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FST Béni-Mellal – LST Conception et Fabrication Mécanique
Chp. 2 Structure des matériaux
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Chp. 2 Structure des matériaux
La « taille » d’un atome ou d’un ion dépend du type de liaison concerné, à travers les positions
relatives les plus probables de deux particules voisines (minimum d’énergie). Le rayon atomique
augmente lorsque l’on descend le long d’une colonne de la classification périodique ; les anions
sont d’une manière générale beaucoup plus « encombrants » que les cations, ce qui explique
l’arrangement des solides ioniques à l’échelle atomique. On distingue ci-dessous les liaisons selon
la nature de l’interaction concernée.
2. 1 Liaison covalente :
La liaison covalente résulte de la mise en commun d’une ou de plusieurs paires d’électrons par
deux atomes dont la couche électronique externe est incomplète. Cette paire devient commune aux
deux atomes qui complètent ainsi leur couche électronique externe qui acquiert la configuration
des gaz rares.
2. 2 Liaison ionique :
Elle est assurée par le transfert d’un électron d’un atome à l’autre. Dont l’atome électropositif
donne un ou plusieurs électrons à l’atome électronégatif, ce qui ce produit des ions de charges
opposées. Les forces de liaisons résultent de l’attraction électrostatique entre les ions (ex. le
sodium cède son e- au chlore : NaCl ↔Na+ + Cl- )
2. 3 Liaison métallique :
Elle est caractérisée par le fait que les électrons de liaison sont libres. On peut considérer le métal
comme un empilement d’ions positifs entourés par un nuage d’électrons. Ces électrons libres
expliquent les propriétés de conductivité thermique et électrique. L’arrangement cristallin des
matériaux métalliques résulte des forces d’attraction et de répulsion qui s’exercent entre des ions
positifs et le nuage d’électrons.
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C’est une liaison de faible intensité, rompue facilement par augmentation de l’agitation thermique
(augmentation de la température) ; le point de fusion des solides à liaisons de van der Walls est
donc relativement bas.
3. Propriétés liées aux types de liaisons
De nombreuses propriétés des cristaux ; thermiques (température de fusion, chaleur spécifique,
dilatation thermique, conductibilité thermique), mécaniques (compressibilité, modules
d'élasticité), électriques (résistivité électrique), magnétiques, sont liées à la nature de la cohésion
de la structure cristalline et donc à l'énergie de cohésion du matériau. D'autres sont déterminées
par l'agitation thermique ou par la nature des défauts contenus dans le cristal.
3. 1. Module d’Young
Du point de vue microscopique, l'application d'une contrainte a pour effet d'écarter les atomes
suivant la direction de traction : la contrainte travaille donc contre les forces de liaison
interatomique. Quand la contrainte est relaxée, les atomes reviennent à leur position d'équilibre
sous l'effet de ces forces. A priori, il est donc possible de calculer le module d'Young si l'on connaît
les forces interatomiques.
E(liaison de forte intensité) >> E(Liaisons de faible intensité )
3. 2. Conductibilité thermique et électrique
Les conductibilités thermique et électrique sont deux propriétés qui dépendent de la nature des
liaisons. Elles sont dues principalement à la possibilité de déplacement des électrons sous l’effet
d’un champ électrique ou d’un gradient de température. Plus ces électrons sont libres de se
déplacer, plus les conductibilité électrique et thermique sont élevées. C’est pourquoi les métaux
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dont les électrons de valence sont délocalisés sont des bons conducteurs d’électricité et de chaleur
que les matériaux covalents ou ioniques, dans lesquels la localisation des électrons de valence est
très marquée. La très forte intensité des liaisons covalente et ionique fait en sorte que les
céramiques essentiellement constituées d’oxydes métalliques (MgO, Al2O3, SiO2…), ont des
températures de fusion élevées et une grande inertie chimique, ce qui en fait des matériaux de
choix pour des applications à haute température.
3. 3. Fragilité et ductilité
La fragilité et la ductilité peuvent être facilement déduites de la nature des liaisons d’un matériau.
La ductilité est la capacité d'un matériau à se déformer plastiquement sans se rompre. La rupture
se fait lorsqu'un défaut (fissure ou cavité), induit par la déformation plastique, devient critique et
se propage. La ductilité est donc l'aptitude d'un matériau à résister à cette propagation. S'il y résiste
bien, il est dit ductile, sinon il est dit fragile.
