Filière : LST IEEA

Semestre : 6
Module : Fonctions électroniques
Cours : 21h
Travaux dirigés : 14h
Travaux pratiques : 15h + 1h30 (examen)
Contrôle continu : 2 devoirs surveillés
Responsable : Abdelaziz EL IDRISSI
Adresse électronique : a.elidrissi@uca.ac.ma

Contenu du module :
Chapitre 1 : L’amplificateur opérationnel et ses applications.
Chapitre 2 : La théorie de la contre réaction.
Chapitre 3 : Les oscillateurs sinusoïdaux et à relaxation.
Chapitre 4 : Synthèse et réalisation des filtres analogiques actifs.
Chapitre 5 : Transistor en commutation et familles logiques.

LISTE DE QUELQUES OUVRAGES DISPONIBLES A LA BIBLIOTHEQUE DE LA FST

1. Cours et exercices. Electronique analogique.
Composants actifs et passifs. Auteur : C. Verrer; Edition : MASSON N° : 3898
2. Exercices et problèmes résolus du traitement du signal analogique.
Auteur : Tahar NEFFATI; Edition : ELLIPSES ; N° : 11611
3. Introduction à l’électronique. Cours et exercices.
Auteur : J.M. DONNINI. Edition : MASSON ; N° : 9094
4. Problèmes d’électronique avec solutions.
Contre réaction. Auteur : Francis Milsan. Edition : EYROLLES ; N° : 4300
5. Circuits à amplificateurs opérationnels et transistors.
Auteur : Alain PELAT. Edition : MENTOR ; N° : ?475
6. Exercices d’Electronique
Fonctions principales, systèmes intégrés. Auteur : Jeane Marc Poittevin ; Edition : DUNNOD; N° : 11857
7. Toute l’électronique en exercices. Auteur : Isabelle JELINSKI. Edition : VUIBERT; N° : 9445

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Fonctions Electroniques 1 A. El Idrissi (FST Marrakech)
 Chapitre 1 : L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET SES APPLICATIONS

1. L’AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL (ou amplificateur de différence)

• L’amplificateur opérationnel est un amplificateur à base d’amplificateur différentiel (de différence).
Vcc

E1 Amplificateur de S1
E2 différence
S2

Vcc
• Il possède deux entrées (e1, e2), deux sorties (s1, s2) et deux alimentations (VCC, VEE), en général
symétrique (+VCC, -VCC).
• L’alimentation symétrique permet d’obtenir des potentiels d’entrée de repos nuls, donc pas besoin de
condensateurs de liaison à l’entrée (il s’agit donc d’amplificateur de signaux continus).
• L’amplificateur est attaqué entre les deux entrées (e1- e2) ou entre une entrée (e1 ou e2) et la masse de
même pour la sortie (s1 - s2) ou (s1 ou s2).
• La sortie dépend de e1 et de e2, l’idéal serait qu’elle ne dépendit que de la différence (e1- e2).
• INTERET: l’amplificateur différentiel permet d’amplifier une différence de potentiel et d’éliminer des
tensions de mode commun (bruit ou parasite).
1.1 Grandeurs caractéristiques d’un amplificateur différentiel
Afin de simplifier les calculs, on définit les différentes grandeurs suivantes :
L’entrée en mode différentiel : ed = e1 – e2
La sortie en mode différentiel : sd = s1 – s2
e +e
L’entrée en mode commun : ec = 1 2 2
s +s
La sortie en mode différentiel : sc = 1 2 2
On peut alors écrire :
𝐬𝐝 = 𝐀 𝐝𝐝 𝐞𝐝 + 𝐀 𝐝𝐜 𝐞𝐜 ……………….……(E1)
𝐬𝐜 = 𝐀 𝐜𝐝 𝐞𝐝 + 𝐀 𝐜𝐜 𝐞𝐜……………………..(E2)
Avec :
𝐬
Add : Le gain en tension en mode différentiel, qui est défini par : 𝐀 𝐝𝐝 = 𝐞𝐝 |
𝐝 𝐞𝐜 =𝟎
𝐬𝐜
Acc : Le gain en tension en mode commun, qui est défini par : 𝐀 𝐜𝐜 = 𝐞 |
𝐜 𝐞𝐝 =𝟎
Acd et Adc : les gains de transfert.
• En mode commun on a : ed = 0 donc e1 = e2 = ec .
𝐞
• En mode différentiel o a : ec = 0 donc e2 = − e1 = 𝟐𝐝.
• En considérant les deux équations précédentes (E1 et E2) et en faisant (2E2) - (E1) et (2E2) + (E1), on
obtient les équations E3 et E4 suivantes :
𝐀 𝐀
𝐬𝟏 = ( 𝟐𝐝𝐝 + 𝐀 𝐜𝐝 )𝐞𝐝 + (𝐀 𝐜𝐜 + 𝟐𝐝𝐜 )𝐞𝐜……………………(E3)
𝐀𝐝𝐝 𝐀𝐝𝐜
𝐬𝟐 = (𝐀 𝐜𝐝 − )𝐞𝐝 + (𝐀 𝐜𝐜 − )𝐞𝐜……..…………...(E4)
𝟐 𝟐

