Electronique analogique

Chapitre 2: Diodes.
(Description et applications)
Ghita ZAZ
Professeure Habilitée
Responsable Master Ingénierie Digitale pour les métiers de la santé
Département Génie Electrique
zaz.ghita@ensam-casa.ma
Plan :
Chapitre 2: Les Diodes.

1. La structure de la matière.

2. Les semi-conducteurs.

3. La théorie de la diode.

4. Les circuits à diodes.

5. Diode Zener.
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 1. La structure de la matière :
Structure de la matière :

Exemple :
Atome neutre
(4 protons et 4 électrons)
La charge totale du noyau est +Z e et
celles de tous les électrons est -Z e

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 1. La structure de la matière :
Les liaisons interatomiques :
• Les liaisons covalentes :

• Les atomes se lient entre eux en mettant en commun des électrons célibataires de la couche périphérique.

• Les liaisons obtenues sont très robustes : il faut leur fournir une énergie importante pour les casser.

• Pas de circulation d’électrons dans la matière.

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 1. La structure de la matière :
Les liaisons interatomiques :
• Les liaisons ioniques :
e-
Transfert d’électron Na Cl

Na+ Cl-
Ion

Attraction entre des ions de charges opposés

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 1. La structure de la matière :
Les liaisons interatomiques :
• Les liaisons métalliques :

• Dans ce cas de liaison, un grand nombre d'atomes mettent en commun des électrons célibataires.

• Les atomes deviennent des particules non neutres du point de vue charge électrique (des ions).

• Les atomes forment un réseau cristallin et baignent dans un nuage d'électrons très mobiles appelés électrons libres.

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 1. La structure de la matière :
La conduction électrique:
• Définition :

• si on applique une différence de potentiel UAB entre deux points A et B d'un matériau distants d'une longueur L, on créé un
champ électrique E dans le matériau :

• Ce champ crée des forces sur les charges électriques présentes dans le matériau :

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 1. La structure de la matière :
La conduction électrique:
• Les isolants :

• Les matériaux isolants ont des liaisons de type covalente  Liaisons robustes.
• A l’application d’un champ électrique aucun courant ne circule dans un matériau isolant
(peu de charges mobiles).

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 1. La structure de la matière :
La conduction électrique:
• Les isolants :

• Les matériaux isolants ont des liaisons de type covalente  Liaisons robustes.
• A l’application d’un champ électrique aucun courant ne circule dans un matériau isolant
(peu de charges mobiles).

• Les conducteurs :

• Les matériaux conducteurs ont des liaisons de type métallique  chaque atome libère
un électron libre dans le cristal.
• A l’application d’un champ électrique un courant, les électrons circulent dans un sens
bien déterminé  génération du courant électrique.

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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs intrinsèques (ou purs) :

• Un semi conducteur est constitué par un réseau cristallin de matériau très pur.
• Les atomes possèdent chacun 4 électrons de valence, soit des combinaisons de matériaux qui possèdent 3 et 5 électrons de
valence.
• Les atomes sont liés entre eux par des liaisons covalentes.
• Pour arracher des électrons des atomes, il faut fournir environ 1eV, contre 0,1 eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants.

Le silicium (Si) Le germanium (Ge)

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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs intrinsèques (ou purs) :
Influence de la température :

A 0 k, malgré le fait qu’ils sont périphériques, les e- participant à ces liaisons sont fortement liés au noyau car il n’y a pas
d’agitation thermique.

Pas d’apparition de charges mobiles autorisant la circulation d’un courant électrique.

Le semi-conducteur est alors un isolant.

A température ambiante, l'agitation thermique fait que certains électrons quittent leur liaison et deviennent des électrons
libres. Ils créent alors un trou.

Dans un semi-conducteur, plus la température est élevée, plus le nombre de trous et d'électrons libres augmente, et plus le
courant produit est intense quand on branche un générateur sur le cristal.

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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs intrinsèques (ou purs) :
Conductivité et résistivité :
Les semi conducteurs ont une résistivité électrique intermédiaire entre:

• les isolants (1E14 à 1E22 Ω cm),

• les bons conducteurs (1E-6 Ω cm).
elle est comprise entre 1E2 et 1E9 Ω cm.

Déplacement des électrons libres et des trous :

Les électrons et les trous se

déplacent en sens inverse,
engendrant ainsi un courant
électrique.

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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs extrinsèques (ou dopé):
Le semi conducteur de type P:

• Le cristal intrinsèque est dopé des atomes possédant un nombre inférieur

d'électrons de valence.

