Module : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Chapitre 1 : ERME
JONCTION PN Pr. DOUIRI Moulay Rachid

1. Notions de semi-conducteurs :
1.1. Généralités :
Les matériaux semi-conducteurs sont caractérisés par leurs conductivités électriques qui se situent entre
celles conducteurs et des isolants. Ils peuvent avoir l’aspect des conducteurs ou des isolants selon leur
conductivité qui varie fortement avec la température.
Ordres de grandeur :
Isolant  < 10-6 S/m (S = Siemens)
Conducteur  ≈ 108 S/m
Semi-conducteur  ≈ 0,1 à 10-4 S/m

1.2. Semi-conducteur intrinsèque :

Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu'il est pur c.à.d. il ne comporte aucune impureté. Son
comportement électrique ne dépend que de la structure du matériau. Les semi-conducteurs intrinsèques sont
caractérisés par un nombre d’électrons égal à quatre dans leur dernière couche périphérique. Ils sont situés
dans le groupe IV de la classification périodique des éléments (exemple : Silicium, le Germanium…).
Dans un semi-conducteur intrinsèque, les porteurs de charge ne sont créés que par des défauts cristallins
et par excitation thermique. Ces semi-conducteurs ne conduisent pas le courant, excepté si on les porte à une
haute température.
Le semi-conducteur le plus utilisé est le silicium. C’est un atome tétravalent qui possède 4 électrons de
valence. Chaque atome met un électron périphérique en commun avec l’atome voisin. Leur couche
périphérique se trouve ainsi complétée à huit électrons, ce qui est une configuration très stable.
A zéro absolu, il n’y a pas d’agitation thermique et tous les électrons périphériques participent aux
liaisons covalentes ; aucun n’est donc libre pour participer à la conduction électrique : le corps est isolant
(Fig. 1a).
Lorsqu’on élève la température, l’agitation thermique permet à quelques électrons de se libérer de la
liaison covalente et d’être mobiles dans le cristal. D’où la naissance d’une paire de charge : Les électrons
libres sont appelés porteurs de charge négatifs. Les trous sont les porteurs de charge positifs. (Fig.1b).

Fig. 1.a : Cristal de silicium à 0°K Fig. 1.b : Création d’une paire Electron-Trou suite à la rupture
d’une liaison covalente sous l’effet de la température
On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour participer à un phénomène de conduction par des
bandes d’énergies (Fig. 2) :
• bande de valence : tant qu’un électron se trouve dans cette bande, il participe à une liaison covalente au
sein du cristal ;
• bande de conduction : un électron ayant acquis suffisamment d’énergie peut se trouver dans cette bande ;
il est alors mobile et peut participer à un phénomène de conduction ;
• bande interdite : la mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas prendre des niveaux
d’énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés ; entre la bande de valence et la bande de
conduction peut donc exister une bande interdite.
Pour rendre un électron mobile, il faut donc impérativement apporter de l’énergie en quantité suffisante pour
franchir ce véritable fossé (Gap en anglais).
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 Fig. 2

L’énergie d’un électron se mesure en électron-volts (eV) :1eV = 1,6×10−19J

1.3. Semi-conducteur extrinsèque :

Un semi-conducteur est dit extrinsèque lorsqu’on injecte des impuretés dans sa composition ; il est appelé
dans ce cas un semi-conducteur dopé. On distingue deux types selon la nature de dopage : type N ou type P.
a) Semi-conducteur de silicium type N :
On obtient un semi-conducteur de type N en dopant le cristal de Silicium avec des atomes possédant 5
électrons sur leur couche de valence avec un taux de dopage d’un atome d’impureté pour 105 à 108 atomes
de semi-conducteurs. On utilise ainsi le Phosphore ou l’Arsenic appartenant à la 5ème colonne de la
classification périodique des éléments (Fig. 3).
L’électron en surplus n’entrant pas dans une liaison covalente n’est
que faiblement lié à l’atome pentavalent. À la température ambiante, il
est libre dans le semi-conducteur (à cause de l’agitation thermique) et
participe à la conduction. Il en est pratiquement ainsi de tous les
électrons en excès venant de l’impureté pentavalente. L’impureté dans
ce cas est appelée donneur.
Remarque. La neutralité globale du semi-conducteur est bien sûr
conservée, à chaque électron libre dans le cristal, correspondant un ion
positif d’impureté dans le même cristal.

