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a la physique des
semi-conducteurs
Jer^ome Faist
Institut de physique, Universite de Neuch^atel
Contenu
Liste des gures
vi
vii
vii
Cristal, periodicite . . . . . . . . . . . . . . .
Reseaux de Bravais . . . . . . . . . . . . . . .
Cellule primitive de Wigner-Seitz . . . . . . .
Symetrie des cristaux . . . . . . . . . . . . . .
Structure des semi-conducteurs usuels . . . . .
Reseau reciproque, zone de Brillouin . . . . .
1.6.1 Cas unidimensionnel . . . . . . . . . .
1.6.2 Reseau reciproque en trois dimensions
1.6.3 Zone de Brillouin . . . . . . . . . . . .
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Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Re
exion de Bragg, analogie avec l'optique . . . . . . . . . .
Generalisation, electron dans un potentiel faiblement module
Forme des fonctions d'onde, theoreme de Bloch . . . . . . .
2.4.1 Preuve du theoreme de Bloch . . . . . . . . . . . . .
2.4.2 Autre preuve dans le cas unidimensionnel . . . . . . .
2.4.3 Consequences du theoreme de Bloch . . . . . . . . .
2.5 Formation d'une bande a l'aide d'etats isoles . . . . . . . . .
2.6 Lien avec la structure de bande des solides . . . . . . . . . .
2.6.1 Metal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6.2 Semi-conducteurs et isolants . . . . . . . . . . . . . .
2.6.3 Semi-conducteurs de type IV (Si,Ge) ou III-V . . . .
2.6.4 Semi-conducteurs III-V (GaAs, InP, ..) . . . . . . . .
2.7 Les extrema de bande: approximation de la masse eective .
2.7.1 Application: bande cosinusodale . . . . . . . . . . .
2.7.2 Masse eective: lien avec l'electron peu perturbe . . .
i
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1
2
4
5
6
8
8
9
10
11
11
11
14
16
16
18
18
18
21
22
22
22
25
26
28
28
ii
CONTENU
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5 Dispositifs classiques
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31
33
35
35
35
37
40
40
42
43
46
46
47
48
51
51
52
52
52
53
53
55
56
56
57
57
58
59
60
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62
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64
65
67
67
72
75
79
81
84
CONTENU
iii
86
90
90
91
91
1
3
4
5
6
6
7
10
12
13
14
15
18
20
22
23
23
24
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26
31
32
33
34
34
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38
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42
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50
55
59
63
63
65
67
72
72
73
74
77
80
80
82
82
vi
83
85
85
86
86
87
87
88
90
91
Constantes physiques:
0
q
k
Variables:
E
"
E
e ; h
j i; (x)
vii
53
55
Chapitre 1
Structure des semi-conducteurs
Lecture: Kittel, Chapts 1-3, Ashcroft & Mermin, Chapts 4-7
r
r'
(1.1.1)
1.2. RESEAUX
DE BRAVAIS
Cubique P
Cubique I
Ttragonal P
Orthorhombique P
Orthorhombique C
Monoclinique P
Trigonal R
Cubique F
Ttragonal I
Orthorhombique I
Monoclinique C
Orthorhombique F
Triclinique
Trigonal et hexagonal R
Figure 1.2: Les 14 reseaux de Bravais possibles en trois dimensions. La cellule conventionnelle
est montree, qui n'est pas toujours la cellule primitive
Figure 1.3: Classication des reseaux de Bravais en fonction d'un choix pour des vecteurs
de bases (pas forcement primitifs)
1.4. SYMETRIE
DES CRISTAUX
c
b
a
1
2
1
4
3
4
1
2
1
2
3
4
1
4
1
2
La maille cubique face centree n'est pas une cellule elementaire; en eet on a dans le cas ou
on considere le Si ou le Ge:
Nb sommets Nb atomes faces
+
+ Nb atomes interieurs
8
2
8 6
(1.5.2)
= + +4
8 2
= 8 par cellule.
Pour les composes III-V, les atomes des deux mailles cfc interpenetrees sont dierents et on
a donc 4 paires d'atomes par cellule conventionnelle.
Il est important de remarquer que la structure zinc-blende n'a pas de symetrie d'inversion.
On peut s'en rendre compte en considerant l'ordre des atomes le long de la diagonale
de la structure cubique: la suite est AB..AB..AB... Si l'on inverse le cristal, on obtient
..BA..BA..BA..BA, qui n'est pas la m^eme structure. Le diamant, en revanche, n'a pas
le m^eme probleme car la structure CC..CC..CC..CC devient CC..CC..CC..CC. L'absence
de symetrie d'inversion pour la structure zinc-blende est tres importante pour les applications optoelectroniques: en eet, l'eet electro-optique Pockels (variation de l'indice de
refraction sous application d'un champ electrique statique) n'est possible que dans un cristal
ne possedant pas de symetrie d'inversion.
La base de la structure zinc-blende sont les liaisons tetraedriques covalentes Si-Si ou Ga-As.
En eet, chaque atome est l'origine d'une double paire de liaisons vers les atomes voisins,
comme montre sur la gure 1.7. L'absence de symetrie d'inversion se note aussi au niveau
de ces liaisons tetraedriques.
C, Ga
C, As
V (x) = a0 +
1
X
=1
(1.6.4)
ou n = 1; 2; :: que nous allons ecrire sous une forme plus agreable a generaliser:
V (x) =
Vn ei2nx=a
(1.6.5)
ou maintenant n court sur tous les entiers negatifs, positifs ou nuls et les coecients Vn sont
des nombres complexes qui satisfont la condition V n = Vn pour que le potentiel V (x) soit
reel.
Il est facile de verier que V (x), ecrit sous cette forme, est par construction periodique:
X
V (x + a) =
Vn ei2n(x+a)=a
Vn ei2nx=a ei2n :
(1.6.6)
V (x) =
Vn eikn x :
(1.6.7)
kn
En developpant notre potentiel V (x), nous avons ete amenes a denir un nouveau reseau
periodique forme par les kn , espaces par 2=a. Les points de l'espace reciproque sont
d'autant plus espaces que les points dans l'espace reel sont proches. Nous allons voir que ces
notions se generalisent dans l'espace tridimensionnel.
1.6. RESEAU
RECIPROQUE,
ZONE DE BRILLOUIN
~b ~c
A~ = 2 ~
~a b ~c
~c ~a
B~ = 2 ~
~a b ~c
~a ~b
C~ = 2 ~
:
~a b ~c
Ces vecteurs ont les proprietes d'orthogonalite suivantes:
A~ ~a = 2;
A~ ~b = 0;
A~ ~c = 0;
B~ ~a = 0;
B~ ~b = 2;
B~ ~c = 0;
C~ ~a = 0
C~ ~a = 0
C~ ~c = 2:
(1.6.8)
(1.6.9)
(1.6.10)
(1.6.11)
Un vecteur reciproque general s'ecrira comme un nombre entier de fois ces vecteurs de base:
G~ = hA~ + k B~ + lC~
(1.6.12)
ou h; k; l sont des entiers. Ces vecteurs reciproques permettent de faire le developpement en
serie de Fourier du potentiel qui s'ecrit:
V (~r ) =
(1.6.13)
~
G
Montrons qu'une fonction ecrite a l'aide de l'expression 1.6.13 est invariante sous une translation d'une periode du cristal T~ = u~a + v~bw~c:
V (~r + T~ ) =
(1.6.14)
~
G
(1.6.15)
10
x
W
x
kx
x
ky
Chapitre 2
Proprietes electroniques d'un
semi-conducteur homogene
Lecture: Kittel, Chapts 7-8, Ashcroft&Mermin, Chapts 8-9
2.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous allons examiner les proprietes electroniques d'un semi-conducteur
homogene. Ces proprietes sont la consequence, de maniere essentielle, de la periodicite de
ce cristal. Cette periodicite aura pour consequence la formation, en fonction de la valeur de
l'energie, de deux types de situations possibles:
1. des bandes interdites, valeurs d'energie pour lesquelles aucun etat n'est possible pour
un electron,
2. des bandes d'energie, valeurs de l'energie de l'electron pour lesquelles les etats electroniques
sont etendus spatialement sur un grand nombre de mailles elementaires.
De plus, si le cristal a des imperfections, on trouve aussi des
1. etats isoles, d'energie bien denie et dont la fonction d'onde est localisee dans l'espace.
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
12
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
lectron
V0
= eik1 x + re ik1 x
I k2 x
I I = te
(2.2.1)
p
p
ou k1 = 2mE=~2 et k2 = 2m(E V0 )=~2 . Les conditions de bord reliant les solutions
dans les regions I et II s'ecrivent en posant la condition de continuite de la fonction d'onde
(x) et de sa derivee d dx(x) a x = 0. Remplacant (x) par sa valeur donnee par 2.2.1, on
obtient:
1+r =t
(2.2.2)
ik1(1 r) = ik2
k k
r= 1 2
k1 + k2
(2.2.3)
2k1
:
k1 + k2
(2.2.4)
t=
Le fait important est qu'une fonction d'onde est partiellement re
echie sur un saut de potentiel.
Examinons la situation suivante dans laquelle le potentiel prend alternativement les valeurs
0 et V0 , les epaisseurs remplissent les conditions k1 l1 = =2, k2 l2 = =2 (les epaisseurs de
chaque couche sont un quart de la longueur d'onde de l'electron).
2.2. REFLEXION
DE BRAGG, ANALOGIE AVEC L'OPTIQUE
a)
13
0.15
0.10
0.05
0
-20
20
60
100
Position [nm]
b)
Transmission
10
-2
10
-4
10
-6
10
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
Energie [eV]
(2.2.6)
On remarque bien que toutes les re
exions a toutes les interfaces ont toujours la m^eme phase
(a 2 pres). Le module de la fonction d'onde, apres un nombre N d'interfaces sera proportionnel a (1 R)N ou R est le coecient de re
exion d'intensite. La fonction d'onde, a cette
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
14
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
energie, aura donc une decroissance exponentielle donnee par (x) exp( Kx).
Pour cette raison, et quelle que soit la hauteur du potentiel V0 , il n'existe pas de solution
stationnaire a cette energie. On a donc cree une bande interdite a cette energie.
Une structure basee sur le m^eme principe (empilement de couches quart d'onde) est tres
souvent utilisee en optique pour fabriquer des miroirs de haut coecient de re
ectivite. En
eet, a partir de deux materiaux d'indice de refraction dierents, on peut construire un
miroir de re
ectivite arbitrairement haute.
