La base des composants électroniques

Chapitre 2

La base des composants électroniques

II n'est pas nécessaire de connaître le principe de fonctionnement des composants tels que
les diodes, les transistors, etc., pour savoir s'en servir correctement.
Les caractéristiques électriques externes données par les constructeurs sous forme de tableaux et
de courbes caractéristiques suffisent très largement.
Pourtant, certains élèves à l’esprit curieux, ne se sentent pas à l'aise avec un nouveau composant
tant que le mystère de son fonctionnement interne reste aussi hermétique que la capsule qui
l'entoure.
Dans le domaine de la technique, la curiosité est une grande qualité et nous ne voudrions surtout
pas décevoir ces étudiants. Aussi, vous trouverez dans le présent chapitre les bases théoriques
qui permettront de comprendre le fonctionnement interne des dispositifs qui seront étudiés plus
loin dans ce cours.

1. DÉFINITIONS DES SEMI-CONDUCTEURS

1.1. Résistivité

ρ⋅l
Rappel : la loi de Pouillet s’écrit : R=
s

Dans celle-ci, ρ représente la résistivité et a une valeur qui dépend de la nature du corps
considéré. Ainsi, à la température ordinaire, on relève les grandeurs suivantes :

- conducteurs : ρ < 10-5 Ωcm2/cm ,

- isolants : ρ < 107 Ωcm2/cm ,
- semi-conducteurs : 10-3 Ωcm2/cm < ρ < 107 Ωcm2/cm

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1.2. Influence de la température

La résistivité d'un corps varie en fonction de la température à laquelle se trouve celui-ci. Ce
fait est traduit par la loi de Matthiessen : ρ T = ρ 0 ⋅ (1 + a ⋅ T ) , où le coefficient de température,
" a ", est fonction de la nature du corps considéré.

Pour les conducteurs métalliques, le coefficient de température est positif, alors que pour les
semi-conducteurs celui-ci est, d'une part, négatif, et d'autre part, bien plus élevé en valeur
absolue.

Cela signifie que :

La résistivité d'un conducteur métallique augmente très légèrement

avec la température, tandis que celle d'un semi-conducteur diminue
sensiblement lorsque la température augmente.

1.3. Influence de l'éclairement

Si l'éclairement auquel est soumis un échantillon de semi-conducteur augmente, sa
résistivité diminue alors que celle d'un métal y est insensible.

1.4. Influence des impuretés

Si un échantillon de métal n'est pas totalement pur, sa résistivité n'en sera pratiquement pas
affectée, tandis que dans le cas d'un échantillon de semi-conducteur, quelques atomes d'un corps
étranger suffisent à modifier considérablement la valeur de la résistivité de cet échantillon.

1.5. En résumé

Un corps semi-conducteur est un corps dont la conductivité électrique

(conductivité = 1 / résistivité), est comprise entre celle des métaux et celle
des isolants, croît sous l'effet de la chaleur, d'une irradiation, ou de la
présence en son sein de certaines impuretés.

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2. AU NIVEAU ATOMIQUE

2.1. Rappels

En simplifiant, on peut dire que l'atome est constitué d'un

noyau central contenant des protons de charge électrique
positive (charge d'un proton = 1 u.c.a.) autour duquel gravitent
des électrons de charge électrique négative (charge d'un
électron = - 1 u.c.a.). Chaque élément possède un certain
nombre invariable de protons. Un atome à l'état "normal" est
électriquement neutre, c'est-à-dire que le nombre d'électrons
est identique au nombre de protons.

Les électrons d'un atome ne gravitent pas tous à la même distance

du noyau, mais sont répartis en plusieurs couches électroniques.
Exemple de représentation en 2D : l’aluminium (Figure 1.1).
La grande majorité des propriétés électriques, optiques et chimiques
d'un élément est déterminée exclusivement par la couche extérieure
de l’atome. Sur cette couche, il n'y a jamais plus de 8 électrons,
appelés électrons de valence.
La propriété générale des atomes est de tendre toujours vers une
Figure 2.1 couche électronique extérieure saturée (qui contient 8 électrons), que
se soit en perdant ou en gagnant des électrons (ionisation), voir
même en en partageant (liaison covalente). Cela explique le fait que les électrons de valence
d'un atome sont plus ou moins fortement liés au noyau suivant que la couche électronique
extérieure est proche ou loin d'être saturée.

