Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene

Faculté de Physique
Département "Matériaux et Composants"

Composants électroniques à semi-

conducteurs

Année 2008/2009
M. KECHOUANE
 Objectifs de l’enseignement :

Ce cours fait suite à celui fait en S1 intitulé Matériaux semi-conducteurs. Le but en est
d'appliquer les propriétés de transport des semi-conducteurs hors équilibre, à des dispositifs à base
de ces matériaux. Ceci permet donc de comprendre le fonctionnement de ces dispositifs. Ce cours
introduit également quelques notions sur la technologie de ces dispositifs à base de silicium.
Chapitre I : Rappels sur la physique des semi-conducteurs (1,5 h,)
I.1 Structure de bandes
I.2 Concentration des porteurs et propriétés de transports
I.3 Jonction PN et structure métal/semi-conducteur à l’équilibre
Chapitre II : Diodes à jonction (3 h)
II.1 La diode PN : Principe de fonctionnement et réalisation technologique d’une diode PN. Calcul du
courant : caractéristique statique I-V. Capacité de transition et de diffusion. Phénomènes
transitoires dans une diode PN : circuit équivalent.
II.2 La diode tunnel
II.3 La diode Schottky :
Calcul du courant et caractéristique I-V. Comparaison avec la diode PN. Contact ohmique
II.4 Hétérojonctions
Chapitre III : Structure MIS et capacité MOS (4.5h)
III.1 Structure métal/isolant/semi-conducteur idéale :
Description. Diagramme de bandes d’énergie et régimes de fonctionnement. Champ et potentiel
électriques d’une structure MIS en régime de déplétion ou de faible inversion. Calcul du champ
électrique, du potentiel de surface et de la charge de la structure MIS dans le cas général.
III.2 Structure métal/oxyde/semi-conducteur réelle :
Diagramme d’énergie. Tension de bandes plates. Tension de seuil.
III.3 Capacité MOS : Caractéristique C-V hautes et basses fréquences – cas idéal. Cas réel : effets des
travaux de sortie et de la charge d’oxyde.
Chapitre IV : Transistors (6 h)
IV.1 Effet transistor
IV.2 Transistors bipolaires :
Description. Equations d’Eber-Moll. Gains en courant. Schémas équivalents en petits signaux
IV.3 Transistor à effet de champ à jonction : JFET et MESFET
IV.4 Le transistor à effet de champ à grille isolée : MOSFET :
Description. Modes de fonctionnement : transistor MOS à canal préalable et transistor MOS à
canal induit. Principe du transistor MOSFET à canal induit. Analyse du courant de drain. Réseau
de caractéristique- conductance et transconductance. Transistor MOSFET réel. Schéma équivalent
Chapitre V : Circuits Intégrés (3 h)
V.1 Principes de réalisation des circuits intégrés
V.2 Croissance cristalline et oxydation thermique
V.3 Dopage par diffusion, par implantation ionique et par source gazeuse
V.4 Dépôt de films minces de silicium et de couches diélectrique par CVD
V.5 Métallisation
V.6 Procédés de masquage et de photogravure. Attaque chimique et gravure sèche
V.7 Procédés nMOS, CMOS et bipolaire
Chapitre VI : Introduction aux composants optoélectroniques (3 h)
VI.1 Interaction rayonnement-semi-conducteurs :

1
 Fonction diélectrique. Réflexion, absorption, émission et transitions inter-bandes dans les solides.
Recombinaisons radiatives et non radiatives. Excitations élémentaires : excitons, polaritons,
plasmons. Diffusion de la lumière : Rayleigh, Brillouin, Raman.
VI.2 Détecteurs et émetteurs de la lumière : principes de fonctionnement

Mode d’évaluation :
Contrôle continu (Interrogations et orales, Exposés, devoirs- 40%) Epreuve finale (2h, 60%)
Références:
1. H. Mathieu, Physique des Semi-conducteurs et des Composants Electroniques, Editions Dunod
(2001).
2. J.P. Colinge et F. Van De While, Physique des dispositifs à semi-conducteurs, bibliothèque des
universités
3. B. Sapoval et C. Hermann, Physique de Semiconducteurs, collection Ellipses (Ecole
Polytechnique).
4. S.M. Sze, Physics of Semiconductors Devices, 2nd Edition, John Wiley & Sons, Inc. 1981.
5. Bart Van Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices,
http://ece.colorado.educ/~bart/book/book/title.htm

2
Chapitre I : Rappels sur la physique des semi-conducteurs (1,5 h,)
1- Structure de bandes dans les matériaux semi-conducteurs
1.1 Introduction
Les semi-conducteurs et les métaux ont une structure cristalline, c'est-à-dire que les
atomes ou molécules sont groupés en réseaux régulièrement disposés dans l'espace.
Ainsi, le silicium, le germanium et le carbone cristallisent selon un réseau cubique
diamant tel que représenté par la figure 1.