Dilectrique
Mtallique
Figure 2.3: Re
ectivite d'un miroir dielectrique et metallique, d'apres le catalogue Newport
Optics.
H=
P2
+ V (x)
2m
(2.3.7)
ERALISATION,
15
2.3. GEN
ELECTRON
DANS UN POTENTIEL FAIBLEMENT MODULE
celulle
V (x) = 0:
(2.3.10)
La derivation, quelque peu technique, est eectuee plus loin au paragraphe 2.7.2. Concentrons nous d'abord sur le resultat. Pour le cas undimensionnel, et si V (x) est identiquement
nul, l'energie de l'electron est donnee simplement par le cas de l'electron libre:
~2 k 2
E=
:
(2.3.11)
2m
Dans le cas ou V (x) est petit, une bande interdite de largeur j2V1 j va s'ouvrir au bord de
la zone de Brillouin (c'est a dire a 2=a). Le m^eme phenomene va se repeter a tous les
multiples de la zone de Brillouin a n=a, de valeur jnVn j.
2|U3K|
2|U2K|
2|UK|
3
2
1
2
+1
2
k
+3
2
Figure 2.4: Energie en fonction du vecteur d'onde pour un potentiel faiblement module
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
16
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
On voit donc que l'amplitude du potentiel et sa periodicite ont des in
uences completement
dierentes:
1. la periodicite du potentiel xe l'energie a laquelle la bande interdite va s'ouvrir:
~2
EG = ( )2;
(2.3.12)
2m a
2. l'amplitude de la composante de Fourier V1 va, elle, determiner la largeur de la bande
interdite.
On remarque immediatement une caracteristique importante: m^eme si la
uctuation periodique
du potentiel est tres faible la bande interdite subsiste a l'energie EG .
H (~r + R~ ) = H (~r )
(2.4.13)
(2.4.14)
(r + R) = eikr (r):
(2.4.15)
TR (r) = (r + R):
(2.4.16)
2.4. FORME DES FONCTIONS D'ONDE, THEOR
EME
DE BLOCH
17
et donc
TR H = HTR :
(2.4.18)
Or, si deux operateurs commutent, il est toujours possible de trouver des solutions qui sont
simultanement fonctions propres des deux operateurs:
H = E TR = c(R) :
(2.4.19)
Considerons maintenant les proprietes de c(R)
TR TR0 = TR+R0
(2.4.20)
et donc
c(R)c(R0) = c(R + R0):
(2.4.21)
Soit (pour simplier un peu la notation) ai avec i = 1; 2; 3 les vecteurs primitifs du reseau
de Bravais, et bi les vecteurs primitifs du reseau reciproque. On peu poser (car c(ai ) est
obligatoirement de norme unite):
c(ai ) = e2ixi :
(2.4.22)
Si maintenant R est une translation du reseau de Bravais , elle peut donc s'ecrire:
R = n1a1 + n2 a2 + n3a3 ;
(2.4.23)
alors (en utilisant 2.4.22)
c(R) = c(n1 a1 + n2 a2 + n3 a3 )
= c(a1 )n1 c(a2 )n2 c(a3 )n3
(2.4.24)
Y
=
e2xini :
=1::3
Rappel: les relations d'orthogonalite des vecteurs reciproques 1.6.2 s'ecrivent
ai bj = 2ij :
(2.4.25)
Si l'on considere le produit entre le vecteur R de l'espace reel et le vecteur k de l'espace
reciproque, ecrit dans la base des bi
i
k=
et donc
=1::3
ki bi ;
k R = 2 (k1 n1 + k2 n2 + k3 n3 ):
Ce qui est en fait le resultat que nous avions obtenu pour c(R) qui s'ecrivait:
c(R) = exp(2i(x1n1 + x2n2 + x3 n3)
= exp(ik R)
en posant naturellement xi = ki . Donc les fonctions d'onde sont bien telles que
TR = (r + R)
= c(R) = eikR (r)
ce qui est bien une des formulations equivalentes du theoreme de Bloch.
(2.4.26)
(2.4.27)
(2.4.28)
(2.4.29)
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
18
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
i-2
i-1
i+1
L'AIDE D'ETATS
2.5. FORMATION D'UNE BANDE A
ISOLES
19
Soit un hamiltonien H = H0 + W ou H0 est l'hamiltonien des atomes isoles et W est le terme
de couplage. Nous allons partir d'une base formee par les etats propres des p atomes isoles
jp >i que l'on va considerer orthogonale (pour le moment, nous considerons seulement une
bande):
hp jni = np:
(2.5.34)
On va regarder l'action de l'hamiltonien (qui, lui, contient le couplage) sur les etats jp i, on
aura clairement:
hpjH jpi = E0:
(2.5.35)
Nous allons aussi introduire un couplage entre les etats correspondant a des atomes plus
proche voisins:
hpjH jp+= 1i = A
(2.5.36)
et
hp jH jni = 0
(2.5.37)
si jn pj > 1 autrement. Autrement dit, nous negligeons le couplage entre atomes separes
de plus d'un atome.
Le travail est donc de diagonaliser la matrice hamiltonienne suivante:
0
1
...
B
A
E
A
0 :: C
B 0
C
0
H = B :: 0
:
A E0 A :: C
@
A
...
Cherchons une solution sous la forme d'une combinaison lineaire de jp i. La solution
s'ecrit donc
1
X
j i=
cp jp i:
(2.5.38)
p= 1
Si l'on projette les etats sur les fonctions d'onde
jpi = (x pa)
1
X
(2.5.39)
j i=
cp (x pa):
p= 1
Observons maintenant que si l'on translate la fonction d'onde par une maille du reseau,
c'est-a-dire x ! x + a
1
X
(x + a) =
p
= 1
cp (x p a + a)
1
X
= 1
cp (x (p 1)a)
1
X
0= 1
cp0 +1 (x p0 a)
(2.5.40)
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
20
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
= 1
cp+1 (x p a) = e
1
X
ika
= 1
cp (x p a)
(2.5.41)
(2.5.42)
et donc que
cp+1 = eikacp :
(2.5.43)
Introduisons notre fonction d'onde dans l'equation hamiltonienne
H =E
(2.5.44)
qui prend la forme
Acq 1 + E0 cq Acq+1 = Ecq
(2.5.45)
A(cq 1 + cq+1 ) + (E0 E )cq = 0:
Mais, en utilisant les relations que nous avons derivees entre cq+1 ; cq et cq 1 nous obtenons:
A(e ika + eika ) + (E0 E ) cq = 0:
(2.5.46)
Si l'on veut que cq 6= 0, alors la parenthese doit s'annuler:
2A cos(ka) + E0 E = 0
(2.5.47)
E = E0 2A cos(ka):
E(k)
E + 2A
0
E - 2A
0
k
- /l
+ /l
21
1. l'energie E que peut avoir l'electron prend ses valeurs entre E0 2A et E0 + 2A. C'est
pour cette raison que l'on parle de bande d'energie possible,
2. cette energie est periodique dans le nombre quantique k . Pour cette raison, on limite la
representation dans l'intervalle [ =a; =a] de longueur 2=a. Cet intervalle represente
la cellule elementaire de l'espace reciproque de ce modele unidimensionnel, comme nous
l'avions deja vu dans le paragraphe 1.6.3,
3. la largeur de la bande d'energie, 4A, est donc proportionnelle au couplage entre les
atomes. Rappelons que A est
A = hq jH jq+1 i;
(2.5.48)
c'est donc l'element de matrice entre les sites voisins. Il va dependre de maniere
exponentielle de la separation entre les atomes. Bien s^ur, des que cette distance devient
trop petite, la largeur des bandes devient comparable a la separation des niveaux
(E1 E0) et notre modele tombe a l'eau!
4. que represente k ? k est un "bon nombre quantique" qui nous permet d'indicer les
etats du cristal. eika est le facteur de phase qu'acquiert la fonction d'onde en passant
d'un site a l'autre du cristal. Par analogie avec l'optique, k est le nombre d'onde de
l'electron et (par les relations de de Broglie) ~k est l'impulsion du cristal de l'electron.
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
22
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
Bande
de conduction
~4eV
~1eV Energie de
Fermi
Bande
de Valence
Metal
Isolant
Semiconducteur
Figure 2.7: Relation entre la position des bandes d'energie et le niveau de Fermi donnant un
metal, un semi-conducteur ou un isolant
2.6.1 Metal
L'image a avoir des metaux est celle de l'hybridisation des electrons de valence, alors que les
electrons supplementaires de la derniere couche sont mis en commun. Une bonne image est
donc celle d'un electron quasi libre, avec un haute energie de cinetique (EF 5eV ) qui va
expliquer la haute conduction electrique de ces composes.
23
b.c.
photon
b.v.
phonon
photon
Semiconducteur direct
b.v.
k
Semiconducteur indirect
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
24
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
troisieme bande est prise en consideration: la bande dite \spin-o" ainsi appelee car elle est
decouplee des autres par l'interaction spin-orbite.
Une propriete tres importante des structures de bandes du Si et Ge est que le minimum de
la bande de conduction, au contraire de la bande de valence, n'est pas a k = 0. Les semiconducteurs qui sont tels que le minimum de la bande de conduction n'est pas au m^eme
point que le maximum de la bande de valence sont appeles semi-conducteurs indirects.
25
Le minimum de la bande de conduction du silicium est dans la direction [010] et donc, par
symetrie, aussi dans les directions [010]; [001]; [001]; [100]; [100] soit au total six minima.
[001]
[111]
[010]
[100]
[111]
Ge
Si
GaAs
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
26
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
27
(k ) =
On peut identier les deux termes
~2 k 2
(2.7.51)
1 @ 2 ~2
=
2 @k 2 2m
(2.7.52)
2m
1 @ 2
1
=
:
(2.7.53)
m ~2 @k 2
L'equation 2.7.53 est tres importante et profonde. Elle montre que nous pouvons considerer
l'electron dans un extremum de bande comme pouvant se deplacer comme un electron libre
qui aurait une masse dierente. Cette approximation s'appelle approximation de la masse
eective. Elle est tres puissante pour deux raisons:
1. comme nous l'avons deja mentionne plus haut, les electrons qui participent aux phenomenes
optiques et de transport dans un semi-conducteur sont en general pres d'un extrema
de bande, ou cette approximation peut ^etre appliquee,
2. de plus, cette approximation a comme consequence qu'un modele particulierement
simple peut ^etre applique vu que l'electron se comporte comme une particule libre de
masse renormalisee.
