Propriétés Electriques des Matériaux

Des Solides
• Définition d’un matériaux

* Classification des Matériaux

* Résistivité et conductivité électrique

* Théorie des bandes

* Semi-conducteurs

* Effet de la température et impuretés

 I-INTRODUCTION
Un matériau est une substance ou une matière
d'origine naturelle ou artificielle utilisée pour la
fabrication d'objets, de machines, ou pour la
construction de bâtiments, de véhicules...

Il existe quatre groupes principaux de Matériaux

- les métaux

- les céramiques

- les polymères

- les matériaux composites

Propriétés physiques d’un matériaux
concernent le comportement des matériaux
soumis a l’action de la température, des champs
électriques ou magnétiques ou de la lumière

• Mécaniques
• Electriques
• Thermiques
• Magnétiques
• Optiques
On classe les Matériaux Solides en trois types :

- Conducteurs
- Isolants
- Semi conducteur
Critère de sélection

La résistivité électrique r
La loi d’Ohm: V = R.I
( R est exprimée en ohm :Ω )

La résistance R dépend de la géométrie du

matériau; pour un cylindre de section s et de
longueur l
Où r est la résistivité du matériau. Il ne
dépend pas de la géométrie (Ω.m ou Ω.cm)
Plus la résistivité électrique d’un matériau est

élevée, plus la perte d’énergie sous forme de

chaleur sera importante (inverse aussi vrai)

 La conductivité d’un matériaux est donnée par :

s = 1/r ( Ω -1
m-1)

La valeur de la conductivité des matériaux

s’étend sur plus de 30 ordres de grandeur

Conducteurs Semi-conducteurs Isolants

s(Ω-1m-1) Cu, Fe Ge, Si Verres, SiO2

108 104 1 10-4 10-8 10-12

 La conductivité est liée au mouvement
des particules chargées ( e, p, ions,…)

Si s ≥ 108 Ω-1m-1
Possède des porteur de charges
relativement mobiles (électrons)

CONDUCTEUR
Exemples :
Les Métaux et les Alliages
Corps qui laisse passer
facilement courant électrique
 Si 10-1 ≤ s ≤ 106 Ω-1m-1
Possède des porteur de charges
± mobiles selon les conditions

SEMI-CONDUCTEUR

Corps qui laisse passer le courant électrique

dans certain condition seulement

Exemples :Si, Ge, AsGa, CdS

 Si s ≤ 10-5 Ω-1m-1
Exemples: Verres, diamant,
tissu

ISOLANTS

Corps qui ne conduit pas

ou peu le courant électrique
Electrons périphériques
à mobilité quasi nulle
La densité de courant j (A/m 2) est définie
par :

J = nen
n : Concentration en porteur de charge,
nombre d’électrons / unité de volume

n : vitesse moyenne
La mobilité m(m2v-1s-1) est la vitesse des
électrons par unité de champ électrique

m =n/E

J = sE =nen
La conductibilité électrique s peut être
alors exprimée par la relation suivante:

s = nem
La conductivité est fonction de la mobilité et
de la concentration en porteurs de charge

Les variations de n et de m dépendent

de la nature du solide
En réalité la conductivité est liée aux impuretés

Intégration entre
deux chocs successifs
F _
+
E

t = temps de relaxation
Le temps de relaxation de l’atome hôte(h) est

différent de celui de l’impureté(i)

 LOI DE MATHIESSEN

ri = ne dépend pas de la température

rh = dépend de la température
 II-LES METEAUX
La liaison métallique conduit à la formation
d’un réseau régulier en ions positifs (sphères)

e- e- e- e-
e-
e-
e- + e-
e-
+ + +
bain d’électrons
e- e- e-
e- (électrons de valence
+ e-
+
e- + e- +
délocalisés)
e-
e- e-
e- e-
e- + + +
+ e-
 Dans le cas des métaux on a :
- Le nombre de porteur de charge est constant

car il est lié à la valence :Na(1), Zn(2),Al(3),Zr(4)

- La mobilité diminue avec la température à

cause de l’agitation thermique ce qui conduit à

une diminution de s avec la température

r(10 -8
Ωm)
8 à HT r = f(T) est une droite
6

T(°K)

à BT r est une fonction en T 5

 Pour les alliages (solution solide) : M xM’1-x
x faible, on parle de dopage
1% Sn
r(Ωm) 1% Ni
1% In

