TRANSPORT DE CHARGES DANS LES SEMICONDUCTEURS

Densit de courant dans une jonction PN

I. Mcanisme de conduction
Densit de courant de conduction

Si on applique un champ lectrique uniforme E, les lectrons subissent une force lectrostatique
F= q.E qui favorise leur dplacement dans le sens oppos du champ lectrique. Les trous se
dplacent dans le mme sens que le champ lectrique. Ce dplacement est lorigine du courant de
conduction (courant de drive : drift current). Pour des champs de faible intensit, la vitesse
quacquirent les charges est proportionnelle au champ lectrique :
v = .E
V est appele vitesse de drive ou vitesse drift, et la mobilit du porteur de charge.
Suivant le type du porteur de charge, sa vitesse scrit :

- Pour les lectrons :

vn= - n.E (1)
n est la mobilit des lectrons.

- Pour les trous :

vp= p.E (2)
p est la mobilit des trous.

La mobilit est une grandeur positive, elle sexprime en (cm2V-1s-1). Cest est une grandeur qui
traduit la performance des dispositifs lectroniques.

Mobilit cm2 V-1 s-1 Mobilit cm2 V-1 s-1

Cristal Electrons Trous Cristal Electrons Trous

Si 1600 400 InP 3400 650
Ge 3800 1800 GaSb 2500 650
GaAs 8500 400 PbS 600 200
InSb 77000 1250 PbSe 900 700
InAs 23000 100 PbTe 17000 -
Tableau 1. Mobilits des lectrons et des trous des semi-conducteurs cristallins

La densit de courant de conduction dlectrons est donne par:

Jn= - q.n.vn (3)
Les quations (1) et (3), donnent la densit de courant de conduction et la conductivit des lectrons :
JCn= q.n.n.E et n= q.n.n (4)

Pour les trous, la densit de courant et la conductivit sont :

JCp= q.p.p.E et p= q.p.p (5)

La densit de courant totale JCtot est alors proportionnelle au champ lectrique et la conductivit

1
 (-1 cm-1S cm-1) du cristal.
JC tot =q (n n + p p ) E = E (6)
avec = n+p
Dans un semi-conducteur, le courant de conduction total est la somme de 2 composantes : celle cre
par le dplacement des lectrons libres de la BC et celle cre par le dplacement des trous de la BV.

Cas dun semiconducteur intrinsque

Dans un semi-conducteur intrinsque : n = p = ni donc : i = q ni (n + p) (7)

Les mobilits diminuent en fonction de la temprature, mais n i augmente exponentiellement donc la

conductivit i augmente beaucoup avec la temprature.
La rsistance d'un chantillon de semi-conducteur intrinsque diminue quasi exponentiellement quand
la temprature augmente. Cette proprit est exploite en thermomtrie (thermistance).

II. Mcanisme de diffusion

Densit de courant de diffusion
Dans un matriau inhomogne, les concentrations n et p varient avec la position. A lquilibre
thermodynamique, le niveau de Fermi sera constant dans tout le cristal.
Sil existe un gradient de concentration le long de ox, les porteurs se dplacent des rgions de fortes
concentrations vers celles de faibles concentrations. Cest le phnomne de Diffusion. Il y aura
apparition dun courant de diffusion lectronique qui tend uniformiser la densit dlectrons.
La cration dune distribution non uniforme (gradient de concentration des porteurs), peut se faire
avec:
- un dopage non uniforme ;
- un clairement par des photons dnergie Eg ;
- une injection des porteurs au moyen dune jonction.

II.1. Diffusion des trous

Considrons un barreau de S.C. de type N soumis une source lumineuse intense sur lune de ses faces
(figure 1). Les trous en surplus, vont diffuser de la gauche vers la droite du barreau. Ces trous
supplmentaires vont se recombiner avec les lectrons majoritaires du Si N et leur population
diminue en fonction de x.
On obtient un phnomne de diffusion des trous excdentaires conduisant une densit de courant de
diffusion des trous : JDp proportionnelle au gradient de concentration.
La densit de courant des trous est :

(8)

o p(x) est la concentration des trous en fonction de x, et Dp la constante de diffusion des trous, avec :
ou relations dEinstein

2
 Figure 1 : Diffusion des trous dans le silicium N non homogne

Remarque : est ngatif, sachant que JDp est dirig dans le sens des x positif, il faut affecter
lexpression de JDp du signe ( - ).
Ainsi on peut tirer lexpression de la densit totale de courant dans un semi-conducteur :
J = Jn+Jp
avec
Jn = q.n .n.E + q.Dn .n
Jp = q.p .p.E q.Dp .p

Compte tenu de la relation dEinstein, on a :

Jn = n (q.n.E + kT n)
Jp = p (q.p.E - kT p) (9)

II. 2. Diffusion des lectrons

Considrons un barreau de S.C. de type P clair par une source lumineuse intense sur lune de ses
faces (figure 2).

