Electronique de puissance GEL-17968

EXERCICES ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE GEL-17968

Solutionnaire de la deuxième Partie

([HUFLFH
Exemple déjà développé en cours (cf cours)

([HUFLFH
C’est un montage de type hacheur dévolteur-survolteur. C’est le même exercice que l’exercice 5 qui montre
un montage de type Fly-back (version du hacheur dévolteur-survolteur isolée). Il suffit de prendre n1 = n2.

1) YRLUILJXUHVGHO¶H[HUFLFH,OVXIILWGHSUHQGUHQ Q
5
  96 = * (  GpPRQVWUDWLRQFIFRXUV 
1− 5

, 6 = (1 − 5) * , / PR\
, ' )$9 = , 6
,6
, ' )506 =
1− 5
5
, 7 $9 = * ,6
1− 5
5
, 7 506 = * ,6
1− 5

(
97 min L = = 9' 550
1− 5

Rmax = ½
5
96 = 489 = *(
1− 5

(*5
∆, =
/* I

([HUFLFH

On néglige l’ondulation de tension ∆VC1 et ∆VC2 et on pose VC2 = VS.

  ([SUHVVLRQGH9&

On choisit une maille qui ne comporte pas d’interrupteurs :

∑V = 0 ⇔ VC1 + VL1 = VC2 + VL2

1
Electronique de puissance GEL-17968

VC1 VL2

VL1 VC2

En régime permanent périodique, les inductances n’accumulent pas d’énergie :

<VL> = 0
<VC1> + <VL1> = <VC2> + <VL2>
<VL1> = 0 et <VL2> = 0
<VC1> = <VC2> = VS
comme ∆VC1 = 0 ⇒ VC1 = VS

  eWXGHGXIRQFWLRQQHPHQW

Séquence 1 :
t = 0, T amorcé, iL1(0) = im1 et iL2(0) = im2
VD = -E + VT – VC1
VT = 0
VD = -E – VS < 0 ⇒ D est bloquée

Mailles parcourues par un courant : VC1 iL2

VL2 VS
VL1 iL1
E

G, /1 (
9/1 = ( = /1 ⇒ , /1 (W ) = W + , P1
GW /1
(
9/ 2 = ( + 9&1 − 96 = ( ⇒ , / 2 (W ) = W + , P2
/2
97 = 0
9 ' = − ( − 96
, 7 = , /1 + , / 2
,' = 0
2
Electronique de puissance GEL-17968

Passage de la séquence 1 à la séquence 2 :

à t = ton, on bloque T
L’ouverture de T provoque une surtension dans l’inductance L1 et L2 :

IL1 : Im1 → 0
G, /1
→ −∞
GW
G,
9/1 = /1 /1 → −∞
GW
VD = -VL1 – VC1 = -VL1-VS → -∞

La diode D s’amorce instantanément.

Séquence 2 :

D est amorcée, T est bloqué

Mailles parcourues par un courant : iL2

VL1 iL1

VD = 0
VL1 = -VC1 – VD = -VC1 = -VS
− 96
⇒ L /1 (W ) = (W − W RQ ) + , P1
/1
VL2 = -VC2 – VD = -VS
− 96
⇒ L / 2 (W ) = (W − W RQ ) + , P 2
/2
VT = E + VS
IT = 0
ID = iL1 + iL2

Passage de la séquence 2 à la séquence 1 :

On amorce T alors que D conduit le courant dans les branches où il y a des inductances. Le
courant ne peut pas varier rapidement. L’amorçage de T provoque l’apparition d’un courant de
court-circuit :

IT = ICC (courant de court-circuit)

ID = IL1 + IL2 – ICC
(IL1 + IL2 = valeur constante)
3
Electronique de puissance GEL-17968

On réalise une commutation de courant de la diode vers le transistor.

iL2

E IL1

ICC

ID IT

commutation de courant

Lorsque ID = 0 et IF = IL1 + IL2 :

VD = -E – VS
⇒ D se bloque
⇒ T conduit seul

On retrouve la séquence 1.

