TD-1

Exercice 1: On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes

d'états énergétiques dans la bande de conduction et dans la bande de valence sont notées
respectivement NC et NV.

1-Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de conduction et la densité

de trous p dans la bande de valence.

L’expression de la densité d'électrons dans la bande de conduction :

 ( EC  EF )/ kT
n  NC e
L’expression de la densité de trous dans la bande de valence :

 ( EF  EV )/ kT
p  NV e
 Exercice 1

2- Démontrer les relations suivantes : n  ni e( EF  EFi )/ kT ; p  ni e( EFi EF )/ kT

( EF  EC )/ kT ( EV  EF )/ kT
En effet : n  NC e ; p  NV e

Pour in semiconducteur intrinsèque : ni  N C e( EFi  EC )/ kT ; ni  NV e( EV  EFi )/ kT

( EF  EC )/ kT ( EF  EFi  EFi  EC )/ kT ( EF  EFi )/ kT

n  NC e  NC e  ni e ;

( EV  EF )/ kT ( EV  EFi  EFi  EF )/ kT ( EFi  EF )/ kT

p  NV e  NV e  ni e

 n  ni e( EF  EFi )/ kT et p  ni e( EFi  EF )/ kT
Exercice 1

3- Le semiconducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1,1eV et
pour lequel NC=2,7.1019cm-3 et NV=1,1.1019cm-3. En déduire l'expression de la densité intrinsèque ni
et la position du niveau de Fermi intrinsèque EFi

Pour un semi-conducteur intrinsèque n= p =ni . Ainsi la densité intrinsèque de porteurs est :

n  ni  N c e ( EF  Ec )/ kT
 NC e 
( EFi  Ec )/ kT
 ( EC  EV )/2 kT
( Ev  EFi )/ kT  i
n  N C VN e
( Ev  EF )/ kT
p  ni  N v e  NV e 
( EC  EV  2 EFi )
n NC 
Le niveau de Fermi s'obtient en écrivant : 1 e kT
1
p NV
EC  EV  2 EFi NV
  ln
kT NC

EC  EV kT NV
 EFi   ln
2 2 NC
Exercice 1

4-Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et 227°C. On

rappel qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme référence énergétique, le haut de la bande de
valence (EV = 0eV).
 ( EV  EC )/ kT  Eg / kT
Calcul de la densité de porteurs intrinsèques : n  p  N N
C V e  N C NV e  ni2

EC  EV 1.1
 
ni  N C NV e 2 kT
 2.7  1019  1.1 1019 e 20.026
 1,723  1019 e 21.153
 ni  1,723  1019  6.5  10 10  1.12  1010 cm 3

Calcul du niveau de Fermi avec pour référence une énergie de valence nulle :

1.1 0.026 1.11019

Ei   ln
2 2 2.7 1019
 0.538 eV
Exercice 2: Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3.

1) Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous. Quel est le type
de semi-conducteur ainsi obtenu ?

Le phosphore est comme l'arsenic, une impureté de type donneur : ND=1018cm-3.

ND>> ni ainsi la densité d'électrons est égale à la densité de donneurs : n= ND=1018cm-3
A T=27°C=300K, la densité de trous est donnée par :

p
n

2
in

1.12 10
2
i

10 2

n ND 1018

 p=125 cm-3

Le semi-conducteur ainsi obtenu est de type N

 Exercice 2 :

2) Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du

diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.

L'énergie de Fermi peut être déduite de la densité d'électrons comme suit :

Ec  EF Ec  EFi  EFi  EF
 
n  N D  NC e kT
 N D  NC e kT

E E E E EFi  EF
 c Fi  Fi F 
N D  NC e kT
e kT
 N D  ni e kT

ND
EF  EFi  kT ln
ni
1018
EF  0.538  0.026 ln  1.014 eV
1.12 1010
Exercice 2 :

3) Si la substance devait être converti en type p, quel niveau de dopage serait nécessaire
pour déplacer le niveau de Fermi de 0,2 eV en dessous du niveau d'énergie intrinsèque?