Figure 2 : Diffusion des lectrons dans le silicium P non homogne

3
Par lapport dune nergie ( h Eg), cette source lumineuse va produire, une gnration locale
de paires lectrons-trous. En effet, au niveau de la surface claire, on cre un excs dlectrons
n(x = 0) par rapport lquilibre o n0= ni /p. Les lectrons en surplus, vont diffuser de la
gauche vers la droite du barreau. Ces lectrons supplmentaires sont recombins avec les trous
majoritaires du Si P et leur population diminue en fonction de x selon une loi exponentielle.
La densit de courant de diffusion des lectrons est proportionnelle au gradient de concentration
des lectrons :

(10)

o n(x) est la concentration des lectrons en fonction de x, et Dn la constante de diffusion des

lectrons. Cette dernire est lie la mobilit par la relation dEinstein :
ou (11)

avec VT = kT/q est le potentiel thermique,

300 K VT= 25.9 mV

Remarque : dn(x)/dx est ngatif donc JDn est dirig dans le sens des x ngatifs sur la figure 2.

Cas du Silicium 300 K : n=1200 cm/V.s, p= 300 cm/V.s, Dn=30 cm/s, Dp= 7.5 cm/s.

III. Relation de Boltzmann gnralise

Le mcanisme li la diffusion donne lieu lapparition dune ddp entre deux points d'un mme
solide qui prsentent des concentrations en porteurs diffrentes. Cette proprit importante est
donne par la relation de Boltzmann qui permet de calculer cette diffrence de potentiel.
Si on considre un barreau d'un semi-conducteur dop P dans lequel les concentrations en trous aux
points x1 et x2 sont respectivement p1 et p2 avec p1 > p2 (voir figure 3), il va se crer une diffusion de
trous de x1 vers x2. Cette diffusion de charges +q vers x2 entrane un excs de charges en ce point et
donc lapparition dun champ lectrique interne E qui va s'opposer la diffusion des trous.

Jdiff
SC (P)
Potentiel V1 Potentiel V2

p1=p(x1) p2=p(x2)
Jcond

x1 x2 x
Figure 3 : Equilibre des courants dans un Semi-conducteur concentration non uniforme,

On observe donc une ddp (V2 - V1) > 0 qui sera telle que le courant global, somme des courants de
diffusion Jdiff et Jcond soit nul.

Le courant total d aux trous est: Jp = J pdiff + J pcond=

A lquilibre, ce courant doit tre nul donc le champ interne E est donn par:

4
 (12)

En intgrant l'quation (2.13) entre x1 et x2 et en tenant compte de la dfinition du potentiel

E=
, on obtient la relation de Boltzmann liant les concentrations p1 et p2 aux potentiels V1
et V2 aux points x1 et x2:

(13)

Le potentiel de diffusion est donn par :

(14)
Exemple: Cas d'une jonction PN.
Dans le semi-conducteur de type p, on a : p1 = NA = 1017cm-3;
Dans le semi-conducteur de type n, on a :
p2= pn0 = = (1010)2 / 1016 ; kT/q = 26 mV ( 300 K)

do V2 V1 = 26 Ln [1017 x 1016/(1010) 2] = 777 mV

qui correspond la barrire de potentiel Vd de la jonction PN au silicium.

IV. Gnration et recombinaison des porteurs

Aux mcanismes de gnration de porteurs s'opposent des mcanismes de recombinaison.
* A l'quilibre thermodynamique, la gnration et la recombinaison se compensent exactement.
La densit des trous (p0) et des lectrons (n0) sont indpendantes du temps (stationnaires) et suivent
la loi d'action de masse:
n0 p0 = ni2 (cm-6)

* Hors quilibre thermodynamique (en soumettant le semi-conducteur un rayonnement dnergie

>Eg), la densit des lectrons devient :

n = n0 + n (n : cart par rapport l'quilibre)

la densit des trous sera :
p = p0 + p (p : cart par rapport l'quilibre)
et :
np= (n0 + n)( p0 + p) ni2 (cm-6)

Lors de ltude des structures semi-conductrices, on travaille souvent dans le rgime de faible
injection, qui consiste supposer que la variation des porteurs (majoritaires et minoritaires) reste
faible devant la densit de porteurs majoritaires :
Dans un type N : n et p << n0 Nd
Dans un type P : p et n << p0 Na

5
 IV.1. Processus de gnration : cration de porteurs

La cration de porteurs libres dans le semi-conducteur est caractrise par le taux de gnration qui
mesure le nombre de porteurs crs par unit de volume et unit de temps, G (cm -3.s-1).
Gn est le taux de gnration dlectrons dans la BC ;
Gp est le taux de gnration des trous dans la BV.
Ce paramtre rsulte de la somme de deux types de gnration de porteurs :
- La gnration spontane due lagitation thermique et
- La gnration induite due une excitation par une source extrieure.

