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La capacit MOS

Chapitre

acronyme MOS vient dun sandwich de couches minces compos de trois type de matriau : un Mtal, un isolant en loccurrence un Oxyde et un Semi-conducteur. Cette structure, utilise abondamment en microlectronique, forme la capacit MOS dont lune des plaques est le mtal, lautre, le semi-conducteur et entre les deux, loxyde comme isolant. Avant dentamer ltude du transistor bipolaire, nous avions vu en dtail les phnomnes physiques rgissant le comportement lectrique de la jonction PN. Cela nous avait permis de faciliter lassimilation du fonctionnement du transistor bipolaire. Procdant de la mme faon, la structure de base dont dpend principalement la caractristique courant tension du transistor MOS, la capacit MOS, est introduite sparment dans ce chapitre. Le transistor MOS sera couvert au chapitre 5. En plus de limiter le fonctionnement haute frquence du transistor MOS, comme le fait la capacit de la jonction PN pour le transistor bipolaire, les caractristiques de la capacit MOS sont doublement importantes puisquelles dterminent aussi les rgions dopration du transistor MOS. Ce chapitre prsente dans lordre les trois rgimes de la capacit MOS soit : accumulation, dsertion et inversion. Le phnomne responsable de la tension flat bands , utile la comprhension du comportement de la capacit MOS, va dabord tre introduit.

4.1 Structure MOS et tension flat bands

Llectrode forme de mtal sur la capacit MOS est aussi appele grille. Les procds de fabrication rguliers de la microlectronique moderne nutilisent plus de mtal pour la grille, mais du silicium fortement dop, de sorte que ses caractristiques rejoignent celles du mtal (niveau de Fermi se retrouvant trs prs de la bande de conduction). Pour cette raison, la lettre M de MOS demeure quand mme valide, mme si la grille nest plus un mtal proprement dit. La Figure 4. 1a) illustre la structure dune capacit MOS, aussi appele capacit de grille. La grille comprend du silicium poly-cristallin fortement dop N (N+). Contrairement au substrat, fait dun monocristal de silicium, la grille a t dpose partir dune raction chimique o de petits monocristaux de silicium sont empils cte cte pour former du silicium poly-cristallin ou poly-silicium. Loxyde est un monocristal form en exposant le substrat une ambiance doxygne gazeux. Cest un isolant transparent semblable au verre. On se rappellera qu lquilibre thermique, comme dans le cas de la jonction PN, les niveaux de Fermi sont aligns de sorte quil y a courbure des bandes dnergie comme le montre la Figure 4. 1b). On remarque une grande nergie de bande interdite dans le cas de lisolant, telle que dcrite la figure 1.2 c) du chapitre 1, qui empche tout porteur de charge de circuler de la grille au substrat. Du ct grille,

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lnergie qm reprsente lnergie dextraction que lon doit fournir un lectron pour lamener du niveau de Fermi au niveau du vide. De la mme faon, on dfinit lnergie dextraction du ct substrat, qsub . Comme il a t dmontr dans le cas de la jonction PN, la courbure des bandes dnergie implique une barrire de potentiel qui entrane son tour, selon la loi de Poisson, la prsence de charges (ions noncompenss) aux interfaces grille-isolant et isolant-substrat tel quindiqu la Figure 4. 1b). La tension flat bands , VFB , est dfinie comme tant la tension quon doit appliquer la grille par rapport au substrat pour obtenir lalignement des bandes dnergie. Lorsque la tension de grille, VG , est diffrente de 0, lquilibre thermique de la structure est rompu. Il y a alors sparation des niveaux de Fermi. La Figure 4. 1c) montre le diagramme de bandes dnergie de la capacit MOS lorsquune tension de grille gale VFB est applique. De la Figure 4. 1b), il est possible dexprimer la valeur de la tension VFB partir des potentiels dextraction ct grille m et ct substrat sub :

VFB = m sub = m ( s + E g 2q + F )

(4. 1)

o F est le potentiel sparant le niveau de Fermi du substrat celui du silicium intrinsque, Ei , Eg est lnergie de bande interdite du silicium et s est laffinit lectronique du silicium. Laffinit lectronique est dfinie comme tant le potentiel requis pour extraire un lectron du bas de la bande de conduction dun semi-conducteur, jusquau niveau du vide. Le tableau 4.1 donne des valeurs du potentiel dextraction et de laffinit lectronique des mtaux et des semi-conducteurs intrinsques et dops couramment utiliss en microlectronique.
Tableau 4. 1 Potentiel dextraction et affinit lectronique 300 K des principaux matriaux utiliss en microlectronique.

