LST-IIEA

Module

Conception, Etude et Fabrication des

Circuits Intégrés des Familles
Logiques
(CEF.CI.FL)

Chp1 : Notions fondamentales sur

la physique des semiconducteurs.
Ch1 : Notions fondamentales sur la physique des semiconducteurs.

I/ Définitions :
- Différence entre Métal, Conducteur et Semiconducteur
- Notion des bandes d'énergie
- Semiconducteur à gap direct et à gap indirect
- Sc intrinsèque et extrinsèque
- Notion de masse effective
- Notion de trou
- E(k) pour Sc à gap direct et à gap indirect

II/ Densités d'états dans les bandes permises :

- bande de conduction : Sc à gap direct et à gap indirect
- bande de valence : Sc à gap direct et à gap indirect
- Notion de Niveau de Fermi

III/ Semiconducteur à l'équilibre thermodynamique : calcul de n, p, Nc et Nv

- Sc intrinsèque : calcul de ni et Efi (densité et niveau de Fermi).
- Sc extrinsèque : calcul de la densité de porteurs et EF pour Sn et Sp
ainsi que eFi (n et p).
III/ Semiconducteur à l'équilibre thermodynamique : calcul de n, p,
Nc et Nv
- Sc intrinsèque : calcul de ni et Efi
- Sc extrinsèque : calcul de la densité de porteurs et EF pour Sn et Sp
ainsi que eFFi(n et p)

IV/ Sc hors équilibre :

- courant de conduction
- courant de diffusion
- relation d'Einstein

V/ Génération- Recombinaison- Durée de vie des porteurs

- recombinaison directe
- recombinaison assistée par un centre de recombinaison
- recombinaison Auger

VI/ Equations d'évolutions des porteurs de charge (équations de

continuité)

VII/ Interfaces entre matériaux :

- Travail de sortie et affinité électronique
- barrière de potentiel
- états de surface et d'interface.
structure de la matière
I/ Définitions :

Introduction :

- Sc = f(T°, champ électrique, illumination ou rayonnement lumineux, …).

- Cette réactivité qui est mise à profit dans l'utilisation des composants à Sc.

- Le fonctionnement de ces composants nécessite la commande du flux des porteurs de

charge (é-trou).

- Leurs utilisations nécessite la connaissance des propriétés électriques et les grandeurs

physiques dui conditionnent l'état d'évolution des charges dans le matériau.
L'état solide existe sous deux formes :
- Etat désordonnée ou Amorphe : distance entre 2 atomes proches varie peu le long du
solide et on parle d'un ordre à courte portée.
- Etat ordonnée ou cristallin : atomes rangés régulièrement dans tout l'espace du solide.
On parle d'un ordre à longue portée. On distingue parmi les cristaux

- Crital ionique NaCl= sel : association de 2 éléments, un très électropositif de

la 1ière colonne du Tableau de Mendelief (1 électron périphérique:Li, Na, K, Rb, …), l'autre
très électronégatif de la 7ième colonne de Mendelief (7 électron périphérique : F, Cl, I,
Br, …). Le 1ier cède son électron périph. facilement au 2nd et la liaison qui en découle est
très forte. Pas d'électron libre = Pas de conduction : matériau isolant.

- Cristal covalent= C ou Silicium: élément de la 4ième colonne de Mendelief. Il a

4ē céliba. assurant 4 liaisons simples. Pas d'atome isolé = cristal  molécule géante.
À 0°K, pas d'ē libre = pas de conduction. : matériau isolant.

- Cristal métallique : constitué d'élément très électropositif (avec 1ē périph. :

délocalisé dans le cristal). Liaison très faible entre l'ion et l'électron (quasi-libre). Liaison
entre atomes est faible aussi (comparée à celle ionique) et le Métal fonde à basse T°.
On distingue les métaux alcalins (Li, Na, …) et les métaux nobles (Cu, Ag et Au).
Électron délocalisé ou quasi-libre = conduction possible.
Classification périodique des éléments
1-a/ Différence entre M, Isolant et Semiconducteur
+ Ion chargé
+
Métal : positivement
+

+ +

+
+ +
+
Électron libre

Ion est très grand en taille que l’électron.

Chaque Ion est chargé + car il a cédé son électron célibataire au cristal : autant d’é libre dans le
cristal que d’ions.

Tous les électrons (point rouge) sont libre. (force de liaison entre électron et ion est nulle.

Métal = réseaux ionique + nuage d’électrons libre.

Ces électrons libres assurent la conduction dans le cristal métallique.

Semiconducteur : 1s2
Silicium Si=14ē
2s2 2p6

3s2 3p2
Cette situation ne correspond pas à la réalité. Les atomes du cristal ne
vont pas saturer leurs couches externes (avec 8 électrons). D’où la
transition d’un électron de 3s vers 3p : 4 électrons célibataires  4
liaisons covalentes simples avec les atomes voisins (2ième figure).
Remarques :

- cristal ionique : forces entre atomes élevée, pas de liaison rompu = pas d'ē libre= pas
de conduction.

- Métal alcalin : forces entre atomes faibles, ē quasi libre = conduction possible.

- cristal covalent à basse T° : pas de liaison rompu= pas d'ē libre= pas de conduction.