Cette analogie peut ^etre poussee plus loin. Dans les ondes, la vitesse de groupe d'un
paquet d'ondes est denie par la relation:
vg =
@!
:
@k
(2.7.54)
vg =
1 @ (~! ) 1 @
=
:
~ @k
~ @k
(2.7.55)
L'equation 2.7.55 nous permet de calculer la vitesse d'un electron dans n'importe quel point
d'une structure de bande.
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
28
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
(k ) = 0 2A cos(ka):
(2.7.56)
1
1 @ 2 2Aa2
=
= 2 cos(ka):
m ~2 @k 2
~
(2.7.57)
Remarquez que la masse eective est positive (et minimale) a k = 0, innie a k = =a, et
negative pour k = =a. On peut aussi regarder la velocite d'un electron dans cette bande:
vg =
1 @ 2Aa
=
sin(ka):
~ @k
~
(2.7.58)
ck eikx
(2.7.59)
(2.7.60)
2m
ck k 2
eikx +
XX
k
VG ei(G+k) x = 0:
29
(2.7.61)
(2.7.62)
Par denition, chacun des termes d'un developpement de Fourier doit ^etre nul pour que leur
somme soit nulle et donc:
X
~2
ck k 2 ck + VG ck G = 0
(2.7.63)
2m
G
pour tout k.
L'equation 2.7.63 est dicile a resoudre dans le cas general, car une innite de ck sont couples
a une innite de Vk . Regardons neanmoins une solution simpliee dans le cas ou k =a,
donc au bord de la zone de Brillouin la ou la bande interdite va s'ouvrir. Posons aussi:
g = 2=a
(2.7.64)
egal
a la largeur de la zone de Brillouin. Pour simplier l'ecriture, appelons le terme cinetique
~2 k2
2m = k et remarquons aussi que g=2 = g=2 .
Nous n'allons ici garder que le premier terme de la serie de Fourier (aussi bien pour le
potentiel que pour la fonction d'onde). L'equation 2.7.63 s'ecrit pour k = g avec = g=2 :
( )cg=2 + Vg c g=2 = 0
( )c g=2 + V g cg=2 = 0:
Ce qui peut s'ecrire sous forme matricielle:
H=
Vg
V g
cg=2
c g=2
(2.7.65)
= 0:
= 2
(2
(2.7.66)
jV j2) = jV j:
g
(2.7.67)
Nous avons maintenant montre par le calcul l'existence d'une bande interdite au bord de la
zone de Brillouin dont la largeur est de 2jVg j. De plus, nous pouvons aussi construire les
fonctions d'ondes a l'aide des coecients cg=2 , en particulier ces coecients remplissent la
condition
cg=2
= 1:
(2.7.68)
c g=2
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
30
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
On peut donc construire la fonction d'onde a l'aide des deux possibilites pour les coecients:
(x) = ei 2 gx e
1
1 gx
i2
(2.7.69)
Essayons de developper la solution autour de g=2. Pour cela, gardons les m^emes fonctions de
base pour developper la fonction d'onde mais en changeant les coecients c(k ) et c(k g ):
(x) = c(k )eikx + c(k g )ei(k g)x :
(2.7.70)
Cette fonction d'onde introduite dans l'equation 2.7.63 nous donne le systeme suivant a
resoudre:
(k )c(k ) + Vg c(k g ) = 0
(2.7.71)
(k g )c(k g ) + V g c(k g ) = 0:
Ce qui donne le determinant suivant a resoudre:
(k )
Vg
V g (k g ) = 0:
)(k
)
jV j2 = 0
g
(2.7.72)
1
1
( k g )2 + jVg j2:
(2.7.73)
= (k + k g )
2
4 l
Il nous faut malheureusement encore un peu de calcul pour bien comprendre ce resultat! Le
mieux est d'exprimer la valeur de l'energie en fonction d'un vecteur d'onde dont l'origine est
en bord de zone k~ = k g=2. On aura les termes:
~2
k = (k~ + g=2)2
2m
(2.7.74)
~2 ~
2
k g = (k g=2)
2m
d'ou les quantites:
1
~2
(k + k g ) = (k~ 2 + g 2 =4)
2
2!
m
2 2
(2.7.75)
~ 2
1
~
kg
~2 k~ 2
2
( k g ) = 4
= 4
:
4 k
2m
2
2m
Finalement, les solutions s'ecrivent
~2
= (k~ 2 + g 2 =4)
2m
~2 k~ 2
2m
+ jVg j2:
(2.7.76)
D'ETATS
2.8. LA DENSITE
POUR UN ELECTRON
LIBRE
31
Ces
peuvent ^etre simpliees encore en developpant la racine avec l'approximation
p1 +solutions
1 + =2:
~2k~2
2 ~2 k~ 2
=
+ jVg j(1 +
2m
jVg j2 2m )
(2.7.77)
~2 k~ 2
2
= jVg j +
(1
2m
jVg j ):
Cette solution est esquissee sur la gure 2.13.
E
+u
-u
g/2
Figure 2.13: Formation d'une bande interdite pour un electron faiblement perturbe
L'equation 2.7.77 est tres interessante car elle montre des phenomenes tres generaux pour
la formation de bandes de cristaux. Comme on l'a deja vu, une perturbation periodique du
potentiel d'un electron mene a la formation d'une bande interdite. De plus, dans l'equation
2.7.77, on montre que ces bandes sont paraboliques pour les valeurs de k proches de celles ou
la bande interdite appara^t. On peut donc denir une masse eective a partir de l'equation
2.7.53 et ce calcul donne:
1
1
2
=
1
(2.7.78)
m m
jVg j
et donc m est d'autant plus faible que =jVg j est grand et donc que jVg j est petit (a
xe)! Ce resultat s'observe en pratique dans la grande majorite des semi-conducteurs avec
une bande interdite directe. Prenons des cas pratiques: le GaAs a une bande interdite
Eg = 1:5eV et une masse eective de m = 0:067m0 , l'InAs a une bande interdite beaucoup
plus faible Eg = 0:3eV et une masse eective aussi plus faible m = 0:022m0 .
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
32
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
bien d'electrons peuvent ^etre introduits dans une bande donnee. Plus precisement, il faut
conna^tre le nombre d'etats disponibles dans un certain intervalle d'energie.
Pour denir ce nombre d'etats, nous allons utiliser une technique standard qui consiste a
denir un volume de forme simple (un cube en l'occurrence) et compter les etats a l'interieur
de celui-ci.
L
y
L
x
(2.8.79)
kx = nx 2=L
ky = ny 2=L
kz = nz 2=L
(2.8.80)
avec ni 2 Z .
Dans l'espace reciproque (ou k prend ses valeurs), les valeurs possibles pour k sont disposees
sur une grille tridimensionnelle de pas 2=L, representee sur la gure 2.15.
Si nous xons une energie maximum E des electrons (qui va ^etre nalement xee par le
remplissage des bandes et par l'energie de Fermi EF ), comme le mouvement de ceux-ci
est libre, cela aura pour consequence de determiner un vecteur reciproque maximum kmax
suivant l'equation:
~2 k 2
E = max
:
(2.8.81)
2m
D'ETATS
2.8. LA DENSITE
POUR UN ELECTRON
LIBRE
33
kz
2/L
2/L
kx
2/L
ky
kmax
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
34
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
Dans le cas bidimensionnel, on parle d'un puits quantique. Montrons que ce connement va
avoir une in
uence importante sur la densite d'etats accessibles pour l'electron.
z
L
L
2/L
2/L
k
kx
2.9. APPROXIMATION SEMI-CLASSIQUE: L'ELECTRON
ET LE TROU
35
N (E ) =
m
(2.8.89)
~2
et est, fait remarquable, une constante. Ceci est evidemment une dierence fondamentale
avec le cas tridimensionnel.
D(E ) =
(2.8.90)
(2.8.91)
1 2m 1
p :
D (E ) =
~
E
(2.8.92)
N (kkmax ) = 2
et la densite d'etats
D(E ) =
n
X
=0
(E
Ei ):
(2.8.93)
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
36
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
la mecanique quantique.
Si l'on considere le mouvement d'un electron dans un cristal, il est immediatement apparent
qu'une approche purement classique donne des resultats en complete contradiction avec
l'observation experimentale. Un exemple frappant est le transport des electrons: d'un point
de vue classique, ils devraient se heurter au potentiel attractif des ions; or l'experience
montre que les electrons semblent se deplacer dans un cristal comme des particules libres.
Par contre, nous avons vu que du point de vue quantique, ce m^eme potentiel periodique
n'allait pas emp^echer le mouvement des electrons, mais simplement changer la relation de
dispersion de l'electron E = E (K ) compare a la m^eme particule libre.
Soit un electron dans une bande denie par sa relation de dispersion " = "(k ) (voir g. 2.18).
D'un point de vue de la mecanique ondulatoire, sa vitesse est donnee par la vitesse de groupe
du paquet d'ondes soit:
@! 1 @"
vg =
=
:
(2.9.94)
@k ~ @k
hvg = d/dk
k0
denition de la derivee, une augmentation de l'energie de l'electron " par une augmentation
de son vecteur d'onde k est donnee par
" = vg ~k:
(2.9.95)
Dans ce m^eme intervalle, ce gain d'energie pourrait ^etre fourni par une force F~ = q E~
donnee par un champ electrique exterieur travaillant pendant un petit intervalle de temps
t:
" = F x = q"vg t:
(2.9.96)
En egalant les expressions 2.9.95 et 2.9.96 nous obtenons:
q"vgt = vg ~k
k (~k )
q" = ~ =
t
t
(2.9.97)
2.9. APPROXIMATION SEMI-CLASSIQUE: L'ELECTRON
ET LE TROU
37
b.c.