• Exemple : le silicium (4 électrons de valence) dopé avec du Bore qui possèdent

3 électrons de valence.

• Ces atomes créent des trous dans le semi-conducteur.

• Les trous deviennent porteurs de charges mobiles majoritaires

 le semi conducteur est de type P.

• Il subsistera quelques électrons libres dans le cristal (porteurs minoritaires).

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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs extrinsèques :
Le semi conducteur de type N:

• Le cristal intrinsèque est dopé des atomes possédant un nombre supérieur

d'électrons de valence.

• Exemple : Le phosphore possèdent 5 électrons de valence pourra doper le silicium.

• Les électrons libre seront des porteurs de charges mobiles majoritaires

 le semi conducteur est de type N.

Il existera encore quelques trous, mais en très faible quantité.

Dans les deux cas (types N et P), le cristal reste globalement électriquement neutre

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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs extrinsèques :
Les bandes d’énergie :

Isolant :
Premier cas la bande de conduction est vide et le gap est grand (de l'ordre de 10 eV par exemple). Le solide ne contient alors
aucun électron capable de participer à la conduction. Le solide est isolant.

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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs extrinsèques :
Les bandes d’énergie :

Semi-conducteur:
Deuxième cas la bande de conduction est vide mais le gap est plus faible (de l'ordre de 1 à 2 eV). Le solide est donc isolant à
température nulle, mais une élévation de température permet de faire passer des électrons de la bande de valence à la bande de
conduction. La conductivité augmente avec la température : c'est la caractéristique d'un semi-conducteur.
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 2. Les semi-conducteurs :
Semi conducteurs extrinsèques :
Les bandes d’énergie :

Conducteur:
Troisième cas la bande de conduction est partiellement occupée, même à une température de zéro kelvin, alors un faible champ
électrique peut faire passer un électron aux niveaux d'énergies supérieurs, sans dépenser beaucoup d'énergie, le solide est alors
conducteur.
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 2. Les semi-conducteurs :
Les jonctions PN:

Si on dope une partie d'un semi conducteur intrinsèque avec des atomes à 5 électrons périphériques (le semi conducteur devient
extrinsèque de type N) et l'autre avec des atomes à 3 électrons périphériques (extrinsèque de type P), on crée une jonction, qui
est la limite de séparation entre les deux parties. Nous avons fabriqué une diode à jonction.
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 2. Les semi-conducteurs :
Les jonctions PN non polarisée:

Zone désertée
 Barrière de potentiel
(0,2V pour le germanium et
0,6V pour le silicium)

Les courants créés par diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires s'équilibrent et leur somme est nulle en régime
permanent et en l'absence de champ électrique extérieur

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 2. Les semi-conducteurs :
Les jonctions PN polarisée en direct:

• Le générateur permet d’injecter des électrons dans la zone N et les re-pomper par la zone P.
• Le courant de conduction constitué par les porteurs minoritaires prend une valeur If indépendante du champ extérieur.
• Le courant total est la somme des deux courants (de conduction et de diffusion).
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 2. Les semi-conducteurs :
Les jonctions PN polarisée en inverse:

• Les électrons libres sont repoussés dans la zone N et les trous dans la zone P.
• les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et électrons libres pour la zone P) peuvent traverser la jonction et reboucler par
le générateur : ils forment le courant inverse If (courant de fuite) qui dépend essentiellement de la température.

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 2. Les semi-conducteurs :
Les jonctions PN polarisée en inverse:

phénomène d'avalanche : quand le champ électrique au niveau de la jonction devient trop intense, les électrons accélérés
peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libère d'autres électrons qui sont à leur tour accélérés. Il y a divergence du
phénomène, et le courant devient important.
phénomène Zener : les électrons sont arrachés aux atomes directement par le champ électrique dans la zone de transition et
créent un courant qui devient vite intense quand la tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zéner.
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 3. La théorie de la diode:
Concepts fondamentaux:

Exemple :

Symbole graphique

Le circuit élémentaire
de la diode
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 3. La théorie de la diode:
Caractéristique courant/tension:

Caractéristique directe (Vd > 0) :

• Tension de seuil :

Sur une diode au silicium, le courant croit assez rapidement au delà de 0,7V (tension de seuil = tension de barrière de potentiel).

• La résistance en série :
Rsérie=Rn+Rp (souvent inférieure à 1 Ω)

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 3. La théorie de la diode:
Caractéristique courant/tension:

Autour de zéro.