Matriau Al Pt PtSi W WSi2 Si GaAs Ge SiO2 N+-Si P+-Si

Potentiel dextraction qm (eV) 4.1 5.7 5.4 4.6 4.7

Affinit lectronique qs (eV)

4.05 5.17

4.05 4.07 4.0 1.0 4.05 4.05

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(a)

Grille N+ polysilicium Oxyde SiO2 Substrat silicum type P

(b) vide qm qsub qs

EC Eg /2 q F Ei EF EV

charge compense

charge noncompense ion accepteur trou ion donneur lectron

(c) EC qVFB EF EV

Figure 4. 1 a) Matriaux formant la capacit MOS, b) diagramme de bandes dnergie de la capacit MOS et c) diagramme de bandes dnergie lors de lapplication de la tension flat bands sur la grille.

4.2 Les rgimes de la capacit MOS

4.2.1 Accumulation (VG < VFB)
Nous allons maintenant tudier le comportement de la capacit MOS en fonction de la tension de grille. Notre point de rfrence est la tension VFB , pour laquelle il ny a aucune charge accumule linterface grille-oxyde et substrat-oxyde. Pour VG < VFB , la capacit est en rgime daccumulation, la tension ngative sur la grille a pour effet de repousser les lectrons libres vers lisolant, tandis que les trous libres du substrat sont attirs vers lisolant, comme le montre le diagramme de bandes de la Figure 4. 2a). Dans ce rgime, une variation de VG entrane une variation de la charge aux bornes de loxyde. Le potentiel 47

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linterface substrat-isolant, appel potentiel de surface s, , varie peu en fonction de VG , de sorte que toute la variation est absorbe par loxyde. La capacit de grille rsultante est donc dtermine, en se rfrant lquation (2.1), par la surface de loxyde formant la capacit, lpaisseur de la couche doxyde ainsi que sa permittivit lectrique. Cette valeur de capacit fixe par les dimensions de la structure MOS est appele la capacit doxyde, Cox . La Figure 4. 2b) prsente la graphique du rapport de la capacit totale C de la structure MOS sur Cox . La partie de la courbe en trait plein indique que C = Cox en rgime daccumulation o VG < VFB .
(a)
charge compense charge noncompense ion accepteur

qVG qs qF

q(VG VFB) E

trou ion donneur lectron

EV

(b)

1.0 0.8 0.6 C/Cox 0.4 0.2 0.0 -6 -4 VFB -2 0 2 4 6

Tension de grille VG (V)

Figure 4. 2 a) Rgime daccumulation de la capacit MOS, VG < VFB , b) graphique de la variation de la capacit totale de grille en fonction de VG .

4.2.2 Dsertion (VG VFB)

En rgime de dsertion, les lectrons libres de la grille sont loigns de linterface grille-oxyde tandis que les trous sont repousss de linterface substrat-oxyde. Il ny a donc pas de charge mobile de part et dautre de lisolant pour absorber la variation de VG . Il en rsulte que s suit VG . mesure que VG crot, deux zones de dsertions se forment de part et dautre de lisolant en raison du dpeuplement de charges mobiles dans ces rgions, comme lillustre la Figure 4. 3a). De faon analogue la jonction PN, ces zones dsertes donnent naissance des capacits. Il y a donc une capacit de zone dserte, Cd , que lon retrouve principalement dans le substrat tant donn son faible dopage. Cette capacit apparat en srie avec Cox de sorte que C totale sen trouve rduite : 48

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1 1 1 = + C C d Cox

(4. 2)

La courbe de la Figure 4. 3b) donne, en trait plein, la variation de la capacit de grille en rgime de dsertion. Cest dans ce rgime quelle atteint sa valeur la plus faible.
(a) EC Ei EF EV

charge compense

charge noncompense ion accepteur trou ion donneur lectron

q s

qF

(b)

1.0 0.8

C/Cox

0.6 0.4 0.2 0.0 -6 -4 VFB -2 0 2 4 6

Tension de grille VG (V)

Figure 4. 3 a) Rgime de dsertion de la capacit MOS, VG VFB , b) graphique de la variation de la capacit totale de grille en fonction de VG .