N A  n  ND  p

n  ni e( EF  EFi )/ kT  1.12 1010  e 0.12/0.026  9.89 106 cm 3

𝐸𝐹𝑖
ni2 (1.12 1010 ) 2 3 0,2eV
p   1.26  1013
cm 𝐸𝐹𝑝
n 9.89 106

N A  N D  p  n  1018  1.26  1013  9.89  106

 1018  1.26 1013 cm 3  1.0000126 1018 cm 3 N A  1.0000126 1018 cm 3
Exercice 3:
Du germanium intrinsèque est dopé de deux façons différentes :
1) par des donneurs de telle manière que n1= 5x1015 cm-3 et p1=5x1013 cm-3 à T=300K. De combien se
déplace le niveau de Fermi EF par rapport au niveau de Fermi intrinsèque EFi

à T=300K.
n1= 5x1015 cm-3
p1=5x1013 cm-3

kT  n1  0.026  5 1015  0.026

EF  EFi  ln    ln  13 
 2  ln 10 2
 0.059  
2  p1  2  5 10  2
EF  EFi  0, 059eV
Exercice 3:
2) même question, si le germanium est dopé par des accepteurs de telle manière que n2= 5x1012 cm-3 et
p2=5x1016 cm-3 à T=300K.

n ni e( EF  EFi )/ kT n
   e 2( EF  EFi )/ kT
p ni e( EFi  EF )/ kT p

 n2  EF  EFi
ln    2
 p2  kT

kT  n2  0.026  5 1012  0.026

 EF  EFi  ln    ln  16 
 4
ln 10 
0.026
 
(4) ln(10)  0.119eV
2  p2  2  5 10  2 2

Donc EF  EFi  0,119eV

Exercice 4:
Un échantillon de Si est dopé avec 1017 atoms d’As/cm3. Quelle est la concentration d'équilibre
trou p0 à 300 K? Où se trouve EF relatifs à Ei? Quelle est l'expression de ni à T? Si ni à T est égal
à Nd, quelle est l'expression de n0 et p0 à T?

Puisque N d  ni , on peut approcher n0 = Nd et n  p  ni2  N d  n  p  ni

ni2 2.25 1020 Ec

p0    2.25  10 3
cm -3
EF
n0 1017 0.407 eV
Ei
n0
EF  Ei  kT ln  0.407 eV Ev
ni
 2 kT 
3/2

ni (T )  2  2  (mn* m*p )3/4 exp(  Eg / 2kT )

 h 
Puisque N d  ni , on ne peut pas négliger ni ou p0
n 2 5 1 5 1
n0  N d  p0  N d  i n0  N d p0  Nd
n0 2 2
-10-
Exercice 4:
Quel est le niveau d’énergie d’un donneur pour le GaAs, sachant que le gap d’énergie est de 1.5 eV, la masse
effective des trous est de 0.66 me, celle des électrons de 0.07 me et la constante diélectrique de 13.13 ?

1) Quel est le rayon de Bohr de l’électron de ce donneur ?

5.5𝑚𝑒𝑉 𝐸𝐶
m *
 0.07  𝐸𝑑
On a. Ed  13.6   eV  13.6 
e
2 
 5.5meV
   13.13 
2

    13.13  𝐸𝑉
Donc ad  0.529  *  Å  0.529    99Å
 me   0.07 

2) Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques (porteurs dans un semi-conducteur non dopé) de InSb
(Eg =0.18 eV) est de 1x1015 cm-3 à température ambiante (300 K), si nous avons maintenant un échantillon dopé
avec une concentration de 1016 cm-3 donneurs, quelle sera la concentration de trous ?

np=(1015)(1015)=1030 cm-6.

Maintenant si nous avons n=1016 cm-3, nous allons avoir : p=1030/1016=1014 cm-3.
Exercice 4:

3) Quelles sont les concentrations intrinsèques pour le InSb à une température de 200K ?

3
 kT 
 
3/2
Selon l’expression du produit np en fonction de la température : np  2  2 
m * *
v mC e  Eg / kT
 2 

nous avons que np  T 3e  Eg / kT

Donc sachant la concentration à 300K, nous pouvons déduire la concentration à 200K :

np (200)  200  e  Eg /200 k  

3 3
 200   k
Eg
(
1

1
) np  200 K   np  300 K   9.55 x1013 2 cm 6 .
    e
200 300

np (300)  300  e  Eg /300 k  300  

3 3 0.181.6021019 1 et donc n  200 K   p  200 K   9.55 x1013 cm 3 .
 200   200 
Eg 1
 
  1.3811023 600 
   e
k 600
e
 300   300 
np (200 K )  pn(300 K )  0.0091273=9.1273 10 27
Exercice 5 : Un échantillon de silicium est dopé avec une concentration d'accepteurs NA = 4 1016cm-3. Le niveau
de Fermi correspondant à température ambiante se situe à 0,17 eV au-dessus du bord de bande de valence. Puis
1017 cm-3 donneurs sont ajoutés.

1) Trouver le nouveau niveau de Fermi. (La bande interdite du silicium à la température ambiante est de 1,12 eV).