La caractéristique passe par l'origine. Pour Vd négatif, le courant tend rapidement vers la limite -If (courant de fuite) , car le
courant de diffusion dû aux porteurs majoritaires va s'annuler.

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 3. La théorie de la diode:
Caractéristique courant/tension:

Caractéristique inverse (Vd < 0).

• phénomène d'avalanche : quand le champ électrique au niveau de la jonction devient trop intense, les électrons accélérés
peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libère d'autres électrons qui sont à leur tour accélérés Il y a divergence du
phénomène, et le courant devient important.

• phénomène Zener : les électrons sont arrachés aux atomes directement par le champ électrique dans la zone de transition et
créent un courant qui devient vite intense quand la tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zéner.
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 3. La théorie de la diode:
Equation :

la courbe (à l'exception de la zone de claquage) répond assez bien à la formule suivante, expliquée par la thermodynamique
statistique :

où :

If est le courant de fuite, q la charge de l'électron = 1,6E-19C, k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K et T température absolue.

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 3. La théorie de la diode:
Equation :

Effet de la température.

• Pour Vd positif, la diode a un coefficient de température négatif égal à -2mV/K.

• Pour Vd négatif, le courant de fuite If varie très rapidement avec la température. Il est plus important pour le germanium que
pour le silicium, et croît plus vite, ce qui devient rapidement gênant. Dans le silicium, ce courant double tous les 6°C.

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 3. La théorie de la diode:
Schéma équivalent :
• Diode idéale:

Dans une diode idéale, on néglige la

tension de seuil et la résistance interne
de la diode.

• Diode à seuil:

Dans une diode à seuil, la résistance

interne est négligée, mais tenir compte du
seuil de la diode.

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 3. La théorie de la diode:
Schéma équivalent :
• Diode avec seuil et résistance :

Dans une diode avec seuil et résistance

(réelle), la tension de seuil et la résistance
interne de la diode sont non nulles.

• Exemple :
La diode 1N4001 possède une résistance série égale à 0,23Ω. Quels sont le courant, la tension sur la charge et la puissance
dissipée par la diode?

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 3. La théorie de la diode:
La droite de charge :

Point de saturation Point de blocage

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 4. Les circuits à diodes:
Diode de redressement simple alternance :

La fréquence de sortie :

𝒇𝒐𝒖𝒕 = 𝒇𝒊𝒏

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 4. Les circuits à diodes:
Diode de redressement simple alternance :

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 4. Les circuits à diodes:
Diode de redressement simple alternance :

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 4. Les circuits à diodes:
Diode de redressement simple alternance :

Par définition, la valeur efficace d’une grandeur périodique est la racine carrée de l’intégration sur une période du carré de cette
grandeur donc :

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 4. Les circuits à diodes:
Diode de redressement simple alternance :

De plus, si nous considérons que t0 ->0, alors, en prenant en compte la tension de coude V0, on a :

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 4. Les circuits à diodes:
Diode de redressement double alternance (avec transfo double enroulement):
𝑵𝟏/𝑵𝟐

Alternance positive

Alternance négative
Rapport de transformation Valeur moyenne de la tension simple alternance La fréquence de sortie
(diode idéale)
𝑽𝒑𝒓𝒊𝒎𝒂𝒊𝒓𝒆 𝟐 𝑽𝒔𝒆𝒄𝒐𝒏𝒅𝒂𝒊𝒓𝒆 𝒇𝒐𝒖𝒕 = 𝟐 𝒇𝒊𝒏
𝑽𝒔𝒆𝒄𝒐𝒏𝒅𝒂𝒊𝒓𝒆 = 𝑼𝒎𝒐𝒚𝒆𝒏𝒏𝒆 =
𝑵𝟏/𝑵𝟐 𝝅
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 4. Les circuits à diodes:
Diode de redressement double alternance (Avec pont de Grætz):

Alternance positive

Alternance négative

Rapport de transformation Valeur moyenne de la tension simple alternance La fréquence de sortie

(diode idéale)
𝑽𝒑𝒓𝒊𝒎𝒂𝒊𝒓𝒆 𝟐 𝑽𝒔𝒆𝒄𝒐𝒏𝒅𝒂𝒊𝒓𝒆 𝒇𝒐𝒖𝒕 = 𝟐 𝒇𝒊𝒏
𝑽𝒔𝒆𝒄𝒐𝒏𝒅𝒂𝒊𝒓𝒆 = 𝑼𝒎𝒐𝒚𝒆𝒏𝒏𝒆 =
𝑵𝟏/𝑵𝟐 𝝅
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 4. Les circuits à diodes:
Filtrage :
• Redressement simple alternance Capacité du condensateur :

On considère que le condensateur C se décharge à courant Imax

constant pendant un temps T et que la chute de sa tension est
inférieure à V.
𝑪∆𝑽 = 𝑰𝒎𝒂𝒙 ∆𝑻

Le temps ∆𝑻 choisi va être approximé à la période du secteur.