Dans cas de lexcitation induite, l'nergie relative la perturbation extrieure peut tre apporte par :
- un photon (excitation optique),
- une particule trs nergtique (radiation ionisante ou porteurs acclrs),
- un champ lectrique intense.

Remarque : La gnration induite sannule quand la perturbation est supprime contrairement la

gnration thermique qui elle existe toujours (aux tempratures usuelles).

IV.1.1 Gnration par photons

- Si l'nergie du photon (E=h=hc/ ) est infrieure la largeur de la bande interdite Eg du SC, le

photon n'est pas absorb et le semi-conducteur est transparent (cas de linfrarouge pour le silicium).

- Si l'nergie du photon (h) est suprieure Eg, le photon est absorb et son nergie provoque la
cration d'une paire lectron trou.

Les matriaux SC absorbent fortement les rayonnements dont la longueur d'onde est infrieure
au seuil d'absorption fondamental : (m) 1.24/Eg (eV)

Figure 4. Diagramme des longueurs dondes absorbes par les semi-conducteurs

Labsorption des photons incidents (diminution) se fait selon la loi de BEER-LAMBERT :

d = - dx
le coefficient de proportionnalit est not . est le coefficient dabsorption du matriau semi-
conducteur. Il peut tre dfini par :

Probabilit dabsorption dun photon sur une distance dx = dx = (-d/)

Cest la longueur moyenne de pntration. Si h>Eg, est de lordre de 103 105 cm-1 (1/ de 10
10-2 m) voir figures 5 et 6.

Lintgration de cette quation donne :

6
 (x)= 0 exp-x
0 est le flux de photons incidents en x=0

En supposant que chaque photon absorb cre une paire lectron-trou, le taux de gnration est
donn par la diminution du flux de photons par tranche dpaisseur dx :

G(x)= - d/dx
G(x)= 0 exp-x = (x)

Coefficient dabsorption des matriaux semiconducteurs

Le coefficient varie selon que le semiconducteur est gap direct ou indirect (figure 5).

Figure 5. Coefficient dabsorption front dabsorption optique dans le cas dun matriau semi-
conducteur gap direct et gap indirect.

Le coefficient dabsorption de la majorit des semi-conducteurs suit les variations prsentes dans les
diagrammes des figures 6 et 7.

Figure 6 : Coefficients dabsorption et profondeurs moyennes de pntration de pntration

1/des matriaux semi-conducteurs usuels en fonction de la longueur donde.

7
Figure 7 : Coefficients dabsorption et profondeurs moyennes de pntration 1/''des matriaux
semi-conducteurs usuels en fonction de lnergie des photons incidents et de la longueur donde.

IV.1.2 Gnration par radiations (ou particules) ionisantes

- Les particules de forte nergie perdent leur nergie ioniser les atomes de la cible en crant des
paires lectron-trou.
- Dans le cas o la particule est compltement arrte dans le semi-conducteur, le nombre de paires
lectron-trou cres permettra de dterminer son nergie (dtecteurs nuclaires).

IV.1.3 Gnration par champ lectrique intense

- Dans un semi-conducteur soumis un champ lectrique trs intense, les porteurs libres sont
tellement rapides (porteurs chauds) qu'ils peuvent se comporter comme des particules ionisantes et
crer des paires lectron-trou.
- Cet effet est cumulatif, les porteurs crs peuvent eux aussi acqurir de l'nergie et par "chocs
ionisants" sur les atomes du rseau engendrer d'autres paires lectron-trou.
- Dans ce cas, on est en prsence de la multiplication des porteurs libres par le phnomne
d'avalanche.

8
Il est possible aussi de librer des porteurs en cassant les liaisons de valences par effet statique du
champ lectrique. Dans ce cas la force lectrique qui agit sur un lectron de liaison et le noyau de son
atome soppose la force de liaison. Si cette force lectrique devient suprieure la force de liaison,
llectron est arrach de son atome, laissant derrire lui un ion positif. Cest leffet Zener.

IV.2. Processus de recombinaison

Cest le phnomne inverse de la gnration. Un lectron de la bande de conduction retourne dans la

bande de valence, cdant de lnergie, et comble ainsi un trou. Ds qu'une gnration augmente la
densit des porteurs, il apparat un phnomne de recombinaison caractris par un taux net de
recombinaison pour ramener le systme son tat d'quilibre (diffrence entre le taux de disparition
des paires lectron-trou et le taux de gnration thermique).

Le taux de recombinaison reprsente donc le nombre de paires lectron-trou qui disparaissent

par unit de volume et par unit de temps, R (cm-3 s-1).
L'tat stationnaire correspond R=0. En rgime de faible injection, le taux R est proportionnel la
concentration des porteurs en excs : n ou p qui reprsente lcart du systme par rapport
lquilibre thermique. Le facteur de proportionnalit est linverse dun temps appel dure de vie des
porteurs en excs n ou p.