Une définition générale du courant électrique est : « un déplacement de charges électriques ».

Dans les solides tels que les conducteurs métalliques ou les semi-conducteurs, ce sont bien sûr
les électrons qui constituent les charges électriques susceptibles de se déplacer. Pour
qu'un électron soit capable de se déplacer au sein même d'un solide, il faut qu'il ne soit lié à aucun
atome. On l'appelle dans ce cas « électron libre ». La valeur de la résistivité d'un métal ou d'un
semi-conducteur sera principalement déterminée par le nombre d'électrons libres présents.
En combinant les notions que nous venons de rappeler, on peut tenter d'expliquer la plus ou moins
grande conductivité offerte par les différents corps.

Figure 2.2

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• cas des conducteurs :

Les atomes d'un corps conducteur ont moins de 4 électrons de valence et, afin de réaliser
l'octet, tendent plus facilement à perdre ceux-ci qu'à en gagner. Ces électrons de valence sont
donc peu liés aux noyaux et deviendront « facilement » des électrons libres.
Exemple de corps conducteur : l'aluminium (Al) (Figure 2.1).

• cas des isolants :

Un atome d'un corps isolant a plus de 4 électrons de valence et n'a donc pas tendance à
perdre ceux-ci qui sont fortement liés au noyau. Un échantillon d'un tel corps offrira donc très peu
d'électrons libres et, par conséquent, présentera une résistivité élevée.
Exemple de corps isolant : le soufre (S) (Figure 2.2).

• cas des semi-conducteurs :

Lorsqu'un atome possède 4 électrons de valence, il est (généralement) à la fois mauvais

conducteur et mauvais isolant, car sa couche électronique extérieure tend autant à se compléter
qu'à se réduire. Les deux éléments semi-conducteurs les plus utilisés dans la construction des
composants électroniques sont le germanium (Ge) et le silicium (Si) (Figure 2.2).

2.2. Les orbites électroniques

Les électrons tournent autour du noyau atomique comme des satellites autour d'une planète.
La stabilité de leur orbite résulte d'un compromis entre la force d'attraction électrostatique
qu'exerce le noyau et la force centrifuge due à leur rotation.

On sait qu'il faut communiquer une énergie assez considérable à un corps terrestre si on veut le
satelliser autour de la terre. Cette énergie est d'autant plus grande que l'orbite sur laquelle on veut
placer le satellite est éloignée de la terre.

II en va de même pour les électrons d'un atome dont les orbites plus ou moins éloignées du noyau
correspondent à des énergies plus ou moins élevées. On va même jusqu'à caractériser chaque
orbite par le niveau d'énergie qui lui correspond.

Contrairement aux satellites terrestres, les électrons ne peuvent évoluer que sur certaines orbites
correspondant à des niveaux d'énergie bien déterminés qu'on appelle niveaux permis.
Tout niveau intermédiaire entre deux niveaux permis est un niveau interdit.

Les électrons peuvent occuper les niveaux permis en suivant les règles suivantes :

1. II ne peut exister plus d'un électron par niveau.

2. Les niveaux les plus bas (correspondant aux orbites les plus proches du noyau)
sont occupés en priorité.
3. Un électron recevant une énergie insuffisante pour le hisser à un niveau supérieur
refuse cette énergie et reste sur son orbite.
4. Un électron qui quitte son orbite pour un niveau plus bas restitue la différence des
énergies entre les deux niveaux sous forme d'un rayonnement qui peut être visible
ou thermique.

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2.3. La structure cristalline

Quand on rapproche plusieurs atomes identiques, comme dans un solide, ils ont tendance à
s'aligner dans des structures tridimensionnelles uniformes, la structure cristalline. La structure
cristalline d'un solide dépend dans une large mesure de la constitution de son atome et, plus
particulièrement, de ses électrons de valence. En effet, les atomes ont tendance à s'arranger de
façon à satisfaire les « besoins en électrons » de chacun d'entre eux. Le germanium et le silicium
ont tous deux la même structure cristalline : chaque atome a 4 électrons de valence et partage
chacun de ceux-ci avec un autre atome (liaisons covalente). Chaque atome est donc
équidistant de 4 autres atomes.

