Technologie De Fabrication Des Circuits Integrés

Professeur : Mr. EL BARBRI

SOUAD FATIMA-EZZAHRAA

Année Universitaire : 2023 / 2024

 Table de Matières :

INTRODUCTION ........................................................................................................................................................................................... 3
I. Définition.......................................................................................................................................................................................... 3
II. Histoire Des Circuits Intégrés ................................................................................................................................................... 4
III. Procédé De Fabrication Des Circuits CMOS ................................................................................................................... 4
1. Le substrat ............................................................................................................................................................. 5
2. Le nettoyage .......................................................................................................................................................... 5
I. BUT DES PROCEDES DE NETTOYAGE ................................................................................................................................................. 6
ii. Importance du nettoyage .......................................................................................................................................................... 6
III. TYPES DE CONTAMINANTS ................................................................................................................................................................ 6
3. Le dopage .............................................................................................................................................................. 6
iv. Dopage par diffusion thermique ............................................................................................................................................ 7
V. DOPAGE PAR IMPLANTATION IONIQUE ............................................................................................................................................ 7
4. Méthode de Déposition ........................................................................................................................................ 8
5. Gravure ................................................................................................................................................................. 8
vi. Gravure au plasma ........................................................................................................................................................................ 8
vii. Gravure ionique réactive ....................................................................................................................................................... 9
6. Photolithographie ................................................................................................................................................. 9
7. Masque ............................................................................................................................................................... 10
IV. Principe de fonctionnement du transistor MOS ........................................................................................................ 10
V. Finition du circuit ....................................................................................................................................................................... 12
VI. Rendement et fiabilité ......................................................................................................................................................... 12
VII. Techniques de caractérisation .......................................................................................................................................... 13
1. Caractérisation Mécanique : ........................................................................................................................... 14
2. Caractérisation optique :................................................................................................................................. 14
3. Caractérisation Electrique : ............................................................................................................................. 14
viii. Méthode de Résistivité : méthode à quatre pointes ................................................................................................ 14
4. Caractérisation physico-chimique et structurales : ........................................................................................ 14
VIII. Les limites physiques de l'intégration ........................................................................................................................... 14
IX. Aspects économiques de l'intégration .......................................................................................................................... 15
X. CONCLUSION .............................................................................................................................................................................. 16
XI. Bibliographie ................................................................................................................................................................................

1
 Table de figures :

Figure 1 : Circuit intégré logique .................................................................................................................................................... 3

Figure 2 : Wafer en silicium ................................................................................................................................................................ 5
Figure 3 : Dopage de type N
Figure 4 : Dopage de type P .............................................................................................................................................................. 7
Figure 5 : Schéma d'une chambre utilisée pour la gravure au plasma .............................................................................. 8
Figure 6 : Profil de gravure type plasma ....................................................................................................................................... 8
Figure 7 : Photolithographie de contact : le wafer recouvert de photorésist est surmonté d'un masque à
travers lequel la résine va être irradiée .......................................................................................................................................... 9
Figure 8 : Photolithographie de contact : exposition à une radiation lumineuse....................................................... 10
Figure 9 : Wafer recouvert de photorésist développé........................................................................................................... 10
Figure 10 : Transistor MOS............................................................................................................................................................... 10
Figure 11 : Le silicium de type P et N .......................................................................................................................................... 11
Figure 12 : Dopage de transistor de type P et N .................................................................................................................... 11
Figure 13 : Circuits intégrés : prix au mètre carré d'une salle blanche. .......................................................................... 15
Figure 14 :Circuits intégrés : coût de développement d'un procédé de fabrication de mémoire dynamique 16

2
Introduction
Les circuits intégrés constituent l'approche la plus sophistiquée de la microélectronique. Leur origine
technologique remonte à 1958, et leur importance économique et industrielle est devenue
considérable. La miniaturisation de plus en plus poussée a permis d'augmenter la densité d'intégration
qui se définit comme le rapport du nombre de transistors par unité de surface. On est maintenant
capable de réaliser des circuits appelés circuits VLSI
(Very large Scale Integration) pouvant abriter des
centaines de millions de composants. Le volume du
cœur d'un ordinateur a ainsi été réduit de plusieurs
dizaines de mètres cubes à celui d'un ongle de petit
doigt. Parallèlement, la masse de l'ordinateur lui-même
est passée de plusieurs tonnes à quelques grammes, sa
consommation électrique de plusieurs mégawatts à
quelques watts.
Figure 1 : Circuit intégré logique

Finalement sa puissance de calcul de quelques centaines d'opérations élémentaires par seconde à près
d'un milliard aujourd'hui (cf. ORDINATEURS). L'essor de l'informatique est lié, pour une large part, à
l'augmentation constante de l'intégration des circuits intégrés. Ces derniers sont exploités dans de
nombreux domaines, notamment dans le contrôle de processus physiques pour des applications
industrielles (industrie automobile, spatiale...), médicales et domestiques. Leur grande fiabilité et leur
faible consommation d'énergie ont permis d'étendre leur champ d'utilisation dans tous les secteurs de
l'activité humaine. Ils sont désormais présents dans les montres numériques, les calculatrices, les codeurs
et les décodeurs de son et de vidéo, les téléphones mobiles, les agendas électroniques, les outils de
navigation par satellite, ou encore les organes artificiels. Et une quantité d'autres applications restent à
inventer.

