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Chapitre 6
Nombre dheures/chapitre : 8h
Cours intgr
Systme dvaluation : Continu
OBJECTIFS DE LENSEIGNEMENT :
- Connatre les composants lmentaires de llectronique et leurs applications dans les
fonctions de base
- Prendre en compte les limitations et des caractristiques d'un composant rel,
- Savoir exploiter un document constructeur.
CONTENU THEORIQUE :
Dans ce chapitre en tudie laspect dynamique dun transistor bipolaire tout en trouvant ses
paramtres schmatiques et leffet de chaque lment sur le bon fonctionnement de transistor.
En premier lieu en dtermine les lments hybrides du transistor ainsi que son schma
quivalent en dynamique ou pour les petits signaux.
En second lieu on dmontre leffet et les conditions dinstall plusieurs tages damplifications
en cascade ainsi que les paramtres vrifis pour amlior le rendement de chaque tage et par
la suite de tout le montage.
En fin en dtaille les trois montages fondamentaux qui sont le montage metteur commun, Le
montage collecteur commun et Le montage base commune
CHELBI Hassen
73
ISET Nabeul
Chapitre 6
ie
ve
Amplificateur
C
B
is
vs
E
Figure VI- 1
Lamplification est ncessaire quand la puissance du gnrateur dentre nest pas suffisante
pour inciter la charge. Elle peut tre ralis en amplifiant la tension dentre ve ou le courant
dentre ie ou les deux.
CHELBI Hassen
74
ISET Nabeul
ie
Ve
Amplificateur
Sve
is
Vs
Figure VI- 2
ie
Ve
Amplificateur
Av0ve
is
Vs
Figure VI-3
CHELBI Hassen
75
ISET Nabeul
La rsistance dentre : Re =
vs
. Quand Ru , vs = Av 0 ve . Le paramtre
ve
Ai =
is is vs ve
R
1
= .
= . Av .Re = Av e
ie vs ve ie
Ru
Ru
AP =
Pu vs (is )
R
=
= Av Ai = Av2 e avec
Pe
ve .ie
Ru
La rsistance de sortie : cest la rsistance vue par la charge Ru quand tous les gnrateurs
indpendants sont limins ( les gnrateurs de tension court-circuites et gnrateurs de
courant coups) :
v
RS = ( s )eg =0 .
is
Amplificateur
Av1
Vev1
Av2
Vv2
e
Avn
vn
tages
Figure VI - 4
CHELBI Hassen
76
ISET Nabeul
Av1 =
v
v1
v
, Av 2 = 2 ,........ Avn = s
ve
v1
vn 1
Le gain en tension de lamplificateur est gal au produit des gains des tages :
Av =
vs v1 v2 vs
=
...
= Av1 Av 2 ... Avn
ve ve v1 vn 1
Les gains en courant et en puissance peuvent tre calculs par la mme dmarche que pour un
seul amplificateur o Re est la rsistance dentre du premier tage.
Remarque :
-
Ap (dB ) = 10 log Ap
Av (dB ) = 20 log Av
Ai (dB ) = 20 log Ai
Le gain Av dun amplificateur en dcibels est alors la somme des gains de ces tages en
dcibels :
2 0 lo g Av = 2 0 lo g Av 1 + 2 0 lo g Av 2 + ... + 2 0 lo g Avn
Av ( d B ) = Av 1 ( d B ) + Av 2 ( d B ) + ... Avn ( d B )
3. Les trois montages fondamentaux :
3.1. Le montage metteur commun :
Le schma correspondant est reprsent sur la figure (VI-5) Les condensateurs C1 et C2 sont
appels des condensateurs de liaison. Ils servent sparer ltage de la source dentre et de la
charge en continu. Sils nexistaient pas, il y aurait changement de la polarisation initiale du
transistor.
CHELBI Hassen
77
ISET Nabeul
Par contre, les condensateurs C1 et C2 doivent laisser passer les signaux. Pour cela, on choisit
les capacits C1 et C2 assez grande pour que les signaux dune frquence donne f min =
min
2
1
doit tre assez petit aux frquences suprieures une frquence dtermine fmin.
CE
Les rsistances servent polariser le transistor dans la zone linaire de ses caractristiques,
ainsi qu assurer les paramtres dynamiques du montage.
