La Diode A Jonction Et Le Transistor PDF

LA DIODE A JONCTION ET LE TRANSISTOR
I. RAPPELS SUR LA CONDUCTION DANS LES SOLIDES

1) Mcanisme de la conduction
Nous savons que les conducteurs du courant lectrique peuvent tre des corps
solides (tous les mtaux en gnral), des corps liquides (lectrolytes) ou, sous certaines
conditions, des corps gazeux.
Dans tous les cas, la conduction est due un mouvement de porteurs (lectrons
dans un mtal, ions dans un lectrolyte ou un gaz).
La thorie lectronique classique reprsente un conducteur solide comme un
rseau cristallin ionique et entre les noeuds de ce rseau se trouve un "gaz lectronique"
form d'lectrons librs par les atomes (on les appelle "lectrons libres").
C'est ce que veut montrer la figure 1 :
Electrons lis
Electrons libres
+
V
Figure 1
On dfinit alors:
G
v
- La mobilit des porteurs par = JG
E
champ lectrique appliqu E
v tant leur vitesse acquise sous le
- La conductivit du corps par = qn, q tant la charge unitaire des porteurs et n

leur nombre.
G JG
- La densit du courant par J=E
- La rsistivit du corps qui est l'inverse de sa conductivit. C'est une
caractristique fondamentale du conducteur. On sait qu'elle dpend de la temprature:
= 0 (1+T)
0 , conductivit 0K
est un coefficient positif pour les mtaux, comme l'indique le tableau N1 ci-aprs:
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale
2 Partie: L'AMPLIFICATION
Tableau n1 : Caractristiques de quelques mtaux

Mtal
Rsistivit
Coefficient de temprature
mm/mm
(C)-1
Argent
0,0162
0,0036
Cuivre
0,0169
0,0040
Or
0,0240
0,0037
Aluminium
0,0262
0,0042
Nous verrons qu'il existe aussi des corps avec un coefficient de temprature
ngatif (CTN pour rsumer).
2) Conducteurs, isolants et semi-conducteurs

A ct des conducteurs, il y a les milieux qui ne permettent pas le passage de
l'lectricit: ce sont les milieux non conducteurs, plus connus sous le nom d'isolants.
Ds 1833, Faraday avait constat que la temprature influe sur la conduction de certains
isolants: il proposa alors de les classer dans une catgorie part, celle des semiconducteurs.
La thorie des bandes permet une reprsentation commode qui explique le
comportement lectrique d'un solide (figure 2).
Energie
Bande de conduction
Energie croissante avec
lloignement du noyau
Bande interdite
Gap
Bande de valence
Figure 2
Pour un isolant, la bande de valence est sature alors que la bande de conduction
est vide. Ces bandes sont spares par une bande interdite dont la hauteur (ou
"gap" d'nergie) est de plusieurs lectrons-volts.
Le conducteur n'a pas de bande interdite et les lectrons de valence se dplacent

librement en occupant partiellement la bande de conduction.
Le semi-conducteur possde une bande interdite d'une largeur si faible (de

l'ordre de l'lectron-volt) qu'un apport d'nergie relativement modeste
(rayonnement ou agitation thermique) suffit librer des lectrons de valence
qui passent alors la bande de conduction, rendant ainsi le milieu conducteur.
3) Les semi-conducteurs
On dsigne donc par ce nom les corps qui sont isolants trs basse temprature et
qui deviennent conducteurs lorsque la temprature augmente. Il en existe une grande
varit, construits avec des liaisons covalentes (lments du groupe IV), ou des liaisons
qui deviennent de plus en plus ioniques quand on s'loigne du groupe IV
Classification priodique
II III IV V VI
Zn
Al
Si
Ga
Ge
As Se
Sn
Sb
Cd In
Te
Les principaux lments appartiennent au groupe IV : Silicium, Germanium et

Etain gris (-Sn) ; ce dernier , une forme polymorphique rare de l'tain nest intressant
que du point de vue fondamental.
Il existe aussi des semi-conducteurs composs, constitus soit par un lment du
groupe III avec un lment du groupe V, un lment du groupe II avec un lment du
groupe V ou un lment du groupe I avec un lment du groupe VII :
Arsniure de gallium (GaAs)

Nitrure de gallium (GaN)
Antimoniure du gallium (GaSb)
Phosphure de gallium (GaP )
Arsniure d'indium (InAs )
Phosphure d'indium (InP )
Antimoniure d'indium (InSb)
Antimoniure d'aluminium (AlSb)
Phosphure d'aluminium (AlP )
Arsniure d'aluminium (AlAs )
CdTe , CdS, ZnSe, ZnTe, MgS
CuBr , CuCl, CuI
Il y a aussi des semi-conducteurs non cristallins tels que le silicium amorphe, des
verres semi-conducteurs (sulfure de germanium), chalcognures (Se, As2Se3) et mme
des semi-conducteurs organiques (anthracne C14H10, naphtalne C10H8 et le coronne
C24H12)
On voit que la panoplie est bien vaste mais il faut savoir que le Silicium est
actuellement le matriau prdominant (98 % des composants actuels), le Germanium
ntant pratiquement plus utilis car ses caractristiques sont nettement infrieures
(fuites leves, temprature de jonction faible,). LArsniure de Gallium possde des
caractristiques suprieures mais les difficults technologiques de son utilisation (qui
entranent donc la chert des composants AsGa) ont fait quil reste cantonn dans les
applications sophistiques o de grandes performances dont recherches.
a) Les semi-conducteurs intrinsques

Les semi-conducteurs sont constitus par des difices cristallins dans lesquels tous
les atomes sont lis entre eux par des valences homopolaires. L'nergie ncessaire pour
rompre une telle liaison (on l'appelle "nergie de conduction") est faible, comme le
montre le tableau N2 ci-dessous, ce qui fait que l'agitation thermique suffit librer un
certain nombre d'lectrons qui pourront alors se mouvoir sous l'action d'un champ
lectrique, comme dans un mtal.
Tableau N2: Energie de conduction de quelques matriaux (en eV)
C
SiC
GaAs
GaP
GaSb
InSb
InAs
InP
Ge
Si
300K 5,47
0,66
1,12
3,0
1,43
2,25
0,68
0,17
0,36
1,29
0K
0.75
1.16
3.1
1.52
2.35
0.81
0.24
0.42
1.42
5.51
A basse temprature, l'agitation thermique est trs faible et le corps est isolant. La
figure 3 montre quelques liaisons covalentes rompues (sous l'effet de la temprature ou
du rayonnement, donc par l'apport extrieur d'une petite nergie):
L'lectron qui vient d'tre libr laisse un vide sa place, un "trou" qui est
considr comme une particule possdant une charge oppose celle de l'lectron. On
dit qu'il y eu cration d'une "paire lectron trou". Ce trou cre une force d'attraction
lectrostatique pour les lectrons de covalence voisins et si l'un de ces derniers vient
s'y piger, il laissera sa place un autre vide, donc un autre trou et ainsi de suite. Le
mouvement du trou est, tout comme celui de l'lectron, dsordonn et si un champ
lectrique est appliqu au cristal, son dplacement s'effectue dans le sens de ce champ
mais avec une vitesse plus faible (dans le Germanium par exemple, et sous un champ de
1V/cm, la vitesse du trou est de 17 m/s tandis qu'elle est de 36 m/s pour l'lectron). Ces
lectrons et ces trous en mouvement sont appels porteurs libres.
noyau
lectron
trou
+
liaison rompue
+
Figure 3
Les concentrations en porteurs libres (trous de la bande de conduction et lectrons

de la bande de valence) rsultent de l'quilibre entre production et recombinaison
d'lectrons et de trous mais le nombre d'lectrons est toujours gal au nombre de trous.
Si on appelle ni la concentration en lectrons et pi la concentration en trous, on a:
2
i
2
i
Eg
n =p =AT e kT
Eg tant la hauteur de la bande interdite (Eg =Ec -Ev)
L'indice i est mis pour rappeler que le semi-conducteur est intrinsque.
A est un coefficient qui dpend du semi-conducteur.
10
Pour le Silicium, 300 K, on a ni =pi 10
Le semi-conducteur prsente un effet CTN (coefficient de temprature ngatif) en

ce qui concerne sa rsistivit car sa conductivit augmente avec la temprature malgr
la diminution de la mobilit des porteurs (cette diminution de mobilit est due
essentiellement aux chocs inter-porteurs).
b) Les semi-conducteurs extrinsques