I. Définition
Un circuit intégré se définit par opposition à un circuit discret. Dans un circuit discret, chaque composant ou
« élément de circuit » possède son propre substrat et l'interconnexion est réalisée à l'aide de fils externes. À
l'inverse, un circuit intégré correspond à un unique substrat (d'où le terme monolithique) de matériau semi-
conducteur – la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre celles des métaux
(bons conducteurs) et celle des isolants –, le plus souvent du silicium, sur lequel sont implantés les
composants électroniques élémentaires (transistors, résistances, capacités, inductances) et les fils
d'interconnexion. L'ensemble – les composants et les fils – réalise une fonction précise : amplificateur,
processeur, mémoire, etc. Les circuits sont assemblés sur des circuits imprimés (printed circuit board ou PCB)
pour réaliser un équipement donné, telle une carte mère d'ordinateur ou une carte vidéo.

En pratique, les circuits à très haute intégration, comme les processeurs ou les mémoires, sont composés
quasi exclusivement de transistors. Le degré d'intégration d'un circuit dépend du nombre d'équivalents
transistors de tous les composants (ou tout simplement du nombre de transistors, puisque 99 p. 100 des
composants sont des transistors) qui le constituent. Une classification par degré d'intégration a été établie :

3
 on parle de Small scale intégration (SSI) lorsque la puce possède moins d'une dizaine de composants ;
de medium scale integration (MSI) lorsqu'elle en contient quelques centaines ; de large scale inte4
gration (LSI) pour quelques milliers de composants intégrés ; et de Very large scale integration (VLSI) au-
delà. Le terme ultra large scale integration (ULSI) est également utilisé pour les circuits comprenant plus
d'un million de composants.

II. Histoire Des Circuits Intégrés

L'histoire de l'évolution des circuits intégrés met en évidence la vitalité de ce secteur et l'importance
croissante des applications basées sur ces circuits dans la vie quotidienne.

Le tout premier circuit intégré, composé de deux transistors bipolaires, a vu le jour en 1958 chez Fairchild
Semiconductor grâce à Robert Noyce, avec un brevet déposé en 1959. De manière indépendante la même
année, Jack Kilby de Texas Instruments a réussi à intégrer un transistor, trois résistances et une capacité sur
un seul substrat, bien que sa technique plus complexe ne soit jamais entrée en production. Le premier
circuit intégré CMOS a été développé en 1963, simultanément par les laboratoires R.C.A. (Radio Corporation
of America) et Fairchild, mais sa production à grande échelle n'a commencé qu'en 1968. Actuellement, la
technologie CMOS est largement utilisée dans la fabrication de circuits intégrés.

En 1965, Gordon E. Moore, directeur de recherche chez Fairchild à l'époque, a formulé la célèbre "loi de
Moore", prévoyant que le nombre de composants électroniques dans un circuit intégré doublerait chaque
année. Cette loi a ensuite été révisée, avec un rythme de doublement tous les deux ans, puis tous les dix-
huit mois. Plus de quarante ans après son énonciation, cette règle exponentielle est toujours d'actualité. En
1966, Robert Dennard d'I.B.M. a inventé la cellule mémoire à transistor unique, dont le concept est encore
utilisé dans les mémoires dynamiques (DRAM).

Le premier microprocesseur, le 4004, a été développé par Intel en 1971. Il pouvait traiter des données sur 4
bits, contenait 2 300 transistors et fonctionnait à 108 kHz. Ce microcalculateur, qui mesurait 3 mm × 4 mm,
offrait la même puissance de calcul que l'ENIAC, qui avait été mis en service en 1946 et occupait un volume
considérable de 85 mètres cubes. Intel a continué à innover en développant le premier microprocesseur 8
bits, le 8008, en 1972, suivi du 8086 en 1978, un processeur 16 bits. Ces avancées ont conduit à la création
du PC d'IBM en 1981. Intel a ensuite lancé la famille de processeurs Pentium, avec la génération Pentium 4
commercialisée en 2001, tout en maintenant la compatibilité avec les programmes du 8086 sur l'ensemble
de la famille des processeurs Intel.

III. Procédé De Fabrication Des Circuits CMOS

La conception d'un circuit CMOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor ) consiste à placer, sur
un substrat plan de silicium faiblement dopé, des transistors nMOS et pMOS interconnectés par des
fils métalliques. Les transistors MOS peuvent être utilisés pour réaliser des fonctions analogiques ou
numériques selon qu'ils fonctionnent en mode linéaire ou saturé (cf. TRANSISTORS ET THYRISTORS).
Toutefois, ces deux modes de fonctionnement ne modifient pas le principe des procédés de
fabrication. Les transistors et les liaisons métalliques sont fabriqués dans les salles blanches par
couches successives grâce à des méthodes de photolithographie. Le nombre de couches superposées
augmente avec l'amélioration des techniques de gravure.