b) Semi-conducteur de silicium type P : Fig. 3 : Libération d’un électron

On obtient un semi-conducteur de type P en injectant, en faible par l’atome de Phosphore
quantité, dans le Silicium des atomes de la 3ème colonne comme le bore (ou
l’Indium, Gallium) qui possède trois électrons sur la couche de valence. Il
manque un électron à l’atome de bore pour réaliser les liaisons covalentes
avec les quatre atomes de Silicium qui l’entourent.
Les atomes de cette impureté vont se substituer, de place en place, à
ceux de silicium (Fig. 4). Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à
l’endroit de chaque atome accepteur.
À la température ambiante, cette lacune est comblée par un électron
voisin sous l’effet de l’agitation thermique, formant un trou positif dans le
cristal, libre de se déplacer à l’intérieur de celui-ci. On trouve donc, à
température ambiante, pratiquement autant de trous libres que d’atomes Fig. 4 : Libération d’un trou du
accepteurs. Bien sûr, la neutralité du cristal est conservée globalement Silicium dopé au Bore
chaque atome accepteur étant ionisé négativement après capture d’un
électron.

2 Jonction PN :
En dopant respectivement N et P deux parties d’un même cristal semi-conducteur, on forme un dipôle
appelé diode à jonction (Fig. 5). La jonction est la surface de contact située entre les deux parties du cristal
dopées différemment.
Bien qu’au départ chacune des deux zones soit électriquement neutre, la mise en contact des deux parties
induit un phénomène de migration de porteurs majoritaires de part et d’autre de la jonction : certains trous de

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la zone P se déplacent vers la zone N qui contient des donneurs d’électrons, tandis que certains électrons de
la zone N migrent vers la zone P qui contient des accepteurs d’électrons.

Fig. 5 Fig. 6

Un équilibre s’instaure autour de la jonction, créant ainsi un champ électrique interne 𝐸𝑖𝑛𝑡 . La zone située
autour de la jonction correspondant à ce champ électrique est appelée zone de déplétion (Fig. 6). La
présence de ce champ électrique se traduit également par la présence d’une différence de potentiel de part et
d’autre de la zone de déplétion. Cette différence de potentiel est appelée barrière de potentiel. La zone de
déplétion se comporte a priori comme un isolant et il devient très difficile pour un électron libre, de franchir
cette zone.

2.1 Principe de fonctionnement de la diode - Diode passante et la diode bloquée

Dans une jonction PN, l’application d’une tension V dirigée comme indiqué sur la Fig. 7 crée un champ
électrique qui s’ajoute au champ électrique interne (dans le même sens) poussant ainsi les électrons de la
zone N à s’éloigner de la jonction, tandis que les trous de la zone P subissent le même phénomène : la zone
de déplétion s’élargit ; la jonction devient pratiquement isolante. On dit que la diode est bloquée.

Fig. 7 Fig. 8

Si au contraire on applique une tension V orientée comme indiqué sur la Fig. 8, le champ électrique
externe ainsi créé s’oppose au champ interne. La barrière de potentiel est ainsi diminuée : des électrons
peuvent franchir la zone de déplétion (de la zone N vers la zone P compte tenu de l’orientation de V) qui
devient donc conductrice ; la diode est dite passante. La propriété essentielle de cette diode réside donc dans
le fait que la circulation des électrons au travers de la jonction ne peut s’effectuer que dans un sens : de la
zone N vers la zone P (de la cathode vers l’anode). Soit V la tension aux bornes de la diode et I le courant
qui la traverse. Comme le courant circule de l’anode vers la cathode (sens inverse des électrons), on
représentera tension et courant comme cela est indiqué sur la Fig. 9 (convention récepteur).

