorbe par la couche car une grande concentration de por-
teurs est prsente. Les tats occups par ces porteurs saturent labsorption
106 Optolectronique trahertz
-1 0 1 2 3
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
T
/
T

(
U
.
A
.
)
Temps (ps)
Fig. 3.3 Variation relative de transmission rsolue temporellement dune
couche de GaAs-BT de 1 m dpaisseur. La croissance a t faite environ
200

C et le recuit 580

C.
optique [31]. Si la sonde arrive longtemps aprs la pompe, les porteurs ont
eu le temps de se recombiner et on revient au cas du dlai ngatif. En faisant
varier le dlai pompe-sonde, on peut tracer une courbe qui reprsente la sa-
turation de labsorption optique engendre par la pompe et qui varie comme
le nombre de porteurs prsents dans le semi-conducteur. Cette courbe per-
met dextraire le temps de vie des porteurs. La gure (3.3) reprsente une
mesure de transmission rsolue temporellement eectue sur une membrane
de GaAs-BT.
Linterprtation ne des mesures de rexion (ou de transmission) rsolue
temporellement est souvent dicile pour plusieurs raisons. Pour les dlais
proches de zro, les porteurs commencent par se relaxer et se thermaliser
dans la bande de conduction. Labsorption du faisceau sonde augmente de
nouveau, ce qui engendre une chute rapide du signal alors que le nombre de
porteurs na pratiquement pas vari. Ce phnomne dure quelques centaines
de femtosecondes et peut tre minimis en ajustant lnergie des photons
une nergie proche de la valeur de la bande interdite (suprieure de 10
30 meV). Le deuxime problme est que les dynamiques des lectrons et des
trous ne sont pas spares. Lorsque deux constantes de temps sont observes,
elles sont souvent attribues aux deux types de porteurs.
La conguration de lexprience pompe-sonde qui a t prsente est dite
dgnre car les nergies des photons de sonde et de pompe sont iden-
tiques. Il existe des congurations non dgnres o la sonde a une nergie
dirente de la pompe. Une exprience intressante consiste sonder les
3. Composants pour le rgime impulsionnel 107
porteurs avec une impulsion THz. La sonde transmise est alors modie par
labsorption par porteurs libres induite par les porteurs. Ce type dexp-
rience permet de mesurer simultanment le temps de vie des porteurs et leur
mobilit [78].
Alliages pitaxis basse temprature
Un des intrts des semi-conducteurs III-V pour les applications optolec-
troniques est la possibilit de former des alliages entre les dirents composs
binaires. Ces alliages ont des bandes interdites comprises entre les bandes in-
terdites des binaires qui les composent. Ainsi, en mlangeant une proportion
x dAlAs et (1 x) de GaAs, on obtient un alliage Al
x
Ga
1x
As. Celui-ci
possde une bande interdite suprieure 1,42 eV car AlAs a une bande in-
terdite suprieure GaAs. En mlangeant GaAs et InAs, la bande interdite
diminue.
LAl
x
Ga
1x
As-BT a t tudi et possde globalement des proprits
semblables au GaAs-BT pour des concentrations daluminium infrieures
15 %. Il est utilis pour la dtection par eet Franz-Keldysh pour laquelle on
a besoin dun semi-conducteur isolant de bande interdite suprieure celle
de GaAs.
Le Ga
1x
In
x
As-BT a galement t tudi. Toutefois, plus la concentra-
tion en indium augmente, plus la rsistivit du matriau obtenu se dgrade.
Pour une concentration de 53 %, la rsistivit est de lordre de quelques
.cm et elle augmente avec le recuit au lieu de diminuer comme dans le cas
de GaAs-BT. Ce matriau nest pas utilisable pour la ralisation de photo-
commutateurs, ce qui serait pourtant intressant car il a une bande interdite
qui correspond aux longueurs donde utilises pour les tlcommunications
optiques (1,55 m). Pour des concentrations de 10 20 %, des temps de vie
relativement courts et une rsistivit modre ont t obtenus.
3.2.3 Implantation et irradiation ionique
Limplantation et lirradiation ionique sont des mthodes de cration de
dfauts [79] qui consistent bombarder un matriau par des ions. Lors de
leur traverse dans la matire, les ions entrent en collision avec les atomes du
rseau cristallin et cdent aux atomes une part de leur nergie. Si lnergie
transmise est suprieure une certaine nergie seuil , dtermine par la
nature de la maille cristalline, latome-cible quitte son site cristallin, laissant
alors un site vacant, encore appel lacune. son tour, latome primaire d-
plac percute dautres atomes-cibles et peut provoquer ainsi une cascade de
dplacements atomiques. Ce processus se rpte jusqu ce que lnergie de
chacun des atomes en mouvement devienne infrieure lnergie de seuil ;
on parle alors de collisions secondaires. Ces dplacements lmentaires des
atomes dans le matriau-cible crent, en n de compte, des lacunes, des sites
108 Optolectronique trahertz
interstitiels et des anti-sites (remplacement dun atome par un autre) qui
sont autant de dfauts de structure.
chaque collision avec les atomes du rseau cristallin, les ions perdent
une partie de leur nergie jusqu tre compltement arrts lorsquils ont c-
ds toute leur nergie. Dans le cas de lirradiation ionique, les ions possdent
une nergie initiale importante et traversent compltement le matriau avant
davoir perdu toute leur nergie : cette technique nintroduit donc que des
dfauts de structure. En revanche, dans le cas de limplantation, les ions
possdent une nergie initiale faible et sont arrts dans le matriau o ils
forment des impurets ; limplantation introduit donc, en plus des dfauts de
structure, des impurets (les ions implants). Le programme TRIM (Trans-
port of Ion in Matter) dvelopp par Haggmark et Biersack [80] permet par
simulation cumulative dvnements individuels de modliser ces interactions
ion-matriau cible. Un paramtre essentiel qui intervient galement dans les
mcanismes de cration des dfauts de structure est la masse de lion incident.
En eet, la quantit dnergie cde par lion incident aux atomes du rseau
est une fonction croissante de sa masse atomique [81]. Le bombardement par
des ions lgers cre des dplacements lmentaires isols donnant ainsi lieu
des dfauts de structure de type ponctuel alors que le bombardement par
des ions lourds cre principalement des cascades de dplacements et donne
lieu des agglomrats de dfauts lmentaires [82].
Dure de vie des porteurs
Les dfauts de structure et les impurets introduits par le bombardement
ionique agissent comme des centres de capture et de recombinaison pour
les porteurs libres. Les proprits dynamiques des porteurs dans les semi-
conducteurs dsordonns ont t tudies au moyen dexpriences de type
pompe-sonde et de photoluminescence rsolue en temps. De nombreuses
tudes ont montr que limplantation et lirradiation ionique des matriaux
semi-conducteurs conduisent une rduction signicative du temps de vie des
porteurs libres. Cest une consquence directe de la prsence de centres de
capture et de recombinaison. Par exemple, limplantation dions O et Si dans
du silicium dpos sur saphir [83, 84], limplantation par des protons dans un
matriau de GaAs et dInP [85, 86] ou encore lirradiation par des ions lourds
du matriau GaAs [87] permet de raccourcir les dures de vie des lectrons
des valeurs sub-picosecondes. La gure (3.4) illustre lvolution du temps
de vie des lectrons en fonction de la dose dions dans des matriaux semi-
conducteurs irradis et implants. Notons que, dans le cas des matriaux
irradis, ce sont uniquement les dfauts de structure qui agissent comme
centres de capture pour les porteurs libres alors que les impurets participent
galement la capture des lectrons dans le cas des matriaux implants. On
observe sur cette gure que le temps de vie des lectrons varie de la centaine
de picosecondes la centaine de femtosecondes. Lvolution montre que le
3. Composants pour le rgime impulsionnel 109
0,1
1
10
100
10
12
10
13
10
14
10
15
T
e
m
p
s

d
e

v
i
e

(
p
s
)
Dose dimplantation (ions/cm
-2
)
Fig. 3.4 Temps de vie des lectrons en fonction de la dose dions . Les rec-
tangles correspondent une implantation par des ions O dans le Silicium sur
Saphir (SOS). Les ronds correspondent une implantation par des protons
dans le GaAs. Les traits pointills reprsentent une loi en

1.
temps de rponse du matriau peut tre aisment ajust avec la dose dions
utiliss pour le bombardement. Ceci est crucial pour les diverses applications.
Une deuxime remarque importante concerne le mcanisme de capture des
lectrons libres : le temps de relaxation est inversement proportionnel la
dose dions pour des doses intermdiaires. Ceci est une simple consquence
du fait que la probabilit de capture est dautant plus importante que la
concentration de dfauts est leve. Cette volution est trs bien prdite par
la loi de Schockley-Read-Hall.
Matriaux bombards
Comme tout processus de cration de dfauts, lirradiation et limplan-
tation ionique de couches semi-conductrices ont des rpercussions videntes
sur les proprits lectriques des matriaux [88]. Suivant les ions utiliss pour
le bombardement, leur masse et leur nergie initiale et suivant la structure
cristalline du matriau cible, les rles des dfauts de structure et des im-
plants sur les mcanismes de transport sont trs dirents. Cest pourquoi
les proprits lectroniques des matriaux sont spciques aux conditions
de bombardement. Dans cette partie, nous rapportons uniquement les ca-
ractristiques optiques et lectriques des matriaux ddis aux applications
optolectroniques THz.
110 Optolectronique trahertz
Le GaAs bombard En implantant ou en irradiant le matriau GaAs
avec une dose dions adapte, il est ainsi possible de rduire le temps de vie
des lectrons des valeurs aussi courtes que 200 fs. Cependant, la rsistivit
dobscurit est trs faible, proche de 2 cm. Un moyen ecace pour aug-
menter la rsistivit dobscurit est deectuer un recuit pour gurir certains
dfauts de structure [77]. Par exemple, le GaAs implant avec des ions As
une dose de 1 10
16
cm
2
et recuit 600

C prsente un temps de vie des
porteurs dune picoseconde et une rsistivit dobscurit de 510
4
cm [89].
Ces valeurs sont comparables celles obtenues avec le matriau de GaAs
basse temprature de croissance puis recuit une temprature proche de
600

C.
LIn
0,53
Ga
00,47
As bombard Dans le matriau In
0,53
Ga
0,47
As pitaxi
en accord de maille sur InP, qui prsente une absorption importante la lon-
gueur donde des systmes de tlcommunication, une implantation aux ions
Fe suivie dun recuit 600

C conduit des temps de vie des lectrons den-
viron 300 fs [90] et une rsistance dobscurit estime quelques centaines
de cm. Des tudes approfondies [90] ont mis en vidence que les niveaux
accepteurs profonds introduits par les implants de Fe compensent les don-
neurs intrinsquement prsents dans In
0,53
Ga
0,47
As et ainsi ancrent le niveau
de Fermi au milieu de la bande interdite. Une irradiation par des ions lourds
(Br) du matriau In
0,53
Ga
0,47
As conduit galement une rduction du temps
de vie des lectrons jusqu 200 fs et une rsistivit dobscurit de 5 cm
grce notamment la prsence des agglomrats de dfauts lmentaires qui
possdent une charge neutre [91].
3.3 Gnration
3.3.1 Gnration base de semi-conducteurs
Photocommutateurs
Les photocommutateurs sont des dispositifs semi-conducteurs trs int-
ressants pour lmission dimpulsions lectromagntiques THz [92]. En eet,
ces dispositifs dlivrent des signaux dont ltendue spectrale peut atteindre
30 THz [93] et mme 60 THz [94], et la puissance moyenne plusieurs di-
zaines de W [95]. Dans un photocommutateur, deux contacts mtalliques
sont dposs la surface dun matriau photoconducteur an dappliquer un
champ lectrique de polarisation. Le mcanisme qui engendre lmission dun
faisceau THz par le photocommutateur commence par lillumination de les-
pace inter-lectrode du dispositif avec une impulsion laser ultracourte dont
lnergie des photons est suprieure lnergie de la bande interdite. Il y a
alors cration de paires lectron-trou dans le matriau photoconducteur. La
variation rapide de la densit de porteurs et leur acclration par le champ
lectrique forme un transitoire de courant. Cest la variation temporelle du
3. Composants pour le rgime impulsionnel 111
courant des chelles de temps sub-picoseconde qui, daprs les quations de
Maxwell, entrane le rayonnement dans le milieu ambiant dondes lectroma-
gntiques dans la gamme de frquence THz.
Pour concevoir des sources photoconductrices mettant des signaux de
forte puissance et composs de frquences leves, il est crucial de com-
prendre les dirents aspects du processus dmission THz. De nombreuses
tudes exprimentales et thoriques ont t menes pour analyser le transport
des porteurs dans les photocommutateurs. Les approches thoriques les plus
compltes reposent sur des modlisations Monte Carlo qui considrent des
groupes de charges individuelles en mouvement [96]. Nanmoins, des modles
plus simples, utilisant les quations taux de population [97] et le modle
de Drude-Lorentz, savrent susants pour reproduire assez dlement les
formes donde mesures exprimentalement [98100].
Modle Nous prsentons ici un modle simple une dimension bas sur
les quations de transport de charge et de rayonnement dipolaire, qui permet
dapprhender linuence de nombreux paramtres sur les caractristiques du
signal THz rayonn par les photocommutateurs. Rappelons que la densit
de photocourant dans le photocommutateur scrit comme la convolution
de lenveloppe temporelle de limpulsion optique excitatrice avec la rponse
impulsionnelle en courant du photocommutateur :
j(t) = P
opt
(t) [n(t) q v(t)] (3.3)
o est le produit de convolution, P
opt
(t) la puissance optique excitatrice,
q, n(t) et v(t) sont respectivement la charge, la densit et la vitesse des
photoporteurs dans le photoconducteur.
Lvolution temporelle de la densit de photoporteurs est dcrite par
lquation (3.4), o G(t) reprsente le taux de gnration des photoporteurs
et le temps caractristique pendant lequel ces photoporteurs restent dans
la bande de conduction du semi-conducteur :
dn
dt
=
n

+G(t) (3.4)
est le rsultat de la comptition entre la recombinaison radiative
rad
des
photoporteurs et leur capture par les niveaux de dfauts
cap
:
1

=
1

rad
+
1

cap
(3.5)
La dynamique des porteurs libres photognrs dans le matriau photo-
conducteur est dcrite par le modle classique de Drude-Lorentz. Daprs ce
modle, la vitesse des porteurs est rgie par lquation direntielle suivante :
dv(t)
dt
=
v(t)

+
q
m

E(t) (3.6)
112 Optolectronique trahertz
o E(t) est le champ lectrique qui agit sur les photoporteurs dans la struc-
ture, est le temps moyen entre deux collisions des photoporteurs contre
des impurets ou des dfauts du matriau, et m

est la masse eective des


porteurs.
Le modle de Drude-Lorentz, malgr sa simplicit, est bien adapt
ltude du transport de charges dans les photocommutateurs lorsque les
chelles de temps considres sont suprieures au temps de collision
moyen [100]. En revanche, ltude du transport de charges des chelles
comparables au temps de collision moyen entre porteurs requiert des calculs
statistiques (modlisation Monte Carlo) du mouvement des porteurs.
On remarque que ce modle associe, chaque type de porteurs, une
masse eective unique. Or, la structure de bande dans les matriaux semi-
conducteurs est en ralit constitue de plusieurs valles : la valle centrale o,
dans les semi-conducteurs gap direct, les lectrons ont une masse eective
faible et donc une mobilit leve, et les valles latrales o les lectrons sont
lourds et leur mobilit sen trouve extrmement rduite. Dans les conditions
classiques dutilisation des photocommutateurs pour lmission dun signal
THz, les photoporteurs sont excits dans la valle centrale de leur bande
de conduction. Une bonne approximation est alors de ne considrer quune
masse eective unique pour chaque population des photoporteurs. Cepen-
dant, nous verrons par la suite que, dans certaines conditions dutilisation,
des photoporteurs sont transfrs dans les valles latrales ; lapproximation
dune masse eective unique nest alors plus approprie. Notons que la contri-
bution des trous est mineure car leur masse eective est beaucoup plus grande
que celle des lectrons. Ainsi, dans le cas du matriau GaAs, m

trou
= 0,51
et m

electron
= 0,063 dans la valle centrale. Nous la ngligerons donc pour
simplier cette prsentation.
Le photocommutateur est ventuellement coupl une antenne dont les
caractristiques sont dnies par la gomtrie des lectrodes dposes sur le
matriau photoconducteur. Les antennes les plus courantes sont des antennes
dipolaires classiques qui se comportent comme des diples de Hertz [101]. La
gure (3.5) illustre les principales gomtries dantennes dipolaires ralises.
Dans le cas o la dtection seectue dans la rgion de champ loin-
tain [102], le champ lectrique rayonn est alors directement proportionnel
la drive temporelle de limpulsion de courant qui traverse lespace inter-
lectrode du photocommutateur (voir chapitre sur les principes physiques de
base) :
E
THz
(t)
dj(t)
dt
(3.7)
Notons que cette expression ne prend pas en compte la dispersion des
dirents lments optiques (lentilles, miroirs paraboliques) placs entre la
source THz et le dtecteur pour imager le rayonnement THz sur le dtecteur.
On trouvera dans les travaux de Jepsen et al. [100] une tude exhaustive qui
traite lensemble du systme.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 113
Fig. 3.5 Puissance THz rayonne suivant la gomtrie des lectrodes m-
talliques dposes sur le matriau photoconducteur. Les gomtries des lec-
trodes sont schmatises en insert.
La rsolution de ce systme dquations (3.3-3.7) permet dobtenir de
nombreuses informations sur le prol temporel et spectral des impulsions THz
rayonnes par les photocommutateurs. Une solution analytique de ce systme
dquations, propose par L. Duvillaret et collaborateurs [103], repose sur les
hypothses suivantes :
limpulsion optique est suppose gaussienne :
P
opt
=
P
o

laser
exp
_
4 ln 2
_
t

laser
_
2
_
(3.8)
la dure de vie des photoporteurs est suprieure la dure de limpul-
sion optique excitatrice. Ainsi n(t) scrit :
n
(
t) exp
_

_
(3.9)
le champ appliqu est un champ constant E
DC
. La vitesse des porteurs
scrit alors simplement :
v(t) = q

m

_
1 exp
_

__
E
DC
(3.10)
le photocommutateur se comporte comme un diple de Hertz [101]. En
champ lointain [102], le champ lectrique rayonn est proportionnel
la drive temporelle de limpulsion de courant.
La densit de photocourant dans la source photoconductrice scrit :
j(t)
_
+
0
P
o

laser

m
exp
_
4 ln 2
(t t

)
2

2
laser

_
_
1 e

_
E
DC
dt

(3.11)
114 Optolectronique trahertz
soit encore :
j(t) P
o
E
DC

_
exp
_

2
laser
4
2
_
erfc
_

laser
2

t

laser
_
exp
_

2
laser
4
2
_
erfc
_

laser
2

t

laser
__
(3.12)
o
1

=
1

+
1

, tant la dure de vie des lectrons et le temps de


collision, et
laser
=
laser
/2

ln 2. Le spectre des impulsions THz rayonnes


par le photocommutateur sexprime en calculant
3
la transforme de Fourier
de la drive temporelle de lquation (3.12) :
E
THz
(f)
P
opt
E
DC
f(
vie

vie
) exp((f
laser
)
2
)
m

(1 2if
vie
)(1 2if
vie
)
(3.13)
La gure (3.6) reprsente le transitoire de courant au sein dun photo-
commutateur classique, la forme donde rayonne par celui-ci et son spectre
associ. Le pic principal (positif) du signal rayonn est attribu ltablis-
sement du photocourant par linjection des porteurs et leur acclration par
le champ statique appliqu la structure photoconductrice alors que le se-
cond pic ngatif (qui suit le pic principal) est attribu la dcroissance du
photocourant gouvern par le temps dvacuation des photoporteurs.
travers ce modle, il apparat que de nombreux paramtres, comme la
tension applique, la dure des impulsions optiques, le temps de vie des por-
teurs ou encore la puissance optique incidente inuent sur les caractristiques
du signal rayonn par les photocommutateurs. Ces eets seront dcrits dans
le paragraphe suivant.
Caractristiques des impulsions THz rayonnes
Eet de la tension applique Lamplitude du signal THz rayonn
est directement proportionnelle la tension applique. Cette volution, ob-
serve exprimentalement, est bien prdite par le modle simpli prsent
prcdemment. En eet, pour un champ appliqu constant, la densit de
courant est proportionnelle au champ appliqu (quation (3.12)), lui-mme
proportionnel la tension applique. Le champ THz rayonn, qui drive
temporellement de la densit de courant, est donc proportionnel la tension
applique. La puissance rayonne donne par :
P
_
+

[E
THz
[
2
dt (3.14)
est proportionnelle au carr de la tension applique P V
2
DC
.
3
Dans la formule (3.13), nous avons utilis i
2
1 plutt que j
2
1 car dans ce
chapitre, la lettre j dsigne la densit de courant.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 115
,
,
,
,
Fig. 3.6 En haut gauche : impulsion de courant au sein dun photocom-
mutateur excit par des impulsions optiques de 100 fs de dure. Le temps de
vie des porteurs dans le matriau photoconducteur est de 500 fs. En haut
droite : limpulsion rayonne par le photocommutateur. En bas : le spectre
en amplitude associ calcul par transforme de Fourier rapide.
116 Optolectronique trahertz
Lorsque la tension applique devient leve, des expriences ont mis en
vidence une dformation de la forme donde des impulsions THz rayon-
nes [104106]. La cause de cette non-linarit est la suivante : lorsque les
lectrons sont immergs dans un champ lectrique intense, ils sont accl-
rs brutalement et nissent par acqurir une nergie comparable la di-
rence dnergie entre la valle centrale et les valles latrales de la bande de
conduction. Une proportion importante dlectrons est alors transfre dans
les valles latrales o leur masse eective est plus leve. Ainsi, la masse
eective moyenne de la population lectronique augmente, rduisant sa mo-
bilit moyenne. Il y a donc une dclration brutale des porteurs lorsquils
sont transfrs dans les valles suprieures, ce qui entrane une rduction de
la dure du pic principal de limpulsion THz rayonne [107]. Il sen suit que le
spectre de limpulsion THz slargit lorsque la tension applique augmente.
Ce phnomne est trs bien prdit par les modles de type Monte Carlo qui
prennent en compte les direntes valles dans les bandes de conduction [108].
Eet de la dure de limpulsion optique La dure de limpulsion
aecte profondment le prol temporel du signal rayonn par les photocom-
mutateurs. La raison principale est que la dure de limpulsion optique exci-
tatrice dtermine lintervalle de temps pendant lequel les photoporteurs sont
gnrs et donc le temps de monte de la densit de courant. Le transitoire
THz se raccourcit donc lorsque la dure de limpulsion optique excitatrice
est rduite. La gure (3.7) reprsente les spectres rayonns pour direntes
dures de limpulsion optique excitatrice.
Fig. 3.7 Amplitude du signal THz en fonction de la frquence, calcul
pour direntes dures dimpulsion optique excitatrice. La dure de vie des
lectrons est de 300 fs et le temps entre deux collisions de 30 fs.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 117
Fig. 3.8 Amplitude du signal THz en fonction de la frquence calcule
pour dirents temps de vie des lectrons. La dure de limpulsion optique
excitatrice est de 120 fs et le temps entre deux collisions de 30 fs.
On observe que la partie basse frquence du spectre du transitoire THz
reste inchange pour une puissance optique moyenne xe, alors que sa par-
tie haute est limite par la dure de limpulsion optique. An dmettre un
rayonnement trs large bande, il faut donc disposer dimpulsions optiques les
plus brves possibles. A priori, lnergie rayonne par lantenne photoconduc-
trice ne varie pas avec la dure de limpulsion optique si le nombre de photons
par impulsion reste identique. Cependant, lorsque la dure de limpulsion de-
vient trs courte, llargissement spectral de limpulsion optique inhrente
la rduction de sa largeur temporelle peut entraner une diminution de la
puissance rayonne. En eet, la partie basse nergie du spectre de limpulsion
optique incidente peut se situer dans la bande interdite du semi-conducteur,
o labsorption du matriau est quasiment nulle. La concentration de por-
teurs photognrs est alors plus faible. De plus, la partie haute nergie de
cette impulsion peut conduire un grand nombre dlectrons tre injects
dans les valles latrales o leur masse eective est plus leve que dans la
valle centrale [108]. La diminution de la concentration de photoporteurs et
de leur mobilit engendre une rduction de la puissance rayonne.
Eet du temps de vie des porteurs Linuence du temps de vie des
porteurs sur les proprits du signal rayonn est illustre sur la gure (3.8).
Il sagit de courbes calcules partir de lexpression (3.13), tous les autres
paramtres tant xs.
On observe une attnuation des composantes basse frquence du spectre
lorsque la dure de vie des lectrons est raccourcie, ce qui entrane une
118 Optolectronique trahertz
Fig. 3.9 Amplitude du champ THz rayonn par des antennes photoconduc-
trices dipolaires en In
0,53
Ga
0,47
As irradi par des ions (triangles pleins) et en
GaAs BT (cercles ouverts) en fonction de la puissance dexcitation absorbe.
diminution et un dcalage vers les hautes frquences du maximum du spectre.
Dans la pratique, la rduction du temps de vie des porteurs saccompagne de
laltration dautres paramtres du matriau comme la mobilit des photo-
porteurs, la rsistivit dobscurit du matriau et la tension de polarisation
maximale qui peut tre applique au photocommutateur avant de lendom-
mager. Pour apprhender lvolution des caractristiques du signal rayonn,
notamment en termes de puissance rayonne, la prise en compte de lensemble
de ces paramtres est ncessaire.
Eet de la puissance optique excitatrice De nombreux travaux ex-
primentaux ont montr que le signal THz rayonn crot linairement avec
la uence
4
optique incidente (ce qui est en accord avec le modle prsent
prcdemment) mais sature forte uence optique incidente (gure (3.9)).
De nombreuses quipes ont tent didentier lorigine de la saturation du
signal THz qui limite fortement la puissance rayonne par les sources photo-
conductrices. Les modles thoriques ont en mis vidence que la saturation
du rayonnement THz avec la uence optique est due des eets dcran-
tage du champ statique appliqu au photocommutateur. Les eets dcran-
tage ont deux origines : lcrantage radiatif d laction retour du champ
rayonn dans le dispositif lui-mme et lcrantage de Coulomb d au champ
de charges despace.
Contribution radiative Lcrantage par le champ rayonn a t trs tu-
di dans les photocommutateurs large espace inter-lectrode. La prise en
compte de cet eet dans lexpression du champ lectrique rayonn sobtient
4
La uence est lnergie du faisceau optique par unit de surface.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 119
en exprimant les champs lectrique et magntique la surface du disposi-
tif. La longueur donde centrale des champs rayonns tant petite devant
lespace inter-lectrode, les champs lectrique et magntique sont supposs
uniformes dans lespace inter-lectrode et les radiations sexpriment en termes
dondes planes. Le champ lectrique rayonn E
THz
dpend de la uence op-
tique F incidente sur lantenne photoconductrice travers une loi de satu-
ration simple [109111] :
E
THz
V
DC
F
F +F
s
(3.15)
o F
s
est la uence de saturation donne par :
F
s
=
h
e
0
(1 +n)
(1 R) (1 exp(l))
(3.16)
o n est lindice de rfraction du semi-conducteur, son coecient dab-
sorption, R le coecient de rexion, la mobilit des lectrons et
0
est
limpdance du vide.
Cependant, cette loi de saturation ne sapplique pas aux photocommuta-
teurs petit espace inter-lectrode car, lorsque le diamtre du spot optique
est considrablement plus faible que la longueur donde centrale du rayonne-
ment THz, les conditions aux limites ne sont plus valides. En eet, les champs
lectrique et magntique varient lintrieur de lespace inter-lectrode et le
rayonnement produit est trs divergent. Pour tenir compte de cet eet, il faut
alors faire appel des modlisations numriques plus complexes [112].
Contribution coulombienne Lcrantage du champ appliqu la structure
mettrice par le champ coulombien a galement fait lobjet de multiples tra-
vaux exprimentaux et thoriques. Lorigine du champ de Coulomb est la
suivante : aprs leur cration, les lectrons et les trous sont chasss dans des
directions opposes sous laction du champ statique prsent dans la structure.
Une polarisation de charge despace Q
CE
est alors induite par cette spara-
tion spatiale des porteurs de signes opposs, produisant un champ lectrique
sopposant au champ qui lui a donn naissance. Lorsque la concentration
des lectrons et des trous photocrs devient leve (fortes puissances), ce
champ induit devient non ngligeable. Lexpression du champ coulombien
est la suivante :
E(t) =
Q
CE

(3.17)
o est le facteur de forme du matriau photoconducteur et est la constante
dilectrique du semi-conducteur aux frquences THz [100]. est gal 3 dans
le cas des matriaux dilectriques isotropes. Dans le cas des photocommuta-
teurs large espace inter-lectrode (large par rapport aux longueurs donde
dmission), le mcanisme dcrantage coulombien est ngligeable parce que
le temps ncessaire lapparition du champ dcrantage est nettement su-
prieur la dure des impulsions THz [113, 114]. linverse, ce temps est
120 Optolectronique trahertz
du mme ordre de grandeur que la dure des impulsions THz dans le cas
des photocommutateurs petit espace inter-lectrode ; le champ Coulom-
bien contribue donc signicativement aux eets dcrantage.
Les travaux de Kim et ses collaborateurs [112] et de Siebert et ses colla-
borateurs [114] dcrivent en dtail les eets dcrantage du champ statique
appliqu au photocommutateur d la partie radiative et coulombienne du
champ lectromagntique induit par la photognration rapide de photopor-
teurs.
tat de lart Les photocommutateurs base de GaAs BT, excits par
des impulsions optiques dont la longueur donde centrale est 800 nm,
prsentent les meilleures performances. Excites par des impulsions optiques
de dure 100 fs (dlivres par les lasers Ti:Sa commerciaux), ces antennes
photoconductrices mettent des impulsions THz dont la puissance moyenne
typique est de quelques W [115] et ltendue spectrale est de 3 THz [116]. La
distribution spectrale dpasse 30 THz [94] lorsque que les impulsions lasers
dexcitation sont plus courtes que 20 fs. Les photocommutateurs en GaAs
implant par des ions [89] prsentent des performances similaires [107].
An daugmenter lattractivit de ces metteurs THz, des matriaux ac-
tifs de plus faible nergie de bande interdite que celle du GaAs ont t consi-
drs car ils prsentent une forte absorption des longueurs donde o des
lasers bre compacts et de faible cot sont disponibles. La rduction de
lnergie de la bande interdite conduit de plus une augmentation de la mo-
bilit des porteurs (dans la famille des semi-conducteurs III-V) optimisant
ainsi la puissance rayonne. Il a t montr que des antennes photoconduc-
trices en In
0,3
Ga
0,7
As pitaxi basse temprature sur GaAs semi-isolant,
et excites par des impulsions dont la longueur donde centrale est 1 060 nm,
dlivrent des impulsions jusqu 3 THz [117]. Les antennes photoconduc-
trices constitues dune couche active en In
0,53
Ga
0,7
As implants ou irradis
par des ions, excits par des impulsions optiques 1 550 nm, rayonnent ga-
lement des impulsions qui stendent jusqu 2 THz [118, 119]. Enn, les
matriaux GaAs
0,6
Sb
0,4
pitaxi basse temprature et GaBiAs pitaxi
basse temprature [120] prsentent des proprits optiques et lectriques
prometteuses pour lmission dimpulsions THz partir dun signal optique
1 060 nm [121].
mission par eets de surface
Une des mthodes les plus simples mettre en uvre pour gnrer ef-
cacement des signaux THz consiste clairer laide dun laser impul-
sionnel la surface dun matriau semi-conducteur (GaAs, InP, InAs. . .). Les
signaux THz sont ainsi gnrs laide dun simple substrat ne ncessitant
aucune tape de fabrication technologique, et prsentent des caractristiques
de puissance et de spectre similaires ceux obtenus par photocommutation,
3. Composants pour le rgime impulsionnel 121
au prix cependant dune puissance optique de pompe plus importante. tu-
die depuis 1990 [122], cette mthode fait encore aujourdhui lobjet de re-
cherches et de dveloppements visant dune part mieux comprendre les
phnomnes physiques mis en jeu et dautre part accrotre lecacit de
gnration [123]. Outre la simplicit de sa mise en place exprimentale (-
gure (3.10) pour une gnration renforce par champ magntique), cette tech-
nique dlivre des puissances de lordre du W sur de larges spectres limits
uniquement par la dure de limpulsion laser excitatrice. Si, dun point de vue
applicatif, on dispose ainsi facilement dune source de rayonnement THz, le
processus de gnration lui-mme permet dobtenir des informations sur les
proprits du semi-conducteur utilis, telles que la mobilit des porteurs, la
structure des bandes nergtiques [124] ou leurs courbures au niveau de lin-
terface li lancrage
5
du niveau de Fermi par les tats de surface [107, 125].
Dautres phnomnes lis au matriau comme lexcitation de plasmas dlec-
trons [126], de phonons optiques [127], de rsonances cyclotron ainsi que les
phnomnes de couplage de ces dirents modes [128] ont t tudis.
Fig. 3.10 Schma exprimental dmission THz par eet de surface.
La prsence dun champ magntique renforce la puissance dmission
(daprs [129]).
Parmi les eets physiques qui sont la source de la gnration THz de
surface, on spare gnralement les eets lis la polarisation instantane du
milieu de ceux mettant en jeu des mouvements de charges lectriques. Les
premiers sont des eets non linaires dordre deux (redressement optique de
volume, shift current eect ) et napparaissent que lors de lutilisation de sub-
strats orients [111] ne prsentant pas de centro-symtrie. Dans ce cas, ils sont
alors prdominants ds lors que la uence optique est importante (kW/cm
2
).
5
pinning en anglais.
122 Optolectronique trahertz
Ces eets seront traits dans le paragraphe suivant et nous ne nous intres-
sons ici qu lmission THz induite par mouvement de charges.
Lorsquune interface air/semi-conducteur est claire, une impulsion lu-
mineuse, le plasma dlectrons et de trous photognrs, donne lieu un cou-
rant de conduction et un courant de diusion. En eet, au voisinage dune
telle interface, la prsence dtats de surface induit une zone surfacique de
dpltion ou daccumulation qui est le berceau dun champ lectrique sta-
tique E
surf
perpendiculaire linterface et susceptible dacclrer des por-
teurs libres. Par ailleurs, la photognration de porteurs dans une zone dab-
sorption gnralement ne (moins de 1 m pour GaAs 800 nm) donne lieu
de fortes concentrations de porteurs (10
15
10
17
cm
3
) qui favorisent les
phnomnes de diusion dans la direction normale la surface. La prsence
de linterface qui agit comme une surface rchissante pour les porteurs en
mouvement, ainsi que des mobilits trs direntes entre trous et lectrons,
engendre via la diusion ambipolaire un dplacement du barycentre lec-
trique du plasma et donc un courant : cest leet photo-Dember [130]. Ces
deux phnomnes (eet Dember et acclration par un champ de surface)
sont gnrateurs de courants transitoires eux-mmes lorigine de rayonne-
ment THz.
Les ordres de grandeurs des champs lectriques mis en jeu dpendent for-
tement des proprits du matriau utilis. Pour le champ statique de surface
E
surf
, on a :
E
surf
(z) =
eN
D

r
(W z) (3.18)
o W est la largeur de la zone de dpltion cre la surface qui dpend du
dopage du substrat et du potentiel lectrique li la courbure de bande (typi-
quement 0,65 eV pour GaAs). Dans ce cas, et pour un dopage n = 10
17
cm
3
,
on obtient temprature ambiante une zone de dpltion de 100 nm de large
et un champ de surface de lordre de 15 MVm
1
, valeur qui est du mme
ordre de grandeur que celle obtenue par la polarisation dun photocommu-
tateur de quelques m de large. An de calculer la densit de courant cre
par ce champ, il faut tenir compte de la rpartition selon la profondeur du
substrat des porteurs photognrs. On a nalement [122] :
J
surf
(t) =
e
h
[1 R()]
W
_
0
E
surf
(z) e
z
dz
t
_

tt

I
0
_
t

_
dt

(3.19)
o est le coecient dabsorption la longueur donde considre, est la
mobilit des porteurs, est la dure de vie des porteurs libres dans la zone
de dpltion, I
0
(t) est le prol temporel de limpulsion optique dexcitation
et R() est le coecient de rexion du faisceau optique la surface du
semi-conducteur qui dpend de langle dincidence .
3. Composants pour le rgime impulsionnel 123
Pour leet Dember bas sur les vitesses de diusions direntes des trous
et des lectrons photognrs, lexpression du champ lectrique cr est [130] :
E
D
=
kT
e
e
b
n
z
p +nb + n(1 +b)
(3.20)
o b est le rapport entre la mobilit des lectrons et celle des trous, n et
p sont les concentrations de porteurs intrinsques, n est la concentration
de paires lectrons/trous photognres, T
e
est la temprature quivalente
du plasma lie lexcs dnergie transmise aux porteurs par les photons.
Des simulations du transport des porteurs dans Te [127] et GaSb [128] ont
donn des valeurs de E
D
pouvant varier entre 100 et 4 000 kV/m. Comme
pour lacclration par champ statique de surface, la contribution de leet
Dember au courant transitoire dpend de la rpartition selon la profondeur
des porteurs photognrs, le courant est dautant plus fort que le matriau
absorbe trs fortement le faisceau laser.
partir des quations (3.18-3.20), on peut tirer quelques rgles reliant les
proprits des matriaux lecacit de gnration THz par eet de surface.
Pour la gnration assiste par champ de surface, le courant J
surf
est optimis
pour un matriau grande mobilit et faible profondeur dabsorption :
les matriaux faible gap (InSb, InAs) sont donc a priori favoriss mais
le rendement de gnration est limit par une faible courbure de bande en
surface. Les matriaux gap indirect sont peu ecaces cause de leur grande
profondeur dabsorption. Ainsi retiendra-t-on, pour une utilisation 800 nm,
InAs (dop n et p) et n:GaAs ou GaAs proprit de surface modie [107].
Pour la gnration assiste par eet Dember, les matriaux forte mobilit
(b = 95 pour InSb, b = 125 pour InAs) prsentent les eets les plus marqus
mais avec un risque dexcitation vers des valles nergtiques faible mobilit
de porteurs si lnergie des photons est trs suprieure lnergie du gap (par
exemple, InSb clair 800 nm).
Lensemble des paires lectrons-trous qui contribuent au courant transi-
toire au voisinage de la surface claire agit comme un ensemble de diples
rayonnant de manire cohrente, le retard de phase tant contrl par le
front donde du faisceau laser excitateur. Ainsi, si ce dernier est de diamtre
susamment grand devant la longueur donde THz (ce qui est valable pour
un diamtre de faisceau de lordre du millimtre), le rayonnement THz sera
collimat et mis dans des directions dnies par les lois de Snell-Descartes
tendues au domaine THz.
Les courants tant perpendiculaires la surface du semi-conducteur,
chaque paire lectron-trou agit comme un diple de Hertz et met un maxi-
mum dnergie dans la direction dobservation perpendiculaire ( = 90

)
laxe du diple (loi en sin
2
()), cest--dire ici dans le plan du semi-
conducteur. Par ailleurs, londe mise est purement polarise TM, ce qui
impose une contrainte sur lorientation du dtecteur dans le cas o celui-ci est
124 Optolectronique trahertz
Fig. 3.11 Amplitude du champ THz mis la surface dun cristal de InP:Fe
en fonction de langle dincidence du faisceau laser polaris TM. Lamplitude
est dnie comme tant la dirence entre maximum et minimum de la trace
temporelle (voir insert).
sensible la direction de la polarisation du champ THz (cas dun photocom-
mutateur). La gure (3.11) donne la variation exprimentale du maximum de
champ THz dtect dans la direction spculaire pour un chantillon dInP.
La comparaison avec lquation (3.19) permet dobserver linuence de langle
de Brewster situ vers 70

pour lequel le champ THz mis est maximal cause


de labsorption totale du champ optique polaris TM. Cependant, la fraction
du champ THz collect reste faible par rapport au champ mis par les di-
ples. En eet, la forte dirence dindice entre le milieu dmission (n = 3,6)
et le milieu ambiant (n = 1) limite 17

langle au sommet du cne dmis-


sion eective pour lequel le champ THz rayonn nest pas totalement rchi
par linterface semi-conducteur/air. Ce faible angle solide correspond de plus
des valeurs angulaires pour lesquelles le rayonnement du diple est faible
comme le montre la partie gauche de la gure (3.12). On peut donc estimer
que la puissance THz eectivement dtecte dans une conguration expri-
mentale simple ne correspond qu un millime de la puissance rellement
mise.
An damliorer ce faible rendement total, on peut modier les condi-
tions de rexion totale interne en recouvrant le semi-conducteur dune ne
couche de dilectrique de permittivit intermdiaire (par exemple du saphir),
ce qui permet de gagner un ordre de grandeur sur la puissance dtecte. Par
ailleurs, un champ magntique orient 45

de la surface roriente les diples


oscillants par rapport linterface semi-conducteur/air et permet un meilleur
recouvrement entre la zone dmission du diple et le cne de transmission
3. Composants pour le rgime impulsionnel 125
Fig. 3.12 Inuence du champ magntique oblique sur lmission THz
daprs [123]. Laxe du diple tourne sous leet du champ ce qui amliore
la transmission vers lair du champ mis sous la surface du semi-conducteur.
de linterface semi-conducteur/air (comme le montre la partie droite de la
gure (3.12)). Ainsi des renforcements dun facteur proche de 30 ont t
mesurs en utilisant un champ magntique de quelques teslas [123]. Le ren-
forcement du champ THz d lapplication dun champ magntique peut
aussi tre expliqu par des eets de rsonance cyclotron et de couplages
entre modes cyclotron et plasmon [123].
En rsum, les congurations exprimentales qui permettent dobtenir les
meilleurs signaux THz sont proches de celle de la gure (3.10) dans laquelle
des impulsions brves de longueur donde 800 nm et polarises TM clairent
sous incidence rasante et en prsence dun champ magntique externe un
wafer dInAs dop n. Des puissances moyennes de lordre de quelques W
sont obtenues pour une puissance optique moyenne incidente de lordre du
watt 80 MHz. Obtenir des puissances suprieures est dicile, car lutilisa-
tion de lasers amplis conduit rapidement une saturation des champs THz
gnrs, principalement cause de lcrantage des champs statiques par les
porteurs photognrs [125].
La variation rapide des champs lectriques prsents la surface du mat-
riau peut initier des oscillations du plasma dlectrons ou de trous dans des
matriaux dops n ou p. La frquence doscillation est xe par la concen-
tration de porteurs intrinsques et la masse eective des porteurs. Elle est
typiquement de lordre de 1,5 THz pour du GaAs dop n 10
16
cm
3
et
on peut alors observer un accroissement de lmission THz autour de cette
frquence [126]. Dautres types de renforcement peuvent tre observs lors de
lexcitation de phonons optiques longitudinaux (vers 3 THz dans Te, PbTe,
CdTe [127]) voire lors de couplage de modes phonon-plasmon (vers 4 et 6 THz
dans InSb [128]).
3.3.2 Gnration par redressement optique
Comme dj expliqu dans le chapitre sur les principes de physique de
base (paragraphe 2.1.4), cette mthode [131] se base sur leet non linaire
126 Optolectronique trahertz
dordre 2 apparaissant dans certains matriaux et plus particulirement sur
les cristaux dilectriques non linaires comme le DAST
6
[132] ou le ZnTe.
Actuellement, vu la faible ecacit du processus, la gnration de rayonne-
ment THz par redressement optique nest possible quavec un faisceau laser
impulsionnel de puissance crte trs leve. Reprenons lexpression (1.34)
de lintensit I(, r) gnre la pulsation THz par deux photons du
faisceau optique de pompe de pulsations respectives
1
et
2
telles que

3
=
1

2
= :
I(, r) =
_

c
_
4

:

E
1

2
(

k
3
+ (

k
1

k
2
))
2
sinc
2
_

k r
2
_
(3.21)
o

k
i
reprsente le vecteur donde pulsation
i
. Rappelons que cette ex-
pression est obtenue dans le cadre de linteraction entre ondes planes.
Dans le cas dun faisceau de pompe impulsionnel, il faut intgrer sur
toutes les composantes spectrales des impulsions :
I(, r) =
_
pulse
4
_

c
_
4

:

E

2
(

+ (

))
2
sinc
2
_

k r
2
_
d (3.22)
o E

reprsente lamplitude de la composante spectrale de pulsation du


spectre optique incident et

k =

k

). Supposons que les


faisceaux se propagent dans la direction z. On obtient :
I(, x, y, z) =
_
pulse
_

c
_
4

:

E

(x, y)

E

(x, y)

2
(k

+ (k

))
2
sinc
2
_
k z
2
_
d
(3.23)
o k est la longueur de

k suivant z. Le signal est maximum lorsque k = 0.
Cest la condition daccord de phase. Utilisons alors la dnition de la vitesse
de groupe
1
v
G
=
k

de londe optique de pompe, autrement dit la vitesse de
dplacement de limpulsion optique dans le cristal. En tenant compte que
<< , la condition daccord de phase devient :
k = k

(k

) =

v

=
_
1
v

1
v
G
_
= 0 (3.24)
o v

est la vitesse de phase de londe THz. La condition daccord de phase


impose donc que :
v

= v
G
(3.25)
Limpulsion optique et les maxima de loscillation THz se dplacent
mme vitesse.
6
cristal organique DAST = 4-N, N-dimthylamino-4-N-mthylstilbazolium tosylate.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 127
Pour traiter rigoureusement le caractre impulsionnel dans le cas dun
faisceau de pompe dlivr par un laser femtoseconde, il convient de reprendre
le calcul partir de lquation de propagation initiale :

2
E(z, t)
z
2


c
2

2
E(z, t)
t
2
=
o

2
P
NL
(z, t)
t
2
(3.26)
Nous avons fait ici lhypothse dune propagation suivant la direction z
et dune dpendance du champ uniquement en z (ce qui est vrai en premire
approximation dans la zone de Rayleigh au voisinage du foyer dune lentille).
On eectue alors la transforme de Fourier de cette quation pour passer
dans le domaine frquentiel :

2
E(z, )
z
2
+()

2
c
2
E(z, ) =
o

2
P
NL
(z, ) (3.27)
o est la pulsation THz. Pour calculer lexpression de la polarisation non
linaire, il faut tout dabord crire le champ de pompe de limpulsion optique
incidente :
E(t) =
1
2
_
E
o
(t) e
j
o
t
+C.C.

E() =
1
2
[E
o
(
o
) +E

o
( +
o
) ] (3.28)

o
est la frquence optique centrale du spectre de limpulsion laser. Comme
indiqu prcdemment, la polarisation non linaire est obtenue en ajoutant
toutes les contributions des direntes composantes spectrales de limpulsion
optique de pompe :

P
NL
() =
o
_
pulse

NL
( = ( ))

E()

E( )d (3.29)
Loin des pics dabsorption du cristal, la susceptibilit non linaire varie
peu sur la largeur spectrale de limpulsion optique, et on crit simplement

NL
( = ()) =

NL
(,
o
). En tenant compte de cette hypothse et
en supposant pour simplier lcriture quun seul terme du tenseur participe
au phnomne, la polarisation non linaire prend une forme trs simple :
P
NL
() =
1
2

o

NL
(,
o
)
_
pulse
E
o
()E
o
( )d
=
1
2

o

NL
(,
o
) [E
o
E
o
] () =

NL
(,
o
)
n(
o
)c
I()
(3.30)
o [E
o
E
o
] () =
_
pulse

E()

E( )d.
Lintensit du laser est I() =
1
2

o
n(
o
)c [E
o
E
o
] (). Dans le cas
dondes planes, et lorsque le faisceau optique de pompe nest pas aaibli
par la conversion non linaire (approximation de la pompe non dpeuple),
lintensit de limpulsion laser en un point z du cristal scrit :
I(t, z) = I
o
(t
z
v
G
) e

o
z
(3.31)
128 Optolectronique trahertz
On en dduit les composantes spectrales de lintensit en z :
I(z, ) = I
o
()e
j
n
G
c
z
e

o
z
(3.32)
o lindice de groupe est dni par n
G
(
o
) = n(
o
) +
o
n

o
. On peut
alors recrire lquation de propagation non linaire (3.27) :

2
E(z, )
z
2
+

2
c
2
k
2

E(z, ) =
2

o
n(
o
)

NL
(,
o
) e
j

c
n
G
z
e

o
z
I
o
()
(3.33)
La solution de cette quation se met sous la forme :
E(z, ) =

o
c

2
I
o
()

NL
(,
o
)
()
2
+
o
+j

c
[n() +n
G
]

e
j

c
n()z
e

()
2
z
e
j

c
n
G
z
e

o
2
z
()
2

o
+j

c
[n() n
G
]
(3.34)
Le dernier terme de cette quation est un rapport qui est maximum lorsque
labsorption dans les domaines THz et optique est nulle (() =
o
= 0), et
quil y a accord de phase, comme obtenu prcdemment. Le module de ce rap-
port est une longueur caractristique de la gnration THz par redressement
optique :
L(z, ) =

_
e
()z
+e
2
o
z
2e

()
2
z
e

o
z
cos
_

c
[n() n
G
] z
_
_
()
2

o
_
2
+

2
c
2
[n() n
G
]
2
(3.35)
En labsence dabsorption, on retrouve la dpendance en sinus cardinal
de lintensit THz gnre :
L(z, ) = z sinc
_

2c
[n() n
G
] z
_
= z sinc
_
k
2
z
_
(3.36)
Exemple du cristal de ZnTe
Le cristal est pratiquement transparent aux frquences optique et THz.
La dispersion de lindice de rfraction, et donc la vitesse de groupe v
G
, sont
calcules avec lquation de Sellmeier. Pour un laser de pompe de type Ti:Sa
( 0,8 m), laccord de phase est ralis 2,3 THz comme le montre la
gure (3.13).
La gure (3.14) prsente comment varie la longueur critique l
c
= /k
en fonction de la longueur donde du faisceau de pompe.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 129
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
0 1 2 3
Frquence en THz
I
n
t
e
n
s
i
t


e
t

l
o
n
g
u
e
u
r

c
r
i
t
i
q
u
e

(
U
.