La fragilité est l'état d'une substance qui se fracture lorsqu'on lui impose des contraintes
mécaniques ou qu'on lui fait subir des déformations brutales (sous forme de choc), sa fracture
n'exige qu'une faible énergie.
- Dans les matériaux à liaisons covalentes il n’y a pas de possibilité d’un déplacement des atomes
les uns par rapport aux autres, ils sont fragiles.
- La fragilité est aussi une propriété des matériaux à liaisons ioniques.
- Dans les matériaux métalliques, où les ions positifs baignent dans un nuage d’électrons
délocalisés, un déplacement relatif permanent des atomes les uns par rapport aux autres est possible
et assure une certaine ductilité.
La ductilité désigne surtout la capacité d'une matière à résister à l'étirement. Par exemple, l'or est
le matériau le plus ductile car le fil que l'on obtient par son étirement extrême, sans rupture, est le
plus fin de tous les matériaux connus.
Tableau 2.1 : Principales caractéristiques des liaisons et propriétés
Type de Exemple et Nature de la liaison Propriétés
liaison énergie de Tf E 𝜶 𝝈 Ductilité
liaison (eV / at)
Covalente Diamant (7,0) Electrons partagés et e e f f f
localisés
Ionique NaCl (3,3) Echanges d’électrons ; e e f f f
attraction
électrostatique
Métallique Na (1,1) Mise en commun m-e m-e m-f m-e e
Cu (3,5) d’électrons délocalisés
Ti (4,8)
Van der H2 (0,01) Attraction dipolaire f f e f m-f
Walls CH4 (0,1)
Tf : température de fusion
E : module d’Young e : élevé m : moyen f : faible
𝜶 : coefficient de dilatation linéique
𝝈 : conductivité électrique
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3. 4. Dilatation Thermique
La dilatation thermique des matériaux est l'expansion à pression constante du volume d'un corps
occasionné par son réchauffement, généralement imperceptible. Dans le cas d'un gaz, il y a
dilatation à pression constante ou maintien du volume et augmentation de la pression lorsque la
température augmente. Elle est liée à leur énergie de cohésion. En effet ; si une élévation de
température est imposée à un matériau, les atomes le constituant vibrent autour de leur position
d'équilibre du fait de l'agitation thermique. Or, on constate que la courbe représentant les variations
de l'énergie de cohésion en fonction de la position atomique n'est pas symétrique autour de son
minimum. Il en résulte que la force de répulsion entre deux atomes qui se rapprochent est plus
importante que la force d'attraction entre deux atomes qui s'écartent. Il s'ensuit que lors d'une
élévation de température, les vibrations des atomes se font avec une amplitude plus grande dans
le sens de l'écartement que dans le sens du rapprochement. Ceci donne lieu à une dilatation
thermique macroscopique du matériau. Notons que la dilatation thermique est d'autant plus faible
que l'énergie de cohésion est plus forte.
Tableau 2.2 : Caractéristiques de quelques matériaux : température de fusion Tf, module
d’Young E et coefficient de dilatation linéique 𝛼
Matériau Tf (°C) E (GPa) 𝛂 (𝟏𝟎−𝟔 . °𝐂−𝟏 )
Liaisons ioniques ou covalentes
TiC 3180 315 7,4
SiC 2800 480 4,7
MgO 2850 210 13,5
ZrO2 2750 205 10
C (fibres) 2500 400 -
Al2O3 2050 380 8,8
SiO2 (verre) 1600 72 0,5
Liaisons métalliques
Mo 2610 324 4,9
B 2030 400 8,3
Ti 1660 116 8,4
Fe 1535 210 11,8
Ni 1453 210 13,3
Cu 1083 110 16,5
Al 660 70 23,6
Mg 649 44 25,2
Zn 420 84 39,7
Pb 327 14 29,3
Sn 232 43 23
Liaisons faibles (van der Walls, hydrogène)
Polyéthylène b. d (PEBD) 115 0,2 210
Polychlorure de vinyle (PVC) 130 2,4 54
Epoxy - 2,4 72
Polyester - 5,0 75
Aramide (fibres) - 130 -
Os cortical - 18 -
Bois (pin) - 10 -
Remarques :
Dans un matériau réel, les liaisons n’ont que rarement un caractère parfaitement pur d’où
l’existence des liaisons partiellement covalentes et partiellement ioniques (figure 2.5). De même
pour les autres types de liaisons (métallique ou van der Walls).
