2022-2023

PHYSIQUE DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES

Cours destiné aux étudiants

en Licence 1 SRIT

M. KOUADJO ANO
Enseignant – Chercheur à l’ESATIC / Responsable UP physique
Email: ano.kouadjo@esatic.edu.ci / Cel: +225 07 57 14 00 02
Wh: +225 01 71 49 11 11
Direction de la pédagogie - Bureau n°8
 2022-2023

SOMMAIRE
CH1: THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS

1. Rappel sur la structure de la matière

2. Semi-conducteurs à l’équilibre thermodynamique

3. Semi-conducteurs hors équilibre thermodynamique

CH2: JONCTION PN

1. Jonction PN à l’équilibre thermodynamique

2. Jonction PN hors équilibre thermodynamique

1
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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

1 – RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE

1.1. Structure de l’atome

L’atome est constitué d’un noyau autour duquel gravitent des électrons de charges électrique
négative ( 𝒒 = −𝟏, 𝟔 𝟏𝟎−𝟏𝟗 Coulomb).

Le noyau contient deux types de particules:

❑ Les neutrons qui ne sont pas chargés

❑ Les protons qui portent une charge électrique + q

L’atome étant électriquement neutre, le nombre de protons est égal au nombre de

neutrons.

Les électrons d’un atome gravitant autour du noyau sont assujettis à occuper des niveaux
d’énergie discrets E1, E2... En, définissant chacun une couche électronique.

Plus le niveau est élevé, plus la couche qui lui correspond est éloignée du noyau.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

Si l’on choisit comme origine énergétique (E = 0 eV) celle d’un électron soustrait à l’influence du
noyau (c’est-à-dire porté à une distance infinie), toutes les valeurs des nivaux d’énergies En sont
négatives (1 eV représente 1,6 10-19 Joule). Cela se traduit par le fait qu’il faut produire un
travail pour éloigner un électron.

Figure 1 : diagramme d’énergie d’un atome isolé

3
3
 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

On distingue :
• Les électrons internes qui occupent les premières couches. Ils sont alors très
fortement liés au noyau
• Les électrons de valence (ou périphériques) qui occupent la couche la plus
externe. Ces électrons de valence sont peu liés au noyau.

Considérons un atome de silicium qui possède 14 électrons (Z = 14). Ces électrons

sont répartis sur trois couches électroniques :

• K (2 électrons)
• L (8 électrons)
K
• M (4 électrons) L
M

Contrairement aux deux premières, la dernière couche (M) est incomplète, elle peut
accueillir 4 électrons supplémentaires. En effet, Il faut savoir que tous les atomes
tendent à avoir huit électrons sur leur couche périphérique.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
1.2 Structure d’un cristal

Un cristal est constitué d’un ensemble d’atomes dont les noyaux sont répartis dans l’espace de
façon régulière. La cohésion des atomes est assurée par la mise en commun des électrons de
valence pour former des liaisons dites de covalence.

Les états énergétiques possibles des

électrons du cristal sont représentés par un
diagramme analogue à celui de l’atome. Mais
du fait de l’interaction des atomes entre
eux, les niveaux d’énergie se transforment
en bandes d’énergie séparées par des
bandes interdites (où il n’y a pas d’états
permis).

Figure 2 : bande d’énergie dans un cristal

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5
 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Les bandes d’énergie accessibles aux électrons sont appelées bandes permises.
Deux bandes permises consécutives sont séparées par une bande dite bande interdite qui ne
peut être occupée par les électrons.

A l'état fondamental de la matière c.-à-d. T ≈ 0°K, les deux bandes externes déterminent
les propriétés électriques du solide.

EC

EG

EV

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
▪ La bande de conduction (BC): c’est la bande permise supérieure (la plus externe). Le niveau
d’énergie le plus bas est appelé niveau de conduction (EC). La BC est partiellement remplie ou
vide à 0°K. Les électrons de la bande de conduction sont dit électrons libres. Ils peuvent se
déplacer au sein du matériau, d'atome en atome, pour participer à la conduction électrique.

▪ La bande de valence (BV): c’est la bande permise inférieure. Son niveau d ’énergie le plus
haut est appelé niveau de valence (EV). A à 0°K, cette bande d'énergie est complètement
remplie d'électrons dits électrons de valence (électrons liés). De ce fait, ils ne participent pas
à la conduction électrique, permettent la cohésion locale du solide (stabilité de la structure).

