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REPUBLIQUE DU CAMEROUN REPUBLIC OF CAMEROON

Paix – Travail – Patrie Peace – Work – Fatherland


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UNIVERSITE DE DOUALA THE UNIVERSITY OF DOUALA
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ECOLE NATIONALE SUPERIEURE NATIONAL HIGHER POLYTECHNIC
POLYTECHNIQUE DE DOUALA SCHOOL OF DOUALA
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B.P. 2701 Douala P.O.Box:2701 Douala
Tél. (237) 697 542 240 Phone :(237) 697 542 240
Site web : www.enspd-udo.cm Email: contact@enspd-udo.cm

EXPOSE DE CIRCUIT VLSI

THEME : INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI

MEMBRES DU GROUPES

NOMS MATRICULE
AKEMEZO’O WILLY PATRICK CLAUDE 19G00238
AMOUGOU FRANCOIS XAVIER JUNIOR 18G03155
AREUH AMBASSA RAISSA CARMEN 19G00134
AWOU KETCHOU BEAUREL 19G00442
AYEAH TCHUILEU PATRICK CABREL 19G00196

Supervisé par : GABRIEL DJANDE MBELLA

RAISSA CARMEN 1
Table des matières

INRODUCTION ........................................................................................................................ 3
1. HISTORIQUE DES CIRCUITS VLSI .............................................................................. 4
2. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP MOS (TRANSISTORS MOSFET) .................. 6
2.1. Les différents types de transistors MOSFET ............................................................... 7
2.2. Le principe de fonctionnement des transistors MOSFET ........................................... 9
3. Conception VLSI (VLSI Design ........................................................................................ 9
3.1. Etapes de la conception VLSI ................................................................................... 10
3.1.1. Spécification du système .................................................................................... 10
3.1.2. Conception architecturale ................................................................................... 11
3.1.3. Conception fonctionnelle ou conception comportementale ............................... 11
3.1.4. Conception logique ............................................................................................ 11
3.1.5. Conception du circuit ......................................................................................... 11
3.1.6. Conception physique .......................................................................................... 11
3.1.7. Fabrication .......................................................................................................... 12
3.1.8. Conditionnement et test ...................................................................................... 12
3.2. Règles de conception VLSI ....................................................................................... 12
4. Domaine d’application des circuits VLSI ........................................................................ 13
CONCLUSION ........................................................................................................................ 14
REFERENCES ......................................................................................................................... 15

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 2


INRODUCTION
Un circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique est un composant électronique
reproduisant une ou plusieurs fonctions plus ou moins complexes, intégrant plusieurs types de
composants électroniques de base (en général des transistors) dans un volume réduit.
L’Intégration à très grande échelle (ou VLSI pour Very-Large-Scale Integration en anglais) est
une technologie de circuit intégré dont la densité d’intégration permet de supporter plus de
100000 composants électroniques sur une même puce. Les progrès dans le domaine de la
technologie des circuits intégrés associés au développement d’outils automatiques d’aide à la
conception ont permis l’émergence des circuits VLSI. Aujourd’hui les circuits VLSI font partie
des notions incontournables de l’électronique. Afin de mieux s’imprégner de cette notion, il
nous revient naturellement de nous interroger sur les circuits VLSI plus précisément, qu’est-ce
qu’un circuit VLSI, d’où proviennent-ils ? A quoi servent-ils ? Comment sont-ils conçus ?
Répondre à ces différentes questions fera l’objet de notre travail tout au long de cette étude.

