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Chapitre : 1 Notions de physiques des semi-conducteurs L3 lectronique

Notions de Physique
des semi-conducteurs

Contenu de la matire

CHAPITRE 1 : Notions de physique


des semi-conducteurs
CHAPITRE 2 : Jonction PN

CHAPITRE 3 : Transistor bipolaire

CHAPITRE 4 : Transistors effet


de champ:

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Chapitre : 1 Notions de physiques des semi-conducteurs L3 lectronique

Rfrences
1. H. Mathieu ; Physique des semiconducteurs et des
composants lectroniques ; 6e dition, Dunod, 2009.
2. M. Mebarki ; Physique des semiconducteurs ; OPU,
Alger, 1993.
3. C. Ng et H. Ng ; Physique des semi-conducteurs ; 4e
dition, Dunod.
4. J. Singh ; Semiconductors Devices: An Introduction;
McGraw Hill, 1994.
5. D.A. Neamen ; Semiconductor Physics and Devices: Basic
Principles; McGraw Hill, 2003.
6. McMurry and Fay; Chemistry; Prentice Hall; 4th edition,
2003.

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Chapitre 1

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II. Structure de ltat solide

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II.2. Quelques proprits

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III. Bandes dnergie


chaque lectron possde un niveau dnergie dtermin.
1. Les deux derniers sont : la bande de valence si llectron est attach latome ;
2. La bande de conduction si cet lectron se libre de latome (On dit alors quil est
libre).

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Pour illustrer ce phnomne, la reprsentation nergtique de la Figure est particulirement


adapte. La distance nergtique sparant les bandes de conduction et de valence est appele :
gap . Sa valeur dtermine la plus ou moins bonne conductivit du matriau : plus le
gap est faible, plus le matriau est conducteur.

La couche de valence dun atome reprsente une bande dun certain niveau nergtique et
que les lectrons de valence sont confins cette bande.

Lorsquun un lectron acquiert assez dnergie additionnelle dune source


externe, il peut quitter la couche de valence, devenir un lectron libre et exister
dans ce que lon dsigne comme tant la bande de conduction.

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Les bandes dnergie dans les isolant les conducteurs et les semi conducteurs

3.1. Bande interdite dun isolant

Un matriau isolant possde un gap lev. Tous les lectrons de la couche priphrique sont
utiliss dans les liaisons chimiques covalentes. A la temprature de 0 K, il ny a pas
dlectrons dans la bande de conduction. Une lvation de la temprature peut toutefois
apporter lnergie ncessaire au passage de certains lectrons dans la bande de conduction,
mais temprature ambiante, cette probabilit est trs faible, et le matriau reste isolant

3. 2. Bande interdite dun S/C

Un semi-conducteur possde un cart nergtique plus restreint, permettant quelques


lectrons de sauter vers la bande de conduction et devenir des lectrons libres (figure.b).

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Un matriau semi-conducteur (SC) est un isolant possdant un faible gap. Il est parfaitement
isolant 0 K, mais devient progressivement conducteur lorsque la temprature augmente ou
par apport dnergie sous une forme quelconque (lumire ou tout rayonnement
lectromagntique, chauffage, etc.). Sil est pur on dit que le semi-conducteur est
intrinsque cest un lment chimique de valence 4 (la couche priphrique comporte 4
lectrons

3. 3 Bande interdite dun Mtal ou conducteur

Les bandes nergtiques se chevauchent dans un conducteur. Dans un matriau


conducteur, il existe toujours un grand nombre dlectrons libres figure .

Dans un matriau conducteur, les liaisons chimiques nutilisent pas tous les lectrons
de la couche priphrique. Ceux qui sont excdentaires sont alors libres de circuler et
se dplacent naturellement dans la bande de conduction (mme 0 K). Ceci se traduit
par un gap nul ou ngatif : les bandes de conduction et de valence se chevauchent.

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IV. Semi-conducteurs non dop ou intrinsque (pure)

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4.1 Hauteur de la bande interdite

4.2 Phnomne de recombinaison des lectrons libres

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IV.2.Concentration ni des lectrons et des trous dans le silicium pur

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V. Semi conducteur extrinsque


Dopage : Les conductibilits du silicium et du germanium peuvent tre augmentes de faon
drastique (svre) et contrles par laddition dimpurets dans le semi-conducteur
intrinsque ( pur ). Ce procd, appel dopage, augmente le nombre de porteurs de courant (
lectrons et trous ). Les catgories dimpurets sont de type N et de type P.

V.1.Semi conducteur Type N


Pour augmenter le nombre dlectrons de la bande de conduction dans un silicium
intrinsque, on ajoute des atomes dimpuret pentavalents. Ce sont des atomes avec
cinq lectrons de valence, tels larsenic ( As), le phosphore ( P), le bismuth ( Bi) et
lantimoine ( Sb).Dans un semi-conducteur de type N, les lectrons libres sont
majoritaires alors que les trous sont minoritaires

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V.2.Semi conducteur Type P

Pour augmenter le nombre de trous dans le silicium intrinsque, on ajoute des atomes
dimpuret trivalents. Ce sont des atomes avec trois lectrons de valence, tels laluminium (
Al ), le bore (B) et la gallium ( Ga) (fig.) . Le nombre de trou peut tre contrl par la quantit
dimpuret trivalents ajoute au silicium. Un trou cre par cette mthode de dopage nest pas
accompagn dun lectron de conduction ( libre). Dans un semi-conducteur de type P, les
trous sont majoritaires et les lectrons sont minoritaires

On appelle atomes accepteurs les atomes trivalents que lintroduit dans le semi-conducteur
pour le rendre extrinsque de type ; ces atomes sont susceptibles daccepter un lectron de
valence. On parle dun dopage de type P.

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3.
La conductivit

La conductivit est un paramtre qui indique la facult de conduction de courant


lectrique dun matriau, plus elle est grande, plus le matriau est un bon conducteur
de courant.

Pour un semi-conducteur elle sexprime en fonction des densits de porteurs et de


leurs mobilits.

=q ( nn + pp )
n : Mobilit pour les lectrons
p : Mobilit pour les trous
n:densit des porteurs pour les lectrons
p:densit des porteurs pour les trous

4. Rsistivit
La rsistivit est linverse de la conductivit, cest un paramtre qui indique le pouvoir isolant
du matriau. Plus la rsistivit est lev plus le matriau est isolant. = 1/

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5. Courant de conduction des porteurs

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6. Phnomne de Diffusion et courant de diffusion

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