Figure 1

Dans ces réseaux la distance inter atomique étant faible (de l'ordre de quelques Å) les
atomes ne peuvent plus être considérés comme isolés et il en résulte des interactions (de
nature électrostatique entre les divers atomes).
Nous savons que dans un atome isolé, c'est-à-dire très éloigné des autres atomes comme
c’est le cas dans les gaz, les électrons occupent des niveaux d’énergie bien déterminés
(figure 2). D'après le principe d'exclusion de PAULI , chaque niveau d'énergie permis est
occupé par deux électrons de spin opposé et il ne peut accueillir d'autres électrons.
E

r
1
/ 2
n=2 E1 = 13,6 eV
r 2p
s
Figure 2
n=1 1
s
Pour un atome isolé, le potentiel d’interaction est assez faible. Lorsqu’on rapproche deux
atomes à une distance telle que les fonctions d’onde des électrons liés à un atome soient
perturbées par la présence d’un autre atome, chaque niveau d’énergie de l’atome isolé se
dédouble en 02 niveaux très rapprochés (figure 3).

Figure 3

La résolution de l’équation de Schrödinger pour le double puits quantique que

représentent les deux noyaux montre que la levée de dégénérescence entre les deux
niveaux d’énergie des deux atomes considérés séparément mène à deux niveaux
couplés, l’un dit liant, de plus basse énergie, et l’autre, dit anti-liant, de plus haute
énergie.
1.2 Notion de bandes d'énergie

3
Seule la mécanique quantique permet de traiter en détail les bandes d'énergie des
électrons d'un cristal, on envisage ici uniquement une approche phénoménologique
1.2.1- Notions sur la théorie de bandes d’énergie dans les solides
Un solide cristallin peut être considéré comme un assemblage d’ions définis comme des
particules formées du noyau d’un atome, de tous les électrons qui lui sont rigidement
liés et d’électrons quasi libres faiblement liés au noyau, appelés électrons de valence.
Ces électrons de valence sont à la fois soumis à des forces attractives de la part des ions
cristallins, représentés par un potentiel ayant la périodicité du cristal, et à des forces
répulsives de la part des autres électrons de valence. Ces forces répulsives sont
difficilement représentables du fait de l’ignorance des positions occupées par ces
électrons. Hartee-Fock ont levé cette difficulté en assimilant ces forces à un champ
électrostatique appelé champ auto cohérent et possédant la périodicité du cristal.
Dans le cas d’un atome avec n électrons de valence, la charge de l’ion cristallin est de
 ne , le potentiel d’interaction entre cet ion et un électron de valence sera donné par :
n.e 2
v(r )  
r
Dans le cas d’une chaîne linéaire d’atomes, le potentiel sera représenté par la courbe ci-
dessous (figure 4) :

Figure 4

L’allure de ce potentiel est en général assez complexe, aussi dans la suite nous
considérerons un modèle de potentiel ayant des puits en créneaux comme une
représentation approchée du potentiel en cloche.
Si la distance entre atomes devient très faible, ce qui est le cas lorsque nous assemblons
N atomes pour former un cristal, la perturbation devient très élevée provoquant un
recouvrement des bandes d’énergie (figure 4). Chaque niveau de l’atome isolé donne
naissance à une bande d’énergie constituée en fait par des niveaux discrets très
rapprochés. Pour les électrons fortement liés, les niveaux d’énergie de l’atome isolé sont
très peu modifiés et la bande correspondante est très étroite. Pour les niveaux d’énergie
supérieurs, correspondant aux électrons faiblement liés (électrons de valence), la bande
est beaucoup plus large, tel que indiqué par la figure 5.
Dans le cas du silicium (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2) où le dernier niveau occupé a 06 places dont
deux seulement sont occupées, il faudra tenir compte du recouvrement des bandes 3s et
3p. En effet, les 02 électrons 3s et les 02 électrons 3p forment une bande pleine dite
Bande de Valence comptant 04 électrons par atome. Les 04 places restantes sur le
niveau 3p se regroupent en une bande vide appelée Bande de Conduction séparée par
une bande appelée Bande interdite
De la même manière, si on augmente le nombre N d’atomes couplés pour former un
cristal, on comprend intuitivement que le couplage entre tous les niveaux individuels sur
chaque atome va former un ensemble de N états (une « bande d’énergie »). La bande
d’énergie électronique dans un cristal résulte donc de l’hybridation des niveaux
individuels des atomes qui composent le cristal.