E = h
ke
ke = - ke
b.v.
k
Figure 2.19: Un electron est excite de la bande de valence, laissant un trou libre
ES
ELECTRONIQUES
CHAPITRE 2. PROPRIET
38
D'UN SEMI-CONDUCTEUR HOMOGENE
Une premiere constatation importante est que le cristal conserve le m^eme nombre d'electrons,
et donc l'electron supplementaire de la bande de conduction sera compense par un electron
manquant, ou trou, dans la bande de valence. Vu que le photon a une impulsion negligeable,
nous pouvons considerer que l'impulsion totale du cristal est inchangee. Nous allons traiter
l'electron manquant dans la bande de valence par l'addition d'une particule supplementaire,
un trou dans la bande de valence, dont les proprietes sont a etablir. Premierement, la
conservation de l'impulsion implique que le vecteur d'onde du trou kh est:
Eg
E
b.v.
trou
1 @ 2"v 2
k:
2 @k 2 e
En egalisant les deux quantites, nous obtenons nalement:
~2kh2 ~2 ke2
1 @ 2"v 2
=
=
k:
2m2h 2m2h
2 @k 2 e
car kh = ke et donc nous pouvons conclure que:
1 @ 2 "v
1
=
:
mh
~2 @k 2
E =
(2.9.103)
(2.9.104)
(2.9.105)
2.9. APPROXIMATION SEMI-CLASSIQUE: L'ELECTRON
ET LE TROU
39
La masse d'un trou est positive, egale a l'inverse de celle qu'aurait un electron dans la m^eme
bande.
Regardons maintenant la charge du trou. Pour cela, nous allons nous appuyer sur les relations de Newton semi-classiques 2.9.98 et 2.9.100. Pour l'electron excite dans la bande de
conduction, nous pouvons ecrire que
(~ke )
= qE;
t
ce qui peut ^etre reecrit en fonction du vecteur d'onde du trou kh comme
F=
(2.9.106)
kh
= qE:
(2.9.107)
t
Pour cette raison, la charge du trou doit absolument ^etre positive et opposee a celle de
l'electron si nous voulons pouvoir appliquer l'equation de Newton 2.9.98 a cette nouvelle
particule. Une autre derivation, qui utilise 2.9.100 au lieu de 2.9.98, donne:
~
ce qui entra^ne
F = m a
(2.9.108)
1
F = 1 partial2"v a = mh a
2
(2.9.109)
F = qE
(2.9.110)
mh a = qE:
(2.9.111)
et comme
nous aurons obligatoirement
@k
@k
vgh =
@"h @ "e
=
= vge :
@kh
ke
(2.9.112)
Chapitre 3
Statistique des semi-conducteurs
3.1 Principe d'exclusion de Pauli, statistique de FermiDirac
Dans la mecanique quantique, on separe les particules en deux grandes classes selon la valeur
de leur spin (moment angulaire propre):
1. Les fermions dont le spin est un demi-entier (1=2, 3=2, ..).
2. Les bosons dont le spin est un entier (0; 1; 2; ::).
Ces deux classes de particules ont des proprietes tres dierentes si l'on considere un ensemble
de particules identiques: la fonction d'onde a N-particules est symetrique pour le cas de
bosons et anti-symetrique pour le cas des fermions.
Le principe d'exclusion de Fermi, qui en decoule, enonce simplement que "Deux fermions
ne peuvent occuper le m^eme etat". Un consequence du principe de Pauli est la statistique
de Fermi-Dirac pour les electrons (ou autre particule de spin demi-entier): la probabilite
de trouver un fermion a une energie E dans un systeme a temperature T est donne par la
fonction:
f (E; ; T ) =
exp
1
E
kT
+1
(3.1.1)
41
4kT@300K
1.00
f (E,,kT)
7meV
80K
0.4meV
4K
kT = 26meV
0.75
T = 300K
0.50
0.25
0
50
100
150
200
E- [meV]
Figure 3.1: La distribution de Fermi-Dirac pour les electrons pour dierentes temperatures
Cette fonction est montree sur la gure 3.1 pour dierentes valeurs de la temperature T . La
distribution de Fermi-Dirac a les proprietes suivantes:
1. La fonction a les comportements asymptotiques f ((E ) ! 1) ! 0 et f ((E ) !
1) ! 1. En clair, la probabilite d'observer un electron a energie innie pour une
temperature nie est nulle.
2. La probabilite d'observer un electron a l'energie correspondant au potentiel chimique
est exactement 21 donc f (E = ; T ) = 0:5.
3. En fonction de l'energie, la fonction passe de 1 a zero dans une region d'environ 2kT
autour de E = .
4. La grandeur est appelee potentiel chimique. C'est une quantite qui correspond
a l'energie moyenne d'un electron extrait d'un reservoir thermique. En pratique, la
valeur de est ajustee de maniere a ce que le nombre de particules corresponde au
nombre total (en general xe) d'electrons du systeme. Pour un nombre de particules
xe, est en general une fonction de la temperature.
5. Dans le cas ou la temperature est nulle, la fonction a l'allure d'une marche d'escalier,
passant de la valeur 1 a 0 pour E = . Dans ce cas, = EF est appelee energie de
Fermi du systeme.
Pour calculer le nombre d'electron dans une structure a temperature nie, la recette est
la suivante: il sut d'integrer le nombre d'etats disponibles (donne par la densite d'etats)
42
multiplie par la probabilite de trouver un electron a cette energie (donne par la distribution
de Fermi-Dirac). Mathematiquement, nous avons donc:
Ntot =
Z 1
E
=0
D(E )
exp
1
E
kT
+1
dE:
(3.1.2)
rgime
classique
0.6
f
0.4
0.2
0
b) kT >> EF
1.0
0.8
0.6
f
0.4
rgime classique
0.2
Figure 3.2: Illustration d'exemples dans lesquels on peut utiliser l'approximation du regime
classique. a) hautes excitations dans un metal. b) semi-conducteur peu dope
3.2. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE
43
fh (E; ; kT ) = 1 fe (E; ; kT ) =
exp
E
kT
E
kT
+1
exp
1
E
kT
+ 1)
(3.2.4)
3. Le nombre total d'electrons est toujours l'integrale de la densite d'etats fois la distribution de Fermi-Dirac 3.1.2.
4. Le nombre total d'electrons dans le cristal est en general xe soit Ne +Nh = 0 (condition
de neutralite du cristal). Il faut faire attention que cette derniere relation n'est par
exemple pas valable localement dans une jonction.
Malheureusement, l'integrale 3.1.2 n'est en general pas soluble analytiquement. Il va donc
falloir recourir a des approximations.
Dans le cas d'un semi-conducteur intrinseque, nous allons faire l'hypothese que le niveau de
Fermi est situe dans la bande interdite et que les deux bandes (conduction et valence) sont
dans le regime classique. Nous faisons de plus l'hypothese de bandes paraboliques. Pour la
concentration d'electrons n dans la bande de conduction, nous obtenons:
Z 1
1 (2m )3=2 p
E
n=
dE
E
E
exp
G
2 ~3
kT
EG 2
(3.2.5)
Z
p
1 (2m )3=2
E
n= 2
exp kT
1 E EG exp kT dE:
2
~3
EG
Pour eectuer l'integrale 3.2.5, posons un changement de variable:
E EG
1
x=
; dx = dE
kT
kT
Z 1p
p Z 1 1=2
E
EG
E EG exp
dE = kT
x exp( x) exp
dxkT
(3.2.6)
kT
kT
EG
x=0
Z
EG 1 1=2
1 (2m kT )3=2
n= 2
exp
x exp( x)dx:
2
~3
kT
x=0
La derniere integrale s'obtient par la methode de Cauchy, que nous n'allons pas discuter ici:
Z 1
=0
;
2
(3.2.7)
44
p=
m k T
m k T
= 2 hh B2 3=2 exp
+ 2 lh B2 3=2 exp
2 ~
kT
2 ~
kT
(3.2.14)
3.2. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE
45
hh
(3.2.15)
lh
que l'on appelle masse eective de densite d'etats ("density of state eective mass").
Remarquons aussi que le produit n p est constant:
np = nc nv exp EG =kT = n2 :
(3.2.16)
i
ni = nc nv exp
EG
:
2kT
(3.2.17)
46
que dans le Ge; pour les autres semi-conducteurs, elle est trop faible car en-dessous de la
concentration minimum d'impuretes possibles.
La bande de conduction du Si comporte une diculte supplementaire par le fait que les
surfaces isoenergetiques sont des ellipsodes de revolution. Pour cette raison, la masse eective depend de la direction. Dans le cas general ou cette masse est dierente dans les trois
dimensions, on montre facilement que la densite d'etats s'exprime toujours avec l'expression
2.8.84 a condition de remplacer la masse de l'electron par une masse eective donnee par:
ce qui s'ecrit
mde = m1m2 m3 1=3
(3.2.18)
mde mlm2t 1=3
(3.2.19)
nc = 2 6
mde kT 3=2
:
2 ~
(3.2.20)
dn
= A(T ) B (T ) n p = 0
dt
(3.2.21)
car le semi-conducteur est a l'equilibre. Une quantite A(T ) de paires electrons-trous est
generee par absorption de photons, alors qu'une quantite B (T ) n p de ces paires se recombine
pour generer des photons. De l'equation 3.2.21 nous tirons immediatement:
np =
A(T )
= cst(T ):
B (T )
(3.2.22)
Cet argument est similaire a un argument sur la cinetique des reactions chimiques.
DOPAGE
3.3. IMPURETES,
47
Nous allons pour l'instant continuer a faire l'hypothese d'un materiau non-dope et allons
calculer la position du potentiel chimique . Nous avons donc n = p = ni (neutralite du
cristal) et nous pouvons poser:
EG p
= nc nv exp EG =2kT :
kT
Il est facile d'extraire le potentiel chimique de la relation:
nc exp
exp =kT =
et donc
=
nc
exp EG =2kT
nv
m
EG 3
+ kT ln h
2
4
me
(3.2.23)
(3.2.24)
(3.2.25)
3=4
h .
car nnvc = m
3=4
me
En conclusion, la relation 3.2.25 nous indique que le potentiel chimique est au milieu de la
bande interdite a T = 0; il se rapproche de la bande ayant la plus faible masse eective au
fur et a mesure que la temperature augmente.
EAlx Ga1
x As
= xEAlAs + (1
x)EGaAs :
(3.3.26)
2. L'atome a une conguration similaire, mais avec un electron de plus ou de moins.
Typiquement, en choisissant un element de la colonne voisine de l'element utilise. Si
cet element a un electron supplementaire, comme le phosphore ou l'arsenic dans le
silicium, on parle d'un donneur. Si au contraire la derniere couche de cet element a un
decit d'electron, comme le bore ou le gallium dans le silicium, on parlera d'accepteur
48
electronique. Nous allons montrer que dans ce cas, les electrons supplementaires sont
dans des etats dont l'energie, proche de celle des bandes, ne depend que faiblement de
la nature de l'impurete. Ces electrons et ces trous sont aisement cedes a la bande de
conduction et de valence par excitation thermique.