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Isotropie :
Un matériau est isotrope s’il présente les mêmes caractéristiques mécaniques dans toutes les
directions de la matière. Les métaux et les alliages sont généralement isotropes. Les matières
plastiques, les matériaux composites et le bois ne sont pas isotropes. Le bois est plus résistant dans
le sens des fibres que dans le sens perpendiculaire aux fibres.
Elasticité :
Elle caractérise l’aptitude qu’à un matériau à reprendre sa forme et ses initiales après avoir être
déformé. Un ressort, chargé normalement, a un comportement élastique. La propriété contraire est
la plasticité.
Plasticité :
Un matériau qui ne reprend pas sa forme et ses dimensions initiales après avoir être déformé dit
plastique. La plupart des métaux et des alliages ont un comportement élastique sous charges
modérées et plastique sous charges excessives.
Rigidité :
Est fonction de l'énergie des liaisons entre les atomes ou les molécules constituant le matériau. On
mesure la rigidité principalement par le module d’YOUNG (module d’élasticité) E. Plus ce module
est élevé, plus le matériau est rigide.
Résistance :
Caractérise la contrainte maximale qu’un matériau supporte avant de se rompre. Cette résistance
est fonction de l’intensité des liaisons mais également de la forme des pièces ou de ses défauts. La
limite élastique Re et la résistance maximale Rm sont des indicateurs de résistance.
Ductilité :
C’est l’aptitude qu’à un matériau à se déformer plastiquement sans se rompre. Elle est caractérisée
par l’allongement pour cent A% (plus A% est grand, plus le matériau est ductile).
✓ Z% (striction) et K (résilience) sont également des indicateurs de ductilité. La ductilité est une
propriété déterminante pour les matériaux devant être déformés à froid (emboutissage, pliage …)
Malléabilité :
Cette propriété est identique à la ductilité mais appliquée à la compression. L’aluminium, le cuivre,
l’or, certains laitons et certains aciers inoxydables sont très malléables (A% > 35 %) et acceptent
des emboutissages profonds.
Ténacité :
Qui représente la quantité d'énergie absorbée a la rupture par un matériau. Elle caractérise la
résistance à la propagation brutale de fissures. Sa valeur est égale à l’aire de la surface sous la
courbe contrainte-déformation. Cette caractéristique est importante pour les céramiques.
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La matière existe dans un état désordonné à l’état gazeux dont la forme limite est représentée par
le gaz parfait. Le néon, à pression normale (1 atm) et à température ambiante, constitue un exemple
de gaz qui est proche de l’état idéal. Dans ces conditions, chaque atome de néon dispose d’un
volume égal à celui d’un cube de 3,3 nm de côté. Dans le cas des gaz parfaits, on peut négliger les
interactions entre molécules. Les propriétés physiques (compressibilité, conductivité thermique…)
dépendent donc uniquement de l’énergie thermique (cinétique) des atomes ou des molécules. Dans
un gaz parfait, la position d’un atome ou d’une molécule est indépendante de celle d’un autre
atome ou d’une autre molécule prise comme référence.
Lorsque l’énergie thermique est faible, les mouvements de translation des atomes ou des molécules
sont peu fréquents. Les éléments constitutifs de la matière ont tendance à s’organiser suivant un
schéma rigoureux. La substance se trouve alors à l’état solide cristallin qui est la forme ordonnée
de la matière.
L’état liquide constitue un état intermédiaire entre l’état gazeux et le solide cristallin. Les liquides
sont caractérisés par un ordre à courte distance, la présence des volumes vides qui est responsable
de l’arrangement partiellement désordonné (structure amorphe) des liquides.
Il est possible de faire la distinction entre l’état ordonné d’un cristal et la structure ordonnée à
courte distance d’un liquide à l’aide de l’expérience suivante : versons en une fois dans un récipient
une centaine de petites billes (diamètre d’environ 3 mm) représentant des atomes ou des molécules
de forme sphérique ou quasi sphérique. Cet ensemble de billes se dispose dans le récipient de mode
désorganisée. Sa structure (fig. 2.8) est proche de celle des liquides. En agitant légèrement la
couche de billes, ce qui simule l’agitation thermique, on observe progressivement la formation de
zones de billes arrangées régulièrement qui représentent des domaines cristallisés.
Figure 2.8 Transition entre l’état compact et ordonné à grande distance des atomes d’un solide
cristallin et l’état désordonné du gaz en passant par l’ordre à courte distance du liquide.
