Chapitre V IMT1 & LST GI Transistor bipolaire te TEC (Régime statique)

Chapitre V : Transistor bipolaire et TEC (régime statique)

A – Transistor bipolaire

1) Définition d’un transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est constitué par deux jonctions PN, il est équivalent à deux diodes, montée en série,
la cathode liée à la cathode ou l’anode liée à l’anode.
La partie commune aux deux jonctions pouvant être de types P ou de type N, il en résulte l’existence de
deux types de transistor, transistor NPN ou transistor PNP.
Collecteur
C C
VCB IC
N
} Diode collecteur-base
Þ
Base P B
IB
IE VCE Þ B
N } Diode émetteur-base
VBE
E E
Emetteur
Collecteur C C
IC
P
Base N Þ B
IB
IE Þ B
P
E E
Emetteur

VCE = VC – VE, VBE = VB – VE et VCB = VC – VB,

La partie centrale commune aux deux jonctions est appelée base (B) les régions extrêmes sont appelées
émetteur (E) et collecteur (C).
La flèche permet à la fois de distinguer l’émetteur du collecteur et de distinguer le type de transistor (NPN
ou PNP).
Le transistor peut être décrit comme un quadripôle à condition d’utiliser une électrode commune à l’entrée
et à la sortie. Il y a trois descriptions possibles de quadripôles.
B C B E E C

E E C C B B

Emetteur commun Collecteur commun Base commune

2) Relation entre les courant d’un transistor

Pour les deux types de transistors PNP et NPN, les courants base IB, émetteur IE et collecteur IC subissent
aux lois suivantes :
IC = IB avec  le gain en courant du transistor
IE = IC + IB
IE = ( + 1) IB

3) Réseau de caractéristiques pour un montage émetteur commun

- mA +IC
RB IB
+ mA -
VCE RC
UB +
mV
VBE
IE UC
-

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Le montage le plus couramment utilisé est celui de l’émetteur commun. Quatre grandeurs électriques
caractérisent le comportement externe des transistors, IB, VBE, IC et VCE.
Le circuit d’entrée est caractérisé par le courant IB et la tension VBE. Celui de la sortie, est caractérisé par le
courant IC et la tension VCE.
La résistance RB permet la variation du courant IB, alors que la résistance RC permet la variation de la
tension VCE.
Dans un transistor, on peut avoir quatre caractéristiques dont deux sont fondamentales.
Coté sortie : IC = f(VCE) à courant IB donné constant
Coté entrée : VBE = f(IB) à tension VCE donnée constante.
IC (mA)
Zone de saturation
IV I
UC (1) (2) (3)
Zone d’amplification
RC 40mA
VCE = Cte du courant

Droite de 30mA Zone d’avalanche de

charge claquage du transistor
20mA
10mA Zone de blocage
IB (mA) 0mA VCE (V)
UC
IB = 10mA
Fonctionnement
d’une diode IB = 20mA

VCE = Cte IB = 30mA

IB = 40mA

III II
VBE (V)

Zone ( I ) : Is = f(Vs) à Ie = Cte (Caractéristique de sortie)

Zone ( III ) : Ie = f(Ve) à Vs = Cte (Caractéristique d’entrée)
Zone ( IV ) : Is = f(Ie) à Vs = Cte (Caractéristique de transfert de courant)
Zone ( II ) : Ve = f(Vs) à Ie = Cte (Caractéristique de transfert de tension)
IC
IV I
Réseau de Réseau
IB transfert de sortie
VCE

Réseau Réseau
d’entrée de réaction
III II
VBE

a) Caractéristique statique de sortie (Zone I) :

La caractéristique IC = f(VCE) à IB = Cte se compose de trois régions bien distinctes :

 Pour les tensions VCE faibles (partie 1) IC est une fonction linéaire de VCE. Le transistor se comporte
comme une résistance.
 Partie 2, le transistor est en fonctionnement normal, Il y amplification du courant. IC dépend peu de
VCE.
 Pour VCE important (Partie 3), Ic augmente brusquement. Le constructeur précise VCEmax pour un type
de transistor donné.

b) Caractéristique statique d’entrée (Zone III) :

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La caractéristique VBE = f(IB) à VCE = Cte présente l’allure de la caractéristique d’une diode à jonction PN
polarisée en direct. Cette caractéristique dépend peu de VCE.
Les caractéristiques I et III caractérisent le comportement externe d’un transistor. Ce sont les deux courbes
les plus importantes.

c) Caractéristique de transfert en tension (Zone II).

En raison de la faible influence de la tension VCE sur la tension VBE les caractéristiques VBE = f(VCE) à IB =
Cte sont quasi horizontales.

d) Caractéristique de transfert en courant (Zone IV).

Pour les transistors de faibles puissances pour lesquels  (amplification en courant) est pratiquement
constant, les caractéristiques IC = f(IB) à VCE = Cte sont rectilignes et très serrées.

4) Polarisation d’un transistor

Polariser un transistor, c’est choisir un bon point de fonctionnement.
Il existe plusieurs types de polarisation (figures suivantes) :

RC
RC R1
RB
RB RC

VCC VCC
UB VCC R2 RE
(1) (2) (3)

Figure 1 : Polarisation par une résistance entre VCC et la base.

Figure 2 : Polarisation par une résistance entre le collecteur et la base.
Figure 3 : Polarisation par un pont et une résistance d’émetteur.

La meilleure polarisation souvent utilisée est celle du pont à résistance d’émetteur.