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 3


1. HISTORIQUE DES CIRCUITS VLSI

Figure 1: Circuits VLSI

L' histoire du transistor remonte aux années 1920 lorsque plusieurs inventeurs ont tenté des
dispositifs destinés à contrôler le courant dans les diodes à semi-conducteurs et à les convertir
en triodes. Le succès est venu après la Seconde Guerre mondiale, lorsque l'utilisation de
cristaux de silicium et de germanium comme détecteurs de radar a conduit à des améliorations
dans la fabrication et la théorie. Les scientifiques qui avaient travaillé sur le radar sont
revenus au développement de dispositifs à semi-conducteurs. Avec l'invention du
premier transistor aux Bell Labs en 1947, le domaine de l'électronique est passé des tubes à
vide aux dispositifs à semi-conducteurs .
Avec le petit transistor à portée de main, les ingénieurs électriciens des années 1950 ont vu les
possibilités de construire des circuits beaucoup plus avancés. Cependant, à mesure que la
complexité des circuits augmentait, des problèmes surgissaient. Un problème était la taille du
circuit. Un circuit complexe comme un ordinateur dépendait de la vitesse. Si les composants
étaient volumineux, les fils qui les relient doivent être longs. Les signaux électriques mettaient
du temps à traverser le circuit, ralentissant ainsi l'ordinateur.
En 1958, l'invention du circuit intégré par Jack Kilby et Robert Noyce a résolu ce problème en
fabriquant tous les composants et la puce à partir du même bloc (monolithe) de matériau semi-
conducteur. Alors employés dans l’entreprise Texas Instrument, Jack Kilby eu l’idée de relier
entre eux deux transistors en les câblant à la main à cet instant est né le premier circuit intégré.
Par la suite, avec les progrès subséquents on est arrivé à ajouter de plus en plus de transistors,
et, en conséquence, de plus en plus de fonctions ou de systèmes individuels ont pu, avec le
temps, être intégrés. Ainsi plusieurs technologies ont pu voir le jour :

➢ Intégration SSI ou à petite échelle : Ce type de circuits intégrés contient moins de dix
portes logiques. Ces portes IC ont plusieurs portes ou bascules associées à un même
paquet.

➢ Intégration MSI ou moyenne échelle: Ces packages contiennent dix à mille portes
logiques. Les circuits intégrés MSI peuvent générer des portes logiques de base. Les
portes logiques peuvent en outre être utilisées pour créer des circuits séquentiels et

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 4


combinatoires tels que : mux-demux, encodeurs-décodeurs, verrou, bascule, registres,
etc.

➢ Intégration LSI ou à grande échelle : Les unités LSI contiennent plus d'une centaine de
portes. Les circuits intégrés LSI créent des structures de circuits plus complexes telles
que des calculatrices, des mini-ordinateurs, etc.

➢ Intégration VLSI ou à très grande échelle : Contient des milliers de portes logiques.
On peut citer entre eux les microprocesseurs et les microcontrôleurs

➢ Intégration ULSI ou à très grande échelle : Une seule puce contient plus de 10 ^ 9
composants.

Année de Nombre Nombre de portes


Nom Signification
sortie de transistors logiques par boîtier

small-scale
SSI 1964 1 à 10 1 à 12
integration

medium-scale
MSI 1968 10 à 500 13 à 99
integration

large-scale
LSI 1971 500 à 20 000 100 à 9 999
integration

very large-scale
VLSI 1980 20 000 à 1 000 000 10 000 à 99 999
integration

ultra large-scale 100 000 et plus


ULSI 1984 1 000 000 et plus
integration

Figure 2: Echelle d'integration des circuits intégrés

Les premiers circuits intégrés ne contenaient que quelques dispositifs, peut-être jusqu'à
dix diodes , transistors , résistances et condensateurs ,permettant de fabriquer une ou
plusieurs portes logiques sur un seul dispositif. Désormais connue rétrospectivement sous le
nom d'intégration à petite échelle (SSI), les améliorations techniques ont conduit à des
dispositifs dotés de centaines de portes logiques, appelées intégration à moyenne
échelle (MSI). D'autres améliorations ont conduit à une intégration à grande échelle(LSI),
c'est-à-dire des systèmes avec au moins un millier de portes logiques. La technologie actuelle
a largement dépassé cette limite et les microprocesseurs d'aujourd'hui ont plusieurs millions
de portes et des milliards de transistors individuels.

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 5


General Microelectronics a introduit le premier circuit intégré MOS commercial en 1964. Au
début des années 1970, la technologie des circuits intégrés MOS a permis l'intégration de plus
de 10 000 transistors dans une seule puce. Cela a ouvert la voie au VLSI dans les années
1970 et 1980, avec des dizaines de milliers de transistors MOS sur une seule puce (plus tard
des centaines de milliers, puis des millions et maintenant des milliards).
Dans l’optique de mieux les comprendre les circuits VLSI , il nous faut tout d’abord faire un
petit rappel sur les transistors à effet de champ MOS.

2. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP MOS (TRANSISTORS


MOSFET)

Le transistor MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur) à effet de champ ou encore transistor à


effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur ( MOSFET , MOS-FET ou MOS FET) est le
dispositif le plus répandu dans l’industrie des semi-conducteurs, il est à la base de la
fabrication de tout circuit intégré à technologie CMOS.
Le plus souvent fabriqué par oxydation contrôlée du silicium, le MOSFET est un dispositif
électronique à quatre bornes source (S), drain (D), grille (G), substrat (B) qui est utilisé
principalement comme un interrupteur dans les circuits intégrés.

➢ La source (équivalent de l'émetteur d'un transistor bipolaire) est habituellement


connectée directement à la source d'alimentation.
➢ Le drain (équivalent du collecteur) est habituellement connecté au circuit à commuter.
➢ La grille, qui correspond à la base, contrôle la résistance entre la source et le drain.

Figure 3: Transistor MOSFET

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 6


Figure 4: Vue de coupe d'un transistor MOSFET

2.1. Les différents types de transistors MOSFET


Selon le type de substrat, on distingue deux types de MOSFET :
- Les transistors MOSFET à canal P : Le MOSFET à canal P a une région de canal P
située entre les bornes de source et de drain. Le drain et la source sont région p +
fortement dopée et le corps ou substrat est de type n.

Figure 5: Transistor MOSFET P

- Les transistors MOSFET à canal N : Le MOSFET à canal N a une région à canal N


située entre les bornes de source et de drain. Dans ce type de transistor à effet de
champ, le drain et la source sont fortement dopés en région n + et le substrat ou
corps sont de type P.

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 7


Figure 6: Transistor MOSFET N

Ces deux types se sous-divisent en deux :


- Les transistors à déplétion ou appauvrissement (en Anglais: depletion) : Ces
transistors nécessitent une tension grille-source VGS afin de bloquer le transistor.
Ils sont équivalents à un interrupteur normalement fermé (en Anglais: Normally
closed)
- Les transistors à enrichissement (en Anglais: enhancement): Ces transistors
nécessitent une tension grille-source VGS afin d’enclencher le transistor. Ils sont
équivalents à un interrupteur normalement ouvert (en Anglais: Normally open).

Les symboles et la structure de base des deux configurations de MOSFET sont donnés ci-
dessous:

Figure 7:Symboles et structure des MOSFETS à canal N ou P

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 8


Dans les symboles ci-dessus, la ligne qui relie le drain à la source symbolise le canal. Si la ligne
est continue alors il s’agit d’un transistor à « déplétion » (normalement conducteur) et si la ligne
est discontinue il s’agit d’un transistor MOSFET à enrichissement (normalement bloqué). La
direction de la flèche indique s’il s’agit d’un dispositif à canal P ou à canal N.
Ci-dessous une petite comparaison des deux types de MOSFET

Parameter nMOSFET pMOSFET

Source/drain type n-type p-type

Channel type
n-type p-type
(MOS capacitor)

Polysilicon n+ p+
Gate
type
Metal φm ~ Si conduction band φm ~ Si valence band

Well type p-type n-type

Positive (enhancement) Negative (enhancement)


Threshold voltage, Vth
Negative (depletion) Positive (depletion)

Band-bending Downwards Upwards

Inversion layer carriers Electrons Holes

Substrate type p-type n-type


Figure 8: Tableau de comparaison MOSEFT N et P

2.2. Le principe de fonctionnement des transistors MOSFET


Un transistor MOSFET se commande en appliquant une tension positive à sa grille. Lorsque
cette tension dépasse une certaine valeur, il devient passant (entre drain et source) et permet le
passage du courant. Entre drain et source, le transistor se comporte quasiment comme un fil.
Lorsque la tension de grille est nulle, le transistor est un interrupteur ouvert.

3. Conception VLSI (VLSI Design)


La conception VLSI structurée est une méthodologie modulaire créée par Carver
Mead et Lynn Conway pour économiser la zone de la micropuce en minimisant la zone de la
structure d'interconnexion.
Le VLSI Design est un cycle itératif. La conception d'une puce VLSI comprend quelques
problèmes tels que la conception fonctionnelle, la conception logique, la conception de
circuits et la conception physique. Le processus de conception est vérifié par le processus de
simulation. Si des erreurs de conception sont détectées à n'importe quelle étape de la

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 9


vérification, au moins une des étapes de conception précédentes doit être répétée pour corriger
l'erreur pendant le processus de conception.

