Exposé Sur Les Semi-Conducteurs Groupe 1

Année Académique 2022-2023 UAC/FAST
SOMMAIRE
Listes des figures ...................................................................................................................... 3

Liste des tableaux ..................................................................................................................... 4
INTRODUCTION.................................................................................................................... 5
1. Généralités ......................................................................................................................... 6
1.1. Conductivité électrique ............................................................................................. 6
1.2. Notion d’Isolant, Conducteur, Semi-Conducteur et bandes d’énergie ................ 6
2. Les semi-conducteurs ....................................................................................................... 8
2.1. Description de semi-conducteur ............................................................................... 8
2.1.1. Définition ............................................................................................................ 8
2.1.2. Types de matériau semi-conducteur ................................................................ 8
2.1.3. Structures des semi-conducteurs ...................................................................... 8
2.2. Propriétés des semi-conducteurs.............................................................................. 9
2.2.1. Conduction par électron trou ........................................................................... 9
2.3. Types de semi-conducteurs..................................................................................... 11
2.3.1. Semi-conducteur Non Dopés (intrinsèques) .................................................. 11
2.3.2. Semi-conducteur Dopés (extrinsèques) .......................................................... 15
2.4. La Jonction PN des semi-conducteurs ................................................................... 18
2.4.1. Jonction Non Polarisée .................................................................................... 18
2.4.2. Jonction PN polarisée en inverse .................................................................... 19
2.4.3. Jonction PN polarisée en directe .................................................................... 20
2.4.4. Caractéristique Courant-Tension................................................................... 20
2.4.5. Claquage inverse Zener ................................................................................... 23
3. Applications des semi-conducteurs ............................................................................... 23
3.1. Applications à l’électronique : cas des composants électroniques semi-
conducteurs (Diode, diode Zener, diode LED, transistor, thyristor, triac, diac, le
redresseur) .............................................................................................................................. 23
3.1.1. La diode............................................................................................................. 23
3.1.2. La diode zener : stabilisatrice de tension ....................................................... 25
3.1.3. La diode LED ................................................................................................... 25
3.1.4. Le transistor ..................................................................................................... 27
3.1.5. Le thyristor ....................................................................................................... 29
3.1.6. Le triac .............................................................................................................. 32
Master Energie Renouvelable et Système énergétique

Cours : Physique de la matière condensée
Exposé sur les Semi-Conducteurs 1
Présenté par le Groupe n°1
3.1.7. Le diac ............................................................................................................... 33

3.1.8. Le redresseur : conversion du courant alternatif en continu ...................... 33
3.2. Applications aux énergies renouvelables : cas de l’énergie solaire (cellule
photovoltaïque en Silicium) ............................................................................................... 34
3.2.1. Contexte ............................................................................................................ 34
3.2.2. Définition de la cellule photovoltaïque ........................................................... 34
3.2.3. Description et composition de la cellule photovoltaïque .............................. 35
3.2.4. Types de cellules photovoltaïques en Silicium ............................................... 36
CONCLUSION ...................................................................................................................... 38
Bibliographie .......................................................................................................................... 39

Listes des figures

Figure 1 : Diagrammes énergétiques pour les trois types de matériaux. ................................................ 7
Figure 2 : Représentation sur un plan de la structure atomique des semi-conducteurs ......................... 8
Figure 3 : Structure électronique des semi-conducteurs ........................................................................ 9
Figure 4 : Illustration du déplacement des électrons ............................................................................ 10
Figure 5 : Illustration du champ électrique .......................................................................................... 11
Figure 6 : Représentation schématique des liaisons électroniques des semi-conducteur intrinsèque (Si)
.............................................................................................................................................................. 12
Figure 7 : Distance entre la bande de conducteur et la bande de valence ............................................ 14
Figure 8 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur silicium
(Si) dopé N par de l'arsenic (As). .......................................................................................................... 15
Figure 9 : Semi-conducteur dopé N ..................................................................................................... 16
(Si) dopé P par du Bohr (B). ................................................................................................................. 17
Figure 11 : Semi-conducteur type P ..................................................................................................... 18
Figure 12 : Illustration de la jonction PN non polarisée ...................................................................... 19
Figure 13 : Schéma de la Jonction PN polarisée en inverse................................................................. 19
Figure 14 : Schéma de la Jonction PN polarisée en directe ................................................................. 20
Figure 15 : Bandes d'énergie à la tension de claquage. ........................................................................ 21
Figure 16 : Illustration graphique de la caractéristique courant tension .............................................. 22
Figure 17 : Symbole d'une diode.......................................................................................................... 23
Figure 18 : Schéma de fonctionnement d'une diode ............................................................................ 24
Figure 19 : Schéma de fonctionnement d'une diode en courant alternatif ........................................... 24
Figure 20 : Symbole d'une diode Zéner ............................................................................................... 25
Figure 21 : Schéma d'une diode Zéner dans un circuit ........................................................................ 25
Figure 22 : Symbole d'une diode LED ................................................................................................. 26
Figure 23 : Schéma de fonctionnement d'une diode LED .................................................................... 26
Figure 24 : Constitution de principe d’un transistor NPN ................................................................... 27
Figure 25 : Constitution de principe d’un transistor PNP .................................................................... 27
Figure 26 : Symboles normalisés des transistors ................................................................................. 27
Figure 27 : Illustration du fonctionnement d'un transistor suivant le fonctionnement d’un robinet .... 28
Figure 28 : Schéma du fonctionnement d'un transistor ........................................................................ 28
Figure 29 : Symbole du thyristor ......................................................................................................... 29

Figure 30 : Schéma du fonctionnement du thyristor si on alimente l’anode et la gâchette avec une

tension de polarité positive ................................................................................................................... 30
Figure 31 : Schéma du fonctionnement du thyristor si on alimente l’anode positif et la gâchette avec
une tension de polarité négative (schéma A) et Schéma du fonctionnement si on alimente l’anode avec
une tension de polarité négative et la gâchette avec une tension de polarité positive (schéma B) ....... 31
Figure 32 : Si on alimente l’anode d’un thyristor avec une tension alternative et sa gâchette avec une
tension continue positive....................................................................................................................... 31
Figure 33 : Symbole du triac ................................................................................................................ 32
Figure 34 : Symboles du DIAC ............................................................................................................ 33
Figure 35 : Illustration du redressement mon alternance ..................................................................... 33
Figure 36 : Illustration du redressement double alternance ................................................................. 34
Figure 37 : Composition d'une cellule photovoltaïque ........................................................................ 35
Figure 38 : Coupe schématique d'une cellule photovoltaïque au silicium ........................................... 35
Figure 39 : Photo d’une cellule en silicium monocristallin ................................................................. 36
Figure 40 : Photo d'une cellule en silicium polycristallin .................................................................... 36
Figure 41 : Photo d'une cellule en silicium amorphe en couche mince ............................................... 37
Liste des tableaux

Tableau 1 : la classification périodique de quelques atomes ............................................................... 11
Tableau 2 : température de bande interdite de trois semi-conducteurs ................................................ 13

INTRODUCTION
Toute matière est composée d’atomes et tout atome est composé d’électrons et de
protons, qui selon leurs dispositions et leurs mouvements déterminent une certaine propriété
au matériau qu’ils constituent. Le matériau semi-conducteur est important puisque la
configuration de certains électrons dans un atome est le facteur clé qui détermine à quel point
un matériau donné conduit le courant électrique. Dans cette section, il sera question de la
structure, les propriétés et caractéristique, des semi-conducteurs ; ainsi que leurs applications
dans différent domaines donnés.

