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Introduction 

a la physique des
semi-conducteurs

Jer^ome Faist
Institut de physique, Universite de Neuch^atel

Neuch^atel, mai 2001

Contenu
Liste des gures

vi

Liste des tables

vii

Liste des grandeurs et des variables utilisees

vii

1 Structure des semi-conducteurs


1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6

Cristal, periodicite . . . . . . . . . . . . . . .
Reseaux de Bravais . . . . . . . . . . . . . . .
Cellule primitive de Wigner-Seitz . . . . . . .
Symetrie des cristaux . . . . . . . . . . . . . .
Structure des semi-conducteurs usuels . . . . .
Reseau reciproque, zone de Brillouin . . . . .
1.6.1 Cas unidimensionnel . . . . . . . . . .
1.6.2 Reseau reciproque en trois dimensions
1.6.3 Zone de Brillouin . . . . . . . . . . . .

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2 Proprietes electroniques d'un semi-conducteur homogene


2.1
2.2
2.3
2.4

Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Re exion de Bragg, analogie avec l'optique . . . . . . . . . .
Generalisation, electron dans un potentiel faiblement module
Forme des fonctions d'onde, theoreme de Bloch . . . . . . .
2.4.1 Preuve du theoreme de Bloch . . . . . . . . . . . . .
2.4.2 Autre preuve dans le cas unidimensionnel . . . . . . .
2.4.3 Consequences du theoreme de Bloch . . . . . . . . .
2.5 Formation d'une bande a l'aide d'etats isoles . . . . . . . . .
2.6 Lien avec la structure de bande des solides . . . . . . . . . .
2.6.1 Metal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6.2 Semi-conducteurs et isolants . . . . . . . . . . . . . .
2.6.3 Semi-conducteurs de type IV (Si,Ge) ou III-V . . . .
2.6.4 Semi-conducteurs III-V (GaAs, InP, ..) . . . . . . . .
2.7 Les extrema de bande: approximation de la masse e ective .
2.7.1 Application: bande cosinusodale . . . . . . . . . . .
2.7.2 Masse e ective: lien avec l'electron peu perturbe . . .
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28

ii

CONTENU

2.8 La densite d'etats pour un electron libre . . . . . .


2.8.1 Cas des systemes bidimensionnels . . . . . .
2.8.2 Cas unidimensionnel . . . . . . . . . . . . .
2.8.3 Cas zero-dimensionnel . . . . . . . . . . . .
2.9 Approximation semi-classique: l'electron et le trou .
2.9.1 De nition du trou . . . . . . . . . . . . . . .

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3.1 Principe d'exclusion de Pauli, statistique de Fermi-Dirac . .


3.1.1 Limite classique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Semi-conducteur intrinseque . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.1 Justi cation de np = cst par un argument cinetique .
3.2.2 Position du niveau de Fermi . . . . . . . . . . . . . .
3.3 Impuretes, dopage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.1 Les dopants peu profonds . . . . . . . . . . . . . . .
3.4 Densite de porteurs dans un semi-conducteur dope . . . . . .
3.4.1 Approximation des impuretes completement ionisees
3.4.2 Ionisation partielle d'un donneur . . . . . . . . . . .
Distribution grand canonique . . . . . . . . . . . . .
Distribution de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . . .
3.4.3 Probabilite d'occupation pour un donneur . . . . . .
Ionisation partielle d'un donneur . . . . . . . . . . .
3.4.4 Densite des trous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.5 Regime de compensation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.6 Impuretes profondes, materiaux semi-isolants . . . . . . . . .

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3 Statistique des semi-conducteurs

4 Transport dans les semi-conducteurs

4.1 Modele de Drude de la conduction . . . . . . . . . . . . . . .


4.1.1 Mobilite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Transport di usif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.1 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3 Equation de transport de Boltzman . . . . . . . . . . . . . .
4.4 Caracterisation des semi-conducteurs - resistivite, e et Hall
4.4.1 Mobilite des semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . .
4.4.2 Tendances generales . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.5 Transport sous haut champ electrique . . . . . . . . . . . . .

5 Dispositifs classiques

5.1 La jonction p-n . . . . . . . . . . . . . .


5.1.1 Transport dans une jonction p-n .
5.1.2 Derivation plus rigoureuse . . . .
5.2 Barriere Shottky . . . . . . . . . . . . .
5.3 Transistor a jonction . . . . . . . . . . .
5.3.1 Transistor a heterojonction . . . .

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67
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84

CONTENU

5.4 Les transistors a e et de champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6 Dispositifs optoelectroniques et quantiques

6.1 Emission de la lumiere interbande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


6.1.1 Longueur d'onde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.1.2 Diode lumineuse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

iii

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90
91
91

Liste des Figures


1.1 Exemple d'arrangement d'un motif sur un reseau bidimensionnel in ni . . .
1.2 Les 14 reseaux de Bravais possibles en trois dimensions. La cellule conventionnelle est montree, qui n'est pas toujours la cellule primitive . . . . . . . .
1.3 Classi cation des reseaux de Bravais en fonction d'un choix pour des vecteurs
de bases (pas forcement primitifs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4 Cellule primitive de Wigner-Seitz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.5 Structure cristalline zinc-blende . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.6 Structure cristalline zinc-blende . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.7 Liaisons tetraedriques de la structure zinc-blende . . . . . . . . . . . . . . .
1.8 Zone de Brillouin de la structure zinc-blende . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1 Un electron incident sur une barriere de potentiel V0 . . . . . . . . . . . . . .
2.2 a) Un potentiel periodique pour un electron variant entre 0 et V0 b) Facteur
de transmission de l'electron en fonction de l'energie. Notez le minimum de
transmission pour les energies correspondant a la condition de re exion de
Bragg (E  0:13eV ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3 Re ectivite d'un miroir dielectrique et metallique, d'apres le catalogue Newport Optics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4 Energie en fonction du vecteur d'onde pour un potentiel faiblement module .
2.5 Des atomes isoles couples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6 Energie en fonction de k pour des atomes couples . . . . . . . . . . . . . . .
2.7 Relation entre la position des bandes d'energie et le niveau de Fermi donnant
un metal, un semi-conducteur ou un isolant . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.8 Structure de bande du germanium (gauche), du silicium (milieu) et de l'arseniure
de gallium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.9 Structure de bande schematique d'un semi-conducteur direct et indirect . . .
2.10 Structure de bande du germanium montrant le gap indirect . . . . . . . . . .
2.11 Representation des minima de la bande de conduction du Si, Ge et GaAs . .
2.12 Structure de bande du GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.13 Formation d'une bande interdite pour un electron faiblement perturbe . . . .
2.14 Un cube de dimension L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.15 Grille sur laquelle k va prendre ses valeurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.16 Un puits quantique de c^ote L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.17 Grille sur laquelle k va prendre ses valeurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
iv

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34

LISTE DES FIGURES

2.18 Relation de dispersion de l'electron " = "(k ), vitesse de groupe vg . . . . . .


2.19 Un electron est excite de la bande de valence, laissant un trou libre . . . . .
2.20 L'energie excedentaire du processus est attribuee au trou . . . . . . . . . . .

36
37
38

3.1 La distribution de Fermi-Dirac pour les electrons pour di erentes temperatures


3.2 Illustration d'exemples dans lesquels on peut utiliser l'approximation du regime
classique. a) hautes excitations dans un metal. b) semi-conducteur peu dope
3.3 Concentration intrinseque du Ge, Si, et GaAs en fonction de l'inverse de la
temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.4 Modele d'une impurete hydrogenique dans un cristal . . . . . . . . . . . . .
3.5 Energie d'ionisation pour di erentes impuretes dans Ge, Si, et GaAs . . . .
3.6 Densite d'electrons en fonction de la temperature, montrant clairement les
trois regimes d'activation, de saturation et intrinseque . . . . . . . . . . . . .

41

4.1 Mobilite en fonction de la concentration d'impuretes pour le germanium (Ge),


le silicium (Si) et l'arsenure de gallium (GaAs) . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Geometrie utilisee pour mesurer la resistivite et l'e et Hall dans les semiconducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3 La force de Lorenz est compensee par la force electrostatique transverse due
a l'accumulation de porteurs sur les bords de l'echantillon . . . . . . . . . . .
4.4 Relation entre la vitesse et le champ electrique pour les electrons dans le GaAs
et le Si . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1 a) Deux materiaux de type "p" et "n" sont mis ensemble pour former une
jonction (b). Un champ electrique appara^t suite a la necessite d'aligner le
potentiel chimique a travers la jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Pro l d'une jonction sous un fort potentiel applique (negatif) . . . . . . . . .
5.3 Longueur de la zone de depletion en fonction du dopage pour une jonction
p-n de silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4 Structure de bande d'une jonction avec une tension positive appliquee . . . .
5.5 Caracteristique courant-tension d'une diode selon la relation 5.1.33 . . . . .
5.6 Description schematique de la variation des potentiels chimiques a travers la
jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.7 La jonction Schottky est formee par un metal mis en contact avec un semiconducteur dope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8 a) Barriere Schottky formee sur un materiau semi-conducteur "n". La barriere
Schottky forme une zone depletee de largeur w. b) Jonction Schottky sur un
materiau dope "p" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9 Description schematique d'une triode. Le potentiel entre la grille et l'anode
(Vg ) permet de contr^oler le courant circulant entre l'anode et la cathode . . .
5.10 Description schematique d'un transistor npn. Les trois regions sont appelees,
de gauche a droite, emetteur, base et collecteur. Le symbole representant le
transistor pnp et npn est aussi decrit sur la gure. Les porteurs minoritaires
injectes par l'emetteur transitent via la base et sont collectes par le collecteur

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80
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82

vi

LISTE DES FIGURES

5.11 Description schematique d'un processing d'un transistor a jonction . . . . . .


5.12 Description schematique d'un transistor npn a heterojonction. L'emetteur est
du Si, la base du Si-Ge qui a une bande interdite plus faible. La majorite de
la discontinuite des bandes a lieu dans la bande de valence . . . . . . . . . .
5.13 Frequence maximale d'operation de transistors Si et Si-Ge. Ces derniers sont
maintenant couramment utilises dans les telephones cellulaires . . . . . . . .
5.14 Transistor a e et de champ J-FET base sur une jonction p-n . . . . . . . . .
5.15 Zoologie des transistors a e et de champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.16 Dessin schematique d'un transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.17 Pro l de potentiel au travers d'un transistor MOSFET . . . . . . . . . . . .
5.18 Disposition des electrodes dans un FET. Le courant circule dans un canal de
longueur L (sous la grille) et de largeur w . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.1 Emission dans un materiau semi-conducteur avec une bande interdite directe
(gauche) et indirecte (droite). Dans ce dernier cas, l'emission de photon est
accompagnee d'un phonon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.2 Jonction p-n dans une situation de forte injection. La lumiere est emise dans
une region de largeur egale a la somme des longueurs de di usion des porteurs
minoritaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Liste des Tables


3.1 Etats possibles pour un donneur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Etats possibles pour un accepteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Liste des grandeurs et des variables utilisees

Constantes physiques:
0
q
k
Variables:
E
"
E



e ; h



j i; (x)


Constante dielectrique du vide


Charge de l'electron (valeur absolue)
Constante de Boltzman
Energie
Energie
Champ electrique
Constante dielectrique
Potentiel chimique (unites d'energie)
Mobilite de l'electron, du trou
Potentiel electrostatique
Potentiel chimique
Potentiel du niveau intrinseque
Fonction d'onde de l'electron
Temps de vie

vii

53
55

Chapitre 1
Structure des semi-conducteurs
Lecture: Kittel, Chapts 1-3, Ashcroft & Mermin, Chapts 4-7

1.1 Cristal, periodicite


Un grand nombre de solides se cristallisent dans une structure periodique. Experimentalement,
la realisation de ce fait est le fruit de plusieurs observations:
1. L'apparence de certaines roches et materiaux montre l'existence de plans cristallins
ayant des angles respectifs qui correspondent a des indices entiers (indices de Miller
des plans cristallins).
2. Les experiences de rayons X, e ectuees en premier en 1913 par W. Bragg qui montrent
des maxima extr^emement abrupts a des angles bien precis donnes par la condition de
di raction.
Un traitement detaille de la symetrie des cristaux, d'un point de vue plus general, sera fait
dans le cours de physique du solide qui suit celui-ci. Le propos de cette introduction est de
presenter la structure cristalline des semi-conducteurs usuels. Pour ce faire, il est neanmoins
necessaire d'introduire brievement quelques notions essentielles de cristallographie.
Un cristal est la repetition d'un motif sur un reseau periodique in ni, comme montre
schematiquement sur la gure 1.1.
a
b
T

r
r'

Figure 1.1: Exemple d'arrangement d'un motif sur un reseau bidimensionnel in ni


1

CHAPITRE 1. STRUCTURE DES SEMI-CONDUCTEURS

Mathematiquement, un cristal est invariant sous la transformation

~r ! ~r + u~a + v~b + w~c

(1.1.1)

ou u; v ; w sont des entiers (2 Z ).


Ce motif peut ^etre tres simple, compose par un seul atome, comme dans le Fe, Al, Cu,
etc. ou alors comporter un grand nombre d'atomes comme dans les cristaux moleculaires
organiques.
Ce motif est appele base ("basis" en anglais). Les vecteurs ~a; ~b, et ~c qui apparaissent dans
l'equation 1.1.1 sont appeles vecteurs primitifs si ils sont de nis de maniere a pouvoir atteindre tous les points equivalents du cristal par un choix judicieux des nombres u; v; w. Il faut
noter qu'en general, pour un cristal donne, il y a un grand nombre de choix possible pour les
vecteurs primitifs ~a; ~b;~c. Pour des raisons de facilite de representation, on est souvent amene
a utiliser une cellule (appelee conventionnelle) de nie par des vecteurs qui ne permettent pas
d'atteindre tous les points equivalents du cristal.

1.2 Reseaux de Bravais


Deux de nitions possibles et equivalentes d'un reseau de Bravais:
1. Un reseau de Bravais est un ensemble in ni de points avec un arrangement et une
orientation qui appara^t la m^eme, quel que soit le point d'ou il est observe.
2. Un reseau de Bravais est un ensemble de points donne par l'equation 1.1.1 ou les
vecteurs ~a; ~b;~c sont primitifs.
La gure 1.2 donne la liste des 14 reseaux de Bravais possibles en trois dimensions.
Il n'est pas forcement intuitif que, par exemple, la structure cubique face centree remplit la
condition a) des reseaux de Bravais. On peut neanmoins se convaincre que si l'on choisit un
point d'une face du cube, celui-ci est aussi l'origine d'un nouveau reseau cubique face centree
dans lequel les points qui marquaient les sommets du cube deviennent les centres des faces
et vice-versa. Un examen attentif de la gure 1.2 montre que ceci est le cas pour tous les
reseaux de Bravais.


1.2. RESEAUX
DE BRAVAIS

Cubique P

Cubique I

Ttragonal P

Orthorhombique P

Orthorhombique C

Monoclinique P

Trigonal R

Cubique F

Ttragonal I

Orthorhombique I

Monoclinique C

Orthorhombique F

Triclinique

Trigonal et hexagonal R

Figure 1.2: Les 14 reseaux de Bravais possibles en trois dimensions. La cellule conventionnelle
est montree, qui n'est pas toujours la cellule primitive

CHAPITRE 1. STRUCTURE DES SEMI-CONDUCTEURS

Restrictions sur les axes


Nb de reseaux Symboles des et angles de la cellule
reseaux
conventionnelle
1
Triclinique
P
a 6= b 6= c
6= 6=
2
Monoclinique
P; C
a 6= b 6= c
= = 90 6=
4
Orthorhombique
P; C; I; F
a 6= b 6= c
= = = 90
2
Tetragonal
P; I
a = b 6= c
= = = 90
3
Cubique
P ou sc
a=b=c
I ou bcc
= = = 90
F ou fcc
1
Trigonal
R
a=b=c
= = < 120 ; 6= 90
1
Hexagonal
P
a = b 6= c
= = 90
= 120
Systeme

Figure 1.3: Classi cation des reseaux de Bravais en fonction d'un choix pour des vecteurs
de bases (pas forcement primitifs)

1.3 Cellule primitive de Wigner-Seitz


La cellule primitive de Wigner-Seitz est construite de la maniere suivante: a partir d'un point
du reseau, un plan mediateur est trace au milieu de chaque segment reliant ce point du reseau
a ses voisins. Le volume forme par l'enveloppe de ces plans est la cellule de Wigner-Seitz,
comme montre schematiquement sur la gure 1.4.


1.4. SYMETRIE
DES CRISTAUX

c
b
a

Figure 1.4: Cellule primitive de Wigner-Seitz


Cette cellule est primitive et a de plus un certain nombre de proprietes importantes:
1. Par construction, tous ses points interieurs sont plus proches de la maille du reseau a
l'origine de la cellule que n'importe quel point voisin. (pensez a l'utilisation des plans
medians).
2. Elle a la symetrie du reseau de Bravais qui la sous-tend.

1.4 Symetrie des cristaux


A part la symetrie de translation, les cristaux ont en general un certain nombre de symetries.
Il est important de se souvenir que la symetrie d'un cristal est celle du reseau de Bravais
et celle du motif qui est repete. Il arrive donc frequemment que la symetrie du cristal soit
plus faible que le reseau de Bravais qui la sous-tend. Un nombre limite de symetries est
compatible avec l'exigence de symetrie de translation d'un cristal type, il s'agit de:
1. re exion-re exion: une re exion prend chaque point et en fait son image miroir par un
plan, appele plan de re exion.
2. Rotation par 2=n autour d'un axe. On peut montrer qu'un reseau de Bravais ne
tolere que des rotations d'ordre 2, 3, 4 ou 6. Par exemple, un cristal ne peut avoir de
symetrie de rotation d'ordre 5.
3. Rotation-re exion. Dans certains cas, m^eme si la rotation de 2=n n'est pas une
symetrie possible, une telle rotation suivie par une re exion dans un plan perpendiculaire est une symetrie. Un tel axe est appele axe de rotation-re exion.
4. Rotation-inversion. De la m^eme maniere, un symetrie de rotation suivie par une inversion par un point sur l'axe de rotation est une symetrie possible. Un tel axe est appele
axe de rotation-inversion.
La combinaison de ces operations de symetrie forment 230 (!) groupes possibles. Il est
evidemment hors de propos de discuter tous ces groupes dans ce cours. Nous allons examiner
maintenant le cas particulier de la structure des semi-conducteurs usuels (Si, Ge, GaAs, InP).

CHAPITRE 1. STRUCTURE DES SEMI-CONDUCTEURS

1.5 Structure des semi-conducteurs usuels


L'immense majorite des semi-conducteurs utilises dans les applications electroniques (Si,
autrefois Ge) ou opto-electroniques (composes dits III-V comme le GaAs ou l'InP) sont
bases sur la m^eme structure cristallographique: celle du diamant (Si, Ge) ou la structure
zinc-blende (GaAs, InP). Les composes III-V sont nommes de cette maniere car ils sont
composes d'elements provenant des colonnes III et V de la table periodique des elements.
La structure diamant est formee par deux reseaux cubiques faces centrees interpenetres a
la coordonnee (1=4a; 1=4a; 1=4a), ou a est la longueur de la face du cube du reseau cfc
considere. Dans le cas de la structure du diamant, ces deux reseaux ont le m^eme motif (un
atome de Si ou Ge), alors que dans le cas de la structure zinc-blende, un reseau portera
l'atome de Ga (prenant l' exemple du GaAs) et l'autre l'atome d'arsenic. Cette structure est
representee soit en perspective (1.5) soit en projection sur un plan forme par une des faces
du cube(1.6). Une maniere de le faire est de representer une projection de ce cristal sur le
plan, en indiquant les coordonnees.

Figure 1.5: Structure cristalline zinc-blende

1
2

1
4

3
4

1
2

1
2

3
4

1
4

1
2

Figure 1.6: Structure cristalline zinc-blende

1.5. STRUCTURE DES SEMI-CONDUCTEURS USUELS

La maille cubique face centree n'est pas une cellule elementaire; en e et on a dans le cas ou
on considere le Si ou le Ge:
Nb sommets Nb atomes faces
+
+ Nb atomes interieurs
8
2
8 6
(1.5.2)
= + +4
8 2
= 8 par cellule.