- cristal covalent à T° moyenne et/ou élevée : plus l'énergie fournie au cristal (et donc
aux ē périph.) est élevée, on casse alors des liaisons dans le cristal covalent. La T°
ambiante dite moyenne est suffisante pour rompre quelques liaisons et donc la
conduction est possible (sans atteindre celle dans le cristal alcalin) à T°amb.
Les systèmes cristallins
 Les indices de Miller
Les nœuds du réseau peuvent être regroupés en plans parallèles et équidistants : on obtient
ainsi une famille de plans réticulaires.

Considérons deux plans voisins dont un passe par l’origine du réseau ; le deuxième plan
coupe les axes a, b et c définissant la maille cristalline en a/h, b/k et c/l.

Les nombres entiers h, k et l premiers entre eux, positifs ou négatifs, représentent les indices
de Miller de la famille de plans réticulaires considérée.

On la note (h,k,l) et l’ensemble des familles de plans se déduisant les unes des autres par des
opérations de symétrie constitue une forme de plan et est notée {h,k,l}.
On définit le plan réticulaire par les indices (h, k, l)
appelés indices de Miller. Sur la figure par exemple,
les valeurs de x, y, z sont respectivement 4, 1, 2,
donc celles de 1/x, 1/y, 1/z sont 1/4, 1, 1/2 et par
suite celles de h, k, l sont
1, 4, 2.
Le plan représenté sur la figure est le plan (1, 4, 2).
La majorité des semiconducteurs utilisés en électronique cristallisent dans le
système cubique (Si, C, GaAs, ge, InP, InSb, CdTe, ….) d'autres aussi important
cristallisent dans le système hexagonal GaN, ZnO, CdS, AlN,...). La maille élementaire
pour le système cubique est caractérisée par a=b=c et a=b=g=90°
 Remarques:

Si = 2 CFC décalés l'un de l'autre du ¼ de la diagonale

principale. 4 atomes du 2nd se trouvent dans le 1er et chacun
d'eux possède une coordination tétraédrique.
Différence entre M, Isolant et Semiconducteur
2-b/autre point de vue

Considérons des atomes de C (ou de la même colonne) arrangé aux nœuds d'un réseau
périodique et avec un paramètre de maille très élevé. l'état de valence est 2s22p2 (ou
ns2np2) ; les états d'énergies correspondant sont Es et Ep.
 3N places
p antiliant
Energie
Zéro électr.  1/r : Bande vide

S antiliant: état moins

3N places stable
Zéro électr.
1/r < 1/r0 : Bande pleine
3N places 1/r > 1/r0 : Bande vide

np Zéro électr.
6N états 3N places
2N électr. 2Nélectr.
N places 3N places
p liant
Nélectr. 3Nélectr. 1/r < 1/r0 : Bande pleine au 2/3
nS 1/r > 1/r0 : Bande pleine
2N états
2N électr. N places
Nélectr. N places S liant: état plus stable
Nélectr.  1/r : Bande complètement
pleine
Matériau 1/r0 Matériau isolant 1/Distance interatomique
conducteur
- Quand d>d0 : l'éclatement liant-antiliant est < à l'éclatement s-p. D'où s(liant) et
s(antiliant) sont occupés et p(anti)est occupé au 2/3 : cette bande incomplète est
spécifique de la conduction métallique= matériau conducteur.

- Qd d<d0 : s(anti)>p(liant), les électrons quittent s(anti) pour p(liant) et on a alors :

Tous les états liants sont occupés
Tous les états anti-liants sont vides
Cette configuration correspond à un matériau isolant à 0°K.

Définitions :
- la dernière bande pleine = Bande de valence (BV)
- la première bande vide = Bande de conduction (BC).
- la bande intermédiaire est dite interdite où gap du matériau. Sa largeur est notée Eg.

Diagramme énergétique : Remarque: Classiquement on ne

Eg= énergie min nécessaire pour briser représente que le min de BC et le max de
une liaison covalente = faire passer un BV.
électron de BV à BC.
- la conduction électrique résulte d'un déplacement des électrons à l'intérieur de chaque
bande.
Sous l'action de E, l'électron acquiert un gain d'énergie E et se déplace dans le cristal en
passant d'une orbitale à l'autre. Ce transfert n'est possible que lorsqu'il y a
chevauchement des orbitales.

- soit bande vide : ne participe pas à la conduction car pas d'électron.

- soit bande pleine : située à E+E : l'électron ayant E+E sous l'action de E ne
peut occuper une bande que s'il y a place vide ; d'où la bande pleine ne participe
pas à la conduction.

C/C : matériaux n'ayant que des bandes pleines et vides est un isolant.

- Qd Eg est élevée, à T°amb, l'énergie thermique (kT) est insuffisante pour exciter
les électrons de BV vers BC : matériau isolant (Eg > 200kT).

- Qd Eg diminue, l'excitation des électrons est possible est la conduction, par

agitation thermique , est appréciable sans quelle n'atteint celle du métal =
matériau semiconducteur.
Diagramme énergétique -métal
Diagramme énergétique - semimétal
 Diagramme énergétique
semiconducteurs non dégénérés
Diagramme énergétique - isolants
 2/ Gap direct et structure des bandes d'énergie – gap indirect
La résolution de l'équation de Schrödinger permet la détermination de l'évolution de
l'énergie dans l'espace des vecteurs d'ondes k.

