Cours Master Phys SC Chap 2

Le semiconducteur
hors équilibre 2
LE SEMICONDUCTEUR HORS
ÉQUILIBRE
Phénomènes de transport
2-1
Recombinaison et génération
2-2
2
Phénomènes de transport dans
Les semiconducteurs
2-1
Phénomènes de transport
• Mouvement thermique
• Mouvement de dérive
• Mouvement de diffusion
Chap: II -4-
Mobilité-conductivité
Mouvement thermique
Approche classique
Soit un cristal Sc contenant des e- et des trous libres de
densité n et p. Si on ajoute un kT, cette énergie va augmenter
l'agitation thermique. Si vth est la vitesse moyenne d'agitation
thermique, l'énergie cinétique d'agitation thermique vaut :
3 1 3kT T
E  kT  m0 vth2 vth  105  m/s
2 2 m0 300
A 300K, on obtient vth ≈ 105 m/s (soit 400 000 km/h). Les
porteurs ont ainsi une vitesse thermique moyenne, orientée
dans toutes les directions de l’espace.
Les trajectoires sont très complexes Interaction avec
la réseau
Chap: II -5-
En l’absence d'un champ électrique E, la vitesse
moyenne d'entraînement est nulle
Collisions multiples dues à 
l’agitation thermique d’origines:
 Trajectoire
- atomes du réseau
- impuretés ionisées  vth  0 linéaire entre
choc
- défauts 

Dans l’approximation classique l’électron subit des collisions.
On définie:
 < >: Le temps caractéristique représente le temps
moyen entre deux collisions.
 <ℓ>: le libre parcours moyen , ou distance moyenne

parcourue entre deux collisions
on a <ℓ> = vth<> vth 

Pour Si: <> = 0.1 à 1 ps, <ℓ> = 10 à 100 nm 
Chap: II -6-
Mouvement de dérive
vth  0
1 3
m0 vth  kT
2
vth  105 m / s
2 2
Appliquer champ électrique sur le semiconducteurs:

E ≡ champ électrique [V cm-1] ⇒ force nette
v 0
1 3
m0 v  kT
2
2 2
E
Chap: II -7-
Conductivité sous l’effet d’un champ électrique.
Condition: faible champ électrique E
temps moyen entre deux collisions constant, accroissement

de vitesse dû au champ reste faible par rapport à vth,
redistribution isotrope des vitesses après chaque collision.
Soit la force F=qE agissant sur le mouvement des porteurs
composante de vitesse parallèle à la direction du champ E

qui s’ajoute à la composante thermique
Chap: II -8-
Conductivité sous l’effet d’un champ électrique.
En présence d'un champ électrique E constant et uniforme, La

force à laquelle est soumis l’électron est :
F = Fappliquée + Flocale
Cette dernière est due à toutes les interactions avec le réseau
(vibration thermique).
dv
F  qE  Fl  m0  m0
dt Trajectoire
incurvée
q 1 entre choc
v (t )  
m0
Et 
m0  Fl dt
Les porteurs ont une vitesse thermique moyenne, orientée dans toutes
les directions de l’espace qui est légèrement modifiée en imposant une
direction statistique préférentielle par la présence du champ électrique.
Chap: II -9-
La vitesse d'entraînement vaut donc:
q 1
v(t )  v  
m0
E car
m0  Fl dt  0
q
Soit  la mobilité:   v   E
m0
Pour les Semiconducteurs: Si v << vth ou E faible
E
 vn  Vitesse moyenne des électrons  vn   n E  qE
E
 vp  Vitesse moyenne des trous  vp    p E  qE
q q
n  p  (cm2/Vs)
mn* m*p
m*p et m*p sont les masses effectives de conduction
Chap: II -10-
 La mobilité est une grandeur déterminante pour les composants
électroniques → performances des dispositifs
 Elle est inversement proportionnelle à la masse effective et dépend des
collisions dans le cristal
 Ces collisions peuvent être dues aux impuretés, aux phonons, aux autres
porteurs, et à tout autre défaut
 La mobilité s’exprime en cm2/Vs, (Rq: en MKSA m2/Vs = 1/T)
Cristal
n(cm2/Vs) p(cm2/Vs)
À T=300K  La masse effective des
GaAs 8000 300 électrons est plus faible que
celle des trous et le temps de
InAs 30000 450 relaxation est plus long →
mobilité des électrons est
Diamand 1800 1200 supérieur à la mobilité des trous
Si 1350 480
 Le temps de collision
Ge 3600 1800 augmente quand la température
diminue, du moins dans un
PbS 550 600 semiconducteur pur
In0.53Ga0.47As 11000
Chap: II -11-
Mobilité en
fonction de la
température
• Pour faible niveau de dopage, μ est limitée par les collisions avec
les réseaux. Si la Température augmente; μ diminue.
• Pour le dopage moyen et haut niveau de dopage, μ est limitée par
les collisions avec les impuretés ionisées.
• Trous "plus lourd" que les électrons: Pour le même niveau de
dopage, μn> μp -12-
Chap: II
Densité de courant et Mobilité
Courant causé par le champ électrique due aux électrons:
q
Q qn n tA A
j 
A  t At
vnt
nq 2 n
j  qn n  *
E  nq n E (A/cm2)
mn
nq 2 n
Loi d’Ohm : j E n  *
 qnn (due aux électrons
seulement)
mn
Chap: II -13-
Courant total due aux électrons et aux trous:
j  qn n  qp  p   nqn  pq p  E   E
  qnn  qp p
jn et jp sont les courants de dérive dans le champ électrique.
q p
Pour les trous, p  *
E  pE (  p est la mobilité des trous)
m p
Chap: II -14-
Exercice: Calculer la vitesse d'un électron dans un morceau de
silicium de type n causée par son énergie thermique à
température ambiante et sa vitesse due l'application d'un champ
électrique de 1000 V / m à travers le morceau de silicium.
Vth  ? T  300 K me*  1.18 m0

Vd  ? E  1000 V / m   0.15 m 2 / (V s )
3kT
Vth  
 Vth  1.08  10 5
m/s
m
Vd   E  Vd  150 m / s
Chap: II -15-
• Importance de la mobilité sur les composants
– Mobilité la plus élevée possible => vitesse plus grande

pour un même E
– Facteurs limitant:
• Dopage
• Défauts (cristallins, structuraux, …)
• Température
• Champ électrique de saturation + géométrie
Chap: II -16-
• Vitesse de saturation des électrons
– La relation linéaire vitesse – champ valide uniquement pour:

• Des champs électrique pas trop élevés
• Porteurs en équilibre thermique avec le réseau
– Sinon:
• Au-delà d’un champ critique, saturation de la vitesse
• Apparition d’un autre phénomène: « velocity overshoot »
pour des semiconducteurs multivallée.
• Régime balistique: pour des dispositifs de dimensions
inférieures au libre parcours moyen (0.1µm)
Chap: II -17-
Influence du champ électrique sur la mobilité
• Pour des champs électriques

faibles, la loi de proportionnalité
(vitesse–champ) est valable  la
courbe réelle est linéarisée et la
pente définit la mobilité 
vn  n E jn  qnn E
• Dès que les champs électriques deviennent importants

(quelques kilovolts), la vitesse sature et converge vers la
vitesse thermique. Bien que les trajectoires entre chocs
soient suffisamment incurvées pour prendre la direction du
champ, l’énergie thermique reste très supérieure à l’énergie
apportée entre ces chocs et la mobilité décroît
Chap: II -18-
Vitesse de saturation
Dans le cas du GaAs, la situation est

En général m1  m2 , m3
* * *
plus complexe dès que l’on dépasse un
certain champ électrique critique, car
le semiconducteur est « multi-vallée »
Dès que l’énergie de l’électron se
rapproche de EL ou EX , les
porteurs transfèrent de la vallée
centrale vers les vallées satellites et
voient leur masse effective changer
et augmenter. En conséquence, leur
mobilité diminue.
-19-
Chap: II
Vitesse de saturation
Différents comportement
en fonction du SC
Le GaAs présente une meilleure

mobilité (rapport 5) et une
survitesse qui est exploitée dans
la réalisation de certains
composants très rapides HF
Survitesse
(« overshoot »)
-20-
Chap: II
Influence de la température sur la mobilité
L’augmentation de température
se traduit par une agitation
thermique plus importante dans
le réseau cristallin et, de ce fait,
le temps de relaxation va
diminuer car la probabilité de
chocs avec les atomes augmente.
Il s’en suit une diminution de la

mobilité qui suit une loi empirique
de la forme:
  T 3/2
 est un coefficient qui dépend de la nature du matériau et du

type de porteur
Chap: II -21-
La loi d'Ohm locale (microscopique) :
nq 2 E n
Jn  *
 nE pour les électrons, et
mn
pq 2 E p
Jp    pE pour les trous.
*
m p
Def: Les conductivités électriques s'écrivent :
nq 2 n
n  *
 nq n ( 1cm 1 ) pour les électrons, et
mn
pq 2 p
p  *
 pq  p ( 1cm 1 ) pour les trous.
m
p
Le courant total étant la somme des courants de trous et d'électrons, la
conductivité totale du matériau s'écrit naturellement:
   n   p  qnn  qp p
Chap: II -24-
Le courant total étant la somme des courants de trous et d'électrons,
nq 2 E n pq 2 E p
J  Jn  Jp   
mn* m *
p
 ( n   p ) E   E
la conductivité totale du matériau s'écrit naturellement:
   n   p  qnn  qp p
La résistivité  d’un matériau est l’inverse
de la conductivité 
1 1
  ( cm)
 q ( n n  p  p )
1
n  si n  p
qnn
1
p  si p  n
qp p
Chap: II -25-
Resistance
V I
I
L w
t
Pour calculer R, Il faut

V L L 1 trouver  de la concentration
R   des électron et des trous, et
I wt wt  après utiliser les dimensions
de l’échantillon
  qn n  qp p
Chap: II -26-
Résistivité
 Cas du silicium intrinsèque à 300K :  Cas du silicium dopé à 300K :

n=1350 cm²/V.s et p=480 cm²/V.s n=280 cm²/V.s et p=90 cm²/V.s
p=n=ni=1,5 1010 cm-3 n=ND=1018 cm-3 et p=2,2 102 cm-3
=3,4 105 cm et =2,2 10-2 cm et
= 2,9 10-6  -1 cm-1 = 48  -1 cm-1
Chap: II -27-
Résistivité
 La concentration en impuretés d’un

semi-conducteur peut être obtenue si
sa résistivité est connue.
La concentration en impuretés peut cependant différée de la concentration

réelle en porteurs :
Exemple : cas du silicium dopé p (Gallium) avec NA=1017 cm-3, on peut
montrer qu’il y a en réalité 23% d’accepteurs non-ionisés ce qui fait une
concentration réelle de porteurs de 7,7 1016 cm-3 !
 Même pour de très forts dopages la résistivité du semi-conducteur reste
très supérieure à celle d’un métal dont l’ordre de grandeur est le µ.cm.
Chap: II -28-
Exercices-1
Soit le Silicium avec ND = 3 x 1016 cm-3 à la température ambiante
μn ≈ 1000 cm2 / V • s, ρ n ≈ 0.21 Ω • cm, n ≈ 3X 1016 cm-3
Appliquer E = 1 kV / cm
Solution Exercice 1-
vdn  106 cm / s  vth