Nb atomes par celulle =

Pour les composes III-V, les atomes des deux mailles cfc interpenetrees sont di erents et on
a donc 4 paires d'atomes par cellule conventionnelle.
Il est important de remarquer que la structure zinc-blende n'a pas de symetrie d'inversion.
On peut s'en rendre compte en considerant l'ordre des atomes le long de la diagonale
de la structure cubique: la suite est AB..AB..AB... Si l'on inverse le cristal, on obtient
..BA..BA..BA..BA, qui n'est pas la m^eme structure. Le diamant, en revanche, n'a pas
le m^eme probleme car la structure CC..CC..CC..CC devient CC..CC..CC..CC. L'absence
de symetrie d'inversion pour la structure zinc-blende est tres importante pour les applications optoelectroniques: en e et, l'e et electro-optique Pockels (variation de l'indice de
refraction sous application d'un champ electrique statique) n'est possible que dans un cristal
ne possedant pas de symetrie d'inversion.
La base de la structure zinc-blende sont les liaisons tetraedriques covalentes Si-Si ou Ga-As.
En e et, chaque atome est l'origine d'une double paire de liaisons vers les atomes voisins,
comme montre sur la gure 1.7. L'absence de symetrie d'inversion se note aussi au niveau
de ces liaisons tetraedriques.

C, Ga
C, As

Figure 1.7: Liaisons tetraedriques de la structure zinc-blende


Un autre propriete chimique importante est que si l'on clive (coupe) le cristal selon une
direction [001], on aura une succession de plans cristallins comportant des atomes de l'element
de type III, puis V, et ainsi de suite. Cela permet une croissance couche a couche du semiconducteur.

CHAPITRE 1. STRUCTURE DES SEMI-CONDUCTEURS

1.6 Reseau reciproque, zone de Brillouin


Le reseau reciproque appara^t naturellement dans la description d'un cristal periodique.
D'une part, il represente l'ensemble des directions dans lesquelles un cristal re echira des
rayons X, d'autre part, c'est la base des vecteurs necessaires pour le developpement de Fourier
d'une fonction periodique du cristal.

1.6.1 Cas unidimensionnel


Pour bien comprendre le reseau reciproque, prenons l'exemple d'un cristal unidimensionnel
de periodicite a. Le potentiel que subit l'electron sera donc periodique de periode a, en
particulier:
V (x + a) = V (x):
(1.6.3)
Nous savons qu'une fonction periodique peut se decomposer en une serie de Fourier:

V (x) = a0 +

1
X

=1

(an cos(n2=a) + bn sin(n2=a))

(1.6.4)

ou n = 1; 2; :: que nous allons ecrire sous une forme plus agreable a generaliser:

V (x) =

Vn ei2nx=a

(1.6.5)

ou maintenant n court sur tous les entiers negatifs, positifs ou nuls et les coecients Vn sont
des nombres complexes qui satisfont la condition V n = Vn pour que le potentiel V (x) soit
reel.
Il est facile de veri er que V (x), ecrit sous cette forme, est par construction periodique:
X

V (x + a) =

Vn ei2n(x+a)=a

Vn ei2nx=a ei2n :

(1.6.6)

Reecrivons l'equation 1.6.5 en de nissant le vecteur reciproque kn = 2n=a:

V (x) =

Vn eikn x :

(1.6.7)

kn

En developpant notre potentiel V (x), nous avons ete amenes a de nir un nouveau reseau
periodique forme par les kn , espaces par 2=a. Les points de l'espace reciproque sont
d'autant plus espaces que les points dans l'espace reel sont proches. Nous allons voir que ces
notions se generalisent dans l'espace tridimensionnel.



1.6. RESEAU
RECIPROQUE,
ZONE DE BRILLOUIN

1.6.2 Reseau reciproque en trois dimensions


Il est naturel de penser qu'une fonction periodique en trois dimensions, c'est-a-dire invariante
sous la transformation 1.1.1 puisse aussi s'ecrire dans un developpement de Fourier analogue
a celui de 1.6.7. Nous serons amenes a utiliser les vecteurs de base reciproques des vecteurs
de base primitifs ~a; ~b;~c:

~b  ~c
A~ = 2 ~
~a  b  ~c
~c  ~a
B~ = 2 ~
~a  b  ~c
~a  ~b
C~ = 2 ~
:
~a  b  ~c
Ces vecteurs ont les proprietes d'orthogonalite suivantes:
A~  ~a = 2;
A~  ~b = 0;
A~  ~c = 0;

B~  ~a = 0;
B~  ~b = 2;
B~  ~c = 0;

C~  ~a = 0
C~  ~a = 0
C~  ~c = 2:

(1.6.8)

(1.6.9)
(1.6.10)
(1.6.11)

Un vecteur reciproque general s'ecrira comme un nombre entier de fois ces vecteurs de base:

G~ = hA~ + k B~ + lC~

(1.6.12)

ou h; k; l sont des entiers. Ces vecteurs reciproques permettent de faire le developpement en
serie de Fourier du potentiel qui s'ecrit:

V (~r ) =

VG~ eiG~ ~r:

(1.6.13)

~
G

Montrons qu'une fonction ecrite a l'aide de l'expression 1.6.13 est invariante sous une translation d'une periode du cristal T~ = u~a + v~bw~c:

V (~r + T~ ) =

VG~ eiG~ ~reiG~ T~ :

(1.6.14)

~
G

Le terme eiG~ T~ = 1 car si l'on developpe en utilisant 1.6.12:

eiG~ T~ = ei(hA~+kB~ +lC~ )(u~a+v~b+w~c)


= e2i(hu+kv+lw) = 1:

(1.6.15)

10

CHAPITRE 1. STRUCTURE DES SEMI-CONDUCTEURS

1.6.3 Zone de Brillouin


A chaque arrangement cristallin correspond un reseau reciproque caracterise par les vecteurs
~ B;
~ C~ . La cellule de Wigner-Seitz de ce reseau est appelee zone de Brillouin du cristal. La
A;
zone de Brillouin d'un cristal zinc-blende est montree sur la gure 1.8.
kz

x
W

x
kx

x
ky

Figure 1.8: Zone de Brillouin de la structure zinc-blende

Chapitre 2
Proprietes electroniques d'un
semi-conducteur homogene
Lecture: Kittel, Chapts 7-8, Ashcroft&Mermin, Chapts 8-9

2.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous allons examiner les proprietes electroniques d'un semi-conducteur
homogene. Ces proprietes sont la consequence, de maniere essentielle, de la periodicite de
ce cristal. Cette periodicite aura pour consequence la formation, en fonction de la valeur de
l'energie, de deux types de situations possibles:
1. des bandes interdites, valeurs d'energie pour lesquelles aucun etat n'est possible pour
un electron,
2. des bandes d'energie, valeurs de l'energie de l'electron pour lesquelles les etats electroniques
sont etendus spatialement sur un grand nombre de mailles elementaires.
De plus, si le cristal a des imperfections, on trouve aussi des
1. etats isoles, d'energie bien de nie et dont la fonction d'onde est localisee dans l'espace.

2.2 Re exion de Bragg, analogie avec l'optique


Regardons d'abord par quel processus des bandes interdites peuvent se former, et ceci m^eme
pour des energies positives (superieures au maximum de la valeur du potentiel). Pour etudier
ceci, considerons tout d'abord le cas d'un electron incident sur un saut de potentiel:
(voir Cohen-Tannouji, chapitre I, complement H1)
11

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
12
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

lectron

V0

Figure 2.1: Un electron incident sur une barriere de potentiel V0


Le potentiel est nul dans la region I, egal a V0 dans la region II. Dans chacune des regions, les
fonctions d'onde seront des ondes planes. Comme nous nous interessons a la transmission et
re exion d'une onde plane incidente depuis la region I, nous pouvons tout de suite normaliser
l'amplitude de l'onde incidente a l'unite et poser l'absence d'une onde incidente depuis la
region II. Les fonctions d'onde dans les regions respectives s'ecrirons donc:
I

= eik1 x + re ik1 x
I k2 x
I I = te

(2.2.1)

p
p
ou k1 = 2mE=~2 et k2 = 2m(E V0 )=~2 . Les conditions de bord reliant les solutions
dans les regions I et II s'ecrivent en posant la condition de continuite de la fonction d'onde
(x) et de sa derivee d dx(x) a x = 0. Remplacant (x) par sa valeur donnee par 2.2.1, on
obtient:
1+r =t
(2.2.2)
ik1(1 r) = ik2

et donc le coecient de re exion et de transmission d'amplitude r et t sont donnes par:

k k
r= 1 2
k1 + k2

(2.2.3)

2k1
:
k1 + k2

(2.2.4)

t=

Le fait important est qu'une fonction d'onde est partiellement re echie sur un saut de potentiel.
Examinons la situation suivante dans laquelle le potentiel prend alternativement les valeurs
0 et V0 , les epaisseurs remplissent les conditions k1 l1 = =2, k2 l2 = =2 (les epaisseurs de
chaque couche sont un quart de la longueur d'onde de l'electron).


2.2. REFLEXION
DE BRAGG, ANALOGIE AVEC L'OPTIQUE

Potentiel V(x) [eV]

a)

13

0.15
0.10
0.05
0
-20

20

60

100

Position [nm]

b)

Transmission

10

-2
10

-4
10

-6
10
0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

Energie [eV]

Figure 2.2: a) Un potentiel periodique pour un electron variant entre 0 et V0 b) Facteur de


transmission de l'electron en fonction de l'energie. Notez le minimum de transmission pour
les energies correspondant a la condition de re exion de Bragg (E  0:13eV )
Considerons la phase de l'electron re echi par la premiere interface, elle est nulle car le
coecient r est positif (1 = 0). La phase de l'electron re echi par la seconde interface est
la somme de la phase accumulee lors du trajet dans la couche et de la phase a la re exion
(cette fois egale a  ):
2 = 2k1 l1 +  = 2:
(2.2.5)
De la m^eme maniere, la phase accumulee a la troisieme interface est:
3 = 2(k1 l1 + k2 l2 ) + 0 = 2:

(2.2.6)

On remarque bien que toutes les re exions a toutes les interfaces ont toujours la m^eme phase
(a 2 pres). Le module de la fonction d'onde, apres un nombre N d'interfaces sera proportionnel a (1 R)N ou R est le coecient de re exion d'intensite. La fonction d'onde, a cette

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
14
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

energie, aura donc une decroissance exponentielle donnee par (x)  exp( Kx).
Pour cette raison, et quelle que soit la hauteur du potentiel V0 , il n'existe pas de solution
stationnaire a cette energie. On a donc cree une bande interdite a cette energie.
Une structure basee sur le m^eme principe (empilement de couches quart d'onde) est tres
souvent utilisee en optique pour fabriquer des miroirs de haut coecient de re ectivite. En
e et, a partir de deux materiaux d'indice de refraction di erents, on peut construire un
miroir de re ectivite arbitrairement haute.
Dilectrique

Mtallique

Figure 2.3: Re ectivite d'un miroir dielectrique et metallique, d'apres le catalogue Newport
Optics.

2.3 Generalisation, electron dans un potentiel faiblement module


L'argument (plut^ot heuristique) developpe dans le cas speci que d'un potentiel forme par
des marches regulieres peut en fait se generaliser a un potentiel periodique quelconque. Pour
simpli er, considerons d'abord le cas d'un electron dans un potentiel periodique de faible
amplitude. L'hamiltonien s'ecrit:

H=

P2
+ V (x)
2m

(2.3.7)

 ERALISATION,


 15
2.3. GEN
ELECTRON
DANS UN POTENTIEL FAIBLEMENT MODULE

et comme le potentiel est periodique, utilisons la decomposition de Fourier deja developpee


au chapitre precedent:
X
V (x) =
UK eiKr
(2.3.8)
K

ou K est un vecteur reciproque: en 1 dimension Kn = n=a avec n 2 Z . Comme le potentiel


V(x) est reel, on a obligatoirement pour les composantes de Fourier:
U K = UK
(2.3.9)
ou U  denote le conjugue complexe de U .
De plus, on fait l'hypothese que la moyenne du potentiel est nulle:
Z

celulle

V (x) = 0:

(2.3.10)

La derivation, quelque peu technique, est e ectuee plus loin au paragraphe 2.7.2. Concentrons nous d'abord sur le resultat. Pour le cas undimensionnel, et si V (x) est identiquement
nul, l'energie de l'electron est donnee simplement par le cas de l'electron libre:
~2 k 2
E=
:
(2.3.11)
2m
Dans le cas ou V (x) est petit, une bande interdite de largeur j2V1 j va s'ouvrir au bord de
la zone de Brillouin (c'est a dire a 2=a). Le m^eme phenomene va se repeter a tous les
multiples de la zone de Brillouin a n=a, de valeur jnVn j.

2|U3K|

2|U2K|

2|UK|
3
2

1
2

+1
2

k
+3
2

Figure 2.4: Energie en fonction du vecteur d'onde pour un potentiel faiblement module

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
16
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

On voit donc que l'amplitude du potentiel et sa periodicite ont des in uences completement
di erentes:
1. la periodicite du potentiel xe l'energie a laquelle la bande interdite va s'ouvrir:
~2 
EG = ( )2;
(2.3.12)
2m a
2. l'amplitude de la composante de Fourier V1 va, elle, determiner la largeur de la bande
interdite.
On remarque immediatement une caracteristique importante: m^eme si la uctuation periodique
du potentiel est tres faible la bande interdite subsiste a l'energie EG .

2.4 Forme des fonctions d'onde, theoreme de Bloch


A ce point, il est necessaire de retourner un peu a des considerations plus fondamentales
sur la forme que doivent prendre les fonctions d'onde solutions de l'hamiltonien 2.3.7. Elle
derive directement de la symetrie de translation de l'hamiltonien:

H (~r + R~ ) = H (~r )

(2.4.13)

si R~ est un vecteur du reseau de Bravais.


Le theoreme de Bloch arme que les solutions sont forcement indicees par deux nombres
quantiques, un nombre n et un vecteur ~k tels que les fonctions d'onde s'ecrivent:
nk

(r = eikr unk (r)

(2.4.14)

ou unk (r + R) = unk (r) est periodique avec la periode du cristal.


Ce theoreme est tres important car il est a la base de la classi cation des fonctions d'onde
d'un solide, il implique aussi que:
nk

(r + R) = eikr (r):

(2.4.15)

2.4.1 Preuve du theoreme de Bloch


Lecture Ashcroft & Mermin, chapt 8
On introduit l'operateur de translation:

TR (r) = (r + R):

(2.4.16)

Si R appartient au reseau de Bravais, il va commuter avec l'hamiltonien car celui-ci est


periodique: en e et
TR H (r) = H (r + R) (r + R)
(2.4.17)
= H (r) (r + R) = HTR (r)



2.4. FORME DES FONCTIONS D'ONDE, THEOR
EME
DE BLOCH

17

et donc

TR H = HTR :
(2.4.18)
Or, si deux operateurs commutent, il est toujours possible de trouver des solutions qui sont
simultanement fonctions propres des deux operateurs:
H = E TR = c(R) :
(2.4.19)
Considerons maintenant les proprietes de c(R)
TR TR0 = TR+R0
(2.4.20)
et donc
c(R)c(R0) = c(R + R0):
(2.4.21)
Soit (pour simpli er un peu la notation) ai avec i = 1; 2; 3 les vecteurs primitifs du reseau
de Bravais, et bi les vecteurs primitifs du reseau reciproque. On peu poser (car c(ai ) est
obligatoirement de norme unite):
c(ai ) = e2ixi :
(2.4.22)
Si maintenant R est une translation du reseau de Bravais , elle peut donc s'ecrire:
R = n1a1 + n2 a2 + n3a3 ;
(2.4.23)
alors (en utilisant 2.4.22)
c(R) = c(n1 a1 + n2 a2 + n3 a3 )
= c(a1 )n1 c(a2 )n2 c(a3 )n3
(2.4.24)
Y
=
e2xini :

=1::3
Rappel: les relations d'orthogonalite des vecteurs reciproques 1.6.2 s'ecrivent
ai  bj = 2ij :
(2.4.25)
Si l'on considere le produit entre le vecteur R de l'espace reel et le vecteur k de l'espace
reciproque, ecrit dans la base des bi
i

k=

et donc

=1::3

ki bi ;

k  R = 2 (k1 n1 + k2 n2 + k3 n3 ):
Ce qui est en fait le resultat que nous avions obtenu pour c(R) qui s'ecrivait:
c(R) = exp(2i(x1n1 + x2n2 + x3 n3)
= exp(ik  R)

en posant naturellement xi = ki . Donc les fonctions d'onde sont bien telles que
TR = (r + R)
= c(R) = eikR (r)
ce qui est bien une des formulations equivalentes du theoreme de Bloch.

(2.4.26)
(2.4.27)
(2.4.28)

(2.4.29)

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
18
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

2.4.2 Autre preuve dans le cas unidimensionnel


Dans le cas unidimensionnel, nous pouvons appliquer un raisonnement plus simple: on ferme
le cristal sur lui-m^eme pour faire une cha^ne d'atomes et si l'on pose:
(x + a) = C (x)
(2.4.30)
alors autour de la cha^ne, ont doit avoir (pour N atomes)
(x + Na) = (x) = C N (x)
(2.4.31)
N
ce qui force obligatoirement la condition C = 1. C est donc une racine N-ieme de l'unite:
n
C = e2i N
(2.4.32)
et le theoreme de Bloch est veri e car la fonction d'onde peut s'ecrire:
nx
(2.4.33)
(x) = uk (x)e2i Na :
Ce choix de (x) satisfait la condition (x + a) = (x).

2.4.3 Consequences du theoreme de Bloch


1. Les fonctions d'onde elles-m^emes ne sont pas periodiques mais acquierent un facteur
de phase a chaque passage de cellule a cellule.
2. Par contre, la probabilite de presence de l'electron, egale a j 2j est elle periodique dans
chaque cellule.
3. Il faut voir les fonctions de Bloch comme des ondes planes modulees.

2.5 Formation d'une bande a l'aide d'etats isoles


Lecture: Cohen-Tannouji (complement Fxi), Feynman III chapt 13
Nous allons e ectuer ici la demarche inverse de la demarche precedente qui visait a former
des bandes d'energie. Au lieu de partir d'un potentiel d'electron libre faiblement perturbe,
et donc obtenir des fonctions d'onde en ondes planes faiblement modulees, nous allons au
contraire partir d'un potentiel forme d'etats isoles que nous allons coupler pour former une
bande d'energie.
V(x)

i-2

i-1

i+1

Figure 2.5: Des atomes isoles couples

 L'AIDE D'ETATS


2.5. FORMATION D'UNE BANDE A
ISOLES

19

Soit un hamiltonien H = H0 + W ou H0 est l'hamiltonien des atomes isoles et W est le terme
de couplage. Nous allons partir d'une base formee par les etats propres des p atomes isoles
jp >i que l'on va considerer orthogonale (pour le moment, nous considerons seulement une
bande):
hp jni = np:
(2.5.34)
On va regarder l'action de l'hamiltonien (qui, lui, contient le couplage) sur les etats jp i, on
aura clairement:
hpjH jpi = E0:
(2.5.35)
Nous allons aussi introduire un couplage entre les etats correspondant a des atomes plus
proche voisins:
hpjH jp+= 1i = A
(2.5.36)
et
hp jH jni = 0
(2.5.37)
si jn pj > 1 autrement. Autrement dit, nous negligeons le couplage entre atomes separes
de plus d'un atome.
Le travail est donc de diagonaliser la matrice hamiltonienne suivante:
0
1
...
B
A
E
A
0 :: C
B 0
C
0
H = B :: 0
:
A E0 A :: C
@
A
...
Cherchons une solution sous la forme d'une combinaison lineaire de jp i. La solution
s'ecrit donc
1
X
j i=
cp jp i:
(2.5.38)
p= 1
Si l'on projette les etats sur les fonctions d'onde
jpi = (x pa)
1
X
(2.5.39)
j i=
cp (x pa):
p= 1
Observons maintenant que si l'on translate la fonction d'onde par une maille du reseau,
c'est-a-dire x ! x + a
1
X

(x + a) =
p

= 1

cp (x p  a + a)
1
X

= 1

cp (x (p 1)a)

1
X

0= 1

cp0 +1 (x p0 a)

(2.5.40)

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
20
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

si l'on pose simplement p0 = p 1.