Arrangement des atomes dans les solides :
Dans le cristal parfait ou idéal, à l’échelle de l’atome, l’arrangement régulier des atomes s’étend
pratiquement à l’infini. Un cristal est caractérisé par un arrangement régulier et périodique des
atomes liés entre eux par les forces de cohésion. Tout en gardant sa structure régulière et
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périodique, le cristal réel, tel qu’il existe dans la plupart des matériaux, contient un grand nombre
de défauts.
Les matériaux cristallins existent sous une forme monocristalline ou polycristalline (fig. 2.9). Les
matériaux métalliques couramment utilisés, ainsi que de nombreuses céramiques ont une structure
polycristalline qui est formée d’une multitude de microcristaux (grains) reliés entre eux par des
zones moins ordonnées (joints de grains), chaque grain d’un matériau métallique étant un
monocristal. La structure en grain existe également dans certains polymères mais elle est très
particulière parce qu’elle est semi-cristalline.
Figure 2.9 Vue schématique de l’assemblage des cristaux. La structure cristalline est représentée
par un réseau quadrillé : (a) cristal unique (monocristal) ; (b) structure polycristalline
(assemblage de grains cristallins) avec, en traits noirs, les joints de grain
6. Architecture atomique des solides cristallins
La cristallographie est une science qui étudie les cristaux c-a-d la formation, la croissance, la forme
extérieure, la structure interne et les propriétés physiques de la matière cristallisée. Le mot cristal
à son origine grec → glace. C'est au 19èmesiècle que la cristallographie se dégagea
progressivement de la minéralogie et se rapprocha de la physique et de la chimie en devenant une
science indépendante.
6. 1. Système et réseau cristallin
Dans un solide cristallin, chaque atome occupe une position bien définie dans l’espace, non
seulement par rapport à ses premiers voisins, mais également par rapport à tous les autres atomes,
quel que soit la distance qui les sépare. La figure 2.10 représente schématiquement une portion
d’un cristal cubique simple. Chaque atome est placé à chacun des sommeils des cubes, chaque
atome est partagé entre les huit cubes qui ont un sommeil commun. On appelle nœuds les points
auxquels on associe un motif (un atome ou groupe d’atomes). Les atomes, assimilés à des sphères
rigides, sont en contact les uns avec les autres. Un cristal est formé par la juxtaposition et
l’empilement de cubes dans l’espace. On peut choisir, d’une façon générale, un parallélépipède
quelconque défini par trois vecteurs 𝑎⃗ , 𝑏⃗ et 𝑐⃗ portés par trois axes 𝑥⃗ , 𝑦⃗ et 𝑧⃗ , non coplanaires
et formant entre eux des angles 𝛼, 𝛽 et 𝛾 (figure 2.11). Un parallélépipède n’ayant des nœuds qu’à
ses sommets est une maille primitive, et sa répétition dans l’espace représente le cristal quand un
atome ou un motif cristallin est associé à chaque nœud. 𝑎⃗ , 𝑏⃗ et 𝑐⃗ sont les paramètres de la maille,
appelés aussi vecteurs périodes de la maille.
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Figure 2.10 : Représentation schématique d’un cristal formé d’un empilement de cubes
Figure 2.11 : Maille primitive définie par trois vecteurs non coplanaires 𝑎⃗ , 𝑏⃗ et 𝑐⃗ , formant
entre eux des angles 𝛼, 𝛽 et 𝛾
Deux concepts fondamentaux sont à la base de la description de la structure cristalline : le réseau
et le motif.
• Un réseau spatial est constitué par un ensemble de points (nœuds), de dimension infinie, obtenu
par translation dans l’espace de trois vecteurs non coplanaires, a, b et c, qui déterminent les
directions et les distances entre les nœuds du réseau. Dans le cristal, chaque nœud du réseau
possède un environnement identique pour une direction donnée.
• Le motif constitue l’élément de base dont la répétition suivant le réseau spatial engendre le cristal.
Le motif peut être un atome ou un groupe d’atomes ayant une orientation et une géométrie bien
déterminées.
Réseau cristallin + motif = structure cristalline
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= 14 réseaux de Bravais
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Déterminer les coordonnées des intersections du plan avec les axes 𝑥⃗ , 𝑦⃗ et 𝑧⃗ en fonction des
vecteurs périodes 𝑎⃗ , 𝑏⃗ et 𝑐⃗ (l’origine des 3 axes ne doit pas être dans le plan)
1. Prendre les inverses,
2. Réduire les 3 fractions au plus petit commun dénominateur,
3. Les trois numérateurs obtenus représentent trois indices h, k et l, par rapport aux trois axes 𝑥⃗ ,
𝑦⃗ et 𝑧⃗ .