En appliquant le théorème de Thévenin, le montage de la figure 3 peut être transformé à celui de la figure 4,
où Eth et Rth sont données par :
R1R2 R2
Rth = R1//R2 = et Eth = Vcc
R1  R2 R1  R2
IC

RC RC
R1 R1
≡ ≡ Rth IB
VCE
RC

VCC VCC VCC Eth VBE

VCC
RE
R2 RE R2 RE (4)

Le point de fonctionnement de ce transistor est définie par les paramètres IB , VBE, IC, et VCE qui sont
données par :

5) Domaine de fonctionnement d’un transistor

Il en résulte 3 domaines de fonctionnement pour un transistor :

3
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IB IC
(3)
IBmax ICsat
(3)

IBsat
(2)
(1) (2)
(1)● IB
VBE IBsat

Domaine 1
Lorsque VBE < Vseuil (Vseuil = 0.7V pour une transistor au silicium) le courant IB est nul
IB = 0 Þ IC = 0 et VCE = VCC = VCEmax
Dans ce cas on dit que le transistor est bloqué.

Domaine 2
Lorsque la tension VBE devient supérieure ou égale à Vseuil, le courant IB commence à augmenter.
IC = IB (pour  >>1 IE = IC)
Dans ce cas le transistor est un amplificateur linéaire de courant.

Domaine 3
VCC
Pour VBE ≥ Vseuil et lorsque IC augment et atteint le courant de saturation ICsat = , la tension VCE
RC
diminue est devient nulle VCE = 0.
Dans ce cas on dit que le transistor est saturé.
En conclusion le transistor possède deux modes de fonctionnement.
 Mode linéaire ou le transistor fonctionne en amplificateur de courant.
 Mode non linéaire fonctionnement en commutation, où le transistor est saturé ou bloqué (comportement d’un
interrupteur commandé).

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B – Transistor à effet de champ (TEC)

1) Introduction.

Nous avons vu au chapitre précédent que le transistor à jonction était une source de courant commandée par
un courant. Cette caractéristique permet à ce type de composants d'amplifier des signaux alternatifs.
Du point de vue théorique, on peut imaginer d'autres dispositifs similaires, mais caractérisés par un mode
d'attaque différent : par exemple, une source de courant commandée par une tension. Le principe reste le même
(une source commandée), seule la nature du signal de commande change.
Cet objet théorique existe : la famille des transistors à effet de champ (Field Effect Transistor en anglais,
FET) ou (Transistor à Effet de Champ en français TEC) répond à la définition précédente : ce sont des sources
de courant commandées en tension.
De ce point de vue, on conçoit aisément que l'étude de ces transistors va être en tous points similaire à celle
des transistors à jonction, et ce, malgré un fonctionnement microscopique complètement différent.

2) Symboles du FET.

Le FET est représenté par les symboles suivants :

Drain
N D : Drain

G : Grille ID
Gate ID
P P
Grille
S : Source
N
FET à canal N FET à canal P
Source

Il y aune similitude entre le transistor bipolaire et le FET :

Grille G  Base B Drain D  Collecteur C et Source S  Emetteur E
La flèche représente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens du courant si la jonction
était passante.
Pour le FET canal N, le courant ID circulera dans le sens représenté sur la figure suivante, la tension VDS
sera positive et la tension VGS négative. (VDS > 0, ID > 0 et VGS < 0). Pour le FET canal P, la tension VDS sera
négative et la tension VGS positive. Le courant de drain circulera de la source vers le drain.

3) Caractéristique du FET :
On notera que les caractéristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve celles du transistor bipolaire.
La principale différence provient du mode d'attaque, comme indiqué en introduction : le FET est commandé en
tension, et non en courant, comme l'est le bipolaire. La figure suivante représente à gauche les caractéristiques
de transfert IDS = f (VGS), et à droite, les caractéristiques de sortie IDS = f (VDS) à tension VGS constante.

La caractéristique de sortie peut être décomposée en deux grandes zones :

 la partie correspondant au fonctionnement à courant constant (zone de pincement), et qui servira à
l'amplification de petits signaux de la même manière que pour le transistor bipolaire.
 la zone ohmique (en grisé sur la figure) : dans cette zone, le FET est assimilable à une résistance dont la
valeur est fonction de la tension VGS .

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Ce réseau de courbes est borné en bas (ID = 0, VGS = VP (tension de pincement)), et en haut (ID = IDSS ,
VGS = 0). IDSS est la valeur maximale de courant de drain qui pourra circuler dans le composant. Cette valeur
est de l'ordre de quelques mA à quelques dizaines de mA pour des transistors courants. La tension de pincement
VP est de l'ordre de quelques volts (typiquement de -2 à -8V).
La caractéristique de transfert IDS = f (VGS) résume bien les limites du FET : courant de drain nul pour une
tension VGS égale à la tension de pincement VP, et courant maximal IDSS pour une tension VGS nulle. La courbe
est assez bien approximée par une parabole d'équation :
2
 V 
I DS  I DSS 1 - GS 
 V 
 p 

La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au mieux quelques dizaines de
mA/V. Elle dépend de la tension VGS (la tension de polarisation) : comme pour le transistor bipolaire,
l'amplification ne sera pas linéaire ; on fera là aussi des hypothèses de fonctionnement en petits signaux.

4) Différents types de montage du TEC :

D S
IG IG S D
G G
VGS VSG IG VDG
VGD
S D G
MSC MDC MGC