E
J der
 qnvth  qnn E   E 
n

J nder  4.8 103 A / cm2
Temps pour la dérive à travers L = 0,1 m
L
td   10 ps Très rapide
vth
Chap: II
Exercices-2
Quelle est la résistivité d'un morceau de silicium de type n avec
n = 1 000 cm2V-1s-1 et p = 100 cm2V-1s-1 ? La densité de porteurs
due au dopage de type n = 1017 cm-3. ni = 1.5x 1010 cm-3
Solution Exercice 2
Conductivité (type n seulement, pourquoi?)
 n  nqn
 1017 cm 3 1000cm 2V 1s 1 1.6 1019 Coulombe  16 ( 1cm 1 )
Résistivité
1 1
   0.0625 (cm)
n 16
Chap: II -30-
Exercice-3
Un échantillon de Si est dopé avec 1018 atomes/cm3 /. Quelle est la
concentration p de trou d'équilibre à 300 K? Où est EF par rapport à Ei?
Solution Exercice 3
Concentration de trous à l'équilibre
Ec
ni2 2.25 1020 3 EF
p   225 cm 0.465 eV
n 1018 Ei
Niveau de Fermi
n Ev
EF  Ei  kT ln
ni
1018
 0.025  ln  0.465 eV
1.5 1010
Chap: II -31-
Exercice 4
Vrai ou faux:
Vrai • Quant masse affectifs augmente, la mobilité diminue
Faux • Mobilité pour un semi-conducteur particulier restera constant dans

chaque direction
•Pour un semi-conducteur de type n, le niveau de Fermi EF sera toujours

Faux
plus près de la bande de conduction qu’au centre de la bande interdite Ei
•Quant la bande interdite d'un semi-conducteurs augmente, la densité des

Vrai
paires trou-électron généré thermiquement diminue
•Le produit de la concentration d'électrons et la concentration de trous dans

Faux
un semiconducteur est constante indépendamment de la température
Chap: II -32-
Exercice-5
Calculer la résistivité intrinsèque du Silicium à 300 K
Solution Exercice 5
Pour le Silicium intrinsèque : mn = 1350 et mp = 480 cm2/V-s .
Ainsi, étant donné que : n = p = ni
 i  q  n   p ni  1.6  10 19 1830   1.5  1010  4.39  10 6 (Ω.cm)-1
1
i   2.28  10 5
i (Ω.cm)
Chap: II -33-
Exercice 6-
En considérant une erreur maximale admissible de 1% , déterminer à partir
de quel dopage on peut considérer que, dans le calcul de la résistivité, seul
les porteurs majoritaires interviennent. Application numérique au cas du
Germanium, Silicium et Arséniure de gallium.
On donne:
Germanium n = 4500 cm2/V.s p = 2000 cm2/V.s
Silicium n = 1500 cm2/V.s p = 600 cm2/V.s
Arséniure de Gallium n = 7500 cm2/V.s p = 300 cm2/V.s
Chap: II -34-
1

q  n n  p  p 
La résistivité d’un matériau semi-conducteur s’exprime par la relation:
La conductivité est l’inverse de la résistivité. Elle vaut donc:   q  nn  p p 
Le matériau étant à l’équilibre, les densités de porteurs sont reliées par la loi d’action de masse
np  ni2
En utilisant cette dernière relation, on peut exprimer la conductivité en fonction d’un seul type de
porteurs, par exemple les électrons.
 ni2 
Il s’en suit   q  n n   p 
 n 
En développant cette relation, on obtient une équation du second degré qui permet de relier n et s.
Les solutions de cette équation peuvent se mettre sous la forme:
 p
n 
2
n  ni
2
0
qn n
Chap: II -35-
Les solutions de cette équation peuvent se mettre sous la forme:
  q ni n  p
2 2 
n  1 1 4 
2q  n  2 
 
Le terme
q 2 ni2  n  p est très petit devant l’unité.
4
2
1 
La racine carrée est donc de la forme .

Le développement limité au premier ordre de ce terme est . 1   1
2
La solution peut donc se mettre sous la forme:
   q 2 ni2 n  p  
n 1  1  4  

2q  n   2 2

Chap: II -36-
Une seule des solutions est physiquement réaliste. C’est celle qui correspond au signe +. Le signe –
donnerait la densité des électrons dans le cas ou ils sont minoritaires. On obtient donc:
  q ni n  p 
2 2
n  ND  1  
qn  2 
q 2 ni2  n  p
L’erreur commise en négligeant les porteurs minoritaires est donc égale à: .
2
q 2 ni2  n  p
Pour une erreur inférieure à 1%, on aura:  102
 2
On obtient donc:   10q ni n  p

1
ou encore, en repassant à la résistivité: 
10q ni n  p
On peut donc calculer cette valeur pour chacun des matériaux les plus couramment utilisés. Dès que la
résistivité sera inférieure à cette valeur, on pourra considérer que la résistivité dépend exclusivement
de la concentration des porteurs majoritaires.
Chap: II -37-
Applications numériques
Gremanium n  4500 cm2 / V  s  p  2000 cm2 / V  s

ni  2.51013 cm3   8.3   cm1
Silicium n  1500 cm2 / V  s  p  600 cm2 / V  s

ni  1.51010 cm3   41.1   cm1
Arséniure de Gallium : n  7500 cm2 / V  s  p  300 cm2 / V  s

ni 107 cm3   33.9   cm1
Chap: II -38-
Applications numériques suite
Si la résistivité satisfait à la condition énoncée ci dessus, on pourra écrire:
ni2 1
Matériau de type P  p  NA , n , 
NA qN A  p
ni2 1
Matériau de type N  n  ND , p , 
ND qN D n
Dans la réalité, cette condition sera TOUJOURS respectées et la résistivité (ou la

conductivité) ne dépendront que de la densité des porteurs Majoritaires.
Chap: II -39-
Exercice 7- Calculer la résistivité maximale de ces trois
matériaux. Comparer cette valeur avec la résistivité intrinsèque .
Conclusion.
Exercice 8- La pureté maximale possible avec les technologies

actuelles étant de 1013 cm–3, calculer les conductivités
correspondantes pour les trois corps étudiés précédemment.
Exercice 9- On dope un barreau de silicium avec du phosphore.

Donner le type et la valeur du dopage pour obtenir un matériau de
résistivité  = 0,6 .cm.
Quelle est la masse de phosphore nécessaire pour doper un lingot
de 40 cm de long et de 15 cm de diamètre. Sachant que l’on peut
garantir la pesée du phosphore au 1/100ème de milligramme, quelle
est l’erreur maximale commise sur le dopage?
Chap: II -40-
Si la résistivité passe par un maximum, la conductivité passera par un

minimum. Celle ci s’exprime en fonction d’un seul type de porteurs par la
relation (Exercice n° 6):
 ni2 
  q  n n   p 
 n 
Cette fonction passera par un minimum pour la valeur de n qui annulera la

dérivée;
  ni2  p
 q  n  2  p   0 n  ni
n  n  n
On obtient donc: = m . On peut remarquer que cette valeur est inférieure à n i

car p < n. Le matériau présentant la résistivité maximale serait donc de type P.
En reportant cette valeur de la densité dans l’expression de , on obtient:
1
max i 
2qni n  p
Chap: II -41-

ni  2.51013 cm3 max i  41.7   cm1

ni  1.51010 cm3 max i  205 k   cm1

ni 107 cm3 max i  169.5 M   cm1
Chap: II -42-
1

La résistivité Intrinsèque s’exprime par la relation: qni  n   p 
ni  2.51013 cm3 t  38.5   cm1
ni  1.51010 cm3 t  186 k   cm1
ni 107 cm3 t  70.2 M   cm1
On pourra remarquer que le matériau le plus résistif n’est pas l’intrinsèque;

Cela est dû à la différence des mobilités
Chap: II -43-
La pureté maximale permettant d’obtenir des dopages de 1013 cm-3 on pourra, dans le
cas du Germanium, obtenir un matériau Intrinsèque. Pour les deux autres, cela ne
sera pas possible. Les résistivités limites que l’on pourra obtenir seront donc:
ni2 1 1
Typ P : p  N A , n ,  
NA q  n n  p  p  qN A  p
ni2 1 1
Typ N : n  N D , p ,  
ND q  nn  p  p  qN D  n
Application numérique pour le Silicium
typ P :   1 k cm1 ; typ N :   417 cm1
Application numérique pour l’Arséniure de Gallium
typ P :   1.56 k cm1 ; typ N :   73.5 cm1
Les dopages couramment utilisés en technologie étant toujours nettement supérieurs

à cette valeur de 1013 cm-3 , la résistivité ne dépendra que des majoritaires.
La valeur de la résistivité que l’on souhaite obtenir est nettement inférieure à la valeur pour laquelle
on peut considérer que seuls les porteurs majoritaires interviennent. Le phosphore étant de type N
on aura donc: 1

qN D  n
On peut tirer la valeur de ND de cette relation. Cela nécessite toutefois la connaissance de n.
On pourra résoudre le problème en

procédant par approximations
successives.
-On se donne une valeur de la
mobilité et on en déduit le dopage. De
cette valeur du dopage on tire une
valeur de mobilité à l’aide de l’abaque
correspondant et on recommence le
calcul jusqu’à obtenir deux valeurs
consécutives dont l’écart est inférieur
à l’erreur que l’on peut tolérer.
Si par exemple on se fixe une mobilité de 1500 cm2/Vs, on obtient un dopage qui vaut:
1 1
ND    71015 cm 3
q n 19
1.610  0.6  1500
Ce dopage donne une mobilité qui vaut sensiblement 1100 cm 2/Vs. On peut donc
recalculer la nouvelle valeur du dopage qui vaut: 9,5 1015 soit une mobilité de 1050
approximativement et un nouveau dopage de 1016 cm-3. Vu l’écart entre ces deux
dernières valeurs, on s’arrêtera là.
Il faudra donc introduire sensiblement 1 atome de Phosphore tous les 1 Million

d’atomes de Silicium.
Dans ce type de calculs, l’important est de déterminer la puissance de

10 car on travaille sur des grands nombres. Une erreur de quelques
pourcents sur le résultat est tout à fait acceptable.
Calcul du poids de Phosphore utilisé.

Le lingot est cylindrique de longueur 40 cm et de diamètre 15 cm. Son volume est donc:
V = p r2 h = p * 7,52 * 40 = 7068 cm3.
La masse atomique du silicium est de 28.1 g/mole et celle du phosphore vaut 31 g/mole
(voir tableau de Mendeleïev).
Le nombre d’atomes par mole est égal à 6,02 1023 (nombre d’Avogadro).
La densité d’atomes de Silicium est de 5,02 1022 cm-3.
7068 1016
La masse de phosphore utilisée vaut donc: M P  23
 31g  3.64 mg
6.0210
On peut rapprocher cette valeur du poids du lingot de silicium qui vaut:

7068  5.0210 22
M Si   28.1g  16.56 kg
6.021023
Le poids du dopant est donc infiniment petit par rapport à celui du lingot.
Si l’erreur absolue sur la pesée du Phosphore est de 1/100ème de mg, l’erreur relative
vaut: 0,01/3,64 c’est à dire 2,7 10-3. L’erreur sur le dopage sera la même car la densité
d’atomes dopants est directement proportionnelle au poids. Cette précision est illusoire
car les variations du process ne permettent pas d’atteindre de telles précisions.
Exercice 10- A partir du semi-conducteur précédent, on souhaite obtenir
un matériau de type opposé. Quel dopant va-t-on utiliser et quelle est la
concentration et le poids nécessaire permettant d’obtenir un matériau de
résistivité égale à 2 cm.
Solution Exercice 10- Pour obtenir un matériau de type opposé, le dopant utilisé
devra être un accepteur c’est-à-dire appartenir à la colonne III de la classification
périodique des éléments. Pour le silicium, le dopant généralement utilisé est le Bore.
Le processus sera le même que celui décrit ci-dessus pour le phosphore. Toutefois,
le matériau n’étant pas intrinsèque au départ de l’opération, il faudra d’abord injecter
une quantité d’atomes de Bore égale à celle du phosphore pour compenser le
matériau. On obtiendra du silicium « Intrinsèque par compensation ». A partir de ce
matériau compensé, on appliquera le même raisonnement que précédemment.
Le nombre de trous dans ce matériau sera donc: p = NA – ND

1 1 1
  et donc N A  N D 
La résistivité s’écrit: qp p q  N A  ND   p q  p
On obtient NA = 1016 + 6,25 1015 = 1,625 10 16 cm-3.
Qui correspond à un poids de 2,06 mg de Bore.