Les phnomnes qui viennent d'tre dcrits se rapportent un cristal de semiconducteur parfaitement pur. La prsence d'impurets en quantits infimes (quelques
atomes sur des millions) modifie normment les proprits lectriques du milieu:
- Impurets pentavalentes:
Imaginons un cristal parfait de Germanium ou de Silicium dans lequel se
trouvent des traces d'atomes pentavalents tels que le Phosphore, l'Antimoine ou
l'Arsenic qui possdent cinq lectrons sur leur couche priphrique (figure 4a)
Atome donneur
ionis
Electron libre
EC
0,053 eV Niveau
donneur
1,12 eV
EV
(a) : Semi-conducteur de type N
(b) : Silicium dop lArsenic
Figure 4
On voit que quatre seulement parmi les cinq lectrons de valence sont changs
avec les quatre atomes voisins du cristal, le cinquime restant disponible pour la
conduction. Ce dernier sera disponible pour la conduction car, tant faiblement li, il
deviendra rapidement libre en prsence d'une faible agitation thermique.
La conductivit intrinsque due la rupture des liaisons covalentes subsiste
toujours mais elle est ngligeable devant la conductivit extrinsque due aux impurets:
on dit que les lectrons sont les porteurs majoritaires, que les trous sont les porteurs
minoritaires et que la conductivit est du type N.
Les atomes des impurets pentavalentes sont appels atomes "donneurs" car ils
ont fourni leur cinquime lectron priphrique. Ils deviendront des ions positifs
rattachs au rseau cristallin. L'nergie ncessaire ce processus ("nergie d'ionisation",
de l'ordre de 0,053 eV pour l'Arsenic par exemple) est beaucoup plus faible que
l'nergie d'activation.
Si on appelle ND la concentration en atomes donneurs, nN la concentration en
lectrons libres et pN la concentration en trous, on a, l'indice N indiquant qu'il s'agit
d'un semi- conducteur du type N:
nN pN = nipi
nN =ni + ND ND (de l'ordre de 1015 pour le Silicium)
pN =
n i pi pi2
nN
nN
ND
Dans la thorie des bandes (figure 4b), il apparat un niveau d'nergie donneur
EC -(nergie d'ionisation des impurets).
- Impurets trivalentes:
Les atomes de telles impurets (Indium, Bore, Aluminium, Gallium, ...) sont dits
accepteurs car un lectron fait dfaut dans la quatrime liaison de l'atome (figure 5a).
Atome
accepteur
Atome accepteur
ionis ngatif
trou
EC
1,12 eV
EV
(a) : Semi-conducteur de type P
Niveau
accepteur
0,016 eV
(b) : Silicium dop lIndium

Figure 5
Un raisonnement similaire au prcdent montrera que la conduction se fait par des

trous qui sont donc les porteurs majoritaires et que le semi-conducteur est du type P.
Dans la thorie des bandes (figure 5b), il apparatra un niveau accepteur EV +
(nergie d'ionisation des impurets).
On aura dans ce cas nP pP = ni pi , nP et pP tant les concentrations en lectrons et
en trous, l'indice P indiquant que le semi-conducteur est du type P.
pP = pi + NA NA (concentration en atomes accepteurs)
nP =
n i pi n i2
pP
pP
NA
Remarques:
* Lorsque la temprature augmente, la concentration en porteurs minoritaires augmente tandis que la
concentration en porteurs majoritaires reste peu prs constante mais si la temprature augmente
considrablement, toutes les concentrations augmentent et finissent par s'galiser.
* Si les concentrations d'impurets sont importantes, on obtient des "semi-conducteurs dgnrs"
qui ont le comportement de mtaux. Cette proprit est mise profit dans la ralisation des contacts
ohmiques extrieurs avec les semi-conducteurs.
3) Conduction lectrique dans les semi-conducteurs:

Un mouvement des porteurs libres peut se produire dans un semi-conducteur s'il y a
un apport d'nergie extrieur. Cet apport peut tre sous forme de rayonnement, sous
forme thermique directe, sous forme magntique, etc... Nous ne considrerons ici que
les phnomnes qui se prsentent dans une diode ou un transistor:
a) Agitation thermique:
A l'quilibre, il n'y aura pas de courant lectrique d ce phnomne car il y a en
moyenne autant de porteurs gnrs thermiquement que de porteurs qui se recombinent.
b) Action d'un champ lectrique:

Par analogie avec un conducteur, on aura une conductivit due aux lectrons libres
N et une conductivit P due aux trous.
La conductivit du semi-conducteur sera = N + P :
= eniN + epiP
e tant la charge lectrique commune aux lectrons et aux trous (en valeur absolue).
N et p tant les mobilits des lectrons et des trous car c'est le double dplacement
des lectrons et des trous, les premiers en sens contraire du champ lectrique et les
seconds dans le sens du champ, qui constitue le courant lectrique. L'ordre de grandeur
des mobilits est indiqu par le tableau N3 ci-dessous:
Tableau N3: Mobilits des lectrons et trous
Mobilits 300 K
m2.V-1.s-1 Ge
Si GaAs GaSb InP InSb InAs
0.39 0.15 0.85 0.40 0.46 7.8
3.3
0.19 0.06 0.04 0.14 0.01 0.08 0.05
- Dans un semi-conducteur intrinsque, le courant d'lectrons et de trous est

faible:
JJG
JG
i N =-qn i N E
JG
JG
i P =qpi P E
- Dans un semi-conducteur dop, selon le type, c'est soit le courant de trous, soit le
courant d'lectrons qui prdomine.
c) Courant de diffusion:
Si en deux points d'un mme semi-conducteur, il y a des concentrations
diffrentes de porteurs du mme type, il s'tablit entre ces points un courant allant du
point concentration leve vers le point faible concentration.
Cette diffusion ne s'arrte jamais dans un semi-conducteur en raison des
gnrations-recombinaisons permanentes de porteurs libres.
La densit de courant due la diffusion est donne par la relation:
G
JJJJJJG
i=-qDgradn
n tant la concentration en porteurs.
2
D (en cm /s) tant la constante de diffusion du porteur considr. (La constante

de diffusion des lectrons, DN, est peu prs deux fois plus grande que celle des
trous DP)
Ce phnomne de diffusion se produit aussi lorsqu'on met en contact deux semiconducteurs de mme type avec des concentrations diffrentes ou bien lorsqu'on injecte
un excs de porteurs d'un type donn dans un point du semi-conducteur.
On dfinit:
- Une dure de vie moyenne qui est la mme pour les lectrons et les trous.
- Une longueur de diffusion L, distance moyenne que parcourt un porteur avant de
se recombiner.
On a aussi les relations suivantes, connues sous le nom de relations d'Einstein:
- Potentiel thermodynamique
UT =
D kT
=
q
(k, constante de Boltzmann; T, temprature absolue)

On a UT 25 mV 25 C
-
Loi de recombinaison des porteurs dans un semi- conducteur intrinsque:

Si l'instant t=0, il y a ni +n porteurs, il y aura l'instant t: n t =n i +ne
t
N
dn n - N
=
e
dt N
La vitesse de recombinaison est donc
II. LA JONCTION PN
Une jonction PN s'obtient en joignant deux semi- conducteurs dops de types
diffrents.
1) Jonction non polarise