3.1. Etapes de la conception VLSI

Figure 9: organigramme de conception VLSI

3.1.1. Spécification du système


L'objectif du produit final souhaité est écrit dans cette étape. Lors de la spécification du
système, le coût désigné du système, ses performances, son architecture et la manière dont le
système communiquera avec le monde extérieur doivent être déterminés. Au cours de cette
étape, la spécification de conception doit être fournie par les utilisateurs ou les clients.

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 10


3.1.2. Conception architecturale
L'architecture de base de la conception souhaitée doit répondre aux spécifications système de
la conception souhaitée. L'architecture de la conception souhaitée est décidée et la disposition
de celle-ci est conçue par des ingénieurs de conception. La conception architecturale
comprend l’intégration des blocs signaux analogiques et mixtes, la gestion de la mémoire, la
communication interne et externe, les exigences de l’alimentation, et le choix de la
technologie de processus et des piles de couches. Cette conception architecturale se fait grâce
à un langage de description matériel, les plus connus sont VDHL et Verilog.

3.1.3. Conception fonctionnelle ou conception comportementale


Elle consiste à affiner la spécification de conception de la conception souhaitée afin de
concevoir le comportement fonctionnel du système souhaité. L'objectif principal est de
générer une conception architecturale performante dans le respect des exigences de coût
posées par le cahier des charges.

3.1.4. Conception logique


Dans cette étape, la structure de la conception souhaitée est ajoutée à la représentation
comportementale de la conception souhaitée. Les principales spécifications à prendre en
compte pour la conception logique sont la minimisation de la logique, l'amélioration des
performances et la testabilité. La conception logique doit également tenir compte des
problèmes associés à la génération de vecteurs de test, à la détection d'erreurs et à la
correction d'erreurs. De nombreux outils de synthèse logique ont été développés pour
l'automatisation du processus de conception logique.

3.1.5. Conception du circuit


Dans cette étape, les blocs logiques de la conception souhaitée sont remplacés par les circuits
électroniques, qui sont constitués de dispositifs électroniques tels que des résistances, des
condensateurs et des transistors. La simulation de circuit de la conception souhaitée est
effectuée à ce stade, afin de vérifier le comportement de synchronisation du système
souhaité. Les lois de Kirchhoff sont utilisées pour connaître le comportement du circuit
électronique en termes de tensions de nœud et de circuits de dérivation. Le résultat des
équations intégrodifférentielles est alors résolu en temps discret. SPICE est un programme
bien connu pour la simulation de circuits.

3.1.6. Conception physique


Dans cette étape, la disposition réelle du système souhaité est réalisée, où tous les composants
seront placés dans le circuit et tous ces composants sont interconnectés. La disposition réelle
du système souhaité peut affecter la surface, l'exactitude et les performances du produit final
souhaité. L'exactitude de la puce est également contrôlée par la conception physique. Une
conception de circuit qui réussit le test d'un simulateur de circuit peut être défectueuse après
avoir été conditionnée. Cela est dû à des erreurs de règle de conception géométrique. Ces règles
de conception doivent être suivies pour assurer l'exactitude de la fabrication de la puce. Des

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erreurs telles que des courts-circuits, des circuits ouverts, des canaux ouverts, etc. peuvent
survenir si les règles de conception ne sont pas respectées.

3.1.7. Fabrication
Après la mise en page réelle et la vérification de la conception souhaitée, la conception est
envoyée pour fabrication. Le transfert de la conception souhaitée au processus de fabrication
est appelé tapeout . La génération des données pour la fabrication est appelée diffusion en
continu. La conception souhaitée est sur les différentes couches de la conception en utilisant le
processus photolithographique. Les CI sont fabriqués sur des tranches de silicium rondes d'un
diamètre de 200 mm à 300 mm, ces CI sont ensuite testés et marqués comme CI fonctionnels
ou défectueux.