D'autre part, les fonctions d'onde doivent satisfaire le theoreme de Bloch:
(x + a) = eika (x);
ce qui entra^ne forcement
1
X

= 1

cp+1 (x p  a) = e

1
X

ika

= 1

cp (x p  a)

(2.5.41)
(2.5.42)

et donc que

cp+1 = eikacp :
(2.5.43)
Introduisons notre fonction d'onde dans l'equation hamiltonienne
H =E
(2.5.44)
qui prend la forme
Acq 1 + E0 cq Acq+1 = Ecq
(2.5.45)
A(cq 1 + cq+1 ) + (E0 E )cq = 0:
Mais, en utilisant les relations que nous avons derivees entre cq+1 ; cq et cq 1 nous obtenons:


A(e ika + eika ) + (E0 E ) cq = 0:
(2.5.46)
Si l'on veut que cq 6= 0, alors la parenthese doit s'annuler:
2A cos(ka) + E0 E = 0
(2.5.47)
E = E0 2A cos(ka):
E(k)
E + 2A
0

E - 2A
0

k
- /l

+ /l

Figure 2.6: Energie en fonction de k pour des atomes couples


Ce resultat est important car il montre les caracteres essentiels de la formation d'une bande
d'energie par couplage d'etats isoles. En particulier,

2.6. LIEN AVEC LA STRUCTURE DE BANDE DES SOLIDES

21

1. l'energie E que peut avoir l'electron prend ses valeurs entre E0 2A et E0 + 2A. C'est
pour cette raison que l'on parle de bande d'energie possible,
2. cette energie est periodique dans le nombre quantique k . Pour cette raison, on limite la
representation dans l'intervalle [ =a; =a] de longueur 2=a. Cet intervalle represente
la cellule elementaire de l'espace reciproque de ce modele unidimensionnel, comme nous
l'avions deja vu dans le paragraphe 1.6.3,
3. la largeur de la bande d'energie, 4A, est donc proportionnelle au couplage entre les
atomes. Rappelons que A est

A = hq jH jq+1 i;

(2.5.48)

c'est donc l'element de matrice entre les sites voisins. Il va dependre de maniere
exponentielle de la separation entre les atomes. Bien s^ur, des que cette distance devient
trop petite, la largeur des bandes devient comparable a la separation des niveaux
(E1 E0) et notre modele tombe a l'eau!
4. que represente k ? k est un "bon nombre quantique" qui nous permet d'indicer les
etats du cristal. eika est le facteur de phase qu'acquiert la fonction d'onde en passant
d'un site a l'autre du cristal. Par analogie avec l'optique, k est le nombre d'onde de
l'electron et (par les relations de de Broglie) ~k est l'impulsion du cristal de l'electron.

2.6 Lien avec la structure de bande des solides


Le theoreme de Bloch est valable de maniere tres generale. Par contre, les modeles que
nous avons developpes jusqu'ici ne representent que des approximations fort grossieres dont
l'utilite est principalement de montrer le principe de la construction d'une bande d'energie.
Une fois qu'une bande d'energie est formee, elle est remplie par les electrons des atomes.
Ceux-ci vont remplir les etats (le principe de Pauli implique l'impossibilite pour les electrons
d'avoir plus de deux electrons par etat, l'un spin "up", l'autre spin "down") jusqu'a une
energie appelee energie de Fermi.
Suivant la largeur des bandes et la position du niveau de Fermi, on aura soit un metal, soit
un semi-conduteur, soit un isolant.

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
22
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
Bande
de conduction
~4eV

~1eV Energie de
Fermi

Bande
de Valence
Metal

Isolant

Semiconducteur

Figure 2.7: Relation entre la position des bandes d'energie et le niveau de Fermi donnant un
metal, un semi-conducteur ou un isolant

2.6.1 Metal
L'image a avoir des metaux est celle de l'hybridisation des electrons de valence, alors que les
electrons supplementaires de la derniere couche sont mis en commun. Une bonne image est
donc celle d'un electron quasi libre, avec un haute energie de cinetique (EF  5eV ) qui va
expliquer la haute conduction electrique de ces composes.

2.6.2 Semi-conducteurs et isolants


Ils sont caracterises par un niveau de Fermi au milieu d'une bande interdite separant la bande
de valence (pleine a T = 0) et la bande de conduction (vide a T = 0). La di erence entre un
semi-conducteur et un isolant est principalement la largeur de la bande interdite qui va ^etre
relativement faible pour les semi-conducteurs (EG  1eV ), autorisant l'excitation thermique
d'electrons a travers celle-ci, alors que la bande interdite d'un isolant, de plus grande largeur,
est telle qu'elle ne permet pas cette excitation.

2.6.3 Semi-conducteurs de type IV (Si,Ge) ou III-V


La formation des bandes d'energie est tres similaire dans ces composes due a
1. leur cristallisation dans la m^eme structure cristallographique (diamant ou zinc-blende)
et,
2. leur m^eme caracteristique des couches electroniques.
La structure du silicium est purement covalente. La derniere couche electronique du silicium
sous forme atomique a la con guration 3s2 p2 . Autrement dit, il a 4 electrons (2s et 2p) qui
doivent se repartir sur une couche qui pourrait en contenir 8 (2 pour la couche s, 6 pour la
couche p). Le silicium a donc 4 bandes de valence. La structure de bande du silicium et

23

2.6. LIEN AVEC LA STRUCTURE DE BANDE DES SOLIDES

du germanium, les deux semi-conducteurs importants formes a partir de la colonne IV du


tableau periodique des elements, est montree sur la gure 2.8. L'energie de l'electron y est
dessinee en fonction du vecteur reciproque k .

Figure 2.8: Structure de bande du germanium (gauche), du silicium (milieu) et de l'arseniure


de gallium
b.c.

b.c.

photon
b.v.

phonon

photon

Semiconducteur direct

b.v.
k

Semiconducteur indirect

Figure 2.9: Structure de bande schematique d'un semi-conducteur direct et indirect


Le maximum de la bande de valence est a k = 0. Deux bandes de valence sont importantes:
la bande des trous lourds et des trous legers, chacun acceptant 2 electrons. En plus, une

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
24
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

troisieme bande est prise en consideration: la bande dite \spin-o " ainsi appelee car elle est
decouplee des autres par l'interaction spin-orbite.
Une propriete tres importante des structures de bandes du Si et Ge est que le minimum de
la bande de conduction, au contraire de la bande de valence, n'est pas a k = 0. Les semiconducteurs qui sont tels que le minimum de la bande de conduction n'est pas au m^eme
point que le maximum de la bande de valence sont appeles semi-conducteurs indirects.

Figure 2.10: Structure de bande du germanium montrant le gap indirect

25

2.6. LIEN AVEC LA STRUCTURE DE BANDE DES SOLIDES

Le minimum de la bande de conduction du silicium est dans la direction [010] et donc, par
symetrie, aussi dans les directions [010]; [001]; [001]; [100]; [100] soit au total six minima.
[001]

[111]

[010]

[100]

[111]

Ge

Si

GaAs

Figure 2.11: Representation des minima de la bande de conduction du Si, Ge et GaAs


Au contraire, pour le germanium (voir g. 2.10 pour la structure de bande detaillee), le
minimum de la bande de conduction a lieu dans les directions correspondant aux diagonales
du cube, donc nous sommes en presence de 8 minima.

2.6.4 Semi-conducteurs III-V (GaAs, InP, ..)



La structure des bandes des III-V est similaire car la structure des liaisons tetradriques
est la
m^eme que pour le Si ou le Ge. En e et, l'electron manquant de l'element III (con guration
4s2 4p pour le Ga) est fourni par l'element V (con guration 4s2 4p3 pour l'As) et ces liaisons
ont une faible ionicite.
Pour un grand nombre de composes III-V, le semi-conducteur a un caractere direct.
La structure de bande du GaAs est montree sur la gure 2.12 a titre d'exemple. Les di erents
composes III-V ont des structures de bande similaires, mais ou les parametres changent d'un
compose a l'autre. Par exemple, la largeur de la bande interdite varie de 0:3eV pour l'InAs,
1:42eV pour le GaAs et 2eV pour l'AlAs. Finalement, les points a retenir sont les suivants:
1. Les semi-conducteurs ont une bande interdite separant les etats normalement occupes
(bande de valence) des etats inoccupes (bande de conduction).
2. La largeur energetique de cette bande est de l'ordre de grandeur de 1eV.
3. Le niveau de Fermi passe au milieu de la bande interdite.

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
26
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

Figure 2.12: Structure de bande du GaAs

2.7 Les extrema de bande: approximation de la masse


e ective
La structure de bande des semi-conducteurs est en general tres compliquee, comme il est
apparent sur la gure 2.12 par exemple. Neanmoins, vu que les bandes d'un semi-conducteur
sont separees par une bande interdite, il est clair que les excitations importantes auront lieu
pres des extrema de ces bandes, soit au minimum de la bande de conduction soit au maximum
de la bande de valence.
Il est donc utile de developper la dispersion des bandes (k ) autour de ces extrema avec un
developpement au deuxieme ordre
X @ 2
2
(k ) = 0 +
(2.7.49)
2  (ki k0 ) :
@k
i
i=1::3
Il faut noter que l'equation 2.7.49 n'est pas vraiment generale: si l'ellipsode des 2iso-energies
n'est pas alignee avec les axes x, y, z, des termes supplementaires de la forme @k@i @k j peuvent
appara^tre.

2.7. LES EXTREMA DE BANDE: APPROXIMATION DE LA MASSE EFFECTIVE

27

Prenons un exemple unidimensionnel, avec k0 0 (nous sommes au centre de la zone de


Brillouin) et une courbure des bandes identique dans toutes les directions. Le developpement
2.7.49 devient:
1 @ 2 2
(k ) = 0 +
k:
(2.7.50)
2 @k 2
Or, pour un electron libre, on aurait

(k ) =
On peut identi er les deux termes

~2 k 2

(2.7.51)

1 @ 2  ~2
=
2 @k 2 2m

(2.7.52)

2m

et donc nous aurons nalement

1 @ 2
1
=
:
(2.7.53)
m ~2 @k 2
L'equation 2.7.53 est tres importante et profonde. Elle montre que nous pouvons considerer
l'electron dans un extremum de bande comme pouvant se deplacer comme un electron libre
qui aurait une masse di erente. Cette approximation s'appelle approximation de la masse
e ective. Elle est tres puissante pour deux raisons:
1. comme nous l'avons deja mentionne plus haut, les electrons qui participent aux phenomenes
optiques et de transport dans un semi-conducteur sont en general pres d'un extrema
de bande, ou cette approximation peut ^etre appliquee,
2. de plus, cette approximation a comme consequence qu'un modele particulierement
simple peut ^etre applique vu que l'electron se comporte comme une particule libre de
masse renormalisee.
Cette analogie peut ^etre poussee plus loin. Dans les ondes, la vitesse de groupe d'un
paquet d'ondes est de nie par la relation:

vg =

@!
:
@k

(2.7.54)

Selon la mecanique quantique et les relations de de Broglie, l'electron se comporte comme


un paquet d'ondes dont la vitesse est maintenant donnee par:

vg =

1 @ (~! ) 1 @
=
:
~ @k
~ @k

(2.7.55)

L'equation 2.7.55 nous permet de calculer la vitesse d'un electron dans n'importe quel point
d'une structure de bande.

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
28
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

2.7.1 Application: bande cosinusodale


Considerons ici une bande formee par un couplage d'etats profonds etudies precedemment.
La dispersion de la bande nous donnait:
La masse e ective est donc

(k ) = 0 2A cos(ka):

(2.7.56)

1
1 @ 2 2Aa2
=
= 2 cos(ka):
m ~2 @k 2
~

(2.7.57)

Remarquez que la masse e ective est positive (et minimale) a k = 0, in nie a k = =a, et
negative pour k = =a. On peut aussi regarder la velocite d'un electron dans cette bande:

vg =

1 @ 2Aa
=
sin(ka):
~ @k
~

(2.7.58)

La vitesse de l'electron est donc minimale aux extrema de bande, (k = 0) et (k = =a)


et maximale au points intermediaires ou k = =(2a). La velocite maximale de l'electron
est proportionnelle a la largeur de la bande qui, rappelons-le, est simplement egale a 2A.
L'electron se meut d'autant plus facilement entre les ions que le couplage entre les ions
voisins est fort. Un phenomene similaire a lieu pour la masse e ective dont l'inverse (1=m )
est lui aussi proportionnel a 2A. Notons que rien n'emp^eche la masse e ective d'un electron
d'^etre en-dessous de l'unite. Dans les regions ou la masse e ective de l'electron est negative,
on prefere habituellement remplacer la notion d'electron par celle de trou, particule de masse
positive mais de charge opposee a celle de l'electron.

2.7.2 Masse e ective: lien avec l'electron peu perturbe


Une bonne interpretation du concept de la masse e ective - et de la relation avec la largeur
de la bande interdite - vient lors de l'examen du modele de l'electron faiblement perturbe,
deja examine dans le paragraphe 2.3. Le potentiel avait ete developpe sous forme d'une serie
de Fourier (periodicite oblige). Et on y avait applique les conditions de bord periodiques, ou
conditions de Born-von Karman. Ces conditions de bord font l'hypothese que le cristal est
en fait une cha^ne repliee sur elle-m^eme. De cette maniere, il est possible de developper la
fonction d'onde en serie de Fourier sur la longueur du cristal L:
(x) =

ck eikx

(2.7.59)

ou k = 2n=L et n est un entier. L'equation de Schrodinger s'ecrit:


X

 ~2 @ 2
iGx
= :
+
V
e
G
2m @x2 G
En remplacant

par son developpement:

(2.7.60)

2.7. LES EXTREMA DE BANDE: APPROXIMATION DE LA MASSE EFFECTIVE


X ~2
k

2m

ck k 2

 eikx +

XX
k

VG ei(G+k) x = 0:

29

(2.7.61)

Dans le deuxieme terme, on substitue k 0 = G + k et donc ck = ck0 G :


X ~2
XX

0
ck k 2  eikx +
VG ck0 G eik x :
2m
k
k0
G

(2.7.62)

Par de nition, chacun des termes d'un developpement de Fourier doit ^etre nul pour que leur
somme soit nulle et donc:
X

~2
ck k 2 ck + VG ck G = 0
(2.7.63)
2m
G
pour tout k.
L'equation 2.7.63 est dicile a resoudre dans le cas general, car une in nite de ck sont couples
a une in nite de Vk . Regardons neanmoins une solution simpli ee dans le cas ou k  =a,
donc au bord de la zone de Brillouin la ou la bande interdite va s'ouvrir. Posons aussi:

g = 2=a

(2.7.64)

egal
a la largeur de la zone de Brillouin. Pour simpli er l'ecriture, appelons le terme cinetique
~2 k2
2m = k et remarquons aussi que g=2 =  g=2 .
Nous n'allons ici garder que le premier terme de la serie de Fourier (aussi bien pour le
potentiel que pour la fonction d'onde). L'equation 2.7.63 s'ecrit pour k = g avec  = g=2 :
( )cg=2 + Vg c g=2 = 0
( )c g=2 + V g cg=2 = 0:
Ce qui peut s'ecrire sous forme matricielle:

H=

  Vg
V g  



cg=2
c g=2

(2.7.65)

= 0:

Ce qui aboutit a l'equation caracteristique suivante:


2 2 + 2 jVg j2 = 0
dont la solution est evidemment

 =   2

(2

(2.7.66)

jV j2) =   jV j:
g

(2.7.67)

Nous avons maintenant montre par le calcul l'existence d'une bande interdite au bord de la
zone de Brillouin dont la largeur est de 2jVg j. De plus, nous pouvons aussi construire les
fonctions d'ondes a l'aide des coecients cg=2 , en particulier ces coecients remplissent la
condition
cg=2
= 1:
(2.7.68)
c g=2

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
30
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

On peut donc construire la fonction d'onde a l'aide des deux possibilites pour les coecients:
(x) = ei 2 gx  e
1

1 gx
i2

(2.7.69)

Essayons de developper la solution autour de g=2. Pour cela, gardons les m^emes fonctions de
base pour developper la fonction d'onde mais en changeant les coecients c(k ) et c(k g ):
(x) = c(k )eikx + c(k g )ei(k g)x :
(2.7.70)
Cette fonction d'onde introduite dans l'equation 2.7.63 nous donne le systeme suivant a
resoudre:
(k )c(k ) + Vg c(k g ) = 0
(2.7.71)
(k g )c(k g ) + V g c(k g ) = 0:
Ce qui donne le determinant suivant a resoudre:




(k )
Vg

V g (k g ) = 0:

Dont l'equation caracteristique est


(k
qui mene a la solution

)(k

)

jV j2 = 0
g

(2.7.72)

1
1
( k g )2 + jVg j2:
(2.7.73)
 = (k + k g ) 
2
4 l
Il nous faut malheureusement encore un peu de calcul pour bien comprendre ce resultat! Le
mieux est d'exprimer la valeur de l'energie en fonction d'un vecteur d'onde dont l'origine est
en bord de zone k~ = k g=2. On aura les termes:
~2
k = (k~ + g=2)2
2m
(2.7.74)
~2 ~
2
k g = (k g=2)
2m
d'ou les quantites:
1
~2
(k + k g ) = (k~ 2 + g 2 =4)
2
2!
m
 2 2
(2.7.75)
~ 2
1
~
kg
~2 k~ 2
2
( k g ) = 4
= 4
:
4 k
2m
2
2m
Finalement, les solutions s'ecrivent
~2
 = (k~ 2 + g 2 =4) 
2m

~2 k~ 2

2m

 + jVg j2:

(2.7.76)

 D'ETATS


2.8. LA DENSITE
POUR UN ELECTRON
LIBRE

31

Ces
peuvent ^etre simpli ees encore en developpant la racine avec l'approximation
p1 +solutions
  1 + =2:
~2k~2
2 ~2 k~ 2
 =
+   jVg j(1 +
2m
jVg j2 2m )
(2.7.77)
~2 k~ 2
2
 =   jVg j +
(1 
2m
jVg j ):
Cette solution est esquissee sur la gure 2.13.
E

+u

-u

g/2

Figure 2.13: Formation d'une bande interdite pour un electron faiblement perturbe
L'equation 2.7.77 est tres interessante car elle montre des phenomenes tres generaux pour
la formation de bandes de cristaux. Comme on l'a deja vu, une perturbation periodique du
potentiel d'un electron mene a la formation d'une bande interdite. De plus, dans l'equation
2.7.77, on montre que ces bandes sont paraboliques pour les valeurs de k proches de celles ou
la bande interdite appara^t. On peut donc de nir une masse e ective a partir de l'equation
2.7.53 et ce calcul donne:
1
1
2 
=
1

(2.7.78)
m m
jVg j
et donc m est d'autant plus faible que =jVg j est grand et donc que jVg j est petit (a 
xe)! Ce resultat s'observe en pratique dans la grande majorite des semi-conducteurs avec
une bande interdite directe. Prenons des cas pratiques: le GaAs a une bande interdite
Eg = 1:5eV et une masse e ective de m = 0:067m0 , l'InAs a une bande interdite beaucoup
plus faible Eg = 0:3eV et une masse e ective aussi plus faible m = 0:022m0 .

2.8 La densite d'etats pour un electron libre


Comme nous allons le voir, le fait que les electrons suivent le principe d'exclusion de Pauli
entra^ne que les electrons remplissent les bandes. Il est donc important de conna^tre com-

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
32
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

bien d'electrons peuvent ^etre introduits dans une bande donnee. Plus precisement, il faut
conna^tre le nombre d'etats disponibles dans un certain intervalle d'energie.
Pour de nir ce nombre d'etats, nous allons utiliser une technique standard qui consiste a
de nir un volume de forme simple (un cube en l'occurrence) et compter les etats a l'interieur
de celui-ci.