4
 Figure 5

Lorsque les distances inter-atomiques deviennent suffisamment faibles l'ensemble du

cristal devient un système électronique qui obéit au principe d'exclusion de Pauli. On a
donc, une dégénérescence des états d'énergie. Cette dégénérescence se traduit par la
démultiplication des niveaux d’énergie correspondants aux sous-couches s et p en N
sous-niveaux qui constituent autant d’états d’énergie possible pour les électrons. Ces N
états distincts constituent une bande d'énergie. On a donc 2 états -----> 2 N états (figure
6).
On note l'existence d'une bande d'énergie appelée bande interdite qui ne comprend
aucun état possible. Lorsque la distance inter-atomique décroît encore, on a affaire à ce
que l'on appelle des interactions fortes et l'on obtient la structure représentée à la figure
6).

Figure 6

Une deuxième approche, plus abstraite, mène au même résultat. Elle utilise le théorème
de Bloch, qui stipule que, dans un potentiel périodique, toutes les solutions de l’équation
de Schrödinger sont des fonctions dites de Bloch, c’est-à-dire qu’il existe un vecteur k
permettant d’écrire :  k (r)  U k (r). exp(ik.r)
où Uk(r) est une fonction périodique avec les mêmes périodes que le potentiel. Les
fonctions d’ondes des électrons dans un cristal parfait (périodique, infini, sans défaut ...)
sont donc simplement le produit entre une onde plane et une fonction périodique.
On peut donc chercher à résoudre, pour un k donné, l’équation de Schrödinger. On va
ainsi trouver, pour ce k donné, une équation qui porte sur les fonctions périodiques
U k (r ) . C’est là que le problème a été simplifié d’une manière monumentale. Alors que
l’équation de Schrödinger cherche des solutions dans tout l’espace des fonctions à priori,
le théorème de Bloch permet de réduire le problème en tirant profit de la périodicité du
potentiel : pour chaque vecteur k, on cherche maintenant des solutions dans l’espace des
fonctions périodiques. Par continuité entre les différents k, on construit ainsi un
ensemble dénombrable de bandes d’énergie que l’on représente sous la forme d’une
relation de dispersion E(k) appelé aussi diagramme ou structure de bande. On retrouve
ainsi le concept de bandes d’énergie permise et interdite.

1.2.2- Modèle de Kroning et Penney :

5
 
Kroning et Penney ont explicité le potentiel V( r ) , dont la variation est en général
complexe, en introduisant un modèle pour l’espace unidimensionnel le potentiel V( x )
avec conservation de la périodicité. V( x ) est considéré comme une suite de fonction de
Dirac ( x ) agissant comme une limite d’une fonction périodique en créneaux.
Dans ce cas, l’équation de Schrödinger stationnaire à une dimension spatiale est de la
 2 d( x )
forme :   V.( x )  E.( x )
2m dx 2
La résolution de cette équation fournit les fonctions d’onde représentant les états
stationnaires des électrons dans le S-C. Elle permet donc en principe de connaître les
propriétés électroniques des S-C. L’équation de Schrödinger stationnaire est une
équation aux valeurs propres aux dérivées partielles dont l’énergie E constitue la valeur
propre.
Dans le cas du réseau cristallin unidimensionnel le potentiel a la forme d’une simple
fonction périodique (figure 7) : V a b
Région I :
V0
 2 d I ( x )
  E. I ( x )
2m dx 2 Figure 7
Région II :
 2 d II ( x ) I I
  V0 . II ( x )  E. II ( x ) I x
2m dx 2
Les solutions de ces deux équations sont de la forme : - 0 a a
U I (x)  A. exp(ix)  B. exp(ix) et U II (x)  C. exp(x)  D. exp(bx) -
1/ 2 1/ 2 b
 2m.E   2m.(V0  E) 
avec     et     ( )
 2   2 
V0  E

