TP2 : TRANSISTOR BIPOLAIRE

Introduction :
Le transistor est constitué de deux jonctions, placées en série, proche lune de
l'autre et de polarites opposées on distingue le transistor NPN et PNP dont
voici les symboles et les conventions :

1. Traçage de la caractéristique de sortie Ic=f(Vce) :

Objectifs :
 Analyse du circuit de polarisation d’un transistor NPN avec deux sources
de tension.
 Traçage de la caractéristique de sortie Ic=f(Vce) pour différentes valeurs
de Ib.

1.1. Matériel et instruments de mesure :

 Transistor NPN 2N2222
 Resistance 1KΩ, 1000 KΩ
 Alimentation de tension continue
 Multimètre

1.2. Manipulation 1 : polarisation d’un transistor avec deux

sources de tensions :
a) Montage :
La tension Eb est fixe 4sur 2V et la tension Ec sur 10V,
A l'aide de multimètre on mesure les grandeurs électriques suivantes :
Vce0=5V
Vbe0=0,652V
Ib0=13,87µA
Ic0=4,976mA
On peut déduire la valeur du gain en courant statique β du transistor,
𝐼𝑐 0 4,976 ×10− 3
β= 𝐼𝑏 0 = − 6 soit β=358,75
13,87 ×10

1.3. Manipulation 2 : Traçage de la caractéristique de sortie

Ic=f(Vce) :
On fixe la tension EB a 3V et on fait varier la tension EC :
Ec(V) 2 4 6 8 10 12 14 15
Ic(mA) 1,954 3,917 5,836 7,601 7,993 8,184 8,599 8,716
Vce(V) 0,053 0,08 0,11 0,339 2,05 3,82 5,44 6,32
Maintenant on fixe la tension EB a 4V:

Ec(V) 2 4 6 8 10 12 14 15
Ic(mA) 1.995 3.957 5.916 7.938 9.919 11.478 11.818 12.096
Vce(V) 0.043 0.065 0.083 0.104 0.134 0.610 2.280 3.01

2. Application du transistor bipolaire:

Objectif :
 Analyse du montage amplificateur émetteur commun d’un Tr bipolaire
en mode amplification.

2.1. Matériel et instruments de mesure :

 Transistor NPN 2N2222
 Resistance 1kΩ, 10 kΩ,150 kΩ
 Condensateurs 10µF,100µF
 Alimentation continue
 Générateur de basse fréquence (GBF)
 Oscilloscope
 Sondes et fils

2.2. Manipulation 1 : Etude dynamique de l’amplificateur

émetteur commun :
a) Montage :
On ajuste l’alimentation continue Vcc a 24V et on règle la fréquence du GBF
sur la forme sinusoïdale pour obtenir une tension d’entrée Ve d’amplitude de
1,25V crête a crête et une fréquence de 1KHz
  Le gain en tension : G=Vs/Ve=10/1,25=> G=8

2.3. Manipulation 2 : courbe de linéarité:

On fait varier la tension dentree et on note les valeurs de Vs:
Ve(mV) 1,25 1.625 3 4.2 5.5
Vs(V) 10 11 13 13.5 14

2.4. Manipulation 3 : Analyse harmonique :

On fait varier la fréquence du GBF, mesurer la tension de sortie Vs crête a crête
puis calculer le gain en tension G=20 x log (Vs/Ve) :
f 20 12 14 16 18 20 25 30 50 800 1K 5K 10K 50K 500 1
0 0 0 0 0 0 0 0 K M
Vs 1 2.5 3 3.5 3.7 4 4.5 5 6.5 9.5 10 7 10 10 10 7
5
G 0.5 1.1 2 2.3 2.5 2.6 3 3.3 4.3 6.3 12 4.6 6.33 6.3 6.3 4.6
3 7 3 3 3 .6 7 3 3 7
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