A
.
)
Intensit THz
Longueur critique
Fig. 3.13 Accord de phase et longueur de cohrence dans le ZnTe.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 1 2 3 4 5
Frquence en THz
L
o
n
g
u
e
u
r

c
r
i
t
i
q
u
e

(
c
m
)
750 nm
780 nm
800 nm
850 nm
Fig. 3.14 Longueur critique en fonction de la longueur donde de pompe.
130 Optolectronique trahertz
Fig. 3.15 volution du champ THz et de son spectre en dirents points
du cristal.
On constate que pour < 800 nm, laccord de phase est ralis vers de
plus hautes frquences THz. Au contraire, pour > 800 nm, laccord de
phase est obtenu de plus basses frquences THz. En eet, lexpression de
vitesse de groupe au voisinage de est :
v
G
=
c
n()
n

(3.37)
Une augmentation de la longueur donde a pour consquence une diminu-
tion de la vitesse de groupe, ce qui se traduit par une augmentation de la
frquence THz dobtention de laccord de phase. Lvolution de E(z, t) et
de E(z, ) est prsente sur la gure (3.15). On constate quau cours de
la propagation dans le cristal, le spectre I(z, ) sane autour dune fr-
quence particulire pour laquelle lamplitude est maximale. Cette frquence
est celle pour laquelle laccord de phase est ralis, ici autour de 1,9 THz
cause de la longueur donde qui est de 810 nm. Lamplitude est maxi-
male cette frquence parce que le terme sinc (k z/2) est centr autour de
cette frquence. Il a t montr que des impulsions optiques de 10 15 fs
800 nm permettent de gnrer des impulsions THz pouvant stendre jusqu
70 THz [133]. Toutefois peu de cristaux orent rellement des accords de
phase dans le gap THz.
Gnration THz quasi continue utilisant loptique paramtrique
Des ondes THz quasi continues, aux frquences ajustables, peuvent tre
gnres par diusion paramtrique de lumire dans des cristaux non li-
naires. Londe pompe, la frquence optique , gnre deux ondes, londe
3. Composants pour le rgime impulsionnel 131
signal et londe idler , de frquences respectives et
i
. Ce phno-
mne implique la conservation de lnergie et du vecteur donde des photons
impliqus :
=
i
+ ,

k

k
i
+

(3.38)
Ainsi, la frquence THz gnre peut tre rgle en changeant langle din-
cidence du faisceau de pompe sur le cristal. Notons que le faisceau idler
a pratiquement la mme frquence que le faisceau optique de pompe, car la
frquence THz est beaucoup plus faible.
Lecacit de conversion paramtrique est renforce en plaant le cristal
non linaire dans une cavit optique, rsonante aux frquences optiques
et
i
. On emploie gnralement des cristaux non linaires ferro-lectriques
comme LiNbO
3
ou MgO dop LiNbO
3
, dans lesquels le signal THz est exalt
par couplage avec les polaritons [134]. Ces cristaux sont pomps par un laser
infrarouge ( = 1,064 m), dlivrant des impulsions nanoseconde au
taux de rptition de plusieurs Hz et dnergie 2050 mJ. Lenveloppe du
signal THz gnr a une dure de 3 4 ns. Le signal THz oscille lchelle de
la picoseconde, trs courte par rapport la dure nanoseconde de lenveloppe,
et donc correspond pratiquement une source continue largement rglable
(0,7-3 THz) avec une puissance crte maximum qui pourrait aller jusqu
100 mW. Le centre de recherche RIKEN et luniversit de Tohoku au Japon
sont spcialiss dans ce type de gnration THz [135].
E
THz
prisme Si
miroir
LiNbO
3
pompe
miroir
E
I
E
P
Fig. 3.16 Gnration THz par optique paramtrique.
miroir
LiNbO
3
miroir
platine de rotation
Q-switched
Nd:YAG
35 mJ/pulse
50 pps
onde THz
idler
pompe
Fig. 3.17 Dcouplage de londe THz avec un rseau de prismes.
132 Optolectronique trahertz
3.3.3 Comparatif des sources
Comme nous lavons vu, les sources impulsionnelles THz sont intimement
lies aux caractristiques des lasers utiliss, que ce soit pour la gnration
par photoconduction, par eet de surface ou par eet non linaire. Actuelle-
ment, les sources lumineuses femtosecondes les plus rpandues sont les lasers
solides (Ti:Sa) et les lasers bre dope aux terres rares (erbium, nodyme).
Si les premiers sont volumineux et coteux, ils sont nanmoins les plus em-
ploys en laboratoire car leurs performances et leur facilit dutilisation sont
remarquables. Lore commerciale est large avec des dures dimpulsions
disponibles allant de 10 100 fs et des nergies par impulsion variant de
quelques nJ quelques J. Par ailleurs, la longueur donde dmission des
oscillateurs Ti:Sa (800 nm) saccorde bien avec lutilisation des photocom-
mutateurs performants, raliss partir de semi-conducteurs III-V, et des
cristaux non linaires transparents dans le proche infrarouge (ZnTe, GaP).
On distinguera deux types de sources THz utilisant des lasers Ti:Sa : les
sources hautes frquences de rptition (75-100 MHz) et faible nergie
optique par impulsion (nJ), et celles faisant appel aux systmes optiques
amplis fonctionnant des frquences de rptition voisines de 1 kHz et
dlivrant 100 500 J dnergie optique par impulsion.
Les lasers brs sont plus compacts et leur puissance moyenne peut at-
teindre plusieurs watts en faisant appel des amplicateurs brs. Nan-
moins, les dures dimpulsions restent de lordre de 100 150 fs. Mais les
longueurs donde dmission (1 1,55 m) excluent lemploi de photocom-
mutateurs base de matriaux III-V, cest pourquoi lutilisation des eets
non linaires est une voie actuellement trs explore en laboratoire. On trouve
galement des lasers commerciaux bre dope erbium doubls en frquence
( = 750 nm) qui sont compatibles avec les photocommutateurs par exemple
en GaAs. Compacts mais encore coteux et de faible puissance (quelques nJ
par impulsion), ils orent une bonne alternative aux oscillateurs Ti:Sa.
cause de leur encombrement et de leur cot, lusage de systmes lasers
amplis dlivrant jusqu 500 J par impulsion est rserv aux expriences
de laboratoires. Lnergie optique disponible permet la mise en jeu de dif-
frents procds de gnration THz : eet non linaire, photoconduction,
plasma [136]. Ces direntes mthodes, dont les caractristiques sont rsu-
mes dans le tableau (3.1), ont permis la gnration de signaux THz intenses
avec des champs lectriques crtes valant jusqu 400 kV/cm ou encore des
nergies de 1 30 nJ par impulsion THz, un objectif important tant de ra-
liser des systmes dimagerie THz monocoup. Ces forts signaux sont pnaliss
par leur faible taux de rptition (1 kHz) qui limite la dynamique de mesure
30 dB.
Les sources laser plus haut taux de rptition (75 100 MHz) et
faible puissance moyenne (200 mW 1 W) permettent dobtenir des dyna-
miques de mesure de 60 dB et des rapports signal sur bruit de 35 dB lorsquils
3. Composants pour le rgime impulsionnel 133
Mthode de g-
nration
P
THz
P
Opt
Bande
pas-
sante
utile
Remarques
Eet photoconduc-
tif
1 W 0,4 W 3 THz Antenne GaAs 3 cm,
V
bias
= 3 kV [136]
Eet
(2)
1 W 0,2 W 4 THz Cristal de ZnTe
<110> [137]
Eet plasma 30 W 0,5 W 7 THz Plasma dans
lair avec
t
opt
= 25 fs [138]
Tab. 3.1 Comparaison des mthodes de gnration optolectronique au
taux de rptition de 1 kHz.
sont associs une mission par eet photoconductif. Malgr des puissances
moyennes THz gnres de lordre du W, ces dispositifs sont trs utiliss
pour les expriences de spectroscopie par exemple, dautant que dsormais
des antennes mettrices et dtectrices sont disponibles commercialement. La
faible taille des antennes photoconductrices et donc du point source THz n-
cessite en gnral une mise en forme du faisceau THz laide dune lentille.
Lutilisation dun faisceau optique tendu de quelques mm de diamtre per-
met une collimation du faisceau THz ds la source ; cette pratique est trs
simple mettre en uvre avec la gnration THz par eet de surface. Du
point de vue de la bande passante THz, des impulsions optiques de 100 fs
donneront des signaux utiles jusqu 3 5 THz.
La gnration trs large bande, au-del de 20 THz, ncessite le recours
aux lasers trs brefs, dont les dures dimpulsions peuvent tre infrieures
10 fs. Cependant, plusieurs phnomnes limitent les bandes passantes obte-
nues : dans le cas de la gnration par eet non linaire, cest laccord de
phase entre limpulsion optique excitatrice et limpulsion THz gnre quil
est dicile de maintenir sur une large bande ; dans le cas des antennes pho-
toconductrices, cest la constante RC des antennes et la dure de vie des
porteurs qui imposent une dcroissance de 40 dB par dcade. Dans tous les
cas, les spectres THz obtenus sont chahuts par les raies dabsorption des
phonons optiques des matriaux utiliss (par exemple : vers 5,3 THz pour
ZnTe, 8,8 THz pour GaAs...). Le tableau (3.2) compare les performances des
direntes mthodes utilises avec des lasers non amplis.
134 Optolectronique trahertz
Mthode de
gnration
P
THz
P
Opt
Bande
pas-
sante
utile
Remarques
Eet
photoconductif
0.1
100 W
5
500 mW
3
6 THz
Antenne GaAs:Si ou
GaAsBT. E
bias
=
1 kV/cm [139] [95]
Eet de surface 0.01
5 W
200 mW 2 THz Wafer de GaAs [125],
InAs [140]
Eet
(2)
30 nW 30 mW 35 THz GaAs <110>
t
opt
= 15 fs [133]
Eet
photoconductif
qq nW 300 mW 20 THz Antenne GaAsBT
t
opt
= 10 fs [93]
Tab. 3.2 Comparaison des mthodes de gnration optolectronique
haute frquence de rptition (100 MHz). Les deux dernires lignes font
rfrence des systmes trs large bande.
3.4 Dtection
3.4.1 Dtection photoconductrice
Dans les systmes THz optolectroniques pilots par un laser impulsion-
nel, la dtection des champs THz par photocommutation est apparue ds le
milieu des annes 1980. Prsentant des performances en sensibilit, bande
passante et rapport signal sur bruit remarquables, elle reste une des m-
thodes de dtection les plus rpandues. Les mcanismes physiques mis en
jeu sont similaires ceux de lmission THz par photocommutation tel
point que dans nombre dexpriences, on pourrait intervertir metteur et d-
tecteur THz. Nous allons voir cependant que loptimisation de la mesure de
champ THz entrane quelques contraintes pour obtenir un bon rapport signal
bruit, et ces contraintes imposent dutiliser des matriaux temps de vie
sub-picoseconde tels que ceux dcrits dans le paragraphe Semi-conducteurs
ultrarapides . De telles antennes base de RD-SOS ou de LTG-GaAs sont
dsormais disponibles commercialement. Elles permettent de dtecter des
champs de quelques mV/cm jusqu des frquences de quelques THz.
Comme pour lmission THz, une antenne de dtection photoconduc-
trice est compose dun substrat semi-conducteur isolant sur lequel sont d-
poses des lectrodes mtalliques. Pour la plupart des dtecteurs, comme
reprsent sur la gure (3.18), ces lectrodes sont simplement deux lignes
de transmission parallles spares dune distance L de quelques dizaines
de m et qui prsentent localement un resserrement
7
de quelques m.
7
gap en anglais.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 135
Fig. 3.18 Gomtrie dune antenne THz de dtection.
La gure (3.18) prsente une gomtrie classique de dtecteur. Le champ THz
incident sur le dtecteur est coupl aux lignes qui jouent le rle dantennes.
En labsence dclairement, lespace inter-lectrodes prsente une rsistance
leve R
OFF
de plusieurs M et aucun courant ne parcourt les lignes de
transmission : le champ nest pas dtect. Lillumination de lespace inter-
lectrodes par une impulsion optique brve va faire chuter la rsistance du
circuit jusqu une valeur minimale R
ON
de quelques dizaines dohms et les
porteurs photognrs vont tre acclrs par le champ THz. Une impulsion
de courant, dont lamplitude dpend de la valeur du champ THz au moment
de lclairement, se propage le long des lignes : le champ est chantillonn.
Selon la dure de vie des porteurs libres photognrs au sein de lespace
inter-lectrodes, la porte dchantillonnage va tre assimile un chelon
(dure de vie des porteurs longue) ou un pic de Dirac (dure de vie trs
brve). La rsolution temporelle de lchantillonnage (ou bande passante)
sera directement dpendante de la brivet du front montant de la porte qui
est dtermine principalement par la dure de limpulsion laser ; la sensibilit
du dtecteur dpendra des caractristiques gomtriques de lantenne et de
la mobilit des porteurs libres alors que le rapport signal sur bruit est dpen-
dant de la rsistance dobscurit du dispositif, de la puissance optique utilise
pour dclencher lchantillonnage et de la dure de la porte dchantillonnage.
Le traitement thorique du fonctionnement des photocommutateurs d-
tecteurs tant proche des metteurs dcrits prcdemment, on peut se rfrer
aux mmes travaux pour une analyse approfondie de leur fonctionnement. Du
point de vue de la dtection, lecacit spectrale dun photocommutateur tel
que celui reprsent sur la gure (3.18) est proche de celle dune antenne di-
polaire de longueur L. Si L est de lordre de 30 m, on obtient, en tenant
compte de la permittivit leve du substrat de semi-conducteur, une eca-
cit maximale pour une rsonance en /2 autour de f =
c

=
c
2 Ln
2 THz.
Si lon souhaite favoriser les frquences les plus basses (200300 GHz), on
peut avoir recours dautres gomtries telles que la conguration en T [141].
La rponse spectrale de lantenne est convoluer avec celle lie la dyna-
mique de photognration des porteurs, qui dpend de la largeur de lim-
pulsion optique et de la dure de vie des porteurs. En eet, en reprenant
136 Optolectronique trahertz
une approche thorique simplie issue de [103], la densit de photocourant
cre conjointement par le champ THz dtecter et par limpulsion optique
retarde de t scrit :
j (t, t) = P
opt
(t) [n(t) qv (t, t)] (3.39)
La vitesse v(t) des porteurs est rgie par lquation de Drude-Lorentz (voir
page 74) dans laquelle le champ lectrique excitateur est le champ THz. Si
celui-ci varie lentement devant le temps de collision des lectrons (typique-
ment t
coll
= 20 fs dans GaAs pitaxi basse temprature), cette vitesse va
tendre exponentiellement vers sa valeur limite v = E atteinte approximati-
vement au bout de 3 t
coll
(on pourra, pour simplier, considrer que cette
vitesse est atteinte instantanment). Par ailleurs, dans le cas dun systme
THz utilisant un laser taux de rptition lev (au moins 1 kHz), limpul-
sion de courant qui est synchrone avec limpulsion THz mesurer est intgre
par un systme lectronique lent, telle une dtection synchrone. Le courant
mesur en fonction du retard t scrit alors :
j (t) =
__

E
THZ
(t t) n
_
t t

_
I
opt
_
t

_
dt dt

(3.40)
o n(t) reprsente la rponse impulsionnelle du semi-conducteur (rponse
une excitation optique de type pic de Dirac) et I
opt
(t) lintensit optique.
An dillustrer simplement linuence des paramtres comme la dure de vie
des porteurs ou la dure de limpulsion laser sur la rponse de lantenne
un champ THz, on traite le cas raliste o les impulsions optiques prsentent
une forme gaussienne et le dclin des porteurs est exponentiel, ce qui reste
vrai en rgime de faible injection optique. La gure (3.19) montre lintrt
davoir recours des impulsions laser extrmement brves pour pouvoir d-
tecter les hautes frquences : dans la limite habituelle dune dynamique de
mesure de 60 dB, seul le recourt des impulsions laser infrieures 100 fs de
dure permet de dtecter ecacement des frquences suprieures 4 THz.
Exprimentalement, lutilisation dimpulsions de 10 fs de dure permis,
avec une antenne de dtection en GaAs-BT, de mesurer des signaux jusqu
60 THz [93]. Pour les basses frquences, linsert de la gure (3.19) montre
que le signal est renforc si lon utilise un semi-conducteur dune dure de
vie de quelques ps. Cependant cette solution diminue le rapport signal sur
bruit comme nous allons le voir.
Lors de la dtection dune impulsion THz, le bruit de mesure dpend
la fois du bruit li lmission, du bruit thermique ambiant (rayonnement
de corps noir dans le domaine THz) et du bruit li au dtecteur. Ce der-
nier est essentiellement du bruit blanc thermique (ou bruit Johnson) li
la rsistance quivalente du photocommutateur de dtection. En gnral, les
courants dbits sont susamment faibles pour que le bruit de grenaille (shot
noise) reste ngligeable [103, 142]. La rsistance moyenne quivalente R
Moyen
3. Composants pour le rgime impulsionnel 137
t = 33 fs
t = 100 fs
t = 200 fs
Fig. 3.19 Inuence de la largeur de limpulsion optique sur le spectre
dtect pour = 500 fs. La courbe en insert montre le spectre obtenu pour
= 500 fs (trait plein) et = 2 ps (pointills) pour une largeur dimpulsion
de 100 fs.
du photocommutateur est une moyenne pondre de la rsistance dobscurit
et de la rsistance sous clairement, le facteur de pondration dpendant de
la largeur temporelle de la porte dchantillonnage. Si celle-ci est assimilable
, la dure de vie des porteurs, et si lintervalle temporel entre deux impul-
sions laser est
rep
, la rsistance moyenne du photocommutateur est donne
par :
1
R
Moyen
=
1

rep
_

rep

R
OFF
+

R
ON
_
(3.41)
Comme le courant proportionnel au champ THz dtect est dautant plus
lev que R
ON
est faible et que le bruit thermique est inversement proportion-
nel R
1/2
Moyen
, on a intrt, dans le but daccrotre le rapport signal sur bruit,
non pas rduire R
ON
mais raccourcir la fentre temporelle dchantillon-
nage de dure et donc utiliser un semi-conducteur trs rapide. Lutilisa-
tion dune porte dchantillonnage de courte dure rduit galement le temps
dintgration du bruit li au rayonnement du corps noir de lenvironnement
de mesure qui dpend galement de limpdance de lantenne. Limportance
de ce bruit de fond est dautant plus grande que lon souhaite travailler
haute frquence, la densit spectrale de modes associe au corps noir variant
comme le carr de la frquence. Les autres principaux facteurs de bruit lis
la dtection sont dus la chane de dtection (bruit de lamplication du
courant mesur) ou dacquisition (dtection synchrone).
138 Optolectronique trahertz
En conclusion, dans un systme chantillonnage en temps quivalent
fonctionnant avec une frquence de rptition de lordre de 100 MHz, le
bruit intgr dans une bande passante de 1 Hz correspond un courant
de lordre de 0,1 pA alors que le maximum du champ THz conduit un
courant crte de quelques nA. On obtient ainsi communment un trs bon
rapport signal sur bruit (en amplitude) suprieur 10
3
. Cest cette bonne
performance, associe une mise en uvre simple, qui fait la popularit des
antennes de dtection photoconductrices. Leur principal inconvnient reste
le recours un matriau semi-conducteur rapide (GaAs-BT, RD-SOS...) et
donc une technologie peu rpandue. Par ailleurs, le diamtre de la zone
de focalisation du champ THz dans le plan de dtection est en gnral plus
grand dun ordre de grandeur que la zone active du gap photoconducteur et
dpend galement de la frquence, ce qui peut entraner une dgradation de
la rponse spectrale de lantenne.
3.4.2 Dtection par eet lectro-optique
Dtection par eet Pockels
Par rapport la dtection de signaux THz par chantillonnage photo-
conductif, lchantillonnage lectro-optique (EO) prsente a priori lavantage
dune rponse pratiquement instantane du matriau. Le principe de la me-
sure est bas sur une birfringence additionnelle induite dans un cristal EO
par le champ lectrique du signal THz. On choisit alors une conguration
gomtrique telle que cette birfringence additionnelle induise une rotation
de la polarisation dun faisceau optique qui traverse le cristal. La mesure de
cette rotation permet de connatre la valeur du champ THz.
Cas simple
Supposons que le signal THz et le faisceau optique se propagent tous
deux dans le cristal suivant la direction x. Les indices de rfraction associs
aux composantes du champ lectrique de londe optique suivant les axes
dilectriques propres y et z sont respectivement n
y
et n
z
. En sortie du cristal
de longueur L, et pour linstant en labsence de champ THz, le champ optique,
en notation complexe, scrit :
_
E
y
= E
oy
cos
_
t

c
n
y
L
_
E
z
= E
oz
cos
_
t

c
n
z
L
_ (3.42)
o E
oy
et E
oz
sont les composantes du champ optique lentre du cristal.
On pose alors =

c
n
y
L et =

c
(n
z
n
y
)L. On obtient :
_
E
y
= E
oy
cos (t )
E
z
= E
oz
cos(t )
(3.43)
3. Composants pour le rgime impulsionnel 139
En utilisant un simple calcul trigonomtrique
8
, on limine (t ) et on
obtient lquation dune ellipse :
_
E
y
E
oy
_
2
+
_
E
z
E
oz
_
2
2
E
y
E
oy
E
z
E
oz
cos() = sin
2
() (3.47)
Posons alors y =
E
y
E
oy
sin()
et z =
E
z
E
oz
sin()
. Lquation de lellipse prend une
forme trs simple, surtout si lon emploie une notation matricielle :
y
2
+z
2
2yz cos =
_
y z
_
M
_
y
z
_
= 1 (3.48)
avec M =
_
1 cos
cos 1
_
. Les axes a et b de lellipse sont gaux
linverse de 2 fois la racine carre des valeurs propres de la matrice, et leurs
directions sont celles des vecteurs propres :
a =
1
2 cos

2
, b =
1
2 sin

2
= tan

2
(3.49)
tan = 1 =

4
(3.50)
o est langle entre laxe a de lellipse et la direction y, et est lellipticit
de la polarisation. Notons que, grce au changement de variables (E
y
, E
z
y, z), langle =

4
est constant quel que soit le dphasage gnr par la
propagation dans le cristal. En repassant dans lespace (E
y
, E
z
), la dilatation
des coordonnes dforme et incline lellipse, langle dinclinaison tant alors
fonction du dphasage. Bien entendu, si en entre du cristal E
oy
= E
oz
,
alors =

4
est directement langle dinclinaison de la polarisation elliptique
8
On peut eectuer ce calcul laide du formalisme des matrices de Jones [143]. Pour
cela, crivons le champ optique en notation complexe :
_
E
y
= E
oy
e
j(t

c
n
y
L)
E
z
= E
oz
e
j(t

c
n
z
L)
(3.44)
o E
oy
et E
oz
sont les composantes du champ optique lentre du cristal. On pose alors
= t

c
n
y
+n
z
2
L et =

c
(n
y
n
z
)L. En sortie du cristal, on obtient :
_
E
y
= E
oy
e
j(

2
)
E
z
= E
oz
e
j(+

2
)
(3.45)
En utilisant le formalisme de Jones [143], o les termes de phase globaux ne sont pas pris
en compte car ils naectent pas ltat de polarisation, cette dernire expression se rcrit
plus simplement :
_
E
y
E
z
_
= M
_
E
oy
E
oz
_
(3.46)
avec M =
_
e
j

2
0
0 e
+j

2
_
tant la matrice de Jones associe au cristal lectro-optique.
140 Optolectronique trahertz
par rapport laxe y. Sinon, langle dinclinaison

est tel que tan

=
E
oz
/E
oy
.
En prsence du champ THz, lellipsode des indices du cristal est modi.
Supposons que leet lectro-optique induise un dphasage supplmentaire ,
trs faible devant . Il sut de reprendre les calculs prcdents en rempla-
ant par + . On montre que la direction reste inchange (puisque
ne dpend pas du dphasage), mais que les axes a et b de lellipse varient
respectivement de a et b tels que :
a =

4
cos

2
sin
2
2
, b =

4
sin

2
cos
2

2
=

2 cos
2
(

2
)
(3.51)
Mesure de la birfringence induite
Si lon veut mesurer cette modication dellipticit, la mthode la plus
simple, et qui conduit aux meilleures sensibilit et linarit de mesure, consiste
convertir cet tat de polarisation elliptique en un tat de polarisation rec-
tiligne en plaant en sortie de cristal une lame quart donde dont une ligne
neutre est oriente de langle

par rapport laxe y. En eet, on rappelle


quune lame quart donde transforme tout tat de polarisation elliptique,
dellipticit et dont les axes sont aligns avec ses lignes neutres, en un tat
de polarisation rectiligne formant un angle = arctan =

2
avec ses lignes
neutres. Ainsi toute variation dellipticit est automatiquement convertie en
rotation dtat de polarisation. Pour mesurer son tour cette rotation dtat
de polarisation, on utilise une lame demi-onde pour orienter ltat de polari-
sation rectiligne ainsi obtenu 45 degrs des axes dun prisme de Wollaston,
en labsence de champ THz. Le prisme de Wollaston sparant le faisceau
incident en deux faisceaux aux polarisations rectilignes orthogonales, les in-
tensits optiques mesures sur ces deux voies sont donc identiques et le si-
gnal dirence dtect est nul en labsence de tout champ THz. En revanche,
lorsquun champ THz est appliqu au cristal, une variation dellipticit du
faisceau optique est induite en sortie de cristal, laquelle va son tour induire
une variation dun angle = d(

2
) =

2
de lorientation de la polarisation
rectiligne en sortie de lame quart donde et va dsquilibrer, in ne, les puis-
sances optiques reues sur les deux voies de dtection en sortie du prisme
de Wollaston. On utilise deux dtecteurs spars associs une lectronique
qui donne la somme et la dirence de ces deux signaux, le signal somme
permettant de saranchir des uctuations dintensit du laser. Si S
1
et S
2
sont les deux signaux dlivrs par les dtecteurs, on obtient :
S
1
S
2
S
1
+S
2
=
(E
1
)
2
(E
2
)
2
(E
1
)
2
+(E
2
)
2
=
cos
2
(

4
+) sin
2
(

4
+)
cos
2
(

4
+) + sin
2
(

4
+)
=
sin
2


2
(3.52)
o est le rendement de chaque dtecteur. Le signal mesur est donc propor-
tionnel la dirence de phase induite par leet lectro-optique en prsence
de champ THz.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 141
Calcul de la birfringente induite par le champ THz
Lellipsode des indices en prsence du champ THz scrit :
x
2
n
2
1
+
y
2
n
2
2
+
z
2
n
2
3
+ 2
yz
n
2
4
+ 2
xz
n
2
5
+ 2
xy
n
2
6
= 1 (3.53)
La variation des indices est proportionnelle au champ THz appliqu et sex-
prime sous forme tensorielle :
1
n
2
i
=
1
n
2
oi
+
_
1
n
2
i
_
=
1
n
2
oi
+
3

j=1
r
ij
E
THz
j
(3.54)
o les r
ij
sont les lments du tenseur lectro-optique et les n
oi
sont les indices
du cristal en labsence de champ lectrique suivant les 3 axes dilectriques
propres du cristal x, y, z (donc n
o4
= n
o5
= n
o6
= 0). Pour calculer le d-
phasage induit par leet lectro-optique, il faut rcrire lquation (3.53)
sous forme matricielle et dterminer la dformation et la rorientation de lel-
lipse des indices (intersection de lellipsode des indices avec le plan donde
optique) sous leet du champ THz appliqu. Une mthode lgante a t
propose par Duvillaret et ses collaborateurs [144] pour rsoudre le cas g-
nral dune orientation quelconque du champ THz et du faisceau optique, en
introduisant la notion de vecteur sensibilit lectro-optique. Considrons ici
le cas simple o ondes optique et THz se propagent suivant la direction x
dans le cristal. Soit E
oy
et E
oz
les composantes du champ optique incident,
et E
THz
y
et E
THz
z
les composantes du champ THz. Lquation (3.53), pour
laquelle on a x = 0, se rcrit :
y
2
n
2
o2
+
z
2
n
2
o3
+E
THz
y
_
r
22
y
2
+ 2yzr
42
+r
32
z
2
_
+E
THz
z
_
r
23
y
2
+ 2yzr
43
+r
33
z
2
_
= 1 (3.55)
Dans le cas dun cristal cubique (i.e. isotrope) comme ZnTe de symtrie

43m, cette conguration exprimentale ne peut donner aucun signal lectro-


optique car seuls les coecients r
41
= r
52
= r
63
sont non nuls, or aucun
de ces coecients napparat dans la formule prcdente. En eet, pour les
cristaux isotropes (pour lesquels la modication de lellipsode des indices est
paradoxalement la plus dicile calculer), il ne peut y avoir deet lectro-
optique mesurable qu la condition que les champs des ondes optique et
THz prsentent des composantes la fois selon x, y et z ! Intressons-nous
des cristaux rhombodriques de symtrie 3m comme les cristaux ferro-
lectriques LiNbO
3
ou encore LiTaO
3
. Compte tenu des seuls lments non
nuls du tenseur lectro-optique, lquation prcdente se rcrit sous forme
142 Optolectronique trahertz
matricielle :
_
y z
_
_
1
n
2
oy
+r
22
E
THz
y
+r
23
E
THz
z
r
42
E
THz
y
r
42
E
THz
y
1
n
2
oz
+r
33
E
THz
z
_
_
y
z
_
= 1
(3.56)
Sachant que le coecient r
33
est prpondrant devant les autres lments
du tenseur lectro-optique, on a donc tout intrt appliquer le champ de
londe THz selon z. Dans ce cas de gure, la matrice associe lellipsode
des indices est diagonale : on en dduit par consquent que les directions
des axes dilectriques propres restent inchanges (cela reste vrai en premire
approximation pour les cristaux anisotropes dans le cas gnral). Seuls les
indices de rfraction n
y
et n
z
sont modis. tant donn que la modication
des indices propres induite par le champ THz reste faible, on en dduit leur
expression sous champ THz :
_
n
y
= n
oy

1
2
n
3
oy
r
23
E
THz
z
n
z
= n
oz

1
2
n
3
oz
r
33
E
THz
z
(3.57)
Le dphasage induit par le signal THz entre les deux composantes du champ
optique est donc :
=
2 (n
y
n
z
) L

=
2E
THz
z
L

_
n
3
oz
r
33
n
3
oy
r
23
2
_
(3.58)
La dtermination exprimentale de conduit donc directement la connais-
sance de lamplitude du champ THz.
Cas pratique
Lchantillonnage lectro-optique dimpulsions THz est donc bas sur la
mesure dune birfringence induite, comme dcrit prcdemment. Dun point
de vue pratique, on superpose les impulsions optique et THz dans le cristal.
Il faut alors tenir compte de la dirence de vitesse des deux impulsions,
comme expliqu dans le paragraphe sur la gnration par redressement op-
tique. Ainsi les cristaux prsentant les coecients lectro-optiques les plus
forts ne seront pas spcialement les plus performants pour lchantillonnage
dimpulsions THz, puisquil faut aussi tenir compte de la condition daccord
de phase (vitesse de phase THz = vitesse de groupe optique). Q. Wu et
X.-C. Xhang [145] ont ainsi dni un coecient de mrite pour chaque
cristal lectro-optique :
=
2 n
3
r
ij

1 +
(3.59)
o n est lindice de rfraction pour le faisceau optique, r
ij
est llment du
tenseur lectro-optique mis en jeu, et est la permittivit du cristal dans le
3. Composants pour le rgime impulsionnel 143
Cristal Coecient n DVG
EO (pm/V) (pm/V) (ps/mm)
ZnTe r
41
= 4,04 2,853 10,1 51,7 1,1
@ 0,633 m @ 0,800 m
CdTe r
41
= 4,5 2,84 9,4 50,9 0,75
@ 1,0 m @ 0,800 m
GaAs r
41
= 1,43 3,61 13 24,9 0,015
@ 1,150 m @ 0,886 m
ZnTe r
41
= 4,04 2,853 10,1 51,7 1,1
@ 0,633 m @ 0,800 m
DAST r
11
= 160 n
o
= 2,46 8 max 633 1,22
n
e
= 1,70 2,9
@ 0,820 m @ 0,820 m
LiTaO
3
r
33
= 30,5 n
o
= 2,176
1,2
= 41 max 87,2 14,1
r
13
= 8,4 n
e
= 2,180
3
= 43
@ 0,633 m @ 0,633 m
LiNbO
3
r
33
= 30,9 n
o
= 2,286
1,2
= 43 max 110 14,2
r
51
= 32,6 n
e
= 2,200
3
= 28
@ 0,633 m @ 0,633 m
Tab. 3.3 Caractristiques des principaux cristaux lectro-optiques pour
lchantillonnage dimpulsions THz (daprs [145]).
domaine THz, qui, sauf au voisinage des rsonances phononiques, est prati-
quement gale sa valeur statique. Le tableau (3.3) donne les paramtres
des principaux cristaux utiliss en chantillonnage lectro-optique dimpul-
sions THz. Typiquement, pour atteindre les trs hautes frquences sup-
rieures la dizaine de THz, la dispersion entre les proprits optique et THz
du cristal limitent son paisseur des valeurs trs faibles (la dizaine de m
pour ZnTe). Pour caractriser des spectres classiques (35 THz), on peut
choisir des cristaux plus pais (2-3 mm pour ZnTe), augmentant dans la
mme proportion la valeur du signal dtect.
Une comparaison dtaille de la dtection dimpulsions THz par antennes
photoconductrices et par eet lectro-optique a t ralise par Y. Cai et ses
collaborateurs [115]. Pour les frquences infrieures 3 THz, le dtecteur
antenne est le plus sensible et le moins bruyant pour de faibles frquences
de rptition. hautes frquences de rptition (suprieures 1 MHz), les
deux techniques montrent des performances quivalentes.
Un facteur limitatif important dans le domaine THz est lexcitation de
phonons optiques, qui se traduit par une forte absorption du rayon-
nement THz aux frquences correspondantes. Ces frquences sont donnes
dans le tableau (2.4) (page 82). Pour les signaux THz ultracourts dont le
spectre dpasse 4 THz et stend jusqu quelques dizaines de THz, la d-
tection lectro-optique ne permettra pas une mesure globale de lensemble
144 Optolectronique trahertz
des composantes spectrales. Ainsi, un cristal de GaAs montre une forte ab-
sorption 8 THz, et ZnTe 5,31 THz. Leet le plus spectaculaire est sans
doute dans le DAST [146], qui possde des coecients lectro-optiques gi-
gantesques, mais dont les phonons apparaissent basse frquence (1,13,
1,50 et 2,28 THz suivant les 3 directions principales du cristal), limitant
normment lemploi de ce matriau pour la dtection lectro-optique dans
le domaine THz.
Dtection par eet Franz-Keldysh
Intrt pour la dtection des THz Les semi-conducteurs possdent
une proprit optique trs particulire : celle dtre trs opaques lorsque
les photons ont une nergie suprieure la valeur de la bande interdite
(cration de paires lectrons-trous). Leur spectre dabsorption prsente donc
un anc trs abrupt autour de lnergie de bande interdite. La prsence
dun champ lectrique modie ce anc dabsorption. Cet eet appel eet
Franz-Keldysh (EFK) peut tre utilis comme leet Pockels pour chan-
tillonner un champ lectrique variant trs rapidement jusqu des chelles
de temps sub-picosecondes. Son principal intrt est dtre prsent dans les
semi-conducteurs classiquement utiliss en micro-lectronique III-V (GaAs et
InP) et ceci, pour des longueurs dondes compatibles avec le laser Ti:Sa. On
peut donc utiliser toutes les possibilits technologiques mises au point pour
ces matriaux pour la fabrication des sondes dchantillonnage. Un autre in-
trt est que, comme nous allons le voir, le faisceau optique est directement
modul en intensit.
Quelques lments thoriques
Cas dun cristal parfait LEFK ne peut tre expliqu que par la mca-
nique quantique. Dans la suite de ce paragraphe, nous allons exposer les prin-
cipaux rsultats obtenus par la thorie ainsi que leur interprtation physique.
Les lecteurs intresss par les dveloppements thoriques complets pourront
se reporter aux rfrences [147] et [31].
Dans un cristal semi-conducteur parfait, la symtrie de translation pro-
venant de la priodicit du rseau cristallin fait apparatre une discontinuit
dans les nergies accessibles aux lectrons. Le maximum de la bande de va-
lence est spar du minimum de la bande de conduction par une nergie ap-
pele bande interdite. La transition dun lectron de la bande de valence vers
la bande de conduction est possible par labsorption dun photon dnergie
suprieure lnergie de bande interdite du matriau. Avec un modle simpli-
, on montre que le coecient dabsorption optique dun semi-conducteur
bande interdite directe est de la forme [31] :
(E, 0) = A
_
E E
g
(3.60)
3. Composants pour le rgime impulsionnel 145
o A est une constante du matriau, E lnergie des photons et E
g
lnergie
de bande interdite. Lorsque E < E
g
, le coecient dabsorption est rigoureu-
sement nul dans un cristal parfait.
Lapplication dun champ lectrique brise la symtrie de translation du
cristal suivant la direction du champ. On montre alors que les fonctions
donde des lectrons et des trous ne sont pas nulles dans la bande inter-
dite [31]. Des transitions interbandes pour des nergies photoniques inf-
rieures la bande interdite sont alors possibles. En 1958, Franz [148] et
Keldysh [149] ont dvelopp de manire indpendante la thorie des transi-
tions optiques interbandes dans les semi-conducteurs en prsence dun champ
lectrique F quasi statique. La solution gnrale sexprime sous forme de
fonctions dAiry [150]. Si lon se restreint au cas o E E
g
, le coecient
dabsorption vaut :
(E, F) A
E
3/2
eo
8(E E
g
)
exp
_

4
3
_
E
g
E
E
eo
_
3/2
_
(3.61)
o E
eo
est lnergie lectro-optique :
E
eo
=
_
e
2
h
2
F
2
2m
r
_
1/3
(3.62)
m
r
est la masse eective rduite (1/m
r
= 1/m
e
+ 1/m
h
). Labsorption d-
crot donc exponentiellement pour des nergies infrieures la bande in-
terdite. Pour comprendre physiquement lorigine de ce phnomne, il faut
garder lesprit que le champ lectrique incline les bandes spatialement
(gure (3.20)). Un lectron peut alors passer de la bande de valence la bande
de conduction par eet tunnel (quali dinterbande) travers une barrire
triangulaire dont la largeur dpend de F (eet Zener). De mme, il devient
possible de faire transiter un lectron de la bande de valence la bande de
conduction par labsorption dun photon dnergie E mme lorsque celle-ci est
infrieure E
g
: ce processus dabsorption optique peut tre compris comme
un eet tunnel interbande assist par photon. On remarque que lEFK est
indpendant de la direction et du signe du champ (pour un semi-conducteur
bandes isotropes). La gure (3.21) reprsente le coecient dabsorption
thorique obtenu grce au modle complet de la rfrence [151]. On voit
clairement apparatre une queue dabsorption exponentielle pour E < E
g
( > 870 nm). Dans le cas o E > E
g
, le comportement de (E, F) est
moins intuitif : il est tantt suprieur, tantt infrieur (E, 0). Le champ
lectrique peut induire soit une augmentation soit une diminution du coef-
cient dabsorption du semi-conducteur suivant lnergie du photon. Cette
variation du coecient dabsorption du semi-conducteur (lectro-absorption)
est accompagne dune trs faible variation de la partie relle de lindice de
rfraction (lectro-rfraction).
146 Optolectronique trahertz
Bande de
conduction
Bande de
valence
h
Position
F
nergie
Fig. 3.20 Reprsentation du prol des bandes dun semi-conducteur soumis
un champ lectrique illustrant labsorption dun photon dnergie infrieure
la bande interdite.
700 725 750 775 800 825 850 875 900 925 950
0
4 000
8 000
12 000
16 000
20 000
750 800 850 900 950
-2000
-1000
0
1000
2000


(
c
m
-
1
)
(nm)
F = 0 kV/cm
F = 50 kV/cm
F = 100 kV/cm
A
b
s
o
r
p
t
i
o
n

(
c
m
-
1
)
(nm)
Fig. 3.21 Spectres dabsorption thoriques de GaAs pour dirents champs
lectriques. Les courbes en encart reprsentent la variation du coecient
dabsorption induite par le champ.
3. Composants pour le rgime impulsionnel 147
Cas dun cristal rel Dans la pratique, pour des nergies photoniques
proches ou infrieures E
g
, la variation du coecient dabsorption dun
semi-conducteur bande interdite directe sloigne de la loi (3.60). Elle peut
en gnral tre dcrite par une dcroissance exponentielle du type :
(E, 0) =
0
exp[s(E E
0
)] (3.63)
Le coecient s exprime la raideur du anc dabsorption. Cette dcroissance
exponentielle que lon retrouve dans de nombreux semi-conducteurs porte
le nom de queue dUrbach. Pour les monocristaux, il semble que cette queue
dabsorption soit due des impurets ou des dfauts chargs qui provoquent
de labsorption par lintermdiaire de lEFK. Dans ce cas, Franz [148] a mon-
tr que le coecient dabsorption champ lectrique non nul vaut :
(E, F)
0
exp
_
s
3
E
3
eo
12
+s(E E
0
)
_
(3.64)
Le anc dabsorption est donc dcal vers les basses nergies de la quantit
s
2
E
3
eo
/12 lorsque le champ lectrique augmente. Dans le cas de GaAs semi-
isolant, la masse rduite vaut 0,059 m
0
, s est de lordre de 100 eV
1
. Pour un
champ de 50 kV/cm, lnergie lectro-optique vaut 25,3 meV et le dcalage
13,5 meV, ce qui est tout fait mesurable.
Le coecient dabsorption peut se mettre sous la forme :
(E, F)
1
(E) exp
_
F
F
0
_
2
(3.65)
o :
F
0
=
_
24m
r
s
3
e
2
h
2
(3.66)
et
1
(E) est le coecient dabsorption champ nul :

1
(E) =
0
exp [s(E E
0
)] (3.67)
Considrons une lame de semi-conducteur dpaisseur d claire par un
faisceau monochromatique dnergie photonique E. Lintensit incidente est
I
0
, lintensit transmise est I. En ngligeant les rexions sur les faces du
cristal, nous avons :
I
I
0
= exp(d) = exp
_

1
d exp
_
F
F
0
_
2
_
(3.68)
La gure (3.22) reprsente le coecient de transmission I/I
0
en fonction du
champ pour plusieurs valeurs de
1
d. Imaginons que lon applique un champ
alternatif au cristal. Pour des champs crtes F << F
0
, lEFK est trs faible
(dicilement mesurable). Si le champ crte devient de lordre de grandeur
148 Optolectronique trahertz
Fig. 3.22 Coecient de transmission optique dune lame de semi-
conducteur en fonction du champ lectrique pour direntes valeurs de
1
d.
de F
0
, la lumire transmise sera module mais de faon non linaire : les
composantes de modulation seront les multiples paires de la frquence du
champ (lEFK ne dpend pas du signe du champ). Les courbes ont nanmoins
une portion quasi linaire qui se dplace vers les forts champs lorsque
1
d
diminue, cest--dire lorsque lnergie des photons diminue (pour d xe).
Pour avoir une modulation de lintensit proportionnelle au champ lectrique,
il est donc ncessaire dappliquer en plus du champ chantillonner un champ
statique de lordre de F
0
2F
0
. Si le champ mesurer sajoute au champ
statique, lintensit optique transmise diminue, et vice versa. Pour maximiser
la sensibilit, on a intrt imposer un champ statique colinaire au champ
mesurer. Le choix du signe du champ statique permet de dphaser la dtection
de 180

.
valuons la sensibilit de lEFK dans le cas dun cristal de GaAs semi-
isolant dpaisseur 10 m dont les deux faces sont mtallises dune couche
semi-transparente permettant dappliquer une dirence de potentiel et de
transmettre le faisceau optique. F
0
est de lordre de 40 kV/cm, soit une
tension de 40 V. Pour
1
d = 0,2 (ce qui correspond E 1,39 1,40 eV soit
une longueur donde denviron 880-890 nm), nous obtenons avec le graphe de
la gure (3.22), une variation relative de 3 %/V. Cette sensibilit est obtenue
pour une polarisation statique de 1,3F
0
(environ 50 V).
Consquences pour une application lchantillonnage ultra-rapide
partir des rsultats du paragraphe prcdent, nous pouvons en dduire
quelques lignes directrices quant au choix du semi-conducteur :
lEFK est un eet de dplacement de la bande dabsorption dun semi-
conducteur, la longueur donde du laser devra donc correspondre prci-
sment des nergies photoniques proches de la bande interdite. De ce
point de vue, le GaAs et le laser Ti:Sa saccordent parfaitement (gamme
870-900 nm). LInP est galement compatible avec cette source optique
(gamme 920-950 nm) ;
3. Composants pour le rgime impulsionnel 149
le cristal semi-conducteur doit avoir une grande rsistivit, cest--dire
une faible concentration en porteurs libres an que ceux-ci ncrantent
pas le champ que lon veut chantillonner et ne provoquent pas un
courant sous leet du champ statique, et donc un chauement in-
dsirable du cristal. Dautre part, lchantillonnage par EFK cre par
clairage des paires lectrons-trous dans le semi-conducteur et donc un
photocourant qui peuvent engendrer les mmes eets. Pour rduire ces
phnomnes, il est ncessaire de choisir une nergie photonique su-
samment petite devant la bande interdite pour que labsorption reste
faible. Dautre part, le photocourant sera rduit dans un matriau o la
mobilit et la dure de vie des porteurs est faible. Il convient toutefois
de souligner que la rsolution temporelle de lchantillonnage nest en
aucune manire lie au temps de vie des porteurs ;
pour rduire autant que possible le champ statique superposer au
champ mesurer, F
0
doit tre le plus faible possible. Pour cela, la masse
eective rduite doit tre petite, de ce point de vue les composs III-V
sont les plus intressants. Dautre part, le anc de labsorption optique
doit tre le plus raide possible. Cela ncessite un semi-conducteur
bande interdite directe prsentant le moins dimpurets, de dfauts
ponctuels et de dislocations possible. Cette dernire remarque est en
partie incompatible avec le point prcdent puisque les cristaux de
grande rsistivit et court temps de vie sont en gnral obtenus grce
la prsence de dfauts ponctuels.
Pour un champ uniforme, lEFK est ngligeable pour des champs de quelques
kV/cm et devient important pour des champs de lordre de 50 kV/cm. Cette
non-linarit constitue une dirence fondamentale avec leet Pockels qui
est linaire.
chantillonnage par lectroabsorption La description de lEFK qui a
t faite est quasi statique cest--dire que le champ lectrique est considr
comme variant lentement. Mais il sagit dun eet tunnel qui est intrinsque-
ment trs rapide, il est par exemple utilis dans des modulateurs pour les
applications en tlcommunications. Pour le GaAs, la description quasi sta-
tique reste en fait valable pour des champs variant sur des chelles de temps
de lordre de la picoseconde. On peut donc lutiliser pour chantillonner des
champs THz. Cette technique porte le nom dchantillonnage par lectroab-
sorption (EA) ou encore electroabsorption sampling, EAS en anglais. Pour des
frquences suprieures quelques THz et des champs lectriques suprieurs
quelques dizaines de kV/cm, un rgime dirent appel eet Franz-Keldysh
dynamique doit thoriquement apparatre [152].
150 Optolectronique trahertz
750 800 850 900 950
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Calcul (approximation de la masse effective)
Rsultats exprimentaux sur GaAs BT

I
/
I

(
%
)
(nm)
Fig. 3.23 Spectre exprimental dlectroabsorption du GaAs BT recuit et
calcul thorique pour F = 100 kV/cm.
Matriaux Les couches de semi-conducteurs III-V (GaAs, Al
x
Ga
1x
As)
pitaxies basse temprature (200 300

C), puis recuits vers 600

C (voir
la section 3.2.2), sont des matriaux intressants pour lchantillonnage EFK
de signaux THz. Ces matriaux sont trs isolants (10
6
10
7
cm), ont des
champs de claquage levs (> 300 kV/cm) et le temps de vie des porteurs
est court (0,1 ps 10 ps). La raideur du anc dabsorption qui est initiale-
ment trs mauvaise cause de la trs grande concentration en dfauts est
amliore par lintermdiaire du recuit. Le temps de vie peut tre suprieur
la picoseconde, mais celui-ci ninue pas sur la rsolution temporelle de
lchantillonnage. Ces matriaux prsentent donc un bon compromis si lon
reprend les critres de la partie prcdente.
La gure (3.23) reprsente la variation relative dintensit mesure et
calcule [151] transmise par une couche de 1 m dpaisseur de GaAs-BT.
Les deux faces de la membrane ont t mtallises laide dune couche dor
semi-transparente (10 nm). Les spectres de transmission ont t mesurs
pour une tension applique de 10 V (F = 100 kV/cm) et de 0 V, la variation
relative a ensuite t calcule [153].
Congurations exprimentales On peut utiliser lchantillonnage par
EA pour mesurer localement les variations rapides de champ dans le semi-
conducteur constituant la sonde. Ce semi-conducteur sera en gnral incor-
por dans une structure de propagation, adapte aux frquences THz, le cas
chant connecte une antenne si lon veut mesurer un faisceau THz se pro-
pageant dans lespace libre. Diverses congurations exprimentales peuvent
tre utilises : le semi-conducteur peut tre une partie de la structure de
propagation (ligne coplanaire ou ligne microruban en semi-conducteur) ou
tre rapport sur la structure. Le premier cas porte le nom dchantillon-
nage interne et le deuxime dchantillonnage externe. Du point de vue op-
tique, lintensit du faisceau de sonde qui sert chantillonner le champ est
mesure par une photodiode aprs un simple passage travers la couche
3. Composants pour le rgime impulsionnel 151
lame
sparatrice
GaAs SI
GaAs BT
pompe
U
laser fs Ti:Saphir
lame
sparatrice
filtre bleu
BBO
sonde
ligne retard
photodiode
Fig. 3.24 Schma du dispositif exprimental (chantillonnage interne).
semi-conductrice (conguration en transmission) ou aprs un double passage
grce un recteur plac derrire la couche (conguration en rexion).
Gnralement, limpulsion THz est gnre par photoconduction, cela nces-
site donc une nergie photonique suprieure la bande interdite alors que
lchantillonnage par EA ncessite une nergie infrieure. Ce problme peut
tre rsolu de deux faons : soit en gnrant eectivement deux longueurs
dondes direntes (par gnration de second harmonique dans un cristal non
linaire), soit en utilisant pour la gnration et lchantillonnage deux semi-
conducteurs de bandes interdites lgrement direntes. La gure (3.24) re-
prsente le schma de lexprience utilise dans le premier cas [154]. Lchan-
tillon typique prend la forme dune ligne coplanaire ralise sur un substrat
de GaAs semi-isolant comportant une couche de GaAs pitaxi basse tem-
prature. La gure (3.25) reprsente un exemple de mesure typique obtenu
sur une ligne coplanaire constitue de deux rubans dor larges de 10 m et
spars de 25 m polarise par une tension de 60 V.
La deuxime mthode utilise deux semi-conducteurs de bandes interdites
lgrement direntes. Si le dcalage est judicieusement choisi, on pourra
gnrer limpulsion par photoconduction dans le premier semi-conducteur
(nergie photonique suprieure la bande interdite) et dtecter par EFK
dans le second (nergie photonique infrieure la bande interdite). Le re-
port de couches semi-conductrices, comme illustr la gure (3.26), permet de
rpondre aux nombreuses contraintes technologiques imposes par cette m-
thode [155]. La gure (3.27) reprsente le schma exprimental qui reste trs
simple et peut tre utilis dans les deux congurations dcrites ci-dessus. La
gure (3.28) montre un rsultat typique obtenu sur une ligne coplanaire sur
quartz constitue de deux rubans dor larges de 5 m et spars de 12,5 m
polarise par une tension de 60 V. Le temps de monte mesur est de 490 fs.
Le spectre stend jusqu 2,5 THz et prsente une dynamique de 60 dB.
152 Optolectronique trahertz
-20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
0
2
4
6
8
0 250 500 750 1000 1250 1500
1E-4
1E-3
0,01
0,1
1
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(

U
.
A
.
)
Frquence (GHz)
S
i
g
n
a
l

d

t
e
c
t


(
U
.
A
.
)
Temps (ps)
Fig. 3.25 Exemple typique de mesure par chantillonnage EA interne.
100 m
Fig. 3.26 Photographie au microscope optique dune couche pitaxie
de GaAs-BT reporte sur une ligne coplanaire Ti/Au de 500 nm dpaisseur.
laser fs Ti:Saphir
AlGaAs BT
lame sparatrice
photodiode
ligne
retard
lame sparatrice
pompe
sonde
U
GaAs BT
substrat
Fig. 3.27 Schma du dispositif exprimental (chantillonnage externe).
3. Composants pour le rgime impulsionnel 153
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
1E-3
0.01
0.1
1
Frquence (THz)
A
m
p
l
i
t
u
d
e
FWHM
=760 fs
Temps (ps)

I
/
I
0

(
U
.
A
.
)
Fig. 3.28 Exemple typique de mesure par chantillonnage EA externe.
Rsolution temporelle La rsolution temporelle de cette technique est
le rsultat de la convolution de trois lments : la dure des impulsions du
faisceau de sonde (
L
), le temps de transit de limpulsion optique travers
lpitaxie (
to
) et le temps de transit du signal lectrique travers le spot du
faisceau de sonde (
te
) :
=
_

2
L
+
2
to
+
2
te
(3.69)
avec

to
= 2
dn
s
c
(3.70)
et

te
=
n
e
c
(3.71)
o d est lpaisseur de lpitaxie, le diamtre du spot, n
s
lindice de rfrac-
tion du semi-conducteur la longueur donde de sonde, n
e
lindice eectif du
mode THz se propageant. Pour une ligne coplanaire telle que la prcdente
(sur quartz), on trouve
to
50 fs et
te
100 fs. Pour une dure dimpulsion
laser de 150 fs, on trouve une rsolution temporelle 200 fs.
Lchantillonnage EA pour la dtection de THz nest tudi que de-
puis 2001, il est donc trs rcent compar lchantillonnage PC ou EO.
Il a t utilis pour mesurer les caractristiques de propagation aux fr-
quences THz de lignes coplanaires, de lignes microrubans [153, 156] et de
lignes de Goubau [157]. Il a galement t utilis pour la mesure de ltres
et de lignes rtro-propagatives ainsi que pour la caractrisation de transis-
tors et de photodiodes [158, 159]. Il a permis rcemment la dtection dun
rayonnement THz en espace libre [160].
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Chapitre 4
Composants pour le rgime
continu
4.1 Introduction
Ce chapitre est principalement consacr aux sources et dtecteurs en r-
gime continu. Nous verrons tout au long de cet ouvrage que les mthodes
de spectroscopie font de plus en plus appel la dtection cohrente. Ainsi,
les techniques de dtection homodyne ou htrodyne sont actuellement d-
veloppes en tirant parti de la possibilit dutiliser les composants en mis-
sion comme en rception. Par ailleurs, nous nous restreindrons aux compo-
sants ltat solide en distinguant deux types dapproches principalement
(gure (4.1)).
Fig. 4.1 Les 2 familles de composants THz pour le continu.
La premire approche est base sur le battement de deux lasers. Celui-ci
permet une transposition en plus basses frquences (dirence de frquences
entre les lasers) dune partie de la puissance des signaux optiques. Lavantage
156 Optolectronique trahertz
principal de ce type de source est laccordabilit en frquence de la source et
la possibilit de fonctionner temprature ambiante. En outre, ils peuvent
tre utiliss en mission et dtection conformment la remarque prcdente
et permettent des conserver linformation de phase en techniques de spec-
troscopie ou dimagerie THz. Nous prsenterons dans un premiers temps un
exemple de photomlangeur en technologie planaire ralis sur substrat semi-
conducteur basses tempratures. Compte tenu que de nombreux points sont
communs aux techniques impulsionnelles ayant fait lobjet du chapitre pr-
cdent, nous insisterons plus spcialement sur les spcicits de la fonction
de photomlange comparativement celle de photognration dune impul-
sion THz. Nous verrons comment amliorer la puissance dlivre dune part
grce une architecture verticale et dautre part grce lutilisation de com-
posants unipolaires connus sous lacronyme anglo-saxon Unipolar Travelling
Carrier (UTC) diode. Ceux-ci mettent en jeu lingnierie de bande interdite
permettant en particulier un fonctionnement aux grandes longueurs dondes
(1,3 et 1,5 m). Les fentres optiques au voisinage de ces deux longueurs
donde caractristiques se rvlent particulirement importantes compte tenu
de la compatibilit des systmes THz utilisant ces sources primaires avec ceux
des tlcommunications optiques. Cette partie nous donnera en particulier
loccasion de voir comment raliser des composants rapides base de mat-
riau InGaAs irradi dont le gap est adapt aux transitions optiques mises en
jeu ces longueurs dondes.
La seconde approche est celle des lasers multiples puits quantiques ou
super-rseaux de semi-conducteurs. Les processus de pompage lectronique
et dmission radiative se font en cascade pour des htrostructures de semi-
conducteurs permettant de quantier les tats dnergie justiant lappella-
tion de laser cascade quantique. Ces lasers ont t dmontrs tout dabord
en infrarouge moyen et proche. Nous verrons que le passage linfrarouge
lointain nest pas quune simple rgle dchelle et quil convient dintroduire
des nouvelles rgles tant dans la conception de lhtrostructure permettant
linversion de population que dans la dnition de la cavit photonique ra-
lise laide de guides plasmons.
4.1.1 Photomlange par battement de deux lasers
En rgle gnrale, toute conversion de frquence, que ce soit par la g-
nration dharmonique multiplication de frquences, par le mlange de fr-
quence ou par lamplication paramtrique ncessite un phnomne non li-
naire (voir chapitres introductifs). Il faut tout dabord bien noter que leet
non linaire dans le mlange de frquence par battement de deux lasers r-
sulte de la caractristique non linaire (courant dtect puissance optique)
dun photodtecteur ultrarapide. On obtient donc un schma trs semblable
celui mis en uvre pour les sources pulses avec comme enjeu majeur la
ralisation dun photodtecteur ultrarapide. Nous travaillons en eet dans
4. Composants pour le rgime continu 157
le cas prsent en rgime continu des lasers de pompe et non impulsionnel.
Dans cette condition, il est impratif que le composant de photodtection
puisse dtecter des variations temporelles lchelle des temps mis en jeu
aux frquences THz. Direntes voies de recherches sont actuellement tu-
dies en vue de raliser des dtecteurs ultrarapides. La premire est celle des
matriaux GaAs pitaxis basse temprature qui permettent de combiner
faible temps de rponse et haute rsistivit. Compte tenu de la bande inter-
dite du semi-conducteur GaAs, on utilise pour les photomlangeurs base
de GaAs basse temprature des lasers mettant vers 0,8 m. On peut mon-
trer que le matriau basse temprature peut ventuellement dtecter plus
grande longueur donde (vers 1 m) notamment grce la queue dabsorp-
tion des matriaux basses tempratures non recuits mais avec un rendement
de conversion trop faible pour la plupart des applications considres en ima-
gerie et en spectroscopie. Pour la dtection aux grandes longueurs dondes
(1,3 et 1,5 m), on peut penser pitaxier basse temprature des couches
semi-conductrices InGaAs. En pratique, on se heurte cependant une d-
gradation notable de leur rsistivit qui ne permet pas de maintenir un
niveau susamment faible le courant dobscurit. Le battement laser en r-
gime continu que nous allons prsent considrer permet la caractrisation
en rgime monochromatique (monofrquence). La prcision de cette mesure
frquentielle et non temporelle pourra tre trs leve comparativement
celle des techniques impulsionnelles. En outre, par un balayage en frquences
(en changeant la frquence doscillation dun des lasers de pompe), il sera pos-
sible de faire lanalyse spectrale dun dispositif ou dune matire quelconque.
Dans ce but, le photomlangeur ainsi que les lments environnants notam-
ment les lments rayonnant ou de guidage des ondes lectromagntiques
THz seront galement large bande. Comme pour les techniques impulsion-
nelles, les composants fonctionnent temprature ambiante. Ils bncient
galement dune large plage daccordabilit avec cependant des niveaux de
puissance quil convient encore damliorer dans la partie haute du spectre.
La gure (4.2) donne le schma de principe du battement de deux lasers
permettant de gnrer la frquence dirence. Lide de base est de super-
poser spatialement les faisceaux optiques issus de deux lasers grce une
lame sparatrice situe lintersection des deux faisceaux. Le faisceau rsul-
tant de cette superposition claire un photodtecteur ultrarapide qui a ici
la forme dun peigne interdigit. Les doigts du peigne sont polariss alter-
nativement par une tension positive et ngative en rgime dynamique. Le
photodtecteur est connect une antenne qui fonctionne aux frquences
THz avec gnralement la bande de frquence la plus large possible. Cette
antenne est dpose sur une lentille gnralement de silicium an de contrler
le rayonnement THz. Nous allons tour tour commenter ces dirents points
en essayant de faire ressortir les aspects lis la physique et ceux relatifs
lingnierie. Le premier point quil est important de comprendre est que le
158 Optolectronique trahertz
Fig. 4.2 Illustration du principe du photomlange de frquences.
mlange des frquences trouve son origine dans la rponse du photodtecteur
gnralement quadratique. On se retrouve par consquent dans la situation
de llectronique non linaire avec un lment dont la caractristique peut
scrire sous la forme gnrale :
I = k V
2
(4.1)
o V dsigne un signal aux bornes du composant rsultant du recouvrement
des deux faisceaux lasers. Les signaux somme et dirence seront gnrs
dans ce processus de dtection en puissance. Le photodtecteur tant rapide,
il sera capable de dtecter le signal optique la frquence dirence
2

1
.
En revanche, le dtecteur ne sera pas susamment rapide pour enregistrer
le signal somme converti en trs hautes frquences (plus de 600 THz) pour
une excitation vers 1 m. Les technologies de fabrication sont illustres sur la
gure (4.3). Celle-ci montre une vue au microscope lectronique balayage
dun photodtecteur peigne interdigit. La largeur des doigts est pour cet
exemple de 0,2 m pour un espacement de lordre de 1,8 m. Cette dirence
entre largeur de doigt et espacement permet de limiter les eets dombre dans
la mesure o les dpts mtalliques ne laissent pas passer la lumire. Les lec-
trodes du photodtecteur ont t dposes sur une couche semi-conductrice
pitaxie basses tempratures. Il faut en eet rappeler que la croissance des
matriaux III-V par pitaxie par jets molculaires se fait des tempratures
de plusieurs centaines de degrs Celsius. titre dexemple, la croissance du
matriau GaAs est eectue typiquement aux alentours de 600

