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Exercice 1 :
Soit un transistor T polarisé selon le schéma ci-contre. On
donne VBB=10 V, VCC=20 V, VBE=0.7 V, RB=47 kΩ,
RC=330 Ω et β=200.
1. Calculer la tension collecteur-émetteur VCE.
2. Trouver le point de blocage, le point de saturation et le
point de fonctionnement Q et tracer la droite de charge
statique.
Exercice 2 :
Un transistor NPN au silicium est utilisé dans les deux montages suivants:
Montage 1 Montage 2
Exercice 3 :
Calculer les éléments de polarisation d’un transistor T au
silicium utilisé dans le circuit ci-contre.
Exercice 4 :
Exercice 5 :
Soit le montage ci-contre contenant deux transistors
T1 et T2 (montage de Darlington).
On donne : β1= 100, β2= 20, VBE=0.7V, VCC=10V et
RB=100kΩ.
1. Exprimer IC2 en fonction du courant IB1.
2. Calculer la tension VB1M et déduire VBB. On donne
IC2=20 mA.