Exercice 11- Calculer le rapport du courant d’électrons et de trous correspondant
au matériau de l’exercice n° 9. Conclusion.

Le matériau étant homogène, le courant est dû à la conduction. On peut donc écrire:
I n J n  n qnn n n n 2 n
    2  2
I P J P  P qp p ni ni  p
p
n
Application numérique: ce rapport vaut 0.78 1012 ce qui revient à dire que le
courant de conduction est le courant d ’électrons c’est-à-dire le courant des porteurs
majoritaires.
Chap: II -49-
Exercice 12- On considère un barreau de silicium de 2 cm de long et 0,1 cm2 de
section . Le silicium est de type N (ND = 5 1015 cm-3 ). On applique aux bornes de ce
barreau une tension de 12 Volts et on mesure un courant de 720 mA. Calculer la
mobilité des électrons.
Solution Exercice 12-Le courant de conduction s’écrit:
I  j  S   n  S  E  q  n   n  S  E  q  n  vD  S
I I
Donc : vD  
qnS q  ND  S
AN : vD  9000 cm / s
Exercice 13- Comparer la vitesse des électrons dans un semi-conducteur (par
exemple celui de l’exercice n° 9) à celle des électrons dans un métal qui serait
parcouru par la même densité de courant. En déduire la mobilité des électrons dans le
cuivre .
On donne: densité atomique: 5 1022 cm-3.

Pour une même densité de courant, on aura:
jsc  q  n  vsc et jmétal  q  N  vm avec N  5 1022 cm 3

n
D ' ou : q  n  vsc  q  N  vm on oblient vm  vsc
N
AN : vm  9 104 cm / s soit 9  m / s
Ceci s’explique simplement par le fait que dans un métal il y a un électron libre par
atome d’ou une population extrêmement importante qui se déplacera très lentement.
Il ne faut pas confondre vitesse de déplacement des porteurs et vitesse de
propagation du courant électrique.
Chap: II -51-
Exercice 14- Calculate the mean free time of an electron and mean free
path having a mobility of 1000 cm2/V-s at 300 K. Assume me = 0.26m0,
where m0 = electron rest mass = 9.1 x 10-31 kg.
Exercice 14- Calculate the mean free time of an electron and mean free
path having a mobility of 1000 cm2/V-s at 300 K. Assume me = 0.26m0,
where m0 = electron rest mass = 9.1 x 10-31 kg.

me e
From (5),  
e
(0.26  9.1  10 31 kg)(1000  10 4 m 2 .V -1.s -1 )

1.6  10 19 C
 0.148 ps
s mv 2 3kT
v ; 
t 2 2
3kT
vth  105 m/s
m
l  vth  14.8 nm
Exercice 15- In metals, μe = 5 x 10-3 m3/(V-s) and l = 1 cm, V = 10 volts
is applied. Find the drift velocity vD and compare to thermal velocity vth.
Exercice 15- In metals, μe = 5 x 10-3 m3/(V-s) and l = 1 cm, V = 10 volts
is applied. Find the drift velocity vD and compare to thermal velocity vth.

V 
vD   e E   e  
l 
 3 m   10 V 
2
  5  10  2 
 V.s   10 cm 
vD  5 m/s
3kT 3  1.38  1023 J/K  300K
vth  
m 9.1 1031 kg
vth  1.17  105 m/s
vD  vth
Transport sous l’effet d’un gradient de
concentration
Il apparaît un courant qui tend à homogénéiser la concentration
Ce courant est d'autant plus faible que la différence de concentration est

faible (il tend vers 0 à l'équilibre)
C ( x )
I
x proportionnel
au gradient de
négatif parce que les concentration
particules diffusent vers
les régions de plus faible
concentration
Chap: II -56-
Mouvement de diffusion des porteurs
Le phénomène de diffusion est lié à l’existence de gradient de
concentration ou gradient de température
Il y a diffusion des régions de forte concentration vers les régions de
faible concentrations
C i
C  i C : concentration de l’espèce
C
x
C
0
x
Loi de Fick : le mouvement des porteurs de charges s’effectuera
dans une direction qui a tendance à uniformiser leur distribution
spatiale. Ce phénomène est équivalent à celui de l’équilibre de la
pression d’un gaz dans une enceinte.

(Loi de Fick) : F  D  C D : coefficient de diffusion (cm-2s-1)
Le flux des particules F est proportionnel au gradient de concentration
Le signe( – ) vient du fait que pour qu’il y ait étalement, le gradient doit être < 0. Cette
loi est générale et s’applique aussi bien aux électrons, aux trous , aux atomes et aux ions.
Chap: II -57-
 Courants de Diffusion : En considérant macroscopiquement la diffusion des
électrons et des trous, leur déplacement est équivalent à un courant. On peut
donc exprimer les densités de courant de diffusion des électrons et des trous en
multipliant le flux des porteurs par la charge élémentaire.
 Cas des électrons :
1 
Fn   .J n, D  J n , D   q.Dn  n
q
Dn : coefficient de diffusion des électrons.
Par convention la densité de courant est de sens opposé au
déplacement des électrons. Les électrons étant de charge
<0, se déplaçant vers les x>0, le gradient de concentration
<0, la densité de courant est <0.
Cas des trous :
1 
Fp  .J p , D  J p , D  q.D p  p
q
Dp : coefficient de diffusion des trous
Par convention la densité de courant est dans le même sens
que celui des tous. Les trous étant de charge>0, se déplaçant
vers les x>0, le gradient de concentration<0, la densité de
courant est>0. -58- Chap: II
Densité de courant de diffusion

J n , D  ( q ).Fn   q.Dn  n Pour les électrons

J p , D  ( q ).Fp   q.D p  p Pour les trous
 
J D  q.( Dn  n  D p  p ) Total
Chap: II -59-
Densité de courant totale
 Densité de courant total d’électrons dans un semi-conducteur :
dn( x)
J n  J n ,deriv  J n , Dif  q n nE  qDn
dx
 Densité de courant total de trous dans un semi-conducteur :
dp ( x)
J p  J p ,deriv  J p , Dif  q  p pE  qDp
dx
 Densité de courant total dans un semi-conducteur :
J  J n  J p   J deriv  J diff
n, p n, p
 Les coefficients de diffusion s’expriment en cm²/s. Ils sont de l’ordre de
grandeur de l’unité et en général tels que Dn>Dp.
 Les équations présentées ici ne sont valables que pour un semi-conducteur
homogène et à température constante. Ces équations sont profondément
modifiées quand le dopage, le « gap » ou la température varient.
 Le modèle utilisé ici unidimensionnel permet de mener à bien des calculs
analytiques. -60-
Chap: II
Relations d’Einstein
Démonstration simple de la relation d’Einstein;

dan le cas à une dimension on a:
1 1 q
m0 vth  kT
2
n 
2 2 m0
m0 n kT
Dn  vthl  vth (vth )  v
2
th  n
q q
De même pour les trous:
kT
Dp  p
q
Dp Dn
kT Relation d’Einstein
 
 p n q
Chap: II -61-
Chap: II -62-
Equations de Maxwell
 Equations de Maxwell pour des matériaux isotropes et homogènes :
B D B  0 , B  0 H
 E   ,  H    J cond  J tot
t t
Conditions statiques
t
D   ( x, y, z ) , D(r , t )    s (t  t ') E (r , t ')dt ' D sE

 E et D sont le champ et l’induction électrique.

 H et B sont le champ et l’induction magnétique.
 s et 0 sont la permittivité du semi-conducteur et la perméabilité du vide.
 (x,y,z) est la densité de charge électrique totale, Jcond la densité de
courant de conduction et Jtot la densité de courant total (incluant à la fois
la conduction et la diffusion  .Jtot=0).
 Parmi les six équations de Maxwell, la plus importante est sans doute celle
de Poisson.
-63-
Chap: II
Equation de Poisson
 L’équation de Poisson est issue des équations de Maxwell et

reste valable dans un semi-conducteur. En supposant un modèle
à une dimension on peut écrire :
D   sE   ( x, y, z )
V2
 Concentration de charges C/m3

x 2
 0 r Permittivité du semi-conducteur en
F/cm
Laplacien en V/cm²
d 2V dE  ( x)
On peu l’écrire comme:  
dx 2
dx  sc
Chap: II -64-
Equation de Poisson
 Dans un semi-conducteur dopé par les deux types de dopants,

la concentration de charges totales tient compte des porteurs
libres et des atomes ou impuretés ionisées :
  q( p  n  N D  N A )
d 2V
 
e
 p ( x )  n ( x )  N 
( x )  N 
( x)
dx 2
 sc D A
Charge mobiles Charges fixes

(électrons et trous) (dopants ionisés)
 Dans de nombreux cas, pour aboutir à une solution analytique,

il faudra simplifier cette expression en comparant les
différentes concentrations.
Chap: II -65-
Longueur de Debye
• Si on écrit l’équation de Poisson dans un type n en exprimant n en

fonction de  Fi :
d 2 F Fi
dx 2
 
e
 sc
N 
d ( x )  ni e eF Fi / kT

en remarquant que: V(x)=FFi cte
• Si Nd(x) => Nd+DNd(x) , alors FFi est modifié de FFi
d 2 Fi e 2 N d e
 Fi   N d ( x)
dx 2
 sc kT  sc
Chap: II -66-
Longueur de Debye
• Signification physique?
– Solution de l’équation différentielle du 2° degré:
 Fi  A exp 
x  sc kT
avec LD 
LD e2 N D
– La « réponse » des bandes n’est pas abrupte mais

« prend » quelques LD ( si Nd=1016 cm-3, LD=0.04µm).
Dans cette région, présence d’un champ électrique
(neutralité électrique non réalisée)
Chap: II -67-
Equations de continuité
 Hors équilibre thermodynamique, on cherche à déterminer le taux de

variation de la concentration des porteurs (électrons et trous) en fonction
du temps (modèle unidimensionnel).
 Soit un élément de volume d’épaisseur dx. Si le dx

flux entrant F(x) est supérieur au flux sortant C(t) x  dx
F(x+dx), la concentration des particules S
augmente. L’évolution du nombre de porteurs
par unité de temps est donné par:
F
N C x
 Sdx
t t F F ( x  dx)  F ( x)
 F ( x) S  F ( x  dx ) S 
x x  dx  x
F F F
dx  F ( x)  F ( x  dx)
 F ( x) S  S ( F ( x)  dx )   S dx x
x x
C
  div F Equations de continuité
t -68-
Chap: II
Supposons que dans cet élément il soit possible de générer des paires de
porteurs par des photons (taux de génération G, cm-3/s) ou d’en faire
disparaître sur place par recombinaison (taux de recombinaison U , cm-3/s)
C dF
  G U
t dx
Variation de concentration = variation du flux + génération-recombinaison
 Pour les électrons:
J n  qFn , J n  q n nE  qDn n
n 1
 div J n  G  U
t q
 Pour les trous:
J p  qFp , J p  q  p pE  qD p p
p 1
  div J p  G  U
Chap: II t q -69-
 Hors équilibre thermodynamique, on cherche à déterminer le taux de
variation de la concentration des porteurs (électrons et trous) en fonction
du temps (modèle unidimensionnel).
n 2n 
1 tot
Fn   jn
q t
 Dn 2  n
x x
 
nE  G  U
p 2n 
Fp 
1 tot
q
jp
t
 Dp 2   p
x x
 
pE  G  U
 Hypothèse de faible injection i.e la densité de porteurs injectés est

inférieure à la densité de porteurs majoritaires à l’équilibre  le taux de
recombinaison U  (np-np0)/n avec np la densité de porteurs minoritaires,
np0 la densité de porteurs minoritaires à l’équilibre thermodynamique et n
le temps de vie des électrons.
 La même hypothèse existe pour les trous conduisant à la relation :
U  (pn-pn0)/p
 Si les électrons et les trous sont générés et recombinés par paires sans
pièges ou autres effets similaires alors on peut écrire que:
n=p.
Chap: II -70-
Exercice 14
Un échantillon de Si est dopé avec 1017 atomes de phosphore par cm3.