Fig. 9

2.2 Caractéristiques électriques de la diode

2.2.1 Caractéristique électrique réelle de la diode
Si V est effectivement positif, on dit que la diode est polarisée en sens direct. Un courant I peut
effectivement circuler dans la diode. Si V est négatif, la diode est polarisée en sens inverse est la diode est
bloquée, le courant Id dans ce cas n'est pas complètement nul mais vaut quelques nA (courant de fuite).
La Fig. 10 montre la caractéristique Id = f(Vd) d’une diode.
Vseuil est une donnée fournie par les constructeurs et vaut typiquement :
 0,3 V pour les diodes au Germanium ;
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  0,7 V pour les diodes au Silicium.
Sa caractéristique courant-tension Id=f(Vd) de la diode est donnée par l'équation de Shockley:
𝑒𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 exp −1 (1)
𝑛𝐾𝑇
ou encore
  Vj  
I d  I s exp    1 (2)
  nV0  
 Vj est la tension aux bornes de la diode ;
KT
 V0 (appelé tension thermique) est égal à où K est la constante de Boltzmann, T la température
e
absolue de la jonction et −e la charge d’un électron. V0 = 26 mV à T = 20 °C (293 K) ;
 n est le facteur de qualité de la diode, généralement compris entre 1 et 2 ; 1 pour une diode de
« signal » (comme le type 1N4148) ;
 Is est la constante spécifique au type de diode considéré, homogène à un courant. Cette constante est
aussi appelée « courant de saturation » de la diode.

On distingue sur la caractéristique de la diode différente

zones (Fig. 10):
 Zone de conduction : Vd > Vseuil, la diode se comporte
comme un conducteur (diode passante)
 Zone de blocage : Vd < 0, la diode se comporte comme
un isolant (diode bloquée)
 Zone du coude : 0 < Vd< Vseuil
 Zone de claquage inverse (par effet Zener ou
Avalanche) où il y a risque de destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans cette zone.
 Zone de limitation de puissance :
𝑃𝑑 = 𝑉𝑑 × 𝐼𝑑 < 𝑃𝑑_𝑚𝑎𝑥
Fig.10 : caractéristique Id=f(Vd) d’une
Pour des tensions inverses importantes (quelques dizaines de volts en valeur absolue),
diode on observe un
effet de conduction forcée au travers de la jonction, effet immédiat et en général destructeur : l’effet
d’avalanche.

2.2.2 Modèles statiques de la diode à jonction PN :

La diode est un élément fortement non linéaire, ce qui conduit à une étude assez difficile de son
comportement dans un système. Elle est donc remplacée en régime continu (statique) par des modèles
linéaires.
a) Modèle idéal :
La caractéristique courant-tension Id=f(Vd) est idéalisée (Fig. 11a).
 En direct, la diode est considérée comme un court-circuit (interrupteur fermé): Vd = 0 pour Id ≥ 0
(Fig.11b).
 En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert (interrupteur ouvert): Id = 0 pour Vd ≤ 0
(Fig.11c).

Fig. 11 : Caractéristique Id=f(Vd) d’une diode idéale (a), modèle en direct (b) et en inverse (c)

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Ce modèle est le plus simple, mais le moins précis. Il est utilisé pour des estimations rapides et pour des
analyses des circuits complexes.

b) Modèle à seuil :
On rajoute au modèle précédent la tension de seuil V0 qui représente la tension du coude de la diode
(Fig.12).
 En direct, on rajoute une force contre électromotrice V0 : Vd = V0 pour Id ≥ 0.
 En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : Id = 0 pour Vd ≤ V0.

Fig. 12 : Caractéristique Id=f(Vd) d’une diode à seuil (a), modèle en direct (b) et en inverse (c)
c) Modèle linéarisé :
On rajoute une résistance rD qui reflète une variation linéaire du courant en fonction de la variation de la
tension (Fig. 13).
 En direct, la diode est équivalente à l’association en série de V0 et une résistance dynamique
moyenne rD : Vd = V0+rD Id pour Id ≥ 0.
 En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : Id = 0 pour Vd ≤ V0

Fig. 13 : Caractéristique Id=f(Vd) d’une diode linéarisée (a), modèle en direct (b) et en inverse (c)
La résistance dynamique moyenne rD est déterminée par la pente moyenne de la partie utilisée de la
caractéristique directe de la diode :
∆𝑉𝑑
𝑟𝐷 = (3)
∆𝐼𝑑

2.3 Polarisation de la diode

2.3.1 Polarisation simple et le point de fonctionnement
On polarise une diode en sens direct en l’incluant dans un circuit de sorte qu’elle soit parcourue par un
courant I. Sur le schéma de la Fig. 14, un générateur parfait de tension E continue alimente un dipôle formé
d’une résistance R et d’une diode en série.