L
y

L
x

Figure 2.14: Un cube de dimension L


Pour un cube dans lequel le potentiel est identiquement nul (c'est-a-dire V(x) = 0), les
fonctions propres sont des ondes planes et s'ecrivent donc:
(x; y; z ) = Aei(kx x+ky ykz z) :

(2.8.79)

En appliquant les conditions de bord periodiques de Born-von Karman, (x + L; y; z ) =


(x; y; z ) nous imposons des conditions aux valeurs de ki qui satisfont:

kx = nx 2=L
ky = ny 2=L
kz = nz 2=L

(2.8.80)

avec ni 2 Z .
Dans l'espace reciproque (ou k prend ses valeurs), les valeurs possibles pour k sont disposees
sur une grille tridimensionnelle de pas 2=L, representee sur la gure 2.15.
Si nous xons une energie maximum E des electrons (qui va ^etre nalement xee par le
remplissage des bandes et par l'energie de Fermi EF ), comme le mouvement de ceux-ci
est libre, cela aura pour consequence de determiner un vecteur reciproque maximum kmax
suivant l'equation:
~2 k 2
E = max
:
(2.8.81)
2m

 D'ETATS


2.8. LA DENSITE
POUR UN ELECTRON
LIBRE

33

kz

2/L
2/L
kx

2/L

ky

kmax

Figure 2.15: Grille sur laquelle k va prendre ses valeurs


Considerant la grille representant le lieu des valeurs possibles pour ~k , il est clair que les points
qui satisfont la condition j~k j < kmax est une sphere de rayon kmax . Il est donc apparent que
le nombre de sommets de la grille contenue dans cette sphere est juste le rapport entre le
volume de la sphere et le volume d'une cellule elementaire:
4 k
N (kmax ) = 3 max3 :
(2.8.82)
(2=L)
Finalement, en remplacant kmax par la valeur correspondante de l'energie E , et donc en
introduisant 2.8.81 dans 2.8.82, multipliant par 2 pour tenir compte du fait que chaque
electron peut avoir deux valeurs de spin, nous obtenons:
2 2m E 3=2 3
N (E ) =
L:
(2.8.83)
6 ~2
La densite d'etats est de nie comme le nombre d'etats par unite d'energie et de volume, elle
s'obtient en derivant l'expression 2.8.83 par rapport a l'energie et divisant par le volume:
dN (E ) 3 2 1 2m p
1 (2m )3=2 p
D(E ) =
=
E
=
E:
(2.8.84)
dE
2 6  2 ~2
2 2 ~3
Un resultat tres important est le fait que la densite d'etats augmente avec la masse e ective.

2.8.1 Cas des systemes bidimensionnels


Dans le paragraphe precedent, nous avons traite du cas tridimensionnel - autrement dit,
un electron se mouvant librement dans un cristal. Il est aujourd'hui possible de creer des
structures arti cielles dans lesquelles les electrons sont con nes, c'est-a-dire dans lesquelles
le mouvement de l'electron est restreint a deux dimensions, une dimension, ou dans le cas
extr^eme a zero dimension.

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
34
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

Dans le cas bidimensionnel, on parle d'un puits quantique. Montrons que ce con nement va
avoir une in uence importante sur la densite d'etats accessibles pour l'electron.
z

L
L

Figure 2.16: Un puits quantique de c^ote L


Il est clair que la fonction d'onde a maintenant une forme di erente. Elle se comportera
comme un onde plane dans le plan (xy) et sera une solution de l'equation de Schrodinger
dans la direction z, et de nie par le con nement dans cette direction.
(x; y; z ) = (z )ei(kxx+ky y)
(2.8.85)
Dans un plan de dimension LL, en appliquant de nouveau les conditions de bord periodiques,
nous aurons donc les conditions:
2
kx = nx
L
(2.8.86)
2
ky = ny :
L
ky

2/L
2/L

k
kx

Figure 2.17: Grille sur laquelle k va prendre ses valeurs


En appliquant le m^eme argument de comptage, le nombre d'etats contenus dans un disque
de rayon kmax est maintenant (en tenant compte du facteur 2 pour le spin):
k 2
N (kmax ) = 2 max 2
(2.8.87)
(2=L)


2.9. APPROXIMATION SEMI-CLASSIQUE: L'ELECTRON
ET LE TROU

35

et donc, exprime en fonction de l'energie, nous obtenons:


1 2mE 2
L:
(2.8.88)
2 ~2
Finalement, la densite d'etats, calculee a nouveau en derivant l'expression 2.8.88, s'ecrit:

N (E ) =

m
(2.8.89)
 ~2
et est, fait remarquable, une constante. Ceci est evidemment une di erence fondamentale
avec le cas tridimensionnel.
D(E ) =

2.8.2 Cas unidimensionnel


Il est clair que, en principe du moins, il est aussi possible d'augmenter encore le con nement des electrons, forcant ceux-ci a rester con nes dans une dimension. Il est important
neanmoins de noter que si les systemes bidimensionnels sont maintenant couramment utilises
jusque dans les applications, les systemes uni- ou zero-dimensionnels restent encore des objets de laboratoire.
Pour un systeme unidimensionnel, la fonction d'onde s'ecrit maintenant:
(x; y; z ) = (x; y )eikyy

(2.8.90)

avec kx = nx 2L . Le nombre d'etats sur une ligne unidimensionnelle est


2kmax
(2=L)

(2.8.91)

1 2m 1
p :
D (E ) =
 ~
E

(2.8.92)

N (kkmax ) = 2
et la densite d'etats

2.8.3 Cas zero-dimensionnel


Ce cas est un peu special: il correspond a un electron completement con ne dans les trois
dimensions, dans la m^eme situation qu'un atome. Le spectre va donc consister en une serie
d'etats discrets. La densite d'etats va donc devoir ^etre ecrite a l'aide de la fonction

D(E ) =

n
X

=0

(E

Ei ):

(2.8.93)

2.9 Approximation semi-classique: l'electron et le trou


Les approches semi-classiques se de nissent en general comme des techniques dans lesquelles
des raisonnement classiques sont appliques sur des objets qui eux sont de purs produits de

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
36
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

la mecanique quantique.
Si l'on considere le mouvement d'un electron dans un cristal, il est immediatement apparent
qu'une approche purement classique donne des resultats en complete contradiction avec
l'observation experimentale. Un exemple frappant est le transport des electrons: d'un point
de vue classique, ils devraient se heurter au potentiel attractif des ions; or l'experience
montre que les electrons semblent se deplacer dans un cristal comme des particules libres.
Par contre, nous avons vu que du point de vue quantique, ce m^eme potentiel periodique
n'allait pas emp^echer le mouvement des electrons, mais simplement changer la relation de
dispersion de l'electron E = E (K ) compare a la m^eme particule libre.
Soit un electron dans une bande de nie par sa relation de dispersion " = "(k ) (voir g. 2.18).
D'un point de vue de la mecanique ondulatoire, sa vitesse est donnee par la vitesse de groupe
du paquet d'ondes soit:
@! 1 @"
vg =
=
:
(2.9.94)
@k ~ @k

hvg = d/dk

k0

Figure 2.18: Relation de dispersion de l'electron " = "(k ), vitesse de groupe vg

La vitesse de l'electron est donc proportionnelle a la pente de la fonction "(k ). Par

de nition de la derivee, une augmentation de l'energie de l'electron " par une augmentation
de son vecteur d'onde k est donnee par

" = vg ~k:

(2.9.95)

Dans ce m^eme intervalle, ce gain d'energie pourrait ^etre fourni par une force F~ = q E~
donnee par un champ electrique exterieur travaillant pendant un petit intervalle de temps
t:
" = F x = q"vg t:
(2.9.96)
En egalant les expressions 2.9.95 et 2.9.96 nous obtenons:

q"vgt = vg ~k
k (~k )
q" = ~ =
t
t

(2.9.97)


2.9. APPROXIMATION SEMI-CLASSIQUE: L'ELECTRON
ET LE TROU

37

et donc nous pouvons ecrire, en nous rappelant les relations de de Broglie p = ~k :


p
F= :
(2.9.98)
t
L'equation 2.9.98 n'est rien d'autre que l'equation de Newton pour un solide. Cette equation
justi e notre approche semi-classique qui va consister a considerer que dans un cristal se
deplacent des electrons dont l'impulsion est de nie par p = ~k et qui subissent la loi de
Coulomb des electrons. Pour completer l'identi cation, calculons encore l'acceleration de
ces electrons:
dv
dv dk @ 2! F
a= g = g = 2
dt
dk dt @k ~
(2.9.99)
1 @ 2E
F
~2 @k 2
et donc nalement:
1
(2.9.100)
F = 1 @ 2 E a:
~2 @k2
2 2
L'equation 2.9.100 permet d'identi er correctement le terme ~12 @@kE2 comme une masse
e ective que l'on peut utiliser avec la loi de Newton.

2.9.1 De nition du trou


Le trou est une construction de l'esprit qui permet de traiter des bandes presque pleines
facilement. Plus simplement, au lieu de decrire la trajectoire de tout les electrons qui remplissent presque une bande, on preferera decrire celle des etats d'ou les electrons sont absents.
Considerons une bande de valence pleine, dont la courbure de la caracteristique " = "(k ) est
negative, separee d'une bande de conduction par une bande interdite. Dans une experience
de pensee, on excite un electron de la bande de valence a la bande de conduction a l'aide,
par exemple, d'un photon.

b.c.

E = h
ke

ke = - ke

b.v.
k

Figure 2.19: Un electron est excite de la bande de valence, laissant un trou libre

 ES
 ELECTRONIQUES


CHAPITRE 2. PROPRIET
38
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE

Une premiere constatation importante est que le cristal conserve le m^eme nombre d'electrons,
et donc l'electron supplementaire de la bande de conduction sera compense par un electron
manquant, ou trou, dans la bande de valence. Vu que le photon a une impulsion negligeable,
nous pouvons considerer que l'impulsion totale du cristal est inchangee. Nous allons traiter
l'electron manquant dans la bande de valence par l'addition d'une particule supplementaire,
un trou dans la bande de valence, dont les proprietes sont a etablir. Premierement, la
conservation de l'impulsion implique que le vecteur d'onde du trou kh est:

ptot = 0 = ~ke + ~kh


(2.9.101)
kh = ke :
De m^eme, nous allons aussi appliquer la conservation de l'energie: le de cit entre l'energie
du photon (~! ) et l'energie cinetique gagnee par l'electron va ^etre attribuee a la creation du
trou, ou, plus precisement, a son energie cinetique.
~2 k 2
~2 k 2
(2.9.102)
E = ~! (EG + e ) = 2h :
2me
2mh
lectron
b.c.
e
Ecin

Eg

E
b.v.

trou

Figure 2.20: L'energie excedentaire du processus est attribuee au trou


D'un autre c^ote, E est par construction:

1 @ 2"v 2
k:
2 @k 2 e
En egalisant les deux quantites, nous obtenons nalement:
~2kh2 ~2 ke2
1 @ 2"v 2
=
=
k:
2m2h 2m2h
2 @k 2 e
car kh = ke et donc nous pouvons conclure que:
1 @ 2 "v
1
=
:
mh
~2 @k 2
E =

(2.9.103)

(2.9.104)

(2.9.105)


2.9. APPROXIMATION SEMI-CLASSIQUE: L'ELECTRON
ET LE TROU

39

La masse d'un trou est positive, egale a l'inverse de celle qu'aurait un electron dans la m^eme
bande.
Regardons maintenant la charge du trou. Pour cela, nous allons nous appuyer sur les relations de Newton semi-classiques 2.9.98 et 2.9.100. Pour l'electron excite dans la bande de
conduction, nous pouvons ecrire que

(~ke )
= qE;
t
ce qui peut ^etre reecrit en fonction du vecteur d'onde du trou kh comme
F=

(2.9.106)

kh
= qE:
(2.9.107)
t
Pour cette raison, la charge du trou doit absolument ^etre positive et opposee a celle de
l'electron si nous voulons pouvoir appliquer l'equation de Newton 2.9.98 a cette nouvelle
particule. Une autre derivation, qui utilise 2.9.100 au lieu de 2.9.98, donne:
~

ce qui entra^ne

F = m a

(2.9.108)

1
F = 1 partial2"v a = mh a
2

(2.9.109)

F = qE

(2.9.110)

mh a = qE:

(2.9.111)

et comme
nous aurons obligatoirement

@k

En resume, le trou aura:


1. un nombre d'onde kh = ke ,
2. une charge +q opposee a celle de l'electron,
2
3. une masse positive telle que 1 = 12 @ "2v ,
mh

@k

4. une energie Eh = Ee 4 egale a l'oppose de celle de l'electron manquant,


5. une vitesse egale a celle de l'electron:

vgh =

@"h @ "e
=
= vge :
@kh
ke

(2.9.112)

Chapitre 3
Statistique des semi-conducteurs
3.1 Principe d'exclusion de Pauli, statistique de FermiDirac
Dans la mecanique quantique, on separe les particules en deux grandes classes selon la valeur
de leur spin (moment angulaire propre):
1. Les fermions dont le spin est un demi-entier (1=2, 3=2, ..).
2. Les bosons dont le spin est un entier (0; 1; 2; ::).
Ces deux classes de particules ont des proprietes tres di erentes si l'on considere un ensemble
de particules identiques: la fonction d'onde a N-particules est symetrique pour le cas de
bosons et anti-symetrique pour le cas des fermions.
Le principe d'exclusion de Fermi, qui en decoule, enonce simplement que "Deux fermions
ne peuvent occuper le m^eme etat". Un consequence du principe de Pauli est la statistique
de Fermi-Dirac pour les electrons (ou autre particule de spin demi-entier): la probabilite
de trouver un fermion a une energie E dans un systeme a temperature T est donne par la
fonction:

f (E; ; T ) =

exp

ou k est la constante de Boltzmann.


40

1
E 
kT

+1

(3.1.1)

3.1. PRINCIPE D'EXCLUSION DE PAULI, STATISTIQUE DE FERMI-DIRAC

41

4kT@300K

1.00

f (E,,kT)

7meV
80K

0.4meV
4K

kT = 26meV

0.75

T = 300K

0.50
0.25
0

50

100

150

200

E- [meV]

Figure 3.1: La distribution de Fermi-Dirac pour les electrons pour di erentes temperatures
Cette fonction est montree sur la gure 3.1 pour di erentes valeurs de la temperature T . La
distribution de Fermi-Dirac a les proprietes suivantes:
1. La fonction a les comportements asymptotiques f ((E ) ! 1) ! 0 et f ((E ) !
1) ! 1. En clair, la probabilite d'observer un electron a energie in nie pour une
temperature nie est nulle.
2. La probabilite d'observer un electron a l'energie correspondant au potentiel chimique
est exactement 21 donc f (E = ; T ) = 0:5.
3. En fonction de l'energie, la fonction passe de 1 a zero dans une region d'environ 2kT
autour de E = .
4. La grandeur  est appelee potentiel chimique. C'est une quantite qui correspond
a l'energie moyenne d'un electron extrait d'un reservoir thermique. En pratique, la
valeur de  est ajustee de maniere a ce que le nombre de particules corresponde au
nombre total (en general xe) d'electrons du systeme. Pour un nombre de particules
xe,  est en general une fonction de la temperature.
5. Dans le cas ou la temperature est nulle, la fonction a l'allure d'une marche d'escalier,
passant de la valeur 1 a 0 pour E = . Dans ce cas,  = EF est appelee energie de
Fermi du systeme.
Pour calculer le nombre d'electron dans une structure a temperature nie, la recette est
la suivante: il sut d'integrer le nombre d'etats disponibles (donne par la densite d'etats)

42

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

multiplie par la probabilite de trouver un electron a cette energie (donne par la distribution
de Fermi-Dirac). Mathematiquement, nous avons donc:

Ntot =

Z 1
E

=0

D(E )

exp

1
E 
kT

+1

dE:

(3.1.2)

3.1.1 Limite classique


Dans le cas
u E  >> kT , il est possible de simpli er la distribution de Fermi-Dirac car
 o
E 
exp kT >> 1 et donc
 E
f (E; ; kT )  exp
:
(3.1.3)
kT
Cette distribution correspond a la situation ou f << 1 et donc les orbitales sont tres peu
occupees. Soit parce que l'on s'interesse a des situations dans lesquelles, ou bien simplement
E est grand (hautes energies d'excitation), ou alors simplement la temperature est haute.
De toute maniere, le point essentiel est que la probabilite d'occupation d'un etat est tres
faible et donc il n'est pas important d'appliquer le principe de Pauli (la probabilite que deux
electrons veuillent occuper le m^eme etat est tres faible). Pour ces raisons, ce regime est
appele le regime classique.
a) Hautes nergies
1.0
0.8

rgime
classique

0.6

f
0.4
0.2
0

b) kT >> EF
1.0
0.8
0.6

f
0.4

rgime classique

0.2

Figure 3.2: Illustration d'exemples dans lesquels on peut utiliser l'approximation du regime
classique. a) hautes excitations dans un metal. b) semi-conducteur peu dope


3.2. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE

43

3.2 Semi-conducteur intrinseque


On va considerer ici le remplissage des bandes dans le cas d'un semi-conducteur sans impuretes mais a temperature nie. Comme mentionne plus haut, le calcul du nombre total
d'electrons dans une bande est conceptuellement simple, il faut toujours utiliser les deux
formules essentielles:
1. La probabilite de trouver un electron a une energie E est donnee par la distribution de
Fermi-Dirac 3.1.1.
2. Pour les trous, on applique le principe (trou = pas d'electrons) et donc

fh (E; ; kT ) = 1 fe (E; ; kT ) =

exp

E 
kT
E 
kT

+1

exp

1
 E
kT

+ 1)

(3.2.4)

3. Le nombre total d'electrons est toujours l'integrale de la densite d'etats fois la distribution de Fermi-Dirac 3.1.2.
4. Le nombre total d'electrons dans le cristal est en general xe soit Ne +Nh = 0 (condition
de neutralite du cristal). Il faut faire attention que cette derniere relation n'est par
exemple pas valable localement dans une jonction.
Malheureusement, l'integrale 3.1.2 n'est en general pas soluble analytiquement. Il va donc
falloir recourir a des approximations.
Dans le cas d'un semi-conducteur intrinseque, nous allons faire l'hypothese que le niveau de
Fermi est situe dans la bande interdite et que les deux bandes (conduction et valence) sont
dans le regime classique. Nous faisons de plus l'hypothese de bandes paraboliques. Pour la
concentration d'electrons n dans la bande de conduction, nous obtenons:
Z 1
1 (2m )3=2 p
E 
n=
dE
E
E
exp
G
2 ~3
kT
EG 2
(3.2.5)
Z
p

1 (2m )3=2
E
n= 2
exp kT
1 E EG exp kT dE:
2
~3
EG
Pour e ectuer l'integrale 3.2.5, posons un changement de variable:
E EG
1
x=
; dx = dE
kT
kT
Z 1p
p Z 1 1=2
E
EG 
E EG exp
dE = kT
x exp( x) exp
dxkT
(3.2.6)
kT
kT
EG
x=0
Z
 EG  1 1=2
1 (2m kT )3=2
n= 2
exp
x exp( x)dx:
2
~3
kT
x=0
La derniere integrale s'obtient par la methode de Cauchy, que nous n'allons pas discuter ici:
Z 1

=0

x1=2 exp( x)dx =


;
2

(3.2.7)

44

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

En remplacant l'integrale 3.2.7 par sa valeur, nous obtenons nalement:


m k T
 EG 
n = 2 e B2 3=2 exp
:
(3.2.8)
2 ~
kT
Le m^eme raisonnement peut ^etre tenu pour les trous: il sut de substituer la distribution
de Fermi des trous par son approximation classique:
 E
fh  exp
:
(3.2.9)
kT
Comme le zero de l'energie est conventionnellement xe au sommet de la bande de valence,
nous obtenons nalement pour la concentration de trous p:
Z 1

m k T
p=
Dh (E )fh (E )dE = 2 h B2 3=2 exp
:
(3.2.10)
2 ~
kT
1
Nous pouvons calculer, avec les expressions 3.2.8 et 3.2.10, le produit des concentrations
d'electrons et de trous n  p qui donne:
kT 3
3=2 exp EG :
(
m
m
)
(3.2.11)
np=4
e
h
2 ~2
kT
Il est tres important de noter que le produit n  p est constant et ne depend que des
caracteristiques du cristal ainsi que de sa temperature.
Les equations precedentes apparaissent dans la litterature sous des formes variables mais
equivalentes. Une possibilite utilisee dans la litterature est de de nir une concentration
quantique pour les bandes de conduction nc et de valence nv (aussi appelees densite d'etats
e ective dans certain livres):
 EG 
n = nc exp
kT 
(3.2.12)

p = nv exp
kT
ou
m kT 
nc = 2 e 2 3=2;
2 ~
(3.2.13)
mh kT 3=2
nv = 2
2 ~2
dependent de la temperature T et de la masse e ective m. Dans le cas de la bande de
valence, il faut faire un peu attention a la valeur utilisee pour la masse e ective m. En
e et, la bande de valence n'est pas habituellement formee d'une bande parabolique mais de
deux, appelees bandes des trous lourds et des trous legers, qui, comme leur nom l'indique,
se distinguent par des valeurs di erentes de la masse e ective.
La concentration totale de trous s'obtient simplement en sommant separement la contribution des deux bandes:

p=

Dhh fh + Dlh flh

m k T

m k T

= 2 hh B2 3=2 exp
+ 2 lh B2 3=2 exp
2 ~
kT
2 ~
kT

(3.2.14)


3.2. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE

45

qui peut s'ecrire comme 3.2.10 a condition de poser


m3=2 = m3=2 + m3=2
v

hh

(3.2.15)

lh

que l'on appelle masse e ective de densite d'etats ("density of state e ective mass").
Remarquons aussi que le produit n  p est constant:

np = nc nv exp EG =kT = n2 :
(3.2.16)
i

ni est appele concentration intrinseque et s'ecrit:

ni = nc nv exp

EG 
:
2kT

(3.2.17)

Figure 3.3: Concentration intrinseque du Ge, Si, et GaAs en fonction de l'inverse de la


temperature
Cette concentration est la concentration thermique d'equilibre du semi-conducteur pur. Elle
depend exponentiellement de la temperature et de la largeur de bande interdite du materiau.
A temperature ambiante (T = 300K ), ni = 2:4  1013 cm 3 pour le Ge, ni = 1:45  1010 cm 3
pour le Si, ni = 1:8  106 cm 3 pour le GaAs. En pratique, cette valeur ne peut ^etre mesuree

46

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

que dans le Ge; pour les autres semi-conducteurs, elle est trop faible car en-dessous de la
concentration minimum d'impuretes possibles.
La bande de conduction du Si comporte une diculte supplementaire par le fait que les
surfaces isoenergetiques sont des ellipsodes de revolution. Pour cette raison, la masse e ective depend de la direction. Dans le cas general ou cette masse est di erente dans les trois
dimensions, on montre facilement que la densite d'etats s'exprime toujours avec l'expression
2.8.84 a condition de remplacer la masse de l'electron par une masse e ective donnee par:

ce qui s'ecrit


mde = m1m2 m3 1=3

(3.2.18)


mde mlm2t 1=3

(3.2.19)

pour le Si avec un masse transverse mt et une masse longitudinale ml , et en plus, en sommant


sur les 6 ellipsodes d'energie. Nous obtenons nalement pour la concentration quantique de
la bande de conduction l'expression:

nc = 2  6

mde kT 3=2
:
2 ~

(3.2.20)

3.2.1 Justi cation de np = cst par un argument cinetique


Posons que le semi-conducteur est en equilibre avec un corps noir a temperature T. Le taux
de generation d'electrons est donne par:

dn
= A(T ) B (T )  n  p = 0
dt

(3.2.21)

car le semi-conducteur est a l'equilibre. Une quantite A(T ) de paires electrons-trous est
generee par absorption de photons, alors qu'une quantite B (T )  n  p de ces paires se recombine
pour generer des photons. De l'equation 3.2.21 nous tirons immediatement:

np =

A(T )
= cst(T ):
B (T )

(3.2.22)

Cet argument est similaire a un argument sur la cinetique des reactions chimiques.