- Ce semi-conducteur est de quel type?
-Quelle est la concentration de porteur de charge majoritaire?
- Que mesurer sa résistivité?
- Quelle est la tension de Hall dans un échantillon de 100 m
d'épaisseur si Ix = 1.0 mA et B z  105 Wb / cm 2 ?
Chap: II -71-
Solution de l’exercice 14
-Puisque le phosphore est un élément de la Vème colonne il a un 1 électron
faiblement lié dans la matrice Si. Ainsi, il s'agit d'impureté donneur et le semi-
conducteur est de type n.
-Comme l'énergie de Fermi devrait être suffisamment en dessous de E C (c.-à-d
EC - EF >> kT = 0,0259 eV). Ainsi presque tous les niveaux donneurs seront ionisés
et les électrons occuperont des états dans la bande de conduction. En conséquence
n0  N d
-A partir des courbes données dans le cours, la mobilité des électrons est de 700
cm2/(Vs). Ainsi, la conductivité est (p0 est négligeable):
  qn n0  1.6 1019  700 1017  11.2(cm)1.

-La résistivité est:   1/   0.0893 cm
-Le coefficient de Hall pour les électrons est donné comme
RH    qn0   62.5cm3 / C
1
3 5
-La tension de Hall est V  I xB z R  10 A 10 Wb / cm  (62.5cm3 / C)  62.5 V
2
102 cm
AB H
t
Chap: II
-72-
Silicium
Chap: II -73-
Exercice 15
Trouver la résistivité du silicium intrinsèque à la température ambiante
et le classer comme un isolant, semi-conducteur, ou conducteur.
On donne n et p
Chap: II -74-
Pour le silicium intrinsèque, les densités d'électrons et de trous sont toutes
deux égales à ni.
Les inconnues: la résistivité  et la classification.
Approche: Utiliser l’équation:  = q(n n + p p) (cm)-1
Hypothèses: La température est indéterminée; supposent «température
ambiante» avec ni 1010/cm3.
Compte tenu de courant de dérive et de la mobilité, nous pouvons calculer
la résistivité:
jndrift = Qnvn = (-qn)(- nE) = qn nE A/cm2
jpdrift = Qpvp = (-qp)(- pE) = qp pE A/cm2
jTdrift = jn + jp = q(n n + p p)E = E
Ceci définit la conductivité électrique:
 = q(n n + p p) (cm)-1
La résistivité  est l'inverse de la conductivité
 = 1/ (cm)
Chap: II -75-
Phénomènes de diffusion (Exercices).
Exercice n° 16- Soit un échantillon de silicium de type N de résistivité  = 0,5 cm. La

durée de vie des porteurs en excès est inversement proportionnelle au dopage et vaut
 = 10 s pour N = 1016 cm-3. On génère à la surface du semi-conducteur des porteurs
en excès avec une vitesse de génération qui vaut: g = 1017 cm-3.s-1.
A) La longueur de l’échantillon est supposée infinie.
1°) Déterminer la loi de répartition des trous en fonction de la distance. Calculer la
densité des trous dans le plan x = 0 .
2°) A quelle distance l’excès de densité de trous devient-il égal au 110ème de sa
valeur en 0? Quelle est à cette distance la densité du courant de trous?
3°) Calculer la vitesse de diffusion des trous. Quelle serait la valeur du champ
électrique qui leur communiquerait la même vitesse?
4°) Calculer la quantité d’électricité emmagasinée lors de la diffusion.
B) Mêmes questions lorsque on place un contact Ohmique à la distance W = 10-4 cm.
Chap: II -76-
Phénomènes de diffusion: Exercice n° 16- (Solution).
Le premier travail est déterminer la densité des porteurs à l’équilibre

thermodynamique afin de savoir si la génération satisfait l’hypothèse de
faible niveau d’injection. Le matériau est de type N et sa résistivité vaut :  =0,5 cm.
L’abaque des résistivités en fonction du dopage nous
permet de lire pour  =0,5 cm une valeur de dopage qui est sensiblement égale à:
ND=1016 cm-3 . Compte tenu de cette valeur, on en déduit:
n0  N D  1016 cm 3
ni2
p0   2.5610 4 cm 3
ND
Dans le plan x = 0, la densité des porteurs excédentaires injectés vaut:
p  g0  1017 107  1010 paireélectron  trou / cm3
On peut donc vérifier que: p p0 et p n0 Cette double condition satisfait donc
l’hypothèse de faible niveau d’injection.
On peut donc considérer que la densité des porteurs en excès obéit à l’équation de
conservation des porteurs qui s’écrit:
p 1 p
  div J p  g
t q p
Chap: II -77-
Phénomènes de diffusion: Exercice n° 16- (Solution suite)
Les conditions particulières liées à notre cas entraînent:

g = 0 dans le volume car la génération est localisée dans le plan x = 0.
dp
  0 car on se place dans le cas d’un régime permanent.
dt
Le champ électrique est nul en volume (pas de tension appliquée).
L’équation se ramène donc à:

d2 p p d2p p
Dp 2   0 qui s ' écrie  0 avec L2p  Dp p
x p x 2 2
Lp
Les solutions de cette équation sont donc de la forme:
x x

p( x)  Ae  Be
Lp Lp
Chap: II -78-
A) – La longueur de l’échantillon est supposée infinie.

1°)- La détermination des constantes d’intégration satisfait aux conditions aux limites
énoncées ci-dessous:
en x =0 p (0) = p = g0
en x = p() =0 car à une distance infiniment grande, tous les porteurs sont
recombinés.
On en déduit donc: A  B  p
Ae   Be  0 Cette deuxième relation impose que B = 0 (le
terme de réflexion est nul).
Il s’en suit: A  p
 x / Lp
La solution s’écrit donc:p( x)  Ae
C’est la solution générale, en physique, de tout système que l’on laisse évoluer
librement.
La densité du courant de trous (lié à la diffusion) est proportionnelle à la dérivée de la
distribution des porteurs. Elle s’écrit:
d x/ L Dp p  x / Lp
J p ( x )  qDp (pe p )  q e
dx Lp
Dp p
En x = 0, la valeur de la densité de courant est: J p (0)  q
Lp
Chap: II -79-
A) –Application Numérique: il faut donc déterminer Dp et Lp. L’abaque de mobilités

nous donne pour N D  1016 cm3 : p = 450 cm2/V.s
On en déduit: Dp = p * UT = 450 * 26 10-3 = 11,7 cm2/s, d’ou;
L2p  Dp  p  11.7 107 soit Lp  1.08 103 cm  10.8 m

La densité de courant dans le plan origine vaut donc:
Dp p 11.7 1010
J p (0)  q  1.610 19
  17.33  A / cm3
- Lp 1.08 103
2°)- La densité des porteurs décroît exponentiellement. La distance pour laquelle elle
sera divisée par 10 se déduit de:
 x / Lp
p( x) 1 pe
  soit x  L p ln10  2.3L p qui donne x  24.84 m
p 10 p
Au delà de cette distance, l’excès de densité de porteurs devient très faible. Cela
permet de relativiser l’infini pour un porteur. La densité de courant varie suivant la
même loi ce qui implique que dans un système, si on place un contact à une
distance grande devant la longueur de diffusion, la densité de courant tendra vers 0.
On comprend donc que les dimensions des composants devront être petites.
Chap: II -80-
A) 3°)- Vitesse de diffusion des trous.
J p ( x )    vD  q  p( x)  vD
dans laquelle, v D est la vitesse de dérive des porteurs.
Dp Dp
On en tire: J p ( x )  q  p ( x)  vD  q p ( x) qui donne vD 
Lp Lp
L2p Lp
ou encore vD    10.8  103 V / cm
Lp  p p
On peut remarquer que la vitesse du porteur est une constante indépendante de sa
position
Le champ électrique qui communiquerait la même vitesse aux porteurs serait:
vD Dp UT
vD   p E soit E    soit E  24.07V / cm
p Lp  p Lp
ce qui est très faible
Chap: II -81-
A) 4°)- Quantité d’électricité emmagasinée lors de la diffusion.

Elle s’exprime par la relation:
 
Q  qS  p( x)dx  qS p  e dx  q  S  p  L p
x / Lp
0 0
S est la section du barreau.
La charge par unité de surface vaut donc:

Q
 q  p  L p  1.73 pCb / cm 2
S
Cette valeur peut paraître faible mais on verra que dans les composants, on obtient
des valeurs beaucoup plus petites .
On peut exprimer cette charge en fonction du courant. Il vient;
D p p D p p L2p L2p
I p  J p  S  q S or Q  q  S  p  L p  q  S  I p 
Lp Lp Dp Dp
donc Q  I p  p
La constante de temps qui intervient dans le calcul de la charge est la Durée de vie
du porteur.
Dans le régime libre, les paramètres associés au phénomène de diffusion sont
les paramètres caractéristiques dus porteurs.
Chap: II -82-
B) – La longueur de l’échantillon est finie, de dimension W.