Cu Pure

T(°K)
- La mobilité des électrons libres est

un facteur important chez les métaux

 III-LES SEMI-CONDUCTEUR
le nombre d’électrons libres est un facteur
plus déterminant chez les semi-conducteurs
La concentration n des porteurs de charge
Contrôle la conductivité et varie fortement
en fonction de la température
La loi de variation de n dépend du diagramme
de bande du semi-conducteur

III-1-Les diagrammes de bande

Cation répartie de façon
périodique aux nœuds d’un réseau
Liaison métallique
Electrons libres
 Diagramme de bande

Détermination du nombre d’électrons

dont l’énergie est comprise entre E et E+DE

a) Théore de bande
Le principe d’exclusion de Pauli

deux électrons occupent une même orbitale

ou niveau d’énergie.

Lorsque N atomes sont réunis dans un solide,

le principe de Pauli

seulement deux électrons occupent

un même niveau d’énergie.
Dans les solides,
plus les électrons sont près du noyau,
plus les niveaux d’énergie des électrons
forment une bande étroite appelé bande interne

Les niveaux d’énergie des électrons de valence

forment des bandes plus larges appelées
bandes de valence.

Lorsque les électrons sont excités,

ils occupent la bande de conduction
L’énergie la bande de valence
et l’énergie la bande de conduction
sont respectivement Ev et Ec.

La bande interdite, Eg,

est la largeur de bande
qui sépare la bande de valence
et la bande de conduction (Ec - Ev).
Bande de conduction B.C

Eg

Bande de valence B.V

L’e- peut occuper un état dans B.V, dans B.C

mais pas dans Eg (Bande Interdite)
 Suivant la valeur de Eg

Semi-conducteur ou Isolant
Si Eg ≤ 3ev on a un Semi-conducteur
Si Eg > 3ev on a un Isolant
Exemples : Si InSb GaAs PbS
1,1eV 0,24eV 1,52eV 0,28eV
 À zéro degré Kelvin

la largeur de la bande interdite

dans les solides à liaisons covalentes
et ioniques est trop importante

Empêchant Les électrons libres de se déplacer

sous l’action d’un champ électrique.
Les matériaux à liaisons ioniques ont leur couche
de valence complète

Augmentation de l’énergie nécessaire

pour qu’un électron puisse passer
de la bande de valence à la bande de conduction.

Les matériaux à liaisons ioniques sont

donc d’excellents isolants électriques
 B.C
R

B.V

T(°K)
Isolant
 Dans les métaux La bande interdite
est inexistante

Les métaux possèdent des couches

de valence non complètes

Les électrons des ces matériaux peuvent acquérir,

sous l’effet d’un champ électrique,
une énergie cinétique suffisante
pour passer à des niveaux d’énergie supérieurs
et ainsi se déplacer

Les métaux sont donc des conducteurs électriques.

 R

B.C

B.V

T(°K)
Métal à 0°K
 Semi-conducteurs
Si on élève la température d’un matériau

les atomes vibrent de plus en plus intensément

autour de leurs positions d ’équilibre

Suivant l’intensité de la liaison covalente

certains électrons acquièrent
suffisamment
d’énergie de vibration pour se libérer
de la liaison et pour circuler librement
dans le cristal
Ces électrons participent alors à la conductibilité
ce qui explique la diminution de la résistivité électrique
des semi-conducteurs intrinsèques au fur et à mesure
que la température augmente.
 R

B.C

B.V

T(°K)
Semi-conducteur ou Isolant
 III-2-Propriétés de transport dans les S.C

À 0°K un S.C est un isolant :

pas d ’e- dans B.C, quand la température augmente les

e- sont excités de B.V vers B.C

B.C e-

Conductivité
intrinsèque
B.V non présence
P = trou
d’impureté
On aura deux cas de conductivité

Conductivité
extrinsèque
 III-2-1-Conductivité intrinsèque

À T> 0°K les e- de B.V sont excités de B.V vers B.C,

Sous l’effet d’un champ électrique E, e- et p
se déplacent en sens inverse

ie e- ve
- +
Par convention :
E
I = ie + ip
ip p
vp
Pour déterminer i e et ip on considère un élément de volume

ds = 1 dv = dl
E ds

dl

Je : densité de courant,
nombre d’électrons qui traversent l’unité de surfaces
par unité de volume
 Pour l’unité de temps

Je : le nombre des électrons

Contenues dans le volume dV

La loi d’ohm

Jc: courant de conduction s: Conductivité du matériau

 Pour connaitre s il faut connaitre m, p et n
a-Mobilité
La mobilité mesure la vitesse moyenne des particules.