On montre, par la suite, que IAddI >> IAccI, IAcdI et IAdcI. Donc la sortie dépend essentiellement dela
différence des entrées ed.
Pour évaluer la qualité d’un amplificateur de différence on définit le taux (ou le rapport) de réjection de
A 𝐀
mode commun par : TRMC = RRMC = Add ou bien exprimé en décibels 𝛕 = 𝟐𝟎 𝐥𝐨𝐠 | 𝐀𝐝𝐝 |.
cc 𝐜𝐜

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Fonctions Electroniques 2 A. El Idrissi (FST Marrakech)
 Vcc
1.2 Etage de principe d’un amplificateur différentiel
Cet étage est constitué d’une paire de transistors (Q1 et Q2) qui peuvent Rc1 Rc2
être des transistors bipolaires ou à effet du champ. S1 S2
Dans le cas idéal, il s’agit d’un étage symétrique pour lequel, les transistors e1 e2
Q1 Q2
Q1 et Q2 sont identiques et RC1 = RC2 = Rc. Vcc et VEE sont les tensions
Rg1 Rg2
d’alimentation de l’amplificateur. I0
eg1 eg2

1.2.1 Etude en régime statique R0

Les courants I1 et I2 sont respectivement les courants des collecteurs (IC1 VEE
et IC2) des deux transistors Q1 et Q2. En négligeant les courants des bases
(IB1 et IB2), ces courants sont alors égaux aux courants des émetteurs (IE1 et IE2). Par conséquent, on peut
les exprimer en fonction des tensions base-émetteurs :
VBE1 VBE2
I1 = IS e UT et I2 = IS e UT . D’autre part nous avons I1 + I2 =I0
En effectuant le rapport entre I1 et I2, on obtient :
VBE1 −VBE2 E1 −E2 E𝑑
I1
=e UT
=e UT
= eU T
I2
E I1
En posant 𝑋 = U𝑑 , on a, alors = e 𝑋 soit encore I1 = I2 e 𝑋
T I2
I I e𝑋
Et puisque I0 = I1 + I2 , on arrive finalement à : I2 = 1+ 0e𝑋 et I1 = 1+0 e𝑋
La figure ci-dessous représente la variation des courants I1 et I2 en fonction de la tension différentielle Ed
pour un courant I0 = 5 mA avec I en mA et Ed en V).
6

4
I2 = F(Ed)
2 I1 = f(Ed)

0
-1 -0.5 0 0.5 1

Pour des faibles valeurs de Ed à savoir Ed << UT soit X <<1, on peut effectuer un développement limité
au premier ordre de l’exponentielle eX et on obtient alors :
I0 (1 + 𝑋) I0 (1 + 𝑋) I0 𝑋
I1 ≈ = ≈ (1 + )
1+1+𝑋 1+1+𝑋 2 2
I0 𝑋
et I2 ≈ (1 − )
2 2
Ce qui présente donc une linéarité au voisinage des faibles valeurs de E d.
La figure ci-dessous représente l’évolution des courants I1 et I2 au voisinage de 0.
30
20
10
I2 = F(Ed)
0
-1 -0.5 -10 0 0.5 1 I1 = f(Ed)