1. Généralités
1.1. Conductivité électrique
Dans le modèle classique, un corps est isolant s’il ne contient pas d’électrons mobiles. Dans
un conducteur, des électrons sont peu liés aux noyaux et peuvent se déplacer dans le réseau
cristallin. Si n est la densité des électrons libres, v leur vitesse moyenne, dans une barre de
longueur L, de section S avec une tension V entre les extrémités, la densité de courant J = I/S
est égale à J = n.e.v. La vitesse des électrons est proportionnelle à la force à laquelle ils sont
soumis donc au champ électrique E = V/L. Si µ désigne la mobilité, on a : v = µ.E J = n.e.µ.E
= s.E = E/r
1.2. Notion d’Isolant, Conducteur, Semi-Conducteur et bandes d’énergie

Isolant :
Un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant électrique sous des
conditions normales dont la conductivité σ < 10 - 8 S /cm (diamant 10–14 S/cm), La plupart des
bons isolants sont des matériaux composés de plusieurs éléments, contrairement aux
conducteurs. Les électrons de valence sont solidement rattachés aux atomes, laissant très peu
d’électrons libres de se déplacer dans un isolant.
Conducteur :
Un conducteur est un matériau qui conduit aisément le courant électrique c’est-à-dire
la conductivité σ >10 3S /cm (argent 10 6
S / cm). Les meilleurs conducteurs sont des
matériaux constitués d’un seul élément comme le cuivre, l’argent, l’or et l’aluminium, ces
éléments étant caractérisés par des atomes ayant un seul électron de valence faiblement lié à
l’atome. Ces électrons de valence peu retenus peuvent facilement se détacher de leur atome
respectif et devenir des électrons libres. Par conséquent, un matériau conducteur possède
beaucoup d’électrons libres qui, lorsqu’ils se déplacent tous dans la même direction,
engendrent le courant.
Semi-conducteurs :
Un semi-conducteur est un matériau se situant entre le conducteur et l’isolant et dont la
conductivité ‘ σ ’ est comprise entre 10 -8
S /cm et 10 3 S /cm (10 - 8 S /cm < σ < 10 3 S /cm.
Un semi-conducteur à l’état pur n’est pas un bon conducteur ni un bon isolant.
Bandes d’énergie :

Rappelons-nous que la couche de valence d’un atome représente une bande d’un certain
niveau énergétique et que les électrons de valence sont confinés à cette bande. Lorsqu’un
électron acquiert assez d’énergie additionnelle d’une source externe, il peut quitter la couche
de valence, devenir un électron libre et exister dans ce que l’on désigne comme étant la
bande de conduction. En termes d’énergie, la différence entre la bande de valence et la bande
de conduction est appelée un écart énergétique. Il s’agit en fait de la quantité d’énergie que
doit avoir un électron pour sauter de la bande de valence vers la bande de conduction. Une
fois dans la bande de conduction, l’électron est libre de se déplacer à travers le matériau et
n’est plus lié à aucun atome particulier. La figure 1 montre les diagrammes d’énergie pour un
isolant, un semi-conducteur et un conducteur. Notez à la partie a) le vaste écart énergétique
entre les bandes. Les électrons de valence ne peuvent sauter vers la bande de conduction sauf
lors d’une détérioration provoquée par des tensions extrêmement élevées appliquées au
matériau. À la partie b), on remarque qu’un semi-conducteur possède un écart énergétique
plus restreint, permettant à quelques électrons de sauter vers la bande de conduction et de
devenir des électrons libres. Par contraste, la partie c) illustre les bandes énergétiques se
chevauchant dans un conducteur. Dans un matériau conducteur, il existe toujours un grand
nombre d’électrons libres.
Figure 1 : Diagrammes énergétiques pour les trois types de matériaux.

2. Les semi-conducteurs
2.1. Description de semi-conducteur
2.1.1. Définition
Un semi-conducteur est un matériau qui possède les caractéristiques électriques d’un
isolant, mais pour lequel la probabilité qu’un électron puisse contribuer à un courant
électrique est suffisamment important. C’est un matériau dont la conduction électrique est
imparfaite.
2.1.2. Types de matériau semi-conducteur

Les principaux semi-conducteurs sont :
• Silicium (Si)
• Germanium (Ge)
• Sélénium (Se)
• Arséniure de gallium (GaAs)
• Antimoniure d’indium (InSb)
• Phosphure de gallium (GaP)
• Phosphure d’indium.
Les éléments uniques les plus utilisés sont le silicium, le germanium et le carbone. Des
éléments composés tels l’arséniure de gallium sont aussi couramment utilisés. Les semi-
conducteurs à élément unique se caractérisent par des atomes à quatre électrons de valence.
2.1.3. Structures des semi-conducteurs

➢ Structures atomiques
Figure 2 : Représentation sur un plan de la structure atomique des semi-conducteurs

Chaque atome est lié à 4 voisins placés aux sommets d’un tétraèdre par une liaison covalente
: Ces éléments sont « tétravalents ». La figure 2 correspond à une représentation sur un plan
de la structure atomique des semi-conducteurs. Les traits figurent les liaisons de valence.
➢ Structure électronique des semi-conducteurs
Figure 3 : Structure électronique des semi-conducteurs
La théorie des bandes appliquée aux semi-conducteurs amène à considérer une bande de
valence entièrement pleine qui est séparée d’une bande de conduction par une bande
interdite. Si on apporte une énergie thermique ou lumineuse suffisante à un électron, il peut
passer de la bande de valence à la bande de conduction.
2.2. Propriétés des semi-conducteurs

2.2.1. Conduction par électron trou
L’agitation thermique a créé un déficit d’électrons dans la bande de valence. En réalité, cette
absence d’électrons va permettre un mécanisme de conduction au niveau de la bande de
valence. En effet, un électron de cette bande va pouvoir se déplacer vers un emplacement
libéré par un électron voisin qui est parti vers la bande de conduction. On peut aussi dire que
l’électron qui est parti vers la bande de conduction a laissé une vacance ou lacune d’électron
derrière lui, cette lacune pouvant être occupée par un électron de valence voisin, situé donc
dans la même bande d’énergie. Cet électron de la bande de valence venant occuper la lacune
a lui-même laissé derrière lui une lacune en faisant disparaître la première. Un nouvel
électron de valence peut venir occuper cette nouvelle lacune et ainsi de suite.

La figure ci-dessous donne une idée du mécanisme mis en jeu. On retrouve un mécanisme
similaire à celui des pièces d’un jeu de taquin ou « pousse-pousse ». On peut noter que si les
électrons se déplacent de la droite vers la gauche, les lacunes se déplacent de la gauche vers
la droite, c’est-à-dire dans le sens inverse.
Figure 4 : Illustration du déplacement des électrons
En faisant le bilan, cela revient à avoir déplacé la lacune d’électron. L’absence d’électron
dans la bande de valence va s’appeler un trou et le phénomène s’appeler conduction par trous.
En effet, sous l’action d’un champ électrique extérieur, l’électron va se déplacer dans le sens
inverse du champ électrique. Ainsi, dans la bande de conduction, les électrons « remontent »
le champ électrique. Dans la bande de valence, le matériau étant globalement neutre,
l’absence d’un électron confère à la zone de départ (environnement de la lacune) une charge
équivalente positive qui provient de la non-compensation de la charge du noyau due aux
protons. Sous l’action du champ électrique, les électrons liés vont avoir tendance à se
déplacer dans le sens de la remontée du champ électrique, en laissant derrière eux une charge
positive correspondant à la lacune. Ainsi, les lacunes vont se déplacer dans le sens du champ
et correspondent donc au déplacement d’une charge positive dans le même sens que le champ
électrique. En conclusion, la conduction par champ électrique dans le matériau pourra se faire
à deux niveaux :
▪ Pour les électrons de la bande de conduction qui remontent le champ électrique
appliqué.
▪ Par les trous de la bande de valence qui se déplacent dans le même sens que le champ
électrique.
Notons que du fait que les charges équivalentes sont de signe opposé, les courants
équivalents résultants seront dans le même sens en s’ajoutant.