Figure 2.3 (a) Figure 2.3 (b)

Le tétraèdre de base

La représentation tridimensionnelle d'un

réseau cristallin n'étant guère commode,
nous utiliserons par la suite une
symbolisation simplifiée des atomes.
La figure 2.4 montre comment sera
désormais symbolisé un atome : un cercle
central représente tout l'atome à l'exception
de ses électrons de valence, tandis que les
points de faibles dimensions représentent
ceux-ci.

Figure 2.3 (c) Une maille du réseau cristallin de Ge Figure 2.4 un atome à 4 électrons
de valence

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Nous parvenons ainsi à une représentation bidimensionnelle d'un réseau cristallin, telle celle de la
figure 2.5.

Figure 2.5

3. L’AGITATION THERMIQUE
Les particules qui constituent la matière sont en perpétuel mouvement : les électrons
tournent autour des noyaux et ceux-ci, sont animés de mouvements vibratoires autour de leurs
positions moyennes. Ces mouvements s'appellent l'agitation thermique. On a établi une
corrélation entre la température d'un corps et le degré d'agitation des particules qui le constituent.

On peut citer comme exemples de cette corrélation :

• la dilatation est un phénomène qui s'explique par le fait que plus les atomes s'agitent plus ils ont
tendance à se repousser loin les uns des autres, augmentant ainsi le volume occupé par l'édifice
atomique ;

• la fusion des solides survient lorsque l'agitation des atomes est telle que des liaisons se rompent
et que l'édifice s'écroule ;

• la vaporisation est le passage de l'état liquide à l'état gazeux. Ce phénomène a lieu quand les
atomes (ou les molécules) sont projetés à de grandes distances les uns des autres par la violence
de l'agitation. Ils n'ont plus alors d'autres contacts entre eux que des chocs, ce qui explique
l'élasticité des gaz.

II n'y a, théoriquement, pas de limite supérieure à la température que peut atteindre un corps.
En revanche, l'absence totale d'agitation thermique survient à -273,15°C. Cette température,
est la plus basse qu'on puisse concevoir, et s'appelle le zéro absolu.

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4. SEMI-CONDUCTEURS INTRINSÈQUES
La nature des semi-conducteurs est telle que des quantités même très faibles de certaines
impuretés modifient considérablement leurs caractéristiques électriques. On qualifie
d'« intrinsèque » un semi-conducteur dont le taux d'impureté est extrêmement faible : moins d'un
atome d'impureté pour cent millions d'atomes de germanium et moins d'un atome d'impureté pour
dix milliards d'atomes de silicium (!).

4.1. Energie d'activation

Au zéro absolu (-273,15°C), le germanium et le
silicium intrinsèques correspondent exactement au
schéma de la figure 2.5 : tous les électrons sont
maintenus par leur atome d'origine et, grâce aux
liaisons covalentes, par les autres atomes.
A cette température, aucun électron libre n'est présent,
aucune charge ne peut donc se déplacer, c'est-à-dire
que le semi-conducteur se comporte comme un isolant
parfait !
Si on augmente alors la température, certains électrons
du semi-conducteur acquièrent une énergie suffisante
pour se libérer de l'atome d'origine en rompant la
Figure 2.6 liaison covalente (conversion de l'énergie thermique
en une autre forme d'énergie). Ces électrons sont alors
capables de se déplacer à travers la structure cristalline
car ils ne sont plus liés à un atome particulier. Un électron libre est aussi appelé « porteur »,
car il est porteur d'une charge électrique. L'énergie d'activation, E, nécessaire pour qu'un
électron quitte les deux atomes qu'il contribue à relier est :

• pratiquement nulle pour les métaux ;

• très grande pour les isolants ;
• sensible pour les semi-conducteurs.