NB: les électrons de valence peuvent passer de la BV à la BC , donc devenir électrons libres, avec un apport
extérieur d’énergie suffisant.

▪ La bande gap ou gap: c’est la bande interdite qui sépare la bande de conduction (BC) et la
bande de valence (BC). Sa largeur énergétique est notée EG : 𝑬𝑮 = 𝑬𝑪 − 𝑬𝑽 (eV)

Chaque type de matériau présente une hauteur de bande interdite qui lui est propre, cette
différence d’énergie, qui joue un rôle fondamental, permet de distinguer les matériaux isolants,
semi-conducteurs et conducteurs.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
1.3 Isolant, semi-conducteur, conducteur
La nature isolant, semi-conducteur ou conducteur d’un matériau est fonction de la
largeur de sa bande interdite.

Structures conducteur (métallique)

Dans un matériau conducteur, il y a chevauchement des bandes permises: la bande
interdite est quasi inexistante ou très mince. De ce fait, il n’y a presque pas besoin d’apport
d’énergie pour faire passer des porteurs dans la BC où leur déplacement sous l’action d’un
champ électrique permettra de créer ainsi un courant électrique.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Structures isolant et semi-conducteur

Pour qu’un électron passe de la BV à la BC où il pourra participer à la conduction du

courant électrique, il faut lui communiquer une énergie supérieure à la largeur de la bande
interdite EG 𝑬𝑮 = 𝑬𝑪 − 𝑬𝑽 (eV).

Selon la valeur du gap, le matériau pourra être Isolant ou semi-conducteur :

▪ Pour un matériau semi-conducteur, généralement EG < 1.2 eV. Ainsi, il suffit de
communiquer aux électrons une très faible énergie pour qu'ils franchissent le gap et
devenir libres.
La valeur de EG à 300 °K de quelques semi-conducteurs :

Germanium (Ge) 0,67 eV

Silicium (Si) 1,12 eV

Arséniure de Gallium (AsGa) 1,40 eV

▪ Pour un matériau isolant (EG ≥ 7eV), l’énergie nécessaire pour faire passer un électron de la
BV à la BC est supérieure à l’énergie maximale admissible sur le matériau. De ce fait, il y
aura destruction du matériau avant de générer des électrons libres. Ex: la silice SiO2 (9 eV).

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2 – Semi-conducteur à l’équilibre thermodynamique
L’industrie fabrique les semi-conducteurs avec un haut degré de pureté (moins de 1 atome étranger
pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de semi-conducteur intrinsèque.

exemple, l’atome de silicium possède 4 électrons sur sa couche périphérique car il appartient à la 4°
colonne de la classification périodique des éléments indiquée ci-dessous.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.1 Semi-conducteur pur ou intrinsèque
Considérons un cristal de silicium pur, non excité, au zéro absolu (0°K) et dans l’obscurité. Afin
d’avoir huit électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 électrons
périphériques en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium la
représentation de la figure ci-dessous.

La mise en commun des électrons

périphériques, appelée liaison de
covalence, assure la cohésion du cristal de
silicium. Les électrons qui participent à
ces liaisons sont fortement liés aux
atomes de silicium. Il n’apparaît donc
aucune charge mobile susceptible
d’assurer la circulation d’un courant
fig. Cristal de silicium à 0°K électrique.

Le silicium p ur est alors un isolant, en effet sa bande de valence est saturée (toutes les places
sont occupées). Sa bande de conduction (qui offre cependant des places libres) est alors vide.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.2 Ionisation thermique : génération de paires électrons trous
Lorsque la température augmente, l’agitation thermique désordonne la configuration figée
précédente (0°K). En effet, les électrons qui possèdent une énergie positive supplémentaire,
provoque la rupture de quelques liaisons de covalences.

Lorsqu’un des électrons participant à une liaison de

covalence acquière une énergie suffisante pour quitter
l’atome auquel il était lié (fig). Il devient alors un porteur
libre, capable de se déplacer dans le cristal, autorisant
ainsi la circulation d’un courant électrique sous une
différence de potentiel. Le cristal devient alors un
mauvais isolant d’où son appellation de semi-conducteur.

Fig. Création d’une paire électron trou par rupture

d’une liaison de covalence sous l’effet de la température

➢ La place vacante laissée par l’électron qui a quitté la bande de valence est devenue un trou.