 IL1 IL2
IM1 IM2

Im1 Im2

ton T ton T

Surfaces égales Surfaces égales

VL1 VL2

-VS

4
Electronique de puissance GEL-17968



 IT ID

 IM1+IM2 IM1+IM2

 Im1+Im2 Im1+Im2




 VT VD


E+VS


 -E-VS



4) (QUpJLPHSHUPDQHQW
1 WRQ 1 WRQ
9/1 = 0 = ⋅ ∫ ( ⋅ GW + ⋅ ∫ − 9V ⋅ GW = ( * WRQ − 96 * (7 − WRQ)
7 0 7 0
( * WRQ 5
⇒ 96 = ⇔ 96 = ( *
7 − WRQ 1− 5

C’est un hacheur dévolteur survolteur :

⇒ 0 ≤ R < ½ (dévolteur)
⇒ ½ < R < 1 (survolteur)

  YHUVLRQLVROpH

Il faut prévoir un circuit RC aux bornes du transistor pour limiter la surtension que produit l’inductance de
fuite entre les 2 enroulements lors de l’ouverture du transistor.

Le fonctionnement est différent de l’alimentation Forward :

Ce n’est pas un transformateur mais une inductance à 2 enroulements→ stockage d’énergie

5
Electronique de puissance GEL-17968

([HUFLFH
  VpTXHQFH

T1 et T2 amorcés
VD1 = -E + VT1 = -E (VT1 = 0)
VD2 = -E + VT2 = -E (VT2 = 0)
D1 et D2 sont bloquées.
V1 = E
V2 = V1/a > 0 (où a → rapport de transformation)

Pour alimenter la capacité de sortie : V2 > VS

⇒ D3 est amorcée
VD3 = V2 – VS – VL > 0 sachant que IL=0 et VL=0
VD = -V2 < 0
⇒ D est bloquée

Mailles parcourues par un courant :

n1I1 – n2I2 = n1I10

G, / 2 9 − 96
9/ 2 = 92 − 96 = /2 ⇒ , / 2 (W ) = 2 W + ,P
GW /2

courant magnétisant :

G, 10
, 10 → 9 / 1P = /1P =(
GW
(
⇒ , 10 (W ) = W
/1P

6
Electronique de puissance GEL-17968

,2 ( 9 − 96
, 7 = , 1 = , 10 + = W+ 2 W + ,P
D /1P D * /2
,' = ,2

Prochain événement : on bloque les transistors avant la saturation du transformateur

  3DVVDJHGHODVpTXHQFHjODVpTXHQFH

T1 et T2 sont bloqués.
⇒ l’inductance magnétisante provoque une surtension
G,
, 10 → 0 ⇒ 9 /1P = /1P 10 → −∞
GW
VD1 + VD2 = -E –V1 avec V1 → -∞
⇒ VD1 et VD2 → +∞
D1 et D2 s’amorcent instantanément

91 − (
91 = − ( ⇒ 92 = = <0
D D

Comme V2 est négatif, D s’amorce instantanément : VD = -V2 + VD3 = E/a (VD3 = 0)

D et D3 conduisent ensemble ⇒ court-circuit au secondaire du transformateur

ID3 ID

ID3 = IL – ICC
ID = ICC

→ commutation de courant de D3 vers D lorsque ID3 = 0

VD3 = V2 + VD < 0 ⇒ D3 se bloque (VD = 0)

  VpTXHQFH''HW'DPRUFpV

VT1 = VT2 = E
ID1 = ID2 = I1
ID = IL
VD3 = V2 < 0

7
Electronique de puissance GEL-17968

Mailles parcourues par un courant

Il faut que le courant magnétisant s’annule avant la prochaine séquence pour éviter la saturation du
transformateur ⇒ il faut limiter le rapport cyclique pour limiter la durée de la séquence 1 (charge de
l’inductance magnétisante).