Fig. 14 Fig. 15

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  V

 I  I s e  caractéristique de la diode
V0

On a évidemment : 
 I  E  V  droite de charge
 R
Le point d’intersection de ces deux courbes donne le point de fonctionnement du circuit (Fig. 15). On voit
bien que pour diverses valeurs de R, la tension V varie peu.

2.3.2 Puissance dissipée dans une diode

En sens direct, la diode parcourue par un courant I et présentant à ses bornes une différence de potentiel
V, dissipe (en général sous forme d’énergie calorifique) la puissance P = VI. Toute diode possède une
puissance limite admissible Pmax. Graphiquement, cette puissance définit une zone de fonctionnement
possible pour la diode (Fig. 16).

Fig. 16

3 Les applications des diodes

En électronique, les diodes sont utilisées pour de multiples usages. Les deux propriétés intéressantes de
ces composants sont, d’une part la tension quasi constante à leurs bornes lorsqu’elles sont polarisées en sens
direct, et d’autre part le fait qu’elles peuvent alternativement être bloquées ou passantes. Les applications les
plus simples qui se basent sur ces propriétés concernent le redressement des signaux alternatifs.

3.1 Circuits redresseurs

3.1.1 Redressement mono-alternance
Le montage redresseur le plus simple est représenté par le circuit de la Fig.17, il comporte une alimentation
sinusoïdale (vi = Vm sin(ωt)) et une diode en série avec une résistance de charge Ru.
Vs(t)

V(t) Ru Vs(t
t
u )
Fig.18
Fig.17

En supposant le redresseur parfait (court-circuit en direct et circuit ouvert en inverse). La diode est
bloquée si et seulement si sa différence de potentiel en sens direct est négative : soit Vs(t) - V(t) < 0. Dans ce
cas, aucun courant ne circulant dans le circuit, on a Vs(t) = 0. Dans le cas contraire, V(t) < 0, la diode est
passante et on a alors V(t) = Vs(t). Soit le tracé de la Fig. 18.
La valeur efficace de la tension de sortie est celle représentée Fig.18. Pour obtenir les valeurs moyenne et
efficace de la tension de sortie vs, on intègre sur une demi période seulement, le signal étant nul sur l'autre.
 1 Vm sin(t )dt  m
T /2 V
moy T 0 
Vs (4)

V
Vseff  1  Vm2 sin 2 (t )dt  m
T /2
(5)
T 0 2
On peut obtenir également la valeur moyenne de la tension de sortie et les composantes harmoniques
d'ondulation en utilisant la décomposition en série de Fourier et on obtient :

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 Vm   2 2 cos(4t )  ...
Vs (t )  1 sin(t )  cos(2t )   (6)
  2 3 15 
On constate immédiatement que le signal est composé de :
V
- une composante continue = la valeur moyenne déjà définie Vsmoy  m

- une composante variable (Vac) qui résulte de la superposition d'une série de termes sinusoïdaux (le
fondamental plus des harmoniques en 2ωt, 4ωt,…). On a donc vs = Vsmoy + Vac.
La valeur efficace vraie du signal redressé, Vseff, définie plus haut, se calcule facilement et peut s'exprimer
en fonction des deux composantes Vac et Vsmoy par la relation : VS2eff  VS2moy Vac2 . Cette formule est
extrêmement utile sur le plan expérimental. En effet, on trouve très souvent des appareils mesurant soit la
composante continue seule, soit la composante alternative seule. Sur des multimètres électriques de la
dernière génération on trouve maintenant la possibilité de faire des mesures avec ou sans composante
continue, on peut donc atteindre expérimentalement : Vsmoy, Vac et VSeff vraie.

Facteur de forme - taux d'ondulation

Pour exprimer l'importance relative de l'ondulation par rapport à la valeur moyenne (composante continue)
on définit un certain nombre de coefficients.

a. Facteur de forme F
C'est le rapport de la valeur efficace du signal redressé à sa valeur moyenne.
VS
eff
F (7)
VS
moy

Pour un redressement mono-alternance on a :

F = π/2 = 1.57 ou 157%
b. Taux d'ondulation τ
C'est le rapport de la valeur efficace des termes d'ondulation Vac à la valeur moyenne Vmoy :
  VVac (8)
moy

Pour un redressement mono-alternance on a : τ = 1.21 soit τ = 121 %

3.1.2 Ecrêtage des signaux

Le schéma de la Fig. 19 représente un circuit écrêteur dont la fonction consiste à tronquer un signal, par
exemple sinusoïdal e(t) = E0sinωt, en éliminant sa ou ses parties dont la valeur dépasse certains seuils. E1 et
E2 sont deux sources continues parfaites inférieures à E0. Les diodes sont idéales : tension de seuil nulle.