C, facilitant
la mobilit des composs III et V en surface. En abaissant la temprature
de croissance, on cre des dfauts au sein du semi-conducteur rsultant dun
excs darsenic. Ces dfauts pigent trs rapidement les lectrons. Le lecteur
trouvera de plus amples dtails sur ces aspects dans le chapitre consacr
aux techniques impulsionnelles. En conclusion, ce nest donc pas le temps
de transit des lectrons au sein de la zone active, mais le temps de vie (life-
time) des lectrons dans la bande de conduction qui xe les caractristiques
frquentielles intrinsques du composant.
En pratique pour les systmes accordables, le photodtecteur est charg
par une antenne large bande. Il sagit gnralement dune antenne spirale
(gure (4.4)), le dtecteur tant plac au centre. Cette antenne a pour rle
4. Composants pour le rgime continu 159
Fig. 4.3 Vue au microscope balayage lectronique dun photodtecteur
ultrarapide.
Fig. 4.4 Vue dune antenne spirale large bande.
160 Optolectronique trahertz
de rayonner londe THz dans lespace libre. Il est galement possible de fabri-
quer des antennes diples avec cependant dans ce cas une largeur de bande
plus troite dans la mesure o le rayonnement se fait avec lecacit maxi-
male lorsque la demi-longueur donde sadapte la dimension de lantenne.
En dnitif, pour cette antenne rsonnante, on obtient plus de puissance
la frquence centrale avec nanmoins une largeur de bande moindre.
Le dveloppement des micro- et nano-technologies peut nous aider
amliorer les performances en termes de bilan thermique mais galement
decacit dans le processus de photodtection. Ce dernier point est illus-
tr prsent avec lintroduction dune architecture verticale. En eet, si
nous calculions les valeurs de champ lectrique pour la structure visualise
(gure (4.5)), on constaterait que les valeurs de champ dcroissent trs ra-
pidement en sloignant de la surface. Mathmatiquement, nous dirions que
nous sommes confronts des eets bidimensionnels. Pour retrouver des va-
leurs de champ plus uniformes sur lespace, en dautres termes avec une va-
riation unidimensionnelle du champ, lide de raliser une structure verticale
peut savrer prometteuse. La gure (4.5) donne ainsi le principe dintgra-
tion quil est possible de mettre en uvre dans ce cas. La couche active,
en loccurrence une ne couche de GaAs pitaxie basses tempratures
est insre entre deux couches mtalliques (titane/or). Un lm dilectrique
base de nitrure de silicium sert de couche antireet. Le photodtecteur
vertical ainsi dni a une technologie trs proche de celle des lasers cas-
cade quantique. Il nest donc pas tonnant que les technologies mises en jeu
pour raliser ce photo dtecteur soient trs similaires celles que nous d-
crirons dans le paragraphe suivant. Des techniques de lift-o pitaxial sont
employes pour transfrer la couche active sur un substrat hte. La gure
montre une photo au microscope du photodtecteur vertical charg par une
antenne spirale ralise lIEMN.
Fig. 4.5 Section droite dun photomlangeur en technologie verticale.
La gure (4.6) montre une vue au microscope de lantenne spirale. Le bras
suprieur ralis sur la face suprieure de la couche de GaAs basses temp-
ratures apparat au premier plan. Le bras infrieur se voit galement par un
eet de relief. Linsert montre la couche active o se fait la photodtection
correspondant la zone grise.
4. Composants pour le rgime continu 161
Fig. 4.6 Photo dun photomlangeur vertical. Photodtecteur en insert.
Fig. 4.7 Comparaison des performances frquentielles des photomlangeurs
verticaux et planaires ralise luniversit du Littoral.
162 Optolectronique trahertz
La gure (4.7) permet de se faire une ide des performances frquentielles
des composants de photomlange en comparant la rponse des photodtec-
teurs planaires et verticaux. Les mesures ont t eectues au Laboratoire de
Physique des Composs de lAtmosphre (LPCA) de luniversit du Littoral-
Cte dOpale, situe Dunkerque. Comme attendu, les performances des
dtecteurs verticaux sont suprieures pratiquement dun ordre de grandeur
par rapport celles des mlangeurs planaires. Pour les deux cas, on observe
une rponse relativement plate en fonction de la frquence jusqu environ
0,8 THz. Au-del, la puissance dlivre par le photomlangeur dcrot de
faon relativement abrupte. On peut montrer que deux constantes de temps
caractristiques sont impliques dans cette dcroissance. La premire est le
temps de dure de vie des porteurs photocrs qui sont pigs dans les d-
fauts profonds du GaAs basse temprature. La seconde constante de temps
est de type RC o C est la capacit du photodtecteur et R la rsistance
de rayonnement de lantenne. Le principe du photomlange peut tre gale-
ment retenu en dtection en conservant la cohrence de phase entre metteur
et dtecteur (dtection homodyne). Les sources optiques sont gnralement
des lasers Ti:Sa pour dmontrer la faisabilit de lexprimentation, mais on
peut trs bien envisager dutiliser des lasers semi-conducteurs. Dans les
deux cas, il est ncessaire de mettre en uvre des techniques de contrle de
la divergence des faisceaux en recherchant une situation de focalisation ou
de collimation (faisceaux parallles). Aux frquences THz, on utilise gn-
ralement des miroirs paraboliques, mais dautres technologies sont en cours
dtude, notamment les mta-matriaux qui permettent de synthtiser des
valeurs ngatives ou nulles de lindice de rfraction eectif. Les chapitres
consacrs aux techniques dvelopperont ces points en dtail.
4.1.2 Composants de transposition de frquence
par battement de lasers : photodtecteurs
Photodiode pin et ses drivs
Des rsultats intressants ont t obtenus par battements de lasers dans
des photodiodes ultrarapides. la dirence des photoconducteurs, les pho-
todiodes sont ralises par la jonction de semi-conducteurs dops direm-
ment. Les exemples les plus classiques sont les jonctions pn et pin. Dans
ce cas, la rapidit du dtecteur nest pas base sur un faible temps de vie
des porteurs, mais sur une collection trs rapide de ceux-ci. Il est donc nces-
saire que les porteurs parcourent une petite longueur dans le semi-conducteur
avant dtre collects (longueur de zone dplte). Classiquement, le trans-
port se fait perpendiculairement aux couches de semi-conducteurs. Celles-ci
tant ralises par pitaxie, de nes couches dpaisseur et de dopage bien
contrles sont possibles, le temps de transit des porteurs est alors trs faible
(la vitesse de saturation des lectrons dans les semi-conducteurs est de lordre
de 10
7
cm/s = 100 nm/ps).
4. Composants pour le rgime continu 163
Le problme que lon peut alors rencontrer pour la ralisation de photo-
diodes rapides est la capacit C de la jonction. En eet celle-ci vient dgrader
la rponse temporelle de la photodiode via la constante de temps = RC
(R tant la rsistance de charge de la photodiode). Cette capacit tant inver-
sement proportionnelle lpaisseur de zone dplte, on comprend aisment
quun compromis est ncessaire entre le temps de transit et la constante
de temps RC. Ladjonction dune zone intrinsque ou trs faiblement dope
(zone i) entre la zone n et la zone p permet daugmenter lpaisseur de la
zone dplte et ainsi daugmenter lecacit de la photodiode (puisque le
matriau absorbant est plus pais) tout en diminuant la capacit de la jonc-
tion (voir [31]). Lautre voie consiste rduire la section de la photodiode,
toutefois il nest pas souhaitable de diminuer sa taille en dessous dune di-
mension de lordre de la longueur donde puisque la focalisation est limite
par la diraction dans le cas dun faisceau se propageant dans lespace libre.
Si le faisceau provient dune bre optique, le diamtre de la photodiode (10
60 m) doit rester comparable la taille du mode (pour une longueur donde
de 1,55 m).
Les photodiodes pin sont trs utilises en tlcommunications optiques
dans la gamme de longueur donde allant de 1,3 1,6 m. Ainsi, des photo-
diodes pin ayant des ecacits de conversion 0,3 0,6 A/W et des frquences
de coupure 3 dB de 30 70 GHz sont couramment ralises avec le sys-
tme de matriaux Ga
0,47
In
0,53
As/InP [31]. Une exprience de battement de
lasers a t faite avec ce type de photodiode : des puissances de 10 W
150 GHz et de 100 nW 625 GHz ont t obtenues [161].
Pour essayer de ne plus tre soumis au compromis temps de transit
constante RC, des structures clairage latral ont t imagines [162].
Le faisceau lumineux se propage alors perpendiculairement aux porteurs de
charge. Des rponses de 0,7 0,8 A/W associes des bandes passantes de 40
plus de 50 GHz ont t ralises. notre connaissance, aucune exprience
de battement aux frquences THz na t ralise avec ce type de dispositif.
Une autre voie pour amliorer les performances consiste saranchir de
la constante RC en distribuant la photodiode. Sa longueur devient alors non
ngligeable par rapport la longueur donde du battement. Cette structure
porte le nom de photodiode distribue ou onde progressive (Traveling Wave
PhotoDiode ou TWPD). Le schma quivalent de celle-ci nest plus alors une
capacit localise, mais un tronon de ligne de transmission, la frquence de
coupure peut en thorie devenir trs grande [163]. Dautre part, cette struc-
ture peut supporter des puissances optiques plus importantes. Toutefois les
dicults technologiques de ralisation sont importantes, limpdance carac-
tristique et les pertes de la ligne de propagation sont souvent un handicap.
Des expriences de battement ont t eectues avec ces dtecteurs, une
puissance de 160 W a t obtenue 110 GHz, la rponse du photodtec-
teur tait de 0,08 A/W [164]. En gamme THz, des puissances de lordre de
10 nW ont t obtenues 1 THz [164].
164 Optolectronique trahertz
Mme si des frquences de coupures importantes peuvent tre obtenues,
le principal problme de la structure pin est le phnomne de saturation.
Lorsque la puissance optique devient importante, le champ cr par les paires
lectrons-trous photognres en grand nombre crante de plus en plus le
champ de la zone intrinsque. En particulier, les porteurs les plus lents, les
trous, ont tendance saccumuler (leur vitesse de saturation est de lordre de
50 nm/ps dans Ga
0,47
In
0,53
As), ce qui accentue cet eet via le phnomne de
charge despace. Cette diminution de champ diminue la vitesse des porteurs
et on arrive une situation o le photocourant naugmente plus avec la
puissance optique : la photodiode sature.
Photodiode transport unipolaire
Une autre approche a t dveloppe depuis 1997 par les laboratoires
NTT au Japon. Cette structure est la photodiode transport unipolaire
(Uni-Travelling-Carrier PhotoDiode ou UTC-PD). Nous allons la dtailler
plus particulirement car elle a donn ce jour les meilleurs rsultats par
battement de lasers.
Lide de base de cette structure est que le comportement dynamique de
la photodiode ne soit plus limit par les porteurs les plus lents (les trous),
mais par les lectrons. Cette situation est souvent prsente dans les compo-
sants lectroniques (exemple : les transistors eet de champ canal n). Pour
une photodiode, le problme est plus complexe car labsorption des photons
dans un semi-conducteur gnre forcment des paires lectrons-trous. Lide
de Ishibashi et de ses collaborateurs [165] a t de doper de type p assez
fortement la zone absorbante (au lieu dune zone absorbante intrinsque ou
faiblement dope n dans la photodiode pin). Dans ce cas le champ lectrique
est trs faible dans la zone absorbante, et elle reste quasi neutre. Dautre
part, les paires lectrons-trous sont photocrs dans une population dj im-
portante de trous, typiquement : p
0
= N
A
10
18
cm
3
. On montre que,
dans ce cas, le courant de trous rpond au courant dlectrons avec une
constante de temps typique gale au temps de relaxation dilectrique du ma-
triau (
r
= / = /q
h
p
0
). Pour Ga
0,47
In
0,53
As dop p p
0
= 10
18
cm
3
,
on obtient un temps de relaxation de lordre de 30 fs. Ce temps est trs
court devant le temps de transit associ aux lectrons. Dans le cas de lUTC-
PD, ce sont donc les lectrons qui xent le temps de rponse du composant
(contrairement au cas des photodiodes pin). Les lectrons photocrs sont
des porteurs minoritaires dans la couche absorbante. Linconvnient du do-
page important de la couche est que le champ lectrique est alors trs faible
(contrairement au champ prsent dans une zone i). Pour extraire les lectrons
de la zone absorbante, le seul mcanisme ecace de dplacement des charges
est alors le processus de diusion. Pour viter la diusion du ct non dsir,
on place une barrire de potentiel contre la zone absorbante. De lautre ct
pour collecter les lectrons, on place une zone intrinsque ou faiblement dope
4. Composants pour le rgime continu 165
Barrire de diffusion
Couche
absorbante
(GaInAs)
Contact p
Couche de
contact n
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
t
+
t
+
t
+
t
+
t
+
h
Bande de
conduction
Bande de
valence
Collecteur (InP)
Fig. 4.8 Structure de bande dune photodiode transport unipolaire.
dans laquelle rgne un champ important (zone dplte appele collecteur,
voir gure (4.8)).
On sarrange pour que le collecteur ait une bande interdite susamment
grande pour ne pas tre absorbant la longueur donde considre (typi-
quement de lInP pour une longueur donde de 1,55 m), sinon la structure
serait trs proche dune structure pin. La photodiode transport unipo-
laire est donc essentiellement base sur une double htrojonction de semi-
conducteurs. Un exemple typique dempilement est : Ga
1x
In
x
As
1y
P
y
(bar-
rire de diusion), Ga
0,47
In
0,53
As (zone absorbante), InP (collecteur). Le
transport des lectrons se fait dabord par diusion dans la zone absorbante
puis par drive dans le collecteur, on peut alors estimer le temps de transit
de ceux-ci :

t

A
+
C
= W
2
A
/3D
e
+W
A
/v
th
+W
C
/v
e
(4.2)
o W
A
et W
C
sont les paisseurs de la zone absorbante et du collecteur,
D
e
= kT
e
/q est le coecient de diusion des lectrons, v
th
=
_
2kT/m

est la vitesse dmission thermo-ionique et v


e
est la vitesse des lectrons dans
le collecteur. Dans le collecteur, les lectrons subissent un phnomne de
transport non stationnaire appel overshoot qui leur permet de dpasser la
vitesse de saturation. Ce phnomne est connu dans les transistors bipolaires
htrojonction o les lectrons peuvent atteindre 400 nm/ps dans les col-
lecteurs en InP. Ces transistors (Heterojunction Bipolar Transistor ou HBT)
ont une structure proche de lUTC-PD. Pour W
A
= 200 nm (Ga
0,47
In
0,53
As)
et W
C
= 200 nm (InP), on obtient
t
2,6 ps.
Un avantage de la structure UTC-PD est que lpaisseur de la zone absor-
bante peut tre ajuste indpendamment de lpaisseur du collecteur. Cela
permet de rduire lpaisseur de zone absorbante (pour rduire le temps de
166 Optolectronique trahertz
Fig. 4.9 Image prise au microscope lectronique balayage dune UTC-
PD InGaAs/InP de 2 m de diamtre fabrique lInstitut dlectronique
de Microlectronique et de Nanotechnologie.
diusion des lectrons) sans sacrier le temps RC. On peut donc obtenir
des frquences de coupures trs leves avec la structure UTC-PD (quelques
centaines de GHz). Une autre dirence importante avec la photodiode pin
se situe au niveau du phnomne de saturation. Il est clair que le transport
dun nombre importants dlectrons dans le collecteur cre une diminution
du champ par eet de charge despace (phnomne connu sous le nom def-
fet kirk dans les HBT). Toutefois, le phnomne intervient pour des densits
de courant plus importantes grce la vitesse leve des lectrons. On ob-
tient alors un courant de saturation suprieur dun ordre de grandeur pour
lUTC-PD par rapport la photodiode pin.
La gure (4.9) reprsente une image prise au microscope lectronique
balayage dune UTC-PD InGaAs/InP. Celle-ci ne comporte pas de fentre
optique, lclairage de la photodiode se fait par le substrat en InP (qui est
transparent 1,55 m). Lanode tant constitue dun contact mtallique,
elle joue le rle de miroir, ce qui permet la lumire de passer deux fois
dans la couche absorbante et augmente la rponse de la photodiode. La ligne
coplanaire est connecte la cathode et lanode de la photodiode grce
des ponts air.
Cette photodiode unipolaire a t dveloppe lorigine pour des appli-
cations en tlcommunications par bres optiques, toutefois la combinaison
dune frquence de coupure importante et dun seuil de saturation lev est
trs favorable pour lobtention de puissances importantes en gamme THz. Les
laboratoires NTT ont ainsi dmontr des frquences de coupures 3 dB de
220 GHz (0,126 A/W) 310 GHz (0,07 A/W) [166, 167]. Ces bandes pas-
santes ont t obtenues en eectuant la transforme de Fourier des rponses
impulsionnelles mesures par une mthode dchantillonnage lectro-optique.
4. Composants pour le rgime continu 167
Des expriences de battements de lasers ont t faites : des puissances de plus
de 20 mW ont t obtenues 100 GHz [168]. 300 GHz, une puissance de
300 W a t obtenue en intgrant lUTC-PD avec une antenne large bande
log-priodique, la mme structure a gnr 2,6 W 1 THz. Lintgration
dune UTC-PD avec des diples rsonnants (antenne bande troite) a per-
mis de gnrer 10,9 W 1 THz ce qui constitue actuellement le record de
puissance gnre 1 THz par battement de lasers.
La structure de lUTC-PD prsente de nombreux degrs de libert (mat-
riaux, paisseurs des couches, ...). Il est probable quune conception optimise
pour diminuer les pertes, augmenter la dissipation thermique et le rendement
de lantenne permettra daugmenter encore les performances et datteindre
des puissances de lordre de 100 W 1 THz et temprature ambiante.
4.1.3 Laser cascade quantique (QCL)
En optique visible et infrarouge, notamment pour les grandes longueurs
dondes des tlcommunications, le LASER (Light Amplication by Stimula-
ted Emission of Radiation) est le composant le plus utilis. Comme lindique
son acronyme, pour obtenir leet laser, il est ncessaire dobtenir lmission
stimule des transitions optiques. Pour un laser semi-conducteur, elles se font
entre les bandes de conduction et de valence. Par consquent, les lectrons
et les trous sont impliqus dans ces transitions. Elles peuvent avoir lieu dans
un matriau semi-conducteur en volume ou dans des puits quantiques. Si,
prsent, on dsire tendre ce principe de fonctionnement pour des longueurs
donde correspondant linfrarouge moyen (10 m) ou lointain (100 m),
on se heurte la dicult suivante : les matriaux semi-conducteurs nont
pas un gap susamment troit pour correspondre lnergie de la transition
optique. Face ce problme, le chercheur a introduit le concept de transi-
tion inter-sous-bande et non plus inter-bande comme dans le cas prcdent.
Lide est simple dans son principe. La structuration des matriaux en puits
quantiques permet de quantier lnergie des lectrons. Pour des barrires suf-
samment leves, plusieurs niveaux peuvent exister dans une mme bande
soit de valence, soit de conduction. Une structure galement trs intressante
consiste coupler les puits entre eux. En pratique, cela signie quils sont s-
pars dune barrire de potentiel que les lectrons peuvent traverser par eet
tunnel. Lorsque les deux puits sont parfaitement identiques, ils prsentent
les mmes valeurs de niveaux dnergie qui leur sont propres. En revanche, le
couplage par eet tunnel fait que le systme quantique, constitu des deux
puits, prsente deux niveaux de rsonance distincts. En physique des semi-
conducteurs, on parle de leve de dgnrescence des niveaux quantiques.
Lcart entre les niveaux est dautant plus important que le couplage est
fort. Cette ide est trs souvent utilise pour la ralisation de laser unipo-
laire htro-structures de semi-conducteurs. prsent lorsquon fabrique
un grand nombre dhtro-jonctions en multipliant les matriaux, on cre
168 Optolectronique trahertz
ce que lon appelle un super-rseau de semi-conducteur. Ce qualicatif sex-
plique par la priodicit articielle du potentiel auquel est soumis llectron
en rfrence au potentiel cristallin du semi-conducteur massif. Ainsi en alter-
nant les matriaux semi-conducteurs, qui dirent par leur gap, on introduit
une super-structure qui vient se superposer sur celle correspondant au r-
seau cristallin. Par cette ingnierie de la structure de bande (alternance de
bandes interdites larges et troites), il est possible de crer des mini-bandes
dnergies. ce stade, nous disposons de lensemble des notions utiles dans
la conception des lasers unipolaires puits quantiques illustres sur la -
gure (4.10). La zone active est situe au centre de la gure avec deux puits
larges coupls par une barrire de potentiel ne. La transition optique ra-
diative (avec mission dun rayonnement lectromagntique) se fait entre les
niveaux quantiques nots 2 et 3. De part et dautre de la zone active, ont
t raliss deux super-rseaux. Leur diagramme dnergie en bande dner-
gie permise et interdite est illustr droite de la gure. On constate que le
niveau 3 est align avec la bande interdite du super-rseau de droite. Les
lectrons ne peuvent pas par consquent se propager dans cette zone, favo-
risant les transitions radiatives. Linversion de population, qui dcrit le fait
quun niveau excit est plus peupl en lectron quun niveau situ plus
basses nergies, se fait grce la zone dinjection situe en amont de la zone
active. Ces processus dinjection et dmission radiative ont lieu sur plusieurs
cellules lmentaires qui sont cascades au sens de la mise en srie des cir-
cuits. Ce terme fait galement rfrence aux analogies hydrauliques o le ux
dlectrons dvale le potentiel. Sur cette mme gure (4.10), ont t traces
les probabilits de prsence lectronique. titre dexemple, la probabilit de
prsence est maximale pour les deux niveaux dgnrs 1 et 2 au centre du
puits alors quelle est minimum mais non nulle au centre de la barrire de
couplage.
La plus grande dicult laquelle se heurte le chercheur dans la perspec-
tive dtendre le principe des lasers cascade linfrarouge lointain concerne
lnergie mise en jeu dans la transition optique et donc lcart entre les ni-
veaux quantiques. titre dexemple, pour un laser fonctionnant 4 THz,
lnergie correspondante h o h est la constante de Planck et la frquence
de fonctionnement, est de lordre de 17 meV. Cette valeur dnergie est
comparer celle de lagitation thermique dun gaz lectronique qui est de
25 meV temprature ambiante. En consquence, on conoit la ncessit de
faire fonctionner les composants temprature cryognique an dabaisser
lnergie dagitation thermique qui est proportionnelle la temprature. Une
autre valeur dnergie de rfrence est lnergie du phonon optique. Sans en-
trer dans les dtails des mcanismes dinteractions entre les lectrons et le
rseau cristallin, rappelons que les vibrations du rseau cristallin sont quanti-
es avec des valeurs dnergie de rfrence qui seraient de lordre de 35 meV
pour le GaAs. Ce matriau est utilis pour la fabrication des puits quantiques
4. Composants pour le rgime continu 169
Fig. 4.10 Structure de bande et probabilit de prsence pour un laser
cascade quantique.
pour les lasers cascade en infrarouge lointain. En pratique, on se sert de lin-
teraction avec les phonons, non radiative, pour dpeupler le niveau de plus
basse nergie implique dans les transitions radiatives. La fabrication dun
laser cascade quantique passe galement par la ralisation dune cavit op-
tique gnralement longitudinale. Pour crer cette cavit, il est ncessaire de
raliser un milieu de propagation, born par des miroirs semi-transparents.
cette condition, londe lectromagntique eectue des allers et retours dans
ce milieu, lorigine des eets de cavit. Si, en optique, la cavit est faite
partir dun guide dilectrique, il nen est pas de mme en infrarouge proche et
lointain. En eet, les dimensions pertinentes dans les directions transverses
la propagation de ce guide dilectriques sont de lordre de grandeur de la
longueur donde. Pour un laser cascade quantique, le guide dilectrique est
constitu par la couche active fabrique par pitaxie. Mme si des progrs
indniables ont t raliss dans lpitaxie de couches paisses (on atteint
quelquefois la superposition de plus de 100 couches de semi-conducteurs), il
savre impossible de conner les champs lectromagntiques par cette voie.
La solution passe par lutilisation de guides plasmon. Concrtement, cela
signie que la couche active est insre entre deux couches mtalliques ou
quasi mtalliques, londe lectromagntique se propageant le long des inter-
faces mtal/semi-conducteur. Par le terme quasi mtallique, nous dsignons
un matriau semi-conducteur trs fortement dop. On peut montrer que grce
cette couche enterre, il est possible de conner une bonne partie du champ
lectromagntique dans le milieu o il y a du gain. Ici encore, lutilisation des
170 Optolectronique trahertz
micro- et nano-technologies a donn la possibilit de rendre plus ecace lin-
teraction onde-matire avec la ralisation dun guide doublement mtallique.
Cela signie que la couche active est encadre par deux lms de mtal. Il faut
cependant savoir que pour prserver la qualit cristalline durant la croissance,
celle-ci seectue partir dun substrat semi-conducteur. Pour quune couche
mtallique enterre se substitue la couche semi-conductrice, on utilise les
techniques de report pitaxial. La couche active est enleve du substrat de
croissance puis reporte sur un substrat hte pralablement recouvert dune
pellicule dor. Ce procd de report pitaxial sapparente un pluchage de
la couche comme pour un procd de peeling avec xation du lm actif soit
par forces de Van de Waals ou par tout autre procd de collage. On uti-
lise gnralement le terme de lift-o pitaxial. Le report peut tre fait avant
la fabrication ou aprs celle-ci. La spcicit des lasers cascade quantique
fonctionnant en infrarouge lointain est avant tout les valeurs dnergie mise
en jeu. Celles-ci sont trs souvent infrieures celles des phonons optiques et
lagitation thermique. Mme si, a priori, les principes sont les mmes entre un
fonctionnement en infrarouge moyen et lointain, plusieurs aspects se doivent
dtre optimiss. Tout dabord linversion de population. Pour ce faire, on a
de plus en plus recours aux techniques de simulation du transport des charges
au sein de la zone active par des techniques de type Monte-Carlo, notamment
pour dcrire le pompage lectrique. Il faut rappeler que le transport lectro-
nique se fait de manire alatoire avec des contraintes lies la quantication
des niveaux dnergie. La description ne peut tre que statistique. Parmi les
modles de transport, gurent les techniques de description par mthode de
Monte-Carlo. Lhistoire de milliers dlectrons est simule dans lespace rel
et lespace rciproque. Ce dernier permet de rendre compte des interactions
en conservant en particulier lnergie et la quantit de mouvement. On peut
galement dterminer par ces techniques les probabilits de prsence sur les
dirents niveaux et leurs populations respectives. La gure (4.11) montre
ainsi le rsultat dun calcul pour une structure fonctionnant en infrarouge
lointain. Au lieu dune vraie mini-bande, les niveaux discrets forment ici une
srie de niveaux trs resserrs. Ces dirents niveaux sont peupls conform-
ment au trac de la densit lectronique porte sur la droite. On constate
lexistence dun creux dans les tats propres de basse nergie attestant de la
possibilit dinverser la population.
La gure (4.12) prcise les performances dun des premiers lasers cascade
ayant fonctionn en infrarouge lointain. La caractristique courant-tension r-
sultant du pompage lectrique est donne sur laxe des ordonnes de gauche.
Elle est mesure 5 K, par consquent une temprature trs proche de celle
de lhlium liquide. Les valeurs de courant sont trs leves pour un compo-
sant optolectronique. Ceci rsulte de la surface quivalente du composant
trs importante qui correspond en pratique celle du contact suprieur. Il en
rsulte des problmes thermiques rsolus souvent en polarisant le composant
4. Composants pour le rgime continu 171
0 1 000 2 000
Fig. 4.11 Niveaux quantiques dans un laser cascade quantique (QCL).
, , , ,
,
,
,
,
Fig. 4.12 Caractristique courant tension du premier laser THz cascade
quantique.
172 Optolectronique trahertz
en impulsions avec un taux de rptition trs faible. Sur laxe des ordonnes
de gauche a t reporte la puissance pic dlivre direntes tempratures.
On constate que le laser est capable de dlivrer une impulsion de lordre de
quelques mW trs basses tempratures. Lmission laser peut tre mesure
jusqu la temprature de 40 K dans lexemple pris ici. Depuis la premire
dmonstration du laser en infrarouge lointain, les progrs technologiques ont
t fulgurants et les chercheurs nont eu de cesse damliorer les performances
des lasers en termes decacit, de temprature et de frquence de fonction-
nement, de puissance dlivre de puret spectrale. On peut raisonnablement
penser que, dans un proche avenir, il soit possible de faire fonctionner un
laser cascade 300 m (1 THz) sachant que les meilleurs rsultats actuels
se situent aux alentours de 2 THz. Il semble cependant dicile desprer les
faire fonctionner temprature ambiante mme si les rcentes dmonstra-
tions la temprature de lazote liquide sont encourageantes. Par ailleurs,
ils sont dicilement accordables.
4.2 Conclusion partielle
Au terme de cette introduction du chapitre consacr aux sources et dtec-
teurs en rgime continu, deux voies de recherche, respectivement celle relative
aux photomlangeurs et celle base sur lmission laser, apparaissant com-
plmentaires par rapport la bande de frquences de fonctionnement. Les
photomlangeurs fonctionnent avec des niveaux de puissance compatibles
avec les applications grand public dans la partie basse du spectre THz alors
que le laser cascade semble plus adapt la partie haute de celui-ci. Les
photomlangeurs fonctionnent temprature ambiante et permettent une
grande couverture spectrale (de lordre du THz) alors que le laser cas-
cade quantique ne fonctionne qu basses tempratures (typiquement lazote
liquide pour le moment) et prsente une faible plage daccord frquentiel.
Les niveaux de puissance dlivre sont cependant plusieurs ordres de gran-
deur (typiquement 1 mW) au-dessus de ceux produits par les dispositifs de
photomlange (typiquement 1 W) bien quaux longueurs donde millim-
triques, les diodes UTC prsentent des performances tout fait tonnantes.
Le progrs fait depuis la premire dmonstration du laser cascade sont im-
pressionnants en termes dintgration, minimisant les lments parasites et
optimisant les bilans thermiques, en termes de stabilit par rseau de Bragg
ou plus gnralement en termes de performances. Les calculs Monte-Carlo
de linversion de population montrent quil devrait tre possible de fabriquer
un laser cascade quantique fonctionnant vers 1 THz comblant ainsi le foss
entre sources par photomlange et sources par eet laser.
4. Composants pour le rgime continu 173
4.3 Technique de photomlange : principe
et limitations
Le principe de base du photomlange consiste convertir un battement
aux frquences optiques vers le THz en exploitant la non-linarit de photo-
dtection dun photodtecteur ultrarapide. Lorsque deux faisceaux lasers de
puissance P
1
et P
2
de mme polarisation sont superposs spatialement, un
terme la dirence de frquence apparat dans lexpression de la puissance
instantane :
P
opt
(, t) = P
1
+P
2
+ 2
_
P
1
P
2
cos(2t) (4.3)
avec la dirence de frquence entre chaque laser. Cette puissance optique
module la conductivit dun semi-conducteur et par consquent induit au
sein du photomlangeur un photocourant. Le nombre de porteurs de charge
suit un processus de gnration-recombinaison, et limite de fait lecacit de
conversion lorsque augmente, et lexpression du photocourant I prend la
forme :
I(, t) = I
dc

1 +
cos(2t)
_
1 + (2)
2

(4.4)
I
dc
est un courant statique ( frquence nulle) produit par les deux la-
sers et accessible avec un simple multimtre. Dans le cadre de nos hypo-
thses, amliorer I
dc
revient galement maximiser le photocourant la
frquence , cest--dire au nal la puissance THz. est le temps de vie
des porteurs de charges. On note un premier terme qui limite la bande pas-
sante du photodtecteur et une premire frquence de coupure f
c
=
1
2
.
Seuls des matriaux ultrarapides ( temps de vie court) sont compatibles
avec les frquences vises et soulignent encore le rle cl de GaAs-BT.
Une fois gnr, ce courant est coupl une antenne correctement dimen-
sionne pour assurer lmission de londe THz. Cette source de courant est
donc charge par une impdance Z forme par une capacit C en parallle
avec une impdance de rayonnement R
a
. La puissance THz rayonne est de
la forme :
P
THz
= Re Z

i
2
_
(4.5)
Dans cette expression,

i
2
_
est la moyenne temporelle du carr de la partie
variable du courant :

i
2
_
=
_
I
2
dc
1 + (2)
2
cos
2
(2t)
_
(4.6)
et
Re Z =
R
a
1 + (2 R
a
C)
2
(4.7)
174 Optolectronique trahertz
Fig. 4.13 Photographie dun mlangeur peigne interdigit, charg par
une antenne spirale large bande, dpos sur une couche de GaAs-BT. La
zone active forme une surface de 88 m
2
. Les doigts du peigne, larges de
200 nm, sont spars de 1,8 m. Ces dispositifs ont t raliss lInstitut
dlectronique de Microlectronique et de Nanotechnologies de luniversit
de Lille 1.
Au nal, la puissance THz rayonne sexprime par :
P
THz
=
1
2
.
I
2
dc
R
a
(1 + (2 R
a
C)
2
) (1 + (2)
2
)
(4.8)
Dans cette expression, on remarque une seconde frquence de coupure
caractristique des lments de lantenne, cest--dire de sa constante de
temps R
a
C.
Plusieurs dispositifs metteurs ont t proposs an de rduire cette
constante de temps tout en privilgiant la rponse statique du photom-
langeur. La solution la plus rpandue consiste en un peigne interdigit aux
dimensions submicroniques, coupl une antenne spirale, dpos sur GaAs-
BT. Sa fabrication demande dimportantes installations et notamment une
tape de lithographie lectronique. La gure (4.13) est un exemple de rali-
sation de tels dispositifs.
4.4 Vers les grandes longueurs donde
La raison principale pour laquelle lessentiel des recherches sur les pho-
tomlangeurs a port sur le matriau GaAs BT est quil associe un temps
de vie des porteurs picoseconde et de bonnes proprits lectriques. La po-
sition spectrale de la bande interdite du GaAs impose dutiliser des lasers
de commande dont les longueurs donde se situent autour de 800 nm. En
consquence, les expriences de photomlange sont principalement eectues
en espace libre car il existe trs peu de composants optiques brs ces
longueurs donde, et notamment damplicateurs optiques. Ces expriences
sont nanmoins diciles mettre en uvre en espace libre car le couplage des
deux faisceaux optiques de commande aux lments du photomlangeur est
4. Composants pour le rgime continu 175
extrmement critique. Lutilisation dune bre optique pour eectuer ce cou-
plage facilite signicativement les rglages et assure une meilleure stabilit de
fonctionnement du systme. Cest pourquoi de nombreuses recherches sont
menes pour raliser des photomlangeurs sensibles aux longueurs donde des
systmes de tlcommunications, notamment 1 550 nm, o il existe un large
panel de composants brs. En eet, des lasers de commande de trs grande
puret spectrale, tels que les diodes lasers cavit externe ainsi que des
amplicateurs optiques bre dop Erbium sont disponibles ces longueurs
donde. La technologie bre ouvre de plus la voie des systmes portables de
mtrologie et galement une mise en rseaux deux dimensions des photo-
mlangeurs [169]. Larchitecture des rseaux peut tre similaire celle utilise
dans les rseaux de phases dantennes micro-onde, les antennes rsonantes
planaires sont spares de leurs proches voisines par approximativement /2,
o est la longueur donde THz dans lespace libre.
Certes, le GaAs BT prsente une absorption signicative en dessous de
la bande interdite, mais son coecient dabsorption autour de 1 550 nm est
trop faible pour envisager son insertion dans un photomlangeur ecace.
Dans ce contexte, des approches technologiques nouvelles [170] sont mises en
uvre pour raliser des photomlangeurs commands 1 550 nm, la longueur
donde des systmes de tlcommunications. Les recherches se sont orientes
naturellement vers le matriau rfrence utilis dans les composants tlcoms,
lIn
0,53
Ga
0,47
As pitaxi sur substrat dInP, un matriau photoconducteur
dont la bande interdite la temprature ambiante, est situe 1 600 nm.
Lenjeu tant alors de rduire le temps de vie des porteurs dans ce matriau
semi-conducteur tout en prservant une mobilit des porteurs relativement
leve et une forte rsistivit.
Une solution originale, propose par lquipe de E. R. Brown de luni-
versit de Californie [170], consiste insrer des nanoparticules dErAs dans
une matrice dIn
0,53
Ga
0,47
As en accord de maille sur InP. Une autre approche
propose est limplantation ou lirradiation ionique de lIn
0,53
Ga
0,47
As [171].
Ces deux approches permettent de rduire le temps de vie des porteurs
libres des sub-picosecondes sans dgrader signicativement les propri-
ts lectriques de lIn
0,53
Ga
0,47
As. Les couches semi-conductrices dErAs:
In
0,53
Ga
0,47
As ainsi que dIn
0,53
Ga
0,47
As irradi par des ions, pitaxies en
accord de maille sur InP, ont permis la ralisation des premiers photomlan-
geurs 1 550 nm. Des bancs de spectroscopie adapts ces grandes longueurs
donde ont donc t dvelopps.
4.4.1 Banc exprimental
Le banc de spectroscopie utilise deux diodes lasers cavit externe qui
dlivrent dans une bre monomode un signal continu de quelques mW autour
de 1 550 nm. Les polarisations des faisceaux lasers sont ajustes de manire
ce que les champs lectriques des deux faisceaux soient colinaires. Ainsi
176 Optolectronique trahertz
le battement entre les deux faisceaux optiques est maximis. Puis, les deux
faisceaux sont coupls dans une mme bre optique monomode laide dun
coupleur br 50/50 et amplis jusqu plusieurs dizaines de mW avec un
amplicateur Erbium bre dope. Des boucles de Lefvre sont utilises
pour contrler la polarisation du faisceau incident sur le photomlangeur. Le
battement optique est focalis sur le photomlangeur grce une bre len-
tille de distance de travail typique de 25 m et de diamtre de focalisation
de 5 m. Une lentille hyper-hmisphrique de silicium haute rsistivit est
plaque en face arrire contre le substrat. Elle permet notamment de colli-
mater le rayonnement pour quil atteigne le dtecteur. Un miroir parabolique
est ventuellement plac pour focaliser le rayonnement dans le dtecteur. Un
ltre est plac sur le trajet pour empcher le rayonnement rsiduel 1 550 nm
datteindre le dtecteur. Le dtecteur est soit un bolomtre refroidi lh-
lium liquide (4,2 K), soit une cellule de Golay (voir la description de ces
dtecteurs en page 30). Le photomlangeur est polaris laide dune tension
carre module 210 Hz et le dtecteur est connect un amplicateur
dtection synchrone. En faisant varier la longueur donde optique dune des
deux sources, on fait varier la dirence de frquence de quelques dizaines
de GHz plusieurs THz.
-
Fig. 4.14 Schma dune exprience de photomlange.
4.4.2 Rsultats exprimentaux
Nous prsentons le rayonnement THz obtenu par des photomlangeurs
commands par des faisceaux optiques dont les longueurs donde se situent
autour de 1550 nm.
Photomlangeur en ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As
Le photomlangeur possde une couche active en ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As de
1,2 m dpaisseur pitaxie sur un substrat semi-isolant dInP dop fer. La
sensibilit du photomlangeur est de 8 mA/W pour une tension de polarisa-
tion de 9 V.
4. Composants pour le rgime continu 177
,
,
,
,
1 000
Fig. 4.15 Puissance de sortie du photomlangeur en ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As en
fonction de la dirence de frquence entre les deux lasers. Le photomlangeur
est constitu dlectrodes interdigites, de 0,25 m de largeur et espaces de
1 m, dposes la surface de la couche active par lithographie lectronique.
Ces lectrodes sont situes au centre dune antenne dipolaire de largeur 9 m
et de longueur physique 94 m.
La gure (4.15) prsente la puissance de sortie du photomlangeur en
ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As en fonction de la dirence de frquence entre les deux
lasers [172]. Le photomlangeur est polaris 8 V et illumin avec une puis-
sance optique totale de 40 mW. Entre 0 et 22 GHz, la puissance de sortie
mesure laide dun analyseur de spectre est pratiquement constante et
atteint un niveau de 0,2 W. Au-dessus de 60 GHz et jusqu 100 GHz, la
puissance de sortie, mesure laide dune cellule de Golay est essentielle-
ment constante et gale 0,13 W. Au-del de 100 GHz, la puissance dcrot
rapidement. La frquence de coupure 3 dB se situe 200 GHz. Cette fr-
quence de coupure conduit un temps caractristique de 0,8 ps gale au
temps de vie des porteurs libres dans la couche dErAs:In
0,53
Ga
0,47
As.
Photomlangeur en In
0,53
Ga
0,47
As irradi par des ions
Le photomlangeur est constitu dune couche de 1 m dIn
0,53
Ga
0,47
As
irradi par des ions (brome), pitaxie sur une couche tampon dInAlAs de
200 nm dpaisseur, elle-mme pitaxie sur un substrat semi-isolant dInP
dop fer. Une couche de nitrure de silicium est dpose sur la surface de
lIn
0,53
Ga
0,47
As et agit comme couche antireet et de passivation. La sensi-
bilit du photomlangeur est de 0,025 A/W 1,8 volt.
178 Optolectronique trahertz
,
, , ,
,
Fig. 4.16 Tension dtecte par un bolomtre refroidi en fonction de la
dirence de frquence entre les deux lasers. Le photomlangeur est constitu
dlectrodes interdigites de largeur 0,2 m et espaces de 1,8 m, situes au
centre dune antenne spirale qui-angulaire dimpdance 73 dposes la
surface de la couche active par lithographie lectronique.
La gure (4.16) prsente la tension dtecte par un bolomtre refroidi
ainsi que la puissance estime en fonction de la dirence de frquence entre
les deux lasers. Une tension de polarisation de 1,5 V est applique au dispo-
sitif et la puissance optique incidente totale est de 40 mW. On observe que la
puissance rayonne par le photomlangeur est essentiellement constante de
150 GHz 570 GHz et atteint une valeur de 45 nW [173]. 1 THz, la puis-
sance estime est de 10 nW. La ligne continue reprsente la puissance calcule
partir de lquation (4.8) pour une constante de temps R
a
C de 0,124 ps,
value partir de la gomtrie de lantenne, et une dure de vie des por-
teurs de 0,86 ps, mesure par une technique de transmission optique rsolue
temporellement. Un bon accord est obtenu entre les points exprimentaux et
le trac thorique.
4.4.3 Perspectives
Les photomlangeurs sensibles 1 550 nm pourront lavenir tre opti-
miss an daugmenter leur ecacit dmission. De manire similaire aux
photomlangeurs commands par des faisceaux optiques dont les longueurs
donde se situent autour de 800 nm [174], le dpt dun miroir de haute r-
ectivit sur la face infrieure de la couche active ou encore lutilisation dune
antenne spirale carre [175] devraient permettre damliorer les performances
de ces dispositifs THz.
Chapitre 5
Composants passifs
5.1 Introduction
Une fois mises par des sources impulsionnelles ou continues, les ondes
THz doivent tre mises en forme, cest--dire collimates, guides, ltres. . .
pour pouvoir tre utilises dans les diverses applications listes au chapitre 9
(page 275) avant dtre reues par des dtecteurs appropris. Les sections de
ce chapitre traitent de lensemble des composants passifs qui peuvent tre
utiliss pour la mise en forme de ces ondes THz, tant en espace libre quen
propagation guide. Nombre de ces composants passifs sont analogues ceux
que lon trouve en optique visible ou infrarouge ; ils nen dirent souvent que
par la taille et les matriaux utiliss. Outre ces dirences relativement mi-
neures, sajoute une particularit propre au domaine THz, savoir la bande
des frquences couvertes par les sources THz impulsionnelles cohrentes, la-
quelle est sans commune mesure avec les bandes de frquences couvertes
par les sources cohrentes du domaine optique. En eet, si lon considre les
sources lasers impulsionnelles Ti:Sa dlivrant les impulsions les plus brves
( 10 fs) des longueurs dondes centres sur 800 nm, leurs spectres associs
stendent typiquement sur quelques 300 nm, soit un rapport entre les lon-
gueurs dondes extrmes atteignant un facteur de 1,5 seulement. En compa-
raison, les sources THz impulsionnelles dlivrent des impulsions monocycles
aux spectres associs extrmement tendus (de 50 GHz plus de 5 THz ty-
piquement), conduisant une valeur suprieure 100 pour ce mme rapport
entre longueurs dondes extrmes mises par la source. Bien que lutilisation
damplicateurs optiques paramtriques permette galement aujourdhui de
couvrir dans le domaine optique une gamme de longueurs dondes aussi ten-
due (de 200 nm dans lUV lointain 20 m dans linfrarouge moyen
avec les amplicateurs optiques paramtriques de la socit lituanienne Light
Conversion), la couverture dun tel spectre nest pas assure au moyen dune
unique bande de frquences mais requiert lutilisation de plus de 10 bandes
de frquences. Ainsi, la spcicit des composants passifs du domaine THz
est de devoir traiter simultanment des longueurs dondes variant dans un
rapport de 1 100 !
180 Optolectronique trahertz
5.2 lments optiques pour la propagation
en espace libre
Comme nous lavons mentionn dans la partie introductive de ce chapitre,
nous allons retrouver pour la propagation en espace libre des composants si-
milaires ceux utiliss dans le domaine optique avec la ncessit de prendre
en compte le rle crucial jou par la dispersion chromatique pour des com-
posants devant fonctionner sur des plages spectrales extrmement tendues.
5.2.1 Rle crucial de la dispersion chromatique
Outre la dispersion propre des matriaux utiliss pour la ralisation de
composants optiques THz, dautres phnomnes sont prendre en consid-
ration telle la diraction qui naura pas la mme rpercution sur les carac-
tristiques du composant optique considr lorsque lon va sintresser des
longueurs dondes spares par deux ordres de grandeur.
En ce qui concerne la dispersion dans le domaine THz, et contrairement
au domaine optique, les milieux solides dilectriques non polaires prsentent
lavantage de ne prsenter pratiquement aucune raie ni bande dabsorption,
except aux frquences les plus leves o apparaissent les bandes dabsorp-
tion lies aux phonons optiques (cf. section (2.3.8) page 78). Ainsi, leur in-
dice de rfraction, qui est li au coecient dabsorption par les relations de
Kramers-Krnig [32], est en gnral indpendant de la frquence. Paradoxa-
lement, les problmes de dispersion sont donc beaucoup moins critiques dans
le domaine THz o lon dispose de matriaux prsentant un indice de rfrac-
tion constant sur des plages de longueurs donde couvrant deux ordres de
grandeur que dans le domaine optique o la dispersion pose dj de srieux
problmes dans le spectre visible (385-720 nm). Cette absence ou quasi ab-
sence de dispersion dans le domaine THz se retrouve dans bon nombre de
matriaux communment utiliss pour la ralisation de lentilles ou fentres
optiques comme le silicium de haute rsistivit ( > 1 kcm), le ton, le
quartz, le saphir, le polythylne de haute densit (HDPE) ou encore dans
un verre organique appel picarin.
Cest en fait davantage les phnomnes de diraction que la dispersion
proprement dite des matriaux utiliss qui vont tre lorigine de la disper-
sion chromatique eective des composants optiques THz. En eet, rappelons
quau voisinage de laxe optique, la diraction dune onde plane par une
ouverture de forme quelconque, de plus grande dimension D, est trs bien
dcrite en utilisant une simple thorie ondulatoire scalaire et plus prcisment
en appliquant le principe dHuygens-Fresnel [143], lequel fait clairement ap-
paratre lexistence de trois zones de diraction selon la distance L sparant
la source de louverture diractante. courte distance de louverture dif-
fractante, on a la zone de Fresnel bien dcrite par lapproximation du mme
nom. Suit la zone de Kirchho, zone intermdiaire sparant la zone de Fresnel
5. Composants passifs 181
de celle de Fraunhofer situe grande distance de louverture diractante
(L
D
2
8
), cette dernire tant trs bien dcrite dans le cadre de lapproxi-
mation de Fraunhofer [143]. La rfrence [176] prsente une illustration de
ces phnomnes dans le cas de la diraction par une ouverture circulaire.
La zone de transition entre le champ proche pour lequel le champ lectrique
de londe diracte rete la transmittance de louverture diractante et le
champ lointain pour lequel il rete la transforme de Fourier de cette mme
transmittance se situe une distance caractristique de lordre de
D
2
4
.
An de mieux comprendre en quoi les considrations prcdentes revtent
une importance toute particulire dans le domaine des ondes THz, prenons
lexemple dun diaphragme circulaire de rayon R = 5 mm de diamtre clair
par une onde plane. Pour une onde visible, la distance caractristique de la
transition champ proche champ lointain est de lordre de 50 m do
labsence de diraction signicative observe en pratique. linverse, pour
une onde hyperfrquence (1-10 GHz), cette mme distance caractristique est
nettement infrieure au millimtre do lobservation dun faisceau divergent
prsentant une dispersion angulaire typique de lordre de

R
. Rappelons que
cela rsulte du fait que la distribution dintensit I en champ lointain dune
onde plane de longueur donde diracte par le diaphragme est donne par
la relation :
I
_
J
1
_
2Rsin

_
2 sin
_
2
(5.1)
reprsente ici langle form entre la normale au diaphragme et la direction
dans laquelle on mesure lintensit diracte. Le lobe central de diraction,
encadr par le premier zro de la fonction de Bessel (J
1
(3,83) = 0) a ainsi
pour largeur angulaire totale 1,22

R
.
En revanche, la distance caractristique de la transition champ proche
champ lointain passe denviron 4 mm 40 cm. Ainsi, un observateur
situ une distance L de 4 cm derrire un tel diaphragme verra les basses
frquences diractes en champ lointain et les hautes frquences non dirac-
tes, car en champ proche. La gure (5.1) illustrant ce cas de gure a t
calcule partir du principe dHuygens-Fresnel, lintensit I de londe dif-
fracte une distance r de laxe optique tant alors donne par lexpression :
I

_
2
0
_
R
0
exp
_
j k L
_
1 +
r
2
+
2
2 r cos
L
2
_
L
_
1 +
r
2
+
2
2 r cos
L
2
d d

2
(5.2)
182 Optolectronique trahertz
0,05 THz
0,08 THz
0,125 THz
0,2 THz
0,32 THz
0,5 THz
0,8 THz
1,25 THz
2 THz
3,2 THz
5 THz
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 mm
10 mm
Fig. 5.1 Prol radial en intensit dune onde plane THz diracte par un
diaphragme circulaire de 10 mm de diamtre dans un plan distant de 40 mm
du diaphragme pour des frquences couvrant la gamme spectrale stendant
de 50 GHz 5 THz et pour une mme puissance de londe incidente.
o k =
2

est le vecteur donde. Aux basses frquences, le prol radial en


intensit de londe diracte au niveau du dtecteur prsente un lobe central
prpondrant de forme approximativement gaussienne et de largeur variant
en proportion inverse de la frquence (cf. courbes de la gure (5.1) pour
les frquences allant de 50 200 GHz). Dans la limite des trs hautes fr-
quences, ce mme prol radial en intensit prend une forme de plus en plus
carre de largeur gale celle du diaphragme (cf. volution des courbes de
la gure (5.1) pour les frquences allant de 1,25 5 THz). Enn, pour les
frquences intermdiaires voisines de
4Lc
D
2
o c reprsente la clrit de la
lumire dans le vide et o L est la distance entre diaphragme et plan dob-
servation, on a un prol radial en intensit de largeur minimale (cf. courbe
de la gure (5.1) pour la frquence de 500 GHz : on retrouve le principe du
stnop utilis en photographie).
En conclusion, pour que la diraction ne constitue pas un problme rdhi-
bitoire sur le plan pratique, le diamtre des composants optiques THz doit
tre typiquement dau moins deux ordres de grandeur suprieur la plus
grande longueur donde traiter.
5.2.2 Miroirs
En optique visible et proche infra-rouge, un miroir mtallique rchit
au mieux 97 % de la puissance incidente (miroir en argent dans le visible)
car ses pertes ohmiques sont leves cause du trop faible cart entre la
frquence plasma du mtal et les frquences optiques. Ce nest plus le cas
5. Composants passifs 183
dans le domaine THz o la frquence plasma des mtaux est de plusieurs
ordres de grandeur suprieure aux frquences THz do un comportement de
miroirs quasi parfaits. Par ailleurs, la faible duret des miroirs mtalliques
constitue un inconvnient important dans le domaine optique o les rayures
apparaissant au l du temps conduisent rapidement des pertes importantes
par diusion. Cela na aucune incidence dans le domaine THz car une rugo-
sit moyenne de surface de lordre du m constitue alors un excellent tat
de surface puisquune telle rugosit est de lordre de /100 /1 000. Ainsi,
des miroirs de trs bonne qualit sont trs faciles fabriquer pour le do-
maine THz vu les longueurs donde en jeu. Cest pour ces raisons que les
miroirs mtalliques sont privilgis pour la mise en forme des faisceaux THz.
De surcrot, plusieurs formes de miroirs (plans, parabolodes, ellipsodes et
hyperbolodes) permettent de garantir un stigmatisme rigoureux entre deux
points conjugus [143], autrement dit ils permettent de former une image
ponctuelle partir dun point source particulier. Deux types de miroirs sont
particulirement utiliss :
les miroirs parabolodaux permettant de former un faisceau collimat
partir de londe sphrique mise par une source ponctuelle. Le couple
de points conjugus est form par le foyer du parabolode et un point
situ linni sur laxe de rvolution du parabolode ;
les miroirs ellipsodaux permettant de focaliser une onde sphrique
mise par une source ponctuelle en un point image conjugu. Ce sont
les foyers dun ellipsode de rvolution qui forment le couple de points
conjugus utiliss.
Nanmoins, il est important de noter que la distance focale eective de ces
miroirs concaves prsente une dispersion chromatique ds lors que lon tient
compte de la section du faisceau THz incident, cest--dire que lon sort de
lapproximation onde plane de loptique gomtrique. Dans lhypothse
de faisceaux gaussiens [143], si lon considre un miroir de focale thorique f
et la conguration classique la plus compacte point source distance 2f
lentille distance 2f point image alors, pour une mme divergence
de faisceau, le point de focalisation du faisceau obtenu aprs sa rexion
sur le miroir ne se trouve pas exactement la distance 2f et cet cart par
rapport au rsultat de loptique gomtrique est dautant plus grand que
la longueur donde considre est galement grande. Cest ce quillustre la
gure (5.2) o nous avons considr des faisceaux THz de frquence 50, 100,
200 et 500 GHz prsentant tous la mme divergence angulaire de 17,5

.
Pour cette simulation, la lentille mince modlisant le miroir a une distance
focale de 50 mm. Il apparat clairement sur la simulation un dcalage du point
de focalisation aux basses frquences. Dans cette conguration classique, il
est facile de dmontrer partir du formalisme des faisceaux gaussiens [143]
que la distance d
OI
entre points conjugus objet et image est donn par
184 Optolectronique trahertz
0 50 100 150 200
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50 GHz
100 GHz
200 GHz
-
-
-
Fig. 5.2 Propagation de faisceaux gaussiens direntes longueurs dondes
prsentant une mme divergence angulaire de 17,5

. Les dimensions en
abscisse et en ordonne sont exprimes en mm. La lentille est situe dans le
plan en x = 100 mm.
la relation :
d
OI
=

3 +
1
1 +
_

f
_
2

f (5.3)
Dans la limite des hautes frquences, on retrouve le rsultat de loptique go-
mtrique, savoir une distance d
OI
= 4f alors que dans la limite des basses
frquences, la distance d
OI
tend vers 3f. Cette dispersion chromatique du
point de focalisation induite par la diraction est prendre en considration
lors de la conception dun systme THz trs large bande.
5.2.3 Lentilles
Contrairement loptique, les miroirs sont plus souvent utiliss que les
lentilles pour mettre en forme les faisceaux THz. Cela tient au fait que, pour
saranchir des problmes de diraction, les lentilles doivent tre forcment de
trs grandes dimensions. Ces grandes dimensions conduisent des paisseurs
consquentes de matriau travers, induisant leur tour des pertes signica-
tives dues labsorption rsiduelle de ces matriaux, par exemple labsorp-
tion induite par des porteurs intrinsques rsiduels dans le silicium haute
rsistivit. De surcrot, les meilleurs matriaux que constituent le quartz ou
les semi-conducteurs haute rsistivit prsentent des indices de rfraction
levs (> 2) aux frquences THz, engendrant des pertes importantes par r-
exion de Fresnel aux interfaces air-matriau (le coecient de rexion en in-
tensit est de 30 % linterface air-silicium sous incidence normale). De plus,
il est extrmement dicile de raliser des traitements antireets ecaces en
raison de ltendue spectrale colossale couvrir dans le domaine THz.
Dans le domaine THz, les lentilles sont principalement utilises de faon
couple avec les antennes photoconductrices dmission et de rception
5. Composants passifs 185
S
r
S
v
S
r
C
R (n-1/n) R/n
S
v
(a)
(b)
Fig. 5.3 Formes de lentilles plano-convexes de rayon de courbure R assu-
rant un stigmatisme rigoureux pour le point source rel S
r
dans le cas de
lentilles en silicium dindice 3,4 (a). Lentille demi-boule avec points sources
rel S
r
et virtuel S
v
confondus (b). Lentille hyper-hmisphrique de centre C
et dextension R/n disposant de points sources rel S
r
et virtuel S
v
spars
de R
_
n
1
n
_
.
(se rfrer aux chapitres 3 (page 93) et 4 (page 155)) an dliminer les
rexions linterface entre lair et le substrat des antennes et de rduire
angulairement le lobe principal dmission/rception des antennes. Les an-
tennes photoconductrices tant majoritairement ralises sur des substrats
de GaAs, les lentilles utilises sont en silicium haute rsistivit an dassurer
le meilleur accord dindice de rfraction possible entre substrat et lentille. Se-
lon la taille et la forme des lentilles utilises, celles-ci peuvent servir assurer
une meilleure adaptation dimpdance de lantenne avec le vide, et/ou jouer
le rle dlment de collimation et de mise en forme du faisceau THz mis
ou reu par lantenne. Dans lapproximation de loptique gomtrique, deux
formes de lentilles plano-convexes savrent particulirement intressantes car
elles satisfont la condition de stigmatisme rigoureux [143] :
la lentille hmisphrique ou demi-boule (cf. gure (5.3.a)),
la lentille hyperhmisphrique [177] dextension
n
R
(cf. gure (5.3.b)).
Lorsquelle est intgre une antenne photoconductrice, la lentille demi-
boule est conue de sorte que, substrat de lantenne photoconductrice inclus,
elle forme eectivement une demi-sphre. Lajout dune telle lentille permet
de collecter beaucoup plus ecacement les ondes mises dans le substrat par
lantenne photoconductrice mais sans changer la dispersion angulaire du lobe
principal dmission. La seconde conguration reprsente sur la gure (5.3.b)
joue un rle analogue avec lavantage de conduire une forte rduction de la
dispersion angulaire du lobe principal dmission. En contrepartie, les ondes
formant un angle marqu par rapport laxe optique de la lentille arrivent
186 Optolectronique trahertz
sous une forte incidence au niveau de linterface lentille-air pour laquelle le
coecient de rexion est grandement augment. Cette seconde conguration
collecte moins ecacement les ondes mises mais conduit un fort resserre-
ment angulaire du lobe principal dmission. Les lentilles reprsentes sur la
gure (5.3) prsentent des ouvertures numriques augmentes respectivement
dun facteur n et dun facteur n
2
pour une mme dispersion angulaire de fais-
ceau en sortie de lentille. Dans le cas de lentilles en silicium, laugmentation
douverture numrique est respectivement de 3,4 et de 11,6 do leur intrt
pour la ralisation dun systme de microscopie THz en rexion [178].
5.2.4 Sparatrices
Les sparatrices peuvent tre utilises dans dirents schmas exprimen-
taux, par exemple pour construire des interfromtres de Mach Zehnder, ou
pour prlever une portion dun faisceau THz qui servira de signal de rf-
rence dans une exprience de spectroscopie THz dans le domaine temporel.
Les sparatrices permettent galement de construire des systmes de mesure
interfrentiels pour mesurer la dure dimpulsions THz ultrabrves [179], pour
caractriser des lms minces [180] ou encore pour dtecter des gaz ltat
de traces [181]. Les sparatrices peuvent tre constitues :
soit de dilectriques transparents Si par exemple pour lesquels cest
la partie relle n de lindice de rfraction complexe n qui est mise en
uvre via les coecients de rexion et transmission de Fresnel ;
soit de lms minces conducteurs dposs sur un substrat dilectrique
pour lesquels cest la partie imaginaire de lindice de rfraction com-
plexe n, elle-mme relie la frquence plasma des porteurs de charge
du conducteur, qui intervient dans la division du faisceau THz ;
soit de polariseurs large bande constitus de rseaux de ls mtalliques
parallles (cf. section 5.3).
Ces direntes sparatrices prsentent toutes la caractristique plus ou moins
marque dtre sensibles la polarisation (TE ou TM) de londe incidente,
cette caractristique tant fortement lie langle dincidence de londe THz
dans les deux premiers cas. Toujours pour ces deux cas de gure, il est impor-
tant de noter que ltat de polarisation de londe THz incidente nest conserv
au niveau des ondes rchie et transmise qu condition de travailler au voi-
sinage de lincidence normale ou avec des ondes polarises rectilignement TE
ou TM. Pour ces deux premiers cas de gure, se pose galement le problme
de la prsence de deux interfaces qui conduisent des interfrences ondes
multiples. Ce problme peut tre limin soit par lutilisation dune spa-
ratrice, dpaisseur d, optiquement mince (i.e. dpaisseur optique nd trs
infrieure la longueur donde du faisceau THz subdiviser), soit par le
dpt dun traitement antireet sur lune des deux faces de la sparatrice.
Les lms dilectriques trs minces, appels pelicles en anglais, sont les plus
5. Composants passifs 187
utiliss, comme du Mylar
1
de quelques m dpaisseur. Certains utilisent
aussi des wafers de silicium haute rsistivit de quelques centaines de m
dpaisseur.
5.2.5 Prismes et rseaux de diraction
Les prismes ont peu dintrt dans le domaine THz o lexistence de
matriaux transparents ne prsentant pratiquement aucune dispersion chro-
matique fait que lon peut mettre en forme et propager des impulsions THz
trs facilement sans avoir compenser la dispersion de vitesse de groupe. De
plus, les proprits de dispersion chromatique des prismes, utiles en spectro-
scopie, ne peuvent tre employes dans le domaine THz car les matriaux
haut indice ncessaires la fabrication des prismes prsentent le plus souvent
une absorption rdhibitoire.
Aussi, les rseaux de diraction ont supplant les prismes dans linfra-
rouge lointain. Dune part les rseaux mtalliques prsentent des pertes oh-
miques ngligeables grce au comportement pratiquement idal des mtaux
dans le domaine THz. Dautre part, la ralisation de rseaux de dirac-
tion THz de type classique ou chelette, fonctionnant en rexion ou en
transmission, est ralisable par simple usinage mcanique car le pas du rseau,
de lordre de la longueur donde, se situe dans le domaine sub-millimtrique.
Linconvnient des rseaux de diraction rside dans leur incapacit intrin-
sque traiter des faisceaux polychromatiques dont ltendue spectrale ex-
cde une octave. En eet, un recouvrement des ordres 1 et 2 de diraction
(pour lesquels le problme est le moins aigu) est observ ds que le spectre
du faisceau analyser excde une octave. Ce problme de recouvrement de
spectres semble mme rdhibitoire dans le cas dimpulsions THz monocycles,
lesquelles prsentent un spectre associ couvrant typiquement 2 ordres de
grandeur, soit prs de 7 octaves ! Il serait ainsi ncessaire deectuer un pr-
ltrage et danalyser le signal sur au moins 6 bandes de frquences distinctes.
Remarquons que ces considrations ne concernent cependant que lanalyse
de signaux THz dont on ne matrise pas lmission. En eet, dans le cas
contraire, linformation spectrale est obtenue :
soit par transforme de Fourier du prol temporel des impulsions THz
chantillonnes dans le cas de mesures dans le domaine temporel eec-
tues en temps quivalent et mettant en jeu des missions et rceptions
synchronises desdites impulsions THz (cf. chapitre 3 page 93) ;
soit par connaissance de la frquence de battement entre les deux
sources lasers utilises pour la gnration THz continue (cf. chapitre 4,
page 155).
Les rseaux de diraction savrent en revanche trs intressants pour le
couplage dondes THz dans des guides dondes planaires [182, 183] o ils
1
Indice de rfraction n =1,8 0,3 THz.
188 Optolectronique trahertz
permettent dobtenir dexcellentes ecacits de couplage (> 90 % [184]). Des
prismes peuvent bien videmment servir galement de dispositifs de couplage
pour des guides planaires ou pour des plasmons de surface, en montage de
rexion totale attnue (ATR) [185].
5.2.6 Traitements antireets
Dans le domaine optique, les traitements antireets classiquement utili-
ss concernent des bandes spectrales troites (dextension souvent infrieure
une octave) et sont gnralement constitus par le dpt dune simple
monocouche dpaisseur optique