Elles est plus élevée pour les électrons que pour les trous
Si Ge GaAs InAs InSb

me 1350 3600 8000 30000 80000

mp 480 1800 300 450 450
Valeurs typiques à température ambiante pour semi-conducteur non
dopé.

On a généralement se> sp pour un S.C intrinsèque

La mobilité est fonction de la température.
m diminue quand la température augmente à cause
des chocs

A haute température

A basse température
 b-Concentration en porteurs de charges

Dans les S.C, n augmente avec T

B.C e-
T=0°K tout semi-conducteur
Eg est isolant

B.V
P

La variation de s est due à la variation de n.

Lorsque Eg est faible s augmente
La conductibilité d’un semi-conducteur intrinsèque
est donnée par l’équation suivante:

où n et p sont respectivement le nombre

d’électrons libres et de trous et  leur mobilité
respective.
Dans un semi-conducteur intrinsèque, le nombre
d’électrons libres et le nombre de trous sont
égaux.
ni = n= p
Le nombre de porteurs générés est fonction de la
température:

  Eg 
ni  n0 exp 
 2kT 
où n0 est une constante qui est fonction du
matériau.
 - éléments de la colonne IVA (tabl. périodique)
qui ne sont pas fortement liés; l ’intensité des
liaisons diminue avec l ’augmentation du numéro
atomique

III IV V Le Si a une structure type

B C N diamant
Al Si P Si
Ga Ge As Si Si
Si
In Sn Sb Si
Si
Si
Si
Si Si Si
 - éléments combinés des colonnes IIIA-VA
et IIB-VIA (ex.: GaAs, AlSb, etc..)

En général, à température ambiante, les semi-

conducteurs intrinsèques ont une très faible conductivité.

III-2-2-Conductivité extrinsèque

L’addition d’impuretés influence fortement le comportemen

électrique du matériaux. On aura deux types atomes:

-Donneurs: donne un e-

-Accepteurs : capture un e-
Exemple : L’addition d’un atome B pour 10 5 atomes de Si

augmente s de 1000 fois

 Le Si a une structure type diamant

Si
Si Si
Si
Si
As- Si
Si
Si
Si Si Si
4 liaisons covalentes
Si : 4e- de valence

As : 5e- de valence
1e- non engagés

Impureté donneuse
 Si
Si Si
Si
Si
Al+ Si
Si
Si
Si Si Si

Al : 3e- de valence pour compléter sa quatrième liaison,

il emprunte un e- au réseau

Impureté Acceptrice
I/ Les résultats des mesures des résistivités à différentes températures, de certains métaux,
sont donnés dans le tableau ci-dessous :

Elément Résistivité (µΩ.cm)

77K 273K 373K
Li 1.04 8.55 12.4
Cu 0.2 1.56 2.24
Zn 1.1 5.5 14.7
Pb 4.7 19 27

1-Parmi les métaux ci-dessus, quel est le meilleur conducteur ?

Le meilleur conducteur est le cuivre, car il a la plus faible résistivité pour une température
donnée.
2-Pourquoi donne-t-on les résistivités et non pas les résistances ?
La résistance dépend de la forme du métal, contrairement à la résistivité qui ne dépend
que de la nature du métal.
 3-Comment varie les résistivités d’un métal en fonction de la température ?

3. La résistivité d’un métal augmente en fonction de la température.

4-Qu’est-ce qui explique, à l’échelle microscopique, l’évolution de la résistivité d’u métal

en fonction de la température ?

Quand la température baisse, les vibrations thermiques des cations du réseau métallique
diminuent, les électrons de conduction sont moins fréquemment diffusés et la résistivité
diminue

5-A 300 K, dans le cuivre, la densité d’électrons de conduction est n= 8.47.10 22 cm3.
Calculer le nombre d’électrons libres N dans un fil de longueur 10 m et de diamètre 1mm.
 5-A 300 K, dans le cuivre, la densité d’électrons de conduction est n= 8.47.10 22 /cm3.
Calculer le nombre d’électrons libres N dans un fil de longueur 10 m et de diamètre 1mm.

Calcul du volume du fil (cylindre) :

R
D = 1 mm = 0,1 cm =0,05 cm

h = 10 m = 1000 cm h
V(h =

Calcul du nombre d’éléctrons

N= 8,47. 6,7
 6-Le rayon d’un atome de cuivre est 1.35 Å. Dans le fil,
comparer le nombre d’électrons libres au nombre d’atomes de cuivre. Conclure.