La détermination des constantes A, B, C et D se fait en tenant compte de la continuité en

x  0 et x  a  b pour U( x ) et U ' ( x ) et de la périodicité (période : a)
Tenant compte des conditions de continuité :
dU I dU II
U I (0)  U II (0) et 
dx x 0 dx x 0
Les solutions de l’équation de Schrödinger obéissent au théorème de Bloch :
      
 k (r)  U k (r). exp(ik. r) avec U k (r)  U k (r  T) où T : vecteur de translation du réseau
En tenant compte des conditions de périodicité du potentiel V(x), on pourra écrire :
 k (x  a)  U k (x). exp ik.(x  a)   k (x) . exp( ik.a)
d II d I
On aura :  II (b)   I (a  b).exp( ik.a) et  .exp( ik.a)
dx x  b dx x a  b
On aura ainsi quatre équations homogènes, dont les solutions sont relatives à un
déterminant nul. Après développement, on aboutit à la relation suivante :
P sin .(a  b)  2 .(a  b).b
 cos .(a  b)  cos k.(a  b) avec P  lim
.(a  b) b 0 2
V0 

Qui s’écrit comme :

P sin(.a ) m.V0 .b
 cos(.a )  cos(k.a ) avec P 
.a a
P sin(.a )
Posons : F(.a )   cos(.a )
.a

6
Pour que l’égalité soit satisfaite, il ne faudrait prendre en considération que les valeurs
de  .a pour lesquelles la fonction F(.a ) est comprise entre -1 et +1.
Les valeurs permises de .a sont celles indiquées par les traits forts de la figure 8.

Figure 8

2m.E
A travers la relation :   ( )1/ 2 , elles correspondent aux valeurs permises (bandes
2

d’énergie permises) de l’énergie. Les valeurs permises de .a correspondent aux valeurs
n.
de k .
a
Lorsque P est petit, les bandes interdites tendent à disparaître. Lorsque P tend vers
l’infini, les bandes permises se réduisent aux points n. ( n  1,2,3,.......... ). Le spectre
n 2 .h 2
d’énergie devient discret : E 
8m.a
Cette courbe de dispersion fait apparaître la notion de
bandes d’énergie permises et interdites qui est à l’origine
des propriétés de conduction des S-C (figure 9). Pour
bien comprendre pourquoi l’existence de bandes
interdites conditionne les propriétés de conduction, il
suffit de considérer le nombre d’électrons que peut
contenir une bande permise. A cette fin nous utilisons
une fois de plus le comptage des états dans l’espace
réciproque k. Le nombre d’états possibles occupés par
les électrons est donné par la largeur de la bande
2 Figure 9
permise divisée la largeur de la cellule élémentaire
a
2
, le tout multiplié par 2 pour le nombre de spins.
L

7
I.2 Concentration des porteurs et propriétés de transports
Dans un semi conducteur la bande interdite, séparant la bande de valence et la bande de
conduction, va jouer un rôle important.
A 0K tous les électrons sont dans la bande de valence BV; à T>0K certains ayant une
énergie >EC se libèrent et passent dans la bande de conduction BC. Tout atome ayant
perdu un électron devient un ion positif qui va aisément capturer un électron d'un atome
voisin lorsqu'il passera dans l'espace commun aux deux atomes et l'on constate donc un
déplacement apparent de trous dans la bande de valence.
La mécanique quantique nous permet d'apprécier la densité des niveaux pouvant être
occupés en fonction de l'énergie De(E) et tout particulièrement au voisinage des limites
inférieures (telle EC pour la bande dite de conduction) et supérieures (telle EV pour la
bande dite de valence) des bandes d'énergie (figure 10)

Fig.10 : Expression de la densité des niveaux permis au voisinage des limites de bandes
permises.

La probabilité d'occupation à la température T d'un niveau d'énergie E par un électron

1
est donnée par la fonction de FERMI-DIRAC : f (E) 
E  EF
1  exp( )
k BT
Lorsque E - EF >> KBT, la fonction de FERMI se ramène à une distribution de
EF  E
BOLTZMANN : f (E)  exp( )
k BT
Figure 11 : Fonction de
distribution de Fermi Dirac :
Evolution avec la température.