3.1.8. Conditionnement et test


Après la fabrication de la conception souhaitée, les puces fonctionnelles sont ensuite
conditionnées. L'emballage est configuré au début du processus de conception souhaité et de
l'application avec les exigences de coût et de facteur de forme. Les types de boîtiers peuvent
inclure les modules DIP (Dual In-Line Packaged), Pin Grid Array (PGA) et Ball Grid Array
(BGA). Une fois qu'une puce est positionnée dans la cavité du boîtier, ses broches sont
connectées aux broches du boîtier, par exemple, avec une liaison par fil ou des bosses de
solidarisation (flip-chip). L'emballage de la conception souhaitée est ensuite scellé puis
envoyé aux utilisateurs finaux ou aux clients.

3.2. Règles de conception VLSI


La conception VLSI a quelques règles de base. Les règles sont spécifiquement des
spécifications géométriques simplifiant la conception du masque de mise en page. Les règles
fournissent des détails sur les dimensions minimales, les tracés de lignes et autres mesures
géométriques qui sont obtenus à partir des limites de certaines compétences de dispense. Ces
règles aident le concepteur à concevoir un circuit dans la plus petite zone possible sans
compromettre les performances et la fiabilité.
Il existe deux ensembles de règles de conception. :
• Règle de Micron : La règle évolue autour de contraintes d'implémentation telles que :
la taille minimale des entités, les plus petites séparations d'entités autorisées. Ils sont
cités par rapport aux gammes de micromètres.

• Règles de conception basées sur Lambda: les contraintes sur la distance dans le tracé
sont exprimées en termes d'unité de longueur primaire lambda. Les règles ont été
développées pour simplifier les règles du micron standard de l'industrie. Cela permet
de mettre à l'échelle la capacité de différents processus. L'unité de longueur lambda est
la distance par laquelle la caractéristique géométrique d'une couche peut chevaucher
celle d'une autre couche, et est déterminée par les limites de la technologie du procédé.

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 12


4. Domaine d’application des circuits VLSI
La technologie des circuit VLSI a complétement révolutionné le monde, cette technologie est
largement utilisée aujourd’hui dans des applications nombreuses et variées.
Presque tous les domaines de l'électronique font appel aux circuits intégrés, on peut évoquer
entres autres :
- Ordinateur personnel ;
- Imprimante ;
- Calculatrice ;
- appareillage électroménager, hi-fi ;
- Carte que l'on trouve dans les jeux d'arcade…
Certains composants d'ordinateur sont (par construction) des circuits imprimés :
- La carte mère ;
- Les barrettes mémoires ;
- Les cartes d'extension ISA et PCI de micro-ordinateur ;
- Les clés USB.
On trouve également de nombreux circuits intégrés dédiés à des applications spécifiques (ou
ASIC pour Application-specific integrated circuit), notamment pour le traitement du signal
(traitement d'image, compression vidéo…) on parle alors de processeur de signal numérique
(ou DSP pour Digital Signal Processor).

INTRODUCTION AUX CIRCUITS VLSI 13


CONCLUSION
En définitive, les circuits VLSI sont des puces composés en majorité de plusieurs transistors
MOSFET ayant pour rôle de réaliser diverses fonctions plus ou moins complexe. Ils
représentent une avancée conséquente de la technologie. Des transistors aux circuits VLSI,
leur technologie a su bien évoluer. Aujourd’hui elle représente un élément majeur de
l’électronique en ce sens où elle intervient dans la fabrication de nombreux composants
notamment les microprocesseurs , le ordinateurs, etc. Leurs avantages sont énormes, ils
permettent de réduire les coûts et le volume des appareils.

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REFERENCES
https://en.m.wikipedia.org/wiki/Integrated_circuit
https://en.m.wikipedia.org/wiki/MOSFET
https://en.m.wikipedia.org/wiki/Very_Large_Scale_Integration#
https://www.universalis.fr/encyclopedie/circuits-integres/
http://ece-research.unm.edu/jimp/vlsi/slides/c1_intro.html
https://www.researchgate.net/publication/278774960_Methodes_de_conception_des_circuits_
integres_analogiques_et_mixtes_-
_Perspectives_sur_les_systemes_electroniques_en_interaction_avec_le_vivant
https://fr.lambdageeks.com/vlsi-design-flow-of-logic-circuits/

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