Et

(15)
-3 -9
Les dures de vie mesures s'chelonnent entre 10 et 10 s. suivant le type de recombinaison
prdominant et suivant la qualit du matriau.
Physiquement, p (n) reprsente le temps moyen qu'un trou (lectron) excdentaire existe avant de se
recombiner avec un lectron (trou).

Remarque : En rgime de faible injection, la recombinaison concerne les porteurs minoritaires (Pour
les majoritaires, la recombinaison est minime et donc trs peu probable).
On retiendra essentiellement que : R 0 pour les porteurs majoritaires et R 0 pour les porteurs
minoritaires.

Diffrents processus de recombinaison :

-Recombinaison radiative

9
 Figure 8 : Recombinaison radiative bande bande

Labsorption dun photon par un semiconducteur peut engendrer la cration dune paire dlectron-
trou. A linverse, llectron dans la bande de conduction peut retourner dans la bande de valence par
le mme effet (figure 8). Cest la recombinaison radiative.

-La recombinaison radiative par piges ou impurets profondes :

Dans ce processus, la recombinaison se fait en deux tapes, spares dans le temps (figure 9).
Dans un premier temps figure 9 (a) un lectron de conduction est captur par une impuret de
niveau profond dans la bande interdite.

Figure 9 : Recombinaison radiative via un centre recombinant

Dans un deuxime temps figure 9 (b), le centre ainsi occup peut capturer un trou de la bande de
valence ou met llectron captur vers la bande de valence, cest aussi une recombinaison dune
paire lectron-trou.

-Recombinaison non radiative : recombinaison Auger

La recombinaison non radiative consiste en un lectron qui revient dans la bande de valence en
cdant son nergie un autre lectron de conduction qui monte en nergie dans la bande de
conduction.

V. Semi-conducteur hors quilibre thermodynamique

10
Un composant base de semi-conducteur, soumis une polarisation extrieure nest plus
lquilibre thermodynamique ; Le niveau de Fermi nest plus constant travers la structure et les
concentrations de porteurs changent, ...
L'expression de la densit de courant et celle de l'quation de Poisson restent inchange. C'est partir
de ces quations que l'on doit faire ltude du comportement des composants hors quilibre.

V.1 Equations de continuit ou de conservation

Dans un semi-conducteur inhomogne (dopage non uniforme par exemple) et hors quilibre, les
phnomnes de recombinaison sont accompagns de flux de porteurs de charge qui participent
ltablissement des rgimes permanents et la restauration de lquilibre. L'quation, tenant compte
de tous ces phnomnes, et qui rgit l'volution de la charge au cours du temps est appele quation
de continuit. Elle rgit la condition dquilibre dynamique des porteurs de charges dans le semi-
conducteur.
Dans un barreau semi-conducteur excit et parcouru par un courant dans la direction Ox, on
considre un lment de volume de section unitaire A dans le plan perpendiculaire Ox et
dpaisseur dx (figure 10).

Figure 10 : Variation du courant travers un lment de volume dpaisseur dx

On cherche la variation de la concentration des lectrons libres pendant le temps dt dans une tranche
du barreau comprise entre les plans x et x+dx.
cette variation rsulte de :
- La gnration exprime laide du taux de gnration Gn, dlectrons ou linjection dlectrons
dans le matriau.
Remarque : Cest un taux de gnration autre que le taux de gnration thermique.
- La recombinaison excdentaire (lectrons en excs) (rgime de faible injection)
- La diffrence entre le flux dlectrons entrant en x et le flux dlectrons sortant en x+dx :

dF (x) = Fn(x+dx,t) - Fn(x,t)

Finalement, lquation de conservation des lectrons scrit :

Avec

11
 Et en divisant par dx on obtient :

Comme :

On arrive :

(16)

(17)

De mme pour les trous:

(18)

Les quations (17) et (18) constituent les quations fondamentales de fonctionnement des dispositifs
semi-conducteurs. Elles sont associes lquation de Poisson pour dterminer les courants et
charges dans les dispositifs.
Remarque : A cause de la neutralit lectrique, la variation de la concentration des porteurs
minoritaires est gale la variation de la concentration des porteurs majoritaires : n = p.
La concentration des lectrons devient alors n = n0+n et celle des trous p = p0+p o n0 et p0 sont
respectivement les concentrations des lectrons et des trous lquilibre thermodynamique.
Or, dans un semi-conducteur de type p, p<<p0 (rgime de faible injection),donc pp0 (car les trous
sont majoritaires). Par contre pour les lectrons, qui sont les minoritaires, n est non ngligeable par
rapport n0.
Pour un semi-conducteur de type p, p/ t 0 mais n/ t0.
On crit alors lquation de continuit uniquement pour les porteurs minoritaires pour lesquels la
variation du nombre de porteurs est significative.