-20
-30

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Fonctions Electroniques 3 A. El Idrissi (FST Marrakech)
• L’expression de la tension de sortie en mode différentiel Sd est alors donnée par:
1 − e𝑋
Sd = S1 − S2 = Rc (I2 − I1 ) = 𝑅𝑐 I0
1 + e𝑋
Ce qui est représenté sur la figure ci-dessous :
Sd = f(Ed)
10

0
-0.15 -0.1 -0.05 0 0.05 0.1 0.15
-5

-10
𝑅𝑐𝐼0 𝑅𝑐𝐼0 𝐸𝑑
Dans la zone linéaire, on aura : Sd ≈ − 𝑋=− ce qui est illustré par la figure suivante :
2 2 𝑈𝑇

Sd = f(Ed)
4

0
-0.04 -0.02 0 0.02 0.04
-2

-4
∆S RcI 𝛽Rc
Dans cette zone, on obtient alors un gain différentiel Ad = ∆Ed = − 2U 0 =− = −𝒈𝒎 𝑹𝒄.
d T 𝑟
1.2.2 Etude en régime dynamique faibles signaux
a. Schéma équivalent E
e1 e2
La loi des mailles appliquée aux deux entrées (e1 et e2) permet i1 r1 r2 i2
d’écrire: e1 = r1 i1 + VE et e2 = r2 i2 + VE  2i2
 1i1
Avec : VE = (β1 + 1)R 0 i1 + (β2 + 1)R 0 i2
En considérant un montage symétrique, c’est à dire : R0
s1 Rc1 Rc2
r1 = r2 = r; β1 = β2 = β et R c1 = R c2 = R c , s2
on a : e1 = ri1 + VE et e2 = ri2 + VE
où VE = (β + 1)R 0 (i1 + i2 )
Pour les sorties on a : s1 = −βR C i1 et s2 = −βR C i2
𝐬𝐝
b. Gain en mode différentiel 𝐀 𝐝𝐝 = 𝐞𝐝
Nous avons sd = s1 − s2 = βR C (i2 − i1 ) et ed = e1 − e2 = 𝑟(i1 − i2 )
𝐬𝐝 𝛃𝐑 𝐂 β
Soit un gain différentiel 𝐀 𝐝𝐝 = =− = −𝐠 𝐦 𝐑 𝐂 où g m = r représente la pente du transistor.
𝐞𝐝 𝐫
𝐬𝐜
c. Gain en mode commun 𝐀 𝐜𝐜 = 𝐞𝐜
s1 + s2 i +i e1 + e2 r(i1 +i2 )+2(β+1)R0 (i1 +i2 )
Par definition: sc = = −βR C 1 2 2 et ec = =
2 2 2
𝐬𝐜 𝛃𝐑 𝐂 𝐑𝐂
D’où le gain en mode commun 𝐀 𝐜𝐜 = = − 𝐫+𝟐(𝛃+𝟏)𝐑 ≈ − 𝟐𝐑
𝐞𝐜 𝟎 𝟎
𝑨𝒅𝒅
Dans ce cas, le taux de réjection de mode commun 𝑻𝑹𝑴𝑪 = | 𝑨 | ≈ 𝟐𝒈𝒎 𝑹𝟎
𝒄𝒄

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Fonctions Electroniques 4 A. El Idrissi (FST Marrakech)
 𝐞𝐝
d. Résistance d’entrée en mode différentiel 𝐑 𝐞𝐝 = E
𝐢𝐝 e
Le transistor Q2 vu de son émetteur est remplacé par la résistance RSE i r
Rg +r i
(résistance de sortie vue sur l’émetteur), avec R SE = β+1
𝑒 RSE
𝑒 = ri + (𝛽 + 1)𝑅𝑆𝐸 𝑖 ⇒ R ed = = r + (𝛽 + 1)𝑅𝑆𝐸 Rc
i
D’où 𝐑 𝐞𝐝 = 𝐑 𝐠 + 𝟐𝒓
𝐞𝐜
e. Résistance d’entrée en mode commun 𝐑 𝐞𝐜 = 𝐢𝐜
En mode commun nous avaons: e1 = e2 = ec et i1 = i2 = ic d’où :𝑒𝑐 = [r + 2(𝛽 + 1)𝑅0 ]𝑖𝑐
𝒆
Par conséquent : 𝐑 𝐞𝐜 = 𝒊 𝒄 = 𝐫 + 𝟐(𝛃 + 𝟏)𝐑 𝟎 ≈ 𝟐𝛃𝐑 𝟎 .
𝒄
f. Schéma équivalent d’un amplificateur différentiel
D’après ce qui précède, on peut représenter l’amplificateur différenriel par le schéma suivant :