Figure 5 : Illustration du champ électrique
2.3. Types de semi-conducteurs

2.3.1. Semi-conducteur Non Dopés (intrinsèques)
Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur non dopé, c'est à dire qu'il
contient peu d'impuretés (atomes étrangers) en comparaison avec la quantité de trous et
d'électrons générés thermiquement
Tableau 1 : la classification périodique de quelques atomes
Les semi-conducteurs (germanium et surtout silicium) possèdent 4 électrons sur leur

couche périphérique car ils appartiennent à la 4° colonne de la classification périodique des
éléments indiqués ci-dessus. Il est possible de les produire avec un haut degré de pureté
(moins de 1 atome étranger pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de semi-
conducteurs intrinsèques.
Considérons un cristal de silicium non excité au zéro absolu (0°K) dans l’obscurité.
Afin de voir huit électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4
électrons périphériques en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal
de silicium la représentation ci-dessous. C’est la mise en commun des électrons

périphériques, appelée liaison de covalence, qui assure la cohésion du cristal de silicium. Les
électrons qui participent à ces liaisons sont fortement liés aux atomes de silicium. Il
n’apparaît donc aucune charge mobile susceptible d’assurer la circulation d’un courant
électrique. Le semi-conducteur est alors un isolant, en effet la bande de valence est saturée,
toutes les places sont occupées alors que la bande de conduction qui offre des places libres est
vide.
Lorsque la température n’est pas nulle, l’agitation thermique désordonne la
configuration précédente : les électrons possèdent une énergie supplémentaire positive qui
provoque la rupture de quelques liaisons de covalences. Un des électrons participant à cette
liaison acquiert ainsi de l’énergie nécessaire pour quitter l’atome auquel il était lié. Il devient
un porteur de charge libre, capable de se déplacer dans le cristal, et autorisant ainsi la
circulation d’un courant électrique sous une différence de potentiel. Le cristal devient alors
un mauvais isolant d’où son appellation de semi-conducteur.
Figure 6 : Représentation schématique des liaisons électroniques des semi-conducteur intrinsèque (Si)
La figure 6 montre que pour un semi-conducteur intrinsèque (sans impuretés), à

chaque électron de la bande de conduction correspond un trou dans la bande de valence. De
cette constatation, nous déduisons que les densités d'électrons et de trous sont identiques pour
ce type de semi-conducteur.
En remplaçant les densités de porteurs par leurs expressions respectives, précédente
nous permet de définir le niveau de Fermi pour un semi-conducteur intrinsèque 𝐸𝐹𝑖. Sachant
qu'à température ambiante kT est très inférieur au gap, ce niveau se trouve très proche du
milieu de la bande interdite :

Ec + Ev 𝑁𝑣 Ec + Ev
𝐸𝐹𝑖 = ln ≅
2 𝑁𝑐 2
L’énergie minimale requise pour générer une paire électron-trou correspond à la
hauteur de bande interdite EG dont la valeur est indiquée dans le tableau suivant pour divers
matériaux :
Tableau 2 : température de bande interdite de trois semi-conducteurs
A une température différente du zéro absolu, un certain nombre d’électrons de valence

acquiert assez d’énergie thermique pour rompre leurs liaisons et devenir des électrons libres.
Ce gain d’énergie, qui doit être au moins égal à EG, fait accéder les électrons à des places
libres de la bande de conduction. Corrélativement, ils laissent derrière eux des places
disponibles vides (trous) dans la bande de valence.
La hauteur de bande interdite du diamant (EG = 5.47 eV) en fait un parfait isolant. En
effet même aux températures élevées, il est impossible de faire passer des électrons de la
bande de valence à la bande de conduction. L’oxyde de silicium SiO2 (silice) important pour
la fabrication des circuits intégrés, avec EG = 9 eV est lui aussi un isolant.
Les conducteurs métalliques ont une structure cristalline et à ce titre on leur associe un
schéma de bandes. Celui-ci présente cependant une configuration particulière telle qu’à toutes
les températures il existe des électrons libres, environ 1023 cm-3. En effet, soit la bande de
conduction dispose toujours de places libres, soit il existe un chevauchement entre bandes de
valence et de conduction qui supprime la bande interdite.
A température constante, un équilibre s’établit entre les phénomènes d’ionisation
thermique et de recombinaison ; les électrons libres et les ions de silicium apparaissant en
quantités égales. La concentration en électrons libres n et en trous libres p sont égales à n i la
concentration intrinsèque.
La mécanique statistique montre que la population des porteurs
∆𝑬𝒏 ∆𝑬𝒑
n = Nc exp (− ) p = Nv exp (− )
𝑲𝑻 𝑲𝑻

▪ Où Nc et Nv sont respectivement la densité effective d’états des électrons dans la

bande de conduction (2,82. 1019 cm-3 à 300°K pour Si) et la densité effective d’états
des trous dans la bande de valence (1,83.1019 cm-3 à 300°K pour Si). Ces deux
coefficients évoluent avec la température selon une loi en T3/2.
▪ ∆Ec et ∆En représentent deux différences d’énergies liées à un niveau dit de Fermi
qui indique les écarts de population entre les électrons et les trous.
Figure 7 : Distance entre la bande de conducteur et la bande de valence
Pour le silicium pur à 300 °K, où p=n=ni, on montre que le niveau indicateur de Fermi
EFi est situé au milieu de la bande interdite (en effet : ∆Ec-∆En=11,2 mev est négligeable
devant la hauteur de bande interdite ∆Ec+∆En = 1,12 eV).
La concentration intrinsèque (ni) en électrons libres et en trous libres par cm3 dépend
de la hauteur de bande interdite EG et de la température T selon l’expression :
𝐸G
n = p = ni = A T3/2 exp (− 2𝐾𝑇).
A : constante du matériau
EG : hauteur de bande interdite (eV)
K : constante de Boltzmann 8, 6 .10 - 5 eV K-1
T : température absolue en °K
Le silicium intrinsèque a des d’applications pratiques limitées : photorésistance,
thermistance. Cependant, il est possible en introduisant certaines impuretés en quantité
contrôlée, de privilégier un type de conduction : par électrons libres ou trous libres.