Pendant la séquence 1 → V1 = +E
Pendant la séquence 2 → V1 = -E

La limite de rapport cyclique est atteinte lorsque <V1> = 0 avec I10 qui s’annule à la fin de la séquence 2.

⇒ temps de charge = temps de décharge (même tension)

⇒ R ≤ ½ et Rmax = ½

Si R > ½
→ I10 ne s’annule pas
→ il y a accumulation d’énergie
→ saturation du transformateur

  3DVVDJHGHODVpTXHQFHjODVpTXHQFHSRXU5 ò

On amorce les transistors ⇒ il y a apparition de courants de court-circuit

ICC

ICC

8
Electronique de puissance GEL-17968

IT = ICC IT augmente
ID = IL1 – ICC ID diminue
ID IL

⇒ commutation de courant des diodes vers les transistors lorsque ID1 = 0 ⇒ VD1 = -E

D1 se bloque idem pour D2

 Rapport de transformation réel :

E = 170V, VS = 48V, Pn = 500W avec R = ½ on a :

VS = V2 – VL pendant 0 ≤ t ≤ ton
Capacité non-alimentée pendant ton ≤ t ≤ T
<VS> = V2/2 = R*V2

avec VS = 48V et V2 = 96V

91 1709
D= =
92 969

VCEO = 170V
VRRMD = 96V
5 * ,6
, 7$9 =
D
5 * ,6
, 7506 =
D
, )$9 = (1 − 5) * , 6
, )506 = 1 − 5 * , 6

IL
IM

Im

ton T t ton T t

9
Electronique de puissance GEL-17968

I1 Φ

Im/a

V1,V2 IT

Im/a

-E

ID1 ID3

ID VT

10
Electronique de puissance GEL-17968

VD1 VD3

-E -E

VD

([HUFLFH

Montage Flyback


IT ID

T/2 T 3T/2 T/2 T 3T/2 2T

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Electronique de puissance GEL-17968

V1 V2

E (n2/n1)E

-(n1/n2)VS -VS

V1 V2

E (n2/n1)E

-(n1/n2)VS -VS

 Pour établir l’expression de VS en fonction de E, il faut calculer la tension aux bornes d’un enroulement
et imposer sa valeur moyenne à zéro.

Au secondaire :

17 1 WRQ Q2 1 7 Q
< 9/ 2 >= 0 = ∫ Y2 (W ) ⋅ GW = ∫ ⋅ ( ⋅ GW + ∫ − 96 ⋅ GW = 2 5( − (1 − 5) * 9
70 7 0 Q1 7 WRQ Q1
Q 5
⇒ 96 = 2 * *(
Q1 1 − 5

   On néglige l’ondulation du courant dans l’inductance ou plus exactement, on néglige l’ondulation de

flux dans le noyau magnétique.

Valeur moyenne du courant dans la charge : IS

Si on néglige l’ondulation de courant → IL2m = IL2moy

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Electronique de puissance GEL-17968

1 7 1 7
,6 = ∫
7 0
LV (W ) ⋅ GW = ∫ ,
7 0 / 2PR\
⋅GW
⇒ , 6 = [1 − 5 ]* , / 2 PR\
,')$9 = , 6
1 7 2 ,6
,')506 =
7 ∫0
L/ 2 ⋅ GW = 1 − 5 = , / 2 PR\ =
1− 5
Q1, /1PR\ = Q2 , / 2 PR\
Q 5 Q
,7 )$9 = 5 * , /1PR\ = 5 * 2 * , / 2 PR\ = * 2 * ,6
Q1 1 − 5 Q1