Remarquons que ce qui vient d'être dit explique plusieurs faits rencontrés
lors de la définition des semi-conducteurs :

→ Influence de la température sur la résistivité :

• pratiquement nulle pour les conducteurs métalliques car, dès que la température atteint
quelques degrés Kelvin, pratiquement tous les électrons de valence passent à l'état
d'électrons libres (puisque E ≅ 0). Le fait que la résistivité des métaux augmente très
légèrement lorsque la température s'élève s'explique de la façon suivante : l'amplitude des
vibrations des ions du réseau cristallin croît avec la température, ce qui amène des collisions
plus fréquentes entre électrons libres et ions, c'est à dire à une diminution de la mobilité des
électrons libres.

• pratiquement nulle pour les isolants car l'énergie nécessaire à la libération d'un électron
est très importante.

• sensible pour les semi-conducteurs.

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→ Influence de l'éclairement sur la résistivité :

• pratiquement nulle pour les isolants et les conducteurs métalliques pour les mêmes
raisons que ci-dessus.

• sensible pour les semi-conducteurs. En effet, l'énergie d'activation, E, ne doit pas

obligatoirement être d'origine thermique, elle peut aussi être d'origine lumineuse.

4.2. Deux types de conductibilité

Examinons à présent ce qui se passe à l'endroit où un

électron a abandonné son atome d'origine : il laisse derrière lui
un vide, une lacune que l'on appelle « trou » (Figure 2.7).
L'apparition d'un électron libre correspondant forcément à
l'apparition d'un trou, et vice versa, on parle de « formation de
paire électron libre/trou ». Le cristal restant, au niveau
macroscopique, électriquement neutre et l'électron libre étant
porteur d'une charge négative (-1 u.c.a.), on arrive à la
conclusion que le trou est porteur d'une charge positive
(+1 u.c.a.). Ce dernier point peut sembler a priori étonnant (un
trou positif !), mais cela n'a rien d'illogique : lorsqu'un électron
Figure 2.7 quitte son atome d'origine, les 4 charges positives de celui-ci
(noyau + électrons de couches intérieures) demeurent alors
qu'il ne reste plus que 3 charges négatives (les électrons de
valence). En définitive, le départ de l'électron de valence a créé l'apparition d'un trou et d'une
charge positive. On peut donc raisonnablement considérer que c'est le trou qui est porteur de
cette charge positive.

Voici plus fort encore : Les trous (positifs) peuvent se déplacer ! En effet, quand un trou
est créé par le départ d'un électron de valence, un électron de valence d'un atome voisin peut
aisément le "remplir" en brisant sa propre liaison covalente et en "sautant" vers le premier atome.
Si un trou se trouve en A et un électron de valence en B, lorsque celui-ci remplit le trou en A, il
crée un trou en B et le trou s'est donc déplacé de A en B (Figure 2.8). Remarquez également que
le trou s'est déplacé en emportant sa charge positive.

Figure 2.8

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Si la conductibilité par les électrons libres se conçoit aisément, celle par les trous est moins
évidente. Aussi, faites bien attention à ce qui suit. Si on applique un champ électrique à un
semi-conducteur contenant des électrons libres et (donc) des trous, les électrons libres vont se
déplacer du pôle négatif vers le pôle positif tandis que les trous vont se comporter en
charges positives, et donc se déplacer du pôle positif vers le pôle négatif. Cela n'est
d'ailleurs pas en contradiction avec une des définitions du courant électrique qui veut que celui-ci
soit un écoulement d'électrons du pôle négatif vers le pôle positif. En effet, souvenons-nous qu'un
trou se déplaçant vers la droite est en fait un électron (non-libre) se déplaçant vers la gauche
(Figure 2.8). En conséquence, le courant dans un semi-conducteur peut être considéré comme
composé de deux parties : le courant d'électrons libres dans une certaine direction (imposée par le
champ électrique), et le courant de trous dans la direction opposée. Le courant total s'obtient en
additionnant ces deux parties.

Figure 2.9

Il reste un dernier point très important à préciser : bien que l'on vienne de rappeler que le
courant de trous est dû à des électrons qui se déplacent, il est fondamental de comprendre que ce
mouvement électronique ne soit pas du même type que celui qui crée le courant d'électrons libres.
En effet, les électrons qui causent le courant de trous sautent de trou en trou sans avoir jamais
assez d'énergie pour se libérer, alors que les électrons libres ont une énergie suffisante pour se
déplacer à travers le cristal sans jamais être liés en aucune façon à un atome particulier. Dans un
même ordre d'idée, on comprendra aisément que les électrons libres se déplacent plus rapidement
que les trous car ces derniers doivent effectuer un grand nombre de "petits sauts". On dit que
les électrons libres ont une mobilité supérieure à celle des trous.