1.3 Amélioration des caractéristiques de l’amplificateur différentiel

Améliorer les performences d’un amplificateur différentiel, revient à minimiser la valeur des gains (Acc, Adc
et Acd), augmenter le taux de réjection de mode commun, augmenrer les
impédances d’entrée et minimiser l’impédance de sortie. Vcc
1.3.1 Montage symétrique
Etant donné que la valeur de (Adc et Acd) dépendent essentiellemnt de la
dissymértie du montage, on peut donc rendre le montage symétrique en Rc1 Rc2
ajustant les valeurs des résistances Rc et des résistances de sortie vues S 1 S2

des deux émetteurs RSE , selon la figure ci-contre: e1 Q1 Q2 e2

- Potentiomètre entre les deux résistances RC, permet de rendre les
résisnaces Rc identiques, I0
- Potentiomètre entre les deux émetteurs, permet de rendre les
R0
résisnaces vues des émetteurs identiques.
Un autre moyen consiste à remplacer les résistance Rc par des charges VEE
actives constituées par les transistors (Q5 et Q6). Cela permet de
minimiser la consommation dans les résistances Rc et facilite l’intégration.

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Fonctions Electroniques 5 A. El Idrissi (FST Marrakech)
1.3.2 Augmentationdu taux de réjection de mode commun
Nous avons montré que 𝐓𝐑𝐌𝐂 ≈ 𝟐𝐠 𝐦 𝐑 𝟎 . Donc augmenter le TRMC, revient à Vcc

augmenter la valeur de la résistance R0. Afin de réduire la consommation dans cette

résistance et de faciliter l’intégration on remplac plutôt la résistance R0 par un R1
générateur de courant (I0, R0). Ce générateur est souvent réalisé par un miroir de I0
courant constitué par (Q3, Q4 et R1) selon la figure ci-contre.
2𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 2𝑉𝐶𝐶
Nous avons VBE3 = VBE4 ⇒ IC3 = IC4 ⇒ I0 = I 4 ≈ ≈ . Q3 Q4
𝑅1 𝑅1
On a donc réalisé un générateur de courant avec I0 constant et R0 assez élevée.

1.3.3 Schéma complet d’un amplificateur différentiel

En récapitulant les paragraphes précédents, on peut donner le schéma ci-dessous : -Vcc

2𝑉𝐶𝐶
On a : VBE5 = VBE6 ⇒ I5 = I6 et I3 = I4 ≈ 𝑅1
De même I1 = I5 = I6
or I = I6 − I2 d’où 𝐼 = I1 − I2
En faibles signaux I1 = g1 vBE1 et I2 = g 2 vBE2
Q1 et Q2 sont identiques (g1 = g2 = g ), d’où: I = 𝑔(vBE1 − vBE2 ) = 𝑔(e1 − e2 )
On a donc réalisé un convertisseur tension-courant : 20mA/V pour Ie1- e2I < 10 à 20 mV.

I = I6-I2

1.3.4 Schéma de principe d’un amplificateur intégré

Dans ce schéma on reconnait les étages suivants :

♦ La paire différentielle d’entrée : Q1 et Q2
♦ Le générateur du courant : Q3, Q4 et R1
♦ La charge active : Q5 et Q6
♦ Amplificateur en émetteur commun pour augmenter le gain en tension : R2, R3 et Q7
♦ Amplificateur en collecteur commun pour adaptation d’impédance : R4 et Q8
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