4
dont lindice a une valeur aussi proche
que possible de la moyenne gomtrique des indices des deux milieux consti-
tuant linterface sur laquelle le traitement antireet doit tre dpos. Dans le
domaine THz, ltendue spectrale couvrir est dun tout autre ordre de gran-
deur et il est ncessaire de dposer dautant plus de couches ayant des indices
de rfraction suivant une progression gomtrique et une mme paisseur op-
tique

4
pour obtenir un traitement antireet ecace. =
c
f
m
reprsente ici
la longueur donde associe la frquence mdiane du domaine spectral que
doit permettre de couvrir le traitement antireet. Sur la gure (5.4) sont
donns les rsultats dune simulation de coecients de rexion en intensit
obtenus sur la bande de frquence 50 GHz-5 THz pour une interface nue
silicium-air et pour des traitements antireets optimaux comprenant de 1
3 couches.
0 1 2 3 4 5
0
5
10
15
20
25
30
Frquence (THz)
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
e

r

f
l
e
x
i
o
n

e
n

i
n
t
e
n
s
i
t


(
%
)
Si nu
1 couche AR
2 couches AR
3 couches AR
Fig. 5.4 Dpendance avec la frquence du coecient de rexion (en in-
tensit) dune onde THz linterface silicium-air en fonction du nombre
de couches du traitement antireet ralis pour la bande de frquence 50-
5000 GHz.
5. Composants passifs 189
Avec le dpt de 3 couches, il est dj possible de maintenir un coecient
de rexion en intensit au-dessous de la barre des 5 % sur un peu plus de
deux octaves (dun peu moins de 1 THz un peu plus de 4 THz). Techni-
quement, on emploie gnralement comme couche antireet, ou en tout cas
comme couche rduisant lintensit rchie, des lms organiques de quelques
dizaines de microns dposs sur le composant [186].
5.3 Traitement de la polarisation en espace libre
Outre sa frquence, la polarisation dune onde THz est une autre carac-
tristique importante car elle intervient chaque fois que londe interagit avec
des matriaux ou dispositifs anisotropes mais aussi lorsquelle claire des ma-
triaux isotropes avec une incidence loigne de la normale. De surcrot, les
guides donde ne prsentant pas de symtrie axiale (guides rectangulaires,
guides planaires) ont des caractristiques qui dpendent fortement de ltat
de polarisation de londe incidente, selon que cette dernire est de type TE
ou TM. Il est donc primordial de disposer de moyens de contrle de ltat de
polarisation dune onde THz.
5.3.1 Degr de polarisation des metteurs et dtecteurs THz
Le premier lment qui inue sur ltat de polarisation dune onde THz
est bien sr la source qui la gnre. Selon le type de source THz, londe g-
nre sera polarise ou non. Parmi les sources THz (section 1.3 page 21), les
corps noirs et les lasers molculaires ne disposant pas dlment discriminant
en polarisation dans leur cavit optique gnrent des ondes la polarisa-
tion alatoire alors que les lasers molculaires incluant par exemple une lame
sous incidence de Brewster dans leur cavit ainsi que les sources optolec-
troniques (antennes photoconductrices et dispositifs de redressement optique
utilisant un cristal non linaire) mettent des ondes prsentant un tat de
polarisation parfaitement dni. La polarisation de londe THz mise est g-
nralement rectiligne lorsquelle est gnre par redressement optique. Dans
le cas de lutilisation dantennes photoconductrices, la polarisation de londe
mise pourra tre de dirents types (rectiligne, circulaire) selon la nature
de lantenne utilise pour la rayonner (dipolaire, log-spirale...).
De faon analogue, les rcepteurs peuvent ou non prsenter une sensibilit
dpendante de la polarisation. Dans le cas des antennes photoconductrices,
en vertu du thorme de rciprocit de Rayleigh-Carson [187], la sensibilit
des antennes photoconductrices un tat de polarisation donn est direc-
tement relie leur ecacit de gnration dune onde de mme frquence
prsentant ce mme tat de polarisation. Dans la cas de mesures lectro-
optiques (se reporter page 93), la rponse dpend de leet physique mis en
jeu et galement du matriau :
190 Optolectronique trahertz
seule une composante du champ lectrique de londe est mesure en
utilisant leet Pockels avec un cristal lectro-optique anisotrope [144] ;
ltat de polarisation de londe peut tre compltement caractris en
utilisant leet Pockels avec un cristal lectro-optique isotrope [188] ;
seule lamplitude du champ lectrique, indpendamment de sa direc-
tion, est dtermine en utilisant leet Franz-Keldysh.
Enn, les bolomtres classiques sont insensibles ltat de polarisation de
londe incidente.
Nanmoins, il peut exister un cart entre ltat de polarisation thorique
et celui rellement observ comme cela a t mis en vidence avec une antenne
photoconductrice dipolaire [189] : chaque composante spectrale prsente une
polarisation rectiligne ( lincertitude de mesure prs) mais la direction du
champ lectrique peut dpendre de la frquence en fonction de lalignement
faisceau laser de dclenchement photocommutateur lentille .
5.3.2 Polariseurs grille
Parmi lensemble des composants passifs, cest probablement au niveau
des polariseurs que les solutions choisies dans le domaine THz dirent le plus
de celles utilises en optique. En eet on recourt gnralement un rseau de
ls mtalliques parallles pour faire oce de polariseur pour les ondes THz.
Une onde prsentant une polarisation rectiligne aligne avec la direction des
ls est rchie par le polariseur alors que londe de polarisation croise
est transmise. Encore une fois, cela vient du fait que les mtaux prsentent
une frquence plasma trs suprieure aux frquences du domaine THz et
quils peuvent ainsi tre considrs comme quasiparfaits. Ainsi, un polariseur
grille agit nalement comme un sparateur de polarisation. Le principe
physique sur lequel repose le polariseur grille est le suivant :
lorsque le champ lectrique de londe est parallle aux ls, il va pouvoir
tre absorb par les lectrons qui sont libres de se mouvoir dans la
direction du champ lectrique, les lectrons mettant leur tour ce
champ dans une direction symtrique de celle dincidence par rapport
la normale au plan du polariseur (le polariseur grille se comporte
comme un miroir plan eectif) ;
lorsque le champ lectrique de londe est perpendiculaire aux ls, il ne
peut mettre ecacement en mouvement les lectrons libres du l car
ceux-ci sont fortement conns dans la direction transverse du l.
Pour quun tel polariseur grille fonctionne, il est ncessaire que le diamtre
des ls mtalliques soit trs infrieur la plus petite longueur donde du
faisceau THz trait. La distance entre ls doit, quant elle, tre de lordre
de grandeur du diamtre des ls. Ces polariseurs THz sont gnralement
fabriqus en tendant des ls de tungstne de la dizaine quelques dizaines
de microns de diamtre sur un cadre rigide mais peuvent tre galement
raliss par lithographie en gravant une couche mince mtallique dpose sur
5. Composants passifs 191
un lm dilectrique optiquement n et transparent dans le domaine THz. Ils
prsentent lavantage de prsenter de grandes dimensions et de fonctionner
sur de trs larges bandes, qui peuvent tre suprieures 1 THz
2
.
5.3.3 Polarisation par sparation temporelle
Lorsque lon utilise des impulsions THz, on peut tirer prot des matriaux
anisotropes pour raliser un polariseur. En eet, si une impulsion THz est
envoye sur un matriau fortement anisotrope, elle peut engendrer sa sor-
tie deux impulsions aux polarisations rectilignes croises. Cela se produit si
londe THz incidente est polarise soit circulairement soit rectilignement selon
une direction dirente de celles des axes dilectriques propres du matriau
anisotrope. Pour une dirence entre les paisseurs optiques ordinaire et ex-
traordinaire du matriau qui est suprieure la dure de limpulsion THz in-
cidente, il y a sparation temporelle des deux impulsions en sortie. Il est alors
possible de fentrer temporellement lune delles pour ne conserver quun tat
de polarisation. Lavantage potentiel de cette mthode est dobtenir des im-
pulsions transmises aux polarisations parfaitement rectilignes et croises, ce
que ne garantit pas un polariseur grille. Cette mthode de polarisation
par sparation temporelle est intrinsquement trs large bande : son prin-
cipe a t valid en utilisant un cristal de niobate de lithium [189]. Bien que
prsentant une trs forte anisotropie, ce matriau nest pas idal en raison
dune trop forte absorption. Ce concept pourrait savrer trs intressant sil
tait employ avec un matriau fortement anisotrope et faibles pertes :
des solutions pourraient merger dans le domaine des matriaux microstruc-
turs par exemple. Rcemment, R. Shimano et ses collaborateurs [190] ont
produit un faisceau THz de polarisation circulaire en additionnant deux im-
pulsions THz de polarisation perpendiculaires gnres dans un cristal de
ZnTe, et en contrlant le sens de rotation de la polarisation (gauche-droite)
en jouant sur le retard temporel entre ces deux impulsions.
5.3.4 Lames birfringentes
Les lames birfringentes sont des composants indispensables pour contr-
ler la polarisation dune onde. Un tat de polarisation quelconque est repr-
sent sur la gure (5.5) : il est dni par son ellipticit =
b
a
(rapport grand
axe sur petit axe) et son orientation par rapport laxe x du rfrentiel du
laboratoire Oxy. Il peut tre galement reprsent de manire formelle par
son vecteur de Jones associ [143], lequel scrit :

_
A
x
, A
y
e
j
_
dans le rfrentiel du laboratoire Oxy o reprsente
le dphasage entre les composantes du champ lectrique de londe selon
les axes x et y ;
2
Voir par exemple le site de la socit Microtech : www.mtinstruments.com
192 Optolectronique trahertz
a
b
x
y
Ax Ax
Ay
X
Y
Ay
Fig. 5.5 tat de polarisation gnrique dni par son ellipticit =
b
a
et
son orientation dans le rfrentiel du laboratoire Oxy.
(a, jb) dans le rfrentiel propre OXY pour une hlicit ngative (cas
reprsent sur la gure (5.5)).
Forme dune lame faces parallles dpaisseur L taille dans un matriau
anisotrope prsentant des indices ordinaire n
o
et extraordinaire n
e
, une lame
birfringente induit un dphasage entre les deux tats de polarisation
propres du faisceau de longueur donde qui la traverse, donn par :
=
o

e
=
2 nL

=
2 (n
o
n
e
) L

(5.4)
Deux valeurs particulires du dphasage savrent particulirement
utiles : il sagit de pour la lame demi-onde et de

2
pour la lame quart
donde. La lame demi-onde permet de faire tourner dun angle quelconque
un tat de polarisation elliptique quelconque sans changer son ellipticit alors
quune lame quart donde permet de crer, partir dun tat rectiligne, un
tat de polarisation dellipticit quelconque mais sans contrle de son orien-
tation. Ainsi, avec un jeu de deux lames, une demi-onde et un quart donde,
il est possible de crer, partir dune onde polarise rectilignement, une
onde ltat de polarisation le plus gnral possible (ellipticit et orienta-
tion quelconques) et rciproquement. Cependant, ces composants prsentent
linconvnient dtre bande troite . En eet, lquation (5.4) montre que
le dphasage ne peut tre indpendant de la longueur donde que si la dif-
frence entre les indices ordinaire et extraordinaire du matriau anisotrope
varie proportionnellement . Une autre solution pour obtenir des lames
birfringentes achromatiques consiste superposer plusieurs lames dpais-
seurs et dorientations direntes. Avec un ensemble comportant seulement
six lames de quartz, une lame quart donde achromatique couvrant la bande
5. Composants passifs 193
de frquences 0,25-1,75 THz a t ralise [191], le dfaut relatif de dphasage
tant maintenu infrieur 3 % sur lensemble de la bande de frquences.
5.4 Guides dondes
Dun point de vue pratique, guider les ondes THz prsente de nombreux
avantages : manipulation aise des faisceaux, limination des perturbations
lies la propagation dans lair (absorption par la vapeur deau et par les
poussires), possibilit de tlcommunications aux frquences THz, guidage
des ondes lintrieur dobjets de topologie complexe (applications mdi-
cales), etc. La radioastronomie sub-millimtrique, pour ses systmes de d-
tection htrodyne, utilise depuis plus de 30 ans les guides mtalliques comme
lments de liaison entre dune part lantenne de rception et les diodes
du mlangeur htrodyne et dautre part loscillateur local et ces mmes
diodes [192]. Pour des raisons de compacit et de pertes, ces liaisons sont les
plus courtes possible, de lordre de quelques centimtres [193].
Cependant, la question de guider les ondes THz sur des longueurs plus
importantes, de plusieurs dizaines de centimtres, na t aborde que de-
puis le dbut des annes 2000 par lquipe de D. Grischkowsky luniversit
dOklahoma [194197]. Depuis, cette thmatique a t lobjet de nombreux
travaux. En particulier D. Mittleman [198] a prsent de spectaculaires rsul-
tats sur le guidage des ondes THz par un l mtallique. La mise au point de
systmes THz 2 dimensions, analogues aux dispositifs de loptique intgre,
est proche. Dj, des dispositifs ddis aux applications biologiques ont t
valids [199], et de nouveaux types de guides dilectriques compacts ont t
proposs.
5.4.1 Quelques rappels sur le guidage des ondes
lectromagntiques
Pour guider une onde lectromagntique, il faut disposer au moins dune
interface entre deux milieux optiques dirents. Cette interface va impo-
ser des contraintes aux valeurs des champs lectromagntiques, ce qui va
slectionner des solutions particulires dont certaines traduisent le guidage
de londe lectromagntique. Une onde lectromagntique est guide dans
une direction x lorsque son amplitude dcrot exponentiellement quand on
sloigne de la rgion de guidage dans les directions normales x, suivant z
cas 2 dimensions ou y et z cas 3 dimensions. Autrement dit, le champ de
londe guide est vanescent en dehors du guide donde. Dans la direction x,
londe est gnralement trs peu attnue et se propage sur des distances trs
suprieures la longueur donde. Soit

k le vecteur donde du champ lectro-
magntique. Les rgles de llectromagntisme imposent la conservation de
la composante k
x
du vecteur donde.
194 Optolectronique trahertz
Considrons le cas 2 dimensions dun guide dextension latrale limite
selon la direction z. Nous avons :
k
2
=

2
c
2
n
2
= k
2
x
+k
2
z
(5.5)
On dnit lindice eectif n
eff
de londe guide par :
k
x
=

c
n
eff
(5.6)
Cet indice eectif dtermine la vitesse de propagation de londe (vitesse de
phase) le long du guide. En introduisant n
eff
dans lexpression prcdente,
on obtient :
k
z
=

c
_
n
2
n
2
eff
(5.7)
Dans les milieux extrieurs, le champ est vanescent, donc k
z
est imagi-
naire : n
eff
est suprieur lindice de rfraction n de ces milieux extrieurs.
Mais, lintrieur du guide, la condition contraire est ralise : n
eff
< n
g
o n
g
est lindice du milieu guidant. k
z
est alors rel, la lumire se propage
aussi dans la direction z et elle se rchit sur les parois latrales du guide. Si
lon considre deux rayons lumineux se propageant dans la mme direction
et formant un angle quelconque avec laxe x, lun subissant deux rexions
totales internes pendant que lautre nen subit aucune, alors les dphasages
subis par ces deux rayons pour une mme distance de propagation selon x
doivent tre gaux un multiple de 2 prs : = 2 m o m est un
entier naturel. Cette condition conduit une quantication des valeurs de
k
z
et donc de lindice eectif. Ce dernier prend des valeurs n
eff,m
param-
tres par lentier m 0. On appelle mode guid le champ associ chaque
entier m. Ce raisonnement trs gnral sapplique aussi bien pour les guides
dilectriques que pour les guides mtalliques. Il ne sapplique pas lorsque ce
sont les courants hautes frquences qui sont guids (cas de certains guides
planaires). Dans le cas 3 dimensions, il existera deux indices indpendants
m et n pour les dirents modes guids. Pour un guide dilectrique planaire
constitu de 3 milieux dindices de rfraction n
1
, n
g
et n
2
lindice eectif du
mode m est solution de lquation :
k
g z
d = atan
_
k
g z
k
1z
+k
2z
k
2
g z
k
1z
k
2z
_
+ 2m (5.8)
o les composantes, normales aux interfaces, des vecteurs donde sont :
k
g z
=

c
_
n
2
g
n
2
eff
; k
1z
=

c
_
n
2
eff
n
2
1
; k
2z
=

c
_
n
2
eff
n
2
2
(5.9)
La rsolution des quations (5.8) et (5.9), cest--dire le calcul des indices ef-
fectifs n
eff,m
, est ralise soit numriquement, soit par une mthode
graphique.
5. Composants passifs 195
5.4.2 Guides dondes dilectriques
Typiquement, les longueurs donde du domaine THz sont de 100
1 000 fois plus grandes que celles des ondes optiques. En comparaison, lindice
de rfraction de la matire varie peu entre les domaines optique et THz (voir
tableau (5.1)). Les guides donde dilectriques pour le THz sont donc sem-
blables aux guides dondes optiques, au facteur dchelle prs qui naecte
que les dimensions. Ainsi, alors que la taille du cur dun guide optique est
micronique, celle dun guide THz est sub-millimtrique ou millimtrique. Ce
qui a deux implications :
le cur du guide est susamment solide pour ne pas ncessiter de gaine
ou de substrat ;
lorsquune gaine ou un substrat sont employs pour que londe THz
guide ne stende pas dans le milieu ambiant, le guide donde THz
prsente des dimensions latrales de lordre du centimtre, ce qui ne
facilite pas sa exibilit et pose dans certains cas des problmes den-
combrement.
Les matriaux dilectriques destins la ralisation des guides THz doivent
prsenter une absorption trs faible et peu de dispersion. Les ondes THz sont
fortement absorbes par les porteurs libres (mtaux et semi-conducteurs do-
ps) et les molcules polaires comme leau. Dans les matriaux dilectriques,
labsorption des ondes THz est principalement due lexcitation de phonons.
Si lexcitation des phonons optiques se produit gnralement vers 10-20 THz
(15-30 m), la mise en jeu de processus multi-phononiques associant phonons
optiques et acoustiques, transverses et longitudinaux, conduit des pertes qui
restent signicatives dans le domaine THz. En comparaison, les pertes dans
la fentre des tlcommunications (1,3-1,5 m) sont plus faibles de plusieurs
ordres de grandeur (gure (5.6)).
Dans le domaine THz, qui est relativement loign des frquences dexci-
tation maximale des phonons optiques, labsorption varie de faon monotone
avec la frquence. Les relations de Kramers-Kronig conduisent une trs
faible dispersion dans le domaine THz pour ces matriaux transparents. Le
tableau (5.1), tabli avec les donnes publies dans [200], donne lindice de
rfraction et le coecient dabsorption des principaux matriaux trans-
parents dans linfrarouge trs lointain. La relativement forte absorption
intrinsque des matriaux, laquelle sajoutent les pertes dues aux dfauts
gomtriques des guides (rugosit, inclusions...), limite leur emploi des dis-
tances relativement courtes (< 1 m). Les guides dondes dilectriques rec-
tangulaires, destins guider les ondes THz sur des courtes distances dans
des circuits de type lectronique, ont t modliss initialement par Engel et
Katehi [201], en sappuyant sur les travaux raliss dans les annes 1970-80
sur les guides dondes millimtriques. Ltude montre les potentialits des
guides dilectriques par rapport aux lignes hyperfrquences de type micro-
ruban. Les performances de tels guides dilectriques ont t vries par
196 Optolectronique trahertz

Fig. 5.6 Absorption typique dun matriau dilectrique depuis lultraviolet


jusquaux ondes centimtriques.
Mendis et Grischkowsky [196] dans le cas de structures planaires par mesure
en spectroscopie THz.
Matriau Frquence Longueur Indice Absorption
(GHz) donde (m) (dB/cm)
Silice fondue Spectrosil 300 1 000 1,962 0,054
Polythylne 1 000 300 1,506 0,178
PTFE (Teon) 1 000 300 1,410 0,257
Silicium HR (11 000 cm) 400 750 3,414 0,373
Mousse de styrodur 320 937,5 0,130
Quartz 1 200 250 2,144 (E) 0,047
Tab. 5.1 Indice de rfraction et absorption de matriaux faibles pertes
dans linfrarouge lointain. Pour le quartz, cest lindice extraordinaire (E) qui
est donn.
Le cas des guides donde cylindriques de type bre optique a t
abord rcemment par Jamison [197] qui a fabriqu et test de tels guides
constitus dun cylindre de saphir cristallin. Les pertes mesures sont den-
viron 1 cm
1
1 THz et de 6 cm
1
2,5 THz, du mme ordre de grandeur
que des bres cylindriques en polythylne haute densit (PEHD) testes
au LAHC Chambry [202]. De faon gnrale, les pertes dans ces bres
restent leves : une faon de les rduire est demployer des matriaux conte-
nant de nombreuses bulles dair linstar des mousses qui prsentent une
trs bonne transparence. Ainsi Weinzierl [203] et ses collgues rapportent
des valeurs de 0,04 dB/cm 135 GHz. Les bres cristal photonique sins-
crivent dans le prolongement de ces tudes et prsentent des caractristiques
5. Composants passifs 197
de propagation trs intressantes. H. Han et ses collgues [204] ont fabriqu
une bre photonique en assemblant des tubes creux de polythylne. Londe
THz est conne dans le cur de la bre, constitue dun tube de poly-
thylne plein, car la propagation dans la partie forme des tubes creux est
interdite. Dans la gamme 0,6-3 THz, la dispersion dune telle bre est trs
faible (< 0,3 ps/THz/cm) ainsi que ses pertes (< 2 dB/cm).
5.4.3 Guides dondes mtalliques
Guides creux
tant donn quune partie importante des pertes de guidage dans les
guides dilectriques provient de labsorption intrinsque du matriau, et puis-
que les dimensions latrales des guides sont de quelques centaines de m, il
est technologiquement possible de fabriquer des guides creux faibles pertes.
Londe THz est alors guide dans lair ou le dilectrique qui constitue le cur
du guide, lintrieur dune enveloppe solide gnralement en mtal ou avec
une surface intrieure entirement mtallise [205]. Ces guides prsentent
aussi lavantage dtre trs peu dispersifs. Il sagit dadapter au domaine
THz les guides dondes, en forme de tuyau, des hyperfrquences. Par rapport
aux lignes de propagation hyperfrquences, par exemple coplanaires, lnergie
est ici guide principalement dans lair, et les pertes mesures sont environ
10 fois plus faibles. En eet, dans linfrarouge lointain et les micro-ondes,
les proprits lectromagntiques des mtaux sont parfaitement dcrites par
le modle de Drude car lnergie des photons THz ne leur permet dexciter
que les porteurs libres. Toutes les excitations entre niveaux inter- et intra-
bandes leur sont inaccessibles. La constante dattnuation dans lor ainsi que
le pourcentage dnergie absorbe par de lor clair sous incidence normale
sont reprsents sur la gure (5.7). Par rapport au domaine visible, les pertes
sont 10 fois plus faibles.
Pour garder un fonctionnement monomode, la dimension interne du guide
doit rester de lordre de la demi-longueur donde. Un tel fonctionnement nest
garanti que sur une bande de frquence rduite (environ une octave). Cela
correspond rapidement des dimensions infrieures au millimtre. La ralisa-
tion par usinage devient trs dlicate, la mtallisation intrieure plus dicile,
et surtout lalignement de deux sections de guide extrmement dlicat.
Guides planaires
Dans ce mode de guidage, ce sont les courants haute-frquence qui sont
guids par des conducteurs mtalliques. Il est ncessaire de disposer au moins
dun conducteur qui assure le retour du courant. Le comportement de ces
guides est similaire celui du cble coaxial o le conducteur central as-
sure le transport du signal et le conducteur externe le retour de celui-ci.
198 Optolectronique trahertz
0,1
1
10
4
10
5
10
6
1 10 100 1000

n
e
r
g
i
e

a
b
s
o
r
b

e

(
%
)
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
'
a
t
t

n
u
a
t
i
o
n

(
c
m

1
)
Longueur donde (m)
Fig. 5.7 nergie absorbe en incidence normale par de lor et constante
dattnuation de lor (valeurs calcules).
Le premier mode guid est un mode proche du mode TEM o les deux com-
posantes du champ lectromagntique sont perpendiculaires la direction
de propagation. Pour viter la propagation des modes guids ou le rayonne-
ment de la structure, il faut rduire toutes les dimensions latrales lorsque
la frquence augmente. Cette rduction saccompagne dune forte augmen-
tation des pertes. Les principaux guides planaires utilisables sont les guides
micro-rubans (a) et les guides coplanaires deux (b) et trois rubans (c).
Guides utilisant des plasmons de surface
Nous avons vu dans la partie consacre aux principes physiques de base
que les plasmons de surface correspondent la propagation dune excitation
collective des lectrons au voisinage de la surface dun mtal, le mouvement
perpendiculaire la surface des lectrons donnant un caractre transverse
magntique londe. Le champ lectromagntique du plasmon pntre trs
peu dans le mtal et est peu sensible aux pertes du mtal : on sattend donc
ce que le plasmon se propage sur de longues distances la surface du mtal.
Quantions ces grandeurs. Le vecteur donde du plasmon de surface scrit,
pour une interface air (vide)-mtal :
k
SP
=

c
_

1 +
(5.10)
o est la permittivit relative du mtal. Dans lhypothse o la permittivit
est grande, ce qui est vrai dans le domaine THz, les valeurs relle et imaginaire
de k
SP
prennent les expressions approches suivantes :
'k 1 +

r
2(
2
r
+
2
i
)
k

i
2(
2
r
+
2
i
)
(5.11)
5. Composants passifs 199
Pour les mtaux nobles, [
r
[ [
i
[ 10
5
10
6
dans le domaine THz.
On constate alors que la partie relle de k
SP
est trs proche de 1, conrmant
que le champ du plasmon se propage principalement dans lair. La distance
de propagation L du champ la surface du mtal, gale L =
c
{k}
, est
suprieure en thorie au mtre. On comprend alors lintrt que suscitent les
plasmons de surface dans le domaine THz. Seront-ils un vecteur du signal
THz dans des dispositifs mtalliques deux dimensions ? Les profondeurs de
pntration du champ dans lair d
SP
et dans le mtal d
SPm
se dduisent
de k
SP
:
d
SP
=
1
k
SPz
=
1
_

2
c
2
k
2
SP

(5.12)
d
SPm
=
1
k
SPz
=
1
_

2
c
2
k
2
SP

(5.13)
En remplaant k
SP
par son expression (5.10) dans les quations prc-
dentes, et en supposant quil ny a pas de pertes dans le mtal, on montre
facilement que :
d
SP
= d
SPm
(5.14)
Pour un mtal noble, d
SP
sera de lordre de plusieurs cm, alors que d
SPm
sera infrieur au m. Les proprits de propagation des plasmons prsentent
les dfauts de leurs qualits ! Les grandes distances de propagation se tra-
duisent par une extension importante du champ dans lair, typiquement sur
plusieurs cm, rendant dicile la ralisation de dispositifs plasmoniques THz
compacts et pratiques !
Plusieurs travaux exprimentaux ont t rapports au sujet des plasmons
de surface dans le domaine THz. Tout dabord, il est constat que la longueur
de propagation mesure est beaucoup plus faible que celle attendue thori-
quement. Ainsi, T.-I. Jeon et D. Grischkowsky [206] ont mesur L = 43,5 cm
0,4 THz pour un plasmon se propageant sur une surface plane dalumi-
nium. De mme, Nazarov et ses collaborateurs [207] ont dtermin par une
technique dirente L = 11,1 cm 0,5 THz. Les premiers auteurs attribuent
cette faible valeur observe la mauvaise excitation du plasmon de surface,
tandis que les seconds penchent plutt pour des pertes supplmentaires dues
des molcules adsorbes en surface ou une couche surfacique doxydes.
Les plasmons de surface peuvent aussi se propager le long dun cylindre
mtallique. Dans ce cas, on les nomme ondes de Sommerfeld [208]. Wang et
Mittleman [198] ont excit ces ondes le long dun l mtallique laide de la
diraction dune lame de rasoir place au voisinage du l. Les longueurs de
propagation mesures atteignent 50 cm, Jeon et ses collaborateurs [208] ayant
mme mesur plusieurs mtres de propagation. Wang et Mittleman [198] ont
pu dtecter londe de Sommerfeld rchie au bout du l et se propageant
200 Optolectronique trahertz
ainsi en sens inverse le long du l, et montrer que le coecient de rexion
dpend du milieu dans lequel baigne le l.
Lorsque le mtal est recouvert dun lm dilectrique, un mode hybride,
nomm onde de Goubau, se propage dans la structure. Bien que les pertes
soient relativement leves ( 5 cm
1
0,5 THz [209, 210]), ces structures
prsentent un fort intrt pratique pour raliser des dispositifs de mesure, en
particulier dans le domaine biologique [211].
5.4.4 Dispersion et pertes des guides dondes
Dispersion modale
la dirence de la propagation en espace libre o seule la dispersion
du milieu dans lequel seectue la propagation intervient, la propagation
guide fait intervenir la dispersion modale qui existe mme en labsence de
dispersion des matriaux constitutifs du guide donde. En eet, chaque mode
possde pour chaque frquence une vitesse de propagation spcique. La dis-
persion dun mode (dispersion intramodale) donn est faible, sauf pour les
frquences trs proches de la frquence dapparition de ce mode. Cependant,
si plusieurs modes peuvent se propager, le champ lectromagntique de londe
guid est alors rparti sur les dirents modes propres autoriss de la struc-
ture guidante ; cette rpartition sur les dirents modes propres dpend des
conditions dexcitation et est trs dicilement contrlable. Cette situation
est proscrire dans tous les cas o la phase du signal intervient car, outre
la grande dicult de la matrise des conditions dexcitation, des transferts
dnergie entre modes peuvent survenir dans le guide donde en prsence de
dfauts et dautre part la dispersion intermodale est gnralement de plu-
sieurs ordres de grandeur suprieure la dispersion intramodale.
Pertes
Pour les pertes, il faut distinguer les guides donde dilectriques des guides
donde mtalliques. Dans le cas des guides dondes dilectriques, les pertes de
propagation sont lies aux coecients dabsorption des matriaux constitutifs
du guide donde, auxquelles il faut potentiellement ajouter les pertes relatives
aux imperfections du guide (non-constance des dimensions gomtriques, ru-
gosit aux interfaces...). Dans le cas des guides dondes planaires mtalliques,
il faut considrer galement les pertes mtalliques, la circulation des courants
haute frquence se fait uniquement sur la surface des conducteurs mtal-
liques : cest leet de peau. La profondeur de pntration du champ et donc
lpaisseur de circulation des courants dcroissent comme la racine carre de
la frquence. Cela se traduit par une augmentation des pertes mtalliques aux
frquences THz et linutilit dutiliser des mtallisations paisses. Une pais-
seur de lordre du micromtre, avec une bonne conductivit est gnralement
susante. Comme les dimensions latrales doivent aussi tre rduites, les
5. Composants passifs 201
pertes mtalliques constituent la principale contribution au-del de 100 GHz
pour tous les guides planaires.
5.4.5 Comparatif des dirents guides donde THz
J. Digby et ses collaborateurs [212] ont mesur des pertes aussi faibles
que 0,05 cm
1
100 GHz dans des guides fabriqus par micro-usinage.
D. Grischkowsky et son quipe [194, 195] se sont intresss des guides pour
de la propagation sur de plus longues distances (jusqu 25 cm). En parti-
culier, ils ont obtenu des rsultats remarquables (gure 5.4) avec un guide
souple form de 2 lames en cuivre maintenues lune sur lautre par deux ru-
bans adhsifs double-face parallles [194]. Le cur du guide est form par
lespace compris entre les lames mtalliques et les deux rubans. Trs rcem-
ment, Nagel et ses collaborateurs [213] ont propos une structure guidante
dilectrique forme par une fente de largeur trs faible (15 m) situe entre
deux blocs paralllpipdiques de silicium, la section de chacun des blocs
tant 30 50 m
2
. Le champ, en polarisation TE, est conn dans la fente
cause de la grande dirence dindice entre lair (n = 1) et le silicium
(n = 3,42). Une attnuation infrieure au centime de dB/cm est rapporte
pour des frquences infrieures 0,5 THz.
Le tableau (5.2) rsume les principaux rsultats publis sur les guides
dondes THz. Les pertes sont assez leves, au mieux de lordre de 10
2
cm
1
,
cest--dire 0,05 dB/cm, bien loin des performances des bres optiques, mais
plus faibles cependant que celles observes dans les guides utiliss en op-
tique intgre. La propagation sur de trs longues distances dondes THz
dans des bres semble donc illusoire. Les guides dilectriques ainsi que les
lignes de propagation microrubans ou coplanaires du type de celles utilises
en hyperfrquence prsentent des performances moindres que les guides m-
talliques, aussi bien en attnuation quen dispersion. Cependant, ils peuvent
tre employs dans dautres buts que le guidage des ondes sur de longues
distances. Par exemple, ils peuvent servir slectionner des frquences dans
un signal THz large bande [182] ou bien ils peuvent tre utiliss pour raliser
des capteurs chimiques ou biologiques dans le domaine THz [214].
Type Matriau Frquence Pertes Rfrence
(THz) (cm
1
)
planaire HDPE 1 1 [196]
bre saphir 1 1 [197]
circulaire creux acier/air 2 0,7 [195]
rectangulaire creux cuivre/air/scotch 1 0,08 [194]
rectangulaire creux or/air 0,1 0,05-1,25 [212]
fente (air) Si/air/Si <0,5 0,01 [213]
Goubau quartz/or 5 0,5 [210]
Tab. 5.2 Pertes des guides dondes les plus communs dans le domaine THz.
202 Optolectronique trahertz
5.4.6 Couplage dans les guides dondes
Un dispositif intgr comme une diode ou un photoconducteur se couple
naturellement des guides planaires. Ceux-ci sont ncessaires pour assurer la
polarisation et amener ou extraire les composantes basses frquences. Le cou-
plage du signal THz peut se faire en reliant le guide planaire une antenne
planaire ou en plaant le composant dans un guide creux. Il est aussi envi-
sageable de raliser un convertisseur de mode depuis un guide planaire vers
un guide dilectrique, mais ces dispositifs prsentent des bandes passantes
rduites. Le couplage dun guide creux lespace libre se fait au moyen de
cornets. Leur ralisation technologique peut savrer trs dlicate, mais ce
sont les dispositifs qui possdent les meilleures performances.
5.5 Cristaux photoniques et mtamatriaux
5.5.1 Dnition et caractristiques
Les cristaux photoniques et les mtamatriaux sont des matriaux com-
posites prsentant gnralement une structure priodique constitue dune
maille lmentaire duplique dans une, deux ou trois directions de lespace
(selon la dimension du cristal photonique ou du mtamatriau) : ce sont des
cristaux articiels. Ce qui distingue les cristaux photoniques des mtamat-
riaux est la taille de la maille lmentaire :
elle est de lordre de la longueur donde dans le cas des cristaux pho-
toniques o ce sont les eets dinterfrences entre les ondes rchies
aux direntes interfaces qui sont mis prot ;
elle est trs infrieure la longueur donde dans le cas des mtamat-
riaux o ce sont les proprits du milieu eectif constitu par le mta-
matriau qui interviennent.
Les cristaux photoniques et les mtamatriaux peuvent prsenter des pro-
prits remarquables comme un indice de rfraction ngatif par exemple. Le
concept de cristal photonique a t introduit par E. Yablonovitch la n
des annes 1980 [215] : il se rendit compte de lanalogie entre lquation de
Schrdinger qui rgit la fonction donde des lectrons libres lintrieur dun
cristal et lquation de Helmholtz qui dcrit la propagation de la lumire
lintrieur dun milieu prsentant un indice de rfraction priodique. Hor-
mis la nature vectorielle du champ lectrique dune onde lectromagntique
dune part, et la nature scalaire de la fonction donde lectronique dautre
part, ces deux quations sont parfaitement quivalentes en mathmatiques.
On fait correspondre le potentiel, vu par les lectrons libres en phy-
sique du solide, lindice de rfraction, vu par londe lectromagntique
dans le cas des cristaux photoniques. Ainsi, toute lingnierie des structures
de bandes et des niveaux de dfauts plus ou moins profonds dveloppe en
physique du solide peut tre transpose en optique. Ce concept de cristaux
5. Composants passifs 203
photoniques a en fait t introduit longtemps aprs les premires utilisations
de phnomnes intrinsques lis la propagation dans les cristaux photo-
niques, notamment les rseaux de diraction pour le couplage dondes gui-
des et les miroirs de Bragg connus depuis des dizaines dannes. Selon le
groupe cristallographique du cristal photonique, il est possible de crer des
matriaux articiels isotropes ou anisotropes. Lintrt de ces cristaux rside
principalement dans la possibilit de raliser des miroirs dilectriques quasi
parfaits dont le coecient de rexion voisin de lunit est indpendant de
langle dincidence et/ou de la polarisation ainsi que des ltres frquentiels
hyperslectifs [216] en introduisant des dfauts ponctuels (lacunaires, inter-
stitiels ou substitutifs) ou tendus dans la structure priodique du cristal
photonique. La ralisation de cristaux photoniques dans le domaine THz est
particulirement aise eu gard aux dimensions de la maille lmentaire qui
est submillimtrique. Ainsi, un simple usinage mcanique est souvent su-
sant pour raliser un cristal photonique. Les premires ralisations et carac-
trisations de cristaux photoniques THz datent des annes 1990 : il sagissait
de cristaux photoniques tridimensionnels, de type cubique faces centres, ra-
liss par usinage mcanique de plaques de Si de haute rsistivit [217, 218].
5.5.2 Dispositifs et ltres THz bass sur des cristaux
photoniques
Un cristal photonique tridimensionnel ralis par empilement de plaques
de Si de haute rsistivit graves mi-profondeur par une scie diamante est
reprsent sur la gure (5.8). Les prols temporels des impulsions THz inci-
dentes (signal de rfrence) et ayant travers le cristal photonique (signal avec
chantillon) sont reprsents sur la gure (5.9a) pour une incidence normale
du faisceau THz sur le cristal photonique, le seuil de sensibilit de mesure
tant dune fraction de pourcent. Le coecient de transmission du cristal
photonique en amplitude, dont le module est donn sur la gure (5.9b), est
dduit par transforme de Fourier (voir page 223) de ces signaux temporels.
Cet exemple illustre les proprits remarquables oertes par les cristaux
photoniques dilectriques. En de de la frquence dapparition ( 235 GHz)
de la premire bande interdite, le coecient de transmission est quasi uni-
taire, les oscillations prsentes sur la courbe rsultant dun eet Fabry-Prot :
le cristal photonique peut en eet tre vu comme une lame prsentant un
indice eectif qui saccrot au fur et mesure que la frquence augmente
pour diverger (en cas de pertes ngligeables) la frquence de Bragg. Cest
exactement ce que traduit la diminution de la priode frquentielle des os-
cillations avec laugmentation concomitante de leur amplitude lorsque la fr-
quence augmente. Arrive ensuite la premire bande dnergie interdite au
sein de laquelle la propagation des ondes lectromagntiques est interdite.
Au niveau de la borne infrieure ( 235 GHz) de cette bande interdite,
le coecient de transmission prsente une coupure extrmement abrupte
204 Optolectronique trahertz
Fig. 5.8 Photographie dun cristal photonique tridimensionnel cubique
faces centres ralis au moyen de plaques empiles de Si de haute rsistivit
graves mi-profondeur. La taille du cristal est 20 20 3 mm
3
[218].
(de lordre de 500 dB/octave !) alors que le cristal photonique ne comporte
que six priodes, dmontrant lintrt de telles structures pour la ralisation
de ltres hyperslectifs. cette transition extrmement rapide dans lespace
frquentiel va naturellement correspondre une extension trs importante dans
lespace temporel (gure (5.9a)) en raison des proprits de la transforme
de Fourier. Les mesures dans le domaine temporel sont par consquent peu
adaptes la caractrisation des cristaux photoniques.
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
-50
0
50
100
0 50 100 150 200 250 300
p
h
o
t
o
c
o
u
r
a
n
t

m
o
y
e
n

(
p
A
)
temps (ps)
p
h
o
t
o
c
o
u
r
a
n
t

m
o
y
e
n

(
n
A
)
signal de rfrence
signal avec chantillon
0.01
0.1
1
100 200 300 400 500 600
frquence (GHz)
c
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
e

t
r
a
n
s
m
i
s
s
i
o
n

e
n

a
m
p
l
i
t
u
d
e
a
b
Fig. 5.9 a) Prols temporels des impulsions THz incidentes sur le cristal
photonique et transmises au travers du cristal photonique reprsent sur la
gure (5.8). b) Module du coecient de transmission dduit de ces prols
temporels par FFT.
5. Composants passifs 205
Lorsque le cristal photonique est constitu de matriaux sans pertes
fort contraste dindice (n > 2) ce qui est le cas ici avec lair dindice 1
et le silicum dindice 3,4 il peut alors prsenter une bande interdite com-
plte (existence dune bande interdite quel que soit langle dincidence) : le
cristal photonique se comporte alors comme un miroir quasi parfait et om-
nidirectionnel sur une bande de frquences donne. Dans le cas de cristaux
photoniques mtalliques dont les motifs conducteurs lmentaires sont inter-
connects, la premire bande obtenue dans la limite des basses frquences est
une bande dnergie interdite au lieu dtre une bande dnergie permise : en
eet, dans la limite des basses frquences, le cristal photonique peut tre vu
comme un milieu eectif (mtal dilu ) prsentant une frquence plasma
eective et se comportant ainsi comme un miroir pour les frquences inf-
rieures sa frquence plasma eective.
Dans lexemple donn prcdemment, le cristal photonique se comporte
comme un ltre passe-haut ou passe-bas selon que lon sintresse au signal
rchi ou transmis. Dans de nombreuses applications, il est beaucoup plus
intressant de disposer dun ltre passe-bande, et si possible accordable.
linstar du contrle des niveaux de dfauts dans la bande interdite de semi-
conducteurs ralis par dopage, un niveau de dfaut peut tre cr dans la
bande interdite dun cristal photonique en introduisant un dfaut lacunaire,
intersticiel ou encore substitutif pour rompre la priodicit du cristal : le
but est de modier lindice de rfraction dun des lments dune maille du
cristal photonique. une dimension et dans le cas de cristaux photoniques
prsentant un plan de symtrie, des formules quasi analytiques donnant no-
tamment la position frquentielle du ou des niveaux de dfaut dans les di-
rentes bandes interdites du cristal photonique sont obtenues [219] : une telle
structure prsente une trs forte analogie avec un interfromtre de Fabry-
Prot. La position frquentielle f
d
des niveaux de dfaut, lintrieur dune
bande interdite photonique centre sur la frquence f
c
, est donne par :
f
d

= (m+m)
ISL
1 +
m
f
c
ISL
(5.15)
o ISL =
c
2 n
d
L
d
est lintervalle spectral libre de linterfromtre et o
m =
f
c

n
adj
n
d
d
d f

f
c
. n
d
et L
d
reprsentent respectivement lindice de r-
fraction et lpaisseur du dfaut physique introduit entre les deux miroirs
de Bragg ; c est la clrit de la lumire et n
adj
est lindice de rfraction
du matriau adjacent au dfaut. Enn, (f) est le dphasage introduit par
la rexion sur les miroirs de Bragg et m, qui est entier, est lordre du
niveau de dfaut. Ainsi par simple mesure ou calcul de ce dphasage au
voisinage de la frquence centrale de la bande interdite, il est ais de d-
terminer la position en frquence des niveaux de dfauts. Dans le cas o
(f f
c
) = C
te
, on a m = 0 et on retrouve alors lquation classique don-
nant les frquences de rsonance dun interfromtre de Fabry-Prot. Ce cas
206 Optolectronique trahertz
acadmique prsente lavantage de conduire des formules analytiques : il
permet ainsi didentier les paramtres qui interviennent dans laccordabilit
des niveaux de dfauts. La formule (5.15) montre que laccordabilit peut tre
obtenue :
soit par modication de lintervalle spectral libre ISL en agissant di-
rectement sur les caractristiques du dfaut (dimensions et indice de
rfraction) ;
soit par modication de m, laquelle modication peut tre obtenue par
modication de lindice de rfraction du dfaut ou du milieu adjacent
qui lenserre, ou encore par modication de la rponse frquentielle de
la structure photonique de part et dautre du dfaut.
tant donn que cest la premire bande interdite qui prsente la largeur rela-
tive la plus grande et que lon a intrt ce quun unique niveau de dfaut soit
prsent au sein de cette bande interdite, lintervalle spectral libre doit donc
tre au moins gal la largeur de la premire bande interdite, ce qui conduit
une paisseur optique n
d
L
d
du dfaut physique de lordre de

c
2
=
c
2 f
c
o

c
est la longueur donde correspondant la frquence centrale de la premire
bande interdite. Laccordabilit des niveaux de dfaut la plus simple ra-
liser consiste modier lintervalle spectral libre ISL, soit par modication
des dimensions du dfaut physique [220], soit par modication de son indice
de rfraction. Dans le domaine THz, la modication de lindice de rfraction
dun matriau ferrolectrique peut tre ralise thermiquement [221]. En uti-
lisant du SrTiO
3
, une accordabilit record de 60 % (entre 100 et 185 GHz)
dun niveau de dfaut prsentant un facteur de qualit Q > 45 a t obtenue
pour une temprature variant de lambiante 100 K [222]. Il est aussi possible
de modier non pas la position frquencielle du dfaut, mais la transmission
du dispositif la frquence du dfaut, en modiant labsorption THz du d-
faut, ce qui peut tre ralis en clairant le dfaut si celui-ci est fabriqu
dans un matriau semi-conducteur [223]. Trs recemment, L. Fekete et ses
collaborateurs [224] ont fabriqu et caractris un cristal photonique 1D,
dont le dfaut tait constitu dun wafer de GaAs. Lexcitation de porteurs
libres en clairant le dfaut laide dun laser femtosconde intense permet
de le rendre commandable.
Les cristaux photoniques peuvent galement tre utiliss des ns de
guidage. Rcemment, un groupe coren a ralis un guide donde THz
base de cristal photonique sous la forme dune bre compose de tubes
en polythylne haute densit. La bre THz ralise prsente dexcellentes
caractristiques puisquelle prsente un coecient dattnuation infrieur
0,5 cm
1
[204].
5. Composants passifs 207
5.5.3 Ingnierie de la dispersion : cristaux photoniques
et mtamatriaux
Cristaux photoniques indice de rfraction ngatif
Dans la section prcdente, ce sont les proprits de bande interdite qui
ont t principalement utilises. Ainsi un miroir de Bragg comme un dispositif
de type guide dondes tire parti de leet de bande dnergie interdite pour
lequel il ny a pas propagation des ondes lectromagntiques. Rappelons que
celui-ci se cre grce aux interfrences constructives du processus de rexions
multiples des ondes lectromagntiques. On dit que celles-ci sont vanescentes
dans le matriau en ayant bien prsent lesprit que lattnuation progressive
des ondes dans le matriau nest pas due un eet dabsorption mais de
rexion.
Louverture dune bande dnergie interdite pour une structure priodique
vient fondamentalement de lintroduction des eets de dispersion. Rappe-
lons que cela signie que la relation entre la frquence angulaire et le vec-
teur donde nest plus linaire. En dautres termes, lindice de rfraction est
fonction de la frquence. De manire gnrale pour les structures conven-
tionnelles, le diagramme de dispersion (k) prsente un eet de saturation
pour les grandes valeurs du vecteur k (dispersion normale). Lindice eectif
n (= c/v) augmente par consquent avec la frquence.
La structuration priodique a une autre consquence importante que lon
appelle le repliement des bandes. Comme pour toute fonction priodique sur
le temps ou lespace, il sut de reprsenter la fonction considre sur une
priode spatiale ou temporelle. Pour les cristaux photoniques et les mtama-
triaux, dont les proprits de dispersion sont reprsentes dans lespace des
phases (espace rciproque de lespace rel), on appelle cette zone restreinte
la zone de Brillouin rduite. Lensemble des bandes fondamentales mais ga-
lement celles situes plus haute nergie sont reprsentes dans la zone de
Brillouin rduite.
La gure (5.10) montre le rsultat du calcul du diagramme de disper-
sion pour un rseau carr de trous dans une matrice semi-conductrice pour
les deux polarisations TE et TM de londe lectromagntique et pour les
trois principales directions cristallines. La bande interdite, de largeur impor-
tante pour le mode TM, est ici hachure. Nous avons ici choisi un rseau
hexagonal de trous dair de forme circulaire (n = 1) dans un matriau semi-
conducteur III-V (n 3,3). Le terme a dsigne le pas du rseau et la
longueur donde. Le facteur de remplissage (rapport entre les trous dair et
les zones semi-conductrices) est de lordre de 50 %.
Le vecteur donde correspondant aux abscisses comme la frquence re-
porte en ordonne sont normaliss. Le rsultat de ce calcul ne dpend donc
pas de la frquence de travail mais de la maille lmentaire et des paramtres
gomtriques. On constate que la seconde bande de dispersion a une courbure
208 Optolectronique trahertz
Fig. 5.10 Calcul de structure de bande pour un cristal photonique.
tourne vers le bas. Dans ce cas, les vitesses de groupe v
g
=

k
et de phase
v

=

k
sont de signes opposs. Concrtement cela signie que les ondes sont
rtro-propages au sein de la structure. En dautres termes, les fronts donde
se dplacent dans une direction oppose celle de lnergie. Cette condition
de rtro-propagation est synonyme de lobtention dun indice de rfraction
ngatif. Un autre terme couramment employ pour dsigner cet eet de dis-
persion anormal est celui de matriaux main gauche ou gauchers dans la
mesure o les vecteurs