Fig. 19
Les conditions pour lesquelles les diodes sont bloquées sont :
u (t )   E2  D2 bloquée

u (t )  E1  D1 bloquée
Par conséquent, lorsque ces deux diodes sont bloquées simultanément, et seulement dans ce cas, on a :
u(t)=e(t).
On en déduit donc : -E2 < e(t) < E1 <=> u(t) = e(t).
• Si e(t) > E1, la diode D1 devient passante. Comme elle est supposée idéale, la tension à ses bornes est nulle,
on a donc : e(t) > E1 <=> u(t) = E1.
• Si e(t) < -E2, la diode D2 devient passante et on a : e(t) < -E2 <=> u(t) = -E2

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 Cela revient à dire que lorsqu’une diode bascule de l’état bloqué dans l’état passant, elle court-circuite la
sortie sur le générateur de tension continue auquel elle est connectée. La Fig. 20 présente la forme de la
tension u(t).

Fig. 20

3.1.3 Redressement double alternance

On peut utiliser indifféremment le montage à prise médiane "va et vient" ou le montage "en pont". Dans tous
les cas le circuit d'utilisation Ru est traversé par un courant de même sens pour les deux alternances de la
tension d'entrée.

- Montage" va et vient"
Ru
V(t)

Fig.21

Le montage dit "va et vient" nécessite un transformateur avec secondaire double à point milieu; un appareil
coûteux et encombrant, c’est pour cette raison que l’on utilise presque souvent le montage "en pont".

- Montage "en pont de Craetz"

s(t)
VA
D1 D2
X Y
V(t)
D4
D3 R Vs(t)
VB

t
Fig.23
Fig.22
Dans les deux cas la tension de sortie VS (aux bornes de Ru) a la forme représentée par la Fig.23.
La figure 22 représente un pont de quatre diodes appelé pont de Graetz. Il est alimenté par une tension
vi=Vmsin(ωt) et on s’intéresse à la tension Vs(t) aux bornes de R. On suppose que les diodes présentent des
tensions de seuil nulles.

Analyse du fonctionnement :
Pendant la demi-alternance positive (Fig. 24), on a VA > VB. Va est la tension la plus élevée dans le
circuit. D2 ne peut être bloquée car cela impliquerait VY > VA. Donc D2 est passante et VY = VA. D3 ne peut
être bloquée car cela impliquerait Vx < VB. VB étant la tension la plus faible du circuit, imposée par
l’alimentation, ceci est impossible. D3 est donc passante et on a Vx = VB.

Fig. 24

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 VA  VB 
 VA  VX  D1 bloquée
Par ailleurs : VX  VB   
VY  VB  D4 bloquée
VY  VA 

On a alors : Vs(t) = V(t).
Pendant la demi-alternance négative, on a : VA < VB. VA est la tension la plus basse dans le circuit, tandis
que VB est la tension la plus élevée. Cette fois-ci, ce sont les diodes D1 et D4 qui sont passantes et les diodes
D2 et D3 sont bloquées (Fig. 25). On a : Vs(t) = -V(t).

Fig. 25

En rassemblant les deux cas sur un seul graphe (Fig. 26), on constate que toutes les demi-alternances sont
à présent positives et que le signal Vs(t) possède une composante continue (i.e. valeur moyenne) alors que
celle du signal V(t) était nulle.