Gap direct :
le min de BC et le max de BV coincident au même point
dans l'espace des k. l'excitation de l'électron se fait
sans changement de k.
Ex : GaAs, GaSb, InP, InAs, ... Eg=1,45eV pour GaAs

Gap indirect :
le min de BC et le max de BV ne coincident pas au même
point dans l'espace des k. Le passade de l'électron de BV à
BC se fait avec chgmt de k.
Ex : Si, Ge, GaP, ...
Eg=1,12eV pour Si
Remarque1: la nature du gap joue un rôle importat dans l'interaction
rayonnement électromagnétique-Sc et par suite dans le fonctionnement des
composants optoélectroniques.

Remarque2: Classiquement on ne représente que le min de BC et le max de BV.

Diagramme énergétique :

Eg= énergie min nécessaire pour briser une liaison covalente = faire passer un électron
de BV à BC.
Bande de conduction de Ec à +

Bande de valence de Ev à - 
Surface su Sc
 3/ Notion de trou
Les électrons se déplacent dans BV d'une orbitale liante vers une autre voisine liante (s'il
y a des places vides) = ce déplacement laisse un manque d'électron sur la 1ière
orbitale liante = création d'un trou.
Rq1 : électron et trou se déplace dans des sens opposés.

Rq2 : La BV est quasi pleine et donc l'étude du mouvement des électrons dans BV est
relativement compliquée ; on ramène alors le problème à l'étude des trous (sont en faible
densité) en leur affectant une identité et une masse effective ;
Un trou = charge élémentaire positive +e.
Sens déplacement des électrons

élect trou étape1

trou étape2

trou étape3

étape4
trou

Sens déplacement des électrons

4/ Semiconducteur intrinsèque
Définition : sc dépourvu de toutes impuretés susceptible de modifier ses propriétés
électriques (par le biais de la densité des porteurs), optiques, physico-chimiques, ...

5/ Semiconducteur extrinsèque

Définition1 : sc contenant des impuretés de manière

contrôlée (profil de dopage respecté : constant, exponentiel,
graduel, …) afin de modifier certains paramètres et notamment
la conductivité. vide

dopage : il s'agit d'implanter de manière

Définition2 : Le vide
contrôlée des atomes ou molécules dans le matériau
de base dit substrat. Les atomes implantés favorisent soit une
conduction par les électrons (en donnant des électrons au pleine
réseau cristallin = donneurs) soit par les trous (en prenant des
électrons au réseau cristallin = accepteurs)

Matériau isolant
5-a/ Donneurs
On injecte des atomes impuretés (de manière contrôlée) de la colonne V dans un cristal Si (= dopage).
P= atome phosphore = 5 électrons périphérique.
Pour saturer sa couche externe il doit assurer 4 liaisons covalentes et il lui reste un cinquième
électron très délocalisé (énergie de liaison très faible de l'ordre de 0,04eV).
L'énergie kT à T°amb est suffisante pour le libérer et assure donc la conduction dans le cristal Si en
créant un ion P+.

La conduction est assurée par les électrons issus des impuretés donneurs (dopage n).

Le phosphore n’a pas encore libéré le 5ième é.

« P est tjs neutre.
Le phosphore a libéré le 5ième é.
« P se trouve chargé positivement.
 Diagramme énergétique : Silicium dopé « n»

- « P » introduit un - Par un apport - Tous les é - l’apport énergétique

niveau ED dans le énergétique, délocalisés sont est tjs > EG = on
gap et est accessible quelques é passés vers BC par continue à exciter les é
aux é. délocalisés le biais d’un apport de BV vers BC. Ces é
- ED est à qlq meV de transitent vers BC énergétique = on a sont dit « intrinsèques
Ec (sont très proche). = ces é sont libres épuisé le niveau au Sc et viennent donc
- L’é délocalisé est dans le cristal et donneur. d’une cassure de
encore autour de devient chargé - Tous les atomes liaison Si-Si par
l’atome « Posphore ». positivement. « P » sont ionisés. exemple.
- L’é occupe ED - Des trous sont - On a un trous dans
introduit par l’atome alors créés sur le BV = l’apport La transition est dite
« P » neutre. niveau ED. énergétique > Eg = « Bande à Bande ».
transit d’é de BV
La transition est dite « Niveau d’impureté (içi
vers BC.
ED à une Bande permise (Ec)».
5-b/ Accepteurs
On injecte des atomes (de manière contrôlée) de la colonne III dans un cristal Si. Ga ou Bore.
atome gallium = 3 électrons périphérique.
Pour saturer sa couche externe il doit assurer 4 liaisons covalentes en prenant un électron au
réseau cristallin.
Cet électron manquant viendra facilement d'une orbitale voisine. Ce passage entraîne la création
d'un trou et un ion Ga- ou B- (chargé négativement).
Rq : les impuretés peuvent donner des états (niveau énergétique accessible aux é) localisés dans la
bande interdite du sc.

La conduction du courant est assurée par les trous (majoritaires) issus des impuretés
accepteurs (dopage p).

Le Bore n’a pas encore pris un é au réseau Si.