E,

H et

k forment un tridre indirect.
Les cristaux photoniques peuvent donc prsenter un indice de rfraction
ngatif qui peut tre mis prot par exemple par une simple rgle de slection
angulaire pour un dispositif de type prisme. En eet, il ne prsente un indice
de rfraction ngatif que dans une certaine bande de frquences. En dehors
de cette bande, lindice est positif. La rfraction dans le prisme sera donc
ngative ou positive en fonction de la frquence choisie. La gure (5.11)
illustre leet de rfraction ngatif pour un dispositif microstructur ayant la
forme dun prisme. Londe incidente sur la gauche de la gure est rfracte
ngativement sur la deuxime interface du prisme.
La rfraction ngative permet galement de focaliser les ondes non pas
laide dune lentille convexe mais grce une lentille plane. La gure (5.12)
montre ainsi le rsultat de simulations dans le domaine temporel pour une
lentille microstructure. La rfraction ngative aux deux interfaces entre lair
et le matriau indice ngatif permet de focaliser londe une premire fois
dans le matriau puis une seconde fois lextrieur de celui-ci. Cet eet de
focalisation est invariant par translation de la source. Ce nest pas son seul
avantage car on peut montrer quil est possible avec les matriaux indice
de rfraction ngatif damplier les ondes vanescentes et ainsi davoir une
image sous la limite de diraction [225]. La lentille est alors considre comme
parfaite alors que les lentilles conventionnelles ne peuvent faire limage dun
5. Composants passifs 209
Fig. 5.11 Simulation de la rfraction ngative dans un prisme avec trac
de la normale linterface incline.
objet source en reproduisant les dtails plus petits que la demi-longueur
donde. On conoit tout lintrt de ces techniques dimagerie aux frquences
THz o cette limite dite de diraction est souvent pnalisante.
Aux frquences THz, la technologie des mtamatriaux tend simposer
dans la mesure o la structuration se fait des dimensions bien plus petites
que la longueur donde, comme il a t dit en introduction de cette partie.
Il est galement assez naturel de penser que le dtail le plus n reproduit
dans un processus dimagerie sera directement reli celui des motifs micro-
ou nano-structurs. Par ailleurs, les dirences dindice pour les matriaux
dilectriques sont souvent trop faibles pour envisager dobtenir un rgime
dit de grande longueur avec des composs dilectriques. Ainsi aux frquences
THz prfre-t-on la technologie des mtamatriaux mtalliques.
Fig. 5.12 Instantans de la transmission dune onde lectromagntique
focalise par une lentille plane constitue de trous percs de faon priodique
dans un semi-conducteur.
Mtamatriaux mtalliques
Les ides pour lobtention dun indice de rfraction ngatif dans ce cas
sont tout autres. On cherche principalement raliser un matriau dit double-
ment ngatif. Cela signie que les valeurs de permittivit et de permabilit
eective sont ngatives simultanment dans une mme bande de frquences.
210 Optolectronique trahertz
Cest donc une ingnierie de la dispersion des valeurs de permittivit et de
permabilit eectives. Le terme eectif correspond une description phno-
mnologique de linteraction des ondes lectromagntiques avec les matriaux
micro- et nano-structurs. Ces derniers sont gnralement non magntiques
et la premire des tches sera de raliser un moment magntique articiel.
En micro-ondes et de plus en plus prsent en infrarouge, notamment
lointain (frquences THz), on utilise pour ce faire des micro-rsonateurs ayant
la forme danneaux mtalliques fendus do le terme anglo-saxon de Split
Ring Resonators (SRR). Lobtention de valeurs ngatives de la permabilit
eective est due leet de rsonance de lanneau. Les frquences carac-
tristiques qui bornent la bande o
r
eff
est ngatif sont la frquence de
rsonance de lanneau, qui ne dpend en premire approximation que de la
gomtrie de lanneau (cf. techniques de lingnieur) et de la frquence plasma
magntique.
Une structure mtallique conventionnelle, par exemple un lm dargent
ou dor, prsente aux frquences THz une valeur ngative de permittivit
relative. En eet la dispersion de la permittivit des mtaux est bien d-
crite par le modle de Drude avec une frquence caractristique (la frquence
plasma du mtal f
p
) trs leve, suprieure 10
15
Hz. Au-dessous de f
p
,
la partie relle de la permittivit est ngative. Par ailleurs, plus celle-ci est
ngative, plus la partie imaginaire reprsentant les pertes est importante.
Ceci a motiv le dveloppement de matriaux mtalliques microstructurs
dont la version la plus simple est un rseau priodique de ls mtalliques
trs ns. On montre qu cette condition on dilue trs fortement la densit
lectronique intervenant dans la frquence plasma lectrique mais on aug-
mente aussi considrablement la masse apparente des lectrons abaissant par
ces deux eets la frquence plasma. Nous allons dans ce qui suit illustrer la
fabrication dun mtamatriau doublement ngatif fonctionnant 0,1 THz
fabriqu luniversit de Bilkent (Turquie) et dont lanalyse vectorielle a t
faite lIEMN et lobservatoire de Paris.
La gure (5.13) montre une photographie des motifs utiliss pour ra-
liser le mtamatriau doublement ngatif. Celle-ci met en jeu deux micro-
rsonateurs fendus qui sont ici imbriqus avec des fentes diamtralement
opposes. On peut montrer que cet arrangement fait que la rponse de la
boucle est essentiellement magntique. Dans ce but galement, le champ ma-
gntique incident est polaris perpendiculairement au plan des boucles. En
pratique, cela veut dire quil est ncessaire de fabriquer une version tridimen-
sionnelle du matriau en empilant plusieurs substrats (dans le cas prsent du
verre) sur lesquels sont imprims les motifs, lclairement par londe THz se
faisant par la tranche. En empilant plusieurs substrats, il est possible gale-
ment de raliser un matriau permittivit ngative grce lingnierie de la
frquence plasma lectrique vue prcdemment. Celle-ci justie un pas plus
petit pour les rseaux de ls que celui correspondant celui de SRR.
5. Composants passifs 211
Fig. 5.13 Vue au microscope optique dun mtamatriau constitu de
rseaux imbriqus de SRR et de ls.
La mesure du coecient de transmission et de rexion en fonction de la
frquence montre que la structure redevient transparente (sa caractristique
de transmission est de type passe-bande) avec cependant des pertes dinser-
tion leves dans une bande de frquence troite aux alentours de 100 GHz.
Pour dterminer si cette bande correspond une branche de dispersion main
gauche ou main droite, il est ncessaire den dduire les valeurs de permit-
tivit et de permabilit eectives par la rsolution dun problme inverse.
Ces tudes ont montr que ces valeurs sont eectivement doublement nga-
tives dans la bande dintrt et correspondent un indice de rfraction n
(

r
) de lordre de 4.
Si la faisabilit de ces structures a t dmontre, les pertes sont impor-
tantes et la bande de frquence pour laquelle n est ngatif est troite. Ces
limitations en termes de pertes dinsertion et de bande ont motiv un certain
nombre dtudes sur les supports de transmission avance de phase. Lide
est simple dans son principe. En chargeant une ligne de transmission ou plus
gnralement un support de propagation deux voire trois dimensions par
des capacits localises mises en srie et des inductances places en parallle,
la rtropropagation des ondes est observe. La gure (5.14) montre une ligne
de transmission fabrique pour fonctionner vers 0,3 THz. La ligne de type
coplanaire est charge priodiquement par des condensateurs plans (visibles
par les sur-paississements sur la ligne) et des inductances en mandre.
La gure (5.14) montre galement le diagramme de dispersion de cette
structure de propagation. Contrairement aux cristaux photoniques, la bande
fondamentale est main gauche. Elle stend dans une bande de frquences qui
correspond la transition entre les ondes millimtriques et submillimtriques.
Pour la caractriser et dmontrer exprimentalement la rtropropagation des
ondes sur la ligne, nous avons utilis les techniques de caractrisation impul-
sionnelles dcrites dans le chapitre 3. Pour cette dmonstration dun eet
212 Optolectronique trahertz
Fig. 5.14 Ligne de transmission main gauche charge par des capacits en
srie et des inductances en parallles.
de phase (celle-ci remonte vers la source au cours du temps), il a t nces-
saire deectuer une mesure de la phase du coecient de transmission entre
deux lignes de mme topologie mais de longueurs direntes. La mesure des
signaux transmis temporellement et leur analyse en transforme de Fourier
conrme le diagramme de dispersion avec une fentre de transmission centre
vers 0,30 THz ainsi quune dirence de phase positive attestant du caractre
main gauche de cette dispersion.
Les mtamatriaux composs de rseaux de SRR et de ls comme ceux
mettant en jeu les supports de propagation avance de phase devraient
permettre court terme la ralisation de dispositifs de slection angulaire
(de type prisme par exemple) ou de focalisation sous la limite de diraction
(lentille parfaite ou, de faon plus raliste, eet de superlentille). Trs r-
cemment, il a t dmontr une autre application tout fait tonnante des
mtamatriaux ayant trait linvisibilit.
Lide sous-jacente est dentourer un objet quelconque tant en forme quen
taille dun revtement constitu de mtamatriaux mtalliques fonctionnant
en rgime dultrarfraction. La gure (5.15) reprsente le premier prototype
qui vient dtre fabriqu en micro-ondes. Pour les frquences THz, ce pro-
totype correspondrait un modle lchelle deux dimensions en nous
permettant de mieux comprendre leet dinvisibilit par ultrarfraction.
La zone centrale correspond la rgion de lespace que lon veut occulter.
5. Composants passifs 213
Fig. 5.15 Prototype de revtement furtif bas sur lultrarfraction. Carto-
graphie exprimentale de champ montrant la courbure des ondes lectroma-
gntiques.
Elle est entoure dun rseau de substrats de formes cylindriques concen-
triques sur lesquels sont imprims des motifs de type SRR. Par un choix
judicieux des dimensions de ces microrsonateurs, il est possible dinduire
des eets de dispersion notamment sur la composante radiale
r
trace dans
linsert de cette gure dans lespace gomtrique correspondant au revte-
ment furtif. Les valeurs de
r
sont ici multiplies par 10. La valeur la plus
importante de
r
, la limite externe du revtement est donc de 0,25. Lap-
plication de la loi de la rfraction de Snell-Descartes montre que pour des
valeurs dindice infrieures 1, la rfraction des ondes (cassure du trajet
initial de londe incidente sur un dioptre) se fait dautant plus prs de la
normale que lindice tend vers 0. Ce phnomne de rfractions successives
sur les direntes couches se fait de faon quasi continue lchelle de la
longueur donde. Les ondes sont donc courbes et longent la zone occulter
pour ressortir une position diamtralement oppose celle dincidence. La
gure (5.15) montre la cartographie de la composante du champ lectrique.
Celle-ci a t mesure laide dune petite antenne balayant la surface du
dispositif par microdplacement.
214 Optolectronique trahertz
Conclusion
Au terme de cette prsentation sur le contrle de la dispersion (ouver-
ture dune bande dnergie interdite, rfraction ngative par repliement des
bandes et mtamatriaux doublement ngatifs, furtivit par mtamatriaux
ultrarfractifs), on constate que la synthse de microstructures lectroma-
gntiques articielles permet prsent de couvrir lensemble du diagramme
permabilit-permittivit qui caractrise la rponse des ondes lectromagn-
tiques en interaction avec la matire. Si les concepts sont invariants en fonc-
tion de la frquence, laccs aux frquences THz reste encore un d pour
la plupart de ces applications potentielles tirant parti de la rfraction anor-
male pour les indices ngatifs notamment. Cette conclusion est vraie pour les
trois volets : conception, fabrication et caractrisation. Pour la conception,
la description des mcanismes dinteraction devient de plus en plus complexe
compte tenu en particulier du caractre multi-chelle des systmes THz. La
fabrication devient galement de plus en plus dicile en ayant recours aux
micro- et nanotechnologies mme si les dicults sont sans commune mesure
avec celles rencontres en optique. Enn, pour la caractrisation, il sagit trs
souvent deets de phase qui demandent des mthodes de type analyse vecto-
rielle. Nul doute cependant que les progrs actuels pour les trois thmatiques
prcites permettent le dveloppement aux frquences THz des applications
des cristaux photoniques et des mtamatriaux. Certaines sont probablement
encore inventer.
Quatrime partie
Techniques et systmes
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Chapitre 6
Techniques de mesure
Les annes 1980 ont vu lapparition de nouveaux systmes de gnration
et de mesure de signaux lectromagntiques ultrabrefs visant sonder un
domaine des frquences THz jusquici dicile daccs [226229]. Bon nombre
de ces nouvelles techniques de gnration et de mesure font appel aux la-
sers impulsionnels femtosecondes ainsi qu des dispositifs de conversion des
impulsions optiques ultrabrves (quelques dizaines de fs) en impulsions lec-
tromagntiques rayonnes dont la dure est de lordre de la picoseconde.
An dutiliser les signaux THz gnrs, il faut pouvoir les mesurer puis les
analyser dans les domaines temporel ou frquentiel. Nous dcrirons dans ce
chapitre comment il est possible de mesurer, avec des systmes dacquisition
lents, les traces temporelles des signaux THz, quils soient de type impulsion-
nel ou monochromatique, ces signaux prsentant des temps caractristiques
dvolution de leur amplitude de lordre de la picoseconde. La mesure tant
ralise dans le domaine temporel, nous aborderons ensuite lanalyse de ces
signaux qui est gnralement eectue dans le domaine frquentiel et qui
ncessite donc le recours la transforme de Fourier. Nous montrerons ga-
lement des possibilits de mesures nouvelles utilisant le caractre temporel
des expriences.
Cependant, il ne faut pas oublier que des ondes THz peuvent tre gn-
res par des sources continues. Ce sont des ondes cohrentes et monochroma-
tiques dans le cas des lasers molculaires ou QCL, dans le cas de gnration
par battement optique ou par multiplication de frquence. En revanche, les
oscillateurs lectroniques (carcinotron, BWO) dlivrent des signaux moins
cohrents, trs souvent sous la forme de longues impulsions assez bruyantes.
Cependant, lorsque les carcinotrons sont vrouills en phase, on peut obtenir
des purets spectrales tout fait tonnantes, infrieures 50 kHz. Enn,
le rayonnement des corps noirs est parfaitement continu, mais incohrent.
Lamplitude et la phase des faisceaux THz continus sont assez facilement me-
surables par des techniques dinterfromtrie se rapprochant des techniques
impulsionnelles. En particulier, la spectromtrie infrarouge transforme de
Fourier est conceptuellement trs proche de la technique de spectroscopie
dans le domaine temporel.
218 Optolectronique trahertz
6.1 Domaine temporel
6.1.1 chantillonnage en temps quivalent dimpulsions THz
ultrabrves
Les spectres associs aux impulsions lectromagntiques dites THz sont
trs larges et stendent de plusieurs dizaines de GHz quelques dizaines de
THz ; il en dcoule que, dans le domaine temporel, la dure de ces impulsions
est de lordre de la picoseconde (10
12
s), voire moins. An de mesurer de tels
signaux, il faut pouvoir les chantillonner tout en respectant le thorme de
Shannon qui garantit la conservation de linformation contenue dans le signal.
Ce thorme prcise que si lon veut chantillonner, sans perte dinformation,
un signal dont le spectre prsente pour frquence maximale f
max
, alors la
frquence dchantillonnage f
e
doit tre au moins gale 2 fois f
max
, soit :
f
e
2f
max
(6.1)
On en dduit facilement que, pour pouvoir chantillonner en temps rel une
impulsion THz, il faut pouvoir disposer dun appareil lectronique prsen-
tant une bande passante de plusieurs THz ou, autrement dit, capable de
prendre un nombre consquent dchantillons en moins dune picoseconde.
Or, ce jour, il nexiste pas dappareil lectronique de mesure prsentant des
bandes passantes aussi grandes : quelques dizaines une centaine de GHz
tout au plus. Par ailleurs, dans la plupart des cas, les signaux mesurer
sont trs faibles, et cet appareil devrait donc simultanment prsenter une
trs grande sensibilit. titre dexemple, les photocourants gnrs par des
photocommutateurs en LT-GaAs clairs au moyen dimpulsions optiques
femtosecondes prsentent des valeurs typiques comprises entre picoampre
et nanoampres. En supposant quun tel appareil existe, il faudrait en outre
pouvoir vhiculer ces signaux trs rapides sans perte ni dispersion ou att-
nuation sur plusieurs cm au moins, du dispositif dtecteur jusqu lappa-
reil de mesure. Pour ces multiples raisons, il est actuellement utopique de
vouloir chantillonner de manire classique, cest--dire en temps rel, des si-
gnaux THz ; il faut donc employer une technique dchantillonnage dirente,
mieux adapte aux signaux mesurer.
Dans le cas o le signal que lon cherche mesurer est priodique (rpti-
tif) on peut utiliser une technique dite dchantillonnage en temps quivalent :
cette technique rend possible lutilisation de systmes dacquisition lents pour
la mesure de signaux rapides, la contrepartie tant la quasi-impossibilit de
mesurer des signaux monocoups et plus gnralement non rptitifs. Il est en-
tendu par systmes dacquisition lents des systmes dacquisition possdant
une bande passante bien infrieure celle des signaux mesurs. Le principe de
la mthode est le suivant : le signal mesurer (impulsion THz par exemple)
tant priodique, les dirents chantillons qui vont servir le reconstituer ne
seront pas pris sur une seule et mme priode du signal mais sur des priodes
direntes et successives (gure (6.1)).
6. Techniques de mesure 219
Motif priodique chantillonner
Impulsion chantillonne
Fig. 6.1 Reconstitution dun signal impulsionnel priodique par chan-
tillonnage en temps quivalent.
On en dduit facilement que lutilisation dune telle technique ncessite
les conditions suivantes :
signaux chantillonner priodiques uniquement ;
systme de mesure et signaux mesurer synchrones ;
possibilit de retarder prcisment la prise de la mesure du signal
chantillonner ;
dtecteur rapide prsentant une bande passante suprieure celle du
signal mesurer (le dtecteur ne faisant pas partie du systme dac-
quisition lent).
Ainsi, la mesure dun signal THz peut tre ralise sur une dure susam-
ment longue (sur plusieurs milliers de priodes du signal par exemple) ce qui
permet lutilisation dun systme plus lent que le signal pour eectuer lac-
quisition. Dans ce cas, lchelle relle des temps est directement dduite de la
mthode utilise pour sparer temporellement deux chantillons pris succes-
sivement. En outre, et pour les signaux trs faibles, cette technique permet
de moyenner la mesure sur un grand nombre de priodes an daugmenter le
rapport signal sur bruit.
Cette technique est communment utilise dans les expriences optolec-
troniques mettant en jeu des impulsions laser femtosecondes. Cest le cas de
la spectroscopie THz dans le domaine temporel, dont le schma de principe
est donn en gure (6.2), pour laquelle il faut mesurer la forme temporelle
dimpulsions lectromagntiques picosecondes rayonnes en espace libre.
Dans cette exprience, le synchronisme de dtection et dmission des
impulsions THz est obtenu en dclenchant les deux systmes metteur et r-
cepteur laide de la mme impulsion optique : la lame semi-rchissante BS
spare le faisceau laser initial en deux faisceaux qui vont respectivement d-
clencher lmission de limpulsion THz au niveau du dispositif metteur et la
prise de la mesure au niveau du dispositif dtecteur. Par ailleurs, la longueur
des chemins optiques de ces deux faisceaux, prise au niveau du dispositif r-
cepteur, peut tre modie laide dune ligne retard optique, permettant
220 Optolectronique trahertz
BS
Impulsion
optique
metteur Dtecteur
Impulsion
THz
Ligne
retard
Miroirs
paraboliques
Fig. 6.2 Schma de principe dune exprience de spectroscopie dans le
domaine temporel THz TDS.
ainsi de prendre plusieurs chantillons dirents de limpulsion THz mesu-
rer an de la reconstruire comme dcrit prcdemment. Lincrment temporel
t est alors obtenu facilement partir de lincrment spatial x de la ligne
retard optique :
t = 2 x/c (6.2)
c correspondant la clrit de la lumire dans lair (c = 3 10
8
m/s). La
prsence du facteur 2 dans lquation (6.2) rsulte de laller-retour du faisceau
laser au niveau de la ligne retard.
La gure (6.3) prsente le rsultat de la mesure dune impulsion THz
rayonne en espace libre [230], par chantillonnage en temps quivalent,
lmetteur et le rcepteur tant dans ce cas constitus de photocommuta-
teurs en LT-GaAs (voir section sur le gnration impulsionnelle, page 110).
Le temps dacquisition dune telle mesure est de lordre de quelques minutes ;
il est x par le temps ncessaire au dplacement de la ligne retard sur une
longueur correspondant la dure de la fentre temporelle dsire ainsi que
par la constante de temps de moyennage du signal ncessaire pour obtenir
un rapport signal sur bruit donn.
6. Techniques de mesure 221
(
U
.
A
.
)

Fig. 6.3 Impulsion THz typique mesure par une exprience du type de
la gure (6.2).
linstar de toute technique dchantillonnage en temps rel, lors dun
chantillonnage en temps quivalent, le signal mesur nest pas directement le
signal rel mais le rsultat dune convolution entre le signal rel et la rponse
du dtecteur. Dans le cas dune exprience de spectroscopie THz utilisant des
dispositifs metteurs et rcepteurs de type photocommutateurs, la rponse
du dtecteur est elle-mme le rsultat de la convolution entre la rponse
impulsionnelle du photocommutateur utilis en rception et de limpulsion
laser utilise pour le dclencher :
R
detecteur
(t) = P
laser
(t) R

detecteur
(t) (6.3)
o P
laser
(t) reprsente lvolution temporelle de la puissance de limpulsion
laser de dclenchement, et R

detecteur
(t) la rponse impulsionnelle du dtec-
teur [103]. Ainsi, pour une position donne de la ligne retard t, corres-
pondant un retard donn entre impulsions optique et THz, le signal dlivr
par le dtecteur sexprime alors comme la convolution du champ THz rel
par la rponse du dtecteur :
S
THz detecteur
(t, t) = E
THz
(t, t) R
detecteur
(t) (6.4)
Le systme dacquisition la suite du dtecteur tant un systme lent
au regard des temps mis en jeu au niveau des impulsions optiques et THz,
il en dcoule que le signal THz enregistr est lintgrale temporelle du signal
fourni par le dtecteur et il dpend uniquement de t. Il sexprime de la
faon suivante :
S
THz mesure
(t) =
+
_

S
THz detecteur
(t, t) dt (6.5)
222 Optolectronique trahertz
Fig. 6.4 chantillonnage en temps quivalent dun signal THz monochro-
matique.
Pour plus de dtails concernant la modlisation des signaux THz mesurs
dans les dispositifs de type photocommutateurs, le lecteur pourra se reporter
au chapitre 3 (page 93). Finalement, lexprimentateur dispose du signal
suivant :
S
THz mesure
(t) =
+
_

+
_

+
_

E
THz
(t, t) P
laser
(t t

) R

detecteur
(t t

) dt dt

dt

(6.6)
Si limpulsion optique de lecture et le temps de rponse du dtecteur sont trs
courts (assimilables des fonctions de Dirac), le signal mesur est directement
proportionnel au champ THz. En pratique, limpulsion laser peut tre bien
plus courte que limpulsion THz, mais ce nest pas le cas du temps de rponse
du dtecteur. Le signal mesur prend alors la forme complique donne par
la relation (6.6).
6.1.2 chantillonnage dun signal continu
Bien entendu, cette technique peut tre utilise pour la mesure tempo-
relle de signaux non plus impulsionnels mais monochromatiques, ces derniers
tant par dnition priodiques puisque sinusodaux dans lespace des temps
(gure (6.4)).
La priode relle du signal sinusodal mesur est alors obtenue, comme
prcdemment, partir de la relation (6.2) exprimant la correspondance entre
lincrment temporel rel et lincrment spatial de la ligne retard.
6. Techniques de mesure 223
6.1.3 Passage temps frquence : la transforme de Fourier
partir dun signal temporel, il est ais de passer dans lespace des
frquences au moyen de la transforme de Fourier. Nanmoins, quelques pr-
cautions doivent tre prises pour raliser cette transformation de faon nu-
mrique. En prambule, il est important de rappeler quil est impossible,
partir de donnes, de raliser stricto sensu une transforme de Fourier
de manire numrique. En eet, seules les dcompositions en sries de Fou-
rier sont calculables numriquement, lesquelles sont appeles abusivement
transformes de Fourier rapides ou plus simplement FFT (acronyme anglais
signiant Fast Fourier Transform et dsignant lensemble des algorithmes de
calcul rapide de dcompositions en srie de Fourier). Ds lors, la FFT ne sap-
plique quaux signaux priodiques. Dans le cas dimpulsions THz gnres au
moyen de transducteurs optolectroniques dclenchs par des impulsions op-
tiques femtosecondes, la dure des impulsions THz obtenues est de lordre de
la picoseconde alors que leur priode de rcurrence est de lordre de 10 ns,
soit suprieure de prs de 4 ordres de grandeur. Cest la raison pour laquelle
lexprimentateur na souvent accs qu une fraction (gnralement extr-
mement rduite) de la priode du signal rel.
Idalement, une priode ou un nombre entier de priodes devraient tre
enregistrs avant de procder la dcomposition du signal en srie de Fourier
via le calcul de la FFT du signal. Comme cela nest pas raliste sur le plan
pratique, on se contente donc de lenregistrement dune faible fraction de
ladite priode. Lorsque lexprimentateur a lintime conviction (taye par
de solides arguments physiques) quaucune information utile nest prsente
sur la portion non enregistre du signal, il peut alors tendre par continuit le
signal enregistr pour lui faire recouvrer sa priode relle avant de procder
au calcul de sa FFT. Pour cela, on sassure que la n du signal enregistr
ne comporte plus aucune information utile et se prsente sous la forme dun
signal constant au bruit prs, et on ajoute jusqu la n de sa priode des
points ctifs de mme valeur, laquelle est donne par la valeur moyenne du
signal observ la n de lenregistrement du signal rel.
Avant de procder au calcul de la FFT proprement dit, il reste encore
vrier que les valeurs moyennes de dbut et de n du signal enregistr
sont identiques ou dirent dune valeur infrieure lcart-type du bruit
aectant ces mmes valeurs. Si ce nest pas le cas, cela signie :
soit quil existe une drive du zro au cours du balayage temporel du
signal rsultant par exemple dun dfaut dalignement de la ligne
retard optique ;
soit que les valeurs moyennes de dbut et de n de signal sont rellement
direntes.
Ce dernier cas de gure peut survenir lorsque des phnomnes physiques
prsentant des temps caractristiques trs longs par rapport la dure des
impulsions THz sont mis en jeu dans la mesure. Dans les deux situations
224 Optolectronique trahertz
prcdentes, cela signie quune composante trs basse frquence du signal
est hors de porte exprimentale. Il est cependant indispensable de la sous-
traire numriquement avant de procder au calcul de la FFT sans quoi le
spectre calcul serait erron. En eet, le rsultat du calcul de la FFT donne
les amplitudes complexes des coecients de la srie de Fourier du signal
priodique qui est obtenu par recopie et juxtaposition linni du signal en-
registr. Ainsi le dernier point du signal enregistr prcde de fait le premier
point de ce mme signal et si ces deux points nont pas mme valeur, le si-
gnal prsente alors une discontinuit articielle de type marche de Heaviside.
En fait cette marche correspond la suppression pure et simple de la partie
non enregistre de la priode du signal, pendant laquelle le signal retourne
progressivement sa valeur initiale. Or, comme la marche de Heaviside re-
prsente lintgrale dune distribution de Dirac, sa transforme de Fourier
prsente des composantes frquentielles de frquence f, dont lamplitude va-
rie en
1
f
. Cet artefact li la suppression de la partie non enregistre de
la priode du signal rel modie profondment son spectre, particulirement
aux plus basses frquences comme cela est illustr sur la gure (6.5).
0,1 0,2 0,3 0,4
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0 200 400 600 800 1 000
0,06
0,04
0,02
0
0,02
0,04
0,06
Frquence (U. A.)
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
U
.

A
.
)
Temps (U. A.)
-
-
-
Fig. 6.5 Spectres thoriques correspondant au signal temporel reprsent
en insert en considrant la drive du zro soit physique (en traits pointills)
soit lie un artefact (en traits pleins) et spectre calcul par FFT reprsent
sous forme de points.
Pour cette simulation, nous avons considr un prol temporel de si-
gnal correspondant la drive dune gaussienne auquel nous avons ajout
une drive en forme de fonction derreur. Des expressions analytiques des
transformes de Fourier, nous avons pu reprsenter les spectres exacts cor-
respondant soit lensemble du signal (en traits pointills), soit au signal
sans la drive (en traits pleins). Le spectre calcul par FFT est incorrect : il
prsente des oscillations autour du spectre thorique. La priode frquentielle
6. Techniques de mesure 225
de ces oscillations est lie linverse de la largeur de la fentre temporelle
denregistrement. On remarque par ailleurs que lamplitude de ces oscilla-
tions dcrot comme prvu avec la frquence. Cependant, lerreur engendre
par le non-enregistrement dune priode complte du signal reste toujours
importante, mme aux frquences les plus leves. La question pose mainte-
nant est : existe-t-il une mthode qui permette dliminer cette discontinuit
non physique sans pour autant introduire dartefact au niveau du spectre
calcul ? La rponse est positive condition de garder lesprit que la perte
dinformation lie au non-enregistrement de la priode complte du signal est
dnitive et par consquent que le spectre qui sera obtenu aprs correction
ad hoc du signal enregistr ne constituera quune approximation (par ailleurs
souvent excellente dans la trs grande majorit des cas) du spectre rel. Plu-
sieurs mthodes ont t proposes pour rpondre ce problme et le lecteur
pourra se reporter la rfrence [231] pour plus de dtails sur une mthode
de correction performante intgrant de plus lajout de points de mesure c-
tifs comme cela a t dcrit prcdemment. Cette mthode, illustre sur la
gure (6.6), dans le cas simpli de labsence dajout de points de mesure
ctifs, consiste soustraire une rampe de sorte que le signal priodique ob-
tenu par recopie et juxtaposition linni du signal enregistr ne prsente
plus de discontinuit (cf. signal temporel dans linsert). On remarque cette
fois-ci que les valeurs du spectre calcul par FFT concident parfaitement
avec celles du spectre thorique tenant compte de la drive, except pour la
frquence nulle uniquement.
0,1 0,2 0,3 0,4
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0 200 400 600 800 1 000
0,06
0,04
0,02
0
0,02
0,04
0,06
Frquence (U. A.)
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
U
.

A
.
)
Temps (U. A.)
-
-
-
Fig. 6.6 Spectres thoriques correspondant au signal temporel reprsent
dans linsert de la gure (6.5) en considrant la drive du zro soit physique
(en traits pointills) soit lie un artefact (en traits pleins) et spectre calcul
par FFT partir du signal temporel corrig (cf. insert de la prsente gure)
reprsent sous forme de points.
226 Optolectronique trahertz
Un autre point important concerne la rsolution frquentielle lie la
mesure. Il est fondamental de bien comprendre que lajout de points de me-
sure ctifs va permettre daugmenter la largeur de la fentre temporelle et
par voie de consquence de diminuer dans les mmes proportions le pas fr-
quentiel du spectre calcul. Pour autant, lajout de points de mesure ctifs
napportant aucune nouvelle information, la vritable rsolution frquentielle
reste inchange et a pour ordre de grandeur linverse de la dure de la fentre
temporelle denregistrement. Ainsi, une fentre denregistrement de 100 ps
correspond une rsolution frquentielle de 10 GHz.
La gure (6.7) reprsente le spectre dune impulsion THz typique obtenue
par FFT et dont la trace temporelle est donne en gure (6.3).
(
U
.
A
)
,
,
,
Fig. 6.7 Spectre (module) dune impulsion THz (celle de la gure (6.3))
obtenu par FFT.
6.1.4 Mesures pompe optique sonde THz
Lmergence des techniques de spectroscopie THz dans le domaine tempo-
rel et lanalyse des signaux la fois dans les domaines temporel et frquentiel
ouvrent la voie une variante intressante de cette exprience permettant
non plus seulement de caractriser un matriau dans son tat dquilibre,
mais aussi de sonder des tats transitoires. Cette technique de mesure tant
par ailleurs sans contact, elle reste trs peu perturbatrice. Il nest donc pas
surprenant que cette technique de mesure pompe-sonde, rendue possible grce
lutilisation dimpulsions picosecondes, voire sub-picosecondes, et dont le
spectre stend jusquaux frquences THz, soit de plus en plus employe, par
exemple pour tudier le retour lquilibre des porteurs dans des matriaux
semi-conducteurs [232, 233], la thermalisation intrabande des porteurs par
6. Techniques de mesure 227
mission de phonons optiques [234], la relaxation dexcitons gnrs optique-
ment dans des multi-puits quantiques de GaAs-GaAlAs [235], linteraction
dipolaire entre molcules polaires dans les liquides [236], ou encore la dyna-
mique des paires de Cooper dans des matriaux supra-conducteurs [237, 238].
Principe de la technique pompe-sonde
Cette technique est base sur lutilisation de deux impulsions lectroma-
gntiques dont la premire, dite de pompe, a pour but de faire passer le
matriau dun tat dquilibre un tat excit ; la seconde, dite de sonde et
de plus faible puissance en gnral, vient sonder lvolution dans le temps
de cet tat hors quilibre. Dans la mthode qui nous intresse, la premire
impulsion est une impulsion optique dlivre par un laser impulsionnel, lim-
pulsion de sonde tant une impulsion THz. La conguration de principe de
lexprience est donne dans la gure (6.8).
BS 1
Ligne
retard 1
metteur Dtecteur
Faisceau
pompe
BS 2
Ligne
retard 2
chantillon
Faisceau
sonde
Fig. 6.8 Schma de principe dune exprience pompe optique sonde THz.
Dans cette exprience (voir gure (6.9)), la partie du banc de mesure
permettant de sonder lchantillon est identique lexprience de spectrosco-
pie THz prsente prcdemment (cf. gure (6.2)). Lchantillon est excit
par les impulsions optiques de pompe prleves sur le faisceau qui dclenche
lmetteur THz, et retardes (ligne retard 2) an de faire varier le d-
lai sparant impulsions de pompe optique et de sonde THz. Nous pouvons
direntier deux variantes de cette technique de mesures pompe-sonde :
228 Optolectronique trahertz
dans la premire variante, pour chaque valeur du retard entre impul-
sions de pompe optique et de sonde THz, un seul point de limpul-
sion THz est mesur, ou bien la puissance totale de limpulsion THz
est intgre grce lemploi dun bolomtre par exemple. On obtient
alors la rponse moyenne du matriau en fonction de ce retard. titre
dexemple, la gure (6.9) montre la variation de lamplitude crte de
limpulsion THz transmise par un chantillon de GaAs en fonction du
retard par rapport lexcitation du matriau par une impulsion laser
femtoseconde ( = 800 nm), limpulsion optique excitant le matriau
linstant t = 25 ps. Le signal rsulte de laugmentation de labsorption
du signal THz par les porteurs libres photognrs. La dcroissance
exponentielle du signal, avec une dure caractristique de 800 ps, est
dans cet exemple directement lie la population dlectrons dans la
bande de conduction, dont le temps de vie est donc 800 ps ;
dans la seconde variante, la variation de la forme temporelle de lim-
pulsion THz est entirement mesure pour chaque valeur de ce retard,
ce qui permet de suivre lvolution de cette impulsion en fonction du
retard, rendant ainsi possible une tude en frquence. La gure (6.10)
montre de nouveau lexemple du GaAs. On voit que le signal se construit
progressivement, sans accident temporel, ce qui est attendu, car la r-
ponse du gaz dlectrons libres photoinduits, pour un chantillon
temprature ambiante, est uniforme dans la gamme spectrale tudie.
On remarque un trs lger dcalage temporel du sommet de limpulsion
en fonction du retard. Cet eet sexplique par la variation de lindice
de rfraction du GaAs induit par la population de porteurs libres, ce
qui diminue ici le chemin optique de traverse de lchantillon pour des
grandes densits de porteurs libres.
Bien que la premire solution soit la plus largement utilise [233, 239242] du
fait de sa simplicit de mise en uvre et de sa rapidit, la seconde solution,
plus lourde en termes de temps de mesure et de traitement des donnes,
permet toutefois dobtenir beaucoup plus dinformations puisquil est alors
possible deectuer une tude frquentielle des phnomnes tudis [243, 244].
Exemple de rsultats
En mesurant un point de la courbe temporelle de limpulsion THz (maxi-
mum de limpulsion par exemple), ou encore sa puissance totale avec un
bolomtre, il est possible de mesurer facilement la dynamique moyenne de
retour lquilibre de phnomnes physiques perturbs par limpulsion op-
tique ultracourte, lorsque ces phnomnes sont peu dispersifs dans le do-
maine THz. Une large gamme de matriaux a t ainsi caractrise comme des
semi-conducteurs, des supra-conducteurs, ou bien encore des liquides : GaAs
et InP intrinsques [232, 239, 245, 246], GaN [247], InP implant par des
protons [233], Ge [248], silicium sur saphir irradi (RD-SOS) [249], silicium
amorphe [250] ou micro-cristallin [251], LT-GaAs [78, 242], liquides [252]...
6. Techniques de mesure 229
(
U
.
A
)
,
,
,
,
Fig. 6.9 Mesure de la variation du maximum de limpulsion THz transmise
par un chantillon de GaAs, pour plusieurs valeurs du retard entre impulsion
optique de pompe ( = 800 nm) et THz de sonde.
(
U
.
A
.
)
Fig. 6.10 Mesure de la variation de transmission dun chantillon de
GaAs, pour plusieurs valeurs du retard entre impulsion optique de pompe
( = 800 nm) et THz de sonde.
230 Optolectronique trahertz
La gure (6.11), mesure par Dykaar et collaborateurs [232, 245], montre
lvolution moyenne de la transmission THz du GaAs intrinsque soumis
une excitation impulsionnelle optique (
pompe
= 660 nm pour des densits
de porteurs photognrs en surface valant 0,4, 0,9 et 2 10
18
cm
3
). Ces
observations de lvolution de la conductivit du GaAs ont permis Dykaar et
collaborateurs de conclure que labsorption du rayonnement THz stablissait
en moins de 1 ps aprs lexcitation (chute rapide de la transmission). En
faisant varier la longueur donde dexcitation (580 nm, 660 nm et 700 nm)
de limpulsion optique de pompe gure (6.12), donc lnergie des photons
servant exciter les lectrons dans le GaAs, ils ont aussi mis en vidence des
phnomnes de diusion inter-valle (de la valle L de faible mobilit vers la
valle de plus grande mobilit).
,
,
,
,
,
,
,
,
Fig. 6.11 Mesure de la variation de transmission THz dun chantillon de
GaAs pomp par des impulsions laser de pompe ( = 660 nm) pour di-
rentes densits de photolectrons (0, 40, 9210
18
cm
3
) ((1991)IEEE).
Mesures rsolues dans le temps
Comme nous lavons vu prcdemment, il est possible dobtenir des in-
formations supplmentaires si lon mesure, pour un retard donn entre im-
pulsions de pompe et de sonde, toute limpulsion THz. Cette mthode a t
utilise, dans un premier temps, pour ltude de matriaux semi-conducteurs
et supra-conducteurs pour lesquels la conductivit complexe peut prsen-
ter une forte dpendance en frquence. En gnralisant cette mthode, il
devient possible de raliser une tude bi-paramtre en mesurant limpul-
sion THz pour une large gamme de retard entre impulsions de pompe et de
sonde. Ds 1996, Zielbauer et ses collaborateurs [253] ont mesur lvolution
temporelle du coecient de transmission complexe dun chantillon de sili-
cium. Depuis, de nombreuses tudes ont t menes par cette technique sur
des matriaux semi-conducteurs comme GaAs [254, 255] et LT-GaAs [256],
ou encore sur des matriaux supraconducteurs comme YBa
2
Cu
3
O
7
[53] et
6. Techniques de mesure 231
,
,
,
,
,
,
,
Fig. 6.12 Mesure de la variation de transmission THz dun chantillon
de GaAs pomp par des impulsions laser de pompe de direntes longueurs
donde ( = 580, 660 et 700 nm) ((1991)IEEE).
La
0,7
M
0,3
MnO
3
[257]. Schmuttenmaer et ses collaborateurs ont ainsi pu mon-
trer que, pour une longueur donde de pompe de 400 nm, la mobilit dans
LT-GaAs passe de 350 cm
2
/V/s immdiatement aprs la photo-excitation,
1 100 cm
2
/V/s aprs 2 ps alors que cette mobilit reste constante et gale
3 000 cm
2
/V/s lorsque la longueur donde de pompe est de 800 nm, prouvant
ainsi le phnomne de diusion inter-valle des porteurs, de la valle de
forte mobilit aux valles X et L de plus faible mobilit dj mis en vidence
par Dykaar et ses collaborateurs dans GaAs.
6.1.5 Extraction du signal
Lemploi des techniques de mesure prsentes prcdemment nest sou-
vent pas susant pour obtenir des signaux de qualit. Pour cela, il faut
tout dabord identier les sources de bruit concourant aux deux principales
limitations suivantes :
le seuil de mesure exprimental interdisant toute caractrisation dchan-
tillons prsentant une trop forte absorption;
la dynamique de mesure limitant la sensibilit, cest--dire la prcision
avec laquelle des caractristiques physiques peuvent tre extraites des
mesures.
Ensuite, compte tenu de la connaissance des sources de bruit, des congu-
rations exprimentales et des traitements de signaux adapts peuvent per-
mettre damliorer signicativement bande passante et prcision sur et avec
lesquelles les paramtres des chantillons peuvent tre extraits.
232 Optolectronique trahertz
Les sources de bruit
Plusieurs travaux [258, 259] ont permis de prciser quelles sont les prin-
cipales sources de bruit rencontres dans les expriences classiques de spec-
troscopie THz dans le domaine temporel exploitant des photocommutateurs
comme metteur et rcepteur THz. Ces sources de bruit peuvent tre regrou-
pes en trois catgories selon leur origine :
le bruit dmission du rayonnement THz caractris par son cart-type

e
() ;
le bruit
d
() de dtection du rayonnement THz ;
et le bruit
g
()) de grenaille du dtecteur THz ;
o reprsente la frquence du rayonnement THz. Si lon note () le mo-
dule du coecient de transmission du rayonnement THz par un chantillon
quelconque (quantit qui devra tre mesure pour extraire les paramtres du
matriau, cf. paragraphe (7.1.1)), il est possible de montrer que sa variance
(laquelle est directement relie la prcision de mesure des paramtres du
matriau) est donne par [259] :

() = A()
2
() +B()() +C() (6.7)
o les trois paramtres de bruit A(), B() et C() ont pour expression :
A() =
2
e
()
2
+
d
()
2
+
g
()
2
[R()
2
[
(6.8)
B() =

g
()
2
[R()
2
[
(6.9)
C() =

d
()
2
[R()
2
[
(6.10)
[R()[ reprsente le module du photocourant mesur par le dtecteur en
labsence dchantillon (obtenu lors de la mesure dite de rfrence). En choi-
sissant un chantillon faiblement absorbant, optiquement pais (pour que les
dirents chos de limpulsion THz gnrs au sein de lchantillon soient
temporellement spars) et prsentant de relativement forts coecients de
rexion de Fresnel au niveau de ses interfaces avec le milieu extrieur (an
de donner lieu un grand nombre N dchos sur la trace temporelle du si-
gnal mesur avec chantillon), on peut alors utiliser lquation (6.7) pour
traiter sparment chacun des chos apparaissant sur le signal enregistr
(gure (6.13)).
Sachant que les trois paramtres de bruit A(), B() et C() sont les
mmes quel que soit lcho de limpulsion THz considr, cela signie quune
analyse statistique sur un nombre consquent de mesures permet dobtenir
N courbes donnant la dpendance de

avec la frquence . De ce fais-


ceau de N courbes paramtres par A(), B() et C(), il est alors possible
6. Techniques de mesure 233
1,2
0,8
0,4
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
0 10 20 30 40 50 60
p
h
o
t
o
c
o
u
r
a
n
t

m
o
y
e
n

(
n
A
)
temps (ps)
cho 0
cho 1
cho 2
cho 3
cho 4
x 40
rfrence
Fig. 6.13 chos dune impulsion THz induits par les rexions internes de
limpulsion au sein dun substrat de Si intrinsque de 480 m dpaisseur.
dextraire les trois paramtres de bruit A(), B() et C() par une simple
procdure dajustement au moyen de la formule (6.7), ceci nest bien sr
possible que si le nombre dchos exploitables est au moins gal 3. Une
fois cette procdure eectue, en utilisant les quations (6.9) et (6.10) et en
remarquant que
1
2
(A() (B() + C())) =

e
()
2
|R()
2
|
, on peut en dduire les
dpendances frquentielles des bruits dmission
e
(), de dtection
d
() et
de grenaille
g
() du dtecteur THz. Ces mmes sources de bruit peuvent
ensuite tre corrles au bruit du laser en intensit (ou RIN de lacronyme
anglais signiant Relative Intensity Noise) et aux valeurs thoriques des
bruits de grenaille et Johnson du dtecteur THz an de rechercher la prsence
dune ventuelle source de bruit en excs. Ce type danalyse est trs utile car
il permet ensuite doptimiser le banc de mesure, par exemple en utilisant une
source laser impulsionnelle prsentant un RIN plus faible.
titre dexemple, la gure (6.14), extraite de la rfrence [259], reprsente
les trois paramtres de bruit A(), B() et C() obtenus sur le premier banc
de spectroscopie THz dans le domaine temporel qui avait t dvelopp au
milieu des annes 1990 au LAHC luniversit de Savoie.
Optimisation dun banc THz dans le domaine temporel
Une fois les sources de bruit identies, il devient possible doptimiser
le banc exprimental. Le paramtre de bruit A() limite seulement la dy-
namique de mesure puisquil conduit borner infrieurement lincertitude
relative de mesure sur le module du coecient de transmission () dun
chantillon, et ce indpendamment de la valeur de (). Ainsi, quelle que
234 Optolectronique trahertz
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
100 200 300 400 500
p
a
r
a
m

t
r
e
s

d
e

b
r
u
i
t
frquence (GHz)
A
B
C
Fig. 6.14 Dpendances des paramtres de bruit avec la frquence : va-
leurs exprimentales extraites selon la procdure dcrite dans le prsent para-
graphe (points) et valeur thorique (courbe en traits pleins) calcule partir
de lexpression du bruit de grenaille. La courbe en traits pointills, propor-
tionnelle
1
|R()
2
|
, montre (cf. quation (6.10)) que le bruit de dtection est
indpendant de la frquence.
soit labsorption de lchantillon, lincertitude relative avec laquelle on d-
termine son coecient de rexion reste inchange, et par consquent il en
sera de mme pour les paramtres du matriau constitutif de lchantillon
que lon pourra extraire des mesures. Le paramtre de bruit A() limite donc
uniquement la prcision de mesure, indpendamment du type dchantillon.
tant donn lexpression de A() donne par (6.8), il apparat que lamlio-
ration de la prcision de mesure ncessite de travailler simultanment sur la
rduction de lensemble des sources de bruit ! Le paramtre de bruit C()
dnit quant lui le niveau seuil de mesure et son incidence sur la prcision
de mesure ne se fera sentir que dans le cas dchantillons fortement absor-
bants : il conduit donc borner suprieurement le coecient dabsorption
des chantillons quil est possible de caractriser. Cest sur le bruit du d-
tecteur et lui seul quil est ncessaire dagir pour abaisser ce niveau seuil de
mesure : il en rsulte par consquent que la dnition des rles respectifs
dmetteur ou de rcepteur pour deux antennes photoconductrices aux per-
formances direntes nest pas anodin en termes de performances globales
dun banc de mesure de spectroscopie THz. Ceci est galement vrai en ce
qui concerne la bande passante globale du banc de spectroscopie [103]. An-
tennes mettrice et rceptrice ne jouent pas du tout le mme rle, tant en
ce qui concerne la bande de frquence couverte quen termes de bruit du
systme global de mesure : leur conception doit donc naturellement direr
6. Techniques de mesure 235
et le choix de mettre des antennes identiques en mission et rception nest
par consquent pas judicieux. Enn, le paramtre B(), uniquement li au
bruit de grenaille et donn par la relation (6.9), dnit la limite quantique du
bruit dun banc de spectroscopie THz. Il peut encore se rcrire B() =
2 e f
|R()|
o f est la bande passante du systme de dtection dnie par
1
2
, re-
prsentant la constante de temps du systme de dtection dans le cas dune
coupure 6 dB par octave ; e est la charge de llectron. Il en rsulte alors
que la dynamique D(, f) de mesure dun banc de spectroscopie THz est
borne suprieurement :
D(, f) < 10 log
10
(
[R()[
2 e f
) (6.11)
An de dterminer lordre de grandeur de cette dynamique maximale de
mesure, on peut considrer, au premier ordre, que les impulsions THz gn-
res dans les expriences de spectroscopie THz dans le domaine temporel ont
approximativement une forme de drive gaussienne. Si A est lamplitude du
photocourant moyen induit par les impulsions THz dans lantenne rceptrice
et T leur dure, dnie comme tant lintervalle de temps entre les deux
extrema des impulsions THz, alors la valeur maximale de [R()[ est simple-
ment donne par
AT
2
et la largeur mi-hauteur du spectre en puissance
de ces impulsions THz est gale
0,368
T
. Ainsi la dynamique maximale de
mesure, calcule pour la frquence correspondant au maximum de densit
spectrale de signal, a pour ordre de grandeur :
max(D(f)) D( =
1
T
, f) 10 log
10
(
0, 092 A
e f
) (6.12)
Pour des valeurs typiques (photocourant de lordre de 1 nA et constante
de temps du systme dacquisition de 300 ms), la dynamique maximale de
mesure est gale 85 dB, soit de lordre de 20 25 dB suprieure aux
dynamiques de mesure communment obtenues. Cette dirence rside dans
le paramtre de bruit A() qui limite la dynamique 65 dB dans le meilleur
des cas, cette limitation tant elle-mme essentiellement lie au bruit du
laser. Vu ltat de lart actuel en termes de dynamique de mesure ( 65 dB),
il ressort de la formule (6.12) que le bruit de grenaille ne peut plus tre nglig
ds lors que lamplitude du photocourant dans lantenne rceptrice devient
infrieure ou gale 10 pA. Cette valeur de 10 pA constitue donc un seuil
pratique au-dessous duquel un banc de spectroscopie THz dans le domaine
temporel bas sur lutilisation dantennes photoconductrices ne peut donner
de rsultats satisfaisants.
Pour augmenter autant que possible le rapport signal sur bruit, un am-
plicateur dtection synchrone est gnralement utilis conjointement un
hacheur optique, lequel peut tre utilis soit pour hacher le faisceau laser
de dclenchement de lantenne mettrice, soit pour hacher le faisceau THz
236 Optolectronique trahertz
lui-mme. Le hachage du faisceau laser prsente lintrt de pouvoir dou-
bler la puissance optique incidente sur lantenne mettrice en produisant le
mme chauement moyen de cette dernire. Le hachage du faisceau THz
peut prsenter un intrt si lon utilise une roue dente du hacheur qui soit
rchissante pour alternativement rchir le faisceau THz sur une antenne
an de raliser une mesure de rfrence et transmettre le faisceau THz sur
lchantillon caractriser. Cette mthode permet de raliser une normali-
sation de lamplitude des impulsions THz envoyes sur lchantillon et dli-
miner les sources de bruit prsentant une forte remonte de leur amplitude
basse frquence (ce qui est le cas gnralement du laser avec une remonte
du bruit en
1
f
basse frquence). Cependant, le hachage du faisceau THz
est dicile mettre en pratique car le diamtre du faisceau THz est gn-
ralement lev (plusieurs cm). Le fait que plusieurs des sources de bruit ne
soient pas des sources de bruit blanc a une consquence importante sur la
prcision des mesures. En eet, la caractrisation dun chantillon ncessite
gnralement de raliser une mesure de rfrence suivie dune mesure avec
lchantillon, or entre ces deux mesures peut scouler un intervalle de temps
important durant lequel le systme de mesure peut prsenter dimportantes
drives entachant dautant la prcision de mesure. Aussi, cette considration
doit conduire privilgier le fait de prendre la moyenne dun grand nombre
de mesures rapides eectues avec une faible constante de temps du systme
de dtection plutt que de raliser une seule mesure lente avec une grande
constante de temps. Si les sources de bruit taient des sources de bruit blanc,
ces deux mthodes donneraient bien videmment le mme rsultat pour une
mme dure globale de mesure.
6.2 Domaine frquentiel
Lavantage prpondrant des techniques frquentielles par rapport celles
temporelles est la trs grande rsolution spectrale. Celle-ci est pratiquement
limite quelques GHz dans le domaine temporel comme nous lavons vu pr-
cdemment, alors que des appareils commerciaux comme les spectromtres
transforme de Fourier atteignent communment des rsolutions de quelques
dizaines de MHz. Les techniques employes dpendent des sources de rayon-
nement mises en jeu et des mesures eectuer.
Si on utilise une source quasimonochromatique, comme un laser molcu-
laire, on a accs une plage spectrale trs limite et le balayage en frquence
sera dicile sinon impossible. Ainsi, dans le cas des lasers molculaires, de
gros eorts exprimentaux doivent tre mise en uvre pour obtenir un ba-
layage de quelques centaines de MHz autour de la frquence dmission du
laser. Avec une source THz quasimonochromatique, les techniques classiques
de loptique sont alors extrapoles dans le domaine THz. Les signaux d-
tects tant gnralement faibles, on augmentera le rapport signal sur bruit
6. Techniques de mesure 237
en employant des amplicateurs dtection synchrone qui demandent de
moduler le faisceau THz sur le banc exprimental. Le passage dautres
frquences THz oblige modier la source (changement de milieu amplica-
teur dans les lasers, ajout dun lment multiplicateur de frquence dans les
chanes de type sources lectroniques...). Les dtecteurs sont le plus souvent
des dtecteurs dnergie (ou de puissance) comme les bolomtres, qui sont
par essence relativement lents, et qui intgrent donc le signal incident. La
dicult dans les expriences continues est dliminer la contribution du
rayonnement thermique ambiant, puisqu temprature ambiante (20

C),
un m
2
reoit environ 400 W de rayonnement thermique. Ainsi, un lment
parfaitement absorbant (corps noir) de 1 cm
2
absorbe environ 15 W intgr
dans la bande spectrale 1-2 THz. La plupart des dtecteurs sont refroidis,
et le rayonnement qui les claire est ltr pour liminer les frquences non
dsires du large spectre thermique. Le plus souvent, une simple feuille de
polythylne noir sut liminer les rayonnements parasites. On peut
employer des matriaux plus performants (wafer de silicium ou germanium
haute rsistivit), ou bien des ltres commerciaux bass par exemple sur la
diusion des ondes visibles et infrarouges par des matriaux poreux, qui en
revanche laissent passer le rayonnement THz avec une bonne transmission
(40-50 %)
1
.
Lemploi de sources large spectre, souvent incohrentes comme les corps
noirs, demande en plus, par rapport aux sources monochromatiques, de s-
lectionner et/ou mesurer la frquence du rayonnement qui sera utilise dans
lexprience. Soit on installe un monochromateur entre source et dtecteur,
soit on utilise la technique de la spectroscopie transforme de Fourier, qui
est certainement la plus communment usite dans le domaine de linfrarouge
lointain, et dont le principe interfrentiel est nalement trs proche de celui
des techniques temporelles dcrites prcdemment. Enn, surtout quand la
source de rayonnement THz nest pas contrlable comme en astronomie mil-
limtrique, on emploie des techniques htrodynes. Le rayonnement incident
est alors mlang dans un composant non linaire avec celui dun oscilla-
teur local de frquence connue. Le signal fourni, rsultant de la dirence
de frquence entre le signal incident et le signal local, est bien plus basse
frquence et peut tre trait avec des appareils et techniques hyperfrquences.
1
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Chapitre 7
Spectroscopie
7.1 Spectroscopie THz dans le domaine temporel
(THz-TDS)
7.1.1 Principe de la spectroscopie THz dans le domaine
temporel
Nous nexposerons ci-aprs que la spectroscopie en transmission, la spec-
troscopie en rexion dirant peu dans le principe. La spectroscopie THz
dans le domaine temporel est base sur la technique dcrite dans la sec-
tion 6.1, laquelle permet de mesurer le prol temporel dune impulsion lec-
tromagntique ultrabrve. La dtermination des paramtres optiques dun
matriau se fait alors via la dtermination de la fonction de transfert com-
plexe T() dun chantillon constitu de ce matriau; cette fonction de trans-
fert tant quant elle dduite de la perturbation subie par limpulsion THz
lors de la traverse de lchantillon. Pour cela, une premire mesure S
ref
(t)
de limpulsion THz incidente est eectue en labsence dchantillon entre les
dispositifs metteur et rcepteur : cest la mesure de rfrence. Une seconde
mesure S
ech
(t) de cette impulsion est ensuite ralise aprs sa traverse de
lchantillon caractriser (gure (7.1)).
On obtient donc une mesure temporelle de rfrence constitue dune
seule impulsion, ainsi quune mesure de limpulsion transmise par lchan-
tillon qui peut prsenter plusieurs impulsions comme le montre la gure (7.2)
(impulsions repres par des ches). La premire impulsion correspond
limpulsion directement transmise par lchantillon, les autres chos de cette
impulsion dans lchantillon sont dus aux rexions au niveau des inter-
faces air-matriau (eet Fabry-Prot). Il est noter que dans le cas de la
gure (7.2), on peut choisir deectuer un fentrage du signal temporel an
de ne conserver que limpulsion directement transmise ou bien de conserver
le signal global avec tous les chos pouvant tre mesurs. Dans le cas de
la gure (7.2), seuls deux chos sortent du bruit et peuvent donc tre
mesurs.
240 Optolectronique trahertz
1
E
THz
.
.
.
.
metteur Rcepteur
air
air
I(t)
I(t+ )
E
THz
metteur Rcepteur
air
I(t)
I(t+ )
Fig. 7.1 Schma de principe dune mesure de spectroscopie THz dans
le domaine temporel THz TDS.
1 000
500
0
500
1 000
1 500
2 000
rfrence
chantillon
0 10 20 30 40 50 60 70
S
i
g
n
a
l
m
e
s
u
r

(
p
A
)
Temps (ps)
Fig. 7.2 Impulsion THz de rfrence et transmise par un chantillon de
verre BK7 de 1,065 mm dpaisseur.
7. Spectroscopie 241
Dtermination de la fonction de transfert complexe de lchantillon
La fonction de transfert complexe de lchantillon dispos entre les an-
tennes mettrice et rceptrice est facilement obtenue en eectuant le rap-
port des spectres des deux mesures temporelles de rfrence et transmise par
lchantillon, spectres obtenus par FFT (cf. paragraphe 6.1.3). On obtient
donc la relation suivante :
T
exp
() =
S
ech
()
S
ref
()
(7.1)
Il est fondamental de noter ici quil sagit bien dune fonction complexe pr-
sentant une amplitude et une phase, ce qui direncie cette fonction de trans-
fert de celle communment obtenue en optique o seule lamplitude est gn-
ralement accessible. Il ne sera donc pas ncessaire de faire appel aux relations
de Kramers-Kronig pour obtenir linformation habituellement manquante.
En revanche, il faudra absolument enregistrer les 2 signaux temporels en
conservant la mme origine des temps (cest--dire la mme position zro de
la ligne retard), an que les spectres frquentiels, obtenus par transforme
de Fourier des signaux temporels, ne soient pas dphass arbitrairement.
Expression analytique de la fonction de transfert complexe
La fonction de transfert complexe dun chantillon peut, moyennant cer-
taines hypothses qui seront dtailles par la suite, sexprimer en fonction
des paramtres matriau de lchantillon, et notamment de son indice de
rfraction complexe :
n = n j (7.2)
Pour crire cette fonction de transfert complexe, nous ferons donc les hypo-
thses suivantes sur les caractristiques du faisceau THz et sur les proprits
de lchantillon mesur :
lchantillon sera suppos :
homogne, plan et faces parallles ;
magntiquement isotrope, et sans charges de surface ;
avoir une rponse lectromagntique linaire ;
le faisceau THz sera suppos collimat et par consquent possder un
front donde plan au niveau de lchantillon.
De plus, on considre le faisceau THz arrivant sur lchantillon sous inci-
dence normale et, dans le cas dun chantillon anisotrope, que le faisceau
THz est polaris rectilignement selon lun des axes dilectriques propres de
lchantillon.
Le champ THz transmis par lchantillon de matriau caractriser (mi-
lieu 1) dpaisseur d peut sexprimer en fonction des coecients de transmis-
sion aux interfaces, du terme de propagation dans le milieu considr, et du
242 Optolectronique trahertz
champ lectrique incident E
inc
THz
() :
S
ech
() = T
air1
() P
1
(, d) T
1air
() E
inc
THz
() FP() (7.3)
o FP() est la contribution due aux rexions multiples (eet Fabry-Prot)
de limpulsion THz aux interfaces air-matriau :
FP() =

k=0
(R
2
1air
() P
2
1
(, d))
k
(7.4)
o lentier k reprsente le nombre dallers-retours eectus par londe dans
lchantillon, et les autres grandeurs sont dnies par les relations suivantes :
coecient de rexion linterface a b
R
ab
() =
n
a
n
b
n
a
+ n
b
(7.5)
coecient de transmission linterface a b
T
ab
() =
2 n
a
n
a
+ n
b
(7.6)
coecient de propagation dans le milieu a, dpaisseur d
P
a
(, d) = e
j
d
c
n
a
(7.7)
En labsence du matriau 1 caractriser, le signal transmis sexprime sim-
plement sous la forme :
S
ref
() = P
air
(, d) E
inc
THz
() (7.8)
La fonction de transfert complexe du milieu 1 est alors obtenue en faisant le
rapport des expressions (7.3) et (7.8) :
T
th
() =
S
ech
()
S
ref
()
=
T
air1
() P
1
(, d) T
1air
()
P
air
(, d)
FP() (7.9)
Cette relation peut encore sexprimer en fonction de lindice complexe du
milieu 1 :
T
th
() =
4 n n
air
( n
air
+ n)
2
exp
_
j( n n
air
)
d
c
_
FP() (7.10)
avec :
FP () =
1
1
_
n n
air
n+ n
air
_
2
exp
_
2 j n
d
c