3.2.2 Position du niveau de Fermi


Nous allons voir que, dans une situation ou la concentration de dopants n'est pas trop elevee,
les calculs presentes ci-dessus (approximation classique) sont valables pour autant que
1. la densite d'etats due aux dopants soit negligeable et
2. le semi-conducteur ne soit pas degenere.

 DOPAGE
3.3. IMPURETES,

47

Nous allons pour l'instant continuer a faire l'hypothese d'un materiau non-dope et allons
calculer la position du potentiel chimique . Nous avons donc n = p = ni (neutralite du
cristal) et nous pouvons poser:

 EG  p
= nc nv exp EG =2kT :
kT
Il est facile d'extraire le potentiel chimique  de la relation:

nc exp

exp =kT =
et donc

=


nc
exp EG =2kT
nv

m 
EG 3
+ kT ln h
2
4
me

(3.2.23)

(3.2.24)
(3.2.25)

3=4

h .
car nnvc = m
3=4
me
En conclusion, la relation 3.2.25 nous indique que le potentiel chimique est au milieu de la
bande interdite a T = 0; il se rapproche de la bande ayant la plus faible masse e ective au
fur et a mesure que la temperature augmente.

3.3 Impuretes, dopage


Que se passe-t-il lorsqu'un atome etranger est substitue dans un semi-conducteur homogene?
En fait, tout va dependre de la con guration electronique de cet atome. On distinguera trois
cas possibles:
1. L'atome a une con guration electronique identique a l'atome substitue (par exemple
du germanium dans du silicium, aluminium au lieu de gallium dans le GaAs, etc..).
On obtient cette situation en prenant un atome dans la m^eme colonne du tableau
periodique des elements que l'element substitue. Le resultat obtenu sera un alliage et
les proprietes electroniques de celui-ci seront dans la majorite des cas une moyenne
des constituants de depart. Les proprietes telles que la masse e ective et la largeur
de la bande interdite s'obtiennent en bonne approximation par interpolation lineaire.
Par exemple, la largeur de la bande interdite au point du AlxGa1 x As peut s'ecrire
en bonne approximation comme une interpolation entre la bande interdite du GaAs
EGaAs et de l'AlAs EAlAs

EAlx Ga1

x As

= xEAlAs + (1

x)EGaAs :

(3.3.26)

2. L'atome a une con guration similaire, mais avec un electron de plus ou de moins.
Typiquement, en choisissant un element de la colonne voisine de l'element utilise. Si
cet element a un electron supplementaire, comme le phosphore ou l'arsenic dans le
silicium, on parle d'un donneur. Si au contraire la derniere couche de cet element a un
de cit d'electron, comme le bore ou le gallium dans le silicium, on parlera d'accepteur

48

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

electronique. Nous allons montrer que dans ce cas, les electrons supplementaires sont
dans des etats dont l'energie, proche de celle des bandes, ne depend que faiblement de
la nature de l'impurete. Ces electrons et ces trous sont aisement cedes a la bande de
conduction et de valence par excitation thermique.
3. Dans le cas ou l'impurete a une con guration electronique completement di erente, les
resultats precedents ne s'appliquent pas. L'impurete deforme les fonctions electroniques
du cristal. Pour cette raison, elle va en general creer des etats proches du milieu de la
bande interdite. En regle generale, on cherche a eviter cette situation car la presence
de ces etats est tres nuisible aux proprietes electriques et optiques de ces cristaux. Il
existe neanmoins des exceptions comme par exemple le GaAs cr^u a basse temperature,
presentant une grande quantite (ordre de 1%) d'exces d'arsenic, ce qui permet de
diminuer dramatiquement le temps de vie des porteurs pour des applications d'optique
non-lineaire. Un autre exemple est le dopage des plaquettes du GaAs avec du chrome
pour les rendre isolantes.

3.3.1 Les dopants peu profonds


La situation la plus interessante est la deuxieme situation decrite precedemment. La cle
pour la comprehension de la situation est de realiser que si la con guration des orbitales
de l'impurete est identique a un electron pres, la periodicite du cristal n'est pas brisee et la
description des bandes d'energie reste valable. Un donneur va se debarrasser de son electron
en le cedant a la bande de conduction, un accepteur va capturer un electron a la bande de
valence, laissant un trou derriere. Dans les deux cas, l'impurete sera ionisee.

Figure 3.4: Modele d'une impurete hydrogenique dans un cristal


Le potentiel de l'impurete ionisee va creer un champ coulombien qui agira sur les electrons
libres de la bande de conduction. Ce probleme est identique a celui d'un atome d'hydrogene,
a deux di erences essentielles pres:

 DOPAGE
3.3. IMPURETES,

49

1. l'electron (ou le trou) a une masse e ective m (au lieu de la masse de l'electron au
repos m0),
2. l'electron se deplace dans un cristal ou la constante dielectrique 0 est largement
superieure a celle du vide  >> 1.
L'hamiltonien du probleme s'ecrit:

q2
P2
:
(3.3.27)
2m 40r
Comme mentionne precedemment, l'hamiltonien 3.3.27 est identique a celui d'un atome
d'hydrogene a condition de substituer m ! m et 0 ! 0. Les niveaux d'energie de
l'atome d'hydrogene sont donnes par
H=

En =
qui s'ecrivent aussi comme:

1 m0q 4
n2  2~2 20

(3.3.28)

1
E
(3.3.29)
n2 Ry
ou ERy = 13:6eV est l'energie de Rydberg. En e ectuant les substitutions pour les masses
e ectives et la constante dielectrique, les niveaux d'energie pour l'impurete hydrogenique
s'ecrivent:
1 
En = 2 ERy
(3.3.30)
n
ou l'energie de Rydberg "renormalisee" dans le cristal est

 =E m 1:
ERy
(3.3.31)
Ry
m0 2
Cette renormalisation va conduire, dans les cas pratiques, a une forte reduction de l'energie
 = 5:5meV ( = 13 et m =m0 = 0:067).
de Rydberg. Par exemple, dans le GaAs, ERy
L'energie de ionisation de l'impurete est donc nettement plus faible que l'energie thermique
a temperature ambiante kT = 26meV . Pour cette raison, en tres bonne approximation, on
peut considerer que toutes les impuretes sont ionisees dans le GaAs a temperature ambiante.
Le cas du silicium est plus complique a cause de sa masse e ective tensorielle (masse e ective
longitudinale di erente de la masse transverse). Nous pouvons neanmoins nous convaincre
sans trop de diculte que le modele utilise peut neanmoins ^etre generalise aussi dans ce cas
a condition d'utiliser pour une masse e ective la valeur:
1
1 1
2
=
+
(3.3.32)
mce 3 ml mt
(penser a moyenner le terme cinetique P 2 =2m). La valeur numerique sera mce = 0:26m0 .
Comme la constante dielectrique du silicium est de  = 13:6, la valeur de l'energie d'ionisation
des impuretes est:
 = 25meV:
ERy
(3.3.33)

En =

50

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

Pour la bande de valence, nous utilisons mhh =m0 = 0:49 et donc


 = 47meV:
ERy

(3.3.34)

Quelques remarques importantes.


1. Ces energies sont faibles, largement plus petites que la largeur de la bande interdite.
Ceci justi e leur appellation de niveaux "peu profonds" ou "shallow donors/acceptors".
Il est facile d'activer ces impuretes a temperature ambiante.
2. Dans ce modele simpli e, l'energie d'activation ne depend pas de la nature
de l'impurete. En e et, tous les parametres entrants dans notre modele sont ceux
du cristal et non de l'impurete. Il es possible de veri er la qualite du modele en le
comparant aux resultats experimentaux. La gure 3.5 montre les energies d'ionisation
des di erentes impuretes dans le Ge, Si, et GaAs. Notez que les deux cas sont possibles,
impuretes peu profondes dans le cas ou la con guration electronique est proche et
profonde lorsque cette con guration electronique est di erente. Les valeurs de l'energie
d'ionisation pour les impuretes au comportement "ideal" sont e ectivement proches des
valeurs calculees par notre modele simple (Si, Ge ont des valeurs egales a 5.8 et 6 meV
pour le GaAs, a comparer a la valeur theorique de 5.5meV).

Figure 3.5: Energie d'ionisation pour di erentes impuretes dans Ge, Si, et GaAs
3. Le rayon de Bohr de l'impurete est, lui aussi, modi e par le milieu e ectif du cristal

a0 ! a0 = a0  :
(3.3.35)
m =m0

 DE PORTEURS DANS UN SEMI-CONDUCTEUR DOPE



3.4. DENSITE

51

Pour le GaAs, le rayon de Bohr d'un donneur est egal a 10nm, ce qui est beaucoup
plus grand que la distance inter-atomique (0:3nm). Pour cette raison, la trajectoire de
l'electron est tres eloignee de l'impurete et "sent" (feel en anglais) les proprietes d'un
cristal homogene.
4. Une quantite extr^emement faible d'impuretes est susante pour changer profondement
les proprietes d'un semi-conducteur. En e et, il sut que n > ni . Traduit en concentration relative, cela nous donne une valeur de 10 17 pour le GaAs a temperature
ambiante.

3.4 Densite de porteurs dans un semi-conducteur dope


Dans le cas completement general, il est necessaire de resoudre l'equation de la neutralite
du cristal:
ND+ + p = NA + n:
(3.4.36)
ND est la concentration de donneurs ionises, et NA celle d'accepteurs ionises. n et p, les
concentrations d'electrons et de trous, sont donnes par leur formes integrales:
Z 1
Z 0
(3.4.37)
n=
D(E )f (E; ; T )dEp =
D(E )f (E; ; T )dE:
0
1
La resolution du probleme dans sa generalite n'est accessible qu'a des logiciels numeriques.
Ceux-ci sont devenus des outils indispensables pour la conceptions des dispositifs et circuits
a semi-conducteurs. Nous allons voir dans ce cours la majorite des expressions entrant dans
ces programmes.

3.4.1 Approximation des impuretes completement ionisees


Il est instructif de commencer par traiter des cas simples. Admettons que nous avons un
semi-conducteur dans lequel seule une espece de dopant est presente, et que celui-ci est dope
par des donneurs uniquement (NA = 0). De plus la temperature est elevee (kT >> Ed ).
Dans ce cas, nous pouvons admettre que tous les donneurs sont ionises:
N + = ND
(3.4.38)
D

et la neutralite du cristal s'ecrit:

n = ND + p:
(3.4.39)
De plus, dans l'approximation classique, nous avons la loi d'action de masse np = n2i et donc
n = ND +
d'ou nous deduisons la valeur de n

n2i
n

(3.4.40)

N  ND2 + n2i
n= D
:
2

(3.4.41)

52

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

De plus, si la largeur de la bande interdite est grande (Si ou GaAs), nous avons en general
ND2 >> n2i et donc nalement
n = ND :
(3.4.42)
L'equation 3.4.42 est une bonne approximation pour les electrons dans le GaAs. Par contre,
au vu des energies d'ionisation plus grandes pour les impuretes dans le silicium, remplacer
ND+ par ND conduit a une nette surestimation du nombre d'electrons dans la bande de
conduction.

3.4.2 Ionisation partielle d'un donneur


La remarque precedente conduit naturellement a considerer le nombre d'electrons e ectivement ionises pour une impurete hydrogenique. Nous allons devoir faire une incursion dans
la mecanique statistique pour pouvoir calculer cette grandeur.

Distribution grand canonique


Dans une distribution grand canonique, chaque etat acquiert un poids egal a

eN  ")=kT

(3.4.43)

ou N est le nombre de particules dans le systeme et " = "(N ) l'energie de cet etat a Nparticules. Il faut voir cette distribution comme une generalisation du facteur de Boltzman
pour le cas quantique dans lequel le nombre de particules n'est pas xe. Le nombre moyen
de particules est donne par une moyenne sur tout le nombre de particules et etats possibles:

hN i =

P
ASE Nj exp((Nj 
P

"j )=kT )
:
"j )=kT )
ASE exp((Nj 

(3.4.44)

La somme est appelee "grande somme" et porte sur tous les etats et nombre de particules
possibles. L'etat a zero particule doit aussi ^etre compte avec une energie zero. L'indice
"ASE" se refere a l'abbreviation anglaise "All States and Energies".

Distribution de Fermi-Dirac
A l'aide de cette somme de Gibbs, il est aise de re-deriver la distribution de Fermi-Dirac.
Soit un petit systeme s, qui peut prendre un electron (alors N = 1) a une energie " ou pas
d'electron. Sommant sur ces deux possibilites, nous obtenons:


0 exp(0) + exp kT"


hN i = 1  exp(0) + exp  "  = 1 + exp1
kT
qui est juste la distribution de Fermi-Dirac 3.1.1.

" 
kT

(3.4.45)

 DE PORTEURS DANS UN SEMI-CONDUCTEUR DOPE



3.4. DENSITE

etat
donneur ionise
donneur a un electron
donneur a un electron

53

energie spin nb particules


0
0
"D
" 1
"D
# 1

Table 3.1: Etats possibles pour un donneur

3.4.3 Probabilite d'occupation pour un donneur


Le systeme que nous avons a examiner est une impurete. Elle peut avoir soit aucun electron,
soit un electron, qui lui peut avoir un spin soit "en haut" soit "en bas". En resume,
La somme va donc s'ecrire:

0 + exp  kT"D + exp  kT"D


hN i = 1 + exp  "D  + exp  "D 
kT
kT

2 exp  kT"D
1
 =

=
 "D
1
1 + 2 exp kT
1 + 2 exp "DkT  :

(3.4.46)

Il faut faire attention que dans cette equation l'energie "D est l'energie d'un niveau donneur,
compte par exemple par rapport au sommet de la bande de valence. Ce n'est pas l'energie
d'ionisation du donneur.

Ionisation partielle d'un donneur


Nous avons maintenant tous les outils necessaires pour le calcul du nombre d'electron ionises
dans le cas ou l'ionisation des donneurs est incomplete. Nous retournons donc a l'equation:
n = N + + p:
(3.4.47)
D

Nous pouvons maintenant calculer le nombre de donneurs ionises en utilisant la relation


3.4.46

1

ND+ = ND 1
1 + 21 exp "DkT 
(3.4.48)
1

= ND
:
2 exp  kT"D + 1
L'equation fondamentale a resoudre est:

nc exp

 EG 
nv exp
kT


ND 
=
:
kT
2 exp  kT"D + 1

(3.4.49)

Comme precedemment, nous allons faire l'hypothese que le semi-conducteur a une bande
interdite relativement large, et donc que p << n, ou, autrement dit, que n >> ni . Endessous de la temperature ambiante, c'est une excellente approximation pour le silicium et

54

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

le GaAs. Cela revient a poser:

n = ND+ =

2 exp

ND
 "D
kT

+1

(3.4.50)

Comme n est la quantite d'inter^et, nous devons reecrire 3.4.49 en fonction de cette variable
en utilisant:
 EG 
(3.4.51)
n = nc exp
kT
et donc
n
E 

exp
=
exp G :
(3.4.52)
kT
nc
kT
Finalement, 3.4.49 est reecrite comme une equation du deuxieme degre en n

n
E 
"  
exp G exp D + 1 = ND
nc
kT
kT

E "
2n2 exp G D + nc n ND = 0:
kT

n2

Nous avons donc la solution:

n
n = c exp
4

(3.4.53)

EG "D  1 n2c
E " 
E " 

exp 2 G D + nc ND exp 2 G D
kT
2 4
kT
kT
s
(3.4.54)

nc
EG "D 
8ND
 :
n = exp
1 1+
4
kT
nc exp EGkT "d

A basse temperature, nc << ND , nous identi ons le terme EG


d'activation du donneur, et 3.4.54 peut se reecrire comme:

"D comme "A l'energie

ND nc
"A 
exp
:
(3.4.55)
2
2kT
L'expression 3.4.55 ressemble a un terme de Boltzman mais ou l'energie d'activation "effective" est de "A =2. A haute temperature, nous pouvons reecrire 3.4.54 avec une autre
approximation car maintenant nc >> ND et donc nous obtenons en developpant la racine:
n=

n=

nc
exp
4

EG "d 
kT

1 1+


1
8ND

2 nc exp EGkT "d
n = ND :

(3.4.56)

Nous avons donc derive a nouveau la relation 3.4.42 de maniere plus rigoureuse. Remarquons neanmoins que la relation 3.4.42 n'est pas valable comme limite asymptotique des tres
hautes temperatures. A partir d'une certaine temperature la densite des trous va commencer
a augmenter et, de ce fait, la densite d'electrons augmentera aussi.
En conclusion, en fonction de la temperature, la densite d'electrons va d'abord augmenter exponentiellement avec une energie d'activation "A =2 (regime active), va atteindre un plateau

 DE PORTEURS DANS UN SEMI-CONDUCTEUR DOPE



3.4. DENSITE

55

1019

0.6

1018
0.4
1017

1016

densit de porteurs
potentiel chimique
bord de la bande de conduction
Ec/2

1015

1014

500

1000

1500

2000

0.2

Potentiel chimique [eV]

Concentration des lectrons [cm-3]

(regime de saturation), puis va a nouveau augmenter (regime intrinseque). Ce comportement est montre sur la gure 3.6.