On peut alors calculer le nombre d'électrons présents dans une tranche d'énergie entre E
et E+dE qui s'exprime par : dn = 2 f(E,T).De(E) dE
Ce qui intégré entre EC et l'infini permet de déterminer la concentration n d'électrons
dans une bande de conduction supposée s'étendre jusqu'à l'infini. Mais, ainsi que le
montre la figure 12, dans la bande dite de conduction BC les niveaux effectivement
occupés sont en nombre très vite voisin de zéro dès qu'on s'éloigne un peu du bas de la
bande de conduction. Notons que la surface correspondant aux niveaux occupés dans la

8
bande de conduction est équivalente à celle correspondant aux niveaux vides de la bande
de valence.

Figure 12 : Représentation des niveaux occupés et vides dans un semiconducteur

On remarque aussi que, dès lors que la température augmente, le nombre de niveaux
occupés dans la bande de conduction augmente donc que la conductivité électrique du
semiconducteur s'est améliorée.
La concentration en électrons se déduit de la connaissance de la densité d'états et de la
probabilité d'occupation.
2 E  EC E  EC
n 3
.(2m e .KT) 3 / 2 exp( F )  N C . exp( F )
h KT KT
3/ 2
19 
T 
avec N C  2,72.10  
 300 
De même qu'on a pu déterminer une masse effective me de l'électron dans le
semiconducteur, on peut définir une masse effective mh des trous dans la bande de
valence. Notons que, par nécessité, il y a dans un semiconducteur intrinsèque autant de
trous dans la bande de valence que d'électrons dans la bande de conduction, ainsi si l'on
appelle p la concentration en trous on aura n = p. Et en faisant le même raisonnement
pour les trous que pour les électrons on peut montrer que
2 EV  EV EV  EV
p .( 2 m t .KT) 3/ 2
exp( )  N V . exp( )
h3 KT KT
EV  EC
on en déduit : np  N C N V exp( )
KT
or n  p et l'on écrit n.p  n i2 en appelant conductivité intrinsèque la quantité
EG
n i  ( N C N V )1/ 2 exp(  ).
2KT
A partir des expressions de n et de p on peut en tirer le niveau de Fermi
1 3 m
E F  (E V  E C )  .KT.Log( t )
2 4 me
Aux températures usuelles la quantité kT est petite et le second terme peut-être négligé
en première approximation et le niveau de Fermi se trouve donc au milieu de la bande
interdite.
Remarque : On voit que le terme entre crochets dans l'expression de ni, variant en T
puissance 3/2, varie peu vis à vis du terme exponentiel, donc la conductivité d'un
semiconducteur intrinsèque varie sensiblement comme une exponentielle en -1/T ce qui
différencie sensiblement les semiconducteurs (figure 13) des métaux lesquels voient leur
résistivité varier sensiblement proportionnellement à T. Cependant si la température

9
vient à croître fortement (plusieurs centaines de °C) le terme en T3/2 va finir par varier
plus vite que le terme exponentiel et le semiconducteur verra alors une variation de sa
résistivité de type métallique ce qui ne présentera plus d'intérêt pratique : les
semiconducteurs ne pourront donc être exploités qu'à des températures proches de
l'ambiante. Dès lors qu'ils seront traversés par des courants importants, générant un
effet Joule conséquent, on sera donc contraint de les refroidir pour limiter leur
température à des valeurs acceptables pour lesquelles leurs propriétés restent
convenables. Cette contrainte explique la présence de radiateurs et de ventilateurs dans
nombre de dispositifs à semiconducteurs.

Figure 13 : Variations de la
concentration intrinsèque en
fonction de la température.

L'objet de ce chapitre est donc de modéliser les différents phénomènes qui contribuent à la
circulation d'un courant électrique dans le semi-conducteur : ces phénomènes sont appelés
phénomènes de transport, et relèvent essentiellement de deux classes de phénomènes :
* la conduction : un courant circule sous l'action d'un champ électrique macroscopique, dû par
exemple à une polarisation extérieure ;
* la diffusion : il s'agit d'un transport de charge dû au caractère localement inhomogène de la
répartition des charges électriques dans le matériau.

Propriétés de transport
a- Mouvement des charges dans le réseau cristallin
Le modèle de Drude propose un traitement classique de la conduction et de la
diffusion. Les électrons et les trous y sont modélisés comme des particules classiques,
affublées cependant d'une masse effective traduisant leur interaction avec le réseau
cristallin.
Le concept de masse effective permet donc de s'affranchir, lors de l'étude des
phénomènes de transport, de la complexité d'une modélisation quantique, tout en
conservant l'ingrédient fondamental qu'est l'interaction électron-réseau.
vitesse

v moy

temps
 
Figure 14 : Mouvement de l’électron dans un réseau cristallin

Ainsi que l'illustre la figure 14, chaque électron possède, si l'on se restreint à un
mouvement unidimensionnel, un mouvement en dent de scie.