Figure 2. 14 : Les indices e Miller du plan tramé est (234) ; les intersections entre ce plan et les
trois axes 𝑥⃗ , 𝑦⃗ et 𝑧⃗ sont : 1. 𝑎⃗ , 1⁄2. 𝑏⃗ et 2⁄3 . 𝑐⃗ ,
Exemple : plan tramé de la figure 2. 14 en suivant les étapes ci-dessus ; on obtient :
1. Intersection : 1, 1/2, 2/3
2. Inverses : 1/1, 2/1, 3/2
3. Fraction : 2/2, 4/2, 3/2 4.
Indice : (243)
Un plan parallèle à un axe porte l’indice 0 par rapport à cet axe, car son intersection avec cet axe
est égale à l’infini et on sait que 1⁄∞ = 0. Tous les plans parallèles ont les mêmes indices. Ainsi, le
plan yOz de la figure 2. 14 a comme indice (100). On note qu’un indice est négatif en plaçant un
signe moins au-dessus de lui, par exemple le plan (11̅ 2). Comme pour les directions, on peut
définir, grâce à la symétrie du réseau, des familles de plan équivalents, qui possèdent dans ce cas
la même densité surfacique de nœuds. Dans un système cubique, la famille de plans {100}
comprend les plans (100), (010) et (001), c.à.d. toutes les faces du cube.
Plans parallèles : mêmes indices de Miller ou indices égaux mais de signe oppose si plans
symétrique par rapport à l’origine choisie.
Dans le système cubique, [uvw] est perpendiculaire a (hkl) si u=h, v=k, w=l
Si deux directions non parallèles [u1v1w1] et [u2v2w2] appartiennent au plan (hkl), la normal au
plan est définie par (le produit vectoriel) :
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Figure 2. 15 : Exemples de détermination des densités de nœuds selon des directions et des
plans, et calcul du nombre de nœuds en propre par maille, pour une structure CFC.
6. 3. Structure des solides à liaisons métalliques
Le caractère essentiel de la structure cristalline des solides à liaisons métalliques (généralement
les métaux purs et les alliages métalliques) des atomes qui offre une compacité optimale. Cette
dernière est définie par la coordinence Nc du réseau cristallin qui s'exprime par le nombre d'atomes
tangents à un atome donné. Parmi l'ensemble des structures cristallines, seuls trois types de réseaux
répondent à ce critère de compacité. Ce sont les réseaux : cubique centré (CC), cubique à faces
centrées (CFC), et hexagonal compact (HC).
6. 3. 1. Structure Cubique Centrée CC
Séquence d'empilement
Les structures compactes sont obtenues en empilant des couches d'atomes, assimilés à des sphères
rigides, de manière que les atomes de la couche supérieure soient placés dans les “vides” ou
interstices de la couche inférieure.
D'après la figure 2. 16 :
• La première couche a des atomes en A (couche A) assemblés en disposition carrée créant ainsi
des vides de la même forme.
• les atomes de la seconde couche peuvent se trouver dans ces vides appelés interstices (couche
B).
• La troisième couche a des atomes occupant les interstices de la couche B et qui, se superposent
exactement sur les atomes de la couche A. La séquence d’empilement est alors AB AB AB…
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• Détermination de la rangée de densité maximale : De même que pour le plan, la rangée de densité
maximale est la rangée qui contient le plus grand nombre d'atomes. Dans cette symétrie c'est la
rangée [111] qui passe par l'atome central et contient donc le plus grand nombre d'atomes : on dit
que la rangée [111] est la rangée de densité maximale.
• Relation rayon atomique-paramètre de maille :
A partir de la rangée de densité maximale et de la figure 2. 17, on peut écrire que :
𝑎⃗√3
4𝑅 = 𝑎⃗√3 → 𝑅 =
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3
4 𝑎√2
4⨯ 𝜋( )
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• Calcul de la compacité : 𝐶 = . En simplifiant dans cette formule on obtient : C= 0.74
𝑎3
On a donc 74% du volume de la maille occupé et 26% vide. On dit que la symétrie cubique à faces
centrées est une symétrie compacte.
6. 3. 3. Structure Hexagonal Compact HC
Séquence d'empilement
D'après la figure 2.23 : La première couche a des atomes en A (couche A) assemblés en disposition
triangulaire créant ainsi deux types de vides représentés par des triangles « apex vers le haut » et
des triangles « apex vers le bas ».