On observe:
- Un courant de diffusion des majoritaires:
* Courant de trous de la zone P vers la zone N, chaque trou laissant sa place
un ion ngatif.
* Courant d'lectrons de la zone N vers la zone P, chaque lectron laissant un
ion positif sa place.
Ces ions, centres de charge, donnent naissance un champ lectrique E dirig de
N vers P. On a donc cration d'une barrire de potentiel Vd qui va arrter la
diffusion des majoritaires.
- Un courant de porteurs minoritaires.
Le champ lectrique prcdent ne s'oppose pas la diffusion des porteurs
minoritaires qui iront de l'autre ct de la barrire neutraliser les ions de polarit
oppose.
L'tat d'quilibre sera atteint lorsque pour les deux types de porteurs, les courants
dcrits sont gaux. La jonction est alors forme de trois rgions (figure 6): la rgion P,
la rgion N et une rgion centrale (rgion de charge d'espace) qui s'tend plus du ct
ayant la plus faible concentration. Dans le cas de figure, on a suppos NA >>ND
Vd
+
+
+
- +
- +
- +
- +
- E+
+
-lP
+
+
+
+
+
+
- - +
- - - +
- N+
+ - - -
+ Ion positif
- Ion ngatif
- lectron
+ Trou
lN
0
Figure 6
La figure 7 rsume les relations entre porteurs dans chaque rgion:

Vd
pPNA
nNND
ZONE
DE
TRANSITION
pN=pPe -UT/kT
nP=nNe -UT/kT
-lP
lN
0
Figure 7
Par ailleurs, la loi de Poisson s'crit en appelant = N + P la densit de charge

d'espace dans la zone de transition:
div E=
tant la permittivit dilectrique.
De plus, on a aussi les relations:
E=-grad V
2 V=-
E x = dx
et
Remarque:
Une jonction peut tre abrupte ou graduelle, selon la rapidit avec laquelle varie la concentration
entre les zones (figure 8)
ND-NA
ND-NA
-lP
lN
-lP
Jonction abrupte
lN
Jonction graduelle
ND-NA=ax+b
a : gradient de concentration
Figure 8
2) Jonction polarise extrieurement

On soumet la jonction une diffrence de potentiel produite par exemple par un
accumulateur comme le montre la figure 9 qui utilise le symbole d'une jonction PN ou
diode:
V
R
Accumulateur
Figure 9
La jonction peut tre passante ou non.
10
a) Jonction passante:
Les porteurs majoritaires se remettent en mouvement puisque, si on appelle Ea le
champ appliqu par la polarisation, ces porteurs ne luttent plus que contre un champ
(E-Ea) au lieu de E. La barrire de potentiel sera V-Va . Il y a donc possibilit de
circulation des porteurs et la jonction est dite passante. La rsistance prsente par la
structure est faible.
Dans la jonction (figure 10), les concentrations en porteurs majoritaires restent
peu prs constantes mais les concentrations en porteurs minoritaires varient
sensiblement cause de la diffusion et de l'agitation thermique. On pourra utiliser les
lois suivantes pour la dtermination de ces concentrations:
pN ( x) = pN (lN )e
pN (lN ) = pP e
lN x
lP
nP ( x) = n p (lP )e
V
UT
nP (lP ) = nN e
lP + x
lN
V
UT
pP=NA
nN=ND
pN(lN)
nP(-lP)
x
0
-lP
lN
Figure 10
Ainsi, dans chaque rgion, trois courants coexistent.
Dans la zone N par exemple, il y a:
- Un courant de trous injects qui se recombinent avec les lectrons majoritaires.
- Un courant d'lectrons en provenance de la source de polarisation de mme
amplitude que le courant de trous prcdent.
- Un autre courant d'lectrons, constant, qui correspond aux porteurs injects par
la source dans la zone P.
Ce raisonnement est valable dans la zone P, en inversant les porteurs.
Ces courants peuvent se calculer, connaissant les concentrations de porteurs en
fonction de la distance.
Le courant total est videmment la somme de ces trois courants. On trouve:
Idirect =I F =IS (e
Va
UT
-1)
avec
IS =q(
D
DP
pN + N nP )
LP
LN
IS , courant d aux porteurs minoritaires crs par l'agitation thermique, est appel
courant de saturation. Il crot trs vite avec la temprature.
11
b) Jonction bloquante:
Dans ce cas, l'paisseur de la zone de transition et la charge d'espace augmentent.
Le champ extrieur appliqu permet le mouvement des seuls minoritaires qui auront
donc de nouvelles concentrations:
- Les concentrations dues l'agitation thermique sont les mmes que dans le cas
de la jonction passante.
- Les concentrations dues la diffusion se calculent de la mme faon que dans le
cas de la jonction passante, mais en remplaant Va par -Va .
Le courant total qui traverse la structure sera valu de la mme faon aussi que
dans le cas de la jonction passante et il revient alors ngliger le terme de diffusion:
IR=Iinverse=-IS
Remarques:
- La cration des porteurs minoritaires ne dpendant que du taux de formation thermique, le courant
inverse de la jonction, d ces porteurs, ne croit plus avec la tension inverse une fois que la tension
applique suffit les faire tous dplacer. Ce courant croit, bien sr, avec la temprature. Il est plus
lev pour une jonction au Germanium que pour une jonction au Silicium, cause des valeurs
diffrentes de la hauteur de la bande interdite.
- La zone de charge d'espace, dpourvue de porteurs libres, est donc une zone isolante. Comme elle
se trouve entoure par deux rgions dans lesquelles le nombre de porteurs est lev, donc deux
rgions conductrices, on obtient une structure similaire celle d'un condensateur dont la capacit
varie selon la largeur de la zone de charge d'espace (donc selon la tension inverse applique). Ce
phnomne est utilis dans les diodes capacit variables, connues sous le nom de "diodes
varicaps", qui sont dcrites plus loin.
- Si la tension inverse s'accrot, on atteint une valeur pour laquelle les porteurs minoritaires
acquirent une vitesse suffisamment grande pour dtruire les liaisons covalentes lors de leurs chocs
avec le rseau cristallin et librer ainsi des porteurs supplmentaires qui rentreront leur tour dans
ce processus: c'est l'effet d'avalanche. Un faible accroissement de la tension augmente
considrablement le courant. Si ce phnomne n'est pas contrl, il conduit la destruction par
fusion de la jonction. Notez que ce phnomne est favoris par construction dans un certain type de
diodes, dites diodes de Zener ou tout simplement diodes zener, du nom du physicien qui a dcouvert
cet effet. Les diodes zener utilisent des jonctions fortement dopes qui prsentent ainsi une zone de
transition trs troite. Dans ce cas, une faible tension permet d'obtenir des champs lectriques trs
importants qui dpassent la valeur de claquage. Les diodes zener sont utilises essentiellement
comme rgulatrices de tension comme nous le verrons plus loin.
12
3) Caractristique statique de la jonction PN

A la lumire de ce qui a t vu, la figure 11 montre la caractristique statique
courant-tension d'une jonction PN ou diode jonction:
Courant
direct
IF
I0
VF
VR
Tension
inverse
seuil
V0 Tension
directe
0,6 V pour Si
0,2V pour Ge
Claquage
IR
Courant
inverse
Figure 11
Cette caractristique obit en fait la relation, en dehors de la zone de claquage:
V
I = I S (eUT 1)
avec =1 pour le Germanium et si V< 0,2 V

=2 pour le Silicium et si V< 0,6 V
=1 dans les autres cas
En chaque point de cette caractristique, on pourra dfinir une rsistance statique
(c'est le quotient de la valeur de la tension sur la valeur du courant, qui ne prsente
aucun intrt) et une rsistance dynamique, obtenue par le quotient de la variation de la
tension sur la variation du courant.
Ces deux rsistances sont faibles lorsque la diode est passante et trs leves
lorsque la jonction est bloquante.
R statique =
V0
I0
rdynamique =(
13
dV
)V
dI 0
4) La jonction PN en rgime transitoire