➢ L’atome de silicium qui a perdu un électron n’est plus alors électriquement neutre : il est
devenu un ion positif.

Remarque : ce phénomène d’ionisation thermique n’intéresse qu’un nombre très faible d’atomes de
silicium (3 sur 1013 à la température de 300 °K).
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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.3 Hauteur de bande interdite et génération de paires électrons trous

Le paramètre essentiel qui caractérise le semi-conducteur est la quantité d’énergie minimale

nécessaire pour briser une liaison de covalence, ce qui revient dans le modèle des « bandes
d’énergie » à faire « grimper » un électron de l’un des niveaux de la bande de valence sur l’un des
niveaux de la bande de conduction.

Ainsi l’énergie minimale requise pour générer une

paire électron-trou correspond à la hauteur de
bande interdite EG dont la valeur est indiquée dans
le tableau suivant pour divers matériaux :

13
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 2.4 Phénomène de recombinaisons des électrons libres

L’ionisation thermique devrait conduire à l’ionisation de tous les atomes de silicium à savoir :
5.1022 atomes par c m 3. En fait, elle est compensée par un autre phénomène : les
recombinaisons d’électrons libres.
En effet, un électron libre, arrivant, lors de son
déplacement dans le cristal, à proximité d’un ion
positif peut être “capturé” par ce dernier afin de
satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). La
liaison de covalence est alors rétablie. Dans le
modèle des bandes (figure) un électron de la bande
de conduction libère sa place et vient occuper une
place libre dans la bande de valence, neutralisant
alors un trou.
Lorsque l’électron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le semi-conducteur
restitue l’énergie sous forme de chaleur ou émet de la lumière (photon). Ce dernier effet est utilisé
dans les diodes électroluminescentes (L.E.D.) ou les lasers semi-conducteurs. Le photon émis a une
énergie égale à EG selon :

l𝑬𝑮 = 𝒉𝒄 𝝺: longueur d’onde, h:constante de Planck e t c : vitesse de la lumière

En sens inverse, un photon qui possède une énergie supérieure ou égale à EG a le pouvoir de
générer une paire électron trou.
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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.5 Répartition des porteurs de charges dans les bandes permises

2.5.1. Répartition des électrons - Fonction de distribution de Fermi-Dirac

Considérons un niveau d’énergie E dans une bande permise. Soient n(E), la densité
d’électrons et N(E) la densité d’états (nombre de places disponibles) sur le niveau E.
La probabilité d’occupation du niveau E par un électron, à la température T est donnée par
la fonction de Fermi-Dirac fn(E) :
𝑛(𝐸) 1
𝑓𝑛 𝐸 = =
𝑁(𝐸) 1 + 𝑒𝑥𝑝 𝐸 − 𝐸𝐹
𝑘𝑇
▪ Le niveau énergétique EF appelé niveau de Fermi représente la limite entre les niveaux
vides et les niveaux occupés.
▪ Dans une bande permise, les électrons occupent les niveaux d’énergie à partir du plus bas.
↳ Les niveaux E < EF ⇒ occupés
↳ Les niveaux E > EF ⇒ vides
▪ EF correspond à une probabilité d’occupation de 1/2, à T = 0°K :
↳ E < EF ⇒ fn(E) = 1
↳ E > EF ⇒ fn(E) = 0
↳ E = EF ⇒ fn(E) = 1/2
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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

Représentation de la fonction de distribution de fermi-Dirac pour T2 > T1 > 0°K.

Quelque soit T :

1
f n ( EF ) =
2

Pour les matériaux semi-conducteurs, le niveau de Fermi EF est situé dans la bande
interdite. En effet, à 0°K, la BV est pleine et la BC vide: EV < EF < EC .

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.5.2. Répartition des trous

On affecte à un trou, l’identité d’une particule portant une quantité de charge q = +e

opposée à celle de l’électron. Le trou se déplace dans le sens opposé à l'électron.

La répartition des trous sur un niveau d’énergie E

suit aussi la fonction de distribution de Fermi-Dirac.