0
2500

Temprature [K]

Figure 3.6: Densite d'electrons en fonction de la temperature, montrant clairement les trois
regimes d'activation, de saturation et intrinseque

3.4.4 Densite des trous


Pour le cas des trous, la situation est similaire a celle des electrons. Neanmoins, comme
nous allons le voir, la statistique n'est pas tout a fait la m^eme. Un accepteur a un de cit
d'electron. Il est utile de penser en terme des deux derniers electrons completant la bande
de valence. Lorsque l'accepteur est ionise, il a complete sa couche. De maniere statistique, il
n'y a qu'une possibilite: sa derniere couche comprend deux electrons avec des spins opposes.
Par contre, quand celui-ci est neutre, l'electron supplementaire peut non seulement avoir
deux valeurs di erentes de spin mais aussi l'etat sur lequel l'electron se trouve peut avoir un
caractere de bande de trou lourd (HH) ou de trou leger (LH). En resume:
etat

j "ij #i
LH j "i
LH j #i
HH j "i
HH j #i

nb particules
2
1
1
1
1

energie
"A
0
0
0
0

etat de l'impurete
ionise
neutre
neutre
neutre
neutre

Table 3.2: Etats possibles pour un accepteur

56

CHAPITRE 3. STATISTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

Et donc la somme de Gibbs s'ecrit:



4 exp kT + 2 exp 2kT"A
hni = 4 exp   + exp 2 "A  :
kT
kT

(3.4.57)

Le nombre d'accepteurs ionises est juste:

NA = 2

hni = 1 + 4 exp1

"A 
kT

:

(3.4.58)

Pour un semi-conducteur dope avec des impuretes de type "p", l'equation de la neutralite
s'ecrit:
p = n + NA :
(3.4.59)
On peut re-deriver une relation similaire a 3.4.54 pour les trous avec les m^emes comportements asymptotiques a basse, moyenne et haute temperature. Par exemple, le regime de
basse temperature est donne par:
r

p=

NA nv
exp
4

"A 
:
2kT

(3.4.60)

3.5 Regime de compensation


Lorsque les deux types de dopants sont presents en m^eme temps dans le materiau, l'equation
de neutralite du cristal a resoudre comporte a priori les quatre termes 3.4.36. Neanmoins,
pour les materiaux semi-conducteurs a large bande interdite, la condition n; p >> ni sera
toujours veri ee. Le materiau ne verra donc pas la coexistence d'electrons et de trous. En
fait, le materiau va se comporter comme un materiau de type "p" ou "n", avec un dopage
ecace egal a NA ND .

3.6 Impuretes profondes, materiaux semi-isolants


Comme esquisse dans la presentation generale du dopage, le cas ou les impuretes creent des
niveaux profonds peut aussi avoir son inter^et. Ces niveaux profonds sont proches du milieu
de la bande interdite. Dans ce cas, l'energie d'activation de l'impurete est tres grande.
Pour cette raison, il n'est pratiquement pas possible d'exciter des electrons dans la bande de
conduction ou des trous dans la bande de valence car exp( EG =4kT )  0. De cette maniere,
le potentiel chimique des electrons est xe proche du milieu de la bande interdite. En outre,
ces impuretes etant profondes, les etats correspondants sont tres localises et la conduction
electrique est impossible. De plus, cette situation va rester valable m^eme dans le cas ou
un leger dopage supplementaire est present, pour autant que celui-ci soit plus faible que la
concentration de niveaux profonds. Un tel materiau est appele semi-isolant.

Chapitre 4
Transport dans les semi-conducteurs
Jusqu'a present, nous avons considere des electrons au repos dans un semi-conducteur a
l'equilibre. Les dispositifs semi-conducteurs, au contraire, sont bases sur le contr^ole du
transport d'electrons et de trous. Pour modeliser ce transport, nous allons partir d'un
modele semi-classique tres important: le modele de Drude.

4.1 Modele de Drude de la conduction


Lecture: Ashcroft&Mermin
Dans ce modele, l'electron est considere comme une particule semi-classique (elle aura par
exemple un masse e ective m) soumise a un champ electrique de valeur E . Sous l'action
de la force electrostatique F~ = q E~ , l'electron va accelerer. La vitesse de l'electron va ^etre
limitee par les interactions avec le reseau cristallin. Les hypotheses essentielles du modele
de Drude sont:
1. Les electrons ont une vitesse thermique ~v0, avec bien s^ur h~v0 i = 0 et hjj~v0 jj2i > 0.
2. Des collisions avec le reseau cristallin vont reequilibrer la vitesse a la vitesse thermique
apres un temps  de parcours libre. Ce temps  est appele le temps de di usion ou
"scattering time". En general, la valeur de  sera mesuree ou calculee, elle dependra
du niveau de dopage, de la temperature, etc.
3. Apres chaque collision, l'electron perd completement la "memoire" de sa vitesse precedente.
L'equation de Newton dans le cristal s'ecrit donc:

dv
F = m
dt

v
q E = m
t
qE
qE 
v =
t =
:
m
m
57

(4.1.1)

58

CHAPITRE 4. TRANSPORT DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

Le courant, lui, est proportionnel a la vitesse moyenne et a la concentration d'electrons.

~j = qne~v = qne h~v0 + ~vi = qneh~v0 i + qne ~v =


q E~  q 2n 
qne~v = qne  = e E~ :
m
m
Nous avons donc nalement le courant de derive:
2
~j = q ne  E~ =  E~ :
m

(4.1.2)

(4.1.3)

ou  , la conductivite de Drude, s'ecrit:

=

q 2 ne 
:
m

(4.1.4)

En regardant le signe des di erents vecteurs, on constate que


1. Pour les electrons, la force et la vitesse sont opposees au sens du champ electrique.
2. Au contraire, pour les trous, la force et la vitesse sont dans le sens du champ.
3. Pour les electrons et les trous, le courant est toujours dans le sens du champ electrique.

4.1.1 Mobilite
Considerons la relation obtenue entre la vitesse des electrons et le champ electrique dans le
modele de Drude:
q ~
~v =
E:
(4.1.5)
m
Nous allons de nir la mobilite comme le rapport entre la velocite des electrons et le champ
electrique applique:
v = E :
(4.1.6)
Par de nition, cette mobilite de nit la "facilite" a laquelle les porteurs sont acceleres par le
champ electrique. Dans le modele de Drude, la mobilite s'ecrit comme:

q
 = :
m

(4.1.7)

D'autre part, la conductivite electrique s'ecrit en fonction de la mobilite via

 = qne :

(4.1.8)

Attention a ne pas confondre la mobilite electronique avec le potentiel chimique


car ces deux grandeurs utilisent traditionnellement la m^eme lettre 

59

4.2. TRANSPORT DIFFUSIF

Figure 4.1: Mobilite en fonction de la concentration d'impuretes pour le germanium (Ge),


le silicium (Si) et l'arsenure de gallium (GaAs)

4.2 Transport di usif


Si l'on considere les electrons comme un gaz parfait de particules non-interagissantes, il est
clair que l'on doit s'attendre a ce qu'un transport de porteurs s'etablisse aussi dans le cas
d'un gradient de concentration. Un traitement de ce type de transport est esquisse dans le
cours de physique generale, en suivant Feynmann. Un courant de particules p est donne,
en general par une forme
!
p = De  gradn
(4.2.9)
ou De est le coecient de di usion des electrons dont la concentration est n. Le courant
electrique est donne par:
!
~je = q p = qDe gradn:
(4.2.10)
Le courant total, d^u au champ electrique et au gradient de concentration, est donne par la
somme des deux contributions:

!
~jtot = qne E~ + qDe gradn:

(4.2.11)

60

CHAPITRE 4. TRANSPORT DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

On appelle ce courant le courant de derive-di usion ("drift-di usion" en anglais). Une


derivation interessante de cette relation est e ectuee par Kittel dans "Thermal Physics". A
l'equilibre, le potentiel chimique c du semi-conducteur est constant (par de nition). Si, par
contre, ce potentiel varie en fonction de la distance, nous nous attendons a l'apparition d'un
courant
!
j  gradc
(4.2.12)
que l'on peut ecrire plus precisement

! :
~je = ne e grad
c

(4.2.13)

Attention a bien distinguer le potentiel chimique c de la mobilite e . Le potentiel chimique,


dans la limite classique, s'ecrit gr^ace a la relation

ne = nc exp
d'ou l'on deduit

c "c 
kT

c "c
kT
c = "c + kT ln(ne =nc ):
En inserant 4.2.15 dans 4.2.13, l'on obtient nalement
ln(ne =nc ) =

! " + kT ln(n =n )
~j = ne e grad
c
e
c
!
!
~j = ne e grad"c + ne e kT gradne :

(4.2.14)
(4.2.15)

(4.2.16)

"c est l'energie de la bande de conduction. En consequence, le gradient de cette quantite est
proportionnel au champ electrique:

!
!
grad"c = q grad = q E~ :

(4.2.17)

En comparant les relations 4.2.17 et 4.2.11, nous pouvons identi er le coecient de di usion
des electrons De
 kT
De = e :
(4.2.18)
q
La relation 4.2.18 est appelee relation d'Einstein. Elle peut ^etre derivee a la base d'arguments
tres generaux.

4.2.1 Exemples
1. Le canal d'un transistor a e et de champ a 1 d'epaisseur, fait 100 de large et 5 de
long. Le dopage est de n = 3  1017 cm 3 . Quelle est sa resistance? Dans les tables,
nous trouvons la mobilite dans le silicium pour un tel niveau de dopage qui donne e =
500cm2 =V s. La conductivite est
 = qne e = 1:6  10 19  500  3  1017 = 24
1 cm 1 .
4
La resistance est R = 1 10541010 2 = 20
.

61

4.3. EQUATION DE TRANSPORT DE BOLTZMAN

2. Gradient de dopage. Imaginons un semi-conducteur dans lequel le dopage change


de maniere continue en fonction de la distance. Dans cette situation, la position du
potentiel chimique va varier par rapport a la bande de conduction. D'autre part, aucun
courant ne circule dans la structure et donc le potentiel chimique doit ^etre constant.
Un champ electrique s'etablit donc au travers de la structure, compensant le gradient
de dopage de maniere a ce que l'expression suivante soit nulle:

je = qe ne E + qe De gradne = 0:

(4.2.19)

Le champ electrique doit prendre la valeur:


De !
E =
gradn:
(4.2.20)
e ne
En remplacant donc le coecient de di usion De par sa valeur donnee par la relation
d'Einstein:
kT !
gradn:
(4.2.21)
E=
ne q
Un gradient de dopage dans un semi-conducteur homogene cree un champ electrique.

4.3 Equation de transport de Boltzman


Le probleme du transport dans un semi-conducteur est que l'on doit traiter un ensemble
d'electrons dont on ne conna^t a priori pas la distribution. Celle-ci peut ^etre di erente
de la distribution d'equilibre thermique de Fermi-Dirac. Une telle distribution est appelee
non-thermale, et se cree dans les situations de forte injection de courant. Dans ce cas, il
faut introduire la fonction de distribution f (v; r) qui est de nie de telle maniere que la
quantite
f (v; r)drdv
(4.3.22)
est le nombre de particules qui ont leurs vecteurs vitesse et position dans le volume dvdr.
En l'absence de collisions, le theoreme de Liouville (un resultat central de la mecanique
statistique) prouve que le volume d'un element de l'espace de phase reste constant, autrement
dit que
f (t + dt; v + dv; r + dr) = f (t; v; r)
(4.3.23)
si les coordonnees v; r suivent la trajectoire dans l'espace de phase. Si l'on introduit les
collisions, la relation precedente devient:
@f 
f (t + dt; v + dv; r + dr) f (t; v; r) = dt
:
(4.3.24)
@t coll
En exprimant la derivee de f par rapport a toutes les variables du systeme, nous obtenons:
!
!
@f
@f 
dt + d~rgradr f + d~v gradv f = dt
@t
@t coll
(4.3.25)
!
!
@f
@f 
+ ~v gradr f + ~agradv f =
:
@t
@t coll

62

CHAPITRE 4. TRANSPORT DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

L'equation 4.3.25 est appelee equation de transport de Boltzman. Elle permet de resoudre
le probleme du transport semi-classique dans le cas general. Neanmoins, le terme @f
est
@t coll
en general dicile a evaluer. Pour simpli er, on le decrit par un terme qui exprime la remise
vers l'equilibre d'un distribution pendant un temps  , ce qui s'exprime par:
f f0
@f 
=
(4.3.26)
@t coll

ou f0 est la distribution d'equilibre et  un temps de relaxation vers cette situation d'equilibre.
Dans cette approximation, l'equation de Boltzmann s'ecrit nalement:
!
!
f f0
@f
+ ~vgradr f + ~agradv f =
:
(4.3.27)
@t

Cette equation est appelee "equation de Boltzman dans l'approximation du temps de relaxation". Elle peut ^etre resolue analytiquement dans un petit nombre de situations speciales.
De maniere generale, cette equation est introduite dans des codes numeriques qui permettent
de simuler les performances des dispositifs semi-conducteurs avant m^eme leur fabrication.

4.4 Caracterisation des semi-conducteurs - resistivite,


e et Hall
La caracterisation des semi-conducteurs est une science en elle-m^eme qui couvre tous les
aspects des sciences des materiaux: microscopie, analyse structurale, chimie, mesures de
transport, etc. Une grande partie des progres en technologie des semi-conducteurs est attribuable aux progres rendus possibles par les techniques d'analyse. Dans ce cours, nous
allons aborder deux types de mesures elementaires de transport: la mesure de la resistivite
et la mesure de l'e et Hall.
Ces mesures sont faites usuellement sur les plaquettes de semi-conducteurs car elles permettent de mesurer les deux parametres essentiels d'un semi-conducteur: la concentration
de porteurs et leur mobilite. Ces valeurs sont en principe tabulees mais il est en pratique
essentiel de les veri er regulierement pour s'assurer que le processus de fabrication fournit
des plaquettes de bonne performance.
La mesure de resistivite s'e ectue dans une geometrie dans laquelle le semi-conducteur est
forme en une croix a trois branches, comme montre sur la gure 4.2.
La resistance se mesure dans une geometrie dite a \quatre ls" ou le courant est injecte
par des contacts di erents de ceux utilises pour la mesure de la tension. De cette maniere,
la mesure s'a ranchit des problemes lies a la resistivite des contacts. La resistance Rxx est
donc (nous utilisons l'indice xx pour montrer que la resistance est mesuree dans une direction
parallele a l'application du courant):
U
Rxx = xx :
(4.4.28)
I
Elle est liee a la conductivite de la couche  via
L
1 L
d'ou  =
:
(4.4.29)
Rxx =
 we
Rxx we



 EFFET HALL
4.4. CARACTERISATION
DES SEMI-CONDUCTEURS - RESISTIVIT
E,

-I

+I

63

Uxy

L
Uxx

Figure 4.2: Geometrie utilisee pour mesurer la resistivite et l'e et Hall dans les semiconducteurs
La connaissance de  permet de deduire la valeur du produit de la densite electronique et
de la mobilite ne mais pas la valeur des termes individuels.
La mesure de l'e et Hall permet de combler cette lacune en mesurant separement la valeur
de la concentration electronique. Pour mesurer l'e et Hall, il sut d'appliquer un champ
magnetique perpendiculaire a la geometrie presentee sur la gure 4.2 et de mesurer la tension
Uxy qui appara^t. Cette tension peut ^etre predite par un argument classique.
Un porteur de charge voyageant dans le cristal sera soumis a deux forces: une force de Lorenz
Fl = q  vecv  B~ due a la derive des porteurs et une force electrostatique F = q E~ due a
l'accumulation de porteurs aux bords de l'echantillon.

B
qv x B
v
qE
Figure 4.3: La force de Lorenz est compensee par la force electrostatique transverse due a
l'accumulation de porteurs sur les bords de l'echantillon
Un equilibre est atteint lorsque les deux forces sont egales:

~
q~v  B~ = q E:

(4.4.30)

64

CHAPITRE 4. TRANSPORT DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

Il faut maintenant relier v , E aux grandeurs mesurables de l'experience:

I = Jwt = qnEwt = nwtqv = nwt

qE
B

(4.4.31)

et Uxy = wE . Finalement, on obtient:

Uxy = Rxy I ou Rxy =

B
:
qnt

(4.4.32)

En conclusion, connaissant B, la mesure de Rxy permet de deduire n.

4.4.1 Mobilite des semi-conducteurs


La mobilite est de nie comme le rapport entre la vitesse d'un porteur et le champ electrique
applique. Nous avons vu dans la theorie de Drude, qu'elle pouvait s'exprimer comme:
q
 = :
(4.4.33)
m
Ce temps de relaxation  provient de diverses origines:
1. collisions avec des phonons optiques,
2. collisions avec des impuretes ionisees,
3. collisions avec des phonons acoustiques.
Chacun de ces phenomenes va conduire a une mobilite dont la dependance en temperature
ou en fonction du dopage va ^etre di erente.
Prenons un exemple pratique: le GaAs faiblement dope a temperature ambiante. Dans ces
conditions, la collision avec les phonons optiques est le processus dominant avec un temps
caracteristique de 0:2ps. La masse e ective du GaAs etant de m = 0:067m0 , la mobilite a
pour valeur:
1:5  10 19 2  10 13
= 0:52m2 =V s = 5200cm2 =V s
(4.4.34)
=
31
9:1  10 0:067
qui est tres proche de la valeur experimentale.

4.4.2 Tendances generales


1. La mobilite tend a augmenter lorsque la temperature diminue, sauf a tres basse temperature
ou les electrons sont "pieges" par les impuretes.
2. En presence de di erents processus de collision (ou di usion), la regle de Mathiessen
peut s'appliquer:
1
(4.4.35)
 1 = ac1 + opt1 + imp
ou chaque indice se refere a un des processus enumeres ci-dessus.


4.5. TRANSPORT SOUS HAUT CHAMP ELECTRIQUE

65

4.5 Transport sous haut champ electrique


Dans le modele de Drude, la vitesse de l'electron est proportionnelle au champ electrique
applique. Or il est clair que cette relation de proportionnalite ne peut ^etre maintenue pour
une valeur arbitrairement haute du champ electrique.
1. La structure de bande l'interdit. La vitesse de l'electron dans une bande est donnee
@"
@"
et donc est limitee par la valeur maximale de la pente @k
. En prenant
par vg = ~1 @k
la structure de bande du silicium comme exemple, (en mesurant grossierement sur le
graphique 2.8, nous trouvons (en utilisant " = 5eV et a = 0:3nm):
5  1:6  10 19  3  10 10
vg 
 3  107cm=s:
(4.5.36)
1:054  10 34 2
Ce resultat est raisonnablement proche de la valeur mesuree de 2  107 cm=s.
2. La presence de vallees laterales (autres minima locaux de la bande) va aussi perturber
le transport. En e et, si un electron a une energie susante, il va pouvoir di user dans
cette vallee laterale. Pour prendre un exemple pratique, des electrons dans le GaAs
peuvent di user de la region entourant le point au point X des q'ils ont une energie
superieure a  0:3eV . Or les electrons ont une masse beaucoup plus elevee au point
X et la mobilite va donc ^etre fortement reduite. Pour cette raison, dans le GaAs, la
vitesse e ectivement diminue lorsque le champ est augmente au-dessus d'une valeur
critique de E  3  103 V=cm

Figure 4.4: Relation entre la vitesse et le champ electrique pour les electrons dans le GaAs
et le Si
Dans cette optique, le silicium a l'avantage par rapport au GaAs d'avoir les vallees
laterales loin (energetiquement) du minimum de la bande de conduction, qui compense

66

CHAPITRE 4. TRANSPORT DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

son handicap d^u a la plus haute masse e ective des electrons.


Il est aussi a noter que la mobilite di erentielle negative du GaAs permet la realisation
d'un dispositif oscillant a haute frequence: la diode Gunn.