La durée de fabrication et les rendements dépendent de la complexité de la technologie : il faut

plusieurs semaines pour produire un circuit intégré, chaque étape prenant plusieurs heures. Afin

4
d'obtenir le plus grand débit de production possible (nombre de circuits sortant de la chaîne par unité
de temps), deux techniques sont mises en œuvre. La première consiste à réaliser un grand nombre de
fois le même circuit sur une galette de silicium. La seconde est de profiter du fait que la fabrication
d'un circuit est une séquence de quelques dizaines d'opérations (ou étapes) indépendantes : la chaîne
de fabrication est organisée comme une chaîne de montage de voitures, c'est-à-dire qu'à tout instant
elle contient un circuit en cours de fabrication à chaque étape. Ainsi, le débit de la ligne dépend de la
durée de l'opération la plus longue et non du nombre d'opérations. En bout de ligne de production, un
test de fabrication permet d'éliminer les circuits défectueux. Les autres sont à nouveau triés en fonction
de leur vitesse de fonctionnement (mesurée en nombre d'instructions exécutées par seconde), des
différences subtiles de dopage pouvant aller jusqu'à doubler la vitesse du circuit. Le rapport entre le
nombre de circuits fonctionnels et le nombre de circuits produits définit le rendement (yield) de la
technologie. Celui-ci peut varier de 10 à 90 p. 100. C'est l'un des secrets les mieux gardés des
fabricants. Aussi, tous les acteurs cherchent-ils à l'augmenter car les bénéfices d'une ligne de
production en dépendent directement.

Le Substrat :
Le substrat des circuits intégrés CMOS – c'est-à-dire la base sur laquelle ils sont construits – est en silicium.
Cet élément est abondant à la surface de la Terre sous forme de sable (silice et silicates). Pour pouvoir être
utilisable dans ce secteur de l'industrie, il doit être
parfaitement purifié et mis sous forme de galette
monocristalline. Cette dernière représente en fait un cristal
de silicium homogène ayant une orientation
atomique parfaitement définie. Son diamètre actuel varie de
200 à 400 mm et son épaisseur est d'environ 0,5 mm.
Ces galettes sont obtenues en découpant des barres
de silicium pur, d'une longueur de 30 cm à 1 m. Chaque
galette permet de réaliser en parallèle un grand nombre
de circuits intégrés, généralement identiques,
organisés en matrice.
Figure 2 : Wafer en silicium

Le Nettoyage :
Le nettoyage des substrats fait appel aux solvants, acides et bases. Il est donc capital d’être bien informé sur
les différents risques qui découlent de l’utilisation de ces différents produits chimiques. Il est à noter que les
solvants sont inflammables, les acides et les bases causent des brulures graves et certains mélanges, comme
le piranha, sont explosifs. Il est donc fort conseillé aux débutants de ne manipuler les produits chimiques
qu’après avoir suivi une formation qui leur permet d’avoir une vision exhaustive sur les méthodes et
techniques de manipulations des produits chimiques et les conditions requises pour exécuter une recette
donnée. Dans ce contexte, il est conseillé :

• De prendre soin de bien se familiariser avec la procédure d'utilisation de la solution piranha (mélange
H2O2 / H2SO4) avant d'entamer ce type de nettoyage.

• De prendre toutes les précautions nécessaires lors de la manipulation de l'acide fluorhydrique (HF).

• De ne pas préparer les solutions SC1 et SC2 ou de les utiliser en même temps dans la même station
chimique humide afin d'éviter le mélange de vapeurs de bases et d'acides.

5
 i. B UT DES PROCEDES DE NETTOYAGE

Le but du nettoyage est d’éliminer les différents contaminants de la surface d’un substrat pour assurer une
bonne adhérence du dépôt et la qualité des interfaces. Dans la technologie CMOS, le matériau utilisé est le
silicium. Sa surface est très réactive, ce qui rend difficile l’obtention d’une surface propre et de la maintenir
propre durant l’exécution d’un procédé technologique.

ii. Importance du nettoyage

Le procédé de nettoyage est déterminant pour obtenir un dépôt de qualité ou un dispositif aux propriétés
stables et reproductibles

iii. T YPES DE CONTAMINANTS

Les contaminants peuvent être classés en trois catégories

• Particules (Organique : Cendres et fumé, Métallique : silicate, Suspensions dans l’air, dans l’eau ou dans les
produits chimiques utilisés);

• Impuretés métalliques (notamment Ca et Fe) ;

• Impuretés organiques (Résidus de photoresist).

N.B1. : Pour les procédés ULSI, la microrugosité de surface et la couche d’oxyde native sont aussi considérés
comme des contaminants, notamment lorsque la couche à déposer est très minces (l’épaisseur de la couche
d’oxyde dans les structures MOS est 20 nm pour la technologie 0.7 µm

N.B2. : La contamination particulaire est la contamination la plus dominante, car elle représente environ 90%
des contaminants et elle est responsable d’environ 80% des défauts.

Le Dopage :
Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites
quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.

Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de
charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage
d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes
vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.

Les atomes de matériau dopant sont également appelés impuretés, et sont en phase diluée : leur
concentration reste négligeable devant celle des atomes du matériau initial.

Le dopage est réalisé par l'introduction d'impuretés dans le cristal d'un semi-conducteur dans le but
d'augmenter le nombre de porteurs libres. Cette insertion est réalisée par diffusion ou par transmutation.