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5. SEMI-CONDUCTEURS DOPÉS
Jusqu'à présent, nous avons étudié exclusivement les semi-conducteurs intrinsèques. Dans
pratiquement toutes les applications, on utilise des matériaux auxquels, après une purification très
poussée, on a ajouté volontairement un nombre fixé d'impuretés. Deux type d'impuretés sont
utilisées : soit un élément ayant 3 électrons de valence, soit un élément ayant 5 électrons de
valence. Après cette opération d'insertion contrôlée d'impuretés, le matériau est appelé « semi-
conducteur dopé ».

5.1. Semi-conducteurs dopés de type -P-

Dans ce type de semi-conducteur, les atomes d'impureté possèdent chacun 3 électrons de
valence (Figure 2.10). Pour qu'ils puissent être intégrés sans difficulté dans la structure cristalline
de Ge (Si), il faut que les atomes d'impureté aient des dimensions analogues à celle des atomes
de Ge (Si). Comme chaque atome possède seulement 3 électrons de valence, l'une des 4 liaisons
covalente ne peut se former. A la température ambiante, on peut considérer que l'atome
d'impureté a accepté un électron d'un atome voisin; il est donc devenu un ion négatif fixé
définitivement dans le réseau cristallin. Par ailleurs, l'électron de valence venu combler ce
« manque d'électron de valence » a laissé un trou derrière lui.

On arrive donc par ce procédé de dopage du semi-conducteur à

provoquer un excès de trous au sein du cristal. Si on fait le bilan
des porteurs présents dans un semi-conducteur de type P, on
constate que l'on y trouve :

• des trous provenant de l'intégration des atomes trivalents,

• des trous d'origine thermique

• des électrons libres d'origine thermique.

Figure 2.10

Les porteurs dus aux impuretés étant d'une façon générale toujours BEAUCOUP
plus nombreux que les porteurs d'origine thermique, on remarque que, dans le cas
présent, la GRANDE MAJORITE des porteurs sont des trous.
Pour cette raison, dans un semi-conducteur dopé de type P :
- les trous sont appelés « porteurs majoritaires »,
- les électrons libres sont qualifiés de « porteurs minoritaires ».
Enfin, dans ce type de semi-conducteur, les atomes d'impureté
portent le nom d'« atomes accepteurs ».
La figure 2.11 montre la représentation symbolique adoptée pour
les semi-conducteurs de type P.

Figure 2.11

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5.2. Semi-conducteurs dopés de type -N-

Dans les semi-conducteurs de type N, chaque atome
d'impureté possède 5 électrons de valence (Figure 2.12). La
même remarque que celle vue pour le type P peut être faite au
sujet des dimensions des atomes d'impureté. Chaque atome
d'impureté dispose de 5 électrons de valence : 4 seulement sont
nécessaires pour compléter les liaisons covalentes et le
cinquième électron se sépare très facilement de son atome
d'origine en devenant un électron libre. L'atome d'impureté qui a
ainsi donné son cinquième électron devient un ion positif fixé
définitivement dans le réseau cristallin, tandis qu'un électron
libre non-thermique peut se déplacer dans le réseau cristallin. On
arrive donc par ce procédé de dopage du semi-conducteur à
provoquer un excédent d'électrons libres.
Figure 2.12

Si on fait le bilan des porteurs présents dans un semi-

conducteur de type N, on constate que l'on y trouve :

• des électrons libres provenant du « don » des

atomes d'impureté,

• des électrons libres d'origine thermique,

• des trous d'origine thermique.

Figure 2.13

On remarquera aisément que, dans le cas des semi-conducteurs de type N, la GRANDE

MAJORITE des porteurs sont des électrons libres.

Dans ce type de semi-conducteur, les électrons libres sont nommés « porteurs majoritaires »,
alors que les trous s'appellent « porteurs minoritaires ».