2.3.2. Semi-conducteur Dopés (extrinsèques)

Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des
impuretés spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications
électroniques (diodes, transistors, etc.…) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de
lumière, etc.…).
On peut modifier de façon considérable la concentration de porteurs de charge d’un
semi-conducteur intrinsèque en lui ajoutant de faibles quantités d’atomes astucieusement
choisis et que l’on appelle impuretés dopantes ou tout simplement dopants. On obtient alors
un semi-conducteur extrinsèque ou dopé. Selon la nature des atomes introduits, soit le
nombre d’électrons devient très supérieur au nombre de trous et le semi-conducteur est
appelé de type n, soit le nombre de trous devient très supérieur à celui des électrons et le
semi-conducteur est appelé de type p. Cette différence sera exploitée judicieusement dans la
suite. Dans l’immédiat, nous allons expliquer le phénomène de dopage et ses conséquences
sur le nombre d’électrons et de trous ainsi que sur la position du niveau de Fermi (niveau
statistique moyen) dans le semi-conducteur.
2.3.2.1. Types N
Un semi-conducteur type N est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si) dans
lequel on a introduit des impuretés de type donneurs (ex : arsenic As). Ces impuretés sont
ainsi appelées parce qu'elles donnent un électron à la bande de conduction pour réaliser une
liaison avec le cristal semi-conducteur.
La figure 12 met en évidence qu'un semi-conducteur dopé a une densité d'électrons n

plus élevée et une densité de trous p plus faible que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs majoritaires et les
trous, les porteurs minoritaires. Par analogie avec les semi-conducteurs de type P et en notant
ND la densité de donneurs, les densités de porteurs pour un semi-conducteur de type N sont :

(Si) dopé N par de l'arsenic (As).

a) Cas du semi-conducteur intrinsèque

b) Sur la base de la représentation a), l'impureté (As) donne un électron de conduction
en augmentant la densité d'électrons n b)
c) Sur la base de la représentation a), l'impureté (As) donne un électron de conduction
en baissant la densité de trous p
𝑁𝑖 2
n= ND P= 𝑁𝐷
𝑁𝑣
EFn = EC – KT ln 𝑁𝐷
Ainsi plus la densité d'accepteurs est élevée plus le niveau de Fermi se rapproche de la
bande de conduction. A la limite si ND=Nc le niveau de Fermi entre dans la bande de
conduction, on dit alors que le semi-conducteur est dégénéré.
Figure 9 : Semi-conducteur dopé N
a) Diagramme des bandes d'énergie
b) Densités d'état énergétique
c) Distributions de Fermi-Dirac
d) Densités énergétiques de porteurs (les densités de porteurs n et p correspondent aux

surfaces hachurées)
2.3.2.2. Types P
Un semi-conducteur type P est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si) dans
lequel on a introduit des impuretés de type accepteurs (ex : Bohr B). Ces impuretés sont ainsi

appelées parce qu'elles acceptent un électron de la bande de conduction pour réaliser une
liaison avec le cristal semi-conducteur.

(Si) dopé P par du Bohr (B).
a) Cas du semi-conducteur intrinsèque

b) Sur la base de la représentation a), l'impureté (B) accepte un électron de conduction en
baissant la densité d'électrons n
c) Sur la base de la représentation a), l'impureté (B) accepte un électron de valence en
augmentant la densité de trous p
La figure 10 met en évidence qu'un semi-conducteur dopé P à une densité d'électrons
n plus faible et une densité de trous p plus élevée que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs minoritaires et les
trous, les porteurs majoritaires. Pour les semi-conducteurs extrinsèques, la densité de dopant
est toujours très supérieure à la densité de porteurs intrinsèques NA>>Ni. Dans le cas d'un
type P, la densité de trous est donc proche de celle du dopant accepteur NA. La relation étant
toujours vérifiée, nous obtenons pour les densités de porteurs :
𝑁𝑖 2
N= P= NA
𝑁𝐴
Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type P ou potentiel chimique est alors :
𝑁𝑣
EFP = Ev+𝑘𝑇 ln 𝑁𝑐
Ainsi plus la densité d'accepteurs est élevée plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande
de valence. A la limite si NA=Nv le niveau de Fermi entre dans la bande de valence, on dit
alors que le semi-conducteur est dégénéré.
La figure 11 donne graphiquement le bilan électronique pour un semi-conducteur dopé P

Figure 11 : Semi-conducteur type P
a) Diagramme des bandes d'énergie
b) Densités d'états énergétique.

c) Distributions de Fermi-Dirac
d) Densités énergétiques de porteurs (les densités de porteurs n et p correspondent aux
surfaces hachurées
2.4. La Jonction PN des semi-conducteurs
2.4.1. Jonction Non Polarisée
Une jonction est constituée par la réunion de deux morceaux de semi-conducteurs dopés P et
N (jonction P-N). Les connexions avec le milieu extérieur sont réalisées par des contacts
métalliques. Par construction, les jonctions entre métal et semi-conducteur sont purement
ohmiques (non redresseuses). En pratique, on part d’une plaque de silicium dopée N sur
laquelle on crée en général par diffusion une zone dopée P. On sait donner à la zone de
séparation entre les deux matériaux nommée la zone de transition, une épaisseur très faible
(typiquement 0,5 µm). Dans cette zone, les taux de dopages et donc le nombre de porteurs
libres varient avec la distance.
▪ Dans la zone P les porteurs majoritaires sont les trous. Les atomes accepteurs
constituent un réseau d’ions négatifs. De même dans la zone N les porteurs
majoritaires sont les électrons. Les atomes donneurs constituent un réseau d’ions
positifs. Les trous ont tendance à gagner la zone N où ils se recombinent avec des
électrons. De même des électrons de la zone N vont combler des trous de la zone P.
Dans la zone de transition existe une charge d’espace due aux charges non
compensées des noyaux des impuretés. En l’absence d’une polarisation externe, existe
un champ électrique interne qui s’oppose au mouvement des porteurs majoritaires

mais qui accélère les minoritaires. Il existe au niveau de la jonction une barrière de
potentiel dont la hauteur est la différence entre les niveaux d’énergie des accepteurs et
des donneurs. Les porteurs minoritaires induisent le courant de diffusion ; les
porteurs majoritaires créent le courant de saturation. En l’absence de polarisation,
ces deux courants sont égaux.
▪ La diode se comporte comme un condensateur dont le pôle – est la zone P et le pôle +
est la zone N. La zone de transition ne contenant pas de porteurs mobiles constitue le
diélectrique de ce condensateur.
Figure 12 : Illustration de la jonction PN non polarisée
2.4.2. Jonction PN polarisée en inverse
Figure 13 : Schéma de la Jonction PN polarisée en inverse
Dans cette situation, le champ électrique externe créé par le générateur de f.e.m. Vinv
s’ajoute au champ interne de la jonction : la hauteur de la barrière de potentiel augmente. On
montre que l’épaisseur d de la zone de transition est proportionnelle à Vinv. Seul un courant

de minoritaires est possible à travers la jonction. C’est le courant inverse ou courant de

fuite. A température ambiante, ce courant est très faible (100 nA). Comme il dépend du
nombre des minoritaires, il est fonction de la température : pour le silicium, il est négligeable
en dessous de 110°C mais il devient si important au-dessus de 175°C qu’il interdit le
fonctionnement de la jonction en diode. Pour le germanium le fonctionnement est impossible
au-dessus de 85°C.
2.4.3. Jonction PN polarisée en directe
Figure 14 : Schéma de la Jonction PN polarisée en directe
Dans cette situation le champ externe créé par le générateur s’oppose au champ interne. Dès
que le champ externe dépasse le champ interne, un courant des majoritaires s’établit à travers
la jonction. Il existe pour une jonction P-N une tension de seuil qui est caractéristique du
matériau : Si : Vs » 0,55 V Ge : Vs » 0,15 V.
2.4.4. Caractéristique Courant-Tension