La seule modification intervient sur les conditions aux limites de l’équation de
conservation. Elles deviennent:
en x  0 p (0)  p  g 0  
en x  W p (W )  0
L’annulation de l’excès de densité est due au contact Ohmique qui est recombinant.
Il s’en suit:
A B  p
W / L p
 Be 0
W / Lp
Ae
On a donc un système de deux équations à deux inconnues à résoudre. Cela donne:
p 1
W / Lp W / Lp W / Lp
0 e e e
A  p W / L p
 p
e
W / Lp
1 1 e W
2sh
W / L p W / Lp Lp
e e
1 p
W / Lp W / Lp W / L p
e 0 e e
B  p W / L p
 p
e
W / Lp
1 1 e W
2sh
W / L p W / Lp Lp
e e
Chap: II -83-
B) En reportant, on obtient.
W x
sh
p  
W x W x
 Lp
p( x)  e e   p
Lp Lp
W   W
2sh   sh
Lp Lp
C’est la solution générale du système.
On pourra vérifier que le passage à la limite x →infini nous ramène à la solution en
exponentielle.
La densité de courant peut donc se déduire de la loi de distribution des porteurs.
 W x 
 sh
d  Lp  qDp p W x
J p( x)  qDp p  ch
dx  sh
W 
L sh
W Lp
 Lp 
p
Lp

Pour la vitesse de diffusion des porteurs, on aura:
qDp p W x
J p ( x )  qp( x)vD  ch
W Lp
Lp sh
Lp
Chap: II -84-
B) qui donne:
W x
ch
J p( x) Dp Lp Dp W x
vD    coth
qp( x) Lp sh W  x Lp Lp
Lp
La proximité du contact ohmique se traduit donc par une accélération des porteurs. La vitesse tend
théoriquement vers l’infini. En réalité, la limitation physique correspond à la vitesse thermique qui vaut
sensiblement 107 cm/s à 300 °K.
La quantité d’électricité emmagasinée s’exprime par:
W x  W x
W
sh  ch L 
W W Lp qS pL p  W
Q  qS  p ( x)dx  qS p  dx  qS pL p    
p
 1 ch 
0 0
sh
W  sh W  sh
W  L p 
Lp  L p  Lp
 ¨0
Ces expressions sont relativement compliquées mais vont généralement se simplifier dans les cas
pratiques.
Dans le cas de l’exercice, W = 1m. Dans toutes les expressions précédentes, on remarque des termes
faisant intervenir des fonctions du rapport W/Lp. Ce terme intervient sous forme de sinus ou de cosinus
hyperboliques.
Dès que ce rapport sera inférieur à 1/3, on pourra simplifier. En effet:
pour  << , sh  →; ch →1 + 2/2 … etc.
Par exemple; sh(1/3) = 0,339. On considèrera donc que dès que le rapport W/L est inférieur à 1/3 on peut
linéariser les relations en utilisant les développements limités des fonctions correspondantes
Chap: II -85-
B) W = 1 mm; W/L = 1:10,8 = 0,0926 <<1/3.

Compte tenu de ce qui précède, on peut donc linéariser les équations. On obtient donc:
W x
sh
Lp  x
Pour la distribution des porteurs p ( x)  p  p  1   La distribution est donc linéaire.
W x  W
sh
Lp
Le courant, qui est la dérivée de la distribution , sera donc constant (les porteurs injectés seront récupérés
au niveau du contact!)
 W x 
 sh
d  Lp  qD p p W x qD p p  W 2 
J p( x)   qD p p   ch  1  2 
dx  sh
W 
L sh
W L p L
W
 2 Lp 
 Lp 
p
Lp
p
Lp

qD p p  W 2  qD p p
 1  2  
W  2 Lp  W
On peut en effet se contenter d’un développement limité au 1er ordre pour le cosinus hyperbolique qui tend
donc vers 1 alors que dans le cas du calcul de la charge ou intervient un terme en 1-ch, on prendra le
développement au second ordre.
On peut remarquer que par rapport à la distance infinie, on a remplacé dans l’expression du courant, la
longueur de diffusion par la dimension du barreau. Cette dernière étant beaucoup plus petite que la
longueur de diffusion et intervenant en dénominateur d’une fraction fait que le courant devient plus
important. De plus, il est indépendant de la distance.
Chap: II -86-
B) En ce qui concerne la vitesse de diffusion, on a:
J p( x) Dp W x Dp W  x Dp 1 Dp
vD   coth  ch  
qp( x) Lp Lp Lp sh
W Lp W 1 x W  x
Lp W
On remarque le phénomène d’accélération du au contact (sana oublier la limitation due à la vitesse

thermique).
Pour le calcul de la charge stockée, il vient:
qS pLp  W qS pLp   W2  qS pW

Q 1  ch    1  1  2    
W  Lp  W   2 Lp
sh    2
Lp Lp
On peut donc remarquer que pour passer de l’espace infini au barreau court, il suffit de remplacer Lp par W
sauf dans le cas de la charge stockée ou apparaît un facteur 1:2. Ce facteur provient du développement
limité au « second ordre »
Chap: II -87-
B) Comme dans le cas du barreau infini, on peut écrire la charge comme étant le produit d’un courant par
un temps. Il s’en suit:
qS pW qDp p qDp p W2 W2

Q or I p  J p S  S donc Q S  Ip
2 W W 2 Dp 2 Dp
W2
Le terme qui apparaît s’exprime en secondes. Il s’agit du « temps de transit » entre le plan d’injection
2 Dp
et le contact.
Applications Numériques.
qD p p A
Densité de courant: J p( x)   187.16
W cm 2
 Dp 
Dp cm
Vitesse de diffusion (en x = 0) vD     260
W x  W  en x 0 s
qS pW Q pCb
Charge stockée: Q    0.08
2 S cm 2
Ce cas particulier est celui que l’on retrouvera dans tous les composants actifs du type
bipolaire: Diodes à jonction et transistors bipolaires.
Chap: II -88-
Génération et Recombinaison
des porteurs de charges 2-2
Injection ou extraction de porteurs, durée de vie
Un semi-conducteur est dit à l’équilibre thermodynamique si

sa température est constante, s’il est homogène et si les
densités de porteurs obéissent à la loi d’action de masse:
n0 p0  n 2
i
Lorsqu’on perturbe cet équilibre np  n 2
i , on peut définir
deux cas:
- Extraction de porteurs: np  ni2

- Injection de porteurs: np  n 2
i
Le deuxième cas est le plus fréquent. L’injection peut se faire

de différentes manières:
-Élévation de température,
-Utilisation d’un rayonnement ionisant,
-Injection à partir d’une électrode.
Chap: II -90-
Injection ou extraction de porteurs, durée de vie
On désignera par n et p les densités de porteurs en excès. Les

densités totales pour un matériau hors d’équilibre s’écriront alors:
n  n0  n et p  p0  p
On peut classer les phénomènes d’injection en deux catégories suivant la
valeur de la densité des porteurs injectés par rapport à la densité des
porteurs majoritaires dans le matériau.
-Faible niveau d’injection si la densité des porteurs

injectés est faible par rapport à celle des majoritaires,
n  n pour type N
p  p pour type P
-Fort niveau d’injection si elle devient du même ordre de
grandeur.
n  n pour type N
p  p pour type P
Chap: II -91-
Phénomènes de génération recombinaison
Dans un matériau semi-conducteur, les densités de
porteurs existant dans les bandes sont le résultat de
deux mécanismes permanents d’échange entre elles. Il
s’agit de la Génération et de la Recombinaison.
Les porteurs créés passent de la bande de valence vers celle de conduction

puis effectuent le chemin inverse en se recombinant. Il existe donc un flot
permanent de porteurs allant de la bande de valence vers la bande de
conduction et vice et versa.
Les phénomènes de génération et de recombinaison sont illustrés ci-contre.
A l’équilibre thermodynamique, les densités étant constantes, on peut en
déduire que la génération et la recombinaison sont égales: g0 = r0.
-Si g > r, on a augmentation de la densité des porteurs, c’est à dire
injection.
-Si g < r, on a une diminution de la densité des porteurs, c’est à
dire extraction.
Ces mécanismes d’écart par rapport à l’équilibre s’effectuent avec une
constante de temps  appelée durée de vie des porteurs.
Chap: II -92-
Semiconducteurs hors équilibre thermodynamique
Génération des porteurs
- e
 fon Soit un photon tq:
Génération  Si hn  E g
Pas de création de paire
électron /trou
hn>Eg
Si hn  Eg
- e

recombinaison
thermalisation Possibilité de création de
paire électron /trou
hn ~ Eg
L’énergie hn  Eg sera
+ h
+ h
 fon perdue par relaxation des
porteurs (thermalisation)
Chap: II -93-
Semiconducteurs à gap directe et
indirecte: Concept de l'espace k-2
Dans l‘espace d’énergie –moment
(E-k)
2
k2
Energie
E  EC 
2mC*
Moment E= énergie phonon

k = moment du phonon
Moment
2
k2
Energie
E  EV 
2mV*
Gap Directe Gap indirecte
A Noter la relation parabolique entre l'énergie et de le vecteur d’onde

Pour les trous, qui sont censés être à charge positive, la relation est inversée
Chap: II -94-
Phonon
 Les atomes vibrent autour de leur position moyenne à une
température finie. Ces vibrations produisent des ondes
vibratoires à l'intérieur du cristal.
 Les Phonons sont les quanta de ces ondes vibratoires. Les
Phonons se déplacent avec une vitesse égale à la vitesse du
son.
 Leur longueur d'onde est déterminée par la constante de réseau
cristallin. Phonons ne peut exister qu’à l'intérieur du cristal.
 La transition qui implique des phonons sans produire des photons
sont appelés transitions non radiatives.
 Ces transitions sont observées dans les semiconducteurs à bande
interdite indirecte.
 Ainsi, afin d'avoir LED et laser efficaces, il faut choisir des
matériaux ayant des bandes interdites directes telles que le
composé S / C de GaAs, AlGaAs, etc
Chap: II -95-
Pour un semiconducteur de structure de
bande directe
Sous l’effet de hn l’électron va gagner
cette énergie et va monter dans la bande de
conduction Ef,kf E B.C
puis descendre en perdant a chaque

fois un phonon
hn Eg=1.46eV
Pour GaAs
-
Conservation de l’énergie:
E f  Ei  Eg  ( E f  EC )  ( EV  Ei ) Ei,ki
B.V kx
2
k2 2 2
k .
 Eg  *

2mC 2mV*
Conservation de la quantité de mouvement:
Car le photon n’a pas de quantité

k f  ki  k photon  ki  k de mouvement importante
Chap: II -96-
Pour un semiconducteur de structure de
bande indirecte
Les transitions sont indirectes: E Eq: énergie de
phonon
k f  ki   k B.C
Eq
Ef,kf
La quantité de mouvement n’est pas hn
conservée. On a besoin d’un phonon Eg
Ei,ki
Eq: énergie de phonon
kx
Eq= hnq
.
B.V
Conservation de l’énergie:
si: Ef - Ei = hn + Eq (absorption de phonon)
si: Ef - Ei = hn - Eq (émission de phonon) Δk
k
Conservation de la quantité de mouvement Eg=1.12eV
Pour Si
k f  ki  k photon  q  ki  q k photon negligeable
Chap: II -97-
Tout le spectre électromagnétique
E eV  
1.24
Yellow
Green
Violet
Red
 m 
Blue
Infrared Visible Ultraviolet
InN GaAs GaP GaN

InS Ge Si CdS Cd SiC ZnS AlGaN AlN
b e S
Eg (eV)
0 1 2 3 4 5 6
 (m) 7 5 3 2 1 0.8 0.6 0.4 0.3 0.2
Chap: II -98-
Coefficient absorption
La dépendance d'énergie de photon du
coefficient absorption est exprimée
par le terme
(hn  Eg )1/ 2
 (hn )  A trans. directe
hn
 (hn )  B *(hn  Eg )1/ 2 trans. indirecte
Le coefficient absorption augmente avec la racine carrée de l'énergie de
photon et le début de l'absorption est au gap
A et B* sont différent
Supposons : A = B* = 104; ils peuvent différer par ~ 5x102 (Ge / GaAs) mais
même si on les prend égaux, Des différences notables ont lieu.
Notons : pour hn grand , des transitions interbande peuvent aussi avoir lieu
dans des semiconducteurs à gap indirects.
Relation entre  et intensité de la lumière I (Loi de Baer-Lambert) :
I  I 0 e   x I0 : Intensité de la lumière incidente

x : distance de la surface
Chap: II -99-
Exercice 17
Excitation lumineuse  génération de paires électrons-
trous (cas d’un semi-conducteur type n).
Pour un semiconducteur à base de Silicium de type N à l’équilibre

thermodynamique:
nn0=1016 cm-3 ≈ ND ; pn0=104 cm-3 ,   100  s pour le Si
AM1: Aire masse 1 ; c’est l’énergie solaire à midi
AM1 F ≈ 1017 photons /cm2/s. hn>Eg
1-Quel est le taux des porteurs photogénérés?
2- Quel est le nombre des porteurs ainsi créés ?
Chap: II -100-
1- En 1ére approximation les photons sont absorbés dans une