Les atomes d'impureté se font cette fois appeler « atomes donneurs ». La figure 13 montre la
représentation symbolique adoptée pour les semi-conducteurs de type N.

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Chapitre 2

6. COMPORTEMENT DES PORTEURS

6.1. Formation thermique et recombinaison
Dès que la température absolue d'un semi-conducteur n'est plus nulle (T > 0 K), ses
électrons acquièrent une certaine énergie qui peut les faire rompre leurs liens.
Lorsqu'un électron parvient à rompre ses liens, deux porteurs apparaissent au sein du corps :
un trou porteur d'une charge positive et un électron libre porteur d'une charge négative.
Ce phénomène porte le nom de production thermique d'une paire électron libre/trou. Le taux de
production thermique de paires électron libre/trou dépend de la température ET de la nature du
semi-conducteur. En effet,

• pour un semi-conducteur déterminé, le nombre de porteurs présents dépendra de la

valeur de la température puisque c'est l'énergie d'origine thermique qui permet à un
électron de briser ses liens.

• pour une température déterminée, le nombre de porteurs présents dépendra de la

nature du semi-conducteur puisque l'énergie d'activation, E, n'a pas la même valeur
pour tous les corps. Ainsi, à une température fixée, le taux de production thermique
est plus élevé dans le Ge que dans le Si car une énergie, E, plus faible suffit pour faire
passer un électron de valence à l'état d'électron libre.

Quand un électron libre se déplace dans le réseau cristallin, il peut rencontrer un trou, le
combler et redevenir ainsi un électron de valence, c'est-à-dire un électron lié au réseau. Ce
phénomène porte le nom de recombinaison. Après une recombinaison, deux porteurs ont
disparu : le trou qui n'existe plus et l'électron qui n'est plus libre. Le taux de recombinaison
dépend du nombre de trous et d'électrons libres présent dans le matériau considéré.
Lorsque le taux de production thermique de paires électron libre/trou est égal au taux de
recombinaison, le nombre des porteurs présents ne varie pas (d’un point de vue
macroscopique) et on dit que le matériau est en équilibre thermique.

6.2. Température et résistivité

La conductivité d'un corps augmente quand le nombre de porteurs disponibles augmente.
Dans le semi-conducteur intrinsèque, les électrons libres et les trous sont en nombre égaux et tous
d'origine thermique. Le nombre de ces porteurs augmentant avec la température (cf. § 6.1), la
conductivité d'un semi-conducteur intrinsèque augmentera avec la température. La figure 2.14
illustre ce fait.

Dans les semi-conducteurs dopés, le nombre de trous n'est plus égal au nombre
d'électrons libres et le nombre de porteurs dus aux impuretés est, aux températures ordinaires,
TRES LARGEMENT SUPERIEUR au nombre de porteurs d'origine thermique. Comme le
nombre de porteurs dus aux impuretés ne dépend pas de la température, la résistivité d'un semi-
conducteur dopé ne varie qu'assez peu en fonction de celle-ci, aux températures ordinaires. A ces
températures, la conductivité du semi-conducteur dopé diminue légèrement lorsque la température
augmente car la mobilité des porteurs diminue.

Page - 42 - G.Vloeberghs Les semi-conducteurs

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Par contre, lorsque la température croît fortement, le nombre des porteurs d'origine
thermique peut devenir comparable et même très supérieur à celui des porteurs dus aux
impuretés. Dans ce cas, le semi-conducteur redevient intrinsèque (majorité de porteurs d'origine
thermique) et la résistivité diminue lorsque la température augmente. La figure 2.15 illustre cela.

ρ (Ω cm /cm)
2

5
10 ρ (Ω cm /cm)
2

4
10
3 3
10 10
2 2
10 10
10 10
1 1
D I
0,1 0,1
200 400 600 T(°C) -200 0 200 400 600 T(°C)