3. Dans le cas ou l'impurete a une conguration electronique completement dierente, les
resultats precedents ne s'appliquent pas. L'impurete deforme les fonctions electroniques
du cristal. Pour cette raison, elle va en general creer des etats proches du milieu de la
bande interdite. En regle generale, on cherche a eviter cette situation car la presence
de ces etats est tres nuisible aux proprietes electriques et optiques de ces cristaux. Il
existe neanmoins des exceptions comme par exemple le GaAs cr^u a basse temperature,
presentant une grande quantite (ordre de 1%) d'exces d'arsenic, ce qui permet de
diminuer dramatiquement le temps de vie des porteurs pour des applications d'optique
non-lineaire. Un autre exemple est le dopage des plaquettes du GaAs avec du chrome
pour les rendre isolantes.
DOPAGE
3.3. IMPURETES,
49
1. l'electron (ou le trou) a une masse eective m (au lieu de la masse de l'electron au
repos m0),
2. l'electron se deplace dans un cristal ou la constante dielectrique 0 est largement
superieure a celle du vide >> 1.
L'hamiltonien du probleme s'ecrit:
q2
P2
:
(3.3.27)
2m 40r
Comme mentionne precedemment, l'hamiltonien 3.3.27 est identique a celui d'un atome
d'hydrogene a condition de substituer m ! m et 0 ! 0. Les niveaux d'energie de
l'atome d'hydrogene sont donnes par
H=
En =
qui s'ecrivent aussi comme:
1 m0q 4
n2 2~2 20
(3.3.28)
1
E
(3.3.29)
n2 Ry
ou ERy = 13:6eV est l'energie de Rydberg. En eectuant les substitutions pour les masses
eectives et la constante dielectrique, les niveaux d'energie pour l'impurete hydrogenique
s'ecrivent:
1
En = 2 ERy
(3.3.30)
n
ou l'energie de Rydberg "renormalisee" dans le cristal est
=E m 1:
ERy
(3.3.31)
Ry
m0 2
Cette renormalisation va conduire, dans les cas pratiques, a une forte reduction de l'energie
= 5:5meV ( = 13 et m =m0 = 0:067).
de Rydberg. Par exemple, dans le GaAs, ERy
L'energie de ionisation de l'impurete est donc nettement plus faible que l'energie thermique
a temperature ambiante kT = 26meV . Pour cette raison, en tres bonne approximation, on
peut considerer que toutes les impuretes sont ionisees dans le GaAs a temperature ambiante.
Le cas du silicium est plus complique a cause de sa masse eective tensorielle (masse eective
longitudinale dierente de la masse transverse). Nous pouvons neanmoins nous convaincre
sans trop de diculte que le modele utilise peut neanmoins ^etre generalise aussi dans ce cas
a condition d'utiliser pour une masse eective la valeur:
1
1 1
2
=
+
(3.3.32)
mce 3 ml mt
(penser a moyenner le terme cinetique P 2 =2m). La valeur numerique sera mce = 0:26m0 .
Comme la constante dielectrique du silicium est de = 13:6, la valeur de l'energie d'ionisation
des impuretes est:
= 25meV:
ERy
(3.3.33)
En =
50
(3.3.34)
Figure 3.5: Energie d'ionisation pour dierentes impuretes dans Ge, Si, et GaAs
3. Le rayon de Bohr de l'impurete est, lui aussi, modie par le milieu eectif du cristal
a0 ! a0 = a0 :
(3.3.35)
m =m0
51
Pour le GaAs, le rayon de Bohr d'un donneur est egal a 10nm, ce qui est beaucoup
plus grand que la distance inter-atomique (0:3nm). Pour cette raison, la trajectoire de
l'electron est tres eloignee de l'impurete et "sent" (feel en anglais) les proprietes d'un
cristal homogene.
4. Une quantite extr^emement faible d'impuretes est susante pour changer profondement
les proprietes d'un semi-conducteur. En eet, il sut que n > ni . Traduit en concentration relative, cela nous donne une valeur de 10 17 pour le GaAs a temperature
ambiante.
n = ND + p:
(3.4.39)
De plus, dans l'approximation classique, nous avons la loi d'action de masse np = n2i et donc
n = ND +
d'ou nous deduisons la valeur de n
n2i
n
(3.4.40)
N ND2 + n2i
n= D
:
2
(3.4.41)
52
De plus, si la largeur de la bande interdite est grande (Si ou GaAs), nous avons en general
ND2 >> n2i et donc nalement
n = ND :
(3.4.42)
L'equation 3.4.42 est une bonne approximation pour les electrons dans le GaAs. Par contre,
au vu des energies d'ionisation plus grandes pour les impuretes dans le silicium, remplacer
ND+ par ND conduit a une nette surestimation du nombre d'electrons dans la bande de
conduction.
eN ")=kT
(3.4.43)
ou N est le nombre de particules dans le systeme et " = "(N ) l'energie de cet etat a Nparticules. Il faut voir cette distribution comme une generalisation du facteur de Boltzman
pour le cas quantique dans lequel le nombre de particules n'est pas xe. Le nombre moyen
de particules est donne par une moyenne sur tout le nombre de particules et etats possibles:
hN i =
P
ASE Nj exp((Nj
P
"j )=kT )
:
"j )=kT )
ASE exp((Nj
(3.4.44)
La somme est appelee "grande somme" et porte sur tous les etats et nombre de particules
possibles. L'etat a zero particule doit aussi ^etre compte avec une energie zero. L'indice
"ASE" se refere a l'abbreviation anglaise "All States and Energies".
Distribution de Fermi-Dirac
A l'aide de cette somme de Gibbs, il est aise de re-deriver la distribution de Fermi-Dirac.
Soit un petit systeme s, qui peut prendre un electron (alors N = 1) a une energie " ou pas
d'electron. Sommant sur ces deux possibilites, nous obtenons:
"
kT
(3.4.45)
etat
donneur ionise
donneur a un electron
donneur a un electron
53
(3.4.46)
Il faut faire attention que dans cette equation l'energie "D est l'energie d'un niveau donneur,
compte par exemple par rapport au sommet de la bande de valence. Ce n'est pas l'energie
d'ionisation du donneur.
nc exp
EG
nv exp
kT
ND
=
:
kT
2 exp kT"D + 1
(3.4.49)
Comme precedemment, nous allons faire l'hypothese que le semi-conducteur a une bande
interdite relativement large, et donc que p << n, ou, autrement dit, que n >> ni . Endessous de la temperature ambiante, c'est une excellente approximation pour le silicium et
54
n = ND+ =
2 exp
ND
"D
kT
+1
(3.4.50)
Comme n est la quantite d'inter^et, nous devons reecrire 3.4.49 en fonction de cette variable
en utilisant:
EG
(3.4.51)
n = nc exp
kT
et donc
n
E
exp
=
exp G :
(3.4.52)
kT
nc
kT
Finalement, 3.4.49 est reecrite comme une equation du deuxieme degre en n
n
E
"
exp G exp D + 1 = ND
nc
kT
kT
E "
2n2 exp G D + nc n ND = 0:
kT
n2
n
n = c exp
4
(3.4.53)
EG "D 1 n2c
E "
E "
exp 2 G D + nc ND exp 2 G D
kT
2 4
kT
kT
s
(3.4.54)
nc
EG "D
8ND
:
n = exp
1 1+
4
kT
nc exp EGkT "d
ND nc
"A
exp
:
(3.4.55)
2
2kT
L'expression 3.4.55 ressemble a un terme de Boltzman mais ou l'energie d'activation "effective" est de "A =2. A haute temperature, nous pouvons reecrire 3.4.54 avec une autre
approximation car maintenant nc >> ND et donc nous obtenons en developpant la racine:
n=
n=
nc
exp
4
EG "d
kT
1 1+
1
8ND
2 nc exp EGkT "d
n = ND :
(3.4.56)
Nous avons donc derive a nouveau la relation 3.4.42 de maniere plus rigoureuse. Remarquons neanmoins que la relation 3.4.42 n'est pas valable comme limite asymptotique des tres
hautes temperatures. A partir d'une certaine temperature la densite des trous va commencer
a augmenter et, de ce fait, la densite d'electrons augmentera aussi.
En conclusion, en fonction de la temperature, la densite d'electrons va d'abord augmenter exponentiellement avec une energie d'activation "A =2 (regime active), va atteindre un plateau
55
1019
0.6
1018
0.4
1017
1016
densit de porteurs
potentiel chimique
bord de la bande de conduction
Ec/2
1015
1014
500
1000
1500
2000
0.2
(regime de saturation), puis va a nouveau augmenter (regime intrinseque). Ce comportement est montre sur la gure 3.6.
0
2500
Temprature [K]
Figure 3.6: Densite d'electrons en fonction de la temperature, montrant clairement les trois
regimes d'activation, de saturation et intrinseque
j "ij #i
LH j "i
LH j #i
HH j "i
HH j #i
nb particules
2
1
1
1
1
energie
"A
0
0
0
0
etat de l'impurete
ionise
neutre
neutre
neutre
neutre
56
4 exp kT + 2 exp 2kT"A
hni = 4 exp + exp 2 "A :
kT
kT
(3.4.57)
NA = 2
hni = 1 + 4 exp1
"A
kT
:
(3.4.58)
Pour un semi-conducteur dope avec des impuretes de type "p", l'equation de la neutralite
s'ecrit:
p = n + NA :
(3.4.59)
On peut re-deriver une relation similaire a 3.4.54 pour les trous avec les m^emes comportements asymptotiques a basse, moyenne et haute temperature. Par exemple, le regime de
basse temperature est donne par:
r
p=
NA nv
exp
4
"A
:
2kT
(3.4.60)
Chapitre 4
Transport dans les semi-conducteurs
Jusqu'a present, nous avons considere des electrons au repos dans un semi-conducteur a
l'equilibre. Les dispositifs semi-conducteurs, au contraire, sont bases sur le contr^ole du
transport d'electrons et de trous. Pour modeliser ce transport, nous allons partir d'un
modele semi-classique tres important: le modele de Drude.
dv
F = m
dt
v
q E = m
t
qE
qE
v =
t =
:
m
m
57
(4.1.1)
58
(4.1.2)
(4.1.3)
=
q 2 ne
:
m
(4.1.4)
4.1.1 Mobilite
Considerons la relation obtenue entre la vitesse des electrons et le champ electrique dans le
modele de Drude:
q ~
~v =
E:
(4.1.5)
m
Nous allons denir la mobilite comme le rapport entre la velocite des electrons et le champ
electrique applique:
v = E :
(4.1.6)
Par denition, cette mobilite denit la "facilite" a laquelle les porteurs sont acceleres par le
champ electrique. Dans le modele de Drude, la mobilite s'ecrit comme:
q
= :
m
(4.1.7)
= qne :
(4.1.8)
59
!