épaisseur de 1/
Pout le Silicium  = 102 cm-1
1
 100  m

c’est l’épaisseur du silicium ou de la lumière est absorbée
Soit G le taux des porteurs photogénérés:
F
G   F  1019 cm 3 s 1
1/ 
Chap: II -101-
Solution de l’exercice 17 suite
2-
nn  nn0  n
pn  pn0  p
Les porteurs ainsi créés ont une durée de vie:   100  s pour le Si
n  p  G   1019104  1015 cm3

nn  nn0  n  1016  1015  1016 cm 3
pn  pn0  p  104  1015  1015 cm 3
pn  p
Comme pn<nn0 on est en faible injection
A 100 soleils: Δn= Δp= 1017cm-3 > nno  Forte injection
Chap: II -102-
Exercices
Exercice n° 18- Déterminer la longueur d’onde maximale permettant de
générer une paire électron-trou dans du silicium. Même chose pour le
Germanium et l’Arséniure de Gallium. Conclusions.
Exercice n° 19- On considère le barreau de silicium représenté sur la figure

ci contre;
Les caractéristiques du matériau sont les suivantes:
•Silicium type P (dopage: NA = 1015 cm-3)
•Longueur du barreau: 1 cm; section 4 10-2 cm2.
•Durée de vie des porteurs:  = 10-5 s
•On donne pour le silicium: ni = 1,6 1010 cm-3.
1- On applique entre les bornes de ce barreau une tension de 10 V. Calculer
le courant qui circule dans cette structure.
2- On éclaire ce barreau de silicium avec une radiation de longueur d’onde
telle que la vitesse de génération des porteurs soit constante dans tout le
volume du matériau. Cette vitesse de génération vaut: g= 10 17 cm-3.s-1.
Déterminer la variation relative de la résistance du barreau sous éclairement.
Chap: II -103-
Exercices
Exercice n° 20- On considère un barreau de semi-conducteur homogène type N
(dopage ND = 1015 cm-3. ) d’épaisseur W, dont on éclaire la face avant avec une
radiation de courte longueur d’onde.
La génération suit une loi de la forme :
g  g 0 e  x  est une constante fonction

de  et s’exprime en cm-1.
En se plaçant dans le cas de l’hypothèse de faible injection, montrer que , le système

étant isolé, il apparaît entre les deux faces du semi-conducteur une différence de
potentiel que l’on calculera.
A.N:  = 0.1 cm-1 , W = 100 mm .
Chap: II -104-
Injection de porteurs, variation de résistance (Solution).
Exercice n° 18- Pour générer une paire électron-trou dans un matériau semi-conducteur, il faut que
l’énergie du rayonnement soit supérieure ou
égale à la largeur de la bande interdite, soit: E ≥EG c
Or, l’énergie transportée par un rayonnement s’exprime par la relation: E  hn  h

L’énergie étant inversement proportionnelle à la longueur d’onde, l’énergie minimum correspondra à
la longueur d’onde maximum permettant de générer des porteurs. La relation s’écrira donc:
c c
h  EG  max  h
max EG
Applications numériques.
Le tableau des constantes donne: h = 4,14 10-15 eV/s; c = 3 108 m/s;
Silicium: EG = 1,12 eV max = 1,1 m (c’est le proche infra rouge)
Germanium: EG = 0,67 eV max = 1,85 m (c’est l’ infra rouge)
As Ga: EG = 1,4 eV max = 0,88 m (c’est le rouge foncé)
On peut remarquer que pour les trois matériaux, le rayonnement visible sera efficace et que les
rayonnements de grande longueur d’onde ne seront pas arrêtés par ces matériaux. La longueur
d’onde maximum correspond au « seuil de transparence ».
Plus le rayonnement sera de courte longueur d’onde, plus son énergie sera importante et plus la
génération sera localisée au voisinage de la surface. Cette dernière obéira a une loi de la forme:
 x
g  g 0e
Le coefficient  est fonction de la longueur d’onde. Il vaut 0 pour max
Chap: II -105-
La valeur du courant va se déduire de la loi d’Ohm: V = R×I. On peut donc calculer

la résistance du barreau qui s’écrit:
V L 1
R  avec  
I S q ( n n  p  p )
ni2 1
Or p  N A et n  
NA ni2
q( n  p p )
NA
En remplaçant par les valeurs, on obtient:
1 1
R  2
 332
2.56 10 20
4 10
1.6 1019 ( 1390  1014
 470)
1014
V 10
Le courant vaut donc: I   3 102 A
R 332
Chap: II -106-
Sous éclairement, il y aura génération de paires électrons-trous. La variation de
résistance va donc dépendre de la variation de la densité des porteurs. En effet, on
peut écrire:
R  1 R 
 or    
R   R 
Il faut donc calculer la conductivité en obscurité et sous éclairement.
 En obscurité, la conductivité (ou la résistivité) ne dépendent que des
porteurs majoritaires (équilibre thermodynamique).
 Sous éclairement, les conditions d’équilibre ne sont plus réalisées. Il faut
donc faire attention.
Les densités de porteurs sous éclairement s’écrivent:
ni2
p  p0  p  N A  p et n  n0  n   n de plus n  p  g
NA
Donc  obscurité  q(n0 n  p0  p )  qN A  p
  ni2  
et  éclairement  q(nn  p p )  q    n  n   N A  p   p 
 NA  
 qN A  p  q(nn  p  p )
Chap: II -107-
 q (n n  p  p ) g (  n   p )
 
 qN A  p N A p
R 
AN :    3.95 10 3
R 
Si à l’équilibre thermodynamique seuls les majoritaires interviennent, la

variation est due aux deux types de porteurs. On remarque en effet que c’est
la somme des mobilités qui est à prendre en compte.
Chap: II -108-
Exercice n° 19- La génération de porteurs sur la face avant va créer un excès de

densité de porteurs. Le fait d’utiliser une radiation de faible longueur d’onde (bleu ou
Ultra violet), génère des porteurs de manière locale. Le taux de génération va varier
avec la distance par rapport à la face avant. La densité des porteurs excédentaires va
décroître de façon exponentielle avec la distance.
Dans le cas d’une hypothèse de faible injection, on peut considérer que seuls les
minoritaires seront perturbés.
Le gradient de concentration qui apparaît entre les deux
faces du semi-conducteur va créer un phénomène de
diffusion d’ou un courant associé. Ce courant s’écrit:
d p ( x ) d ( g 0    e  x )
J p ,diff   qD p   qD p
dx dx
 qD p  g 0 e  x
La structure étant isolée, le courant total est donc nul. Il existe donc un phénomène
antagoniste qui compense la diffusion. Ce phénomène correspondra à un courant
de conduction qui va s’opposer à la diffusion.
Chap: II -109-
L’existence d’un courant de conduction est liée à l’apparition d’un champ électrique.
Ce courant s’exprime par une relation du type:
J p ,derive   ( x)  v  q( g 0   e x )   p E
V
 q( g 0   e x )   p
W
Les deux termes se compensant, on peut écrire:
 x V
J p ,derive  J p ,diff  q ( g 0 e ) p  qD p  ( g 0 e  x )
W
V
D’ou: p  Dp 
W
Soit; V  U T  W Cette tension fait apparaître un + sur la face avant .
Chap: II -110-
Durée de vie des porteurs
pn 1
 div J p  G  R
t q
G – taux de génération : nombre de paires électron-trou créé / cm3 /s
R – taux de recombinaison: nombre de paires électron-trou annihilé / cm3 /s
Une paires électron-trou est annihilé si un électron transite de la BC vers la BV
pn
 En régime permanent 0
t
1
Si il n y a pas de conduction de courant: div J p  0
q
Donc : GR
 En équilibre thermodynamique Gth  Rth
Chap: II -111-
 Hors d’équilibre: On crée GL électrons/trous par la lumière
pn 1 R   n p
 div J p  GL  Gth  R avec
t q
En régime permanent et pas de courant électrique:
GL  R  Gth  U Taux net de recombinaison
On écrit donc:
pn 1
 div J p  G  U Génération et recombinaison
t q autre que thermique
Origine
externe
Chap: II -112-
 Exemple nn  1016 ;
0
pn0  2 104 ;
GL  1019 cm3 s 1 ; nn  1016 cm3 ; pn 105 cm 3
A l’équilibre thermodynamique:
nn0 pn0  ni2 et Uth  0

Hors d’équilibre thermodynamique:
nn pn  nn0 pn0  0 et U 0
U  GL   (nn pn  nn0 pn0 )

Pour un semiconducteur type n
pn  pn0 p
U    nn0 ( pn  pn0 )  
p p
1 1
avec  p  
  nn0   N D  p est la duréede viedes porteurs minoritaires
Chap: II -113-
Porteurs photoexcités
hn
 Soit un semiconducteur type n sous illumination
pn
 G  U  GL  U
t
 Si à l’instant t=0, on coupe l’excitation lumineuse alors on peut écrire :
pn  pn0   p GL
 Si à l’instant t> 0, on peut écrire :

pn pn  pn0
 U  
t p
 ( pn  pn0 )  ( p ) p t / p
  pn (t )  pn0   pGL e
t t p
t

p
p  A  e ; p (0)  A  GL p
Chap: II -114-
Injection par une face
 Excitation lumineuse sur une face de l’échantillon de longueur infinie 
génération de paires électrons-trous (cas d’un semi-conducteur type n avec les
conditions E=0).
 Création de paires électrons-trous à la surface uniquement : pour hn=3,5 eV, le
coefficient d’absorption (Ge, Si ou GaAs) est de 106 cm-1 i.e l’intensité lumineuse
décroît de 1/e en 10 nm !
 Solution à l’équilibre :
pn  2 pn pn  pn0
 Dp  0
t x 2
p
pn ( x  )  pn0   x / Lp
  p ( x )  p   p
 n (0)  p 
n0  e
pn ( x  0)  pn (0)  Cte 
n n0
 Lp=(Dpp)1/2 est la longueur de diffusion qui peut

atteindre 1 cm dans le silicium et le germanium
mais n’excède pas 10-2 cm dans l’arséniure de
gallium.
Chap: II -115-
 Excitation lumineuse sur une face de l’échantillon de longueur W  génération de
paires électrons-trous (cas d’un semi-conducteur type n avec les conditions E=0).
 Création de paires électrons-trous à la surface uniquement : pour hn=3,5 eV, le
coefficient d’absorption (Ge, Si ou GaAs) est de 106 cm-1 i.e l’intensité lumineuse décroît
de 1/e en 10 nm !
 Solution à l’équilibre :
pn  2 pn pn  pn0
 Dp  0
t x 2
p
pn ( x  W )  pn0  sinh(W  x) / Lp
  pn ( x)  pn0   pn (0)  pn0 
pn ( x  0)  pn0 (0)  Cte  sinh(W ) / Lp
 Densité de courant de diffusion en x=W :
pn  1 Dp Relation
j ' p ( x)  qDp   q  pn (0)  pn0  importante dans le
x  x W Lp sinh W / Lp cadre du
transistor
Chap: II -116-
Génération et recombinaison
Les mécanismes de recombinaison qui ont tendance à

ramener le système à son équilibre initial
radiatif Auger par pièges

- E~Eg
recombinaison linéaire
n
R
- e - e - e 
EC
ET recombinaison quadratique
R   n 
hn~Eg 2
EV
+ h + h + h
recombinaison cubique (Auger)