Pour les atomes de la seconde couche, ils peuvent se trouver dans un seul type de vide, soit apex
vers le haut ou apex vers le bas (couche B).
Les atomes de la troisième couche occupent le deuxième type d’interstices, différent par rapport à
ce qui a été occupé par les atomes de la couche B. On obtient dans ce cas une couche qui se
superpose parfaitement avec la couche A. La séquence d’empilement est alors AB AB AB…
(Système hexagonal compact HC).
Calcul de la coordinence
Coordinence = 12 (Figure 2.24)
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Figure 2.24 : Calcul de la coordinence d’un atome dans l’empilement AB AB …dans une
disposition triangulaire
6. 4. Les sites interstitiels
La compacité d'un cristal est toujours inférieure à 1. Il existe alors des lacunes dans lesquelles
d'éventuels autres atomes peuvent s'insérer (dans certains alliages par exemple). On appelle ces
lacunes : sites interstitiels.
Lorsqu’un atome est placé dans un site interstitiel, il touche deux ou plus d'atomes dans la maille
élémentaire.
On distingue trois types de sites interstitiels.
Site cubique : Dans l'exemple du réseau cubique simple, un atome peut s’insérer au centre de la
maille (Figure 2.25.a).
Sites octaédriques : ils sont formés par six sphères disposées suivant les sommets d'un octaèdre
(Figure 2.25.b).
Sites tétraédriques : ils sont formés par empilement compact de quatre sphères dont les centres
constituent les sommets d'un tétraèdre (Figure 2.25.c).
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Figure 2.28 : Défauts ponctuels : (a) : Les lacunes ponctuelles, (b) : Les atomes étrangers de
substitution, (c) : Les atomes étrangers d’insertion.
Les lacunes constituent un type de défaut ponctuel très important car elles facilitent le déplacement
des atomes du cristal. Ce phénomène, appelé diffusion, est esquissé à la figure 2.29. La diffusion
contrôle dans une large mesure le comportement des matériaux à haute température (fluage,
traitements thermiques).
Figure 2.29 : Mécanisme de migration lacunaire des atomes dans un réseau cristallin :
changement de position entre atomes et lacunes (1 à 6)
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Exemple :
Cristaux de fluorine CaF2. La grande variété de couleur observée est liée à l’existence de défauts
ponctuels (lacunes, impuretés substitutionnelles) ou association de défauts ponctuels (inclusions
d’ions moléculaires). Les cristaux purs et exempts de défauts sont transparents (1) (Figure 2.30).
La fluorine violette doit sa couleur à la présence de lacunes sur les sites habituellement occupés
par le fluor (2) (Figure 2.30). Les autres couleurs s’expliquent par la présence d’impuretés
chargées, sous forme d’ions simples ou moléculaires.
Figure 2.30 : Influence des défauts sur les propriétés physiques (coloration des pierres)
7. 2. Défauts linéaires ou dislocations
La dislocation est un défaut du cristal qui résulte d’une perturbation de la structure centrée autour
d’une ligne.
Les dislocations sont obtenues par le glissement 𝑏⃗⃗ d’une partie du cristal le long d’un plan. La
ligne de dislocation proprement dite correspond à la ligne du plan de glissement séparant la partie
du cristal qui a glissé de celle qui est restée immobile. Le vecteur de glissement 𝑏⃗⃗ est appelé vecteur
de Burgers de la dislocation.
On distingue les dislocations coin, les dislocations vis, les autres dislocations sont dites mixtes.
7. 2. 1. Formation d’une dislocation de type « coin »
La Figure 2.31 montre la formation d’une dislocation de type coin par le glissement 𝑏⃗⃗ d’une partie
d’un cristal cubique simple le long d’un plan (ABCD).
La ligne de dislocation coin (PO) s’étend à l’infini dans le plan de glissement, dans une direction
perpendiculaire à la direction de glissement 𝑏⃗⃗.
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(a) (b)
Figure 2.31 : Géométrie de la dislocation dans un cristal à réseau cubique : (a) réseau sans défaut
; (b) dislocation-coin.
La présence d’une dislocation augmente l’énergie interne du cristal, d’une quantité qui dépend de
la nature des liaisons chimiques.
La Figure 2.33 montre la formation d’une dislocation de type vis par le glissement 𝑏⃗⃗ d’une partie
d’un cristal cubique simple le long d’un plan (ABCD). La ligne de dislocation vis (PO) marque la
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limite entre la région du cristal qui a glissé et celle qui n’a pas glissé. Celle-ci s’étend à l’infini
dans le plan de glissement, dans une direction parallèle à la direction de glissement 𝑏⃗⃗.