5 Q2
, 7 506 = 5 * , /1 PR\ = * * ,6
1 − 5 Q1

 Φ








 T/2 T 3T/2 T
 IL1,IL2
 IL2M
 IL2moy

 IL1M
IL1moy

 (Moyenne sur 0
 à ton seulement)

 ton T



Q1 (
97 min L = ( + * 96 =
Q2 1− 5
Q2 Q (
9' = 96 + *( = 2 *
Q1 Q1 1 − 5

  $SSOLFDWLRQQXPpULTXH

R = 0.5, E = 48V, VS = 5V

13
Electronique de puissance GEL-17968

Q2 5
⇒ 96 = * *(
Q1 1 − 5
Q2 5
⇒ = = 0.104
Q1 48

IDFAV = 5A
ITAV = 0.26A
IDFRMS = 7.07A
ITRMS = 0.73A
VRRM = 10V
VTmini = 96V

  FULWqUHVXSSOpPHQWDLUHRQGRLWLPSRVHUO¶RQGXODWLRQGHFRXUDQWGDQVO¶LQGXFWDQFH

au primaire :
(
0 < W < W RQ → L /1 (W ) = *W + ,P
/1
à t = ton :
(
L /1 (WRQ) = * W RQ + , P = , 0
/1
(
⇒ * W RQ = , 0 − , P = ∆,
/1
(*5
⇒ ∆, =
/1 * I
f : fréquence de modulation

En fixant la valeur de ∆I, on en déduit la valeur de l’inductance.

14
Electronique de puissance GEL-17968

([HUFLFH
1) C’est un KDFKHXUGpYROWHXU (ou montage Buck)
2) Bloc de puissance B1

220V
Vout
R1
D8

C1 L

L1

T5
C7

C6

a) Interrupteurs principaux
R1 : Pont redresseur monophasé (double alternance) à 4 diodes : Redresse la tension sinusoïdale du
réseau
T5 : Transistor de puissance : Permet de faire varier la tension aux bornes de la charge Vout par
modulation de largeur d’impulsions
D8 : Diode de roue libre : Permet d’assurer la continuité du courant dans la charge lorsqu’on ouvre le
transistor de puissance
b) Composants de filtrage
C1 : Capacité de filtrage pour réduire l’ondulation de la tension continue
L : Inductance de filtrage en série avec la charge : Permet de lisser le courant (réduire l’ondulation du
courant)
c) Composants des circuits d’aide à la commutation CALC
L1 : Circuit d’Aide à La Commutation (CALC) : Permet de limiter les gradients de courant lors de la
commutation du courant diode D8 - transistor T5 au moment de l’amorçage du transistor: Ce circuit
d’aide à la commutation à l’amorçage du transistor permet de limiter les pertes par commutation qui
sont dissipées par le transistor. Il réduit les surintensités dans le transistor. L’inductance L1 est
saturable pour limiter la quantité d’énergie stockée.
C7 et C6 : Autre circuit d’aide a la commutation (CALC) : Permet de limiter les gradients de tension
lors des commutations de courant transistor T5 – diode D9 au moment du blocage du transistor: Ce
circuit d’aide à la commutation au blocage du transistor permet de limiter les pertes par commutation
qui sont dissipées par le transistor. Il réduit aussi les surtensions aux bornes du transistor.
e) L’énergie de commutation stockée dans L1 et L’1 est récupérée sur la capacité C1 et dissipée en partie
dans R23. L’énergie stockée dans C7 et C6 est renvoyée sur l’alimentation DC pour alimenter le driver et
les circuits de commande. Une partie de cette énergie est dissipée par R21, R22.
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Electronique de puissance GEL-17968

3) Bloc de l’étage driver B2

R14 R18
D7
T2
D5
T3
D6
R13
T4
D3
D1 R16
A1 T1 R17 L2 R20
D4

T3 et T4 : Montage Push-pull (T3 et T4 fonctionnent de manière complémentaire)