(7.11)
o n est lindice de rfraction complexe du matriau caractriser.
7. Spectroscopie 243
Extraction des constantes optiques
Connaissant lexpression analytique de la fonction de transfert ainsi
quune valeur exprimentale de cette dernire, il est possible de remonter aux
paramtres matriau de lchantillon mesur. Toutefois, les parties relle n et
imaginaire de lindice de rfraction complexe ne peuvent sexprimer ana-
lytiquement partir de lexpression de la fonction de transfert complexe. Il
convient donc de traiter ce problme lectromagntique inverse laide dune
procdure doptimisation du type Newton-Raphson pour pouvoir extraire n
et partir de la valeur exprimentale de la fonction de transfert complexe
T
exp
(). La dicult de la rsolution du problme rside entre autres dans
le fait que le problme nadmet pas une solution unique mais une innit de
solutions. Cela se comprend aisment dans la mesure o la phase de la fonc-
tion de transfert est dnie modulo 2 . Cette fonction de transfert dpend
galement de lpaisseur d de lchantillon, qui doit donc tre connue et uti-
lise dans la procdure dextraction. Pour plus de dtails sur une procdure
ecace et gnrale dextraction des paramtres optiques dun matriau, il
est conseill de se reporter la rfrence [260].
Un exemple dextraction de lindice de rfraction et du coecient dab-
sorption (obtenu partir de la partie imaginaire de lindice de rfraction
complexe, =
4f
c
) sur un substrat dalumine dpaisseur 1 mm est donn
sur la gure (7.3). Cette extraction a t ralise laide de la procdure
dcrite dans [260]. On remarquera la prcision avec laquelle lindice de r-
fraction du matriau est obtenu.
7.1.2 Cas particuliers
Il est intressant de dtailler un peu plus les deux principaux cas rencon-
trs en pratique lors de la caractrisation dun chantillon. En eet, si lon
se rfre la gure 7.2, celle-ci montre des impulsions transmises spares
temporellement les unes des autres et autorisant ainsi un fentrage temporel :
il sagit du cas o lchantillon est dit optiquement pais , cest--dire que
son paisseur optique (produit de lindice de rfraction par lpaisseur phy-
sique de lchantillon) est suprieure la dure de limpulsion THz. Dans ce
cas, un fentrage temporel peut tre appliqu la mesure an de ne conser-
ver que limpulsion directement transmise. De surcrot, une telle procdure
savre extrmement utile sur le plan pratique puisquil devient inutile de me-
surer tous les chos prsents sur le signal transmis do une forte rduction
du temps de mesure. Lexpression de la fonction de transfert est grandement
simplie, puisque ne comprenant plus le terme FP() :
T
th
() =
4 n n
air
( n + n
air
)
2
exp
_
j( n n
air
)
d
c
_
(7.12)
Pour les chantillons optiquement ns , pour lesquels lpaisseur op-
tique est de lordre ou infrieure la dure de limpulsion THz, il nest plus
244 Optolectronique trahertz
,
,
,
,
, , , ,
Fig. 7.3 Indice de rfraction et coecient dabsorption de lalumine mesurs
par THz TDS.
possible dextraire un cho particulier du signal THz transmis par lchan-
tillon au moyen dun fentrage temporel car les dirents chos se super-
posent : la totalit du signal transmis doit tre mesur. Le terme FP(), qui
prend en compte des chos multiples de limpulsion THz au sein de lchan-
tillon, ne peut plus tre supprim. On doit utiliser la relation (7.10). Nan-
moins, dans le cas dchantillons optiquement ns et fortement absorbants,
le terme FP() tend vers 1 et lon peut nouveau utiliser lexpression sim-
plie (7.12). Un des critres qui peut tre utilis a posteriori pour vrier
la validit de cette simplication consiste extraire les constantes optiques
du matriau avec la relation simplie (7.12), puis calculer le second terme
de la srie (7.4) donnant FP(), savoir :
_
n n
air
n + n
air
_
2
e
2 j
d
c
n
(7.13)
Si ce terme est infrieur au rapport bruit sur signal, alors la simplication
qui a t opre est valide.
7.1.3 Matriaux magntiques
Mme si limmense majorit des matriaux ne prsentent aucune pro-
prit magntique dans le domaine THz (i.e. leur permabilit relative satis-
fait la relation
r
= 1 car les moments magntiques narrivent pas sorienter
7. Spectroscopie 245
la frquence THz), la possibilit de mesurer simultanment la permitti-
vit relative complexe
r
et la permabilit relative complexe
r
dun ma-
triau savre fondamentale lorsque lon sintresse aux mtamatriaux (voir
page 202). Dans ce cas de gure, on va chercher dterminer les quatre
quantits

r
,

r
,

r
,

r
qui reprsentent respectivement les parties relles et
imaginaires des permittivit et permabilit du matriau. Il est ds lors nces-
saire de disposer de quatre paramtres extraits des mesures, or une fonction
de transfert ne donne accs qu deux paramtres au travers de son module
et de sa phase. Il est donc ncessaire de mesurer au moins deux fonctions de
transfert direntes partir du mme matriau. Il existe pour cela plusieurs
possibilits :
mesure des fonctions de transfert en transmission et en rexion pour
le mme chantillon;
mesure des fonctions de transfert en transmission pour deux chan-
tillons du mme matriau prsentant des paisseurs direntes ;
mesure des fonctions de transfert en transmission pour limpulsion THz
directement transmise et son premier cho pour un mme chantillon
optiquement pais.
Les permittivit et permabilit du matriau sont extraites de lindice de
rfraction complexe n et de limpdance donde relative complexe z
r
du ma-
triau via les relations suivantes :
n =
_

r

r
(7.14)
z
r
=
_

r

r
(7.15)
leur tour, n et z
r
sont respectivement extraits du terme de propagation
et des coecients de rexion/transmission dnis prcdemment dans le cas
particulier des matriaux non magntiques et qui, sous incidence normale, se
rcrivent ici [261] :
coecient de rexion linterface a b
R
ab
() =
z
r,b
z
r,a
z
r,b
+ z
r,a
(7.16)
coecient de transmission linterface a b
T
ab
() =
2 z
r,b
z
r,b
+ z
r,a
(7.17)
coecient de propagation dans le milieu a, dpaisseur d
P
a
(, d) = e
j
d
c
n
a
(7.18)
246 Optolectronique trahertz
Le mme type danalyse que celui prsent prcdemment dans le cas de ma-
triaux non magntiques peut tre fait ici en utilisant les nouvelles dnitions
des termes de propagation, rexion et transmission. Le lecteur pourra se re-
porter la rfrence [261] pour plus de dtails et galement an de disposer
dune analyse comparative entre les trois possibilits de mesure de
r
et
r
voques plus haut.
Exemple de spectres dabsorption de gaz mesurs par THz-TDS
Nous savons que la rsolution frquentielle de la technique de spectro-
scopie THz dans le domaine THz est de quelques GHz. Il est donc illusoire
de vouloir employer cette technique pour raliser de la spectroscopie molcu-
laire haute rsolution, trs utile en physique atomique et en astrophysique
pour ltude de niveaux nergtiques de molcules sous forme gazeuse. En
revanche, on peut ainsi obtenir des spectres trs larges avec un temps den-
registrement trs court, typiquement de quelques minutes.
La gure (7.4) donne un exemple de signal temporel enregistr en atmo-
sphre ambiante. La prsence de raies dabsorption de la vapeur deau pr-
sente dans lair ambiant, et spectralement nes, conduit dans le domaine tem-
porel des oscillations sur un temps trs long, comme observ sur la gure.
Ces raies sont bien visibles sur le spectre du signal temporel (gure (7.5)).
Fig. 7.4 Signal temporel obtenu par une exprience impulsionnelle en pr-
sence de vapeur deau.
La gure (7.6) donne un exemple de rsultats sur la molcule de OCS,
le gaz analyser tant enferm dans une cellule en verre (gnralement avec
des fentres en quartz) plac entre lmetteur et le rcepteur THz. On ob-
serve, dans le spectre, des raies dabsorption espaces rgulirement, comme
attendu pour des niveaux rotationnels (voir le chapitre sur les principes phy-
siques de base). Ce spectre priodique transpos dans le domaine temporel
7. Spectroscopie 247
(
U
.
A
)
1 000
,
1 250 1 500
Fig. 7.5 Transforme de Fourier du signal temporel (gure (7.4)), les raies
dabsorption repres correspondent la vapeur deau prsente sur le trajet
optique.
Fig. 7.6 Exemple du sulfure de carbonyle OCS : rponse temporelle.
248 Optolectronique trahertz
correspond une srie dchos arrivant intervalle de temps constant
(gure (7.7)). Le lecteur peut se demander comment il est possible de d-
tecter des signaux bien aprs le passage de limpulsion THz. En fait, dans
le cas particulier dOCS, il faut se souvenir que cette molcule est linaire,
et donc prsente un spectre form dun ensemble de raies rgulirement es-
paces. Cest cette particularit qui lui donne la possibilit de rmettre des
signaux transitoires qui sont les signaux de prcession libre de la molcule.
1 000
Fig. 7.7 Exemple du sulfure de carbonyle OCS : spectre.
7.1.4 Performances de la THz TDS
La spectroscopie THz dans le domaine temporel est devenue une tech-
nique de mesure mature qui en est au stade du transfert industriel. Comme
nous lavons dj soulign dans le paragraphe 6.1.5 ddi aux sources de bruit,
cette technique de mesure prsente actuellement une dynamique de mesure
de 65 dB (i.e. une capacit mesurer des puissances THz dans un rapport
de un plus dun million!). Cependant, la prcision de dtermination des
constantes optiques nest pas uniquement dtermine par la dynamique de
mesure. En eet, outre les sources de bruit dj mentionnes, il faut consi-
drer de nombreuses autres sources dincertitude :
les possibles rexions parasites de limpulsion THz mise dans les dif-
frents lments optiques du banc de mesure ;
les possibles dfauts dorientation de la polarisation de limpulsion THz
dans le cas de la caractrisation de matriaux anisotropes ou encore de
matriaux isotropes sous incidence oblique ;
langle dincidence du faisceau THz sur lchantillon;
le paralllisme des faces de lchantillon;
la qualit optique des faces de lchantillon;
7. Spectroscopie 249
lincertitude sur lpaisseur de lchantillon;
et enn la divergence du faisceau THz au niveau de lchantillon.
Parmi ces direntes sources derreur non lies au bruit, il est assez facile de
saranchir de certaines. Par exemple, lajout dun polariseur grille permet
aisment dliminer en grande partie la deuxime source derreur. Il est ga-
lement facile de connatre lordre de grandeur de lincertitude lie certaines
sources dincertitude en procdant une tude statistique. Par exemple, lin-
certitude lie langle dincidence du faisceau THz sur lchantillon peut tre
facilement tudie en ayant recours plusieurs mesures eectues avec un re-
positionnement systmatique de lchantillon. Lorsque le banc de mesure est
optimis et que les chantillons sont convenablement prpars, on saper-
oit que seules les deux dernires sources dincertitude listes prcdemment
continuent poser problme dans le sens o ce sont elles qui sont lorigine
de la quasi-intgralit de lincertitude obtenue sur les constantes optiques ex-
traites [262]. En eet, lincertitude sur lpaisseur de lchantillon conduit
une incertitude sur la partie relle de lindice de rfraction du matriau den-
viron un ordre de grandeur suprieure celle engendre par toutes les autres
sources dincertitude, sources de bruit comprises lorsquil sagit de matriaux
prsentant une bonne transparence. La meilleure solution pour saranchir de
lincertitude sur lpaisseur de lchantillon est en fait de la dterminer gale-
ment par spectroscopie THz TDS. Pour cela, il est ncessaire de disposer dun
paramtre supplmentaire extrait des mesures, comme par exemple la fonc-
tion de transfert en transmission dun cho de limpulsion THz directement
transmise. Le lecteur pourra se reporter la rfrence [262] pour un traite-
ment dtaill de plusieurs mthodes dextraction simultane des constantes
optiques et de lpaisseur de lchantillon. Au moyen de ce type de mthode,
il est possible de dterminer lpaisseur moyenne de lchantillon vue par le
faisceau THz avec une prcision de lordre de 2 m seulement, soit environ
/100 ! Il en rsulte une incertitude sur lindice qui peut, selon lchantillon,
tre lgrement infrieure 10
2
! Lincidence des sources de bruit au niveau
de lincertitude sur n est typiquement de 510
3
. Mais, dans le cas dchan-
tillons optiquement pais, il est possible de rduire cette incidence des sources
de bruit en nextrayant pas lindice de rfraction partir de limpulsion THz
directement transmise mais partir de lcho dordre 2 : la contribution
des sources de bruit lincertitude sur n peut alors tre rduite seulement
210
3
[259] ! En rsum, une approche mtrologique de la mesure de n avec
identication des direntes sources dincertitude et recherche de mthodes
visant rduire leur contribution permet dobtenir un gain trs notable de
prcision. Lorsque les direntes mthodes prcites sont utilises, on peut
estimer que lincertitude minimale sur n, pour les matriaux prsentant une
bonne transparence, est donne par la relation :
n
n
d
_
d +
10

D(f
max
)
20
c
2 f
max
(f
max
)
_
(7.19)
250 Optolectronique trahertz
o d et d reprsentent respectivement lpaisseur et lincertitude sur lpais-
seur de lchantillon. f
max
, (f
max
) et D(f
max
) sont respectivement la fr-
quence correspondant au maximum de la densit spectrale de signal THz
gnr, le module de la fonction de transfert de lchantillon en transmis-
sion ainsi que la dynamique de mesure (exprime en dB) pour cette mme
frquence. Enn, c reprsente la clrit de la lumire dans le vide.
En ce qui concerne lincertitude sur le coecient dabsorption, le pro-
blme est plus complexe. En eet, en traversant lchantillon dont lindice de
rfraction est dirent de celui de lair, les paramtres du faisceau THz sont
modis comme la position de son waist . Ainsi la focalisation du fais-
ceau THz se trouve lgrement modie au niveau de lantenne rceptrice et
cet eet est dautant plus marqu que le produit (n1)d est lev. Cest ainsi
que le coecient dabsorption de matriaux faiblement absorbants, extrait
par rsolution du problme lectromagntique inverse, peut tre ngatif ! Cela
se comprend aisment car, dans le cas de matriaux faiblement absorbants,
il est ncessaire davoir des chantillons de forte paisseur pour pouvoir me-
surer une rduction signicative de lamplitude de limpulsion THz rsultant
de labsorption intrinsque du matriau. On se retrouve alors prcisment
dans le cas o le produit (n 1)d est lev, ce qui engendre un fort biais
exprimental pouvant conduire des rsultats aberrants. Ainsi, paradoxa-
lement, lincertitude absolue de mesure de labsorption est plus faible pour
les matriaux modrment absorbants que pour les matriaux transparents,
ces derniers continuant poser de vritables dicults au niveau mtrolo-
gique : il faut alors se tourner vers des techniques de mesure mettant en jeu
le guidage des ondes THz dans le matriau tudier, lorsque cela est pos-
sible. Comme pour lindice, lincertitude lie aux sources de bruit peut tre
rduite en considrant lcho dordre 2 plutt que limpulsion THz directe-
ment transmise [263]. Bien que lon ne puisse fournir de formule analytique
donnant lordre de grandeur de lincertitude sur le coecient dabsorption,
on peut nanmoins estimer que cette dernire est au mieux de lordre dune
fraction de cm
1
.
7.2 Sources optolectroniques utilises
en spectroscopie THz
Les sources optolectroniques utilises en spectroscopie lheure actuelle
dans les laboratoires se composent de 2 grands types que nous dcrirons
succinctement la suite :
les sources impulsionnelles ;
les sources continues.
Notons encore une fois que dautres sources optolectroniques existent (les la-
sers cascade quantique par exemple), mais nous ne prsenterons dans ce pa-
ragraphe que les sources qui sont actuellement utilises dans des applications
7. Spectroscopie 251
de laboratoire (le passage du laboratoire vers lindustrie pourrait se faire dans
un avenir proche pour ce type de sources).
7.3 Spectroscopie dans le domaine frquentiel
Les spectromtres THz pour le domaine frquentiel sont drivs des ap-
pareils fonctionnant dans le domaine optique : spectromtres rseau, inter-
fromtres de Michelson, talons de Prot-Fabry, etc. Cependant, un appareil
spcique a pris une place dominante en spectroscopie dans linfrarouge, et
en particulier dans linfrarouge lointain. Il sagit du spectromtre transfor-
me de Fourier, que nous dcrirons en dtail. Son avantage principal est de
fonctionner avec une source spectrale tendue (avantage dit de Jacquinot ),
et dclairer le dtecteur avec lensemble des composantes spectrales de la
source, donc de faire fonctionner le dtecteur en (relativement) forts signaux
dans le but dun meilleur rapport signal sur bruit (avantage de Fellgett ).
Par ailleurs, les nouvelles techniques optolectroniques, comme la gnra-
tion THz le battement de frquences optiques, permettent de concevoir des
sources THz monochromatiques, dont la frquence THz est ajustable sur une
grande plage. Dans ce cas, les tudes spectroscopiques deviennent relative-
ment simples, puisquon ne doit plus discriminer les direntes frquences
lors de la mesure comme avec les autres techniques.
7.3.1 Quelques principes de base sur linstrumentation
Il existe plusieurs mthodes pour enregistrer le spectre dmission dune
source ou le spectre dabsorption dune substance. Les spectromtres ont en
commun les lments suivants :
une source de rayonnement adapte au domaine spectral souhait ;
le dispositif de slection de longueur donde ;
le dispositif de positionnement de lchantillon au sein du faisceau;
le dtecteur et lenregistreur.
Cest loptimisation de tous ces lments, compte tenu du domaine de lon-
gueur donde tudi et de la nature de lchantillon (solide, liquide ou gaz),
qui permet dobtenir un spectre de qualit. Classiquement, obtenir un spectre
de transmission consiste illuminer lchantillon avec une source monochro-
matique accordable et enregistrer le rapport entre lintensit du faisceau
ayant travers lchantillon et lintensit du signal lilluminant en fonction
de la longueur donde de la source, longueur donde que lon fait varier pour
couvrir lensemble du spectre souhait. Il est galement possible dillumi-
ner lchantillon au moyen dune source large bande couvrant la totalit du
spectre souhait et de dtecter lensemble des radiations transmises au travers
dun signal complexe nomm interfrogramme, partir duquel on calcule le
spectre par transformation de Fourier (cf. paragraphe 6.1.3). Cette mthode
fait partie de la famille des mthodes multiplex.
252 Optolectronique trahertz
La qualit des mesures est intrinsquement lie aux imperfections des
dtecteurs utiliss, lesquels font apparatre :
un bruit de dtection (variations alatoires autour de la valeur moyenne
aectant la prcision de mesure) ;
un signal dobscurit dtect en labsence de source (dnissant le seuil
de mesure) caractre systmatique.
Un dtecteur performant doit prsenter un faible signal dobscurit et un
trs faible bruit de dtection an de garantir un rapport signal sur bruit
lev. Dans le domaine THz, on utilise principalement des dtecteurs ther-
miques (de type bolomtrique) qui sont sensibles la chaleur dgage par
labsorption des photons THz de la source par un lment absorbant.
7.3.2 Spectromtres rseau ou talon
On peut transposer les techniques optiques dans le domaine de linfra-
rouge lointain. Aussi, on trouvera pour linfrarouge lointain des spectromtres
prisme, rseau de diraction ou talon de Fabry-Prot. Nanmoins, les
spectromtres prisme [264] ne sont plus utiliss de nos jours car les mat-
riaux dilectriques ne sont ni assez dispersifs et ni assez transparents dans
le domaine THz. Les spectromtres rseau ou talon sont employs pour
leur simplicit. Dans les spectromtres rseau, les direntes frquences
du signal THz sont diractes dans des directions direntes. La formule de
diraction du rseau impose :
sin +m
c
f d
= sin
m
(7.20)
o f est la frquence, d est la priode du rseau, et
m
sont les angles
dincidence et de diraction du faisceau, et m est un entier. Leet diractif
est fort lorsque la longueur donde du faisceau est de lordre de grandeur
de la priode du rseau. Il faut donc fabriquer des rseaux de diraction de
priode submillimtriques, ce qui est assez facile mcaniquement ou bien par
des techniques de lithographie. En revanche, la rsolution spectrale du r-
seau tant gale au nombre de traits clairs, il faut un rseau de plusieurs
dizaines de cm de diamtre pour obtenir une rsolution infrieure au GHz
dans le domaine THz. Cette contrainte limite lemploi de ces appareils
des applications pour lastronomie. Les talons de Fabry-Prot constituent
des spectromtres condition quun des miroirs puisse tre dplac [265].
Dans linfrarouge lointain, les miroirs sont le plus souvent des grilles mtal-
liques [266]. On trouve aussi des systmes mettant en jeu plusieurs lames
faces parallles de matriau haut indice, comme du silicium. Dans tous les
cas, la haute rsolution ne peut tre obtenue quavec un faisceau incident le
plus parallle possible, ce qui impose gnralement un diamtre du dispositif
de plusieurs cm. Il faut bien noter que ces quipements (rseaux, talons)
ne sont plus utiliss que dans des cas particuliers, comme en astronomie
7. Spectroscopie 253
millimtrique. Dans les laboratoires, ils ont t supplants par les spectro-
mtres transforme de Fourier qui font lobjet du paragraphe suivant.
Le tableau (7.1) donne les ordres de grandeur de rsolution frquentielle
des dirents types de spectromtres, ainsi que leur bande passante norma-
lise.
Type Rsolution
f
f
Bande passante
f
f
rseau 1 500 100
Fabry-Prot 2 000 10
transforme de Fourier 5 000 3
dtection htrodyne 300 000 500
Tab. 7.1 Caractristiques compares des spectromtres employs pour ana-
lyser les signaux THz continus.
7.3.3 Spectromtre infrarouge transforme de Fourier
Nous allons dans ce paragraphe dcrire les dirents lments constituant
un spectromtre transforme de Fourier ainsi que son fonctionnement. La
plupart des ralisations commerciales sont bases sur lutilisation dun inter-
fromtre de Michelson.
Principe de fonctionnement [267]
La spectroscopie transforme de Fourier a t initialement propose
indpendamment en 1954 par P. Jacquinot et P. Fellgett [268] qui staient
rendu compte quun interfromtre de Michelson pouvait fournir la transfor-
me de Fourier de la distribution spectrale de la source lumineuse employe
dans lappareil. Lenregistrement du signal, puis une transforme de Fourier
inverse avec un ordinateur conduisent ainsi au spectre de la source. Repre-
nons ici les formules de base permettant de retrouver ce rsultat.
Un interfromtre de Michelson est un interfromtre 2 ondes qui sera
dcrit plus loin. Les deux ondes, cres partir du faisceau lumineux in-
cident par une lame semi-rchissante, arrivent sur le dtecteur avec une
dirence de phase induite par la dirence de chemin optique x entre
les deux bras de linterfromtre. Supposons dans un premier temps que la
source soit monochromatique, de pulsation optique . Soit E
1
(t) = E
o
e
j t
et E
2
(t) = E
o
e
j ( t+)
les deux champs optiques au niveau du dtecteur
( est le rapport entre les deux amplitudes sur le dtecteur). Lintensit d-
tecte
1
sera gale :
I() =
I
o
8
_
1 +
2
+ 2 cos
_
(7.21)
1
On prend la valeur moyenne dans le temps du module carr de la somme des 2 champs.
254 Optolectronique trahertz
1
0,5
0
0,5
1
1,5
0 1 2 3 4 5
A
m
p
l
i
t
u
d
e
(
U
.
A
.
)
Position (mm)
Fig. 7.8 Interfrogramme enregistr avec un spectromtre transforme
de Fourier dans linfrarouge lointain (Donnes aimablement fournies par les
collgues de la ligne AILES du synchrotron Soleil Orsay).
o, dans le cas dune lame semi-rchissante parfaite ( = 1), I
o
est linten-
sit du faisceau lumineux incident. La dirence de phase est gale =

c
x.
Il est donc possible dcrire lintensit dtecte non pas en fonction de la dif-
frence de phase, mais plutt en fonction de la dirence de chemin optique x
qui peut tre facilement mesure et que lon peut faire varier en dplaant
un des miroirs de linterfromtre :
I(x) =
I
o
8
_
1 +
2
+ 2 cos
_

x
c
__
(7.22)
On remarque dj que le signal mesur en faisant varier le chemin x,
signal appel interfrogramme, est la somme dun terme constant et dun
terme sinusodal (gures (7.8) et (7.9)). Ce terme variable est proportionnel
la transforme de Fourier de la source monochromatique, transforme pour
laquelle les deux variables conjugues sont ici la pulsation et le temps qui-
valent x/c. On remarque aussi que si la lame semi-rchissante est parfaite
( = 1), lexpression prcdente scrit simplement :
I(x) =
I
o
4
_
1 + cos
_

x
c
__
(7.23)
Lorsque la source lumineuse nest pas monochromatique, on somme les contri-
butions de toutes les composantes spectrale de la source :
I(x) =

_
0
I
o
()
8
__
1 +()
2
+ 2() cos
_

x
c
___
d (7.24)
7. Spectroscopie 255
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
M
o
d
u
l
e
d
u
s
p
e
c
t
r
e
(
U
.
A
.
)
Frquence (THz)
Fig. 7.9 Spectre (module) de linterfrogramme de la gure (7.8) (Donnes
aimablement fournies par les collgues de la ligne AILES du synchrotron
Soleil Orsay).
= C
te
+

_
0
I
o
()
4
() cos
_

x
c
_
d (7.25)
En posant I
o
()() = I
o
()(), on obtient nalement :
I(x) = C
te
+
1
4
+
_

I
o
()()e
j
x
c
d (7.26)
Soit, en soustrayant le terme constant :
I(x) =
1
4
+
_

I
o
()()e
j
x
c
d (7.27)
On dtermine le spectre I
o
() de la source par transforme de Fourier inverse :
I
o
() = 4
+
_

I
o
(x)e
j
x
c
dx (7.28)
Nous avons suppos ici que le terme () ne dpend pas de la pulsation
, ce qui est gnralement vrai dans linfrarouge lointain condition dem-
ployer pour lame semi-rchissante une grille mtallique de priodicit sub-
longueur donde. Le principe de la spectroscopie transforme de Fourier
256 Optolectronique trahertz
repose sur la relation (7.28). En eet, le spectre de la source est donc pro-
portionnel la transforme de Fourier inverse de linterfrogramme I
o
(x). Il
faut donc enregistrer la partie variable du signal dtect en fonction de la
dirence x de chemin optique entre les deux bras de linterfromtre, puis
eectuer une transforme de Fourier inverse par voie numrique. Si, dans
les annes 1950, eectuer la transforme inverse de linterfrogramme rele-
vait pratiquement de lutopie, aujourdhui les techniques numriques dites
FFT (voir page 223) permettent dobtenir des spectres partir des interf-
rogrammes dans des temps trs courts, pratiquement en temps rel.
Linterfrogramme rel I(x) est enregistr sur une longueur gomtrique
qui nest pas innie, mais qui est limite par la longueur x
max
de la platine
de dplacement dun des miroirs de linterfromtre. On crit simplement que
linterfrogramme rel est gal linterfrogramme idal que multiplie une
fonction rectangle T(x) qui est gale 1 pour x variant entre 0 et x
max
, et
qui est nulle ailleurs :
I(x) = I
o
(x) T(x) (7.29)
Le spectre dtermin exprimentalement est donc le produit de convolu-
tion () du spectre rel par la transforme de Fourier de la fentre :
I() = 4
+
_

I
o
(x) T(x)e
j
x
c
dx (7.30)
= I
o
() TF(T(x)) = I
o
() sinc
_

x
max
c
_
(7.31)
La rsolution spectrale de linstrument correspond sa rponse une onde
monochromatique, cest--dire la fonction sinus cardinal dans lexpression
prcdente. La largeur spectrale de ce sinus cardinal est :
f =

2
=
c
2 x
max
(7.32)
La limite de rsolution du spectromtre transforme de Fourier est de
1 GHz pour 7,5 cm de dplacement du miroir (soit 15 cm pour laller-retour
eectu par la lumire), mais pour atteindre 1 MHz, il faudrait un dplace-
ment de 75 m! Aussi les spectromtres commerciaux atteignent au mieux la
centaine de MHz de rsolution. Rappelons que, selon le critre de Rayleigh
(gure (7.10)), deux raies de mme intensit seront considres comme s-
pares (ou encore rsolues) si le maximum de lune concide avec le premier
minimum de lautre.
Lapplication de ce critre ncessite de disposer au moins de quelques
points par raie. An daugmenter ce nombre de points pour obtenir visuelle-
ment un spectre grandement amlior du point de vue visuel, une mthode
rapide consiste augmenter articiellement la taille de linterfrogramme en
ajoutant des zros ses extrmits, zones o les valeurs seraient de toute
7. Spectroscopie 257
Fig. 7.10 Critre de Rayleigh.
faon quasi nulles. Cette procdure est traite dans le paragraphe 6.1.3 ddi
la transforme de Fourier. Cette procdure augmente le temps de calcul
et le volume ncessaire pour stocker le spectre, mais la dnition graphique
sen trouve grandement amliore. Il est important de noter que cet artice
de calcul namliore en rien la rsolution du spectre.
Description du spectromtre
La plupart des spectromtres transforme de Fourier sont construits
partir dun interfromtre de Michelson. Cet interfromtre (gure (7.11))
est constitu de deux miroirs plans perpendiculaires dont lun est xe (M
1
)
et lautre mobile (M
2
). Une lame semi-rchissante S, appele sparatrice
et incline 45

par rapport la direction de propagation du rayonnement


incident est place au centre du montage. Si lon claire le dispositif avec
un faisceau parallle issu dune source ponctuelle (gnralement une lampe
spectrale mercure, qui se comporte comme un corps noir dans linfrarouge
lointain, munie dun condenseur et dune fente place au foyer dun miroir
parabolique), la sparatrice S ddouble le faisceau incident en un faisceau
transmis vers M
1
et un faisceau rchi vers M
2
. Ces deux faisceaux sont
rchis par les miroirs M
1
et M
2
. leur retour sur la sparatrice, chacun
deux est nouveau ddoubl en un faisceau transmis et un faisceau rchi.
Les faisceaux mergeants sont de mme amplitude et peuvent interfrer la
sortie de linstrument. La sparatrice est soit un lm de Mylar ou de polythy-
lne de quelques microns dpaisseur, soit une grille mtallique (ls parallles,
croisillons...) dont la priode est plus petite que la longueur donde. Contrai-
rement aux lms dilectriques, la transmission des grilles dpend trs souvent
de la polarisation du faisceau THz. Si les deux miroirs sont gale distance
de la sparatrice, les chemins optiques suivis par les deux faisceaux sont iden-
tiques et ils mergent en phase. Si en revanche, le miroir mobile est translat
de x/2, le chemin optique du premier trajet augmente de x (indice de lair
1) et les deux faisceaux sont alors dphass de =

c
x =
2

x. Pour analy-
ser des signaux trs large bande, la lame semi-rchissante S doit prsenter
des coecients de rexion et de transmission le moins dispersifs possible.
258 Optolectronique trahertz
Fig. 7.11 Schma de principe dun spectromtre infrarouge transforme
de Fourier.
Dans linfrarouge trs lointain, les grilles de ls mtalliques possdent cette
qualit. Un interfromtre construit avec une grille de ls mtalliques comme
lame semi-rchissante sappelle un interfromtre de Martin-Puplett. Le
caractre polarisant de la grille fait que les polarisations des ondes transmise
et rchie sont perpendiculaires, ce qui oblige tourner de 90

la polarisa-
tion dans lun des bras de linterfromtre pour pouvoir faire interfrer les
ondes. Ceci est gnralement ralis en remplaant un des miroirs par un
systme rtro-recteur. Le dtecteur employ dans ces instruments est une
cellule de Golay, ou bien un bolomtre. Le faisceau THz est focalis par une
lentille (polythylne ou quartz) dans un guide donde mtallique en forme de
cornet, lextrmit duquel est plac le dtecteur. Gnralement, la lumire
parasite infrarouge ou visible est arrte laide de ltres (polythylne noir)
placs devant le dtecteur.
Spectres FTIR dchantillons
On distingue deux types de caractrisation dchantillon possibles avec un
spectromtre transforme de Fourier. Dans la plupart des cas, lchantillon
est plac devant le dtecteur. On mesure ainsi uniquement la transmission en
intensit de lchantillon. Mais on peut aussi placer lchantillon dans un bras
de linterfromtre. On a alors accs lamplitude et la phase du signal,
comme expliqu ci-aprs : cette mthode est trs proche de la spectroscopie
THz dans le domaine temporel. Ici, les faisceaux dans chacun des deux bras de
linterfromtre sont des faisceaux THz, alors quen spectroscopie temporelle,
7. Spectroscopie 259
le faisceau THz ne se propage que dans une partie limite du montage qui
ressemble beaucoup un interfromtre de Mach-Zehnder.
Pour raliser une analyse quantitative du spectre dun chantillon ob-
tenu par spectromtrie transforme de Fourier, il est ncessaire de raliser
deux mesures, lune en labsence dchantillon et la seconde en prsence de
lchantillon. La procdure de mesure est la suivante :
mesure de linterfrogramme I
ref
(x) de rfrence, spectromtre sans
chantillon;
calcul de la transforme de Fourier du spectre de rfrence ;
mesure de linterfrogramme I
dst
(x) de lchantillon, spectromtre avec
chantillon;
calcul de la transforme de Fourier du spectre de lchantillon;
calcul du rapport entre les courbes spectrales.
La rfrence et lchantillon tant mesurs successivement, la stabilit est
une caractristique essentielle pour un interfromtre. La stabilit concerne
videmment la source infrarouge, le dtecteur, mais galement la composition
de latmosphre, cest--dire sa teneur en vapeur deau et en gaz carbonique,
si lon ne travaille pas sous vide.
La dtermination des paramtres de lchantillon se ralise de la faon
suivante. Supposons que lchantillon soit une lame faces parallles dpais-
seur d/2 place dans un bras de linterfromtre et que lon sintresse uni-
quement la composante spectrale de pulsation , et que la mme intensit
lumineuse circule dans chacun des bras de linterfromtre. On crit alors le
champ total reu par le dtecteur en fonction de lindice de rfraction n()
du matriau, et du coecient t() de transmission (du champ lectromagn-
tique) de lchantillon.
E(, x) = E
o
()e
j t
+E
o
()t()e
j
_
t+
x+(n( )1)d
c
_
(7.33)
La dirence de chemin optique entre les deux bras est (x + (n( ) 1) d).
Lintensit dtecte en prsence de lchantillon scrit :
I(, x) = I
o
()
_
1 +t
2
() + 2t() cos
_

c
(x + (n( ) 1) d)
__
(7.34)
Comme prcdemment, on somme ensuite sur toutes les frquences du spectre
incident et on ne retient que la partie variable suivant x de lintensit totale :
I(x) =
1
4
_
I
o
()t()e
j

c
(x+(n( )1)d)
d (7.35)
On eectue ensuite la transforme de Fourier inverse de linterfrogramme :
I
o
()t()e
j

c
(n( )1)d
= 4
_
I(x)e
j

c
x
dx (7.36)
260 Optolectronique trahertz
En labsence dchantillon, on mesure le signal de rfrence et on obtient
aprs transformation de Fourier inverse :
I
o
() = 4
_
I
ref
(x)e
j

c
x
dx (7.37)
Finalement, toute linformation concernant lchantillon (indice de rfrac-
tion et coecient dabsorption) est contenue dans le rapport des signaux
frquentiels, qui est gal au rapport des transformes de Fourier des interf-
rogrammes mesurs avec et sans chantillon :
T() = t()e
j

c
(n()1)d
=
_
I(x)e
j

c
x
dx
_
I
ref
(x)e
j

c
x
dx
=
TF (I(x))
TF (I
ref
(x))
(7.38)
Les procdures dextraction de lindice de rfraction et du coecient dab-
sorption sont similaires celles dcrites pour la spectroscopie THz dans le
domaine temporel.
7.3.4 Spectroscopie avec une source THz monochromatique
de longueur donde ajustable
On utilise ici une technique de photomlange pour crer le rayonne-
ment THz (voir page 156). Un exemple typique de spectromtre est prsent
la gure (7.12). Deux lasers Ti:Sa continus oscillant autour de 800 nm de
longueur donde (375 THz) sont employs pour exciter le photomlangeur.
Les deux faisceaux laser sont spatialement superposs pour tre ensuite injec-
ts dans une bre optique mono-mode maintien de polarisation, assurant de
ce fait un parfait accord entre les modes transverses des faisceaux de pompe.
Une lentille assure la focalisation des deux rayonnements sur le photom-
langeur. Le terme de battement est transform en photocourant pour tre
ensuite rayonn par lantenne spirale. Une lentille hyperhmisphrique en si-
licium haute rsistivit collecte le rayonnement THz larrire du dispositif
suivie dun premier miroir parabolique pour collimater le rayonnement an
de le diriger dans une cellule dabsorption.
Les faibles puissances rayonnes, jamais plus du W au-del de 1 THz,
ncessitent le plus souvent une dtection cryognique refroidit 4,2 K. Il
sut alors de faire varier la longueur donde de lun des 2 lasers pour se
placer une frquence THz choisie ou la balayer de faon continue pour
tudier linteraction du rayonnement THz avec le gaz sous tude.
La rponse en frquence de lexprience est prsente la gure (7.13).
Nous constatons une totale accordabilit sur plus dune dcade de frquence
associe une dynamique suprieure 40 dB. Cest basse frquence
(200 GHz) que la puissance disponible est maximale et value quelques
centaines de nanowatt. Autour de 1 THz, seuls quelques nW sont dtects
et quelques pW 3 THz. Ds 800 GHz, la puissance rayonne chute trs
rapidement avec une pente estime 16 dB/octave.
7. Spectroscopie 261
Fig. 7.12 Vue schmatique dun spectromtre tirant prot dune technique
de photomlange.
Fig. 7.13 Puissance THz dtecte laide dun bolomtre silicium en fonc-
tion de la dirence de frquence entre les deux lasers Sa:Ti.
262 Optolectronique trahertz
, ,
U
.
A
.
, , , , , , ,
Fig. 7.14 Dtection dune transition dhydrogne sulfur autour de 3 THz
(croix = points mesurs, trait continu = courbe calcule).
Malgr tout, il reste possible dexploiter le banc de spectroscopie jus-
qu 3 THz du fait des excellentes caractristiques de bruit des dtecteurs
cryogniques. la gure (7.14), une transition rotationnelle de lhydrogne
sulfur (H2S) a t enregistre au-del de 3 THz, frquence ultime dune telle
technique. Une autre proprit importante (voir introduction de ce prsent
chapitre) concerne la puret spectrale qui dans ce cas dpend de celles des
lasers de pompe : nous lavons estime 5 MHz. En stabilisant les lasers plus
ecacement, il doit tre possible damliorer sensiblement cette valeur, mais
avec pour consquence une agilit bien moindre en accordabilit.
La technique de photomlange possde donc de nombreux atouts pour
lutiliser comme source de rayonnement dans un spectromtre. Sa trs large
accordabilit et sa relative bonne puret spectrale en sont ses atouts princi-
paux. En revanche les faibles puissances disponibles ncessitent les dtecteurs
les plus performants et restreint de fait son champ dinvestigation aux seuls
laboratoires de recherche (du moins pour le moment).
Une autre dicult rside dans la mtrologie de frquence. Si ce stade
de lanalyse, il est tabli que la frquence du rayonnement THz mis est gale
la dirence de frquence des deux lasers de pompe, une prcision absolue
de 1 MHz exige au moins la mme prcision sur celles des lasers Sa:Ti. La
frquence associe une longueur donde de 800 nm est 375 THz, et une
telle exigence requiert une prcision relative de 10
9
! Aucune solution com-
merciale nest disponible. On tire alors prot de transitions spectroscopiques
talon, qui permettent par interpolation et/ou extrapolation de rsoudre au
moins en partie le problme.
7. Spectroscopie 263
7.3.5 Comparaison des techniques
En conclusion, essayons de comparer les techniques les plus employes,
donc les instruments que lon peut acheter dans le commerce ou construire
facilement. Les techniques sont comparables en termes de rsolution frquen-
tielle (0,1 cm
1
3 GHz), sauf si lon utilise des sources monochromatiques
dont on peut faire varier la longueur donde (battement optique). Intrinsque-
ment, la spectroscopie infrarouge par transforme de Fourier prsente la plus
grande bande passante, mais au prix dune dtrioration du rapport signal
sur bruit [269]. Au-dessus de 5 THz, la spectroscopie infrarouge par transfor-
me de Fourier ore potentiellement les meilleures performances. Cependant,
le principal atout de la spectroscopie THz dans le domaine temporel rside
dans sa sensibilit et la mesure quantitative de lamplitude et de la phase du
signal sur un spectre trs tendu ainsi que la possibilit danalyser les tran-
sitoires ultrabrefs par des mesures de type pompe optique-sonde THz. Nous
avons dj crit que nalement spectroscopie THz dans le domaine temporel
et spectroscopie transforme de Fourier prsentaient bien des similitudes
dans leurs principes. Cependant, la technique temporelle est base sur un
fentrage temporel autour du signal utile. Les signaux en dehors de cette
fentre ne perturbent pas le signal utile, conduisant une grande dynamique
de mesure et permettant ainsi des mesures rapides (spectres pouvant tre
enregistrs en moins dune seconde ! [270]) et temprature ambiante. La
possibilit denregistrer un spectre en un temps aussi court permet denvisa-
ger de raliser de limagerie rsolue spectralement (imagerie hyperspectrale)
dans le domaine THz.
This page intentionally left blank
Chapitre 8
Imagerie
8.1 Introduction
Le domaine des ondes THz est lune des rgions les moins tudies du
spectre lectromagntique, et ceci est encore plus notable dans le domaine
de limagerie. Il tait jusqu prsent dicile de gnrer et de dtecter du
rayonnement THz. Cependant, ces dicults sont progressivement surmon-
tes, comme le montre plusieurs chapitres de ce livre, principalement par
lutilisation dimpulsions lectromagntiques ultracourtes utilisant loptique
non linaire et des dispositifs photoconducteurs. En particulier, la spec-
troscopie THz dans le domaine temporel est lune des techniques les plus
intressantes pour limagerie dans ce domaine spectral.
De nombreuses techniques dimagerie sont actuellement disponibles pour
observer un objet en deux ou trois dimensions. Limagerie par rayons X
possde de nombreux avantages, qui la rendent un outil indispensable en
mdecine et dans le diagnostic. Cependant, les rayons X sont ionisants, et
donc prsentent un danger pour les organismes vivants. La rsolution spa-
tiale nest pas directement limite par la diraction, mais par la diusion
Rayleigh, environ 50 m. De plus, de nombreux matriaux, en particulier
les tissus biologiques mous, sont indiscernables en imagerie par rayons X.
Lorsquun haut contraste est ncessaire, lImagerie par Rsonance Magn-
tique (IRM), qui est principalement sensible la concentration en eau des
matriaux, est souvent utilise. Mais la rsolution spatiale est limite en-
viron 0,5 mm. Dautres techniques, comme la Tomographie par mission de
Positron (TEP) ou lchographie prsentent galement dautres formes de
contraste. On peut enn citer les nouvelles techniques de loptique, comme
la tomographie optique cohrente (OCT), o les imageries multiphotoniques,
qui possdent une trs bonne rsolution spatiale, mais peu de profondeur de
pntration (quelques mm). Les radiations THz, de par leurs caractristiques
spectroscopiques uniques, orent de nouvelles perspectives quant leur utili-
sation dans le domaine de limagerie. Avec une trs faible nergie par photon
266 Optolectronique trahertz
(4 meV 1 THz), elles sont sans danger pour les milieux biologiques [271].
Compte tenu de leur longueur donde, une rsolution de quelques centaines
de microns est attendue. Mais un couplage avec des techniques de champ
proche permet, comme nous le verrons, de briser la limite classique de la dif-
fraction, et dobtenir une bien meilleure rsolution. Les champs dapplication
de limagerie THz sont vastes et progressent fortement.
8.2 Principes de limagerie THz
Limagerie THz reprend videmment les principales caractristiques de
la spectroscopie THz. Le contraste spcique du THz, associ la rsolution
spatiale, permet limagerie THz douvrir de nouvelles perspectives en diag-
nostic biologique, dans le contrle de la qualit, ou lidentication dobjets
cachs.
8.2.1 Extension des proprits spectroscopiques
De nombreux matriaux possdent des spectres dabsorption caractris-
tiques en THz. Cest en particulier remarquable pour les gaz ou les ammes,
dont le spectre rovibrationnel THz donne une vritable empreinte digitale .
Dans les solides, ce sont les rsonances structurelles comme les phonons qui
vont modeler le spectre THz. Dans les liquides, llargissement inhomogne
tant trs important, ce sont essentiellement des structures trs larges et
moins reprsentatives que lon rencontrera. Leau joue un rle fondamental
en imagerie THz. Leau absorbe fortement dans toute la gamme THz, par
exemple 0,5 THz, une attnuation par un facteur 2 est obtenue pour une
paisseur denviron 45 m seulement. Cette absorption sera fortement mise
prot en imagerie. Les zones contenant des quantits variables deau prsen-
teront ainsi un fort contraste. Cest en particulier le cas en biologie, o par
exemple la graisse et les dents sont moins riches en eau que les tissus. Les
ions dimportance biologique fournissent galement un bon contraste pour
lobservation des cellules excitables comme les neurones. Enn, les mtaux
rchissent fortement les ondes THz. Quelques dizaines de nanomtres de
mtal susent former un cran opaque. Les ondes THz sont donc parti-
culirement adaptes pour le contrle des circuits lectroniques, ou pour les
questions lies la scurit.
8.3 Rsolution spatiale
Les ondes THz tant des ondes lectromagntiques, leur focalisation est
en principe limite par la diraction, comme pour la microscopie optique
classique.
8. Imagerie 267
8.3.1 Limite de la diraction
La taille minimale r de focalisation limite par la diraction, pour un
faisceau de convergence , dans un milieu dindice n vaut ainsi
r 1, 22

nsin
(8.1)
Typiquement, on sera limit une rsolution de 300 m pour une fr-
quence de 1 THz, ce qui est susant pour bon nombre dapplications. Les
premires dmonstrations datent de 1995 [272], o une feuille darbre et un
circuit intgr semi-conducteur ont t imags avec une rsolution de lordre
du mm. Pour nombre dapplications cependant, cette rsolution nest pas
susante. Lintroduction du champ proche permet alors de saranchir de la
barrire de la diraction.
8.3.2 Imagerie en champ proche
Depuis cette dmonstration, de nombreux eorts ont port sur lam-
lioration de la rsolution spatiale, avec en particulier le dveloppement de
techniques de champ proche, o des rsolutions infrieures /100 ont t
reportes [273].
Le principe du champ proche est le suivant : on place devant lobjet
tudier une ouverture ou une pointe de taille infrieure la longueur donde.
Londe THz incidente est diracte par la sonde champ proche, ce qui aug-
mente fortement la frquence spatiale de londe, et donc la rsolution. Linter-
action en champ proche entre londe THz, la sonde et lobjet se fait cependant
au dtriment de la quantit de lumire transmise. On peut estimer que celle-
ci diminue avec le cube du diamtre de louverture en condition de champ
proche, et non pas en carr comme rencontr classiquement.
Un compromis entre la rsolution spatiale (taille de louverture) et la
quantit de signal transmise sera ncessaire en fonction du rapport signal sur
bruit disponible dans la mesure. Le gros avantage des ondes THz sur lop-
tique, cest videmment que la taille des sondes champ proche est beaucoup
plus grande (environ 500 fois), et celles-ci sont donc nettement plus faciles
raliser.
8.4 Principes dun microscope THz
Le principe dun microscope THz est nalement assez semblable celui
dun microscope classique. Un dispositif optique (lentille ou miroir focalisant)
concentre les ondes THz sur lobjet tudier. Actuellement, une grande ma-
jorit des dispositifs est base sur un spectromtre dans le domaine temporel
(voir page 239), qui repose sur la gnration et la dtection dun cycle lec-
tromagntique de dure picoseconde, et qui a pour avantage de possder une
trs grande sensibilit et de pouvoir dtecter de faibles contrastes. Un tel
microscope en champ lointain est prsent par la gure (8.1).
268 Optolectronique trahertz
Laser Femtoseconde
Retard
Hacheur
metteur Dtecteur
Objet
Fig. 8.1 Principe dun microscope THz. Il est bas sur un spectromtre
dans le domaine temporel pilot par un laser femtoseconde. Lchantillon est
plac au point de focalisation du faisceau THz, puis dplac pour obtenir une
image.
8.4.1 Direntes techniques en champ proche
Dans le cas dun dispositif champ proche, il sut dajouter une ou-
verture ou une pointe de taille infrieure la longueur donde. Dirents
dispositifs de microscopie en champ proche sont illustrs par la gure (8.2).
Dans tous ces dispositifs, la rsolution est dtermine par la taille caractris-
tique de lobjet plac ct de lchantillon, et on collecte lensemble de la
lumire transmise. Une premire solution consiste placer une ouverture de
taille infrieure la longueur donde (gure (8.2A)). Si lchantillon se trouve
devant louverture, aucun signal nest transmis. On peut galement utiliser
un dispositif complmentaire consistant en une petite surface de mtal blo-
quant londe THz (gure (8.2B)). Thoriquement, la modulation obtenue par
ces deux dispositifs est identique, le premier fonctionnant sur fond noir. Cest
le principal avantage de ce dispositif, qui optimise le rapport signal sur bruit
car le bruit de fond est minimis. Certains dispositifs utilisent galement une
pointe (gure (8.2C)), reproduisant les techniques de champ proche dvelop-
pes dans le visible et le proche infrarouge. Cependant, la modlisation de
la diraction de londe THz sur lensemble de la pointe est nettement plus
complexe.
8. Imagerie 269
(A)
(B) (C)
Fig. 8.2 Principes de microscopes THz en champ proche. (A) ouverture ;
(B) masque ; (C) pointe.
8.4.2 Champ proche et contraste de champ proche
Une fois les images obtenues, se pose la question de lextraction des in-
formations uniquement relative lchantillon. En dautres termes, il faut
connatre avec prcision linuence de lobjet (ouverture ou pointe) sur la
rsolution et plus gnralement la correspondance entre limage obtenue et
lchantillon rel. Les images de lchantillon obtenues en champ proche sont
le rsultat complexe de linteraction entre lobjet de taille infrieure la lon-
gueur donde et lchantillon. Dans des conditions strictes de champ proche,
cest--dire lorsque lobjet et lchantillon sont trs proches lun de lautre,
des eets dinteraction mutuelle rendent trs complique la modlisation du
systme. Si maintenant lchantillon est trs loign, la transmission tra-
vers lchantillon sobtient facilement par eet de masque, mais les eets du
champ proche disparaissent et on perd la rsolution. En fait, il existe une
rgion intermdiaire entre le champ proche vritable et le champ lointain,
qui permet de concilier les deux avantages : cest la zone de contraste de
champ proche. Pour des distances situes typiquement entre /2 et /5, il
est possible de modliser la transmission travers lchantillon par un eet
de masque, tout en gardant une prcision infrieure la longueur donde.
Un exemple de reconstitution dun neurone en trois dimensions a ainsi
t obtenu en utilisant le contraste cr par la dirence dabsorption des
dirents ions biologiques, en particulier le potassium et le sodium, entre
lintrieur et lextrieur dun neurone [274]. La gure (8.3) montre limage
tridimensionnelle reconstitue en zone de contraste de champ proche.
8.4.3 Imagerie par balayage
Ayant slectionn lun de ces dispositifs dimagerie, on peut raliser un
grand nombre de congurations direntes pour acqurir limage. La pre-
mire ide consiste raliser un balayage temporel total des impulsions THz
de faon obtenir le spectre complet de la portion dchantillon analys.
Lavantage est bien sr dobtenir toutes les informations spectroscopiques.
Le contraste de limage proviendra alors de la slection dune ou de plusieurs
zones spectrales bien choisies. Malheureusement, le temps ncessaire cette
mesure est souvent assez long, et limite ainsi le nombre de points disponibles
pour reconstituer limage, surtout si les proprits ou les caractristiques de
270 Optolectronique trahertz
109
110
111
112
113
114
115
100
0
-100
0
-150
400
800
-100
-50
0
50
100
150
P
o
s
i
t
i
o
n