Polarisation continue inverse
En polarisation continue inverse (V<0), quel que soit la tension faible appliquée aux
bornes de la jonction le courant total est constant. Ce courant est fort naturellement appelé
courant de saturation. Cependant, pour de forte polarisation inverse le courant total peut
brusquement et fortement augmenter. On dit alors que l'on a atteint la tension de claquage de
la jonction, notée Vc. En effet, lorsque l'on augmente la tension de polarisation inverse, on
augmente de ce fait le champ électrique à l'intérieur de la jonction. Or, il existe une valeur
limite E0 à ce champ électrique. En effet, lorsque le champ électrique augmente, la force
électrique donne :
Elle exerce sur les électrons liés au réseau cristallin s'accroît et devient supérieure à la
force de liaison des électrons de valence sur les noyaux. Ces électrons sont ainsi libérés, le
cristal devient alors conducteur et la tension de polarisation inverse, et par conséquent le
champ électrique, n'augmente plus. Ceci signifie que le champ électrique maximum que l'on

peut établir dans un cristal semi-conducteur est celui qui provoque l'excitation directe d'un
électron de la bande de valence à la bande de conduction, c'est à dire l'ionisation du matériau.
Le phénomène de claquage peut être due à deux processus distincts. Le premier est
appelé effet tunnel ou effet Zener. Le champ électrique élevé (~10 6 V/cm pour le silicium)
génère des paires électron-trou. Les électrons associés à ces paires sont émis à travers la zone
de déplétion, de la bande de valence vers la bande de conduction, sans modification d'énergie,
d'où le terme d'effet tunnel. Dans la pratique, cet effet n'est observable que dans les jonctions
PN fortement dopées, pour lesquelles la zone de charge d'espace est très étroite (w=∼ 500 Å)
diminuant ainsi la longueur du « tunnel ». Lorsque la largeur de la zone de charge d'espace
n'est pas particulièrement faible, w>1000 Å, un phénomène appelé effet d'avalanche entraîne
le claquage de la jonction avant l'effet Zener. Pour des champs électriques de l'ordre de 10
6
V/cm, c'est à dire pour une valeur environ dix fois inférieure au seuil d'effet Zener,
l'accélération acquise par quelques porteurs, essentiellement d'origine thermique, est
suffisante pour permettre de générer des paires électron-trou par choc avec les atomes du
cristal. Ces paires électron-trou sont à leur tour accélérées, et peuvent crées d'autre paires. Il
en résulte un processus en chaîne rappelant un phénomène d'avalanche. Ce processus est
donné par la figure 21. Il se décrit comme suit : la phase (1) correspond à la création
thermique d'une paire électron-trou ; dans la phase (2) l'électron est accéléré par le champ
électrique et se trouve de ce fait de plus en plus haut dans la bande de conduction, on dit qu'il
devient un porteur chaud ; la phase (3) correspond au moment où son énergie cinétique est
suffisante pour créer par choc une autre paire électron-trou, à l'issus de ce choc, appelé
impact d'ionisation, l'électron ayant perdu de l'énergie se trouve dans le bas de la bande de
conduction et une deuxième paire d'électron-trou est créée. Si la largeur de la zone de charge
d'espace est suffisante le processus peut se poursuivre. Notons que le phénomène décrit ici
pour l'électron existe aussi pour le trou.
Figure 15 : Bandes d'énergie à la tension de claquage.

Polarisation continue directe
En polarisation continue directe (V>0) dans le cadre de l'injection faible, le courant

total traversant la jonction est une fonction exponentielle de la tension de polarisation V.
Cependant, lorsque la polarisation directe devient importante, la barrière de potentielle
constituée par la zone de déplétion devient faible et ainsi la résistance propre de la jonction
devient négligeable devant la résistance ohmique R des deux semi-conducteurs N et P. On ne
peut plus écrire que la tension d'alimentation que l'on notera Va est égale à la tension de
polarisation seule mais à V +VΩ ou V est la tension de polarisation nécessaire pour réduire la
barrière de potentiel à une valeur de l'ordre de kT/q et VΩ= R. J. J est la chute de tension due
à la résistance ohmique des régions N et P.
Nous pouvons à présent tracer la courbe courant-tension pour une jonction PN en
tenant compte des particularités des polarisations inverse et directe données dans les
paragraphes précédents. Cette courbe montre l'existence d'une quasi tension d'offset Voff
dans le cas où la résistance ohmique des semi-conducteurs est faible.
Figure 16 : Illustration graphique de la caractéristique courant tension

2.4.5. Claquage inverse Zener

Pour des diodes très fortement dopées et dont la zone de transition est très mince, le
champ électrique peut provoquer la rupture directe de liaisons covalentes et le passage
d’électrons de la bande de valence dans la bande de conduction. Pour des champs de l’ordre
de 2.107 V.cm–1, la tension de claquage est de l’ordre de 6 V pour des diodes très dopées. Le
courant inverse croît alors brutalement. L’effet est réversible et non destructif. La jonction
présente après le claquage une résistance dynamique très faible. Les diodes Zener ont un
dopage important et en agissant sur l’épaisseur de la zone de transition, on peut ajuster la
valeur de la tension (dite tension de Zener) au-delà de laquelle se produit le claquage entre 3
V et 200 V.
3. Applications des semi-conducteurs

3.1. Applications à l’électronique : cas des composants électroniques semi-
conducteurs (Diode, diode Zener, diode LED, transistor, thyristor, triac, diac,
le redresseur)
3.1.1. La diode
La diode est le composant à semi-conducteur. C’est un dipôle passif et non-linéaire.
Passif parce que ce composant ne peut jamais fournir d’énergie au circuit et non linéaire
parce que la tension à ses bornes n’est pas proportionnelle au courant.
Figure 17 : Symbole d'une diode
Fonctionnement :
Diode en continu
En simplifiant, on peut dire qu’une diode laisse passer le courant lorsqu’elle est
branchée en polarisation directe (tension positive sur l’anode) et qu’elle bloque le passage du
courant lorsque la polarisation est inverse (tension positive sur la cathode). Dans le premier
cas (figure 18.a), on dit que la diode est passante ou conductrice et dans le second cas (figure
18.b), on dit que la diode est bloquée.

En reliant en série une diode à une ampoule, Si l’on essaie de relier l’anode de la diode
celle-ci ne s’allumera que si la cathode est sur le pôle négatif de la pile, l’ampoule
reliée au pôle positif de la pile : c’est la restera éteinte : c’est la polarisation en
polarisation en directe de la diode. inverse de la diode.
a.) b.)
Figure 18 : Schéma de fonctionnement d'une diode
Si l’on regarde d’un peu plus près, on constate qu’il faut en fait un minimum de
tension directe pour rendre la diode conductrice : c’est le seuil de la jonction. Pour une diode
au silicium, ce seuil est de l’ordre de 0,6 V. Tant que la diode reste passante, la tension à ses
bornes garde une valeur voisine de 0,6 à 0,7 V.
En polarisation inverse, on constate que si l’on dépasse une certaine valeur de tension,
il apparaît également un courant : c’est le claquage de la jonction. Ce phénomène est dû soit à
l’effet d’avalanche, soit à l’effet Zener. Le claquage n’est pas destructif à condition que le
courant soit limité à une valeur raisonnable par une résistance.
Diode en alternatif
Les diodes sont utilisées en électronique pour redresser une tension alternative, c’est-
à-dire pour prélever de celle-ci les demi-alternances positives ou négatives seulement.
Si on applique une tension « alternative » sur Si on applique une tension « alternative » sur la
l’anode d’une diode, on ne retrouvera que les cathode d’une diode, on ne retrouvera que les
demi-ondes positives sur sa cathode (K). demi-ondes négatives sur l’anode (A).
a.) b.)
Figure 19 : Schéma de fonctionnement d'une diode en courant alternatif