Il existe deux types de dopage :

Le dopage de type N, qui consiste à insérer des atomes de type donneur d'électrons afin d'obtenir une plus
forte densité d'électrons libres, qui sont négativement chargés ;

le dopage de type P, qui consiste à insérer des atomes de type accepteur d'électrons afin d'obtenir une
plus faible densité d'électrons libres, donc un excès de trous, considérés comme positivement chargés.

6
Il est possible de réaliser les deux types de dopage qui peuvent alors se compenser partiellement ou
totalement. Dans ce dernier cas, on obtient un semi-conducteur dit intrinsèque par compensation ou plus
simplement un semi-conducteur compensé. L'intérêt est d'obtenir un semi-conducteur ayant une plus
grande conductivité électrique.

Les schémas suivants présentent des exemples de dopage du silicium respectivement par
du phosphore (dopage N) et du bore (dopage P). Dans le cas du phosphore (à gauche), un électron
supplémentaire est amené. Dans le cas du bore (à droite), il manque un électron ; c'est donc un trou
d'électron qui est amené.

Figure 3 : Dopage de type N Figure 4 : Dopage de type P

iv. Dopage par diffusion thermique

Le dopage par diffusion est réalisé dans un four. Le dopant peut être obtenu à partir :
D’une source solide : l'échantillon à doper est placé dans le four en face d'un composé solide contenant le
dopant. L'atome dopant est alors transporté jusqu'à l'échantillon par un gaz vecteur inerte, à partir du
composé solide qui se sublime. Exemple : P2O5 (dopage N du Silicium).
D’une source liquide : le gaz vecteur barbote dans le liquide ou frôle sa surface à une température choisie.
La pression partielle du composé dans le gaz est égale à la tension de vapeur du liquide.
Exemple : POCl3 (dopage N du Silicium).
D’une source gazeuse : le gaz contenant l'espèce dopante est introduit dans le four.
Exemples : PH3 (dopage N du Silicium), B2H6 (dopage P du Silicium), AsH3 (dopage N du Silicium).
Le dopage a lieu à une température comprise entre 850 °C et 1 150 °C, afin de permettre la diffusion des
espèces dopantes dans le matériau (échantillon à doper).

v. D OPAGE PAR IMPLANTATION IONIQUE

Le dopage par implantation ionique consiste à accélérer des impuretés ionisées avec un champ électrique,
afin de leur conférer l'énergie nécessaire pour rentrer dans le matériau à doper. Cette méthode permet
d'utiliser une grande variété d'éléments dopants. Le faisceau mono-énergétique et la chambre sous vide
rendent possible une grande reproductibilité et des dopages localisés.
Plus un ion est accéléré, plus son énergie cinétique est grande, et donc plus il s'enfoncera profondément dans
le réseau cristallin du substrat que l'on dope. Ainsi, en contrôlant la dose et l'énergie, on détermine le profil
de dopage.
L'un des inconvénients du dopage par implantation ionique est le fort désordre cristallin engendré par les
chocs entre les ions incidents et les atomes du matériau. Cela engendre des défauts qui augmentent les
probabilités de collision, et diminuent la mobilité des porteurs de charge.

7
 Méthode de Déposition :
Dans la technologie semi-conductrice, le dépôt de matériaux en couche mince est une étape très importante
dans la réalisation des circuits intégrés. La nature du matériau à déposer dépend de la fonction à remplir.

Oxydation thermique : un traitement de surface qui permet d’obtenir une couche d’oxyde sur la surface
d’un wafer.

Evaporisation thermique : Le matériau à déposer est porté à haute température afin qu’un nombre
important d’atomes ou de molécules dispose de suffisamment d’énergie et quitte la surface du matériau pour
se déposer sur un substrat. Cette opération est réalisée dans une enceinte sous vide et étant donnée la faible
pression des gaz résiduels, les molécules ou atomes évaporés ne subissent pas de collision et traversent
l’espace entre la source d’évaporation et le substrat suivant des trajectoires rectilignes.

Gravure :
La gravure consiste à retirer une ou plusieurs couches de matériaux à la surface d'un wafer. La gravure est
une étape critique, extrêmement importante, lors de la fabrication d'éléments de microélectronique, chaque
wafer pouvant subir de nombreuses étapes de gravure.
Les gravures sèches ont été développées pour pallier ce problème. Elle repose pour l'essentiel sur le
bombardement de la surface à graver par des ions, ces ions étant généralement issus d'un plasma.

vi. Gravure au plasma

Le substrat (partiellement protégé) est placé dans une chambre où l'on va faire le vide. Cette chambre est
munie de deux électrodes horizontales et parallèles, l'électrode inférieure servant de plateau pour le substrat.
Une fois que le vide dans la chambre a été fait, un gaz est introduit: dioxygène (O2), Argon (Ar), puis un
fort champ électrique (une centaine ou plus de volts par mètre) en radiofréquence est appliqué à l'électrode
inférieure, générant dans la chambre un plasma, c'est-à-dire un gaz en partie ionisé (certains électrons des
molécules de gaz ont été arrachés par le champ électrique, ionisant celles-ci). Le substrat subit alors un
bombardement d'ions qui va désagréger celui-ci.