On a : 𝑓𝑛 𝐸 + 𝑓𝑝 𝐸 = 1

⇒ 𝑓𝑝 𝐸 = 1 − 𝑓𝑛 𝐸

1
⇒ 𝑓𝑝 𝐸 = 𝐸 − 𝐸𝐹
1 + 𝑒𝑥𝑝 −
𝑘𝑇

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.5.3. Densité des porteurs de charge dans les bandes permises

Dans le fonctionnement normal de la majorités des composants semi-conducteurs, le

matériau semi-conducteur est considéré non dégénéré càd que le niveau de Fermi EF est
situé dans la bande interdite BI. On supposera alors que: 𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 >> 𝐾𝑇 et 𝐸𝐹 − 𝐸𝑉 >> 𝐾𝑇

⇒ La fonction de distribution de Fermi-Dirac pour les électrons et les trous deviennent:

𝐸−𝐸𝐹 𝐸 − 𝐸𝐹
▪ Electrons: Pour E-EF >> KT ⇒ 𝑒𝑥𝑝 ≫1 ⇒ 𝑓𝑛 𝐸 ≈ 𝑒𝑥𝑝 −
𝑘𝑇
𝑘𝑇

▪ Trous: Pour EF-E >> KT ⇒ 𝑒𝑥𝑝 −

𝐸−𝐸𝐹
≫1 ⇒ 𝐸 − 𝐸𝐹
𝑘𝑇 𝑓𝑝 𝐸 ≈ 𝑒𝑥𝑝
𝑘𝑇
Les densités totales d’électrons dans la BC et de trous dans la BV sont données par :
𝐸𝐶𝑚𝑎𝑥 ∞
𝑛=න 𝑁𝐶 𝐸 𝑓𝑛 𝐸 𝑑𝐸 = න 𝑁𝐶 (𝐸)𝑒 −(𝐸−𝐸𝐹)/𝐾𝑇 𝑑𝐸
𝐸𝐶𝑚𝑖𝑛 𝐸𝐶
𝐸𝑉𝑚𝑎𝑥 𝐸𝑉
𝑝=න 𝑁𝑉 𝐸 𝑓𝑝 𝐸 𝑑𝐸 = න 𝑁𝑉 (𝐸)𝑒 (𝐸−𝐸𝐹)/𝐾𝑇 𝑑𝐸
𝐸𝑉𝑚𝑖𝑛 −∞

On montre que: 3ൗ
2𝜋𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇 2 NC: Densité d’état effective dans la BC
𝑁𝐶 = 2
𝑛 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 ℎ2 NV : Densité d’état effective dans la BV
Avec 3ൗ mn*: Masse effective des électrons
2𝜋𝑚𝑝∗ 𝑘𝑇 2
𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 𝑁𝑉 = 2
ℎ2 mp*: Masse effective des trous

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Figure: densité des électrons et des trous du silicium intrinsèque position du niveau
de Fermi EFI

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19
 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

On montre que NC et NV peuvent s’écrire sous la forme:

3ൗ 3ൗ 3ൗ 3ൗ
𝑚𝑛∗ 2 𝑇 2
et
𝑚𝑝∗ 2 𝑇 2
(cm-3)
𝑁𝐶 = 2,5. 1019 (cm-3) 𝑁𝑉 = 2,5. 1019
𝑚0 300 𝑚0 300

Le rapport des masses pour quelques semi-conducteurs à 300°K :

▪ Les masses effectives 𝑚𝑛∗ et 𝑚𝑝∗ sont les masses des particules en mouvement.
▪ La masse m0 est la mase au repos (m0= 9,1.10-31 kg).

❑ Loi d’action de masse

Le produit du nombre d’électrons dans la BC par le nombre de trous dans la BV est donné par:
𝑛. 𝑝 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 . 𝑁𝑉 𝑒 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇

𝑛. 𝑝 = 𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 𝑒 −𝐸𝑔 /𝑘𝑇

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.6 Concentration des électrons et des trou dans un semi-conducteur intrinsèque

2.6.1. Concentration intrinsèque 𝑛𝑖

Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur dépourvu de toute impureté
susceptible de modifier la densité de porteurs. Les électrons de la BC ne peuvent provenir
que de la BV, leur densité correspond donc à la densité des trous dans celle-ci.
𝑛0 = 𝑝0 = 𝑛𝑖 ni : densité de porteurs intrinsèques

D’après la loi d’action de masse, on a : 𝑛𝑖2 = 𝑛0 . 𝑝0 = 𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 𝑒 −𝐸𝑔 /𝑘𝑇