Dans la ralit, lorsqu'une jonction est passante, tous les porteurs en mouvement
(trous dans la rgion N et lectrons dans la rgion P) n'ont pas le temps de se
recombiner au voisinage immdiat de la jonction et si on inverse brusquement la
polarit de la tension applique, le courant va s'inverser mais continuera circuler
pendant un certain temps, jusqu' la disparition de toutes les charges accumules
prcdemment (figure 12). Cette disparition par recombinaison se fait graduellement et
on observe une diminution exponentielle du courant jusqu' sa valeur normale en
rgime permanent, IS
Tension
VF
t
0
VR
Courant
IF
trr
0
IS
Figure 12
Evidemment, certaines diodes sont plus rapides que d'autres et on estime cette
rapidit en introduisant un facteur appel not t (reverse recovery time).
C'est le temps que met le courant inverse pour revenir une valeur spcifie. Ce
temps varie selon les diodes de quelques nano-secondes (diodes ultra-rapides)
plusieurs microsecondes. Le tableau n4 montre quelques exemples.
Il y a aussi un temps de recouvrement direct qui se produit lors du passage
brusque d'une polarisation inverse une polarisation directe mais ce temps est en
gnral trs faible et il est nglig.
Tableau N4: temps de recouvrement inverse de quelques diodes
Type
Matriau
trr (s)
Usage
1N 276
1N 914
1N 925
1N 4086
1N 5163
Ge
Si
Si
Si
Si
0,3
4
0,15
200
0,4 ns
Diode de signal
"
"
Commutation rapide
Usage gnral
Commutation ultra-rapide
14
III. AUTRES DIODES A JONCTION PN

Nous avons dj cit les diodes zener et les diodes varicaps comme application ou
consquence de la jonction PN. Nous allons prciser quelques caractristiques de ces
lments et dcrire rapidement quelques autres.
1) Diode zener
Il faut prciser propos des diodes zener que pour les tensions infrieures 5 V,
c'est l'effet de champ qui est l'origine du claquage (c'est l'effet Zener vritable).
Dans le cas d'une jonction fortement dope P et fortement dope N, la zone
dserte est trs troite (500 ) et le champ lectrique est trs intense (106 V/cm). En
polarisation inverse, un lectron de la bande de valence du ct P a une probabilit
apprciable de traverser la zone dserte et de se retrouver du ct N par effet tunnel. La
tension (tension de Zener) pour obtenir ce phnomne dpend de l'paisseur de la ZCE
(troite < 500 ) et des dopages P et N (levs > 5.0 1017 cm-3).
Au dessus de 7V le claquage est d au phnomne d'avalanche, effet similaire celui
quon trouve dans lionisation des gaz.
Soumis un champ lectrique important (105 V/cm), un lectron libre atteint dans
la ZCE une vitesse trs grande (de l'ordre de la vitesse limite, c'est un "porteur chaud").
Lors d'une collision avec un atome du rseau, il peut l'ioniser en crant une paire
lectron-trou (choc ionisant). Le nombre de porteurs libres augmente et le phnomne
se reproduit avec le porteur initial et les porteurs crs par le choc ionisant. Il apparat
un norme effet multiplicateur caractris par un coefficient de multiplication M
(avalanche multiplication factor) tel que :
Iav= - M Is
Les tensions de claquage s'talent de quelques diximes de volt jusqu' plus de
300V. Le tableau N5 ci-dessous montre quelques exemples:
Tableau N5: Tensions Zener de quelques diodes
Type
1N 3896
1N 4400
1N 5133
1N 5281
VZ (volts)
0,77
6,8
380
200
IZT (mA)
50
37
3
0,65
PD (Watts)
0,25
1
5
0,5
La figure 13 prcise la signification de VZ (tension nominale) et de IZT (courant

nominal de polarisation).
15
IF
VF
VZ
= (
M
V )
I M
VZ
IZT
b : Modle de la zener
a : Caractristique I(V)
Figure 13
Une diode en fonctionnement dissipe une puissance P=VDID, VD tant la tension

ses bornes et ID le courant qui la traverse.
Cette puissance se traduit par un chauffement de la jonction qui ne devra pas
dpasser un certain seuil. C'est pourquoi le constructeur donne PMax , puissance
maximum dissipable par la diode.
Le schma de la figure 14 montre comment stabiliser une tension variable l'aide
d'une diode zener. Il est vident que le courant consomm par la charge ne devra en
aucun cas dpasser le courant de polarisation de la diode.
Sortie stabilise
Entre variable
R
IZT
VZ
IL
RL
VZ
t
Figure 14
16
2) Varicaps et varactors
En ce qui concerne les diodes varicaps que nous avons prcdemment cites, il
faut savoir que les capacits de jonctions vont de quelques picofarads quelques
dizaines de picofarads et ne varient en fonction de la tension inverse que de quelques
pour-cent. (On ne risque pas de concurrencer un condensateur variable mcanique
classique.)
La capacit de jonction varie avec la tension inverse V selon:
K
Cj=
(Vd -V) n
K tant une constante qui dpend du matriau,
Vd tension de seuil ( 0,6 ou 0,2 V selon le matriau, Silicium ou Germanium)
n =1/2 pour une jonction abrupte, 1/3 pour une jonction graduelle.
La variation non linaire de la capacit de jonction est utilise dans des diodes
similaires appeles varactors pour produire des harmoniques d'un signal ou pour
multiplier une frquence.
Les capacits obtenues sont loin d'tre idales car il faudra tenir compte du
courant qui circule dans la jonction. Le schma quivalent d'une telle diode se prsente
donc comme l'indique la figure 15, qui montre aussi le symbole d'une varicap:
C
r
symbole
Figure 15
Les constructeurs, plutt que de donner les valeurs des rsistances parasites,
prfrent dfinir un facteur de mrite Q=RC une frquence donne. Un exemple est
propos au tableau suivant :
Tableau N6: Caractristiques rsumes de quelques varicaps
Type
1N 3945
1N 4799
1N 5425
1N 4885
VR
max
(Volts)
20
15
115
150
CT VR
(pF)
(V)
20
82
1370
33
4
4
4
6
C1 /C2
1,15
1,82
4,2
3*
V1/V2
P
(W)
f
(MHz)
3/5
4/15
4/100
55*
0,5
0,5
0,25
20
7
15
200
22
50
50
10
450
* varactor
Pour les varactors, au lieu de C1/C2 qui indique le rapport des capacits qu'on
obtiendrait en variant la tension inverse, le constructeur donne f2/f1, rapport entre la
frquence d'entre et de sortie dans un multiplicateur. Il donne aussi le rendement (en %)
du varactor.
17
3) Les diodes tunnel

Ce type de diode est bas sur un effet dcouvert par le Japonais ESAKI en 1957
qui s'tait aperu que pour des jonctions trs fortement dopes (un million de fois plus
qu'une diode ordinaire , NA,ND > 1019 cm-3), l'paisseur de la zone de charge d'espace
tant cette fois trs faible (qq dizaines d'), des lectrons qui n'ont pas normalement
l'nergie suffisante pour traverser la barrire de potentiel arrivent la franchir, cette
traverse s'effectuant la vitesse de la lumire.
Zone
rsistance
ngative
Diode
normale
Ces diodes dont la figure 16 indique

l'allure de la caractristique, sont
utilises comme oscillateur aux UHF
et en commutation ultra rapide
(jusqu' plusieurs dizaines de GHz).
Les diodes backward qui ne
prsentent pas de seuil constituent
une autre version des diodes tunnel
utilise en dtection VHF et UHF .
Symbole
Figure 16
4) Les photo-diodes et les piles solaires