T3 : Transistor NPN : l’amorçage de ce transistor provoque l’amorçage du transistor principal
T4 : Transistor PNP : l’amorçage de ce transistor provoque le blocage du transistor principal
D7 : diode d’anti-saturation. Permet de faire fonctionner le transistor de puissance dans la zone de quasi-
saturation (peu de charges stockées dans les jonctions) pour accélérer la commutation au blocage.
R18 : Résistance pour limiter le courant de base dans le transistor de puissance lors de l’amorçage de T3
R17 : Résistance pour limiter le courant de base dans le transistor de puissance lors de l’amorçage de T4
L2 : Inductance pour limiter le gradient du courant de base dans le transistor de puissance lors de la
commutation au blocage.
T2 : Transistor PNP : l’amorçage de ce transistor provoque l’amorçage du transistor T3
D6 : diode d’anti-saturation
R14 : Permet de limiter le courant de base de T2 lors de son blocage
R13 : Permet de limiter le courant de base de T2 lors de son amorçage
T1 : Transistor NPN : l’amorçage de ce transistor provoque l’amorçage du transistor T2
D3 : diode d’anti-saturation

4) Bloc de surveillance et de protection B4

D7

T5

R10
T8
R8 R20

C3
R9

R20 : Résistance de faible valeur (shunt) pour mesurer le courant qui circule dans le transistor de puissance.
T8 : Thyristor
R9-R10-C3 : Circuit de gâchette du thyristor T8. Un courant important dans le transistor T5 entraîne une
tension élevée aux bornes de R2. Cette tension produit un courant qui circule par R8 et R10 pour charger la
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Electronique de puissance GEL-17968

capacité C3 et provoquer l’amorçage du thyristor T8. Le point A1 a alors le même potentiel que la masse ce
qui entraîne le blocage de T1, de T2, de T3. T4 s’amorce et T5 se bloque.
L’amorçage de T8 intervient uniquement si le courant est important. C’est un système de protection contre
les surintensités.
5) La tension de sortie est réglée par modulation de largeur d’impulsions (rapport cyclique variable). Le
potentiomètre P1 permet d’ajuster la tension de commande. On compare la compare la tension de P1 avec
une dent de scie pour produire le signal de modulation à rapport cyclique variable.
6) D4 -D3-T1 : circuit d’anti-saturation pour éviter l’accumulation de charges stockées dans les jonctions
du transistor T1 pour augmenter la rapidité de la commutation au blocage. On maintient une tension VCE de
l’ordre de 0.6V avec la diode D3.
7) Dimensionnement
a) La tension maximale aux bornes du condensateur correspond à la tension maximale du
réseau alternatif (311 V)
b) VRRM pour D8, D9, D7, D9 est égal à 311V
c) VCEO de T5 est égal à 311 V. VCEO de T1, T2, T3, T4 est égal à 20 V (tension C5 limitée à
16V)
8) Rôle de C6, D, R22 : Permet de récupérer une partie de l’énergie du CALC pour alimenter le système
de commande (amélioration du rendement) en chargeant la capacité C5. La diode zéner Z1 permet de
limiter la tension aux bornes de C5 et protéger les circuits de commande.
9) I=Vc5/R18
10) C4 permet de stabiliser la tension du potentiomètre P1 en évitant des variations brusques de tension par
l’addition d’une constante de temps RC.