(a) (b)
Figure 2.33 : Géométrie de la dislocation dans un cristal à réseau cubique : (a) réseau sans défaut
; (b) dislocation-vis.
7. 2. 3. Dislocations mixtes
Une dislocation n’est en général pas rectiligne. La Figure 2.34 présente une ligne de dislocation
courbe (VC) séparant les parties d’un cristal restées immobiles et celles qui ont subi le glissement
𝑏⃗⃗ sur le plan défini par les points V, M et C. La portion de l’arc (VC) perpendiculaire à 𝑏⃗⃗, autour
du point C, a un caractère de dislocation coin.
La portion de la dislocation parallèle à 𝑏⃗⃗, autour du point V, est de type vis. La portion restante de
l’arc (VC) constitue une portion de dislocation de type mixte.
Figure 2.35 : Dislocations dans du quartz vues par microscopie électronique en transmission .
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Figure 2.36 : Mouvement des atomes impliqués dans le déplacement d’une dislocation-coin sous
l’action de la contrainte de cisaillement τ.
Pour mieux comprendre les processus intervenant dans le déplacement des dislocations, analysons
les processus de déplacement d’un tapis de grande longueur posé sur une surface plane. La manière
la plus aisée de déplacer ce tapis sur le sol est de former un pli à une extrémité et de pousser ce pli
sur toute sa longueur comme cela est décrit à la figure 2.37. La chenille utilise un mécanisme
analogue pour se déplacer.
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Figure 2.37 : Déplacement d’un tapis par translation d’un pli créé à une extrémité : (a) position
initiale du tapis ; (b) création d’un défaut linéaire ; (c) et (d) déplacement du pli ; (e) position
finale du tapis, après déplacement complet du défaut linéaire (le pli).
Remarque
Dans le cas des cristaux métalliques (à liaisons isotropes), les plans de glissement préférentiels
des dislocations sont des plans cristallographiques de densité atomique élevée : plans {111} pour
les cristaux à réseau cfc, plans {110} pour les cristaux cc
Dans le cas des cristaux ioniques, le mouvement des dislocations est beaucoup moins aisé car le
système de glissement effectif ne dépend pas uniquement de la densité atomique. Les modes de
glissement favorisés sont ceux qui ne mettent pas en contact des ions de même signe. Ainsi, dans
le cas du cristal cfc de MgO ou de NaCl, les plans de glissement sont les plans réticulaires {110}.
Dans les cristaux à liaison covalente, le caractère orienté des liaisons rend difficile le déplacement
des dislocations.
C’est pour ces diverses raisons que les céramiques ioniques et covalentes ont peu de dislocations
et que leur mobilité est très faible. La déformation plastique des céramiques est très difficile, c’est-
à-dire que ces matériaux ont généralement un comportement fragile. Ce n’est qu’à des
températures très élevées que l’on observe une déformation plastique importante.
Les polymères semi-cristallins sont également, dans un grand nombre de cas, des matériaux
fragiles. Dans ces matériaux, le mouvement des dislocations est fortement limité par la présence
des chaînes et, de plus, leur propagation sur de grandes distances est rendue plus difficile en raison
de la présence d’une phase amorphe intercristalline.
7. 2. 5. Densité des dislocations
La densité des dislocations ρ est une mesure de la longueur totale des lignes de dislocations par
unité de volume. Cette densité de dislocations s’exprime par :
longueur des dislocations
=
volume du cristal
Dans les métaux, la densité de dislocations augmente considérablement durant la déformation
plastique. Les valeurs caractéristiques de la densité ρ sont de 105 à 106 cm-2 pour un métal recuit.
Dans le cas extrême, lors de déformation plastique importante, on a déterminé que la densité
maximale des dislocations était de l’ordre de 1012 cm-2. Ceci correspond à 10 000 000 km de lignes
de dislocations par cm3 de cristal déformé. Ceci signifie que dans un cristal déformé il y a environ
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1020 atomes par cm3 qui sont affectés par les dislocations. Comme 1 cm3 d’un cristal métallique
contient environ 1023 atomes, la fraction des atomes perturbés (~ 10–3) reste relativement faible et
la structure cristalline est en majeure partie
7. 3. Défauts bidimensionnels
7. 3. 1. Joints de grains
Un grand nombre de matériaux ont une structure polycristalline, c’est-à-dire une structure formée
de cristaux de petite taille (grains). Les régions où les grains se touchent sont appelées joints de
grains. Ceux-ci constituent des zones de transition caractérisées par une structure plus ou moins
perturbée permettant l’accommodation géométrique et cristallographique des cristaux.