•NA = 4 1016cm-3>> ni 𝑑𝑜𝑛𝑐 𝑝 = 𝑁𝐴

EFi  EF  0.56  0.17  0.39eV

EFi  EF
EC
0,16 eV EF
 p  N A  ni e kT
1,12 eV 0,4 eV EFi
3
 ni  1.22  10 cm10
0,56 eV
EV
10 3
Alors 10 cm atomes donneurs sont ajoutés

EC
n  N D  N A  6  1016 cm 3  ni
n  1,12 eV EFi
 EF  EFi  kT  ln    0, 4eV 0,56 eV 0,39 eV
EF
 ni  0,17 eV
EV
 Exercice 5

2) Calculer les densités effectives des états dans les bandes de conduction et de valence du silicium à 300 K :

3/2 3/2
 2 m kT 
*
 2  0.55  9.1110 1.38 10
31 23
 300 
NC  2  C
  2  34 2 
 h 2
  (6.626  10 ) 
 1.02  1025 m 3  1.02  1019 cm 3

La densité effective des états dans la bande de

Voici les valeurs des densités effectives de quelques SC
valence pour le germanium est
Arsenide de
Germanium Silicium
3/2 Gallium
 2 m kT 
*
NV  2  V
2  5.64  1018 cm 3
 h  N C (cm 3 ) 1.02 1019 2.811019 4.35 1017

NV (cm 3 ) 5.64 10 18 1.831019 7.57 1018

Exercice 5 : Calculer la densité intrinsèque des porteurs de charges dans le germanium, le silicium et l'arséniure
de gallium à 300, 400, 500 et 600 K

2) Calculer les densités effectives des états dans les bandes de conduction et de valence du silicium à 300 K :suite

Eg
 Voici les valeurs des densités effectives de quelques SC
ni (300 K )  N C NV  e 2 kT

Germanium Silicium Arsenide de

Gallium

1.12 300K 2.02 1013 8.72 109 2.03106
ni (300 K )  2.811019 1.83 1019  e 20.0258
400K 1.38 1015 4.52 1012 5.98 109
 8.72 109 cm 3 500K 1.911016 2.16 1014 7.98 1011
600K 1.18 1017 3.07 1015 2.22 1013
 Exercice 6: Nous souhaitons réaliser un dispositif optoélectronique qui émet de la lumière. Nous
avons à notre disposition du Si et du GaAs
a) Lequel des deux matériaux choisiriez-vous ? Expliquez.
b) Dessinez schématiquement un diagramme de bande (énergie d’un électron en fonction de son
vecteur d’onde) et montrez clairement quelle propriété vous a mené à votre choix.
Solution (a)

EC EC
h n Eg
phonons
k
EV
EV

Recombinaison radiative
Recombinaison non radiative

GaAs, car gap direct.

Afin de conserver la quantité de mouvement, il faut que le haut de la bande de valence et le bas de la
bande de conduction se trouvent à la même valeur de k, le vecteur d’onde d’un électron Schéma :
Paraboles avec gap direct
Exercice 6:
b) Dessinez schématiquement un diagramme de bande (énergie d’un électron en fonction de son
vecteur d’onde) et montrez clairement quelle propriété vous a mené à votre choix.
- e
 fon

Génération

hn>Eg
- e

recombinaison
thermalisation
Eg
gap direct hn ~ Eg

+ h
+ h  fon
Exercice 6:
b) Dessinez schématiquement un diagramme de bande (énergie d’un électron en fonction de son
vecteur d’onde) et montrez clairement quelle propriété vous a mené à votre choix.
- e
 fon

Génération

hn>Eg
- e

recombinaison
thermalisation
Eg
gap direct hn ~ Eg

+ h
+ h  fon
Exercice 7: Pour un semiconducteur à base de Silicium de type N à l’équilibre thermodynamique:
nn0=1016 cm-3 ≈ ND ; pn0=104 cm-3 ,   100  s pour le Si
AM1: Aire masse 1 ; c’est l’énergie solaire à midi AM1 F ≈ 1017 photons /cm2/s. hn>Eg.

1-Quel est le taux des porteurs photo-générés?

En 1ére approximation les photons sont absorbés dans une épaisseur de 1/
Pout le Silicium  = 102 cm-1
1
 100  m

c’est l’épaisseur du silicium ou de la lumière est absorbée

F
Soit G le taux des porteurs photo-générés: G   F  1019 cm 3 s 1
1/ 
-19-
Exercice 7: 2- Quel est le nombre des porteurs ainsi créés ?

nn  nn0  n
pn  pn0  p
Les porteurs ainsi créés ont une durée de vie:   100  s pour le Si

n  p  G   1019104  1015 cm 3
nn  nn0  n  1016  1015  1016 cm 3
pn  pn0  p  104  1015  1015 cm 3
pn  p

Comme pn<nn0 on est en faible injection

A 100 soleils: Δn= Δp= 1017cm-3 > nno  Forte injection

-20-
Exercice 9: On considère l’arséniure d’indium (InAs) pour lequel on connaît la hauteur de la bande
interdite : 0.36 eV, la masse effective des électrons 0.023 m0, la masse effective des trous 0.4 m0, et la
permittivité relative 14.6.
1°) Calculer le nombre intrinsèque (cm-3) de l’InAs à la température ambiante.