([HUFLFH
1) C’est un convertisseur DC-DC isolé de type Forward
2) La tension maximale aux bornes de la capacité ne dépasse pas celle du réseau alternatif (311 V). S’il
n’y a pas de flux de fuite dans le transformateur et d’énergie stockée dans le noyau magnétique (inductance
magnétisante), il n’y aura pas de surtension (ce qui est très optimiste). On peut considérer que la tension
VCEO du transistor doit être au moins égale à 311V.
3) La diode BYT11-1000 est une diode d’anti-saturation pour éviter l’accumulation de charges stockées
dans les jonctions du transistor de puissance pour augmenter la rapidité de la commutation au blocage. Elle
doit tenir la même tension que le transistor : 311 V. La diode BYW100 est une diode basse tension VRRM
=12 V
4) Il s’agit d’un circuit Snubber qui permet de limiter la surtension aux bornes du transistor de puissance
lorsqu’il se bloque. Cette surtension est produite principalement d’une inductance magnétisante du
transformateur T1. L’ouverture du transistor ne provoque plus d’interruption brutale du courant dans
l’inductance en raison de la présence du condensateur et de la diode (continuité du courant et de l’énergie
assurée).
La résistance sert à dissiper l’énergie stockée dans le condensateur lorsqu’on amorce le transistor de
puissance. Elle limite aussi la surintensité dans le transistor.
5) Si le transistor de sortie du circuit intégré du PWM control est amorcé alors :
Q1 (canal P) s’amorce puisque sa tension Vgs devient supérieure 5V
Q2 (canal P) se bloque puisque sa tension Vgs devient presque nulle
Le transistor SGSP201 (canal N) s’amorce puisque sa tension Vgs devient supérieure 5V
Le transistor de puissance BUF410A (NPN) se bloque puisque le courant de base est négatif
6) Si le transistor de sortie du circuit intégré du PWM control est bloqué alors :
Q1 (canal P) se bloque puisque sa tension Vgs devient presque nulle
Q2 (canal P) s’amorce puisque sa tension Vgs devient supérieure à 5V
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Electronique de puissance GEL-17968

Le transistor SGSP201 (canal N) se bloque puisque sa tension Vgs devient presque nulle
Le transistor de puissance BUF410A (NPN) s’amorce puisque le courant de base est positif

([HUFLFH
1) C’est un convertisseur DC-DC isolé de type Forward : T1 est un transformateur; les enroulements
primaire et secondaire fonctionnent ensemble. Il n’y a pas de stockage d’énergie dans le noyau magnétique
2) Il s’agit d’un circuit Snubber qui permet de limiter la surtension aux bornes du transistor de puissance
lorsqu’il se bloque. Cette surtension est produite principalement par l’énergie stockée dans le noyau
magnétique (inductance magnétisante) du transformateur T1. L’ouverture du transistor ne provoque plus
d’interruption brutale du courant dans l’inductance en raison de la présence du condensateur C2 et de la
diode D3 (continuité du courant et de l’énergie assurée). La résistance R1 sert à dissiper l’énergie stockée
dans le condensateur.
3) La diode zéner Z3 protège le transistor MOSFET contre des surtensions (elle écrête la tension). Le
transformateur T3 est un transformateur de courant qui permet d’assurer une mesure isolée du courant dans
le transfo T1. R4 est une résistance de très faible valeur (un transformateur de courant a son secondaire
pratiquement mis en court-circuit). La mesure de courant est utilisée par le système de contrôle. C’est
vraisemblablement un système de protection en cas de surintensité qui va permettre de limiter le courant
maximal au primaire. On peut noter que la sortie du circuit de contrôle (signal de commande du Mosfet) est
envoyée sur le driver en utilisant un transformateur d’impulsions pour assurer l’isolation galvanique entre le
circuit de contrôle et le primaire du transformateur.
Les diodes Zéner Z1 et Z2 permettent de limiter la tension Vgs à l’entrée du Mosfet : Z2 limite la tension
positive (par exemple Vgs < 15 V) et Z1 limite la tension négative (par exemple Vgs > -5 V).
4) Une mesure de la tension Vout est envoyée directement sur le circuit de contrôle sans isolation
galvanique. Cette mesure de tension permet d’assurer la régulation de la tension de sortie. Vous pouvez
remarquer que le circuit de contrôle a le même potentiel de masse que la sortie du convertisseur. Aussi, il
était important d’utiliser un transformateur de courant T3 et un transformateur d’impulsions pour éviter
toute liaison électrique entre les circuits au secondaire et au primaire du transformateur T1. Comme il y a
une mesure de la tension de sortie et vraisemblablement une régulation, la tension du réseau peut varier sans
que cela ne modifie la tension de sortie. Le système de contrôle va simplement ajuster le rapport cyclique.
Le circuit snubber va continuer à remplir sa fonction (limiter la surtension et dissiper l’énergie de
l’inductance magnétisante du transformateur si la tension augmente).

18