Figure 5 : Schéma d'une chambre utilisée pour la gravure au plasma

Cette technique présente l'avantage d'une forte anisotropie de la gravure : la frontière entre les zones
gravées et non gravées sera la plupart du temps rectiligne et verticale.

Figure 6 : Profil de gravure type plasma

8
Cependant elle présente de nombreux inconvénients :

• La mise en œuvre est beaucoup plus difficile que pour une gravure chimique humide, et
difficilement utilisable dans l'industrie.
• Le taux de gravure est relativement faible, ce qui allonge le processus de gravure, et donc
augmente les chances de détruire la couche protectrice.
• La gravure physique n'a aucune sélectivité
• Enfin, le bombardement d'ions endommage fortement la surface, réduisant ses caractéristiques
électriques (il est toutefois possible dans le cas du silicium de faire « recuire » celui-ci (annealing),
reformant ainsi le réseau cristallin, mais il est impossible de le faire pour des semi-conducteurs
composites, qui se dissocient à température élevée).

vii. Gravure ionique réactive

La gravure ionique réactive est une technique dérivée de la gravure au plasma. C'est aussi une technique
de gravure fortement physique (gravure au plasma) à laquelle on ajoute une gravure chimique sèche.
Concrètement la mise en œuvre est similaire à la gravure au plasma, du moins pour sa forme la plus
simple (système à plaques parallèles) : dans une chambre munie de deux électrodes on fait le vide, puis on
injecte un gaz qui sera ionisé, bombardant la surface du substrat. Cependant à ce gaz relativement inerte
(chimiquement), on ajoute un gaz fortement réactif : en général un dérivé du fluor (hexafluorure de
soufre (SF6), tétrafluorure de carbone (CF4), ...) pour des substrats en silicium ou du chlore pour les
substrats en arséniure de gallium (trichlorure de bore (BCl3), dichlore (Cl2), tétrachlorure de silicium (SiCl4),
...).
Ce gaz réactif ionisé va être transporté vers le substrat (par une différence de potentiel dans la chambre
auto-créée dans un système à plaques parallèles, un autre champ électrique dans un système à triode,
voire un champ magnétique dans un système à torche à plasma) et réagir chimiquement avec la surface
de celui-ci, formant un composé volatil.
Cette technique ajoute ainsi les avantages de la gravure physique (anisotropie) et de la gravure chimique
(taux de gravure plus élevé que la gravure au plasma, une forme de sélectivité), mais reste difficile à mettre
en œuvre, en particulier dans l'industrie.

La Photolithographie :
La majorité du temps, la couche protectrice est une résine photosensible (« photorésist » de
l'anglais photoresist, appelée aussi plus rarement « photorésine ») qui a été déposée en utilisant des
techniques utilisées en photolithographie.
Concrètement, après déposition de la résine par enduction centrifuge (spin coating), la résine photosensible
est exposée à travers un masque (qui représente le motif à graver sur le substrat) à un rayonnement lumineux
(ultraviolet en général, qui permet de descendre dans les meilleurs cas à une échelle de 45 nm, rayons
X pour descendre à une plus petite échelle).

Figure 7 : Photolithographie de contact : le wafer recouvert de photorésist est surmonté d'un masque à travers lequel la résine va être
irradiée

Cette exposition au rayonnement lumineux change la nature chimique de la résine, la rendant soluble (résine
« positive ») ou insoluble (résine « négative ») dans le développeur.

9
 Figure 8 : Photolithographie de contact : exposition à une radiation lumineuse

Une fois l'exposition terminée, le substrat est plongé dans un liquide, le développeur, qui va dissoudre les
régions qui ont été exposées (lithographie positive) ou non exposées (lithographie négative), laissant des
zones du substrat sans protection, et donc sensible à la gravure.

Figure 9 : Wafer recouvert de photorésist développé

Masque :
Le masque est la donnée de toutes les caractéristiques géométriques liées à la réalisation d’une étape du
processus de fabrication. Il peut s’agir :

❖ D’une opération de constitution d’une couche matérielle (exemple : un niveau conducteur en cuivre)
❖ D’une opération de suppression d’une couche matérielle.

Le masque servant à transférer le motif se présente sous différentes formes :

➢ Le masque primaire (Master) est constitué d’une plaque de verre recouverte de motifs en chrome. Il
peut être utilisé plusieurs fois pour reproduire un nombre élevé de structures identiques.
➢ Un masque en résine photosensible obtenu par transfert d’image du masque primaire sur une plaque
photosensible (photoresist), utilisé pour protéger certaines zones pendant la gravure ou pendant une
autre transformation physico-chimique. Ce masque en photoresist est temporaire et est ensuite
dissout dans un solvant.

IV. Principe de fonctionnement du transistor MOS

Le transistor MOS est généralement fait à base de silicium, matériau semi-conducteur. À l'état pur, le
silicium, lorsqu'il se présente sous forme de cristal (état organisé), possède une faible conductibilité (c'est-à-
dire une grande résistivité, proche de celle des isolants) qu'il est possible de contrôler par l'ajout
d'impuretés. Elle peut ainsi varier de plusieurs ordres de grandeur si on y introduit, en très faibles quantités
(à raison d'un atome pour 10 000), des atomes dits dopants, comme le bore ou l'arsenic. Ces derniers
s'insèrent dans le cristal sans le déformer, en se substituant à des atomes de silicium. Ils en modifient le
comportement électrique par création d'un surplus ou d'un manque d'électrons dans la structure.