+E
Is
Ie
T
Vs
Ve
Gnrateur
Dattaque ou
De commande
Amplificateur
Emetteur commun
Charge
Figure VI -5
CHELBI Hassen
78
ISET Nabeul
iB
ie
ic
Ve
h21.iB
is
1/h22
Vs
Figure VI- 6
Avec RB = R1 // R2 =
R1 R2
R1 + R2
ve
+ iB
RB
Or
iB =
ve
v
v
donc ie = e + e
h11
R B h11
T
h R
Soit R e = 11 B
R B + h11
3.1.3. Ordre de grandeur :
Posons :
Rc ' =
Rc
1 + h22 Rc
CHELBI Hassen
79
ISET Nabeul
ve = h11.iB
vs = h21
Rc '.Ru
.iB
Rc '+ Ru
Il vient :
Av =
vs
h R '.R
= 21 c u
ve
h11 Rc '+ Ru
On se basant sur les expressions trouver du gain en tension, on trouve lexpression du gain en
courant comme indiqu dans lequation qui suit :
Ai =
is
R
= e Av
ie
Ru
Ai =
Rc '
RB
h21
h11 + RB Rc '+ Ru
iB=0
is
h21.iB
1/h22
Vs
Figure VI- 7
CHELBI Hassen
80
ISET Nabeul
h21.iB=0
Rs =
vs
1
= R c ' = R c //
is
h22
Le schma correspond est donn la figure (VI-.8). Les condensateurs C1 et C2 sont les
condensateurs de liaison.
+E
Ie
T
Is
Ve
CE
Amplificateur
Collecteur commun
Gnrateur
Dattaque ou
De commande
Vs
Charge
Figure VI- 8
Les condensateurs sont cosidrs comme des court circuits pour les signaux. Il en est de mme
pour la source dalimentation E.
Posons : RB = R1 // R2 =
CHELBI Hassen
R1 R2
R1 + R2
81
ISET Nabeul
ie
(h21+1).iB
iB
Ve
h21.iB
is
1/h22
Vs
Figure VI- 9
Posons : R E ' =
RE
1 + h22 R E
vs = (h21 + 1)iB
1
// RE // Ru = ( + 1)iB RE '// Ru
h22
ve = h11iB + vs
= iB [ h11 + ( + 1)( RE '// Ru ) ]
La loi des nuds lentre donne :
ie =
ve
v
v
+ iB = e + e
RB
RB re
CHELBI Hassen
82
ISET Nabeul
RE' Ru
(h21 + 1)iB
RE' + Ru
R' R
ve = h11 + (h21 + 1) ' E u iB
RE + Ru
Soit :
RE' Ru
RE' + Ru
Av =
: La tension dentre et de sortie sont en phase.
RE' Ru
h11 + (h21 + 1) '
RE + Ru
(h21 + 1)
Ordre de grandeur :
h21 est grande devant 1. Le gain est infrieur 1, mais dautant plus voisin de lunit que
RE' Ru
h21 '
RE + Ru
Ai =
is Re
=
Av
ie Ru
Ordre de grandeur :
RE' Ru
h21 '
RE + Ru
h21 RE'
RE' + Ru
CHELBI Hassen
83
ISET Nabeul
iB
is
h21.iB
1/h22
Vs
Figure VI-10
is =
vs
v
+ s h21iB iB
RE 1
h22
iB =
h11 +
vs
RB Rg
RB + Rg
d ' ou ' Rs =
RB Rg
vs
1
1
= (h11 +
)
// RE //
is
RB + Rg h21 +1
h22
Ordre de grandeur :
Le signal qui impose les petites variations attaque lamplificateur par lmetteur du
transistor.
CHELBI Hassen
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ISET Nabeul
+E
Is
T
Vs
Ie
Ve
Gnrateur
Dattaque ou
De commande
Charge
Figure VI- 11
3.3.1. Schma quivalent pour les petites variations :
Les condensateurs sont considrs comme des court circuits pour les signaux. Il en est de
mme pour la source dalimentation E. On obtient le schma de la figure (VI-12).
h21.iB
ie
Ve
ic
iB
is
1/h22
Vs
Figure VI-12
Par transformation du gnrateur de Norton (h21iB ,
1
) en son gnrateur de Thvenin
h22
CHELBI Hassen
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ISET Nabeul
h21.iB
h22
ie
ic
1/h22
is
iB
Ve
Vs
Figure VI-13
3.3.2. Rsistance dentre :
R0 =
Rc Ru
Rc + Ru
ie =
ve ve
+
ic
RE h11
avec ic =
v
1
+ R0
h22
Dautre part, on a :
v = ve
h21iB
h22
Or
iB =
ve
h11
Donc :
v = (1 +
CHELBI Hassen
h21
)ve
h22 h11
86
ISET Nabeul
Do la rsistance dentre :
h21
+1
ve
h11h22
Re = = RE // h11 //
1
ie
+ R0
h22
3.3.3. Gain en tension :
vs =
v+
R0
1
+ R0
h22
v=
h22 R0
v
1 + h22 R0
h21iB
= ve
h22
v1 = h11iB
Soit
vs =
h22 R0
h
(1 + 21 ) ve
h22 h11
1 + h22 R0
Av =
h22 R0
h
(1 + 21 )
1 + h22 R0
h22 h11
Sachant que :
v1 = Ri
e 1 ; v2 = Rui2
Il vient :
Ai =
CHELBI Hassen
i2 R e
=
Av
i1
Ru
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ISET Nabeul
Ordre de grandeur :
Sachant que :
Av
h21 R0
Re
; Re
h11
h21
Il vient :
Ai
Rc
Rc + Ru
Le gain de courant est donc infrieur 1 et ne dpend que du rapport entre la rsistance de
collecteur et la rsistance de charge.