4.2.3 Inversion et tension de seuil

mesure que la tension de grille augmente, le potentiel de surface, s , continue de glisser vers le bas (nergie potentielle ngative) de sorte que les porteurs minoritaires (lectrons) gnrs thermiquement dans le substrat se retrouvent linterface substrat-isolant. Cette interface est donc passe dune concentration de trous libres lors du rgime daccumulation une concentration dlectrons libres. On dit alors quil y a eu inversion de population. Lorsque s devient gale 2F , comme le montre la Figure 4. 4a), la concentration dlectrons linterface, appele aussi couche dinversion, devient exactement la mme que celle des trous dans le volume du substrat (rgion loigne de linterface). La capacit est alors en rgime de forte inversion. Cette limite s = 2 F dtermine la tension de seuil, VTH , des transistors MOS.

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Il est possible dexprimer la tension de seuil en fonction des paramtres dfinis jusqu maintenant. La diffrence de potentiel aux bornes de la capacit forme par lisolant, Vox , est proportionnelle la charge aux bornes de celle-ci : Vox Cox = Qd + QI
(4. 3)

o Qd est la charge correspondant la zone de dsertion du substrat et QI est la charge de la couche dinversion, toutes deux exprimes en C/m2, tandis que Cox a des units de F/m2. tant au dbut du rgime dinversion, la couche dinversion est trs mince de sorte que sa charge, QI , peut tre nglige dans le calcul de VTH. Avant de faire varier s , la tension appliqu la grille, VTH , doit dabord redresser les bandes dnergie en fournissant la tension flat bands , de sorte que la diffrence de potentiel aux bornes de lisolant devient : Vox = (VTH VFB ) s (4. 4)

La charge par unit de surface associe la zone dserte est fonction de la concentration daccepteur, NA , fois la longueur de la zone dserte wd : Qd = qN A wd (4. 5)

Au chapitre 2, quations (2.9), nous avons vu comment exprimer la longueur de la zone dserte en fonction de la concentration de dopant et du potentiel de barrire. Reprenant ce rsultat pour exprimer wd en fonction de la concentration daccepteur dans le substrat et le potentiel de surface, on trouve :
wd = 2 ss 2 ss qN A (1 + N A N D ) qN A

(4. 6)

puisque la concentration des donneurs du ct grille, ND , est beaucoup plus grand que celle des accepteurs du substrat, NA. Remplaant (4.4), (4.5) et (4.6) dans (4.3) et puisque VTH marque le dbut du rgime de forte inversion, s = 2F , on obtient la tension de seuil dans le cas dun substrat de type P :
VTH = VFB + 2 F + 2 s qN A Cox 2 F
(Substrat P)

(4. 7)

On peut refaire la dmonstration dans le cas dun substrat de type N. La tenson de seuil devient alors :
VTH = VFB 2 F 2 s qN D Cox 2F
(Substrat N)

(4. 8)

o VFB et F ont des valeurs diffrentes, dpendantes du matriau de grille et du dopage du substrat, ND. Lorsque la tension de grille atteint VTH , des charges mobiles (lectrons) sont de retour linterface substrat-isolant et font cran la zone dserte. Par consquent, pass VTH , toute augmentation de VG est absorbe aux bornes de lisolant et la capacit de grille redevient Cox , sa valeur initiale en rgime 50

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daccumulation, comme le montre le trait plein de la courbe la Figure 4. 4b). Ce comportement sera observ dans le cas de tensions de grille variant de basse frquence (BF), plus petit que 100 Hz environ. Dans le cas ou VG varie une frquence plus leve, les lectrons de la couche dinversion nont pas le temps de se regrouper et dcranter la zone de dsertion. Ainsi, la capacit de grille rsultante haute frquence (HF) demeure sa valeur minimale telle quillustr la Figure 4. 4b). Notons que les lectrons tant des porteurs minoritaires dans le substrat, ils sont gnrs par excitation thermique, ce qui est un processus lent par rapport aux phnomnes de transport de charges dans les matriaux conducteurs et semi-conducteurs.
(a) wd EC Ei EF EV
trou ion donneur lectron charge compense charge noncompense ion accepteur

qs = (2 F)

q F

(b)
1.0 0.8

BF

C/Cox

0.6 0.4 0.2 0.0 -6 -4 -2 0

VTH
2 4

HF
6

Tension de grille VG (V)

Figure 4. 4 a) Rgime de forte inversion de la capacit MOS, VG VTH , b) graphique de la variation de la capacit totale de grille en fonction de VG .

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