R   n 3
Chap: II
Génération et recombinaison
E
EC
EV
x
Génération Recombinaison Génération Recombinaison
thermique thermique radiative radiative
Chap: II -118-
Les processus de recombinaison les plus
importants
EC
EC
h n Eg
Recombinaison phonons
directe k
EV EV
Recombinaison radiative Recombinaison non radiative
Recombinaison
indirecte
Par pièges
Chap: II
-119-
Recombinaison par transition
directe
 Recombinaison par transitions radiative
E
Cette recombinaison radiative est
efficace dans les semiconducteurs
à structure de bande directeIII-V EC
( GaAs,…)
On les utilise pour les Diodes
électroluminescentes et les Laser à
semiconducteurs. EV
n  n0  n, p  p0  p,
x
avec n  p génération recombinaison
R   np  U  R  R0   (np  n0 p0 ) radiative radiative
U   ((n0  n)( p0  p )  n0 p0 ) 1
p R 
U  p (n0  p0  p )   (n0  p0  p)
R
Chap: II -120-
1
R 
 (n0  p0  p)
1
En cas de faible injection: R 
 ( n0  p0 )
1
Semiconducteur intrinsèque: R 
2 ni
1
Semiconducteur type n: R 
 ND
1
Semiconducteur type p: R 
 NA
Chap: II -121-
 Recombinaison Auger
L’électron e1 passe de la BC
vers la BV et disparaît. (a) (b)
L’électron e2 gagne Ef-Ei =Eg.
Eg e1 BC e1
e2
e 2’
BV
e2
e1
e2
Ee1
Egap Plus probable dans les Plus probable dans les
semiconducteur type n semiconducteur type p
fortement dopés fortement dopés
distance entre électrons distance entre trous
très petite très petite
h k
Chap: II -122-
Conservation de l’énergie et de la quantité de mouvement
E gap +Ee1  Eh  Ee 2'  Ee 2

ke1  kh  ke2 '  ke2
Energie de seuil
E gap +Ee1  Eh  Ee2  ET
2mc  mhh
ET  E gap ~ 1.1-1.2  E gap
mc  mhh
dn dp n 2 p  ( Eg  ET ) / kBT  (1.11.2) E g / k BT
 ~ 2 e ~e
dt dt N c N v
Pour une forte densité d’excitation n~p

dn dp
  Cn 3
dt dt
Chap: II -123-
R   n 2 p   np 2 ; R0   n02 p0   n0 p02
U  R  R0
Pour un semiconducteur type n:
U    n 2 ( p0  p )  n 2 p0     n( p0  p ) 2  np02 
U   n 2 p   np 2
p
U  p ( n   np ) 
2
A
1 1
  n   np
2
   N D2
A A
1 1
Pour un semiconducteur type p:   p   np
2
   N A2
A A
La recombinaison Auger domine au dopage fort ou injection très forte
Chap: II -124-
 Recombinaison par pièges
 Les recombinaison par pièges sont liés aux défauts du cristal.

 Ce sont les impuretés qui entraînent l’existence de centres de
recombinaison..
 Il existe toujours des impuretés chimiques dans un cristal réel,
constituées d’atomes autres que ceux du semiconducteur considéré (S,
Au, Cu, Ag, Fe, ..).
 Ces impuretés induisent des niveaux d’énergie supplémentaires situés
dans la bande interdite du semiconducteur et qui sont appelés centres
de recombinaison
 Ces niveaux peuvent se comporter comme des centres accepteurs ou
donneur d’électrons.
 Ces niveaux mettent en jeu des énergie plus faibles que celles
correspondant à une transition bande-à-bande.
 Les recombinaisons SRH (Shockley, Read, Hall) sont décrites par
quatre processus: capture d’un électron, émission d’un électron,
capture d’un trou, émission d’un trou.
Chap: II -125-
Niveaux d’énergie dans la Bande interdite
Représentation
Schématique de la
recombinaison par piège
EC
ET
EV
Signe - indique accepteurs

Signe + indique donneurs
Chap: II -126-
Recombinaison indirecte (SHR)
E
Centre de
recombinaison
EC (trap)
ET
EV
x
capture émission capture émission
électron électron trou trou
SHR = Shockley-Hall-Read
Chap: II -127-
Quelque définitions
1
Probabilité d’occupation d’un niveau piège: f t ( Et ) 
 Et  EF 
1  exp 
 kT 
rn: taux de capture d’un électron  Taux de recombinaison
rp : taux de capture de trous
gn: taux de génération d’électrons: émission
gp: taux d’émission de trou
en: probabilité d’émission d’électron
ep: probabilité d’émission de trou
Cn: Probabilité de capture  Cn  vth   n
σn: section de capture:surface à l’intérieur de laquelle les porteurs
.
sont capturés
Nt: densité volumique des pièges  Ntft = nombre des électrons piégés
(1-ft): probabilité d’avoir des pièges vides
Chap: II -128-
Capture
Et Et Et Et
Avant Après Avant Après
Capture d’électron Capture de trou
rn  vn n  n  N t  (1  f t ) rp  v p p  p  N t  f t
 Cn  n  N t  (1  ft )  C p  p  Nt  ft
 n  1015 cm2  p  10 cm15 2
Chap: II -129-
Emission
Et Et Et Et
Avant Après Avant Après
Emission d’électron Emission de trou
g n  en  Nt  ft g p  ep  Nt (1  ft )
Chap: II -130-
Taux net de recombinaison à l’équilibre
thermodynamique
rn  g n
Et = Et Cn N t (1  ft )n  en N t ft
en  Cn n 1  ft  / ft
 E  EF   Et  EF 
n  N c exp  
 kT   t t
1  f / f  exp  kT 
 Et  EF   E  EF 
en  Cn exp   N c exp  
 kT   kT   Ei  Et 
en  Cn ni exp  
 kT 
Si Et≈ Ei  émission =capture  cas très dangereux

Si Et>>Ei  émission prédominante  pièges vides
Chap: II -131-
Taux net d’émission à l’équilibre
thermodynamique
rp  g p
Et = Et
C p Nt ft p  e p Nt (1  ft )
ft
ep  C p p
1  ft
 E  EV   E  EF 
p  N v exp   F f t / 1  ft   exp   t
 kT   kT 
 Et  EF   EF  EV 
e p  C p exp    N v exp  
 kT   kT 
 Et  Ei 
e p  C p ni exp  
 kT 
Si Et<<Ei  Et≈EV émission des trous et prédominante

 pièges remplis
Chap: II -132-
Hors d’équilibre thermodynamique
Un= Taux net de recombinaison
Et = Et des électrons
U n  rn  g n  Cn Nt [1  ft ]n  en Nt ft
Un= Taux net de recombinaison

Et = Et des trous
U p  rp  g p  C p Nt ft p  en Nt (1  ft )
Chap: II -133-
U p  Un  U
C p N t ft p  eP N t (1  f t )  Cn N t [1  f t ]n  en N t f t
Cn n  eP  ft [nCn  en  pC p  e p ]
Cn n  eP C p p  en
ft  1  ft 
nCn  en  pC p  e p nCn  en  pC p  e p
Si Et < EV + 0.2V  ep très grand  ft ≈1 et 1- ft ≈0

Si Et > EV + 0.2V  en très grand  1- ft ≈0 et ft ≈1
Se sont les pièges profonds qui sont les plus dangereux
Chap: II -134-
CnC p (np  ni2 ) N t
U
Cn n  en  C p p  e p
CnC p (np  n ) N t
2

i
 E E
 t i    t i 
E E
Cn  n  ni e kT   C p p  ni e kT

   
Approximation:  n   p    1015 cm2  Cn  C p  C
(np  ni2 )
U  CN t
 Et  Ei 
n  p  2ni cos h  
 kT 
Chap: II -135-
Cas de faible injection
CnC p (np  ni2 ) N t
Un  U p 
Ei  Et

n  n0   n; p  p0   p; n0 p0  n 2
i posons : n '  ni e kT
CnC p Nt (n0 p  p0 n)

Un  U p 
Semiconducteur intrinsèque en faible injection  n   p; n0  p0  ni
(important dans les jonctions p-n)
2CnC p Nt ni n n n
R  
Cn (ni  n ')  C p (ni  ni2 / n ') 1  n '/ ni 1  ni / n ' r

2C p Nt 2Cn Nt
Temps de 1  n '/ ni 1  ni / n '
Recombinaison r  
2C p Nt 2Cn Nt
Chap: II -136-
Pièges au milieu du gap
1  n '/ ni 1  ni / n ' 1 1
minimise r    1  n '/ ni  p  1  ni / n '  n
2C p Nt 2Cn Nt 2 2
 n  1/ v p p Nt ;  p  1/ v p p Nt
  1/p 2n '  n1/ 2ni 
 r  ( p   n )   p n '/ ni   n ni / n '   ( p   n )   p n  1/ 2  1/ 2 
1 1 1 1
2 2  n  n' 
1/ 2 2 2  n i 
Le minimum à lieu si
 p n '  n ni
1/ 2 p
 1/ 2  1
 n ni  p n '
1/ 2
1 1 2
 r ,min  ( p   n )   p n    p   n  si  n   p   n, p  r ,min  2 n, p
2 2
 E g  Et   E g  Ei  n'  Et  Ei 
n '  N c exp   ni  N c exp    exp 
 kT   kT  ni  kT 
La recombinaison la plus rapide: kT  n kT C p

Et ,opt  Ei  ln  Ei  ln ;
2 p 2 Cn
Chap: II -137-
Importance des pièges au milieu du gap
  1/p 2n '  n1/ 2ni   1  n ' ni 
r  n 1 1
 r  ( p   n )   p n  1/ 2  1/ 2    n 1    
 n  n' 
2 2  n i p   2  ni n ' 
n'  Et  Ei    Et  Ei 
 exp    r ( Et )   n 1  cosh  
ni  B 
k T   B 
k T
Taux de recombinaison
Relatif(n/r)
r/n
(Et-Ei)/kBT (Et-Ei)/kBT
Chap: II -138-
Recombinaison au milieu du gap
Ei  Et
posons : p '  ni e kT
Cn n  p ' C p n   ni2 / n '  n /  p   1/p 2n '  n1/ 2ni

ft ( Et )    1
Cn (n  n ')  C p ( p  p ') (n  n ')   n /  p  ( p  ni2 / n ')  n1/ 2ni  1/p 2n '
n  n '  n /  p  n  n '  n /  p 
f F ( Et )  
n  n '  n /  p   [n ' p  n /  p ] n  n '  n /  p   [n ' n  n /  p ]
1
Pour  n ~  p f F ( Et ) ~ Taux de recombinaison
2
Pièges effectifs Ei
Et
Chap: II -139-
Semiconducteur fortement dopé
CnC p Nt (n0 p  p0 n)
Rn  Rp 
Cn (n0  n ')  C p ( p0  p ')
p
Type-n: n0  p0 , n '
R  C p Nt p 
p
p0  n0 , p' n
Type-p R  Cn N t  n 
n
Les taux de recombinaison sont déterminés par les porteurs minoritaires.
-140-
Taux de génération dans les processus Génération et recombinaison
d'absorption optique
F0 FT
FR  = coefficient
d'absorption
FR
R x
F0
FT ( x) = F 0 (1  R)e x
S porteurs générés en dV=Sdx photons absorbés en dV=Sdx
dN  S F( x)  F( x  dx)  SdF  SF0 (1  R)ex dx