3/2
2m m 
* * Eg

ni  N 0 
2

C V
e kT

 m0 m0 

A.N. ni2 = (2.5 1025)2 (0.023 * 0.4)3/2 exp- 0.36/0.0253 = 3.641041 m-6 ; ni = 6.04 1020 m-3

donc : ni = 6.04 1014 cm-3

Exercice 9

2°) On dope l’InAs de telle façon que les porteurs négatifs soient dix mille fois plus nombreux que les porteurs
positifs et on envisage la température ambiante (pour simplifier les calculs, on prendra ni(T0) = 2.0 1014 cm-3).
Calculer la densité (cm-3) des porteurs positifs et des porteurs négatifs.

On a : n  p  104

Loi d’action de masse: n  p  ni2  p 104  p  ni2

ni
Ce qui donne p 2
10
ni 2 1014 3
A.N. p 2  2
 2 10 cm
12

10 10
n  104  p  2 1016 cm 3
Exercice 10

Une plaquette de silicium est dopée avec 1016 cm-3 d’atomes accepteurs. Calculer la densité des électrons libres et
celle des trous

p0  N a  1016 cm 3

ni2 1020
n0    16  104 cm 3
N a 10
Exercice 11: On considère un morceau de silicium de dimension 100 par 100 par 10 nanomètres
(m* = 1.08 m0).
1) Calculer le nombre d'états par unité d'énergie de 100 meV au-dessus de bord de la bande de
conduction.
2) Écrire le résultat dans les unités d'eV-1

8 2 *3/2
La densité d’état est égale à : g (E)  3
m E  EC
h

8 2 31 3/2 19 3 1

g (E)  34 3
(1.08  9.1  10 ) 0.1  1.6  10  1.51  10 56
m j
(6.626 10 )

le nombre total des états par unité d'énergie est égale à :

g ( E )V  1.511056 1022 j 1  1.51 1024 j 1

 2.41105 eV 1
Exercice 12: soit n-type Si, dopé avec 1016 cm-3 (Sb) (donneurs) Nd = 1016cm-3
1) Calculer EFn – EFi à 300 K
2) On dope encore le Si par le bore (B), Na = 21017 cm-3 > Nd = 1016cm-3  p-type
Calculer EFp – EFi à 300 K
Exercice 12:
Solution
1- Nd = 1016cm-3  Nd >> ni (= 1.451010 cm-3)
 n = Nd = 1016cm-3
Pour semiconducteur intrinsèque
ni  N c exp  ( Ec  EFi ) / k BT 
Pour silicium dopé
n  N c exp  ( Ec  EFn ) / k BT   N d
Nd
 exp  ( EFn  EFi ) / k BT 
ni
Nd 1016
EFn  EFi  k BT ln( )  (0.259 eV) ln( )
ni 1.45  1010

 0.348 eV
Exercice 12:
Solution
2-Silicium dopé avec le bore (B)
Na = 2  1017cm-3 > Nd = 1016 cm-3
 p = Na – Nd = 2  1017cm-3  1016 cm-3
= 1.9017 cm-3
Pour semiconducteur intrinsèque p ni  N c exp  ( EFi  Ev ) / k BT 
 1.45  1010 cm 3

Pour silicium dopé p  Nv exp ( EFp  Ev ) / kBT 

27
Exercice 12:
Solution

p  ni  N v exp  ( EFi  Ev ) / k BT 
2-

p  N v exp  ( EFp  Ev ) / k BT 
p
 exp  ( EFp  EFi ) / k BT 
ni
p 1.9 10 17
EFp  EFi  k BT ln( )  (0.259 eV) ln( )
ni 1.45 1010

 0.424 eV

28
Exercice 13:

Soit du Silicium de type n, Nd = 1016cm-3 atomes de phosphore (P) (donneurs)

• e : mobilité de dérive e = 1350 cm2V-1s-1
• Quelle est la conductivité ?

Solution
Since N d  1016 cm 3  ni  1.45 1010 cm 3
 n  Nd
ni 2
Conductivity   ene  ep p  ene (p   N d )
Nd
  (1.6 1019 C)(11016 cm 3 )(1350 cm 2 V 1s 1 )
=2.16 1cm 1

29