Dans la plupart des cas, les grains ont la forme de polyèdres à facettes multiples et la structure du
joint dépend de l’orientation des faces de ces polyèdres, les unes par rapport aux autres. La figure
2.38.a donne une vue schématique au microscope optique de la coupe effectuée dans un matériau
polycristallin après polissage et attaque chimique. Les joints de grains des matériaux métalliques
sont plus facilement attaqués par des acides que le cristal, ce qui les rend visibles au microscope
optique. La figure 2.38.b illustre une représentation schématique de l’arrangement des atomes au
niveau d’un joint de grain dans un échantillon polycristallin. Le joint de grain, zone située entre
deux cristallites adjacentes, est un défaut qui correspond à la fois à une discontinuité d’orientation
cristalline et à une zone dans laquelle les positions relatives des atomes ne correspondent pas aux
positions d’équilibre.
(a) (b)
Figure 2.38 : Vue schématique au microscope optique d’une coupe effectuée dans un matériau
polycristallin après polissage et attaque chimique.
Il existe deux types de joints simples : les joints de flexion qui contiennent l’axe de rotation des
grains (fig. 2.39 (a)) et les joints de torsion qui sont perpendiculaires à cet axe (fig. 2.39 (b)). Les
joints peuvent être décrits en termes de réseaux de dislocations. On distingue entre sous-joints de
flexion, dont la structure peut être considérée comme un ensemble de dislocations-coin parallèles,
et sous-joints de torsion, caractérisés par un réseau de dislocations-vis.
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Figure 2.39 : Types de joints : (a) joint de flexion ; (b) joint de torsion.
7. 3. 1. Fautes d'empilement et macles
Dans un certain nombre de cas, en particulier dans les structures cristallines compactes (comme
cfc et hc), il existe des anomalies dans les modes d’empilement des plans. Un ensemble de deux
plans successifs cfc ou hc pris isolément possède la même structure et les anomalies n’apparaissent
que si on considère un ensemble de plus de deux plans.
Par exemple dans la structure Cubique à Faces Centrées, la séquence d'empilement de plans {111}
est de type [...ABCABCABC...], comme le montre la figure 2.40.a. Ainsi, la figure 2.40.b présente
un défaut d’empilement intrinsèque qui correspond au retrait d'un plan et se traduit par une
séquence d'empilement du type [...ABCACABC...]
Figure 2.40: (a) : Empilement de plans compacts {111} dans la structure CFC, (b) : Défaut
d'empilement intrinsèque de la structure CFC
Fautes d'empilement : marquent une discontinuité, aléatoire ou ordonnée, dans l'empilement des
matériaux.
Exemple : ABC ABC ABC ABC .. → ABC ABC AB ABC ABC ...
Macle : sont des défauts plans séparant les deux parties d'un Cristal, images l'une de l'autre
(symétriques) par rapport au plan de macle.
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Au cours de la solidification d’un métal liquide ou de la recristallisation d’un solide, l’ordre des
plans peut s’inverser : par-dessus une couche A, par exemple, il y aura une couche C au lieu d’une
couche B, ce qui produit une faute d’empilement.
L’empilement global des couches devient alors CABCACBAC …Le plan A est le plan de maclage,
et la partie maclée du cristal (CBAC …) est l’image miroir de la partie non maclée, le plan de
maclage faisant office de plan miroir.
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sont des particules de seconde phase qui sont formés par combinaison entre les atomes du métal
et les atomes des éléments d'alliage.
Les inclusions correspondent à des impuretés qui proviennent généralement de son élaboration
depuis l'état liquide. Ce sont généralement des sulfures, des oxydes ou des silicates.
La figure 2.43 représente schématiquement deux types de précipités. Les précipités cohérents
présentent une continuité cristallographique avec la matrice (les réseaux cristallins de la matrice
et du précipité sont semblables mais leurs paramètres de maille peuvent être différents ce qui
entraîne une distorsion élastique de la matrice). Les précipités incohérents n'ont aucune relation
cristallographique avec la matrice. Les inclusions sont toujours incohérentes. Enfin, les précipités
semi-cohérents ne présentent une cohérence avec la matrice que selon certains plans.
La taille et la distribution des précipités jouent un très grand rôle dans les propriétés mécaniques
des matériaux.
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