Université Cadi Ayyad

Ecole Nationale des Sciences Appliquées de Marrakech

Année Universitaire : 2021/2022

2ème Année Cycle Préparatoire

Electronique et Techniques de Mesure
TD N°5
Exercice 1:
Soit le montage de la figure 1 où le condensateur C a une valeur nulle
aux fréquences de travail, RB=124kΩ, RE= 1.3kΩ. Les paramètres RB
hybrides du transistor sont : h11= 1kΩ, h12=h22=0 , h21=β = 100.
VCC
1. Etude à vide : La charge RL est déconnectée. C
1.1. Donner le schéma équivalent du montage T C
1.2. On suppose h11<< (β+1)RE montrer que le gain en tension
du montage est égale à l'unité. ve
1.3. Calculer la résistance d'entrée du montage RE vs RL
1.4. Montrer que la résistance de sortie du montage est égale
à h11/β
1.5. A partir des éléments calculés proposer un schéma équivalent
Figure 1
du montage.
2. Donner le schéma équivalent du montage en charge. Quelle est son gain
en courant ?.

Exercice 2: VCC
Soit le montage de la figure 2 avec RB2=26.5kΩ, RB1= 65.3kΩ
RE0= RC0= 2kΩ. On attaque le montage avec un générateur de f.e.m eg
et de résistance interne Rg. Les condensateurs C0, C1 et C2 ont des RB1 RC0
impédances négligeables à la fréquence du générateur. C2
Les transistor T a les paramètres suivants : h11= 1kΩ, h12=h22=0 , h21= 100.
On définit deux sorties : v1 et v2. C0 v2
1. Déterminer le schéma équivalent du montage aux petits signaux C1
T
2. En notant RB= RB2// RB1 , RE= RE0// REU et RC= RC0//RCU Rg RCU
Exprimer littéralement : v1
ve
- Les gains en tension Av1 = v1/ve et Av2 = v2/ve RB2 RE0
eg REU
- La résistance d'entrée Re=ve/ie
- Les résistances de sortie RS1 et RS2 correspondant respectivement
aux sorties v1 et v2. On pourra noter R0 = (Rg//RB)+h11 pour ce calcul
Figure 2
3. On néglige 1 devant β
A quelle condition a-t-on |Av1|= |Av2| ? les deux sorties sont elles
équivalentes ?
A. N RCU= REU=2kΩ Rg=10kΩ
Calculer Av1 , Av2 , Re , RS1 et RS2.
C= C1=C2
Exercice 3: B=B1
On considère le montage de la figure 3 avec : T1
Les paramètres de T1 : h11= 1kΩ, h12=h22=0 , h21= β1 =100.
T2
Les paramètres de T2 : h'11= 1kΩ, h'12=h'22=0 , h'21= β2=20. vBE
1. Donner le schéma équivalent en régime petits signaux.
2. Exprimer iC en fonction de iB, β1 et β2 en déduire l'expression de E=E2
l'amplification β= iC/iB.
3. Calculer la résistance d'entrée r=vBE/iB. Figure 3
4. Préciser le type du transistor (NPN ou PNP) et déduire l'intérêt de ce montage.

1 Electronique et Techniques de Mesure