Fig. 26

Le montage porte bien son nom de redresseur double alternance puisque chaque demi-alternance du
signal de départ est à présent positive. La valeur moyenne se calcule aisément mais un inconvénient
subsiste: en effet, si le signal de sortie possède bel et bien une composante continue, on ne peut pas à
proprement parler de tension continue.
Pour transformer le signal de sortie en tension véritablement continue, il faut éliminer les variations du
signal autour de cette composante continue. On y parvient en plaçant en parallèle sur la sortie, un
condensateur dit de filtrage ou de lissage dont l’objectif et d’amortir ces variations.
Les ponts de Graetz sont utilisés pour construire des générateurs de tension continue à partir de signaux
sinusoïdaux et l’élimination des variations du signal de sortie est donc une condition essentielle à l’obtention
d’un signal constant de qualité. Bien souvent, on ne se contente pas d’un simple condensateur de filtrage
mais on construit une véritable régulation de tension en aval du redressement double alternance.

 Calcul de la valeur moyenne

La période du signal est maintenant T/2
2Vm
Vmoy  T1 0 Vm sin(t)dt  T2 0
T T /2
Vm sin(t )dt  (9)

On constate que la tension moyenne de sortie est deux fois plus élevée que pour le montage mono-alternance
vu précédemment.
La composante fondamentale de l'ondulation possède une fréquence double de celle du signal incident.
Chaque diode D1 ou D2 (pour le montage " va et vient") ou chaque paire de diodes D1 – D2 ou D3 – D4
(pour le montage "en pont") travaille sur une alternance, on trouve pour chacune des branches les résultats
du montage mono-alternance.

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 Calcul de la valeur efficace
 1  Vm2 sin 2 (t )dt
T
VS2 (10)
eff T 0
En remarquant que le signe de la tension n'intervient plus (V2), on peut constater que les résultats sont les
mêmes pour une sinusoïde ou deux arcs de sinusoïde.
Vm
VS  Vi  (11)
eff eff 2

En reprenant les définitions du paragraphe précédent on trouve pour un redressement bi-alternance :

- Facteur de forme
Vi
VS
F V eff
 2    1.11 ou 111% (12)
Smoy 2Vi 2 2

- Taux d'ondulation
τ = 0,48 ou 48 %

Remarque : Cette tension peut être représentée par la série de Fourier suivante:
2Vi  2 2 
Vs (t )  1  cos(2t )  cos(4t )  ... (13)
  3 15 

Cette série fait apparaître une composante continue de valeur 2Vi/π (valeur moyenne) et une ondulation dont
la composante fondamentale possède une fréquence double de celle du signal d'entrée.

3.1.3 Circuits redresseurs avec condensateur de filtrage

a. Redressement mono-alternance Vs
Vi
Vi C R Vs
u
Fig.22-a t
Fig.22-b

A la mise en service, la capacité se charge à la valeur de crête Vm de la tension d'entrée. La résistance

interne du transformateur et la résistance série Ru du circuit doivent limiter ce courant transitoire à une
valeur compatible avec la valeur limite du courant de la diode.

Quand la tension d'entrée retombe en dessous de la valeur de crête, la polarisation du redresseur s'inverse
rapidement et il se bloque et le condensateur C se décharge dans Ru (Fig.23) suivant une loi exponentielle.

  t t 
VS (t )  VS (t1)exp    1   (14) C R Vs

    

 u
où τ est la constante de temps du circuit τ = RuC. Fig.23
A l'alternance suivante, quand la tension d'entrée dépasse celle qui reste aux bornes de C, la diode se trouve
dans le sens passant: le condensateur se charge à nouveau et le cycle recommence. Pour avoir une
ondulation résiduelle faible, il faudra que τ = RuC soit grand devant la période T du signal d'entrée.

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b. Redressement bi-alternance
Dans ce cas la tension de sortie est plus importante avec un résidu d'ondulation de fréquence double et
d'amplitude plus faible puisque le condensateur se décharge moins longtemps que dans le cas d’un
redressement mono-alternance.

4. Régulateurs de tension
4.1 Diode Zener
Certaines diodes sont conçues de manière à ce que l’effet d’avalanche ne soit pas destructeur, mais soit
au contraire maîtrisé et même utile. Dans ce cas, on parle d’effet Zener et de telles diodes sont appelées
diodes Zener (Fig. 25). Une diode Zener se polarise en sens inverse et présente à ses bornes, quel que soit le
courant qui la traverse, une tension quasiment constante appelée tension Zener et notée Vz. Les tensions
Zener des diodes Zener couramment utilisées vont de quelques dixièmes de volts à plusieurs dizaines de
volts (en valeur absolue).