Figure 10 : Transistor
MOS

10
Le silicium possède quatre électrons sur sa couche externe qui sont tous utilisés pour former le cristal.
Les dopants présentent quant à eux, sur leur couche externe, soit cinq électrons (cas de l'arsenic), soit
trois électrons (cas du bore). Le premier type d'atome dopant présente donc un électron excédentaire
pour la structure du cristal. Cet électron
supplémentaire, mobile, peut transporter un
courant électrique ; le silicium est alors dit de type
N (négatif) car les électrons constituent les
porteurs majoritaires du courant (fig. 2a). En
revanche, les dopants à trois électrons créent un
manque d'électron dans la

Figure 11 : Le silicium de type P et N

structure, donc un « trou ». Ce dernier se déplace en attirant les électrons des atomes voisins ; il peut
donc aussi transporter un courant. Le silicium est alors dit de type P (positif) car les trous sont les
porteurs majoritaires du courant (fig. 2b). Ainsi, le silicium dopé, qu'il soit de type N ou P, est
conducteur puisqu'il possède des électrons ou des trous mobiles.

Une diode est constituée par une zone dopée N accolée à une zone dopée P (fig. 3). La zone de
contact, la jonction PN, possède des caractéristiques remarquables : le courant électrique ne peut
circuler que de la zone P vers la zone N, à condition que la tension appliquée soit supérieure à une
tension de seuil, de l'ordre de 0,6 V.

Figure 12: Circuits intégrés : la diode et son comportement électrique

Pour fabriquer un transistor, on place deux zones N de part et d'autre d'une zone P. Si la zone P est
à 0 volt et les zones N à des tensions supérieures, alors le courant ne peut pas circuler entre les deux
zones N, en vertu des caractéristiques de la jonction PN précisées au paragraphe précédent. On place
maintenant un conducteur, nommée grille, à
quelques nanomètres au-dessus de la zone P, sans
contact électrique avec aucune des zones. Si on
applique, sur cette grille une tension supérieure à 0 V
(plus exactement, une tension supérieure à la
tension de seuil de la diode), alors la grille va attirer
les électrons de la zone P. Ainsi, sous la grille, se
Figure 13 : Dopage de transistor de type P et N

11
trouve une région riche en électrons mobiles, se comportant comme une zone N et non plus comme une
zone P. Cette région forme un canal conducteur entre les zones N et le courant peut alors circuler dans les
deux sens. Par convention, on nomme drain la zone N où pénètre le courant et source la zone N d'où sort le
courant. (Le transistor fonctionne ici comme un interrupteur commandé. Un phénomène similaire peut être
observé avec deux zones P en sandwich autour d'une zone N, en appliquant les tensions adéquates.

V. Finition du circuit
L'étape de finition du processus de fabrication des circuits intégrés représente l'une des phases finales, qui
donne naissance à des composants électroniques fonctionnels, prêts à être intégrés dans des dispositifs
électroniques complexes. Il englobe un ensemble de processus de haute précision visant à perfectionner la
structure, la performance et la fiabilité des puces électroniques, ce qui est indispensable pour répondre aux
exigences de l'industrie microélectronique.

Le tableau ci-dessus présente les principales étapes du processus de finition des circuits intégrés :

Tests des circuits Découpage de la tranche Montage en boitier et

Chaque circuit de Wafer est
testé par une machine munie
d’une carte à pointes qui lui
permet de se connecter sur les
plots de chaque circuit. Une
séquence d’excitation est
envoyée pour savoir si le circuit
est bon ou mauvais. Les circuits
mauvais sont marqués avec une
tache d’encre et seront éliminés
marquage des circuits
La tranche testée est collée sur Les circuits bons sont saisis par
une mince feuille de plastique une pipette sur la feuille de
adhésive, puis la tranche est plastique étirée pour être
découpée avec une scie montés dans des boîtiers dans
diamantée. L’étirement de celle- lesquels ils sont soudés. Les
ci permet la séparation des connexions sont ensuite
circuits. réalisées par de fins fils d’or
thermo-compressés entre les
plots des circuits et ceux de
leurs boîtiers. Un test final
permet de s’assurer du bon
fonctionnement des circuits
montés.

VI. Rendement et fiabilité

L'axe de rendement et de fiabilité constitue un pilier fondamental de la technologie de fabrication des
circuits intégrés, car il vise à maximiser l'efficacité opérationnelle tout en minimisant les défaillances et les
perturbations potentielles.
De manière à exprimer la rentabilité d’un processus de fabrication on définit son rendement :

Dans le cas de la comparaison de l’efficacité entre deux lignes de production, le rendement le plus
approprié sera le suivant :
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 Le prix de revient d’une tranche est fixe pour une technologie donnée, Le rendement va être fonction :
o La qualité de la ligne de fabrication (qualité des tranches de silicium, propreté des salles, …),
o Pourcentage de puces qui passent les tests initiaux,
o La qualité du dessin des masques (règles de dessin respectées),
o Rendement d’assemblage,
o Pourcentage de puces qui passent le test final.
Ce rendement va varier d’une tranche à l’autre et d’un lot de fabrication sur l’autre. Sur une plus longue
période, il augmente grâce aux réglages rétroactifs effectués. Lorsque le rendement de la ligne et optimisé,
la technologie est dite mature.