« Bore » est tjs neutre. Il n’a pas saturé sa Le Bore a pris un é au réseau cristallin Silicium et y
couche externe. Il se trouve instable. crée un trou .
Le « B » se trouve chargé négativement.
 Diagramme énergétique : Silicium dopé « p »

- « Bore » introduit un - Par un apport - Toues les places

niveau EA dans le énergétique, vacantes sur le Bore
gap et est accessible quelques é sont occupés par le - l’apport énergétique
aux é. intrinsèques (du Si) biais d’un apport est tjs > EG = on
- EA est à qlq meV de se déplacent dans le énergétique = on a continue à exciter les é
Ev (sont très proche). réseau cristallin vers rempli le niveau de BV vers BC. Ces é
- L’é délocalisé est « B » = création de donneur (régime sont dit « intrinsèques
encore autour de trous dans le cristal d’épuisement). au Sc et viennent donc
l’atome « Posphore ». et «B» devient - Tous les atomes d’une cassure de
- Aucun é na encore chargé « B » sont ionisés (-). liaison Si-Si par
transité vers de BV vers négativement. - On a un é dans BC = exemple = création de
EA. l’atome «B» est - Ces é qui se trouvent l’apport énergétique trous dans BV.
neutre. Pas de trous créé autour de « B » = > Eg = transit d’é de La transition est dite
dans BV. Des é transitent de BV vers BC. « Bande à Bande ».
BV sur le niveau EA.
La transition est dite d’«une Bande permise (Ev)
vers Niveau d’impureté (içi EA).
de k0
II/ Densité d'états dans les bandes permises
1/Bande de conduction
1-a/ semiconducteur à gap direct
1-b/ semiconducteur à gap indirect
2/ Bande de valence (idem BC)
3/ Fonction de Fermi

III/ Semiconducteur à l'équilibre thermodynamique :

- calcul de n et p pour un sc non dégénéré et avec l'approximation « fonction
de distribution = distribution de Boltzmann ».
II/ Densité d'états dans les bandes permises
- Dans un cristal à n dimensions, la densité d’états dans l’espace des k s’écrit: gn(k)=2/(2)n
 Pour le cristal à dim = 3 : g3(k)=2/(2)3
 Au voisinage de chacun des extremas (min pour BC et max pour BV), on peut utiliser
« l’approximation des bandes paraboliques » = E(k) évolue en k2.

1/Bande de conduction
1-a/ semiconducteur à gap direct

- Même hypothèses que 6-a/ :  Sc à BC avec un min centré en k0=0 et Emin = Ec

 BC isotrope au voisinage de k0=0
2𝑚𝑒
- Rappel : E(k) = Ec + .(k)2
ℎ
- La densité d’états étant constante dans l’espace des 𝑘, le nbre d’états (de places) dans une sphère de
4 2
rayon 𝑘 est : N = g(𝑘). V(𝑘) = . 𝜋. 𝑘3 . 3
3 2𝜋
𝑑𝑁
- La densité d’états par unité d’énergie : = Nc(E)
𝑑𝐸

3 1
2 2𝑚𝑒 Τ2 Τ2
𝑁𝑐 𝐸 = . . 𝐸 − 𝐸𝑐
2𝜋2 ℎ2
1/Bande de conduction
1-a/ semiconducteur à gap direct
1-b/ semiconducteur à gap indirect :

Même hypothèses que 6-a/ :  Sc à BC multivallé, considérons un min centré en k0 ≠ 0 et Emin = Ec

 BC anisotrope au voisinage de k0 ≠ 0.
- Les surfaces d’énergie cste sont des ellipsoïdes . Pour simplifier, L’axe principal // à l’axe « z » et
porte « 𝑘0 ».

- Tout calcul fait amène à :

3 1
2 2𝑚𝑐 Τ2 Τ2
𝑁𝑐 𝐸 = 2. . 𝐸 − 𝐸𝑐
2𝜋 ℎ2

Avec: 𝑚𝑐 = 𝑛. 𝑚𝑙 1/ 2. 𝑚 2/ 3
𝑡

Remarque:

- mc joue le rôle que joue me dans le Sc univallé dans l’expression de Nc(E).

- mc = Masse effective de densité d’états.

- Ordre de grandeur : Si Ge GaP

mc 1,06m0 0,55m0 0,78m0

II/ Densité d'états dans les bandes permises
1/Bande de conduction
1-a/ semiconducteur à gap direct
1-b/ semiconducteur à gap indirect
2/ Bande de valence (idem BC)
- La densité d’états dans BV est la somme des densités d’états des différents trous (trous légers et
trous lourds) et s’écrit :
3 1
2 2𝑚𝑣 Τ2 Τ2
𝑁𝑣 𝐸 = . . 𝐸𝑣 − 𝐸
2𝜋2 ℎ2

Rq : Ecriture similaire à Nc(E) - l’indice « c » pour BC et « v » pour BV.

- Ev – E sous la racine est > 0.

Ordre de grandeur :

Si Ge GaAs InP
mv 0,59m0 0,36m0 0,64m0 0,87m0
Conclusion :
- Quelque soit le type de Sc, la densité d’états au voisinage d’un extrema de l’une des bandes
s’écrit:
3 1
2 2𝑚∗ Τ2 Τ2
- 𝑁∗ 𝐸 = . . 𝐸 ∗ −𝐸0
2𝜋2 ℎ2

- L’indice « * » = « c » pour BC ou « v » pour BV.