~jtot = qne E~ + qDe gradn:
(4.2.11)
60
! :
~je = ne e grad
c
(4.2.13)
ne = nc exp
d'ou l'on deduit
c "c
kT
c "c
kT
c = "c + kT ln(ne =nc ):
En inserant 4.2.15 dans 4.2.13, l'on obtient nalement
ln(ne =nc ) =
! " + kT ln(n =n )
~j = ne e grad
c
e
c
!
!
~j = ne e grad"c + ne e kT gradne :
(4.2.14)
(4.2.15)
(4.2.16)
"c est l'energie de la bande de conduction. En consequence, le gradient de cette quantite est
proportionnel au champ electrique:
!
!
grad"c = q grad = q E~ :
(4.2.17)
En comparant les relations 4.2.17 et 4.2.11, nous pouvons identier le coecient de diusion
des electrons De
kT
De = e :
(4.2.18)
q
La relation 4.2.18 est appelee relation d'Einstein. Elle peut ^etre derivee a la base d'arguments
tres generaux.
4.2.1 Exemples
1. Le canal d'un transistor a eet de champ a 1 d'epaisseur, fait 100 de large et 5 de
long. Le dopage est de n = 3 1017 cm 3 . Quelle est sa resistance? Dans les tables,
nous trouvons la mobilite dans le silicium pour un tel niveau de dopage qui donne e =
500cm2 =V s. La conductivite est
= qne e = 1:6 10 19 500 3 1017 = 24
1 cm 1 .
4
La resistance est R = 1 10541010 2 = 20
.
61
je = qe ne E + qe De gradne = 0:
(4.2.19)
62
L'equation 4.3.25 est appelee equation de transport de Boltzman. Elle permet de resoudre
le probleme du transport semi-classique dans le cas general. Neanmoins, le terme @f
est
@t coll
en general dicile a evaluer. Pour simplier, on le decrit par un terme qui exprime la remise
vers l'equilibre d'un distribution pendant un temps , ce qui s'exprime par:
f f0
@f
=
(4.3.26)
@t coll
ou f0 est la distribution d'equilibre et un temps de relaxation vers cette situation d'equilibre.
Dans cette approximation, l'equation de Boltzmann s'ecrit nalement:
!
!
f f0
@f
+ ~vgradr f + ~agradv f =
:
(4.3.27)
@t
Cette equation est appelee "equation de Boltzman dans l'approximation du temps de relaxation". Elle peut ^etre resolue analytiquement dans un petit nombre de situations speciales.
De maniere generale, cette equation est introduite dans des codes numeriques qui permettent
de simuler les performances des dispositifs semi-conducteurs avant m^eme leur fabrication.
EFFET HALL
4.4. CARACTERISATION
DES SEMI-CONDUCTEURS - RESISTIVIT
E,
-I
+I
63
Uxy
L
Uxx
Figure 4.2: Geometrie utilisee pour mesurer la resistivite et l'eet Hall dans les semiconducteurs
La connaissance de permet de deduire la valeur du produit de la densite electronique et
de la mobilite ne mais pas la valeur des termes individuels.
La mesure de l'eet Hall permet de combler cette lacune en mesurant separement la valeur
de la concentration electronique. Pour mesurer l'eet Hall, il sut d'appliquer un champ
magnetique perpendiculaire a la geometrie presentee sur la gure 4.2 et de mesurer la tension
Uxy qui appara^t. Cette tension peut ^etre predite par un argument classique.
Un porteur de charge voyageant dans le cristal sera soumis a deux forces: une force de Lorenz
Fl = q vecv B~ due a la derive des porteurs et une force electrostatique F = q E~ due a
l'accumulation de porteurs aux bords de l'echantillon.
B
qv x B
v
qE
Figure 4.3: La force de Lorenz est compensee par la force electrostatique transverse due a
l'accumulation de porteurs sur les bords de l'echantillon
Un equilibre est atteint lorsque les deux forces sont egales:
~
q~v B~ = q E:
(4.4.30)
64
qE
B
(4.4.31)
B
:
qnt
(4.4.32)
4.5. TRANSPORT SOUS HAUT CHAMP ELECTRIQUE
65
Figure 4.4: Relation entre la vitesse et le champ electrique pour les electrons dans le GaAs
et le Si
Dans cette optique, le silicium a l'avantage par rapport au GaAs d'avoir les vallees
laterales loin (energetiquement) du minimum de la bande de conduction, qui compense
66
Chapitre 5
Dispositifs classiques
5.1 La jonction p-n
La jonction p-n a ete historiquement non pas le premier dispositif a semi-conducteur (le
contact "a galene" a pointe l'etait eectivement) mais le premier a fonctionner de maniere
able.
Elle consiste en un changement abrupt de la nature du dopage du type n au type p. Pour accommoder le changement de position du niveau de Fermi, un champ electrique est forcement
present dans la jonction, creant un potentiel induit Vbi .
a)
n
+
b)
Vbi
Figure 5.1: a) Deux materiaux de type "p" et "n" sont mis ensemble pour former une jonction
(b). Un champ electrique appara^t suite a la necessite d'aligner le potentiel chimique a travers
la jonction
En utilisant les valeurs asymptotiques pour la position par rapport aux bandes du potentiel
67
68
= q (NA
(5.1.5)
Nous allons utiliser une approximation pour les fonctions n(x) et p(x). Nous allons negliger
la zone de transition et faire l'hypothese que soit le potentiel chimique est loin d'un bord de
bande (nous sommes donc dans la zone depletee), auquel cas n = p = 0, soit nous sommes
dans le materiau non perturbe auquel cas = 0.
L'existence d'un champ electrique dans la jonction implique celui d'un potentiel electrostatique
(x) tel que
"(x) = "( 1) q(x)
(5.1.6)
ou "(x) est l'energie de la bande de conduction au point x. Physiquement, dans la zone
depletee, la situation est assez simple et l'equation de Poisson, dans la zone "n", s'ecrit
(avec n = 0):
@ 2
q
= ND
(5.1.7)
2
@x
d'ou
1q
n (x) =
N (x x0n )2 + 0n :
(5.1.8)
2 D
Pour la zone "p", une equation similaire peut s'ecrire:
1q
p (x) = NA (x x0p)2 + 0p:
(5.1.9)
2
69
Il faut maintenant raccorder les deux solutions 5.1.8 et 5.1.9 a l'interface pour obtenir la
largeur de la zone depletee w = x0p x0n. Posons en premier lieu la continuite du champ a
l'interface @
= cst qui implique:
@x
q
q
ND x0n = NA x0p
NA
x0p =
x
ND 0p
en exprimant ce resultat en fonction de w = x0p x0n
ND w
NA w
(5.1.10)
x0n =
:
NA + ND
NA + ND
D'autre part, la fonction (x) doit aussi ^etre continue a l'interface, posons 0p = 0, d'ou
0n = Vbi et donc:
1q
1q
ND x20n + 0n = NA x20p
2
2
1q
Vbi = (NA x20p + ND x20n )
2
(5.1.11)
1 q NA ND2 + ND NA2 2
w:
Vbi =
2 (NA + ND )2
x0p =
De la relation 5.1.11 nous pouvons tirer la largeur de la zone de depletion w qui est donc
donnee par:
s
2 NA + ND
w=
V :
(5.1.12)
q NA ND bi
Cette derivation ne tient pas compte de la zone intermediaire ou le potentiel chimique est
proche des bandes, et ou donc nous avons simultanement n 6= 0 et n 6= ND+ . Il existe une
derivation qui tient compte de cet eet et qui permet de corriger la relation 5.1.12.
Le potentiel de la bande de conduction s'exprime toujours par "(x) ou "(x) = "( 1) q(x)
et, par convention, ( 1) = 0. L'approximation classique pour la densite donne:
"(x)
kT
n = nc exp
(5.1.13)
"(
1)
q
q(x)
= ND exp
(5.1.14)
kT
kT
kT
ou nous avons fait l'hypothese que tous les donneurs sont ionises dans la partie non-depletee.
Inserant la densite electronique n(x) donnee par la relation 5.1.14 dans l'equation de Poisson,
nous obtenons:
@ 2
q
qND
q(x)
=
= [ND n(x)] =
1 exp
:
(5.1.15)
2
@x
kT
n(x) = nc exp
70
@ @ 2
2qND @
kT
q
kT
=
[
exp
0+
@x
q
kT
q
1 @x @x
kT kT
q
2qND @
[ +
exp
:
=
@x
q
q
kT
(5.1.17)
A x = 0, l'interface entre les deux semi-conducteurs, la valeur de (0) = Vn >> kTq ou Vn
est la fraction du potentiel interne qui chute
l'interieur de la zone \n". Pour cette raison,
a
q
kT
nous pouvons negliger le terme q exp kT dans l'expression 5.1.17. Le champ electrique
E = @
a x = 0 est donc obtenu a l'aide de la relation 5.1.17:
@x
E
kT
2qND
Vn
q
s
2qND
kT
Vn
E =
q
2
E=
2qNA
Vp
(5.1.18)
kT
:
q
En elevant 5.1.18 au carre et en utilisant Vbi = Vn + Vp , nous pouvons reecrire 5.1.18 comme:
s
2kT
2q NA ND
Vbi
:
(5.1.19)
NA + ND
q
Le champ electrique trouve dans la relation 5.1.19 est le m^eme que celui qui serait present
si une region de longueur wn avait ete completement depletee avec
E =
E
=
wn =
qND
2
NA
V
q ND (NA + ND ) bi
2kT
:
q
(5.1.20)
De facon parfaitement similaire, nous pouvons ecrire une relation semblable pour la partie
depletee du c^ote "p" de la jonction:
wp =
E
=
qNA
2
ND
V
q NA (NA + ND ) bi
2kT
:
q
(5.1.21)
71
w=
2 NA + ND
V
q NA ND bi
2kT
:
q
(5.1.22)
w=
2 12 8:85 10 12
2
(1:12 + 0:05) = 0:56m:
19
6
1:6 10
10 1016
(5.1.23)
2. w est contr^ole par le dopage le plus faible: si par exemple NA >> ND nous avons:
NA + ND
NA ND
et w peut s'ecrire:
w=
N1
2
V
qND bi
(5.1.24)
2kT
:
q
(5.1.25)
w=
2 NA + ND
V + Vbi
q NA ND
2kT
:
q
(5.1.26)
72
-V
Figure 5.2: Prol d'une jonction sous un fort potentiel applique (negatif)
4. La jonction se comporte comme un condensateur dont les plaques sont separees par
une distance w. La capacite de la jonction est simplement:
A
C=
(5.1.27)
w
ou la largeur de depletion est donnee par la relation 5.1.26 et A est la surface de la
jonction. La mesure de la capacite d'une jonction en fonction de la tension appliquee
est une technique standard de caracterisation des semi-conducteurs qui permet de
retrouver le prol de dopage.