[

m
]
P
o
s
itio
n
[
m
]
P
osition
[m
]
D
i
a
m

t
r
e

[

m
]
Fig. 8.3 Reconstitution en trois dimensions de la section dun neurone par
imagerie THz contraste ionique [274].
lobjet varient dans le temps. On devra donc souvent se rsoudre ne ba-
layer quune petite zone temporelle, ou bien tout simplement garder le
retard constant. On mettra alors prot la variation de temps de parcours
(dphasage) de limpulsion THz dans lchantillon, un peu comme en OCT.
Les premires images THz ont t obtenues par simple balayage de lobjet
dans le faisceau [272], transformant la transmission travers lobjet en pixels.
Il existe un nombre important de sources de contrastes utilisables : lampli-
tude totale transmise un retard x, le retard du maximum de cycle THz,
ou encore le dphasage dune composante spectrale particulire. Lune des
cls de russite de limagerie THz est la vitesse dacquisition de limage.
Lutilisation de pots vibrant permet par exemple de balayer une srie de
retards et donc de calculer rapidement des composantes spectrales. La pre-
mire dmonstration, utilisant des antennes photoconductrices, donnait ainsi
10 points par seconde, avec un rapport signal sur bruit de 100.
Ces dispositifs peuvent tre simplis par lutilisation de dtecteurs
photoconducteurs coupls une bre optique [275], ce qui permet de dlo-
caliser la source laser femtoseconde et la ligne retard. Un tel dispositif a
permit de caractriser facilement le prol dmission dmetteurs photo-
conducteurs [276].
Il est galement possible dimager lobjet en rection, en particulier si
lobjet est trop pais ou trop absorbant pour tre correctement travers par
les ondes THz. Dans ce cas, il est ncessaire dutiliser des algorithmes de
reconstruction pour estimer la forme et la structure de lobjet rchissant.
8. Imagerie 271
8.4.4 Imagerie par dtecteurs bidimensionnels
Il serait trs protable de raliser une image THz laide de vritables
dtecteurs deux dimensions. Malheureusement, de tels dtecteurs sont en-
core trs dlicats mettre au point. Parmi les technologies existantes, on
peut citer les dtecteurs lectro-optiques associs une camra CCD [277],
les dtecteurs continus ddis lastronomie [278], mais aussi les systmes
bass sur des photomlangeurs lectrons chauds HEB [279].
8.4.5 Tomographie
Il est galement possible de faire tourner lchantillon dans le faisceau THz,
dans des expriences de tomographie. Des algorithmes complexes permettent
alors de reconstituer lobjet en trois dimensions partir dune succession
dimages deux dimensions. Il a galement t dmontr que cette technique
permettait de conserver les donnes spectroscopiques [280]. La principale li-
mitation concerne les chantillons fortement diractants qui sont pour lins-
tant mal reconstitus par les algorithmes. La rsolution actuelle est denviron
4 mm.
8.4.6 Imagerie in situ
Compte tenu de labsorption des THz par leau, les principaux dveloppe-
ments de limagerie THz ont concern les dents [281] et la peau, et en parti-
culier les cancers (mlanomes) [282]. Un champ dapplication bien plus vaste
serait bien sr atteint avec le dveloppement dune imagerie distance, qui
ncessite lutilisation de guides de lumire THz analogues des endoscopes.
De nombreuses pistes sont ltude : des guides donde mtalliques [205, 283]
ou des bres dilectriques [284]. Les bres cristaux photoniques ont ga-
lement engendr beaucoup dintrt car elles ont le potentiel de fournir des
bres aux proprits uniques, comme par exemple une trs grande bande
passante [285], tout en tant souples et peu absorbantes.
8.5 Conclusion
Il ne fait aucun doute que limagerie THz est une technique attractive
possdant un gros potentiel, en particulier dans le domaine biologique et
mdical. Elle se prsente comme une technique complmentaire par rapport
ses concurrentes, en orant certaines sources de contraste uniques, dont le
dveloppement en dehors des laboratoires ncessitera videment de diminuer
le cot et la taille des installations THz.
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Cinquime partie
Applications et perspectives
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Chapitre 9
Applications des ondes THz
9.1 Introduction
Cette partie de louvrage propose une liste non exhaustive des applica-
tions potentielles des THz. Elle sattache synthtiser les points forts des THz
par rapport aux technologies existantes, tout en conseillant le lecteur sur la
dmarche suivre pour choisir le niveau de complexit du systme THz cor-
respondant son besoin. Les applications des THz sont regroupes en quatre
familles, chaque famille pouvant correspondre plusieurs secteurs dactivit
mais galement des degrs divers de complexit des systmes. Les champs
dapplications prsents visent montrer que le systme THz nest pas seule-
ment un systme de laboratoire mais quil peut trouver sa place dans de
nombreux secteurs industriels. Toutefois, compte tenu du faible taux de p-
ntration de la technologie THz dans les applications industrielles, il est vrai
quelle reste trs coteuse. Lattractivit conomique de cette technologie, qui
en est son balbutiement pour les applications industrielles, va augmenter
au fur et mesure de louverture du panel des applications.
9.2 Pourquoi choisir le THz ?
Les ondes THz combinent les avantages des ondes optiques et des ondes
lectromagntiques radio-frquences. Avec les premires elles partagent la
directivit, cest--dire la possibilit de raliser des dispositifs qui sont plus
grands que la longueur donde an de pouvoir les orienter ou les focaliser vers
un point donn. Avec les secondes, londe THz partage les techniques dmis-
sion et de dtection, utilisation dantenne et de technologie de traitement du
signal lectronique.
Les ondes THz pntrent l o les ondes optiques sont stoppes. Cette
gamme de frquence traverse des parois de certains matriaux, par cons-
quent il devient possible de voir derrire une surface opaque aux longueurs
donde optiques. Pour linstant aucune application nest encore employe
276 Optolectronique trahertz
pour la visualisation THz de dfauts travers les matriaux de construc-
tion, mais de nombreux laboratoires sintressent leur caractrisation. Parmi
les applications cites, il y a laide au sauvetage de personnes enfouies dans
les dcombres dimmeubles crouls. Les matriaux tudis sont le pltre, les
vitres, la laine de verre, les plaques de ciment. Cet intrt porte principale-
ment sur la connaissance des proprits dilectriques, indice de rfraction et
coecient dattnuation pour le dveloppement de futurs logiciels de mod-
lisation de propagation des ondes THz dans les btiments [286]. Le domaine
de la scurit et de la dfense est galement intress par les ondes THz pour
aider la dtection dexplosifs ou darmes caches par les vtements. Des
tudes ont par exemple mis en vidence la transparence du cuir, du coton,
et des bres polyesters dans le domaine THz [287].
La traverse de matriau opaque est un avantage des ondes THz mais elles
ne peuvent pas, pour autant, traverser des parois mtalliques ou de grosses
paisseurs deau ou de matriaux humides. La dtection distance est limite
la fois par labsorption des ondes THz par les molcules deau prsentes dans
latmosphre ainsi que par les contraintes de la technologie optolectronique
dcrite dans les chapitres prcdents. En rsum, lutilisateur choisira les
ondes THz pour des applications telles que :
analyse sans contact ;
analyse travers des matriaux opaques en optique ;
imagerie ;
dtection et analyse dun grand nombre de molcules en instantan.
Les principaux inconvnients sont :
faible rsolution spatiale ;
absorption par leau;
paisseur limite de lchantillon tester ;
rexion sur les matriaux mtalliques.
9.3 Choix dun systme THz
9.3.1 Du systme complexe aux composants ddis
Systmes THz commerciaux
Comme pour toutes technologies mergentes, ds la n des annes 1990,
trois entreprises se sont lances dans la commercialisation de systmes THz
bass sur le principe pompe-sonde impulsionnel avec en point de mire le mar-
ch de la spectroscopie. Ds lors quun systme presse-bouton existe, il
devient possible de caractriser tous types de matriaux et de substances.
Ce sont aux tats-Unis la socit Picometrix, en Grande-Bretagne la socit
Teraview et au Japon la socit Tochigi-Nikon. Chacune de ces entits vit sur
un march de niche, respectivement la spectroscopie en laboratoire et indus-
trielle, la biologie, avec la qualit de produits pharmaceutiques et lindustrie
9. Applications des ondes THz 277
du semi-conducteur. Par ailleurs, chacune de ces entreprises est implique
dans des programmes de scurit du territoire. Teraview et Tochigi-Nikon
ont chacune particip avec leur universit partenaire, respectivement les uni-
versits de Leeds et Cambridge, et le centre de recherche Riken Senda,
la caractrisation dexplosifs ou encore la dtection dans des enveloppes
de drogues [288] ou autres agents biologiques. Le second march est celui
de limagerie THz. Par exemple la socit Picometrix propose en option un
porte chantillon avec balayage mcanique X/Y qui permet de raliser une
image de lobjet.
Les appareils commercialiss ce jour proposent des fonctions complexes,
par exemple la spectroscopie dabsorption ou limagerie. Ces systmes sont
des dveloppements des systmes conventionnels de spectroscopie employs
dans les laboratoires et dtaills dans les chapitres prcdents de ce livre.
Les systmes actuellement mis sur le march ont une taille plus proche de
celui dun photocopieur que de celui dune platine DVD de salon. Le cot
et le volume du systme sont principalement lis ceux du laser impulsion-
nel ncessaire pour gnrer et dtecter les impulsions THz. Cest la raison
pour laquelle la socit Picometrix propose en produit de base un systme
THz sans source optique. De plus cette socit propose un dport des an-
tennes THz dmission et de rception par bre optique (3 ou 5 m). La
propagation de limpulsion femtoseconde le long de la bre optique conduit
un largissement de cette dernire, cest pourquoi Picometrix propose un
systme de compensation de la dispersion de limpulsion optique permettant
ainsi de conserver des impulsions brves et donc un spectre THz intact. Les
derniers dveloppements de luniversit de Riken Senda montrent quil est
possible de raliser un systme de gnration paramtrique CW des ondes
THz tenant dans la main. Dans cet appareil, le laser est sous la forme dun
microchip. Le volume du systme de gnration passe de 28 dm
3
en version
tabletop 1 dm
3
en version palmtop performances comparables [289]. Pour
que les systmes THz puissent se dvelopper, il faudrait dans un premier
temps rduire dun facteur 10 le cot des systmes, cest--dire passer de
250 000 25 000 euros (tarifs 2007).
Ces produits commerciaux ont nanmoins permis aux THz de sortir des
laboratoires pour rencontrer une communaut plus large qui souhaite se
concentrer sur son propre domaine de recherche plutt que sur la mise au
point des systmes de spectroscopie THz. Cette tendance est largement vi-
sible au travers des nombreuses publications dont le sujet porte maintenant
sur lutilisation des THz plutt que sur loptimisation de leur gnration et
de leur dtection.
La gure (9.1) montre lvolution entre 1980 et 2004 du nombre de publi-
cations dont le titre comporte le terme THz. Lvolution est exponentielle
partir de 1992, illustrant la dissmination progressive de la technologie dans
les laboratoires alors quaucun systme THz ntait encore commercialis.
278 Optolectronique trahertz
Fig. 9.1 Nombre de publications dont le titre comporte le terme THz
depuis 1980.
Systmes THz dans les annes venir
Deux approches sont couramment mises en avant lors du dveloppement
dune nouvelle technologie. Une approche dite bottom-up et une approche
top-down . Pour ce qui est de loptolectronique THz, il est clair que la
stratgie bottom-up, dveloppement de la technologie vers des applications
non spciques, est celle qui dcrit le mieux lvolution actuelle. La phase
croissante correspond lamlioration du systme de spectroscopie rsolue en
temps dans les laboratoires dlectronique et doptique. Dans cette premire
phase, un accroissement de lventail des technologies est observ. Ce ph-
nomne ouvre la voie une multiplication des applications. De plus, comme
le montre laugmentation exponentielle du nombre de publications, le champ
dapplication souvre progressivement, touchant des laboratoires et donc des
utilisateurs potentiels au-del des domaines de loptique et de llectronique.
Il est clair que la progression chronologique de ce processus va conduire
un point de basculement o le domaine THz va sorienter dans une approche
de type top-down : les applications dniront les besoins et entraneront le
dveloppement dune technologie spcique. Dans cette seconde phase, ce
sont les applications qui dnissent les spcications de la technologie. Les
spcications contraignent la technologie en termes de bande passante, de
frquence de fonctionnement, de puissance mise mais galement en termes
de contraintes environnementales. Cette dmarche conduira terme au tra-
vers dune application cl llaboration dune nouvelle classe de tech-
nologie qui pourrait tre une imagerie compacte ou encore une liaison point
point base sur des composants cascade quantique. Il est toujours d-
licat de se prononcer sur lavenir dune technologie, toutefois un horizon
9. Applications des ondes THz 279
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Applications
Fig. 9.2 Chronologie des applications THz.
de 10 20 ans semble raisonnable pour atteindre une technologie ddie
mature (gure (9.2)).
Les challenges venir concernent lidentication de nouvelles applications
niche et la mise en place dune technologie ddie qui permettra terme
de satisfaire le meilleur compromis cot/performance travers le dveloppe-
ment de fonction simple. Le dveloppement de ce type de produit dpend de
lapplication; sans application de masse, les cots nanciers de production
ne sauraient tre amortis. Lattractivit des ondes THz pour le milieu indus-
triel passe par ltude en parallle de nombreux domaines par les laboratoires
experts. Lorsquune application sera identie, il conviendra de faire le choix
de la technologie en prenant en compte le meilleur ratio cot-performance
pour cette application.
Exemples de miniaturisation
Pour corroborer cette approche, nous citerons lexemple des lasers cas-
cade quantique (QCL). Un grand espoir est plac sur les QCL car ils sins-
crivent dans la tendance actuelle qui vise la miniaturisation des dispositifs
associe des procds de fabrication micro-lectronique de masse. Le QCL
est une puce intgre utilisable pour une application ddie. Un composant
unique correspondra la dtection dun type de molcules ou de gaz, ou
lidentication dune frquence de rsonance dun composant.
Un second exemple illustrant le point de basculement du systme de spec-
troscopie vers un systme ddi concerne linspection de la mousse de pro-
tection des rservoirs de la navette spatiale Columbia suite laccident de f-
vrier 2003. Le laboratoire du Rensselaer Polytechnic Institute [290] a produit
une cartographie des mousses avec un systme de spectroscopie THz-TDS de
laboratoire. Cette tude a mis en vidence des problmes de dlaminage et
la prsence de vide, li des bulles dair ou de gaz, dans la structure de
280 Optolectronique trahertz
la mousse. An de pouvoir accder des mesures in situ, ce laboratoire a
propos un systme lectronique fonctionnant une frquence donne. Ce
systme CW se compose dun metteur utilisant une diode Gunn mettant
0,2 THz et dun dtecteur avec une cellule de Golay. Lapproche CW par
rapport lapproche impulsionnelle employe en laboratoire ne permet pas
de donner dinformations spectrales ou dinformation sur la profondeur du
dfaut. En revanche, le gros avantage est son cot et son encombrement qui
en font un dispositif portable pour inspecter les rservoirs du lanceur in situ.
Cet exemple illustre une dmarche typique des THz en deux phases, une
premire approche en laboratoire qui a permis de spcier un systme et
une seconde phase de ralisation et de test dun dispositif compact mono-
frquence rpondant aux besoins industriels.
La biologie est un autre exemple du foss qui existe aujourdhui, au niveau
de la maturit de la technologie THz, entre les applications de recherche d-
veloppes en laboratoire et les potentielles applications industrielles. Dans le
domaine biomdical, la dtection laide des frquences THz de la mutation
des gnes a t dmontre en espace libre par P. Haring-Bolivar luniver-
sit de Siegen (Allemagne). Cette technique est particulirement intressante
puisquelle permet de dtecter une mutation sans ajouter de marqueur. An
de rduire la quantit de matriel gntique ncessaire pour raliser lana-
lyse, une solution de rsonateur lectromagntique avec un accepteur a t
propose. Une quantit innitsimale de quelques femtomoles du matriel
gntique est employe. La frquence de rsonance du rsonateur (500 GHz)
change lorsque le gne est dirent, elle devient 575 GHz. Pour une appli-
cation en laboratoire, un systme complet de spectroscopie est employ, et
une analyse de lvolution de la frquence de rsonance, du niveau trans-
mis et une relation frquence-gne dirente doivent tre tablies. Pour le
futur dveloppement industriel, une frquence de rsonance correspondant
au gne tudi sera slectionne et la puissance transmise sera mesure [291]
permettant de savoir si lADN est conforme ou non.
Pour linstant, faute dapplications cl , le systme THz demeure un
quipement danalyse spectroscopique incluant un laser femtoseconde ce qui
en fait un systme complexe et coteux. Llargissement du champ de re-
cherche la biologie ou dautres domaines des sciences va sans nul doute
voire lmergence dapplications ddies pour lesquelles des solutions com-
pactes seront requises et dveloppes (tableau (9.1)).
9.3.2 Systme CW ou impulsionnel
Dans cette section, le propos nest pas de dcrire la technologie, large-
ment mise en avant dans les chapitres prcdents, mais bien de synthtiser
les grands principes an que lutilisateur potentiel puisse avoir une ide du
type et de la complexit du systme requis par son application. chaque ap-
plication correspond un systme THz dirent. Il est rappel que lapproche
9. Applications des ondes THz 281
Recherche Industrie
Domaine dapplication Biologie Capteur biologique
Systme Spectroscopie pompe sonde Puce
Laboratoire Universitaire Industriel
Type danalyse Spectroscopie Un seul composant
Maturit des systmes
existants
Teraview, Picometrix dvelopper
Cot > 250 000 euros Quelques milliers deuros
Tab. 9.1 Systme laboratoire et besoin industriel.
metteur-dtecteur optolectroniques permet davoir une dtection dite co-
hrente ce qui amliore le rapport signal sur bruit de la mesure par rapport
un systme dit conventionnel compos dun metteur lectronique et dun
rcepteur refroidi.
La section suivante dcrit 5 niveaux de complexit. Pour chaque niveau
de complexit des systmes, il faut se poser la question du choix dune ap-
proche CW ou impulsionnelle. Pour la plupart des applications, le choix du
systme CW ou du systme puls dpend de lenvironnement.
En environnement intrieur de type laboratoire. En milieu clos
o les paramtres environnementaux tels que le taux dhumidit et la tem-
prature sont contrls, le systme impulsionnel est privilgier. De plus,
la puissance mise par un systme CW optolectronique demeure plus faible
que celle mise par des impulsions crtes. Le signal moyen sera donc plus
important dans le cas dun systme impulsionnel. Il faut galement garder
en mmoire que le niveau moyen mis en CW par un systme optolectro-
nique dcrot avec la frquence. Pour des frquences comprises entre 100 GHz
et 300 GHz, il faut se poser la question de lemploi de technologies lectro-
niques conventionnelles bases sur des multiplieurs de frquences. Pour des
frquences comprises entre 200 GHz et 600 GHz, la technique du photo-
mlange optolectronique donne de bons rsultats. Pour des frquences su-
prieures 600 GHz, lapproche impulsionnelle est meilleure. La bande de
frquence maximale quil est possible datteindre avec un systme impulsion-
nel est de lordre de 3 5 THz selon les matriaux de gnration/dtection
employs. En rsum, dans un laboratoire et pour des frquences suprieures
600 GHz, il faut choisir un systme impulsionnel.
En environnement extrieur. Le large spectre lectromagntique du
systme impulsionnel est un inconvnient car la prsence deau dans latmo-
sphre entrane une dispersion de limpulsion, ce qui est fortement pnalisant
pour la propagation. Par exemple, en atmosphre humide, une impulsion de
dure 1 ps aura une dure de 30 ps (100 ps) aprs 2,4 m (100 m) de propaga-
tion. Lemploi dun systme impulsionnel lextrieur requiert des ttes de
gnration et dtection dportes avec des bres optiques.
282 Optolectronique trahertz
Dans tous les cas de gure, la taille et le cot du systme impulsion-
nel surpassent toujours ceux du systme CW employant deux diodes lasers
semi-conductrices. La taille est appele diminuer avec lmergence de laser
impulsionnel bre optique pompe par des diodes laser semi-conductrices.
Le CW ore la possibilit de raliser des systmes plus compacts.
9.3.3 Classement des systmes par degrs de complexit
Lvaluation de la complexit du systme peut tre gradue de 1 5.
Cette chelle ne prsage pas de la technologie employe qui peut tre base sur
une technique conventionnelle pompe-sonde optolectronique large spectre ou
bien sur un systme QCL monofrquence. Ces cinq familles sont prsentes
sur le graphe suivant par ordre croissant de complexit (gure (9.3)).
Niveau 1: transmission
Generation THz
+
Detection THz
Niveau 3: spectroscopie
Generation THz
+
Detection THz
+
Spectre de limpulsion
Niveau 4: Imagerie
Generation THz
+
Matrice de dtecteur
Systme
complexe
Fonction
complexe
Systme
ddi
Fonction
unique
Niveau 2: tomographie
Generation THz
+
Detection THz
+
Analyse de donnes
Niveau 5: Imagerie
+ spectroscopie
ImagerieTHz
+
Spectroscopie
Fig. 9.3 Gradation de la complexit des systmes THz.
metteur rcepteur mono-frquence
1. Principe : application Go-No Go ou communication entre deux points.
Il sagit de la version la plus basique du systme. Le systme rpond
une seule fonction, dtecteur dalerte pour un gaz ou un agent bio-
logique ou transmission dinformation entre deux quipements. Cette
dernire application a t propose par IBM dans les annes 1980. Le
choix entre un metteur CW ou impulsionnel dpend de lapplication
pour laquelle deux familles se distinguent : qualit et tlcommunica-
tions. Dans la famille qualit, les applications concernent la dtection
de prsence dun dfaut ou encore de la position relative du dfaut dans
un plan XY perpendiculaire lobjet. Ce niveau de systme peut gale-
ment tre employ pour sonder et quantier la prsence dune molcule.
9. Applications des ondes THz 283
Dans la famille tlcommunications, les applications sont la commu-
nication entre deux plates-formes, par exemple deux ordinateurs, ou
encore la distribution de programme multi-mdia bord des avions.
Un systme metteur-rcepteur compact est employ pour transmettre
une information dun point A un point B.
2. Exemple : illustrons notre propos prcdent avec un exemple concret.
La technologie THz est complmentaire dune analyse optique par le
fait quelle permet de dterminer la prsence ou non de dfauts
lintrieur dun produit manufactur ayant un packaging optiquement
opaque. Ce systme pourrait tre positionn en n de chane de pro-
duction pour eectuer un contrle qualit des biens manufacturs. Une
usine, qui fabrique des composants lectroniques, pourrait contrler la
conformit des puces packages dans le but didentier les cblages
dfectueux et de rejeter les puces concernes, cette slection sinscrivant
dans une perspective damlioration de la qualit de son processus de
fabrication.
La pice analyser contient une partie mtallique ou un compos chi-
mique dont il convient de dterminer :
la prsence ou labsence, cas de gure 1 ;
la quantit, cas de gure 2.
(a) Pour le premier cas de gure, o il convient de dterminer la taille
du dfaut, le procd THz est bien adapt pour dtecter des ob-
jets dont les dimensions sont proches des longueurs dondes THz,
millimtriques sub-millimtriques. Le dispositif THz se compo-
sera alors dun metteur et dun rcepteur monofrquence dont
lmission sera synchronise sur la vitesse de dlement des ob-
jets analyser. La distance entre lmetteur et le rcepteur est
de lordre de quelques mtres. Lambiance peut comporter de la
poussire, les objets peuvent tre haute temprature, mais il
faudra viter de se placer sur des raies dabsorption des molcules
deau.
Parmi les questions quil est ncessaire de se poser pralablement
lemploi dune technologie THz, on notera :
la taille de lobjet ;
la nature de lobjet ;
la position du dfaut ;
la taille du dfaut ;
le spectre connu ou inconnu en THz.
Si lun de ces critres nest pas valid, il sera ncessaire de re-
courir un laboratoire expert pour identier et mettre en place
la technologie THz. Une technique couramment employe pour
amliorer la probabilit de dtection est de procder une d-
tection direntielle par rapport un chantillon de rfrence.
284 Optolectronique trahertz
La prsence dun compos est dtecte par la mme mthode grce
sa signature spectrale.
(b) La quantit dun compos peut tre estime par une mthode
globale : on vrie le niveau de transmission de londe THz
travers lchantillon. Si le compos est unique, il est possible de
slectionner une frquence de dtection particulire absorbe par
ce compos. Lamplitude du signal transmis est proportionnelle
la quantit de matriau traverse.
metteur-rcepteur impulsionnel + retard : la tomographie
1. Principe : un systme impulsionnel quip dune ligne retard permet
de raliser un chantillonnage en temps quivalent. La dirence entre
ce systme et le prcdent rside dans sa capacit enregistrer la forme
temporelle de limpulsion et les chos. Pour expliquer le principe de la
technique, faisons lanalogie avec le randonneur savoyard dans les sen-
tiers alpins qui souhaite valuer la distance entre lui et la montagne qui
lui fait face. Il va chronomtrer le temps mis par un cho de sa propre
voix pour lui parvenir. Londe sonore de sa voix se propage puis se
rchit sur la premire montagne. Connaissant le temps de parcours
et la vitesse du son, il devient possible destimer la distance. Cest ce
principe qui est employ dans le domaine THz, si ce nest que le chrono-
mtre est remplac par une ligne retard talonne, et la vitesse du son
par la vitesse de la lumire dans le milieu de propagation. Lchantillon
analyser se dplace devant le module metteur rcepteur. Le balayage
de la ligne retard doit tre plus rapide que la vitesse de dplacement
du produit analyser. Ce systme permet dvaluer lpaisseur dun
objet par la mesure du retard introduit par la ou les couches de lob-
jet. On peut galement citer les applications de la tomographie pour
reconstituer des objets en trois dimensions [292].
Fig. 9.4 Reconstitution en trois dimensions (vue de gauche) dun objet
(photo droite) (daprs [292]).
9. Applications des ondes THz 285
2. Exemple : lun des premiers exemples est celui o D. Mittleman Rice
University montre les couches dune disquette ou dun stylo de marque
Bic enregistres par slection du temps de vol [293, 294]. Deux ap-
plications utilisent cette approche, savoir dterminer la profondeur
dun dfaut et valuer lpaisseur dune couche de peinture. Il est pos-
sible de sonder lintrieur du matriau en slectionnant limpulsion
ou linstant qui correspond la rexion sur lobjet enfoui recherch.
Le systme permet alors de dtecter la position relative dun dfaut
dans lpaisseur et den mesurer la distance par rapport la surface.
Lapproche impulsionnelle permet de raliser un fentrage temporel.
Une version simplie du systme consiste choisir un retard xe cor-
respondant au maximum de dtection de lobjet. Si lamplitude change,
cela signie que lobjet dtecter nest pas positionn au bon endroit.
Avec lutilisation dun systme CW, le retard temporel permet de jouer
sur la phase de londe THz. En imaginant une modulation dampli-
tude basse frquence du signal CW, avec un facteur de forme dans
le domaine de la microseconde, il devient alors possible dappliquer
toutes les techniques couramment employes pour les radars. Seule la
frquence porteuse positionne dans le domaine THz est dirente. Le
radar THz ouvre une opportunit galement pour raliser de la dtec-
tion distance dobjets de taille rduite. Le fonctionnement en CW
permet de positionner la frquence THz mise dans la fentre atmo-
sphrique la plus adapte au moment de la mesure. Si la porte est
privilgie, la frquence sera choisie en-dehors des raies dabsorption
de la vapeur deau. Une co-localisation de lmetteur et du rcepteur
permet denvisager des techniques de dtection dites htrodynes. Ce
type de technique amliore le rapport signal sur bruit ; elle est couram-
ment employe dans le domaine de lastrophysique.
Spectroscopie THz
1. Principe : en impulsionnel, il sagit de raliser des analyses dans le
domaine des frquences en employant un module de traitement du si-
gnal ralisant une transforme de Fourier numrique du signal tempo-
rel enregistr. En frquentiel, il faut raliser un balayage en frquence
du spectre THz. Les applications concernent la recherche de la nature
du matriau ou gaz constituant lchantillon, dans ce cas il est n-
cessaire de travailler dans le domaine frquentiel pour visualiser une
signature spectrale et la comparer une signature de rfrence. Liden-
tication dune substance dans son milieu naturel pose la question de
linterfrence entre les signatures de composs parasites conduisant
un brouillage de lidentication. Actuellement les travaux restent ra-
liss en laboratoire. Une seule molcule est analyse la fois. Deux
approches sont proposes :
286 Optolectronique trahertz
analyse numrique et corrlation numrique de la signature spec-
trale : traitement du signal numrique ;
analyse analogique : mthode de gaz correlation (possibilit dun sys-
tme avec un barillet de compos chimique lmentaire dtecter).
Les chercheurs se posent la question de la slectivit de ces mthodes
de dtection lors de lutilisation dans un milieu naturel pression am-
biante. Cette question fait lobjet dtude dans les laboratoires ad hoc
et est prsente dans la section 19 du livre.
2. Exemple : lapproche retenue par luniversit technique (TU) de Braun-
schweig permet de raliser un dtecteur de prsence de dfauts (mor-
ceaux de verre, de mtal) dans les plaques de chocolat sans avoir
raliser une comparaison du spectre complet, ni une image complte
de la barre chocolate. Le systme THz pompe-sonde conventionnel est
simpli lextrme [295] :
il se compose de plusieurs faisceaux fonctionnant en parallle ;
il comprend le balayage dune ligne retard;
il eectue la transforme de Fourier rapide ;
il est bas sur un fentrage frquentiel ;
seule une fraction des frquences du spectre est analyse ;
il compare le signal obtenu avec lamplitude dun spectre de rfrence.
Lanalyse du spectre de limpulsion THz dtecte montre quun mor-
ceau de mtal produit une bosse dans le spectre tandis quun morceau
de verre produit un creux. En rsum, un simple balayage du retard et
une transforme de Fourier avec un traitement du signal ad hoc per-
mettent davoir une information rapide puisque la vitesse de dlement
du produit est de 1,8 m/s.
Le choix du systme impulsionnel parat le plus judicieux lorsquil sagit
dun instrument de mesure employ dans un laboratoire de recherche.
Il permet linvestigation du spectre dans le domaine THz de nombreux
chantillons. Lapproche CW est possible, mais il faut parler alors de
systmes ddis. Le systme sera dimensionn en usine pour la dtection
dun produit substance ou agent particulier. An de permettre une
leve dambigut quant la dtection dun produit, il est possible
demployer plusieurs systmes CW en parallle plusieurs frquences
spciques. Lapproche de Woolard [296] montre que les frquences
dabsorption du Bacillus subtilis sont de 0,327 et 0,421 THz. Pour ce
cas de gure, le systme devra tre accordable en longueur donde an
de sonder successivement la premire et la seconde frquence du spectre.
Le systme optolectronique peut avoir une bande passante de quelques
dizaines de GHz permettant de rsoudre des raies trs proches comme
le montrent les travaux prsents dans le paragraphe 3.
9. Applications des ondes THz 287
Imagerie
On imagine aujourdhui des systmes multi-dtecteurs ou bien mono-
dtecteur balayage temporel. Parmi les applications entrevues, citons la car-
tographie dun objet pour identier la prsence de dfauts dans des domaines
aussi varis que lindustrie automobile, lindustrie pharmaceutique... Grce
aux travaux de X.-C. Zhang sur limagerie avec une dtection lectro-optique
associant un cristal de ZnTe et une matrice CCD, ou encore avec le systme de
balayage mcanique X-Y propos en option par la socit Picometrix, lima-
gerie THz a atteint un haut degr de maturit technologique. tel point
que le sigle T-Ray est une marque commerciale de la socit Picometrix. Les
premiers travaux dans ce domaine ont employ un systme THz impulsionnel
associ un balayage mcanique de lobjet, lmetteur et le rcepteur tant
xes. Mittleman et Zhang ont dmontr en 1996 la possibilit de raliser une
sorte de camra THz qui donne une image instantane dun objet. Du ct
des techniques CW, ltat de lart montre principalement des systmes avec
un balayage mcanique. Seule lquipe de Q. Hu au MIT de Boston a ralis
des images et mme des lms vido dans le domaine THz en clairant la scne
imager avec un laser QCL et en enregistrant limage avec une matrice de
micro-bolomtres refroidis. Ces systmes matriciels font actuellement lobjet
dune recherche intense : matrices de micro-bolomtres ou encore systmes
mono ou bi-chromatiques employant des matrices dantenne et de mlangeur
pour raliser une transposition. On citera aussi les rsultats obtenus par la
socit Qinetiq en Angleterre qui propose un systme de dtection de la pr-
sence de clandestins dans les semi-remorques 35 GHz [297], et qui travaille
sur des portiques de scurit 94 GHz. Limagerie THz bncie de toutes
les avances faites dans le domaine des antennes radar. Les exemples les plus
marquants sont ceux employant des radars daide latterrissage fonction-
nant 94 GHz. La socit Millivision Technologies situ South Deereld
(Massachusetts, tas-Unis) est un leader dans ce domaine en proposant des
radars dimagerie passive pour la dtection darmes caches. Pour linstant
le faible rendement de conversion de loptolectronique empche le dvelop-
pement doscillateurs locaux ou de projecteurs THz puissants permettant
damliorer la sensibilit des rcepteurs matriciels pour des gammes de fr-
quences suprieures 300 GHz.
Imagerie + spectroscopie
1. Principe : cest la plus volue des technologies THz, celle qui permet-
tra terme non seulement davoir une image de lobjet mais galement
de pouvoir identier lintrieur de lobjet la nature des substances.
Il sagit galement du systme le plus critique mettre au point. Pour
raliser une spectroscopie sur une image, le systme puls, grce sa
exibilit, est le plus en avance. Pour bien comprendre le niveau de
288 Optolectronique trahertz
complexit de ce systme, il faut travailler en trois tapes :
acquisition dune image avec identication par la forme dun produit
suspect ;
analyse par balayage du retard an de reconstituer la forme tempo-
relle de limpulsion;
post-traitement numrique pour accder au spectre.
Le niveau 5 est le plus complexe, mais il capitalise galement les po-
tentialits du niveau 3 et du niveau 4 savoir, permettre de raliser
de la tomographie 3D par fentrage temporel. Le traitement du signal
appliqu sur limage permet de dterminer la nature de la substance
prsente.
2. Exemple :
Dtection de lanthrax dans des enveloppes : lapplication qui int-
resse le plus les institutions en charge de la dfense et de la scurit
publiques concerne la capacit des THz dtecter de lanthrax dans
une enveloppe postale. Le systme THz doit raliser une image de
lenveloppe et dtecter la prsence de poudre suspecte. Ensuite il
est ncessaire de raliser une analyse spectroscopique en un point
de lenveloppe. Le spectre de la poudre est compar une banque
de donnes pour dterminer sil sagit de la signature de lanthrax
ou non. Cette mesure sans contact vite davoir manipuler lenve-
loppe et permet une automatisation du traitement. Le procd THz
permet de simplier la prise en charge des enveloppes qui lheure
actuelle est manuelle. Les travaux de Teraview en collaboration avec
le HMGCC
1
montrent des rsultats probants et un seuil de dtection
de lordre de 1 2 g de matire [298].
Dtection de lpaisseur dune couche de matriau par analyse de
la phase : un systme impulsionnel est employ luniversit de
Leeds [299] pour tester lpaisseur ou la permittivit dchantillon.
Alors que dans la plupart des systmes une analyse temporelle est
ralise, le laboratoire propose un traitement dans le domaine fr-
quentiel. Dans le domaine temporel, il sagit de mesurer la dirence
de temps donc de chemin entre deux impulsions. Par exemple pour le
cas dune paroi comportant une couche unique, la premire impulsion
est gnre par rexion sur la face avant et la seconde impulsion par
rexion sur la face arrire. Pour le systme dvelopp Leeds, une
srie dimages de la paroi en fonction du temps est acquise. Ensuite
une transformation de Fourier est faite. Loprateur slectionne la
1
Her Majestys Government Communications Centre.
9. Applications des ondes THz 289
zone ou les pixels pour lesquels il souhaite dterminer la variation
dpaisseur. Pour les pixels slectionns, il ache la variation dam-
plitude en fonction de la frquence. Lpaisseur est trouve en calcu-
lant la priodicit du spectre, en eet, lorsque la frquence est gale
N
c
2x
(N est un entier et x est lpaisseur optique de lchantillon), la
somme de londe incidente et de londe rchie conduit des ventres
dinterfrence.
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Chapitre 10
Familles dapplications THz
10.1 Introduction
linstar des autres domaines du spectre lectromagntique (rayons X,
infrarouge, visible), les ondes THz peuvent tre employes dans presque tous
les secteurs de lindustrie. Lexamen des publications recenses dans la lit-
trature ou au travers de lexprience des laboratoires du domaine montre
quil est possible de dnir cinq familles dapplications :
contrle qualit des chanes de production;
maintenance prventive ;
scurit dfense ;
tlcommunications ;
biologie et biomdical.
Ces cinq familles exploitent des systmes qui partagent la mme technolo-
gie et ne sont spciques leurs secteurs dactivit que par la nature des
matriaux tests. Plusieurs socits se disputent actuellement le march des
systmes THz. Teraview en Angleterre dispose dun systme principalement
orient vers lanalyse de composs ou de produits pharmaceutiques. La so-
cit Tochigi-Nikon au Japon a dvelopp un systme ralisant la spectro-
scopie de wafers de semi-conducteur : cependant, elle a annonc rcemment
larrt de ses activits commerciales dans le domaine. La socit Aispec au
Japon produit des spectromtres THz (domaine temporel) ddis aux ap-
plications industrielles. De mme, une nouvelle socit Kwele voit le jour
en France et compte se positionner sur le dveloppement de plates-formes
de spectroscopie THz pour applications industrielles. La socit amricaine
Picometrix propose la gamme de produits la plus tendue. Au travers des
nombreuses publications, on saperoit quil sagit du systme de spectrosco-
pie le plus employ par les laboratoires non spcialistes des semi-conducteurs
ou de loptique. Ekspla, compagnie lituanienne, commercialise des spectro-
mtres dans le domaine temporel pour les laboratoires scientiques. Enn,
GigaOptics en Allemagne produit un appareil original bas sur lemploi de
292 Optolectronique trahertz
deux lasers de frquences de rptition lgrement direntes qui clairent
respectivement lmetteur et le dtecteur dun spectromtre temporel. Cette
mthode permet de balayer temporellement limpulsion THz sans recourir
une ligne retard mcanique, conduisant lobtention de spectres jusqu
3 THz en des temps dacquisition trs courts. Pour chacune de ces familles
il est possible demployer des systmes dont la complexit dpend de lappli-
cation. Le degr de complexit du systme varie en fonction de lapplication
de la simple alerte limagerie temps rel avec spectroscopie associe. La
description du niveau de complexit des systmes fait lobjet de la section
suivante.
10.2 Contrle qualit
10.2.1 Principe
Le contrle de la qualit sur les chanes de production, intervient dif-
frentes tapes du processus de fabrication, il est un des domaines dappli-
cations o les ondes THz se positionnent avantageusement par rapport aux
systmes optiques. En eet, les systmes THz permettent de contrler lin-
tgrit ou le positionnement dun objet ou dun circuit plac derrire une
surface opaque. Les ondes THz ne peuvent pas traverser les botiers mtal-
liques, toutefois la tendance, au moins dans llectronique, est demployer
des botiers cramiques ou plastiques. Il devient possible de dtecter des cir-
cuits lectroniques, les pistes mtalliques ou mme lintrieur des puces ; ce
type dapplication montre clairement lintrt des ondes THz par rapport
aux dispositifs optiques.
Le dveloppement de systmes de plus en plus complexes alli lemploi
de la sous-traitance accrue dans lindustrie conduit mettre en uvre des
procdures de contrle de la qualit toujours plus pointues au niveau des
moyens de production. Par exemple, dans le domaine de lautomobile, le
sous-traitant est responsable des dfauts lis au composant quil fournit
lintgrateur pendant la priode de garantie. Il en va de mme pour tous
les secteurs de lindustrie o le zro dfaut est un objectif majeur et
les processus de qualit imposent des contraintes fortes. Compte tenu des
budgets mis en jeu lors de limmobilisation dune chane de production, si
les THz simposent dans lindustrie, cela pourrait se traduire par un bnce
important justiant les investissements pour mettre au point des nouveaux
systmes dimagerie THz, ou pour rduire le cot des systmes dimagerie
actuels.
Le contrle qualit dans le domaine THz sappuie sur des systmes dont
la complexit dpend de lapplication. La plupart des interventions sur les
chanes de production requirent une imagerie en temps rel. Limage acquise
est compare avec une image de rfrence pour trier les produits exempts de
dfauts. Il est galement envisageable demployer la spectroscopie THz pour
la dtection de substances nocives.
10. Familles dapplications THz 293
10.2.2 Exemple
Le domaine de lautomobile est un secteur qui a vu un grand nombre
dessais de systme THz dans le domaine de contrle de la qualit :
analyse de lpaisseur de la peinture et du temps de schage : lap-
port du systme THz par rapport aux mthodes existantes est une
mesure sans contact. Il permet le contrle prcis de la transition phase
sec/mouill, la mesure de lpaisseur individuelle des multi-couches,
une cartographie rapide et applicable des supports non mtalliques.
Le systme THz utilise la rexion sur la carrosserie mtallique pour
estimer par tomographie la valeur et luniformit de lpaisseur de la
peinture. La dirence de lamplitude du signal THz et les frquences
absorbes permettent galement doptimiser le temps de schage de la
peinture [300] ;
contrle dimpacts la surface de tles dacier : la rsolution sub-
millimtrique des ondes THz ore la possibilit de dtecter des micro-
dfauts (trous ou bosses) qui peuvent tre lorigine de points de corro-
sion. Le contrle de la qualit des processus de fabrication des produits
en acier manufacturs, comme les tles employes pour lautomobile,
implique la dtection des asprits de petite taille comprises entre la
dizaine et la centaine de m. Lavantage des THz, sur les autres sys-
tmes de dtection, rside dans les contraintes environnementales et la
nature du plan de rexion. Lors de lemploi dun systme dacquisition
optique, le bruit spculaire gnr par la rugosit de la surface aux lon-
gueurs donde optique rend dlicat lidentication des dfauts. Lissue
de ltude mene par lquipe de H. Roskos luniversit de Francfort
montre quil est possible de dtecter des asprits prominentes et des
creux avec un systme THz [301].
Dans le domaine industriel, il existe galement une demande trs forte pour
tout ce qui concerne le contrle non destructif ou le suivi de qualit. On citera
deux applications :
mesure in situ dadditif dans les matriaux polymres : luniversit
de T.U. Braunschweig a dmontr quil tait possible de contrler le
pourcentage dadditif en mesurant par spectroscopie THz lindice de
rfraction de plusieurs matriaux polymres comme le polythylne, le
polypropylne ou encore le polyamide [302] ;
contrle de la composition dun acier en fusion : le contrle de la pr-
sence dimpurets dans lacier en fusion est une mesure du plus grand
intrt pour permettre de maintenir une qualit constante en temps
rel sans avoir attendre que le mtal ne refroidisse. La prsence de
dfauts nuit la mallabilit et ductilit de lacier. Les ondes THz
sont moins perturbes que les ondes visibles pour la ralisation de me-
sure haute temprature (1 000 1 550

C). Malgr une forte attnua-
tion des ondes THz haute temprature, car les matriaux en fusion
294 Optolectronique trahertz
deviennent conducteurs, il a t mis en vidence quil tait possible
de suivre lvolution du carbone et de son processus de transformation
pour des tempratures suprieures 800

C [303].
Recherche de dfauts lintrieur de composants nis. Il serait
possible avec un systme THz, plac en n de chane de production, de contr-
ler le positionnement et lintgrit des systmes fabriqus. Il est galement
possible de vrier le bon positionnement de rsistances chauantes, de venti-
lateurs et du cblage dispos lintrieur de siges automobiles, par exemple.
Il est aussi possible de contrler des circuits lectroniques packags, comme
par exemple une carte puce [304]. La dtection de dfauts dans les cir-
cuits lectroniques prsente galement un gros potentiel de diagnostics non
destructifs pour la technologie THz [305]. Lexemple prsent gure (10.1)
montre la dtection dun point chaud lectromagntique sur un circuit en-
dommag.
Fig. 10.1 Imagerie THz superpose une image visible. Les zones claires
indiquent un champ lectrique positif ou ngatif pour un circuit normal (a)
et endommag (b) (daprs [305]).
Cartographie du dopage de wafers de silicium. Le systme de la
socit Tochigi-Nikon [306] ralise une cartographie de la surface permettant
par absorption direntielle de quantier la quantit de dopage du matriau.
Une autre technique base sur leet Hall THz a t employe pour dterminer
la mobilit et la densit de porteurs. Le wafer est immerg dans un champ
magntique DC, sous clairement THz. Le courant Hall induit oscille et met
une seconde radiation THz. Associe un systme dimagerie THz, cette
mthode est employe pour dterminer sans contact la conductivit complexe
des semi-conducteurs [307]. Ces techniques sont des moyens de slectionner
la qualit du wafer.
10. Familles dapplications THz 295
Ces exemples peuvent stendre dautres secteurs industriels comme les
domaines pharmaceutique et agroalimentaires :
paisseur du revtement de comprims : la socit Teraview propose de
contrler lintgrit du revtement de comprims de mdicaments. Le
systme THz permet de raliser une image rapide et non destructive de
la pilule. Le coecient de pntration tant de plusieurs millimtres,
il est possible de dterminer prcisment lpaisseur du revtement de
protection et le cas chant de rejeter les comprims dont le revtement
nest pas intgre [308] ;
dans le domaine de lagroalimentaire, linconvnient des THz, savoir
labsorption de 90 % de la puissance par une couche de 100 m deau,
devient un avantage pour le contrle de lhumidit dans les produits
secs comme les graines de semence ou encore les produits surgels. Il
est galement possible demployer la technologie THz et sa haute rso-
lution spatiale pour rechercher des parties mtalliques, des morceaux
de verre ou de plastique de taille sub-millimtrique prsents par erreur
dans des paquets ferms. Cette application adresse principalement lali-
mentation infantile o il est ncessaire de dtecter tous types dobjets
nocifs dans les produits alimentaires. La seule contrainte concerne la
nature du produit inspecter, il doit tre sec pour tre transparent
aux ondes THz ;
identication dobjets nocifs dans les barres de chocolat : luniversit de
Braunschweig en Allemagne a montr que la permittivit des amandes
et des noisettes est trs proche de celle du chocolat ; lanalyse spec-
troscopique THz rend possible la direntiation avec des morceaux de
polystyrne, verre ou mtal. Lavantage des THz par rapport aux tech-
niques conventionnelles, que sont les rayons X et les ultrasons, est res-
pectivement le caractre non ionisant et la transparence ou opacit
direntes par rapport au domaine X, et la capacit de raliser une
mesure sans contact. Les ultrasons requirent en eet un contact avec
un liquide adaptateur dindice [295].
10.3 Maintenance prventive
10.3.1 Principe
Un autre domaine dapplication des ondes THz repose sur leur capa-
cit pntrer des couches et permettre la vision dobjets cachs. Les
ondes THz orent ainsi la possibilit de raliser une analyse volumique sans
contact des objets. Ces proprits associes la capacit de traverser des ma-
triaux non mtalliques ouvrent la voie des applications dans le domaine
de la maintenance prventive. Le systme sera sans doute un systme por-
table qui permettra daller sur le terrain pour raliser in situ lanalyse dune
structure, ou encore pour dtecter la prsence dune molcule. Lapplication
296 Optolectronique trahertz
maintenance prventive tire partie des inconvnients des ondes THz savoir
la rexion sur des matriaux mtalliques et labsorption par leau. Ces d-
fauts sont convertis en avantages : dtection du mtal et de la prsence deau.
Ces deux proprits sont des grandes voies potentielles dapplication de la
technologie THz.
10.3.2 Exemples
Le domaine aronautique est trs demandeur en termes de maintenance
prventive non invasive :
dtection de bulles dair dans des mousses : lexemple le plus souvent
voqu au sein de la communaut scientique est celui de lemploi des
THz pour dcouvrir lorigine de laccident de la navette spatiale Colum-
bia en fvrier 2003. Le laboratoire du Rensselaer Polytechnic Institute
a t en charge dinspecter par tomographie THz T-RAY la mousse
recouvrant les bords dattaque des ailes de la navette. Londe THz a
permis de mettre en vidence des bulles dair dans la mousse qui ont
pu tre lorigine de son dcollement [290]. Il a not que les bulles
dair nont pas pu tre localises par les techniques conventionnelles
telles que les rayons X et les ultrasons. Dans le secteur aronautique
lheure o les matriaux composites sont de plus en plus employs,
les ondes THz prsentent un grand intrt pour la dtection de dfauts
prsents sous la couche de peinture : alvoles ou ssures ;
dtection des points de corrosion : dans le domaine aronautique et
automobile, les frquences THz permettent la dtection de la corrosion
sous la peinture. La corrosion sous la peinture nest pas visible jusqu
ce que la peinture craqule. Lidentication des points corrods est un
exemple typique de maintenance prventive qui permet didentier les
zones rparer moindre cot avant dtre confront des problmes
structurels graves. Ce projet a conjointement tait propos et ralis
par lUS Army et la Nasa [309].
Un autre secteur o la maintenance prventive est prpondrante est le sec-
teur du BTP :
dtection de ssures sous lenduit dans le BTP : les ondes THz per-
mettent de dtecter la prsence de ruissellement ou de ssures en for-
mation masques par le crpis protecteur sur des ouvrages dart. On
notera galement lemploi potentiel pour la dtection de canalisation
enterre ou pour la dtection de l lectrique dans des murs.
Dans le secteur de lagriculture et de lagroalimentaire, les THz trouvent
galement des applications varies :
dtection de lge et de lintgrit dun arbre : les ondes THz peuvent
galement tre employes pour dterminer lge dun arbre en dtec-
tant les impulsions rchies sur les cernes, les couches concentriques
prsentes lintrieur du tronc. Les changements de structures lies
10. Familles dapplications THz 297
la priodicit des saisons crent des cercles concentriques dans le tronc.
Ils sont autant de recteurs potentiels pour les ondes THz. Le mme
systme sera employ pour dterminer la prsence de cavits dans le
tronc de larbre. Dans ce mme secteur dactivit, lutilisation des THz
pour la dtection des termites dans les charpentes en bois pourrait tre
une voie davenir pour les THz ;
rgulation de lirrigation des champs cultivs : les ondes THz peuvent
galement bncier lindustrie agricole par un contrle non destructif
du ux deau dans les feuilles des plantes. Les tudes laboratoires ont
montr lextrme sensibilit du systme THz la teneur en eau, ce
paramtre est un marqueur incontournable pour anticiper le stress des
vgtaux. Le systme THz devient alors une aide pour la rgulation de
lirrigation des plantes [310] ;
teneur en eau des viandes emballes sous vide : toujours base sur
le mme principe, la sensibilit extrme des THz la teneur en eau
prsente un intrt certain pour lindustrie agroalimentaire. On imagine
le contrle qualit des produits en ralisant une surveillance de la teneur
en eau des tranches de viande emballes sous vide.
10.4 Scurit et dfense
10.4.1 Principe
Nous avons choisi de regrouper dans un mme paragraphe les applications
de scurit et de dfense car nous voyons, depuis le 11 septembre 2001, une
convergence des besoins en moyens de reconnaissance distance. Dnormes
budgets ont t allous au domaine de lHomeland Security, notamment aux
tats-Unis, pour quiper les aroports avec des portiques de scurit int-
grant direntes technologies, dtecteurs de mtaux et rayons X. Les rayons X
gardent le leadership sur ce secteur dactivit, toutefois il est envisageable
que les THz viennent en technologie complmentaire pour aider la dtec-
tion dexplosifs ou darmes cramiques. Pour ce qui est du domaine de la
dfense, un besoin croissant se fait sentir pour la dtection et lidentication
distance darmes, dexplosifs, dengins explosifs improviss ou encore de
molcules bactriologiques et chimiques.
10.4.2 Exemples
Dans le domaine de la scurit, on distinguera deux domaines de dtection
distance, la dtection proche (< 3 m) et la dtection lointaine (> 3 m) :
dtection proche : la dtection proche concerne plus particulirement
les portiques daccs dans les aroports. Plusieurs consortiums dans le
monde travaillent la mise au point et lvaluation de la technolo-
gie THz pour les portiques de scurit dans les zones aroportuaires.
298 Optolectronique trahertz
Il sagit de dtecter des explosifs sur des voyageurs ou dans des bagages ;
dtection distance : la dtection distance concerne la scurit des
points de contrle (check-point) pour lesquels il est ncessaire de d-
tecter le plus loin possible la prsence dun individu dissimulant des
explosifs [298]. Un second objectif est demployer un systme dimage-
rie THz susamment sensible pour la surveillance de lieux publics, et
notamment lidentication au milieu dune foule dune personne por-
tant une arme ou des explosifs. Lors de la surveillance de lieu public,
notamment lors de manifestations, il apparat des contraintes de ra-
pidit de traitement dimage, de sensibilit et de rsolution lies un
emploi en milieu dius. Il peut y avoir non seulement des rexions
sur des surfaces qui viennent perturber la dtection, mais galement
la prsence de composs chimiques sous forme darosols qui complexi-
ent lanalyse du spectre. Pour linstant, la dispersion eective des
ondes THz par des particules de la classe du micron comme les pous-
sires, le pollen ou la fume, est considre comme ngligeable, mais
demeure un sujet dtude.
De nombreux laboratoires se sont intresss la caractrisation des explosifs
dans le domaine THz :
spectre des principaux explosifs : des travaux ont t mens pour d-
montrer lutilisation [287] des THz pour la dtection distance darmes
et dexplosifs. Une image THz de la personne montrera les paisseurs
de vtement ainsi quune rexion sur lobjet recherch, et la peau de la
personne apparat sur limage de couleur sombre, voir la gure (10.2).
Les laboratoires ont mis en vidence que les explosifs C-4, HMX, RDX,
TNT prsentent tous des signatures spectrales dans le domaine THz qui
permettent de les distinguer dautres matires comme les vtements,
les pices de monnaie ou la peau. Il a t not que le spectre dabsorp-
tion du RDX reste identique mme lorsquil est mlang une matrice
pour devenir du C4. Un travail du mme type a t men par la socit
Teraview pour la dtermination du spectre THz des explosifs les plus
connus. Loriginalit de lapproche de Teraview rside dans lutilisation
dun systme travaillant en rexion an dtre plus proche de la ra-
lit. laide du TPI Scan Imaging System , Teraview a inspect des
chantillons de RDX. Cet explosif prsente une raie dabsorption aux
alentours de 300 GHz. La granulosit du produit ne perturbe pas les
mesures [311] ;
spectre des textiles : dautres laboratoires se sont intresss la trans-
mission des ondes THz travers les bres textiles employes dans lha-
billement et dans la fabrication des bagages. Les rsultats montrent que
toutes les bres textiles sont assez transparentes pour des frquences
infrieures 300 GHz. Il est noter le cas particulier de la laine qui pr-
sente une attnuation relative plus importante que les autres textiles
10. Familles dapplications THz 299
Fig. 10.2 Imagerie THz dune lame de rasoir dont la partie basse est cache
sous un vtement (daprs [313]).
alors que sa densit est la moins forte du lot. Ainsi mme si les me-
sures sont faciles raliser, les interactions THz-matire demeurent
complexes expliquer [312].
Pour implmenter de tels systmes, il existe deux approches THz avec
imagerie passive ou THz avec imagerie active :
imagerie passive : pour limagerie passive, le principe repose sur une
mesure du contraste de temprature ou dmissivit entre lobjet
dtecter et le porteur. Il est requis une matrice de dtecteurs trs sen-
sibles ;
imagerie active : il est requis de dvelopper une source de rayonnement
qui claire la scne imager et une matrice de dtecteurs susam-
ment sensibles pour tudier le contraste entre la rexion sur lobjet
dtecter et la rexion sur le corps de la personne.
Pour les applications relatives la dfense, nous recensons la surveillance de
zone et la dtection de substances toxiques. Lobjectif de tous les acteurs de la
scurit et de la dfense est de disposer dun dtecteur portable : compact, ra-
pide, dtecteur multicomposants (explosif, gaz, drogue, voire mme dtection
dagent biologique) pouvant travailler distance. La maturit technologique
ne permet pas encore de dvelopper ce type de systme, ce qui laisse l-encore
des pistes de recherche pour les laboratoires acadmiques et privs. Dans le
domaine de la scurit et de la dfense, lemploi des ondes THz conduit des
systmes de surveillance complmentaires ceux existant aujourdhui. Leur
principal avantage, qui reste toutefois un d pour les chercheurs, rside dans
la capacit didentication des substances.
300 Optolectronique trahertz
10.5 Tlcommunications
10.5.1 Principe
La socit de linformation dans laquelle nous vivons doit faire face une
demande grandissante du dbit des changes dinformation. Pour les trajets
longues distances, les transmissions optiques au travers des bres optiques et
le multiplexage des longueurs donde permettent datteindre en laboratoire
des dbits suprieurs 10 TeraBits par seconde. Pour les tlcommunications
de courte porte, assures lheure actuelle par les technologies Bluetooth
et WIFI, leur saturation pourrait se produire terme si tous les appareils
sont interconnects, de lordinateur multimdia multifonction au lave-linge
en passant par les applications de domotique.
Quid du THz dans la maison et au bureau? Laugmentation conjugue
des dbits des transmissions de donnes numriques entre ordinateurs et la
densit lectromagntique dans la bande 0,5 6 GHz montrent que le do-
maine THz pourrait tre une solution pour rsoudre ces deux problmes.
Laugmentation de la frquence porteuse est une des possibilits couramment
employes pour permettre laccs du plus grand nombre au plus haut dbit.
Par exemple, la frquence des tlphones portables est passe de 900 MHz
pour le GSM classique 1 800 MHz pour le GPRS et lUMTS de troisime
gnration. Le concept de radio sur bre combine la transmission haut dbit
sur bre optique et le rayonnement dune station de base vers les usagers
des frquences de plusieurs dizaines de GHz (22 GHz pour le LMDS, 40 GHz
voire 65 GHz pour la radio sur bre). Si lon se projette sur le long terme,
les frquences THz seraient une solution pour tablir des transmissions haut
dbit entre des points xes.
Une autre facette de la problmatique Tlcommunications concerne luti-
lisation de loptolectronique THz dans les circuits rapides pour traiter les
signaux numriques haut dbit, ainsi que les applications dchantillonnage
lectro-optique de signaux analogiques. Ce second aspect de lemploi des
THz dans les systmes de tlcommunications est donc relatif au traitement
du signal. Laugmentation du dbit gnre des ots dinformation quil est
ncessaire de traiter, ce qui implique le dveloppement de circuits qui tra-
vaillent des frquences plus rapides que le dbit traiter. lheure actuelle,
le problme du traitement des donnes a t rsolu avec une paralllisation
massive et un multiplexage temporel de linformation. Ces trs hauts dbits
nexistent quen optique, mais pas dans le domaine lectrique. Pour les mmes
raisons que celles voques ci-dessus, le dbit en sortie des transducteurs
optique/lectrique a progressivement augment en passant de 2,5 Gbit/s
10 Gbit/s, puis 40 Gbit/s et 100 Gbit/s dans le futur. Le prlvement de
trains de donnes binaires requiert des circuits de commutation ultrarapides
fonctionnant dans le domaine du THz. Il devient ncessaire de dtecter les
signaux en sortie des convertisseurs optique/lectrique avec des circuits ayant
10. Familles dapplications THz 301
des temps de rponse au moins 10 fois plus rapides que le dbit. Ces circuits de
type commutateur ralisent une fonction de routage pour orienter les paquets
de donnes. Les laboratoires impliques dans le domaine du THz travaillent
sur la caractrisation des structures de propagation, des ltres, des commu-
tateurs et des lments actifs futurs composants cls de llectronique THz.
Nanmoins, la conception damplicateurs THz reste un challenge pour les
chercheurs.
Lchantillonnage en temps quivalent et les moyens optolectroniques de
mesure des impulsions THz trouvent un dbouch naturel dans les tlcom-
munications haut dbit et llectronique ultrarapide. De lchantillonnage
photoconductif lchantillonnage lectro-optique en passant par lchan-
tillonnage par eet Franz-Keldysh, les techniques optolectronique THz se-
ront lorigine des ttes dchantillonnage des moyens de mesure de demain.
10.5.2 Exemples
Le systme de communication THz allie les avantages des deux tech-
nologies que sont loptique et llectronique. Elles sont toutes les deux ac-
tuellement employes pour les liaisons de donnes de proximit savoir en
optique les communications de proximit entre ordinateurs, liaisons infra-
rouge (IR Data) et les communications entre immeubles. La qualit de ce
type de transmission dpend fortement des conditions atmosphriques. Les
THz prsentent galement lavantage sur loptique de pouvoir communiquer
travers des parois non mtalliques, ce qui est le cas dans de nombreux im-
meubles modernes ou plates-formes de transport de type gros porteur. Une
comparaison des ondes THz avec les systmes de communications de type
BlueTooth ou WIFI montre quil serait possible daugmenter le dbit par
lutilisation dune frquence porteuse plus leve, et galement dassurer des
liaisons point--point ddies, ce qui est synonyme de scurit accrue :
communication inter plates-formes : le laboratoire Microsystem Inte-
gration de NTT a dmontr la faisabilit dune liaison sans l em-
ployant les ondes sub-THz 120 GHz entre une camra haute dni-
tion et une station de base situe dans un btiment. Une dmonstration
sur le terrain de la transmission de 6 canaux de tlvision haute d-
nition a t faite par temps de pluie. Le dbit maximum atteint est de
10 GB/s pour une porte de 1 km. Ce dbit est conforme aux normes
de tlcommunication 1394/802.15. Les metteurs sont quips dun
systme laser mettant un peigne de frquences. Un systme optique
permet de slectionner 6 couples de 2 frquences. Lespacement entre
les frquences correspond la frquence porteuse du signal radiolec-
trique mis. Un modulateur optique est employ pour moduler un des
faisceaux optiques directement avec les signaux numriques, modula-
tion de type ASK. Un photomlangeur coupl une antenne dtecte
302 Optolectronique trahertz
puis rayonne le signal millimtrique. Lobjectif de ce laboratoire est
daugmenter la frquence porteuse autour de 240 GHz puis 300 GHz
an datteindre des dbits de lordre de 20 GB/s [314].
Comme il a t indiqu prcdemment, les frquences THz ne se propagent
pas trs bien dans latmosphre cause de lattnuation lie labsorption par
la vapeur deau. Cet inconvnient pour la dtection distance peut devenir un
avantage pour assurer la condentialit des communications sur un primtre
donn.
Le dernier avantage de la technologie THz est toujours li sa frquence
leve qui permettrait de dvelopper des systmes haut dbit en vitant les
problmes de compatibilit lectromagntique rencontrs bord des avions et
ou des moyens de transport terrestre. Par exemple, le cblage des avions gros
porteurs, de type A380, est un problme dont la complexit augmente pro-
portionnellement aux fonctionnalits associes avec chaque sige. La volont
de fournir le maximum de service au travers de lIn Flight Entertainment
pousse augmenter les dbits et le passer en cble coaxial haut dbit blind.
Une solution serait demployer une distribution du signal par WIFI, toute-
fois linteraction avec les commandes de vols lectriques pose un problme
de compatibilit lectromagntique. Le THz pourrait tre une solution pour
la distribution haut dbit dinformation vers chaque sige, dautant plus que
les parois dun avion sont le plus souvent en matriau composite transparent
dans cette gamme de frquence
10.6 Biologie et biomdical
10.6.1 Principe
Dans le domaine des diagnostics biomdicaux, la forte absorption THz de
leau joue un rle central, qui limite fortement la profondeur de pntration
du rayonnement. Les principales applications consistent en des examens de
surface, en particulier la peau et les dents. Dun autre ct, la sensibilit
leau peut tre utilise pour ltude de lhydratation des tissus. Ainsi les
applications dimagerie biomdicale sorientent vers ltude des cancers de la
peau, de la dtection des caries dentaires, et du diagnostic des brlures. Des
tudes plus fondamentales concernent galement la spectroscopie des mol-
cules biologiques, et en particulier de lADN. Les frquences THz retent les
vibrations basse frquence des hlices constituant lADN, qui sont modies
lorsque lADN change de conformation. La dtection de ces modications est
mise prot pour dvelopper de nouvelles gnrations de puces ADN. La
dtection du glucose sanguin ou de lacide urique est galement ltude.
10. Familles dapplications THz 303
10.6.2 Exemple
Limagerie de la peau, et en particulier du cancer de la peau, a t lun
des premiers sujets dtude biomdicale mettant en jeu des ondes THz [282].
Comme le montre la gure (10.3), les THz orent la possibilit de dtecter des
tumeurs non visibles dans le domaine optique. Une autre application concerne
la dtection de cancers de la peau. Avec un systme dendoscopie, il sera
galement possible de visualiser des cancers de lsophage et de lintestin.
Fig. 10.3 Comparaison dune image visible (gauche) de tissus sains et
malades, avec une image THz (droite). Au milieu, les histogrammes corres-
pondent labsorption THz moyenne dans direntes zones saines et malades
(daprs [282]).
Par ailleurs, toujours dans le domaine mdical et concernant la peau, il a
t propos de raliser une imagerie THz des personnes brles. Actuellement
il est ncessaire de retirer les pansements de la surface de la plaie pour valuer
la cicatrisation. Avec laide des THz, il deviendrait possible de sonder et
dimager au travers des pansements. Des recherches ont t mens en se sens
en Australie [315].
Les dents, du fait de leur faible teneur en eau, ont galement t beaucoup
tudies. Il sagit de dtecter la prsence de caries la surface de la dent. La
teneur en eau de la carie tant dirente de celle de la dentine, il serait pos-
sible de localiser la carie sans avoir recours une radiographie par rayons X.
Pour linstant, les tests nont t pratiqus quex vivo et, dans ce cas de -
gure, le taux dhumidit nest pas reprsentatif de la ralit, conduisant un
dbat entre spcialistes sur la faisabilit pratique de cette mthode.
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Chapitre 11
Dtection et quantication
de gaz en THz
11.1 Introduction
Depuis quelques annes, les pouvoirs publics sous la pression de la po-
pulation et dassociations engagent de nombreuses actions an damliorer
et/ou de prserver notre cadre de vie. En particulier, la pollution atmosph-
rique devient lune des inquitudes principales en termes denvironnement
et de qualit de vie. Des oprations dinformation et dalerte la pollution
atmosphrique, pour lozone par exemple, sont dsormais bien tablies dans
de nombreux pays. Des normes concernant la qualit de lair ont t dnies
mais restent cependant limites un nombre fort restreint de substances.
La ncessit de rduire la pollution atmosphrique a galement pouss de
nombreux gouvernements prendre des mesures visant limiter les mis-
sions polluantes. Dimportants protocoles internationaux ont t signs dont
le dernier (protocole de Kyoto) traite des rejets de gaz eet de serre. Dans
ce cas particulier, les signataires sengagent ramener leur mission de gaz
eet de serre leur niveau de 1990. lexception des tats-Unis, toutes
les grandes puissances conomiques ont rati ce texte, ce qui montre dsor-
mais une relle prise de conscience sur la ncessit de rduire les missions
de polluants pour prserver notre cadre de vie. Il est noter que des sub-
stances mme ltat de traces (de lordre du ppm) restent malgr tout fort
impliques dans de nombreux processus physico-chimiques de latmosphre.
Cest ainsi quon estime que les chlorouorocarbones (CFC) en quantit fort
rduite (environ 3 ppb
1
) contribuent pour 8 % leet de serre.
Toute action de prvention ou de matrise des pollutions exige une bonne
connaissance des rejets et de leurs impacts sur lhomme et son environne-
ment. Pour cela, une caractrisation et une quantication des missions de
polluants sont ncessaires, problmes pour lesquels il nexiste pas de solution
1
1 ppb = une mole parmi un milliard.
306 Optolectronique trahertz
unique. Les polluants les plus classiques (oxydes dazote et de soufre) sont
classiquement dtects dans lultraviolet, par sondage de transitions lec-
troniques (LIDAR). En revanche, les dveloppements rcents montrent que,
concernant la classe trs importante des composs organo-volatils (COV),
les meilleures opportunits se situent dans linfrarouge moyen o les spectres
de vibration de ces espces sont trs intenses. Pour de nombreuses autres
substances, les techniques restent imaginer. Pour des raisons dj large-
ment voques dans les prcdentes parties de cet ouvrage, le domaine des
ondes THz reste peu exploit. Pourtant, une immense varit de molcules
dintrt atmosphrique possdent des transitions de rotation/vibration din-
tensit susante pour permettre leur dtection ltat de trace. De nombreux
composs volatils se trouvant dans latmosphre sont des molcules relative-
ment lgres, comportant peu datomes et donc susceptibles de prsenter
un spectre de rotation dans la rgion THz si elles ont un moment dipolaire
permanent. La lgende rapporte que le groupe de Gordy, lors du dvelop-
pement des premiers radars durant la seconde guerre mondiale, a dtect
de faon accidentelle lammoniac (NH
3
) au-dessus de la rivire Colombia.
metteur et dtecteur taient placs de part et dautre de la rivire, le signal
disparaissait chaque passage dune pniche poubelle. Il sagit fort probable-
ment de lune des premires dtections dun polluant dans le domaine THz
(ou plutt sub-THz) par spectroscopie dabsorption. Lintrt de ce domaine
de frquence est que lon est capable dobtenir des signatures extrmement
claires, au moins faible pression, des dirents gaz composant un mlange
ce qui nest pas forcment le cas en infrarouge o les largeurs Doppler sont
beaucoup plus importantes et peuvent de fait diminuer la slectivit de la
mthode danalyse. Dans le principe, le domaine THz ore une ex-
cellente slectivit. Dautre part la longueur donde du rayonnement THz
(100 m-300 m) doit permettre de dtecter des gaz dans des environnements
hostiles (brouillard, arosols, fumes...). Enn, la dtection de polluants par
des mthodes optiques permet de raliser une surveillance par prlvement
mais galement distance (remote sensing) ou mme in situ.
Une autre application extrmement importante de la spectroscopie est la
radioastronomie. Lespace interstellaire tait considr, jusquau milieu du
vingtime sicle, comme un milieu trs hostile pratiquement vide de mol-
cules. La mise en service des premiers radiotlescopes (dabord en longueurs
donde centimtriques puis millimtriques) a permis de dtecter, contraire-
ment aux prvisions, de nombreuses molcules rassembles dans des nuages
interstellaires. Et il est rapidement apparu quune chimie complexe existait
dans ces nuages.
Lanalyse des spectres en radioastronomie permet de prciser les condi-
tions physico-chimiques (composition, densit, temprature, champ magn-
tique, vitesse...) du milieu interstellaire. Ce travail a dj permis une meilleure
connaissance de certains problmes de la chimie organique mais le principal
11. Dtection et quantication de gaz en THz 307
intrt provient du fait que les toiles naissent de ces nuages molculaires.
De ce fait, la radioastronomie est un instrument essentiel pour tudier la cos-
mogense. Un autre aspect, galement trs important, est lexobiologie : une
connaissance plus approfondie de la formation et de lvolution des molcules
du cosmos permettrait une meilleure comprhension des origines de la vie.
Pour dtecter sans ambigut la prsence dun compos, il est ncessaire
davoir sa disposition une source de rayonnement susamment puissante
certes mais prsentant galement des caractristiques assez contraignantes
parmi lesquelles :
accordabilit la plus large possible pour une quantication multipol-
luants et viter les erreurs didentication;
puret spectrale bien meilleure (plus petite) que la largeur de raie que
lon souhaite observer et quantier ;
jitter (instabilits de frquence) susamment faible pour rester dans
les conditions nonces ci-dessus pendant le temps dacquisition;
bonne mtrologie de frquence pour viter toute ambigut sur le pol-
luant dtect ;
dynamique de mesure importante pour pouvoir mesurer des espces en
faible ou en importante concentration;
facilit de mise en uvre et maintenance rduite.
Dans le domaine THz, les seules sources disponibles jusquau dbut des an-
nes 1990 taient encombrantes, diciles utiliser, peu ables et deman-
daient un personnel en nombre et comptent pour fonctionner. Depuis, avec
lessor des conversions optolectroniques pour la gnration et/ou la dtection
donde THz soulign dans les prcdentes parties de cet ouvrage, la situation
mrite dtre revue . Nous prsenterons dans la suite quelques compl-
ments la partie spectroscopie pour comprendre les mthodes utilises dans
la dtection et la quantication de polluants et nous illustrerons le propos
par lanalyse en onde THz dun milieu hostile (en termes de diusion) quest
la fume de cigarette. Enn, nous dtaillerons la spcicit des expriences
pour les applications envisages dans ce chapitre.
11.2 Dtermination des concentrations
par spectroscopie
Nous avons vu (page 47) que lintensit du rayonnement traversant une
distance L de gaz tait rgie par la loi de Beer-Lambert :
I = I
0
e
L
(11.1)
o est le coecient dabsorption du gaz travers et I
0
est lintensit initiale
du rayonnement.
308 Optolectronique trahertz
Si lon considre une absorption la frquence
0
correspondant la
transition dun niveau dnergie E
i
vers un niveau E
j
, nous pouvons exprimer
le coecient dabsorption par :
() = S

