Electronique analogique 2 2022-2023

Transistors bipolaires : Travaux Dirigés

Série 2

Exercice 1 :
On considère le montage amplificateur de la figure ci-dessous utilisant un transistor NPN au
silicium. On donne Vcc = 12V, β = 100 et VBE = 0.6V. Les condensateurs utilisés ont des
impédances nulles aux fréquences de travail.

Etude statique:
1. Tracer le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. On souhaite polariser le transistor de sorte que VCEQ = 8.91 V et ICQ = 0.56 mA. On choisira
187 × IB
R1 et R2 telles que Ip = . Calculer les valeurs des résistances R1, R2, RC et RE
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permettant d’obtenir ce point de fonctionnement. On donne VE = 0.448 V.
3. Tracer la droite de charge statique.
Etude dynamique:
En régime dynamique, le transistor est caractérisé par ses paramètres hybrides : h11 = 4.6 kΩ;
h21 = β = 100; h22 = h12 = 0.
1. Donner le schéma équivalent en petits signaux de cet amplificateur.
2. Calculer le gain en tension et les résistances d’entrée et de sortie de l’amplificateur.
3. On considère le montage chargé par RL = 2 kΩ.
3.1. Donner le schéma équivalent en régime dynamique.
3.2. Calculer le gain en courant.

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Exercice 2 :
Soit le montage suivant constitué de deux transistors T1 et T2 caractérisés par les paramètres
suivants : β = h21 = 100, h11 = 1.31 kΩ et h12 = h22 = 0.

Le point de fonctionnement de chaque transistor est défini comme suit:

VCE1 = 1.07 V, IC1 = 1.98 mA et VCE2 = 8.03 V, IC2 = 1.98 mA. On donne VBE = 0.7 V.
1. Déterminer les résistances R2, R3 et RC.
2. Donner le schéma équivalent petits signaux du montage. Déterminer le type de chaque étage
de cet amplificateur.
3. Calculer le gain en tension Av et les impédances d’entrée Ze et de sortie Zs.
4. Calculer le gain en tension à vide et donner le schéma synoptique de cet amplificateur.

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