V.2. Exemples dapplication

Dure de vie et longueur de diffusion

Dans ce qui suit, on va utiliser les quations de continuit pour ltude de la dpendance en temps et
en espace de la concentration des porteurs excdentaires. Lexcs de porteurs peut tre cre par
excitation optique ou par injection par une jonction voisine. Dans les exemples qui suivent, nous
considrons la gnration par la lumire.

12
 V.2.1. Variation de la concentration des porteurs minoritaires en fonction de x -
Longueur de diffusion

Soit un chantillon semi-conducteur "N" unidimensionnel, de longueur W, non polaris.

En x = 0, on cre un excs de porteurs minoritaires stationnaire (indpendant du temps) :

p(0) = pn(0) -pn0

avec pn(0) est leur concentration initiale et pn0 sa valeur l'quilibre.

Comment volue la densit des charges positives pn(x) en fonction de x ?

Nous allons rsoudre lquation de continuit gnrale :

Avec les conditions suivantes :

* Le phnomne est stationnaire : .
* Le systme nest pas polaris, le champ lectrique est nul.
* Il n'y a pas de phnomne de gnration pour x > 0 (la gnration est en surface) Gp = 0

Lquation de continuit devient :

On pose : (cm) longueur de diffusion (19)

La longueur de diffusion : Cest la distance moyenne parcourue par un porteur minoritaire avant de
se recombiner. Elle varie de quelques 10 m quelques mm selon le cristal et sa puret.
L'intgration de l'quation diffrentielle du second ordre coefficients constants sans second membre
donne :

Conditions aux limites :

En x=0 : on a p(0)= p0 = pn(0)-pn0
En x=W : si tous les porteurs en excs sont recombins la distance W, alors on a p(W)=0

Les constantes A et B sont :

La solution devient :

13
* si W >> Lp

Cd :

Dans un chantillon long, la densit des porteurs positifs volue selon une dcroissance
exponentielle entre sa valeur initiale pn(0) et sa valeur l'quilibre pn0. Cette dcroissance est
caractrise par la longueur de diffusion des porteurs : (figure 11 (a))

Figure 11 : Variation de la densit de lexcs des porteurs minoritaires pour diffrentes longueurs W
du matriau. (a) W>>Lp et (b) W<Lp.

* si W << Lp : x = W on a obligatoirement pn (W) = pn0, d'o un processus de diffusion sensiblement

diffrent. Dans un chantillon court, la densit des porteurs injects dcrot linairement en fonction
de l'abscisse (figure 11 (b))
)

V.2.2. Variation de la concentration des porteurs minoritaires en fonction du

temps - Dure de vie
Considrons un semi-conducteur de type N illumin avec une lumire telle que des paires lectrons
trous sont gnrs uniformment dans tout le volume de lchantillon avec un taux de gnration Gp
(figure 6). Cet chantillon nest pas polaris.

14
 Figure 6 : Photo-gnration uniforme de paires lectrons trous dans un barreau de semi-conducteur

Quelle est lvolution de la concentration des porteurs minoritaires en fonction du temps, aprs arrt
de lclairement ?
Le semi-conducteur prsente une rpartition de charge uniforme dans lespace. Les hypothses de
calcul se traduisent par :

L'quation de continuit pour les trous devient :

* En rgime permanent, c'est--dire sous clairement permanent, on a: et

pn pn0 = Gpp = constante

* On teint la lumire, dterminer lvolution de la densit pn(t) en rgime transitoire.

En rgime transitoire, rsultant de la suppression de lexcitation (lumire teinte), le taux de

gnration Gp = 0, le retour l'quilibre est donn par :

En intgrant cette quation avec les conditions aux limites pn (t = 0) = pn0 + pGp et pn()=pn0, la
solution est :

Figure 7 : Evolution de la concentration des trous minoritaires en fonction du temps (dans un semi-
conducteur de type N.

15
Lexcs des trous minoritaires p dcrot exponentiellement avec une constante de temps p appele
dure de vie des trous dans le SC (P).

VI. Calcul des courants de diffusion dans une jonction PN

http://catalogue.polytechnique.fr/Files/PHY579.08.2.pdf

Le calcul des courants de diffusion se fait en trois tapes :

i- Calcul des concentrations des porteurs aux limites de la zone de charge despace au moyen
de la relation de Boltzmann ;

ii- Calcul des concentrations des porteurs de charge dans les zones N et P au moyen de
lquation de continuit ;

iii- Calcul de la densit de courant totale traversant la jonction partir des quations de courant.

VI.1. Calcul des concentrations des porteurs aux limites de la zone de transition
Soit V > 0 la tension applique la jonction, le plus tant reli la zone P et le moins la zone N
(figure 12). La barrire de potentiel de la jonction est donc rduite et devient Vd V.