Pour un redressement simple alternance, on aura un ∆𝑻 de 20ms,

qui correspond à l'inverse de la fréquence secteur 50Hz.

𝑰𝒎𝒂𝒙
𝑪=
𝑭∆𝑽

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 4. Les circuits à diodes:
Filtrage :
• Redressement simple alternance

Quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure

à la tension aux bornes du condensateur additionnée de la
tension directe de la diode, la diode conduit. Le transformateur
doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le
courant de recharge du condensateur.

Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle

du condensateur plus la tension de coude de la diode, la diode
se bloque. L'ensemble condensateur / charge forme alors une
boucle isolée du transformateur.

Pour que le circuit fonctionne correctement, il faut que la

période T <<RC

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 4. Les circuits à diodes:
Filtrage :
• Redressement double alternance
Capacité du condensateur :

𝑰𝒎𝒂𝒙
𝑪=
𝟐 𝑭∆𝑽

• Quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à la

tension aux bornes du condensateur additionnée de la tension
directe de la diode, la diode conduit. Le transformateur doit alors
fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de
recharge du condensateur.

• Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du

condensateur plus la tension de coude de la diode, la diode se
bloque. L'ensemble condensateur / charge forme alors une boucle
isolée du transformateur.

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 4. Les circuits à diodes:
Détecteur de crêtes :

Ce dispositif permet de mémoriser la valeur crête d'un signal. Il est très utilisé en instrumentation. C'est en fait un redresseur
simple alternance avec filtrage dont la charge est quasi nulle (aux courants de fuite près) : la constante de temps de décharge du
condensateur est théoriquement infinie, (très grande en pratique).
Il se charge donc à la valeur crête (moins la tension de seuil de la diode) et reste chargé à cette valeur.
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 4. Les circuits à diodes:
Doubleur de tension :

• Redressement / filtrage par la cellule D1 / C1.

• Détecteur de crête D2 / C2

Aux bornes du condensateur C1, si la charge est infinie, la tension Vc restera

constante et égale à la tension crête du transformateur. La diode D1 verra à
ses bornes la tension Vt + Vc, dont la valeur crête est égale à deux fois la
tension crête du transformateur. Tout se passe comme si la tension du
transformateur avait été translatée d'une fois la valeur de la tension crête.

Il suffit alors de filtrer cette tension à sa valeur de crête avec D2 et C2 : on

obtient une tension continue égale à deux fois la tension crête du
transformateur.

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 5. Diodes spéciales :
Diode de Zener:
• En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale.
• En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche se produise à une tension bien déterminée, et
ne soit pas destructif. La caractéristique inverse présente alors l'allure d'un générateur de tension à faible résistance interne.

• la tension d'avalanche Vzt pour un courant déterminé Izt. (les valeurs de tension sont normalisées).
• à ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la résistance dynamique de la diode rzt.

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 5. Diodes spéciales :
Diode de Zener:
• En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale.
• En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche se produise à une tension bien déterminée, et
ne soit pas destructif. La caractéristique inverse présente alors l'allure d'un générateur de tension à faible résistance interne.

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 5. Diodes spéciales :
Diodes électroluminescentes :

• Ces diodes spécifiques à base d'arseniure de gallium ont la propriété d'émettre de la lumière dans une bande de fréquence
déterminée par les caractéristiques du matériau employé quand elles sont traversées par un courant direct.

• Il en existe de diverses couleurs (jaune, orangé, rose, rouge, vert, infrarouges).

• Leur rendement lumineux est assez faible. On les utilise avec un courant direct d'environ 10 à 20mA.

• La tension de coude de ces composants est plus élevée que pour les diodes standard, et elle dépend de la couleur. Elle va de
1,2 à 2V environ.
Utilisations :
• Les diodes à infrarouges dans les télécommande.
• Les LEDs.

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 5. Diodes spéciales :
Application :
Quelle est la tension crête de sortie du montage des figures suivantes si la diode est à seuil ? la valeur moyenne ? la
valeur continue ? tracez la forme du signal de sortie.

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