10
 
En présence d'un champ électrique extérieur, constant dans le temps, et uniforme E ,
l'électron/trou subit une : F =  q E  m * .a
m * .a et voit donc sa vitesse instantanée augmenter linéairement au cours du temps,
q.E.t
jusqu'à ce qu'une collision avec un ion du réseau ramène sa vitesse à zéro : v
m*
En présence d'un champ électrique E constant et uniforme, la vitesse d'entraînement
vaut donc simplement :
q.E. q.
 v   *
  .E avec   *
m m
Finalement, le courant électrique s'écrivant pour les électrons et pour les trous :
J n  n.q.vn et J p  p.q.v p
n et p étant les concentrations volumiques, respectivement en électrons et en trous, on
en déduit la loi d'Ohm locale :
n.q 2 .E. n
Jn    n .E : pour les électrons
mn*
p.q 2 .E. p
Jp    p .E : pour les trous
m*p
Notons qu'on peut modéliser l'effet des collisions sous la forme d'une force de type
(frottement visqueux) s'appliquant sur la vitesse d'ensemble des électrons. En
m*
choisissant la force telle que : Ff   .v

Le principe fondamental de la dynamique s'écrit :
m* dv m *
m * .a   q.E  .v  m* .  .v  q.E
 dt 
q.E t
 v(t )   .(1  exp(  )
m .
*

b- Conductivité électrique :
Dans un semi-conducteur la conduction de l'électricité est assurée par les électrons et
les trous. Si on applique un champ électrique E , on aura une densité de courant:
  
J d  e.(n.n  p. p ).E  ( n   p ).E
avec :  n  n.e. n et  p  p.e. p
Le tableau 2 résume les valeurs des principaux paramètres pour le Germanium le
Silicium et l'Arséniure de Gallium:
Ge Si GaAs
Largeur du gap (eV) 0.67 1.12 1.44
Concentration atomique (cm - 4.4 10 22 5 10 22 2.2 1022
3)

Concentration intrinsèque 2.4 1013 1.5 1010 9 106

(cm )-3

Mobilités n 3900 1350 8600

(cm /V.s)
2 p 1900 480 250

c-Diffusion et relation d’Einstein :

La diffusion de particule résulte, de manière très générale, d'une inhomogénéité
locale de concentrations, qui traduit une rupture d'équilibre thermodynamique : le retour

11
a l'équilibre tend a homogénéiser les concentrations par transport de particules (figure
15).

 Figure 15 : Diffusion des électrons, dû à

n
une concentration non uniforme
-

La loi de Fick, exprimé à travers une relation de proportionnalité entre le gradient de

concentration et le courant de diffusion, permet de calculer la densité de courant
dn dp
d’électrons et de trous par les deux relations : J n  q.D n. . et J p  q.D p. .
dx dx
Dans ces deux relations les quantités Dp et Dn sont appelées constantes de diffusion.
D (cm2/s) Ge Si
Dp 44 6.5
Dn 93 31

Lorsqu'on est en présence, à la fois d'un champ électrique et d'un gradient de

concentration, les courants de conduction et de diffusion s'ajoutent, soit :
dn dp
J n  q.n. n .E  q.Dn. . et J p  q.p. p .E  q.Dp .
dx dx
On voit que, a l'instar de ce qui se passait pour la conduction électrique, la
diffusion est d'autant plus importante que, toute chose égales par ailleurs, le libre
parcours moyen est plus élevée : conduction et diffusion dépendent donc de la même
façon des collisions. Cette similarité de comportement sera formalisée dans la relation
d'Einstein, liant la mobilité et la constante de diffusion, que nous allons établir :
  
En supposant que le champ électrique E dérive d’un potentiel  : E   , et que la
e

concentration des trous suit une répartition de Boltzmann : p  C p .e kT
, on pourra
dp q 2.Dp..p d q.Dp
écrire que : Jp  q.p.p .E  q.Dp..  q.p.p .E  .  q.p.E(p  ) 
dx kT dx kT
 
A l’équilibre thermique ( J n  J p  0 ), on pourra déduire l’égalité suivante, appelée
"relation d’Einstein" : D p  kT . p ( D n  kT . n )
q q

12