Le courant inverse d'une jonction est proportionnel la temprature car un apport
d'nergie permet la rupture de liaisons et donc la cration de porteurs supplmentaires.
L'apport d'nergie peut aussi tre amen par un rayonnement, si ce rayonnement est
d'une frquence convenable (car son nergie vaut h).
C'est sur ce principe qu'on ralise des diodes qui possdent de nombreuses
applications (commande d'automatismes divers, dtecteurs de lumire, de flammes ou
de fumes,...).
Ces diodes se prsentent videmment avec un botier en partie transparent et, dans
leur utilisation, elles doivent tre polarises en inverse.
Une autre application de cet effet, trs importante, est la photopile ou cellule
photovoltaque:
C'est une jonction PN de grande surface ralise essentiellement avec le Silicium
(ou l'Arsniure de Gallium) et dans laquelle l'apport d'nergie lumineuse est suffisant
pour communiquer aux porteurs la possibilit de franchir la barrire de potentiel.
De telles cellules associes en srie/parallle constituent un panneau solaire,
utilis comme gnrateur autonome dans certaines applications et dans l'espace.
La figure 17 montre les caractristiques courant-tension de tels panneaux et on
remarque bien que ce sont des caractristiques de jonctions bloquantes, variables avec
l'clairement.
18
C'est dans le quadrant II que le fonctionnement du panneau est en gnrateur.
IF
E=0 (obscurit)
VR
VF
Vco
E=300 mW/cm2
E=500 mW/cm2
E=800 mW/cm2
E=1000 mW/cm2
Dans ce quadrant , le
dispositif est gnrateur
ICC
IR
Figure 17
5) Les diodes lectroluminescentes

La recombinaison de porteurs correspond une perte d'nergie de ces porteurs et
on sait que la transition d'un certain niveau d'nergie un autre qui lui est infrieur
s'accompagne de l'mission d'une radiation telle que E=h. C'est ce qui passe dans une
diode quelconque mais pour le Germanium ou le Silicium, l'mission s'effectue en
dehors du visible et cette nergie contribue surtout l'chauffement de la jonction. Il
n'en est pas de mme pour d'autres matriaux, tels l'Arsniure de Gallium, le
Phosphoriure de Gallium, l'Arsniure-Phosphiorure de Gallium,...
Des diodes ralises avec de tels matriaux, connues sous le nom de diodes LED (de
Light Emitting Diodes) mettent une lumire visible lorsqu'elles conduisent: rouge,
verte, jaune, orange,...
Des recherches sont en cours pour d'autres couleurs (bleue, violet,...).
Il existe aussi des diodes mettant dans l'infra-rouge (9000 ). Notez que
l'association (en gnral dans un mme botier) d'une photo-diode et d'une LED
constitue un "photo-coupleur" qui sert, comme son nom l'indique et comme nous le
verrons bientt, coupler deux tages diffrents d'un montage.
6) Les jonctions SCHOTTKY

La diode SCHOTTKY exploite l'effet redresseur que peut prsenter une structure
Mtal-Semi-Conducteur. Les premires diodes l'tat solide (diodes des postes
galne) taient de ce type et furent dcouvertes par F. BRAUN en 1874.
Plutt que de raliser la jonction avec des semi-conducteurs de types diffrents,
on substitue donc une couche mtallique au semi-conducteur P ou N.
19
La figure 18 emprunte au cours de M. Bernard BOITTIAUX (site

http://www.eudil.fr/eudil/bbsc/sc00a.htm) schmatise ltat de la barrire de potentiel
pour la jonction non polarise.
La caractristique de la diode obtenue (figure 19)
est similaire celle dune diode de redressement,
mais avec une tension directe plus faible
(diminution de la tension de seuil, 0,3 V).
Lavantage essentiel provient de labsence de
charges stockes durant la conduction car dans cette
structure, un seul type de porteurs intervient : les
majoritaires, c'est un composant unipolaire (au
contraire du transistor bipolaire qui, comme son nom lindique
et comme on le verra, fait appel dans sa conduction deux
types de porteurs, savoir les lectrons et les trous). Le
temps de recouvrement est diminu (trr<500 ns) : la

diode est plus rapide.
Ces diodes semploient dans les redresseurs rapides
petits signaux et dans les composants logiques
rapides (et maintenant dans les circuits de
puissance)
mA
120
Schottky 1N 5892
Jonction PN
1N 3659
100
80
60
Symbole
40
Figure 18
Diode Schottky non polarise
20
Volts
0,2
0,4
0,6
0,8
1.0
1,2
1,4
1,6
Figure 19
Caractristique I(V) et symbole
dune diode Schottky (remarquez le " S" )
7) Autres diodes jonction PN

Citons pour terminer, les diodes utilises en micro-ondes (diodes PIN, diode
GUNN, diodes Snap off), les diodes spciales sensibles aux champs magntiques, les
diodes PNPN ou Schockley,...
La description de ces dispositifs, qui n'est pas dans notre programme alourdirait
inutilement cet expos.
20
IV. LE TRANSISTOR
C'est le dispositif qui est l'objet principal de notre tude. Considrons le circuit
lectrique (imaginaire) de la figure 20 qui fonctionnerait de la manire suivante:
1
Interrupteur en position 1 :
Un courant de 1A passe dans la rsistance de 1
2
La puissance est de 1W (RI )
K 2
1A
1A
Interrupteur en position 2 :
Le mme courant de 1A passe dans la rsistance
de 100
La puissance est cette fois de 100W.
1V
100
Figure 20
En "transfrant" la rsistance de 100 de la sortie vers l'entre, ce circuit a
permis d'obtenir un gain en puissance. C'est ce que permet de faire le transistor, qui tire
son nom de la contraction de "TRANSfert resISTOR" ou rsistance de transfert. Ce
dispositif peut tre ralis en accolant deux jonctions PN l'une tant passante (donc
faible rsistance) et l'autre bloquante (donc forte rsistance).Comme ces jonctions sont
traverses par le mme courant, le circuit prcdent est bien simul.
Du point de vue historique, c'est en 1948 que les physiciens
amricains BARDEEN, BRATTAIN et SHOCKLEY des
laboratoires Bell avaient dcouvert le transistor pointes, form
d'une pastille de Germanium sur laquelle taient poses deux
pointes mtalliques trs rapproches (ils lauraient baptis
persistor ) mais c'est en 1951 que fut ralis le premier
transistor jonctions dont les performances dpassent
largement le transistor pointes qui, du reste, n'a jamais t
utilis (photo ci-contre).
1) Fonctionnement du transistor
Envisageons le cas de deux jonctions PN accoles selon la figure 21. C'est un
transistor PNP. Nous aurions pu, la structure tant symtrique, tudier de faon tout
fait identique un transistor NPN.
E1
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+P+
+ +
+ +
+
+
+
+
+
- + - + - + - + N
- + - + - + - + -
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+ P+
+ +
+ +
+
+
+
+
+
J2
J1
Emetteur
E2
Collecteur
Base
La flche indique le sens

de conduction de la
jonction E-B
Figure 21
Transistor isol et son symbole
21
a) Transistor au repos:
Si les jonctions ne sont pas polarises, le raisonnement que nous avions appliqu
la jonction PN s'adapte ici encore. Il y a tablissement de deux zones de transitions J1 et
J2 auxquelles correspondent les champs E1 et E2. A l'quilibre, il n'y aura plus de
mouvement de porteurs.
b) Courants dans le transistor:

En fonctionnement normal, la premire jonction est polarise passante et la
seconde bloquante (figure 22).
E2
E1
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
J2
J1
VCC
VEE
Figure 22
Transistor polaris
La rgion P gauche, qu'on considrera fortement dope, va mettre des trous