- E est compté > 0 vers le haut pour les électrons vers le bas pour les trous.
- m* = mc dans BC et mv dans BV.
Remarque :
La densité d’états évolue : - en 𝐸 3
- 𝑚∗ Τ
2
II/ Densité d'états dans les bandes permises
3/ Fonction de Fermi :
 Pour les électrons :
- La probabilité d’occupation d’un niveau énergétique « E » par un électron à la T° = T est donnée
1
par : 𝑓 𝐸 = 𝐸−𝐸𝐹
1+𝑒 𝑘𝑇
- K: cste de Boltzmann - f(E) : Fonction de Fermi - EF : Niveau de Fermi
- Représentation graphique de f(E):
- Cas 1: T0=0°K: f(E) = 1 pour E < EF f(E) = 0 pour E > EF f(E) = 1/2 pour E = EF

- Cas 2: T1 > T0: avec l’apport énergétique,

les électrons juste en dessous de EF transitent vers les états juste au dessus de EF. Ceci s’accentuent
avec l’apport énergétique.
f(E)
Définition : regardons à 0°k: 1
- Tous les états en dessous de EF sont occupés.
- Tous les états en dessus de EF sont vides.

- EF : niveau énergétique délimitant les états1/2

occupés de ceux vides à 0°k.

E
 Pour les trous :
- Soit fp(E) : probabilité d’occupation d’un niveau énergétique « E » par un trou = fonction de
distribution des trous.
- Un niveau énergétique est soit occupé par un électron soit il est vide (non occupé par l’électron =
occupé par un trou). D’où :
f(E) + fp(E) = 1
1
Ce qui donne : fp(E) = 𝐸−𝐸𝐹
−
1+𝑒 𝑘𝑇

Représentation graphique de fp(E) :

Remarque:
- Dès que (E – EF) > 2kT :
Approximation :
𝐸−𝐸𝐹 𝐸−𝐸𝐹
1+𝑒 𝑘𝑇 ≈𝑒 𝑘𝑇 fp(E) = 1
D’où
𝐸−𝐸𝐹
−
𝑓 𝐸 =𝑒 𝑘𝑇 pour électrons T0 = 0°k
𝐸−𝐸𝐹
− T1 > T0
𝑓𝑝 𝐸 = 1 − 𝑒 𝑘𝑇 pour les trous
fp(E) = 1/2
𝐸−𝐸𝐹
−
Approx: 𝑓 𝐸 = 𝑒 = facteur
𝑘𝑇

de Boltzmann (avec + ou -).

fp(E) = 0
T°
III/ Semiconducteur à l’équilibre thermodynamique :
- nbre d' électrons sur un niveau E = Nc(E).f(E)
- nbre de trous sur un niveau E = Nv(E).f p (E)
Ec ,max
- nbre ou densité d' électrons sur BC = 
Ec
Nc(E).f(E).dE
Ev

Avec:
- nbre ou densité de trous sur BV = Ev ,min
Nv(E).f p (E).dE
rappel :
3 3
1  2mc  2
1  2mv  2
Nc( E ) = 2 .  2  .  E  Ec  et Nv( E ) = 2 .  2  .  Ev  E  2
1 1
2
2   2  
1 1
f (E) = fn (E) = E  EF
et f p ( E ) = E  EF

1  e kT 1  e kT
Représentation graphique :

f(E) à 0°K

Nv(E) évolue en E
Nc(E) évolue en E
avec poids élevé
avec poids faible

Ev EF Ec E
Définitions :
- Tout semiconducteur avec 𝑬𝑭 ∈ 𝑬𝒗 , 𝑬𝒄 est dit : Sc non dégénéré
- Tout Sc avec 𝑬𝑭 ≤ 𝑬𝒗 𝒐𝒖 𝑬𝑭 ≥ 𝑬𝒄 𝐸𝐹 ∈ à 𝑙 ′ 𝑢𝑛𝑒 𝑑𝑒𝑠 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑒𝑠 𝑝𝑒𝑟𝑚𝑖𝑠𝑒𝑠 : Sc dégénéré

- Remarque : Pour les Sc non dégénérés

. Dès que 𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 > 2𝑘𝑇 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑆𝑐 − 𝑛 𝑜𝑢 𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 > 2𝑘𝑇 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑆𝑐 − 𝑝: les fonctions de
Distribution (probabilité) ≅ 𝐹𝑎𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛 𝐷𝑖𝑠𝑡𝑟𝑖𝑏𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛 :
𝐸−𝐸𝐹 𝐸−𝐸𝐹
−
𝑓 𝐸 =𝑒 𝑘𝑇 et 𝑓𝑝 𝐸 = 𝑒 𝑘𝑇

Expressions de « n : densité d’électrons ou nombre » et de « p » :

- Calcul de n :
𝐸−𝐸𝐹+𝐄𝐜−𝐄𝐜 𝐸𝑐−𝐸𝐹 𝐸−𝐸𝑐
+∞ +∞ − − +∞ −
𝑛= ‫𝑐𝑁 𝑐𝐸׬‬ 𝐸 .𝑓 𝐸 . 𝑑𝐸=‫𝑐𝑁 𝑐𝐸׬‬ 𝐸 .𝑒 𝑘𝑇 .dE=𝑒 𝑘𝑇 .‫𝑐𝑁 𝑐𝐸׬‬ 𝐸 .𝑒 𝑘𝑇 .dE
On note :
𝐸−𝐸𝑐
+∞ −
‫𝑐𝑁 𝑐𝐸׬‬ 𝐸 .𝑒 𝑘𝑇 .dE = Nc : densité équivalente d’états dans BC

𝑬𝒄−𝑬𝑭
−
Ce qui donne: n = Nc. 𝒆 𝒌𝑻
- Calcul de p :
Faites le calcu pour p : Tout calcul fait donne :
𝑬𝒗−𝑬𝑭
p = Nv. 𝒆 𝒌𝑻
𝐸−𝐸𝑣
𝐸𝑣
Avec : ‫׬‬−∞ 𝑁𝑣 𝐸 .𝑒 𝑘𝑇 .dE = Nv : densité équivalente d’états dans BV.
Remarques:   E  Ec  Ev  E  Ev 
   