1/h22
is
Vs
Figure VI-.14
Ou encore :
h21.iB
h22
1/h22
is
ic
Vs
Req
Figure VI-15
CHELBI Hassen
88
ISET Nabeul
Avec :
1
1
1
1
=
+
+
R eq
h11 R g
RE
Lquation du nud de sortie est :
is =
vs
+ ic
Rc
Dautre part, on a :
vs =
h
1
ic 21 iB + u
h22
h22
Or
u = Rq .ic = h11iB
En liminant u et iB, on trouve :
vs =
h 21 R q
1
ic +
ic + R q ic
h 22
h11 h 22
Do
ic =
vs
h
1
+ ( 21 + 1) Rq
h22
h11 h22
h
+ ( 21 + 1) Rq
Rs = Rc //
h11h22
h22
CHELBI Hassen
89
ISET Nabeul
8. Application :
Exercice 1 :
RC = 3.3 k R1 = 220 k
R2 = 68 k Rs = 10 k RL = 10 k
CHELBI Hassen
90
ISET Nabeul
Corrig :
a) Etant donn que le gain en courant du transistor est >>1, on admet que :
IC =
1+
I E I E et donc : I C 0 =
VB 0
R E1 + R E 2
V .R
1
.( CC 2 U j ) = 0.97 mA
R E1 + RE 2 R1 + R2
I
VCC
= 31A est bien >> IB0 = C 0 = 6.5 A
R1 + R2
IC0
1
1
= 37 mA/V,
= 27 et
=
= 4 k
UT
gm
g be g m
CHELBI Hassen
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ISET Nabeul
c) v1 = vbe + ve
v2 = - ic(RL//RC) = -gmvbe(RL//RC)
ve = (ic+ib)RE1 = (gm+gbe)vbeRE1
En liminant vbe et en considrant que >> 1 (<=> gm+gbe = gm) on obtient :
AV =
g m ( R L // RC )
g ( R // RC )
v2
=
m L
= 4.99 Av
1 + ( g m + g be ) RE1
1 + g m .R E 1
v1
v 2 RL // RC
= 5.3
v1
R E1
Ri =
v1
1
=
+ RE1 = 74.5K
ib g be
Av =
R1 // R2 // Ri
g ( R // RC )
v 2 v1 v 2
= * =
. m L
= 3.8
( R1 // R2 // Ri ) + Rs 1 + g m RE1
v s v s v1
d) Le schma quivalent pour petits signaux avec les lments dterminant la frquence de
CHELBI Hassen
1 R1 // R2 // RS
+
))]-1
gm
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ISET Nabeul
f1 = [2pC1(Rs + R1//R2//(RE1 +
1
))]-1
g be
f2 = [2pC2(RC + RL)]-1
En choisissant par exemple fE = 17 Hz et f1 = f2 = 1.5 Hz, on aura une frquence de coupure
basse fL (f1 + f2 + fE) = 20 Hz.
Pour cela il faut que :
CE = [2pfE(RE2//(RE1+
1
))]-1 = 26 F
gm
C1 = [2pf1(Rs + R1//R2//(RE1 +
1
))]-1 = 2.6 F
g be
C2 = [2pf2(RC+RL)]-1 = 8 F
Dans la pratique on pourra prendre C1 = 4.7F, C2 = 10F et CE = 33F.
Exercice 2 :
R1 = 100K
C1= CE = infini
CHELBI Hassen
R2 = 33K
RE = 2.2K
=150
VBE=0.7V
RC = 1.8K
RS = 1K
93
ISET Nabeul
On demande :
a) de calculer le courant de polarisation IC0,
b) de calculer les paramtres petits signaux gm et gbe,
c) de dessiner le circuit quivalent petits signaux,
d) de calculer : Av= V2/ Vs
Av'= V2/ V1
Rin=V1/ i1
Rout= V2/ i2
e) pour quelle amplitude du signal Vs obtient-on en sortie (V2) une amplitude maximale.
Corrig :
a) Pour dterminer le courant de repos dans le transistor, on se sert du schma DC suivant :
VB =
R2
VCC = 2,48 V
R1 + R2
VE = VB - VBE= 1,78 V
VE
= 0,81 mA
RE
g
IC0
= 31 mA/V gbe = m = 0,2 mA/V
UT
CHELBI Hassen
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ISET Nabeul
v 1
1
d) Rin = 1 = +
+ g be
i1 R1 R2
Rout =
v2
i2
Av' =
v2
= -gmRc = -55,8
v1
Av =
v 1= 0
= 4,16 k
= RC = 1,8 k
Rin
v 2 v1 v 2
= . =
( g m RC ) = -45
v S v S v1 RS + Rin
CHELBI Hassen
V2 max
= 33 mV
AV
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