3.1.2. La diode Zéner : stabilisatrice de tension

Bien que les diodes Zéner aient la même forme que les diodes au silicium et une
bague colorée permettant d’identifier leur cathode, elles ne sont pas utilisées pour redresser
une tension alternative, mais uniquement pour stabiliser des tensions continues.
Pour pouvoir les distinguer des autres, ces diodes sont représentées dans les schémas
électriques par le symbole ci-après.
Figure 20 : Symbole d'une diode Zéner
Pour stabiliser une tension à l’aide d’une diode Zéner, il faut toujours relier sa cathode
à une résistance de chute car, une diode Zéner directement reliée à la tension qu’elle doit
stabiliser, sans aucune résistance, rendra l'âme en quelques secondes.
Figure 21 : Schéma d'une diode Zéner dans un circuit
La valeur de la résistance doit être choisie en fonction de la valeur de la tension que

l’on veut stabiliser et de celle de la diode Zéner utilisée. La formule permettant de connaître
la valeur en ohms de cette résistance est :
Ω est la valeur de la résistance à utiliser

Vcc est la valeur de la tension appliquée sur la résistance
Vz est la valeur de la tension de la diode Zéner utilisée
0,025 est le courant moyen de travail en ampère
3.1.3. La diode LED

Les diodes LED (light-emitting diode) peuvent être comparées à des ampoules
miniatures. Elles sont représentées sur les schémas électriques avec le symbole ci-après.

Figure 22 : Symbole d'une diode LED
Une diode LED ne doit jamais être reliée directement à la source d’alimentation car
elle serait détruite en quelques secondes. Pour que la diode LED s’allume, on doit relier sa
cathode au pôle négatif de la pile, en série avec une résistance destinée à limiter le courant à
une valeur comprise entre 0,015 et 0,017 ampère, soit entre 15 et 17 milliampères. Notons
aussi que la tension au niveau de la diode LED varie aussi en fonction de la couleur.
Pour calculer la valeur de cette résistance, utilisez la formule suivante :
Ohm = (Vcc – Vled) : 0,016
Ohm- est la valeur de la résistance

Vcc- est la valeur de tension de l’alimentation
Vled- est la chute de tension à l’intérieur de la diode LED
0,016- est le courant moyen exprimé en ampère
Illustration
Si vous alimentez la diode avec une Si vous alimentez la diode avec Si vous reliez la cathode sur
pile de 4,5 volts, vous devrez la une pile de 9 volts, vous devez la le pôle positif de la pile, la
relier en série avec une résistance relier en série avec une résistance diode ne s’allumera pas car
de :(4,5 – 1,5) : 0,016 = 187,5 ohms de : elle doit toujours être reliée
Cette valeur de résistance ne se (9 – 1,5) : 0,016 = 468,75 ohms au pôle négatif.
trouvant pas dans le commerce, La valeur standard la plus proche
vous devez utiliser une valeur est de 470 ohms.
standard de 180 ohms.
a.) b.) c.)
Figure 23 : Schéma de fonctionnement d'une diode LED

3.1.4. Le transistor
On appelle “transistor” un semi-conducteur utilisé en électronique pour amplifier
n’importe quel type de signal électrique, c’est-à-dire de la basse à la haute fréquence.
Un transistor est formé d’un barreau de semi-conducteur dans lequel on a créé deux
jonctions. On obtient ainsi trois zones dopées de façons différentes. Deux variantes
apparaissent suivant la nature des dopages (P ou N) : le transistor NPN (figure 5.1) et le
transistor PNP (figure 5.2).
Figure 24 : Constitution de principe d’un transistor NPN
Figure 25 : Constitution de principe d’un transistor PNP
On représente les transistors par leurs symboles normalisés (figure 5.3).
Figure 26 : Symboles normalisés des transistors

Fonctionnement
Le signal à amplifier arrive presque toujours sur la patte “Base” des transistors. Afin
de mieux vous faire comprendre comment cette patte parvient à contrôler le mouvement des
électrons, c’est-à-dire à augmenter ou à réduire le débit, nous allons comparer un transistor à
un robinet d’eau (voir figure 27).
Comme on le sait déjà, pour faire sortir plus ou moins d’eau d’un robinet, il suffit de
déplacer vers le haut ou vers le bas le levier qui se trouve sur son corps.
Figure 27 : Illustration du fonctionnement d'un transistor suivant le fonctionnement d’un robinet
Le levier qui commande l’ouverture et la fermeture du flux de l’eau peut être comparé
à la patte “Base” du transistor. Si l’on positionne le levier du robinet à mi-course, le flux
d’eau qui s’en échappera sera d’une intensité moyenne. Si l’on positionne le levier vers le
bas, le flux de l’eau cessera, alors que si on le positionne vers le haut, le flux de l’eau
augmentera.
Si vous pensez à un transistor comme celui de la figure 28, c’est-à-dire composé d’un
“tuyau” d’entrée appelé “Collecteur”, d’un “tuyau” de sortie appelé “Emetteur” et d’un
robinet central appelé “Base”, vous pourrez tout de suite imaginer le fonctionnement de tous
les transistors.
Dans un transistor, pour augmenter ou réduire le flux des électrons, il faut déplacer le levier
de la Base vers le haut ou vers le bas, en utilisant une tension.
Figure 28 : Schéma du fonctionnement d'un transistor

Si le levier du robinet est maintenu à mi-course, les électrons pourront passer à

l’intérieur avec une intensité moyenne.
Si le levier est déplacé vers le bas de façon à fermer le robinet, les électrons ne
pourront plus passer.
Si le levier est déplacé vers le haut de façon à ouvrir le robinet, les électrons pourront
passer avec une intensité maximale.
3.1.5. Le thyristor
Le thyristor est un composant qui permet de commander des puissances relativement
importantes avec peu de pertes car il ne fonctionne qu’en commutation. C’est plus
spécifiquement un composant de l’électronique de puissance, mais on le trouve aussi en
électronique de faible puissance pour quelques applications spécifiques.
Le thyristor ou diode SCR (Silicon Controlled Rectifier ou redresseur au silicium
commandé) c’est-à-dire un cercle à l’intérieur duquel se trouve une diode de redressement
munie d’une troisième patte appelée “gâchette”. Il est représenté dans les schémas électriques
à l’aide du symbole graphique visible sur la figure ci-après.
Figure 29 : Symbole du thyristor
Les lettres qui figurent sur les trois broches sortant du cercle indiquent :
A = anode (à relier à la charge)
K = cathode (à relier à la masse)
G = Gâchette (excitation
Fonctionnement
Le thyristor se comporte comme une diode dont on commande la mise en conduction.
Le symbole du thyristor ressemble d’ailleurs beaucoup à celui d’une diode. On y retrouve
l’anode et la cathode, mais une troisième borne apparaît, la gâchette. C’est elle qui permet la
commande du composant. Pour que le thyristor devienne passant, il faut non seulement le
polariser en direct comme une diode, mais aussi lui appliquer un courant adéquat entrant dans