Chapitre 5
Dispositifs classiques
5.1 La jonction p-n
La jonction p-n a ete historiquement non pas le premier dispositif a semi-conducteur (le
contact "a galene" a pointe l'etait e ectivement) mais le premier a fonctionner de maniere
able.
Elle consiste en un changement abrupt de la nature du dopage du type n au type p. Pour accommoder le changement de position du niveau de Fermi, un champ electrique est forcement
present dans la jonction, creant un potentiel induit Vbi .
a)

n
+

b)
Vbi

Figure 5.1: a) Deux materiaux de type "p" et "n" sont mis ensemble pour former une jonction
(b). Un champ electrique appara^t suite a la necessite d'aligner le potentiel chimique a travers
la jonction
En utilisant les valeurs asymptotiques pour la position par rapport aux bandes du potentiel
67

68

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

chimique , et dans la limite classique, nous obtenons


n
n = EG kT ln c
n
(5.1.1)
nv 
p == kT ln
:
p
Dans l'hypothese du regime de saturation, le nombre de porteurs est relie a la concentration
des dopants par n = ND et p = NA . Le potentiel interne Vbi est (voir la gure 5.1) la
di erence entre la position des potentiels chimiques:
nn 
nn 
qVbi = n p = EG kT ln c v  EG kT ln c v :
(5.1.2)
np
ND NA
Remarquons qu'il existe forcement une zone intermediaire dans la jonction ou le potentiel chimique se situe loin de la bande de conduction et de valence. Pour cette raison, le
nombre de porteurs dans cette zone est extr^emement faible. On parle de zone depletee
("depletion zone" en anglais). La longueur de la zone depletee s'obtient d'un simple calcul d'electrostatique. Il faut en particulier resoudre l'equation de Poisson pour le potentiel
electrostatique (x):

@ 2
=
(5.1.3)
2
@x

ou  est la constante dielectrique du semi-conducteur et (x) la charge nette locale. Celle-ci
est egale a :
(x) = q (N + n(x)) dans la zone "n" et
(5.1.4)
d

= q (NA

p(x)) pour la zone "p":

(5.1.5)

Nous allons utiliser une approximation pour les fonctions n(x) et p(x). Nous allons negliger
la zone de transition et faire l'hypothese que soit le potentiel chimique est loin d'un bord de
bande (nous sommes donc dans la zone depletee), auquel cas n = p = 0, soit nous sommes
dans le materiau non perturbe auquel cas  = 0.
L'existence d'un champ electrique dans la jonction implique celui d'un potentiel electrostatique
(x) tel que
"(x) = "( 1) q(x)
(5.1.6)
ou "(x) est l'energie de la bande de conduction au point x. Physiquement, dans la zone
depletee, la situation est assez simple et l'equation de Poisson, dans la zone "n", s'ecrit
(avec n = 0):
@ 2
q
= ND
(5.1.7)
2
@x

d'ou
1q
n (x) =
N (x x0n )2 + 0n :
(5.1.8)
2 D
Pour la zone "p", une equation similaire peut s'ecrire:
1q
p (x) = NA (x x0p)2 + 0p:
(5.1.9)
2

69

5.1. LA JONCTION P-N

Il faut maintenant raccorder les deux solutions 5.1.8 et 5.1.9 a l'interface pour obtenir la
largeur de la zone depletee w = x0p x0n. Posons en premier lieu la continuite du champ a
l'interface @
= cst qui implique:
@x
q
q
ND x0n = NA x0p


NA
x0p =
x
ND 0p
en exprimant ce resultat en fonction de w = x0p x0n

ND w
NA w
(5.1.10)
x0n =
:
NA + ND
NA + ND
D'autre part, la fonction (x) doit aussi ^etre continue a l'interface, posons 0p = 0, d'ou
0n = Vbi et donc:
1q
1q
ND x20n + 0n = NA x20p
2
2
1q
Vbi = (NA x20p + ND x20n )
2
(5.1.11)
1 q NA ND2 + ND NA2 2
w:
Vbi =
2  (NA + ND )2
x0p =

De la relation 5.1.11 nous pouvons tirer la largeur de la zone de depletion w qui est donc
donnee par:
s
2 NA + ND
w=
V :
(5.1.12)
q NA ND bi
Cette derivation ne tient pas compte de la zone intermediaire ou le potentiel chimique est
proche des bandes, et ou donc nous avons simultanement n 6= 0 et n 6= ND+ . Il existe une
derivation qui tient compte de cet e et et qui permet de corriger la relation 5.1.12.
Le potentiel de la bande de conduction s'exprime toujours par "(x) ou "(x) = "( 1) q(x)
et, par convention, ( 1) = 0. L'approximation classique pour la densite donne:

"(x)  
kT

n = nc exp

(5.1.13)

et donc, en substituant "(x) par sa valeur:

"(

1)

q 
q(x) 
= ND exp
(5.1.14)
kT
kT
kT
ou nous avons fait l'hypothese que tous les donneurs sont ionises dans la partie non-depletee.
Inserant la densite electronique n(x) donnee par la relation 5.1.14 dans l'equation de Poisson,
nous obtenons:
@ 2

q
qND 
q(x) 
=
= [ND n(x)] =
1 exp
:
(5.1.15)
2
@x



kT
n(x) = nc exp

70

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

pour faire appara^tre le champ


Multiplions les deux c^otes de la relation 5.1.15 par 2 @
@x
electrique:
@ @ 2 @ @ 2
qND @ 
q 
2
=
=
2 1 exp
2
@x @x
@x @x
 @x
kT
2qND  @ @
q 
2qND @
kT
q 
=
exp
=
[
exp
:
 @x @x
kT
 @x
q
kT
(5.1.16)
En integrant maintenant 5.1.16, nous obtenons:
Z

@ @ 2
2qND @
kT
q 
kT 
=
[
exp
0+
 @x
q
kT
q
1 @x @x
kT kT
q 
2qND @
[ +
exp
:
=
 @x
q
q
kT

(5.1.17)

A x = 0, l'interface entre les deux semi-conducteurs, la valeur de (0) = Vn >> kTq ou Vn
est la fraction du potentiel interne qui chute
 l'interieur de la zone \n". Pour cette raison,
 a
q
kT
nous pouvons negliger le terme q exp kT dans l'expression 5.1.17. Le champ electrique
E = @
a x = 0 est donc obtenu a l'aide de la relation 5.1.17:
@x
E

kT 
2qND 
Vn

q
s
2qND
kT 
Vn
E =

q

2

E=

2qNA
Vp


(5.1.18)

kT 
:
q

En elevant 5.1.18 au carre et en utilisant Vbi = Vn + Vp , nous pouvons reecrire 5.1.18 comme:
s

2kT 
2q NA ND
Vbi
:
(5.1.19)
 NA + ND
q
Le champ electrique trouve dans la relation 5.1.19 est le m^eme que celui qui serait present
si une region de longueur wn avait ete completement depletee avec
E =

E
=
wn =
qND

2
NA
V
q ND (NA + ND ) bi

2kT 
:
q

(5.1.20)

De facon parfaitement similaire, nous pouvons ecrire une relation semblable pour la partie
depletee du c^ote "p" de la jonction:

wp =

E
=
qNA

2
ND
V
q NA (NA + ND ) bi

2kT 
:
q

(5.1.21)

71

5.1. LA JONCTION P-N

La depletion totale w = wp + wn s'obtient en additionnant les equations 5.1.20 et 5.1.21 (apres


avoir prealablement mis les racines au m^eme denominateur) et l'on obtient nalement:
s

w=

2 NA + ND
V
q NA ND bi

2kT 
:
q

(5.1.22)

Ces resultats importants meritent quelques remarques:


1. La distance w est de l'ordre de 0:1 ! 10m pour des dopages et des materiaux courants
(voir g. 5.3). Prenons NA = ND = 11016 cm 3 (niveau de dopage relativement faible)
et du silicium a temperature ambiante, nous avons pour w:
r

w=

2  12  8:85  10 12
2
(1:12 + 0:05) = 0:56m:
19
6
1:6  10
10  1016

(5.1.23)

2. w est contr^ole par le dopage le plus faible: si par exemple NA >> ND nous avons:

NA + ND
NA ND
et w peut s'ecrire:

w=

 N1

2
V
qND bi

(5.1.24)

2kT 
:
q

(5.1.25)

3. Si une tension additionnelle V est ajoutee au potentiel Vbi de la jonction, l'expression


pour la longueur de depletion w devient:
s

w=

2 NA + ND
V + Vbi
q NA ND

2kT 
:
q

(5.1.26)

La relation 5.1.26 est relativement aisee a deriver formellement. Il faut neanmoins


expliquer pourquoi, si V et Vbi ont le m^eme signe, un courant negligeable circule dans la
jonction (ce qui nous permet de continuer a faire l'hypothese que les densites d'electrons
et de trous sont negligeables dans la jonction. La raison est que pour des materiaux
a large bande interdite, la densite intrinseque de porteurs est negligeable (ni  0) et
donc aucune paire electron-trou n'est generee au sein de la zone depletee par agitation
thermique. De plus, les electrons et trous sont respectivement bloques par la barriere
electrostatique formee par la jonction.
Le courant ne pourra se mettre a circuler que si le cristal a des defauts, ou, dans le cas
ou le champ electrique est tres intense, si un electron traverse la bande interdite et se
recombine avec un trou: c'est l'e et tunnel Zener.

72

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES


p

-V

Figure 5.2: Pro l d'une jonction sous un fort potentiel applique (negatif)
4. La jonction se comporte comme un condensateur dont les plaques sont separees par
une distance w. La capacite de la jonction est simplement:
A
C=
(5.1.27)
w
ou la largeur de depletion est donnee par la relation 5.1.26 et A est la surface de la
jonction. La mesure de la capacite d'une jonction en fonction de la tension appliquee
est une technique standard de caracterisation des semi-conducteurs qui permet de
retrouver le pro l de dopage.

Figure 5.3: Longueur de la zone de depletion en fonction du dopage pour une jonction p-n
de silicium

5.1.1 Transport dans une jonction p-n


Nous avons vu qu'une jonction p-n polarisee avec une tension positive sur la partie "p" ne
laisse passer qu'un courant negligeable. En revanche, si cette polarite est inversee, la barriere
de potentiel a franchir va baisser, et donc autoriser les porteurs a traverser la jonction.

73

5.1. LA JONCTION P-N

E [eV]
-qn
-qp

Ec
EF
Ev
x

Figure 5.4: Structure de bande d'une jonction avec une tension positive appliquee
Nous allons commencer par traiter le probleme de maniere simpli ee. L'idee fondamentale
de cette approche est d'estimer ce courant par un argument thermodynamique. Soit jonction
sans tension appliquee, et a l'equilibre thermique. La probabilite pour qu'un electron de la
bande de conduction, du c^ote "n" de la jonction, passe au-dessus
de la barriere de potentiel

formee par la partie "p", est proportionnelle a exp qVkTbi . Nous sommes donc en presence
d'un courant d'electrons
qVbi 
(5.1.28)
Jge = J0n exp
kT
ou l'indice "g" indique que ce courant est un courant de generation. Or il est clair qu'a
l'equilibre thermique, aucun courant ne peut traverser la jonction. Le courant 5.1.28 est
forcement compense exactement par un courant Jre genere par les electrons excites thermiquement du c^ote "p" de la jonction et qui "redescendent" la jonction du c^ote "n". Il est
important de noter que ce courant Jre ne depend pas du potentiel applique dans la
jonction et en particulier de Vbi

qVbi 
= Jre :
(5.1.29)
kT
De m^eme, pour les trous nous avons par le m^eme argument deux courants qui vont se
compenser:
qVbi 
Jgh = J0p exp
= Jrh :
(5.1.30)
kT
Pourquoi les courants de trous d'electrons doivent s'annuler individuellement? La raison est
que Jgh et Jge sont independants: ils sont par exemple chacun proportionnel au dopage dans
leur region respective. Pour cette raison, ils doivent ^etre compenses individuellement par les
courants Jre et Jrh . A l'equilibre, le courant total est evidemment nul:
Jge = J0n exp

Jtot = Jge + Jgh + Jre + Jrh = 0

(5.1.31)

Lorsqu'une tension V est appliquee a la jonction, les courants Jge;h vont augmenter, par
contre les courants Jre;h vont eux rester constants. Le courant total s'ecrira donc

q
Jtot = (J0n + J0p ) exp
(Vbi V ) + Jre + Jrh :
(5.1.32)
kT

74

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

Nous pouvons remplacer Jrh et Jre par leur valeur donnee par les relations 5.1.29 et 5.1.30 et
obtenons:
qVbi 
qV  
Jtot = (J0n + J0p ) exp
exp
1
kT
kT
(5.1.33)

qV  
= Js exp
1:
kT
L'allure generale de la relation courant-tension d'une diode (en echelle lineaire) est reportee
sur la gure 5.5.

Courant I [Js]

-2
-4

Js
-2

Tension V [1/kT]
Figure 5.5: Caracteristique courant-tension d'une diode selon la relation 5.1.33
Quelques remarques supplementaires:
1. Cette theorie ne predit pas la valeur du courant Js . Il peut en principe ^etre mesure
experimentalement en regardant la caracteristique de la diode polarisee en inverse, ou,
de maniere plus able, en ajustant cette valeur pour reproduire la caracteristique en
polarisation directe.
2. Ce courant J0 depend du dopage et surtout de la largeur de la bande interdite (via le
terme exp qVkTbi ). Les diodes ayant une faible valeur de Js auront une large bande
interdite et des dopages relativement eleves (voir la relation 5.1.2).
3. De maniere tres approximative, le courant dans une jonction devient important lorsque
V  Vbi  qEG .
4. Qu'arrive-t-il aux electrons et trous injectes dans la jonction? Il vont se recombiner
de maniere radiative (en emettant de la lumiere) dans les materiaux a bande interdite
directe et de facon non-radiative dans les materiaux indirects. Les diodes lumineuses
(LED, pour Light Emitting Diodes) doivent ^etre polarisees en direct pour fonctionner.

75

5.1. LA JONCTION P-N

5.1.2 Derivation plus rigoureuse


Nous allons maintenant aborder une derivation plus rigoureuse de la relation 5.1.33, dont le
principal avantage est de permettre le calcul de Js .
Separons le courant d^u aux trous de celui d^u aux electrons:

J = Jn + Jp

(5.1.34)

ou chaque courant comprend un terme de derive et de di usion:

Jn = qn nE + qDn rn
Jp = qp pE + qDprp:

(5.1.35)

Les constantes de di usion sont donnees par les relations d'Einstein:

Dn =

kT n
kT p
; Dp =
q
q

(5.1.36)

et donc, en substituant dans la relation 5.1.35, nous obtenons

kT @n 
q @x
kT @p 
Jp = qp pE +
:
q @x
Jn = qn nE +

(5.1.37)

Dans une approche via l'equation de derive-di usion, nous avons donc deux "moteurs" pour
. De plus
un courant de porteurs: le champ electrique E et un gradient de concentration @n
@x
nous allons aussi imposer l'equation de continuite pour les electrons. En resume, elle exprime
que les electrons sont soit: transportes, accumules, crees ou detruits.

@n
1
= Gn Un + div J~n
@t
q
@p
1
= Gp Up + div J~p
@t
q

(5.1.38)

ou Gn ,Gp sont les taux de generation, Un et Up les taux de recombinaison des electrons,
respectivement des trous. Pour la recombinaison, nous allons utiliser un modele dans lequel
le temps de vie d'un porteur minoritaire est independant de la densite de:

Un =

np

n

np0

; Up =

pn

p

pn0

(5.1.39)

Le taux de recombinaison d'un porteur minoritaire est proportionnel a la deviation de la


concentration de ce porteur np ; pn par rapport a la concentration d'equilibre np0 ; pn0 .
Dans la notation utilisee ici, "n" et "p" se referent a la concentration d'electrons et trous
respectivement, les indices "n" et "p" indiquent la zone dans laquelle cette concentration est
mesuree, et nalement l'indice "0" indique une concentration d'equilibre.

76

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

Pour les concentrations d'equilibre, nous allons faire l'hypothese de distributions classiques.
De plus, pour simpli er l'ecriture des equations, nous allons mesurer les energies par rapport
a un niveau intrinseque Ei , situe approximativement au milieu de la bande interdite au lieu
d'utiliser le sommet de la bande de valence comme on fait d'habitude. Le niveau intrinseque
Ei est de ni par l'equation:
Ec  
 Ei 
n = nc exp
= ni exp
(5.1.40)
kT
kT
p
ou n2i = np est la concentration intrinseque (rappel: egale a = nc nv exp( Eg =kT )). En
inserant cette derniere relation dans 5.1.40, nous obtenons l'equation de nissant le niveau
intrinseque:
r
nc
E Eg =2 Ei 
= exp c
:
(5.1.41)
nv
kT
Pour xer les idees, remarquons que si nc = nv (m^emes masses e ectives pour les bandes de
conduction et de valence) nous avons que Ei = Eg =2. En pratique, Ei reste toujours proche
du milieu de la bande interdite. Reecrivons nos concentrations en fonction des potentiels
(au lieu d'energies):
  
 Ei 
= ni exp q
n = ni exp
kT
kT
(5.1.42)
  
Ei  
= ni exp q
p = ni exp
kT
kT
ou  est le potentiel chimique  = =q et le potentiel du niveau intrinseque = Ei=q .
A l'equilibre thermique, un seul potentiel sut pour decrire les electrons et les trous. Ceci
n'est plus vrai sous injection. Dans ce cas, nous allons faire l'hypothese que les populations
de trous et d'electrons sont chacune thermalisees individuellement mais qu'elles n'ont pas le
m^eme potentiel chimique. Sous injection, les concentrations d'electrons et de trous s'ecrivent:

q
n = ni exp
( n )
kT
(5.1.43)

q
(p ) :
p = ni exp
kT
En inversant ces relations, nous obtenons:
n
kT
n =
ln
q
ni
(5.1.44)
kT
p
p = +
ln
:
q
ni
Notons encore que nous avons pour le produit n  p:

q
(p n ) :
(5.1.45)
n  p = n2i exp
kT
Ce produit peut maintenant ^etre plus grand ou plus petit que n2i :
En injection directe p n > 0 et n  p > n2i
(5.1.46)
En injection inverse p n < 0 et n  p > n2 :
i

77

5.1. LA JONCTION P-N

Le champ electrique est donne par la variation de potentiel du niveau intrinseque:


E=

r :

(5.1.47)

En substituant cette derniere relation 5.1.47 dans la relation pour le courant 5.1.37 nous
obtenons:

@ 
kT @ 
q
kT 
Jn = qn nE +
= qn n
+ qn
n exp
( n ) =
q
@x
q @x i
kT
@ 
kT  q @ @ n 
@
qn n
+ qn
n
= qn n n :
@x
q kT @x @x
@x

(5.1.48)

Et donc le courant n'est dependant que de la variation du potentiel chimique. La m^eme


derivation peut ^etre e ectuee pour les trous:

Jp = qpp

p
:
@x

(5.1.49)

Le potentiel mesure aux bornes de la jonction est donne par

V = p

n :

(5.1.50)

Pour resoudre le probleme de la distribution du courant, nous allons devoir faire des hypotheses sur la forme de la distribution des potentiels chimiques n et p . En fait, nous
allons diviser la jonction en deux regions distinctes: la zone de depletion, ou un champ
electrique est present mais ou les potentiels n et p sont constants et la zone de di usion,
ou le champ electrique E est nul mais les potentiels varient. Cette hypothese est montree
schematiquement sur la gure 5.6.
E [eV]
-qn
-qp

Ec
EF
Ev
x

Figure 5.6: Description schematique de la variation des potentiels chimiques a travers la


jonction
Au point x = xp, a l'entree de la zone \p", le produit n  p s'ecrit


np  pp = n2i exp

q

kT p

n



q 
= n2i exp
:
kT

(5.1.51)

78

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

A ce point, la concentration de trous pp est tres proche de la concentration d'equilibre pp0 ,


et la relation 5.1.51 peut ^etre utilisee pour evaluer la concentration d'electrons minoritaires
np :
qV  np0 pp0
qV
n2i

= np0 exp o :
(5.1.52)
np = exp
pp
kT
pp0
kT
La m^eme evaluation e ectuee pour les trous minoritaires a l'entree de la region n (x = xn )
donne:
qV 
pn = pn0 exp
:
(5.1.53)
kT
Posons l'equation de continuite pour les trous a x = xn :
1
rJ = 0
(5.1.54)
U
q p
ou U =

pn

pn0
p

et Jp = qDprp nous donne:

pn

p

pn0

1@
q @x

qDp

@pn 
= 0:
@x

(5.1.55)

D'ou, nalement:

@ 2pn pn pn0
:
(5.1.56)
@x2
Dp p
L'equation 5.1.56 est une equation di erentielle a terme constant
de la forme y 00 y =  cst
p
qui possede une solution generale de la forme y  exp( x) et une solution particuliere
y = cst. Applique a 5.1.52, nous obtenons:
 x x 
(5.1.57)
pn (x) = a exp p n + pn0 :
Dp p
La
p solution 5.1.57 est habituellement exprimee en terme d'une longueur de di usion Lp =
Dp p. De plus, la valeur de pn (x) est connue a x = xn , elle est egale a pn (x = xn ) =
qV
pn0 exp kT
. Cela nous permet de xer la valeur de la constante a dans 5.1.57 qui s'ecrit
donc:
pn (x = xn ) = a + pn0
(5.1.58)
i
h
qV 
a = pn0 exp
1 :
(5.1.59)
kT
D'ou, nalement, le resultat pour la concentration nale en fonction de la distance:
"

qV  
pn = pn0 exp
1 exp
kT

x xn 
+1 :
Lp

(5.1.60)

La valeur de la concentration va nous permettre de calculer le courant a x = xn , qui est


purement d^u a la di usion:
h
@p
qV  i 1 
Jp = qDp n jxn = qDp pn0 exp
1
:
(5.1.61)
@x
kT
Lp


5.2. BARRIERE
SHOTTKY

79

De m^eme, le courant Jn a x = xp s'ecrit:

qV  i
qDn nn0 h
exp
1:
Jn =
Ln
kT

(5.1.62)

Suivant notre approximation, aucune recombinaison ne peut avoir lieu a l'interieur de la


zone de depletion. Le courant total est donc la somme du courant de trous Jp et du courant
d'electrons Jn , m^eme si ceux-ci ne sont pas calcules au m^eme endroit! Le courant total s'ecrit
donc:
qDp pn0 qDn np0 h
qV  i
J = Jn + Jp =
+
exp
1 :
(5.1.63)
Lp
Ln
kT
La relation 5.1.63 est l'equation de Shockley. Elle permet de predire la valeur du courant
circulant dans une jonction en fonction des parametres microscopiques de celle-ci. Quelques
remarques supplementaires sur la relation 5.1.63:

Le courant peut ^etre majoritairement d^u aux electrons ou aux trous suivant la valeur
respective des longueurs de di usion Ln et Lp , des constantes de di usion Dn et Dp
ainsi que des concentrations d'equilibre des porteurs minoritaires pn0 et nn0 .