Calcul du volume d’un atome

𝟒 𝟒 𝟑
𝐯 ( 𝐚𝐭𝐨𝐦𝐞 )= 𝛑 𝐫 𝟑= 𝛑 ( 𝟏 , 𝟑𝟓 . 𝟏𝟎𝟏𝟎 ) =𝟏 , 𝟎𝟑 . 𝟏𝟎−𝟐𝟗 𝐦𝟑
𝟑 𝟑

Calcul du nombre d’atomes dans le cylindre (fil)

− 𝟐𝟗
𝟏 𝐚𝐭𝐨𝐦𝐞 𝐨𝐜𝐜𝐮𝐩𝐞 𝐮𝐧 𝐯𝐨𝐥𝐮𝐦𝐞 ( 𝐚𝐭𝐨𝐦𝐞 )𝟏 , 𝟎𝟑 . 𝟏𝟎 𝐦𝟑
x
−𝟔
𝟕 , 𝟖𝟓 .𝟏𝟎 𝟐𝟑
𝐱= −𝟐𝟗
=𝟕 ,𝟔𝟐 . 𝟏𝟎 𝐚𝐭𝐨𝐦𝐞𝐬 N= 6,7
𝟏 ,𝟎𝟑 .𝟏𝟎

Soit environ 1 électron libre par atome de cuivre : lors de la formation du

solide métallique,
chaque atome de cuivre est en moyenne devenu un ion Cu+ en
libérant un électron de conduction
 Le Carbure de silicium SiC, de structure type diamant, est une céramique semi-conductrice

Dans le tableau ci-dessous on donne la valeur de quelques propriétés physiques de ce matériaux

Conductivité électrique 8 S/m
intrinsèque à 20°C

Mobilité des électrons me 0,04m2/V.s

Mobilité des trous mp 0,02m2/V.s

Largeur de la bande interdite 2,9 eV

Données : Charge de l’électron e = 1,602x10 -19 C constante de boltzman k = 1,381x10-23J/K

a) Quel est le nombre n de porteurs de charge électrique par unité de volume à 20°C?

La conductivité s est égale : s = (neme + pemp)

Puisque le SiC est un semi conducteur intrinsèque, il y a autant d’électrons que de trous n= p
Le nombre de porteurs de charge :
= 8,32x1020 Porteurs de charge /m3
b) A quelle température (en °C) faut-il chauffer le carbure de silicium pour que sa conductivité
soit égale à104S/m?
 A une température T, la conductivité est égale s = s0
Pour deux températures T1 et T2 on peut écrire le rapport de s1 et s2
=

= = ln

Sachant que T1 = 20°C = 293 K, on déduit T2 = 334,6 K = 61,8 °C

 C) Si on ajoute de l’azote comme dopant au SiC, Quel type de semi-conducteur
extrinsèque obtient –on?
L’azote est pentavalent. Lorsque l’azote est en solution solide dans le SiC,
quatre de ses électrons de valence établissent des liaisons avec les atomes de Si
ou de C et le 5ème électron est libre de se déplacer. Il devient un électron
de conduction possédant une charge négative. Le semi-conducteur est donc de type n

d) Quelle quantité de l’azote (atomes /m3) faut-il ajouter au SiC

pour que sa conductivité soit égale à 104 S/m à 20°c

Apres le dopage la conductivité sera essentiellement assuré par

les électrons de l ’élément dopant. La conductivité extrinsèque se= neeme

ne = 1,56x1024 électrons/m3
nN = 1,56x1024 atomes/m3
e) Calculer la concentration de l’azote en ppm. Sachant que le paramètre de la maille SiC
a = 4,358 Å
 Pour calculer cette concentration , il faut connaitre le nombre d’atomes N SiC de Si et de C
contenus par unité de volume(1m3) de SiC. La maille élémentaire cubique du SiC contient
8 atomes propre (4atomes de Si et 4 atomes de C. Le volume de la maille est a 3. On obtient ains
N =
sic = 8/(4,358x10 ) m = 9,666x10 m
-10 3 -3 28 -3

La concentration atomique en azote est égale au rapport du nombre d’atomes d’azote par m3
(calculer à la question précédente) au nombre d’atome de Si et de C

Concentration en azote = 1,56x1024/9,66x1028 = 0,16x10-4 = 16x10-6 = 16ppm

Remarque : Il suffit de 16 ppm d’azote pour multiplier par 1250 fois

la conductivité SiC à 20°C