- Rappel : Nc =  Nc( E ).e
Ec
 kT 
.dE et Nv =  Nv( E ).e

 kT 
.dE

avec Nc( E )  E et Nv( E )  E

- Nc(E) et Nv(E) représentent les densités d’états (de places offertes) respectivement dans BC et BV.
- Nc et Nv : sont des caractéristiques des densités d’états.
-Nc : sommation pondéré de tous les états dans la bande de conduction (Nv dans BV).
𝐸−𝐸𝑐 𝐸−𝐸𝑣
−
- Le coefficient de pondération = facteur de Boltzmann : 𝑒 𝑘𝑇 pour Nc (et 𝑒 𝑘𝑇 pour Nv)
- Plus E considéré est loin dans la bande, sa contribution dans Nc (ou Nv) est faible.
-Nc : représente le nombre ou densité d’états utile dans la bande de conduction.
Définitions :
- Nc : densité équivalente d’états dans la BC.
- Nv : densité équivalente d’états dans BV.
Ordre de grandeurs et Application numérique:

  E  Ec  Ev  E  Ev 
   
Nc =  Nc( E ).e
Ec
 kT 
.dE et Nv =  Nv( E ).e

 kT 
.dE

avec Nc( E )  E et Nv( E )  E

Faisons un changement de variable:

 
E  Ec
Soit : x =
kT
et dE = kT .dx et les limites deviennent 
Ec
 
0
3 
1  2mc  2
.  kT  0 x 2 .e .dx
3 1
x
Nc s'écrit : Nc = . 
2
.
2 2  h
2
 144442 44443
= 
2

En explicitant les cstes, on écrit :

3 3
 mc  2
 T  2
Nc = 2, 5.1019.   .  .cm 3
 m0   300 
3 3
 mv  2
 T  2
Nv = 2, 5.1019.   .  .cm 3
 m0   300 
Ordre de grandeur :

Tamb Sc mc/m0 mv/m0 Nc(.1019) Nv(.1019)

Gap Si 1,06 0,59 2,7 1,1

indirect
GaP 0,78 0,83 1,7 1,9

direct InP 0,073 0,87 0,05 2

Remarques:
- Nc ≈1019cm-3 pour les Sc à gap indirect et Nc ≈1017cm-3 pour les Sc à gap direct.
𝐸𝑐−𝐸𝐹 𝐸𝑣−𝐸𝐹
−
- 𝑛 = 𝑁𝑐. 𝑒 𝑘𝑇 𝑒𝑡 𝑝 = 𝑁𝑐. 𝑒 𝑘𝑇

- Ceci amène à : Le produit

𝑬𝒄−𝑬𝒗 𝑬𝒈
− −
𝒏. 𝒑 = 𝑵𝒄. 𝑵𝒗. 𝒆 𝒌𝑻 = 𝑵𝒄. 𝑵𝒗. 𝒆 𝒌𝑻

- Ce produit s’appelle : La loi d’action de masse pour les semiconducteurs.

1/ Semiconducteurs Intrinsèques :
a/ Densité ni :
- Sc intrinsèque : pas d’impuretés
- Un électron sur BC ne peut venir que d’une excitation à partir de la BV laissant derrière un trou =
d’où il y a autant d’électron (dans BC) que de trous (dans BV).
- Ceci nous amène à écrire : 𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 ∶ 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑡é 𝑖𝑛𝑡𝑟𝑖𝑛𝑠è𝑞𝑢𝑒 𝑑′ 𝑜𝑟𝑖𝑔𝑖𝑛𝑒 𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑖𝑎𝑖𝑠𝑜𝑛 𝑆𝑖 −
𝑆𝑖 𝑝𝑎𝑟 𝑒𝑥𝑒𝑚𝑝𝑙𝑒 𝑒𝑡 𝑑𝑜𝑛𝑐 𝑙𝑎 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑒𝑠𝑡 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝐵𝑉 𝑣𝑒𝑟𝑠 𝐵𝐶 𝑑𝑖𝑡𝑒 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑒 à 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑒 .
- Sc intrinsèque n’est jamais dégénéré.
𝟏ൗ 𝑬𝒈
−
- On a 𝒏. 𝒑 = 𝒏𝟐𝒊 ce qui donne 𝒏𝒊 = 𝑵𝒄. 𝑵𝒗 𝟐 . 𝒆 𝟐𝒌𝑻

Ordre de grandeur: Tambiante Si Ge InP

ni (cm-3) 1010 2.1013 3.107

b/ Niveau de Fermi EFi : on a EF = EFi et n = ni = p se traduit par:

 Ec  EFI   Ev  EFi 
   
Nc.e  kT 
= ni = Nv.e  kT 
ce qui amène à
 
Ec  Ev kT Ec  Ev
.Ln 
Nv 
EFi =  d'ou alors E 
Nc 
Fi
2 2 { 2
1444442 4444
1 
43
À Tamb, EFi est situé quasiment au milieu négligeable  0

du gap
2/ Semiconducteurs extrinsèques :
a/ Densité des électrons »n » et des trous « p » :
- Sc extrinsèque : Sc contenant des impuretés introduites de manière contrôlé (dopage).
- Soit : Na : densité des accepteurs Nd : densité des donneurs
Na- : densité ionisée Nd+: densité ionisée
- Sc à l’équilibre étant neutre : l’équation de la neutralité électrique s’écrit :
n + Na- = p +Nd+