La concentration intrinsèque ni en électrons libres et en trous libres dépend de la hauteur de

bande interdite EG et de la température T. Pour le silicium à T= 300°K on obtient :
𝑛𝑖 =1,45 1010 𝑐𝑚−3 .
2.6.2. Le niveau de Fermi intrinsèque

En posant: 𝑛0 = 𝑝0 ⟺ 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹𝑖 )/𝑘𝑇 = 𝑁𝑉 𝑒 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹𝑖 )/𝑘𝑇

On montre que: 𝐸𝐶 + 𝐸𝑉 3 𝑚𝑝∗

𝐸𝐶 + 𝐸𝑉 1 𝑁𝑉
𝐸𝐹𝑖 = + 𝑘𝑇𝑙𝑛 ou 𝐸𝐹𝑖 = + 𝑘𝑇𝑙𝑛 ∗
2 2 𝑁𝐶 2 4 𝑚𝑛

Ainsi, on montre que le niveau de Fermi d’un semi-conducteur intrinsèque est très proche
du milieu de la bande interdite à t = 0°K : 𝐸𝐶 + 𝐸𝑉
𝐸𝐹𝑖 ≈
2

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.3. Semi-conducteur extrinsèque (dopé)

Le silicium intrinsèque a des applications pratiques limitées : photos résistance,

thermistance. Cependant, il est possible en introduisant certaines impuretés, par la technique du
dopage en quantité contrôlée, de privilégier un type de conduction : par électrons libres ou trous
libres.
2.3.1. Notion de donneurs et accepteurs
L’introduction d’impuretés (atomes spécifiques) dans un semi-conducteur intrinsèque
permet de modifier de manière contrôlée les propriétés électriques de celui-ci. Ce
processus est appelé dopage. Il permet de générer des électrons ou des trous
excédentaires dans le semi-conducteur.

▪ L’atome impureté introduit dans le semi-conducteur est appelé dopant.

➢ Si l’atome dopant génère un excédent d’électrons dans le semi-conducteur, il est dit
atome donneur. Le semi-conducteur est alors de type N.
➢ Si l’atome dopant génère un défaut d’électrons (donc un excès de trous) dans le
semi-conducteur, il est dit atome accepteur. Le semi-conducteur est alors de type P.

La nature donneur ou accepteur d’un atome dopant est définie par sa position et celle de
l’espèce chimique semi-conductrice dans le tableau de Mendeleïev. Ainsi, on a:

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

Accepteurs Semi-cond. Donneurs

▪ Les semi-conducteurs classiques sont obtenus dans le groupe IV du tableau (ex: Ge, Si).

▪ Les espèces chimiques du groupe III sont des atomes accepteurs (ex: le bore B) pour
le silicium (Si) et le germanium (Ge), donc des dopants de type P.

▪ Les espèces chimiques du groupe V sont des atomes donneurs (ex: le phosphore P)
pour le silicium (Si) et le germanium (Ge), donc des dopants de type N.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.3.2. Semi-conducteur dopé type N

Le dopage de type N consiste à incorporer dans le réseau cristallin des atomes qui
possèdent 5 électrons périphériques. Dans le cas du dopage du silicium au phosphore, chaque
atome de phosphore cherche à partager des paires d’électrons (liaisons covalentes) avec
chacun de ses atomes de silicium voisins pour posséder chacun 8 électrons périphériques.

Electron excédentaire
Il reste un électron de phosphore
supplémentaire qui ne peut être partagé. Le
cristal présente donc un excès d'électrons. Un
très faible apport d’énergie au cristal permet de
libérer ces électrons qui pourront ainsi se
déplacer dans le matériau.

▪ Le silicium étant chargé négativement (excès

d’électrons) est donc dit dopé N (N pour Négatif).

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.3.2.1. Niveau donneur ED

Dans l’approche énergétique, l’incorporation des atomes donneurs dans le semi-

conducteur créé un niveau d’énergie appelé « Niveau donneur ED » dans la bande interdite
très proche de la BC. Ainsi, un faible apport d’énergie peut libérer l’électron excédentaire
du niveau ED et le passer sur le niveau de conduction EC où il devient libre.

