Istec de Bangangte

Examen de la session normale

Sujet d’électronique analogique

Durée : 2heures ; spécialité : ET1, MKA 1

EXERCICE I: Cette partie est subdivisée en 03 sous parties

indépendantes les unes des autres
I: Partie 1 (5pts)

Soit le circuit ci-contre dont les éléments sont : EG = 1,5 V, VDD = 3 V, RB = 10 kΩ,
RC = 200Ω,
Pour le transistor : VS = 0,6 V, RS = 1 kΩ, β= 100, VCEsat = 0,2 V.
I.I.1: Déterminer l’expression et la valeur du courant IB qui entre dans la base du
transistor.
I.I.2: Quel est l’état du transistor (bloqué ou passant)
I.I.3:
I.I.4: Donner l’expression et la valeur du courant Ic qui entre dans le collecteur.
I.I.5: Donner l’expression et la valeur de la tension VCE

II: Partie 2 (5pts)

Soit le circuit ci-contre dont les éléments sont : EG = 1,5 V, VDD = 3 V, RB = 10 kΩ, pour le
transistor : VS = 0,6 V, RS = 1 kΩ, β = 100, VCEsat = 0,2 V. Ne pas négliger 1 devant β.
 Istec de Bangangte

I.II.1: Sachant que le courant IB est égal à 28.8µA, déterminer l’expression et la valeur de la
résistance RE.
I.II.2: Donner l’expression et la valeur de la tension VCE
I.II.3: Dans quel régime de fonctionnement se trouve le transistor (bloqué, linéaire, saturé)
justifier.

III: Partie 3 (5pts)

Soit le circuit ci-contre dont les éléments sont : VDD = 3 V, RB = 10 kΩ, RC = 200 Ω, RE = 200
Ω, pour le transistor : VS = 0,6 V, RS = 1 kΩ, β = 100, VCEsat = 0,2 V. Ne pas négliger 1 devant
β.
I.III.1: Indiquer sur le schéma les noms des courants (IB et IC) qui traversent les
résistances.
I.III.2: Déterminer l’expression du courant de base, IB.
I.III.3: Déterminer la valeur du courant de base, IB.
I.III.4: Déterminer l’expression et la valeur de la tension VCE
I.III.5: Le transistor fonctionne dans quel régime

EXERCICE II: Porte logique du processeur 1401 d’IBM

La figure ci-contre présente le schéma électrique d’une des portes logiques du processeur
1401 d’IBM sorti en 1959. Les éléments du montage sont :
 Istec de Bangangte

𝑅1 = 15𝑘Ω; 𝑅2 = 430Ω; 𝑅3 = 220Ω; 𝐿 = 56𝜇𝐻

Les paramètres du transistor NPN sont β=100, VCEsat=0,2V, le seuil de la base est de 0.6V et la
tension VBE ne dépasse pas cette valeur (résistance interne nulle de la diode base-émetteur)
Les deux diodes D1 et D2 sont identiques avec Vs=0.15V et Rs=0Ω
Les entrées logiques A et B peuvent prendre les valeurs 6V (1 logique) et -6V (0 logique).
Il n’y a aucun courant qui passe par S. on ne considèrera pas la bobine dans l’étude du
circuit (équivalente à un fil)

I: Les entrées A et B sont à l’état 00 (i.e. Les entrées sont polarisées à -6V)

II.I.1: A partir des valeurs des tensions de seuil des diodes D1, D2 et base-émetteur dire en
justifiant si transistor bipolaire est passant ou bloqué
II.I.2: Déterminer le courant qui passe dans la résistance R1
II.I.3: Donner la valeur du courant de collecteur Ic
II.I.4: Détruire de la question précédente la valeur de la tension en S
II: Les entrées A et B sont à l’état 11 (i.e. les deux à 6V)

II.II.1: A partir des valeurs des tensions de seuil des diodes D1, D2 et base-émetteur, dire
en le justifiant si le transistor bipolaire est passant ou bloqué
II.II.2: Déterminer le courant qui passe dans la résistance R1
II.II.3: Donner la valeur du courant du collecteur Ic
II.II.4: Déduire de la question précédente la valeur de la tension en S en précisant si le
transistor est saturé
III: Donner la table de vérité du circuit électrique toute tension inférieure à -5V

sera considéré comme un 0 logique