Figure 5.3: Longueur de la zone de depletion en fonction du dopage pour une jonction p-n
de silicium
73
E [eV]
-qn
-qp
Ec
EF
Ev
x
Figure 5.4: Structure de bande d'une jonction avec une tension positive appliquee
Nous allons commencer par traiter le probleme de maniere simpliee. L'idee fondamentale
de cette approche est d'estimer ce courant par un argument thermodynamique. Soit jonction
sans tension appliquee, et a l'equilibre thermique. La probabilite pour qu'un electron de la
bande de conduction, du c^ote "n" de la jonction, passe au-dessus
de la barriere de potentiel
formee par la partie "p", est proportionnelle a exp qVkTbi . Nous sommes donc en presence
d'un courant d'electrons
qVbi
(5.1.28)
Jge = J0n exp
kT
ou l'indice "g" indique que ce courant est un courant de generation. Or il est clair qu'a
l'equilibre thermique, aucun courant ne peut traverser la jonction. Le courant 5.1.28 est
forcement compense exactement par un courant Jre genere par les electrons excites thermiquement du c^ote "p" de la jonction et qui "redescendent" la jonction du c^ote "n". Il est
important de noter que ce courant Jre ne depend pas du potentiel applique dans la
jonction et en particulier de Vbi
qVbi
= Jre :
(5.1.29)
kT
De m^eme, pour les trous nous avons par le m^eme argument deux courants qui vont se
compenser:
qVbi
Jgh = J0p exp
= Jrh :
(5.1.30)
kT
Pourquoi les courants de trous d'electrons doivent s'annuler individuellement? La raison est
que Jgh et Jge sont independants: ils sont par exemple chacun proportionnel au dopage dans
leur region respective. Pour cette raison, ils doivent ^etre compenses individuellement par les
courants Jre et Jrh . A l'equilibre, le courant total est evidemment nul:
Jge = J0n exp
(5.1.31)
Lorsqu'une tension V est appliquee a la jonction, les courants Jge;h vont augmenter, par
contre les courants Jre;h vont eux rester constants. Le courant total s'ecrira donc
q
Jtot = (J0n + J0p ) exp
(Vbi V ) + Jre + Jrh :
(5.1.32)
kT
74
Nous pouvons remplacer Jrh et Jre par leur valeur donnee par les relations 5.1.29 et 5.1.30 et
obtenons:
qVbi
qV
Jtot = (J0n + J0p ) exp
exp
1
kT
kT
(5.1.33)
qV
= Js exp
1:
kT
L'allure generale de la relation courant-tension d'une diode (en echelle lineaire) est reportee
sur la gure 5.5.
Courant I [Js]
-2
-4
Js
-2
Tension V [1/kT]
Figure 5.5: Caracteristique courant-tension d'une diode selon la relation 5.1.33
Quelques remarques supplementaires:
1. Cette theorie ne predit pas la valeur du courant Js . Il peut en principe ^etre mesure
experimentalement en regardant la caracteristique de la diode polarisee en inverse, ou,
de maniere plus able, en ajustant cette valeur pour reproduire la caracteristique en
polarisation directe.
2. Ce courant J0 depend du dopage et surtout de la largeur de la bande interdite (via le
terme exp qVkTbi ). Les diodes ayant une faible valeur de Js auront une large bande
interdite et des dopages relativement eleves (voir la relation 5.1.2).
3. De maniere tres approximative, le courant dans une jonction devient important lorsque
V Vbi qEG .
4. Qu'arrive-t-il aux electrons et trous injectes dans la jonction? Il vont se recombiner
de maniere radiative (en emettant de la lumiere) dans les materiaux a bande interdite
directe et de facon non-radiative dans les materiaux indirects. Les diodes lumineuses
(LED, pour Light Emitting Diodes) doivent ^etre polarisees en direct pour fonctionner.
75
J = Jn + Jp
(5.1.34)
Jn = qn nE + qDn rn
Jp = qp pE + qDprp:
(5.1.35)
Dn =
kT n
kT p
; Dp =
q
q
(5.1.36)
kT @n
q @x
kT @p
Jp = qp pE +
:
q @x
Jn = qn nE +
(5.1.37)
Dans une approche via l'equation de derive-diusion, nous avons donc deux "moteurs" pour
. De plus
un courant de porteurs: le champ electrique E et un gradient de concentration @n
@x
nous allons aussi imposer l'equation de continuite pour les electrons. En resume, elle exprime
que les electrons sont soit: transportes, accumules, crees ou detruits.
@n
1
= Gn Un + div J~n
@t
q
@p
1
= Gp Up + div J~p
@t
q
(5.1.38)
ou Gn ,Gp sont les taux de generation, Un et Up les taux de recombinaison des electrons,
respectivement des trous. Pour la recombinaison, nous allons utiliser un modele dans lequel
le temps de vie d'un porteur minoritaire est independant de la densite de:
Un =
np
n
np0
; Up =
pn
p
pn0
(5.1.39)
76
Pour les concentrations d'equilibre, nous allons faire l'hypothese de distributions classiques.
De plus, pour simplier l'ecriture des equations, nous allons mesurer les energies par rapport
a un niveau intrinseque Ei , situe approximativement au milieu de la bande interdite au lieu
d'utiliser le sommet de la bande de valence comme on fait d'habitude. Le niveau intrinseque
Ei est deni par l'equation:
Ec
Ei
n = nc exp
= ni exp
(5.1.40)
kT
kT
p
ou n2i = np est la concentration intrinseque (rappel: egale a = nc nv exp( Eg =kT )). En
inserant cette derniere relation dans 5.1.40, nous obtenons l'equation denissant le niveau
intrinseque:
r
nc
E Eg =2 Ei
= exp c
:
(5.1.41)
nv
kT
Pour xer les idees, remarquons que si nc = nv (m^emes masses eectives pour les bandes de
conduction et de valence) nous avons que Ei = Eg =2. En pratique, Ei reste toujours proche
du milieu de la bande interdite. Reecrivons nos concentrations en fonction des potentiels
(au lieu d'energies):
Ei
= ni exp q
n = ni exp
kT
kT
(5.1.42)
Ei
= ni exp q
p = ni exp
kT
kT
ou est le potentiel chimique = =q et le potentiel du niveau intrinseque = Ei=q .
A l'equilibre thermique, un seul potentiel sut pour decrire les electrons et les trous. Ceci
n'est plus vrai sous injection. Dans ce cas, nous allons faire l'hypothese que les populations
de trous et d'electrons sont chacune thermalisees individuellement mais qu'elles n'ont pas le
m^eme potentiel chimique. Sous injection, les concentrations d'electrons et de trous s'ecrivent:
q
n = ni exp
( n )
kT
(5.1.43)
q
(p ) :
p = ni exp
kT
En inversant ces relations, nous obtenons:
n
kT
n =
ln
q
ni
(5.1.44)
kT
p
p = +
ln
:
q
ni
Notons encore que nous avons pour le produit n p:
q
(p n ) :
(5.1.45)
n p = n2i exp
kT
Ce produit peut maintenant ^etre plus grand ou plus petit que n2i :
En injection directe p n > 0 et n p > n2i
(5.1.46)
En injection inverse p n < 0 et n p > n2 :
i
77
r :
(5.1.47)
En substituant cette derniere relation 5.1.47 dans la relation pour le courant 5.1.37 nous
obtenons:
@
kT @
q
kT
Jn = qn nE +
= qn n
+ qn
n exp
( n ) =
q
@x
q @x i
kT
@
kT q @ @ n
@
qn n
+ qn
n
= qn n n :
@x
q kT @x @x
@x
(5.1.48)
Jp = qpp
p
:
@x
(5.1.49)
V = p
n :
(5.1.50)
Pour resoudre le probleme de la distribution du courant, nous allons devoir faire des hypotheses sur la forme de la distribution des potentiels chimiques n et p . En fait, nous
allons diviser la jonction en deux regions distinctes: la zone de depletion, ou un champ
electrique est present mais ou les potentiels n et p sont constants et la zone de diusion,
ou le champ electrique E est nul mais les potentiels varient. Cette hypothese est montree
schematiquement sur la gure 5.6.
E [eV]
-qn
-qp
Ec
EF
Ev
x
np pp = n2i exp
q
kT p
n
q
= n2i exp
:
kT
(5.1.51)
78
pn
pn0
p
pn
p
pn0
1@
q @x
qDp
@pn
= 0:
@x
(5.1.55)
D'ou, nalement:
@ 2pn pn pn0
:
(5.1.56)
@x2
Dp p
L'equation 5.1.56 est une equation dierentielle a terme constant
de la forme y 00 y = cst
p
qui possede une solution generale de la forme y exp( x) et une solution particuliere
y = cst. Applique a 5.1.52, nous obtenons:
x x
(5.1.57)
pn (x) = a exp p n + pn0 :
Dp p
La
p solution 5.1.57 est habituellement exprimee en terme d'une longueur de diusion Lp =
Dp p. De plus, la valeur de pn (x) est connue a x = xn , elle est egale a pn (x = xn ) =
qV
pn0 exp kT
. Cela nous permet de xer la valeur de la constante a dans 5.1.57 qui s'ecrit
donc:
pn (x = xn ) = a + pn0
(5.1.58)
i
h
qV
a = pn0 exp
1 :
(5.1.59)
kT
D'ou, nalement, le resultat pour la concentration nale en fonction de la distance:
"
qV
pn = pn0 exp
1 exp
kT
x xn
+1 :
Lp
(5.1.60)
5.2. BARRIERE
SHOTTKY
79
qV i
qDn nn0 h
exp
1:
Jn =
Ln
kT
(5.1.62)
Le courant peut ^etre majoritairement d^u aux electrons ou aux trous suivant la valeur
respective des longueurs de diusion Ln et Lp , des constantes de diusion Dn et Dp
ainsi que des concentrations d'equilibre des porteurs minoritaires pn0 et nn0 .