la gâchette. Une fois le thyristor amorcé (c’est-à-dire devenu passant), il est inutile de
maintenir la présence du courant de gâchette. C’est la raison pour laquelle, la plupart du
temps, la commande se fait par une impulsion de courant. Cette dernière doit néanmoins
respecter certaines conditions : minimum de hauteur, minimum de durée. Le blocage se fait
comme celui d’une diode, il n’est pas commandé par la gâchette.
Signalons que si on alimente un thyristor avec une tension de 12 volts, on devra relier
une ampoule ou n’importe quelle autre charge fonctionnant avec une tension de 12 volts sur
son anode.
Si on l’alimente avec une tension de 220 volts, on devra évidemment relier une
ampoule ou n’importe quelle autre charge fonctionnant avec une tension de 220 volts sur son
anode.
Comportement en continu
▪ Si on alimente l’anode et la gâchette d’un thyristor avec une tension de polarité
positive, on obtiendra ceci (voir figure 30).
Lorsque l’on appuie sur le Si on relâche le bouton P1, on Pour éteindre l’ampoule, on devra
bouton P1, une impulsion remarque que l’ampoule ne retirer la tension d’alimentation de
positive arrive sur la gâchette, s’éteint pas son anode en actionnant
ce qui provoque la conduction l’interrupteur S1
du thyristor qui fait alors Si on ferme à nouveau
allumer l’ampoule reliée sur l’interrupteur S1, l’ampoule reste
son anode éteinte car le thyristor, pour
redevenir conducteur doit recevoir
la tension positive nécessaire à
l’excitation sur sa gâchette
Figure 30 : Schéma du fonctionnement du thyristor si on alimente l’anode et la gâchette avec une

tension de polarité positive
▪ Si on alimente l’anode et la gâchette d’un thyristor avec une tension de polarité

négative, on obtiendra ceci (voir figure 31).

Si on applique une tension de polarité négative sur Si on applique une tension de polarité positive sur
la gâchette et que l’on appuie ensuite sur le bouton la gâchette et que l’on applique une tension de
P1, le thyristor ne sera pas excité, même si l’anode polarité négative sur son anode, lorsque l’on appuie
est alimentée avec une tension positive. sur le bouton P1, le thyristor ne sera pas excité.
Figure 31 : Schéma du fonctionnement du thyristor si on alimente l’anode positif et la gâchette avec

une tension de polarité négative (schéma A) et Schéma du fonctionnement si on alimente l’anode avec
une tension de polarité négative et la gâchette avec une tension de polarité positive (schéma B)
Ceci étant posé, vous comprenez maintenant que pour exciter un thyristor, il est
indispensable que ce soit une tension positive qui soit appliquée sur son anode et que ce soit
une impulsion positive qui soit appliquée sur sa gâchette.
Comportement en alternatif
Si on alimente l’anode d’un thyristor avec une tension alternative et sa gâchette avec
une tension continue positive, on obtiendra ceci (voir figure 32)
En appuyant sur le bouton En relâchant le bouton Cela s’explique du fait que Pour pouvoir toujours
P1, le thyristor deviendra P1, contrairement à ce la sinusoïde de la tension maintenir allumée
instantanément qui se passe avec alternative, comme vous le l’ampoule reliée à un
conducteur et fera l’alimentation continue, savez déjà, est composée thyristor alimentée avec
s’allumer l’ampoule l’ampoule s’éteint de demi-ondes positives et une tension alternative,
de demi-ondes négatives. on devra toujours
Donc, lorsque la polarité garder le bouton P1
de cette tension s’inverse, enfoncé
on obtient le même résultat
que sur le schéma, c’est-à-
dire lorsque le pôle négatif
de la pile est alors dirigé
vers l’anode.
Figure 32 : Si on alimente l’anode d’un thyristor avec une tension alternative et sa gâchette avec une
tension continue positive

Comme les thyristors ne deviennent conducteurs que lorsque la demi-onde positive se

trouve sur leur anode, l’ampoule ne recevra que la moitié de la tension.
Donc, si l’on relie une ampoule de 12 volts à l’anode du thyristor, et que l’on alimente
le circuit avec une tension alternative de 12 volts, l’ampoule ne recevra qu’une tension de 6
volts.
Pour allumer une ampoule avec une tension alternative de 12 volts, on devra appliquer
une tension alternative de 24 volts sur l’anode du thyristor.
Si on relie une ampoule de 220 volts sur l’anode du thyristor, et qu’on alimente le circuit avec
une tension alternative de 220 volts, l’ampoule s’allumera comme si une tension de 110 volts
était appliquée à ses bornes et elle émettra donc moins de lumière.
3.1.6. Le triac
Le triac (TRIode Alternate Current - triode bidirectionnelle commandée) est
représenté, sur les schémas électriques, avec le symbole graphique de la figure 533, c’est-à-
dire avec un cercle dans lequel se trouvent deux diodes de redressement placées en opposition
de polarité et munies d’une troisième patte appelée gâchette.
Figure 33 : Symbole du triac
Les lettres qui se trouvent sur les trois broches sortant de ce cercle signifient :
A1 = anode de la diode 1
A2 = anode de la diode 2
G = gâchette d’excitation pour les deux diodes
Fonctionnement
Un triac se comporte de manière approximative comme une association de deux
thyristors montés en parallèle en sens contraire (tête-bêche), mais avec gâchette commune.
Il faut toujours appliquer une tension sur la gâchette pour pouvoir l’exciter, peu
importe si elle est de polarité positive ou négative. Donc, la gâchette d’un triac, contrairement
à celle d’un thyristor, peut être excitée soit par une tension positive, soit par une tension
négative.

Si on alimente un triac à l’aide d’une tension de 12 volts, on devra relier en série, sur
son anode 2, une ampoule ou n’importe quelle autre charge fonctionnant avec une tension de
12 volts.
Si on alimente un triac à l’aide d’une tension de 220 volts, on devra relier en série, sur
son anode 2, une ampoule ou n’importe quelle autre charge fonctionnant avec une tension de
220 volts.
3.1.7. Le diac
Le DIAC est un composant à semi-conducteurs, utilisé pour DÉCLENCHER les
thyristors et les triacs.
C'est un élément symétrique, donc un composant bidirectionnel, devenant
conducteur lorsque la tension dépasse un certain seuil (tension de retournement).
Le symbole, ou plutôt les symboles du DIAC sont représentés figure 34, ci-après.
Figure 34 : Symboles du DIAC
3.1.8. Le redresseur : conversion du courant alternatif en continu

La tension alternative prélevée sur le secondaire d’un transformateur ne pourra jamais
être utilisée pour alimenter les transistors ou les circuits intégrés d’un appareil électronique,
car ces composants demandent une tension continue semblable à celle fournie par une pile.
Pour rendre continue une tension alternative, il est nécessaire d’utiliser des diodes de
redressement. Il existe deux types de redressement : le redressement simple ou mono
alternance et le redressement double alternance.
Redressement simple alternance
Figure 35 : Illustration du redressement mon alternance

Si on applique une tension alternative sur l’anode d’une diode, on prélèvera sur la
cathode, les demi-alternances positives mais pas les demi-alternances négatives. En effet,
seule une tension positive peut traverser une diode de l’anode vers la cathode. C’est pour
cette raison que pendant le délai occupé par les demi-alternances négatives, aucune tension ne
sera présente sur la cathode.
Redressement double alternance

Cas d’un transformateur simple
Si on relie 4 diodes au secondaire de T1, lorsque la demi-alternance positive est sur le
point ”A” et la demi-alternance négative est sur le point ”B”, la diode DS2 laissera passer les
demi-alternances positives sur sa cathode et la diode DS3 laissera passer les demi-alternances
négatives sur son anode (voir figure).
Figure 36 : Illustration du redressement double alternance
3.2. Applications aux énergies renouvelables : cas de l’énergie solaire (cellule

photovoltaïque en Silicium)
3.2.1. Contexte
L’énergie solaire est une source d’énergie accessible à tout le monde (industriels,
particuliers et collectivités). Grace à elle, il est possible de produire trois types d’énergies :
l’énergie calorifique avec les installations solaires thermiques (chauffe-eau solaire et
climatiseur solaire), le solaire à concentration thermodynamique et l’énergie électrique avec
les installations solaires photovoltaiques qui utilisent des panneaux solaires photovoltaïques
dont l’élément de base est la cellule photovoltaïque.
3.2.2. Définition de la cellule photovoltaïque

Les cellules photovoltaïques sont des composantes électroniques qui transforment les
rayons lumineux du soleil en électricité.