Remarques:
1/ - EA et ED sont placés près des bandes permises. L’énergie d’ionisation des accepteurs et des
donneurs est de quelques meV : 5meV < Eionisation < 45meV : qui reste très faible.
- L’énergie thermique (kT) à Tambiante d’environ 26 à 30 meV est suffisante pour ioniser tous les
donneurs et tous les accepteurs : Na- = Na et Nd+ = Nd.
La neutralité électrique s’écrit : n + Na = p +Nd
2/ Dans la pratique Na = Nd = 0 n’existe pas. Il y a tjs des atomes contaminants : Sc intrinsèque
n’existe pas.
3/ Sc compensé :
- Au cour de la fabrication du Sc, il y a tjs des atomes contaminantes. Soit Na > Nd (avec Na et Nd :
impuretés contaminantes).
- On peut compenser le plus des Na par un dopage n tel que : la densité de dopant n rajouté égalise
(Na – Nd).
- Cette situation amène à : Na = Nd dans le Sc : Tout ce passe comme si le Sc est intrinsèque car :
n (= Nd) = p( = Na) = ni
- Ce type de Sc est dit : Sc compensé ou semi-isolant.

2-a-a/ Sc type n :
- Soit un Sc avec : Nd > Na et la neutralité électrique s’écrit 𝑛 + 𝑁𝑎 = 𝑝 + 𝑁𝑑 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑛 > 𝑝.
- 𝑛 > 𝑝 : Les électrons sont majoritaires dans le Sc dit de type « n » : Sn.
- Les minoritaires sont les trous dans ce Sn.
- La conduction est assurée par les majoritaires dans le Sc ici sont les électrons.
- On a: 𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 et 𝑛 > 𝑝 ce qui amène à 𝑝 < 𝑛𝑖 < 𝑛 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑆𝑛.
- Dans la pratique : dans Sn : 𝑁𝑎 ≪ 𝑛𝑖 ≪ 𝑁𝑑 𝑒𝑡 𝑑𝑜𝑛𝑐 𝑙𝑎 𝑛𝑒𝑢𝑡𝑟𝑎𝑙𝑖𝑡é 𝑑𝑒𝑣𝑖𝑒𝑛𝑡 ∶ 𝒏 = 𝑵𝒅 − 𝑵𝒂

𝒏𝟐𝒊
et comme 𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 ce qui donne 𝒑=
𝑵𝒅−𝑵𝒂
2-a-a/ Sc type p :
- Soit un Sc avec : Nd < Na et la neutralité électrique s’écrit 𝑛 + 𝑁𝑎 = 𝑝 + 𝑁𝑑 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑛 < 𝑝.
- 𝑛 < 𝑝 : Les électrons sont minoritaires dans le Sc. Le Sc est dit de type « p » : Sp.
- Les majoritaires sont les trous dans ce Sp.
- La conduction est assurée par les majoritaires dans le Sc ici sont les trous.
- On a: 𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 et 𝑛 < 𝑝 ce qui amène à 𝑝 > 𝑛𝑖 > 𝑛 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑆𝑝.
- Dans la pratique : dans Sp : 𝑁𝑎 ≫ 𝑛𝑖 ≫ 𝑑 𝑒𝑡 𝑑𝑜𝑛𝑐 𝑙𝑎 𝑛𝑒𝑢𝑡𝑟𝑎𝑙𝑖𝑡é 𝑑𝑒𝑣𝑖𝑒𝑛𝑡 ∶ 𝒑 = 𝑵𝒂 − 𝑵d

𝒏𝟐𝒊
et comme 𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 ce qui donne 𝒏=
𝑵𝒂−𝑵𝒅

Résumé :

n = Nd  Na  Nd  p = Na  Nd  Na
 
Sn :  ni2 ni2 Sp :  ni2 ni2
p =  n = 
 Nd  Na Nd  Na  Nd Na
Remarques:

- Les dopages accessibles aux Sc sont limités :

- Vers le bas par la limite minimale d’impuretés électriquement actives (conductivité minimale
mesurable)
- Vers le haut par la transition dite « métallique ». ( 𝑆𝑛: 𝑁𝑑 > 𝑁𝑐 𝑒𝑡 𝑆𝑝: 𝑁𝑎 > 𝑁𝑣)

2-b/ Niveau de Fermi :

Considérons un Sc non dégénéré, les densités sont données par :

  Ec  EFn 

n = Nc.e  kT   Nc 
Sn :   EFn = Ec  kT .Ln  
n = Nd  Na  Nd  Na 

  Ev  EFp 
 p = Nv.e kT   Nv 
Sp :   EFp = Ev  kT .Ln  
 p = Na  Nd  Na  Nd 
 Remarques:
- 𝐸𝐹𝑛 = 𝐸𝑐 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑁𝑐 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 ∶ 𝑑é𝑏𝑢𝑡 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑑é𝑔é𝑛é𝑟𝑒𝑠𝑐𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑆𝑛.
- 𝐸𝐹𝑝 = 𝐸𝑣 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑁𝑣 = 𝑁𝑎 − 𝑁𝑑 ∶ 𝑑é𝑏𝑢𝑡 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑑é𝑔é𝑛é𝑟𝑒𝑠𝑐𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑆𝑑.
- Les expressions de EFn et EFp permettent d’obtenir une estimation du dopage nécessaire pour
dégénérer un Sc.