La fiabilité d’un circuit électronique intégré s’exprime par la probabilité que ce dernier accomplisse une
fonction requise dans des conditions d’utilisation et pour une période de temps déterminée. Nous la
désignons, dans ce qui suit, par R(t) où t désigne la durée d’utilisation et pour une période de temps
déterminée.

VII. Techniques de caractérisation

Pourquoi la caractérisation des couches minces ?

Toute méthode de caractérisation est basée un principe qui consiste à envoyer une sonde sur un échantillon
afin de créer une interaction sonde échantillon et analyser la réponse que l’on obtient :

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 1. Caractérisation Mécanique :
La fiabilité des circuits intégrés, est fortement associée à la performance et la bonne connaissance des
propriétés mécaniques des couches minces qui les composent. Ainsi les propriétés mécaniques de ces
couches doivent être déterminées avec précision. Techniques de caractérisation Il existe différentes méthodes
de caractérisation des couches, on peut citer à titre d’exemple :

• La nano indentation
• Le test de micro traction uni-axiale
• L’essai des micro flexion

2. Caractérisation Optique :
La méthode optique est utilisée pour la caractérisation des films transparents déposées sur un substrat
réfléchissant. Parmi ces méthodes on trouve la méthode de Ellipsomètre, Méthode des couleurs…etc.

3. Caractérisation Electrique :
viii. Méthode de Résistivité : méthode à quatre pointes
Pour l'utiliser, quatre petites pointes, généralement en métal, sont placées sur la couche mince que vous
souhaitez caractériser. Deux d'entre elles injectent un courant électrique, tandis que les deux autres mesurent
la tension. Cette configuration à quatre pointes élimine l'influence des résistances de contact et des fils, ce
qui rend les mesures très précises. En utilisant la loi d'Ohm (V = I x R), la résistance de la couche mince peut
être calculée directement à partir de la tension mesurée et du courant injecté. Cette méthode est largement
utilisée pour caractériser la résistivité des matériaux et des structures dans les circuits intégrés, ce qui est
essentiel pour garantir leur bon fonctionnement.

4. Caractérisation physico-chimique et structurales :

Détermination des caractéristiques physico-chimiques et structurales (défauts y compris) qui sont

significatives d’une certaine préparation au d’une certaine propriété que l’on attend d’un matériau.
Techniques de caractérisation physico-chimique et structurales :

▪ Visualisation microscopique
▪ Méthode diffractométrique (diffraction rayon X)
▪ Méthode spectroscopique

VIII. Les limites physiques de l'intégration

Elles sont essentiellement liées à la réduction des dimensions des composants élémentaires.

– La longueur d'onde de la lumière (ultraviolet) servant à insoler les masques en photolithographie doit
diminuer lorsqu'on réduit la taille du plus petit élément pouvant être dessiné. Depuis 2002, une longueur
d'onde de 193 nm est employée pour les technologies 0,09 μm et 0,05 μm. Utiliser une longueur d'onde
supérieure à la plus petite dimension pouvant être gravée requiert l'emploi de techniques fort complexes.
Théoriquement, la longueur d'onde peut être au maximum deux fois plus grande que la taille minimale de
ce que l'on cherche à insoler. La diminution de la longueur d'onde impose l'usage de nouveaux matériaux, à
la fois pour focaliser une telle lumière et pour servir de masques permettant de la stopper.

– L'épaisseur de l'isolant de la grille du transistor ne peut diminuer en deçà de 2 nm (épaisseur

correspondant à l'empilement de moins de 10 atomes). En effet, si l'isolant est trop fin, il ne joue plus son
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rôle et, à cause de l'effet tunnel, des courants de fuite très importants apparaissent : de très grandes
quantités d'électrons franchissent alors une barrière de potentiel et le transistor n'est plus fonctionnel.

– La longueur de canal du transistor ne peut décroître en dessous d'une certaine limite (de l'ordre d'une
dizaine de nanomètres) sous laquelle l'effet tunnel se produit entre les bornes du transistor (source et
drain), créant d'importants courants de fuite. Cette limite est imposée en choisissant un rapport 1 000 entre
le courant de fuite et le courant de fonctionnement. Le bruit thermique, en noyant les électrons du signal
dans les déplacements d'électrons liés aux mouvements erratiques dus à la température du matériau,
intervient également. Cependant, l'effet de ce bruit est plus théorique que pratique car il ne serait sensible
que si le nombre d'électrons participant au signal était très faible, ce qui est loin d'être le cas aujourd'hui et
à moyen terme.

– La densité de courant passant dans les fils (quelques micro-ampères dans des sections de moins d'un
micromètre) fragilise les conducteurs au cours du temps en leur arrachant des atomes de matière. Les
courants circulant essentiellement lors des commutations, leur effet est d'autant plus important que la
fréquence de fonctionnement est élevée. La durée de vie des circuits se réduit donc avec la diminution de
taille des connexions entre transistors et avec l'augmentation de la fréquence de fonctionnement. On
appelle ce phénomène l'électromigration.