3.2.3. Description et composition de la cellule photovoltaïque

Il s’agit d’un dispositif semi-conducteur à base de silicium délivrant une tension de
l’ordre de 0,5 à 0,6 V et dont le courant varie de 3,5 à 8 A.
Figure 37 : Composition d'une cellule photovoltaïque
Les cellules PV sont fabriquées à partir de matériaux semi-conducteurs qui sont

capables de conduire l’électricité ou de la transporter. Plus de 90 % des cellules solaires
fabriquées à l’heure actuelle sont au silicium cristallin, un semi-conducteur. Une des faces de
la cellule est dopée n (par exemple du phosphore). L’autre est dopée p (par exemple du bore).
Des électrodes métalliques sont placées sur les 2 faces pour permettre de récolter les électrons
et de réaliser un circuit électrique. La face supérieure de la cellule est traitée de manière à
optimiser la quantité de lumière entrant dans la cellule au moyen de traitement de surface, par
l’application d’une couche anti réflexion. Les faces supérieure et inférieure sont équipées
d'électrodes pour récolter les électrons.
Figure 38 : Coupe schématique d'une cellule photovoltaïque au silicium

3.2.4. Types de cellules photovoltaïques en Silicium

3.2.4.1. Cellule en silicium monocristallin
Lors du refroidissement, le silicium fondu se solidifie en ne formant qu’un seul cristal
de grande dimension. On découpe ensuite le cristal en fines tranches qui donneront les
cellules. Ces cellules sont en général d’un bleu uniforme. Très bon rendement (environ 150
Wc/m²) Durée de vie importante (+/- 30 ans). Coût élevé, rendement faible sous un faible
éclairement.
Figure 39 : Photo d’une cellule en silicium monocristallin
3.2.4.2. Cellule en silicium polycristallin

Pendant le refroidissement du silicium, il se forme plusieurs cristaux. Ce genre de
cellule est également bleu, mais pas uniforme, on distingue des motifs créés par les différents
cristaux. Bon rendement (environ 100 Wc/m²) Durée de vie importante (+/- 30 ans) Meilleur
marché que le monocristallin. Rendement faible sous un faible éclairement.
Figure 40 : Photo d'une cellule en silicium polycristallin
3.2.4.3. Cellule en silicium amorphe en couche mince

Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projeté sur une feuille de
verre. La cellule est gris très foncé ou marron. C’est la cellule des calculatrices et des montres
dites "solaires". Fonctionnent avec un éclairement faible, bon marché par rapport aux autres

types de cellules et moins sensible aux températures élevées. Rendement faible en plein soleil
(environ 60 Wc/m²), les cellules en couche mince nécessitent une surface plus importante
pour atteindre les mêmes rendements que les cellules épaisses. Durée de vie courte (+/- 10
ans), performances qui diminuent sensiblement avec le temps.
Figure 41 : Photo d'une cellule en silicium amorphe en couche mince

CONCLUSION
Dans ce document, nous nous sommes intéressés à la structure et aux caractéristiques
des semi-conducteurs tout en précisant leurs propriétés qui est définis par la conduction
électron trou. De plus, nous avons non seulement décrire les types de semi-conducteurs ainsi
que le principe qui les caractérise, mais également développer la jonction PN des semi-
conducteurs à travers les notions de jonction PN non polarisé, polarisée en inverse et en
directe, la caractéristique courant-tension et le claquage inverse Zener.
Il est à ajouter que les semi-conducteurs, de par leurs applications jouent un rôle très
important, non seulement dans l’électronique à savoir : l’utilisation des composants semi-
conducteur (les ponts de diode) pour la conversion du courant alternatif en courant continu ;
mais aussi dans les énergies renouvelables à travers l’usage des cellules photovoltaïques à
base du Silicium pour l’énergie solaire.

Bibliographie
[1] Physique des semi-conducteurs fondamentaux PDF.
[2] PHYS-F-314-ch2 Electronique PDF.
[3] Cours 349829 Extrait-composant-Floyd PDF.
[4] Semi-conducteur jonction P-N PDF
[5] Electronique à partir de zéro, Tom 1&2, PDF
[6] Semi-conducteur bon cours 349829Extrait_Composants_Floyd, PDF
[7] Semicon, PDF


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Année Académique 2022-2023 UAC/FAST

Listes des figures ...................................................................................................................... 3

Master Energie Renouvelable et Système énergétique

3.1.7. Le diac ............................................................................................................... 33

Master Energie Renouvelable et Système énergétique

Listes des figures

Master Energie Renouvelable et Système énergétique

Figure 30 : Schéma du fonctionnement du thyristor si on alimente l’anode et la gâchette avec une

Liste des tableaux

Master Energie Renouvelable et Système énergétique

Master Energie Renouvelable et Système énergétique

1.2. Notion d’Isolant, Conducteur, Semi-Conducteur et bandes d’énergie

Master Energie Renouvelable et Système énergétique

Figure 1 : Diagrammes énergétiques pour les trois types de matériaux.

Master Energie Renouvelable et Système énergétique

2.1.2. Types de matériau semi-conducteur

2.1.3. Structures des semi-conducteurs

Figure 2 : Représentation sur un plan de la structure atomique des semi-conducteurs

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➢ Structure électronique des semi-conducteurs

Figure 3 : Structure électronique des semi-conducteurs

2.2. Propriétés des semi-conducteurs

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Figure 4 : Illustration du déplacement des électrons

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Figure 5 : Illustration du champ électrique

2.3. Types de semi-conducteurs

Tableau 1 : la classification périodique de quelques atomes

Les semi-conducteurs (germanium et surtout silicium) possèdent 4 électrons sur leur

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La figure 6 montre que pour un semi-conducteur intrinsèque (sans impuretés), à

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Tableau 2 : température de bande interdite de trois semi-conducteurs

A une température différente du zéro absolu, un certain nombre d’électrons de valence

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▪ Où Nc et Nv sont respectivement la densité effective d’états des électrons dans la

Figure 7 : Distance entre la bande de conducteur et la bande de valence

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2.3.2. Semi-conducteur Dopés (extrinsèques)

La figure 12 met en évidence qu'un semi-conducteur dopé a une densité d'électrons n

Figure 8 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur silicium

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a) Cas du semi-conducteur intrinsèque

Figure 9 : Semi-conducteur dopé N

a) Diagramme des bandes d'énergie

b) Densités d'état énergétique

d) Densités énergétiques de porteurs (les densités de porteurs n et p correspondent aux

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Figure 10 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur silicium

a) Cas du semi-conducteur intrinsèque

Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type P ou potentiel chimique est alors :

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Figure 11 : Semi-conducteur type P

a) Diagramme des bandes d'énergie

b) Densités d'états énergétique.

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Figure 12 : Illustration de la jonction PN non polarisée

2.4.2. Jonction PN polarisée en inverse

Figure 13 : Schéma de la Jonction PN polarisée en inverse

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de minoritaires est possible à travers la jonction. C’est le courant inverse ou courant de

2.4.3. Jonction PN polarisée en directe

Figure 14 : Schéma de la Jonction PN polarisée en directe

2.4.4. Caractéristique Courant-Tension