80
Niveau du vide
s
EF
EF
mtal
semiconducteur dop n
Figure 5.7: La jonction Schottky est formee par un metal mis en contact avec un semiconducteur dope
En pratique, les niveaux de Fermi des metaux on tendance a s'aligner approximativement
avec le milieu de la bande interdite. Pour cette raison, le prol de potentiel de la jonction
aura un aspect tres dierent selon que le semi-conducteur est dope "n" ou "p".
a)
mtal
b)
"n" semiconducteur
+
++
++ +
EF
---
EF
Figure 5.8: a) Barriere Schottky formee sur un materiau semi-conducteur "n". La barriere
Schottky forme une zone depletee de largeur w. b) Jonction Schottky sur un materiau dope
"p"
Exactement de la m^eme maniere que pour la jonction p-n, une zone depletee appara^t a la
jonction des deux materiaux. Sa largeur w, pour une tension appliquee V , est donnee de
maniere similaire par la relation:
s
w=
2s
V
qND bi
kT
:
q
(5.2.66)
JONCTION
5.3. TRANSISTOR A
81
Le potentiel interne de la jonction Vbi s'evalue en fonction des potentiels du vide par:
Vbi = m
s
qVn = qVn = B
(5.2.67)
A =
4qmkB2
h3
(5.2.69)
ou m est la masse eective du semi-conducteur. Pour des electrons libres (m = m0 ), A
vaut 120A=cm2 K 2 . Attention, pour le Si et le Ge, comme le tenseur de masse est anisotrope,
cette constante depend de la direction. Le resultat est
A
A
(5.2.70)
(5.2.71)
Il est important de considerer la nature du courant dans une jonction Schottky: c'est un
courant de porteurs majoritaires contrairement a celui qui circule dans une jonction p-n:
porteurs minoritaires. Pour cette raison, il n'y a pas de constante de temps associee au stockage des porteurs minoritaires. La jonction Schottky est de ce fait un dispositif extr^emement
rapide. En eet, des jonctions Schottky miniatures (pour minimiser leur capacite) permettent de rectier des signaux jusqu'a des frequences de centaines de gigaghertz.
82
Vg
Vc
Figure 5.9: Description schematique d'une triode. Le potentiel entre la grille et l'anode (Vg )
permet de contr^oler le courant circulant entre l'anode et la cathode
Le transistor a jonction est, fondamentalement, base sur le contr^ole du transport des porteurs
minoritaires. Comme montre sur la gure 5.10, il est forme de deux jonctions p-n accolees.
On peut donc construire un transistor npn ou pnp. La terminologie veut que l'on appelle les
trois zones: emetteur, base et collecteur, avec dans un transistor npn, un courant d'electrons
circulant de l'emetteur au collecteur et, pour le transistor pnp, un courant de trous circulant
de l'emetteur au collecteur. La g. 5.11 montre schematiquement un processing d'un tel
transistor a jonction.
E
Base
Emetteur
-- - - n
npn
Je
p
+
Jh
+++
B
-
Collecteur
E
n
pnp
B
C
Figure 5.10: Description schematique d'un transistor npn. Les trois regions sont appelees,
de gauche a droite, emetteur, base et collecteur. Le symbole representant le transistor pnp et
npn est aussi decrit sur la gure. Les porteurs minoritaires injectes par l'emetteur transitent
via la base et sont collectes par le collecteur
JONCTION
5.3. TRANSISTOR A
83
collecteur
p
n
n+
SiO2
(a)
base (I/I)
(a)
p-substrate
polysilicium
Si3N4
As, P I/I
B I/I
n epitaxy
(b)
(b)
SiO2
(c)
(c)
84
ou
p
p
= D
hF E =
@IC
=
=
@IB 1
npB
E
nB DB LE
w
coth
pE DE LB
LB
1
NE
N
= E:
w
NB w QB
1, le gain (en
(5.3.75)
(5.3.76)
E G
DN NE wE
exp
:
DP NB w
kT
(5.3.77)
ou wE est l'epaisseur de l'emetteur. La chose importante est de noter la dependance exponentielle en exp kTEG qui permet d'augmenter les performances du dispositif de maniere
signicative. La gure 5.13 montre la dierence entre les performances a haute frequence
d'un transistor a homojonction Si et un transistor a heterojonction SiGe.
JONCTION
5.3. TRANSISTOR A
a)
85
Emetteur
Base
p-SiGe
n-Si
Collecteur
n-Si
b)
-- - - n
p
+
X
n
Figure 5.12: Description schematique d'un transistor npn a heterojonction. L'emetteur est
du Si, la base du Si-Ge qui a une bande interdite plus faible. La majorite de la discontinuite
des bandes a lieu dans la bande de valence
Figure 5.13: Frequence maximale d'operation de transistors Si et Si-Ge. Ces derniers sont
maintenant couramment utilises dans les telephones cellulaires
86
G
S
p
n-Si
Figure 5.14: Transistor a eet de champ J-FET base sur une jonction p-n
Dans sa version la plus simple, le transistor a eet de champ (FET, pour \Field Eect
Transistor" en anglais) consiste en une jonction p-n laterale sur un semi-conducteur dope.
La zone de depletion de cette jonction p-n va s'etendre dans le semi-conducteur, modiant
sa conductivite. Historiquement, ce transistor a ete plus long a mettre au point a cause de
la diculte de fabriquer un canal dope etroit. Cette idee de base a eu un grand nombre de
variations, comme le montre le graphique ci-dessous.
SINGLE CHANNEL
Si JFET
V-GROOVE
MULTICHANNEL
JFET
DIFFUSED
GaAs JFET
GROWN
HETEROJUNCTION
Si MESFET
FET
SINGLE GATE
MESFET
GaAs MESFET
DUAL GATE
INTERDIGITAL
STRUCTURE
InP MESFET
HETEROSTRUCTURE
MESFET
NMOS, PMOS
CMOS
HMOS
Si MOSFET
DMOS, DIMOS
MOSFET
VMOS
SOS, SOI
GaAs MOSFET
EFFET DE CHAMP
5.4. LES TRANSISTORS A
87
La distinction la plus importante est la nature de la jonction de contr^ole qui peut ^etre soit
une jonction p-n (J-FET), une jonction Schottky (MESFET) ou encore une jonction MetalOxide-Semi-conducteur (MOSFET). Le MOSFET est le dispositif probablement le plus important aujourd'hui a cause de ses nombreuses applications notamment pour la logique et
l'electronique digitale. Considerons un MOSFET typique:
D
G
S
SiO2
n ou p-Si
depletion
Ef
p-
88
A
Vth = 0 (VG
d
qns A = C (VG
Vth ):
(5.4.79)
(5.4.80)
ns = 0 (Vg Vth )
qd
et est proportionnelle a la tension de grille Vg . Vth est donc la tension de seuil a partir de
laquelle le canal devient conducteur. En pratique le MOSFET a la geometrie suivante:
Source L
Drain
Grille
Figure 5.18: Disposition des electrodes dans un FET. Le courant circule dans un canal de
longueur L (sous la grille) et de largeur w
Par denition, la densite de courant J est
J = qnE
(5.4.81)
EFFET DE CHAMP
5.4. LES TRANSISTORS A
89
(5.4.82)
ou ns est la densite d'electrons par unite de surface sous la grille. La transconductance gm
s'ecrit donc:
@ (qw qd0 (Vg Vth )) 0w
@I
gm = SD =
=
V :
(5.4.83)
@VG
@Vg
dL SD
La transconductance d'un FET comprend donc dierents facteurs d'origines diverses:
w
et donc un canal court mais large
Geometrie La transconductance est proportionnelle a dL
est favorable.
Chapitre 6
Dispositifs optoelectroniques et
quantiques
6.1 Emission de la lumiere interbande
Dans un semi-conducteur direct, un electron eectuant une transition de la bande de conduction a la bande de valence peut le faire en emettant un photon. Dans un materiau avec
une bande interdite indirecte, par contre, ce processus ne peut s'eectuer qu'en combinant
l'emission d'un photon avec celle d'un phonon, comme montre sur la gure 6.1.
b.c.
b.c.
photon
b.v.
phonon
photon
b.v.
k
0
Semiconducteur direct
Semiconducteur indirect
Figure 6.1: Emission dans un materiau semi-conducteur avec une bande interdite directe
(gauche) et indirecte (droite). Dans ce dernier cas, l'emission de photon est accompagnee
d'un phonon
Calculons en premier lieu le vecteur d'onde du photon pour une longueur d'onde caracteristique de 1m. Il est donne par:
kphot =
2
= 6:3 106 m 1 :
(6.1.1)
Comparons cette valeur a celle obtenue pour un electron qui aurait une energie thermique a
90
6.1. EMISSION DE LA LUMIERE
INTERBANDE
91
p
kel = 2m kT ~2 = 2:1 108 m 1 :
(6.1.2)
Par consequent, nous pouvons, dans la majorite des cas, negliger le vecteur d'onde du photon
compare a celui de l'electron. Les transitions optiques sont donc \verticales" dans l'espace
reciproque.
h EG
(6.1.3)
hc 1
q (EG =q )
1:24
[] =
:
Eg [eV ]
=
(6.1.4)
(6.1.5)
Figure 6.2: Jonction p-n dans une situation de forte injection. La lumiere est emise dans
une region de largeur egale a la somme des longueurs de diusion des porteurs minoritaires
92
CHAPITRE 6. DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES
ET QUANTIQUES
Comme nous l'avons vu au chapitre precedent, les porteurs minoritaires diusent chacun
dans la region opposee. L'emission aura donc lieu dans une region dont la largeur est egale
a la somme des deux longueurs de diusion (electrons dans la partie \p" et trous dans la
partie \n").