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MEMBRES DU GROUPES
NOMS MATRICULE
AKEMEZO’O WILLY PATRICK CLAUDE 19G00238
AMOUGOU FRANCOIS XAVIER JUNIOR 18G03155
AREUH AMBASSA RAISSA CARMEN 19G00134
AWOU KETCHOU BEAUREL 19G00442
AYEAH TCHUILEU PATRICK CABREL 19G00196
RAISSA CARMEN 1
Table des matières
INRODUCTION ........................................................................................................................ 3
1. HISTORIQUE DES CIRCUITS VLSI .............................................................................. 4
2. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP MOS (TRANSISTORS MOSFET) .................. 6
2.1. Les différents types de transistors MOSFET ............................................................... 7
2.2. Le principe de fonctionnement des transistors MOSFET ........................................... 9
3. Conception VLSI (VLSI Design ........................................................................................ 9
3.1. Etapes de la conception VLSI ................................................................................... 10
3.1.1. Spécification du système .................................................................................... 10
3.1.2. Conception architecturale ................................................................................... 11
3.1.3. Conception fonctionnelle ou conception comportementale ............................... 11
3.1.4. Conception logique ............................................................................................ 11
3.1.5. Conception du circuit ......................................................................................... 11
3.1.6. Conception physique .......................................................................................... 11
3.1.7. Fabrication .......................................................................................................... 12
3.1.8. Conditionnement et test ...................................................................................... 12
3.2. Règles de conception VLSI ....................................................................................... 12
4. Domaine d’application des circuits VLSI ........................................................................ 13
CONCLUSION ........................................................................................................................ 14
REFERENCES ......................................................................................................................... 15
L' histoire du transistor remonte aux années 1920 lorsque plusieurs inventeurs ont tenté des
dispositifs destinés à contrôler le courant dans les diodes à semi-conducteurs et à les convertir
en triodes. Le succès est venu après la Seconde Guerre mondiale, lorsque l'utilisation de
cristaux de silicium et de germanium comme détecteurs de radar a conduit à des améliorations
dans la fabrication et la théorie. Les scientifiques qui avaient travaillé sur le radar sont
revenus au développement de dispositifs à semi-conducteurs. Avec l'invention du
premier transistor aux Bell Labs en 1947, le domaine de l'électronique est passé des tubes à
vide aux dispositifs à semi-conducteurs .
Avec le petit transistor à portée de main, les ingénieurs électriciens des années 1950 ont vu les
possibilités de construire des circuits beaucoup plus avancés. Cependant, à mesure que la
complexité des circuits augmentait, des problèmes surgissaient. Un problème était la taille du
circuit. Un circuit complexe comme un ordinateur dépendait de la vitesse. Si les composants
étaient volumineux, les fils qui les relient doivent être longs. Les signaux électriques mettaient
du temps à traverser le circuit, ralentissant ainsi l'ordinateur.
En 1958, l'invention du circuit intégré par Jack Kilby et Robert Noyce a résolu ce problème en
fabriquant tous les composants et la puce à partir du même bloc (monolithe) de matériau semi-
conducteur. Alors employés dans l’entreprise Texas Instrument, Jack Kilby eu l’idée de relier
entre eux deux transistors en les câblant à la main à cet instant est né le premier circuit intégré.
Par la suite, avec les progrès subséquents on est arrivé à ajouter de plus en plus de transistors,
et, en conséquence, de plus en plus de fonctions ou de systèmes individuels ont pu, avec le
temps, être intégrés. Ainsi plusieurs technologies ont pu voir le jour :
➢ Intégration SSI ou à petite échelle : Ce type de circuits intégrés contient moins de dix
portes logiques. Ces portes IC ont plusieurs portes ou bascules associées à un même
paquet.
➢ Intégration MSI ou moyenne échelle: Ces packages contiennent dix à mille portes
logiques. Les circuits intégrés MSI peuvent générer des portes logiques de base. Les
portes logiques peuvent en outre être utilisées pour créer des circuits séquentiels et
➢ Intégration LSI ou à grande échelle : Les unités LSI contiennent plus d'une centaine de
portes. Les circuits intégrés LSI créent des structures de circuits plus complexes telles
que des calculatrices, des mini-ordinateurs, etc.
➢ Intégration VLSI ou à très grande échelle : Contient des milliers de portes logiques.
On peut citer entre eux les microprocesseurs et les microcontrôleurs
➢ Intégration ULSI ou à très grande échelle : Une seule puce contient plus de 10 ^ 9
composants.
small-scale
SSI 1964 1 à 10 1 à 12
integration
medium-scale
MSI 1968 10 à 500 13 à 99
integration
large-scale
LSI 1971 500 à 20 000 100 à 9 999
integration
very large-scale
VLSI 1980 20 000 à 1 000 000 10 000 à 99 999
integration
Les premiers circuits intégrés ne contenaient que quelques dispositifs, peut-être jusqu'à
dix diodes , transistors , résistances et condensateurs ,permettant de fabriquer une ou
plusieurs portes logiques sur un seul dispositif. Désormais connue rétrospectivement sous le
nom d'intégration à petite échelle (SSI), les améliorations techniques ont conduit à des
dispositifs dotés de centaines de portes logiques, appelées intégration à moyenne
échelle (MSI). D'autres améliorations ont conduit à une intégration à grande échelle(LSI),
c'est-à-dire des systèmes avec au moins un millier de portes logiques. La technologie actuelle
a largement dépassé cette limite et les microprocesseurs d'aujourd'hui ont plusieurs millions
de portes et des milliards de transistors individuels.
Les symboles et la structure de base des deux configurations de MOSFET sont donnés ci-
dessous:
Channel type
n-type p-type
(MOS capacitor)
Polysilicon n+ p+
Gate
type
Metal φm ~ Si conduction band φm ~ Si valence band
3.1.7. Fabrication
Après la mise en page réelle et la vérification de la conception souhaitée, la conception est
envoyée pour fabrication. Le transfert de la conception souhaitée au processus de fabrication
est appelé tapeout . La génération des données pour la fabrication est appelée diffusion en
continu. La conception souhaitée est sur les différentes couches de la conception en utilisant le
processus photolithographique. Les CI sont fabriqués sur des tranches de silicium rondes d'un
diamètre de 200 mm à 300 mm, ces CI sont ensuite testés et marqués comme CI fonctionnels
ou défectueux.
• Règles de conception basées sur Lambda: les contraintes sur la distance dans le tracé
sont exprimées en termes d'unité de longueur primaire lambda. Les règles ont été
développées pour simplifier les règles du micron standard de l'industrie. Cela permet
de mettre à l'échelle la capacité de différents processus. L'unité de longueur lambda est
la distance par laquelle la caractéristique géométrique d'une couche peut chevaucher
celle d'une autre couche, et est déterminée par les limites de la technologie du procédé.