Figure 2.14 Figure 2.15

6.3. Courant de diffusion

Nous avons vu (cf. 4.2) que, sous l'effet d'un champ électrique extérieur un courant circule
dans un semi-conducteur. Toutefois, un courant peut circuler dans le semi-conducteur en
l'absence de champ électrique extérieur, si au sein de celui-ci il y a un gradient de
concentration de porteurs, c'est-à-dire lorsque la concentration d'un type (quelconque) de
porteurs est plus élevée dans une région du semi-conducteur que dans le reste du cristal.
Dans le cas où un gradient de concentration existe, les porteurs, qu'il s'agisse de trous ou
d'électrons libres, ont tendance à se déplacer de la zone de forte concentration vers la zone
de faible concentration. On dit qu'ils « diffusent » en dehors de la zone de forte concentration et
le courant qu'ils produisent est appelé « courant de diffusion ». Considérons un barreau de semi-
conducteur de type P dans lequel les charges sont distribuées de façon homogène (pas de
gradient de concentration). Si on injecte un grand nombre d'électrons libres (porteurs minoritaires
pour le barreau) à l'une des extrémités du barreau, la densité électronique y sera nettement plus
élevée que dans le reste du cristal. Les électrons excédentaires vont donc diffuser vers l'autre
extrémité du barreau et chercher à se distribuer uniformément. Ces électrons disparaîtront
finalement par recombinaison avec les trous. Deux phénomènes distincts se manifestent donc
quand des porteurs minoritaires sont injectés dans un semi-conducteur : ils diffusent et se
recombinent avec des porteurs majoritaires. Ces porteurs disparaissent donc après un certain
temps ( = durée de vie des porteurs excédentaires) et après avoir parcouru une certaine
distance ( = longueur de diffusion des porteurs minoritaires).

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7. QUESTIONNAIRE

Q.2.1. Cochez la ou les bonnes réponses

(a) Un semi-conducteur se comporte comme un isolant parfait :

lorsqu’il est dopé de type P

lorsqu’il n’est pas dopé
Lorsqu’il est à la température du zéro degré absolu
Lorsqu’une jonction PN a été créée

(b) L’énergie d’activation :

est l’énergie due à la barrière de potentiel au sein de la jonction PN

est très grande pour les métaux conducteurs
est l’énergie nécessaire pour qu'un électron quitte les deux atomes qu'il contribue à relier
est très grande pour les isolants

(c) Dans un semi-conducteur dopé de type N :

les atomes d'impureté ont 3 électrons de valence

les trous sont appelés porteurs majoritaires
les électrons libres sont plus nombreux que les trous
les atomes d'impureté sont appelés atomes accepteurs

(d) Un trou :

se déplace par petits sauts successifs

se déplace dans le même sens que l’électron
est toujours un porteur minoritaire
peut être créé par agitation thermique

(e) Un électron libre :

a une mobilité plus grande que celle d’un trou

se déplace du pôle + vers le pôle -
est toujours un porteur majoritaire
peut être créé par dopage

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(f) Les porteurs dus aux impuretés :

sont toujours plus nombreux que ceux produits par agitation thermique
sont toujours porteur d’une charge électrique négative
sont toujours des porteurs majoritaires dans leur propre région
sont fortement liés aux atomes du semi-conducteur

(g) quand des porteurs minoritaires sont injectés dans un semi-conducteur :

ils deviennent des porteurs majoritaires

ils se dispersent en créant un courant de diffusion
ils disparaissent après un certain temps
ils se retrouvent tous à l’autre extrémité du semi conducteur

(h) un corps possédant moins de 4 électrons de valence :

est un corps semi-conducteur

est un corps isolant
est un corps conducteur
a autant de protons que d’électrons

(i) Quand une tension est appliquée à un semi-conducteur :

les électrons libres se déplacent vers le pôle positif et les trous vers le pôle négatif
les électrons libres se déplacent vers le pôle négatif et les trous vers le pôle positif
les électrons libres se déplacent vers le pôle positif et les électrons de valence vers
le pôle négatif
les électrons libres et les trous se déplacent vers le pôle positif

(j) Dans un semi-conducteur dopé (à une température "ordinaire") :

le nombre de trous est égal au nombre d'électrons libres

les porteurs d'origine thermique sont beaucoup plus nombreux que les porteurs provenant du
dopage
les porteurs provenant du dopage sont beaucoup plus nombreux que les porteurs d'origine
thermique
les porteurs d'origine thermique ont disparu par recombinaison

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Chapitre 2

Cette page reste intentionnellement vierge

Page - 46 - G.Vloeberghs Les semi-conducteurs