Figure 12 : Jonction PN polarise en direct

p (x )
Vd V VT Ln n n
p ( x )
p p

O np(-xp) est la nouvelle valeur de la concentration, au bord de la zone de transition, des porteurs
minoritaires qui nest plus celle lquilibre np0. Son calcul donne :
V Vd V V
n p ( x p ) nn ( xn ) exp( ) nn ( xn ) exp( d ) exp( )
VT VT VT

or, partir de la relation

Vd
nn 0 n p 0 exp( )
VT

En remplaant cette valeur dans lquation prcdente, on calcule la concentration des porteurs
minoritaires aux limites de la ZCE :

16
 V nn ( x n ) V n( xn )
n p ( x p ) n p 0 exp( ) n p 0 exp( ) 1
VT nn 0 VT nn 0

En tenant compte de lhypothse de faible injection : nn/nn0<<1, on trouve :

De mme pour les trous :

VI.2. Calcul des concentrations des porteurs de charge dans les zones de diffusion N et P
Nous allons tablir le profil des trous dans la rgion N de diffusion des trous, c'est--dire pn(x)
pour x>xn. Pour cela, on utilise lquation de conservation des trous :

*Le rgime est permanent : pn/ t = 0,

**On suppose quil ny a pas de cration de porteurs : Gp = 0,

***En raison de lhypothse de conservation de la neutralit lectrique dans la rgion N et daprs

lquation de poisson, on peut ngliger le champ lectrique.

Il ne reste finalement que le terme de diffusion et le terme de recombinaison :

Si on suppose le dopage uniforme dans la rgion N, c'est--dire ND indpendant de x, il en rsulte

que : pn0= ni2/ND est indpendant de x. On peut alors remplacer

et lquation prcdente devient :

dont la solution est :

LpN tant la longueur de diffusion des trous dans la rgion N.

Cas dune jonction longue

Les conditions aux limites sont:
- Pour x=xn on trouve :

17
- Pour x= on trouve pn () = pn0 : il ny a plus de porteurs en excs, on retrouve la concentration
dquilibre.
Do la solution :

En remplaant pn(xn) par sa valeur, on a :

Les majoritaires ajustent leur concentration pour maintenir la neutralit lectrique, on dduit
immdiatement le profil de leur concentration :

Les profils des lectrons et des trous ct P sont donns par des expressions semblables :

La figure 13 montre le profil des concentrations des porteurs. La concentration des porteurs
minoritaires diminue avec lapplication dune polarisation directe. Il y a injection de porteurs
minoritaires qui se fait partir de la rgion o les porteurs sont majoritaires. Lcart de la
concentration est cre par la variation de la hauteur de la barrire de potentiel. Pour assurer la
neutralit lectrique, les concentrations des porteurs majoritaires vont saccrotre exactement des
mmes valeurs que celles des porteurs minoritaires correspondants.

Figure 13 : profil de concentrations des porteurs

Figure 13 : Densits de porteurs minoritaires et densits de courant dans une jonction longue en
polarisation directe

18
 VI.3. Densit de courant totale traversant la jonction
Dans le domaine de polarisation directe pour lequel on peut ngliger le courant de recombinaison
dans la ZCE. Cela veut dire que les courants des lectrons et des trous ont mme valeur de part et
dautre de la ZCE (figure 14).
On peut crire :
Jn (-xp ) =Jn (xn ) et Jp (xn )= Jp (-xp )

Figure 14 : Allure des densits des courants des minoritaire travers la jonction

Puisque le champ lectrique est considr comme nul dans la rgion N, le courant de trous y est
exclusivement un courant de diffusion et se dduit du profil pn(x). En xn ce courant vaut :

Comme pn0= ni2/ND :

On trouve de mme :

Do le courant de diffusion total JD :

JD= Jp (xn ) + Jn (xn ) = Jp (xn ) + Jn (-xp )

19
On peut crire cette relation sous la forme :

Cest lquation de la caractristique idale de la diode.

Is est appel courant de saturation. Il est domin par le courant des porteurs minoritaires, il est
proportionnel la vitesse de diffusion des lectrons et des trous respectivement D n/Ln et Dp/Lp.

Il dpend de :
* la temprature qui accrot la densit des minoritaires ;
* des dopages : plus on dope, plus on rduit les concentrations des minoritaires n p0 et pn0 et
plus le courant de fuite diminue, puisquil en dpend linairement;
* du matriau
Sachant que n.p = ni2, et puisquon peut supposer qu la temprature ambiante toutes les impurets
sont ionises.

Le courant de saturation est au signe prs, que le courant de diffusion des minoritaires de la jonction.