(d'o le nom de cette partie, l'metteur):
VEB
I E =IS (e UT -1)
avec IS q
DP
D
p N IS q P p N car le courant d'lectrons est ngligeable.
LP
LP
La rgion centrale, appele base, reoit ces trous. Nous admettrons que cette
rgion est faiblement dope et trs mince (longueur infrieure LP ). Il n'y aura donc
pas trop de recombinaisons dans cette zone et les trous mis arriverons au niveau de la
dernire rgion o ils seront collects (c'est le collecteur). On pourra donc crire que le
courant collecteur IC est essentiellement constitu du courant de trous provenant de
l'metteur (I avec 1) et du courant inverse de la jonction collecteur- base (not ICB0 ,
le troisime indice o venant de "open" caractrisant l'tat de la troisime lectrode qui
est dans ce cas ouverte). Nous avons donc une relation fondamentale:
IC = IE + ICB0
En fait, une convention impose de choisir comme sens positif des courants dans
un transistor le sens rentrant: nous crirons donc ici, conventionnellement:
IC = - IE + ICB0
Dans tout ce raisonnement, nous avons nglig le courant d'lectrons car il est
beaucoup moins important que le courant de trous. Dans la base, il existe un courant
22
d'lectrons d l'injection d'lectrons dans l'metteur mais il est prs de 100 fois plus
faible que le courant de trous de l'metteur. En effet, seuls les lectrons de la base qui se
recombinent seront remplacs par le circuit extrieur. Il existe aussi un courant
d'lectrons rsultant de la recombinaison des trous dans la base durant leur transit En
fait, le courant total qui circule dans la base est de 20 500 fois plus faible que le
courant collecteur mais, il lui est proportionnel.
C'est cette caractristique trs importante qui permet de pouvoir contrler le
courant collecteur par le courant base et d'obtenir ainsi une amplification en courant.
2) Caractristiques statiques du transistor:

Comme pour la diode, on pourra relever les caractristiques statiques d'un
transistor en ralisant au laboratoire l'un des montages de la figure 23 par exemple.
IC
P N P
IE
IB
IC
E B C
RC
RE
VEB
RB
VBE
VCB
VCC
VBB
Montage base commune
RC
VCC
VCE
VBB
Montage metteur commun

Figure 23
Le premier est dit montage base commune car la base est le point commun aux
tensions d'entre et de sortie. C'est cette configuration que nous avons tudie
prcdemment. Le second, plus utilis actuellement, est dit metteur commun. Les
caractristiques statiques servent prciser les relations entre les tensions et courants
continus appliqus aux bornes d'un lment, ce qui permet d'avoir une vue d'ensemble
sur ses proprits lectriques. Il y a 6 paramtres connatre (trois tensions et trois
courants) mais comme on a les relations videntes:
IB + IE + IC =0
(pas d'accumulation de courant)
VCE +VEB +VBC =0
(car VC =VC !)
Il ne reste plus que quatre inconnues.

Pour le premier montage, les grandeurs d'entre sont VEB et IE et les grandeurs de
sortie VCB et IC .
A l'entre, c'est une jonction passante et la sortie une jonction bloquante.
On comprend que le courant d'entre IE varie un peu avec la tension de sortie VCE
(et videmment avec VEB ) car cette tension inverse commande l'paisseur de la zone de
charge d'espace dans la base.
23
VCE
A la sortie, comme c'est une diode bloque, le courant IC varie peu avec la tension
et on a IC IE
Ces variations sont illustres par la figure 24 qui montre les caractristiques
statiques d'un transistor PNP de petite puissance mont en base commune. En gnral,
ces caractristiques sont releves une temprature ambiante constante (typiquement
25 C).
Figure 24
Remarquez les signes de IC , IE , VCB , etc... dus la convention adopte. Si le
transistor tait du type NPN, on aurait eu les signes +. Les caractristiques d'un
transistor NPN en metteur commun apparaissent dans la figure 25 ci-aprs:
24
Figure 25
Pour un transistor mont en metteur commun, le courant d'entre est IB et on peut
crire, avec IC = - IE + ICB0, (le signe - provenant de la convention de signe):
IC = - (-IC-IB) + ICB0 soit
IC =
1
IB +
ICB0
1-
1-
quon crit :
IC=IB +ICE0
relation fondamentale dans laquelle est le gain en courant en metteur commun et ICE0
le courant de fuite de la jonction collecteur metteur. Comme est proche de 1, est
trs lev ( >>1)
En un point dfini par IB et IC , donc par VBE et VCE ,on dfinit un gain en
courant diffrentiel:
=
IC
en metteur commun (not aussi hfe , du paramtre hybride connu)
I B
IC
(not aussi hFE comme nous le verrons plus tard) est le gain en courant statique.
IB
Bien que diffrents par nature, ces gains sont assez proches l'un de l'autre (voir
exercice)
En base commune, le gain diffrentiel est dfini par =
IC
et il est souvent aussi
I E
not hfb
25
Si on s'intresse au rseau des caractristiques de sortie du transistor, on remarque

que cette famille de courbes se distribue selon trois zones:
- Une premire forme d'une droite passant par l'origine sur laquelle viennent se
raccorder des lignes presque horizontales: c'est la zone de saturation dans laquelle
le transistor se comporte comme une rsistance de faible valeur. (En toute
rigueur, remarquez que cette droite ne passe pas par l'origine mais on a IC =0 pour
une tension VCE de quelques mV, appele tension de dcalage ou tension d'offset)
- Une deuxime zone, appele zone active car c'est dans cette partie que le
transistor est utilis en amplification et dans laquelle nous avons dj dfini le
gain dynamique . Remarquez que pour IB =0, on a IC =ICE0 , courant de fuite de
la jonction collecteur-metteur, la base tant ouverte. Rappelons ce propos la
relation fondamentale:
IC =I B +ICE0
- Une dernire zone qui est une rgion de claquage dans laquelle il est risqu de
faire fonctionner le transistor. Nous en reparlerons dans la partie du cours o nous
tudierons le transistor de puissance.
Autres caractristiques:
- Caractristiques de transfert en courant IC(IB) VCE cst
Elles se confondent pratiquement en une droite (sauf fort et faible courant)

indpendante de VCE . On peut y lire la valeur du gain en courant statique et la pente
donne la valeur du gain en courant dynamique. On vrifie que dans le cadre d'une
utilisation normale, ces valeurs sont trs voisines.
- Caractristiques statiques d'entre IB(VBE) VCE cste
Elles ont l'allure de caractristiques de diodes o l'influence de VCE est trs faible.
Les diffrentes courbes sont pratiquement confondues sauf pour VCE =0
- Caractristiques de transfert en tension VCE(VBE) IC cst
C'est un rseau rarement utilis qui peut tre dduit des prcdents. En pratique,
seuls les quadrants I et III sont utiliss.
26
V. REALISATION DES JONCTIONS

Nous allons dcrire sommairement les procds d'obtention de jonctions PN,
partant du semi-conducteur pur. Il existe diffrentes mthodes de fabrication avec
d'innombrables variantes propres chaque constructeur mais les procds de base sont
les suivants:
- Mthode par alliage
- Mthode par tirage
- Mthode par diffusion
- Mthode par implantation ionique
Une mthode qui utilisait une voie lectrolytique a compltement disparu.
1) Obtention du semi-conducteur pur

Toute fabrication commence par la prparation d'un semi- conducteur (principalement le Germanium et le Silicium, maintenant l'Arsniure de Gallium) extra-pur
(environ un atome d'impurets pour quelques milliards d'atomes de semi-conducteur).
Il faudra, dans une deuxime phase, disposer de pastilles monocristallines. Ainsi,
pour le Germanium par exemple obtenu partir de l'oxyde GeO et rduit 650 C par
l'hydrogne, l'extra-purification s'effectue par la mthode de la "zone fondue" qui
consiste faire fondre localement par chauffage haute frquence une partie d'un lingot
et dplacer cette zone trs faible vitesse (figure 26).
dplacement
Spire HF
Zone fondue
Semi-conducteur
germe
Bain de semi-
conducteur
dplacement
Figure 26
Figure 27
Les impurets s'tant concentres dans la zone de fusion par le phnomne de

sgrgation, elles sont dplaces une extrmit qui sera ensuite coupe aprs plusieurs
passages. On obtient ainsi des taux d'impurets infrieurs 10-12. En ce qui concerne le
Silicium, d'autres mthodes sont utilises car son point de fusion plus lev (1200 C) et
sa plus forte activit chimique rendent la mthode prcdente plus difficile. Elle peut
tre nanmoins applique dans un four vertical et sans creuset. Aprs la purification, il
faut obtenir un semi-conducteur monocristallin.
Pour cela, partant du bain du semi-conducteur purifi dans lequel on ajoute
ventuellement des impurets N ou P selon les besoins, on introduit un germe de semiconducteur mono-cristallin au bout d'une canne tournante qu'on soulve de quelques
millimtres par minute. Un cristal monocristallin de quelques hectogrammes se forme
et, aprs dcoupe, il pourra servir la fabrication de millions de composants. C'est la
mthode de "tirage", illustre par la figure 27.
27
2) Fabrication d'une jonction PN