Diagrammes énergétiques :
BC
Energie Ec

EFn
EFi
eFi eFi
EFp
Ev
BV
Sc intrinsèque Sc type n : Sn Sc type p : Sp

Définition :
- e Fi = EF – EFi (autres auteurs le définissent comme : EFi - EF
- eFi : est positive pour un Sn et est négative pour Sp.
Calcul de e Fi = EF-EFi
𝐸𝑐−𝐸𝐹𝑖 𝐸𝑣−𝐸𝐹𝑖
−
- Sc intrinsèque : 𝑁𝑐. 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑛 = 𝑛𝑖 = 𝑝 = 𝑁𝑣. 𝑒 𝑘𝑇

𝐸𝑐−𝐸𝐹 𝐸𝑣−𝐸𝐹
−
- Sc extrinsèque : 𝑁𝑐. 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑛 𝑒𝑡 𝑝 = 𝑁𝑣. 𝑒 𝑘𝑇

eFi
𝐸𝑐−𝐸𝐹 𝐸𝑐−𝐸𝐹+𝑬𝑭𝑰−𝑬𝑭𝑰 𝐸𝑐−𝐸𝐹𝑖 𝐸𝐹−𝐸𝐹𝑖
− − − .
- Soit 𝑁𝑐. 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑛 = 𝑁𝑐. 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑁𝑐. 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇

𝑛𝑖

eFi
Ce qui amène à écrire : 𝒏 = 𝒏𝒊. 𝒆 𝒌𝑻

−
eFi
Idem pour p et on écrit : 𝒑 = 𝒏𝒊. 𝒆 𝒌𝑻

- On déduit alors :
 Sn: n = Nd  Na
Remarque :
 n  Nd  Na 
 kT .Ln   = kT .Ln   − 𝑺𝒊 𝒆Φ𝑭𝒊 > 𝟎 → 𝒏 > 𝒏𝒊 > 𝒑 ≡ 𝑺𝒏
  i
n  ni 
e Fi = − 𝑺𝒊 𝒆Φ𝑭𝒊 > 𝟎 → 𝒑 > 𝒏𝒊 > 𝒏 ≡ 𝑺p
  kT .Ln  p  = kT .Ln  Na  Nd 
    
  i
n  n i 
 Sp: p = Na  Nd
 J = flux d’électrons = nbre d’é qui traverse S=unité perpendiculairement à dS par unité de
temps.

Densité = n
Vitesse = v

dx

dI = - e.n. S.dx avec dx = v.dt ce qui donne dI/dt = - e.n.v = J pour S = unité
V/ Génération – Recombinaison – Durée de vie des porteurs

 Création (g'=cm-3s-1): mesure le nbre de porteurs créé par cm-3s-1 = Génération

 Recombinaison (r'=cm-3s-1) : mesure le nbre de porteurs qui disparaît cm-3s-1. r' est

un paramètre propre au matériau.

Origine de g' :

 gth : agitation thermique = mesure le taux de génération thermique= génération

spontanée. Paramètre propre au matériau.

 g= génération induite : due à une source externe : excitation optique, irradiation par

des particules, injection électrique, champ électrique... .

La variation du nbre de porteurs/cm-3s-1 due à la Génération-Recombinaison s'écrit :

dn/dt=g'-r'=g+gth-r' avec r=r'-gth= bilan entre recomb- générat thermique= paramètres

spécifiques au matériau on écrit alors :

dn/dt= g-r = Générat – Recomb

a/ recombinaison directe e-trou (bande à bande) :

Le nbre de recombinaison directe est proportionnel au nbre d'e et de trous :

r'n=r'p=r'=knp

Et le taux de recombinaison rn=rp=r=r' – gth = knp – gth

a-a/ étude à l'équilibre :

pas d'excitation extérieure n=n0, p=p0 et r=0 ce qui donne
kn0p0 – gth=0 ou encore, avec n0= niexp(eFi/kT) et n0= niexp(eFi/kT), on obtient
gth=kni2
Le taux de génération s'écrit donc : r = k(np – ni2)

a-b/ étude hors équilibre :

avec excitation extérieure, on a : n=n0+n et p = p0+p avec n=p (raison de la
neutralité électrique).
 Recombinaison directe bande à bande :

Recombinaison assistée par un centre de recombinaison :

2/ Barrière de potentiel entre M-sc et sc1-sc2
Cas sc1-sc2 :

Après contact

Avant contact

HBe 2 vers 1

HBp 1 vers 2

HBp 2 vers 1 = 0
Cas d’un contact Métal Sc :

? N’a aucune signification physique car pas

d’électron au niveau de Fermi.

Remarque : à l’état d’équilibre, à l’interface côté Sc le diagramme n’est pas ainsi. On

aura une courbure des bandes d’énergie soit vers le haut soit vers le bas.
Définition : Potentiel de surface

: pas de courbure des bandes NV, Ec, Efi et Ev.

Zone de Charges d’Espace

- Energie = -e*potentiel

- Le potentiel de surface, noté « eVs »

dans toute la suite, mesure la
profondeur de la courbure des
bandes.

- eVs < 0 ssi la courbure des bandes

d’énergie est vers le haut (convexe).

- eVs > 0 ssi la courbure est vers le bas

(concave).
3/ Etats de surface et interface:
4/ Effets des états de surface et interface sur la courbure des bandes
d'énergie :