Fig. 24

D’après sa caractéristique, le fonctionnement de cette diode peut être résumé de la manière suivante :
▪ En polarisation directe (VAC > 0), la caractéristique est identique à celle d’une diode de redressement. En
effet, le courant croît rapidement avec la tension à partir d’une certaine valeur de seuil Vd.
▪ En polarisation inverse (VAC < 0), on distingue deux régions selon la valeur de la tension VAC :
► VAC < Vz (ternsion Zener), le courant traversant la diode est quasiment nul et indépendant de VAC.
► VAC ≥ Vz, le courant traversant la diode croît rapidement alors que la tension VAC reste sensiblement
constante et égale à Vz. Dans cette région, on peut représenter la diode par un schéma équivalent constitué
d’un générateur de tension (Vz, Rz). Vz Rz
C A
Fig. 25

Le montage de base de stabilisation d’une tension par diode Zener est représenté sur la Fig.26. Tant que la
diode Zener est traversée par un courant la tension à ses bornes est constante et égale à Vz.

R Iz IR
Dz Vs
Ve Rc

Fig.26

Lorsque la diode Zener est passante, la tension Vs peut s'écrire :

RZ RC RRC
VS  Ve  VZ (15)
RZ RC  R  RC  RZ  RRC  RZ  R  RC 

Les variations de la tension de sortie Vs dépendent à la fois des variations de la tension d’entrée Ve et des
variations de la charge Rc. Ainsi pour minimiser ces dépendances, on définit les deux types de régulations
suivantes :

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4.2 Régulateur de tension à diode Zener
Un régulateur de tension est un dispositif qui permet de stabiliser une tension à une valeur fixe et qui est
nécessaire pour alimenter des systèmes électroniques qui ont besoin d’une tension ne présentant aucune
fluctuation. Le régulateur de tension le plus simple est celui qui tire parti de cette propriété qu’a la diode
Zener de présenter à ces bornes une tension constante lorsqu’elle est polarisée en sens inverse (Fig. 26).
Dans ce circuit, la tension de sortie U reste constante et égale à -Vz du moment que la tension E reste
supérieure à -Vz.

Fig. 26
Remarque
On choisit la diode Zener en fonction de la tension stabilisée que l’on souhaite obtenir. Par ailleurs, il
convient de procéder à une étude précise des puissances susceptibles d'être mises en jeu dans un tel circuit
afin de s’assurer que la résistance et la diode Zener restent dans leurs limites de fonctionnement.

4.2.1 Régulation amont (influence des variations de Ve)

En considérant la charge Rc constante, on peut dériver la relation (14). Dans la plage de régulation, on
définit alors le taux de stabilisation à charge Rc constante (coefficient de régulation amont) qui traduit les
variations de la tension de sortie en fonction de celles de l’entrée par :
VS 1
 (16)
Ve 1 R  R
RC RZ

4.2.2 Régulation aval (influence des variations de la charge Rc)

En dérivant (14) à tension d'entrée constante, on définit de même le taux de stabilisation à tension Ve
constante (coefficient de régulation aval) qui traduit les variations de la tension de sortie avec la charge, par:
VS
 (17)
RC

4.3 Exemple de régulateur de tension

4.3.1 Régulateur de tension intégré
I1 existe des régulateurs de tension prêts à l’emploi qui se présentent sous la forme d’un petit composant
disposant de trois pattes de connexion (Fig. 27). On les utilise de manière extrêmement simple en plaçant à
leur entrée la tension non régulée E et on dispose, en sortie, d’une tension stabilisée qui dépend du modèle
choisi (5V, 10V, 12V, 15V, etc.). Il est souvent recommandé de placer un condensateur à l’entrée du boîtier,
de l’ordre de quelques dixièmes de µF, (afin d’éviter un possible phénomène oscillatoire).

Fig. 27
4.3.2 Régulateur de tension ajustable
Il est parfois difficile de trouver un régulateur présentant une tension de sortie correspondant exactement
à la valeur recherchée. Le montage de la Fig. 28 montre comment on peut décaler la valeur de la tension
présente en sortie du régulateur LM317.

Pr. DOUIRI Moulay Rachid 12/14

 Fig. 28
ANNEXE

Pr. DOUIRI Moulay Rachid 13/14

 Tableau périodique : Semi-conducteurs

Pr. DOUIRI Moulay Rachid 14/14