Ordre de grandeur : Si 300 K : Na=1018 cm-3, Nd= 1015 cm-3, J Diff.min = 4 10-11 A/cm

VII. Reprsentation graphique de la caractristique (courbe IV)

VII.1 Caractristique idale

Daprs le modle de la jonction pn que nous venons dtablir, la caractristique IV dune diode
est donne par la relation :

Pour une polarisation directe avec V>>VT , le courant de diffusion est

prdominant et

A loppos, pour une polarisation inverse franche de quelques VT (V<<-VT), le courant de

saturation inverse est prdominant et I est presque gal -IS.
La caractristique IV est fortement non linaire : par exemple, doubler V augmente
considrablement le courant I !
Typiquement, pour une diode au silicium, une polarisation directe V 0.7 V produit un courant I
compris entre 1 mA et quelques dizaines de milliampres. Prenons par exemple I 5 mA sous une
tension V = 0.7 V. Le courant de saturation IS peut tre dduit de la caractristique IV :

Ainsi

20
A.N. :

La caractristique courant-tension correspondante est donne par les figures 15 et 16.

Figure 15 : caractristique I(V) dune jontion PN idale (diode idale)

Figure 16: Caractristique I(V) idale dune diode PN au voisinage de V faible.

VII.2. Caractristique relle

21
Le modle tabli reproduit raisonnablement bien la caractristique courant-tension relle, mais
quelques diffrences importantes apparaissent. La figure 17 montre la caractristique typique dune
diode commerciale.

Figure 17: Caractristique dune diode relle

Les applications de la jonction p-n sont importantes :

Redresseur de courant alternatif pour obtenir des courants continus,

Transistors n-p-n et p-n-p,
Diodes lectroluminescentes et lasers semi-conducteurs (injection de porteurs libres),
Photopiles solaires,
Dtection de champ lectrique,
Mesure de temprature en cryognie,
dtecteur de particules radioactives,

Figure 18: Variation de la tension v en fonction de la temprature, i constant et en polarisation

directe.

22
 19

19

23
VII. 4.2.

VIII. EFFET PHOTOVOLTAIQUE : Cellule solaire, photopile

Leffet photovoltaque a t dcouvert par Alexandre Edmond Becquerel en 1839.
Leffet photovoltaque est obtenu par absorption des photons dans un matriau semi-conducteur
qui gnre alors une tension lectrique. Les cellules photovoltaques produisent du courant
continu partir du rayonnement solaire, qui peut tre utilis pour alimenter un appareil ou
recharger une batterie.

VIII.1. DEFINITION ET DESCRIPTION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE

Une photopile (cellule solaire) est un dispositif base de matriaux semi-conducteur, elle
transforme l'nergie lumineuse (photons) en nergie lectrique.

Ce dispositif est une jonction PN ayant une surface importante lui permettant de collecter un
flux important de rayons lumineux. La surface claire de la cellule s'appelle la face avant ou
metteur, la face non claire s'appelle face arrire ou base de la cellule (figure 20).

Afin de collecter les charges lectriques crs par les photons (photo-gnration) avec une bonne
efficacit les contacts avant sont ohmiques et ont une forme de grille appele grille de contact. La
surface arrire est recouverte de mtal qui assure un contact ohmique arrire avec la base (figure 20)

No ( )
grille de contact avant
(taux d'ombrage K)

W: largeur de la
zone de charge
0 d'espace
H p P

H N
n

couche de
x contact arrire

Figure 20 : Structure dune cellule solaire (photopile)

24
 VIII.2. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.

Lorsqu'un photon d'nergie h Eg (gap du semi-conducteur) est absorb par le matriau

constituant la cellule il peut briser une liaison de valence et librer une paire d'lectron-trou qui va
contribuer la conduction de l'lectricit.

Ce processus de photo-gnration de porteurs mobiles prsente un rendement de conversion q

infrieur 1 ce qui revient dire que seulement une partie des photons absorbs peuvent librer des
lectrons-trous. q est appel rendement quantique du processus.

Si pendant une dure t donne, un certain nombre N de photons d'nergie h hc/ tombent
sur la surface avant de la cellule, une partie de ces photons est rflchie car le matriau constituant la
cellule prsente un coefficient de rflexion R. Le nombre de photons rflchis est NR = R.N , et le
nombre de photons transmis l'intrieur de la cellule est NT = N (1-R) .

P hotons
ple + A

++++++++++
P
V
RL
N
- - - - - - - - - -

ple B

Figure 21

Considrons un photon absorb dans la zone P, il photo-libre un lectron (minoritaire) et

un trou (majoritaire). Le trou majoritaire reste dans la zone P et fait augmenter la densit p dans
la zone P. Pour llectron minoritaire sil est cre en un point M se trouvant une distance Ln
(longueur de diffusion) de la zone de charge d'espace, cet lectron peut diffuser du point M

jusqu' la zone de dpltion, il peut donc tre collect par le champ lectrique E i et rejoindre la
zone N.

Il en rsulte alors une augmentation des majoritaire de la zone N ;

il y va de mme pour un photon absorb dans la zone N.