La dependance du courant dans la largeur de la bande interdite et dopage est exprimee


justement au travers de ces deux termes pn0 et nn0 . En e et, ils peuvent s'exprimer
comme:
n2
(5.1.64)
np0  i
NA
n2
pp0  i :
(5.1.65)
ND
Or lapconcentration ni est reliee a la largeur de la bande interdite par la relation 3.2.17
ni = nc nv exp( EG =kT ). En conclusion, une bande interdite large et un fort dopage
vont tous deux reduire le courant Js , comme anticipe par la relation 5.1.33.

5.2 Barriere Shottky


La barriere Shottky correspond historiquement au premier dispositif a semi-conducteurs: les
postes \a galene" ou une pointe de metal venait toucher un semi-conducteur (sel de plomb).
La base physique est la di erence de potentiel d'ionisation entre un metal et un semiconducteur. Comme montre sur la gure 5.7, lorsqu'un metal et un semi-conducteur sont mis
en contact, les potentiels d'ionisation vont (en bonne approximation) s'aligner, et un champ
electrique va s'etablir a la jonction pour satisfaire la condition que les potentiels chimiques
des deux materiaux sont egaux au travers de la jonction au repos.

80

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

Niveau du vide

s
EF

EF

mtal
semiconducteur dop n

Figure 5.7: La jonction Schottky est formee par un metal mis en contact avec un semiconducteur dope
En pratique, les niveaux de Fermi des metaux on tendance a s'aligner approximativement
avec le milieu de la bande interdite. Pour cette raison, le pro l de potentiel de la jonction
aura un aspect tres di erent selon que le semi-conducteur est dope "n" ou "p".
a)
mtal

b)
"n" semiconducteur
+
++
++ +

mtal "p" semiconducteur

EF

---

EF

Figure 5.8: a) Barriere Schottky formee sur un materiau semi-conducteur "n". La barriere
Schottky forme une zone depletee de largeur w. b) Jonction Schottky sur un materiau dope
"p"
Exactement de la m^eme maniere que pour la jonction p-n, une zone depletee appara^t a la
jonction des deux materiaux. Sa largeur w, pour une tension appliquee V , est donnee de
maniere similaire par la relation:
s

w=

2s
V
qND bi

kT 
:
q

(5.2.66)

Dans la relation 5.2.66, s et ND sont la constante dielectrique et le dopage du materiau


semi-conducteur. De la m^eme maniere que pour la jonction p-n, le terme kT=q est le terme
correctif qui tient compte de la queue des porteurs dans la zone dopee du semi-conducteur.

 JONCTION
5.3. TRANSISTOR A

81

Le potentiel interne de la jonction Vbi s'evalue en fonction des potentiels du vide par:

Vbi = m

s

qVn =  qVn = B

(5.2.67)

ou  = m s est le potentiel de la jonction par rapport a la bande de conduction, qVn


est le potentiel. Pour ^etre precis, ce potentiel doit aussi comporter un terme correctif d^u a
la charge image. Comme dans le cas de la jonction p-n, le courant dans la jonction aura la
forme:
qV  i
qB h
J = AT 2 exp
exp
1:
(5.2.68)
kT
kT
A est la constante de Richardson pour le semi-conducteur:

A =

4qmkB2
h3

(5.2.69)

ou m est la masse e ective du semi-conducteur. Pour des electrons libres (m = m0 ), A
vaut 120A=cm2 K 2 . Attention, pour le Si et le Ge, comme le tenseur de masse est anisotrope,
cette constante depend de la direction. Le resultat est
 A 

A

= 2:2 pour le Si [111] et


A 
= 2:1 pour le Si [100].
A

(5.2.70)
(5.2.71)

Il est important de considerer la nature du courant dans une jonction Schottky: c'est un
courant de porteurs majoritaires contrairement a celui qui circule dans une jonction p-n:
porteurs minoritaires. Pour cette raison, il n'y a pas de constante de temps associee au stockage des porteurs minoritaires. La jonction Schottky est de ce fait un dispositif extr^emement
rapide. En e et, des jonctions Schottky miniatures (pour minimiser leur capacite) permettent de recti er des signaux jusqu'a des frequences de centaines de gigaghertz.

5.3 Transistor a jonction


Le but d'un dispositif a trois terminaux est de contr^oler un (fort) courant a l'aide d'un faible
courant ou tension. Autrement dit, obtenir un e et d'ampli cation. Avant le developpement
de la technologie des semi-conducteurs, l'objet qui remplissait cette fonction etait la triode
et ses derives, montres sur la gure 5.9. Un lament chau e emet des electrons qui voyagent
vers l'autre electrode. Le courant peut ^etre contr^ole a l'aide d'une grille placee entre les deux
electrodes.
Le but des chercheurs durant les annees 40, a ete de remplacer la triode par un dispositif a
semi-conducteur. Cette qu^ete a debouche sur la mise au point des dispositifs essentiels de
l'electronique d'aujourd'hui: le transistor a jonction et le transistor a e et de champ (FET),
bases sur la jonction p-n et sur la barriere Schottky, respectivement.

82

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

Vg

Vc

Figure 5.9: Description schematique d'une triode. Le potentiel entre la grille et l'anode (Vg )
permet de contr^oler le courant circulant entre l'anode et la cathode
Le transistor a jonction est, fondamentalement, base sur le contr^ole du transport des porteurs
minoritaires. Comme montre sur la gure 5.10, il est forme de deux jonctions p-n accolees.
On peut donc construire un transistor npn ou pnp. La terminologie veut que l'on appelle les
trois zones: emetteur, base et collecteur, avec dans un transistor npn, un courant d'electrons
circulant de l'emetteur au collecteur et, pour le transistor pnp, un courant de trous circulant
de l'emetteur au collecteur. La g. 5.11 montre schematiquement un processing d'un tel
transistor a jonction.
E
Base
Emetteur
-- - - n

npn

Je

p
+
Jh

+++

B
-

Collecteur

E
n

pnp
B
C

Figure 5.10: Description schematique d'un transistor npn. Les trois regions sont appelees,
de gauche a droite, emetteur, base et collecteur. Le symbole representant le transistor pnp et
npn est aussi decrit sur la gure. Les porteurs minoritaires injectes par l'emetteur transitent
via la base et sont collectes par le collecteur

 JONCTION
5.3. TRANSISTOR A

83
collecteur

p
n
n+

SiO2

(a)

base (I/I)

(a)

p-substrate

polysilicium
Si3N4

As, P I/I

B I/I
n epitaxy

(b)
(b)

2nd level metal

1st level metal


C

SiO2

(c)

(c)

Figure 5.11: Description schematique d'un processing d'un transistor a jonction


Soit LB la longueur de di usion des electrons dans la base et w la longueur de celle-ci. Si
la longueur de di usion des electrons est beaucoup plus grande que l'epaisseur de la base, le
nombre d'electrons qui se recombinent dans la base est tres faible. Ne se recombinant pas
dans la base, et comme montre dans la gure 5.10, ce courant d'electrons va donc circuler
prioritairement entre l'emetteur et le collecteur. La valeur de ce courant depend par contre
principalement de la hauteur de barriere entre l'emetteur et la base, et donc du potentiel
base-emetteur mais tres peu du potentiel emetteur-collecteur.
La fraction du courant d'electrons qui se recombine dans la base, le coecient de transfert
de la base (base transport facteur) est donne par:
Jn (x = w)
1
w2
T =

 1 2L2 :
(5.3.72)
Jn (x = 0) cosh(w=LB )
B

Pour w=LB = 0:1 nous avons T  0:995!


Comme nous l'avons deja mentionne, le courant d'electrons circulant entre l'emetteur et le
collecteur est une fonction de la di erence de potentiel entre l'emetteur et la base. Cette
di erence de potentiel est contr^olee par un courant de trous circulant dans la jonction
emetteur-base. On de nit l'ecacite de l'emetteur par:
increment du courant electronique
@Jn
=
=
(5.3.73)
increment du courant total
@ (Jp + Jn )
h
pE DE LB
w i 1
= 1+
tanh
:
(5.3.74)
nB DB LE
LB

84

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

ou








DB est le coecient de di usion des electrons dans la base,


DE celui des trous dans l'emetteur.

p
p
= D

LB = DB la longueur de di usion des electrons dans la base,


LE

celle des trous dans l'emetteur.

pE est la concentration de trous dans l'emetteur (porteurs minoritaires) et


nB la concentration d'electrons minoritaires dans la base.

Dans l'hypothese ou le coecient de transfert du courant est unite T


courant) du transistor hF E est donc donne par:

hF E =

@IC

=
=
@IB 1
 npB
E

nB DB LE
w
coth
pE DE LB
LB

1
NE
N

= E:
w
NB w QB

1, le gain (en
(5.3.75)
(5.3.76)

ou NB et NE est le dopage de la base et de l'emetteur respectivement, et QB est le nombre


de Gummel qui correspond a la densite de dopag e (par unite de surface) de la base. En
pratique, pour maximiser les performances d'un transistor, il faut arriver a maximiser le
dopage de l'emetteur, et minimiser le nombre de Gummel sans reduire la hauteur de la
jonction base-emetteur. En consequence, on est conduit a avoir une base tres ne mais
fortement dopee.

5.3.1 Transistor a heterojonction


Comme nous l'avons vu, les performances des transistors bipolaires sont limitees par le rapport entre l'injection d'electrons et des trous dans la jonction emetteur-base. Une methode
pour ameliorer les performances des transistors consiste a combiner la jonction emetteurbase avec un changement de materiau, donc former une heterojonction. En pratique, pour
un transistor npn, on va former une barriere plus haute pour le passage des trous que pour
celui des electrons, comme montre dans la gure 5.12.
L'ecacite d'injection de l'emetteur est maintenant:

E G 
DN NE wE
exp
:
DP NB w
kT

(5.3.77)

ou wE est l'epaisseur de l'emetteur. La chose importante est de noter la dependance exponentielle en exp kTEG qui permet d'augmenter les performances du dispositif de maniere
signi cative. La gure 5.13 montre la di erence entre les performances a haute frequence
d'un transistor a homojonction Si et un transistor a heterojonction SiGe.

 JONCTION
5.3. TRANSISTOR A

a)

85

Emetteur

Base
p-SiGe

n-Si

Collecteur
n-Si

b)

-- - - n

p
+
X

n
Figure 5.12: Description schematique d'un transistor npn a heterojonction. L'emetteur est
du Si, la base du Si-Ge qui a une bande interdite plus faible. La majorite de la discontinuite
des bandes a lieu dans la bande de valence

Figure 5.13: Frequence maximale d'operation de transistors Si et Si-Ge. Ces derniers sont
maintenant couramment utilises dans les telephones cellulaires

86

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

5.4 Les transistors a e et de champ


Propose par Shockley en 1952, le J-FET est un dispositif tres di erent du transistor a
jonction.
D

G
S
p
n-Si

Figure 5.14: Transistor a e et de champ J-FET base sur une jonction p-n
Dans sa version la plus simple, le transistor a e et de champ (FET, pour \Field E ect
Transistor" en anglais) consiste en une jonction p-n laterale sur un semi-conducteur dope.
La zone de depletion de cette jonction p-n va s'etendre dans le semi-conducteur, modi ant
sa conductivite. Historiquement, ce transistor a ete plus long a mettre au point a cause de
la diculte de fabriquer un canal dope etroit. Cette idee de base a eu un grand nombre de
variations, comme le montre le graphique ci-dessous.
SINGLE CHANNEL
Si JFET

V-GROOVE
MULTICHANNEL

JFET

DIFFUSED
GaAs JFET

GROWN
HETEROJUNCTION

Si MESFET
FET

SINGLE GATE

MESFET
GaAs MESFET

DUAL GATE
INTERDIGITAL
STRUCTURE

InP MESFET
HETEROSTRUCTURE
MESFET
NMOS, PMOS
CMOS
HMOS
Si MOSFET
DMOS, DIMOS
MOSFET

VMOS
SOS, SOI
GaAs MOSFET

Figure 5.15: Zoologie des transistors a e et de champ

 EFFET DE CHAMP
5.4. LES TRANSISTORS A

87

La distinction la plus importante est la nature de la jonction de contr^ole qui peut ^etre soit
une jonction p-n (J-FET), une jonction Schottky (MESFET) ou encore une jonction MetalOxide-Semi-conducteur (MOSFET). Le MOSFET est le dispositif probablement le plus important aujourd'hui a cause de ses nombreuses applications notamment pour la logique et
l'electronique digitale. Considerons un MOSFET typique:
D

G
S
SiO2

n ou p-Si

depletion

Figure 5.16: Dessin schematique d'un transistor MOSFET


Le MOSFET consiste en un canal dope, d'une largeur d'environ quelques microns, dans un
semi-conducteur sur lequel un oxyde (SiO2 pour le Si) est forme. Les deux electrodes du
canal s'appellent la source (S) et le drain (D). Une grille (G, en anglais Gate) metallique
de contr^ole est nalement evaporee sur l'oxyde. Comme la grille de contr^ole est separee du
canal conducteur par un isolant, seul un courant alternatif peut circuler a travers celle-ci. Le
MOSFET a une resistance de grille enorme, ce qui le rend tres attractif pour les applications
de metrologie. Dans son fonctionnement, un MOSFET peut ^etre considere comme une
resistance variable contr^olee par une tension.
E
Oxide
Semiconducteur
Metal
Canal

Ef
p-

Figure 5.17: Pro l de potentiel au travers d'un transistor MOSFET


Il est aise de comprendre le fonctionnement du MOSFET en regardant la jonction MOS de
contr^ole. Appliquer un tension negative (pour un MOSFET a canal n) sur la grille deplete

88

CHAPITRE 5. DISPOSITIFS CLASSIQUES

progressivement le canal, augmentant progressivement la resistance de celui-ci. A une tension


de pincement Vth (pinch-o voltage), le canal va completement se depleter, augmentant
brutalement la resistance du dispositif. Au contraire, appliquer une tension positive va
augmenter le nombre de porteurs et donc diminuer la resistance du canal. Le canal peut ^etre
soit normalement conducteur (normally-on) soit deplete (normally-o , enhancement mode).
On de nit les performances d'un FET a l'aide d'un nombre appele la transconductance
gm , et de ni par:
@I
(5.4.78)
gm = SD
@VG
ou les indices S,D,G se referent a la source, drain et grille du dispositif. En appliquant un
modele simpli e pour les petits signaux, et en faisant l'hypothese que la capacite de la grille
CG = Q=U ne change pas:

 A
Vth = 0 (VG
d

qns A = C (VG

Vth ):

(5.4.79)

La charge totale du canal est donc:


(5.4.80)
ns = 0 (Vg Vth )
qd
et est proportionnelle a la tension de grille Vg . Vth est donc la tension de seuil a partir de
laquelle le canal devient conducteur. En pratique le MOSFET a la geometrie suivante:

Source L

Drain

Grille
Figure 5.18: Disposition des electrodes dans un FET. Le courant circule dans un canal de
longueur L (sous la grille) et de largeur w
Par de nition, la densite de courant J est

J = qnE

(5.4.81)

 EFFET DE CHAMP
5.4. LES TRANSISTORS A

89

pour une concentration n d'electrons de mobilite  dans un champ electrique E . Par un


argument geometrique, le courant dans le canal ISD s'ecrit donc:

ISD = Jwd = qnwdE = qns wE

(5.4.82)

ou ns est la densite d'electrons par unite de surface sous la grille. La transconductance gm
s'ecrit donc:
@ (qw qd0 (Vg Vth )) 0w
@I
gm = SD =
=
V :
(5.4.83)
@VG
@Vg
dL SD
La transconductance d'un FET comprend donc di erents facteurs d'origines diverses:
w
et donc un canal court mais large
Geometrie La transconductance est proportionnelle a dL

est favorable.

Materiau La transconductance est proportionnelle a la mobilite du materiau .


Par contre, la capacite de grille, qui va limiter l'operation du dispositif a haute frequence,
est proportionnelle a CG 
.
= wL
d
Finalement, les deux seuls parametres \libres" qui permettent d'augmenter la transconductance est la longueur de la grille, qu'il faut minimiser et la mobilite qu'il faut maximiser. Les
circuits actuels (2000) utilisent des grilles de 100-200nm seulement de long. En recherche,
des transistors dont la longueur de grille est de 20-50nm seulement ont ete fabriques.
Dans le regime de fort signal, la mobilite n'est plus importante car seule compte la vitesse
de saturation vg .

Chapitre 6
Dispositifs optoelectroniques et
quantiques
6.1 Emission de la lumiere interbande
Dans un semi-conducteur direct, un electron e ectuant une transition de la bande de conduction a la bande de valence peut le faire en emettant un photon. Dans un materiau avec
une bande interdite indirecte, par contre, ce processus ne peut s'e ectuer qu'en combinant
l'emission d'un photon avec celle d'un phonon, comme montre sur la gure 6.1.
b.c.

b.c.

photon
b.v.

phonon

photon

b.v.
k

0
Semiconducteur direct

Semiconducteur indirect

Figure 6.1: Emission dans un materiau semi-conducteur avec une bande interdite directe
(gauche) et indirecte (droite). Dans ce dernier cas, l'emission de photon est accompagnee
d'un phonon
Calculons en premier lieu le vecteur d'onde du photon pour une longueur d'onde caracteristique de 1m. Il est donne par:

kphot =

2
= 6:3  106 m 1 :


(6.1.1)

Comparons cette valeur a celle obtenue pour un electron qui aurait une energie thermique a
90


6.1. EMISSION DE LA LUMIERE
INTERBANDE

91

temperature ambiante (300K):

p
kel = 2m kT ~2 = 2:1  108 m 1 :

(6.1.2)

Par consequent, nous pouvons, dans la majorite des cas, negliger le vecteur d'onde du photon
compare a celui de l'electron. Les transitions optiques sont donc \verticales" dans l'espace
reciproque.

6.1.1 Longueur d'onde


Que se passe-t-il quand une paire electron-trou est formee dans un semi-conducteur? Dans
un premier temps, un \thermalisation" va s'e ectuer: les electrons vont rapidement perdre
de l'energie par emission de phonons (les phonons sont des quantums d'excitation elastique
du reseau) et vont s'accumuler au minimum de la bande de conduction. Les phonons optiques
sont emis avec un taux d'approximativement 0:2ps 1 , il s'agit d'un processus beaucoup plus
ecace et rapide que l'emission de photons (qui prend approximativement 1ns). De m^eme
bien s^ur pour les trous. Finalement, les electrons et les trous vont se recombiner a travers
la bande interdite. L'energie du photon sera donc approximativement:

h  EG

(6.1.3)

et, en utilisant  = c=, la longueur d'onde d'emission est

hc  1
q (EG =q )
1:24
[] =
:
Eg [eV ]

=

(6.1.4)
(6.1.5)

6.1.2 Diode lumineuse


Pour generer de la lumiere, il faut des paires electron-trou dans une region limitee de l'espace.
La jonction p-n est une excellente maniere de creer ces paires electron-trou de maniere
ecace. Considerons une jonction p-n sous injection directe 6.2.
e
p

Figure 6.2: Jonction p-n dans une situation de forte injection. La lumiere est emise dans
une region de largeur egale a la somme des longueurs de di usion des porteurs minoritaires

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CHAPITRE 6. DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES
ET QUANTIQUES

Comme nous l'avons vu au chapitre precedent, les porteurs minoritaires di usent chacun
dans la region opposee. L'emission aura donc lieu dans une region dont la largeur est egale
a la somme des deux longueurs de di usion (electrons dans la partie \p" et trous dans la
partie \n").