g(
0
) (11.2)
o S

est la force de raie et g(


0
) est la forme de raie (Lorentz, Doppler,
Vogt...). Le coecient S

est donn par :


S

= N
2
2
N
if
3hc
0
[
ij
[
2

0
(11.3)
o N
if
est la dirence relative de population entre les tats E
i
et E
j
, N
est le nombre de molcules par unit de volume de gaz absorbant,
ij
est
llment de matrice du moment dipolaire qui couple les tats E
i
et E
j
. Pour
une molcule linaire comme OCS par exemple, si les transitions qui nous
intressent sont des transitions de rotation, la dirence de population N
if
est donne par le quotient :
N
if
=
e
E
J+1
/kT
e
E
J
/kT

n=0
(2n + 1)e
E
n
/kT
(11.4)
avec E
J
= hBJ(J + 1) et E
n
= hBn(n + 1). La somme au dnominateur se
rduit
kT
hB
et la fonction de partition scrit :
N
if
=
hB
_
e
E
J+1
/kT
e
E
J
/kT

kT
(11.5)
La force de raie telle quelle a t dnie plus haut dpend bien videmment
de la temprature et des niveaux dnergie considrs mais galement du
nombre de molcules par unit de volume du gaz absorbant. Cest la raison
pour laquelle on utilise plus volontiers lintensit de raie qui ne dpend plus
de N. Cest le cas par exemple dans les bases de donnes comme HITRAN.
Par dnition, lintensit de raie est donne par :
S =
_

0
()
N
d =
S

N
_

0
g(
0
)d (11.6)
Dans le cas qui nous intresse ici de dtection et de quantication de polluants
dans lair et en THz, nous sommes en prsence de molcules lgres avec des
pressions fortes et des frquences modres. Le prol de raie adapt est un
prol de Lorentz :
g(
0
) =

L

_
(
0
)
2
+
2
L
_ (11.7)
11. Dtection et quantication de gaz en THz 309
Lintensit de raie sexprime alors trs simplement en fonction de la force
de raie
2
:
S =
S

N
(11.8)
On peut donc modliser la transmission de lintensit du faisceau travers
le gaz par la fonction suivante :
I = I
0
e

L
(
0
)
2
+
2
L
= I
0
e

SNL

L
(
0
)
2
+
2
L
(11.9)
En toute rigueur, si lintensit de raie est connue ainsi que la longueur din-
teraction, il sut, pour obtenir le nombre de molcules par unit de volume,
deectuer un ajustement non linaire sur le modle ci-dessus avec les para-
mtres dajustement :
S N L intensit de raie multiplie par le nombre de molcules par
unit de volume et par la longueur dinteraction matire-rayonnement ;

L
demie-largeur mi-hauteur de la transition;

0
frquence centrale de transition.
La gure (11.1) donne un exemple dajustement non linaire sur un modle
o lon tient compte de plusieurs raies dabsorption :
I ()
I
0
= exp

NLS
1

L1

_
(
01
)
2
+
2
L1
_
NLS
2

L2

_
(
02
)
2
+
2
L2
_ . . .

(11.10)
2
Dans le cas dun prol de Lorentz, lintensit de raie sexprime par :
S =
S

N
_

0
g(
0
)d =
S

N
_

0

_
(
0
)
2
+
2
L
d
Si on pose X =
0
, lintensit de raie devient :
S =
S

0
dX
[X
2
+
2
L
]
S =
S

_
1

L
arctan
_
X

L
__

0
=
S

N
_

2
arctan
_

L
__
De plus, si
0

L
, alors arctan
_

L
_

2
et
S
S

N
_

2
+

2
_
=
S

N
.
310 Optolectronique trahertz
3000 2000 1000 0 1000 2000 3000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
OCS J=70 P = 8.3 mBar

0
MHz
3000 2000 1000 0 1000 2000 3000
0.1
0.05
0
0.05
0.1

0
MHz
e
r
r
e
u
r

r
e
l
a
t
i
v
e
Fig. 11.1 OCS : tat fondamental bande
2
autour de 849 GHz, J = 70
(Intensit en units arbitraires, la courbe continue est calcule).
11.3 Exemple de la fume de cigarette
La fume de cigarette est un milieu trs complexe car constitu de plus
de 4 000 composs en phase gazeuse ou sous forme darosols, parfois forte-
ment ractifs et pouvant passer dune phase lautre. Il sagit dun milieu
fort diusant qui naecte que peu la propagation dun rayonnement THz.
De nombreuses techniques analytiques telles que la spectroscopie de masse
et la chromatographie sont couramment utilises pour tudier la fume de
cigarette mais ncessitent le plussouvent un chantillonnage, une capture et
11. Dtection et quantication de gaz en THz 311
une transformation du gaz cibl. Des expriences par spectroscopie dabsorp-
tion dans le proche infrarouge sont galement possibles, notamment en tirant
prot de diodes laser. Leur accordabilit rduite ncessite le plus souvent une
diode laser par molcule cible.
Lobjet de ce paragraphe est de souligner lintrt des ondes THz pour
sonder un milieu hostile, cest--dire opaque ou fortement diusant des
longueurs donde plus courtes.Deux spectromtres THz ont t utiliss, lun
impulsionnel (THz-TDS), lautre continu (photomixing), tous deux dcrits
dans les chapitres 2 et 3.
La gure (11.2) prsente le spectre de transmission de la fume de ciga-
rette entre 400 GHz et 1 200 GHz une pression denviron 800 mbar. On
y distingue plusieurs raies dabsorptions dont les plus intenses sont dues
la vapeur deau naturellement prsente dans latmosphre mais galement
rsultat de la combustion de la cigarette. Au-del de 1 100 GHz, la super-
position de plusieurs transitions intenses rend toute discrimination dicile.
On remarque galement une structure rptitive caractristique dune mol-
cule linaire. Chaque transition est spare denviron 44 GHz permettant de
les attribuer la molcule de cyanure dhydrogne (HCN). Il est galement
reprsent en pointill, un spectre simul de cette mme espce en concen-
tration de 180 ppm. Malgr la rsolution insusante du spectromtre, une
premire estimation de la quantit de cyanure dhydrogne peut ainsi tre
obtenue. Ce rsultat doit en revanche tre confort par des mesures plus
haute rsolution. Dautres raies beaucoup moins intenses sont dues au mo-
noxide de carbone (CO), pourtant rput tre en forte concentration. Cest
son moment dipolaire, 27 fois plus faible, qui rend sa dtection plus dlicate
ces frquences.
Ces premires observations doivent tre anes par des mesures avec une
meilleure rsolution spectrale pour obtenir le prol exact des transitions sous
tude, caractristique de leur concentration. Un spectromtre continu, bas
sur le photomlange est alors employ.
La gure (11.3) montre un spectre haute rsolution ralis autour de
1 239 GHz et correspondant la transition de rotation J = 14 13 de HCN.
Il a t obtenu en remplissant une cellule de longueur 128 cm de fume de ciga-
rette avec une pression de 20 mbar. Un ajustement non linaire sur le modle
de lquation (11.9) permet dobtenir les paramtres exprimentaux corres-
pondant la surface (A = S N L), la demi-largeur mi-hauteur (
L
)
et la frquence de la transition N =
A
SL
= 1,02 10
14
molcules/cm
3
en
tenant compte de lintensit de la transition considre tabule dans HITRAN
312 Optolectronique trahertz
Fig. 11.2 Spectre en transmission de la fume de cigarette (P = 900 mbar)
en THz-TDS.
1500 1000 500 0 500 1000 1500
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000

0
MHz
U
n
i
t

s

a
r
b
i
t
r
a
i
r
e
s


mesures
ajustement
1500 1000 500 0 500 1000 1500
0.1
0.05
0
0.05
0.1

0
MHz
e
r
r
e
u
r

y
c
a
l
c

y
Fig. 11.3 Transition de HCN vers 1 239 GHz dans les fumes de cigarette
pression totale de 20 mbar (Intensit units arbitraires).
11. Dtection et quantication de gaz en THz 313
(S = 7,01 10
19
cm/molcule). Nous pouvons ensuite calculer la pression
partielle correspondante en utilisant la loi des gaz parfaits
3
:
P V = n k T (11.11)
P
partielle
= N k T (11.12)
P
partielle
= 1,02 10
20
1,38 10
23
294 = 0,414 Pa (11.13)
P
partielle
=
0,414
10
2
= 4,1 10
3
mbar (11.14)
Enn la concentration est calcule en faisant le rapport de la pression partielle
la pression totale de la cellule :
c =
P
partielle
P
totale
=
4 10
3
20
= 200 ppm (11.15)
Ceci correspond une masse
4
M
HCN
de HCN prsente dans la cellule
de 78 g.
11.4 Molcules cibles
Un grand nombre de molcules sont dtectables en THz mais plusieurs
points sont vrier cependant. Rappelons que le gaz que lon veut dtecter
doit comporter un moment dipolaire de transition non nul et que les tran-
sitions cibles doivent avoir des intensits susamment consquentes pour
tre observables. Bien entendu, ce dernier point est prciser en fonction
des concentrations que lon mesure et du rapport signal sur bruit de lexp-
rience utilise. Lexemple de la gure (11.3) montre une transition dintensit
S = 7,0110
19
cm/molcule qui est dtecte sans traitement du signal et sans
utilisation de cellule multi-passage avec un rapport signal sur bruit estim
100 et une absorption maximale de 75 % du signal. Ceci montre que dans
les mmes conditions exprimentales on pourrait dtecter et quantier fa-
cilement cette mme transition avec une concentration 10 fois plus faible
de 20 ppm qui donnerait alors une absorption maximale de 13 %. Rappe-
lons galement que, si lon veut quantier une espce, il faut imprativement
connatre les caractristiques de la molcule comme les intensits des dif-
frentes transitions et les frquences dabsorption. Dun point de vue plus
pragmatique, les molcules cibles pour la dtection dans lair peuvent tre
3
Nous eectuerons le changement dunit : 1 bar=10
5
Pa.
4
La masse est donne par M
HCN
=
N.V
cellule
N
a
M
molaire
.
314 Optolectronique trahertz
classes selon leur dangerosit pour lhomme. LInstitut National de la Re-
cherche et la Scurit (INRS, www.inrs.fr) a fait un norme travail dtude
et de compilation des substances chimiques prsentant des risques sanitaires
notamment dans les ambiances professionnelles. Les tableaux rpertorient
les Valeurs Limites dExposition (VLE) et les Valeurs Moyennes dExposi-
tion (VME) qui sont prsentes pour des temps respectivement de 15 min et
8 heures. Il sagit de valeurs qui sont tablies dans le cadre de la lgislation
du travail. Nous avons repris dans la suite quelques substances dtectables
en THz tires des donnes de lINRS. Cest une liste qui bien sr est loin
dtre exhaustive (tableau (11.1)).
Substance VME ppm VLE ppm Notes
Acide cyanhydrique 2 10
Ammoniac 10 20
Hydrogne sulfur 5 10
Trichlorthylne 75 200 Cancrigne, mutagne
Dichloromthane 50 100 Cancrigne
Trimthylamine - 10 Allergne
Chlorure de vinyle 1 - Cancrigne
Tab. 11.1 VME et VLE de quelques substances rglementes, dtectables
en THz.
11.5 Applications en astrophysique
Lespace entre les toiles nest pas vide. Le milieu interstellaire contient
du gaz et de la poussire qui reprsentent 10 % environ de la masse des
toiles. Dans la plus grande partie de ce milieu, le gaz est extrmement di-
lu (quelques particules par cm
3
) et ionis. La plupart des molcules sont
condenses dans des nuages molculaires gants de masse imposante (jusqu
100 000 fois celle du soleil) et qui sont plus froids et beaucoup plus denses.
On y trouve essentiellement de lhydrogne molculaire (75 %), de lhlium
(25 %) et des traces doxygne, de carbone, dazote, de silicium, de soufre, etc.
La lumire visible et ultraviolette des toiles ne pntre pas ces nuages, du
fait de leur densit, ce qui permet lexistence de molcules. On en a dtect
jusqu prsent 142 direntes (sans compter les isotopologues). Certaines
de ces molcules sont galement abondantes sur Terre : H
2
O, NH
3
, H
2
CO...
mais beaucoup despces sont typiques des nuages molculaires : radicaux,
cations et longues chanes molculaires telles que HC
11
N. Ces espces sont
trs instables sur Terre. La chimie interstellaire est donc trs dirente de
la chimie terrestre mais elle est encore mal connue. Elle est cependant dun
intrt fondamental car cest dans ces nuages que naissent les toiles et les
systmes plantaires.
11. Dtection et quantication de gaz en THz 315
Jusqu prsent, le seul moyen pour tudier ces nuages est la spectroscopie
et, plus particulirement, la radioastronomie allant des microondes linfra-
rouge. La premire exprience de radioastronomie remonte 1931 : Jansky,
un ingnieur des laboratoires Bell, en essayant des antennes, observe des pa-
rasites lorsque lantenne est pointe dans la direction de la voie lacte. Mais
la radioastronomie ne sest dveloppe quaprs la seconde guerre mondiale
grce la rcupration dantennes radar. Cependant, lpoque, il tait ad-
mis quil ne pouvait pas y avoir de molcules dans lespace interstellaire. Les
premires molcules nont donc t dtectes que trs tard : dans les annes
1960 (1963 pour OH et 1967 pour H
2
CO, NH
3
, et H
2
O). Puis, avec la mise
au point du premier radiotlescope millimtrique en 1970, les dcouvertes se
sont acclres.
Ces dernires annes, on assiste un dveloppement sans prcdent des
applications de la spectroscopie molculaire ltude du milieu interstellaire,
des atmosphres plantaires et des comtes. Il est ainsi possible de dter-
miner la distribution de pression, de temprature, ainsi que la composition
chimique des objets astronomiques loigns, ce qui se traduit souvent par
la dcouverte de nouvelles espces chimiques ainsi que par une meilleure
comprhension du processus de gense des toiles et de la dynamique des
atmosphres plantaires. Les tudes spectroscopiques dans le domaine THz
commencent jouer un rle clef pour les observations. En eet, une partie
trs importante de lunivers est trop froide (5-50 K) pour rayonner des
frquences suprieures au THz. De plus, de nombreux objets trs intres-
sants pour les radioastronomes se trouvent derrire des nuages de gaz et de
poussire (en particulier les toiles et les plantes en cours de formation).
Ces nuages sont beaucoup plus transparents au THz qu linfrarouge ou au
visible. Cela se traduit par de nombreux programmes spatiaux en cours de
dveloppement et plus particulirement les projets :
SOFIA (Stratospheric Observatory for Infrared Astronomy) : cest un
observatoire en vol stratosphrique qui fonctionne depuis 2005 dans
plusieurs domaines spectraux allant de 0,5 4,7 THz.
Herschel Space Observatory (ex Far Infrared Space Telescope, juillet
2007) pour la gamme de 0,4 5 THz.
ALMA (Atacama large Millimeter Array) en construction 5 000 m
daltitude dans le dsert dAtacama (Chili) qui est une des rgions les
plus sches du monde. Ses rcepteurs couvriront la gamme 30-950 GHz.
Il devrait tre oprationnel en 2011.
La gure (11.4) reprsente un spectre radioastronomique typique du nuage
molculaire Orion A enregistr lIRAM (Institut de RAdioastronomie Mil-
limtrique) avec deux sensibilits direntes. Il faut noter quune partie im-
portante des transitions ne sont pas encore identies.
316 Optolectronique trahertz
Fig. 11.4 Spectre du nuage molculaire Orion A enregistr lIRAM.
11.6 Bases de donnes et simulation de spectres
La spectroscopie THz est un outil trs puissant pour dtecter des gaz
car chaque type de molcule a une signature caractristique. En particulier,
les isotopologues (molcules substitues isotopiquement) dune mme mol-
cule ont des spectres dirents. Le problme est que, de rares exceptions
prs, pour identier une molcule, il faut dabord avoir tudi son spectre
en laboratoire, ce qui peut prendre beaucoup de temps. Il est donc indispen-
sable davoir accs aux spectres qui ont dj t analyss et qui, en gnral,
correspondent aux molcules les plus importantes.
11.6.1 Littrature scientique
Les analyses de spectres sont, dans leur trs grande majorit, publies
dans une revue scientique. Mais faire une recherche systmatique dans
toutes les revues nest pas un travail facile. La plupart des journaux ont
maintenant un site web qui permet une recherche automatique. Cependant,
toutes les revues, en particulier les plus anciennes, ne sont pas indexes. De
plus laccs ncessite un abonnement payant.
Une autre mthode classique mais plus facile consiste consulter les Che-
mical Abstract qui sont accessibles dans toutes les bibliothques universitaires
(ainsi quen ligne : www.cas.org). On y trouve un rsum (abstract ) de tous
les articles publis dans la littrature scientique. Ils sont indexs par type de
spectroscopie et par molcule. La recherche laide des Chemical Abstracts
est donc beaucoup plus exhaustive et plus rapide que la consultation directe
des revues scientiques. Toutefois, il ny a pas de classement des spectres en
frquence, ce qui est un handicap majeur lorsquon veut identier le spectre
dune molcule inconnue.
11. Dtection et quantication de gaz en THz 317
11.6.2 Compilations
Le service Chemieinformationssysteme de luniversit dUlm
(www.uni-ulm.de/strudo) compile tous les articles parus dans les domaines
de la spectroscopie en phase gazeuse. Cette bibliographie est accessible dans
une base de donnes MOGADOC (MOlecular GAs phase DOCumentation)
qui est publie sous forme de CDs.
Les paramtres molculaires qui permettent, du moins en principe, de
recalculer les spectres sont tabuls dans une srie de volumes de la collection
Landolt-Brnstein dite par Springer. Ces livres, rgulirement mis jour,
sont consultables dans la plupart des grandes bibliothques universitaires. Ils
sont maintenant accessibles en ligne (www.landolt-boernstein.com) mais la
recherche est payante.
Enn, les frquences dun certain nombre de molcules dintrt astro-
physique (et parfois atmosphriques) ont t compiles dans le Journal of
Physical and Chemical Reference Data.
11.6.3 Bases de donnes informatiques
Bases de donnes du NIST
En complment des articles de revue publis dans le Journal of Physical
and Chemical Reference Data, une liste de frquences recommandes pour
les molcules dtectes dans les nuages interstellaires est accessible en ligne
(et gratuitement) sur le site Web du NIST (National Institute of Standards
and Technology) ladresse : http://physics.nist.gov/PhysRefData/Micro
/Html/contents.html). Trois bases de donnes pour les molcules diatomiques,
les molcules triatomiques et les hydrocarbures sont galement accessibles
ladresse http://physics.nist.gov/PhysRefData/MolSpec/index.html. Les
transitions de rotation ont t tabules pour 121 molcules diatomiques,
55 molcules triatomiques et 91 hydrocarbures.
Base de donnes de lobservatoire de Paris
Il existe galement une base de donnes pour les molcules astrophy-
siques, tlchargeable ladresse www.lesia.obspm.fr/crovisier/basemole/.
Elle inclut 245 molcules ce qui correspond pratiquement toutes les es-
pces dtectes dans le milieu interstellaire, les comtes et les atmosphres
plantaires (sauf la Terre !).
318 Optolectronique trahertz
Base de donnes du JPL
Une base de donnes beaucoup plus gnrale est mise jour par le JPL
(Jet Propulsion Laboratory, un laboratoire de la NASA). Elle couvre le do-
maine de frquences 0-10 THz et fournit des informations sur environ 350 mo-
lcules et atomes. Cette base de donnes a t conue au dpart pour les ra-
dioastronomes mais elle a t ensuite tendue aux molcules atmosphriques.
Le catalogue est consultable en ligne ladresse http://spec.jpl.nasa.gov/.
Chaque molcule a son chier (c_TAG.cat, pour la dnition de lidentica-
teur TAG de la molcule, voir ci-aprs). Il y a aussi des chiers (d_TAG.cat)
qui contiennent des informations sur lorigine des donnes et sur la fonction
de partition. Le catalogue ne fournit que les positions (frquences) et les in-
tensits des transitions, il ny a donc pas de donnes sur les largeurs de raies
qui sont pourtant trs utiles en physique de latmosphre.
Chaque ligne du catalogue comprend 80 caractres au format
5
suivant :
Paramtre FREQ ERR LGINT DR ELO
Format F8.4 F8.4 F8.4 I2 F10.4
Exemple 987926.7640 0.1000 -1.1333 3 37.1371
Paramtre GUP TAG QNFMT QN QN
Format I3 I7 I4 6I2 6I2
Exemple 5 -18003 1404 2 0 2 0 1 1 1 0
Les espces (atomes ou molcules) sont identies par un nombre
six chires TAG. Les trois premiers chires reprsentent la masse (en
u.m.a.) de lespce et les trois chires suivants permettent dordon-
ner les espces de mme masse. Il y a en gnral un TAG spar
pour chaque tat lectronique. Un TAG ngatif indique que FREQ
et ERR sont des valeurs exprimentales. Dans, lexemple, il sagit de
H
2
O (16 + 2x1 = 18).
partir de LGINT, on peut calculer lintensit 300 K : I(300) =
10
LGINT
. Lintensit de raie est calcule suivant la formule :
I(T) =
_
8
3
3hc
_
S
g

2
g
_
e
E

kT
e
E

kT
_
/Q
rs
(T) (11.16)
o et S
g
sont la frquence et la force de raie,
g
le moment dipolaire
suivant laxe molculaire g, E

et E

les nergies de ltat infrieur et


de ltat suprieur et Q
rs
(T) la fonction de partition de rotation la
temprature T. Si lon exprime I(T) en nm
2
MHz, en MHz et
g
en D,
on obtient :
I(T) = 4,16231 10
5
S
g

2
g
_
e
E

kT
e
E

kT
_
/Q
rs
(T)
5
In indique un entier de n chires, Fm.n indique un rel de m chires (signe et point
dcimal inclus) avec n chires aprs le point dcimal.
11. Dtection et quantication de gaz en THz 319
Pour convertir cette intensit en cm
1
/(molcule/cm
2
), on divise lin-
tensit du catalogue par 2,99792458 10
18
.
Les nombres quantiques sont donns dans lordre suivant : J (ou N) ;
K
a
et K
c
(ou ; K) ; v ; F
1
...F pour ltat suprieur puis pour ltat
infrieur :
N est le nombre quantique de rotation excluant les spins lectronique et
nuclaire ;
J est le nombre quantique de rotation incluant le spin lectronique. Pour un
tat singulet : J = N ;
K
a
(K
c
) est la projection de N sur laxe dinertie a(c). Pour les molcules
symtriques (et linaires), on ne donne que K () et dsigne la parit ;
v est le nombre dtat. Il caractrise les dirents tats vibrationnels ou
lectroniques ;
F
1
F dnissent les nombres quantiques de spin.
CDMS (Cologne Database for Molecular Spectroscopy)
La base de donnes du JPL est complte par la base de donnes CDMS
accessible en ligne ladresse www.ph1.uni-koeln.de/vorhersagen/catalog/.
Elle utilise exactement le mme format que la base du JPL.
HITRAN (HIgh-resolution TRANsmission molecular absorption
database)
La base de donnes HITRAN dveloppe par lAir Force Cambridge Re-
search Laboratories est une compilation de paramtres spectroscopiques per-
mettant de prvoir et de simuler la transmission et lmission du rayonnement
lectromagntique dans latmosphre. On peut lobtenir par ftp ladresse
www.cfa.harvard.edu/HITRAN/. Ce site fournit galement un logiciel appel
JavaHAWKS qui permet dutiliser facilement cette base. Il fonctionne sous
Windows, UNIX, Solaris, LINUX et Mac OS.
Le domaine spectral couvert par HITRAN est trs large : 0-700 THz.
De plus, elle liste les largeurs de raie. Mais, elle ninclut que des molcules
dintrt atmosphrique. Enn, comme elle est conue pour latmosphre,
elle ne peut pas tre utilise haute temprature (pour la combustion par
exemple). Pour ce dernier objectif, une base sur appele HITEMP (HIgh-
TEMPerature spectroscopic absorption parameters) a t dveloppe.
Le catalogue liste environ un million de raies correspondant 39 molcules
direntes (ainsi que leurs isotopologues les plus importants). Chaque ligne
du catalogue comprend 160 caractres au format rsum dans le tableau ci-
aprs. De nouveaux paramtres sont introduits. En particulier, le coecient
dlargissement de chaque transition, largie par lair (
air
) et par le gaz
320 Optolectronique trahertz
absorbant lui-mme (
self
) est indiqu. Ces coecients sont donns pour
T = 296 K. Leur dpendance en temprature scrit :

air
(T) =
air
(T
0
)
_
T
0
T
_
n
air
(11.17)
La demi-largeur demi-hauteur de chaque transition sexprime de la ma-
nire suivante :
(p, p
s
) =
air
(p p
s
) +
self
p
s
(11.18)
o p est la pression totale et p
s
la pression partielle de lespce absorbante.
La frquence centrale de chaque transition dpend lgrement de la pres-
sion, le coecient de dplacement est galement donn (lorsquil est connu)
et la frquence centrale se calcule de la manire suivante :
(p, T) = (p
0
= 0) +(T)p (11.19)
Paramtre Format Dnition
MO I2 Identicateur de la molcule, ordre chronologique : H
2
O = 1
ISO I1 Nombre isotopique (1 = le plus abondant, 2 = le suivant, etc.)
nu F12.6 Frquence de la transition en cm
1
S E10.3 Intensit en cm
1
/(molcule/cm
2
) 296 K
A E10.3 Coecient dEinstein A en s
1

air
F5.4 Demi-largeur due lair en cm
1
atm
1
296 K

self
F5.4 Demi-largeur due au gaz absorbant en cm
1
atm
1
296 K
E F10.4 nergie de ltat infrieur en cm
1
n
air
F4.2 Coecient de la dpendance en temprature de llargissement
d lair

air
F8.6 Coecient du dplacement en frquence d lair en
cm
1
atm
1
296 K
V A15 Nombres quantiques globaux de ltat suprieur
V A15 Nombres quantiques globaux de ltat infrieur
Q A15 Nombres quantiques locaux de ltat suprieur
Q A15 Nombres quantiques locaux de ltat infrieur
Ierr 6I1 Indices dincertitude
Iref 6I2 Indices de rfrence
* A1 Disponibilit du logiciel et des donnes en cas de line mixing
g F7.1 Poids statistique de ltat suprieur
g F7.1 Poids statistique de ltat infrieur
nombres quantiques globaux V : ce sont les nombres quantiques de
vibration. Par exemple, pour une molcule triatomique asymtrique, il
sagit de v
1
v
2
v
3
au format 3I2 ;
nombres quantiques locaux Q : ce sont les nombres quantiques de ro-
tation. Par exemple, pour une molcule asymtrique, il sagit de J K
a
K
c
F Sym au format 3I3, A5, A1 ;
11. Dtection et quantication de gaz en THz 321
Les incertitudes sestiment de la manire suivante :
v et (cm
1
) et n
Code Incertitude Code Incertitude
0 > 1 ou inconnue 0 Inconnue
1 0,1 et < 1 1 Constante
2 0,01 et < 0,1 2 Estimation
3 0,001 et < 0,01 3 20 %
4 0,0001 et < 0,001 4 10 % et < 20 %
5 0,00001 et < 0,0001 5 5 % et < 10 %
6 < 0,00001 6 2 % et < 5 %
Autres bases
Il existe de nombreuses autres bases de donnes qui couvrent des aspects
spciques. Elles ont souvent t dveloppes pour une mission satellitaire
particulire. On peut citer
1. GEISA (Gestion et tude des Informations Spectroscopiques Atmo-
sphriques)
Cest une base de donnes atmosphrique qui a t dveloppe au La-
boratoire de mtorologie dynamique du CNRS. Elle peut tre obte-
nue sur simple demande : husson@ara01.polytechnique.fr). Son contenu
(domaine de frquence, nombre de molcules, format) est trs similaire
celui de HITRAN, la principale dirence tant quelle inclut aussi
les molcules des atmosphres de plantes autres que la Terre.
2. CDSD (Carbon Dioxide Spectroscopic Databank)
Une base de donnes franco-russe a t dveloppe pour le dioxyde de
carbone, CO
2
. Elle est consultable ladresse suivante //cdsd.iao.ru.
Une base spcique existe galement pour lozone (O
3
) : //ozone.iao.ru).
3. TDS/STDS (Spherical Top Data System) qui permet de simuler les
spectres des molcules sphriques. Elle est accessible
www.u-bourgogne.fr/LPUB/TSM/shTDS.html.
Cas particulier de la vapeur deau
La vapeur deau est un cas particulier trs important car cest le principal
contributeur labsorption du rayonnement THz par latmosphre terrestre.
La base de donnes du JPL est jour en ce qui concerne les frquences et
les intensits de transitions. Les informations relatives aux largeurs de raies
se trouvent dans la base HITRAN.
Une base de donnes a t dveloppe pour la vapeur deau trs haute
temprature. Elle est base sur des calculs ab initio. Elle donc beaucoup
322 Optolectronique trahertz
moins prcise que les bases qui citent des donnes exprimentales mais elle
est beaucoup plus complte. On peut lobtenir auprs de D. W. Schwenke
(schwenke@pegasus.arc.nasa.gov).
Enn, une compilation critique et exhaustive du spectre de leau allant
des micro-ondes lultraviolet est en prparation dans le cadre dun projet
IUPAC (International Union of Pure and Applied Chemistry). Cette base de
donnes en construction peut tre consulte sur la page personnelle du res-
ponsable de ce projet (J. Tennyson) : www.tampa.ucl.ac.uk/ftp/astrodata/
water.
11.6.4 Simulation de spectres
Introduction
Le calcul dun spectre (frquences et intensits) partir des paramtres
molculaires est relativement simple, condition de disposer dun ordinateur.
Pour chaque valeur du nombre quantique de rotation J, on a 2J + 1
niveaux dnergie. Pour une molcule asymtrique (caractrise par trois
constantes de rotation A, B, et C), on tiquette ces niveaux laide de
deux nombres pseudo-quantiques K
a
et K
c
qui correspondent au nombre
quantique K des molcules symtriques limites correspondantes (a pour
allonge, cest--dire A > B = C, et c pour aplatie, cest--dire A = B > C).
On a ainsi :
E(J
0J
) E(J
1,J
) E(J
1,J1
) E(J
2,J1
) E(J
J1
) E(J
J0
)
(11.20)
On remarque que lon a toujours : K
a
+K
c
= J ou J +1. Les nergies de rota-
tion E (J
K
a
K
c
) sont les valeurs propres dune matrice symtrique tridiagonale
de dimension 2J + 1 dont les termes diagonaux sont :
E(K, K) =
1
2
_
2AK
2
+
_
J(J + 1) K
2

(B +C)

(11.21)
avec J K +J. Les seuls termes non diagonaux dirents de zro sont
du type :
E(K, K 2) =
1
4
[J(J + 1) K(K 1)]
1/2
[J(J + 1)
(K 1)(K 2)]
1/2
(C B) (11.22)
Une fois que la matrice est diagonalise, ltape suivante consiste calculer
les frquences en faisant la dirence entre deux niveaux dnergie :
h = E[(J + J)
K
a
+K
a
,K
c
+K
c
] E[J
K
a
K
c
] (11.23)
Pour cela, il faut tenir compte des rgles de slection, cest--dire des tran-
sitions permises. Les seules transitions qui peuvent avoir une intensit dif-
frente de zro sont : J = 0, 1. Pour les pseudo-nombres quantiques,
11. Dtection et quantication de gaz en THz 323
les rgles de slection dpendent des projections du moment dipolaire lec-
trique sur les axes principaux dinertie a, b, et c :

a
= 0
b
= 0
c
= 0
K
a
0, 2, ... 1, 3, ... 1, 3, ...
K
c
1, 3, ... 1, 3, ... 0, 2, ...
Ltape suivante consiste calculer les intensits (qui sont dautant plus
grandes que les K sont petits) laide des vecteurs propres de la matrice
des nergies. Cela parat compliqu mais de nombreux logiciels ont t crits
pour faire ce travail automatiquement.
Logiciels
Plusieurs programmes de calcul de spectres peuvent tre obtenus gratui-
tement :
Calpgm Une srie de programmes (en C) a t dveloppe au JPL pour
la construction de la bases de donnes. Le programme SPFIT est plus
particulirement destin la dtermination des paramtres molcu-
laires partir des spectres exprimentaux. Son usage est rserv aux
spcialistes. Le programme SPCAT calcule un spectre partir des pa-
ramtres molculaires. Son usage est plus facile. Ils sont tlchargeables
ladresse du JPL : http://spec.jpl.nasa.gov.
Jb95 Un programme a t dvelopp au NIST par D.F. Plusquellic pour
lanalyse des spectres complexes. Il permet galement de simuler des
spectres. Ce programme, crit en C, a une interface graphique mais
il ne fonctionne que sous Windows. Il est tlchargeable ladresse
http://physics.nist.gov/Divisions/Div844/facilities/uvs/jb95userguide.htm
PROSPE une base de donnes appele Programs for ROtational
SPEctroscopy est maintenue lacadmie des sciences de Pologne par
Z. Kisiel. Elle permet de tlcharger de nombreux logiciels (en FOR-
TRAN), en particulier des programmes de simulation de spectres fonc-
tionnant avec le programme SPCAT du JPL. Ils sont tlchargeables
ladresse http://info.ifpan.edu.pl/ kisiel/prospe.htm.
11.6.5 Absorption de latmosphre
Certains gaz prsents dans latmosphre absorbent le rayonnement THz
certaines frquences (absorption rsonante). Cette absorption est domine
par leau et ses isotopologues (en particulier HDO), le dioxygne
16
O
18
O
et lozone (O
3
). cette absorption rsonante, il faut ajouter un continuum
(absorption non rsonante) qui est d aux ailes lointaines des raies de leau et
labsorption induite par collisions de loxygne et de lazote. La gure (11.5)
reprsente labsorption typique de latmosphre terrestre au niveau du sol
324 Optolectronique trahertz
Fig. 11.5 Absorption de latmosphre entre 0,1 et 1 THz au niveau du sol
293 K (75 % dhumidit).
et 293 K (avec 75 % dhumidit). Les complexes H
2
O...N
2
, H
2
O...O
2
, et
H
2
O...H
2
O participent aussi cette absorption mais leur contribution semble
assez faible. Enn, les gaz prsents ltat de traces ont un spectre dtectable,
surtout si lon monte en altitude car, la pression diminuant, les largeurs de
raies diminuent aussi, ce qui les rend plus facilement visibles. La gure (11.6)
reprsente un spectre typique de latmosphre enregistr 32 km daltitude
entre 45 et 65 cm
1
(1,35-2 THz). On y distingue les raies de leau, de
loxygne et de lozone.
La modlisation de labsorption de latmosphre terrestre est un problme
important mais il nest pas encore rsolu de manire compltement satisfai-
sante et il existe, de ce fait, dirents modles pour la dcrire. Plusieurs
logiciels de modlisation existent. Parmi les plus importants, on peut citer :
AT Atmospheric Transmission (E. Grossman, Users manual, Airhead Soft-
ware, 1609 Blu Street, Boulder, CO 80302, 1989) ;
MPM microwave propagation de H. J. Liebe et al. Il est tlchargeable
ladresse suivante : ftp://ftp.its.bldrdoc.gov/pub/mpm93/ -> res-
sources -> anonymous ftp -> pub/ -> mpm93. Cest le logiciel le
plus utilis mais il ne fonctionne quen dessous de 1 THz. Il com-
prend 34 transitions de la vapeur deau entre 20 et 1 000 GHz et
44 transitions de loxygne. Le continuum de leau est simul par une
pseudo-transition vers 2 THz. Labsorption non rsonante est galement
simule.
11. Dtection et quantication de gaz en THz 325
Fig. 11.6 Absorption de la stratosphre (32 km).
ATM Atmospheric Transmission at Microwaves de Pardo et collgues. Il
sobtient auprs de lauteur (pardo@damir.iem.csic.es). Cest le logiciel
le plus rcent et le plus complet. Il simule labsorption de latmosphre
entre 170 et 1 600 GHz.
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Chapitre 12
Le THz : phnomne de mode
ou technologie du troisime
millnaire ?
Ce livre vient de prsenter un panel des outils et des techniques dvelopps
dans la gamme de frquence THz. Le dveloppement des lasers femtosecondes
a permis un essor rapide de la technologie THz impulsionnelle dans le milieu
des annes 1980. Depuis, la maturit de la technologie ne cesse de progresser,
le dveloppement continue et lavance technologique permet et permettra
terme dexploiter les THz trois niveaux :
systmes de laboratoire ;
systme industriel ;
composant pour application de masse.
Dans la premire phase, les systmes de spectroscopie THz sortent des la-
boratoires des spcialistes doptique et dlectronique des semi-conducteurs
pour pntrer des laboratoires travaillant dans dautres domaines. La pre-
mire victoire des THz est sans nul doute l, car le travail des opticiens et
lectroniciens qui ont dvelopp les sources et les techniques de gnration et
de dtection ont contribu lexploitation de cette gamme de frquence par
des chercheurs dans des domaines aussi varis que la chimie, la mdecine, la
gntique, lagroalimentaire. Les systmes THz sont sortis des laboratoires
avec laide dentrepreneurs qui ont su raliser des systmes autonomes et
conviviaux, cette approche produit un courant ascendant de la technologie
vers lapplication, elle ouvre naturellement la voie vers de nouvelles applica-
tions. La seconde tape, qui se prole dans les cinq prochaines annes, sera
lapplication de systmes THz au niveau de lindustrie. La section application
de ce livre dcrit une liste non exhaustive de ces applications. Cinq niveaux
de complexit et cinq familles dapplications sont proposes dans cet ouvrage.
De nombreux exemples sont cits, la liste des applications va de lidentica-
tion de morceaux de verre dans les barres chocolates la transmission de
328 Optolectronique trahertz
signaux de tlvision haute dnition en passant par la dtection de rouille
sous la peinture et lidentication des principaux explosifs. Ce que montre
cette liste cest le rle incontournable de loptolectronique THz qui permet
aux laboratoires experts de concevoir et de dnir les outils dont auront be-
soin les industriels. Enn la dernire tape est lapplication de masse. Cette
dernire tape dpend principalement de la miniaturisation des systmes. Ces
tapes de miniaturisation sont trs coteuses, et dpendent dune application
cl. Pour cette tape, la technologie doit franchir le foss entre les laboratoires
et les applications, il sagit de franchir ce que lon appelle communment la
valle de la mort ; le dsert entre le monde institutionnel de la recherche
et celui des entreprises et des entrepreneurs. La miniaturisation implique
un norme nancement que seule la potentialit dune application de masse
peut amener, mais cette application ne sera trouve que lorsque la capacit
de la miniaturisation sera dmontre. Le cercle vicieux entre dveloppement
de la technologie et applications de masse en est son balbutiement pour
les THz. De nouvelles applications trouveront sans nul doute leur plein essor
dans les vingt prochaines annes, condition que des laboratoires quips par
les systmes complexes trouvent la voie pour une application cl prsentant
un potentiel conomique susant pour justier dun investissement massif
dans le dveloppement de la technologie. Les premires dmonstrations de
lasers cascade quantique, composant le plus prometteur pour une applica-
tion de masse, placent llectronique THz au mme niveau de dveloppement
que les premires diodes lasers semi-conductrices apparues dans les annes
1970-80. Vingt ans plus tard, on voit que les diodes lasers semi-conductrices
sont devenues des composants cls pour lcoute de la musique ou le stockage
de donnes, ce qui au dpart ntait pas envisag. Les nombreuses applica-
tions cites dans ce livre font suite au nouvel essor des THz optolectroniques
apparu dans les annes 1980, elles manent principalement de laboratoires
doptique ou dlectronique. Il est certain que la vision de lapplication au
travers de la connaissance de la technologie ouvre des perspectives conduites
par la connaissance des performances techniques des systmes. Toutefois il
faut voir ces applications comme autant de ballons sondes ladresse des en-
trepreneurs et des dcideurs pour montrer et diuser cette technologie. Les
premires diligences sont parties lassaut des pistes du Far West THz, main-
tenant il faut encore attendre quelques annes an que ces pistes deviennent
des autoroutes de linformation Tera bit.
La maturit de la technologie THz permet de raliser des dmonstrateurs
pour les grandes applications que sont la spectroscopie et la scurit. ce
titre, il est possible de raliser une comparaison entre les THz et les tech-
nologies existantes pour mettre en vidence la fois leur complmentarit
et dnir les voies de dveloppement de la technologie. Cette phase permet-
tra sans nul doute de trouver la place aux ondes THz dans notre quotidien.
Comme le suggre le professeur Lippens dans Sciences et Avenir du mois
12. Le THz : phnomne de mode ou technologie 329
daot 2006, bien plus quun nouveau type de technologie, les THz sont une
gamme de frquence, et les applications apparatront invitablement.
Pour clore ce livre, depuis les premires expriences sur les ondes lectro-
magntiques de Hertz en 1888 en passant par linvention des klystrons dans
les annes 1940, la technologie lectronique na eu de cesse de monter en
frquence pour atteindre le domaine sub-millimtrique des ondes THz, tire
par un but majeur pour lhumanit, celui de la dtection de la prsence de la
vie sur les exoplantes. Loptolectronique THz avec Auston dans les annes
1980 et linvention des lasers femtosecondes a jet les bases dune nouvelle
rue vers le Far Infrared. Le nombre croissant de publications en tmoigne :
plus quun phnomne de mode, la connaissance du domaine THz progresse
exponentiellement grce aux systmes optolectroniques THz. Les applica-
tions futures qui natront de linnovation de chacun sont la raison dtre de
ce livre, modeste contribution ldice de la science permettant tous,
tudiants, physiciens, ingnieurs et entrepreneurs de mieux apprhender ce
domaine de frquence et le potentiel norme de loptolectronique THz.
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Index
chantillonnage de signaux THz
congurations exprimentales,
148
en temps quivalent, 216
par lectro-absorption, 146, 147
par eet lectro-optique, 140
par photocommutation, 133
rsolution temporelle, 150, 218
thorme de Shannon, 216
quation(s)
dEinstein, 60
de Maxwell, 39
de propagation, 41, 48
de Schrdinger, 57
Antennes THz
polarisation, 187
spirales, 156, 158
Applications dans le domaine THz,
33, 273
astrophysique, 302, 310
biologie et biomdical, 278, 298
choix du systme, 278
complexit des systmes, 280
contrle qualit, 278, 281, 288
dtection de gaz, 301
maintenance prventive, 291
scurit et dfense, 293
spectroscopie de matriaux, 283
spectroscopie de rotation, 69,
244
spectroscopie de vibration, 69
systmes THz commerciaux, 274,
287
tlcommunications, 296
tomographie, 282
Bases de donnes spectrales, 311
CDMS, 315
HITRAN, 304, 307, 315
INRS, 309
JPL, 313
logiciels de simulation, 319
NIST, 313
observatoire de Paris, 313
Composants THz passifs, 177
dispersion chromatique, 178, 181
lames birfringentes, 189
lentilles, 182
miroirs, 180
polariseurs gille, 188
rseaux de diraction, 185, 250
sparatrices, 184, 255
traitements antireets, 186
Corps noir, 20, 60
Cristaux photoniques et
mtamatriaux, 200
dnition, 200
indice de rfraction ngatif, 205,
207
ligne de transmission, 209
mtamatriaux mtalliques, 207
niveau de dfaut, 203
ultrarfraction, 210
Dtecteurs
supraconducteur, 30
bolomtres, 28
cellule de Golay, 30
NEP (noise equivalent power),
30
optolectroniques, 32
357
358 Optolectronique trahertz
Diodes lectroniques, 21
eet Gunn, 21
IMPATT, 21
rsistance direntielle ngative,
21
Diple
champ du diple, 55
molculaire, 71
moment dipolaire, 57
Domaine frquentiel, 234
BWO (tubes ondes
contra-progressives), 22
Eet
Dember, 120, 121
Doppler, 66
Fabry-Prot, 240
Franz-Keldysh (EFK), 142, 145
magnto-optique, 81
Pockels, 136
Guides dondes, 191
plasmons de surface, 196
comparatif, 199
couplage, 199
dilectriques, 193
dispersion modale, 198
indice eectif, 192
mtalliques, 195
modes guids, 192
pertes, 198
planaires, 195
Imagerie THz, 263
champ proche, 265, 266
contraste de champ proche, 267
par balayage, 267
rsolution spatiale, 264
Lasers
lectrons libres (FEL), 23
cascade quantique (QCL), 26,
165, 168
molculaires, 23
Lasers femtosecondes, 86, 91
bre, 98
absorbant saturable, 95
blocage de modes, 86, 93
lentilles eet Kerr, 87
mise en phase des modes, 87
saphir dop titane (Ti:Sa), 97
ytterbium, 97
Lignes de propagation non linaires,
23
Loi
dOhm, 41
de Beer et Lambert, 45, 303
de Bose-Einstein, 53
de Poisson, 54
Mesures pompe optique - sonde THz,
224
dynamique des porteurs dans
GaAs, 228
principe, 225
Modle
de Drude, 72, 109
de Lorentz, 76
de Schockley-Read-Hall, 85
Molcules
nergie de rotation, 62, 64
constante de distorsion
centrifuge, 63, 69
constante de rotation, 63, 69
forme de raie dabsorption, 66,
304
intensit de raie, 67, 70, 304,
314
masse rduite, 65
moment dinertie, 62
nombre quantique de rotation
J, 63, 315
nombre quantique de vibration
n

, 64, 65, 316


rgle de slection de rotation,
63
raies dabsorption de leau, 32
Ondes lectromagntiques, 13
Index 359
tat de polarisation, 189
infrarouge lointain, 18
onde plane, 42
principe dHuygens-Fresnel, 179
relation de dispersion, 43
vecteur de Poynting, 43
vitesse de groupe, 127
Optique anisotrope, 50
ellipsode des indices, 50
Optique non linaire
quation de propagation, 125,
126
accord de phase, 49, 124
eet lectro-optique, 49, 139
gnration paramtrique, 129
polarisation non linaire, 46, 125
redressement optique, 47
ZnTe (cas du), 126
Paramtres matriau
coecient dabsorption , 45
conductivit lectrique , 41
constante dilectrique , 40, 41,
45, 72, 79, 208, 243
frquence plasma, 72, 74
impdance donde, 243
indice de rfraction n, 43, 45,
243, 247
permabilit , 40, 208, 243
polarisabilit, 56
susceptibilit lectrique , 40,
46, 51, 59
susceptibilit magntique
m
,
40
Phonons, 77
acoustiques, 79
optiques, 78, 81, 166
relation de dispersion, 78
Photocommutateurs, 108, 132
crantage coulombien, 117
crantage li au rayonnement,
117
structure verticale, 158
gomtrie, 133, 156, 158, 172
modle phnomnologique, 134
rapport signal sur bruit, 134
Photocommutateurs
quation de la dynamique des
porteurs, 84
champ lointain rayonn, 110,
112
modle phnomnologique, 109
non-linarit de la rponse, 114,
115
rsistivit, 85
Photomlange, 170
banc exprimental, 173, 258
battement de deux lasers, 154
photodiode onde progressive
(TW-PD), 161
photodiode transport
unipolaire (UTC-PD), 162,
164
photodiodes pn et pin, 160
puissance rayonne, 171, 174,
258
Photonique
nergie du photon, 52
intensit optique, 44, 53
statistique du ux de photons,
53
temprature de rayonnement,
53
Plasmons, 74
de surface, 74
guides, 167
ondes de Goubau, 198
ondes de Sommerfeld, 197
profondeur de pntration, 197
relation de dispersion, 75
Proprits THz
Al
2
O
3
, 241
atmosphre, 319
fume de cigarette, 305
H
2
O, 244, 317
HCN, 307
OCS, 244, 305
360 Optolectronique trahertz
Relations de Kramers-Kronig, 45
Semi-conducteurs (ultrarapides)
pitaxie basse temprature,
100
absorption optique, 143, 144
alliages III-V BT ternaires et
quaternaires, 105, 118, 173,
175
dure de vie des porteurs, 103,
106
GaAs-BT, 102, 149
implantation et irradiation
ionique, 105
puits quantiques, 165
rsistivit, 101, 102
recombinaison lectron-trou, 99
recuit, 101
super-rseau, 165
Sources optolectroniques
mission par eets de surface,
119
comparatif, 129
continues, 25
gnration par redressement
optique, 124
polarisation, 122
Spectroscopie THz dans le domaine
frquentiel, 248
extraction des paramtres
matriau, 256
interfrogramme, 252
interfromtre de Martin-Puplett,
255
interfromtre de Michelson, 251
principe, 249
rsolution spectrale, 254
spectromtre transforme de
Fourier, 249, 251, 255
Spectroscopie THz dans le domaine
temporel (THz-TDS)
cas des matriaux magntiques,
242
dynamique de mesure, 233
extraction des paramtres
matriau, 241
fonction de transfert complexe,
239, 240, 242
mesure de lpaisseur
de lchantillon, 247
optimisation, 231
principe, 217, 237
problme de troncature
du signal, 221
signal mesur (expression du),
219
sources de bruit et/ou
incertitudes, 230, 246, 247
transforme de Fourier (FFT),
221
Transitions lectroniques
mission spontane, 59, 60
mission stimule, 59, 60
nergie de bande interdite., 83
force doscillateur, 57, 77
photoinduites, 83
probabilit de transition, 58
pulsation de Rabi, 58