La cellule sous clairement voit donc les densits des majoritaires augmenter soit n = n0 + n et
p = p0 + p. n0 et p0 sont respectivement les densits des porteurs libres l'quilibre (en
l'absence de lumire) dans les zones N et P. Ces excs des majoritaires engendrent un stockage
des charges (+) et (-) sur les faces des zones P et N respectivement. La cellule sous clairement
se comporte comme une pile lectrique et de ce fait elle s'auto polarise en direct (figure 2). Cette

25
polarisation est induite par la lumire. Si maintenant on empche les photons d'atteindre la
cellule cette polarisation photo-induite disparait.

la tension qui apparait entre les bornes de la photopile sous clairement et vide s'appelle
tension de circuit ouvert Vco.

Si on court-circuite les bornes A et B de cette cellule sous clairement un courant de court-circuit

Icc traverse la cellule. Ce courant correspond l'vacuation des charges supplmentaires p et
n stockes dans les zones P et N respectivement.

Si on branche entre les bornes de sortie A et B de la cellule une charge RL (figure 21) un courant
I < Icc traverse l'ensemble cellule-charge et une tension V < Vco se dveloppe aux bornes de
l'ensemble.

VIII.3. SCHEMA EQUIVALENT D'UNE CELLULE SOLAIRE EN REGIME STATIQUE.

Mme dans le cas du courcircuit, le courant dbit par la pohotopile est limit par les rsistances
sries internes de la photopile. En effet les rgions N et P prsentent des rsistivits respectives
Hn Hp
n et p et donc des rsistances Rn = n S et Rp = p S , auquelles il faut ajouter les
rsistances de contact mtal-semiconducteur arrire et avant soit Rcav et Rcar (voir figure 22).
L'expression de la rsistance srie s'crit donc :
RS = Rp + Rn + Rcav + Rcar 1
D'un autre ct des fuites de courant ont lieu sur les bords de la cellule. Leur effet est reprsent
par une rsistance de Shunt Rsh

doigt de
contact
R contact avant

Rp

W
Rn

R couche mtallique
contact arrire

Figure 22

Les figures 23-a et 23-b reprsentent les schmas quivalents d'une cellule solaire (diode relle)
l'obscurit et sous clairement.

26
 ID I ob

Rs
V R sh Vapp liqu e
j
ID If

Figure 23-a
D'aprs la figure 23-a, la tension applique est : Vapp= Vj + Rs Iob
Vj
et le courant d'obscurit est : Iob = ID + R
sh
Le courant Icl est d'aprs la figure 4-b : Icl(V) = Iph - ID - If 2
o ID est le courant d'obscurit de la jonction PN idale, polarise avec une tension extrieure Vj .
Vj
If = R courant de fuite travers Rsh
sh
Iph I D Rs I cl

Rsh
I Vj V RL
ph I
D If

Figure 23-b
Iph est le potocourant
Vj : tension aux bornes de la jonction
RL : rsistance de charge

VIII.4. CARACTERISTIQUE I(V) - PARAMETRES CARACTERISTIQUES D'UNE PHOTOPILE .

Il est vident qu'une cellule idale doit avoir une rsistance srie nulle (Rs = 0) et une rsistance
shunt infinie (Rsh " ") .
D'aprs le schma de la figure 4, le courant d'obscurit est donn par :
eV Vj
Iob = Is (exp nkT -1) + Rsh 3 avec Vj = V - Rs Iob
avec Is : courant de saturation de la jonction PN.
n est le facteur d'idalit, il prend des valeurs entre 1 et 2 (1< n < 2). En effet : le courant travers une
jonction est la rsultante de deux processus :
- processus de diffusion qui donne lieu un courant de diffusion :
eV
Id = I's (exp 1.kT -1) 4
- processus de gnration recombinaison dans la zone de charge d'espace qui donne lieu un
courant de gnration recombinaison :
eV
Igr = I"S (exp 2.kT -1) 5
eV
et Iob = Id + Igr = IS (exp nkT -1) 6
la figure 24 reprsente les courbes Log I = f(V) l'obscurit.

27
 Log I
ob I
e cl
kT
I M
M (point de
e fonctionnement)
nkT I
cc
e
2kT V 0
V
VM V
co
Figure 24 Figure 25
Les tracs des caractristiques Icl(V) (formule 2 ) et Log Iob = f(V) d'une cellule relle (formule 3)
sont donns par les figures 25 et 26.
Lorsqu'on branche une charge aux bornes A et B de la photopile le point de fonctionnement du circuit
sera : M(V,I) (figure 25). La charge est entrain de recevoir une puissance P de la part de la cellule (P =
V.I) .
6
10

caractristique relle
4
10
LogI ( A)

e
kT

2
10 caractristique idale

Is

0
10
0 200 400 600 800
V(mV)

Figure 26
Facteur de forme :
FF (facteur de remplissage).Il est dfini par :
I.V
FF = I .V .
CC CO
Rendement d'une cellule solaire :
Il est dfini par :
I.V I.V Puissance developpe par la cellule
=P .S =P .S = Puissance lumineuse ree par la surface de la cellule
L L
avec : PL : Puissance lumineuse par unit de surface (W/m2).
S : surface claire de la cellule.

28