F(x) F(x+dx)
dN  SF( x)dx
dN dN
G  G ( x)    F ( x )
dx
dV Sdx
Diffusion, relation d’Einstein
Le phénomène de diffusion est un phénomène général en physique. Il apparaît
dès qu’il existe une différence de concentration entre deux zones, les particules
se déplaçant des zones à forte concentration vers les zones à faible
concentration. Ce phénomène crée un flux de diffusion qui, dans le cas de
particules chargées donnera naissance à un courant électrique.
Diffusion de porteurs dans un semi conducteur.
Considérons un semi-conducteur dans lequel la
densité des électrons varie comme le montre la
figure ci contre (il en serait de même avec les
trous). Nous nous placerons dans l’hypothèse
d’un modèle unidimensionnel dans lequel nous
considèrerons que les électrons se déplacent
uniquement suivant l’axe des X.
Les électrons seront considérés comme étant
monocinétiques et le temps mis pour parcourir la
distance l sera très petit par rapport à leur durée de
vie.
C ( x )
I
x
Chap: II -142-
Diffusion, relation d’Einstein
La variation de concentration va créer un flux de particules F dirigé vers les x croissants
Soit N1 le nombre de particules comprises

entre x0 –l et x0 et N2 le nombre entre x0 et
x0 +l à l’instant t=0. A un instant t=t0 (t>t0),
on
peut considérer que statistiquement, N1 /2
particules ont leur vitesse dirigée vers la
droite, de même, N2 /2 ont leur vitesse
dirigée vers
la gauche. Le flux qui en résulte pendant le
temps  nécessaire pour parcourir la
distance l vaut:
N1 N 2

F ( x)  2 2  N1  N 2 Or N1 
n1  n0
et N2 
n2  n0
 2 2 2
n1  n2  n 
2
n  dn 
soit F ( x)    or  
2  2  2 R 2  dx  x 0
Chap: II -143-
Exercice
• Etude de la durée de vie
Considérons un matériau semi-conducteur (Silicium) dopé phosphore dans lequel existe un niveau
recombinant Er dont les caractéristiques sont:
Position par rapport à la bande de conduction Ec – Er = 0,375 eV
Densité d’états sur le niveau recombinant: Nr = 1013 cm-3
1°) – Ecrire l’expression de la durée de vie de Hall-Schokley-Read en fonction des deux variables qui
sont:
EI  EF EI  Er
UF  , Ur 
kT kT
Tracer le diagramme de bandes correspondant.
2°) – Donner l’expression de la durée de vie dans les différents cas suivants:
a) U F  U r , U F  0
b) U F  U r , U F  0
c) U F  0
AN: n = 10-15 cm2 ; p = 10–16 cm2 ; vth = 107 cm/s.
3°) – Que devient la durée de vie si le centre recombinant se situe au milieu de la bande interdite?
4°) – Vers quelle limite tendrait la durée de vie s’il n’y avait pas de centre recombinant?
5°) – Tracer les variations asymptotiques de la durée de vie en fonction de la position du niveau de
fermi et déterminer les valeurs correspondant aux intersections des asymptotes. Conclusions.
Solution de l’éxercice
1°)-La durée de vie est donnée par l’expression de Hall-Schokley-Read qui s’écrit:
Avec
En reportant ces expressions dans la formule donnant la

durée de vie, on obtient:
Cette expression va se simplifier en fonction des valeurs relatives de UF et Ur.

Calcul de la valeur de Ur: à 300 °K, kT = 26 10-3eV, EG = 1,12 eV. Ur = (Ei-Er)/kT →Ur = - (0,56-0,375)/26
10-3 = -7.
2°) Le niveau de Fermi se trouve au dessous du niveau intrinsèque donc, le matériau est
de type P.
En reportant les valeurs numériques, on obtient: n = 100s; p = 10s.

Conclusion: pour un matériau de type P la durée de vie est celle des électrons (porteurs
minoritaires). =n = 100s
UF >>Ur , UF£ 0 Le niveau de Fermi se trouve au dessus du niveau intrinsèque donc, le matériau est de
type N.
Conclusion: pour un matériau de type N la durée de vie est celle des trous (porteurs minoritaires).
s p t =t = 10m
UF = 0 Le niveau de Fermi est confondu avec le niveau intrinsèque donc, le matériau est Intrinsèque.
--
A.N: t =5,49ms
3°)-Si le centre recombinant se situe au milieu de la bande interdite, Ur = 0. Il s’en suit exp(Ur) =1
d’ou:
Plan Général
UF >>Ur , UF³ 0 et UF£ 0 rien ne change; t t pour un matériau N et pour un matériau P. p = t t n =
UF = 0 exp(UF) = 1 et comme exp(Ur) =1, il s’en suit: s
pn
t =t +t =110m
4°)-S’il n’y avait pas de centre recombinant, tout se passerait comme si ce centre se trouvait dans
une des
bandes permises; à la limite sur EC ou EV.
La valeur de Ur devient alors: Ur = EI – Er = EI – EC = - EG/(2kT).
Dans le cas d’un matériau intrinsèque (UF = 0), la durée de vie devient: s
Cela correspond environ à 3 heures et 8 minutes, ce qui est énorme et inconcevable. Ce type de
matériau, s’il existait, ne
présenterait quasiment aucun intérêt car son comportement fréquentiel serait fonction de l’inverse
de la durée de vie (10 –4 Hz!!!).
5°)- Tracé du diagramme donnant la variation de la durée de vie.
Pour Ur < UF < - (Ur+2,3), la
durée de vie varie quasi
linéairement.
Pour , la
durée de vie devient constante et
égale à tn.
Pour , la durée
de vie devient constante et égale à
tp.
Le terme –(Ur+2,3) est dû au fait
que les durées de vie du type N et
P sont dans un rapport 10. Or,
UF >>Ur , UF£ 0
UF >>Ur+2,3 , UF³ 0
Plan Général
UF
10
UF = Ur UF = - (Ur + 2,3)
Ln(10) = 2,3.
.
Pour UF = Ur = 0, on obtient la variation assymptôtique tracée en bleu
eJustification des points d’intersection des assymptôtes.
Pour Ur < UF < 0, la durée de vie peut se simplifier: . L’intersection des
assymptôtes a lieu pour: e UR UF
On justifie donc la courbe tracée ci-dessus.
Position du niveau de Fermi
A très basse température, les échanges se
font entre le niveau donneur (ou accepteur)
et la bande voisine. Le niveau de Fermi se
situe donc entre ces deux niveaux c’est-à
dire très près du niveau EC (ou EV). Le
niveau de Fermi peut donc se situer dans
toute la bande interdite ( contrairement au
matériau Intrinsèque ou il est au milieu). Sa
position se calcule à partir de l’équation de
neutralité qui s’écrit:
Cette équation n’a pas de solution analytique et se résout donc

numériquement. Elle est très complexe.
On peut avoir une idée du résultat en traçant les variations
asymptotiques des quatre termes de cette équation.
Ces différents termes, représentés en fonction de l’énergie, dans
la bande interdite, se coupent en un point qui correspond à la
position du niveau de Fermi (neutralité).
Pour ce, on considère que la somme de deux logarithmes est le
logarithme du plus grand.

Cours Master Phys SC Chap 2

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Le semiconducteur

 <ℓ>: le libre parcours moyen , ou distance moyenne

on a <ℓ> = vth<> vth 

Appliquer champ électrique sur le semiconducteurs:

Condition: faible champ électrique E

temps moyen entre deux collisions constant, accroissement

Soit la force F=qE agissant sur le mouvement des porteurs

composante de vitesse parallèle à la direction du champ E

En présence d'un champ électrique E constant et uniforme, La

Courant causé par le champ électrique due aux électrons:

Courant total due aux électrons et aux trous:

j  qn n  qp  p   nqn  pq p  E   E

jn et jp sont les courants de dérive dans le champ électrique.

Vth  ? T  300 K me*  1.18 m0

• Importance de la mobilité sur les composants

– Mobilité la plus élevée possible => vitesse plus grande

• Vitesse de saturation des électrons

– La relation linéaire vitesse – champ valide uniquement pour:

• Pour des champs électriques

• Dès que les champs électriques deviennent importants

Dans le cas du GaAs, la situation est

Le GaAs présente une meilleure

Il s’en suit une diminution de la

 est un coefficient qui dépend de la nature du matériau et du

Def: Les conductivités électriques s'écrivent :

Pour calculer R, Il faut

 Cas du silicium intrinsèque à 300K :  Cas du silicium dopé à 300K :

 La concentration en impuretés d’un

La concentration en impuretés peut cependant différée de la concentration

vdn  106 cm / s  vth

Temps pour la dérive à travers L = 0,1 m

Conductivité (type n seulement, pourquoi?)

Concentration de trous à l'équilibre

Vrai • Quant masse affectifs augmente, la mobilité diminue

Faux • Mobilité pour un semi-conducteur particulier restera constant dans

•Pour un semi-conducteur de type n, le niveau de Fermi EF sera toujours

•Quant la bande interdite d'un semi-conducteurs augmente, la densité des

•Le produit de la concentration d'électrons et la concentration de trous dans

Pour le Silicium intrinsèque : mn = 1350 et mp = 480 cm2/V-s .

Ainsi, étant donné que : n = p = ni

 i  q  n   p ni  1.6  10 19 1830   1.5  1010  4.39  10 6 (Ω.cm)-1

La conductivité est l’inverse de la résistivité. Elle vaut donc:   q  nn  p p 

Les solutions de cette équation peuvent se mettre sous la forme:

La solution peut donc se mettre sous la forme:

On obtient donc:   10q ni n  p

Gremanium n  4500 cm2 / V  s  p  2000 cm2 / V  s

Silicium n  1500 cm2 / V  s  p  600 cm2 / V  s

Arséniure de Gallium : n  7500 cm2 / V  s  p  300 cm2 / V  s

Applications numériques suite

Si la résistivité satisfait à la condition énoncée ci dessus, on pourra écrire:

Dans la réalité, cette condition sera TOUJOURS respectées et la résistivité (ou la

Exercice 8- La pureté maximale possible avec les technologies

Exercice 9- On dope un barreau de silicium avec du phosphore.

Si la résistivité passe par un maximum, la conductivité passera par un

Cette fonction passera par un minimum pour la valeur de n qui annulera la

On obtient donc: = m . On peut remarquer que cette valeur est inférieure à n i

Gremanium n  4500 cm2 / V  s  p  2000 cm2 / V  s

Silicium n  1500 cm2 / V  s  p  600 cm2 / V  s

Arséniure de Gallium : n  7500 cm2 / V  s  p  300 cm2 / V  s

On pourra remarquer que le matériau le plus résistif n’est pas l’intrinsèque;

Application numérique pour le Silicium

typ P :   1 k cm1 ; typ N :   417 cm1

Application numérique pour l’Arséniure de Gallium

typ P :   1.56 k cm1 ; typ N :   73.5 cm1