A partir des plaquettes de semi-conducteur monocristallin (Germanium ou
Silicium, type N ou P) dcoupes avec prcision, laves, dcapes, tries et contrles,
la jonction PN est ralise soit:
a) Par alliage
C'est la mthode la plus ancienne qui reste employe dans la fabrication des
diodes de diffrentes puissances et de transistors BF. Son principe est de fondre sur la
surface du semi-conducteur un mtal, un mtallode ou un alliage de type oppos. La
solution forme donne par refroidissement un semi-conducteur dop qui s'difie selon le
rseau du support. Pour fabriquer par exemple une diode jonction, on dpose sur un
semi-conducteur de type N une sphrule d'Indium (si le semi-conducteur est du
Germanium) ou une sphrule d'Aluminium (pour le Silicium). Ce dispositif est plac
dans un four et la fusion de la sphrule produit dans le semi-conducteur une zone P.
Les contacts qui assurent le raccordement des jonctions au circuit extrieur sont aussi
raliss par alliage mais le problme dans ce cas est d'avoir un contact non redresseur.
Plusieurs techniques sont utilises (alliage direct, vaporation de composs divers tels
l'Argent-Aluminium, l'Argent-Indium, l'Or-Aluminium, etc...).
La figure 28 montre une diode et un transistor obtenus par cette technique:
Anode
Emetteur
Diode
allie
Cathode
Collecteur
Transistor micro-alloy
Base
Figure 28
Notez que certaines diodes restent encore fabriques partir de plaquettes de

Germanium ou de Silicium du type N sur lesquelles est soude une pointe de fil d'Or, de
Pt , d'Al ou de W amincie lectrolytiquement: ce sont les diodes pointes, utilises en
dtection. La jonction est cre par une surintensit qui provoquera une fusion localise
au niveau de la pointe.
b) Par tirage
Un barreau qui contient deux zones (N et P) est obtenu de la manire qui a t
dcrite prcdemment. Ensuite une dcoupe convenable produit les jonctions PN. En
fait ce procd, en raison de son imprcision et de diverses autres difficults
technologiques n'est pratiquement pas employ.
28
c) Par diffusion
C'est une technique apparue en 1959 et ses avantages sont tels que l'immense
majorit des composants actuels, y compris les circuits intgrs, sont obtenus par ce
procd. Cette technique utilise la proprit que possdent les atomes libres de pntrer
dans un solide de nature diffrente port haute temprature. Elle permet d'obtenir des
jonctions uniformes aussi vastes qu'on le dsire et avec une grande prcision dans le
profil de dopage (profondeur, concentration, etc...). La figure 29 montre le schma d'un
four utilis dans la diffusion:
Nacelle en quartz
Gaz inerte
Dopants
Plaquettes de
semi-conducteur
300-500C
1000C
Figure 29
Four diffusion
L'impuret est chauffe une temprature de l'ordre de 300- 500 C et ses vapeurs
sont entranes par un gaz inerte dans la zone ou se trouvent les plaquettes de Silicium
portes vers 1000C. On pense que les atomes d'impurets s'insrent dans le rseau du
semi-conducteur en prenant des places laisses vacantes grce essentiellement
l'agitation thermique.
Cette technique de diffusion possde de trs nombreuses variantes.
Ainsi, plutt que d'utiliser les impurets diffuser sous forme solide comme on
vient de le voir, on prfre en gnral diffuser l'oxyde de l'lment (par exemple, on
utilise les gaz PO et BO pour obtenir selon le cas une couche N dope au Phosphore ou
une couche P dope au Bore).
Par ailleurs, plusieurs autres amliorations ont t apportes. Ainsi on utilise des
peintures dopantes, des disques dopants, etc... qui permettent d'obtenir des fabrications
plus conomiques.
L'exemple suivant, d'ailleurs assez ancien (il date des annes 70) illustre ces
amliorations: Pour le dopage du Silicium, un fabriquant (Semi Elements Inc.) propose
des disques en cellulose dcoups au diamtre normalis des rondelles de Silicium: 1 in
(2,54 cm), 2 in (3,81cm), 3 in (7,62 cm). Ces disques dopants contiennent 3% de leur
poids en produits dopants (Bore ou Phosphore) par rapport deux rondelles de Silicium.
Ces rondelles sont empiles dans une nacelle en quartz de la faon suivante: une
rondelle de Silicium, un disque de Phosphore (pour avoir une rgion n+, c'est dire une
rgion N fortement dope), une rondelle de Silicium, une rondelle de Bore (pour avoir
une rgion P) , une rondelle de Silicium, etc... Cette pile qui occupe la moiti de la
hauteur du four est ensuite chauffe entre 1275 et 1285 C, ce qui dtruit les disques de
cellulose et permet la diffusion des impurets.
29
La cuisson dure 18 heures pour une profondeur de diffusion de l'ordre de 50 m.

Les rondelles, aprs lavage, dcapage et contrles sont dcoupes en pastilles,
mtallises et mises en botier.
La figure 30 montre une diode Zener dope par ce procd et recouverte d'une
couche mtallique de Nickel:
Nickel
50m
Silicium P au Bore
100m
Silicium N
50m
Silicium N+ au Phosphore
Nickel
Figure 30
Une autre volution dans la technique de diffusion apparat fondamentale: c'est

l'pitaxie. Cette technique est la base de la fabrication de la plupart des composants
actuels.
L'pitaxie consiste faire crotre la surface d'un semi-conducteur monocristallin
chauff une mince couche de ce mme semi-conducteur.
Tant que l'paisseur de la nouvelle couche est petite devant celle du support,
l'orientation cristalline n'est pas modifie. La couche pitaxiale est ralise dans un four
vers 1000 C, conformment la raction:
SiCl4 + 2 H2
Si + 4 HCl
Pour une rondelle de Silicium d'une paisseur d'une centaine de m, la couche

pitaxiale a une paisseur entre 2 et 15 m. La figure 31 la page suivante dcrit la
fabrication d'un transistor selon cette technique, dite "planar pitaxiale", le terme
"planar" venant du fait que le produit final reste plan.
30
SiO2
N
b : pitaxie
c : oxydation
P
a : substrat
Lampe UV
vernis
masque
zone P
d : Photo-sensibilisation
e : masquage et insolation
f : diffusion de la base
zone N
N
P
g : r-oxydation etc
P
h : diffusion de lmetteur
P
i : mtallisation
Emetteur
Base
Collecteur
N
P
k : transistor termin
Figure 31
Etapes de la ralisation dun transistor
Les tapes sont schmatiquement les suivantes:
a) On prend un substrat de Silicium du type P
b) On fait crotre une couche pitaxiale de type N. C'est dans cette couche que
sera ralis le transistor.
c) Cette couche est oxyde (dans un four), l'oxyde servant la protection.
d) On applique une peinture photosensible qui a la proprit de devenir insoluble
si elle est expose un rayonnement ultra-violet (exemple: le "photoresist" de Kodak)
e) On place un masque mtallique entre une lampe insolatrice aux U-V et
l'lment.
31
f) Aprs dissolution de la peinture aux endroits non protgs et attaque de la

couche de silice par un acide convenable, le Silicium tant nu, on diffuse des
impurets P pour obtenir la base.
g) R-oxydation, sensibilisation, masquage et insolation.
h) On met nu un autre endroit dans lequel sera diffus une zone N fortement
dope: ce sera l'metteur.
i) De nouveau r-oxydation, sensibilisation, masquage et insolation pour disposer
les contacts lectriques par vaporation d'une couche d'Aluminium.
j) Dcoupe, vrifications, soudure des contacts (par thermo-compression) et
montage dans un botier. Ce sont des tapes similaires qui sont utilises dans la
fabrication des circuits intgrs.
d) Dopage par implantation ionique:

La diffusion en phase vapeur dans un four 1200 C rduit la dure de vie des
porteurs minoritaires dans le semi-conducteur. Comme dans le procd de fabrication,
on peut tre amen effectuer plusieurs diffusions successives (cas des circuits intgrs
par exemple), la dure rsiduelle risque de devenir trs faible. C'est pour cela qu'on a
essay de dvelopper une mthode de dopage froid qui ne prsente pas cet inconvnient. On utilise dans l'implantation ionique les atomes de l'impuret acclrs par un
fort champ lectrique. Sous le choc, les atomes de l'impuret pntrent dans le semiconducteur sous une profondeur de quelques microns. Cette implantation peut tre
contrle avec prcision ce qui permet d'obtenir des dispositifs avec de trs faibles
capacits parasites (donc trs haute frquence de transition) mais il est sr que le
bombardement altre l'architecture cristallographique du semi-conducteur ce qui limite
un peu son intrt. On pense qu'un recuit vers 500 C stabilise les chantillons. Ce
procd apparat particulirement intressant dans la fabrication des circuits intgrs car
les dimensions des zones doper sont trs rduites.
3) Exemple : fabrication des diodes

a) Diodes jonctions
La fabrication s'effectue en gnral selon les tapes suivantes:
- Dcoupage des plaquettes type N (dopes l'Antimoine) par scies
circulaires diamantes
- Dcapage, contrle et collage sur des plaques de verre puis rodage
- Montage sur un calibre d'une pastille de soudure en tain, du semiconducteur et d'une sphrule d'Indium (1 mm )
- Chauffage (550C pour le Germanium, 1200 C pour le Silicium) dans un
four atmosphre d'Hydrogne pur: la jonction se ralise par diffusion de
l'Indium qui fait que localement, le semi-conducteur passe au type P. Une
pntration de quelques microns (une dizaine) ncessite un temps de
plusieurs dizaines d'heures.
- Soudage sur la pastille d'Indium d'une tige de connexion en tungstne (le
soudage s'effectue sous un jet d'azote chauff).
- Encapsulation aprs limination des traces d'humidit.
- Contrle final.
Diodes jonctions par alliage:
La fusion de l'aluminium produit un alliage avec le
(Silicium) avec formation d'une zone P et donc d'une jonction.
32
semi- conducteur
Diodes jonctions par diffusion:

La formation de la zone P s'effectue par diffusion gazeuse de Phosphore (ou de
Gallium pour obtenir une zone N sur Silicium P). Ce procd permet:
- Un contrle de profondeur 1 m prs.
- Une pntration plus homogne.
- Des contraintes mcaniques la jonction plus faibles.
On a donc une meilleure fiabilit des composants avec des tensions de
claquage plus leves et de plus faibles dispersions.
b) Diodes pointes:
La prparation des plaquettes de semi-conducteur est identique que pour les
diodes jonctions.
- La connexion de cathode, en copper clad est soude au fond d'une enveloppe
en verre.
- L'enveloppe est remplie d'une puce de type N.
- Soudage de la pastille dans un four en atmosphre neutre.
- Le fil d'anode, en copper clad, est prolong par une pointe fine en fil d'or, de
platine ou de tungstne (diamtre de l'ordre de 10 m) obtenu par polissage
lectrolytique
- La pointe est soude au semi-conducteur et le tube est ferm.
- La diode subit alors un traitement de formation (surintensit) qui cre une
jonction PN par diffusion d'impurets dans le semi-conducteur.
Exemples:
Type
AA 119
AAZ 18
BA 100
BAX 16
Technologie
Ge pointes
Si alli
Si diffus
VRWM
(V)
30
20
60
150
IRFM
(mA)
100
300
100
2000
IFAV
(mA)
35
180
90
200
VF@IF
(V)
2,8
<0,78
<1,9
(mA)
30
300
200
Botier
DO7
" "
" "
R
Usage
Dtection
Commutation
Polarisation
Industrielle
VRWM Tension inverse de crte

IRFM Courant direct de pointe rptitif
IFAV Courant direct moyen
4) CONCLUSION
Vous devez savoir que les aspects technologiques que nous venons dvoquer sont
trs schmatiques et que lvolution dans ces domaines a t trs intense.
De ce fait, les innovations tant frquentes, il est trs difficile de synthtiser dans
un cours limit tel que le notre tous les aspects de ces volutions.
Ce problme devient encore plus pineux lorsquon abordera les circuits intgrs,
objet de notre prochain cours.
Nous nous limiterons alors des considrations dordre gnral qui serviront
essentiellement vous guider si vous voulez approfondir le sujet laide douvrages, de
revues (ou maintenant par internet). Cest la seule manire de procder si vous dsirez
en savoir plus sur ces sujets.
Voici quelques sites dans lesquels les points que nous venons de voir sont abords
avec beaucoup plus de dtails :
http://www.brive.unilim.fr/quere/
http://www.mellecom.fr/desfontaines/tsa/SSI/cours_htm/
http://www.eudil.fr/eudil/bbsc/unip/
http://stielec.ac-aix-marseille.fr/cours/bonnet/
Beaucoup dautres sites similaires et aussi intressants existent.

33

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LA DIODE A JONCTION ET LE TRANSISTOR

I. RAPPELS SUR LA CONDUCTION DANS LES SOLIDES

v tant leur vitesse acquise sous le

- La conductivit du corps par = qn, q tant la charge unitaire des porteurs et n

Tableau n1 : Caractristiques de quelques mtaux

2) Conducteurs, isolants et semi-conducteurs

Le conducteur n'a pas de bande interdite et les lectrons de valence se dplacent

Le semi-conducteur possde une bande interdite d'une largeur si faible (de

M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

Les principaux lments appartiennent au groupe IV : Silicium, Germanium et

Arsniure de gallium (GaAs)

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a) Les semi-conducteurs intrinsques

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Les concentrations en porteurs libres (trous de la bande de conduction et lectrons

Pour le Silicium, 300 K, on a ni =pi 10

Le semi-conducteur prsente un effet CTN (coefficient de temprature ngatif) en

b) Les semi-conducteurs extrinsques

(a) : Semi-conducteur de type N

(b) : Silicium dop lArsenic

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(a) : Semi-conducteur de type P

(b) : Silicium dop lIndium

Un raisonnement similaire au prcdent montrera que la conduction se fait par des

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3) Conduction lectrique dans les semi-conducteurs:

b) Action d'un champ lectrique:

Si GaAs GaSb InP InSb InAs

0.39 0.15 0.85 0.40 0.46 7.8

0.19 0.06 0.04 0.14 0.01 0.08 0.05

- Dans un semi-conducteur intrinsque, le courant d'lectrons et de trous est

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D (en cm /s) tant la constante de diffusion du porteur considr. (La constante

(k, constante de Boltzmann; T, temprature absolue)

Loi de recombinaison des porteurs dans un semi- conducteur intrinsque:

La vitesse de recombinaison est donc

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1) Jonction non polarise

La figure 7 rsume les relations entre porteurs dans chaque rgion:

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Par ailleurs, la loi de Poisson s'crit en appelant = N + P la densit de charge

2) Jonction polarise extrieurement

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3) Caractristique statique de la jonction PN

avec =1 pour le Germanium et si V< 0,2 V

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4) La jonction PN en rgime transitoire

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III. AUTRES DIODES A JONCTION PN

La figure 13 prcise la signification de VZ (tension nominale) et de IZT (courant

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Une diode en fonctionnement dissipe une puissance P=VDID, VD tant la tension

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3) Les diodes tunnel

Ces diodes dont la figure 16 indique

4) Les photo-diodes et les piles solaires

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C'est dans le quadrant II que le fonctionnement du panneau est en gnrateur.

5) Les diodes lectroluminescentes

6) Les jonctions SCHOTTKY