– La puissance à dissiper provoque l'échauffement des circuits, éventuellement leur destruction. On sait
dissiper de l'ordre de 25 watts/cm2 sur un circuit intégré auquel est adjoint un radiateur thermique
correctement dimensionné. La puissance étant directement proportionnelle à l'activité, cela limite le nombre
de transistors pouvant commuter simultanément sur cette surface. La diminution des dimensions du
transistor implique un nombre croissant de transistors par unité de surface.

IX. Aspects économiques de l'intégration

Le marché des semi-conducteurs, bien que fortement instable, croît en moyenne de 14 p. 100 par an depuis
1960. C'est un marché très compétitif et à hauts risques. En effet, en plus de la croissance exponentielle du
coût des équipements de gravure proprement dits, il faut investir entre 3 et 5 milliards de dollars par unité
de production pour les technologies les plus avancées (locaux sur vérins pour éviter les vibrations et sans
poussières pour éviter les trop faibles rendements, postes de travail élaborés...). L'évolution du prix des salles
blanches depuis 1970 montre que ce phénomène tend à s'amplifier (fig. 9). Par ailleurs, le développement
d'un nouveau processus de fabrication nécessite des efforts considérables en recherche et en développement
avant de pouvoir rentabiliser la production. L'exemple des mémoires vives dynamiques (DRAM), qui
représentent un des moteurs du marché pour les technologies les plus avancées (l'autre moteur étant
constitué par les microprocesseurs), est significatif (fig. 10). Devant ces énormes besoins financiers, les divers
industriels du secteur se regroupent au sein de consortiums internationaux.

Figure 14 : Circuits intégrés : prix au mètre carré d'une salle blanche.

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 Figure 15 : Circuits intégrés : coût de développement d'un procédé de fabrication de mémoire dynamique

Parallèlement à ces investissements, à fonctionnalité égale, le prix de vente des circuits intégrés ne cesse de
baisser, de manière tout aussi drastique. Par exemple, le prix par bit d'une mémoire dynamique a baissé de
33 p. 100 par an depuis 1970 passant ainsi de 2 centimes de dollars (ou cents) environ en 1970 à quelque
10—5 cent au début du XXIe siècle. En outre, la plupart des produits électroniques grand public subissent une
obsolescence rapide (les différentes générations de téléphones cellulaires, par exemple), ce qui nécessite de
la part des constructeurs des efforts continus en recherche-développement.

Traditionnellement, le marché des microprocesseurs est dominé par les États-Unis et celui des mémoires par
l'Asie du Sud-Est. Les grandes sociétés européennes ont trouvé leur place essentiellement dans le domaine
de l'intégration des systèmes électroniques grand public non informatiques, tels que ceux permettant de
traiter le son ou la vidéo numérique ou encore les téléphones mobiles. Ces produits, dans lesquels
l'informatique est enfouie grâce à l'intégration, constituent les nouveaux marchés porteurs du XXIe siècle.

X. CONCLUSION
En conclusion, ce rapport a apporté un éclairage sur la technologie de fabrication des circuits intégrés, une
discipline complexe et essentielle qui sous-tend notre société hautement connectée. Nous avons exploré les
principales étapes du processus de fabrication, des concepts fondamentaux de la photolithographie à la
gravure chimique en passant par le dépôt de couches minces et l'assemblage des puces. Il est clair que cette
technologie a évolué de manière spectaculaire au fil des décennies, permettant des avancées
impressionnantes dans l'industrie de l'électronique et de l'informatique.
Cependant, les défis futurs ne manquent pas, qu'il s'agisse de la réduction de la taille des transistors, de
l'intégration de nouvelles technologies ou de la gestion des contraintes environnementales. Pour continuer à
innover, il est essentiel de rester à la pointe de la recherche et du développement. La fabrication de circuits
intégrés est une entreprise collaborative, alliant des compétences en chimie, en physique et en ingénierie, et
est le moteur de la révolution numérique en cours.
Alors que la technologie des circuits intégrés continue de se développer, elle offre d'innombrables
opportunités pour l'avenir, de l'internet des objets à l'informatique quantique en passant par les véhicules
autonomes. En fin de compte, elle a le pouvoir de remodeler notre monde de manière profonde et positive.
Ce rapport nous rappelle que l'innovation dans la fabrication des circuits intégrés est une force motrice
majeure pour l'avenir de la technologie, de l'industrie et de la société dans son ensemble.

XI. Bibliographies

G. DAN HUTCHESON & J. D. HUTCHESON, « Technology and Economics in the Semiconductor Industry »,
in Scientific American, oct. 1997
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R. B. ISAAC, « The Future of CMOS technology », in IBM Journal of Research and Development, vol. 44,
no 3, may 2000

B. RAZAVI, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Mac Graw Hill, 2000

J. P. UYEMURA, Introduction to VLSI Circuits and Systems, John Wiley & sons, 2002

N. H. E. WESTE & K. ESHRAGHIAN, Principles of CMOS VLSI Design. A System Perspective, 2e ad., Addison-
Wesley Publishing Company, 1993.

Wikipedia

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