𝑁𝐷 ⟶ 𝑁𝐷+ + 1𝑒 −

Bande de conduction

Bande de valence

L’énergie nécessaire pour emmener l’électron excédentaire dans la bande de conduction est:
𝐸 = 𝐸𝐶 − 𝐸𝐷 (Energie d’ionisation)

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.3.2.2. Densités des porteurs de charges

Soit ND la concentration de phosphore incorporée. A la température ambiante tous les

atomes de phosphore sont pratiquement ionisés. La densité des électrons libres dans le
matériau est : 𝑛 = 𝑛0 + 𝑁𝐷

La densité de dopants est toujours très supérieure à densité de porteurs intrinsèques: ND >> n0.

𝑛 ≈ 𝑁𝐷
On déduit la densité des trous de la loi d’action de masse:
𝑛𝑖2
𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 𝑝≈
𝑁𝐷

Dans un semi-conducteur de type N :

La densité des électrons est supérieure à celle des trous (n >> p).
Les électrons sont appelés les majoritaires et les trous, les minoritaires.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.3.3. Semi-conducteur dopé type P

Le dopage de type P consiste lui à incorporer dans le cristal des atomes appartenant à la
colonne III, qui possèdent 3 électrons périphériques. Dans le cas du dopage du silicium au
bore, chaque atome de bore cherche à partager des paires d’électrons avec chacun de ses 4
atomes de silicium voisins pour posséder chacun 8 électrons périphériques.

Il manque un électron pour le bore. Le cristal

présente donc un défaut d'électrons. Ce manque
d’électrons est considéré comme un excès de trous.
Un très faible apport d’énergie au cristal permet
de libérer des électrons de la bande de valence
pour combler ces trous. Il en résulte donc un
transfert des trous dans la BV qui pourront ainsi se
déplacer dans le matériau.

▪ Le silicium étant chargé positivement (excès de

Manque d’électron
(Trou) trous) est donc dit dopé P (P pour Positif).

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.3.3.1. Niveau accepteur EA

Dans l’approche énergétique, l’incorporation des atomes accepteurs dans le semi-

conducteur crée un niveau d’énergie appelé « Niveau accepteur EA » dans la bande interdite
très proche de la BV. Ainsi, un faible apport d’énergie permet de libérer des électrons du
niveau de valence EV et les passer sur le niveau accepteur EA pour combler le manque.

𝑁𝐴 + 1𝑒 − ⟶ 𝑁𝐴−

Bande de conduction

+ + +

Bande de valence

L’énergie nécessaire pour emmener un électron sur le niveau accepteur (donc un trou dans la BV)
est: 𝐸 = 𝐸𝐴 − 𝐸𝑉 (Energie d’ionisation)

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28
 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.3.3.2. Densités des porteurs de charges

Soit NA la concentration de bore incorporée. A la température ambiante tous les atomes

de bore sont pratiquement ionisés. La densité des trous libres dans le matériau est :
𝑝 = 𝑝0 + 𝑁𝐴

La densité de dopants est toujours très supérieure à densité de porteurs intrinsèques: NA >> p0.

𝑝 ≈ 𝑁𝐴

On déduit la densité des électrons de la loi d’action de masse:

𝑛𝑖2
𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 𝑛≈
𝑁𝐴
Dans un semi-conducteur de type P :
La densité des trous est supérieure à celle des électrons (p >> n).
Les trous sont appelés les majoritaires et les électrons, les minoritaires.

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29
 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

2.3.4. Le niveau de Fermi extrinsèque

2.3.4.1. Pour un semi-conducteur de type N

On a : 𝑛 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 et 𝑛 ≈ 𝑁𝐷

𝑁𝐶
⇒ 𝑁𝐷 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹𝑛 )/𝑘𝑇 ⇒ 𝐸𝐹𝑛 = 𝐸𝐶 − 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑁𝐷
▪ Plus la densité des donneurs ND est élevée, plus EF se rapproche de la
bande de conduction.
▪ Pour ND = NC, le niveau de Fermi EF entre dans la bande de conduction:
le semi-conducteur est alors dit « dégénéré ».

2.3.4.2. Pour un semi-conducteur de type P

On a : 𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 et 𝑝 ≈ 𝑁𝐴

𝑁𝑉
⇒ 𝑁𝐴 = 𝑁𝑉 𝑒 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹𝑝 )/𝑘𝑇 ⇒ 𝐸𝐹𝑝 = 𝐸𝑉 + 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑁𝐴
▪ Plus la densité d'accepteurs NA est élevée, plus EF se rapproche
de la bande de valence.
▪ Pour NA = NV, le niveau de Fermi EF entre dans la bande de valence:
le semi-conducteur est alors dit aussi « dégénéré ».
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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

Figure : Libération d’un électron par l’atome

de phosphore et schéma des bandes

Figure : Silicium dopé au bore, libération d’un

trou et schéma des bandes

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
3 - Semi-conducteur hors équilibre thermodynamique
3.1. Mobilité des porteurs de charge
Considérons un ensemble de particules constitué de N électrons libres (nuage ou gaz
d’électrons). En l’absence de force extérieure appliquée (Champ électrique), les particules
se déplacent de façon aléatoire.
La vitesse moyenne de déplacement du nuage d’électrons est donnée par :
1
𝑉𝐷 = ෍ 𝑣𝑖 (E.1) Avec 𝑣𝑖 la vitesse instantanée des particules
𝑁
𝑛
La vitesse moyenne 𝑉𝐷 est nulle car aucune direction n’est privilégiée (mouvement Brownien).
Si maintenant, on applique une force extérieure, l’équation du mouvement est exprimée par :
𝑑𝑉𝐷
𝑚 = 𝐹Ԧ = 𝑞𝐸 (E.2)
𝑑𝑡
𝑞𝜏 𝑞𝜏
La solution de l’équation E.2 est donnée par : 𝑉𝐷 = 𝑚 𝐸 = 𝜇𝐸 Avec, 𝜇 =
𝑚

La vitesse des particules est proportionnelle au champ 𝐸 appliqué.

La mobilité des particules notée 𝜇 (cm2/Vs) est la constante de proportionnalité.

Pour les électrons : 𝜇𝑛

On notera : 𝑉𝑝 = 𝜇𝑝 𝐸 𝑉𝑛 = −𝜇𝑛 𝐸
Pour les trous : 𝜇𝑝

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32
 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

La figure suivante présente la variation de la mobilité des électrons et des trous dans
le silicium à 300K en fonction de la concentration d’impuretés.

La mobilité décroît avec le niveau de dopage.

33
33
 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

3.2. Densité totale de courant de dérive et Résistivité

3.2.1. Densité totale de courant de dérive

L’application d’un champ électrique au semi-conducteur induit le déplacement des

porteurs de charge, origine du courant électrique.
La densité de courant dû au déplacement de N particules sous l’action d’un champ E est:
𝐽Ԧ = 𝑞𝑁𝑉𝐷 = 𝑞𝑁𝜇𝐸 = 𝜎𝐸
Avec 𝜎 = 𝑞𝑁𝜇 : la conductivité du matériau (𝛀-1cm-1)
L’existence de deux types de porteurs de charge dans le semi-conducteur va faire
apparaître deux courants :
▪ Pour les électrons : 𝐽𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸 = 𝜎𝑛 𝐸
▪ Pour les trous : 𝐽𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 𝐸 = 𝜎𝑝 𝐸

NB: 𝐽𝑛 et 𝐽𝑝 ont le même sens car 𝜎 > 0 (dépend de 𝑞2 )

La densité de courant total est donc : 𝐽Ԧ = 𝐽𝑛 + 𝐽𝑝

⇒ 𝐽Ԧ = 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 𝐸

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

3.2.2. Résistivité

1 1
D’après 𝐽Ԧ = 𝜎𝐸 ⇒ 𝜎 = 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 On a donc: 𝜌= =
𝜎 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝

La figure suivante présente la variation de la résistivité en fonction du niveau de dopage

pour le silicium à 300K.

Plus le niveau de dopage est élevé, plus la résistivité est faible.

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 Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

3.2. Densité totale de courant de dérive et Résistivité

3.2.3. Loi d’Ohm

Considérons un barreau semi-conducteur homogène de longueur finie l et de section finie s,

On a: D’après la loi d’Ohm :

𝑙
▪ 𝑈= 𝐸 ‫׬‬0 𝑑𝑥 𝜌. 𝑙
𝑈 = 𝑅𝐼 D’où: 𝑅 =
⇒ 𝑈 = 𝐸. 𝑙 (1) 𝑆
𝑈 𝐸. 𝑙
(1) & (2) ⇒𝑅= = Loi d’Ohm microscopique
1 𝐼 1 𝑆. 𝐸
▪ 𝑗 = 𝜎𝐸 = 𝐸 𝜌
𝜌
1
⇒ 𝐼 = 𝑗𝑆 = 𝑆. 𝐸 (2)
𝜌

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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

Fin

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